JP2002367989A - 酸化物誘電体薄膜及びその製造方法 - Google Patents
酸化物誘電体薄膜及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸化物誘電体薄膜を電子デバイスとして実用
化するために、結晶性良くＳｉ基板上に成長させる、界
面ＳｉＯ２層の発生を抑えること。 【解決手段】 導電性Ｓｉ基板１に導電性バッファ層２
を形成して４下部電極とし、誘電体層３と上部電極層４
を順次成膜することによって、コンデンサを構成してい
る。ＡＴｉＯ３で表記されるペロブスカイト型酸化物誘
電体薄膜を形成するために、低い酸素分圧の結果生じる
酸素欠陥から供給される電子を、４価であるＴｉよりも
低い価数をとりうるＦｅを過剰に添加することによっ
て、トラップし耐圧を高めることができる。
化するために、結晶性良くＳｉ基板上に成長させる、界
面ＳｉＯ２層の発生を抑えること。 【解決手段】 導電性Ｓｉ基板１に導電性バッファ層２
を形成して４下部電極とし、誘電体層３と上部電極層４
を順次成膜することによって、コンデンサを構成してい
る。ＡＴｉＯ３で表記されるペロブスカイト型酸化物誘
電体薄膜を形成するために、低い酸素分圧の結果生じる
酸素欠陥から供給される電子を、４価であるＴｉよりも
低い価数をとりうるＦｅを過剰に添加することによっ
て、トラップし耐圧を高めることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、酸化物誘電体薄膜
及びその製造方法に関し、より要塞には、複合集積回路
を目指した酸化物誘電体薄膜及びその製造方法に関す
る。
及びその製造方法に関し、より要塞には、複合集積回路
を目指した酸化物誘電体薄膜及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、酸化物薄膜は、誘電性、磁性、
越伝導といった多彩な物性を有し、様々な電子デバイス
を提供している。酸化物薄膜としてバルク結晶と同等の
性質を引き出すためには、良く制御された結晶性のよい
基板上にエピタキシャル成長させることが必須である。
しかしながら、従来用いられている酸化物の基板は、単
価が高く、量産できるレベルにはなかった。
越伝導といった多彩な物性を有し、様々な電子デバイス
を提供している。酸化物薄膜としてバルク結晶と同等の
性質を引き出すためには、良く制御された結晶性のよい
基板上にエピタキシャル成長させることが必須である。
しかしながら、従来用いられている酸化物の基板は、単
価が高く、量産できるレベルにはなかった。
【０００３】また昨今、携帯機器等の発達にともない電
子回路の小型化はますますま進展している。これに伴
い、各種回路に必須の回路素子であるコンデンサ等の小
型化も一段と重要になってきている。現在、大部分の電
子回路は、Ｓｉをベースとしたものであり、小型化を考
えるとともに、モノリシックデバイス、例えば薄膜コン
デンサ等を考えた場合には、従来のＳｉプロセスとの融
合を考慮していかねばならない。
子回路の小型化はますますま進展している。これに伴
い、各種回路に必須の回路素子であるコンデンサ等の小
型化も一段と重要になってきている。現在、大部分の電
子回路は、Ｓｉをベースとしたものであり、小型化を考
えるとともに、モノリシックデバイス、例えば薄膜コン
デンサ等を考えた場合には、従来のＳｉプロセスとの融
合を考慮していかねばならない。
【０００４】そこで、Ｓｉ基板上に酸化物薄膜をエピタ
キシャル成長させる試みが、精力的に行われてきてい
る。特に、ＳｉＯ２に代わるゲート酸化膜に関しては、
ｈｉｇｈ−ｋ物質としてＴａ２Ｏ５等、様々な試みがさ
れてきている。しかしながら、良く知られているよう
に、Ｓｉ基板表面は非常に活性を有しており、酸化物薄
膜をＳｉＯ２なしに界面に成長させることは至難の業で
ある。
キシャル成長させる試みが、精力的に行われてきてい
る。特に、ＳｉＯ２に代わるゲート酸化膜に関しては、
ｈｉｇｈ−ｋ物質としてＴａ２Ｏ５等、様々な試みがさ
れてきている。しかしながら、良く知られているよう
に、Ｓｉ基板表面は非常に活性を有しており、酸化物薄
膜をＳｉＯ２なしに界面に成長させることは至難の業で
ある。
【０００５】これまでに東京工業大学の吉本らは（１１
１）Ｓｉ基板を使用することによって、ＣｅＯ２（１１
１）をＳｉＯ２膜の生成なしに成膜することに成功して
いる。また、オークリッジ国立研究所のＭｃｋｅｅらは
（１００）Ｓｉ表面にＳｒＳｉを形成し、活性を抑える
ことによって、ＳｒＴｉＯ３を直接成膜することに成功
している。
１）Ｓｉ基板を使用することによって、ＣｅＯ２（１１
１）をＳｉＯ２膜の生成なしに成膜することに成功して
いる。また、オークリッジ国立研究所のＭｃｋｅｅらは
（１００）Ｓｉ表面にＳｒＳｉを形成し、活性を抑える
ことによって、ＳｒＴｉＯ３を直接成膜することに成功
している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た報告はすべて格予像レベルで観察した報告であり、ｍ
ｍオーダーあるいはウェハー全面で、エピタキシャル成
長が成功したという報告はなされていない。またＳｉ上
にコンデンサを目的として、誘電体を形成する場合、耐
圧として１ＭＶ／ｃｍ以上の耐圧が必要となる。これを
達成するためには、電気的中性を保つために高い酸素雰
囲気で誘電体を成膜する必要がある。例えば高耐圧の
（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３等をＰＬＤ（パルスレーザーポ
ジション）で成膜するためには、１００〜１５０ｍｔｏ
ｒｒ（１．３２〜１．９８×１０−３Ｐａ）で成膜しな
ければならない。さらに成膜後６００℃程度において、
１気圧の酸素を導入して、ポストアニールを行わなくて
はならない。しかしながら、酸素分圧を高めると成膜中
に、基板であるＳｉに酸素が達してしまい、ＳｉＯ２が
生成してしまうというトレードオフが生じる。
た報告はすべて格予像レベルで観察した報告であり、ｍ
ｍオーダーあるいはウェハー全面で、エピタキシャル成
長が成功したという報告はなされていない。またＳｉ上
にコンデンサを目的として、誘電体を形成する場合、耐
圧として１ＭＶ／ｃｍ以上の耐圧が必要となる。これを
達成するためには、電気的中性を保つために高い酸素雰
囲気で誘電体を成膜する必要がある。例えば高耐圧の
（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３等をＰＬＤ（パルスレーザーポ
ジション）で成膜するためには、１００〜１５０ｍｔｏ
ｒｒ（１．３２〜１．９８×１０−３Ｐａ）で成膜しな
ければならない。さらに成膜後６００℃程度において、
１気圧の酸素を導入して、ポストアニールを行わなくて
はならない。しかしながら、酸素分圧を高めると成膜中
に、基板であるＳｉに酸素が達してしまい、ＳｉＯ２が
生成してしまうというトレードオフが生じる。
【０００７】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、酸化物薄膜を電子
デバイスとして実用化するために、酸素分圧が低い成膜
条件でも十分耐圧がある酸化物誘電体薄膜及びその製造
方法を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、酸化物薄膜を電子
デバイスとして実用化するために、酸素分圧が低い成膜
条件でも十分耐圧がある酸化物誘電体薄膜及びその製造
方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、ＡＴｉ
Ｏ３の化学式にて示される酸化物誘電体薄膜において、
添加物として４価よりも低い価数をとりうる遷移金属元
素を０．５〜１０ａｔ％添加するとを特徴とする。つま
り、４価であるＴｉよりも低い価数をとりうる遷移金属
元素を過剰に添加することによって、低い酸素分圧の結
果生じる酸素欠陥から供給される電子を、トラップし耐
圧を高めることができる。
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、ＡＴｉ
Ｏ３の化学式にて示される酸化物誘電体薄膜において、
添加物として４価よりも低い価数をとりうる遷移金属元
素を０．５〜１０ａｔ％添加するとを特徴とする。つま
り、４価であるＴｉよりも低い価数をとりうる遷移金属
元素を過剰に添加することによって、低い酸素分圧の結
果生じる酸素欠陥から供給される電子を、トラップし耐
圧を高めることができる。
【０００９】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記遷移金属元素がＦｅである
ことを特徴とする。
に記載の発明において、前記遷移金属元素がＦｅである
ことを特徴とする。
【００１０】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記遷移金属元素がＴｉサイト
に入り、かつＴｉサイト過剰となっていることを特徴と
する。つまり、添加法としてＴｉサイト過剰になるよう
に、すなわち（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３の場合、モル比で
Ｂａ：Ｓｒ：Ｔｉ：遷移金属＝０．５：０．５：１：
０．０５−０．１となるようにターゲットを作製、成膜
を行うことができる。
に記載の発明において、前記遷移金属元素がＴｉサイト
に入り、かつＴｉサイト過剰となっていることを特徴と
する。つまり、添加法としてＴｉサイト過剰になるよう
に、すなわち（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３の場合、モル比で
Ｂａ：Ｓｒ：Ｔｉ：遷移金属＝０．５：０．５：１：
０．０５−０．１となるようにターゲットを作製、成膜
を行うことができる。
【００１１】また、請求項４に記載の発明は、ＡＴｉＯ
３の化学式にて示される酸化物誘電体薄膜の製造方法に
おいて、導電性基板に導電性バッファ層を形成して下部
電極とする第１の工程と、該第１の工程により形成され
たバッファ層の表面に、４価よりも低い価数をとりうる
遷移金属元素を０．５〜１０ａｔ％添加して誘電体膜を
形成する第２の工程と、該第２の工程により形成された
誘電体層の表面に、上部電極としての電極層を形成する
第３の工程とを備えたことを特徴とする。
３の化学式にて示される酸化物誘電体薄膜の製造方法に
おいて、導電性基板に導電性バッファ層を形成して下部
電極とする第１の工程と、該第１の工程により形成され
たバッファ層の表面に、４価よりも低い価数をとりうる
遷移金属元素を０．５〜１０ａｔ％添加して誘電体膜を
形成する第２の工程と、該第２の工程により形成された
誘電体層の表面に、上部電極としての電極層を形成する
第３の工程とを備えたことを特徴とする。
【００１２】また、請求項５に記載の発明は、請求項４
に記載の発明において、前記遷移金属元素としてＦｅを
過剰に添加することを特徴とする。
に記載の発明において、前記遷移金属元素としてＦｅを
過剰に添加することを特徴とする。
【００１３】また、請求項６に記載の発明は、請求項４
に記載の発明において、前記遷移金属元素としてＴｉを
過剰に添加することを特徴とする。
に記載の発明において、前記遷移金属元素としてＴｉを
過剰に添加することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例について説明する。
施例について説明する。
【００１５】［実施例１］図１は、本発明の酸化物誘電
体薄膜の一実施例を示す断面図である。ここでは、導電
性Ｓｉ基板１に導電性バッファ層２を形成して４下部電
極とし、誘電体層３と上部電極層４を順次成膜すること
によって、コンデンサを構成している。
体薄膜の一実施例を示す断面図である。ここでは、導電
性Ｓｉ基板１に導電性バッファ層２を形成して４下部電
極とし、誘電体層３と上部電極層４を順次成膜すること
によって、コンデンサを構成している。
【００１６】誘電体層３を構成するためのターゲット
は、ＰＬＤあるいはスパッタ法を用いる場合、以下に示
す方法で作製する。まず、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３
粉末をモル比で１：１となるように秤量し、これにＦｅ
２Ｏ３粉末を、例えばモル比でＴｉ：Ｆｅ＝１：０．０
４となるように秤量する。これらをボールミルにて混合
し、成形器に入れ、プレスを行い、大気中１４００℃程
度で焼結する。
は、ＰＬＤあるいはスパッタ法を用いる場合、以下に示
す方法で作製する。まず、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３
粉末をモル比で１：１となるように秤量し、これにＦｅ
２Ｏ３粉末を、例えばモル比でＴｉ：Ｆｅ＝１：０．０
４となるように秤量する。これらをボールミルにて混合
し、成形器に入れ、プレスを行い、大気中１４００℃程
度で焼結する。
【００１７】このターゲットを用いて以下に示すような
方法にて、誘電体膜の形成を行う。
方法にて、誘電体膜の形成を行う。
【００１８】Ｓｉ基板をＲＣＡ等の洗浄工程（ＲＣＡ社
が開発した過酸化水素水をベースとした洗浄方法）を経
て、速やかに成膜装置中に搬入する。この後、１０００
℃以上、１０−８Ｔｏｒｒ（１．３２×１０−６Ｐａ）
以下の真空度にすることによって清浄表面を得ることが
できる。更に表面の活性を抑えるために終端処理（バッ
ファ層２）を行う。終端処理の方法としては、例えば以
下の二つの方法がある。
が開発した過酸化水素水をベースとした洗浄方法）を経
て、速やかに成膜装置中に搬入する。この後、１０００
℃以上、１０−８Ｔｏｒｒ（１．３２×１０−６Ｐａ）
以下の真空度にすることによって清浄表面を得ることが
できる。更に表面の活性を抑えるために終端処理（バッ
ファ層２）を行う。終端処理の方法としては、例えば以
下の二つの方法がある。
【００１９】第１の方法は、ｋ−ｃｅｌｌにて金属Ｓｒ
をわずかに成膜し、ＳｒＳｉ：ストロンチウムシリサイ
ドを形成させる方法である。第２の方法は、この清浄表
面を出している条件で、Ａｓ蒸気をチャンバーに導入
し、表面をＡｓ終端とすることによって、活性を抑える
方法である。
をわずかに成膜し、ＳｒＳｉ：ストロンチウムシリサイ
ドを形成させる方法である。第２の方法は、この清浄表
面を出している条件で、Ａｓ蒸気をチャンバーに導入
し、表面をＡｓ終端とすることによって、活性を抑える
方法である。
【００２０】いずれかの方法によって、終端処理を施さ
れたＳｉ基板上に誘電体層３をスパッタ、あるいはＰＬ
Ｄ法で成膜する。このとき、Ｆｅを添加していることに
よって、成膜中の酸素分圧を抑えることができる。例え
ば、絶縁性を持たせるためにはＰＬＤの場合、通常１０
０〜１５０ｍｔｏｒｒ（１．３２〜１．９８×１０− ３
Ｐａ）程度の酸素分圧が必要なものに対して、本発明に
よるＦｅ添加ＢＳＴターゲットを用いると５ｍｔｏｒｒ
（６．６×１０−１Ｐａ）程度で十分耐圧が得られ、界
面におけるＳｉＯ２の発生を抑えることが出来た。しか
る後に、上部電極として電極層４を、Ｐｔ等をスパッタ
法で形成する。
れたＳｉ基板上に誘電体層３をスパッタ、あるいはＰＬ
Ｄ法で成膜する。このとき、Ｆｅを添加していることに
よって、成膜中の酸素分圧を抑えることができる。例え
ば、絶縁性を持たせるためにはＰＬＤの場合、通常１０
０〜１５０ｍｔｏｒｒ（１．３２〜１．９８×１０− ３
Ｐａ）程度の酸素分圧が必要なものに対して、本発明に
よるＦｅ添加ＢＳＴターゲットを用いると５ｍｔｏｒｒ
（６．６×１０−１Ｐａ）程度で十分耐圧が得られ、界
面におけるＳｉＯ２の発生を抑えることが出来た。しか
る後に、上部電極として電極層４を、Ｐｔ等をスパッタ
法で形成する。
【００２１】つまり、ＡＴｉＯ３の化学式にて示される
酸化物誘電体薄膜の製造方法は、導電性基板に導電性バ
ッファ層を形成して下部電極とする第１の工程と、第１
の工程により形成されたバッファ層の表面に、４価より
も低い価数をとりうる遷移金属元素を０．５〜１０ａｔ
％添加して誘電体膜を形成する第２の工程と、第２の工
程により形成された誘電体層の表面に、上部電極として
の電極層を形成する第３の工程とを備えている。この場
合、遷移金属元素としてＦｅを過剰に添加する。また、
遷移金属元素としてＴｉを過剰に添加する。
酸化物誘電体薄膜の製造方法は、導電性基板に導電性バ
ッファ層を形成して下部電極とする第１の工程と、第１
の工程により形成されたバッファ層の表面に、４価より
も低い価数をとりうる遷移金属元素を０．５〜１０ａｔ
％添加して誘電体膜を形成する第２の工程と、第２の工
程により形成された誘電体層の表面に、上部電極として
の電極層を形成する第３の工程とを備えている。この場
合、遷移金属元素としてＦｅを過剰に添加する。また、
遷移金属元素としてＴｉを過剰に添加する。
【００２２】このように本発明は、ＡＴｉＯ３で表記さ
れるペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜において、４価
であるＴｉよりも低い価数をとりうる遷移金属元素を過
剰に添加することによって、低い酸素分圧の結果生じる
酸素欠陥から供給される電子を、トラップし耐圧を高め
ることができる。また、遷移金属元素としてＦｅを用い
る。さらに、遷移金属元素はＴｉサイトに入るために、
添加法としてＴｉサイト過剰になるようすなわち（Ｂ
ａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３の場合、モル比でＢａ：Ｓｒ：Ｔ
ｉ：遷移金属＝０．５：０．５：１：０．０５−０．１
となるようにターゲットを作製、成膜を行う。
れるペロブスカイト型酸化物誘電体薄膜において、４価
であるＴｉよりも低い価数をとりうる遷移金属元素を過
剰に添加することによって、低い酸素分圧の結果生じる
酸素欠陥から供給される電子を、トラップし耐圧を高め
ることができる。また、遷移金属元素としてＦｅを用い
る。さらに、遷移金属元素はＴｉサイトに入るために、
添加法としてＴｉサイト過剰になるようすなわち（Ｂ
ａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３の場合、モル比でＢａ：Ｓｒ：Ｔ
ｉ：遷移金属＝０．５：０．５：１：０．０５−０．１
となるようにターゲットを作製、成膜を行う。
【００２３】図２及び図３は、本発明によって構成され
た薄膜コンデンサの耐圧特性を示す図で、横軸は印加電
界、縦軸は漏れ電流をそれぞれ示す。図２においては、
Ｆｅを０．０ｍｏｌ％から６％まで加えたターゲットを
用いて、ＰＬＤによって、成膜温度６００℃、酸素分圧
５ｍｔｏｒｒ（６．６×１０−１Ｐａ）で成膜を行い、
ポストアニールを行った薄膜の結果である。図２に示す
ように、Ｆｅを添加するにつれて、漏れ電流は大きく減
少し、Ｆｅ：２ｍｏｌ％で最小となっている。さらに添
加すると逆に＋側もれ電流は増加に転じる。
た薄膜コンデンサの耐圧特性を示す図で、横軸は印加電
界、縦軸は漏れ電流をそれぞれ示す。図２においては、
Ｆｅを０．０ｍｏｌ％から６％まで加えたターゲットを
用いて、ＰＬＤによって、成膜温度６００℃、酸素分圧
５ｍｔｏｒｒ（６．６×１０−１Ｐａ）で成膜を行い、
ポストアニールを行った薄膜の結果である。図２に示す
ように、Ｆｅを添加するにつれて、漏れ電流は大きく減
少し、Ｆｅ：２ｍｏｌ％で最小となっている。さらに添
加すると逆に＋側もれ電流は増加に転じる。
【００２４】図３は、ポストアニールを行わなかった場
合の薄膜の結果を示す図である。図３に示すように、Ｆ
ｅ：２％ではもれ電流は増加しているが、Ｆｅ：６％に
おいては漏れ電流が低下している。これらのことから過
剰に添加したＦｅが、酸素欠陥から生じる電子を補償し
ていることがわかる。
合の薄膜の結果を示す図である。図３に示すように、Ｆ
ｅ：２％ではもれ電流は増加しているが、Ｆｅ：６％に
おいては漏れ電流が低下している。これらのことから過
剰に添加したＦｅが、酸素欠陥から生じる電子を補償し
ていることがわかる。
【００２５】誘電率に関しては、酸素を十分に供給した
場合に比べて、Ｆｅ：２％で９０％（εｒ：６００）、
Ｆｅ：６％で８０％（εｒ：５４０）程度であり、十分
高い誘電率が得られている。
場合に比べて、Ｆｅ：２％で９０％（εｒ：６００）、
Ｆｅ：６％で８０％（εｒ：５４０）程度であり、十分
高い誘電率が得られている。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｆ
ｅを過剰に添加したＡＴｉＯ３誘電体薄膜とすることに
よって、成膜中の酸素分圧を抑えることができ、Ｓｉ清
浄表面上に酸化物誘電体薄膜を形成しても界面でのＳｉ
Ｏ２発生を抑えることができ、高耐圧の薄膜コンデンサ
を提供することが出来る。
ｅを過剰に添加したＡＴｉＯ３誘電体薄膜とすることに
よって、成膜中の酸素分圧を抑えることができ、Ｓｉ清
浄表面上に酸化物誘電体薄膜を形成しても界面でのＳｉ
Ｏ２発生を抑えることができ、高耐圧の薄膜コンデンサ
を提供することが出来る。
【図１】図１は、本発明の酸化物誘電体薄膜の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】Ｓｉ上に形成した薄膜コンデンサのポストアニ
ールを行った場合の耐圧特性を示す図である。
ールを行った場合の耐圧特性を示す図である。
【図３】Ｓｉ上に形成した薄膜コンデンサのポストアニ
ールを行わない場合の耐圧特性を示す図である。
ールを行わない場合の耐圧特性を示す図である。
１ Ｓｉ基板 ２ バッファ層 ３ 誘電体層 ４ 電極層
フロントページの続き (72)発明者 川崎 雅司 神奈川県相模原市相模大野４丁目２番５号 116 (72)発明者 知京 豊裕 茨城県つくば市千現１丁目２番１号 独立 行政法人物質・材料研究機構内 (72)発明者 米澤 喜幸 神奈川県横須賀市長坂２丁目２番１号 株 式会社富士電機総合研究所内 Ｆターム(参考） 5F058 BA01 BA11 BC03 BF11 BF12 BH01 5F083 FR00 GA24 JA14 JA38 5G303 AA01 AA05 AB02 BA03 CA01 CB03 CB13 CB30 CB35 CC08 DA05 DA07
Claims (6)
- 【請求項１】 ＡＴｉＯ３の化学式にて示される酸化物
誘電体薄膜において、添加物として４価よりも低い価数
をとりうる遷移金属元素を０．５〜１０ａｔ％添加する
ことを特徴とする酸化物誘電体薄膜。 - 【請求項２】 前記遷移金属元素がＦｅであることを特
徴とする請求項１に記載の酸化物誘電体薄膜。 - 【請求項３】 前記遷移金属元素がＴｉサイトに入り、
かつＴｉサイト過剰となっていることを特徴とする請求
項１に記載の酸化物誘電体薄膜。 - 【請求項４】 ＡＴｉＯ３の化学式にて示される酸化物
誘電体薄膜の製造方法において、 導電性基板に導電性バッファ層を形成して下部電極とす
る第１の工程と、 該第１の工程により形成されたバッファ層の表面に、４
価よりも低い価数をとりうる遷移金属元素を０．５〜１
０ａｔ％添加して誘電体膜を形成する第２の工程と、 該第２の工程により形成された誘電体層の表面に、上部
電極としての電極層を形成する第３の工程とを備えたこ
とを特徴とする酸化物誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項５】 前記遷移金属元素としてＦｅを過剰に添
加することを特徴とする請求項４に記載の酸化物誘電体
薄膜の製造方法。 - 【請求項６】 前記遷移金属元素としてＴｉを過剰に添
加することを特徴とする請求項４に記載の酸化物誘電体
薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001177468A JP2002367989A (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | 酸化物誘電体薄膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001177468A JP2002367989A (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | 酸化物誘電体薄膜及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002367989A true JP2002367989A (ja) | 2002-12-20 |
Family
ID=19018305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001177468A Pending JP2002367989A (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | 酸化物誘電体薄膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002367989A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425105A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-28 | Sharp Corp | 誘電体薄膜およびその製造方法 |
| JPH0982907A (ja) * | 1995-09-08 | 1997-03-28 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH10506227A (ja) * | 1994-07-05 | 1998-06-16 | サイメトリックス コーポレイション | 過剰なａ部位およびｂ部位修飾因子を含むａｂｏ▲下３▼薄膜およびこれを備えた集積回路を製造する方法 |
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2001
- 2001-06-12 JP JP2001177468A patent/JP2002367989A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0425105A (ja) * | 1990-05-21 | 1992-01-28 | Sharp Corp | 誘電体薄膜およびその製造方法 |
| JPH10506227A (ja) * | 1994-07-05 | 1998-06-16 | サイメトリックス コーポレイション | 過剰なａ部位およびｂ部位修飾因子を含むａｂｏ▲下３▼薄膜およびこれを備えた集積回路を製造する方法 |
| JPH0982907A (ja) * | 1995-09-08 | 1997-03-28 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
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