JP2002367306A - 磁気ヘッド位置決め機構 - Google Patents

磁気ヘッド位置決め機構

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JP2002367306A
JP2002367306A JP2001177253A JP2001177253A JP2002367306A JP 2002367306 A JP2002367306 A JP 2002367306A JP 2001177253 A JP2001177253 A JP 2001177253A JP 2001177253 A JP2001177253 A JP 2001177253A JP 2002367306 A JP2002367306 A JP 2002367306A
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JP
Japan
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magnetic head
electrode
piezoelectric material
piezoelectric
piezoelectric element
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JP2001177253A
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Inventor
Masayoshi Nakagawa
正義 中川
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Alps Alpine Co Ltd
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Alps Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】圧電素子の圧電材料が有する光透過性を維持し
て電極を形成したため、圧電材料の光透過性を利用する
ことによリ、圧電材料に発生するクラックを検出可能と
し、信頼性が保証される磁気ヘッドを得ることができ
る。 【構成】磁気ヘッドのサスペンションにオフセット補正
機構を備えた磁気ヘッド位置決め機構において、前記オ
フセット補正機構に備えた圧電素子3の少なくとも一方
の電極7bを透明な導電膜で形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【技術分野】本発明は、磁気ヘッド位置決め機構に関す
るものである。
【0002】
【従来技術及びその問題点】磁気ヘッドは、記録デイス
クの半径方向に、ロータリアクチュエータにより往復揺
動されるヘッドアームに支持され、記録デイスクのトラ
ックに対してデータの記録・再生を行なうために用いら
れる。
【0003】磁気ヘッド位置決め機構は、ロータリアク
チュエータにより磁気ヘッドを記録デイスクのトラック
に対して位置決めを行なっている。
【0004】最近、記録デイスクの高トラック密度化に
対処するために、磁気ヘッドが記録デイスクの半径方向
にずれるオフトラックを補正する機構を磁気ヘッド位置
決め機構に備え付ける構成が開発されつつある。
【0005】前記オフトラック機構は図3に示すよう
に、磁気ヘッドのスライダー1が搭載されたサスペンシ
ョン2に対をなす圧電素子3a、3bが搭載されてい
る。4は、ロータリアクチュエータにより往復揺動され
るヘッドアームに固定され、IC等に電気的に接続され
るための結線部である。
【0006】前記圧電素子3a、3bの分極方向は各々
板厚方向に揃えられ、かつ相反する向きに設定されてい
る。
【0007】前記圧電素子3a、3bは図2に示すよう
に、圧電材料5と圧電材料5の板厚方向に対面する端面
に電極6、6が形成され、対をなす電極間に駆動電圧を
印加することにより、長さ方向に歪が生じる構造に構成
されている。
【0008】そして対をなす圧電素子3a、3bの一方
を伸張させ、かつ他方を短縮させることにより、サスペ
ンション2の先端を記録デイスクの半径方向に微調整す
ることにより、オフセット補正を行なっている。
【0009】前記圧電素子3a、3bを用いたオフセッ
ト補正機構で問題となるのは、圧電素子3a、3bの圧
電材料5に発生する内部クラックである。
【0010】圧電材料5は機械的に非常に脆弱な材料で
形成されているばかりでなく、その使用状態の板厚が
0.1〜0.2mm程度と薄いため、加工中のダメージ
で割れる危険性がある。
【0011】圧電材料5における微小な内部クラックの
場合、初期特性検査、外観検査で検出されない虞があ
る。微小なクラックでも、繰り返して応力が圧電材料5
に加わると、最終的に割れに至る可能性があり、磁気ヘ
ッドの信頼性保証が極めて困難である。
【0012】圧電材料5のクラックが検出できない理由
について考察する。圧電素子3a、3bは、圧電材料5
に電極6、6を取りつける必要があり、この電極6に金
材が用いられる。この金材を用いるのは、圧電材料5の
端面が被覆されて錆止めがされる、また金材の電気抵抗
が極めて小さく、電極6の全面での電圧が均一になる等
の理由からである。また、金膜は金ボールと超音波ボン
デイングにより接合されるが、このとき膜が金である
と、強固な接合が可能である等の理由からである。
【0013】圧電材料5に金の電極6を形成するには、
圧電材料5の端面にNi・Crの下地層をスパッタによ
り形成し、その下地層上に金の電極6を形成する。
【0014】しかしながら、Ni・Cr下地層と金の電
極6を圧電材料5の端面に形成することにより、圧電素
子3a、3bの内部を観察することができなくなるた
め、圧電材料5のクラックを検出することができなくな
る。
【0015】したがって、圧電素子3a、3bにクラッ
クが発生していても、クラックを検出できず、磁気ヘッ
ドの信頼性保証が極めて困難となる。
【0016】
【発明の目的】本発明の目的は、圧電素子の圧電材料に
発生するクラックを検出可能とし、信頼性が保証される
磁気ヘッドを得ることにある。
【0017】
【発明の概要】前記目的を達成するため、本発明に係る
磁気ヘッド位置決め機構は、磁気ヘッドのサスペンショ
ンにオフセット補正機構を備えた磁気ヘッド位置決め機
構において、前記オフセット補正機構が圧電素子を備え
ており、前記圧電素子の少なくとも一方の電極を透明な
導電膜で形成したことを特徴とする。
【0018】また前記透明な導電膜がITO膜で形成さ
れることが望ましい。また前記ITO膜が前記圧電素子
の圧電材料の端面に直に形成される。
【0019】また前記ITO膜の電極には、メッキによ
る端子部、或いは導電性樹脂による端子部を形成しても
よい。
【0020】また前記圧電材料の板厚が光透過性を保持
する寸法であることが望ましく、前記圧電材料の板厚が
0.1〜0.2mmの範囲であることが望ましい。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図示
例と共に説明する。
【0022】図1(a)は、本発明の実施の形態に係る
磁気ヘッド位置決め機構のオフセット補正機構の主要部
を示す断面図である。
【0023】磁気ヘッド位置決め機構のオフセット補正
機構は図3に示すように、2つの圧電素子を組で用いて
いるものであり、図1(a)は、サスペンション上に搭載
された一方の圧電素子を断面して図示しているが、組を
なす他方の圧電素子の構造も図1(a)と同様である。以
下、図1に示す圧電素子に符号3を付して説明する。
【0024】この実施形態では、磁気ヘッドのサスペン
ション2に記録デイスクの半径方向に沿ってスリット2
aが設けられており、スリット2aの長さ方向の両端
に、圧電素子3の電極7aの長さ方向の端部が導電性樹
脂8でサスペンション2に保持、固定されている。ま
た、この圧電素子3の電極7aの長さ方向の端部が、サ
スペンション2に形成された導電パターン或いはステン
レスからなるサスペンション2に直接に導電性樹脂8を
介して電気的に接続される。
【0025】圧電素子3は、駆動源9から対をなす電極
7a、7b間に駆動電圧が印加され、それに伴って対を
なす電極7a、7b間に電界が発生し、その電界に基い
て圧電材料5に歪が発生して圧電材料5が長さ方向に変
化する構造であり、対をなす圧電素子3、3の相互作用
でサスペンション2を記録デイスクの半径方向に揺動さ
せる働きをする。
【0026】この実施形態の圧電素子3は、圧電材料5
の板厚方向に対向して配置した対をなす電極7a、7b
の少なくとも一方の電極7bを透明な導電膜で形成して
いる。図1(a)に示す圧電素子3は、圧電材料5の上面
に位置する電極7bを透明な導電膜で形成しているが、
圧電材料5の下面に位置する電極7aを透明な導電膜で
形成するようにしてもよい。
【0027】図1に示す実施形態では、前記透明な導電
膜にITO膜を用い、このITO膜で圧電素子3の電極
7bを形成している。すなわち、圧電材料5の上面に前
記ITO膜(7b)をスパッタ法により成膜し、この成
膜したITO膜を電極7bの形状にパーニングすること
により電極7bを形成する。
【0028】前記ITO膜は、圧電材料5の上面にNi
・Crの下地層を形成することなく、圧電材料5の上面
に直に成膜される。
【0029】ここで、圧電素子3の電極7bに透明な導
電膜としてのITO膜を用いたことについて技術的な考
察を行なう。
【0030】従来の圧電素子が電極に金材を用いた理由
の1つに、金材の電気抵抗が極めて小さく、電極の全面
での電圧が均一になるという理由がある。確かに金材は
電気抵抗が極めて小さく、電極全面での電圧が均一にな
ると考えられる。しかしながら、対をなす電極と電極間
に挟まれた圧電材料との構造は、一種のコンデンサ構造
であって、電極には殆ど電流が流れないものであり、電
圧降下による電圧差異の分布ができ難いものである。こ
のことからすると、電極の抵抗を考慮する必要がないも
のと考える。
【0031】また、電極の素材である金材はスパッタ法
により圧電材料に強固に密着させて成膜することが困難
な素材であるから、先ず圧電材料の表面にNi・Cr下
地層をスパッタ法により成膜し、このNi・Cr下地層
の特性を利用して金材をNi・Cr下地層上に成膜して
電極を形成する必要がある。このNi・Cr下地層は不
透明な素材であるから、圧電材料の表面に形成すると、
圧電材料の光透過性が失われてしまう。
【0032】上述したように、電極には殆ど電流が流れ
ないものであり、電圧降下による電圧差異の分布ができ
難いことを考えると、この実施形態の電極7bに用いる
ITO膜は、金材と比較すると電気抵抗が高くなるが、
ITO膜を圧電素子の電極に用いても、電圧降下による
電圧差異の分布ができ難いことが明らかである。
【0033】また、ITO膜は圧電素子の圧電材料に直
にスパッタ法により成膜することが可能であり、圧電材
料の表面に成膜されても圧電材料の光透過性を阻害する
ことはない。この圧電材料の光透過性については、圧電
材料の板厚が光透過性を保持する寸法、例えば圧電材料
の板厚が0.2mm以下の範囲である場合に光透過性が
あることを本発明者は実験の結果、知見として得てい
る。また、0.1mm未満の範囲では素子の機械的な強
度が保てないことを本発明者は実験の結果、知見として
得ている。
【0034】以上のことからすると、この実施形態のよ
うに透明な導電膜にITO膜を用い、このITO膜で圧
電素子3の電極7aを形成することによる技術的な課題
が生じることはなく、圧電素子3としての機能を充分に
発揮することが分かる。
【0035】さらにオフセット機構の圧電素子3の電極
は技術的に透明である必要がないが、オフセット機構の
圧電素子3の電極を透明な導電膜で形成すると、オフセ
ット機構に用いた圧電素子3の圧電材料5が有する光透
過性を維持して圧電材料5のクラックを検出することに
より、この圧電素子3を用いたオフセット機構の信頼性
を向上させることができるという独自の効果を奏するこ
とができる。
【0036】したがって、オフセット機構に用いる圧電
素子3の少なくとも一方の電極7bを透明な導電膜で形
成することにより、圧電素子3をサスペンション2に搭
載する前に、光学顕微鏡(金属顕微鏡等)、赤外線顕微
鏡等を用いることにより、圧電材料5の内部クラックを
検出可能となり、不良品である圧電素子をサスペンショ
ンに搭載してしまうのを未然に防止することができ、信
頼性を著しく向上させることができる。
【0037】さらに、不良品である圧電素子をサスペン
ションに搭載してしまうのを未然に防止することができ
るため、不良品の圧電素子がサスペンションに取り付け
られた不良品の磁気ヘッドの発生率を著しく低下させる
ことができ、ひいては磁気ヘッドの製造歩留まりを向上
させることができる。
【0038】なお、この実施形態では電極7bを形成す
る透明な導電膜にITO膜を用いたが、透明な導電性樹
脂を用いてもよく、ITO膜に限定されるものではな
い。
【0039】次に圧電素子3の電極7bをITO膜で形
成した場合に電極7bと駆動源9とを電気的に接続する
端子部10について図1(b)、(c)を用いて説明す
る。
【0040】ITO膜からなる電極7bに対しては、金
ボールを用いた超音波ボンデイング法により端子部10
を形成することは不可能である。
【0041】そこで、図1(b)、(c)に示すように、端
子部10とする領域を残してレジストでマスキングし、
このレジストをマスクとして金を端子部10の形状にメ
ッキ処理することにより、金メッキからなる端子部10
を電極7b上に形成する。
【0042】ここで、金メッキからなる端子部10は、
電極7bの表面のうち、圧電素子3が導電性樹脂8でサ
スペンション2に取り付けられた箇所Aの略真上に位置
するように電極7bの端部に寄せて形成する。
【0043】このように、金メッキからなる端子部10
を設ける位置を特定すると、圧電材料5の変形に支障を
与えることを回避することができる。もし、端子部10
が接合箇所Aから中央側に寄せて形成されると、厚膜を
成膜したときに生じる大きな膜応力を受けるため、圧電
材料5の変形に伴う応力が端子部10の形成箇所に集中
して電極7bが損傷を受けたり、また電極7bに結線す
る際の荷重、振動で圧電材料5が壊れやすくなる。これ
を解消するためには、この実施形態のように端子部10
を設ける位置を特定する必要がある。
【0044】以上のことからして、金メッキからなる端
子部10を電極7bに形成したことによる問題を生じる
ことがない。
【0045】また端子部10をスパッタ法で形成する場
合に端子部10の膜厚を充分に得るためには、スパッタ
レートを高くする必要があるが、スパッタレートを上げ
ると、温度が高くなりすぎて圧電材料5を劣化させてし
まう。しかし、この実施形態のように端子部10を金メ
ッキ法を用いて形成することにより、端子部10として
の充分な膜厚を確保することができるとともに、スパッ
タ法のように熱による影響を圧電材料5に与えることが
なく、圧電素子3の信頼性を向上させることができる。
【0046】また端子部10として充分な膜厚を確保す
ることができるため、駆動源9からの配線を端子部10
に確実に接続することができる。
【0047】また端子部10を金メッキで形成すると、
端子部10の領域を必要最小限に制限することができ、
端子部10の面積が小さいことは圧電材料5の変形に伴
う電極7bの伸縮を阻害することがない。
【0048】また端子部10の面積が小さいことは、圧
電素子3を個々に切出した場合、バリの発生し易い金膜
の切削を避けることができ、パテイクルとして記録デイ
スクの表面等を損傷させるという事故を極力抑制するこ
とができる。
【0049】また端子部10の寸法を容易に制御するこ
とができ、金メッキによる端子部10を電極7bに形成
したことによるストレスの問題が生じることはない。
【0050】なお、金メッキによる端子部10を電極7
bに形成したが、これに代えて端子部10を導電性樹脂
で形成してもよい。
【0051】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、圧
電素子の圧電材料が有する光透過性を維持して電極を形
成したため、圧電材料の光透過性を利用することによ
リ、圧電素子の圧電材料に発生するクラックを検出可能
とし、信頼性が保証される磁気ヘッドを得ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)は、本発明の実施の形態に係る磁気
ヘッド位置決め機構のオフセット補正機構の主要部を示
す断面図、図1(b)は、金メッキにより電極に端子部
を形成する場合を説明する断面図、図1(c)は、金メ
ッキにより電極に端子部を形成する場合を説明する平面
図である。
【図2】従来例のオフセット補正機構に用いられる圧電
素子を示す断面図である。
【図3】磁気ヘッド位置決め機構のオフセット補正機構
を示す平面図である。
【符号の説明】
1 スライダー 2 サスペンション 3 3a 3b 圧電素子 5 圧電材料 7a 7b 電極 9 駆動源

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】磁気ヘッドのサスペンションにオフセット
    補正機構を備えた磁気ヘッド位置決め機構において、 前記オフセット補正機構が圧電素子を備えており、 前記圧電素子の少なくとも一方の電極を透明な導電膜で
    形成したことを特徴とする磁気ヘッド位置決め機構。
  2. 【請求項2】請求項1記載の磁気ヘッド位置決め機構に
    おいて、 前記透明な導電膜がITO膜で形成されていることを特
    徴とする磁気ヘッド位置決め機構。
  3. 【請求項3】請求項2記載の磁気ヘッド位置決め機構に
    おいて、 前記ITO膜が前記圧電素子の圧電材料の端面に直に形
    成されていることを特徴とする磁気ヘッド位置決め機
    構。
  4. 【請求項4】請求項2又は3記載の磁気ヘッド位置決め
    機構において、 前記ITO膜の電極にメッキによる端子部が形成されて
    いることを特徴とする磁気ヘッド位置決め機構。
  5. 【請求項5】請求項3記載の磁気ヘッド位置決め機構に
    おいて、 前記圧電材料の板厚が光透過性を保持する寸法であるこ
    とを特徴とする磁気ヘッド位置決め機構。
  6. 【請求項6】請求項5記載の磁気ヘッド位置決め機構に
    おいて、 前記圧電材料の板厚が0.1〜0.2mmであることを
    特徴とする磁気ヘッド位置決め機構。
  7. 【請求項7】請求項2又は3記載の磁気ヘッド位置決め
    機構において、 前記ITO膜の電極に端子部が導電性樹脂で形成されて
    いることを特徴とする磁気ヘッド位置決め機構。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8094416B2 (en) 2007-09-27 2012-01-10 Nhk Spring Co., Ltd. Head suspension and piezoelectric actuator
US8890553B2 (en) 2010-12-09 2014-11-18 Nhk Spring Co., Ltd. Method of and apparatus for detecting cracks in piezoelectric element
US10101253B2 (en) 2016-03-16 2018-10-16 Nhk Spring Co., Ltd. Method of and apparatus for detecting a crack in a pair of piezoelectric elements based on transfer function

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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