JP2002367549A - X線管ターゲット - Google Patents
X線管ターゲットInfo
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Abstract
銅により熱伝導を高め、冷却効果を向上させるととも
に、効率よくX線を取り出すことができるX線管ターゲ
ットを提供する。 【解決手段】 内部に真空室を形成する装置本体と熱電
子を放出する電子銃と回転対陰極とを備えたX線発生装
置におけるX線管ターゲットにおいて、傾斜を有する台
形形状をなし、基材2として銅を用い、この銅の表面を
他の金属からなる被覆金属膜3で被覆し、この被覆金属
膜3の厚さをサブミクロンオーダーとなし、電子ビーム
の入射角が47°で、かつ、X線の取り出し角を45°
に設定した。
Description
り、開放型X線発生装置に用いられる回転対陰極(又は
回転陽極)X線管のターゲット(対陰極)構造に関する
ものである。
置等のX線発生源として必須のものであり、電子銃に対
向してターゲットを配置し、電子銃から出射された電子
をターゲットの表面に衝突させて、ターゲットの表面か
らX線を発生させる構造になっている。代表的なX線管
では、電子ビームによる焦点スポットに発生する熱を分
散させる目的で、ターゲットを回転させる回転対陰極構
造が取られている。
クロム、コバルトなどの各種の金属が用いられている。
この材料に応じて、発生するX線の波長等の特性が異な
る。ターゲットは高温になるため、ターゲットには冷却
機構が備えられている。
種金属を被覆している。表面部材は通常、銅のディスク
に各種金属をメッキ等で処理を施したり、各種金属をは
め込み等で作製するため、数mmの厚さを有している。
は高温になる。これを避けるため、ターゲットを冷却す
ると同時に、6000から10000rpmで高速回転
させる。これにより表面部の温度は約1000℃以下に
抑えられる。
は変わっていないが、応用面が広くなり、より大きな強
度のX線、実験室でのより小型の装置が求められてい
る。
が当てられている。すなわち、金属面に対して90°に
入射している。取り出し角は面に対して3から12°、
通常6°近辺で用いられている。
トとしては特開平9−161673号、特開平11−2
13880号、熱対策としては特開平10−23316
0号、特開2000−340148号、管球構造とし
て、斜めターゲット形状を有する特開平9−69396
号などが挙げられる。
た従来のX線管ターゲットでは、表面金属の膜厚が経験
的に100μmになっていることを見直した。一方、X
線はディスクに垂直に電子ビームが当てられている金属
面に対して90°に入射している。取り出し角は面に対
して3から12°、通常6°近辺で用いられている。こ
の値も経験的であり、見直すことにより、効率よくX線
を取り出す方法を検討した。
表面金属の厚みをより薄くして、基材である銅により熱
伝導を高め、冷却効果を向上させるとともに、効率よく
X線を取り出すことができるX線管ターゲットを提供す
ることを目的とする。
成するために、 〔1〕内部に真空室を形成する装置本体と熱電子を放出
する電子銃と回転対陰極とを備えたX線発生装置におけ
るX線管ターゲットにおいて、(a)傾斜を有する台形
形状をなし、(b)基材として銅を用い、その銅の表面
を他の金属からなる被覆金属膜で被覆し、この被覆金属
膜の厚さをサブミクロンオーダーとなし、(c)電子ビ
ームの入射角が10°から50°で、かつ、X線の取り
出し角が40°から90°の範囲にあることを特徴とす
る。
において、前記被覆金属膜の厚さが、0.1μmから
0.7μmであることを特徴とする。
において、前記電子ビームの加速度電圧が30kVにお
いて、前記被覆金属膜の厚さが、略0.3μmであるこ
とを特徴とする。
において、前記電子ビームの加速度電圧が40kVにお
いて、前記被覆金属膜の厚さが、略0.5μmであるこ
とを特徴とする。
において、前記電子ビームの加速度電圧が50kVにお
いて、前記被覆金属膜の厚さが、略0.7μmであるこ
とを特徴とする。
において、前記被覆金属がタングステン(W)、クロミ
ウム(Cr)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、コバル
ト(Co)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(M
g)、金(Au)、タンタル(Ta)、モリブデン(M
o)、レニウム(Re)のうち、少なくとも1種からな
ることを特徴とする。
しくは0.1μmから0.7μmである。それは、0.
1μm以下になると、不要な下地からのX線が出ること
になり、不具合なためである。
ギー損失量の70%から90%を基材金属(例えば、
銅)内でなされるようにする。従来は、被覆金属が1μ
mの厚さであり、電子ビームのエネルギーはすべて被覆
金属内で消滅している。冷却効率が比較的悪い被覆金属
を最小限の厚さとし、冷却効率の良い銅をぎりぎりまで
広げる。
て詳細に説明する。
ーゲットの構成断面図である。
ゲット、2はそのX線管ターゲット1の内部に形成され
る基材(材質は銅)、3はその基材を被覆している金属
被覆膜(材質はW)、4はX線管ターゲットの回転中心
軸、5は金属被覆膜の表面に対する垂直線(法線)、6
は入射電子ビーム、7は取り出されるX線、α1 は入射
角(入射電子ビームが照射される面の法線5と入射電子
ビーム6とのなす角)、θ1 は取り出し角〔入射電子ビ
ーム6が照射される面(金属被覆膜面)と取り出しX線
7のなす角度〕である。ここでは、α1 は47°、θ1
は45°、金属被覆膜3の膜厚を1μm以下にすること
により、実用的に優れたものを得ることができる。
第1実施例におけるX線管ターゲットとのX線スペクト
ル特性図であり、縦軸に強さ/電子、横軸にエネルギー
(keV)を示している。なお、従来のX線管ターゲッ
トの入射角αは90°、取り出し角は10°である。ま
た、図2における、aは本発明のX線管ターゲットとの
X線スペクトル特性、bは従来例を示している。
実施例におけるX線管ターゲットのX線スペクトル特性
が優れていることが分かる。
金属被覆膜の厚さは最適なものを選定するのが望まし
い。
第1実施例におけるX線管ターゲットの入射電子ビーム
の加速電圧30kVでのX線強度及び冷却効率の金属被
覆膜の厚さ依存特性図であり、横軸にW被覆膜の厚さ
(μm)、左側の縦軸にX線強度(任意単位)、右側の
縦軸に冷却効率(任意単位)が示されている。また、グ
ラフの◆はX線強度を、■は冷却効率を示している。
冷却効率を総合的に見ると、最適な金属被覆膜の厚さ
は、0.3μm程度であることがわかる。
す。
冷却効率の評価の説明図である。
Cu基材中でのエネルギー損失、9は(dE/d
Z)W :W被覆膜中でのエネルギー損失であり、発生す
る熱に比例する)であるとすると、 冷却効率=〔(dE/dZ)Cu×σCu〕/〔(dE/dZ)Cu×σCu〕+ (dE/dZ)W σW …(1) ここで、σCuは銅の熱伝導度 σW はタングステンの熱伝導度であり、σCu/σW (5
73°Kにおいて)≒3.8/1.5を用いている。
失が大きい程、冷却効果が大きい(Cuは水を流して冷
却されている)。
程、冷却効果が低くなると考えて、上記(1)のような
式で冷却効率を評価することにした。
第1実施例におけるX線管ターゲットの入射電子ビーム
の加速電圧40kVでのX線強度及び冷却効率の金属被
覆膜の厚さ依存特性図であり、横軸にW被覆膜の厚さ
(μm)、左側の縦軸にX線強度(任意単位)、右側の
縦軸に冷却効率(任意単位)が示されている。また、グ
ラフの◆はX線強度を、■は冷却効率を示している。
冷却効率を総合的に見ると、最適な金属被覆膜の厚さ
は、0.5μm程度である。
第1実施例におけるX線管ターゲットの入射電子ビーム
の加速電圧50kVでのX線強度及び冷却効率の金属被
覆膜の厚さ依存特性図であり、横軸にW被覆膜の厚さ
(μm)、左側の縦軸にX線強度(任意単位)、右側の
縦軸に冷却効率(任意単位)が示されている。また、グ
ラフの◆はX線強度を、■は冷却効率を示している。
冷却効率を総合的に見ると、最適な金属被覆膜の厚さ
は、0.7μm程度であることがわかる。
ーゲットの構成断面図である。
ターゲット、12はそのX線管ターゲット11の内部に
形成される基材、13はその基材を被覆している金属被
覆膜、14はX線管ターゲットの回転中心軸、15は金
属被覆膜の表面に対する垂直線(法線)、16は入射電
子ビーム、17は取り出されるX線、α2 は入射角(入
射電子ビーム16が照射される面の法線15と入射電子
ビーム16とのなす角)、θ2 は取り出し角〔入射電子
ビーム16が照射される面(金属被覆膜面〕と取り出し
X線17のなす角度)である。ここでは、α2 は47
°、θ2 は90°、金属被覆膜13の膜厚は1μm以下
にすることにより、第1実施例に比べて数%X線強度を
大きくすることができる。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
よれば、以下のような効果を奏することができる。
り薄くして、基材である銅により熱伝導を高め、冷却効
果を向上させるとともに、効率よくX線を取り出すこと
ができる。
で、表面金属(被覆金属膜)の厚さは、サブミクロンオ
ーダーであることが望ましい。例えば、入射電子ビーム
の加速電圧30kVで0.3μm、入射電子ビームの加
速電圧40kVで0.5μm、入射電子ビームの加速電
圧50kVで0.7μmがX線強度及び冷却効率が最適
である。
構成断面図である。
におけるX線管ターゲットとのX線スペクトル特性図で
ある。
におけるX線管ターゲットとの入射電子ビームの加速電
圧30kVでのX線強度及び冷却効率の金属被覆膜の厚
さ依存特性図である。
評価の説明図である。
におけるX線管ターゲットの入射電子ビームの加速電圧
40kVでのX線強度及び冷却効率の金属被覆膜の厚さ
依存特性図である。
におけるX線管ターゲットの入射電子ビームの加速電圧
50kVでのX線強度及び冷却効率の金属被覆膜の厚さ
依存特性図である。
構成断面図である。
(材質は銅) 3,13 金属被覆膜(材質はW)、 4,14 X線管ターゲットの回転中心軸 5,15 金属被覆膜の表面に対する垂直線(法線) 6,16 入射電子ビーム 7,17 取り出されるX線
Claims (6)
- 【請求項1】 内部に真空室を形成する装置本体と熱電
子を放出する電子銃と回転対陰極とを備えたX線発生装
置におけるX線管ターゲットにおいて、(a)傾斜を有
する台形形状をなし、(b)基材として銅を用い、該銅
の表面を他の金属からなる被覆金属膜で被覆し、該被覆
金属膜の厚さをサブミクロンオーダーとなし、(c)電
子ビームの入射角が10°から50°で、かつ、X線の
取り出し角が40°から90°の範囲にあることを特徴
とするX線管ターゲット。 - 【請求項2】 請求項1記載のX線管ターゲットにおい
て、前記被覆金属膜の厚さが、0.1μmから0.7μ
mであることを特徴とするX線管ターゲット。 - 【請求項3】 請求項1記載のX線管ターゲットにおい
て、前記電子ビームの加速度電圧が30kVにおいて、
前記被覆金属膜の厚さが、略0.3μmであることを特
徴とするX線管ターゲット。 - 【請求項4】 請求項1記載のX線管ターゲットにおい
て、前記電子ビームの加速度電圧が40kVにおいて、
前記被覆金属膜の厚さが、略0.5μmであることを特
徴とするX線管ターゲット。 - 【請求項5】 請求項1記載のX線管ターゲットにおい
て、前記電子ビームの加速度電圧が50kVにおいて、
前記被覆金属膜の厚さが、略0.7μmであることを特
徴とするX線管ターゲット。 - 【請求項6】 請求項1記載のX線管ターゲットにおい
て、前記被覆金属膜がタングステン(W)、クロミウム
(Cr)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、コバルト
(Co)、アルミニウム(Al)、マグネシウム(M
g)、金(Au)、タンタル(Ta)、モリブデン(M
o)、レニウム(Re)のうち、少なくとも1種からな
ることを特徴とするX線管ターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001176616A JP4010391B2 (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | X線管ターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001176616A JP4010391B2 (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | X線管ターゲット |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002367549A true JP2002367549A (ja) | 2002-12-20 |
JP4010391B2 JP4010391B2 (ja) | 2007-11-21 |
Family
ID=19017582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001176616A Expired - Fee Related JP4010391B2 (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | X線管ターゲット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4010391B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013035893A1 (en) * | 2011-09-08 | 2013-03-14 | Bruce Briant Parsons | High quality, low power, low x-ray dose, 2d and 3d imaging for ndt and medical uses |
-
2001
- 2001-06-12 JP JP2001176616A patent/JP4010391B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013035893A1 (en) * | 2011-09-08 | 2013-03-14 | Bruce Briant Parsons | High quality, low power, low x-ray dose, 2d and 3d imaging for ndt and medical uses |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP4010391B2 (ja) | 2007-11-21 |
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