JP2002508032A

JP2002508032A - 金属性クロム−タンタル酸化物組成物、スパッタリングターゲットおよび磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2002508032A
Application number: JP50557299A
Authority: JP
Inventors: シオン、ウェイ; フー、フン−リー
Original assignee: プラックセアーエス．ティ．テクノロジー、インコーポレイテッド
Priority date: 1997-06-30
Filing date: 1998-06-22
Publication date: 2002-03-12
Also published as: AU8141698A; EP1005577A1; US5989673A; TW460588B; WO1999000529A1

Abstract

(57)【要約】クロム−五酸化タンタル（Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅）およびクロム−四酸化タンタル（Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₄またはＣｒ−ＴａＯ₂）を含むクロム−タンタル酸化物（ＣｒＴａＯ_x）、それらを含有するスパッタリングターゲットおよびそれらの製造が開示される。前記ターゲットは、高密度、均一なＴａＯ_x分布、低インピーダンスおよびスパッタリング中の安定なプラズマにより特徴づけられている。前記Ｃｒ−Ｔａ酸化物は、データ記憶用のハードディスクに用いられる金属性または非金属性基材上に蒸着される磁気記録媒体の保磁度および他の特性を向上させるために、薄膜副層として用いられる。

Description

【発明の詳細な説明】金属性クロム−タンタル酸化物組成物、スパッタリングターゲットおよび磁気記録媒体発明の分野本発明は、クロム−タンタル酸化物(Ｃｒ−ＴａＯ_x)、Ｃｒ−ＴａＯ_xを含有するスパッタリングターゲット、その製造およびデータ保存用ハードディスク即ちデータ記憶用ハードディスクの非金属性基材上の高保磁度で低ノイズで均一な薄膜記録媒体を得るための副層としての用途に関する。背景技術薄膜磁気記録媒体は、コンピュータおよび他のデータ保存装置に広く用いられているハードディスクドライブの主な構成要素である。記録密度が次の目標である１０Ｇｂｉｔ／ｉｎ²以上に向かって増加するのにつれて、媒体保磁度を増加しノイズを低減するさらなる努力がされている。媒体合金および組織の改善に加え、ガラスおよびガラス−セラミックなどの代替基材は、従来のＮｉＰメッキアルミニウム（ＮｉＰ／Ａｌ）基材よりも好適であることがわかっている。これらの代替基材を用いることの利点には、より低い媒体ノイズおよびより高い記録密度につながるより低いフライト高さ（flight height）である。さらにこれらの代替基材は、通常高温でＮｉＰ／Ａｌに起こるディスクの反りを起こさずに高温にアクセスできる。このような代替基材の優れた機械的性質によりディスクの厚さおよび大きさを小さくすることもできる。高品質の媒体被膜を得るために、被膜蒸着工程の間に直流バイアスを印加することが必要である。しかし、非金属性基材の不導電性により直流バイアスを印加するのは困難である。さらに、ほとんどの非金属性基材の熱損失速度が大きいので、媒体被膜の好ましい配向のために求められる高温に耐えることも困難である。したがって、非金属性基材に直接蒸着された媒体は、通常低い保磁度および低い記録性能を示す。保磁度を向上させるために、非金属性基材と媒体被膜の間に特別な薄い金属性種層／副層が必要である。それは、直流バイアスを印加するために必要な電気伝導度だけでなく、次に蒸着される媒体被膜のより良い成長条件をも与える。種層／副層の最適な蒸着方法は、主にスパッタリング、ＰＶＤ（物理蒸着）方法であるので、これらの物質のスパッタリングターゲットは、副層の性能および磁気媒体記録層の性能の保証にきわめて重量な役割を果たす。他の制御因子に加え、スパッタリングターゲットは計画された化学的性質、組成および純度で注意深く設計されなければならない。さらに、最適な顕微鏡組織および他の制御された特性は、最新の製造冶金法により正しく制御されなければならない。そうでないと、ハードディスクの求められる記録特性は達成できない。高性能ターゲット製造のための最新冶金法には、熱間液圧プレス、熱間静水圧圧縮成形（ＨＩＰ）、冷間静水圧圧縮成形（ＣＩＰ）および溶融がある。発明の概要本発明は、クロム−タンタル酸化物(Ｃｒ−ＴａＯ_x)の金属性組成物を提供する。タンタル酸化物には、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₄およびＴａＯ₂がある。これらの組成物は、データ保存用の高性能磁気記録媒体の製造において薄膜の蒸着のためのスパッタリングターゲットを製造するために使用される。Ｃｒ−ＴａＯ_xのスパッタリングターゲットの製造法も本発明により提供される。Ｃｒ−ＴａＯ_xの新規な副層は、ガラス系、セラミック系、混合ガラス／セラミック系およびポリマー基材などの非金属性基材上の高保磁度、低ノイズおよび非常に均一な記録媒体を得るために使用される。ポリマー基材には、ポリエチレンテレタレート、ポリカーボネート、ポリアリーレート、ポリフェニンエーテル、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィドまたはポリエーテルケトンがある。例えば、好ましい媒体は、Ｃｒ−ＴａＯ_x副層、クロムまたはクロム合金の下層、磁気コバルト系合金上層（overlayer）および炭素保護層保護膜を有する円盤状非金属性基材を含んでなる。Ｃｒ−ＴａＯ_xターゲットを用いて得られる蒸着被膜は、金属性混合物（Ｃｒ −ＴａＯ_x）または単層化合物（ＣｒＴａＯ_x）である。「クロムおよびタンタルの酸化物」という用語の使用は、前記金属性組成物の混合物および単層化合物形態の両方を意味することが理解されるべきである。最適な組成および化学量論比を有するクロム−タンタル酸化物のスパッタリングターゲットは、本発明の教示による成分の範囲から選択してもよい。特定の用途において、反復可能で再現性のある特性を有する薄膜を蒸着するためには、組成および化学量論比を定義し、注意深く制御しなければならない。好ましい組成物は、実質的にクロムまたはクロム系の合金即ちクロム基合金およびＴａ₂Ｏ₅、ＴａＯ₄およびＴａＯ₂およびそれらの混合物から選択される１０原子％までのタンタル酸化物から成る。スパッタリングターゲットを製造する冶金法には、熱間液圧プレス、熱間静水圧圧縮成形（ＨＩＰ）および溶融法がある。熱間液圧プレスは、保護雰囲気における１，８００℃までの圧密化炉温度および３００ｋｇ／ｃｍ²までの単方向圧力を利用する。何らかの特別な缶に詰めることまたは瓶に詰めることなしに、高密度で均一なＣｒ−ＴａＯ_x組成物をスパッタリングターゲット用に製造できる。熱間静水圧圧縮成形は、高圧（１５，０００から４０，０００ｐｓｉ）および高温（５００〜１，６００℃）チャンバー即ち高温室を利用し、そのチャンバーにおいてＣｒ−ＴａＯ_x組成物を、組成および化学量論比を変えずに圧密化する。ターゲット密度は、圧密化の問に付与される高圧の静水圧のために理論的な密度に非常に近い。保護雰囲気または真空中でのＣｒ−ＴａＯ_x組成物の調製のための溶融法には、電子ビーム溶融、誘導溶融およびアーク溶融がある。Ｃｒ−ＴａＯ_xターゲットは、非磁性下層、磁性層および保護膜を含む他の層の蒸着に先立ち、非金属性基材上に約２５〜３，０００Åの間の厚さを有する副層被膜を蒸着するために用いられる。例えば、ある一般的な実施様態において、前記副層は、タンタル酸化物がクロム−五酸化タンタル（Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅）およびクロム−四酸化タンタル（Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₄またはＣｒ−ＴａＯ₂）を含むクロム−タンタル酸化物（Ｃｒ−ＴａＯ_x）を含む。タンタル酸化物の好ましい濃度は、１０原子％までである。本発明の他の詳細および実施様態は、図と以下の詳細な説明に関して理解されるであろう。図面の簡単な説明図１は、設計された組成のターゲットを製造するために使用される熱間液圧プレスシステムの１例の概略図である。図２は、もう１つの選択肢として、設計された組成のターゲットを製造するために使用される熱間静水圧圧縮成形システムの１例の概略図である。図３は、もう１つの選択肢として、設計された組成のターゲットを製造するために使用される誘導溶融システムの１例の概略図である。図４は、ホットプレスされたＣｒ−Ｔａ₂Ｏ₅ターゲットの１例の２５倍に拡大した顕微鏡組織を示す。図５は、２つの典型的なターゲット形状、すなわち円形（５Ａ）および支持受け板のついた長方形（５Ｂ）の透視図である。図６は、薄膜記録媒体構造の断面概略図である。図７は、Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅副層の厚さの関数としての媒体保磁度のプロットである。図８は、Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅副層の厚さが変化する際のガラス基材上に蒸着された記録媒体の孤立パルス幅（ＰＷ５０）のプロットである。図９は、Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅副層の厚さの関数としてのガラス基材上の媒体のオーバーライト即ち重ね書き（ＯＷ）のプロットである。図１０は、Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅層の厚さに対する媒体解像度のプロットである。図１１は、Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅副層の厚さに依存する媒体シグナル対ノイズ比（ＳＮＲ）のプロットである。図１２は、Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅副層の厚さの関数としての媒体変調のプロットである。発明の詳細な説明図１に関して、熱間液圧プレスシステムを用いてＣｒ−ＴａＯ_xターゲットを製造してもよい。Ｃｒ−ＴａＯ_x成分１０は、Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅またはＣｒ−ＴａＯ₂の合金または混合物またはＣｒに約１０原子％までの酸化物濃度を有する他のタンタル酸化物を加えたものである。粒度２００ミクロン未満のＣｒ−ＴａＯ_x １０の混合した粉末成分を上部プレスヘッド１２、下部プレスヘッド１３および外側の金型１４の間に入れることにより、炉１５内の金型の温度を上げると、Ｃｒ−ＴａＯ_x１０の温度は最大約１，８００℃まで上昇し、それに印加される液圧力は３００ｋｇ／ｃｍ²までの単方向圧力を生じる。保護雰囲気または真空またはその両者の組み合わせにおいて、求められるＣｒ−ＴａＯ_x成分は、求められる性質まで圧密化され、完全な密度に達するかまたは近づく（その物質の密度は、タンタル酸化物の組成および化学量論比の関数である）。１．５原子％のＴａ₂Ｏ₅を含むＣｒ−ＴａＯ_xターゲットの場合、７．２ｇ／ｃｍ³の密度が達成された。得られるＣｒ−ＴａＯ_xは、副層の蒸着のためのスパッタリングターゲットを作るために使用される。有利な場合には、誘導加熱または抵抗加熱を上記方法の加熱に適用できる。図２に関し、熱間静水圧圧縮成形システムを用いて、圧力容器２５の熱帯域におかれた、加熱素子２４に取り巻かれた密閉容器２２中でＣｒ−ＴａＯ_x組成物を製造することができる。容器２５の真空ポンプ２３による最初の真空引きのあと、Ｃｒ−ＴａＯ_x粉末混合物は、アルゴン圧縮機２６により圧縮されバルブ２８により制御されて、アルゴン貯蔵部２７からの圧縮されたアルゴンにより作られた非常に高い静水圧（１５，０００〜４０，０００ｐｓｉ）をかけられる。加熱素子２４により生じる熱はＣｒ−ＴａＯ_x粉末組成物に１６００℃までの高温をもたらす。このような条件下で、Ｃｒ−ＴａＯ_xは圧密化され、図１に関する上記の段落に記載されたものに類似の完全な密度になるか、それに近づく。図３に関し、真空／保護ガス能力を有する典型的な誘導溶解炉を用いてもよい。Ｃｒ−ＴａＯ_x成分１０は坩堝３２に置かれ、誘導コイル３３によりＣｒおよびＴａＯ_xの融点を超える温度まで加熱される。炉室３４はまず機械式ポンプ３６により、次いで拡散ポンプ３５により真空引きされ、その後保護ガスがタンク３７から充填される。Ｃｒ−ＴａＯ_xを高温で合金にすることにより、Ｃｒ−ＴａＯ_xの求められる成分は、図１に関して上述のものに類似の求められる性質にまで圧密化される。図４は、ホットプレスされたＣｒ−Ｔａ₂Ｏ₅ターゲットの顕微鏡組織を示す。写真に示されているとおり、Ｔａ₂Ｏ₅の第２相がスパッタリングターゲット中に均一に分散されている。図５は、真ん中に穴のあいた円形のターゲット（図５Ａ）および支持受け板５２を持つ長方形ターゲット５１（図５Ｂ）などの、Ｃｒ−ＴａＯ_xの副層の蒸着に用いられるスパッタリングターゲットの２つの例を示す。図６は、記録媒体の被膜構造の概略図である。前記媒体は、ガラスなどの非金属性基材、Ｃｒ−ＴａＯ_xの副層、クロムまたはクロム合金の下層、コバルト系合金磁性層および炭素保護膜を含んでなる。従来のＮｉＰ／Ａｌ基材の場合、基材および下層の間に特別な種層または副層なしに、磁性層および下層が通常ＮｉＰ／Ａｌに直接蒸着される。非金属性基材には、ガラス、セラミック、ガラス− セラミック、炭素、ポリマー、シリコンなどがある。基材の表面は研磨されているか、またはきめ出しされている。上述のとおり、副層はクロム−タンタル酸化物（Ｃｒ−ＴａＯ_x）またはクロム−タンタル酸化物系物質である。より好ましくは、前記副層物質は、タンタル酸化物（Ｔａ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₄およびＴａＯ₂）の濃度が１０原子％までのクロム−五酸化タンタル（Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅）またはクロム−四酸化タンタル（Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₄またはＣｒ−ＴａＯ₂）である。副層被膜の好ましい厚さは約２５〜３，０００Åの間である。３００〜３，０００Åの間の厚さを持つ非磁性下層被膜は、副層の上にスパッタリングされる。通常、下層材料はクロムまたはクロム合金である。磁性層は、スパッタリングにより形成され、約１００〜８００Åの間の厚さを持つことが好ましい。磁性層材料は、好ましくは、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＮｉＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａＢなどのコバルト系合金即ちコバルト基合金である。磁性層は、複数の層およびその間のフラッシュ層から成っていてもよい。耐摩耗性および他の摩擦学上の必要性を提供するために、薄い炭素の保護膜を磁性層の上に蒸着する。炭素保護膜の好ましい厚さは約５０〜３００Åである。本発明の利点を説明するため、記録ディスクは、それぞれ副層、下層、磁性層および保護層用に、Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅，Ｃｒ，ＣｏＣｒＰｔＴａおよびグラファイトのターゲットを用いてスパッタリングされた。磁性層および下層用のスパッタリングパラメータは、ガラスおよびＮＩＰ／Ａｌの両方に対して固定された。蒸着した記録媒体の磁気的性質は、１０，０００エルステッド（Ｏｅ）までの飽和磁場で振動試料磁力計（ＶＳＭ）を用いて測定された。蒸着された媒体ディスクの記録性能は、１００１ｒｅａｄｗｒｉｔｅａｎａｌｙｚｅｒ（ＲＷＡ）を備えたＧｕｚｉｋ１７０１ｓｐｉｎｓｔａｎｄにより試験した。図７は、ＮｉＰ／Ａｌおよびガラス基材上のＣｏＣｒＰｔＴａ／Ｃｒ媒体の保磁度を示す。ＮｉＰ／Ａｌ上の媒体は２７００Ｏｅの高保磁度を有するが、同じ媒体がガラス基材上に直接蒸着されたときわずか１５００Ｏｅの保磁度しか示さない。このような低保磁度は、ガラス基材上にまずＣｒ−Ｔａ₂Ｏ₅の層を蒸着することにより著しく改良される。図７にプロットされたデータは、Ｃｒ−Ｔａ₂ Ｏ₅層の厚さが５００Åに達した後の保磁度の急激な増加を示している。さらに、従来のＮｉＰ／Ａｌ上の媒体と同じくらい高い保磁度が、厚さ約１０００ÅのＣｒ−Ｔａ₂Ｏ₅副層に観察された。図８において、ガラス上の媒体の孤立パルス幅（ＰＷ５０）が副層の厚さに対してプロットされている。５００Åを越える厚さのＣｒ−Ｔａ₂Ｏ₅副層では、ＮｉＰ／Ａｌ基材上の媒体（点線）より狭いパルス幅が観測された。図９は、Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅層の厚さの関数としてのガラス上媒体のオーバーライト即ち重ね書きを示す。保磁度増加の結果としで、Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅層の厚さが増すにつれ、媒体オーバーライトは減少する。しかし、ガラス上の媒体は、ＮｉＰ／Ａｌ基材上の媒体よりはるかに高いオーバーライト値即ち重ね書きを示す。高周波数信号および低周波数信号の振幅比と定義される媒体解像度が図１０にプロットされている。Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅層が５００Åより厚くなるにつれ、媒体解像度の向上が見られた。実際、より厚い（５００Åを超える）Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅副層を持つ媒体はＮｉＰ／Ａｌ上の媒体より高い解像度を示した。媒体シグナル対ノイズ比（ＳＮＲ）が図１１に示されている。Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅ 副層の厚さの増加とともに、ＳＮＲの連，続的な減少が観察された。これは、厚いＣｒ−Ｔａ₂Ｏ₅副層により生じるより大きい媒体粒体サイズに関連する可能性がある。それにも関わらず、ガラス基材上の媒体は、ＮＩＰ／Ａｌ上の媒体より高いＳＮＲを示す。８００Åより厚い副層を有する媒体でも、２ｄＢを超えるＳＮＲの増加が観察された。さらに、Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅副層を使用することにより、媒体の均一性も改善できる。図１２において、Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅副層を有する媒体の正変調および負変調は、ＮｉＰ／Ａｌ上の媒体より３０％小さい。本発明の他の実施様態および利点は、上記の記載を考慮すれば当業者に明らかであり、本発明は上述の具体的な詳細に限定されない。

【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】平成１１年７月１日（１９９９．７．１）【補正内容】ＪＰ−Ａ−８０４１５７８号明細書には、実質的にクロムから成る金属中に分散したＹ₂Ｏ₃およびＴａ₂Ｏ₅を含んでなる耐熱性焼結合金が開示されている。ＵＳ−Ａ−５６２０５７４号明細書には、ディスクが磁気記録層を含む複数の層を含む円盤状基材を含んでなる、薄膜磁気媒体ディスクのスパッター誘起微細テクスチャー製造方法が開示されている。発明の概要本発明は、タンタル酸化物およびクロムまたはクロム基合金の残部から成る金属性組成物を提供する。タンタル酸化物は、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₄およびＴａＯ₂ およびこれらの混合物から成る群から選択される。これらの組成物は、データ記憶用の高性能磁気記録媒体の製造において薄膜蒸着のためのスパッタリングターゲットを製造するために使用される。Ｃｒ−ＴａＯ_xのスパッタリングターゲットの製造法も本発明により提供される。請求の範囲 1. タンタル酸化物および残部のクロムまたはクロム基合金から成る金属性組成物。 2. 前記タンタル酸化物がＴａ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₄、ＴａＯ₂およびこれらの混合物から成る群から選択される、請求項１に記載の金属性組成物。 3. １０原子％までのタンタル酸化物を有し、残部がクロムまたはクロム基合金である、請求項１または２に記載の金属性組成物。 4. 請求項１に記載の組成物の成形要素を含んでなるスパッタリングターゲット。 5. 請求項２に記載の組成物の成形要素を含んでなるスパッタリングターゲット。 6. 請求項３に記載の組成物の成形要素を含んでなるスパッタリングターゲット。 7. 情報を記録および記億するための磁気的性質を有する薄膜記録媒体であって、円盤状基材、前記基材上に蒸着された請求項１に記載の組成物から成る薄膜副層、前記薄膜副層上に蒸着された非磁性金属または合金下層被膜および前記下層被膜に蒸着された磁気記録被膜を含んでなる薄膜記録媒体。 8. 薄膜副層の前記タンタル酸化物がＴａ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₄およびＴａＯ₂およびこれらの混合物から成る群から選択される、請求項７に記載の記録媒体。 9. 前記薄膜副層中に１０原子％までのタンタル酸化物を有する、請求項８に記載の記録媒体。 10．Ｃｒ−ＴａＯ_xターゲットを用いて蒸着された前記薄膜副層が、金属性混合物（Ｃｒ−ＴａＯ_x）または単相化合物（ＣｒＴａＯ_x）である、請求項７に記載の記録媒体。 11．前記金属または合金下層が、クロムまたはクロム合金から成る群から選択される、請求項７に記載の記録媒体。 12．前記磁気記録被膜がコバルト基合金である、請求項７に記載の記録媒体。 13．前記コバルト基合金が、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＮｉＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａおよびＣｏＣｒＰｔＴａＢから成る群から選択される、請求項１２に記載の記録媒体。 14．前記磁気記録被膜上に蒸着された保護膜をさらに含んでなる、請求項７に記載の記録媒体。 15．前記保護膜が炭素である、請求項１４に記載の記録媒体。 16．前記基材がテクスチャー加工されているか、またはテクスチャー加工されていない、請求項７に記載の記録媒体。 17．前記基材が、シリカ含有物質およびポリマー基材から成る群から選択された物質でできた記憶ハードディスクである、請求項７に記載の記録媒体。 18．前記シリカ含有物質が、ガラス系、セラミック系、混合ガラス／セラミック系物質から成る群から選択された、請求項１７に記載の記録媒体。 19．前記薄膜副層が１０原子％までのタンタル酸化物濃度を有する、請求項７に記載の記録媒体。 20．前記薄膜副層が約２５から３０００Åの厚さである、請求項７に記載の記録媒体。 21．データを記録および記憶するための磁気的性質を有するハードディスクであって、円盤状記録基材；厚さが約２５から３０００Åであり、請求項１に記載の組成物から成り、１０原子％までのタンタル酸化物濃度を有する、前記基材上に蒸着された薄膜副層；前記薄膜副層上に蒸着されたコバルト基合金の磁気記録被膜；前記薄膜副層および前記磁気記録被膜の間に蒸着されたクロムまたはクロム合金下層；および前記磁気記録被膜上に蒸着された保護炭素膜を含んでなるハードディスク。 25．記録媒体の製造方法であって、記録媒体基材を提供し、請求項１に記載の組成物の薄膜副層を前記基材上に蒸着し、前記薄膜副層上に磁気記録薄膜を蒸着することを含んでなる、記録媒体の製造方法。 26．前記薄膜副層が前記基材上にスパッター蒸着されている、請求項２５に記載の方法。 27．前記薄膜副層および前記磁気記録被膜の間にクロムまたはクロム合金下層を蒸着することをさらに含んでなる、請求項２５に記載の方法。 28．前記磁気記録薄膜上に薄い保護膜を蒸着することをさらに含んでなる、請求項２５に記載の方法。 29．前記保護膜が炭素である、請求項２８に記載の方法。 30．前記基材が、ガラス、セラミック、混合ガラス／セラミックおよびポリマー基材から成る群から選択される、請求項２５に記載の方法。 31．前記薄膜副層が約２５〜３０００Åの厚さであり、１０原子％までの五酸化タンタル濃度を有する、請求項２５に記載の方法。 37．前記基材がテクスチャー加工されているか、またはテクスチャー加工されていない、請求項３３に記載の方法。 38．前記薄膜副層が、約２５〜３０００Åの厚さであり、１０原子％までの五酸化タンタル濃度を有する、請求項３３に記載の方法。 39．前記磁気記録被膜が、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＮｉＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａおよびＣｏＣｒＰｔＴａＢから成る群から選択されるコバルト基合金である、請求項３３に記載の方法。【手続補正書】特許法第１８４条の８第１項【提出日】平成１１年７月２４日（１９９９．７．２４）【補正内容】 22．ガラス、セラミック、混合ガラス／セラミックおよびポリマー基材から成る群から選択される基材材料を有する、請求項２１に記載のデータ記憶ディスク。 23．前記コバルト基合金が、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＮｉＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａおよびＣｏＣｒＰｔＴａＢから成る群から選択される、請求項２１に記載のデータ記憶ディスク。 24．前記副層が、約２５〜３０００Åの間の厚さを有するスパッタリングされた被膜であり、前記磁気被膜が、約１００〜８００Åの間の厚さを有するスパッタリングされた磁気膜であり、前記炭素膜が約５０〜３００Åの間の厚さを有するスパッタリングされた保護膜である、請求項２１に記載のデータ記憶ディスク。 32．前記磁気記録被膜が、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＮｉＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａおよびＣｏＣｒＰｔＴａＢから成る群から選択されるコバルト基合金である、請求項２５に記載の方法。 33．提供された前記基材が媒体蒸着用の円盤状基材であり、その上に前記薄膜副層が均一に蒸着され、前記方法が、前記薄膜副層に下層を蒸着し、前記磁気記録被膜が前記下層に蒸着されており、前記磁気被膜上に保護膜を蒸着することをさらに含んでなる、請求項２５に記載の方法。 34．前記薄膜副層が、クロム−タンタル酸化物のスパッタリングターゲットから前記基材へとスパッタリングされている、請求項３３に記載の方法。 35．前記薄膜副層が、噴霧、蒸着、反応性スパッタリング、同時スパッタリング、他の物理蒸着法または化学蒸着法により前記基材に付与された、請求項３３に記載の方法。 36．前記基材が、ガラス系、セラミック系、混合ガラス／セラミック系または他のシリカ含有物質でできた記憶ハードディスクである、請求項３３に記載の方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims

【特許請求の範囲】 1. 主としてクロムおよびタンタル酸化物から成る金属性組成物。 2. 前記タンタル酸化物がＴａ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₄およびＴａＯ₂およびこれらの混合物から成る群から選択される、請求項１に記載の金属性組成物。 3. １０原子％までのタンタル酸化物を有し、残部がクロムまたはクロム基合金である、請求項１に記載の金属性組成物。 4. 主として、クロムまたはクロム基合金と、Ｔａ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₄およびＴａＯ₂およびこれらの混合物から成る群から選択される１０原子％までのタンタル酸化物とから成る金属性組成物。 5. 請求項１に記載の組成物の成形要素を含んでなるスパッタリングターゲット。 6. 請求項２に記載の組成物の成形要素を含んでなるスパッタリングターゲット。 7. 請求項３に記載の組成物の成形要素を含んでなるスパッタリングターゲット。 8. 請求項４に記載の組成物の成形要素を含んでなるスパッタリングターゲット。 9. 情報を記録および保存するための磁気的性質を有する薄膜記録媒体であって、円盤状基材、前記基材上に蒸着されたクロム−タンタル酸化物薄膜副層、前記Ｃｒ−ＴａＯ_x上に蒸着された非磁性金属または合金下層被膜および前記下層被膜上に蒸着された磁気記録被膜を有する薄膜記録媒体。 10．前記タンタル酸化物がＴａ₂Ｏ₅、Ｔａ₂Ｏ₄およびＴａＯ₂およびこれらの混合物から成る群から選択される、請求項９に記載の記録媒体。 11．１０原子％までのタンタル酸化物を有する、請求項１０に記載の記録媒体。 12．Ｃｒ−ＴａＯ_xターゲットを用いて蒸着された前記薄膜副層が、金属性混合物（Ｃｒ−ＴａＯ_x）または単相化合物（ＣｒＴａＯ_x）である、請求項９に記載の記録媒体。 13．前記金属または合金下層が、クロムまたはクロム合金から成る群から選択される、請求項９に記載の記録媒体。 14．前記磁気記録被膜がコバルト基合金である、請求項９に記載の記録媒体。 15．前記コバルト基合金が、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＮｉＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａおよびＣｏＣｒＰｔＴａＢから成る群から選択される、請求項１４に記載の記録媒体。 16．前記磁気記録被膜上に蒸着された保護膜をさらに含んでなる、請求項９に記載の記録媒体。 17．前記保護膜が炭素である、請求項１６に記載の記録媒体。 18．前記基材がテクスチャー加工されているか、またはテクスチャー加工されていない、請求項９に記載の記録媒体。 19．前記基材が、シリカ含有物質およびポリマー基材から成る群から選択された物質でできた記憶ハードディスクである、請求項９に記載の記録媒体。 20．前記シリカ含有物質が、ガラス系、セラミック系、混合ガラス／セラミック系物質から成る群から選択された、請求項１９に記載の記録媒体。 21．前記クロム−タンタル酸化物薄膜副層が、１０原子％までのタンタル酸化物濃度を有する、請求項９に記載の記録媒体。 22．前記クロム−タンタル酸化物薄膜副層が、約２５から３０００Åの厚さである、請求項９に記載の記録媒体。 23．データを記録および記憶するための磁気的性質を有するハードディスクであって、円盤状記録基材；厚さが約２５から３０００Åであり、１０原子％までのタンタル酸化物濃度を有する、前記基材上に蒸着されたクロム−タンタル酸化物薄膜副層；前記薄膜副層上に蒸着されたコバルト基合金の磁気記録被膜；前記薄膜副層および前記磁気記録被膜の間に蒸着されたクロムまたはクロム合金下層；および前記磁気記録被膜上に蒸着された保護炭素膜を含んでなるハードディスク。 24．ガラス、セラミック、混合ガラス／セラミックおよびポリマー基材から成る群から選択される基材材料を有する、請求項２３に記載のデータ記憶ディスク。 25．前記コバルト系合金が、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＮｉＴａ，ＣｏｃｒＰｔＴａおよびＣｏＣｒＰｔＴａＢから成る群から選択される、請求項２３に記載のデータ記憶ディスク。 26．前記副層が、約２５〜３０００Åの間の厚さを有するスパッタリングされた被膜であり、前記磁気被膜が、約１００〜８００Åの間の厚さを有するスパッタリングされた磁気被膜であり、前記炭素膜が約５０〜３００Åの間の厚さを有するスパッタリングされた保護膜である、請求項２３に記載のデータ記憶ディスク。 27．高保磁度、低媒体ノイズ、より良好な均一性および他の改善された記録性能を有する記録媒体を製造する方法であって、記録媒体基材を提供し、クロム− タンタル酸化物の薄膜副層を前記基材上に蒸着し、前記クロム−タンタル酸化物の薄膜副層上に磁気記録薄膜を蒸着することを含んでなる、記録媒体の製造方法。 28．Ｃｒ−Ｔａ₂Ｏ₅の前記薄膜副層が前記基材上にスパッター蒸着されている、請求項２７に記載の方法。 29．前記薄膜副層および前記磁気記録被膜の間にクロムまたはクロム合金下層被膜を蒸着することをさらに含んでなる、請求項２７に記載の方法。 30．前記磁気記録薄膜上に薄い保護膜を蒸着することをさらに含んでなる、請求項２７に記載の方法。 31．前記保護膜が炭素である、請求項３０に記載の方法。 32．前記基材が、ガラス、セラミック、混合ガラス／セラミックおよびポリマー基材から成る群から選択される、請求項２７に記載の方法。 33．前記薄膜副層が約２５〜３０００Åの厚さであり、１０原子％までの五酸化タンタル濃度を有する、請求項２７に記載の方法。 34．前記磁気記録被膜が、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＮｉＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａおよびＣｏＣｒＰｔＴａＢから成る群から選択されるコバルト基合金である、請求項２７に記載の方法。 35．媒体蒸着用の円盤状基材を提供し、クロム−タンタル酸化物の均一な薄膜副層を前記基材上に蒸着し、前記クロム−タンタル酸化物の薄膜副層上に下層を蒸着し、前記下層上に磁気記録薄膜を蒸着し、前記磁気薄膜上に保護膜を蒸着することを有する、請求項２７に記載の方法。 36．クロム−タンタル酸化物の前記薄膜副層が、クロム−タンタル酸化物のスパッタリングターゲットから前記基材上へとスパッタリングされている、請求項３５に記載の方法。 37．クロム−タンタル酸化物の前記薄膜副層が、噴霧、蒸着、反応性スパッタリング、同時スパッターリング、他の物理蒸着法または化学蒸着法により前記基材上に塗布された、請求項３５に記載の方法。 38．前記基材が、ガラス系、セラミック系、混合ガラス／セラミック系または他のシリカ含有物質でできた記憶ハードディスクである、請求項３５に記載の方法。 39．前記基材がテクスチャー加工されているか、またはテクスチャー加工されていない、請求項３５に記載の方法。 40．前記薄膜副層が、約２５〜３０００Åの厚さであり、１０原子％までの五酸化タンタル濃度を有する、請求項３５に記載の方法。 41．前記磁気記録薄膜が、ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＮｉＴａ，ＣｏＣｒＰｔＴａおよびＣｏＣｒＰｔＴａＢから成る群から選択されるコバルト基合金である、請求項３５に記載の方法。