JP2002517597A5

JP2002517597A5 -

Info

Publication number: JP2002517597A5
Application number: JP2000553529A
Authority: JP
Filing date: 1999-06-08
Publication date: 2011-04-21
Anticipated expiration: 2019-06-08

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】明確に定められた方向にあるｓｍＣ^*相の層法線ｚを有するモノドメインの形態で液晶層を含有する単安定強誘電性アクティブマトリックスディスプレイであって、層法線ｚとネマティックまたはコレステリック相（Ｎ^*相）の配向方向ｎとが、５゜よりも大きい角度を形成しており、当該液晶層は、少なくとも１種の式（Ｉ）で表わされる化合物を含有する、上記アクティブマトリックスディスプレイ：
【化１】

式中、
Ａ³はフッ素化ピリジンまたはフッ素化ピリミジンであり、
Ｒ¹およびＲ²は、相互に独立して、同一または相違しており、それぞれ水素であるか、または炭素原子２〜１６個を有するアルキル基またはアルキルオキシ基であり、この基中に存在する１個または２個の−ＣＨ₂−基は、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−（Ｏ＝）Ｃ−Ｏ−、−Ｓｉ（ＣＨ₃）₂−またはシクロプロパン−１，２−ジイルにより置き換えられていてもよく、またこの基中に存在する１個または２個以上のＨ原子は、Ｆにより置き換えられていてもよいが、ただしＲ¹およびＲ²は両方ともに、水素であることはできなく、もしくは、
Ｒ¹およびＲ²は、基Ｍ⁷−Ｒ⁷であり、
ここでＲ⁷は、少なくとも１個の不斉炭素原子を有する基であり、この不斉炭素原子は、炭素原子３〜１６個を有するアルキル基の一部であり、この基中に存在する１〜４個の−ＣＨ₂−基はまた、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−または−（Ｏ＝）Ｃ−Ｏ−により置き換えられていてもよく、またこの不斉炭素原子の置換基の１個は、−ＣＨ₃、−ＣＦ₃、−ＯＣＨ₃、Ｃｌ、ＦまたはＣＮでなければならない、
もしくはこの不斉炭素原子は、３員〜７員の炭素環の一部であり、この環に存在する１個の−ＣＨ₂−基または隣接していない２個の−ＣＨ₂−基はまた、−Ｏ−により置き換えられていてもよく、または１個の−ＣＨ₂−基は、−ＯＣ（＝Ｏ）−または−（Ｏ＝）Ｃ−Ｏ−により置き換えられていてもよく、
Ｍ⁷は、不斉炭素原子がアルキル鎖の一部である場合、単結合であり、また不斉炭素原子がＲ⁷につい定義されている炭素環の一部である場合、単結合、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−またはＣ（＝Ｏ）Ｏ−であり；
Ａ¹、Ａ²、Ａ⁴およびＡ⁵は、相互に独立して、同一または相違しており、それぞれ１，４−フェニレン（この基は未置換であるか、またはＦにより単置換または二置換されている）であり；
Ｍ¹、Ｍ²、Ｍ⁴およびＭ⁵は、相互に独立して、同一または相違しており、それぞれ単結合、−ＯＣ（＝Ｏ）−、−（Ｏ＝）Ｃ−Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂−Ｏ−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂ＣＨ₂−または−Ｃ≡Ｃ−であり；
ａ、ｂ、ｃおよびｄはそれぞれ、０または１であるが、ただし１≦｛ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ｝≦３であり、および相当する指数が０である場合、（Ａ^X−Ｍ^X）は単結合である。
【請求項２】Ａ³が、下記基である、請求項１に記載のアクティブマトリックスディスプレイ：
【化２】

【請求項３】ｓｍＣ^*相の層法線ｚとネマティックまたはコレステリック相（Ｎ^*相）の配向方向ｎとが、ｓｍＣ^*チルト角の０．５〜１．０倍の範囲にある、請求項１または２のいずれか一項に記載のアクティブマトリックスディスプレイ。
【請求項４】強誘電性液晶層が下記相配列を有し：
Ｉ^*−Ｎ^*−ｓｍＣ^*
ここで、２゜よりも大きくない存在範囲を有するｓｍＡ^*が、Ｎ^*相とｓｍＣ^*相との間に存在することができる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のアクティブマトリックスディスプレイ。
【請求項５】強誘電性液晶媒体の自発分極値が、２５ｎＣ／ｃｍ²よりも小さい、請求項１〜４のいずれかに記載のアクティブマトリックスディスプレイ。
【請求項６】液晶層のカイラルネマティックまたはコレステリックピッチの長さが、スメクティック相転移温度以上少なくとも２℃の温度範囲内で５０μｍよりも長い、請求項１〜５のいずれか一項に記載のアクティブマトリックスディスプレイ。
【請求項７】請求項１〜６のいずれか一項に記載のアクティブマトリックスディスプレイの製造方法であって、アクティブマトリックスディスプレイのラビングした上方基板とラビングした下方基板との間の空隙に、液晶層を導入し、ここで上記上方基板のラビング方向および上記下方基板のラビング方向とは基本的に平行であり、次いでこの液晶相をアイソトロピック相から冷却させることを含み、ここで少なくともＮ^*→ｓｍＣ^*またはＮ^*→ｓｍＡ^*→ｓｍＣ^*相転移中、当該ディスプレイに直流電流を印加する、上記製造方法。
【請求項８】請求項７に記載の方法により得られるアクティブマトリックスディスプレイ。

ここでＲ⁷は、少なくとも１個の不斉炭素原子を有する基であり、この不斉炭素原子は、炭素原子３〜１６個を有するアルキル基の一部であり、この基中に存在する１〜４個、好ましくは１個または２個の−ＣＨ₂−基は、−Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−または−（Ｏ＝）Ｃ−Ｏ−により置き換えられていてもよく、またこの不斉炭素原子の置換基の１個は、−ＣＨ₃、−ＣＦ₃、−ＯＣＨ₃、Ｃｌ、ＣＮまたはＦでなければならない、
もしくはこの不斉炭素原子は、３員〜７員の炭素環の一部であり、この環に存在する１個の−ＣＨ₂−基または隣接していない２個の−ＣＨ₂−基は、−Ｏ−により置き換えられていてもよく、または１個の−ＣＨ₂−基は−ＯＣ（＝Ｏ）−または−（Ｏ＝）Ｃ−Ｏ−により置き換えられていてもよく、
Ｍ⁷は、不斉炭素原子がアルキル鎖の一部である場合、単結合であり、また不斉炭素原子がＲ⁷につい定義されている炭素環の一部である場合、単結合、−ＯＣＨ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣ（＝Ｏ）−またはＣ（＝Ｏ）Ｏ−であり；