JP2002338297A - ガラス基板およびこれを用いた情報記録用媒体、光通信用素子 - Google Patents
ガラス基板およびこれを用いた情報記録用媒体、光通信用素子Info
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- JP2002338297A JP2002338297A JP2001138410A JP2001138410A JP2002338297A JP 2002338297 A JP2002338297 A JP 2002338297A JP 2001138410 A JP2001138410 A JP 2001138410A JP 2001138410 A JP2001138410 A JP 2001138410A JP 2002338297 A JP2002338297 A JP 2002338297A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 線熱膨張係数が高く且つアルカリ成分の溶出
が少なく、さらに低コストであるガラス基板を提供す
る。 【解決手段】 ｍｏｌ％で、ＳｉＯ2：５５．０〜７
５．０％、Ｂ2Ｏ3：１．０〜１０．０％、Ａｌ2Ｏ3：
３．０〜１６．０％、Ｌｉ2Ｏ：５．０〜１５．０％、
Ｎａ2Ｏ：１４．０％以下、Ｋ2Ｏ：１２．０％以下、Ｌ
ｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：１６．０〜２５．０％、Ｃａ
Ｏ：６％以下、Ｔａ2Ｏ5：０．００１〜２．０％のガラ
ス組成を有する構成とする。
が少なく、さらに低コストであるガラス基板を提供す
る。 【解決手段】 ｍｏｌ％で、ＳｉＯ2：５５．０〜７
５．０％、Ｂ2Ｏ3：１．０〜１０．０％、Ａｌ2Ｏ3：
３．０〜１６．０％、Ｌｉ2Ｏ：５．０〜１５．０％、
Ｎａ2Ｏ：１４．０％以下、Ｋ2Ｏ：１２．０％以下、Ｌ
ｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：１６．０〜２５．０％、Ｃａ
Ｏ：６％以下、Ｔａ2Ｏ5：０．００１〜２．０％のガラ
ス組成を有する構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はガラス基板に関し、
より詳細には情報記録用媒体や光通信用素子などの基板
として用いるガラス基板に関するものである。
より詳細には情報記録用媒体や光通信用素子などの基板
として用いるガラス基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気ディスク用基板としてアルミ
ニウム合金が広く用いられていたが、アルミニウム合金
は変形しやすく、また硬さが不十分であるため研磨後の
基板表面の平滑性が十分とは言えなかった。また、ヘッ
ドが機械的に磁気ディスクに接触する際、磁性膜が基板
から剥離しやすいという問題もあった。そこで、変形が
少なく、平滑性が良好で、かつ機械的強度の大きいガラ
ス基板の開発が進められている。
ニウム合金が広く用いられていたが、アルミニウム合金
は変形しやすく、また硬さが不十分であるため研磨後の
基板表面の平滑性が十分とは言えなかった。また、ヘッ
ドが機械的に磁気ディスクに接触する際、磁性膜が基板
から剥離しやすいという問題もあった。そこで、変形が
少なく、平滑性が良好で、かつ機械的強度の大きいガラ
ス基板の開発が進められている。
【０００３】ガラス基板としては、基板表面のアルカリ
元素を他のアルカリ元素と置換することにより機械的強
度を向上させた化学強化ガラスと、非晶質のガラス中に
微細な結晶質粒子を析出させた結晶化ガラスが開発され
ている。しかし、化学強化ガラスでは基板表面のアルカ
リイオンが、磁性膜を成膜する際の加熱工程時に表面に
移動して溶出したり、あるいは磁性膜を侵食したり、磁
性膜の付着強度を劣化させたりする問題があった。ま
た、結晶化ガラスでは、生成した微結晶粒子と非晶質ガ
ラスとの摩耗性の違いから、基板表面の研磨後の凹凸が
大きく平滑性が十分とは言えなかった。また、上記のい
ずれのガラスも、化学強化処理工程または結晶化工程と
いった後処理プロセスが必要となるため低コスト化が難
しい。
元素を他のアルカリ元素と置換することにより機械的強
度を向上させた化学強化ガラスと、非晶質のガラス中に
微細な結晶質粒子を析出させた結晶化ガラスが開発され
ている。しかし、化学強化ガラスでは基板表面のアルカ
リイオンが、磁性膜を成膜する際の加熱工程時に表面に
移動して溶出したり、あるいは磁性膜を侵食したり、磁
性膜の付着強度を劣化させたりする問題があった。ま
た、結晶化ガラスでは、生成した微結晶粒子と非晶質ガ
ラスとの摩耗性の違いから、基板表面の研磨後の凹凸が
大きく平滑性が十分とは言えなかった。また、上記のい
ずれのガラスも、化学強化処理工程または結晶化工程と
いった後処理プロセスが必要となるため低コスト化が難
しい。
【０００４】一方、化学強化や結晶化の強化処理を行わ
ないガラス基板では、低コスト化は図れるものの、線熱
膨張係数が一般に６０〜７０×１０-7／℃程度であるた
め、SUS鋼などでできたクランプやスピンドルモータ部
材の線熱膨張係数（１００〜１２０×１０-7／℃程度）
との差が大きく、記録媒体の記録装置への取付け時や情
報記録時に不具合が生じることがあった。
ないガラス基板では、低コスト化は図れるものの、線熱
膨張係数が一般に６０〜７０×１０-7／℃程度であるた
め、SUS鋼などでできたクランプやスピンドルモータ部
材の線熱膨張係数（１００〜１２０×１０-7／℃程度）
との差が大きく、記録媒体の記録装置への取付け時や情
報記録時に不具合が生じることがあった。
【０００５】また光フィルタや光スイッチなどの光通信
用素子でも基板としてガラス基板が用いられているが、
ガラス基板から溶出したアルカリ成分によって前記素子
が劣化することがあった。また、ガラス基板上に形成さ
れる膜の密度が大きくなるほど、温度・湿度の変化によ
る波長シフトが抑制されるところ、従来広く用いられて
いる真空蒸着法では形成できる膜の密度に限界があっ
た。
用素子でも基板としてガラス基板が用いられているが、
ガラス基板から溶出したアルカリ成分によって前記素子
が劣化することがあった。また、ガラス基板上に形成さ
れる膜の密度が大きくなるほど、温度・湿度の変化によ
る波長シフトが抑制されるところ、従来広く用いられて
いる真空蒸着法では形成できる膜の密度に限界があっ
た。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような従
来の問題に鑑みてなされたものであり、線熱膨張係数が
モータ部材のそれに近く、しかもアルカリ成分の溶出が
少なく、低コストであるガラス基板を提供することをそ
の目的とするものである。
来の問題に鑑みてなされたものであり、線熱膨張係数が
モータ部材のそれに近く、しかもアルカリ成分の溶出が
少なく、低コストであるガラス基板を提供することをそ
の目的とするものである。
【０００７】また本発明の目的は、耐久性に優れ、高い
記録密度を有する情報記録用媒体を提供することにあ
る。
記録密度を有する情報記録用媒体を提供することにあ
る。
【０００８】さらに本発明の他の目的は、経時変化が少
なく、温度・湿度の変化による波長シフトが抑制された
光通信用素子を提供することにある。
なく、温度・湿度の変化による波長シフトが抑制された
光通信用素子を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明のガラス基板では、線熱膨張係数が８０〜１２０
×１０-7／℃の範囲であり、アルカリ溶出量が０．７〜
１．５μｇ／ｃｍ2の範囲で、表面および内部の組成が
均質である構成とした。なお、表面および内部の組成が
均質とは、強化処理を行っていないとの意味である。ま
た、以下「％」は特に断りのない限り「ｍｏｌ％」を意
味するものとする。
本発明のガラス基板では、線熱膨張係数が８０〜１２０
×１０-7／℃の範囲であり、アルカリ溶出量が０．７〜
１．５μｇ／ｃｍ2の範囲で、表面および内部の組成が
均質である構成とした。なお、表面および内部の組成が
均質とは、強化処理を行っていないとの意味である。ま
た、以下「％」は特に断りのない限り「ｍｏｌ％」を意
味するものとする。
【００１０】ここで線熱膨張係数は、示差膨張測定装置
を用いて、荷重：５ｇ、温度範囲：２５〜１００℃、昇
温速度：５℃／ｍｉｎの条件で測定した値である。また
アルカリ溶出量は、８０℃の逆浸透膜水５０ｍｌ中に試
料ガラスを２４ｈ浸漬した後、ＩＣＰ発光分光分析装置
で溶出液を分析し算出した値である。なお加速試験とす
るため、測定する試料ガラスは、表面を＃６００の研磨
材で研磨し、予め表面を荒れた状態とした。この測定方
法によるアルカリ溶出量とＪＩＳ Ｒ ３５０２のアルカ
リ溶出試験によるアルカリ溶出量とは相関関係があり、
この測定方法による溶出量０．７〜１．５μｇ／ｃｍ2
は、ＪＩＳ Ｒ ３５０２のアルカリ溶出試験によるアル
カリ溶出量０．２〜０．３ｍｇにおおよそ相当する。
を用いて、荷重：５ｇ、温度範囲：２５〜１００℃、昇
温速度：５℃／ｍｉｎの条件で測定した値である。また
アルカリ溶出量は、８０℃の逆浸透膜水５０ｍｌ中に試
料ガラスを２４ｈ浸漬した後、ＩＣＰ発光分光分析装置
で溶出液を分析し算出した値である。なお加速試験とす
るため、測定する試料ガラスは、表面を＃６００の研磨
材で研磨し、予め表面を荒れた状態とした。この測定方
法によるアルカリ溶出量とＪＩＳ Ｒ ３５０２のアルカ
リ溶出試験によるアルカリ溶出量とは相関関係があり、
この測定方法による溶出量０．７〜１．５μｇ／ｃｍ2
は、ＪＩＳ Ｒ ３５０２のアルカリ溶出試験によるアル
カリ溶出量０．２〜０．３ｍｇにおおよそ相当する。
【００１１】また前記目的を達成するため本発明のガラ
ス基板では、ｍｏｌ％で、ＳｉＯ2：５５．０〜７５．
０％、Ｂ2Ｏ3：１．０〜１０．０％、Ａｌ2Ｏ3：３．０
〜１６．０％、Ｌｉ2Ｏ：５．０〜１５．０％、Ｎａ
2Ｏ：１４．０％以下、Ｋ2Ｏ：１２．０％以下、Ｌｉ2
Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：１６．０〜２５．０％、ＣａＯ：
６．０％以下、Ｔａ2Ｏ5：０．００１〜２．０％のガラ
ス組成を有する構成とした。
ス基板では、ｍｏｌ％で、ＳｉＯ2：５５．０〜７５．
０％、Ｂ2Ｏ3：１．０〜１０．０％、Ａｌ2Ｏ3：３．０
〜１６．０％、Ｌｉ2Ｏ：５．０〜１５．０％、Ｎａ
2Ｏ：１４．０％以下、Ｋ2Ｏ：１２．０％以下、Ｌｉ2
Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：１６．０〜２５．０％、ＣａＯ：
６．０％以下、Ｔａ2Ｏ5：０．００１〜２．０％のガラ
ス組成を有する構成とした。
【００１２】ここで、本発明のガラス基板を情報記録用
媒体の基板として用いた場合に、化学的耐久性や密度記
録を向上させる観点から、線熱膨張係数を８０〜１２０
×１０-7／℃の範囲とし、アルカリ溶出量を１．５μｇ
／ｃｍ2以下とするのが好ましい。
媒体の基板として用いた場合に、化学的耐久性や密度記
録を向上させる観点から、線熱膨張係数を８０〜１２０
×１０-7／℃の範囲とし、アルカリ溶出量を１．５μｇ
／ｃｍ2以下とするのが好ましい。
【００１３】また本発明によれば、前記のいずれかに記
載のガラス基板の表面に、直接又は他の層を介して情報
記録層を形成したことを特徴とする情報記録用媒体が提
供される。また前記のいずれかに記載のガラス基板を基
板として用いたことを特徴とする光通信用素子が提供さ
れる。
載のガラス基板の表面に、直接又は他の層を介して情報
記録層を形成したことを特徴とする情報記録用媒体が提
供される。また前記のいずれかに記載のガラス基板を基
板として用いたことを特徴とする光通信用素子が提供さ
れる。
【００１４】
【発明の実施の形態】ガラスにアルカリ成分を多く含有
させると線熱膨張係数は大きくなるものの、アルカリ溶
出量も同時に増えるため、線熱膨張係数を大きくし且つ
アルカリ溶出量を少なくすることはこれまで困難とされ
ていた。ところが本発明者等が種々検討を重ねた結果、
特定のアルカリ金属酸化物の各含有量および総含有量を
特定の範囲にすると、線熱膨張係数を高くできると同時
に、アルカリ溶出量を抑えられるという新たな知見を
得、さらにＡｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3及びＴａ2Ｏ5を特定量含有
させると、化学的耐久性が向上しアルカリ溶出量がさら
に抑制されるという知見を得て本発明をなすに至った。
させると線熱膨張係数は大きくなるものの、アルカリ溶
出量も同時に増えるため、線熱膨張係数を大きくし且つ
アルカリ溶出量を少なくすることはこれまで困難とされ
ていた。ところが本発明者等が種々検討を重ねた結果、
特定のアルカリ金属酸化物の各含有量および総含有量を
特定の範囲にすると、線熱膨張係数を高くできると同時
に、アルカリ溶出量を抑えられるという新たな知見を
得、さらにＡｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3及びＴａ2Ｏ5を特定量含有
させると、化学的耐久性が向上しアルカリ溶出量がさら
に抑制されるという知見を得て本発明をなすに至った。
【００１５】以下、本発明のガラス基板の成分について
その限定した理由について説明する。まず、ＳｉＯ2は
ガラスを形成する必須成分である。含有量が５５．０％
未満であるとガラスの構造が軟弱となりアルカリ溶出量
が増加する。他方、含有量が７５．０％を超えるとガラ
スの溶融性が悪く。また、化学的耐久性を向上させるガ
ラス成分の含有量が相対的に少なくなるのでアルカリ溶
出量が増加する。そこで含有量を５５．０〜７５．０％
の範囲と定めた。より好ましい範囲としては６０．０〜
６８．０％の範囲である。
その限定した理由について説明する。まず、ＳｉＯ2は
ガラスを形成する必須成分である。含有量が５５．０％
未満であるとガラスの構造が軟弱となりアルカリ溶出量
が増加する。他方、含有量が７５．０％を超えるとガラ
スの溶融性が悪く。また、化学的耐久性を向上させるガ
ラス成分の含有量が相対的に少なくなるのでアルカリ溶
出量が増加する。そこで含有量を５５．０〜７５．０％
の範囲と定めた。より好ましい範囲としては６０．０〜
６８．０％の範囲である。
【００１６】Ｂ2Ｏ3はガラスの溶融性を改善し、化学的
耐久性を向上させる作用を奏する。含有量が１．０％未
満であるとこのような作用が得られず、アルカリ溶出量
が増加する。他方、含有量が１０．０％を超えても化学
的耐久性が低下し、アルカリ溶出量が増加する。そこで
含有量を１．０〜１０．０％の範囲と定めた。より好ま
しい範囲としては４．０〜７．０％の範囲である。
耐久性を向上させる作用を奏する。含有量が１．０％未
満であるとこのような作用が得られず、アルカリ溶出量
が増加する。他方、含有量が１０．０％を超えても化学
的耐久性が低下し、アルカリ溶出量が増加する。そこで
含有量を１．０〜１０．０％の範囲と定めた。より好ま
しい範囲としては４．０〜７．０％の範囲である。
【００１７】Ａｌ2Ｏ3はガラスの化学的耐久性を向上さ
せる作用を奏する。含有量が３．０％未満であるとこの
ような作用が得られずアルカリ溶出量が増加する。他
方、含有量が１６．０％を超えるとガラスの溶融性が悪
くなる。そこで含有量を３．０〜１６．０％の範囲と定
めた。より好ましい範囲としては５．０〜１１．０％の
範囲である。
せる作用を奏する。含有量が３．０％未満であるとこの
ような作用が得られずアルカリ溶出量が増加する。他
方、含有量が１６．０％を超えるとガラスの溶融性が悪
くなる。そこで含有量を３．０〜１６．０％の範囲と定
めた。より好ましい範囲としては５．０〜１１．０％の
範囲である。
【００１８】Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏのアルカリ金属
酸化物は、いずれもガラスの溶融性を向上させ、線熱膨
張係数を大きくする作用を奏する。Ｌｉ2Ｏを他のアル
カリ金属酸化物と共存させるとアルカリ溶出量を大幅に
低減できるので、Ｌｉ2Ｏは必須成分とし、Ｎａ2Ｏ及び
Ｋ2Ｏは少なくとも一方を含有させることにした。そし
て、ここで重要なことは、アルカリ金属酸化物の含有量
を増やすとアルカリ溶出量も通常は増えるのであるが、
アルカリ金属酸化物を本発明で規定する含有量の範囲と
するとアルカリ溶出量の増加が抑えられるのである（い
わゆるアルカリ混合効果）。以下、各アルカリ金属酸化
物の含有量について説明する。
酸化物は、いずれもガラスの溶融性を向上させ、線熱膨
張係数を大きくする作用を奏する。Ｌｉ2Ｏを他のアル
カリ金属酸化物と共存させるとアルカリ溶出量を大幅に
低減できるので、Ｌｉ2Ｏは必須成分とし、Ｎａ2Ｏ及び
Ｋ2Ｏは少なくとも一方を含有させることにした。そし
て、ここで重要なことは、アルカリ金属酸化物の含有量
を増やすとアルカリ溶出量も通常は増えるのであるが、
アルカリ金属酸化物を本発明で規定する含有量の範囲と
するとアルカリ溶出量の増加が抑えられるのである（い
わゆるアルカリ混合効果）。以下、各アルカリ金属酸化
物の含有量について説明する。
【００１９】Ｌｉ2Ｏの含有量は５．０〜１５．０％の
範囲とした。含有量が５．０％よりも少ないと線熱膨張
係数を大きくすることができず、またガラスの溶融性が
改善できない。他方、含有量が１５．０％を超えるとア
ルカリ溶出量が増加する。より好ましい含有量は９．０
〜１３．５％の範囲である。
範囲とした。含有量が５．０％よりも少ないと線熱膨張
係数を大きくすることができず、またガラスの溶融性が
改善できない。他方、含有量が１５．０％を超えるとア
ルカリ溶出量が増加する。より好ましい含有量は９．０
〜１３．５％の範囲である。
【００２０】Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの含有量はそれぞれ１
４．０％及び１２．０％以下とした。Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏ
の含有量が１４．０％及び１２．０％をそれぞれ超える
と、アルカリ溶出量が増加する。より好ましい含有量
は、Ｎａ2Ｏは４．０〜９．０％の範囲、Ｋ2Ｏは３．０
〜７．０％の範囲である。
４．０％及び１２．０％以下とした。Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏ
の含有量が１４．０％及び１２．０％をそれぞれ超える
と、アルカリ溶出量が増加する。より好ましい含有量
は、Ｎａ2Ｏは４．０〜９．０％の範囲、Ｋ2Ｏは３．０
〜７．０％の範囲である。
【００２１】そしてＬｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏの総含有
量は１６．０〜２５．０％の範囲とした。この総含有量
が１６．０％より少ないと、線熱膨張係数を高くしなが
らアルカリ溶出量を抑えるアルカリ混合効果が得られな
い。他方、総含有量が２５．０％を超えるとアルカリ溶
出量が増加する。
量は１６．０〜２５．０％の範囲とした。この総含有量
が１６．０％より少ないと、線熱膨張係数を高くしなが
らアルカリ溶出量を抑えるアルカリ混合効果が得られな
い。他方、総含有量が２５．０％を超えるとアルカリ溶
出量が増加する。
【００２２】また、本発明のガラス基板では必要により
ＣａＯを６％以下の範囲でさらに含有させてもよい。Ｃ
ａＯはガラスの溶融性を向上させる作用を奏し、含有量
が６％を超えるとアルカリ溶出量が増加する。より好ま
しい含有量は５．５％以下である。
ＣａＯを６％以下の範囲でさらに含有させてもよい。Ｃ
ａＯはガラスの溶融性を向上させる作用を奏し、含有量
が６％を超えるとアルカリ溶出量が増加する。より好ま
しい含有量は５．５％以下である。
【００２３】Ｔａ2Ｏ5は化学的耐久性を向上させる作用
を奏する。この作用はこれまで知られていなかったＴａ
2Ｏ5の作用である。この作用は、０．００１％といった
極微の含有であっても得られるが、含有量が２％を超え
るとガラスの溶融性が悪くなる。より好ましい含有量は
０．１〜１．５％の範囲である。
を奏する。この作用はこれまで知られていなかったＴａ
2Ｏ5の作用である。この作用は、０．００１％といった
極微の含有であっても得られるが、含有量が２％を超え
るとガラスの溶融性が悪くなる。より好ましい含有量は
０．１〜１．５％の範囲である。
【００２４】本発明のガラス基板には必要により、Ａｓ
2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3などの清澄剤、あるいは耐候性を向上さ
せるためにＴｉＯ2、ＣａＯ以外のアルカリ土類金属酸
化物といった従来公知のガラス成分及び添加剤を本発明
の効果を害しない範囲で添加しても構わない。
2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3などの清澄剤、あるいは耐候性を向上さ
せるためにＴｉＯ2、ＣａＯ以外のアルカリ土類金属酸
化物といった従来公知のガラス成分及び添加剤を本発明
の効果を害しない範囲で添加しても構わない。
【００２５】本発明のガラス基板の製造方法に特に限定
はなく、これまで公知の製造方法を用いることができ
る。例えば、各成分の原料として各々相当する酸化物、
炭酸塩、硝酸塩、水酸化物等を使用し、所望の割合に秤
量し、粉末で十分に混合して調合原料とする。これを例
えば１，３００〜１，５５０℃に加熱された電気炉中の
白金坩堝などに投入し、溶融清澄後、撹拌均質化して予
め加熱された鋳型に鋳込み、徐冷してガラスブロックに
する。次に、ガラス転移点付近まで再加熱し、徐冷して
歪み取りを行う。そして得られたガラスブロックを円盤
形状にスライスして、内周および外周を同心円としてコ
アドリルを用いて切り出す。さらに、両面を粗研磨した
後ポリッシングを行ってガラス基板とする。
はなく、これまで公知の製造方法を用いることができ
る。例えば、各成分の原料として各々相当する酸化物、
炭酸塩、硝酸塩、水酸化物等を使用し、所望の割合に秤
量し、粉末で十分に混合して調合原料とする。これを例
えば１，３００〜１，５５０℃に加熱された電気炉中の
白金坩堝などに投入し、溶融清澄後、撹拌均質化して予
め加熱された鋳型に鋳込み、徐冷してガラスブロックに
する。次に、ガラス転移点付近まで再加熱し、徐冷して
歪み取りを行う。そして得られたガラスブロックを円盤
形状にスライスして、内周および外周を同心円としてコ
アドリルを用いて切り出す。さらに、両面を粗研磨した
後ポリッシングを行ってガラス基板とする。
【００２６】本発明のガラス基板を情報記録用媒体の基
板として用いる場合には、線熱膨張係数は８０〜１２０
×１０-7／℃の範囲が好ましい。線熱膨張係数がこの範
囲から外れると、情報記録用媒体を取り付ける駆動部の
材料のそれとの差が大きくなり、情報記録用媒体の固定
が緩み、記録の読み書きができなくなるおそれがあるか
らである。
板として用いる場合には、線熱膨張係数は８０〜１２０
×１０-7／℃の範囲が好ましい。線熱膨張係数がこの範
囲から外れると、情報記録用媒体を取り付ける駆動部の
材料のそれとの差が大きくなり、情報記録用媒体の固定
が緩み、記録の読み書きができなくなるおそれがあるか
らである。
【００２７】また本発明のガラス基板を情報記録用媒体
の基板として用いる場合には、アルカリ溶出量は１．５
μｇ／ｃｍ2以下とするのが好ましい。アルカリ溶出量
が１．５μｇ／ｃｍ2を超えると基板表面に形成された
磁性膜などの記録膜が劣化するおそれがあるからであ
る。
の基板として用いる場合には、アルカリ溶出量は１．５
μｇ／ｃｍ2以下とするのが好ましい。アルカリ溶出量
が１．５μｇ／ｃｍ2を超えると基板表面に形成された
磁性膜などの記録膜が劣化するおそれがあるからであ
る。
【００２８】本発明のガラス基板は、その大きさに限定
はなく３．５，２．５，１．８インチ、あるいはそれ以
下の小径ディスクとすることもでき、またその厚さは２
ｍｍや１ｍｍ、０．６３ｍｍ、あるいはそれ以下といっ
た薄型とすることもできる。
はなく３．５，２．５，１．８インチ、あるいはそれ以
下の小径ディスクとすることもでき、またその厚さは２
ｍｍや１ｍｍ、０．６３ｍｍ、あるいはそれ以下といっ
た薄型とすることもできる。
【００２９】次に、本発明の情報記録用媒体について説
明する。本発明の情報記録用媒体の大きな特徴は、基板
として前記のガラス基板を用いたことにある。このよう
な構成により優れた耐久性および高記録密度が実現され
る。以下、図面に基づき本発明の情報記録用媒体につい
て説明する。
明する。本発明の情報記録用媒体の大きな特徴は、基板
として前記のガラス基板を用いたことにある。このよう
な構成により優れた耐久性および高記録密度が実現され
る。以下、図面に基づき本発明の情報記録用媒体につい
て説明する。
【００３０】図１は磁気ディスクの斜視図である。この
磁気ディスクＤは、円形のガラス基板１の表面に磁性膜
２を直接形成したものである。磁性膜２の形成方法とし
ては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒
子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートし
て形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきによ
り形成する方法が挙げられる。スピンコート法での膜厚
は約０．３〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜
厚は０．０４〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での
膜厚は０．０５〜０．１μｍ程度であり、薄膜化および
高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解め
っき法による膜形成が好ましい。
磁気ディスクＤは、円形のガラス基板１の表面に磁性膜
２を直接形成したものである。磁性膜２の形成方法とし
ては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒
子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートし
て形成する方法や、スパッタリング、無電解めっきによ
り形成する方法が挙げられる。スピンコート法での膜厚
は約０．３〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜
厚は０．０４〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での
膜厚は０．０５〜０．１μｍ程度であり、薄膜化および
高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解め
っき法による膜形成が好ましい。
【００３１】磁性膜に用いる磁性材料としては、特に限
定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を
得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束
密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金な
どが好適である。具体的には、Ｃｏを主成分とするＣｏ
Ｐｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴ
ａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮｉＣｒＰ
ｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰ
ｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯなどが挙げられる。磁性膜
は、非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶなど）
で分割しノイズの低減を図った多層構成（例えば、Ｃｏ
ＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ
／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａなど）としてもよい。上
記の磁性材料の他、フェライト系、鉄−希土類系や、Ｓ
ｉＯ2、ＢＮなどからなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、Ｆ
ｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子を分散された構造の
グラニュラーなどであってもよい。また、磁性膜は、内
面型および垂直型のいずれの記録形式であってもよい。
定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を
得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束
密度を調整する目的でＮｉやＣｒを加えたＣｏ系合金な
どが好適である。具体的には、Ｃｏを主成分とするＣｏ
Ｐｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴ
ａ、ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＮｉＰｔや、ＣｏＮｉＣｒＰ
ｔ、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰ
ｔＢ、ＣｏＣｒＰｔＳｉＯなどが挙げられる。磁性膜
は、非磁性膜（例えば、Ｃｒ、ＣｒＭｏ、ＣｒＶなど）
で分割しノイズの低減を図った多層構成（例えば、Ｃｏ
ＰｔＣｒ／ＣｒＭｏ／ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒＰｔＴａ
／ＣｒＭｏ／ＣｏＣｒＰｔＴａなど）としてもよい。上
記の磁性材料の他、フェライト系、鉄−希土類系や、Ｓ
ｉＯ2、ＢＮなどからなる非磁性膜中にＦｅ、Ｃｏ、Ｆ
ｅＣｏ、ＣｏＮｉＰｔ等の磁性粒子を分散された構造の
グラニュラーなどであってもよい。また、磁性膜は、内
面型および垂直型のいずれの記録形式であってもよい。
【００３２】また、磁気ヘッドの滑りをよくするために
磁性膜の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。
潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポ
リエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈
したものが挙げられる。
磁性膜の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。
潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポ
リエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈
したものが挙げられる。
【００３３】さらに必要により下地層や保護層を設けて
もよい。磁気ディスクにおける下地層は磁性膜に応じて
選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性
金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられ
る。Ｃｏを主成分とする磁性膜の場合には、磁気特性向
上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であることが好まし
い。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層
を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ
／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃ
ｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下
地層としてもよい。
もよい。磁気ディスクにおける下地層は磁性膜に応じて
選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性
金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられ
る。Ｃｏを主成分とする磁性膜の場合には、磁気特性向
上等の観点からＣｒ単体やＣｒ合金であることが好まし
い。また、下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層
を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ
／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃ
ｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下
地層としてもよい。
【００３４】磁性膜の摩耗や腐食を防止する保護層とし
ては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素
化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられ
る。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインラ
イン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これ
らの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は
異種の層からなる多層構成としてもよい。なお、上記保
護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を
形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層
の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希
釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布
し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ2)層を形成して
もよい。
ては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素
化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられ
る。これらの保護層は、下地層、磁性膜など共にインラ
イン型スパッタ装置で連続して形成できる。また、これ
らの保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は
異種の層からなる多層構成としてもよい。なお、上記保
護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を
形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層
の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希
釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布
し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ2)層を形成して
もよい。
【００３５】以上、本発明の情報記録用媒体の一実施態
様として磁気ディスクについて説明したが、本発明の情
報記録用媒体はこれに限定されるものではなく、前記ガ
ラス基板を用いた光磁気ディスクや光ディスクなども本
発明の情報記録用媒体にもちろん含まれる。
様として磁気ディスクについて説明したが、本発明の情
報記録用媒体はこれに限定されるものではなく、前記ガ
ラス基板を用いた光磁気ディスクや光ディスクなども本
発明の情報記録用媒体にもちろん含まれる。
【００３６】次に本発明の光通信用素子について説明す
る。本発明の光通信用素子の大きな特徴は、その基板と
して前記のガラス基板を用いたことにある。すなわち、
前記ガラス基板では、アルカリ溶出量が１．５μｇ／ｃ
ｍ2以下と少なく基板から溶出したアルカリ成分によっ
て基板上の膜が劣化することがない。また、従来のガラ
ス基板（約６０〜７０×１０-7／℃程度）に比べて線熱
膨張係数が８０〜１２０×１０-7／℃の範囲と大きいの
で、蒸着工程で加熱されたガラス基板が冷却されて縮む
量が大きくなり、このガラス基板の収縮により基板表面
に形成された膜が圧縮されてその密度が大きくなる。こ
の結果、温度・湿度の変化による波長シフトが抑制され
るのである。
る。本発明の光通信用素子の大きな特徴は、その基板と
して前記のガラス基板を用いたことにある。すなわち、
前記ガラス基板では、アルカリ溶出量が１．５μｇ／ｃ
ｍ2以下と少なく基板から溶出したアルカリ成分によっ
て基板上の膜が劣化することがない。また、従来のガラ
ス基板（約６０〜７０×１０-7／℃程度）に比べて線熱
膨張係数が８０〜１２０×１０-7／℃の範囲と大きいの
で、蒸着工程で加熱されたガラス基板が冷却されて縮む
量が大きくなり、このガラス基板の収縮により基板表面
に形成された膜が圧縮されてその密度が大きくなる。こ
の結果、温度・湿度の変化による波長シフトが抑制され
るのである。
【００３７】以下、波長多重分割（「ＤＷＤＭ」；Dens
e Wavelength Division Multiplexing）用の光フィルタ
を例に本発明の光通信用素子について説明する。誘電体
多層膜を用いた光フィルタは高屈折率層と低屈折率層と
を有し、これらの層を積層した構造を有している。これ
らの層を形成する方法としては、特に限定はなく従来公
知の方法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、イオンビームアシスト法などを用
いることができる。この中でも生産性が高いことから真
空蒸着法が推奨される。真空蒸着は、真空中で蒸着材料
を加熱し、発生した蒸気を基体上に凝縮・付着させて薄
膜を形成する方法である。蒸着材料の加熱方法には、抵
抗加熱、外熱ルツボ、電子ビーム、高周波、レーザーな
どの各種方法がある。具体的な蒸着条件として、真空度
は１×１０-3〜５×１０-3Ｐａ程度である。蒸着中は真
空度が一定となるように電磁弁を制御して導入酸素量を
調整する。そして層厚モニターにより所定層厚となった
ところでシャターを閉じて蒸着を終了する。
e Wavelength Division Multiplexing）用の光フィルタ
を例に本発明の光通信用素子について説明する。誘電体
多層膜を用いた光フィルタは高屈折率層と低屈折率層と
を有し、これらの層を積層した構造を有している。これ
らの層を形成する方法としては、特に限定はなく従来公
知の方法、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーティング法、イオンビームアシスト法などを用
いることができる。この中でも生産性が高いことから真
空蒸着法が推奨される。真空蒸着は、真空中で蒸着材料
を加熱し、発生した蒸気を基体上に凝縮・付着させて薄
膜を形成する方法である。蒸着材料の加熱方法には、抵
抗加熱、外熱ルツボ、電子ビーム、高周波、レーザーな
どの各種方法がある。具体的な蒸着条件として、真空度
は１×１０-3〜５×１０-3Ｐａ程度である。蒸着中は真
空度が一定となるように電磁弁を制御して導入酸素量を
調整する。そして層厚モニターにより所定層厚となった
ところでシャターを閉じて蒸着を終了する。
【００３８】各膜厚としては特に限定はないが、光学的
膜厚が波長の１／４とするのが基本であって、一般的に
１μｍ程度までである。また、総層数は一般的に１００
層を超える。用いる膜材料としては例えば、誘電体や半
導体、金属であって、この中でも誘電体が特に好まし
い。
膜厚が波長の１／４とするのが基本であって、一般的に
１μｍ程度までである。また、総層数は一般的に１００
層を超える。用いる膜材料としては例えば、誘電体や半
導体、金属であって、この中でも誘電体が特に好まし
い。
【００３９】以上、本発明の光通信用素子の一実施態様
としてＤＷＤＭ用の光フィルタについて説明したが、本
発明の光通信用素子はこれに限定されるものではなく、
前記ガラス基板を用いた光スイッチ、合分波素子なども
本発明の光通信用素子にもちろん含まれる。
としてＤＷＤＭ用の光フィルタについて説明したが、本
発明の光通信用素子はこれに限定されるものではなく、
前記ガラス基板を用いた光スイッチ、合分波素子なども
本発明の光通信用素子にもちろん含まれる。
【００４０】
【実施例】実施例１〜２０，比較例１〜１５ 定められた量の原料粉末をるつぼに秤量して入れ、混合
したのち、電気炉中で１，５５０℃で溶解した。原料が
充分に溶解したのち、撹拌羽をガラス融液に挿入し、約
１時間撹拌した。その後、撹拌羽を取り出し、３０分間
静置したのち、治具に融液を流しこむことによってガラ
スブロックを得た。その後各ガラスのガラス転移点付近
までガラスブロックを再加熱し、徐冷して歪取りを行っ
た。得られたガラスブロックを約１.５ｍｍの厚さの円
盤形状にスライスし、内周，外周を同心円としてカッタ
ーを用いて切り出した。そして、両面を粗研磨及びポリ
ッシングを行って実施例及び比較例のガラス基板を作製
した。作製したガラス基板について下記特性評価を行っ
た。なお比較例１５のガラス基板については化学強化処
理を行った。結果を合わせて表１、表２、表３に示す。
したのち、電気炉中で１，５５０℃で溶解した。原料が
充分に溶解したのち、撹拌羽をガラス融液に挿入し、約
１時間撹拌した。その後、撹拌羽を取り出し、３０分間
静置したのち、治具に融液を流しこむことによってガラ
スブロックを得た。その後各ガラスのガラス転移点付近
までガラスブロックを再加熱し、徐冷して歪取りを行っ
た。得られたガラスブロックを約１.５ｍｍの厚さの円
盤形状にスライスし、内周，外周を同心円としてカッタ
ーを用いて切り出した。そして、両面を粗研磨及びポリ
ッシングを行って実施例及び比較例のガラス基板を作製
した。作製したガラス基板について下記特性評価を行っ
た。なお比較例１５のガラス基板については化学強化処
理を行った。結果を合わせて表１、表２、表３に示す。
【００４１】（比重）エタノールを浸液とするアルキメ
デス法により測定した。
デス法により測定した。
【００４２】（ヤング率）および（比弾性率） ＪＩＳ Ｒ １６０２ ファインセラミックスの弾性試験
方法の動的弾性率試験方法に準じて測定した。また比弾
性率はヤング率を比重で割ることにより算出した。
方法の動的弾性率試験方法に準じて測定した。また比弾
性率はヤング率を比重で割ることにより算出した。
【００４３】（線熱膨張係数）示差膨張測定装置を用い
て、荷重：５ｇ、温度範囲：２５〜１００℃、昇温速
度：５℃／ｍｉｎの条件で測定した。
て、荷重：５ｇ、温度範囲：２５〜１００℃、昇温速
度：５℃／ｍｉｎの条件で測定した。
【００４４】（溶融性）溶融させたガラスを１，５５０
℃で２ｈ保持した後、熱した鉄板上に流し出し、溶融ガ
ラスの粘性の度合いを目視により観察し、粘性の低いも
のから順に「◎」、「○」、「×」で評価した。なお、
「×」は生産上支障が生じると考えられるものについて
のみ付した。
℃で２ｈ保持した後、熱した鉄板上に流し出し、溶融ガ
ラスの粘性の度合いを目視により観察し、粘性の低いも
のから順に「◎」、「○」、「×」で評価した。なお、
「×」は生産上支障が生じると考えられるものについて
のみ付した。
【００４５】（アルカリ溶出量）ガラス表面を＃６００
の研磨材で研磨し、予め表面を荒れた状態とした後、８
０℃の逆浸透膜水５０ｍｌ中に試料ガラスを２４ｈ浸漬
した後、ＩＣＰ発光分光分析装置で溶出液を分析しアル
カリ溶出量を算出した。
の研磨材で研磨し、予め表面を荒れた状態とした後、８
０℃の逆浸透膜水５０ｍｌ中に試料ガラスを２４ｈ浸漬
した後、ＩＣＰ発光分光分析装置で溶出液を分析しアル
カリ溶出量を算出した。
【００４６】
【表１】
【００４７】
【表２】
【００４８】表１及び表２によれば、実施例１〜２０の
ガラス基板では、ヤング率及び、値が高いほど振動に強
いとされる比弾性率は、いずれも実用上まったく問題の
ないレベルであった。また、線熱膨張係数は８０〜９１
×１０-7／℃の範囲と、従来のガラス基板に比べ大きい
値となった。さらに、アルカリ溶出量は１．５μｇ／ｃ
ｍ2以下と従来のガラス基板に比べ少なかった。一方、
ガラスの溶融性についても問題のないレベルであった。
ガラス基板では、ヤング率及び、値が高いほど振動に強
いとされる比弾性率は、いずれも実用上まったく問題の
ないレベルであった。また、線熱膨張係数は８０〜９１
×１０-7／℃の範囲と、従来のガラス基板に比べ大きい
値となった。さらに、アルカリ溶出量は１．５μｇ／ｃ
ｍ2以下と従来のガラス基板に比べ少なかった。一方、
ガラスの溶融性についても問題のないレベルであった。
【００４９】
【表３】
【００５０】表３によれば、比較例１のガラス基板で
は、ＳｉＯ2の含有量が５３．２％と少ないためガラス
の構造が軟弱となりアルカリ溶出量が増加した。一方、
ＳｉＯ 2の含有量が７７．１％と多い比較例２のガラス
基板では、ガラスの溶融性が悪くなると共に、化学的耐
久性を向上させるガラス成分の含有量が相対的に少なく
なるのでアルカリ溶出量が増加した。比較例３のガラス
基板では、ガラスの溶融性を改善し、化学的耐久性を向
上させるＢ2Ｏ3を含有しないので、アルカリ溶出量が多
かった。またＢ2Ｏ3を１１．３％と多く含有する比較例
４のガラス基板でも、同様にアルカリ溶出量が多かっ
た。Ａｌ2Ｏ3の含有量が０．８％と少ない比較例５のガ
ラス基板ではアルカリ溶出量が多かった。逆にＡｌ2Ｏ3
の含有量が１７．８％と多い比較例６のガラス基板で
は、アルカリ溶出量は他の比較例のものに比べて少なか
ったものの、ガラスの溶融性が悪かった。
は、ＳｉＯ2の含有量が５３．２％と少ないためガラス
の構造が軟弱となりアルカリ溶出量が増加した。一方、
ＳｉＯ 2の含有量が７７．１％と多い比較例２のガラス
基板では、ガラスの溶融性が悪くなると共に、化学的耐
久性を向上させるガラス成分の含有量が相対的に少なく
なるのでアルカリ溶出量が増加した。比較例３のガラス
基板では、ガラスの溶融性を改善し、化学的耐久性を向
上させるＢ2Ｏ3を含有しないので、アルカリ溶出量が多
かった。またＢ2Ｏ3を１１．３％と多く含有する比較例
４のガラス基板でも、同様にアルカリ溶出量が多かっ
た。Ａｌ2Ｏ3の含有量が０．８％と少ない比較例５のガ
ラス基板ではアルカリ溶出量が多かった。逆にＡｌ2Ｏ3
の含有量が１７．８％と多い比較例６のガラス基板で
は、アルカリ溶出量は他の比較例のものに比べて少なか
ったものの、ガラスの溶融性が悪かった。
【００５１】Ｌｉ2Ｏを含有しない比較例７のガラス基
板ではアルカリ溶出量が多くなる一方、Ｌｉ2Ｏを１
５．５％と多量に含有した比較例８のガラス基板では、
線熱膨張係数が充分には大きくならず、しかもアルカリ
溶出量が多かった。また、Ｌｉ 2Ｏを含有せず、且つＮ
ａ2Ｏを１７．０％と多量に含有した比較例９のガラス
基板では、アルカリ溶出量が多かった。さらにＫ2Ｏを
１３．４％と多量に含有した比較例１０ガラス基板では
線熱膨張係数が小さく、またアルカリ溶出量も多かっ
た。Ｌｉ2Ｏを含有せず、且つアルカリ金属酸化物の総
含有量が１４．０％と少ない比較例１１のガラス基板で
は、アルカリ溶出量が少なかったものの線熱膨張係数が
充分ではなく、またガラスの溶融性も悪かった。逆に、
アルカリ金属酸化物の総含有量が２５．５％と多かった
比較例１２のガラス基板では、アルカリ溶出量が多かっ
た。
板ではアルカリ溶出量が多くなる一方、Ｌｉ2Ｏを１
５．５％と多量に含有した比較例８のガラス基板では、
線熱膨張係数が充分には大きくならず、しかもアルカリ
溶出量が多かった。また、Ｌｉ 2Ｏを含有せず、且つＮ
ａ2Ｏを１７．０％と多量に含有した比較例９のガラス
基板では、アルカリ溶出量が多かった。さらにＫ2Ｏを
１３．４％と多量に含有した比較例１０ガラス基板では
線熱膨張係数が小さく、またアルカリ溶出量も多かっ
た。Ｌｉ2Ｏを含有せず、且つアルカリ金属酸化物の総
含有量が１４．０％と少ない比較例１１のガラス基板で
は、アルカリ溶出量が少なかったものの線熱膨張係数が
充分ではなく、またガラスの溶融性も悪かった。逆に、
アルカリ金属酸化物の総含有量が２５．５％と多かった
比較例１２のガラス基板では、アルカリ溶出量が多かっ
た。
【００５２】ＣａＯの含有量が６．４％と多い比較例１
３のガラス基板では、線熱膨張係数が小さく、またアル
カリ溶出量が多かった。Ｔａ2Ｏ5の含有量が３．０％と
多い比較例１４のガラス基板では、ガラスの溶融性が悪
くなるとともに、アルカリ溶出量が多かった。化学強化
した比較例１５のガラス基板ではアルカリ溶出量が多か
った。
３のガラス基板では、線熱膨張係数が小さく、またアル
カリ溶出量が多かった。Ｔａ2Ｏ5の含有量が３．０％と
多い比較例１４のガラス基板では、ガラスの溶融性が悪
くなるとともに、アルカリ溶出量が多かった。化学強化
した比較例１５のガラス基板ではアルカリ溶出量が多か
った。
【００５３】
【発明の効果】第１の発明に係るガラス基板は、線熱膨
張係数が高く、しかもアルカリ成分の溶出が少なく、低
コストで作製できる。
張係数が高く、しかもアルカリ成分の溶出が少なく、低
コストで作製できる。
【００５４】第２の発明に係るガラス基板では、特定の
ガラス組成を有する構成としたので、線熱膨張係数が高
く且つアルカリ成分の溶出は少なく、加えて作製コスト
を抑えることができる。
ガラス組成を有する構成としたので、線熱膨張係数が高
く且つアルカリ成分の溶出は少なく、加えて作製コスト
を抑えることができる。
【００５５】本発明に係る情報記録用媒体では、基板と
して前記ガラス基板を用いる構成としたので、耐久性に
優れ、高い記録密度が得られる。
して前記ガラス基板を用いる構成としたので、耐久性に
優れ、高い記録密度が得られる。
【００５６】また本発明に係る光通信用素子では、基板
として前記ガラス基板を用いる構成としたので、経時変
化が少なく、温度・湿度の変化による波長シフトを抑制
できる。
として前記ガラス基板を用いる構成としたので、経時変
化が少なく、温度・湿度の変化による波長シフトを抑制
できる。
【図１】 本発明の情報記録用媒体の一例を示す斜視図
である。
である。
１ ガラス基板 ２ 磁性膜 Ｄ 磁気ディスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G062 AA01 BB01 DA06 DA07 DB03 DB04 DC03 DD01 DE01 DF01 EA03 EA04 EB01 EB02 EB03 EB04 EC01 EC02 EC03 EC04 ED01 EE01 EE02 EE03 EF01 EG01 FA01 FB01 FC01 FD01 FE01 FF01 FG01 FH02 FH03 FJ01 FK01 FL01 GA01 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH05 HH07 HH09 HH10 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM04 MM27 NN29 NN34 5D006 CB04 DA03
Claims (5)
- 【請求項１】 線熱膨張係数が８０〜１２０×１０-7／
℃の範囲であり、アルカリ溶出量が０．７〜１．５μｇ
／ｃｍ2の範囲で、表面および内部の組成が均質である
ガラス基板。 - 【請求項２】 ｍｏｌ％で、 ＳｉＯ2：５５．０〜７５．０％、 Ｂ2Ｏ3： １．０〜１０．０％、 Ａｌ2Ｏ3：３．０〜１６．０％、 Ｌｉ2Ｏ：５．０〜１５．０％、 Ｎａ2Ｏ：１４．０％以下、 Ｋ2Ｏ：１２．０％以下、 Ｌｉ2Ｏ＋Ｎａ2Ｏ＋Ｋ2Ｏ：１６．０〜２５．０％、 ＣａＯ：６．０％以下 Ｔａ2Ｏ5：０．００１〜２．０％、 のガラス組成を有することを特徴とするガラス基板。
- 【請求項３】 線熱膨張係数が８０〜１２０×１０-7／
℃の範囲であり、アルカリ溶出量が１．５μｇ／ｃｍ2
以下である請求項２記載のガラス基板。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載のガラス
基板の表面に、直接又は他の層を介して情報記録層を形
成したことを特徴とする情報記録用媒体。 - 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかに記載のガラス
基板を基板として用いたことを特徴とする光通信用素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001138410A JP4442051B2 (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | ガラス基板およびこれを用いた情報記録用媒体、光通信用素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001138410A JP4442051B2 (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | ガラス基板およびこれを用いた情報記録用媒体、光通信用素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002338297A true JP2002338297A (ja) | 2002-11-27 |
| JP4442051B2 JP4442051B2 (ja) | 2010-03-31 |
Family
ID=18985353
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001138410A Expired - Fee Related JP4442051B2 (ja) | 2001-05-09 | 2001-05-09 | ガラス基板およびこれを用いた情報記録用媒体、光通信用素子 |
Country Status (1)
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|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003030816A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Fuji Electric Co Ltd | 情報記録媒体用基板および情報磁気記録媒体と、それらの製造方法 |
| JP2009280478A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-12-03 | Asahi Glass Co Ltd | 情報記録媒体基板用ガラス、磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスク |
| US11591255B2 (en) | 2018-05-22 | 2023-02-28 | Corning Incorporated | Low temperature moldable sheet forming glass compositions |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183644A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-28 | Hoya Corp | カラ−コントラストフイルタ−用ガラス |
| JPH09255354A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-09-30 | Asahi Glass Co Ltd | 基板用ガラス組成物 |
| JPH1029832A (ja) * | 1996-05-17 | 1998-02-03 | Ishizuka Glass Co Ltd | レーザーテクスチャ加工に適したガラス材料及びそれを用いた磁気ディスク用ガラス基板 |
| JP2000007374A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-11 | Nippon Electric Glass Co Ltd | リードスイッチ用赤外線吸収ガラス |
| JP2000236147A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-29 | Hoya Corp | ガラス基板およびその製造方法 |
| JP2000322731A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Ishizuka Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板 |
| JP2001019466A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-23 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板 |
| JP2001019479A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-23 | Minolta Co Ltd | ガラス組成 |
| JP2002167230A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-11 | Nippon Electric Glass Co Ltd | プレス成形用ガラス及び情報記録媒体用基板ガラス |
| JP2002211946A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-07-31 | Nippon Electric Glass Co Ltd | プレス成形用ガラス及び情報記録媒体用基板ガラス |
-
2001
- 2001-05-09 JP JP2001138410A patent/JP4442051B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6183644A (ja) * | 1984-09-28 | 1986-04-28 | Hoya Corp | カラ−コントラストフイルタ−用ガラス |
| JPH09255354A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-09-30 | Asahi Glass Co Ltd | 基板用ガラス組成物 |
| JPH1029832A (ja) * | 1996-05-17 | 1998-02-03 | Ishizuka Glass Co Ltd | レーザーテクスチャ加工に適したガラス材料及びそれを用いた磁気ディスク用ガラス基板 |
| JP2000007374A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-11 | Nippon Electric Glass Co Ltd | リードスイッチ用赤外線吸収ガラス |
| JP2000236147A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-29 | Hoya Corp | ガラス基板およびその製造方法 |
| JP2000322731A (ja) * | 1999-05-07 | 2000-11-24 | Ishizuka Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板 |
| JP2001019466A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-23 | Hitachi Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板 |
| JP2001019479A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-23 | Minolta Co Ltd | ガラス組成 |
| JP2002211946A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-07-31 | Nippon Electric Glass Co Ltd | プレス成形用ガラス及び情報記録媒体用基板ガラス |
| JP2002167230A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-11 | Nippon Electric Glass Co Ltd | プレス成形用ガラス及び情報記録媒体用基板ガラス |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003030816A (ja) * | 2001-07-11 | 2003-01-31 | Fuji Electric Co Ltd | 情報記録媒体用基板および情報磁気記録媒体と、それらの製造方法 |
| JP4643863B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2011-03-02 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 情報記録媒体用基板および情報磁気記録媒体と、それらの製造方法 |
| JP2009280478A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-12-03 | Asahi Glass Co Ltd | 情報記録媒体基板用ガラス、磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスク |
| US11591255B2 (en) | 2018-05-22 | 2023-02-28 | Corning Incorporated | Low temperature moldable sheet forming glass compositions |
| US11834368B2 (en) | 2018-05-22 | 2023-12-05 | Corning Incorporated | Low temperature moldable sheet forming glass compositions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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