JP2002350810A - 液晶表示装置及びその駆動方法並びに画像表示応用機器 - Google Patents
液晶表示装置及びその駆動方法並びに画像表示応用機器Info
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- JP2002350810A JP2002350810A JP2001153590A JP2001153590A JP2002350810A JP 2002350810 A JP2002350810 A JP 2002350810A JP 2001153590 A JP2001153590 A JP 2001153590A JP 2001153590 A JP2001153590 A JP 2001153590A JP 2002350810 A JP2002350810 A JP 2002350810A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ノーマリーホワイト表示を行なう場合の「輝
点不良」に対して、黒挿入駆動のための回路構成を簡略
化すること。 【解決手段】 画素ＴＦＴ４がオフ期間中に、黒表示デ
ータを画素ＴＦＴを介さずに、容量結合で各画素電極３
に発生させる。第１の方法では画素ＴＦＴがオンする直
前に発生させ、第２の方法ではＴＦＴのオフ期間の適当
なタイミングで発生させる。
点不良」に対して、黒挿入駆動のための回路構成を簡略
化すること。 【解決手段】 画素ＴＦＴ４がオフ期間中に、黒表示デ
ータを画素ＴＦＴを介さずに、容量結合で各画素電極３
に発生させる。第１の方法では画素ＴＦＴがオンする直
前に発生させ、第２の方法ではＴＦＴのオフ期間の適当
なタイミングで発生させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
を用いた液晶表示装置、特にポリシリコン薄膜トランジ
スタによる周辺駆動回路を内蔵した液晶表示装置とその
駆動方法、並びにこの液晶表示装置を搭載した画像表示
応用機器に関する。
を用いた液晶表示装置、特にポリシリコン薄膜トランジ
スタによる周辺駆動回路を内蔵した液晶表示装置とその
駆動方法、並びにこの液晶表示装置を搭載した画像表示
応用機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴとい
う）を用いた従来の液晶表示装置の構成図を図４に示
し、またその駆動方法の代表例を図５に示す。
う）を用いた従来の液晶表示装置の構成図を図４に示
し、またその駆動方法の代表例を図５に示す。
【０００３】図４において、基板１０上に液晶表示装置
の画面部６があり、画面部６には走査線１と画像信号線
２とがマトリクス状に配置され、各マトリクス位置に画
素電極３と画素用薄膜トランジスタ４（以下、画素ＴＦ
Ｔという）が配置されている。画素ＴＦＴ４のゲート配
線は走査線１に接続され、ソース配線は画像信号線２に
接続され、ドレイン配線は画素電極３に接続されてい
る。
の画面部６があり、画面部６には走査線１と画像信号線
２とがマトリクス状に配置され、各マトリクス位置に画
素電極３と画素用薄膜トランジスタ４（以下、画素ＴＦ
Ｔという）が配置されている。画素ＴＦＴ４のゲート配
線は走査線１に接続され、ソース配線は画像信号線２に
接続され、ドレイン配線は画素電極３に接続されてい
る。
【０００４】画素電極３は容量用配線５との間に絶縁層
を挟むことにより、信号保持用容量Ｃｓｔにも接続され
ている。また走査線１は走査信号回路７に接続されてお
り、画像信号線２には画像信号回路８から画像信号が書
き込まれる構成になっている。ここでは走査信号回路７
の内部構成や回路図、画像信号回路８の内部構成や回路
図は図示していない。
を挟むことにより、信号保持用容量Ｃｓｔにも接続され
ている。また走査線１は走査信号回路７に接続されてお
り、画像信号線２には画像信号回路８から画像信号が書
き込まれる構成になっている。ここでは走査信号回路７
の内部構成や回路図、画像信号回路８の内部構成や回路
図は図示していない。
【０００５】走査信号回路７や画像信号回路８は、これ
らの回路を構成するＩＣを基板１０に直接実装（ＣＯＧ
法：チップオンガラス法）したり、又はＴＦＴに高移動
度のポリシリコン薄膜トランジスタを用いて基板１０上
に直接形成することによって画面部６に接続される。
らの回路を構成するＩＣを基板１０に直接実装（ＣＯＧ
法：チップオンガラス法）したり、又はＴＦＴに高移動
度のポリシリコン薄膜トランジスタを用いて基板１０上
に直接形成することによって画面部６に接続される。
【０００６】上記の画素電極３を有する基板１０と、対
向電極１１を有する対向基板１２との間に、配向処理を
した液晶を封じ込め、実装電極９を介してさらに外部回
路と接続することにより、液晶表示パネルを製造する。
このような液晶表示パネルに対してバックライトや偏光
板といった周辺部材と、入力信号を整形する外部回路及
びその結線部材等を取り付け、液晶表示装置が出来上が
る。
向電極１１を有する対向基板１２との間に、配向処理を
した液晶を封じ込め、実装電極９を介してさらに外部回
路と接続することにより、液晶表示パネルを製造する。
このような液晶表示パネルに対してバックライトや偏光
板といった周辺部材と、入力信号を整形する外部回路及
びその結線部材等を取り付け、液晶表示装置が出来上が
る。
【０００７】図５（ａ）は図４で示した液晶表示装置に
おける１つの画素の構成を示す回路図である。以下、走
査線１の電位をＶｇ、画像信号線２の電位をＶｓ、画素
電極３の電位をＶｐ、容量用配線５の電位をＶｓｔ、対
向電極１１の電位をＶｃｏｍ、信号保持用容量をＣｓ
ｔ、画素電極３と対向電極１１間の液晶層の容量をＣｌ
ｃと定義する。
おける１つの画素の構成を示す回路図である。以下、走
査線１の電位をＶｇ、画像信号線２の電位をＶｓ、画素
電極３の電位をＶｐ、容量用配線５の電位をＶｓｔ、対
向電極１１の電位をＶｃｏｍ、信号保持用容量をＣｓ
ｔ、画素電極３と対向電極１１間の液晶層の容量をＣｌ
ｃと定義する。
【０００８】図５（ｂ）は、ある画素に着目したときの
各信号の電位の関係を示す波形図である。画素ＴＦＴ４
にｎ型ＴＦＴを用いた場合、走査線１に正のパルスが印
加されたときに画素ＴＦＴはオン状態となり、画像信号
線２に印加された信号（Ｖｓ）が画素電極３に書き込ま
れる。画素ＴＦＴ４がオフする際に画素ＴＦＴ４の寄生
容量に伴う若干の変動が発生するものの、対向電極１１
（電位Ｖｃｏｍ）と画素電極３（電位Ｖｐ）の間の電位
差Ｖｓｉｇで液晶が駆動される。液晶は通常図５（ｂ）
に示すように交流駆動される。即ちＶｓｉｇの極性反転
が周期的に行われる。
各信号の電位の関係を示す波形図である。画素ＴＦＴ４
にｎ型ＴＦＴを用いた場合、走査線１に正のパルスが印
加されたときに画素ＴＦＴはオン状態となり、画像信号
線２に印加された信号（Ｖｓ）が画素電極３に書き込ま
れる。画素ＴＦＴ４がオフする際に画素ＴＦＴ４の寄生
容量に伴う若干の変動が発生するものの、対向電極１１
（電位Ｖｃｏｍ）と画素電極３（電位Ｖｐ）の間の電位
差Ｖｓｉｇで液晶が駆動される。液晶は通常図５（ｂ）
に示すように交流駆動される。即ちＶｓｉｇの極性反転
が周期的に行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとしている課題】まず本願発明が解
決しようとする第１の課題について説明する。ＴＦＴを
用いた多くの液晶表示装置では、液晶層に電圧を印加し
ないときに白表示となるモード（ノーマリーホワイト表
示）が用いられている。そしてＴＦＴタイプの液晶表示
装置の製造時における歩留まり課題として、輝点欠陥不
良がある。これはノーマリーホワイト表示の場合、画素
電極に画像信号が伝達されない場合、又は極めて伝達さ
れにくい場合に生じる。これは、暗い画面や単色表示の
場合に非常に目立つ表示欠陥であり、最近では輝点欠陥
が１つでもあれば、液晶表示装置が不良として処理され
ることがある。
決しようとする第１の課題について説明する。ＴＦＴを
用いた多くの液晶表示装置では、液晶層に電圧を印加し
ないときに白表示となるモード（ノーマリーホワイト表
示）が用いられている。そしてＴＦＴタイプの液晶表示
装置の製造時における歩留まり課題として、輝点欠陥不
良がある。これはノーマリーホワイト表示の場合、画素
電極に画像信号が伝達されない場合、又は極めて伝達さ
れにくい場合に生じる。これは、暗い画面や単色表示の
場合に非常に目立つ表示欠陥であり、最近では輝点欠陥
が１つでもあれば、液晶表示装置が不良として処理され
ることがある。
【００１０】そこで従来は上記の輝点欠陥に対して、大
変な労力を注ぎ込んで黒点化、例えばレーザーレスキュ
ー（レザーによる加工）するを行い、輝点の無いパネル
の生産を行っていた。何故なら、黒点に関しては目立た
ないため、輝点を黒点化することで良品率が格段に向上
するからである。
変な労力を注ぎ込んで黒点化、例えばレーザーレスキュ
ー（レザーによる加工）するを行い、輝点の無いパネル
の生産を行っていた。何故なら、黒点に関しては目立た
ないため、輝点を黒点化することで良品率が格段に向上
するからである。
【００１１】図５（ｃ）は画素ＴＦＴが十分働かない場
合（画素ＴＦＴオープンモードという）の駆動波形図で
ある。画素電極の電位Ｖｐがほとんど対向電極の電位Ｖ
ｃｏｍに近い値となり、液晶に電圧が殆ど印加されない
ため、その部分は「輝点」となる。本願発明者の経験で
は、多くの輝点欠陥はこのモードによるものであり、加
工形状の異常を伴わないことも多く、レーザーレスキュ
ー工程の形状検査では、つかみにくいモードである。
合（画素ＴＦＴオープンモードという）の駆動波形図で
ある。画素電極の電位Ｖｐがほとんど対向電極の電位Ｖ
ｃｏｍに近い値となり、液晶に電圧が殆ど印加されない
ため、その部分は「輝点」となる。本願発明者の経験で
は、多くの輝点欠陥はこのモードによるものであり、加
工形状の異常を伴わないことも多く、レーザーレスキュ
ー工程の形状検査では、つかみにくいモードである。
【００１２】次に、本願発明が解決しようとする第２の
課題について説明する。液晶表示装置を用いて動画画像
表示を行う際、１秒間に何枚もの画面を表示する。この
際１枚１枚の画面表示の間に黒表示の画面を挿入するこ
とにより、より臨場感のある動画が得られることが報告
されている。またフィールドシーケンシャル法による表
示などでも、この黒表示挿入が有効であることが報告さ
れている。
課題について説明する。液晶表示装置を用いて動画画像
表示を行う際、１秒間に何枚もの画面を表示する。この
際１枚１枚の画面表示の間に黒表示の画面を挿入するこ
とにより、より臨場感のある動画が得られることが報告
されている。またフィールドシーケンシャル法による表
示などでも、この黒表示挿入が有効であることが報告さ
れている。
【００１３】しかるに今まで考えられている方法では、
黒表示を行う際には画素ＴＦＴを一旦オン状態にして黒
データを画素電極に書き込む必要があった。そのため駆
動上の制約が大きくなる。例えば通常画面と黒画面を交
互に書き込むために、通常の倍の速度で画像データを各
画素に書きこむことが必要となったり、データを倍の速
度で処理するために、画像メモリを新たに必要とすると
いう問題があった。
黒表示を行う際には画素ＴＦＴを一旦オン状態にして黒
データを画素電極に書き込む必要があった。そのため駆
動上の制約が大きくなる。例えば通常画面と黒画面を交
互に書き込むために、通常の倍の速度で画像データを各
画素に書きこむことが必要となったり、データを倍の速
度で処理するために、画像メモリを新たに必要とすると
いう問題があった。
【００１４】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたものであって、ＴＦＴオープンモードの輝点
不良を、容量用配線の電位変化により視認できにくいも
のにしたり、又は黒画面表示の挿入を倍速駆動で行わな
くて済む液晶表示装置とその駆動方法を実現し、この液
晶表示装置を搭載した画像表示応用機器を提供すること
を目的としている。
てなされたものであって、ＴＦＴオープンモードの輝点
不良を、容量用配線の電位変化により視認できにくいも
のにしたり、又は黒画面表示の挿入を倍速駆動で行わな
くて済む液晶表示装置とその駆動方法を実現し、この液
晶表示装置を搭載した画像表示応用機器を提供すること
を目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本願の請求項１の発明
は、第１の基板上に画素電極と走査線と画像信号線とに
接続された薄膜トランジスタを有し、前記画素電極と容
量用配線間に信号保持用容量が設けられ、且つ第２の基
板上に作られた対向電極と前記第１の基板上の画素電極
との間に液晶を挟み、前記液晶に電圧を印加しないとき
その部分が白表示となる液晶表示装置の駆動方法であっ
て、前記対向電極の電位をＶｃｏｍ、前記容量用配線の
電位をＶｓｔとしたとき、前記薄膜トランジスタのオフ
期間中に前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差（Ｖｃｏｍ
−Ｖｓｔ）を変化させて前記画素電極に黒表示相当の電
位を発生させ、前記薄膜トランジスタのオン期間に前記
画素電極に画像信号を書き込むことを特徴とする。
は、第１の基板上に画素電極と走査線と画像信号線とに
接続された薄膜トランジスタを有し、前記画素電極と容
量用配線間に信号保持用容量が設けられ、且つ第２の基
板上に作られた対向電極と前記第１の基板上の画素電極
との間に液晶を挟み、前記液晶に電圧を印加しないとき
その部分が白表示となる液晶表示装置の駆動方法であっ
て、前記対向電極の電位をＶｃｏｍ、前記容量用配線の
電位をＶｓｔとしたとき、前記薄膜トランジスタのオフ
期間中に前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差（Ｖｃｏｍ
−Ｖｓｔ）を変化させて前記画素電極に黒表示相当の電
位を発生させ、前記薄膜トランジスタのオン期間に前記
画素電極に画像信号を書き込むことを特徴とする。
【００１６】本願の請求項２の発明は、請求項１の液晶
表示装置の駆動方法において、前記薄膜トランジスタの
オフ期間に前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差（Ｖｃｏ
ｍ−Ｖｓｔ）を変化させて画素電極に黒表示相当の電位
を発生させるタイミングを、前記薄膜トランジスタのオ
ン期間の前記画素電極に画像信号を書き込む直前に行う
ことにより、前記薄膜トランジスタがオープン不良の画
素電極を概ね黒表示にすることを特徴とする。
表示装置の駆動方法において、前記薄膜トランジスタの
オフ期間に前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差（Ｖｃｏ
ｍ−Ｖｓｔ）を変化させて画素電極に黒表示相当の電位
を発生させるタイミングを、前記薄膜トランジスタのオ
ン期間の前記画素電極に画像信号を書き込む直前に行う
ことにより、前記薄膜トランジスタがオープン不良の画
素電極を概ね黒表示にすることを特徴とする。
【００１７】本願の請求項３の発明は、請求項２の液晶
表示装置の駆動方法において、前記薄膜トランジスタの
オフ期間中に前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差を変化
させる際の電位差変化をΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）とし、
前記信号保持用容量をＣｓｔとし、前記画素電極と対向
電極間の液晶による容量をＣｌｃとし、液晶を黒表示に
するための必要な電位差をＶｂとしたとき、次の（１）
式 ｜Δ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）｜＊Ｃｓｔ／（Ｃｌｃ＋Ｃｓｔ）＞２・Ｖｂ ・・・（１） を満たす条件で前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位を変化
させ、且つΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）の極性を前記薄膜ト
ランジスタのオフ期間毎に反転することを特徴とする。
表示装置の駆動方法において、前記薄膜トランジスタの
オフ期間中に前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差を変化
させる際の電位差変化をΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）とし、
前記信号保持用容量をＣｓｔとし、前記画素電極と対向
電極間の液晶による容量をＣｌｃとし、液晶を黒表示に
するための必要な電位差をＶｂとしたとき、次の（１）
式 ｜Δ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）｜＊Ｃｓｔ／（Ｃｌｃ＋Ｃｓｔ）＞２・Ｖｂ ・・・（１） を満たす条件で前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位を変化
させ、且つΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）の極性を前記薄膜ト
ランジスタのオフ期間毎に反転することを特徴とする。
【００１８】本願の請求項４の発明は、請求項１の液晶
表示装置の駆動方法において、前記薄膜トランジスタの
オフ期間に前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差を（Ｖｃ
ｏｍ−Ｖｓｔ）とするとき、前記電位差（Ｖｃｏｍ−Ｖ
ｓｔ）を変化させて画素電極に黒表示相当の電位を発生
させるタイミングを、前記薄膜トランジスタのオン期間
の前記画素電極に画像信号を書き込んだ後の前記薄膜ト
ランジスタのオフ期間における一定期間の後に行うこと
により、表示画像に黒挿入を行うことを特徴とする。
表示装置の駆動方法において、前記薄膜トランジスタの
オフ期間に前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差を（Ｖｃ
ｏｍ−Ｖｓｔ）とするとき、前記電位差（Ｖｃｏｍ−Ｖ
ｓｔ）を変化させて画素電極に黒表示相当の電位を発生
させるタイミングを、前記薄膜トランジスタのオン期間
の前記画素電極に画像信号を書き込んだ後の前記薄膜ト
ランジスタのオフ期間における一定期間の後に行うこと
により、表示画像に黒挿入を行うことを特徴とする。
【００１９】本願の請求項５の発明は、請求項４の液晶
表示装置の駆動方法において、前記薄膜トランジスタの
オフ期間中に前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差を変化
させる際の電位差変化をΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）とし、
信号保持用容量をＣｓｔとし、前記画素電極と対向電極
間の液晶による容量をＣｌｃとし、かつ液晶を黒表示に
するために必要な電位差をＶｂとしたとき、次の（２）
式 ｜Δ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）｜＊Ｃｓｔ／（Ｃｌｃ＋Ｃｓｔ）＞Ｖｂ ・・・（２） を満たす条件で前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位を変化
させ、且つΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）の極性を前記薄膜ト
ランジスタのオフ期間毎に反転することを特徴とする。
表示装置の駆動方法において、前記薄膜トランジスタの
オフ期間中に前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差を変化
させる際の電位差変化をΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）とし、
信号保持用容量をＣｓｔとし、前記画素電極と対向電極
間の液晶による容量をＣｌｃとし、かつ液晶を黒表示に
するために必要な電位差をＶｂとしたとき、次の（２）
式 ｜Δ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）｜＊Ｃｓｔ／（Ｃｌｃ＋Ｃｓｔ）＞Ｖｂ ・・・（２） を満たす条件で前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位を変化
させ、且つΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）の極性を前記薄膜ト
ランジスタのオフ期間毎に反転することを特徴とする。
【００２０】本願の請求項６の液晶表示装置は、請求項
１〜５の何れか１項記載の液晶表示装置の駆動方法によ
り駆動されることを特徴とする。
１〜５の何れか１項記載の液晶表示装置の駆動方法によ
り駆動されることを特徴とする。
【００２１】本願の請求項７の発明は、請求項６の液晶
表示装置において、前記Δ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）の信号
をポリシリコン薄膜トランジスタによる回路を介して印
加することを特徴とする。
表示装置において、前記Δ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）の信号
をポリシリコン薄膜トランジスタによる回路を介して印
加することを特徴とする。
【００２２】本願の請求項８の画像表示応用機器は、請
求項６又は７記載の液晶表示装置を搭載したことを特徴
とする。
求項６又は７記載の液晶表示装置を搭載したことを特徴
とする。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の各実施の形態にお
ける液晶表示装置とその駆動方法について、図面を参照
しつつ説明する。
ける液晶表示装置とその駆動方法について、図面を参照
しつつ説明する。
【００２４】（実施の形態１）本願発明に関わる液晶表
示装置の基本的な構成を図３に示す。図３において、基
板１０上に液晶表示装置の画面部６があり、画面部６に
は走査線１と画像信号線２とがマトリクス状に配置さ
れ、各マトリクス位置に画素電極３と画素ＴＦＴ４とが
配置されている。画素ＴＦＴ４のゲートは走査線１と接
続され、ソースは画像信号線２と接続され、ドレインは
画素電極３と接続されている。走査線１は走査信号回路
７に接続されており、画像信号線２には画像信号回路８
から画像信号が書き込まれる構成になっていることは、
従来例と同様である。
示装置の基本的な構成を図３に示す。図３において、基
板１０上に液晶表示装置の画面部６があり、画面部６に
は走査線１と画像信号線２とがマトリクス状に配置さ
れ、各マトリクス位置に画素電極３と画素ＴＦＴ４とが
配置されている。画素ＴＦＴ４のゲートは走査線１と接
続され、ソースは画像信号線２と接続され、ドレインは
画素電極３と接続されている。走査線１は走査信号回路
７に接続されており、画像信号線２には画像信号回路８
から画像信号が書き込まれる構成になっていることは、
従来例と同様である。
【００２５】従来例と異なる点は容量用配線５が周辺駆
動回路２０に接続されており、画面の各行の容量用配線
５に別々の信号を印加できるようになっていることであ
る。
動回路２０に接続されており、画面の各行の容量用配線
５に別々の信号を印加できるようになっていることであ
る。
【００２６】実施の形態１は、前述した第１の課題に対
する駆動方法を実現するものである。図１は本実施の形
態における液晶表示装置の駆動方法に関する説明図であ
り、（ａ）は液晶表示装置における１つの画素構成を示
す回路図である。基本的な構造は従来例の図５（ａ）と
同じであるが、図３に示すように容量用配線５の電位Ｖ
ｓｔは各行（走査線）ごとに独立して周辺駆動回路２０
より印加されるようになっている。図５と同様、走査線
１の電位をＶｇ、画像信号線２の電位をＶｓ、画素電極
３の電位をＶｐ、容量用配線５の電位をＶｓｔ、対向電
極１１の電位をＶｃｏｍ、信号保持用容量をＣｓｔ、画
素電極３と対向電極１１との間の液晶層の容量をＣｌｃ
と定義する。
する駆動方法を実現するものである。図１は本実施の形
態における液晶表示装置の駆動方法に関する説明図であ
り、（ａ）は液晶表示装置における１つの画素構成を示
す回路図である。基本的な構造は従来例の図５（ａ）と
同じであるが、図３に示すように容量用配線５の電位Ｖ
ｓｔは各行（走査線）ごとに独立して周辺駆動回路２０
より印加されるようになっている。図５と同様、走査線
１の電位をＶｇ、画像信号線２の電位をＶｓ、画素電極
３の電位をＶｐ、容量用配線５の電位をＶｓｔ、対向電
極１１の電位をＶｃｏｍ、信号保持用容量をＣｓｔ、画
素電極３と対向電極１１との間の液晶層の容量をＣｌｃ
と定義する。
【００２７】図１（ｂ）は、ある画素に着目したときの
各信号の電位の関係を示す波形図である。画素ＴＦＴ４
にｎ型ＴＦＴを用いた場合、走査線１に正のパルスが印
加されたときに画素ＴＦＴ４はオン状態となり、画像信
号線２に印加された信号（Ｖｓ）が画素電極３に書き込
まれる。画素ＴＦＴ４がオフする際に、画素ＴＦＴ４の
寄生容量に伴う若干の変動が発生するものの、対向電極
１１の電位Ｖｃｏｍと画素電極３の電位Ｖｐとの間の電
位差Ｖｓｉｇで液晶が駆動される。
各信号の電位の関係を示す波形図である。画素ＴＦＴ４
にｎ型ＴＦＴを用いた場合、走査線１に正のパルスが印
加されたときに画素ＴＦＴ４はオン状態となり、画像信
号線２に印加された信号（Ｖｓ）が画素電極３に書き込
まれる。画素ＴＦＴ４がオフする際に、画素ＴＦＴ４の
寄生容量に伴う若干の変動が発生するものの、対向電極
１１の電位Ｖｃｏｍと画素電極３の電位Ｖｐとの間の電
位差Ｖｓｉｇで液晶が駆動される。
【００２８】次に従来例の図５と異なる点について説明
する。本実施の形態では図１（ｂ）及び（ｃ）に示すよ
うに、画素ＴＦＴ４がオンする直前に容量用配線５の電
位Ｖｓｔを画像信号の電位Ｖｓと同位相でＶｓｔｐｐの
振幅で変位させる。このとき画素電極３の電位は振幅Ｖ
ａで変化する。このときＶａが黒表示に必要な電位差の
２倍程度になるようＶｓｔｐｐを設定しておく。黒表示
を行う期間は図１（ｂ），（ｃ）では画素ＴＦＴ４がオ
ンする直前であり、画像表示期間の１／１０程度の期間
を設定したが、これより短くてもかまわない。
する。本実施の形態では図１（ｂ）及び（ｃ）に示すよ
うに、画素ＴＦＴ４がオンする直前に容量用配線５の電
位Ｖｓｔを画像信号の電位Ｖｓと同位相でＶｓｔｐｐの
振幅で変位させる。このとき画素電極３の電位は振幅Ｖ
ａで変化する。このときＶａが黒表示に必要な電位差の
２倍程度になるようＶｓｔｐｐを設定しておく。黒表示
を行う期間は図１（ｂ），（ｃ）では画素ＴＦＴ４がオ
ンする直前であり、画像表示期間の１／１０程度の期間
を設定したが、これより短くてもかまわない。
【００２９】このとき従来例の図５（ｃ）のように、画
素ＴＦＴ４のオープンモードの輝点欠陥であっても画素
ＴＦＴ４のオン電流は必要としないので、図１（ｃ）の
ように容量用配線５の電位変化（Ｖｓｔｐｐ）に伴って
正常部と同様に画素電極３の電位がＶａだけ変化する。
このため画素電極３と対向電極１１との間には黒表示に
必要な電位差が発生する。また画素ＴＦＴ４にオン信号
が入っても不良ＴＦＴはほとんど電流を流さないので、
そのまま黒表示の電位が保たれる。従って従来の駆動方
法では「輝点欠陥」となっていた画素が、本実施の形態
の駆動方法により「黒点欠陥」に変わることになる。従
って画素ＴＦＴのレスキュー工程を必要とせず、液晶表
示装置としての良品率が格段に向上する。
素ＴＦＴ４のオープンモードの輝点欠陥であっても画素
ＴＦＴ４のオン電流は必要としないので、図１（ｃ）の
ように容量用配線５の電位変化（Ｖｓｔｐｐ）に伴って
正常部と同様に画素電極３の電位がＶａだけ変化する。
このため画素電極３と対向電極１１との間には黒表示に
必要な電位差が発生する。また画素ＴＦＴ４にオン信号
が入っても不良ＴＦＴはほとんど電流を流さないので、
そのまま黒表示の電位が保たれる。従って従来の駆動方
法では「輝点欠陥」となっていた画素が、本実施の形態
の駆動方法により「黒点欠陥」に変わることになる。従
って画素ＴＦＴのレスキュー工程を必要とせず、液晶表
示装置としての良品率が格段に向上する。
【００３０】以下に、具体的に必要なＶｓｔｐｐの値を
算出する。尚、この値は実験的にも求めることもでき
る。液晶を黒表示にするために必要なＶｓｉｇの電位差
をＶｂとしたとき、図１でＶａの値がＶｂの２倍以上で
あれば黒表示に必要な電位となる。そこでＶａ＞２・Ｖ
ｂなる値を発生させるためのＶｓｔｐｐを求める。図１
のように対向電極１１の電位が一定の場合には、次の
（Ａ）式の条件を満たせばよい。実際に使用する場合は
各パラメータの値に多少誤差があっても概ね黒になれば
よいので、荒い値で良い。 ＶｓｔＰＰ＊Ｃｓｔ／Ｃｔｏｔ＞２・Ｖａ・・・（Ａ） ここでＣｔｏｔは画素電極に関わる容量の総和である。
算出する。尚、この値は実験的にも求めることもでき
る。液晶を黒表示にするために必要なＶｓｉｇの電位差
をＶｂとしたとき、図１でＶａの値がＶｂの２倍以上で
あれば黒表示に必要な電位となる。そこでＶａ＞２・Ｖ
ｂなる値を発生させるためのＶｓｔｐｐを求める。図１
のように対向電極１１の電位が一定の場合には、次の
（Ａ）式の条件を満たせばよい。実際に使用する場合は
各パラメータの値に多少誤差があっても概ね黒になれば
よいので、荒い値で良い。 ＶｓｔＰＰ＊Ｃｓｔ／Ｃｔｏｔ＞２・Ｖａ・・・（Ａ） ここでＣｔｏｔは画素電極に関わる容量の総和である。
【００３１】Ｃｔｏｔの主要成分はＣｓｔとＣｌｃであ
るので（Ａ）式は次の（Ｂ）式で近似代用しても差し支
えない。但しＣｌｃは液晶の誘電異方性を考えて黒表示
のときの値を用いる。 ＶｓｔＰＰ＊Ｃｓｔ／（Ｃｓｔ＋Ｃｌｃ）＞２・Ｖｂ・・・（Ｂ）
るので（Ａ）式は次の（Ｂ）式で近似代用しても差し支
えない。但しＣｌｃは液晶の誘電異方性を考えて黒表示
のときの値を用いる。 ＶｓｔＰＰ＊Ｃｓｔ／（Ｃｓｔ＋Ｃｌｃ）＞２・Ｖｂ・・・（Ｂ）
【００３２】更に対向電極１１の電位が一定でない一般
の場合、即ちＶｓｔとＶｃｏｍ両方を変化させる場合に
は、対向電極１１の電位Ｖｃｏｍと容量用配線５の電位
Ｖｓｔの電位差の変化量をΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）とす
れば，Ｃｔｏｔ≒Ｃｓｔ＋Ｃｌｃの近似下では、次の
（１）式の値を満たすよう電位変化を与えればよい。 ｜Δ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）｜＊Ｃｓｔ／（Ｃｌｃ＋Ｃｓｔ）＞２・Ｖｂ ・・・（１）
の場合、即ちＶｓｔとＶｃｏｍ両方を変化させる場合に
は、対向電極１１の電位Ｖｃｏｍと容量用配線５の電位
Ｖｓｔの電位差の変化量をΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）とす
れば，Ｃｔｏｔ≒Ｃｓｔ＋Ｃｌｃの近似下では、次の
（１）式の値を満たすよう電位変化を与えればよい。 ｜Δ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）｜＊Ｃｓｔ／（Ｃｌｃ＋Ｃｓｔ）＞２・Ｖｂ ・・・（１）
【００３３】（実施の形態２）次に本発明の実施の形態
２における液晶表示装置とその駆動方法について説明す
る。本実施の形態の駆動方法は、前述した第２の課題、
即ち黒表示画面の挿入方法を実現するものである。本実
施の形態の液晶表示装置の構成は図３に示すものと同一
であり、その駆動方法を図２に示す。
２における液晶表示装置とその駆動方法について説明す
る。本実施の形態の駆動方法は、前述した第２の課題、
即ち黒表示画面の挿入方法を実現するものである。本実
施の形態の液晶表示装置の構成は図３に示すものと同一
であり、その駆動方法を図２に示す。
【００３４】図２（ａ）は液晶表示装置における１つの
画素構成を示す回路図であり、図１の場合と同様に容量
用配線５の電位Ｖｓｔは各行（走査線）ごとに独立して
印加されるようになっている。図２（ｂ）は、ある画素
に着目したときの各信号の電位の関係を示す波形図であ
る。
画素構成を示す回路図であり、図１の場合と同様に容量
用配線５の電位Ｖｓｔは各行（走査線）ごとに独立して
印加されるようになっている。図２（ｂ）は、ある画素
に着目したときの各信号の電位の関係を示す波形図であ
る。
【００３５】ここでは、画素ＴＦＴ４のオフ期間の約１
／３のタイミングで、容量用配線５の電位をＶｓｔｐｐ
だけ変化させ、画素電極３にＶｃの電位変化を発生さ
せ、黒表示を行っている。これにより１枚１枚の画面表
示の間に画素ＴＦＴ４をオンすることなく、倍速駆動や
メモリを使わずに黒表示の画面を挿入することができ
る。このため、より臨場感のある動画表示やフィールド
シーケンシャル法による表示を行うことができる。
／３のタイミングで、容量用配線５の電位をＶｓｔｐｐ
だけ変化させ、画素電極３にＶｃの電位変化を発生さ
せ、黒表示を行っている。これにより１枚１枚の画面表
示の間に画素ＴＦＴ４をオンすることなく、倍速駆動や
メモリを使わずに黒表示の画面を挿入することができ
る。このため、より臨場感のある動画表示やフィールド
シーケンシャル法による表示を行うことができる。
【００３６】この場合は液晶の極性を同方向で設定でき
るので、図２で発生する電位変化がＶｂ以上であれば、
黒表示に必要な電位が得られる。図２に示すように対向
電極１１の電位が一定の場合には、次の（Ｃ）式の条件
を満たせばよい。この場合も実際に使用する場合は、各
パラメータの値に多少誤差があっても概ね黒になればよ
いので、荒い値で良い。また実験的に条件を求めても良
い。 Ｖｓｔｐｐ＊Ｃｓｔ／Ｃｔｏｔ＞Ｖａ・・・（Ｃ）
るので、図２で発生する電位変化がＶｂ以上であれば、
黒表示に必要な電位が得られる。図２に示すように対向
電極１１の電位が一定の場合には、次の（Ｃ）式の条件
を満たせばよい。この場合も実際に使用する場合は、各
パラメータの値に多少誤差があっても概ね黒になればよ
いので、荒い値で良い。また実験的に条件を求めても良
い。 Ｖｓｔｐｐ＊Ｃｓｔ／Ｃｔｏｔ＞Ｖａ・・・（Ｃ）
【００３７】Ｃｔｏｔの主要成分はＣｓｔとＣｌｃであ
るので、実施の形態１と同様に（Ｃ）式は次の（Ｄ）式
で近似代用しても差し支えない。但しＣｌｃは液晶の誘
電異方性を考えて黒表示のときの値を用いる。 Ｖｓｔｐｐ＊Ｃｓｔ／（Ｃｓｔ＋Ｃｌｃ）＞Ｖｂ・・・（Ｄ）
るので、実施の形態１と同様に（Ｃ）式は次の（Ｄ）式
で近似代用しても差し支えない。但しＣｌｃは液晶の誘
電異方性を考えて黒表示のときの値を用いる。 Ｖｓｔｐｐ＊Ｃｓｔ／（Ｃｓｔ＋Ｃｌｃ）＞Ｖｂ・・・（Ｄ）
【００３８】更に対向電極の電位が一定でない一般の場
合には、対向電極１１の電位Ｖｃｏｍと容量用配線５の
電位Ｖｓｔの電位差の変化量をΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）
とすれば、Ｃｔｏｔ≒Ｃｓｔ＋Ｃｌｃの近似下では、次
の（２）式の値を満たす電位変化を与えればよい。 ｜Δ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）｜＊Ｃｓｔ／（Ｃｌｃ＋Ｃｓｔ）＞Ｖｂ ・・・（２）
合には、対向電極１１の電位Ｖｃｏｍと容量用配線５の
電位Ｖｓｔの電位差の変化量をΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）
とすれば、Ｃｔｏｔ≒Ｃｓｔ＋Ｃｌｃの近似下では、次
の（２）式の値を満たす電位変化を与えればよい。 ｜Δ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）｜＊Ｃｓｔ／（Ｃｌｃ＋Ｃｓｔ）＞Ｖｂ ・・・（２）
【００３９】尚、実施の形態１及び実施の形態２で示し
た駆動方法を、図３の構造の液晶表示装置で実現した
が、走査信号回路７、画像信号回路８、周辺駆動回路２
０を、画素ＴＦＴと共に高移動度の特性を有するポリシ
リコンＴＦＴで作製すれば、合理的な液晶表示装置が得
られる。
た駆動方法を、図３の構造の液晶表示装置で実現した
が、走査信号回路７、画像信号回路８、周辺駆動回路２
０を、画素ＴＦＴと共に高移動度の特性を有するポリシ
リコンＴＦＴで作製すれば、合理的な液晶表示装置が得
られる。
【００４０】又本実施の形態では画素ＴＦＴにｎ型のも
のを用いたが、ｐ型のものを用いてももちろんかまわな
い。この場合には画素ＴＦＴをオンさせるパルスを負パ
ルスに変えるだけでよい。
のを用いたが、ｐ型のものを用いてももちろんかまわな
い。この場合には画素ＴＦＴをオンさせるパルスを負パ
ルスに変えるだけでよい。
【００４１】以上のような液晶表示装置を情報携帯端末
機器を含む画像表示応用機器に用いることができる。画
像表示応用機器の低価格化に伴い、液晶表示装置のコス
ト低減が急務である。液晶表示装置の製造コストはその
歩留り率に大きく依存している。この場合、一定数以下
の薄膜トランジスタのオープン不良を持つ液晶表示装置
に対し、上記のような駆動方法を採用すると、液晶表示
装置の実質的な不良率が大幅に削減でき、そのコストを
下げることができる。
機器を含む画像表示応用機器に用いることができる。画
像表示応用機器の低価格化に伴い、液晶表示装置のコス
ト低減が急務である。液晶表示装置の製造コストはその
歩留り率に大きく依存している。この場合、一定数以下
の薄膜トランジスタのオープン不良を持つ液晶表示装置
に対し、上記のような駆動方法を採用すると、液晶表示
装置の実質的な不良率が大幅に削減でき、そのコストを
下げることができる。
【００４２】尚、オープン不良を伴わない薄膜トランジ
スタに対しては、本発明の駆動方法を用いても正常に動
作をし、画像信号回路８から出力された画像信号を何ら
変化させることなく表示することができる。
スタに対しては、本発明の駆動方法を用いても正常に動
作をし、画像信号回路８から出力された画像信号を何ら
変化させることなく表示することができる。
【００４３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、薄膜
トランジスタのオープンモードによる輝点不良が存在す
る場合、この部分の駆動を制御することにより黒表示に
変換し、画素欠陥が視認されにくくすることができる。
このため液晶表示装置の製造歩留が大幅に向上する。ま
た薄膜トランジスタのオフ期間における定期間の後に容
量用配線の電位を変化させることにより、黒画面表示の
挿入を倍速駆動で行わなくてすみ、臨場感のある動画表
示やフィールドシーケンシャルへの展開が容易となる。
トランジスタのオープンモードによる輝点不良が存在す
る場合、この部分の駆動を制御することにより黒表示に
変換し、画素欠陥が視認されにくくすることができる。
このため液晶表示装置の製造歩留が大幅に向上する。ま
た薄膜トランジスタのオフ期間における定期間の後に容
量用配線の電位を変化させることにより、黒画面表示の
挿入を倍速駆動で行わなくてすみ、臨場感のある動画表
示やフィールドシーケンシャルへの展開が容易となる。
【図１】本発明の実施の形態１における液晶表示装置の
駆動方法の説明図
駆動方法の説明図
【図２】本発明の実施の形態２における液晶表示装置の
駆動方法の説明図
駆動方法の説明図
【図３】本発明の実施の形態１及び２による液晶表示装
置の構成図
置の構成図
【図４】従来の液晶表示装置の構成図
【図５】従来の液晶表示装置の駆動方法の説明図
１ 走査線 ２ 画像信号線 ３ 画素電極 ４ 画素ＴＦＴ（薄膜トランジスタ） ５ 容量用配線 ６ 画面部 ７ 走査信号回路 ８ 画像信号回路 ９ 実装電極 １０ 基板 １１ 対向電極 １２ 対向基板 ２０ 周辺駆動回路 Ｖｇ 走査線の信号電位 Ｖｓ 画像信号線の信号電位 Ｖｐ 画素電極の電位 Ｖｓｔ 容量用配線の電位 Ｖｃｏｍ 対向電極の電位 Ｃｌｃ １画素毎の液晶層の容量 Ｃｓｔ 信号保持用容量 Ｖａ、Ｖｃ 容量結合により発生させる画素電極電位の
変化
変化
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H093 NA18 NA31 NA34 NA36 NA61 NA79 NC16 ND01 ND23 ND34 ND53 5C006 AC11 AC25 BB16 EB04 GA02 5C080 AA10 BB05 DD30 EE19 EE32 FF11 JJ02 JJ04
Claims (8)
- 【請求項１】 第１の基板上に画素電極と走査線と画像
信号線とに接続された薄膜トランジスタを有し、前記画
素電極と容量用配線間に信号保持用容量が設けられ、且
つ第２の基板上に作られた対向電極と前記第１の基板上
の画素電極との間に液晶を挟み、前記液晶に電圧を印加
しないときその部分が白表示となる液晶表示装置の駆動
方法であって、 前記対向電極の電位をＶｃｏｍ、前記容量用配線の電位
をＶｓｔとしたとき、前記薄膜トランジスタのオフ期間
中に前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差（Ｖｃｏｍ−Ｖ
ｓｔ）を変化させて前記画素電極に黒表示相当の電位を
発生させ、前記薄膜トランジスタのオン期間に前記画素
電極に画像信号を書き込むことを特徴とする液晶表示装
置の駆動方法。 - 【請求項２】 前記薄膜トランジスタのオフ期間に前記
Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）を
変化させて画素電極に黒表示相当の電位を発生させるタ
イミングを、前記薄膜トランジスタのオン期間の前記画
素電極に画像信号を書き込む直前に行うことにより、前
記薄膜トランジスタがオープン不良の画素電極を概ね黒
表示にすることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置の駆動方法。 - 【請求項３】 前記薄膜トランジスタのオフ期間中に前
記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差を変化させる際の電位
差変化をΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）とし、前記信号保持用
容量をＣｓｔとし、前記画素電極と対向電極間の液晶に
よる容量をＣｌｃとし、液晶を黒表示にするための必要
な電位差をＶｂとしたとき、次の（１）式 ｜Δ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）｜＊Ｃｓｔ／（Ｃｌｃ＋Ｃｓｔ）＞２・Ｖｂ ・・・（１） を満たす条件で前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位を変化
させ、且つΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）の極性を前記薄膜ト
ランジスタのオフ期間毎に反転することを特徴とする請
求項２記載の液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項４】 前記薄膜トランジスタのオフ期間に前記
Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差を（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）
とするとき、 前記電位差（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）を変化させて画素電極
に黒表示相当の電位を発生させるタイミングを、前記薄
膜トランジスタのオン期間の前記画素電極に画像信号を
書き込んだ後の前記薄膜トランジスタのオフ期間におけ
る一定期間の後に行うことにより、表示画像に黒挿入を
行うことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の駆
動方法。 - 【請求項５】 前記薄膜トランジスタのオフ期間中に前
記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位差を変化させる際の電位
差変化をΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）とし、信号保持用容量
をＣｓｔとし、前記画素電極と対向電極間の液晶による
容量をＣｌｃとし、かつ液晶を黒表示にするために必要
な電位差をＶｂとしたとき、次の（２）式 ｜Δ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）｜＊Ｃｓｔ／（Ｃｌｃ＋Ｃｓｔ）＞Ｖｂ ・・・（２） を満たす条件で前記Ｖｃｏｍと前記Ｖｓｔの電位を変化
させ、且つΔ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）の極性を前記薄膜ト
ランジスタのオフ期間毎に反転することを特徴とする請
求項４記載の液晶表示装置の駆動方法。 - 【請求項６】 請求項１〜５の何れか１項記載の液晶表
示装置の駆動方法により駆動されることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項７】 前記Δ（Ｖｃｏｍ−Ｖｓｔ）の信号をポ
リシリコン薄膜トランジスタによる回路を介して印加す
ることを特徴とする請求項６記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 請求項６又は７記載の液晶表示装置を搭
載したことを特徴とする画像表示応用機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001153590A JP2002350810A (ja) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | 液晶表示装置及びその駆動方法並びに画像表示応用機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001153590A JP2002350810A (ja) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | 液晶表示装置及びその駆動方法並びに画像表示応用機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002350810A true JP2002350810A (ja) | 2002-12-04 |
Family
ID=18998083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001153590A Pending JP2002350810A (ja) | 2001-05-23 | 2001-05-23 | 液晶表示装置及びその駆動方法並びに画像表示応用機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002350810A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008197603A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置 |
| EP2075789A2 (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-01 | TPO Displays Corp. | Transient control drive method and circuit, and image display system thereof |
| EP2128849A1 (en) * | 2008-05-07 | 2009-12-02 | Epson Imaging Devices Corporation | Electro-optical device |
| CN101471055B (zh) * | 2007-12-25 | 2012-08-08 | 奇美电子股份有限公司 | 暂态控制的驱动方法、电路以及其图像显示系统 |
| JP2016191955A (ja) * | 2006-06-02 | 2016-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
-
2001
- 2001-05-23 JP JP2001153590A patent/JP2002350810A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016191955A (ja) * | 2006-06-02 | 2016-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US10013923B2 (en) | 2006-06-02 | 2018-07-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| US10714024B2 (en) | 2006-06-02 | 2020-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
| US11600236B2 (en) | 2006-06-02 | 2023-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
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| JP2008197603A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8471802B2 (en) | 2007-02-15 | 2013-06-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| EP2075789A2 (en) * | 2007-12-25 | 2009-07-01 | TPO Displays Corp. | Transient control drive method and circuit, and image display system thereof |
| EP2075789A3 (en) * | 2007-12-25 | 2010-01-06 | TPO Displays Corp. | Transient control drive method and circuit, and image display system thereof |
| CN101471055B (zh) * | 2007-12-25 | 2012-08-08 | 奇美电子股份有限公司 | 暂态控制的驱动方法、电路以及其图像显示系统 |
| EP2128849A1 (en) * | 2008-05-07 | 2009-12-02 | Epson Imaging Devices Corporation | Electro-optical device |
| US8054273B2 (en) | 2008-05-07 | 2011-11-08 | Sony Corporation | Electro-optical device |
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