JP2002350801A - Method for manufacturing liquid crystal display element and liquid crystal display device - Google Patents

Method for manufacturing liquid crystal display element and liquid crystal display device

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JP2002350801A
JP2002350801A JP2001154441A JP2001154441A JP2002350801A JP 2002350801 A JP2002350801 A JP 2002350801A JP 2001154441 A JP2001154441 A JP 2001154441A JP 2001154441 A JP2001154441 A JP 2001154441A JP 2002350801 A JP2002350801 A JP 2002350801A
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Japan
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liquid crystal
crystal display
film
base film
resin film
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JP2001154441A
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Inventor
Takashi Doi
崇 土井
Hideki Matsukawa
秀樹 松川
Yoshio Taniguchi
由雄 谷口
Masanori Yoshida
正典 吉田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a liquid crystal display element which prevents dielectric breakdown inferiority of a TFT array substrate due to static electricity generated in a base film exfoliating process when a resin film pattern is formed on the TFT array substrate and to provide a liquid crystal display device. SOLUTION: A film formed by laminating the base film and the resin film is fixed by thermal compression onto the TFT array substrate in which a switching active element for driving a pixel electrode is formed, then the base film is exfoliated from the resin film and the resin film is exposed and developed to form the resin film pattern on the TFT array substrate. In this manufacturing method of the liquid crystal display element, an interface between the base film and the resin film and an upper surface of the base film are irradiated with ions from an ionizer when the base film is exfoliated from the resin film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂膜を形成した
薄膜トランジスタ(以後、TFTと称する)アレイ基板
等の液晶表示素子の製造方法、および液晶表示装置に関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display element such as a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) array substrate having a resin film formed thereon, and a liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ベースフィルムの表面に樹脂膜を
形成したフィルムを、TFTアレイ基板上に熱圧着さ
せ、露光、現像してTFTアレイ基板上に樹脂膜パター
ンを形成する場合、図3に示すように、樹脂膜2をベー
スフィルム3表面に形成したフィルム4を、画素電極6
を駆動するためのスイッチング能動素子7が形成された
TFTアレイ基板1上に熱圧着した後、ベースフィルム
3を樹脂膜2から剥離する工程において、ベースフィル
ム3を樹脂膜2から剥離し、その後、除電器を用いて樹
脂膜2面を除電していた。
2. Description of the Related Art Conventionally, when a film having a resin film formed on the surface of a base film is thermocompression-bonded onto a TFT array substrate, and exposed and developed to form a resin film pattern on the TFT array substrate, FIG. As shown, a film 4 having a resin film 2 formed on the surface of a base film 3 is attached to a pixel electrode 6.
After the thermocompression bonding on the TFT array substrate 1 on which the switching active element 7 for driving the base film 3 is formed, the base film 3 is separated from the resin film 2 in the step of separating the base film 3 from the resin film 2. The surface of the resin film 2 was neutralized using a static eliminator.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
大型モニターやテレビ等、従来CRTが使用されていた
デバイス分野に液晶が応用展開されるにともない、液晶
表示装置には更なる性能向上が要求されてきた。特に、
レントゲン写真表示等の医療用途、インターネット商取
引への液晶パネルの応用展開に際し、高輝度、高精細液
晶パネルが要求されている。このような背景のもと、画
素電極を駆動するためのスイッチング能動素子が形成さ
れたTFTアレイ基板上に、カラーフィルタパターンを
形成するカラーフィルタオンTFTアレイ型液晶表示装
置や、画素電極を駆動するためのスイッチング能動素子
が形成されたTFTアレイ基板上に、透明樹脂膜を形成
するハイアパチャー型液晶表示装置の開発が行われてい
る。
However, in recent years,
With the application of liquid crystal to device fields in which CRTs have conventionally been used, such as large monitors and televisions, liquid crystal display devices have been required to have further improved performance. In particular,
2. Description of the Related Art A high-brightness, high-definition liquid crystal panel is required for application of a liquid crystal panel to medical applications such as radiographic display and Internet commerce. Under such a background, a color filter-on TFT array type liquid crystal display device for forming a color filter pattern on a TFT array substrate on which a switching active element for driving a pixel electrode is formed, or a pixel electrode is driven. Of a high-aperture type liquid crystal display device in which a transparent resin film is formed on a TFT array substrate on which a switching active element is formed for switching.

【0004】ところが、従来の方法では、TFTアレイ
基板上に樹脂膜パターンを形成する際、ベースフィルム
を剥離する工程で静電気が発生するため、TFTアレイ
基板の静電破壊不良を引き起こし、歩留りの低下を招く
という問題があった。
However, in the conventional method, when a resin film pattern is formed on a TFT array substrate, static electricity is generated in a step of peeling a base film, which causes a failure in electrostatic breakdown of the TFT array substrate and lowers the yield. There was a problem of inviting.

【0005】そこで、本発明は、TFTアレイ基板の静
電破壊不良を防止することができる液晶表示素子の製造
方法、および前記方法で製造された液晶表示素子を備え
た液晶表示装置を提供することを目的とする。
Accordingly, the present invention provides a method of manufacturing a liquid crystal display element capable of preventing electrostatic breakdown failure of a TFT array substrate, and a liquid crystal display device provided with the liquid crystal display element manufactured by the above method. With the goal.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の液晶表示素子の製造方法は、ベースフィル
ムと樹脂膜との積層フィルムを、画素電極を駆動するた
めのスイッチング能動素子が形成されたTFTアレイ基
板上に熱圧着させた後、前記ベースフィルムを前記樹脂
膜から剥離し、該樹脂膜を露光、現像することにより前
記TFTアレイ基板上に前記樹脂膜パターンを形成する
液晶表示素子の製造方法において、前記ベースフィルム
を前記樹脂膜から剥離するときに、前記ベースフィルム
と前記樹脂膜との界面及び前記ベースフィルムの上面
に、イオナイザーからイオンを照射することを特徴とす
る。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a liquid crystal display device according to the present invention comprises forming a laminated film of a base film and a resin film on a switching active element for driving a pixel electrode. A liquid crystal display element that forms the resin film pattern on the TFT array substrate by thermocompression bonding on the TFT array substrate, exfoliating the base film from the resin film, exposing and developing the resin film. In the manufacturing method of (1), when the base film is peeled from the resin film, ions are irradiated from an ionizer to an interface between the base film and the resin film and an upper surface of the base film.

【0007】これにより、TFTアレイ基板の静電破壊
不良を防止することができるため、樹脂膜パターンを形
成したTFTアレイ基板を、高い歩留まりで得ることが
できる。
As a result, a failure in electrostatic breakdown of the TFT array substrate can be prevented, so that a TFT array substrate having a resin film pattern formed thereon can be obtained at a high yield.

【0008】本発明の製造方法においては、前記イオナ
イザーが、前記ベースフィルムと前記樹脂膜との界面側
及び前記ベースフィルムの上面側に、それぞれ少なくと
も1個設置されていることが好ましい。これにより、ベ
ースフィルムの剥離速度に追随しながら除電することが
できる。
[0008] In the manufacturing method of the present invention, it is preferable that at least one ionizer is provided on the interface between the base film and the resin film and on the upper surface of the base film. Thereby, static elimination can be performed while following the peeling speed of the base film.

【0009】また、本発明の製造方法においては、前記
基板を移動させて、前記ベースフィルムと前記樹脂膜と
の界面及び前記ベースフィルムの上面にイオンを照射す
ることを特徴とする。
Further, in the manufacturing method of the present invention, the substrate is moved, and the interface between the base film and the resin film and the upper surface of the base film are irradiated with ions.

【0010】また、本発明の製造方法においては、前記
イオナイザーを移動させて、前記ベースフィルムと前記
樹脂膜との界面及び前記ベースフィルムの上面にイオン
を照射することを特徴とする。
Further, in the manufacturing method of the present invention, the ionizer is moved to irradiate ions to an interface between the base film and the resin film and an upper surface of the base film.

【0011】また、本発明の製造方法においては、前記
イオナイザーと前記基板を移動させて、前記ベースフィ
ルムと前記樹脂膜との界面及び前記ベースフィルムの上
面にイオンを照射することを特徴とする。
Further, in the manufacturing method of the present invention, the ionizer and the substrate are moved to irradiate ions to an interface between the base film and the resin film and an upper surface of the base film.

【0012】本発明の製造方法においては、前記樹脂膜
が、感光性樹脂により形成された膜であることが好まし
い。
In the production method of the present invention, it is preferable that the resin film is a film formed of a photosensitive resin.

【0013】次に、本発明の液晶表示装置は、前記の方
法により製造された液晶表示素子と対向電極基板とを備
えていることを特徴とする。
Next, a liquid crystal display device according to the present invention includes a liquid crystal display element manufactured by the above method and a counter electrode substrate.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図を
用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0015】(実施の形態1)図1は、本発明の第1の
実施の形態に係る、液晶表示素子の製造工程を示す断面
図である。まず、ベースフィルム3の表面にアクリル樹
脂系のネガ型感光性樹脂膜2を形成した積層フィルム4
(富士写真フィルム(株)製、商品名「R35」)を、
TFTアレイ基板1上に熱圧着した後、図1(a)に示
すように、ベースフィルム3を樹脂膜2から剥離する工
程で、交流方式のバータイプイオナイザー5を、ベース
フィルム3と樹脂膜2との界面側とベースフィルム3の
上面側に各々1個設置し固定させた。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view showing a manufacturing process of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. First, a laminated film 4 having an acrylic resin-based negative photosensitive resin film 2 formed on the surface of a base film 3
(Trade name "R35", manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd.)
After thermocompression bonding on the TFT array substrate 1, as shown in FIG. 1A, in a step of peeling the base film 3 from the resin film 2, the AC type bar type ionizer 5 is separated from the base film 3 and the resin film 2. And one on each of the interface side of the base film 3 and the upper surface side of the base film 3.

【0016】次に、図1(b)、(c)に示すように、
移動台に載せたTFTアレイ基板1を移動させながらベ
ースフィルム3を剥離してゆき、剥離の際にイオナイザ
ー5を用いて、ベースフィルム3と樹脂膜2との界面お
よびベースフィルム3の上面にイオンを照射して除電
し、液晶表示素子を作製した。
Next, as shown in FIGS. 1B and 1C,
The base film 3 is peeled off while the TFT array substrate 1 placed on the moving table is moved. Was irradiated to remove static electricity to produce a liquid crystal display device.

【0017】その結果、得られた液晶表示素子の静電気
帯電量は±0.5kV以下であり、TFTアレイ基板1
の静電破壊は発生しなかった。
As a result, the electrostatic charge of the obtained liquid crystal display element is ± 0.5 kV or less, and the TFT array substrate 1
No electrostatic breakdown occurred.

【0018】(実施の形態2)図2は、本発明の第2の
実施の形態に係る、液晶表示素子の製造工程を示す断面
図である。まず、ベースフィルム3の表面にアクリル樹
脂系のネガ型感光性樹脂膜2を形成した積層フィルム4
(富士写真フィルム(株)製、商品名「R35」)を、
TFTアレイ基板1上に熱圧着した後、図2(a)に示
すように、ベースフィルム3を樹脂膜2から剥離する工
程で、交流方式のバータイプイオナイザー5をベースフ
ィルム3と樹脂膜2との界面側とベースフィルム3の上
面側に各々設置し、除電できるよう移動台に固定した。
(Embodiment 2) FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention. First, a laminated film 4 having an acrylic resin-based negative photosensitive resin film 2 formed on the surface of a base film 3
(Trade name "R35", manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd.)
After thermocompression bonding on the TFT array substrate 1, as shown in FIG. 2A, in a step of peeling the base film 3 from the resin film 2, the AC type bar type ionizer 5 is connected And fixed to a moving table so that static elimination was possible.

【0019】次に、図2(b)、(c)に示すように、
ベースフィルム3を剥離し、イオナイザー5をベースフ
ィルム3の剥離速度に追随して移動させながら、剥離の
際にイオナイザー5を用いて、ベースフィルム3と樹脂
膜2との界面およびベースフィルム3の上面にイオンを
照射して除電し、液晶表示素子を作製した。
Next, as shown in FIGS. 2B and 2C,
While peeling the base film 3 and moving the ionizer 5 following the peeling speed of the base film 3, the interface between the base film 3 and the resin film 2 and the upper surface of the base film 3 are used by using the ionizer 5 at the time of peeling. Was irradiated with ions to remove electricity, thereby producing a liquid crystal display device.

【0020】その結果、得られた液晶表示素子の静電気
帯電量は±0.5kV以下であり、TFTアレイ基板1
の静電破壊は発生しなかった。
As a result, the amount of electrostatic charge of the obtained liquid crystal display element is ± 0.5 kV or less, and the TFT array substrate 1
No electrostatic breakdown occurred.

【0021】(実施の形態3)上記実施例で作製した液
晶表示素子を用いて、図4に示す液晶表示装置を作製し
た。所定の樹脂膜パターンを形成したTFTアレイ基板
12と、予めガラス基板15に酸化インジウム錫(IT
O)からなる透明電極を形成した対向基板13の表面
に、液晶材料を配向させるための配向膜9をそれぞれ形
成した後、所定のスペーサー10を介して、シール剤を
用いてTFTアレイ基板12と対向基板13を貼り合
せ、両基板の間隙に液晶材料を封入して液晶層11を形
成した。
(Embodiment 3) A liquid crystal display device shown in FIG. 4 was manufactured using the liquid crystal display device manufactured in the above embodiment. A TFT array substrate 12 having a predetermined resin film pattern formed thereon and a glass substrate 15 previously formed on indium tin oxide (IT)
After an alignment film 9 for aligning the liquid crystal material is formed on the surface of the opposing substrate 13 on which the transparent electrode made of O) is formed, the TFT array substrate 12 is separated from the TFT array substrate 12 using a sealant via a predetermined spacer 10. The opposing substrate 13 was bonded, and a liquid crystal material was sealed in a gap between both substrates to form a liquid crystal layer 11.

【0022】更に、前記のTFTアレイ基板12および
前記の対向基板13のガラス基板15側に、偏光板14
を貼り合わせ、樹脂膜パターンを形成したTFTアレイ
型液晶表示装置を製造した。その結果、高性能な液晶表
示性能を示すとともに、高い歩留りの液晶表示装置が得
られた。
Further, a polarizing plate 14 is provided on the glass substrate 15 side of the TFT array substrate 12 and the counter substrate 13.
And a TFT array type liquid crystal display device having a resin film pattern formed thereon was manufactured. As a result, a liquid crystal display device having high liquid crystal display performance and high yield was obtained.

【0023】なお、本発明の実施の形態では、スペーサ
ーを用いて液晶表示装置を形成したが、柱スペーサー
等、所定の間隙を保持できるものであれば、適宜使用す
ることができる。
In the embodiment of the present invention, the liquid crystal display device is formed by using the spacer. However, any device that can maintain a predetermined gap, such as a column spacer, can be used as appropriate.

【0024】本発明で用いうる樹脂膜形成材料として
は、上記実施の形態で用いたアクリル樹脂系のネガ型感
光性材料には限定されず、ポジ型ないしネガ型のアクリ
ル樹脂系、ノボラック樹脂系など、露光プロセスを用い
てパターニングできる感光性樹脂を、全て使用すること
ができる。
The resin film-forming material that can be used in the present invention is not limited to the acrylic resin-based negative photosensitive material used in the above embodiment, but may be a positive or negative acrylic resin or a novolak resin. For example, any photosensitive resin that can be patterned using an exposure process can be used.

【0025】また、イオナイザーは、ベースフィルムと
樹脂膜との界面側及びベースフィルム上面側に少なくと
も1個設置されていればよく、本実施の形態(各1個使
用)には限定されず、使用するベースフィルムや樹脂膜
の種類などに応じて、適宜2個以上使用することも可能
である。また、イオナイザーは、本実施の形態で使用し
た交流方式のバータイプには限定されず、除電可能であ
れば、交流方式、直流方式、軟X線方式あるいはバータ
イプ、扇風タイプ、ブラシ、リボンタイプのものなども
使用することができる。
It is sufficient that at least one ionizer is provided on the interface side between the base film and the resin film and on the upper surface side of the base film, and the ionizer is not limited to the present embodiment (one for each). Depending on the type of base film or resin film to be formed, two or more films can be used as appropriate. Further, the ionizer is not limited to the AC type bar type used in the present embodiment, and may be an AC type, a DC type, a soft X-ray type or a bar type, a fan type, a brush, a ribbon, as long as static electricity can be removed. Types and the like can also be used.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明は、樹脂層を
ベースフィルム表面に形成した積層フィルムを、画素電
極を駆動するためのスイッチング能動素子が形成された
TFTアレイ基板上に熱圧着させた後、前記ベースフィ
ルムを樹脂膜から剥離するときに、前記ベースフィルム
と前記樹脂膜との界面及び前記ベースフィルムの上面
に、イオナイザーからイオンを照射し除電することによ
り、静電気帯電量が±0.5kV以下の液晶表示素子基
板を製造できる。そのため、TFTアレイ基板の静電破
壊不良を防止でき、高歩留りの樹脂膜パターンを形成し
たTFTアレイ基板を得ることができる。さらに、これ
を液晶表示装置に実装することにより、表示性能に優れ
た液晶表示装置を提供できる。よって、その工業的価値
は大である。
As described above, according to the present invention, a laminated film having a resin layer formed on the surface of a base film is thermocompression-bonded to a TFT array substrate on which switching active elements for driving pixel electrodes are formed. Thereafter, when the base film is peeled from the resin film, the interface between the base film and the resin film and the upper surface of the base film are irradiated with ions from an ionizer to remove static electricity, so that the electrostatic charge amount is ± 0. A liquid crystal display element substrate of 5 kV or less can be manufactured. As a result, it is possible to prevent electrostatic breakdown failure of the TFT array substrate, and to obtain a TFT array substrate on which a resin film pattern with a high yield is formed. Further, by mounting this in a liquid crystal display device, a liquid crystal display device having excellent display performance can be provided. Therefore, its industrial value is great.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態1の樹脂膜パターンを形成
したTFTアレイ基板の製造方法を示す概略工程図であ
る。
FIG. 1 is a schematic process diagram illustrating a method for manufacturing a TFT array substrate on which a resin film pattern according to a first embodiment of the present invention is formed.

【図2】本発明の実施の形態2の樹脂膜パターンを形成
したTFTアレイ基板の製造方法を示す概略工程図であ
る。
FIG. 2 is a schematic process diagram illustrating a method for manufacturing a TFT array substrate on which a resin film pattern according to a second embodiment of the present invention is formed.

【図3】従来の樹脂膜パターンを形成したTFTアレイ
基板の製造方法を示す概略工程図である。
FIG. 3 is a schematic process diagram showing a conventional method for manufacturing a TFT array substrate on which a resin film pattern is formed.

【図4】樹脂膜パターンを形成したTFTアレイ型液晶
表示装置(カラーフィルタオンTFTアレイ型液晶表示
装置)の断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a TFT array type liquid crystal display device (color filter-on TFT array type liquid crystal display device) on which a resin film pattern is formed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 TFTアレイ基板 2 樹脂膜 3 ベースフィルム 4 積層フィルム 5 イオナイザー(除電器) 6 画素電極(ITO) 6'対向透明電極(ITO) 7 スイッチング能動素子 8 コンタクト部位 9 配向膜 10 スペーサー 11 液晶層 12 樹脂膜形成TFTアレイ基板 13 対向基板 14 偏光板 15 ガラス基板 REFERENCE SIGNS LIST 1 TFT array substrate 2 resin film 3 base film 4 laminated film 5 ionizer (static eliminator) 6 pixel electrode (ITO) 6 ′ opposed transparent electrode (ITO) 7 switching active element 8 contact part 9 alignment film 10 spacer 11 liquid crystal layer 12 resin Film forming TFT array substrate 13 Opposite substrate 14 Polarizing plate 15 Glass substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 由雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 吉田 正典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H088 FA00 HA12 MA20 2H090 HC00 HC01 LA15 5G435 AA16 AA17 BB12 EE10 EE47 GG31 KK05 KK09 KK10 LL04 LL08  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yoshio Taniguchi 1006 Kadoma Kadoma, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Inventor Masanori Yoshida 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma City Osaka Pref. Terms (reference) 2H088 FA00 HA12 MA20 2H090 HC00 HC01 LA15 5G435 AA16 AA17 BB12 EE10 EE47 GG31 KK05 KK09 KK10 LL04 LL08

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ベースフィルムと樹脂膜との積層フィル
ムを、画素電極を駆動するためのスイッチング能動素子
が形成されたTFTアレイ基板上に熱圧着させた後、前
記ベースフィルムを前記樹脂膜から剥離し、該樹脂膜を
露光、現像することにより前記TFTアレイ基板上に前
記樹脂膜パターンを形成する液晶表示素子の製造方法に
おいて、 前記ベースフィルムを前記樹脂膜から剥離するときに、
前記ベースフィルムと前記樹脂膜との界面及び前記ベー
スフィルムの上面に、イオナイザーからイオンを照射す
ることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
1. After laminating a laminated film of a base film and a resin film on a TFT array substrate on which a switching active element for driving a pixel electrode is formed, the base film is peeled off from the resin film. And exposing and developing the resin film to form the resin film pattern on the TFT array substrate. A method for manufacturing a liquid crystal display element, comprising: removing the base film from the resin film;
A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising irradiating an ion from an ionizer to an interface between the base film and the resin film and an upper surface of the base film.
【請求項2】 前記イオナイザーが、前記ベースフィル
ムと前記樹脂膜との界面側及び前記ベースフィルムの上
面側に、それぞれ少なくとも1個設置されている請求項
1に記載の液晶表示素子の製造方法。
2. The method according to claim 1, wherein at least one ionizer is provided on an interface between the base film and the resin film and on an upper surface of the base film.
【請求項3】 前記基板を移動させて、前記ベースフィ
ルムと前記樹脂膜との界面及び前記ベースフィルムの上
面にイオンを照射する請求項1又は2に記載の液晶表示
素子の製造方法。
3. The method according to claim 1, wherein the substrate is moved to irradiate ions on an interface between the base film and the resin film and on an upper surface of the base film.
【請求項4】 前記イオナイザーを移動させて、前記ベ
ースフィルムと前記樹脂膜との界面及び前記ベースフィ
ルムの上面にイオンを照射する請求項1又は2に記載の
液晶表示素子の製造方法。
4. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the ionizer is moved to irradiate ions on an interface between the base film and the resin film and on an upper surface of the base film.
【請求項5】 前記イオナイザーと前記基板を移動させ
て、前記ベースフィルムと前記樹脂膜との界面及び前記
ベースフィルムの上面にイオンを照射する請求項1又は
2に記載の液晶表示素子の製造方法。
5. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 1, wherein the ionizer and the substrate are moved to irradiate ions on an interface between the base film and the resin film and on an upper surface of the base film. .
【請求項6】 前記樹脂膜が、感光性樹脂により形成さ
れた膜である請求項1〜5のいずれかに記載の液晶表示
素子の製造方法。
6. The method for manufacturing a liquid crystal display element according to claim 1, wherein said resin film is a film formed of a photosensitive resin.
【請求項7】 請求項1〜6のいずれかの方法により製
造された液晶表示素子と対向電極基板とを備えた液晶表
示装置。
7. A liquid crystal display device comprising a liquid crystal display element manufactured by the method according to claim 1 and a counter electrode substrate.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2015079483A1 (en) * 2013-11-26 2015-06-04 住友化学株式会社 Device for manufacturing optical member bonded body

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