JP2002344024A - 光伝送デバイス - Google Patents
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速、かつ光結合が容易で、低消費電力、温
度特性の良好な光伝送デバイスを提供する。 【解決手段】 基板と、前記基板の主面上に設置され、
かつ該主面に対して略垂直に光を出射する出射面を有す
る平面発光型の共振器型発光ダイオードとから光伝送デ
バイスを構成する。共振器型発光ダイオードは、高速、
低消費電力、かつ温度特性が良好であることから、特性
の良好な光伝送デバイスを構成できる。また、光ファイ
バとの結合に際して光ファイバ端面の反射光の再入射を
考慮しなくても良いため、光ファイバとの結合が容易で
ある。さらに平面発光型であるから基板上にそのまま設
置することが可能であり、光伝送デバイスの構成の単純
化が図れる。
度特性の良好な光伝送デバイスを提供する。 【解決手段】 基板と、前記基板の主面上に設置され、
かつ該主面に対して略垂直に光を出射する出射面を有す
る平面発光型の共振器型発光ダイオードとから光伝送デ
バイスを構成する。共振器型発光ダイオードは、高速、
低消費電力、かつ温度特性が良好であることから、特性
の良好な光伝送デバイスを構成できる。また、光ファイ
バとの結合に際して光ファイバ端面の反射光の再入射を
考慮しなくても良いため、光ファイバとの結合が容易で
ある。さらに平面発光型であるから基板上にそのまま設
置することが可能であり、光伝送デバイスの構成の単純
化が図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光による情報の伝
送に用いる光伝送デバイスに関する。
送に用いる光伝送デバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】ディジタル機器間で画像情報等大容量の
情報を高速で送受信する場合がある。この情報伝送手段
として、低価格化が容易であることから、プラスチック
光ファイバ（ＰＯＦ）を用いた光伝送システムが注目さ
れている（例えば、特開平８−３１３７６６号）。ＰＯ
Ｆによる１００Ｍｂｐｓ以上の伝送速度が要求され、Ｉ
ＥＥＥ１３９４等による規格の制定も進められている。
ＰＯＦは、広帯域インターネット網の末端でエンドユー
ザの機器との情報伝送に利用される等、その用途が拡大
している。
情報を高速で送受信する場合がある。この情報伝送手段
として、低価格化が容易であることから、プラスチック
光ファイバ（ＰＯＦ）を用いた光伝送システムが注目さ
れている（例えば、特開平８−３１３７６６号）。ＰＯ
Ｆによる１００Ｍｂｐｓ以上の伝送速度が要求され、Ｉ
ＥＥＥ１３９４等による規格の制定も進められている。
ＰＯＦは、広帯域インターネット網の末端でエンドユー
ザの機器との情報伝送に利用される等、その用途が拡大
している。
【０００３】１００Ｍｂｐｓ以上の高速光伝送を行う場
合、従来は光源に半導体レーザを用いることが多かっ
た。半導体レーザには、半導体層の水平方向から光を取
り出す端面発光型と、半導体層の垂直方向から光を取り
出す平面発光型がある。これらの半導体レーザをＰＯＦ
と光結合するには、図８、図９に示すように端面発光型
半導体レーザ１１１または平面発光型半導体レーザ１２
１の発光点位置１１２、１２２およびレーザ光の方向１
１３、１２３に対するＰＯＦ１１４、１２４の位置を調
整し、固定する。
合、従来は光源に半導体レーザを用いることが多かっ
た。半導体レーザには、半導体層の水平方向から光を取
り出す端面発光型と、半導体層の垂直方向から光を取り
出す平面発光型がある。これらの半導体レーザをＰＯＦ
と光結合するには、図８、図９に示すように端面発光型
半導体レーザ１１１または平面発光型半導体レーザ１２
１の発光点位置１１２、１２２およびレーザ光の方向１
１３、１２３に対するＰＯＦ１１４、１２４の位置を調
整し、固定する。
【０００４】図１０は端面発光型半導体レーザ１３１を
用いた従来の光伝送デバイスを表す一部断面図である。
金属ステム１３２の上に金属ブロツク１３３が固着され
る。金属ブロツク１３３上にはサブマウント１３４を介
して、端面発光型の半導体レーザ１３１とこれを駆動す
るためのＩＣ１３５が配置され、この両者は金ワイヤー
１３６で接続されている。半導体レーザ１３１とＩＣ１
３５の周囲は、金属ステム１３２および窓付きキャップ
１３７で気密に封止（ハーメチックシール）されてい
る。さらに、窓付きキャップ１３７の上面方向に光コネ
クタ１４０およびＰＯＦ１４１の挿入孔を有するプラス
チツク製のレセプタクル１３８が配置されている。端面
発光型構造の半導体レーザ１３１は、光コネクタ１４０
の挿入方向に対して平行に配置される。
用いた従来の光伝送デバイスを表す一部断面図である。
金属ステム１３２の上に金属ブロツク１３３が固着され
る。金属ブロツク１３３上にはサブマウント１３４を介
して、端面発光型の半導体レーザ１３１とこれを駆動す
るためのＩＣ１３５が配置され、この両者は金ワイヤー
１３６で接続されている。半導体レーザ１３１とＩＣ１
３５の周囲は、金属ステム１３２および窓付きキャップ
１３７で気密に封止（ハーメチックシール）されてい
る。さらに、窓付きキャップ１３７の上面方向に光コネ
クタ１４０およびＰＯＦ１４１の挿入孔を有するプラス
チツク製のレセプタクル１３８が配置されている。端面
発光型構造の半導体レーザ１３１は、光コネクタ１４０
の挿入方向に対して平行に配置される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体レーザを用いた
光伝送デバイスは、高速応答性はあるものの半導体レー
ザと光ファイバの光結合の容易性、低消費電力、温度特
性のいずれかに難があった。例えば、端面発光型半導体
レーザは発光点の大きさが１μｍと非常に小さいことか
ら、光ファイバ端面からの反射光の再入射防止のための
半導体レーザと光ファイバの位置調整が困難である。ま
た、通常の発光ダイオード（ＬＥＤ）は、高速応答性に
欠けることから、高速光伝送用の光源には適しない。上
記に鑑み、本発明は高速、低消費電力、かつ光結合が容
易で、温度特性の良好な光伝送デバイスを提供すること
を目的とする。
光伝送デバイスは、高速応答性はあるものの半導体レー
ザと光ファイバの光結合の容易性、低消費電力、温度特
性のいずれかに難があった。例えば、端面発光型半導体
レーザは発光点の大きさが１μｍと非常に小さいことか
ら、光ファイバ端面からの反射光の再入射防止のための
半導体レーザと光ファイバの位置調整が困難である。ま
た、通常の発光ダイオード（ＬＥＤ）は、高速応答性に
欠けることから、高速光伝送用の光源には適しない。上
記に鑑み、本発明は高速、低消費電力、かつ光結合が容
易で、温度特性の良好な光伝送デバイスを提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】（１）上記目的を達成す
るために本明に係る光伝送デバイスは、基板と、前記基
板の主面上に設置され、かつ該主面に対して略垂直に光
を出射する出射面を有する平面発光型の共振器型発光ダ
イオードとを具備することを特徴とする。共振器型発光
ダイオードは、高速、低消費電力、かつ温度特性が良好
であることから、特性の良好な光伝送デバイスを構成で
きる。また、共振器型発光ダイオードは、半導体レーザ
と異なり出射光の再入射による特性の変動がないため、
光ファイバとの結合に際して光ファイバ端面の反射光の
再入射を考慮しなくても良い。このため、光ファイバと
の結合が容易である。さらに半導体層の垂直方向に光を
出射する平面発光型であるから基板上にそのまま設置す
ることが可能であり、光伝送デバイスの構成の単純化が
図れ製造も容易となる。
るために本明に係る光伝送デバイスは、基板と、前記基
板の主面上に設置され、かつ該主面に対して略垂直に光
を出射する出射面を有する平面発光型の共振器型発光ダ
イオードとを具備することを特徴とする。共振器型発光
ダイオードは、高速、低消費電力、かつ温度特性が良好
であることから、特性の良好な光伝送デバイスを構成で
きる。また、共振器型発光ダイオードは、半導体レーザ
と異なり出射光の再入射による特性の変動がないため、
光ファイバとの結合に際して光ファイバ端面の反射光の
再入射を考慮しなくても良い。このため、光ファイバと
の結合が容易である。さらに半導体層の垂直方向に光を
出射する平面発光型であるから基板上にそのまま設置す
ることが可能であり、光伝送デバイスの構成の単純化が
図れ製造も容易となる。
【０００７】光伝送デバイスには、光ファイバを光コネ
クタで接続するレセプタクル方式と光ファイバと一体の
いわゆるピッグテール方式の双方が含まれうる。ここ
で、前記共振器型発光ダイオードの発光域を６５０ｎｍ
帯とすることができる。ＰＯＦの低損失領域に発光域を
合致させることで、ＰＯＦによる光伝送の長距離化を図
ることができる。
クタで接続するレセプタクル方式と光ファイバと一体の
いわゆるピッグテール方式の双方が含まれうる。ここ
で、前記共振器型発光ダイオードの発光域を６５０ｎｍ
帯とすることができる。ＰＯＦの低損失領域に発光域を
合致させることで、ＰＯＦによる光伝送の長距離化を図
ることができる。
【０００８】（２）前記共振器型発光ダイオードの出射
光を透過し、かつ該共振器型発光ダイオードを封止する
封止部をさらに具備してもよい。封止部によって共振器
型発光ダイオードを外気から遮断し、その信頼性を向上
できる。ここで、前記封止部が、前記共振器型発光ダイ
オードからの出射光が出射するレンズ部を有しても良
い。共振器型発光ダイオードからの出射光をレンズ部で
収束することで、光ファイバとの結合効率を向上でき
る。また、封止部とレンズ部との一体成型を可能とし
て、製造の容易化を図ることができる。前記封止部が、
前記共振器型発光ダイオードからの出射光が出射する凹
部を有しても良い。凹部に光ファイバを挿入すること
で、共振器型発光ダイオードと光ファイバの距離を接近
させ、結合効率の向上を図れる。さらに、共振器型発光
ダイオードと光ファイバの位置ずれを低減できる。
光を透過し、かつ該共振器型発光ダイオードを封止する
封止部をさらに具備してもよい。封止部によって共振器
型発光ダイオードを外気から遮断し、その信頼性を向上
できる。ここで、前記封止部が、前記共振器型発光ダイ
オードからの出射光が出射するレンズ部を有しても良
い。共振器型発光ダイオードからの出射光をレンズ部で
収束することで、光ファイバとの結合効率を向上でき
る。また、封止部とレンズ部との一体成型を可能とし
て、製造の容易化を図ることができる。前記封止部が、
前記共振器型発光ダイオードからの出射光が出射する凹
部を有しても良い。凹部に光ファイバを挿入すること
で、共振器型発光ダイオードと光ファイバの距離を接近
させ、結合効率の向上を図れる。さらに、共振器型発光
ダイオードと光ファイバの位置ずれを低減できる。
【０００９】（３）前記基板の前記主面上に設置され、
かつ該主面に対して略垂直に光を入射する入射面を有す
る受光素子をさらに具備しても良い。共振器型発光ダイ
オードと受光素子によって、光の送受信器を構成でき
る。さらに、前記基板の前記主面上に、複数の前記共振
器型発光ダイオードが設置されていても良い。光ファイ
バに複数の共振器型発光ダイオードを対応させること
で、光ファイバに入射する光の強度を大きくして、伝送
距離の増大を図れる。
かつ該主面に対して略垂直に光を入射する入射面を有す
る受光素子をさらに具備しても良い。共振器型発光ダイ
オードと受光素子によって、光の送受信器を構成でき
る。さらに、前記基板の前記主面上に、複数の前記共振
器型発光ダイオードが設置されていても良い。光ファイ
バに複数の共振器型発光ダイオードを対応させること
で、光ファイバに入射する光の強度を大きくして、伝送
距離の増大を図れる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。 （第１実施形態）図１は本発明の第１実施形態に係る光
伝送デバイス１０を側面から見た構成を示す一部断面図
である。さらに図２は図１に示した光伝送デバイス１０
の一部を拡大して表した正面図である。図１に示すよう
に本実施形態に係る光伝送デバイス１０は、光コネクタ
２０およびレセプタクル３０から構成される。光コネク
タ２０にはプラスチック光ファイバ（ＰＯＦ）２１が接
続され、レセプタクル３０には、その内部に共振器型発
光ダイオード（以下ＲＣ−ＬＥＤという）３１が設置さ
れ、ＰＯＦ２１を挿入する挿入口３９が形成されてい
る。
を参照して詳細に説明する。 （第１実施形態）図１は本発明の第１実施形態に係る光
伝送デバイス１０を側面から見た構成を示す一部断面図
である。さらに図２は図１に示した光伝送デバイス１０
の一部を拡大して表した正面図である。図１に示すよう
に本実施形態に係る光伝送デバイス１０は、光コネクタ
２０およびレセプタクル３０から構成される。光コネク
タ２０にはプラスチック光ファイバ（ＰＯＦ）２１が接
続され、レセプタクル３０には、その内部に共振器型発
光ダイオード（以下ＲＣ−ＬＥＤという）３１が設置さ
れ、ＰＯＦ２１を挿入する挿入口３９が形成されてい
る。
【００１１】ＲＣ−ＬＥＤ３１は、レセプタクル３０内
の基板たるリードフレーム３２の１主面上に駆動用ＩＣ
３３と共に設置されている。この両者は、金ワイヤ３４
で電気的に接続されている。リードフレーム３２はリー
ド３５に一体的に接続され、駆動用ＩＣ３３は金ワイヤ
３６によって金属製のリード３７に接続されている。Ｒ
Ｃ−ＬＥＤ３１、駆動用ＩＣ３３、リードフレーム３
２、リード３５、３７の周囲は、リード３５、３７それ
ぞれの１端を除き、封止部たる透明樹脂３８で気密に封
止されている。透明樹脂３８は例えばエポキシ系の樹脂
で構成され、モールド、キャスティング等で成型され
る。ＲＣ−ＬＥＤ３１から出射した光束４０は、透明樹
脂３８を透過しＰＯＦ２１に入射する。
の基板たるリードフレーム３２の１主面上に駆動用ＩＣ
３３と共に設置されている。この両者は、金ワイヤ３４
で電気的に接続されている。リードフレーム３２はリー
ド３５に一体的に接続され、駆動用ＩＣ３３は金ワイヤ
３６によって金属製のリード３７に接続されている。Ｒ
Ｃ−ＬＥＤ３１、駆動用ＩＣ３３、リードフレーム３
２、リード３５、３７の周囲は、リード３５、３７それ
ぞれの１端を除き、封止部たる透明樹脂３８で気密に封
止されている。透明樹脂３８は例えばエポキシ系の樹脂
で構成され、モールド、キャスティング等で成型され
る。ＲＣ−ＬＥＤ３１から出射した光束４０は、透明樹
脂３８を透過しＰＯＦ２１に入射する。
【００１２】ＲＣ−ＬＥＤ３１は、後述するように半導
体層の垂直方向に光を取り出せる平面発光型構造のた
め、端面発光型レーザーで必要だったリードフレームの
曲げ加工が不要となり、リードフレーム３２に平行に設
置（マウント）できる。この結果、従来の生産設備の流
用を可能とし、量産性、低コスト化に寄与する。また、
レセプタクル３０の側部からリード３５、３７を取り出
せるため、レセプタクル３０の光伝送システム基板への
実装が容易となり、光伝送システムの小型化が容易とな
る。さらに、ＲＣ−ＬＥＤ３１が平面発光型構造である
ことは駆動用ＩＣ３３の同一主面への配置を容易とし、
光伝送デバイス１０の低コスト化、小型化を可能とす
る。
体層の垂直方向に光を取り出せる平面発光型構造のた
め、端面発光型レーザーで必要だったリードフレームの
曲げ加工が不要となり、リードフレーム３２に平行に設
置（マウント）できる。この結果、従来の生産設備の流
用を可能とし、量産性、低コスト化に寄与する。また、
レセプタクル３０の側部からリード３５、３７を取り出
せるため、レセプタクル３０の光伝送システム基板への
実装が容易となり、光伝送システムの小型化が容易とな
る。さらに、ＲＣ−ＬＥＤ３１が平面発光型構造である
ことは駆動用ＩＣ３３の同一主面への配置を容易とし、
光伝送デバイス１０の低コスト化、小型化を可能とす
る。
【００１３】図３は、本実施形態におけるＲＣ−ＬＥＤ
３１およびＰＯＦ２１を側面からみた光結合の状態を表
す側面図である。また、図４はＲＣ−ＬＥＤ３１を上面
からみた状態を表す正面図である。ＲＣ−ＬＥＤ３１
は、ＧａＡｓ基板３０１、ＧａＡｓ基板３０１上に順に
形成されたｎ型ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflecto
r）層３０２、ｎ型クラッド層３０３、ＭＱＷ（多重量
子井戸）活性層３０４、ｐ型クラッド層３０５、ｐ型Ｄ
ＢＲ層３０６、保護層３０７、コンタクト層３０８から
構成されている。
３１およびＰＯＦ２１を側面からみた光結合の状態を表
す側面図である。また、図４はＲＣ−ＬＥＤ３１を上面
からみた状態を表す正面図である。ＲＣ−ＬＥＤ３１
は、ＧａＡｓ基板３０１、ＧａＡｓ基板３０１上に順に
形成されたｎ型ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflecto
r）層３０２、ｎ型クラッド層３０３、ＭＱＷ（多重量
子井戸）活性層３０４、ｐ型クラッド層３０５、ｐ型Ｄ
ＢＲ層３０６、保護層３０７、コンタクト層３０８から
構成されている。
【００１４】ＭＱＷ活性層３０４、ｐ型クラッド層３０
５、ｐ型ＤＢＲ層３０６、保護層３０７、コンタクト層
３０８、さらには、ｎ型クラッド層３０３の一部は、斜
線で示すように中央の略円筒形の領域を残してイオン打
ち込みが行われたイオンインプランテーション領域３０
９となっている。ＧａＡｓ基板３０１の下部にはｎ電極
３１０が、コンタクト層３０８上にはイオンインプラン
テーション領域３０９の境界に沿って、略リング状のｐ
電極３１１がそれぞれ形成されている。ｐ電極３１１
は、図４に示すように略リング状のｐ電極本体３１１Ａ
と十字型の補助電極３１１Ｂの双方から形成され、直径
１０〜１００μｍ程度の略円形の開口部３１２を有す
る。ｐ電極３１１はさらに電極パッド３１３が接続され
ている。
５、ｐ型ＤＢＲ層３０６、保護層３０７、コンタクト層
３０８、さらには、ｎ型クラッド層３０３の一部は、斜
線で示すように中央の略円筒形の領域を残してイオン打
ち込みが行われたイオンインプランテーション領域３０
９となっている。ＧａＡｓ基板３０１の下部にはｎ電極
３１０が、コンタクト層３０８上にはイオンインプラン
テーション領域３０９の境界に沿って、略リング状のｐ
電極３１１がそれぞれ形成されている。ｐ電極３１１
は、図４に示すように略リング状のｐ電極本体３１１Ａ
と十字型の補助電極３１１Ｂの双方から形成され、直径
１０〜１００μｍ程度の略円形の開口部３１２を有す
る。ｐ電極３１１はさらに電極パッド３１３が接続され
ている。
【００１５】ＲＣ−ＬＥＤ３１は、発光層としてＭＱＷ
活性層３０４を用いている。ＭＱＷ活性層３０４からの
発光は、ｐ型クラッド層３０５、ｐ型ＤＢＲ層３０６、
保護層３０７、コンタクト層３０８を通過して、開口部
３１２から放出される。ＰＯＦ２１は、６５０ｎｍ付近
（赤色領域）に光損失の極小点を有している。ＲＣ−Ｌ
ＥＤ３１の発光波長をこの光損失の極小点に合致させる
ためには、ＭＱＷ活性層３０４をＩｎＧａＡｌＰ系ある
いはＧａＩｎＮＡｓ系の材料で構成することが望まし
い。ＰＯＦ２１の損失極小点に合致した光源とすること
で、より長距離の光伝送を実現できる。例えば、ＭＱＷ
活性層３０４はＩｎＧａＰ−ＩｎＧａＡｌＰの量子井戸
から構成される。
活性層３０４を用いている。ＭＱＷ活性層３０４からの
発光は、ｐ型クラッド層３０５、ｐ型ＤＢＲ層３０６、
保護層３０７、コンタクト層３０８を通過して、開口部
３１２から放出される。ＰＯＦ２１は、６５０ｎｍ付近
（赤色領域）に光損失の極小点を有している。ＲＣ−Ｌ
ＥＤ３１の発光波長をこの光損失の極小点に合致させる
ためには、ＭＱＷ活性層３０４をＩｎＧａＡｌＰ系ある
いはＧａＩｎＮＡｓ系の材料で構成することが望まし
い。ＰＯＦ２１の損失極小点に合致した光源とすること
で、より長距離の光伝送を実現できる。例えば、ＭＱＷ
活性層３０４はＩｎＧａＰ−ＩｎＧａＡｌＰの量子井戸
から構成される。
【００１６】ｎ型クラッド層３０３とｐ型クラッド層３
０５でＭＱＷ活性層３０４を挟むことで、光さらには電
子が効率よく閉じ込めるられる。ＭＱＷ活性層３０４と
してＩｎＧａＡｌＰ系の材料を用いる場合にはｎ型クラ
ッド層３０３とｐ型クラッド層３０５もＩｎＧａＡｌＰ
系の材料を用い、バンドギャップの不連続による抵抗の
増大を防止するのが好ましい。
０５でＭＱＷ活性層３０４を挟むことで、光さらには電
子が効率よく閉じ込めるられる。ＭＱＷ活性層３０４と
してＩｎＧａＡｌＰ系の材料を用いる場合にはｎ型クラ
ッド層３０３とｐ型クラッド層３０５もＩｎＧａＡｌＰ
系の材料を用い、バンドギャップの不連続による抵抗の
増大を防止するのが好ましい。
【００１７】ｎ型クラッド層３０３の下部、ｐ型クラッ
ド層３０５の上部それぞれのｎ型ＤＢＲ層３０２および
ｐ型ＤＢＲ層３０６は、屈折率の違う化合物半導体層を
交互に積層して形成されている（ＤＢＲ構造）。ＭＱＷ
活性層３０４がＩｎＧａＡｌＰ系の材料である場合、ｎ
型ＤＢＲ層３０２またはｐ型ＤＢＲ層３０６にはＡｌ組
成の異なる２種類のＡｌＧａＡｓ材料を用いることが多
い。コンタクト層３０８は、ｐ電極３１１とのオーミッ
クコンタクトのためのものであり、例えばｐ型ＧａＡｓ
材料から形成される。
ド層３０５の上部それぞれのｎ型ＤＢＲ層３０２および
ｐ型ＤＢＲ層３０６は、屈折率の違う化合物半導体層を
交互に積層して形成されている（ＤＢＲ構造）。ＭＱＷ
活性層３０４がＩｎＧａＡｌＰ系の材料である場合、ｎ
型ＤＢＲ層３０２またはｐ型ＤＢＲ層３０６にはＡｌ組
成の異なる２種類のＡｌＧａＡｓ材料を用いることが多
い。コンタクト層３０８は、ｐ電極３１１とのオーミッ
クコンタクトのためのものであり、例えばｐ型ＧａＡｓ
材料から形成される。
【００１８】イオンインプランテーション領域３０９は
絶縁性であり、電流を遮断してＭＱＷ活性層３０４の中
央近傍に集中的に電流を注入し、発光効率を向上させる
ためのものである。補助電極３１１Ｂは、ＭＱＷ活性層
３０４の中央近傍への電流注入を支援し、この中央近傍
での電流分布の均一化を図るためのものである。なお、
補助電極３１１Ｂは、ｐ型電極３１１に開口部３１２が
形成されていればその形状は十字型以外に適宜の形状を
採りうる。
絶縁性であり、電流を遮断してＭＱＷ活性層３０４の中
央近傍に集中的に電流を注入し、発光効率を向上させる
ためのものである。補助電極３１１Ｂは、ＭＱＷ活性層
３０４の中央近傍への電流注入を支援し、この中央近傍
での電流分布の均一化を図るためのものである。なお、
補助電極３１１Ｂは、ｐ型電極３１１に開口部３１２が
形成されていればその形状は十字型以外に適宜の形状を
採りうる。
【００１９】以上のようにＲＣ−ＬＥＤ３１は、半導体
層に略平行な上面（発光面）の開口部３１２から略垂直
方向に光を放射する平面発光型の光素子である。また、
ＲＣ−ＬＥＤ３１では１ｍＷ程度の光出力を得るための
動作電流を１０ｍＡ程度に抑えることが可能である。Ｒ
Ｃ−ＬＥＤ３１の電気抵抗は数Ω程度であるから、消費
電力は数十ｍＷ以下となり低消費電力の高速光伝送デバ
イスを構成できる。
層に略平行な上面（発光面）の開口部３１２から略垂直
方向に光を放射する平面発光型の光素子である。また、
ＲＣ−ＬＥＤ３１では１ｍＷ程度の光出力を得るための
動作電流を１０ｍＡ程度に抑えることが可能である。Ｒ
Ｃ−ＬＥＤ３１の電気抵抗は数Ω程度であるから、消費
電力は数十ｍＷ以下となり低消費電力の高速光伝送デバ
イスを構成できる。
【００２０】ＲＣ−ＬＥＤ３１はＭＱＷ活性層３０４の
上下にｎ型ＤＢＲ層３０２とｐ型ＤＢＲ層３０６（即
ち、ＤＢＲの反射鏡）を形成しているため、半導体レー
ザに近い応答速度が得られ、１００Ｍｂｐｓ〜数百Ｍｂ
ｐｓの高速光伝送デバイスが実現可能となる。ここで、
ｎ型ＤＢＲ層３０２での反射率を９８〜１００％、ｐ型
ＤＢＲ層３０６での反射率を９０〜９５％とすること
で、ＭＱＷ活性層３０４の上部からの光取り出しを可能
としている。
上下にｎ型ＤＢＲ層３０２とｐ型ＤＢＲ層３０６（即
ち、ＤＢＲの反射鏡）を形成しているため、半導体レー
ザに近い応答速度が得られ、１００Ｍｂｐｓ〜数百Ｍｂ
ｐｓの高速光伝送デバイスが実現可能となる。ここで、
ｎ型ＤＢＲ層３０２での反射率を９８〜１００％、ｐ型
ＤＢＲ層３０６での反射率を９０〜９５％とすること
で、ＭＱＷ活性層３０４の上部からの光取り出しを可能
としている。
【００２１】また、ＲＣ−ＬＥＤ３１は、半導体レーザ
とは異なり電流に発振しきい値がない。このため、半導
体レーザのように高温でしきい値が増大するもことな
く、７０℃以上の温度まで安定した光出力が得られる。
さらに、発光光は半導体レーザとは異なってインコヒー
レントであり、スペクトル幅も数ｎｍ以上と広い。従っ
て、反射光がＲＣ−ＬＥＤ３１に戻っても特性の劣化が
発生せず、高価な光学部品（アイソレータ等）やＰＯＦ
２１との微妙な位置調整は不要である。このため、低価
格で特性に優れた高速光伝送デバイスが実現可能とな
る。
とは異なり電流に発振しきい値がない。このため、半導
体レーザのように高温でしきい値が増大するもことな
く、７０℃以上の温度まで安定した光出力が得られる。
さらに、発光光は半導体レーザとは異なってインコヒー
レントであり、スペクトル幅も数ｎｍ以上と広い。従っ
て、反射光がＲＣ−ＬＥＤ３１に戻っても特性の劣化が
発生せず、高価な光学部品（アイソレータ等）やＰＯＦ
２１との微妙な位置調整は不要である。このため、低価
格で特性に優れた高速光伝送デバイスが実現可能とな
る。
【００２２】以下にＲＣ−ＬＥＤ３１との比較におい
て、半導体レーザ等を説明する。半導体レーザは、ＰＯ
Ｆ端面からの反射光（戻り光雑音）により特性が劣化す
る。半導体レーザへの戻り光の入射を防止するために、
半導体レーザとＰＯＦの間に光学部品（光アイソレータ
等）を挿入するか、あるいは半導体レーザとＰＯＦの位
置調整を行なうかのいずれかが行われる。光学部品を用
いた場合には光伝送デバイスの高額化を招く。また、位
置調整による場合には、端面発光型半導体レーザの発光
点の大きさが１μｍ程度と非常に小さいことから、位置
精度の公差が非常に小さく、位置調整（アライメント）
に時間を要し、また位置ずれにより結合効率が低下し易
い。
て、半導体レーザ等を説明する。半導体レーザは、ＰＯ
Ｆ端面からの反射光（戻り光雑音）により特性が劣化す
る。半導体レーザへの戻り光の入射を防止するために、
半導体レーザとＰＯＦの間に光学部品（光アイソレータ
等）を挿入するか、あるいは半導体レーザとＰＯＦの位
置調整を行なうかのいずれかが行われる。光学部品を用
いた場合には光伝送デバイスの高額化を招く。また、位
置調整による場合には、端面発光型半導体レーザの発光
点の大きさが１μｍ程度と非常に小さいことから、位置
精度の公差が非常に小さく、位置調整（アライメント）
に時間を要し、また位置ずれにより結合効率が低下し易
い。
【００２３】端面発光型構造の半導体レーザでは、レー
ザ発振のしきい電流が１５ｍＡ以上、動作電流として２
０ｍＡ程度以上が必要であり、消費電力が１００ｍＷ以
上となる。１００Ｍｂｐｓ以上の高速光伝送システムで
は、光源での消費電力を数十ｍＷ以下に押さえる必要が
あり、この点からも不適当である。
ザ発振のしきい電流が１５ｍＡ以上、動作電流として２
０ｍＡ程度以上が必要であり、消費電力が１００ｍＷ以
上となる。１００Ｍｂｐｓ以上の高速光伝送システムで
は、光源での消費電力を数十ｍＷ以下に押さえる必要が
あり、この点からも不適当である。
【００２４】面発光型半導体レーザでは発光点が１０μ
ｍ程度以上と比較的大きいため、戻り光の影響を避ける
ように位置を調整することは比較的容易である。また、
所望の光出力を得るための動作電流を数ｍＡ〜１０ｍＡ
程度とすることも可能である。しかしながら、面発光型
半導体レーザは共振器長が高々数μｍ程度と短いため、
発熱により共振器内の温度が上昇し易い。このため、高
温環境において発振しきい値が極度に増大してレーザ発
振が起こらない場合がある。特に、ＰＯＦの損失が極小
になる波長帯に適合するＩｎＧａＡｌＰ系の面発光型構
造レーザでは、環境温度４０℃程度までしかレーザ発振
が得られていない。
ｍ程度以上と比較的大きいため、戻り光の影響を避ける
ように位置を調整することは比較的容易である。また、
所望の光出力を得るための動作電流を数ｍＡ〜１０ｍＡ
程度とすることも可能である。しかしながら、面発光型
半導体レーザは共振器長が高々数μｍ程度と短いため、
発熱により共振器内の温度が上昇し易い。このため、高
温環境において発振しきい値が極度に増大してレーザ発
振が起こらない場合がある。特に、ＰＯＦの損失が極小
になる波長帯に適合するＩｎＧａＡｌＰ系の面発光型構
造レーザでは、環境温度４０℃程度までしかレーザ発振
が得られていない。
【００２５】半導体レーザには垂直共振器型半導体レー
ザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical CavitySurface Emitting La
ser）もあるが、面発光型レーザと同様に温度特性がよ
くないため高速光伝送デバイスには適さない。なお、通
常のＬＥＤは応答速度が高々数十Ｍｂｐｓ程度であり、
高速光伝送デバイスに適合しない。
ザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical CavitySurface Emitting La
ser）もあるが、面発光型レーザと同様に温度特性がよ
くないため高速光伝送デバイスには適さない。なお、通
常のＬＥＤは応答速度が高々数十Ｍｂｐｓ程度であり、
高速光伝送デバイスに適合しない。
【００２６】以上のように、本発明においては、発光素
子としてＲＣ−ＬＥＤ３１を用いることで、高速、低消
費電力、かつ光結合が容易で、温度特性の良好な光伝送
デバイスを提供することを可能とした。即ち、いままで
困難とされていた発光ダイオ一ドを使用した１００Ｍｂ
ｐｓ以上の高速伝送が可能になる。また、６５０ｎｍ帯
の発光波長帯のＲＣ−ＬＥＤ３１を使用すれば、ＰＯＦ
２１による伝送損失が少ないため効率のよい光伝送が可
能になる。
子としてＲＣ−ＬＥＤ３１を用いることで、高速、低消
費電力、かつ光結合が容易で、温度特性の良好な光伝送
デバイスを提供することを可能とした。即ち、いままで
困難とされていた発光ダイオ一ドを使用した１００Ｍｂ
ｐｓ以上の高速伝送が可能になる。また、６５０ｎｍ帯
の発光波長帯のＲＣ−ＬＥＤ３１を使用すれば、ＰＯＦ
２１による伝送損失が少ないため効率のよい光伝送が可
能になる。
【００２７】（第２の実施形態）図５は、本発明の第２
実施形態に係る光伝送デバイスを側面から見た状態を表
す一部断面図であり、第１の実施形態で説明した図１と
対応する。リードフレーム３２の同一面にＲＣ−ＬＥＤ
３１と駆動用ＩＣ３３がマウントされ、この両者が金ワ
イヤ３４で接続されている点は第１の実施形態と同様で
ある。本実施形態は、これらをモールドする透明樹脂３
８Ａにレンズ部３８Ｂが形成されている点が第１の実施
形態と異なる。
実施形態に係る光伝送デバイスを側面から見た状態を表
す一部断面図であり、第１の実施形態で説明した図１と
対応する。リードフレーム３２の同一面にＲＣ−ＬＥＤ
３１と駆動用ＩＣ３３がマウントされ、この両者が金ワ
イヤ３４で接続されている点は第１の実施形態と同様で
ある。本実施形態は、これらをモールドする透明樹脂３
８Ａにレンズ部３８Ｂが形成されている点が第１の実施
形態と異なる。
【００２８】ＲＣ−ＬＥＤ３１は半導体レーザと異なり
インコヒーレント光であるため、図１に示すようにＲＣ
−ＬＥＤ３１からの光束４０はＰＯＦ２１に近づくにつ
いて広がる。このため、ＲＣ−ＬＥＤ３１とＰＯＦ２１
との結合効率が不十分になる可能性がある。結合効率が
不十分であってもＲＣ−ＬＥＤ３１へ印加するバイアス
電圧を上げてＰＯＦ２１に入射する光量を増加すること
は可能であるが、信頼性への影響が懸念される。
インコヒーレント光であるため、図１に示すようにＲＣ
−ＬＥＤ３１からの光束４０はＰＯＦ２１に近づくにつ
いて広がる。このため、ＲＣ−ＬＥＤ３１とＰＯＦ２１
との結合効率が不十分になる可能性がある。結合効率が
不十分であってもＲＣ−ＬＥＤ３１へ印加するバイアス
電圧を上げてＰＯＦ２１に入射する光量を増加すること
は可能であるが、信頼性への影響が懸念される。
【００２９】本実施形態では、透明樹脂３８Ａ（樹脂モ
ールド部）にレンズ部３８Ｂを形成することで光を収束
し、ＲＣ−ＬＥＤ３１とＰＯＦ２１との結合効率の向上
を図っている。しかも、透明樹脂３８Ａの光出力部分に
樹脂性のレンズ部３８Ｂを設ける事で一体成型を可能と
し、新規に部品を追加することなく出射光の集光を可能
としている。以上に示したようにＲＣ−ＬＥＤ３１から
の出射光はインコヒーレント光であり、透明樹脂３８Ａ
（樹脂モールド）にレンズ部３８Ｂを設けることでＰＯ
Ｆ２１との結合効率を改善できる。
ールド部）にレンズ部３８Ｂを形成することで光を収束
し、ＲＣ−ＬＥＤ３１とＰＯＦ２１との結合効率の向上
を図っている。しかも、透明樹脂３８Ａの光出力部分に
樹脂性のレンズ部３８Ｂを設ける事で一体成型を可能と
し、新規に部品を追加することなく出射光の集光を可能
としている。以上に示したようにＲＣ−ＬＥＤ３１から
の出射光はインコヒーレント光であり、透明樹脂３８Ａ
（樹脂モールド）にレンズ部３８Ｂを設けることでＰＯ
Ｆ２１との結合効率を改善できる。
【００３０】（第３の実施形態）図６は、本発明の第２
実施形態に係る光伝送デバイスを側面から見た状態を表
す一部断面図であり、第１の実施形態で説明した図１と
対応する。リードフレーム３２の同一面にＲＣ−ＬＥＤ
３１と駆動用ＩＣ３３がマウントされ、この両者が金ワ
イヤ３４で接続されている点は、第１の実施形態と同様
である。ＲＣ−ＬＥＤ３１および駆動用ＩＣ３３の周囲
を封止する透明樹脂３８Ｃに凹部３８Ｄが形成されてい
る点が第１および第２の実施形態と異なる。
実施形態に係る光伝送デバイスを側面から見た状態を表
す一部断面図であり、第１の実施形態で説明した図１と
対応する。リードフレーム３２の同一面にＲＣ−ＬＥＤ
３１と駆動用ＩＣ３３がマウントされ、この両者が金ワ
イヤ３４で接続されている点は、第１の実施形態と同様
である。ＲＣ−ＬＥＤ３１および駆動用ＩＣ３３の周囲
を封止する透明樹脂３８Ｃに凹部３８Ｄが形成されてい
る点が第１および第２の実施形態と異なる。
【００３１】凹部３８Ｄは、ＰＯＦ２１の先端を挿入で
きるように略円柱形状をしている。凹部３８ＤにＰＯＦ
２１の先端を挿入することで、ＲＣ−ＬＥＤ３１とＰＯ
Ｆ２１とをより近接することが可能となる。ＲＣ−ＬＥ
Ｄ３１からの光束はＲＣ−ＬＥＤ３１に近いほど広がり
角も狭いことから、ＲＣ−ＬＥＤ３１とＰＯＦ２１とを
近接することでこれらの間の結合効率が向上する。しか
も、凹部３８ＤにＰＯＦ２１の先端を挿入することで、
ＲＣ−ＬＥＤ３１とＰＯＦ２１との位置ずれを抑えるこ
とも可能となる。
きるように略円柱形状をしている。凹部３８ＤにＰＯＦ
２１の先端を挿入することで、ＲＣ−ＬＥＤ３１とＰＯ
Ｆ２１とをより近接することが可能となる。ＲＣ−ＬＥ
Ｄ３１からの光束はＲＣ−ＬＥＤ３１に近いほど広がり
角も狭いことから、ＲＣ−ＬＥＤ３１とＰＯＦ２１とを
近接することでこれらの間の結合効率が向上する。しか
も、凹部３８ＤにＰＯＦ２１の先端を挿入することで、
ＲＣ−ＬＥＤ３１とＰＯＦ２１との位置ずれを抑えるこ
とも可能となる。
【００３２】（第４の実施形態）図７は、本発明の第４
の実施形態を表す平面図であり、第１の実施形態で説明
した図２に対応している。本実施形態においては、ＲＣ
−ＬＥＤ３１と駆動用ＩＣ３３を搭載したリードフレー
ム３２、および光受光素子５１と駆動用ＩＣ５３を搭載
したリードフレーム５２が近接して配置され、透明樹脂
５５で封止されている。この結果、ＰＯＦ２１に対して
ＲＣ−ＬＥＤ３１と光受光素子５１の双方が光結合し、
光の送信および受信が可能となり光送受信器を構成でき
る。
の実施形態を表す平面図であり、第１の実施形態で説明
した図２に対応している。本実施形態においては、ＲＣ
−ＬＥＤ３１と駆動用ＩＣ３３を搭載したリードフレー
ム３２、および光受光素子５１と駆動用ＩＣ５３を搭載
したリードフレーム５２が近接して配置され、透明樹脂
５５で封止されている。この結果、ＰＯＦ２１に対して
ＲＣ−ＬＥＤ３１と光受光素子５１の双方が光結合し、
光の送信および受信が可能となり光送受信器を構成でき
る。
【００３３】（その他の実施形態）本発明の実施形態
は、上記実施形態に限られず、拡張変更が可能である。
拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ
る。本発明は、光コネクタで光ファイバを接続するレセ
プタクルを用いる場合に限られず、光ファイバとＲＣ−
ＬＥＤが一体に構成されたいわゆるピッグテールにも適
用可能である。光ファイバはＰＯＦに限られず、石英フ
ァイバである場合にも適用可能である。ＲＣ−ＬＥＤ等
をモールドする透明樹脂には、光ファイバで送受信する
波長域の光以外を吸収するようにしても差し支えない。
光通信に利用する以外の光を透明樹脂で吸収すること
で、光通信の低雑音化を図ることができる。特にＲＣ−
ＬＥＤと受光素子を組み合わせた第４の実施形態におい
て、受光素子に余分な波長の光が入射しないようにする
ことで、受光素子の低雑音化を図れる。また、１本のＰ
ＯＦに対して複数のＲＣ−ＬＥＤを組み合わせても差し
支えない。ＰＯＦに入射する光をより強力にして、通信
距離の増大を図ることができる。
は、上記実施形態に限られず、拡張変更が可能である。
拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ
る。本発明は、光コネクタで光ファイバを接続するレセ
プタクルを用いる場合に限られず、光ファイバとＲＣ−
ＬＥＤが一体に構成されたいわゆるピッグテールにも適
用可能である。光ファイバはＰＯＦに限られず、石英フ
ァイバである場合にも適用可能である。ＲＣ−ＬＥＤ等
をモールドする透明樹脂には、光ファイバで送受信する
波長域の光以外を吸収するようにしても差し支えない。
光通信に利用する以外の光を透明樹脂で吸収すること
で、光通信の低雑音化を図ることができる。特にＲＣ−
ＬＥＤと受光素子を組み合わせた第４の実施形態におい
て、受光素子に余分な波長の光が入射しないようにする
ことで、受光素子の低雑音化を図れる。また、１本のＰ
ＯＦに対して複数のＲＣ−ＬＥＤを組み合わせても差し
支えない。ＰＯＦに入射する光をより強力にして、通信
距離の増大を図ることができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば高
速、かつ光結合が容易で、低消費電力、温度特性の良好
な光伝送デバイスを提供することが可能となる。
速、かつ光結合が容易で、低消費電力、温度特性の良好
な光伝送デバイスを提供することが可能となる。
【図１】 本発明の第１実施形態に係る光伝送デバイス
を側面から見た状態を表す一部断面図である。
を側面から見た状態を表す一部断面図である。
【図２】 図１に示した光伝送デバイスの一部を拡大し
た正面図である。
た正面図である。
【図３】 本発明の第１実施形態におけるＲＣ−ＬＥＤ
およびＰＯＦを側面からみた光結合の状態を表す側面図
である。
およびＰＯＦを側面からみた光結合の状態を表す側面図
である。
【図４】 ＲＣ−ＬＥＤを上面からみた状態を表す正面
図である。
図である。
【図５】 本発明の第２実施形態に係る光伝送デバイス
を側面から見た状態を表す一部断面図である。
を側面から見た状態を表す一部断面図である。
【図６】 本発明の第３実施形態に係る光伝送デバイス
を側面から見た状態を表す一部断面図である。
を側面から見た状態を表す一部断面図である。
【図７】 本発明の第４の実施形態を表す平面図であ
る。
る。
【図８】 従来の端面発光型半導体レーザと光ファイバ
の結合状態を表す斜視図である。
の結合状態を表す斜視図である。
【図９】 従来の平面発光型半導体レーザと光ファイバ
の結合状態を表す斜視図である。
の結合状態を表す斜視図である。
【図１０】 端面発光型半導体レーザを用いた従来の光
伝送デバイスを表す一部断面図である。
伝送デバイスを表す一部断面図である。
１０…光伝送デバイス ２０…光コネクタ ２１…ＰＯＦ（プラスチック光ファイバ） ３０…レセプタクル ３１…ＲＣ−ＬＥＤ ３２、５２…リードフレーム ３３、５３…駆動用ＩＣ ３４、３６…金ワイヤ ３５、３７…リード ３８、３８Ａ、３８Ｃ、５５…透明樹脂 ３８Ｂ…レンズ部 ３８Ｄ…凹部 ３９…挿入口 ４０…光束 ５１…光受光素子 ３０１…ＧａＡｓ基板 ３０２…ｎ型ＤＢＲ層 ３０３…ｎ型クラッド層 ３０４…ＭＱＷ活性層 ３０５…ｐ型クラッド層 ３０６…ｎ型ＤＢＲ層 ３０７…保護層 ３０８…コンタクト層 ３０９…イオンインプランテーション領域 ３１０…ｎ電極 ３１１…ｐ電極 ３１１Ａ…電極本体 ３１１Ｂ…補助電極 ３１２…開口部 ３１３ …電極パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 玄永 康一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝マイクロエレクトロニクスセン ター内 Ｆターム(参考） 2H037 AA01 BA02 CA02 DA03 DA04 DA15 DA31 4M109 AA01 BA03 CA21 DA07 EC11 GA01 5F041 AA02 AA24 AA32 AA39 CA04 CA05 CA12 CA34 CA71 CB06 DA17 DA43 DA57 EE04 EE15 FF14
Claims (7)
- 【請求項１】 基板と、 前記基板の主面上に設置され、かつ該主面に対して略垂
直に光を出射する出射面を有する平面発光型の共振器型
発光ダイオードとを具備することを特徴とする光伝送デ
バイス。 - 【請求項２】 前記共振器型発光ダイオードの発光域が
６５０ｎｍ帯であることを特徴とする請求項１記載の光
伝送デバイス。 - 【請求項３】 前記共振器型発光ダイオードからの出射
光を透過し、かつ該共振器型発光ダイオードを封止する
封止部をさらに具備することを特徴とする請求項１記載
の光伝送デバイス。 - 【請求項４】 前記封止部が、前記共振器型発光ダイオ
ードからの出射光が出射するレンズ部を有することを特
徴とする請求項３記載の光伝送デバイス。 - 【請求項５】 前記封止部が、前記共振器型発光ダイオ
ードからの出射光が出射する凹部を有することを特徴と
する請求項３に記載の光伝送デバイス。 - 【請求項６】 前記基板の前記主面上に設置され、かつ
該主面に対して略垂直に光を入射する入射面を有する受
光素子をさらに具備することを特徴とする請求項１記載
の光伝送デバイス。 - 【請求項７】 前記基板の前記主面上に、複数の前記共
振器型発光ダイオードが設置されていることを特徴とす
る請求項１記載の光伝送デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001151652A JP2002344024A (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 光伝送デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001151652A JP2002344024A (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 光伝送デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002344024A true JP2002344024A (ja) | 2002-11-29 |
Family
ID=18996453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001151652A Pending JP2002344024A (ja) | 2001-05-21 | 2001-05-21 | 光伝送デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002344024A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007287851A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Toyoda Gosei Co Ltd | 光通信に用いる発光素子およびこれを用いた通信装置 |
| JP2009088405A (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Fuji Xerox Co Ltd | 光モジュール |
| US7883278B2 (en) | 2005-07-04 | 2011-02-08 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical module and optical transmission device |
| JP2014230274A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-08 | ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅＢｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ | データ通信のためのシステム及び方法 |
| WO2023035741A1 (zh) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | 苏州旭创科技有限公司 | 光耦合系统及其制备方法 |
-
2001
- 2001-05-21 JP JP2001151652A patent/JP2002344024A/ja active Pending
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