JP2002505499A - ウェットエッチング方法 - Google Patents
ウェットエッチング方法Info
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- JP2002505499A JP2002505499A JP2000533611A JP2000533611A JP2002505499A JP 2002505499 A JP2002505499 A JP 2002505499A JP 2000533611 A JP2000533611 A JP 2000533611A JP 2000533611 A JP2000533611 A JP 2000533611A JP 2002505499 A JP2002505499 A JP 2002505499A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/14—Etching locally
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- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
電界放出ディスプレイデバイスの形成中に材料を選択的にウェットエッチングする方法であり、一実施例では、この選択的ウェットエッチング方法は導電性の行の層と抵抗層（２０６）とを有する構造体を流体浴に浸漬することを含む。この構造体はさらにパッドエリア（２０４ａ、２０４ｂ）を含む。この実施例では流体浴は有機酸のエッチング剤（２１０）を含む。本実施例では、導電性の行の層またはパッドエリアを大幅にエッチングすることなく、抵抗層（２０６）の露出領域が選択的にウェットエッチングされるよう、構造体に電圧を加える。このようにすることにより、本実施例では極めて有毒かつ危険な従来のエッチング剤を使用することなく、所定の材料をエッチングすることができる。
Description
【０００１】 （発明の分野） 本発明は、フラットパネルディスプレイの分野に関し、より詳細には、フラッ
トパネルディスプレイスクリーン構造体のための行電極を形成することに関する
。
トパネルディスプレイスクリーン構造体のための行電極を形成することに関する
。
【０００２】 （背景技術） 電界放出ディスプレイデバイスは一般に多数の層からなる。これら層は種々の
製造プロセス工程を使って形成、すなわちデポジットされる。従来技術を示す図
１Ａは、従来の電界放出ディスプレイ構造体の一例における一部の略側断面図で
ある。より詳細には、この従来技術を示す図１Ａは基板１００を示しており、こ
の基板１００の上には導電性の行電極層１０２が形成されている。基板１００お
よび導電性行電極層１０２の上には抵抗層１０４および上部金属間絶縁層１０６
も配置されている。
製造プロセス工程を使って形成、すなわちデポジットされる。従来技術を示す図
１Ａは、従来の電界放出ディスプレイ構造体の一例における一部の略側断面図で
ある。より詳細には、この従来技術を示す図１Ａは基板１００を示しており、こ
の基板１００の上には導電性の行電極層１０２が形成されている。基板１００お
よび導電性行電極層１０２の上には抵抗層１０４および上部金属間絶縁層１０６
も配置されている。
【０００３】 電界放出ディスプレイデバイスを製造する際には、層（たとえば層１０４）の
一部をエッチング、すなわち除去しなければならないことが多い。たとえば抵抗
層の形状を定めるために抵抗層１０４の一部を除去またはエッチングしなければ
ならないことが多い。
一部をエッチング、すなわち除去しなければならないことが多い。たとえば抵抗
層の形状を定めるために抵抗層１０４の一部を除去またはエッチングしなければ
ならないことが多い。
【０００４】 従来のほとんどのエッチングプロセスは極めて腐食性の高い有害材料を使用し
て行われている。かかる材料は電界放出デバイスの製造コストを増し、環境を潜
在的に深刻に破壊し、電界放出ディスプレイデバイスの他の種々の層および構造
に損傷を与え得る。より詳細には、かかる腐食性材料の取り扱いおよび廃棄は厳
格な政府規制に従って行わなければならず、したがって、かかる規制に従った取
り扱いによりコストが高くなっている。また、環境を潜在的に破壊する恐れによ
っても、従来の危険なエッチング剤に関連する廃棄および処理コストが高くなっ
ている。
て行われている。かかる材料は電界放出デバイスの製造コストを増し、環境を潜
在的に深刻に破壊し、電界放出ディスプレイデバイスの他の種々の層および構造
に損傷を与え得る。より詳細には、かかる腐食性材料の取り扱いおよび廃棄は厳
格な政府規制に従って行わなければならず、したがって、かかる規制に従った取
り扱いによりコストが高くなっている。また、環境を潜在的に破壊する恐れによ
っても、従来の危険なエッチング剤に関連する廃棄および処理コストが高くなっ
ている。
【０００５】 次に従来技術を示す図１Ｂを参照する。特定の層の一部をエッチングするため
に、かかる危険な腐食性の材料を使用する結果、電界放出ディスプレイデバイス
の他の部分または層に損傷が及ぶことが多い。この結果、エッチングまたは除去
すべきでない電界放出ディスプレイデバイスの層または一部が、危険で、かつ腐
食性のエッチング剤によって弱体化することがある。従来技術を示す図１Ｂに示
されるように、腐食性があり、かつ危険なエッチング剤を使用して抵抗層１０４
をエッチングする際に、行電極層１０２の一部における領域１０８に悪影響が及
ぶ。
に、かかる危険な腐食性の材料を使用する結果、電界放出ディスプレイデバイス
の他の部分または層に損傷が及ぶことが多い。この結果、エッチングまたは除去
すべきでない電界放出ディスプレイデバイスの層または一部が、危険で、かつ腐
食性のエッチング剤によって弱体化することがある。従来技術を示す図１Ｂに示
されるように、腐食性があり、かつ危険なエッチング剤を使用して抵抗層１０４
をエッチングする際に、行電極層１０２の一部における領域１０８に悪影響が及
ぶ。
【０００６】 したがって、電界放出ディスプレイデバイスの製造中に所定の部分または材料
を除去でき、エッチング剤が極めて危険なものとは言えないエッチング方法が求
められている。さらに、電界放出ディスプレイデバイスの製造中に所定の部分ま
たは材料を除去でき、エッチング剤が環境を潜在的に深刻に破壊をする恐れのな
いエッチング方法も求められている。さらに電界放出ディスプレイデバイスにお
ける他の種々の部分または層を大幅に弱体化することなく、電界放出ディスプレ
イデバイスの製造中に所定の部分または材料を除去できるエッチング方法も求め
られている。
を除去でき、エッチング剤が極めて危険なものとは言えないエッチング方法が求
められている。さらに、電界放出ディスプレイデバイスの製造中に所定の部分ま
たは材料を除去でき、エッチング剤が環境を潜在的に深刻に破壊をする恐れのな
いエッチング方法も求められている。さらに電界放出ディスプレイデバイスにお
ける他の種々の部分または層を大幅に弱体化することなく、電界放出ディスプレ
イデバイスの製造中に所定の部分または材料を除去できるエッチング方法も求め
られている。
【０００７】 （発明の概要） 本発明は、エッチング剤が極めて危険なものとは言えなく、電界放出ディスプ
レイデバイスの製造中に、所定部分または材料を除去できるエッチング方法を提
供するものである。さらに本発明は、エッチング剤が環境に深刻な潜在的な損傷
を与える恐れを有していない、電界放出ディスプレイデバイスを製造中に所定部
分または材料を除去できるエッチング方法を提供するものである。さらに本発明
は、電界放出ディスプレイデバイスの他の種々の部分または層を大幅に弱体化す
ることなく、電界放出ディスプレイデバイスの製造中に所定の部分または材料を
除去できるエッチング方法を提供するものである。
レイデバイスの製造中に、所定部分または材料を除去できるエッチング方法を提
供するものである。さらに本発明は、エッチング剤が環境に深刻な潜在的な損傷
を与える恐れを有していない、電界放出ディスプレイデバイスを製造中に所定部
分または材料を除去できるエッチング方法を提供するものである。さらに本発明
は、電界放出ディスプレイデバイスの他の種々の部分または層を大幅に弱体化す
ることなく、電界放出ディスプレイデバイスの製造中に所定の部分または材料を
除去できるエッチング方法を提供するものである。
【０００８】 特に一実施例では、選択的なウェットエッチング方法は導電性の行の層と、抵
抗層と、金属間絶縁層とを有する構造体を流体浴内に浸漬することを含む。この
構造体は上部に金属間絶縁層が配置されたパッドエリアをさらに含む。この実施
例では流体浴は有機酸のエッチング剤を含む。次に本実施例は、導電性の行の層
またはパッドエリアを大幅にエッチングすることなく、抵抗層の露出領域が選択
的にウェットエッチングされるよう、構造体に電圧を加える。このようにするこ
とにより、本発明は従来の極めて有毒で、かつ危険なエッチング剤を使用するこ
となく所定の材料をエッチングすることができる。
抗層と、金属間絶縁層とを有する構造体を流体浴内に浸漬することを含む。この
構造体は上部に金属間絶縁層が配置されたパッドエリアをさらに含む。この実施
例では流体浴は有機酸のエッチング剤を含む。次に本実施例は、導電性の行の層
またはパッドエリアを大幅にエッチングすることなく、抵抗層の露出領域が選択
的にウェットエッチングされるよう、構造体に電圧を加える。このようにするこ
とにより、本発明は従来の極めて有毒で、かつ危険なエッチング剤を使用するこ
となく所定の材料をエッチングすることができる。
【０００９】 別の実施例では、本発明は上記実施例の特徴を含み、前記パッド領域から金属
間絶縁層を選択的にウェットエッチングした後に、パッド領域に電圧を加え、有
機酸のエッチング剤に接触し続けることにより、パッド領域を保護するように陽
極処理する。
間絶縁層を選択的にウェットエッチングした後に、パッド領域に電圧を加え、有
機酸のエッチング剤に接触し続けることにより、パッド領域を保護するように陽
極処理する。
【００１０】 種々の図面に示された好ましい実施例の次の詳細な説明を当業者が読めば、本
発明の上記およびそれ以外の目的および利点が明らかとなろう。
発明の上記およびそれ以外の目的および利点が明らかとなろう。
【００１１】 本明細書の一部を形成する添付図面は本発明の実施例を示し、次の説明と共に
本発明の要旨を説明するのに役立つ。
本発明の要旨を説明するのに役立つ。
【００１２】 次の説明で参照する図は、特に明示しない限り実際の寸法どおりには描かれて
いないものと理解すべきである。
いないものと理解すべきである。
【００１３】 （好ましい実施例の説明） 次に添付図面に示されている本発明の好ましい実施例を参照する。以下、これ
ら好ましい実施例を参照し、本発明について説明するが、これら実施例は本発明
をこれら実施例のみに限定するものではないと理解できよう。むしろ逆に本発明
は特許請求の範囲に記載された発明の要旨および範囲に含まれる代替例、変形例
および均等物をカバーするものであり、さらに本発明の次の詳細な説明では、発
明を完全に理解するために特定の多数の細部について記載する。しかしながら、
当業者にはこれら特定の細部が記載されていなくても本発明を実施できることは
明らかであろう。他の点に関し、本発明の特徴を不必要に不明瞭としないように
、周知の方法、手順、構成部品および回路については詳細には説明していない。
ら好ましい実施例を参照し、本発明について説明するが、これら実施例は本発明
をこれら実施例のみに限定するものではないと理解できよう。むしろ逆に本発明
は特許請求の範囲に記載された発明の要旨および範囲に含まれる代替例、変形例
および均等物をカバーするものであり、さらに本発明の次の詳細な説明では、発
明を完全に理解するために特定の多数の細部について記載する。しかしながら、
当業者にはこれら特定の細部が記載されていなくても本発明を実施できることは
明らかであろう。他の点に関し、本発明の特徴を不必要に不明瞭としないように
、周知の方法、手順、構成部品および回路については詳細には説明していない。
【００１４】 危険性のない本エッチング方法は電界放出ディスプレイデバイスの製造中にお
ける種々の開発段階において電界放出ディスプレイデバイスの種々の層で使用す
るのに良好に適する。次の説明は特定の開発段階にある電界放出ディスプレイデ
バイスの形成につながるいくつかの電界放出ディスプレイの製造工程の説明と共
に開始する。この説明の次に、この開発段階中にある電界放出ディスプレイデバ
イスで危険性のない本エッチング方法をどのように使用するかについて述べる説
明が続く。特定の層および特定の開発段階中にある電界放出ディスプレイデバイ
スと共に、危険性のない本エッチング方法を説明するが、かかる特定の例は明瞭
にするために記載したものである。危険性のない本エッチング方法は電界放出デ
ィスプレイデバイスの製造中における種々の開発段階にある電界放出ディスプレ
イデバイスの種々の層で使用するのに良好に適することが理解できよう。
ける種々の開発段階において電界放出ディスプレイデバイスの種々の層で使用す
るのに良好に適する。次の説明は特定の開発段階にある電界放出ディスプレイデ
バイスの形成につながるいくつかの電界放出ディスプレイの製造工程の説明と共
に開始する。この説明の次に、この開発段階中にある電界放出ディスプレイデバ
イスで危険性のない本エッチング方法をどのように使用するかについて述べる説
明が続く。特定の層および特定の開発段階中にある電界放出ディスプレイデバイ
スと共に、危険性のない本エッチング方法を説明するが、かかる特定の例は明瞭
にするために記載したものである。危険性のない本エッチング方法は電界放出デ
ィスプレイデバイスの製造中における種々の開発段階にある電界放出ディスプレ
イデバイスの種々の層で使用するのに良好に適することが理解できよう。
【００１５】 次に、図２を参照すると、ここには本発明の危険性のないエッチング方法と共
に使用する電界放出ディスプレイデバイスの行電極の上部平面図が示されている
。本実施例では図されていない基板の上部には、全体が番号２０２で示される行
電極が形成されている。図２の実施例では導電性材料の層をデポジットし、導電
性材料の層をパターン形成することにより、行電極２０２が形成されている。本
実施例では行電極２０２はアルミニウムから形成されている。しかしながら、本
発明は２つ以上のタイプの導電性材料から形成された行電極と共に使用するのに
も適する。たとえば本発明の別の実施例では、行電極２０２はアルミニウムから
形成されており、上部表面はタンタルによって被覆されている。本発明の別の実
施例では、行電極２０２はアルミニウムから形成されており、上部表面はタンタ
ルによって被覆されている。本実施例と共に、かかる行電極の形成方法について
説明するが、本発明は他の種々の行電極形成技術または方法を使用して形成され
た行電極と共に使用するのに適する。次の説明では、明瞭にするために２つの行
電極２０２しか示していない。しかしながら本発明はかかる行電極のアレイを用
いて実施するのに適することが理解できよう。
に使用する電界放出ディスプレイデバイスの行電極の上部平面図が示されている
。本実施例では図されていない基板の上部には、全体が番号２０２で示される行
電極が形成されている。図２の実施例では導電性材料の層をデポジットし、導電
性材料の層をパターン形成することにより、行電極２０２が形成されている。本
実施例では行電極２０２はアルミニウムから形成されている。しかしながら、本
発明は２つ以上のタイプの導電性材料から形成された行電極と共に使用するのに
も適する。たとえば本発明の別の実施例では、行電極２０２はアルミニウムから
形成されており、上部表面はタンタルによって被覆されている。本発明の別の実
施例では、行電極２０２はアルミニウムから形成されており、上部表面はタンタ
ルによって被覆されている。本実施例と共に、かかる行電極の形成方法について
説明するが、本発明は他の種々の行電極形成技術または方法を使用して形成され
た行電極と共に使用するのに適する。次の説明では、明瞭にするために２つの行
電極２０２しか示していない。しかしながら本発明はかかる行電極のアレイを用
いて実施するのに適することが理解できよう。
【００１６】 依然として図２を参照すると、本実施例では、行電極２０２はパッドエリア２
０４Ａおよび２０４Ｂを含む。これらパッドエリアは行電極２０２を電流源に結
合するのに使用されている。
０４Ａおよび２０４Ｂを含む。これらパッドエリアは行電極２０２を電流源に結
合するのに使用されている。
【００１７】 次に、図３Ａを参照する。ここには行電極の側断面図が示されている。本実施
例では基板２００に行電極２０２が形成されている。図３の行電極２０２もパッ
ド領域２０４ａおよび２０４ｂを含む。上記のように、本実施例では行電極２０
２は導電性材料、たとえばアルミニウムから形成されている。本実施例ではかか
る行電極の構造について記載しているが、本発明は行電極が材料の組み合わせか
ら形成される実施例にも良好に適する。かかる材料の組み合わせとして、たとえ
ば、一部がタンタルで被覆されたアルミニウムの行電極と、全体がタンタルで被
覆されたアルミニウムの電極などがある。
例では基板２００に行電極２０２が形成されている。図３の行電極２０２もパッ
ド領域２０４ａおよび２０４ｂを含む。上記のように、本実施例では行電極２０
２は導電性材料、たとえばアルミニウムから形成されている。本実施例ではかか
る行電極の構造について記載しているが、本発明は行電極が材料の組み合わせか
ら形成される実施例にも良好に適する。かかる材料の組み合わせとして、たとえ
ば、一部がタンタルで被覆されたアルミニウムの行電極と、全体がタンタルで被
覆されたアルミニウムの電極などがある。
【００１８】 次に図３Ｂを参照すると、製造工程中、行電極２０２の一部の上に抵抗層２０
６がデポジットされる。本発明の危険でないエッチング方法はかかる抵抗層２０
６を行電極２２０の上にデポジットして製造された電界放出ディスプレイデバイ
スと共に使用するのに適する。一実施例では抵抗層２０６はシリコンカーバイド
（ＳｉＣ）、サーメットまたは二重の層の組み合わせから形成されている。（パ
ッド領域２０４ａおよび２０４ｂを明瞭に示すために）図３Ｂには示されていな
いが、この抵抗層２０６はこれらパッド領域２０４ａおよび２０４ｂにも同じよ
うにデポジットされていると理解できよう。
６がデポジットされる。本発明の危険でないエッチング方法はかかる抵抗層２０
６を行電極２２０の上にデポジットして製造された電界放出ディスプレイデバイ
スと共に使用するのに適する。一実施例では抵抗層２０６はシリコンカーバイド
（ＳｉＣ）、サーメットまたは二重の層の組み合わせから形成されている。（パ
ッド領域２０４ａおよび２０４ｂを明瞭に示すために）図３Ｂには示されていな
いが、この抵抗層２０６はこれらパッド領域２０４ａおよび２０４ｂにも同じよ
うにデポジットされていると理解できよう。
【００１９】 次に図４を参照すると、ここには本発明に係わるエッチング浴２１０ないに浸
漬された図３Ｂの電界放出ディスプレイデバイスの側断面図が示されている。本
実施例では、他の層（たとえば行電極２０２に悪影響を与えることなく、材料、
たとえば抵抗間層２０６が選択的にウェットエッチングされる。
漬された図３Ｂの電界放出ディスプレイデバイスの側断面図が示されている。本
実施例では、他の層（たとえば行電極２０２に悪影響を与えることなく、材料、
たとえば抵抗間層２０６が選択的にウェットエッチングされる。
【００２０】 依然として図４を参照すると、本実施例ではエッチング浴２１０は有機酸エッ
チング剤を含む脱イオン水から形成されている。一実施例では有機酸エッチング
剤はオキソ酸、たとえばクエン酸、酢酸などである。
チング剤を含む脱イオン水から形成されている。一実施例では有機酸エッチング
剤はオキソ酸、たとえばクエン酸、酢酸などである。
【００２１】 図４を再び参照すると、本実施例ではエッチング浴２１０は１％のクエン酸溶
液を含む脱イオン水からなる。したがって、極端に侵食性であり、かつ危険であ
ることが多い従来のエッチング剤と異なり、本実施例で使用されるエッチング溶
液２１０は比較的安全であるので危険でない。この結果、侵食性があり、危険な
従来のエッチング剤と異なり、本実施例のエッチング浴は、環境を潜在的にひど
く破壊することによって電界放出デバイスの製造コストが上昇することを防止す
るものである。より詳細には、本実施例のエッチングより２１０はとてつもなく
厳しい政府規制を受けることなく処理し、廃棄できる。したがって、従来のエッ
チング方法における侵食性のある危険なエッチング剤の取り扱いおよび廃棄に関
連したコストよりも低いコストで、エッチング浴２１０の取り扱いおよび廃棄が
可能である。
液を含む脱イオン水からなる。したがって、極端に侵食性であり、かつ危険であ
ることが多い従来のエッチング剤と異なり、本実施例で使用されるエッチング溶
液２１０は比較的安全であるので危険でない。この結果、侵食性があり、危険な
従来のエッチング剤と異なり、本実施例のエッチング浴は、環境を潜在的にひど
く破壊することによって電界放出デバイスの製造コストが上昇することを防止す
るものである。より詳細には、本実施例のエッチングより２１０はとてつもなく
厳しい政府規制を受けることなく処理し、廃棄できる。したがって、従来のエッ
チング方法における侵食性のある危険なエッチング剤の取り扱いおよび廃棄に関
連したコストよりも低いコストで、エッチング浴２１０の取り扱いおよび廃棄が
可能である。
【００２２】 図４の実施例では、電源２１２は行電極２０２に正電圧を加える。さらにカソ
ードには図４に示されるように負電圧が加えられる。行電極２０２には抵抗層２
０６が電気的に接触しているので、正電圧の大きさが行電極２０２に加えられる
電圧と異なっていても、抵抗層には正の電圧のバイアスがかけられる。本発明で
は、約２ボルトよりも高い正電圧により抵抗層２０６のエッチングが行なわれる
。一実施例では、行電極１０２に２〜３０ボルトの正電圧が加えられる。本実施
例ではかかる印加電圧として正電圧を記載したが、本発明は上記以外の電圧より
も高い正電圧または低い正電圧を使用することにも良好に適する。そのようにす
る場合、エッチング浴２１０に浸漬される抵抗層２０６の部分はエッチング浴２
１０により降下的にエッチングされる。エッチング浴２１０に浸漬されない抵抗
層２０６の部分はエッチングされることはない。
ードには図４に示されるように負電圧が加えられる。行電極２０２には抵抗層２
０６が電気的に接触しているので、正電圧の大きさが行電極２０２に加えられる
電圧と異なっていても、抵抗層には正の電圧のバイアスがかけられる。本発明で
は、約２ボルトよりも高い正電圧により抵抗層２０６のエッチングが行なわれる
。一実施例では、行電極１０２に２〜３０ボルトの正電圧が加えられる。本実施
例ではかかる印加電圧として正電圧を記載したが、本発明は上記以外の電圧より
も高い正電圧または低い正電圧を使用することにも良好に適する。そのようにす
る場合、エッチング浴２１０に浸漬される抵抗層２０６の部分はエッチング浴２
１０により降下的にエッチングされる。エッチング浴２１０に浸漬されない抵抗
層２０６の部分はエッチングされることはない。
【００２３】 次に図５を参照する。抵抗層２０６の所望部分をマスクすることにより、抵抗
層２０６は選択的にウェットエッチングされる。図５の実施例ではマスク層２１
４は領域２１６およびパッド領域２０４ａおよび２０４ｂを除き、抵抗層２０６
をカバーしている。この電界放出ディスプレイデバイスをエッチング浴２１０に
浸漬し、このデバイスに正電圧を加えた後に、エッチング浴に浸漬される層（た
とえばパッド領域２０４および２０４ｂにおける層、および領域２１６ないの層
）が浸漬される場合に限り、抵抗層２０６のエッチングが生じる。さらに本実施
例では、行電極２０６をエッチング浴２１０に浸漬しても、この電極は損傷を受
けない。さらに従来のエッチング剤と異なり、本実施例の侵食性が低く危険でな
いエッチング浴２１０は電界放出ディスプレイデバイスないに存在し得る他の層
に危険を与えるものではない。
層２０６は選択的にウェットエッチングされる。図５の実施例ではマスク層２１
４は領域２１６およびパッド領域２０４ａおよび２０４ｂを除き、抵抗層２０６
をカバーしている。この電界放出ディスプレイデバイスをエッチング浴２１０に
浸漬し、このデバイスに正電圧を加えた後に、エッチング浴に浸漬される層（た
とえばパッド領域２０４および２０４ｂにおける層、および領域２１６ないの層
）が浸漬される場合に限り、抵抗層２０６のエッチングが生じる。さらに本実施
例では、行電極２０６をエッチング浴２１０に浸漬しても、この電極は損傷を受
けない。さらに従来のエッチング剤と異なり、本実施例の侵食性が低く危険でな
いエッチング浴２１０は電界放出ディスプレイデバイスないに存在し得る他の層
に危険を与えるものではない。
【００２４】 別の実施例では、本発明は行電極２０２のエリア（たとえばパッドエリア２０
４ａおよび２０４ｂ）を保護した状態で陽極処理するのにも良好に適する。かか
る実施例では上部材料（たとえば残留金属間絶縁材料）がパッドエリア２０４ａ
および２０４ｂから除かれた後に、エッチング浴２１０内でパッドエリア２０４
ａおよび２０４ｂは正電圧（一実施例では１０〜３０ボルト）を受ける。本実施
例では、パッドエリア２０４ａおよび２０４ｂはアルミニウムから形成されてい
る。たとえばＡｌ2Ｏ3の有害な形成を防止するために、本実施例では抵抗層２０
６のエッチングに先立ち、パッドエリア２０４ａおよび２０４ｂを保護した状態
にマスクする。
４ａおよび２０４ｂ）を保護した状態で陽極処理するのにも良好に適する。かか
る実施例では上部材料（たとえば残留金属間絶縁材料）がパッドエリア２０４ａ
および２０４ｂから除かれた後に、エッチング浴２１０内でパッドエリア２０４
ａおよび２０４ｂは正電圧（一実施例では１０〜３０ボルト）を受ける。本実施
例では、パッドエリア２０４ａおよび２０４ｂはアルミニウムから形成されてい
る。たとえばＡｌ2Ｏ3の有害な形成を防止するために、本実施例では抵抗層２０
６のエッチングに先立ち、パッドエリア２０４ａおよび２０４ｂを保護した状態
にマスクする。
【００２５】 依然として図４を参照すると、上記のように本発明は行電極２０２、したがっ
て他の種々の材料のパッドエリア２０４ａおよび２０４ｂの形成に良好に適する
。かかる他の材料としては、たとえばタンタルによって一部が被覆されたアルミ
ニウム製の行電極、全体がタンタルで被覆されたアルミニウム電極および同等品
が挙げられる。上部表面が別の導電性材料、たとえばタンタルで被覆された、た
とえばアルミのような導電性材料からパッドエリア２０４ａおよび２０４ｂが形
成された実施例では、たとえばクエン酸を使ってタンタル被覆アルミパッドエリ
アは陽極処理を受ける。このようにすることにより、パッドエリアの露出したア
ルミ部分（たとえば側面部分）はＡｌ2Ｏ3の層により被覆される。陽極処理の後
にパッドエリア（たとえば上部表面）のタンタルで被覆された部分はＴａ2Ｏ5に
よりコーティングされる。
て他の種々の材料のパッドエリア２０４ａおよび２０４ｂの形成に良好に適する
。かかる他の材料としては、たとえばタンタルによって一部が被覆されたアルミ
ニウム製の行電極、全体がタンタルで被覆されたアルミニウム電極および同等品
が挙げられる。上部表面が別の導電性材料、たとえばタンタルで被覆された、た
とえばアルミのような導電性材料からパッドエリア２０４ａおよび２０４ｂが形
成された実施例では、たとえばクエン酸を使ってタンタル被覆アルミパッドエリ
アは陽極処理を受ける。このようにすることにより、パッドエリアの露出したア
ルミ部分（たとえば側面部分）はＡｌ2Ｏ3の層により被覆される。陽極処理の後
にパッドエリア（たとえば上部表面）のタンタルで被覆された部分はＴａ2Ｏ5に
よりコーティングされる。
【００２６】 パッドエリア２０４ａおよび２０４ｂが導電性材料、たとえばアルミから形成
され、全体が別の導電性材料、たとえばタンタルによってカバーされている実施
例では、タンタルでカバーされたアルミのパッドエリアは、たとえばクエン酸溶
液を使って陽極処理を受ける。このようにすることにより、タンタルで被覆され
たパッドエリアはＴａ2Ｏ5がコーティングされる。本実施例は特にＴａ2Ｏ5と記
載したが、本発明は他の種々の化学量論的な値を使用することにも良好に適する
。すなわち本発明は、ＴａxＯyからなる、陽極処理されたコーティングを形成す
るのに良好に適する。
され、全体が別の導電性材料、たとえばタンタルによってカバーされている実施
例では、タンタルでカバーされたアルミのパッドエリアは、たとえばクエン酸溶
液を使って陽極処理を受ける。このようにすることにより、タンタルで被覆され
たパッドエリアはＴａ2Ｏ5がコーティングされる。本実施例は特にＴａ2Ｏ5と記
載したが、本発明は他の種々の化学量論的な値を使用することにも良好に適する
。すなわち本発明は、ＴａxＯyからなる、陽極処理されたコーティングを形成す
るのに良好に適する。
【００２７】 したがって、本発明によれば、いくつかの実質的かつ新規な利点が得られる。
特に本発明は図２〜５のエリア、たとえばパッドエリア２０４ａおよび２０４ｂ
から抵抗層２０６を除去するのに良好に適する。さらに本発明は、実質的に絶縁
性の陽極層が形成されるのを防止するように、たとえばパッドエリア２０４ａお
よび２０４ｂから抵抗層２０６を除去するのに良好に適する。すなわち約２ボル
トよりも低い正電圧を維持することにより、図２〜５の行電極２０２のその後露
出される部分にほぼ絶縁性の陽極層を形成することなく、抵抗層２０６の露出部
分は有効にエッチングされう。
特に本発明は図２〜５のエリア、たとえばパッドエリア２０４ａおよび２０４ｂ
から抵抗層２０６を除去するのに良好に適する。さらに本発明は、実質的に絶縁
性の陽極層が形成されるのを防止するように、たとえばパッドエリア２０４ａお
よび２０４ｂから抵抗層２０６を除去するのに良好に適する。すなわち約２ボル
トよりも低い正電圧を維持することにより、図２〜５の行電極２０２のその後露
出される部分にほぼ絶縁性の陽極層を形成することなく、抵抗層２０６の露出部
分は有効にエッチングされう。
【００２８】 逆に、本発明は所望する場合、保護陽極層を容易に製造できるという実質的な
利点を提供するものである。すなわち図２〜５の行電極２０２の露出部分を保護
するようにコーティングしたい場合、エッチング方法中に使用される正電圧は約
２ボルトよりも高くする。この結果、上部抵抗層２０６がいったんエッチングに
より除去されると、下方の陽極層２０２の露出領域（たとえばタンタルのパッド
エリアなど）は上部にほぼ陽極コーティングが形成される。
利点を提供するものである。すなわち図２〜５の行電極２０２の露出部分を保護
するようにコーティングしたい場合、エッチング方法中に使用される正電圧は約
２ボルトよりも高くする。この結果、上部抵抗層２０６がいったんエッチングに
より除去されると、下方の陽極層２０２の露出領域（たとえばタンタルのパッド
エリアなど）は上部にほぼ陽極コーティングが形成される。
【００２９】 さらに別の利点として、本発明はほぼ絶縁性の陽極層を有害に形成することな
く、上部抵抗層２０６を最初に急速に除去するのに良好に適する。特にかかる実
施例では、エッチングに使用される初期の正電圧は約１０ボルトよりも高く（た
とえば約１０〜３０ボルト）なっている。このようにすることにより、抵抗層は
有効かつ急速にエッチングで除去される。抵抗層が実質的にエッチングされた後
に、ほぼ絶縁性の陽極層を形成させないような電圧（たとえば約２〜３ボルトよ
りも低い電圧）まで正電圧を低下する。したがって、かかる実施例では、ほぼ絶
縁性の陽極層を形成することなく、効率的かつ急速なエッチングが行われる。
く、上部抵抗層２０６を最初に急速に除去するのに良好に適する。特にかかる実
施例では、エッチングに使用される初期の正電圧は約１０ボルトよりも高く（た
とえば約１０〜３０ボルト）なっている。このようにすることにより、抵抗層は
有効かつ急速にエッチングで除去される。抵抗層が実質的にエッチングされた後
に、ほぼ絶縁性の陽極層を形成させないような電圧（たとえば約２〜３ボルトよ
りも低い電圧）まで正電圧を低下する。したがって、かかる実施例では、ほぼ絶
縁性の陽極層を形成することなく、効率的かつ急速なエッチングが行われる。
【００３０】 したがって、本発明はエッチング剤が極端に危険ではなく、電界放出ディスプ
レイデバイスの製造中に所定部分または材料を除去できるエッチング方法を提供
するものであり、本発明はさらにエッチングが環境を潜在的に深刻に損傷する恐
れのない、電界放出ディスプレイデバイスの製造中に所定部分または材料を除去
できるエッチング方法を提供するものである。さらに本発明は、電界放出ディス
プレイデバイスにおける他の種々の部分または層を大幅に弱体化することなく、
電界放出ディスプレイデバイスの製造中に所定の部分または材料を除去できるエ
ッチング方法を提供するものである。
レイデバイスの製造中に所定部分または材料を除去できるエッチング方法を提供
するものであり、本発明はさらにエッチングが環境を潜在的に深刻に損傷する恐
れのない、電界放出ディスプレイデバイスの製造中に所定部分または材料を除去
できるエッチング方法を提供するものである。さらに本発明は、電界放出ディス
プレイデバイスにおける他の種々の部分または層を大幅に弱体化することなく、
電界放出ディスプレイデバイスの製造中に所定の部分または材料を除去できるエ
ッチング方法を提供するものである。
【００３１】 以上で発明を示し、説明するために、本発明の特定の実施例について説明した
。これら説明は網羅的なものではなく、かつ開示した形態のみに本発明を限定す
るものでもなく、上記内容に鑑みれば明らかに多数の変形および変更が可能であ
る。これら実施例は特定の用途に合致した、種々の変形例と共に本発明および種
々の実施例を当業者が最良に利用できるよう、発明の原理およびその実施例を説
明するため、最良の順序で選択し、述べたものである。さらに本発明の範囲は本
書に添付した特許請求の範囲およびそれらの均等物によって定められるものであ
る。
。これら説明は網羅的なものではなく、かつ開示した形態のみに本発明を限定す
るものでもなく、上記内容に鑑みれば明らかに多数の変形および変更が可能であ
る。これら実施例は特定の用途に合致した、種々の変形例と共に本発明および種
々の実施例を当業者が最良に利用できるよう、発明の原理およびその実施例を説
明するため、最良の順序で選択し、述べたものである。さらに本発明の範囲は本
書に添付した特許請求の範囲およびそれらの均等物によって定められるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】 従来の電界放出ディスプレイ構造体を示す側断面図である。
【図１Ｂ】 悪影響を受けた層を有する図１Ａの構造体の側断面図である。
【図２】 行電極の平面図である。
【図３Ａ】 基板の上に行電極を形成する、製造工程中の電界放出ディスプレイデバイスの
側断面図である。
側断面図である。
【図３Ｂ】 上部に抵抗層が形成された、図３Ａの電界放出ディスプレイデバイスの側断面
図である。
図である。
【図３Ｃ】 上部に別の層が形成された図３Ｂの電界放出ディスプレイデバイスの側断面図
である。
である。
【図４】 本発明に従い、エッチング浴に浸漬された図３Ｂの電界放出ディスプレイデバ
イスの側断面図である。
イスの側断面図である。
【図５】 本発明により一部がエッチングにより除去された、図４の電界放出ディスプレ
イデバイスの側面図である。
イデバイスの側面図である。
Claims (10)
- 【請求項１】 電界放出ディスプレイデバイスの形成中に材料を選択的にウェットエッチング
する方法において、 ａ）導電性の行の層と抵抗層とを有し、さらにパッドエリアを含む構造体を流
体浴に浸漬する工程と、 ｂ）前記導電性の行の層または前記パッドエリアを大幅にエッチングすること
なく、前記抵抗層の露出した領域を選択的にウェットエッチングするよう、前記
構造体に電圧を印加する工程と を備える、材料を選択的にウェットエッチングする方法。 - 【請求項２】 前記流体浴は有機酸のエッチング剤を含む、請求項１記載の方法。
- 【請求項３】 前記工程ａ）は有機酸のエッチング剤を含む、脱イオン水に前記抵抗層を浸漬
することを含む、請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 前記工程ａ）はオキソ酸を含む前記流体浴内に、前記抵抗層を浸漬することを
含む、請求項１または２記載の方法。 - 【請求項５】 前記工程ａ）はクエン酸を含む前記流体浴内に、前記抵抗層を浸漬することを
含む、請求項１または２記載の方法。 - 【請求項６】 前記工程ａ）は１％のクエン酸を含む前記流体浴内に、前記抵抗層を浸漬する
ことを含む、請求項１、２または４記載の方法。 - 【請求項７】 脱イオン水とオキソ酸とを含む、危険でないエッチング剤の前記流体浴を形成
する工程をさらに含む、請求項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記導電性の行の層と前記抵抗層とを含む構造体の所定領域をマスクする工程
をさらに含み、 前記構造体に電圧を加える工程において、前記導電性の行の層または前記パッ
ドエリアを大幅にエッチングすることなく、前記浴内で前記抵抗層のマスクされ
ていない領域を選択的にウェットエッチングするように、前記電圧を加える、請
求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項９】 前記工程ｂ）は、脱イオン水とほぼ１％のクエン酸とを含む、前記危険でない
エッチング剤の浴を形成することを含む、請求項７または８記載の方法。 - 【請求項１０】 前記工程ｂ）は、 ｂ１）上部の材料を前記パッドエリアから除いた後に、前記パッド領域に前
記電圧を加え、さらに前記危険でないエッチング浴に浸漬し続けることにより、
前記パッドエリアを保護するように陽極処理することをさらに含む、請求項２〜
９のいずれか１項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/032,433 US6103095A (en) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | Non-hazardous wet etching method |
| US09/032,433 | 1998-02-27 | ||
| PCT/US1998/021712 WO1999043873A1 (en) | 1998-02-27 | 1998-10-14 | A method for wet etching |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002505499A true JP2002505499A (ja) | 2002-02-19 |
Family
ID=21864946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000533611A Withdrawn JP2002505499A (ja) | 1998-02-27 | 1998-10-14 | ウェットエッチング方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6103095A (ja) |
| JP (1) | JP2002505499A (ja) |
| KR (1) | KR20010041331A (ja) |
| WO (1) | WO1999043873A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9396849B1 (en) | 2014-03-10 | 2016-07-19 | Vishay Dale Electronics Llc | Resistor and method of manufacture |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3975245A (en) * | 1975-12-05 | 1976-08-17 | United Technologies Corporation | Electrolyte for electrochemical machining of nickel base superalloys |
| US4432846A (en) * | 1982-12-10 | 1984-02-21 | National Steel Corporation | Cleaning and treatment of etched cathode aluminum capacitor foil |
| GB2208871B (en) * | 1987-08-22 | 1991-03-27 | British Steel Plc | Processing grain-oriented "electrical" steel |
| JPH0817192B2 (ja) * | 1988-05-30 | 1996-02-21 | 株式会社日立製作所 | 半導体ｌｓｉ検査装置用プローブヘッドの製造方法 |
| US5269904A (en) * | 1992-06-05 | 1993-12-14 | Northrop Corporation | Single tank de-oxidation and anodization process |
| JP3185453B2 (ja) * | 1993-03-19 | 2001-07-09 | 松下電器産業株式会社 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| US5391269A (en) * | 1993-06-29 | 1995-02-21 | At&T Corp. | Method of making an article comprising a silicon body |
| US5639343A (en) * | 1995-12-13 | 1997-06-17 | Watkins-Johnson Company | Method of characterizing group III-V epitaxial semiconductor wafers incorporating an etch stop layer |
| US5863233A (en) * | 1996-03-05 | 1999-01-26 | Candescent Technologies Corporation | Field emitter fabrication using open circuit electrochemical lift off |
| US5766446A (en) * | 1996-03-05 | 1998-06-16 | Candescent Technologies Corporation | Electrochemical removal of material, particularly excess emitter material in electron-emitting device |
| US5731216A (en) * | 1996-03-27 | 1998-03-24 | Image Quest Technologies, Inc. | Method of making an active matrix display incorporating an improved TFT |
-
1998
- 1998-02-27 US US09/032,433 patent/US6103095A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-14 JP JP2000533611A patent/JP2002505499A/ja not_active Withdrawn
- 1998-10-14 KR KR1020007009444A patent/KR20010041331A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-10-14 WO PCT/US1998/021712 patent/WO1999043873A1/en not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6103095A (en) | 2000-08-15 |
| KR20010041331A (ko) | 2001-05-15 |
| WO1999043873A1 (en) | 1999-09-02 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20051202 |
|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |