JP2002346484A - Substrate processing apparatus - Google Patents

Substrate processing apparatus

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JP2002346484A
JP2002346484A JP2001158192A JP2001158192A JP2002346484A JP 2002346484 A JP2002346484 A JP 2002346484A JP 2001158192 A JP2001158192 A JP 2001158192A JP 2001158192 A JP2001158192 A JP 2001158192A JP 2002346484 A JP2002346484 A JP 2002346484A
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JP
Japan
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substrate
glass substrate
cleaning liquid
liquid
processing apparatus
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JP2001158192A
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Japanese (ja)
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Takuya Shibao
卓也 柴尾
Hiroyuki Kitazawa
裕之 北澤
Koichi Ueno
幸一 上野
Satoshi Suzuki
聡 鈴木
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03CCHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C23/00Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
    • C03C23/0075Cleaning of glass

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  • Materials Engineering (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing apparatus which can remove electric charge on the underside of a glass substrate supported by a supporting member made of a chemical resistant resin so that it can prevent discharge brakedown from occurring. SOLUTION: When switching valves 83b and 83c are opened, carbon dioxide is dissolved into a deionized water and a carbon acid dissolution washing liquid is prepared. And, this carbon acid dissolution washing liquid is transferred to a liquid nozzle 16 through a pipe 80, and it is supplied toward the downside center part of a substrate W from a nozzle hole 162 of a liquid nozzle 16. Thus, the downside of the substrate W is washed, and at the same time, the carbon acid dissolution washing liquid absorbs the electric charge on the downside of the substrate and remove it.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、フォトマスク用
のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、プラズマ
ディスプレイ用のガラス基板などのガラス基板に洗浄液
を供給して該ガラス基板を洗浄する基板処理装置に関す
るものである。
The present invention relates to a substrate processing for cleaning a glass substrate by supplying a cleaning liquid to the glass substrate such as a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, and a glass substrate for a plasma display. It concerns the device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の基板処理装置として、ガ
ラス基板を水平面内で回転させながら、ガラス基板に洗
浄処理および乾燥処理をその順に施す装置がある。この
基板処理装置では、支持部材によりガラス基板を水平姿
勢で保持する基板支持手段が設けられており、この基板
支持手段をモータ等の駆動手段により回転させることで
該基板支持手段により支持されているガラス基板を水平
面内で回転駆動する。また、基板支持手段に支持されて
いるガラス基板に対向して純水などの洗浄液を吐出する
ノズルが設けられている。そして、洗浄処理では、ガラ
ス基板を水平面内で回転させながら、該ガラス基板に供
給された洗浄液によってガラス基板が洗浄される。ま
た、洗浄処理後、ガラス基板を水平面内で回転させるこ
とによりガラス基板上の洗浄液を振り切って基板乾燥を
行っている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as this type of substrate processing apparatus, there is an apparatus for sequentially performing a cleaning process and a drying process on a glass substrate while rotating the glass substrate in a horizontal plane. In this substrate processing apparatus, substrate supporting means for holding a glass substrate in a horizontal posture by a supporting member is provided, and the substrate supporting means is supported by the substrate supporting means by rotating the substrate supporting means by a driving means such as a motor. The glass substrate is rotationally driven in a horizontal plane. Further, a nozzle for discharging a cleaning liquid such as pure water is provided facing the glass substrate supported by the substrate supporting means. In the cleaning process, the glass substrate is cleaned by the cleaning liquid supplied to the glass substrate while rotating the glass substrate in a horizontal plane. Further, after the cleaning process, the cleaning liquid on the glass substrate is shaken off by rotating the glass substrate in a horizontal plane to dry the substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、ガラス基板
に対して洗浄処理を実行する前に、該ガラス基板に対し
て薬液処理を実行することが多く、従来においては、こ
の薬液処理を上記基板処理装置とは異なる別の基板処理
装置において行っている。しかしながら、近年、基板処
理の効率化や基板処理装置の多機能化を図るために薬液
処理、洗浄処理ならびに乾燥処理を同一装置内で実行し
たいという要望が高まっている。
By the way, before performing a cleaning process on a glass substrate, a chemical process is often performed on the glass substrate. Conventionally, the chemical process is performed on the substrate process. This is performed in another substrate processing apparatus different from the apparatus. However, in recent years, there has been an increasing demand for performing chemical solution processing, cleaning processing, and drying processing in the same apparatus in order to increase the efficiency of substrate processing and increase the functionality of the substrate processing apparatus.

【0004】ここで、かかる要望を満足させるために
は、基板支持手段の支持部材を例えばポリテトラフルオ
ロエチレン樹脂(PTFE)、四ふっ化エチレン−エチ
レン共重合樹脂(ETFE)、ポリプロピレン樹脂、三
ふっ化塩化エチレン樹脂(PCTFE)、ふっ化ビリデ
ン樹脂(PVDF)、ポリ塩化ビニル樹脂(PVC)、
ポリエーテル−エーテルケトン樹脂(PEEK)などの
耐薬品性樹脂で構成する必要があるが、その場合、次の
ような問題が生じることが予想される。
Here, in order to satisfy such a demand, a supporting member of the substrate supporting means is made of, for example, polytetrafluoroethylene resin (PTFE), ethylene tetrafluoride-ethylene copolymer resin (ETFE), polypropylene resin, or trifluoroethylene resin. Ethylene chloride resin (PCTFE), viridene fluoride resin (PVDF), polyvinyl chloride resin (PVC),
It is necessary to use a chemical resistant resin such as a polyether-ether ketone resin (PEEK). In this case, the following problems are expected to occur.

【0005】上記基板処理装置では、基板支持手段によ
って支持されたガラス基板を回転しながら洗浄処理を実
行するため、洗浄処理におけるガラス基板の帯電は避け
られず、その帯電状態を放置していると、放電破壊など
が発生してガラス基板上の微細回路に溶断不良などが生
じて歩留り低下を招いてしまう。そこで、従来よりガラ
ス基板に帯電した電荷を除去する技術が数多く提案され
ている。特に、ガラス基板の下面側に帯電した電荷を除
去するために、従来よりガラス基板の下面を支持する支
持部材を導電性材料で構成している。これによって、下
面側の電荷は導電性支持部材を介してガラス基板から除
去されて下面側の除電が行われていた。
In the above-mentioned substrate processing apparatus, the cleaning process is performed while rotating the glass substrate supported by the substrate supporting means. Therefore, the charging of the glass substrate in the cleaning process is inevitable. As a result, discharge breakdown or the like occurs, and a fusing failure or the like occurs in the fine circuit on the glass substrate, which causes a decrease in yield. In view of the above, a number of techniques for removing electric charges charged on a glass substrate have been proposed. Particularly, in order to remove electric charges charged on the lower surface side of the glass substrate, a support member for supporting the lower surface of the glass substrate is conventionally made of a conductive material. As a result, the electric charge on the lower surface side is removed from the glass substrate via the conductive support member, and the electric charge on the lower surface side has been removed.

【0006】しかしながら、同一装置内で薬液処理、洗
浄処理および乾燥処理を行う場合には、上記したように
ガラス基板を絶縁性の耐薬品性樹脂製支持部材で支持し
ているため、従来の除電技術をそのまま適用することが
できない。このように、同一装置内で薬液処理、洗浄処
理および乾燥処理を行う上で、耐薬品性樹脂製の支持部
材で支持されたガラス基板の下面から如何にして電荷を
除去するのかが大きな問題となってくる。
However, when performing a chemical treatment, a cleaning treatment, and a drying treatment in the same apparatus, the glass substrate is supported by the insulating member made of an insulative and chemically resistant resin as described above. Technology cannot be applied as it is. As described above, in performing the chemical solution treatment, the cleaning treatment, and the drying treatment in the same apparatus, how to remove the electric charge from the lower surface of the glass substrate supported by the chemical-resistant resin support member is a major problem. It is becoming.

【0007】この発明は、上記課題に鑑みなされたもの
であり、耐薬品性樹脂製の支持部材で支持されたガラス
基板の下面上の電荷を効率的に除去してガラス基板の放
電破壊などを防止することができる基板処理装置を提供
することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and effectively removes electric charges on the lower surface of a glass substrate supported by a support member made of a chemical-resistant resin to prevent discharge breakdown of the glass substrate. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of preventing such a problem.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明は、ガラス基板の下面を耐薬品性樹脂製
の支持部材で支持する基板支持手段と、前記支持部材で
支持されたガラス基板の下面に対して洗浄液に炭酸ガス
を溶解させた炭酸溶解洗浄液を供給して前記ガラス基板
の下面を洗浄する洗浄液供給手段とを備えていることを
特徴としている。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a substrate supporting means for supporting a lower surface of a glass substrate with a supporting member made of a chemical resistant resin, and supporting the lower surface of the glass substrate with the supporting member. A cleaning solution supply unit configured to supply a carbonic acid-dissolved cleaning solution obtained by dissolving carbon dioxide in the cleaning solution to the lower surface of the glass substrate to clean the lower surface of the glass substrate.

【0009】このように構成された基板処理装置では、
ガラス基板の下面を洗浄するために炭酸溶解洗浄液が用
いられている。この炭酸溶解洗浄液は純水、電解イオン
水などの洗浄液に炭酸ガスを溶解したものであり、炭酸
ガスの溶解により洗浄液の比抵抗値は単なる洗浄液(炭
酸ガスを溶解させる前の洗浄液)に比べて大幅に低下し
ている。そして、このように比抵抗値が低下した炭酸溶
解洗浄液によりガラス基板下面を洗浄すると、炭酸溶解
洗浄液を通してガラス基板下面上の電荷が吸収されてガ
ラス基板下面から除去され、その結果、ガラス基板の放
電破壊などが効果的に防止される。
In the substrate processing apparatus configured as described above,
A carbonic acid-dissolved cleaning solution is used to clean the lower surface of the glass substrate. This carbonic acid-dissolved cleaning liquid is obtained by dissolving carbon dioxide in a cleaning liquid such as pure water or electrolytic ion water, and the specific resistance of the cleaning liquid due to the dissolution of the carbon dioxide gas is lower than that of a simple cleaning liquid (the cleaning liquid before dissolving the carbon dioxide gas). It has dropped significantly. Then, when the lower surface of the glass substrate is cleaned with the carbonic acid-dissolved cleaning solution having the lowered specific resistance, the electric charge on the lower surface of the glass substrate is absorbed and removed from the lower surface of the glass substrate through the carbonic acid-dissolved cleaning solution. Destruction is effectively prevented.

【0010】上記発明では、ガラス基板下面を炭酸溶解
洗浄液で洗浄することによりガラス基板下面の除電を行
っているが、ガラス基板上面も同様に炭酸溶解洗浄液で
洗浄することによりガラス基板上面の除電を行うことが
でき、ガラス基板での誘電分極を効果的に防止すること
ができる。すなわち、下面のみを除電したとしても、ガ
ラス基板の上面に電荷が多量に残存していると、ガラス
基板において誘電分極が発生してしまうが、上面側につ
いても除電を行うことで、誘電分極が防止されて放電破
壊等を確実に防止することができる。
In the above invention, the lower surface of the glass substrate is neutralized by cleaning the lower surface of the glass substrate with a carbonic acid-dissolving cleaning solution. Similarly, the upper surface of the glass substrate is also neutralized by cleaning the upper surface of the glass substrate with a carbonic acid-dissolving cleaning solution. And dielectric polarization in the glass substrate can be effectively prevented. That is, even if only the lower surface is neutralized, if a large amount of electric charge remains on the upper surface of the glass substrate, dielectric polarization occurs in the glass substrate. Thus, discharge breakdown and the like can be reliably prevented.

【0011】また、ガラス基板下面への炭酸溶解洗浄液
の供給箇所は1箇所に限定されるものではなく任意であ
るが、洗浄液供給手段がガラス基板の下面の略中央部に
向けて炭酸溶解洗浄液を吐出する第1洗浄液吐出ノズル
孔と、ガラス基板の下面の周縁部に向けて炭酸溶解洗浄
液を吐出する第2洗浄液吐出ノズル孔とを有するように
構成することによって、炭酸溶解洗浄液がガラス基板下
面に効果的に供給される。また、ガラス基板の下面周縁
部にフレッシュな炭酸溶解洗浄液が直接供給されること
から、ガラス基板の洗浄度が向上する。
Further, the supply location of the carbonic acid-dissolved cleaning liquid to the lower surface of the glass substrate is not limited to one, and is arbitrary. By having a first cleaning liquid discharge nozzle hole for discharging and a second cleaning liquid discharge nozzle hole for discharging the carbonic acid-dissolved cleaning liquid toward the peripheral portion of the lower surface of the glass substrate, the carbonic acid-dissolved cleaning liquid is provided on the lower surface of the glass substrate Effectively supplied. Further, since the fresh carbonic acid-dissolved cleaning liquid is directly supplied to the peripheral edge of the lower surface of the glass substrate, the degree of cleaning of the glass substrate is improved.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】図1は、本発明にかかる基板処理
装置の一実施形態を示す縦断面図である。この基板処理
装置は、LCD用ガラス基板W(以下、単に「基板W」
という)に対して薬液処理、洗浄処理、および乾操処理
をこの順序で連続して行う装置である。この装置は、同
図に示すように、基板Wを保持する基板支持部1と、そ
の基板支持部1を回転駆動する駆動部2と、基板支持部
1の上側で処理空間Sを形成し遮蔽する上部遮蔽部3
と、上部遮蔽部3を上下動させる昇降部4と、基板Wか
ら振り切られる液体を回収するカップ部5と、それぞれ
の装置各部を収納するハウジング6を備えている。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing one embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus is an LCD glass substrate W (hereinafter simply referred to as “substrate W”).
), A chemical solution treatment, a cleaning treatment, and a dry operation treatment are sequentially performed in this order. As shown in FIG. 1, the apparatus includes a substrate supporting unit 1 for holding a substrate W, a driving unit 2 for driving the substrate supporting unit 1 to rotate, and a processing space S formed above the substrate supporting unit 1 for shielding. Upper shield part 3
A lifting / lowering unit 4 for vertically moving the upper shielding unit 3; a cup unit 5 for collecting the liquid shaken off from the substrate W; and a housing 6 for accommodating each unit of each device.

【0013】この基板支持部1は、基板Wと同程度の平
面サイズを有する基板支持板11と、この基板支持板1
1の上面に固着されて基板Wの周縁部を支持する周縁支
持ピン12と、基板支持板11の上面に固着されて基板
Wの下面中央部を支持する中央支持ピン13とを備えて
いる。また、基板支持部1は、薬液処理を実行すること
を考慮して耐薬品性樹脂で構成されている。
The substrate supporting portion 1 includes a substrate supporting plate 11 having the same plane size as the substrate W,
1 includes a peripheral support pin 12 fixed to the upper surface of the substrate W and supporting the peripheral portion of the substrate W, and a central support pin 13 fixed to the upper surface of the substrate support plate 11 and supporting the lower surface center of the substrate W. The substrate support 1 is made of a chemical-resistant resin in consideration of performing a chemical treatment.

【0014】周縁支持ピン12は基板Wの4角部に対応
して配置される。各周縁支持ピン12は、基板Wの外周
端縁を下方から支持する支持台121と、支持台121
に支持された基板Wの外周端面に当接して基板Wの移動
を規制する案内立ち上がり面122とを備えており、基
板Wの周縁部を4箇所で支持している。なお、図1で
は、図面が煩雑になることを避けるために、2個の周縁
支持ピン12のみを示している。また、中央支持ピン1
3は基板Wの中央部に対応して基板支持板11に4個配
置されている。このように、この実施形態では、本発明
の「支持部材」に相当する支持ピン12,13によって
基板Wが基板支持板11から上方側に離間された状態で
支持されており、基板支持板11と周縁支持ピン12と
中央支持ピン13とで本発明の「基板支持手段」が構成
されている。
The peripheral support pins 12 are arranged corresponding to the four corners of the substrate W. Each peripheral support pin 12 includes a support table 121 for supporting the outer peripheral edge of the substrate W from below, and a support table 121.
And a guide rising surface 122 that abuts on the outer peripheral end surface of the substrate W supported on the substrate W to regulate the movement of the substrate W, and supports the peripheral edge of the substrate W at four points. In FIG. 1, only two peripheral support pins 12 are shown to avoid complicating the drawing. Also, the center support pin 1
Four 3 are arranged on the substrate support plate 11 corresponding to the center of the substrate W. As described above, in this embodiment, the substrate W is supported by the support pins 12 and 13 corresponding to the “support member” of the present invention in a state of being separated from the substrate support plate 11 to the upper side. The peripheral support pin 12 and the center support pin 13 constitute the “substrate support means” of the present invention.

【0015】また、筒軸21は中空筒状の部材で構成さ
れ、その中心に沿って液ノズル16が配設されている。
そして、液ノズル16には、液供給管161が貫通さ
れ、この液供給管161の上端が基板Wの下面中央部に
臨んでおり、上端部に設けられたノズル孔162から基
板Wの下面の回転中心付近に処理液(薬液や炭酸溶解洗
浄液)を供給できるように構成されている。
The cylindrical shaft 21 is formed of a hollow cylindrical member, and the liquid nozzle 16 is disposed along the center thereof.
A liquid supply pipe 161 penetrates the liquid nozzle 16, and the upper end of the liquid supply pipe 161 faces the center of the lower surface of the substrate W, and the lower surface of the substrate W is formed through a nozzle hole 162 provided at the upper end. The processing liquid (chemical solution or carbonic acid dissolving cleaning liquid) can be supplied to the vicinity of the rotation center.

【0016】さらに、筒軸21は基板支持板11の開口
に臨んで延在し、基板支持板11に対して上側に位置す
ることにより排出口17が開口されている。また、筒軸
21と液ノズル16との間隙は流量調整弁86aを介し
て配管86が大気圧雰囲気に開放されるように構成され
ている。そして、排出口17において、この液ノズル1
6の側面と筒軸21内周面との間隙から大気圧雰囲気か
らのエアーが吐出される。液ノズル16の先端部には断
面T字状に形成され、平坦な上面の中央部に処理液のノ
ズル孔162が開口される。
Further, the cylindrical shaft 21 extends toward the opening of the substrate support plate 11, and is located above the substrate support plate 11, so that the discharge port 17 is opened. Further, the gap between the cylinder shaft 21 and the liquid nozzle 16 is configured such that the pipe 86 is opened to the atmospheric pressure atmosphere via the flow rate adjusting valve 86a. Then, at the outlet 17, the liquid nozzle 1
Air from the atmospheric pressure atmosphere is discharged from the gap between the side surface of the cylinder 6 and the inner peripheral surface of the cylinder shaft 21. The tip of the liquid nozzle 16 is formed in a T-shaped cross section, and a nozzle hole 162 for the processing liquid is opened at the center of the flat upper surface.

【0017】液ノズル16は配管80に連通接続されて
いる。この配管80の基端部は3つに分岐されており、
第1の分岐配管80aには薬液供給源81が連通接続さ
れ、第2の分岐配管80bには純水供給源82が連通接
続され、第3の分岐配管80cには炭酸ガス供給源90
が連通接続されている。各分岐配管80a、80b、8
0cには開閉弁83a、83b、83cがそれぞれ設け
られている。そのため、開閉弁83b、83cを開き、
開閉弁83aを閉じることで、分岐配管80b、80c
が合流した位置で純水と炭酸ガスとが混じり合い、純水
に炭酸ガスが溶解して炭酸溶解洗浄液が調整されるとと
もに、配管80を介して液ノズル16に圧送されて液ノ
ズル16のノズル孔162から基板Wの下面に向けて供
給される。また、開閉弁83aを開き、開閉弁83b、
84cを閉じることで、液ノズル16のノズル孔162
から基板Wの下面に向けて薬液を供給できるようになっ
ている。
The liquid nozzle 16 is connected to a pipe 80. The base end of this pipe 80 is branched into three,
A chemical solution supply source 81 is communicatively connected to the first branch pipe 80a, a pure water supply source 82 is communicatively connected to the second branch pipe 80b, and a carbon dioxide gas supply source 90 is connected to the third branch pipe 80c.
Are connected. Each branch pipe 80a, 80b, 8
On / off valves 83a, 83b and 83c are provided at 0c, respectively. Therefore, the on-off valves 83b and 83c are opened,
By closing the on-off valve 83a, the branch pipes 80b, 80c
The pure water and the carbon dioxide gas are mixed at the position where the two have joined, and the carbon dioxide gas dissolves in the pure water to adjust the carbonic acid-dissolved cleaning solution. It is supplied from the hole 162 toward the lower surface of the substrate W. Further, the on-off valve 83a is opened, and the on-off valve 83b is opened.
84c, the nozzle hole 162 of the liquid nozzle 16 is closed.
Can be supplied to the lower surface of the substrate W from above.

【0018】また、気体供給路163は、液ノズル16
内に設けられるとともに、その下端部は、開閉弁84a
が設けられた配管84を介して気体供給源85に連通接
続されており、気体供給路163の上端部の吐出口から
基板支持板11と基板Wの下面との間の空間に、清浄な
空気や清浄な不活性ガス(窒素ガスなど)などの清浄な
気体を供給できるように構成されている。
The gas supply path 163 is connected to the liquid nozzle 16.
And the lower end thereof is provided with an on-off valve 84a.
Is connected to a gas supply source 85 via a pipe 84 provided with a gas supply path, and clean air is supplied from a discharge port at the upper end of the gas supply path 163 to a space between the substrate support plate 11 and the lower surface of the substrate W. And a clean gas such as a clean inert gas (eg, nitrogen gas).

【0019】モータ23やベルト機構22などは、この
基板処理装置の底板としてのベース部材61上に設けら
れた円筒状のケーシング62内に収容されている。この
ケーシング62が、筒軸21の外周面に軸受け63を介
して接続され、筒軸21を覆う状態となる。すなわち、
モータ23から基板支持板11に接続する直前までの筒
軸21の周囲をケーシング62で覆い、これに伴い筒軸
21に下方に取り付けられたモータ23もカバーで覆っ
た状態とする。このように、この実施形態では、モータ
23とベルト機構22とで本発明の「駆動手段」が構成
されている。
The motor 23 and the belt mechanism 22 are accommodated in a cylindrical casing 62 provided on a base member 61 as a bottom plate of the substrate processing apparatus. The casing 62 is connected to the outer peripheral surface of the cylindrical shaft 21 via the bearing 63, and is in a state of covering the cylindrical shaft 21. That is,
The periphery of the cylindrical shaft 21 immediately before the connection from the motor 23 to the substrate support plate 11 is covered with the casing 62, and the motor 23 attached to the cylindrical shaft 21 below is also covered with the cover. Thus, in this embodiment, the “drive unit” of the present invention is constituted by the motor 23 and the belt mechanism 22.

【0020】上部遮蔽部3は、基板Wを挟んで基板支持
板11に対向するように上部回転板31が配設されてお
り、昇降部4の回転板昇降機構41によって上下動され
る。この上部回転板31は基板Wの周縁領域を覆うリン
グ状を呈しており、中央部に大きな開口31aが開けら
れている。そして、開口31aの周囲は仕切壁31bが
円筒状に立設されており、この仕切壁31b内に、開口
31aを塞ぐように補助遮蔽機構32と、基板Wの上面
に薬液と炭酸溶解洗浄液を供給する液ノズル33が、上
下移動自在に設けられている。そして、これら補助遮蔽
機構32および液ノズル33がそれぞれ独立して昇降部
4の補助遮蔽昇降機構42によって上下動される。この
ため、回転板昇降機構41によって上部回転板31を基
板支持板11側に下降させて上部回転板31を周縁支持
ピン12により支持させるとともに、補助遮蔽昇降機構
42によって補助遮蔽機構32および液ノズル33を基
板支持板11側に下降させて開口31aを塞ぐと、基板
支持板11とで挟まれた処理空間Sが形成される。また
必要に応じて液ノズル33のみを基板Wの直上位置まで
移動させて至近距離から基板Wに処理液を供給可能とし
ている。
The upper shield 3 is provided with an upper rotating plate 31 so as to face the substrate support plate 11 with the substrate W interposed therebetween, and is moved up and down by a rotating plate lifting mechanism 41 of the lifting unit 4. The upper rotating plate 31 has a ring shape that covers the peripheral region of the substrate W, and has a large opening 31a in the center. A partition wall 31b is provided upright around the opening 31a in a cylindrical shape, and an auxiliary shielding mechanism 32 is provided in the partition wall 31b so as to cover the opening 31a. The supply liquid nozzle 33 is provided to be vertically movable. Then, the auxiliary shield mechanism 32 and the liquid nozzle 33 are vertically moved independently by the auxiliary shield lift mechanism 42 of the lift unit 4. For this reason, the upper rotating plate 31 is lowered to the substrate support plate 11 side by the rotating plate lifting / lowering mechanism 41 to support the upper rotating plate 31 by the peripheral support pins 12, and the auxiliary shielding mechanism 32 and the liquid nozzle are supported by the auxiliary shielding / elevating mechanism 42. When 33 is lowered to the substrate support plate 11 side to close the opening 31a, a processing space S sandwiched between the substrate support plate 11 is formed. If necessary, only the liquid nozzle 33 is moved to a position immediately above the substrate W so that the processing liquid can be supplied to the substrate W from a short distance.

【0021】この処理空間Sに向けて液ノズル33にノ
ズル孔334が配設されている。そして、液ノズル16
側と同様にして薬液と炭酸溶解洗浄液とを選択的に切り
換えて基板Wの上面中央部に供給できるようになってい
る。すなわち、液ノズル33の中空部には、液供給管3
32が貫通され、その下端部から基板支持板11に保持
された基板Wの上面の回転中心付近に処理液(薬液や炭
酸溶解洗浄液)を供給できるように構成されている。こ
の液供給管332は配管87に連通接続されている。そ
して、この配管87の基端部は3つに分岐されており、
第1の分岐配管87aには薬液供給源81が連通接続さ
れ、第2の分岐配管87bには純水供給源82が連通接
続され、第3の分岐配管87cには炭酸ガス供給源90
が連通接続されている。分岐配管87a、87b、87
cには開閉弁88a、88b、88cがそれぞれ設けら
れている。そして、開閉弁88b、88cを開き、開閉
弁88aを閉じることで炭酸溶解洗浄液が液ノズル33
のノズル孔334から基板Wの上面に向けて供給され
る。また、開閉弁88aを開き、開閉弁88b、88c
を閉じることで、液ノズル33のノズル孔334から基
板Wの上面に向けて薬液を供給できるようになってい
る。
A nozzle hole 334 is provided in the liquid nozzle 33 toward the processing space S. Then, the liquid nozzle 16
The chemical solution and the carbonic acid-dissolved cleaning solution can be selectively switched and supplied to the center of the upper surface of the substrate W in the same manner as the side. That is, the liquid supply pipe 3 is provided in the hollow portion of the liquid nozzle 33.
The substrate 32 is penetrated so that a processing liquid (chemical solution or carbonic acid-dissolved cleaning liquid) can be supplied from the lower end to the vicinity of the center of rotation of the upper surface of the substrate W held by the substrate support plate 11. The liquid supply pipe 332 is connected to a pipe 87. And the base end of this pipe 87 is branched into three,
A chemical liquid supply source 81 is connected to the first branch pipe 87a, a pure water supply source 82 is connected to the second branch pipe 87b, and a carbon dioxide gas supply source 90 is connected to the third branch pipe 87c.
Are connected. Branch pipes 87a, 87b, 87
Opening / closing valves 88a, 88b, 88c are provided in c, respectively. Then, the on-off valves 88b and 88c are opened, and the on-off valve 88a is closed, whereby the carbonic acid-dissolved cleaning liquid is supplied to the liquid nozzle 33.
Is supplied toward the upper surface of the substrate W from the nozzle hole 334. Also, the on-off valve 88a is opened, and the on-off valves 88b and 88c are opened.
Is closed, a chemical solution can be supplied from the nozzle hole 334 of the liquid nozzle 33 toward the upper surface of the substrate W.

【0022】また、液ノズル33の内周面と液供給管3
32の外周面との間の隙間は、気体供給路333となっ
ている。この気体供給路333は、開閉弁89aが設け
られた配管89を介して気体供給源85に連通接続され
ており、気体供給路333の下端部から上部回転板31
と基板Wの上面との間の空間に清浄な気体を供給できる
ように構成されている。このように、この実施形態で
は、液ノズル16、液供給管161、ノズル孔162、
液ノズル33、液供給管332およびノズル孔334で
本発明の「洗浄液供給手段」が構成されている。
The inner peripheral surface of the liquid nozzle 33 and the liquid supply pipe 3
A gap between the outer peripheral surface of the gas turbine 32 and the outer peripheral surface of the gas turbine 32 serves as a gas supply passage 333. The gas supply path 333 is connected to a gas supply source 85 via a pipe 89 provided with an opening / closing valve 89a.
It is configured such that clean gas can be supplied to the space between the substrate and the upper surface of the substrate W. As described above, in this embodiment, the liquid nozzle 16, the liquid supply pipe 161, the nozzle hole 162,
The liquid nozzle 33, the liquid supply pipe 332, and the nozzle hole 334 constitute a "cleaning liquid supply unit" of the present invention.

【0023】次に上記のように構成された基板処理装置
の動作について説明する。
Next, the operation of the substrate processing apparatus configured as described above will be described.

【0024】この基板処理装置では、図示を省略する基
板搬送装置によりハウジング6内に基板Wが搬入され、
基板支持部1に載置される。このとき、上部回転板3
1、補助遮蔽機構32および液ノズル33は上方へ退避
している。
In this substrate processing apparatus, a substrate W is loaded into the housing 6 by a substrate transfer device (not shown).
It is placed on the substrate support 1. At this time, the upper rotating plate 3
1. The auxiliary shielding mechanism 32 and the liquid nozzle 33 are retracted upward.

【0025】こうして基板Wの搬入が完了すると、装置
全体を制御手段(図示省略)から与えられる制御信号に
基づき装置各部が所定の動作プログラムにしたがって以
下のように動作して薬液処理、洗浄処理および乾燥処理
を実行する。
When the loading of the substrate W is completed, the components of the apparatus operate as follows according to a predetermined operation program based on a control signal given from a control means (not shown) to perform the chemical processing, the cleaning processing and the entire processing. Execute the drying process.

【0026】まず、液ノズル33を基板Wの上面近傍ま
で降下させた後、薬液処理を開始する。すなわち、閉成
されている全開閉弁のうち開閉弁88a、83aのみを
開き、液ノズル16、33から基板Wの上面及び下面の
中央部にそれぞれ薬液を供給する。なお、このとき、上
部回転板31と補助遮蔽機構32とを上方へ退避させて
おくことで、薬液が上部回転板31と補助遮蔽機構32
に付着するのを防止している。また、モータ23を始動
させて、基板支持板11を回転させて該基板支持板11
に保持されている基板Wを水平状態で回転させる。これ
により、上記のようにして基板Wに供給された薬液が基
板Wの回転に伴う遠心力によって径方向に導かれ、基板
Wの上下面全域に薬液が行き渡って薬液処理が行われ
る。
First, after the liquid nozzle 33 is lowered to a position near the upper surface of the substrate W, the chemical liquid processing is started. That is, only the on-off valves 88a and 83a of all the on-off valves that are closed are opened, and the chemical liquid is supplied from the liquid nozzles 16 and 33 to the central portions of the upper surface and the lower surface of the substrate W, respectively. At this time, by retreating the upper rotating plate 31 and the auxiliary shielding mechanism 32 upward, the chemical solution is supplied to the upper rotating plate 31 and the auxiliary shielding mechanism 32.
To prevent it from adhering to Further, the motor 23 is started to rotate the substrate support plate 11 so that the substrate support plate 11
Is rotated in a horizontal state. As a result, the chemical solution supplied to the substrate W as described above is guided in the radial direction by the centrifugal force accompanying the rotation of the substrate W, and the chemical solution spreads over the entire upper and lower surfaces of the substrate W, and the chemical solution processing is performed.

【0027】そして、薬液処理が完了すると、上方に退
避していた上部回転板31および補助遮蔽機構32を下
方へ移動させる。これにより、上部回転板31の抑えピ
ンが、基板支持板11の上面に固着されている周縁支持
ピン12と連結され、密閉された処理空間Sが形成され
る。この状態で開閉弁83a,88aを閉成して液ノズ
ル16,33からの薬液供給を停止する。また、開閉弁
83b,83cを開くことで炭酸溶解洗浄液を液ノズル
16を介して基板Wの下面中央部に供給するとともに、
開閉弁88b,88cを開くことで炭酸溶解洗浄液を液
ノズル33を介して基板Wの上面中央部に供給して基板
Wに対する洗浄処理を行う。
When the chemical treatment is completed, the upper rotating plate 31 and the auxiliary shielding mechanism 32 which have been retracted upward are moved downward. As a result, the holding pins of the upper rotating plate 31 are connected to the peripheral edge supporting pins 12 fixed to the upper surface of the substrate supporting plate 11, thereby forming a closed processing space S. In this state, the on-off valves 83a and 88a are closed to stop the supply of the chemical from the liquid nozzles 16 and 33. By opening the on-off valves 83b and 83c, the carbonic acid-dissolved cleaning liquid is supplied to the center of the lower surface of the substrate W via the liquid nozzle 16, and
By opening the on-off valves 88b and 88c, the carbonic acid-dissolved cleaning liquid is supplied to the center of the upper surface of the substrate W via the liquid nozzle 33 to perform the cleaning processing on the substrate W.

【0028】また、洗浄処理が完了すると、開閉弁83
b、83c、88b,88cを閉成して液ノズル16、
33から基板Wへの洗浄液の供給を停止して乾燥処理へ
と移る。この乾燥処理では、モータ23の回転数をさら
に上げて基板Wを高速回転させて、基板W上に残された
洗浄液を遠心力により振り切っている。
When the cleaning process is completed, the on-off valve 83
b, 83c, 88b, 88c are closed and the liquid nozzle 16,
The supply of the cleaning liquid from 33 to the substrate W is stopped, and the process proceeds to the drying process. In this drying process, the rotation speed of the motor 23 is further increased to rotate the substrate W at high speed, and the cleaning liquid remaining on the substrate W is shaken off by centrifugal force.

【0029】それに続いて、開閉弁84a、89aを開
き、気体供給路163,333から基板Wの上下面に窒
素ガスなどの不活性ガスを供給させることによって処理
空間Sを不活性ガスに置換する。これによって、洗浄処
理後の基板Wの上下面に酸化膜を形成されるのを効果的
に防止することができる。
Subsequently, the open / close valves 84a and 89a are opened, and an inert gas such as a nitrogen gas is supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W from the gas supply paths 163 and 333, thereby replacing the processing space S with the inert gas. . Thus, it is possible to effectively prevent an oxide film from being formed on the upper and lower surfaces of the substrate W after the cleaning process.

【0030】さらに、乾操工程が完了すると、モータ2
3の回転を停止させるとともに、上部回転板31、補助
遮蔽機構32および液ノズル33を退避位置に戻す。そ
して、基板搬送装置によって処理済みの基板Wが装置外
に搬出される。その後については、次の基板Wが基板搬
送装置により搬送されてくるのを待って上記一連の処理
を繰り返して実行する。
When the drying operation is completed, the motor 2
3 is stopped, and the upper rotating plate 31, the auxiliary shielding mechanism 32, and the liquid nozzle 33 are returned to the retracted position. Then, the processed substrate W is carried out of the apparatus by the substrate transport apparatus. After that, the above-described series of processing is repeated and executed until the next substrate W is transferred by the substrate transfer device.

【0031】以上のように、この実施形態によれば、洗
浄液として炭酸溶解洗浄液が使用され、基板Wの上面お
よび下面から洗浄液が供給されているので、次のような
作用効果が得られる。すなわち、洗浄処理に先立って同
一装置内で薬液処理を実行する場合には、基板Wを支持
する支持部材、つまり支持ピン12,13を耐薬品性樹
脂で構成する必要があり、その結果、基板Wの下面に帯
電した電荷を従来技術(導電性の支持部材により基板W
を支持する)によって除去することができないのに対
し、この実施形態によれば、薬液処理に続いて、炭酸ガ
スを溶解した炭酸溶解洗浄液を基板Wの下面に供給して
洗浄処理を行っているので、単に基板Wの下面が洗浄さ
れるだけではなく、このように炭酸ガスの溶解によって
比抵抗値が低下した洗浄液を通して基板下面上の電荷を
吸収して消滅させることができる。したがって、薬液処
理と洗浄処理とを同一装置で行う場合に最も懸念されて
いた問題、つまり基板下面の帯電を一挙に解決し、ガラ
ス基板に対して薬液処理、洗浄処理および乾燥処理を同
一装置内で行うことができる基板処理装置の提供が可能
となった。
As described above, according to this embodiment, since the carbonic acid-dissolved cleaning liquid is used as the cleaning liquid and the cleaning liquid is supplied from the upper surface and the lower surface of the substrate W, the following operation and effect can be obtained. That is, when performing the chemical solution treatment in the same apparatus prior to the cleaning process, the support members for supporting the substrate W, that is, the support pins 12 and 13 need to be formed of a chemical-resistant resin. The electric charge charged on the lower surface of W is compared with the conventional technology (substrate W by conductive support member).
However, according to this embodiment, the cleaning treatment is performed by supplying the carbonic acid-dissolved cleaning solution in which the carbon dioxide gas is dissolved to the lower surface of the substrate W following the chemical treatment. Therefore, not only the lower surface of the substrate W is cleaned, but also the electric charge on the lower surface of the substrate can be absorbed and disappeared through the cleaning liquid having the reduced specific resistance due to the dissolution of carbon dioxide gas. Therefore, the problem most worried when the chemical treatment and the cleaning treatment are performed in the same apparatus, that is, the charging of the lower surface of the substrate is solved at once, and the chemical treatment, the cleaning treatment, and the drying treatment are performed on the glass substrate in the same apparatus. It has become possible to provide a substrate processing apparatus that can be performed by the above-described method.

【0032】また、上記実施形態では、炭酸溶解洗浄液
を基板Wの下面のみならず、上面にも供給しているた
め、基板Wの上面に帯電した電荷も下面側と同様に除去
することができ、次のような作用効果が得られる。すな
わち、基板下面のみを除電したのみでは、基板上面に電
荷が残在して誘電分極が生じてしまうことがある。これ
に対し、基板Wの上下面をともに除電することにより、
誘電分極をなくし、基板Wの放電破壊をより効果的に防
止することができる。
In the above embodiment, since the carbonic acid-dissolved cleaning solution is supplied not only to the lower surface of the substrate W but also to the upper surface, the electric charge charged on the upper surface of the substrate W can be removed similarly to the lower surface side. The following operation and effect can be obtained. That is, if only the charge is removed from the lower surface of the substrate, electric charges may remain on the upper surface of the substrate and dielectric polarization may occur. In contrast, by discharging both the upper and lower surfaces of the substrate W,
Dielectric polarization can be eliminated, and discharge breakdown of the substrate W can be more effectively prevented.

【0033】さらに、洗浄処理を行った際に、炭酸溶解
洗浄液が基板Wから振り切られて処理空間S内に飛散す
るが、この実施形態では基板Wの上面側および下面側か
ら炭酸溶解洗浄液が処理空間Sを構成する各部に飛散す
るため、処理空間S全体を除電することができるという
作用効果もある。
Further, when the cleaning process is performed, the carbonic acid-dissolved cleaning liquid is shaken off the substrate W and scattered into the processing space S. In this embodiment, the carbonic acid-dissolved cleaning liquid is processed from the upper surface side and the lower surface side of the substrate W. Since the particles are scattered to each part constituting the space S, there is also an operational effect that the entire processing space S can be neutralized.

【0034】図2は、この発明にかかる基板処理装置の
他の実施形態を示す部分拡大図であり、同図(a)は基
板下面に対向して配置される液ノズルの拡大断面図であ
り、同図(b)は液ノズルの平面図である。
FIG. 2 is a partially enlarged view showing another embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 (a) is an enlarged sectional view of a liquid nozzle arranged to face the lower surface of the substrate. FIG. 2B is a plan view of the liquid nozzle.

【0035】この実施形態が先に説明した実施形態と大
きく相違する点は、液ノズルの先端構造のみであり、そ
の他の構成は同一である。そこで、ここでは、先の実施
形態と対比しながら、この実施形態の特徴について以下
に詳述する。
This embodiment is largely different from the previously described embodiment only in the structure of the tip of the liquid nozzle, and the other structures are the same. Therefore, here, the features of this embodiment will be described in detail below in comparison with the above embodiment.

【0036】基板Wの下面に処理液を供給し、この処理
液を基板下面の全体に行き渡らせるためには、回転によ
る遠心力を利用するしかない。特に、先に説明した実施
形態では、液ノズル16の液供給管161の上端にノズ
ル孔162が設けられており、このノズル孔162から
基板Wの下面の回転中心付近にのみ処理液(薬液や炭酸
溶解洗浄液)を供給しているため、ノズル孔162から
供給された処理液を基板Wの周縁部まで導くためには、
基板Wの回転数を高める必要がある。
The only way to supply the processing liquid to the lower surface of the substrate W and to spread the processing liquid over the entire lower surface of the substrate is to use centrifugal force due to rotation. In particular, in the above-described embodiment, the nozzle hole 162 is provided at the upper end of the liquid supply pipe 161 of the liquid nozzle 16, and the processing liquid (chemical solution or the like) is provided only from the vicinity of the rotation center of the lower surface of the substrate W from the nozzle hole 162. Since the carbonic acid-dissolved cleaning liquid) is supplied, in order to guide the processing liquid supplied from the nozzle holes 162 to the periphery of the substrate W,
It is necessary to increase the number of rotations of the substrate W.

【0037】ところで、一般的には薬液処理を行う場
合、基板Wの回転数を低く抑える傾向がある。というの
も、高速回転させた場合には薬液の飛散やカップ部5で
の跳ね返りが大きくなり、基板Wの洗浄性を低下させて
しまったり、薬液による汚染の原因となるからである。
また、回転数を増大させることによって処理空間Sの雰
囲気との摩擦によって基板の帯電量が多くなってしまう
からである。
In general, when performing a chemical treatment, the number of rotations of the substrate W tends to be kept low. This is because, when rotated at a high speed, the scattering of the chemical solution and the rebound at the cup portion 5 become large, thereby deteriorating the cleaning property of the substrate W and causing contamination by the chemical solution.
Also, the increase in the number of revolutions increases the amount of charge on the substrate due to friction with the atmosphere in the processing space S.

【0038】したがって、このような技術背景を考えれ
ば、図2に示すように液ノズルを構成するのが望まし
い。すなわち、この実施形態では、液ノズル16の液供
給管161が上端側で2つに分岐されており、その分岐
位置からさらに真っ直ぐ上方に伸びる第1分岐管164
の上端は先の実施形態と同様に基板Wの下面中央部に臨
んでおり、その上端部に設けられたノズル孔165から
基板Wの下面の回転中心付近に処理液(薬液や炭酸溶解
洗浄液)を供給できるように構成されている。一方、そ
の分岐位置から折れ曲がり、基板周縁部側に伸びる第2
分岐管166の上端は基板Wの下面周縁部に臨んでお
り、その上端部に設けられたノズル孔167から基板W
の下面の周縁部付近に処理液(薬液や炭酸溶解洗浄液)
を供給できるように構成されている。
Therefore, in view of such technical background, it is desirable to configure the liquid nozzle as shown in FIG. That is, in this embodiment, the liquid supply pipe 161 of the liquid nozzle 16 is branched into two at the upper end side, and the first branch pipe 164 extending straight upward from the branch position.
The upper end faces the center of the lower surface of the substrate W as in the previous embodiment, and a processing liquid (chemical solution or carbonic acid-dissolved cleaning liquid) is provided near the rotation center of the lower surface of the substrate W from the nozzle hole 165 provided at the upper end. Is configured to be supplied. On the other hand, the second bends from the branch position and extends toward the periphery of the substrate.
The upper end of the branch pipe 166 faces the peripheral edge of the lower surface of the substrate W, and the nozzle hole 167 provided at the upper end thereof allows the substrate W to pass through.
Processing solution (chemical solution or carbonic acid dissolving cleaning solution)
Is configured to be supplied.

【0039】このように構成された実施形態では、先の
実施形態と同様の作用効果を有するのみならず、次のよ
うな特有の作用効果を有している。この実施形態では、
開閉弁83aを開いて薬液を液ノズル16に送り込む
と、基板Wの下面中央部および下面周縁部に同時に薬液
が供給されるため、先の実施形態よりも低速回転させた
として薬液を基板下面全体に行き渡らせることができ
る。もちろん、洗浄処理を行うために、洗浄液を基板W
に供給する場合も全く同様である。
The embodiment configured as described above has not only the same operation and effect as the previous embodiment but also the following specific operation and effect. In this embodiment,
When the chemical is fed into the liquid nozzle 16 by opening the on-off valve 83a, the chemical is simultaneously supplied to the lower central portion and the lower peripheral edge of the substrate W. Can be spread. Of course, in order to perform the cleaning process, the cleaning liquid is applied to the substrate W.
The same applies to the case of supplying to

【0040】また、先の実施形態では、下面中央部に供
給された炭酸溶解洗浄液が径方向外側に導かれて周縁部
の洗浄を行うのに対し、この実施形態ではフレッシュな
炭酸溶解洗浄液が直接周縁部に供給されるので、基板W
の洗浄度を向上させることができる。
In the previous embodiment, the carbonic acid-dissolved cleaning solution supplied to the center of the lower surface is guided to the outside in the radial direction to clean the peripheral portion. In this embodiment, a fresh carbonic acid-dissolved cleaning solution is directly applied. Since it is supplied to the peripheral portion, the substrate W
Can be improved.

【0041】なお、この実施形態では、2つのノズル孔
165,167を設けているが、ノズル孔の数はこれに
限定されるものではなく、さらに3つ以上設けるように
してもよい。
Although two nozzle holes 165 and 167 are provided in this embodiment, the number of nozzle holes is not limited to this, and three or more nozzle holes may be provided.

【0042】なお、本発明は上記した実施形態に限定さ
れるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて
上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能であ
る。例えば、上記実施形態では、純水に炭酸ガスを溶解
させて炭酸溶解洗浄液を調製し、これによって洗浄処理
を行っているが、従来より一般的に使用されている純水
以外の洗浄液、例えば電解イオン水やオゾン水などに炭
酸ガスを溶解させて炭酸溶解洗浄液を調製するようにし
てもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes other than those described above can be made without departing from the gist of the present invention. For example, in the above-described embodiment, a carbonic acid gas is dissolved in pure water to prepare a carbonic acid-dissolved cleaning solution, and the cleaning process is performed by using the cleaning solution. Carbon dioxide gas may be dissolved in ion water, ozone water, or the like to prepare a carbonic acid-dissolved cleaning solution.

【0043】また、上記実施形態では、処理対象となる
ガラス基板は液晶表示装置用ガラス基板に限定されるも
のではなく、フォトマスク用ガラス基板、プラズマディ
スプレイ用ガラス基板などのガラス基板も含まれる。
In the above embodiment, the glass substrate to be processed is not limited to a glass substrate for a liquid crystal display device, and includes a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a plasma display, and the like.

【0044】さらに、上記実施形態では、周縁支持ピン
12および中央支持ピン13をともに4個ずつ設けてい
るが、これらの個数、配列および形状などはこれに限定
されるものではない。
Further, in the above embodiment, four peripheral support pins 12 and four central support pins 13 are provided, but the number, arrangement, shape, and the like of these pins are not limited to these.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、洗浄
液に炭酸ガスを溶解した炭酸溶解洗浄液を用いて基板の
下面を洗浄するように構成しているので、炭酸溶解洗浄
液を通して基板下面上の電荷を吸収して除去することが
でき、その結果、基板の放電破壊などを効果的に防止す
ることができる。
As described above, according to the present invention, the lower surface of the substrate is cleaned by using the carbonic acid-dissolved cleaning solution obtained by dissolving carbon dioxide in the cleaning solution. Can be absorbed and removed, and as a result, discharge breakdown of the substrate can be effectively prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明にかかる基板処理装置の一の実施形態
を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing one embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】この発明にかかる基板処理装置の他の実施形態
を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing another embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板支持部 2 駆動部 11 基板支持板 12 周縁支持ピン(支持部材) 13 中央支持ピン(支持部材) 16 液ノズル 33 液ノズル W 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate support part 2 Drive part 11 Substrate support plate 12 Peripheral support pin (support member) 13 Center support pin (support member) 16 Liquid nozzle 33 Liquid nozzle W Substrate

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/304 647 H01L 21/304 647Z (72)発明者 北澤 裕之 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁 目天神北町1番地の1 大日本スクリーン 製造株式会社内 (72)発明者 上野 幸一 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁 目天神北町1番地の1 大日本スクリーン 製造株式会社内 (72)発明者 鈴木 聡 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁 目天神北町1番地の1 大日本スクリーン 製造株式会社内 Fターム(参考) 2H088 FA17 FA21 FA24 FA30 2H090 JB02 JC19 3B201 AA02 AB08 AB34 AB42 BB22 BB88 BB93 CC13 4G059 AA08 AB09 AB19 AC30 Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) H01L 21/304 647 H01L 21/304 647Z (72) Inventor Hiroyuki Kitazawa 4 (1) Daiichi Screen Manufacturing Co., Ltd. (72) Inventor Koichi Ueno 4-chome, Horikawa-dori Terauchi, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto (72) Inventor Satoshi Suzuki 4-chome Horikawa-dori Teranouchi, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto, Japan 1-Fukushima Tenjin Kita-cho 1 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. F term (reference) 2H088 FA17 FA21 FA24 FA30 2H090 JB02 JC19 3B201 AA02 AB08 AB34 AB42 BB22 BB88 BB93 CC13 4G059 AA08 AB09 AB19 AC30

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ガラス基板の下面を耐薬品性樹脂製の支
持部材で支持する基板支持手段と、 前記支持部材で支持されたガラス基板の下面に対して洗
浄液に炭酸ガスを溶解させた炭酸溶解洗浄液を供給して
前記ガラス基板の下面を洗浄する洗浄液供給手段とを備
えたことを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate supporting means for supporting a lower surface of a glass substrate with a support member made of a chemical-resistant resin, and dissolving carbon dioxide in a cleaning liquid with respect to the lower surface of the glass substrate supported by the support member. A substrate processing apparatus comprising: a cleaning liquid supply unit configured to supply a cleaning liquid to clean a lower surface of the glass substrate.
【請求項2】 前記洗浄液供給手段は、前記ガラス基板
の下面とともに、前記ガラス基板の上面にも炭酸溶解洗
浄液を供給して前記ガラス基板の上面を洗浄することを
特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
2. The cleaning liquid supply unit according to claim 1, wherein the cleaning liquid supply unit supplies a carbonic acid-dissolved cleaning liquid to an upper surface of the glass substrate as well as a lower surface of the glass substrate to wash the upper surface of the glass substrate. Substrate processing equipment.
【請求項3】 前記洗浄液供給手段は、前記ガラス基板
の下面の略中央部に向けて炭酸溶解洗浄液を吐出する第
1洗浄液吐出ノズル孔と、前記ガラス基板の下面の周縁
部に向けて炭酸溶解洗浄液を吐出する第2洗浄液吐出ノ
ズル孔とを備えていることを特徴とする請求項1または
2記載の基板処理装置。
3. The cleaning liquid supply means includes: a first cleaning liquid discharge nozzle hole for discharging a carbonic acid-dissolving cleaning liquid toward a substantially central portion of a lower surface of the glass substrate; and a carbonic acid dissolving nozzle toward a peripheral portion of the lower surface of the glass substrate. 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a second cleaning liquid discharge nozzle hole for discharging a cleaning liquid.
【請求項4】 前記基板支持手段に支持されたガラス基
板を回転駆動する駆動手段をさらに備え、 前記駆動手段によって前記ガラス基板を回転させなが
ら、炭酸溶解洗浄液を前記ガラス基板の下面に供給する
ことを特徴とする請求項1、2または3記載の基板処理
装置。
4. A driving device for rotating a glass substrate supported by the substrate supporting device, wherein the cleaning solution is supplied to the lower surface of the glass substrate while the glass substrate is rotated by the driving device. The substrate processing apparatus according to claim 1, 2 or 3, wherein
【請求項5】 前記基板支持手段は、前記ガラス基板と
同程度の平面サイズの基板支持板を備えており、前記基
板支持板の上面に設けられた前記支持部材によって前記
ガラス基板を前記基板支持板から上方側に離間させた状
態で支持することを特徴とする請求項1ないし4のいず
れかに記載の基板処理装置。
5. The substrate supporting means includes a substrate supporting plate having a plane size substantially equal to that of the glass substrate, and the glass substrate is supported by the supporting member provided on an upper surface of the substrate supporting plate. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the substrate processing apparatus is supported in a state of being separated upward from the plate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100871014B1 (en) * 2006-07-06 2008-11-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
CN113140445A (en) * 2021-03-18 2021-07-20 上海华力集成电路制造有限公司 Cleaning method after back-end etching

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