JP2002367976A - Treatment system - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理体に所定の処理を施すための複数の処理装置を有
する処理システムに関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a processing system having a plurality of processing apparatuses for performing a predetermined process on an object to be processed such as a semiconductor wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造するため
にはウエハに対して成膜、エッチング、酸化、拡散等の
各種の処理が行なわれる。そして、半導体集積回路の微
細化及び高集積化によって、スループット及び歩留りを
向上させるために、同一処理を行なう複数の処理装置、
或いは異なる処理を行なう複数の処理装置を、共通の搬
送室を介して相互に結合して、ウエハを大気に晒すこと
なく各種工程の連続処理を可能とした、いわゆるクラス
タ化された処理システム装置が、例えば特開２０００−
２０８５８９号公報や特開２０００−２９９３６７号公
報等に開示されているように、すでに知られている。2. Description of the Related Art Generally, in order to manufacture a semiconductor integrated circuit, various processes such as film formation, etching, oxidation and diffusion are performed on a wafer. And, in order to improve throughput and yield by miniaturization and high integration of the semiconductor integrated circuit, a plurality of processing apparatuses performing the same processing,
Alternatively, a so-called clustered processing system device, in which a plurality of processing devices performing different processes are connected to each other via a common transfer chamber to enable continuous processing of various processes without exposing a wafer to the atmosphere, For example, JP-A-2000-
It is already known as disclosed in JP-A-208589 and JP-A-2000-293367.
【０００３】図７はこのようなクラスタ化された従来の
処理システムの一例を示す概略構成図である。図示する
ように、この処理システム２は、３つの処理装置４Ａ、
４Ｂ、４Ｃと、第１の搬送室６と、予熱機構を備えた２
つのロードロック室８Ａ、８Ｂと、第２の搬送室１０と
２つのカセット収容室１２Ａ、１２Ｂを有している。上
記３つの処理装置４Ａ〜４Ｃは上記第２の搬送室６に共
通に連結され、上記２つのロードロック室８Ａ、８Ｂ
は、上記第１及び第２の搬送室６、１０間に並列に介在
されている。また、上記２つのカセット収容室１２Ａ、
１２Ｂは、上記第２の搬送室１０に連結されている。そ
して、各室間には気密に開閉可能になされたゲートバル
ブＧが介在されている。FIG. 7 is a schematic configuration diagram showing an example of such a conventional clustered processing system. As shown, the processing system 2 includes three processing devices 4A,
4B, 4C, a first transfer chamber 6, and 2 equipped with a preheating mechanism.
It has two load lock chambers 8A, 8B, a second transfer chamber 10, and two cassette storage chambers 12A, 12B. The three processing devices 4A to 4C are commonly connected to the second transfer chamber 6, and the two load lock chambers 8A and 8B are connected.
Are interposed between the first and second transfer chambers 6 and 10 in parallel. Further, the two cassette storage chambers 12A,
12B is connected to the second transfer chamber 10. A gate valve G which can be opened and closed in an airtight manner is interposed between the respective chambers.
【０００４】そして、上記第１及び第２の搬送室６、１
０内には、それぞれ屈伸及び旋回可能になされた多関節
式の第１及び第２搬送アーム１４、１６が設けられてお
り、これにより半導体ウエハＷを保持して搬送すること
により、ウエハＷを移載する。また、第２の搬送室１０
内には、回転台１８と光学センサ２０よりなる位置合わ
せ機構２２が設けられており、カセット収容室１２Ａ或
いは１２Ｂより取り込んだウエハＷを回転してこのオリ
エンテーションフラットやノッチを検出してその位置合
わせを行なうようになっている。半導体ウエハＷの処理
に関しては、まず、Ｎ2 雰囲気の大気圧に維持されてい
る第２の搬送室１０内の第２の搬送アーム１６により、
いずれか一方のカセット収容室、例えば１２Ａ内のカセ
ットＣから未処理の半導体ウエハＷを取り出し、これを
第２の搬送室１０内の位置合わせ機構２２の回転台１８
に載置する。そして、位置合わせ操作が終了すると、こ
の搬送アーム１６は再度、この位置合わせ後のウエハＷ
を保持し、これをいずれか一方のロードロック室、例え
ば８Ａ内に収容する。このロードロック室８Ａ内では、
必要に応じてウエハを予熱すると同時に、ロードロック
室８Ａ内は所定の圧力に真空引きされる。Then, the first and second transfer chambers 6, 1
In FIG. 2, there are provided articulated first and second transfer arms 14 and 16 which can be bent and extended and pivoted, respectively. By holding and transferring the semiconductor wafer W, the wafer W is transferred. Transfer. Also, the second transfer chamber 10
Inside, a positioning mechanism 22 including a turntable 18 and an optical sensor 20 is provided, and the wafer W taken in from the cassette accommodating chamber 12A or 12B is rotated to detect the orientation flat or the notch and to perform the alignment. Is to be performed. Regarding the processing of the semiconductor wafer W, first, by the second transfer arm 16 in the second transfer chamber 10 maintained at the atmospheric pressure of the N 2 atmosphere,
An unprocessed semiconductor wafer W is taken out from one of the cassette accommodating chambers, for example, the cassette C in the 12A, and is taken out of the turntable 18 of the positioning mechanism 22 in the second transfer chamber 10.
Place on. Then, when the positioning operation is completed, the transfer arm 16 again transfers the wafer W after the positioning.
And housed in one of the load lock chambers, for example, 8A. In this load lock chamber 8A,
At the same time as preheating the wafer if necessary, the inside of the load lock chamber 8A is evacuated to a predetermined pressure.
【０００５】このように予熱操作が終了したならば、こ
のロードロック室８Ａ内と予め真空状態になされている
第１の搬送室６内とをゲートバルブＧを開いて連通し、
予熱されたウエハＷを第１の搬送アーム１４で把持し、
これを所定の処理装置、例えば４Ａ内に移載して所定の
処理、例えば金属膜や絶縁膜などの成膜処理を行なう。
処理済みの半導体ウエハＷは、必要な場合には、更に他
の処理装置４Ｂ、４Ｃ内にて所定の処理が連続的に行わ
れ、そして、例えば前述した経路とは逆の経路を通り、
例えばカセット収容室１２Ａの元のカセットＣ内に収容
される。After the preheating operation is completed, the gate valve G is opened to communicate the interior of the load lock chamber 8A and the interior of the first transfer chamber 6 which has been evacuated.
Holding the preheated wafer W with the first transfer arm 14,
This is transferred into a predetermined processing device, for example, 4A, and subjected to a predetermined process, for example, a film forming process for forming a metal film or an insulating film.
If necessary, the processed semiconductor wafer W is continuously subjected to predetermined processing in the other processing apparatuses 4B and 4C, and then, for example, passes through a path opposite to the path described above,
For example, it is housed in the original cassette C in the cassette housing chamber 12A.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウエ
ハ処理の高微細化、高集積化及び薄膜化の傾向が更に進
むに従って、半導体ウエハ表面上に付着している水分や
余分なガス成分を加熱により除去する処理、すなわちデ
ガス処理（予熱処理）を、より十分に行う必要が生じて
いる。このため、上記したような処理システムにあって
は、ロードロック室８Ａ、８Ｂにてデガス処理が行われ
る。By the way, as the tendency of semiconductor wafer processing to become finer, more highly integrated and thinner, the moisture and extra gas components adhering on the surface of the semiconductor wafer are heated to increase. It is necessary to perform the removal process, that is, the degassing process (preheat treatment) more sufficiently. For this reason, in the processing system as described above, the degas processing is performed in the load lock chambers 8A and 8B.
【０００７】しかしながら、上記半導体ウエハ表面は水
分やガス成分が付着しているのみならず、予熱処理では
簡単に除去できない有機物成分も付着している場合もあ
り、このように有機物成分が付着している場合にはこれ
を十分に除去することができなかった。この場合、有機
物成分を除去する有機物除去処理装置を処理システムに
組み入れることも考えられるが、成膜処理装置やスパッ
タ装置等の処理装置と比較して構造が簡単で、サイズも
小さくて済む上記有機物除去処理装置を上記搬送室６に
連設するのは、スペース有効利用の上から好ましくな
い。また、最近にあっては、ＮＦ3 ガスやＨ2 ガスの存
在下にてプラズマを用いてウエハ表面の自然酸化膜を除
去する自然酸化膜除去装置を処理システムに組み入れる
場合があるが、この場合には、上記自然酸化膜の除去処
理に伴ってウエハ表面に反応副生成物（バイプロダク
ト）が付着することは避けられず、従って、この反応副
生成物を除去するための加熱装置を、上記自然酸化膜除
去装置の他に上記処理システムに連設して別途設けなけ
ればならず、この点よりも、スペース有効利用の上から
好ましくなかった。また、他の処理システムとして、カ
セット収容室１２Ａ、１２Ｂ内にてウエハを予熱するよ
うにした装置も知られてはいるが、この場合にはデガス
（Ｄｅｇａｓ）処理を十分に行うことができなかった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に
解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、占
有スペースを大きくすることなく水分やガス成分のみな
らず、反応副生成物及び有機物成分も除去することがで
きる処理システムを提供することにある。[0007] However, not only moisture and gas components are adhered to the surface of the semiconductor wafer but also organic components which cannot be easily removed by the pre-heat treatment are sometimes adhered. In some cases, this could not be sufficiently removed. In this case, it is conceivable to incorporate an organic substance removal processing apparatus for removing organic components into the processing system, but the organic substance has a simpler structure and a smaller size than processing apparatuses such as a film forming apparatus and a sputtering apparatus. It is not preferable to connect the removal processing device to the transfer chamber 6 from the viewpoint of effective use of space. Recently, a natural oxide film removing device for removing a natural oxide film on a wafer surface using plasma in the presence of NF 3 gas or H 2 gas may be incorporated in the processing system. It is unavoidable that reaction by-products (byproducts) adhere to the wafer surface during the removal process of the natural oxide film. Therefore, a heating device for removing the reaction by-products is provided in the above-described method. In addition to the natural oxide film removing device, it must be separately provided in connection with the above-mentioned processing system, which is not preferable from the viewpoint of effective use of space. As another processing system, an apparatus for preheating wafers in the cassette accommodating chambers 12A and 12B is also known, but in this case, degassing (Degas) processing cannot be performed sufficiently. Was.
The present invention has been devised in view of the above problems and effectively solving them. An object of the present invention is to provide a processing system capable of removing not only water and gas components but also reaction by-products and organic components without increasing the occupied space.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】請求項１に規定する発明
は、被処理体に対して所定の処理を行う複数の処理装置
と、前記複数の処理装置に共通に接続されて真空引き可
能になされた共通搬送室と、前記共通搬送室内に設けら
れて前記処理装置との間で前記被処理体を搬送するため
の搬送手段と、前記共通搬送室に設けられて前記被処理
体を予備加熱するための予備加熱エリア部と、前記共通
搬送室に設けられて前記被処理体に紫外線を照射するた
めの紫外線照射エリア部とを備えたことを特徴とする処
理システムである。According to a first aspect of the present invention, a plurality of processing apparatuses for performing a predetermined process on an object to be processed, and a plurality of processing apparatuses commonly connected to the plurality of processing apparatuses so as to be evacuated. A common transfer chamber made, transfer means provided in the common transfer chamber for transferring the object to and from the processing apparatus, and pre-heating the object to be provided provided in the common transfer chamber. And a UV irradiation area provided in the common transfer chamber for irradiating the object with UV light.
【０００９】これによれば、共通搬送室内にて必要に応
じて予備加熱エリア部にて被処理体を加熱することによ
り、被処理体の付着水分や付着ガス成分を除去したり、
自然酸化膜除去処理によって発生した反応副生成物を除
去したり、または、紫外線照射エリア部にて紫外線を照
射することにより付着有機物を分解除去したりすること
が可能となる。しかも、上記予備加熱エリア部や紫外線
照射エリア部は、共通搬送室に併せて設けるようにして
いるので、占有スペースが増加することもなく、省スペ
ース化に寄与することが可能となる。また、被処理体に
対して高温で熱処理する直前に予備加熱エリア部にて被
処理体を予熱しておけば、プロセス時に急激な昇温を行
う必要がないので、被処理体の厚さ方向における温度差
を低減してこれに反りが発生することを未然に防止する
ことができる。According to this, the object to be processed is heated in the pre-heating area as needed in the common transfer chamber, thereby removing moisture and gas components attached to the object to be processed,
It is possible to remove reaction by-products generated by the natural oxide film removing treatment, or to decompose and remove attached organic matter by irradiating ultraviolet rays in an ultraviolet irradiation area. In addition, since the preheating area and the ultraviolet irradiation area are provided together with the common transfer chamber, the occupied space does not increase and it is possible to contribute to space saving. In addition, if the object is preheated in the preheating area immediately before the object is heat-treated at a high temperature, it is not necessary to perform a rapid temperature increase during the process, so that the thickness direction of the object can be reduced. Can be reduced to prevent the occurrence of warpage.
【００１０】この場合、例えば請求項２に規定するよう
に、少なくとも前記予備加熱エリア部を区画するように
昇降可能になされたシャッタ部材が設けられる。これに
よれば、予備加熱エリア部はシャッタ部材により区画さ
れているので、予熱によって飛散した水分やガス成分や
反応副生成物の分解ガス成分が、共通搬送室内の他の領
域に侵入することを可能な限り抑制することが可能とな
る。また、例えば請求項３に規定するように、少なくと
も前記予備加熱エリア部に臨ませて真空排気口が設けら
れる。これによれば、予備加熱エリア部にて発生したガ
ス成分等を共通搬送室内の他の領域に流出させることな
く、これを系外へ排出することが可能となる。In this case, for example, a shutter member is provided which can be raised and lowered so as to partition at least the preheating area. According to this, since the preheating area is partitioned by the shutter member, it is possible to prevent moisture and gas components scattered by preheating and decomposition gas components of reaction by-products from entering the other region of the common transfer chamber. It is possible to suppress as much as possible. In addition, for example, a vacuum exhaust port is provided facing at least the preheating area as defined in claim 3. According to this, it is possible to discharge the gas components and the like generated in the preliminary heating area to the outside of the system without flowing out to other areas of the common transfer chamber.
【００１１】また、例えば請求項４に規定するように、
前記予備加熱エリア部には、加熱手段として加熱ランプ
が設置されている。また、例えば請求項５に規定するよ
うに、前記紫外線照射エリア部には、紫外線照射手段と
して紫外線ランプが設置されている。Also, for example, as defined in claim 4,
In the preheating area, a heating lamp is provided as a heating means. In addition, for example, an ultraviolet lamp is provided in the ultraviolet irradiation area as an ultraviolet irradiation means.
【００１２】また、例えば請求項６に規定するように、
少なくとも前記予備加熱エリア部には、これに不活性ガ
スを供給する不活性ガス供給手段が設けられる。これに
よれば、この予備加熱エリア部にて発生したガス成分等
を効率的に系外へ排出することが可能となる。また、例
えば請求項７に規定するように、前記予備加熱エリア部
と前記紫外線照射エリア部とは同一場合に設置されてい
る。これによれば、被処理体に対する予熱と紫外線の照
射を同時に行うことが可能となる。Also, for example, as defined in claim 6,
At least the preheating area is provided with an inert gas supply means for supplying an inert gas thereto. According to this, it is possible to efficiently exhaust gas components and the like generated in the preheating area to the outside of the system. Further, for example, as set forth in claim 7, the preheating area and the ultraviolet irradiation area are installed in the same case. According to this, it is possible to simultaneously perform the preheating and the irradiation of the ultraviolet rays on the object to be processed.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る処理システ
ムの一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図１は本
発明に係る処理システムの一例を示す概略平面図、図２
は予熱加熱エリア部を示す断面図、図３は予備加熱エリ
ア部にて用いるシャッタ部材を示す斜視図、図４はシャ
ッタ部材が上昇している時の予備加熱エリア部を示す断
面図、図５は紫外線照射エリア部を示す断面図である。
図示するように、この処理システム３０は、複数、例え
ば４つの処理装置３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃ、３２Ｄと、
やや細長い多角形状、例えば六角形状の共通搬送室３４
とを主に有している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a processing system according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a processing system according to the present invention, and FIG.
3 is a sectional view showing a preheating heating area, FIG. 3 is a perspective view showing a shutter member used in the preheating area, FIG. 4 is a sectional view showing the preheating area when the shutter member is raised, and FIG. FIG. 3 is a sectional view showing an ultraviolet irradiation area.
As shown, the processing system 30 includes a plurality of, for example, four processing devices 32A, 32B, 32C, and 32D.
A slightly elongated polygonal shape, for example, a hexagonal common transfer chamber 34
And mainly.
【００１４】具体的には、上記共通搬送室３４は、その
対向する一対の一辺のみが、他の辺よりも少し長くなさ
れて、多角形状、ここでは扁平な六角形状になってい
る。そして、この扁平六角形状の共通搬送室３４の４辺
に集中させてその各辺に上記各処理装置３２Ａ〜３２Ｄ
が接合され、他側の２つの辺に、それぞれ第１及び第２
のカセット室３６Ａ、３６Ｂがそれぞれ接合される。上
記共通搬送室３４と上記４つの各処理装置３２Ａ〜３２
Ｄとの間及び上記共通搬送室３４と上記第１及び第２の
カセット室３６Ａ、３６Ｂとの間は、それぞれ気密に開
閉可能になされたゲートバルブＧ１〜Ｇ４及びＧ５、Ｇ
６が介在して接合されて、クラスタツール化されてお
り、必要に応じて共通搬送室３４内と連通可能になされ
ている。また、上記第１及び第２の各カセット室３６
Ａ、３６Ｂの反対側には、大気側であるクリーニングル
ームに対して開閉可能になされたゲートドアＧ７、Ｇ８
が介在されている。この各カセット室３６Ａ、３６Ｂ内
に収容される各カセットＣ１、Ｃ２には、それぞれ最大
例えば２５枚の被処理体としての半導体ウエハＷを等ピ
ッチで多段に載置して収容できるようになっており、各
カセット室３６Ａ、３６Ｂの内部は例えばＮ2 ガス雰囲
気で満たされている。Specifically, the common transfer chamber 34 has a polygonal shape, here a flat hexagonal shape, in which only one pair of opposing sides is slightly longer than the other sides. Then, it is concentrated on four sides of the flat hexagonal common transfer chamber 34 and the respective processing units 32A to 32D
Are joined, and the first and second sides are respectively attached to the two sides on the other side.
Cassette chambers 36A and 36B are respectively joined. The common transfer chamber 34 and the four processing devices 32A to 32
D and between the common transfer chamber 34 and the first and second cassette chambers 36A and 36B, respectively, are gate valves G1 to G4 and G5 and G5 which can be opened and closed in an airtight manner.
6 are joined to form a cluster tool, and can communicate with the common transfer chamber 34 as necessary. The first and second cassette chambers 36
Gate doors G7 and G8, which can be opened and closed with respect to the cleaning room on the atmosphere side, are provided on the opposite sides of A and 36B.
Is interposed. Each of the cassettes C1 and C2 accommodated in each of the cassette chambers 36A and 36B can accommodate, for example, up to 25 semiconductor wafers W as objects to be processed in multiple stages at equal pitches. The interior of each of the cassette chambers 36A and 36B is filled with, for example, an N 2 gas atmosphere.
【００１５】上記４つの処理装置３２Ａ〜３２Ｄでは、
被処理体である半導体ウエハＷに対して同種の、或いは
異種の処理を施すようになっている。そして、この共通
搬送室３４内には、屈伸、昇降及び旋回可能になされた
多関節アームよりなる搬送手段４０が設けられており、
これは、互いに反対方向へ独立して屈伸できる２つのピ
ック４０Ａ、４０Ｂを有しており、一度に２枚のウエハ
を取り扱うことができるようになっている。尚、上記搬
送手段４０として１つのみのピックを有しているものも
用いることができる。そして、この共通搬送室３４内
に、半導体ウエハＷのオリエンテーションフラットやノ
ッチなどを検出してその位置合わせを行なう位置合わせ
機構４４が設置されている。この位置合わせ機構４４
は、ウエハＷを保持したままこれを回転させる回転台４
６と上述したようにウエハＷのオリエンテーションフラ
ットやノッチなどを光学的に検出する光学センサ４８と
により主に構成されている。In the four processing units 32A to 32D,
The same or different types of processing are performed on the semiconductor wafer W to be processed. In the common transfer chamber 34, a transfer means 40 composed of a multi-joint arm capable of bending, elongating, lifting and lowering, and turning is provided.
It has two picks 40A, 40B that can bend and stretch independently in opposite directions, so that two wafers can be handled at a time. In addition, what has only one pick as the said conveyance means 40 can also be used. In the common transfer chamber 34, a positioning mechanism 44 for detecting an orientation flat, a notch, or the like of the semiconductor wafer W and performing positioning thereof is provided. This positioning mechanism 44
Is a turntable 4 for rotating the wafer W while holding it.
6 and an optical sensor 48 that optically detects an orientation flat, a notch, and the like of the wafer W as described above.
【００１６】そして、この共通搬送室３４には、本発明
の特徴とする予備加熱エリア部５０と紫外線照射エリア
部５２とが設けられている。図１においては、上記２つ
のエリア部５０、５２は、内部の搬送手段４０を中心と
して互いに反対側に設置されている。上記予備加熱エリ
ア部５０は、半導体ウエハＷに熱線を照射してこれを所
定の温度まで昇温し、付着水分や付着ガス等を飛ばすデ
ガス処理、自然酸化膜除去処理等によってウエハ面に付
着している反応副生成物の除去処理、予熱によりウエハ
の反り防止等を行うものであり、上記紫外線照射エリア
部５２は、半導体ウエハＷに上記紫外線を照射してウエ
ハ面に付着している有機物成分を分解して飛ばすデガス
処理等を行うものである。The common transfer chamber 34 is provided with a preheating area 50 and an ultraviolet irradiation area 52, which are features of the present invention. In FIG. 1, the two area units 50 and 52 are installed on opposite sides of the internal transport unit 40. The preheating area 50 irradiates the semiconductor wafer W with heat rays and raises the temperature to a predetermined temperature, and the semiconductor wafer W adheres to the wafer surface by a degassing process of removing attached moisture and gas, a natural oxide film removing process, and the like. The ultraviolet irradiation area 52 is for irradiating the semiconductor wafer W with the ultraviolet light to remove the organic components adhering to the wafer surface. For degassing, etc., which is decomposed and blown off.
【００１７】具体的には、まず、図２にも示すように上
記予備加熱エリア部５０にあっては、このエリア部５０
に対応する共通搬送室３４の上側区画壁５４に開口５６
を形成し、この開口５６にＯリング等のシール部材５８
を介して石英等よりなる透過窓６０が気密に接合されて
いる。そして、この透過窓６０の上方には、反射板を兼
ねるケーシング６２が設けられており、このケーシング
６２内に加熱手段として複数の加熱ランプ６４をウエハ
面に対応させて平面的に配置して設けている。この加熱
ランプ６４としては発熱量の大きな、例えばハロゲンラ
ンプが用いられる。そして、上記透過窓６０の周囲の上
側区画壁５４には、これを貫通するようにして不活性ガ
ス供給手段を構成する複数の不活性ガスノズル６６が設
けられており、上記予備加熱エリア部５０内に不活性ガ
スとして例えばＮ2 ガスを流量制御しつつ必要時に供給
し得るようになっている。More specifically, first, as shown in FIG. 2, in the preheating area 50,
Opening 56 in the upper partition wall 54 of the common transfer chamber 34 corresponding to
Is formed in the opening 56 and a sealing member 58 such as an O-ring is formed.
A transmission window 60 made of quartz or the like is hermetically bonded via the through hole. Above the transmission window 60, a casing 62 also serving as a reflection plate is provided, and a plurality of heating lamps 64 are provided in the casing 62 as heating means in a planar arrangement corresponding to the wafer surface. ing. As the heating lamp 64, for example, a halogen lamp having a large calorific value is used. Further, a plurality of inert gas nozzles 66 constituting an inert gas supply means are provided in the upper partition wall 54 around the transmission window 60 so as to penetrate the upper partition wall 54. In addition, for example, N 2 gas can be supplied as needed while controlling the flow rate as an inert gas.
【００１８】また、上記共通搬送室３４の下側区画壁７
０には、この予備加熱エリア部５０の中心位置に臨ませ
て真空排気口７２が形成されると共に、この真空排気口
７２には、図示しない真空ポンプ等を途中に介在させた
真空排気系７４が接続されており、この共通搬送室３４
内の雰囲気を真空引きできるようになっている。更にこ
の共通搬送室３４内には、上記予備加熱エリア部５０の
周囲を囲むようにし、或いは区画するようにして図３に
も示すような円筒体状のシャッタ部材７６が昇降可能に
設けられる。具体的には、このシャッタ部材７６は、例
えばアルミナ等により、その内部に半導体ウエハＷを収
容できる程度の大きさの円筒体状に成形されており、搬
送手段４０（図１参照）が屈伸する搬送方向の側壁に
は、上記搬送手段４０のアーム部分との干渉を避けるた
めの開口凹部７８が形成されている。このシャッタ部材
７６は、複数、例えば３本の昇降ロッド８０（図２にお
いては２本のみ記す）により支持されると共に、各支持
ロッド８０は上記下側区画壁７０に形成した貫通孔８２
を下方向へ挿通されている。そして、各支持ロッド８０
の挿通部には、伸縮可能になされたベローズ８４が介設
されており、上記共通搬送室３４内の気密性を維持しつ
つ上記各昇降ロッド７４を一体的に昇降移動できるよう
になっている。図４は上記昇降ロッド７４を上昇させて
上記シャッタ部材７６を上方へ移動させた状態を示して
いる。The lower partition wall 7 of the common transfer chamber 34
0, a vacuum exhaust port 72 is formed facing the center position of the preheating area 50, and the vacuum exhaust port 72 has a vacuum exhaust system 74 with a vacuum pump (not shown) interposed in the middle. Are connected, and the common transfer chamber 34
The inside atmosphere can be evacuated. Further, in the common transfer chamber 34, a cylindrical shutter member 76 as shown in FIG. 3 is provided so as to be able to move up and down so as to surround or divide the periphery of the preheating area 50. Specifically, the shutter member 76 is formed of, for example, alumina or the like into a cylindrical shape large enough to accommodate the semiconductor wafer W therein, and the transfer means 40 (see FIG. 1) bends and stretches. An opening recess 78 is formed on the side wall in the transport direction to avoid interference with the arm portion of the transport unit 40. The shutter member 76 is supported by a plurality of, for example, three lifting rods 80 (only two lifting rods 80 are shown in FIG. 2), and each support rod 80 is formed by a through hole 82 formed in the lower partition wall 70.
Is inserted downward. Then, each support rod 80
An extendable bellows 84 is interposed in the insertion portion so that the lift rods 74 can be integrally moved up and down while maintaining the airtightness in the common transfer chamber 34. . FIG. 4 shows a state in which the elevating rod 74 is raised to move the shutter member 76 upward.
【００１９】一方、図５に示す上記紫外線照射エリア部
５２の構成は、図２に示した予備加熱エリア部５０にお
ける加熱ランプ６４に代えて、紫外線照射手段として紫
外線ランプ８６を用いた点を除き、他の構成は上記予備
加熱エリア部５０の構成と同様になされている。具体的
には、まず、図５にも示すように上記紫外線照射エリア
部５２にあっては、このエリア部５２に対応する共通搬
送室３４の上側区画壁５４に開口９０を形成し、この開
口９０にＯリング等のシール部材９２を介して石英等よ
りなる透過窓９４が気密に接合されている。そして、こ
の透過窓９４の上方には、反射板を兼ねるケーシング９
６が設けられており、このケーシング９６内に紫外線照
射手段として複数の上記紫外線ランプ８６をウエハ面に
対応させて平面的に配置して設けている。そして、上記
透過窓９４の周囲の上側区画壁５４には、これを貫通す
るようにしてガス供給手段を構成する複数のガスノズル
９８が設けられており、上記紫外線照射エリア部５２内
に不活性ガスとして例えばＮ2 ガス、または真空度によ
っては微量のＯ2 ガスを流量制御しつつ必要時に供給し
得るようになっている。On the other hand, the structure of the ultraviolet irradiation area 52 shown in FIG. 5 is different from that of the preliminary heating area 50 shown in FIG. The other configuration is the same as the configuration of the preheating area section 50 described above. Specifically, first, as shown in FIG. 5, in the ultraviolet irradiation area 52, an opening 90 is formed in the upper partition wall 54 of the common transfer chamber 34 corresponding to the area 52, and the opening 90 is formed. A transmission window 94 made of quartz or the like is hermetically joined to the base 90 via a seal member 92 such as an O-ring. Above the transmission window 94, a casing 9 also serving as a reflection plate is provided.
In the casing 96, a plurality of the ultraviolet lamps 86 are provided as ultraviolet irradiation means in a planar manner corresponding to the wafer surface. A plurality of gas nozzles 98 which constitute gas supply means are provided in the upper partition wall 54 around the transmission window 94 so as to penetrate the upper partition wall 54. For example, N 2 gas or a small amount of O 2 gas depending on the degree of vacuum can be supplied as needed while controlling the flow rate.
【００２０】また、上記共通搬送室３４の下側区画壁７
０には、この紫外線照射エリア部５２の中心位置に臨ま
せて真空排気口１００が形成されると共に、この真空排
気口１００には、図示しない真空ポンプ等を途中に介在
させた真空排気系１０２が接続されており、この共通搬
送室３４内の雰囲気を真空引きできるようになってい
る。尚、この真空排気系１０２は、前記予備加熱エリア
部５０の真空排気系７４（図２参照）と連結されてい
る。更にこの共通搬送室３４内には、上記紫外線照射エ
リア部５２の周囲を囲むようにし、或いは区画するよう
にして図３に示したものと同様な構造の円筒体状のシャ
ッタ部材１０４が昇降可能に設けられる。具体的には、
このシャッタ部材１０４は、例えばアルミナ、透明石英
等により、その内部に半導体ウエハＷを収容できる程度
の大きさの円筒体状に成形されており、搬送手段４０
（図１参照）が屈伸する搬送方向の側壁には、上記搬送
手段４０のアーム部分との干渉を避けるための開口凹部
１０６が形成されている。このシャッタ部材１０４は、
複数、例えば３本の昇降ロッド１０８により支持される
と共に、各支持ロッド１０８は上記下側区画壁７０に形
成した貫通孔１１０を下方向へ挿通されている。そし
て、各支持ロッド１０８の挿通部には、伸縮可能になさ
れたベローズ１１２が介設されており、上記共通搬送室
３４内の気密性を維持しつつ上記各支持ロッド１０８を
一体的に昇降移動できるようになっている。The lower partition wall 7 of the common transfer chamber 34
0, a vacuum exhaust port 100 is formed facing the center position of the ultraviolet irradiation area 52, and a vacuum exhaust system 102 having a vacuum pump or the like (not shown) interposed in the vacuum exhaust port 100. Is connected, and the atmosphere in the common transfer chamber 34 can be evacuated. The evacuation system 102 is connected to the evacuation system 74 (see FIG. 2) of the preheating area 50. Further, in the common transfer chamber 34, a cylindrical shutter member 104 having a structure similar to that shown in FIG. 3 can be moved up and down so as to surround or divide the ultraviolet irradiation area 52. Is provided. In particular,
The shutter member 104 is formed of, for example, alumina, transparent quartz, or the like into a cylindrical shape large enough to accommodate the semiconductor wafer W therein.
An opening concave portion 106 is formed on the side wall in the transport direction where the (see FIG. 1) bends and stretches to avoid interference with the arm portion of the transport means 40. This shutter member 104 is
The support rods 108 are supported by a plurality of, for example, three lifting rods 108, and each support rod 108 is inserted downward through a through hole 110 formed in the lower partition wall 70. An extendable bellows 112 is interposed between the insertion portions of the support rods 108 so that the support rods 108 can be integrally moved up and down while maintaining airtightness in the common transfer chamber 34. I can do it.
【００２１】次に、以上のような処理システム３０を用
いて行なわれる動作について説明する。まず、本発明に
ついて重要な点は、半導体ウエハＷの表面に付着してい
る有機物成分を除去するデガス処理を行う場合には、こ
の処理を紫外線照射エリア部５２で行い、また、半導体
ウエハＷの表面に付着している水分やガス成分を除去す
るデガス処理のための予熱処理、自然酸化膜除去時にウ
エハ表面に付着した反応副生成物の除去処理のための予
熱処理及びウエハの反り発生の防止の予熱処理等は予備
加熱エリア部５０で行う点である。まず、ここでは半導
体ウエハＷの流れの一例を簡単に説明する。例えば、２
つのカセット室３６Ａ、３６Ｂの内のいずれか１つのカ
セット室、例えばカセット室３６Ａ内のカセットＣ１内
から未処理の半導体ウエハＷを、搬送手段４０を駆動す
ることによって一方のピック、例えばピック４０Ａで取
り上げて保持し、このウエハＷを予め真空状態になされ
る共通搬送室３４内の位置合わせ機構４４まで搬送す
る。Next, the operation performed using the processing system 30 described above will be described. First, an important point of the present invention is that, when performing a degassing process for removing organic components adhering to the surface of the semiconductor wafer W, this process is performed in the ultraviolet irradiation area 52, and Pre-heat treatment for degas treatment to remove moisture and gas components adhering to the surface, pre-heat treatment for removal of reaction by-products adhering to the wafer surface during natural oxide film removal, and prevention of wafer warpage Is performed in the preheating area 50. First, an example of the flow of the semiconductor wafer W will be briefly described here. For example, 2
An unprocessed semiconductor wafer W is transferred from one of the cassette chambers 36A and 36B, for example, the cassette C1 in the cassette chamber 36A, by driving the transfer means 40, and is picked by one pick, for example, the pick 40A. The wafer W is picked up and held, and transferred to the positioning mechanism 44 in the common transfer chamber 34 which is pre-evacuated.
【００２２】次に、搬送手段４０のピック４０Ａに保持
していた未処理のウエハを、空状態になっている回転台
４６上に載置する。そして、このウエハＷを回転するこ
とによってその位置ずれ量を求めて、位置合わせを行う
ことになる。そして、このように位置合わせされたウエ
ハＷは、必要なデガス処理のための予熱処理、或いは反
り防止のための予熱処理が行われた後に、各処理装置３
２Ａ〜３２Ｄにて必要な処理が順次連続的に行われる。
また、この連続処理の途中に、自然酸化膜の除去処理を
行った場合には、その直後にはウエハ表面に反応副生成
物が付着しているので、このウエハＷは、次の処理装置
における処理に先立って上記予備加熱エリア部５０にて
反応副生成物の除去処理が行われることになる。ここ
で、具体的な処理方法を例にとってウエハＷの流れを説
明する。まず、処理装置３２Ａではウエハ表面に付着し
ている自然酸化膜をプラズマ（加熱なし）によって除去
する自然酸化膜除去処理を行い、処理装置３２Ｂでは略
６５０℃にてウエハ表面に酸化膜（ＳｉＯ2 ）を形成す
る酸化膜成膜処理を行い、処理装置３２Ｃでは略４５０
℃にてウエハ表面にＺｒＳｉＯ膜を形成する成膜処理を
行い、処理装置３２Ｄで略７５０℃にてウエハにアニー
ル処理を行う場合を例にとって説明する。Next, the unprocessed wafer held by the pick 40A of the transfer means 40 is placed on an empty turntable 46. Then, by rotating the wafer W, the amount of the positional deviation is obtained, and the alignment is performed. Then, the wafer W aligned in this manner is subjected to a pre-heat treatment for a necessary degassing treatment or a pre-heat treatment for preventing a warp, and then to each of the processing apparatuses 3.
Necessary processing is sequentially and continuously performed in 2A to 32D.
Further, when the natural oxide film is removed during the continuous processing, the reaction by-products adhere to the wafer surface immediately after the removal processing, so that the wafer W is used in the next processing apparatus. Prior to the process, the process of removing the reaction by-products is performed in the preheating area 50. Here, the flow of the wafer W will be described using a specific processing method as an example. First, the processing device 32A performs a natural oxide film removal process for removing a natural oxide film adhering to the wafer surface by plasma (without heating), and the processing device 32B applies an oxide film (SiO 2) at approximately 650 ° C. Is performed, and the processing apparatus 32C performs approximately 450
The case where a film forming process for forming a ZrSiO film on a wafer surface is performed at a temperature of about 750 ° C. and an annealing process is performed on the wafer at about 750 ° C. by a processing apparatus 32D will be described as an example.
【００２３】まず、共通搬送室３４内の位置合わせ機構
４４にて位置合わせされたウエハＷは、この搬送手段４
０を旋回駆動してウエハＷを紫外線照射エリア部５２に
位置させる。ここで、ウエハＷを例えばピック４０Ａで
保持したまま、シャッタ部材１０４（図５参照）を上昇
させてウエハＷの周囲をこのシャッタ部材１０４で囲
む。この時のシャッタ部材１０４の位置は、図４に示す
予備加熱エリア部５０におけるシャッタ部７６の位置と
同じである。次に、紫外線ランプ８６を点灯し、これに
よって発生した紫外線ＵＶを、透過窓９４を介してウエ
ハＷの表面に照射してこの表面に付着している有機物成
分を紫外線ＵＶによって分解し、気化させて除去する。
この際、ガスノズル９８より不活性ガスとしてＮ2 ガ
ス、または真空度によっては微量のＯ2 ガスを流量制御
しつつ流し、且つこの真下の真空排気口１００より雰囲
気ガスを真空引きすることにより、有機物成分を分解す
ることによって発生したガスは、上記供給されるＮ2 ガ
ス流により効率的に排除され、しかも、ウエハＷの周辺
部から下方向の真空排気口１００に向けて円滑に排除さ
れることになる。更に、このエリア部５２の周囲はシャ
ッタ部材１０４により囲まれて区画されているので、発
生したガス成分がこのエリア部５２から共通搬送室３４
内の他の領域に漏れ出ることも極力抑制することが可能
となる。尚、この有機物成分の処理装置においては、紫
外線ＵＶによってウエハＷの温度はほとんど上昇するこ
とはない。First, the wafer W positioned by the positioning mechanism 44 in the common transfer chamber 34 is transferred to the transfer means 4.
Then, the wafer W is rotated to move the wafer W to the ultraviolet irradiation area 52. Here, while holding the wafer W with, for example, the pick 40A, the shutter member 104 (see FIG. 5) is raised to surround the wafer W with the shutter member 104. The position of the shutter member 104 at this time is the same as the position of the shutter section 76 in the preheating area section 50 shown in FIG. Next, the ultraviolet lamp 86 is turned on, and the ultraviolet UV generated thereby is irradiated to the surface of the wafer W through the transmission window 94 to decompose and vaporize the organic components attached to the surface by the ultraviolet UV. To remove.
At this time, N 2 gas as an inert gas or a small amount of O 2 gas depending on the degree of vacuum is flowed from the gas nozzle 98 while controlling the flow rate, and the atmospheric gas is evacuated from the vacuum exhaust port 100 directly below the gas, so that organic substances The gas generated by decomposing the components is efficiently removed by the supplied N 2 gas flow, and is further smoothly removed from the peripheral portion of the wafer W toward the vacuum exhaust port 100 in the downward direction. become. Further, since the periphery of the area 52 is surrounded and partitioned by the shutter member 104, the generated gas components are transferred from the area 52 to the common transfer chamber 34.
It is also possible to minimize leakage to other areas in the interior. In the organic component processing apparatus, the temperature of the wafer W hardly rises due to the ultraviolet rays UV.
【００２４】このように、有機物成分の除去処理が完了
したならば、搬送手段４０を駆動してこのウエハＷを処
理装置３２Ａ内に搬入する。そして、この処理装置３２
Ａ内にて、例えばＮＨ3 ガス、Ｎ2 ガス、Ｈ2 ガスの存
在下にてプラズマを立てて、ウエハＷの表面に付着して
いた自然酸化膜を除去する。この際、ウエハＷはプラズ
マ熱によって僅かに昇温されるが、積極的には加熱は行
われない。この自然酸化膜の除去処理では、ウエハ表面
に例えばＳｉＦ4 やＮＨ3 等の化合物よりなる反応副生
成物が付着することは避けられない。As described above, when the removal processing of the organic components is completed, the transfer means 40 is driven to load the wafer W into the processing apparatus 32A. And this processing device 32
In A, plasma is generated in the presence of, for example, NH 3 gas, N 2 gas, and H 2 gas to remove a natural oxide film adhered to the surface of the wafer W. At this time, the wafer W is slightly heated by the plasma heat, but is not actively heated. In the process of removing the natural oxide film, it is inevitable that a reaction by-product composed of a compound such as SiF 4 or NH 3 adheres to the wafer surface.
【００２５】次に、この自然酸化膜の除去処理が完了し
たウエハＷを、搬送手段４０を駆動して処理装置３２Ａ
から搬出すると共に、このウエハＷを予備加熱エリア部
５０に位置させる。ここで、ウエハＷを例えばピック４
０Ａで保持したまま、シャッタ部材７６（図２参照）を
上昇させてウエハＷの周囲をこのシャッタ部材７６で囲
む。この時のシャッタ部材７６の位置は、図４に示され
る。次に、ハロゲンランプよりなる加熱ランプ６４を点
灯し、これによって発生した熱線ＩＲを、透過窓６０を
介してウエハＷの表面に照射してウエハＷを１００〜４
５０℃程度の範囲内まで昇温し、この表面に付着してい
る反応副生成物を分解して気化させて除去する。この
際、不活性ガスノズル６６より不活性ガスとしてＮ2 ガ
スを流量制御しつつ流し、且つこの真下の真空排気口７
２より雰囲気ガスを真空引きすることにより、反応副生
成物を分解することによって発生したガスは、上記供給
されるＮ2ガス流により効率的に排除され、しかも、ウ
エハＷの周辺部から下方向の真空排気口７２に向けて円
滑に排除されることになる。更に、このエリア部５０の
周囲はシャッタ部材７６により囲まれて区画されている
ので、発生したガス成分がこのエリア部５０から共通搬
送室３４内の他の領域に漏れ出ることも極力抑制するこ
とが可能となる。特に、デガス処理と比較して、この反
応副生成物の除去処理では多くの不純物ガスが発生する
ので、上記シャッタ部材７６の作用は重要である。ま
た、上述のように、ウエハＷを所定の温度、例えば１０
０〜４５０℃程度まで予備加熱しているので、次の成膜
工程でウエハＷを更に昇温させる際に、ウエハＷに反り
が発生することも防止することかできる。Next, the wafer W from which the natural oxide film has been removed is transferred to the processing unit 32A by driving the transfer means 40.
And the wafer W is positioned in the preheating area 50. Here, for example, pick 4
While holding at 0A, the shutter member 76 (see FIG. 2) is raised to surround the wafer W with the shutter member 76. The position of the shutter member 76 at this time is shown in FIG. Next, the heating lamp 64 composed of a halogen lamp is turned on, and the heat ray IR generated by the heating lamp 64 is irradiated on the surface of the wafer W through the transmission window 60, thereby causing the wafer W to reach 100 to 4 mm.
The temperature is raised to about 50 ° C., and the reaction by-products adhering to the surface are decomposed and vaporized and removed. At this time, N 2 gas is flowed from the inert gas nozzle 66 as an inert gas while controlling the flow rate, and the vacuum exhaust port
The gas generated by decomposing the reaction by-products by evacuating the atmosphere gas from 2 is efficiently removed by the supplied N 2 gas flow, and furthermore, the gas flows downward from the peripheral portion of the wafer W. Is smoothly removed toward the vacuum exhaust port 72. Further, since the periphery of the area 50 is surrounded and partitioned by the shutter member 76, it is possible to minimize the leakage of generated gas components from the area 50 to other areas in the common transfer chamber 34. Becomes possible. In particular, as compared with the degassing process, a large amount of impurity gas is generated in the process of removing the reaction by-products, so that the operation of the shutter member 76 is important. Further, as described above, the wafer W is kept at a predetermined temperature, for example, 10 ° C.
Since the preliminary heating is performed to about 0 to 450 ° C., it is possible to prevent the wafer W from being warped when the temperature of the wafer W is further increased in the next film forming step.
【００２６】このようにして、反応副生成物を分解除去
するデガス処理が完了したならば、搬送手段４０を駆動
してこのウエハＷを処理装置３２Ｂへ搬入し、ここでウ
エハ表面に酸化膜であるＳｉＯ2 膜の成膜処理を行う。
このＳｉＯ2 膜の成膜処理では、ウエハＷを昇温して例
えばプロセス温度を略６５０℃程度に設定し、Ｏ2 ガス
と紫外線の存在下にてウエハ表面にＳｉＯ2 膜を形成す
る。上述したように、ウエハＷの温度は、前処理である
反応副生成物の除去処理にてすでに１００〜４５０℃程
度まで昇温されているので、この温度からプロセス温度
である６５０℃程度まで、ウエハＷの上下面に大きな温
度差を生ぜしめることなく無理なく昇温でき、従って、
ウエハＷに反りが発生することを確実に防止することが
可能となる。When the degassing process for decomposing and removing the reaction by-products is completed in this way, the transfer means 40 is driven to carry the wafer W into the processing apparatus 32B, where the wafer surface is coated with an oxide film. A certain SiO 2 film is formed.
In this SiO 2 film forming process, the temperature of the wafer W is increased, for example, the process temperature is set to about 650 ° C., and the SiO 2 film is formed on the wafer surface in the presence of O 2 gas and ultraviolet rays. As described above, since the temperature of the wafer W has already been raised to about 100 to 450 ° C. in the process of removing the reaction by-products, which is the pretreatment, the temperature of the wafer W is reduced to about 650 ° C., which is the process temperature. The temperature can be raised without causing a large temperature difference between the upper and lower surfaces of the wafer W.
Warpage of the wafer W can be reliably prevented.
【００２７】このように、酸化膜（ＳｉＯ2 膜）の成膜
が完了したならば、搬送手段４０を駆動してこのウエハ
Ｗを次の処理装置３２Ｃへ搬送し、ここでプロセス温度
略４５０℃程度で例えばＺｒＳｉＯ膜をＡＬＤ（Ａｔｏ
ｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等によ
って成膜する。そして、ＺｒＳｉＯ膜の成膜が完了した
ならば、搬送手段４０を駆動してこのウエハＷを次の処
理装置３２Ｄへ搬送し、ここでプロセス温度略７５０℃
程度でウエハＷに対してアニール処理を施す。このよう
にして、最後のアニール処理が完了したならば、搬送手
段４０を駆動してこの処理済みのウエハＷを、例えば元
のカセットＣ１へ搬送することになる。As described above, when the formation of the oxide film (SiO 2 film) is completed, the transfer means 40 is driven to transfer the wafer W to the next processing device 32C, where the process temperature is approximately 450 ° C. For example, a ZrSiO film is formed by ALD (Ato
A film is formed by a mic layer deposition method or the like. When the formation of the ZrSiO film is completed, the transfer means 40 is driven to transfer the wafer W to the next processing device 32D, where the process temperature is approximately 750 ° C.
The annealing process is performed on the wafer W at about the same level. In this manner, when the final annealing process is completed, the transfer unit 40 is driven to transfer the processed wafer W to, for example, the original cassette C1.
【００２８】本実施例では、紫外線照射エリア部５２に
てウエハ表面の有機物成分の除去処理を行った後、直ち
に処理装置３２Ａ内にて自然酸化膜の除去処理を行った
が、この直前に、或いは上記有機物成分の除去処理の前
に、予備加熱エリア部５０にてウエハＷを、上述したよ
うな予備加熱することによってウエハ表面に付着してい
る水分やガス成分を飛ばすようにしてもよい。また、こ
の実施例では１つのウエハＷに着目してその流れを説明
したが、実際の処理では、２つのピック４０Ａ、４０Ｂ
を用いて先行するウエハと後行するウエハと置き換えし
つつ処理が進んで行く。また、各処理装置３２Ａ〜３２
Ｄにおける各プロセス時間は、上記デガス処理や反応副
生成物の除去処理と比較して長いので、処理装置３２
Ａ、３２Ｂに対するウエハＷの待ち時間中に上記デガス
処理や反応副生成物の除去処理が行われる。また、上記
各エリア部５０、５２の設置位置は、上述した位置に限
定されず、共通搬送室３４内の空きスペースならばどこ
に設けてもよい。In this embodiment, after the removal of the organic components on the wafer surface in the ultraviolet irradiation area 52, the removal of the natural oxide film was immediately performed in the processing device 32A. Alternatively, before the above-described organic component removal processing, the wafer W may be preheated in the preheating area section 50 as described above to remove moisture and gas components adhering to the wafer surface. Further, in this embodiment, the flow has been described focusing on one wafer W. However, in the actual processing, two picks 40A, 40B
, The process proceeds while replacing the preceding wafer with the following wafer. In addition, each of the processing devices 32A to 32
Since each process time in D is longer than the degassing process and the removing process of the reaction by-product, the processing device 32
During the waiting time of the wafer W with respect to A and 32B, the degassing process and the process of removing the reaction by-product are performed. Further, the installation position of each of the above-mentioned area units 50 and 52 is not limited to the above-mentioned position, and may be provided anywhere as long as it is an empty space in the common transfer chamber 34.
【００２９】更に、本実施例では、２つのエリア部５
０、５２を異なる位置に設けた場合を例にとって説明し
たが、これに限定されず、両エリア部５０、５２を共通
搬送室３４の同一場所に設置してもよい。図６はこのよ
うな本発明の変形例を示しており、ここでは図１及び図
２において紫外線照射エリア部５２を設置した位置に、
予備加熱エリア部５０の機能を兼ね備えるようにしてい
る。この場合、図２に示した加熱ランプ５４等を下部区
画壁７０側に設けている。すなわち、下部区画壁７０に
開口部５６を形成してこの開口部５６にシール部材５８
を介して透過窓６０を設け、この透過窓６０の下方に設
けたケーシング６２内に、ハロゲンランプよりなる加熱
ランプ６４を設けており、このランプ６４と上方の紫外
線ランプ８６の両ランプ６４、８６を選択的に或いは同
時に点灯可能としている。この構成によれば、両ランプ
６４、８６を同時に点灯させることにより、ウエハ表面
に付着する水分、ガス、有機物成分等を同時に除去する
ことが可能となり、また、設備コストも少なくて済む。
尚、図６においては真空排気口を記載しておらず、これ
は別個に設けられる。また、上記加熱ランプ６４と紫外
線ランプ８６の双方を、上下の区画壁のいずれか一方に
集合させて設けるようにしてもよい。また、ここでは加
熱手段として加熱ランプ６４を用いた場合を例にとって
説明したが、これに限定されず、抵抗加熱ヒータを用い
てもよい。また、本実施例では、各プロセスは単に一例
を示したに過ぎず、処理装置にてどのような処理を行う
場合にも本発明を適用できるのは勿論である。尚、以上
の実施例では被処理体として半導体ウエハＷを例にとっ
て説明したが、これに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ
基板等にも本発明を適用することができる。Further, in this embodiment, two area units 5
Although the case where 0 and 52 are provided at different positions has been described as an example, the present invention is not limited to this, and the two area units 50 and 52 may be installed at the same place in the common transfer chamber 34. FIG. 6 shows such a modification of the present invention. Here, in FIG. 1 and FIG.
The function of the preheating area 50 is also provided. In this case, the heating lamp 54 and the like shown in FIG. 2 are provided on the lower partition wall 70 side. That is, the opening 56 is formed in the lower partition wall 70, and the sealing member 58 is formed in the opening 56.
, A heating lamp 64 made of a halogen lamp is provided in a casing 62 provided below the transmission window 60, and both lamps 64, 86 of the lamp 64 and an upper ultraviolet lamp 86 are provided. Can be selectively or simultaneously turned on. According to this configuration, by turning on both the lamps 64 and 86 at the same time, it becomes possible to simultaneously remove moisture, gas, organic components, and the like adhering to the wafer surface, and to reduce the equipment cost.
In FIG. 6, the vacuum exhaust port is not shown, and is provided separately. Further, both the heating lamp 64 and the ultraviolet lamp 86 may be provided collectively on one of the upper and lower partition walls. Further, here, the case where the heating lamp 64 is used as the heating means has been described as an example, but the invention is not limited thereto, and a resistance heater may be used. Further, in the present embodiment, each process is merely an example, and it goes without saying that the present invention can be applied to any processing performed by the processing device. In the above embodiments, the semiconductor wafer W has been described as an example of the object to be processed. However, the present invention is not limited to this.
The present invention can be applied to a substrate and the like.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の処理シス
テムによれば、次のように優れた作用効果を発揮するこ
とができる。請求項１、４、５に規定する発明によれ
ば、共通搬送室内にて必要に応じて予備加熱エリア部に
て被処理体を加熱することにより、被処理体の付着水分
や付着ガス成分を除去したり、自然酸化膜除去処理によ
って発生した反応副生成物を除去したり、または、紫外
線照射エリア部にて紫外線を照射することにより付着有
機物を分解除去したりすることができる。しかも、上記
予備加熱エリア部や紫外線照射エリア部は、共通搬送室
に併せて設けるようにしているので、占有スペースが増
加することもなく、省スペース化に寄与することができ
る。また、被処理体に対して高温で熱処理する直前に予
備加熱エリア部にて被処理体を予熱しておけば、プロセ
ス時に急激な昇温を行う必要がないので、被処理体の厚
さ方向における温度差を低減してこれに反りが発生する
ことを未然に防止することができる。請求項２に規定す
る発明によれば、予備加熱エリア部はシャッタ部材によ
り区画されているので、予熱によって飛散した水分やガ
ス成分や反応副生成物の分解ガス成分が、共通搬送室内
の他の領域に侵入することを可能な限り抑制することが
できる。請求項３に規定する発明によれば、予備加熱エ
リア部にて発生したガス成分等を共通搬送室内の他の領
域に流出させることなく、これを系外へ排出することが
できる。請求項６に規定する発明によれば、予備加熱エ
リア部にて発生したガス成分等を効率的に系外へ排出す
ることができる。請求項７に規定する発明によれば、被
処理体に対する予熱と紫外線の照射を同時に行うことが
できる。As described above, according to the processing system of the present invention, the following excellent operational effects can be exhibited. According to the inventions defined in claims 1, 4, and 5, the object to be processed is heated in the preheating area as needed in the common transfer chamber, so that the moisture and gas components attached to the object to be processed can be reduced. It can be removed, a reaction by-product generated by the natural oxide film removal treatment can be removed, or an attached organic substance can be decomposed and removed by irradiating ultraviolet rays in an ultraviolet irradiation area. In addition, since the preheating area and the ultraviolet irradiation area are provided along with the common transfer chamber, the occupied space does not increase, and the space can be saved. In addition, if the object is preheated in the preheating area immediately before the object is heat-treated at a high temperature, it is not necessary to perform a rapid temperature increase during the process, so that the thickness direction of the object can be reduced. Can be reduced to prevent the occurrence of warpage. According to the invention defined in claim 2, since the preheating area is defined by the shutter member, the moisture and gas components scattered by the preheating and the decomposition gas components of the reaction by-products are separated from the other by the other members. Intrusion into the region can be suppressed as much as possible. According to the invention defined in claim 3, the gas component and the like generated in the preheating area can be discharged out of the system without flowing out to another region of the common transfer chamber. According to the invention defined in claim 6, gas components and the like generated in the preheating area can be efficiently discharged out of the system. According to the invention as defined in claim 7, preheating and irradiation of ultraviolet rays can be simultaneously performed on the object to be processed.
【図１】本発明に係る処理システムの一例を示す概略平
面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a processing system according to the present invention.
【図２】予熱加熱エリア部を示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a preheating heating area.
【図３】予備加熱エリア部にて用いるシャッタ部材を示
す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view showing a shutter member used in a preliminary heating area.
【図４】シャッタ部材が上昇している時の予備加熱エリ
ア部を示す断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a preheating area when a shutter member is raised.
【図５】紫外線照射エリア部を示す断面図である。FIG. 5 is a sectional view showing an ultraviolet irradiation area.
【図６】本発明の変形例を示す断面図である。FIG. 6 is a sectional view showing a modification of the present invention.
【図７】従来の処理システムの一例を示す概略構成図で
ある。FIG. 7 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a conventional processing system.
３０ 処理システム ３２Ａ〜３２Ｄ 処理装置 ３４ 共通搬送室 ４０ 搬送手段 ５０ 予備加熱エリア部 ５２ 紫外線照射エリア部 ６４ 加熱ランプ（加熱手段） ６６，９８ 不活性ガスノズル（不活性ガス供給手段） ７２，１００ 真空排気口 ７６，１０４ シャッタ部材 ８６ 紫外線ランプ（紫外線照射手段） Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） Reference Signs List 30 processing system 32A to 32D processing apparatus 34 common transfer chamber 40 transfer means 50 preheating area 52 ultraviolet irradiation area 64 heating lamp (heating means) 66, 98 inert gas nozzle (inert gas supply means) 72, 100 vacuum exhaust Ports 76, 104 Shutter member 86 Ultraviolet lamp (ultraviolet irradiation means) W Semiconductor wafer (object to be processed)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K029 AA06 BA46 FA04 FA06 KA01 4K030 BA44 CA04 DA03 GA01 KA24 LA15 5F031 CA02 CA05 DA01 FA01 FA07 FA12 GA02 GA44 GA47 GA49 GA50 HA01 HA02 HA37 HA53 JA02 JA28 JA34 JA35 KA08 KA13 KA14 MA04 MA23 MA28 MA30 MA32 NA01 NA04 NA05 NA07 PA13 5F045 AA03 AA15 AB31 AB32 AC11 AC12 AD08 AD10 AF01 AF07 BB14 DQ17 EB02 EB08 EB09 EB11 EB13 EE14 EF20 EK12 EN04 EN06 HA01 HA08 HA16 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4K029 AA06 BA46 FA04 FA06 KA01 4K030 BA44 CA04 DA03 GA01 KA24 LA15 5F031 CA02 CA05 DA01 FA01 FA07 FA12 GA02 GA44 GA47 GA49 GA50 HA01 HA02 HA37 HA53 JA02 JA28 JA34 JA35 KA08 MA13 KA14 MA04 MA28 MA30 MA32 NA01 NA04 NA05 NA07 PA13 5F045 AA03 AA15 AB31 AB32 AC11 AC12 AD08 AD10 AF01 AF07 BB14 DQ17 EB02 EB08 EB09 EB11 EB13 EE14 EF20 EK12 EN04 EN06 HA01 HA08 HA16
Claims (7)
の処理装置と、 前記複数の処理装置に共通に接続されて真空引き可能に
なされた共通搬送室と、 前記共通搬送室内に設けられて前記処理装置との間で前
記被処理体を搬送するための搬送手段と、 前記共通搬送室に設けられて前記被処理体を予備加熱す
るための予備加熱エリア部と、 前記共通搬送室に設けられて前記被処理体に紫外線を照
射するための紫外線照射エリア部とを備えたことを特徴
とする処理システム。1. A plurality of processing apparatuses for performing a predetermined process on an object to be processed, a common transfer chamber commonly connected to the plurality of processing apparatuses and capable of being evacuated, and provided in the common transfer chamber. Transfer means for transferring the object to be processed to and from the processing apparatus; a preheating area provided in the common transfer chamber for preheating the object to be processed; and the common transfer chamber. And a UV irradiation area for irradiating the object to be irradiated with ultraviolet rays.
するように昇降可能になされたシャッタ部材が設けられ
ることを特徴とする請求項１記載の処理システム。2. The processing system according to claim 1, further comprising a shutter member that can be raised and lowered so as to partition at least the preheating area.
せて真空排気口が設けられることを特徴とする請求項１
または２記載の処理システム。3. A vacuum exhaust port is provided at least facing the preheating area.
Or the processing system according to 2.
して加熱ランプが設置されていることを特徴とする請求
項１乃至３のいずれかに記載の処理システム。4. The processing system according to claim 1, wherein a heating lamp is provided as heating means in the preliminary heating area.
射手段として紫外線ランプが設置されていることを特徴
とする請求項１乃至４のいずれかに記載の処理システ
ム。5. The processing system according to claim 1, wherein an ultraviolet lamp is provided as an ultraviolet irradiation unit in the ultraviolet irradiation area.
これに不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段が設け
られることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記
載の処理システム。6. At least in the preheating area,
6. The processing system according to claim 1, further comprising an inert gas supply unit for supplying an inert gas.
エリア部とは同一場合に設置されることを特徴とする請
求項１乃至６のいずれかに記載の処理システム。7. The processing system according to claim 1, wherein the preheating area and the ultraviolet irradiation area are installed in the same case.
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