JP2002329696A - Method and equipment for processing substrate - Google Patents
Method and equipment for processing substrateInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を回
転させつつ洗浄処理等の所定の処理を行う基板処理装置
および基板処理方法に関し、特に枚葉式の基板処理装置
および基板処理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like (hereinafter simply referred to as a "substrate"). More particularly, the present invention relates to a single-wafer-type substrate processing apparatus and a substrate processing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子製造の洗浄処理においては、
従来、バッチ式の基板処理装置が多用されている。この
バッチ式の基板処理装置においては、複数（たとえば１
００枚）の基板を１つの処理単位として所定の薬液ない
し純水を貯留する処理槽に浸漬して、所定の洗浄処理等
を行う。具体的には、複数の薬液をそれぞれ貯留する薬
液槽と純水を貯留する純水槽とを有する基板処理装置に
おいて、所定の処理シーケンスにしたがって複数の基板
がこれらの複数の薬液槽や純水槽に順次に浸漬され、所
望の洗浄処理が実施される。あるいは、単一の処理槽を
有する基板処理装置において、その単一の処理槽の中
で、所定の処理シーケンスにしたがってこれらの薬液や
純水を順次に切り替えて複数の基板に対して選択的に供
給することにより、所望の洗浄処理が実施される場合も
存在する。2. Description of the Related Art In a cleaning process for manufacturing a semiconductor device,
Conventionally, a batch type substrate processing apparatus has been frequently used. In this batch type substrate processing apparatus, a plurality (for example, 1
(00 sheets) as one processing unit is immersed in a processing tank for storing a predetermined chemical solution or pure water to perform a predetermined cleaning process or the like. Specifically, in a substrate processing apparatus having a chemical solution tank for storing a plurality of chemical solutions and a pure water tank for storing pure water, a plurality of substrates are stored in the plurality of chemical solution tanks and the pure water tank in accordance with a predetermined processing sequence. It is sequentially immersed and a desired cleaning process is performed. Alternatively, in a substrate processing apparatus having a single processing tank, these chemicals and pure water are sequentially switched in accordance with a predetermined processing sequence in the single processing tank to selectively apply to a plurality of substrates. There is a case where a desired cleaning process is performed by supplying.
【０００３】このようなバッチ式の基板処理装置を用い
た洗浄処理としては、たとえば、処理対象となる基板を
ＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水と水との混合液、
すなわちアンモニア過酸化水素水混合水溶液）やＳＣ２
（塩酸と過酸化水素水と水との混合液、すなわち塩酸過
酸化水素水混合水溶液）などの薬液に対して浸漬するこ
とにより、パーティクル、メタル汚染等を除去する洗浄
処理が存在する。また、このような浸漬処理を行うバッ
チ式の基板処理装置においては、各薬液の処理時間は一
般的に長く、たとえば、ＳＣ１やＳＣ２などの複数の薬
液のうち１つの薬液あたり１０分から２０分程度の比較
的長い時間にわたって浸漬することが行われる。ただ
し、このバッチ式の基板処理装置においては、複数の基
板が同時に処理されるため、１枚あたりの処理時間は、
同時に処理された基板の枚数で所要処理時間を割った値
となり比較的小さな値となる。したがって、生産性は比
較的高い。[0003] As a cleaning process using such a batch type substrate processing apparatus, for example, a substrate to be processed is SC1 (a mixed solution of ammonia water, hydrogen peroxide solution and water,
That is, a mixed aqueous solution of ammonia and hydrogen peroxide) or SC2
There is a cleaning treatment for removing particles, metal contamination, and the like by dipping in a chemical solution such as (a mixed solution of hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution, and water, that is, a mixed solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide solution). Further, in a batch type substrate processing apparatus that performs such immersion processing, the processing time of each chemical is generally long, for example, about 10 to 20 minutes per one of a plurality of chemicals such as SC1 and SC2. For a relatively long time. However, in this batch type substrate processing apparatus, since a plurality of substrates are processed simultaneously, the processing time per one substrate is
A value obtained by dividing the required processing time by the number of substrates processed at the same time is a relatively small value. Therefore, productivity is relatively high.
【０００４】一方、基板処理装置としては、複数の基板
をまとめて処理する上記のバッチ式の基板処理装置の
他、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置も存
在する。この枚葉式の基板処理装置は、処理の均一性、
パーティクルの低減、他の基板からのメタル汚染転写防
止などのプロセス性能の観点において、バッチ式の基板
処理装置と比較して多くの利点を有している。On the other hand, as the substrate processing apparatus, there is a single-wafer type substrate processing apparatus for processing substrates one by one in addition to the batch type substrate processing apparatus for processing a plurality of substrates collectively. This single-wafer-type substrate processing apparatus provides uniformity of processing,
In terms of process performance, such as reduction of particles and prevention of transfer of metal contamination from another substrate, there are many advantages as compared with a batch type substrate processing apparatus.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな枚葉式の基板処理装置においては、基板を１枚ずつ
処理するため、生産性が低くなってしまうという問題を
有している。たとえば、上記のパーティクルやメタル汚
染等を除去する洗浄処理を行うにあたって、上記のバッ
チ式の基板処理装置において用いられた処理と同様の薬
液処理等を枚葉式の基板処理装置において行う場合に
は、枚葉式の基板処理装置における１枚あたりの処理時
間は、バッチ式の基板処理装置における１枚あたりの処
理時間と比較すると、大幅に大きくなってしまうという
問題、すなわち、生産性が大幅に減少してしまうという
問題を有している。However, such a single-wafer-type substrate processing apparatus has a problem that the productivity is reduced because the substrates are processed one by one. For example, when performing the above-described cleaning treatment for removing particles, metal contamination, and the like, when performing a chemical solution treatment or the like in the single-wafer-type substrate processing apparatus similar to the processing used in the batch-type substrate processing apparatus, However, the processing time per substrate in a single-wafer type substrate processing apparatus is significantly increased as compared with the processing time per substrate in a batch-type substrate processing apparatus. There is a problem that it decreases.
【０００６】そこで、本発明は前記問題点に鑑み、薬液
による処理時間を短縮し生産性の低下を抑制しつつパー
ティクルを効率的に除去することが可能な基板処理方法
および基板処理装置を提供することを目的とする。In view of the above problems, the present invention provides a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of efficiently removing particles while reducing processing time with a chemical solution and suppressing a decrease in productivity. The purpose is to:
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板処理方法であって、(a)処
理対象となる基板を回転させつつ前記基板に対してアン
モニア過酸化水素水混合水溶液を吐出するステップと、
(b)前記ステップ(a)の前または後に、前記基板を回転さ
せつつ前記基板に対してフッ酸を吐出する吐出期間とそ
の後に前記基板を回転させつつ当該吐出を停止する停止
期間とを設けた単位動作を、少なくとも１回行うステッ
プと、を含むことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of processing a substrate, comprising the steps of: (a) rotating a substrate to be processed while ammonia ammonia is applied to the substrate; Discharging a hydrogen oxide water mixed aqueous solution,
(b) Before or after the step (a), a discharge period for discharging hydrofluoric acid to the substrate while rotating the substrate and a stop period for stopping the discharge while rotating the substrate after that are provided. Performing the unit operation at least once.
【０００８】請求項２の発明は、請求項１の発明に係る
基板処理方法において、前記ステップ(b)は、前記単位
動作を繰り返すことにより、前記基板を回転させつつ前
記基板に対してフッ酸を間欠的に複数回吐出するステッ
プであることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the first aspect of the present invention, in the step (b), the unit operation is repeated so that the substrate is hydrofluoric acid while rotating the substrate. Is discharged intermittently a plurality of times.
【０００９】請求項３の発明は、請求項１または請求項
２の発明に係る基板処理方法において、(c)前記ステッ
プ(a)と前記ステップ(b)とを繰り返すステップ、をさら
に含むことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the first or second aspect of the present invention, the method further comprises the step of (c) repeating the steps (a) and (b). Features.
【００１０】請求項４の発明は、請求項１ないし請求項
３のいずれかの発明に係る基板処理方法において、(d)
前記基板に対する純水リンス処理を行うステップ、をさ
らに含むことを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to any one of the first to third aspects, (d)
Performing a pure water rinsing process on the substrate.
【００１１】請求項５の発明は、請求項１ないし請求項
４のいずれかの発明に係る基板処理方法において、(e)
前記基板に対するスピンドライ処理を行うステップ、を
さらに含むことを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method according to any one of the first to fourth aspects, wherein (e)
Performing a spin dry process on the substrate.
【００１２】請求項６の発明は、請求項１ないし請求項
５のいずれかに記載の基板処理方法において、(f)前記
ステップ(a)と前記ステップ(b)との間に前記基板に対す
る純水リンス処理を行うステップ、をさらに含むことを
特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing method according to any one of the first to fifth aspects, wherein (f) the step (a) is performed between the step (a) and the step (b). Performing a water rinsing process.
【００１３】請求項７の発明は、基板処理方法であっ
て、(a)処理対象となる基板を回転させつつ前記基板に
対して塩酸過酸化水素水混合水溶液を吐出するステップ
と、(b)前記ステップ(a)の前または後に、前記基板を回
転させつつ前記基板に対してフッ酸を吐出する吐出期間
とその後に前記基板を回転させつつ当該吐出を停止する
停止期間とを設けた単位動作を、少なくとも１回行うス
テップと、を含むことを特徴とする。A seventh aspect of the present invention is a substrate processing method, comprising: (a) discharging a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide to the substrate while rotating the substrate to be processed; (b) Before or after the step (a), a unit operation having a discharge period for discharging hydrofluoric acid to the substrate while rotating the substrate and a stop period for stopping the discharge while rotating the substrate after that Is performed at least once.
【００１４】請求項８の発明は、請求項７の発明に係る
基板処理方法において、前記ステップ(b)は、前記単位
動作を繰り返すことにより、前記基板を回転させつつ前
記基板に対してフッ酸を間欠的に複数回吐出するステッ
プであることを特徴とする。According to an eighth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the seventh aspect of the present invention, in the step (b), the unit operation is repeated so that the substrate is rotated while rotating the substrate with hydrofluoric acid. Is discharged intermittently a plurality of times.
【００１５】請求項９の発明は、請求項７または請求項
８の発明に係る基板処理方法において、(c)前記ステッ
プ(a)と前記ステップ(b)とを繰り返すステップ、をさら
に含むことを特徴とする。According to a ninth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the seventh or eighth aspect, the method further comprises (c) repeating the steps (a) and (b). Features.
【００１６】請求項１０の発明は、請求項７ないし請求
項９のいずれかの発明に係る基板処理方法において、
(d)前記基板に対する純水リンス処理を行うステップ、
をさらに含むことを特徴とする。According to a tenth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to any one of the seventh to ninth aspects,
(d) performing a pure water rinsing process on the substrate,
Is further included.
【００１７】請求項１１の発明は、請求項７ないし請求
項１０のいずれかの発明に係る基板処理方法において、
(e)前記基板に対するスピンドライ処理を行うステッ
プ、をさらに含むことを特徴とする。According to an eleventh aspect of the present invention, in the substrate processing method according to any one of the seventh to tenth aspects,
(e) performing a spin dry process on the substrate.
【００１８】請求項１２の発明は、請求項７ないし請求
項１１のいずれかに記載の基板処理方法において、(f)
前記ステップ(a)と前記ステップ(b)との間に前記基板に
対する純水リンス処理を行うステップ、をさらに含むこ
とを特徴とする。According to a twelfth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to any one of the seventh to eleventh aspects, (f)
Performing a pure water rinsing process on the substrate between the step (a) and the step (b).
【００１９】請求項１３の発明は、回転基台上に保持さ
れた基板を水平面内にて回転させつつ所定の処理を行う
基板処理装置であって、基板を略鉛直方向に沿った軸を
中心として回転させる回転手段と、前記基板に対してア
ンモニア過酸化水素水混合水溶液およびフッ酸を選択的
に吐出する吐出手段と、前記回転手段および前記吐出手
段を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、
(a)前記基板を回転させつつ前記基板に対してアンモニ
ア過酸化水素水混合水溶液を吐出する期間と、(b)前記
基板を回転させつつ前記基板に対してフッ酸を吐出し、
その直後に前記基板を回転させつつ前記基板に対するフ
ッ酸の吐出を停止状態に維持する期間と、が設けられる
ように、前記回転手段および前記吐出手段を制御するこ
とを特徴とする。According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a predetermined process while rotating a substrate held on a rotating base in a horizontal plane, wherein the substrate is centered on an axis substantially along a vertical direction. Rotating means for rotating, a discharging means for selectively discharging an aqueous solution of mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide and hydrofluoric acid to the substrate, and a control means for controlling the rotating means and the discharging means, The control means
(A) period of discharging the aqueous solution of aqueous ammonia and hydrogen peroxide to the substrate while rotating the substrate, (b) discharging hydrofluoric acid to the substrate while rotating the substrate,
Immediately thereafter, the rotation unit and the discharge unit are controlled so that a period during which the discharge of hydrofluoric acid to the substrate is maintained in a stopped state while rotating the substrate is provided.
【００２０】請求項１４の発明は、回転基台上に保持さ
れた基板を水平面内にて回転させつつ所定の処理を行う
基板処理装置であって、基板を略鉛直方向に沿った軸を
中心として回転させる回転手段と、前記基板に対して塩
酸過酸化水素水混合水溶液およびフッ酸を選択的に吐出
する吐出手段と、前記回転手段および前記吐出手段を制
御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、(a)前記
基板を回転させつつ前記基板に対して塩酸過酸化水素水
混合水溶液を吐出する期間と、(b)前記基板を回転させ
つつ前記基板に対してフッ酸を吐出し、その直後に前記
基板を回転させつつ前記基板に対するフッ酸の吐出を停
止状態に維持する期間と、が設けられるように、前記回
転手段および前記吐出手段を制御することを特徴とす
る。According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a predetermined process while rotating a substrate held on a rotating base in a horizontal plane, wherein the substrate is centered on an axis substantially along a vertical direction. Rotating means for rotating as a, a discharging means for selectively discharging a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide and hydrofluoric acid to the substrate, and a control means for controlling the rotating means and the discharging means, comprising: The control means includes (a) a period during which the aqueous solution of hydrochloric acid / hydrogen peroxide mixture is discharged to the substrate while rotating the substrate, and (b) a period during which hydrofluoric acid is discharged to the substrate while rotating the substrate. The rotation unit and the discharge unit are controlled so that a period during which the discharge of the hydrofluoric acid to the substrate is maintained in a stopped state while the substrate is rotated is provided immediately thereafter.
【００２１】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２２】＜Ａ１．構成＞図１は、本発明にかかる基
板処理装置１の構成を示す縦断面図である。この基板処
理装置１は、基板Ｗに対する洗浄処理を行う枚葉式の基
板処理装置であって、主として基板Ｗを保持するスピン
ベース１０と、スピンベース１０上に設けられた複数の
チャックピン１４と、スピンベース１０を回転させる電
動モータ２０と、スピンベース１０に対向して設けられ
た雰囲気遮断板３０と、スピンベース１０に保持された
基板Ｗの周囲を取り囲むスプラッシュガード５０と、ス
ピンベース１０上に保持された基板Ｗに処理液や不活性
ガスを供給する機構と、雰囲気遮断板３０およびスプラ
ッシュガード５０を昇降させる機構とを備えている。<A1. Configuration> FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing the configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer-type substrate processing apparatus that performs a cleaning process on a substrate W. The substrate processing apparatus 1 mainly includes a spin base 10 that holds the substrate W, and a plurality of chuck pins 14 provided on the spin base 10. An electric motor 20 for rotating the spin base 10, an atmosphere blocking plate 30 provided to face the spin base 10, a splash guard 50 surrounding the periphery of the substrate W held by the spin base 10, A mechanism for supplying a processing liquid or an inert gas to the substrate W held in the apparatus, and a mechanism for moving the atmosphere blocking plate 30 and the splash guard 50 up and down.
【００２３】基板Ｗは、スピンベース１０上に略水平姿
勢にて保持されている。スピンベース１０は中心部に開
口を有する円盤状の部材であって、その上面にはそれぞ
れが円形の基板Ｗの周縁部を把持する複数のチャックピ
ン１４が立設されている。The substrate W is held on the spin base 10 in a substantially horizontal posture. The spin base 10 is a disk-shaped member having an opening at the center, and a plurality of chuck pins 14 for holding the peripheral portion of the circular substrate W are provided upright on the upper surface thereof.
【００２４】チャックピン１４は円形の基板Ｗを確実に
保持するために３個以上設けてあれば良く、この実施形
態に係る洗浄処理を行う基板処理装置においては、３個
のチャックピン１４がスピンベース１０の周縁に沿って
等間隔（１２０°間隔）に立設されている。なお、図１
では図示の便宜上、２個のチャックピン１４を示してい
る（以降の各図においても同様）。It is sufficient that three or more chuck pins 14 are provided in order to securely hold the circular substrate W. In the substrate processing apparatus for performing a cleaning process according to this embodiment, three chuck pins 14 It stands up at equal intervals (120 ° intervals) along the periphery of the base 10. FIG.
Here, for convenience of illustration, two chuck pins 14 are shown (the same applies to the following drawings).
【００２５】３個のチャックピン１４のそれぞれは、基
板Ｗの周縁部を下方から支持する基板支持部１４ａと基
板支持部１４ａに支持された基板Ｗの外周端面を押圧し
て基板Ｗを保持する基板保持部１４ｂとを備えている。
各チャックピン１４は、基板保持部１４ｂが基板Ｗの外
周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部１４ｂが基板
Ｗの外周端面から離れる開放状態との間で切り換え可能
に構成されている。３個のチャックピン１４の押圧状態
と開放状態との切り換えは、種々の公知の機構によって
実現することが可能であり、例えば特公平３−９６０７
号公報に開示されたリンク機構等を用いれば良い。Each of the three chuck pins 14 holds the substrate W by pressing the substrate supporting portion 14a for supporting the peripheral portion of the substrate W from below and the outer peripheral end surface of the substrate W supported by the substrate supporting portion 14a. And a substrate holder 14b.
Each of the chuck pins 14 is configured to be switchable between a pressing state in which the substrate holding unit 14b presses the outer peripheral end surface of the substrate W and an open state in which the substrate holding unit 14b separates from the outer peripheral end surface of the substrate W. Switching between the pressed state and the opened state of the three chuck pins 14 can be realized by various known mechanisms, for example, Japanese Patent Publication No. 3-96007.
A link mechanism or the like disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-206 may be used.
【００２６】スピンベース１０に基板Ｗを渡すときおよ
びスピンベース１０から基板Ｗを受け取るときには、３
個のチャックピン１４を開放状態にする。一方、基板Ｗ
に対して後述の諸処理を行うときには、３個のチャック
ピン１４を押圧状態とする。押圧状態とすることによっ
て、３個のチャックピン１４は基板Ｗの周縁部を把持し
てその基板Ｗをスピンベース１０から所定間隔を隔てて
水平姿勢にて保持する。基板Ｗは、その表面を上面側に
向け、裏面を下面側に向けた状態にて保持される。When transferring the substrate W to the spin base 10 and receiving the substrate W from the spin base 10,
The chuck pins 14 are set in an open state. On the other hand, the substrate W
When performing various processes described below, the three chuck pins 14 are in a pressed state. In the pressed state, the three chuck pins 14 hold the peripheral edge of the substrate W and hold the substrate W in a horizontal posture at a predetermined interval from the spin base 10. The substrate W is held with its front surface facing the upper surface and its rear surface facing the lower surface.
【００２７】スピンベース１０の中心部下面側には回転
軸１１が垂設されている。回転軸１１は中空の円筒状部
材であって、その内側の中空部分には下側処理液ノズル
１５が挿設されている。回転軸１１の下端付近には、ベ
ルト駆動機構２１を介して電動モータ２０が連動連結さ
れている。すなわち、回転軸１１の外周に固設された従
動プーリ２１ａと電動モータ２０の回転軸に連結された
主動プーリ２１ｂとの間にベルト２１ｃが巻き掛けられ
ている。電動モータ２０が駆動すると、その駆動力はベ
ルト駆動機構２１を介して回転軸１１に伝達され、回転
軸１１、スピンベース１０とともにチャックピン１４に
保持された基板Ｗが水平面内にて鉛直方向に沿った軸Ｊ
を中心として回転される。On the lower surface of the center of the spin base 10, a rotating shaft 11 is vertically provided. The rotating shaft 11 is a hollow cylindrical member, and a lower processing liquid nozzle 15 is inserted into a hollow portion inside the rotating shaft 11. An electric motor 20 is interlockingly connected to a lower end of the rotating shaft 11 via a belt driving mechanism 21. That is, the belt 21c is wound around the driven pulley 21a fixedly provided on the outer periphery of the rotating shaft 11 and the driven pulley 21b connected to the rotating shaft of the electric motor 20. When the electric motor 20 is driven, the driving force is transmitted to the rotating shaft 11 via the belt driving mechanism 21, and the substrate W held by the chuck pins 14 together with the rotating shaft 11 and the spin base 10 is moved vertically in a horizontal plane. Axis J along
Is rotated around.
【００２８】以上の回転軸１１、ベルト駆動機構２１、
電動モータ２０等は、ベース部材２４上に設けられた円
筒状のケーシング２５内に収容されている。The rotation shaft 11, the belt driving mechanism 21,
The electric motor 20 and the like are housed in a cylindrical casing 25 provided on the base member 24.
【００２９】また、雰囲気遮断板３０の中心部上面側に
は回転軸３５が垂設されている。回転軸３５は中空の円
筒状部材であって、その内側の中空部分には上側処理液
ノズル３６が挿設されている。回転軸３５は、支持アー
ム４０にベアリングを介して回転自在に支持されている
とともに、ベルト駆動機構４１を介して電動モータ４２
に連動連結されている。すなわち、回転軸３５の外周に
固設された従動プーリ４１ａと電動モータ４２の回転軸
に連結された主動プーリ４１ｂとの間にベルト４１ｃが
巻き掛けられている。電動モータ４２が駆動すると、そ
の駆動力はベルト駆動機構４１を介して回転軸３５に伝
達され、回転軸３５および雰囲気遮断板３０が水平面内
にて鉛直方向に沿った軸Ｊを中心として回転される。従
って、雰囲気遮断板３０は基板Ｗとほぼ平行かつ同軸に
回転されることとなる。また、雰囲気遮断板３０は基板
Ｗとほぼ同じ回転数にて回転される。なお、ベルト駆動
機構４１、電動モータ４２等はいずれも支持アーム４０
内に収容されている。A rotating shaft 35 is provided vertically on the upper surface of the central portion of the atmosphere shielding plate 30. The rotation shaft 35 is a hollow cylindrical member, and an upper processing liquid nozzle 36 is inserted into a hollow portion inside the rotation shaft 35. The rotating shaft 35 is rotatably supported by a support arm 40 via a bearing, and an electric motor 42 via a belt driving mechanism 41.
It is linked and linked. That is, the belt 41c is wound around the driven pulley 41a fixedly provided on the outer periphery of the rotating shaft 35 and the driven pulley 41b connected to the rotating shaft of the electric motor 42. When the electric motor 42 is driven, the driving force is transmitted to the rotating shaft 35 via the belt driving mechanism 41, and the rotating shaft 35 and the atmosphere shielding plate 30 are rotated about a vertical axis J in a horizontal plane. You. Therefore, the atmosphere shielding plate 30 is rotated substantially parallel and coaxially with the substrate W. Further, the atmosphere shielding plate 30 is rotated at substantially the same rotation speed as the substrate W. Note that the belt driving mechanism 41, the electric motor 42, and the like
Housed within.
【００３０】上側処理液ノズル３６は回転軸３５を貫通
しており、その先端部３６ａはチャックピン１４に保持
された基板Ｗの中心部直上に位置する。また、上側処理
液ノズル３６の基端部は処理液配管３７に連通接続され
ている。処理液配管３７の基端部は分岐されていて、１
つの分岐配管３７ａには純水供給源１７ａが連通接続さ
れ、別の分岐配管３７ｂには薬液供給源１７ｂが連通接
続され、さらに別の分岐配管３７ｃには薬液供給源１７
ｃが連通接続されている。この実施形態では、薬液供給
源１７ｂはフッ酸の供給源であり、かつ、薬液供給源１
７ｃはＳＣ１（アンモニア水と過酸化水素水と水との混
合液、すなわちアンモニア過酸化水素水混合水溶液）の
供給源であるものとする。また、分岐配管３７ａ，３７
ｂ，３７ｃにはそれぞれバルブ３８ａ，３８ｂ，３８ｃ
が設けられている。これらバルブ３８ａ，３８ｂ，３８
ｃの開閉を切り換えることによって、上側処理液ノズル
３６の先端部３６ａからチャックピン１４に保持された
基板Ｗの上面の中心部付近に薬液（フッ酸、ＳＣ１）お
よび純水を選択的に切り換えて吐出・供給することがで
きる。すなわち、バルブ３８ａを開放してバルブ３８
ｂ，３７ｃを閉鎖することにより上側処理液ノズル３６
から純水を供給することができ、バルブ３８ｂを開放し
てバルブ３８ａ，３７ｃを閉鎖することにより上側処理
液ノズル３６からフッ酸を供給することができ、バルブ
３８ｃを開放してバルブ３８ｂ，３７ｃを閉鎖すること
により上側処理液ノズル３６からＳＣ１を供給すること
ができる。The upper processing liquid nozzle 36 penetrates the rotating shaft 35, and its tip 36 a is located immediately above the center of the substrate W held by the chuck pins 14. The base end of the upper processing liquid nozzle 36 is connected to a processing liquid pipe 37. The base end of the processing liquid pipe 37 is branched,
One branch pipe 37a is connected to a pure water supply source 17a, another branch pipe 37b is connected to a chemical liquid supply source 17b, and another branch pipe 37c is connected to a chemical liquid supply source 17a.
c is connected in communication. In this embodiment, the chemical supply source 17b is a supply source of hydrofluoric acid, and the chemical supply source 1b.
7c is a supply source of SC1 (a mixed solution of ammonia water, hydrogen peroxide solution, and water, that is, an aqueous solution of ammonia hydrogen peroxide solution). Also, the branch pipes 37a, 37
b and 37c have valves 38a, 38b and 38c, respectively.
Is provided. These valves 38a, 38b, 38
By switching the opening and closing of c, the chemical solution (hydrofluoric acid, SC1) and pure water are selectively switched from the distal end portion 36a of the upper processing liquid nozzle 36 to the vicinity of the center of the upper surface of the substrate W held by the chuck pins 14. Can be ejected and supplied. That is, the valve 38a is opened and the valve 38a is opened.
b, 37c to close the upper processing solution nozzle 36.
From the upper processing liquid nozzle 36 by opening the valve 38b and closing the valves 38a and 37c, and opening the valve 38c to open the valves 38b and 37c. Is closed, SC1 can be supplied from the upper processing liquid nozzle 36.
【００３１】また、回転軸３５の中空部分の内壁および
雰囲気遮断板３０の中心の開口の内壁と上側処理液ノズ
ル３６の外壁との間の隙間は、気体供給路４５となって
いる。この気体供給路４５の先端部４５ａはチャックピ
ン１４に保持された基板Ｗの上面中心部に向けられてい
る。そして、気体供給路４５の基端部はガス配管４６に
連通接続されている。ガス配管４６は不活性ガス供給源
２３に連通接続され、ガス配管４６の経路途中にはバル
ブ４７が設けられている。バルブ４７を開放することに
よって、気体供給路４５の先端部４５ａからチャックピ
ン１４に保持された基板Ｗの上面の中心部に向けて不活
性ガス（ここでは窒素ガス）を供給することができる。A gap between the inner wall of the hollow portion of the rotating shaft 35 and the inner wall of the opening at the center of the atmosphere shielding plate 30 and the outer wall of the upper processing liquid nozzle 36 is a gas supply passage 45. The distal end 45 a of the gas supply passage 45 is directed toward the center of the upper surface of the substrate W held by the chuck pins 14. The base end of the gas supply passage 45 is connected to a gas pipe 46. The gas pipe 46 is connected in communication with the inert gas supply source 23, and a valve 47 is provided in the middle of the gas pipe 46. By opening the valve 47, an inert gas (here, nitrogen gas) can be supplied from the front end portion 45a of the gas supply path 45 toward the center of the upper surface of the substrate W held by the chuck pins 14.
【００３２】さらに、支持アーム４０は、アーム昇降機
構４９によって昇降自在とされている。アーム昇降機構
４９としては、ボールネジを用いた送りネジ機構やエア
シリンダを用いた機構等、公知の種々の機構を採用する
ことができる。アーム昇降機構４９は、支持アーム４０
を昇降させることによって、それに連結された回転軸３
５および雰囲気遮断板３０を昇降させる。より具体的に
は、アーム昇降機構４９は、チャックピン１４に保持さ
れた基板Ｗの上面に近接する位置と、基板Ｗの上面から
大きく上方に離間した位置との間で雰囲気遮断板３０を
昇降させる。Further, the support arm 40 can be moved up and down by an arm elevating mechanism 49. As the arm elevating mechanism 49, various known mechanisms such as a feed screw mechanism using a ball screw and a mechanism using an air cylinder can be adopted. The arm lifting / lowering mechanism 49 includes the support arm 40
, The rotating shaft 3 connected thereto is raised and lowered.
5 and the atmosphere blocking plate 30 are raised and lowered. More specifically, the arm elevating mechanism 49 raises and lowers the atmosphere blocking plate 30 between a position close to the upper surface of the substrate W held by the chuck pins 14 and a position largely separated from the upper surface of the substrate W. Let it.
【００３３】また、ベース部材２４上のケーシング２５
の周囲には受け部材２６が固定的に取り付けられてい
る。受け部材２６には、円筒状の仕切り部材２７ａ，２
７ｂが立設されている。ケーシング２５の外壁と仕切り
部材２７ａの内壁との間の空間が第１排液槽２８を形成
し、仕切り部材２７ａの外壁と仕切り部材２７ｂの内壁
との間の空間が第２排液槽２９を形成している。The casing 25 on the base member 24
A receiving member 26 is fixedly attached to the periphery of the device. The receiving member 26 includes a cylindrical partition member 27a, 2
7b is provided upright. The space between the outer wall of the casing 25 and the inner wall of the partition member 27a forms a first drain tank 28, and the space between the outer wall of the partition member 27a and the inner wall of the partition member 27b defines the second drain tank 29. Has formed.
【００３４】第１排液槽２８の底部には廃棄ドレイン２
８ｂに連通接続された排出口２８ａが設けられている。
第１排液槽２８の排出口２８ａからは使用済みの純水お
よび気体が廃棄ドレイン２８ｂへと排出される。廃棄ド
レイン２８ｂに排出された純水および気体は気液分離さ
れた後、それぞれ所定の手順に従って廃棄される。A waste drain 2 is provided at the bottom of the first drain tank 28.
An outlet 28a is provided which is connected to the outlet 8b.
From the outlet 28a of the first drain tank 28, used pure water and gas are discharged to the waste drain 28b. The pure water and the gas discharged to the waste drain 28b are gas-liquid separated and then respectively discarded according to a predetermined procedure.
【００３５】第２排液槽２９の底部には回収ドレイン２
９ｂに連通接続された排液口２９ａが設けられている。
第２排液槽２９の排液口２９ａからは使用済みの薬液が
回収ドレイン２９ｂへと排出される。回収ドレイン２９
ｂに排出された薬液は図外の回収タンクによって回収さ
れ、その回収された薬液が回収タンクから薬液供給源１
７ｂ（または１７ｃ）に供給されることにより、薬液が
循環再利用されるようになっている。At the bottom of the second drainage tank 29, a drain 2 is provided.
A drain port 29a is provided in communication with 9b.
The used chemical solution is discharged from the drain port 29a of the second drain tank 29 to the collection drain 29b. Collection drain 29
b is collected by a collection tank (not shown), and the collected chemical is supplied from the collection tank to the chemical supply source 1.
By being supplied to 7b (or 17c), the chemical solution is circulated and reused.
【００３６】さらに、受け部材２６の上方にはスプラッ
シュガード５０が設けられている。スプラッシュガード
５０は、筒状の部材であって、スピンベース１０および
それに保持された基板Ｗの周囲を取り囲むように配置さ
れている。スプラッシュガード５０には断面”く”の字
形状の第１案内部５１および断面円弧形状の第２案内部
５２が形成されるとともに、円環状の溝５３ａ，５３ｂ
が刻設されている。Further, a splash guard 50 is provided above the receiving member 26. The splash guard 50 is a cylindrical member, and is arranged so as to surround the spin base 10 and the substrate W held by the spin base. The splash guard 50 has a first guide portion 51 having a U-shaped cross section and a second guide portion 52 having an arc-shaped cross section, and annular grooves 53a, 53b.
Is engraved.
【００３７】また、スプラッシュガード５０は、リンク
部材５６を介してガード昇降機構５５と連結されてお
り、ガード昇降機構５５によって昇降自在とされてい
る。ガード昇降機構５５としては、ボールネジを用いた
送りネジ機構やエアシリンダを用いた機構等、公知の種
々の機構を採用することができる。ガード昇降機構５５
がスプラッシュガード５０を下降させているときには、
仕切り部材２７ａ，２７ｂがそれぞれ溝５３ａ，５３ｂ
に遊嵌するとともに、スピンベース１０およびそれに保
持された基板Ｗの周囲に第１案内部５１が位置する（図
１の状態）。この状態は後述するリンス処理時の状態で
あり、図２に示すように、回転する基板Ｗ等から飛散し
た純水は第１案内部５１によって受け止められ、その傾
斜に沿って第１排液槽２８に流れ込み、排出口２８ａか
ら廃棄ドレイン２８ｂへと排出される。The splash guard 50 is connected to a guard elevating mechanism 55 via a link member 56, and can be moved up and down by the guard elevating mechanism 55. As the guard raising / lowering mechanism 55, various known mechanisms such as a feed screw mechanism using a ball screw and a mechanism using an air cylinder can be adopted. Guard lifting mechanism 55
Is lowering the splash guard 50,
The partition members 27a and 27b are respectively provided with grooves 53a and 53b.
And the first guide portion 51 is positioned around the spin base 10 and the substrate W held by the spin base 10 (the state of FIG. 1). This state is a state at the time of a rinsing process described later. As shown in FIG. 2, pure water scattered from the rotating substrate W or the like is received by the first guide portion 51, and the first drainage tank follows the inclination thereof. 28, and is discharged from a discharge port 28a to a waste drain 28b.
【００３８】一方、ガード昇降機構５５がスプラッシュ
ガード５０を上昇させているときには、仕切り部材２７
ａ，２７ｂがそれぞれ溝５３ａ，５３ｂから離間すると
ともに、スピンベース１０およびそれに保持された基板
Ｗの周囲に第２案内部５２が位置することとなる。この
状態は薬液を用いた洗浄処理時の状態であり、図３に示
すように、回転する基板Ｗ等から飛散した薬液は第２案
内部５２によって受け止められ、その曲面に沿って第２
排液槽２９に流れ込み、排液口２９ａから回収ドレイン
２９ｂへと排出される。On the other hand, when the guard elevating mechanism 55 raises the splash guard 50, the partition member 27
a and 27b are separated from the grooves 53a and 53b, respectively, and the second guide portion 52 is positioned around the spin base 10 and the substrate W held thereon. This state is a state at the time of the cleaning process using the chemical solution, and as shown in FIG. 3, the chemical solution scattered from the rotating substrate W or the like is received by the second guide portion 52, and the second guide portion 52 is formed along the curved surface.
The liquid flows into the drainage tank 29 and is discharged from the drainage port 29a to the collection drain 29b.
【００３９】さらに、この基板処理装置１は、分岐配管
１６ａ，１６ｂ，１６ｃ、およびバルブ１２ａ，１２
ｂ，１２ｃなどを有しており、基板Ｗの裏面側に下側処
理液ノズル１５を介して純水や薬液を選択的に供給する
ことができる。また、基板処理装置１は、バルブ１３、
ガス配管２２、気体供給路１９を有しており、気体供給
路１９の先端部１９ａから基板Ｗの裏面側に対して不活
性ガス（ここでは窒素ガス）を供給することが可能であ
る。Further, the substrate processing apparatus 1 includes branch pipes 16a, 16b, 16c and valves 12a, 12b.
b, 12c, and the like, and can selectively supply pure water or a chemical solution to the rear surface side of the substrate W via the lower processing liquid nozzle 15. The substrate processing apparatus 1 includes a valve 13,
It has a gas pipe 22 and a gas supply path 19, and is capable of supplying an inert gas (here, nitrogen gas) to the back surface side of the substrate W from the tip 19 a of the gas supply path 19.
【００４０】また、基板処理装置１は、制御部９０を備
えている。この制御部９０は、電動モータ２０によるス
ピンベース１０の回転動作、および各バルブ３７ａ，３
７ｂ，３７ｃ，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３等の開閉
によるＳＣ１、ＨＦ（フッ酸）、純水、不活性ガス等の
吐出動作等を制御する。The substrate processing apparatus 1 includes a control unit 90. The control unit 90 controls the rotation operation of the spin base 10 by the electric motor 20 and the valves 37a, 3
The discharge operation of SC1, HF (hydrofluoric acid), pure water, inert gas, and the like by opening and closing 7b, 37c, 12a, 12b, 12c, 13 and the like is controlled.
【００４１】＜Ａ２．動作＞つぎに、この基板処理装置
における処理手順について説明する。<A2. Operation> Next, a processing procedure in the substrate processing apparatus will be described.
【００４２】後述する各種の処理に先立って、図示を省
略する搬送ロボットによって未処理の基板Ｗがスピンベ
ース１０に渡される。この搬送処理は、スプラッシュガ
ード５０を若干下降させることによって、スピンベース
１０をスプラッシュガード５０から突き出させるととも
に、雰囲気遮断板３０を大きく上昇させてスピンベース
１０から大幅に離間させた状態で行われる。そして、３
個のチャックピン１４は基板Ｗの周縁部を把持する。こ
れにより基板Ｗは水平姿勢にて保持される。Prior to various processes described below, an unprocessed substrate W is transferred to the spin base 10 by a transfer robot (not shown). This transfer process is performed in a state where the splash base 50 is slightly lowered to cause the spin base 10 to protrude from the splash guard 50, and the atmosphere blocking plate 30 is largely raised to be largely separated from the spin base 10. And 3
The chuck pins 14 grip the peripheral portion of the substrate W. Thereby, the substrate W is held in a horizontal posture.
【００４３】その後、各種の処理が行われる。ここでは
まず、図４のフローチャートに示すような処理順序、す
なわち、 （１）ＳＣ１→ＨＦ間欠→純水リンス→スピンドライ、 の順序で、処理対象となる基板Ｗに対する複数の処理を
施す場合について説明する。ここで、「ＳＣ１」は、Ｓ
Ｃ１（アンモニア過酸化水素水混合水溶液）を用いた洗
浄処理を意味し、「ＨＦ間欠」は、ＨＦ（フッ酸）を間
欠的に吐出する洗浄処理を意味する。また、「純水リン
ス」は、純水によって薬液を洗い流すリンス処理を意味
し、「スピンドライ」は、基板Ｗを高速で回転させるこ
とによって水滴を振り切るスピンドライ処理を意味す
る。Thereafter, various processes are performed. Here, first, a case in which a plurality of processes are performed on the substrate W to be processed in the processing order as shown in the flowchart of FIG. 4, that is, (1) SC1 → HF intermittent → pure water rinsing → spin dry explain. Here, “SC1” is S
The term "HF intermittent" means a cleaning process in which HF (hydrofluoric acid) is intermittently discharged. Further, “pure water rinsing” means a rinsing process of washing a chemical solution with pure water, and “spin drying” means a spin dry process of rotating a substrate W at a high speed to shake off water droplets.
【００４４】この場合、まず、ステップＳ１ａ（図４）
において、ＳＣ１を用いた洗浄処理が基板に対して行わ
れる。In this case, first, step S1a (FIG. 4)
Then, a cleaning process using SC1 is performed on the substrate.
【００４５】具体的には、スプラッシュガード５０を上
昇させてスピンベース１０およびそれに保持された基板
Ｗの周囲に第２案内部５２を位置させるとともに、雰囲
気遮断板３０を基板Ｗより上方に１４０ｍｍ〜１５０ｍ
ｍ離間させて基板Ｗに対向させる。そして、スピンベー
ス１０上のチャックピン１４に保持された基板Ｗを、水
平面内にて鉛直方向に沿った軸Ｊを中心としてスピンベ
ース１０とともに回転させる。また、雰囲気遮断板３０
も回転させる。この状態にて、上側処理液ノズル３６お
よび下側処理液ノズル１５から薬液（ここではＳＣ１）
を基板Ｗの上下両面に吐出する。基板Ｗの中心付近に吐
出されたＳＣ１は、回転に伴う遠心力に応じてより外側
へ向かって拡散し、基板Ｗの表裏全面にわたって供給さ
れる。このようにしてＳＣ１による洗浄処理が進行す
る。More specifically, the splash guard 50 is raised to position the second guide portion 52 around the spin base 10 and the substrate W held by the spin base 10, and the atmosphere blocking plate 30 is placed 140 mm above the substrate W. 150m
m away from the substrate W. Then, the substrate W held by the chuck pins 14 on the spin base 10 is rotated together with the spin base 10 about a vertical axis J in a horizontal plane. Also, the atmosphere shielding plate 30
Also rotate. In this state, the chemical (here, SC1) is supplied from the upper processing liquid nozzle 36 and the lower processing liquid nozzle 15.
Is discharged onto both upper and lower surfaces of the substrate W. The SC1 discharged near the center of the substrate W is further diffused outward according to the centrifugal force caused by the rotation, and is supplied over the entire front and back surfaces of the substrate W. Thus, the cleaning process by SC1 proceeds.
【００４６】なお、ＳＣ１およびＨＦなどの薬液による
洗浄処理時に、回転するスピンベース１０や基板Ｗから
飛散した薬液はスプラッシュガード５０の第２案内部５
２によって受け止められ、その曲面に沿って第２排液槽
２９に流れ込む（図３参照）。第２排液槽２９に流れ込
んだ薬液は、排液口２９ａから回収ドレイン２９ｂへと
排出され、回収される。During the cleaning process using a chemical such as SC1 and HF, the chemical scattered from the rotating spin base 10 and the substrate W is applied to the second guide portion 5 of the splash guard 50.
2 and flows into the second drainage tank 29 along the curved surface (see FIG. 3). The chemical that has flowed into the second drain tank 29 is discharged from the drain port 29a to the recovery drain 29b and collected.
【００４７】この洗浄処理に用いられるＳＣ１は、たと
えば、各成分の重量比が（アンモニア水：過酸化水素
水：水）＝（１：２：２００）〜（１：１：５）であ
り、その温度が常温（２０℃）〜８０℃であるものを用
いることができる。ここで、この成分比率は、水を基準
にした場合の、他の成分（すなわちアンモニア水および
過酸化水素水）の比率によって表現されている。すなわ
ち、上記の表現は、水１に対して、アンモニア水が１／
２００以上１／５以下のいずれかの値の重量比を有し、
同じく水１に対して過酸化水素水が１／１００以上１／
５以下のいずれかの値の重量比を有する場合を示してい
る。また、そのＳＣ１の吐出流量は、たとえば、８イン
チの大きさの基板に対して、表裏両面のそれぞれの面に
対して０．５Ｌ／ｍｉｎ（リットル／分）〜２．６Ｌ／
ｍｉｎ（リットル／分）とすることができる。SC1 used in this cleaning treatment has, for example, a weight ratio of each component (ammonia water: hydrogen peroxide solution: water) = (1: 2: 200) to (1: 1: 5), Those whose temperature is from room temperature (20 ° C.) to 80 ° C. can be used. Here, this component ratio is expressed by the ratio of other components (that is, aqueous ammonia and aqueous hydrogen peroxide) based on water. That is, the above expression indicates that ammonia water is 1 / water 1
Having a weight ratio of any value of 200 or more and 1/5 or less,
Similarly, hydrogen peroxide solution is 1/100 or more 1 / water.
The case where the weight ratio has any value of 5 or less is shown. Further, the discharge flow rate of SC1 is, for example, 0.5 L / min (liter / min) to 2.6 L / min for each of the front and back surfaces for an 8-inch substrate.
min (liter / minute).
【００４８】ここでは、各成分比率が（アンモニア水：
過酸化水素水：水）＝（１：５：５０）でありかつ５０
℃のＳＣ１を、１．３Ｌ／ｍｉｎ（リットル／分）の吐
出流量で、基板Ｗに対して３０秒間供給する処理を行う
ものとする。Here, each component ratio is (ammonia water:
Hydrogen peroxide water: water) = (1: 5: 50) and 50
A process of supplying SC1 at ° C to the substrate W at a discharge flow rate of 1.3 L / min (liter / minute) for 30 seconds is performed.
【００４９】つぎに、ステップＳ２ａ（図４）におい
て、フッ酸（ＨＦ）を用いた洗浄処理が基板に対して行
われる。このとき、次述するように、フッ酸は基板Ｗに
対して間欠吐出される。なお、フッ酸による洗浄処理
は、間欠吐出以外の動作については、ＳＣ１による洗浄
処理と同様である。また、洗浄処理におけるフッ酸（よ
り厳密にはフッ酸の水溶液）の濃度は、たとえば、０．
０５ｗｔ％（重量パーセント）から５ｗｔ％（重量パー
セント）とすることができ、ここでは、各成分の重量比
が（ＨＦ：水）＝（１：５０）のものを用いるものとす
る。Next, in step S2a (FIG. 4), a cleaning process using hydrofluoric acid (HF) is performed on the substrate. At this time, hydrofluoric acid is intermittently discharged onto the substrate W as described below. The cleaning process using hydrofluoric acid is the same as the cleaning process using SC1 except for operations other than the intermittent discharge. The concentration of hydrofluoric acid (more strictly, an aqueous solution of hydrofluoric acid) in the cleaning treatment is, for example, 0.1.
It can be from 05 wt% (weight percent) to 5 wt% (weight percent), and here, it is assumed that the weight ratio of each component is (HF: water) = (1:50).
【００５０】ここで、この間欠吐出動作は、図５に示す
ように、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗに対してフッ酸を
吐出する吐出期間Ｔ１と、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ
に対するフッ酸（ＨＦ）の吐出を停止する停止期間Ｔ２
とを含む単位動作を複数回繰り返すことによって実現す
る。吐出期間Ｔ１は、好ましくは０．５秒以上３０秒以
下であり、より好ましくは１秒以上８秒以下である。停
止期間Ｔ２は、好ましくは０．０５秒以上１０秒以下で
あり、より好ましくは、０．１秒以上３秒以下である。
ここでは、Ｔ１＝２秒、Ｔ２＝１秒とする。Here, as shown in FIG. 5, the intermittent discharge operation includes a discharge period T1 for discharging hydrofluoric acid to the substrate W while rotating the substrate W, and a discharge period T1 for rotating the substrate W while rotating the substrate W.
Period T2 for stopping the discharge of hydrofluoric acid (HF)
This is realized by repeating a unit operation including a plurality of times. The ejection period T1 is preferably 0.5 seconds or more and 30 seconds or less, and more preferably 1 second or more and 8 seconds or less. The stop period T2 is preferably 0.05 seconds or more and 10 seconds or less, and more preferably 0.1 seconds or more and 3 seconds or less.
Here, it is assumed that T1 = 2 seconds and T2 = 1 second.
【００５１】また、洗浄能力を高めるため、この吐出期
間Ｔ１と停止期間Ｔ２との組合せを少なくとも２回繰り
返すことが好ましい。この繰り返し回数は、洗浄能力の
点では多ければ多いほど好ましいが、処理時間の短縮の
観点から、２回以上６回以下であることがさらに好まし
い。ここでは、５回繰り返すものとする。It is preferable that the combination of the ejection period T1 and the stop period T2 is repeated at least twice in order to enhance the cleaning ability. The number of repetitions is preferably as large as possible in terms of the cleaning ability, but is more preferably 2 or more and 6 or less from the viewpoint of shortening the processing time. Here, it is assumed to be repeated five times.
【００５２】その後、さらにステップＳ３において、純
水リンス処理が行われる。具体的には、上側処理液ノズ
ル３６および下側処理液ノズル１５からの薬液吐出を停
止するとともに、スプラッシュガード５０を下降させて
スピンベース１０およびそれに保持された基板Ｗの周囲
に第１案内部５１を位置させる。また、雰囲気遮断板３
０は、下降し基板Ｗに近接（２ｍｍ〜１０ｍｍ）した状
態に設定される。この状態にて、基板Ｗを回転させつつ
上側処理液ノズル３６および下側処理液ノズル１５から
純水を基板Ｗの上下両面に吐出する。吐出された純水は
回転の遠心力によって基板Ｗの表裏全面に拡がり、純水
によって薬液を洗い流す洗浄処理（リンス処理）が進行
する。この状態にて、基板Ｗを回転させつつ気体供給路
１９および気体供給路４５から窒素ガスを吐出して基板
Ｗの上下両面に吹き付ける。吐出された窒素ガスは、ス
ピンベース１０と基板Ｗとの間および雰囲気遮断板３０
と基板Ｗとの間を流れ、基板Ｗの周辺を低酸素濃度雰囲
気とする。Thereafter, in step S3, a pure water rinsing process is performed. Specifically, the discharge of the chemical solution from the upper processing liquid nozzle 36 and the lower processing liquid nozzle 15 is stopped, and the splash guard 50 is lowered to move the first guide portion around the spin base 10 and the substrate W held thereon. Position 51. Atmosphere cut-off plate 3
0 is set in a state of descending and approaching the substrate W (2 mm to 10 mm). In this state, pure water is discharged from the upper processing liquid nozzle 36 and the lower processing liquid nozzle 15 to both upper and lower surfaces of the substrate W while rotating the substrate W. The discharged pure water spreads over the entire front and back surfaces of the substrate W by the centrifugal force of rotation, and a cleaning process (rinsing process) of washing away the chemical solution with the pure water proceeds. In this state, while rotating the substrate W, nitrogen gas is discharged from the gas supply path 19 and the gas supply path 45 and sprayed on the upper and lower surfaces of the substrate W. The discharged nitrogen gas flows between the spin base 10 and the substrate W and the atmosphere blocking plate 30.
, And the periphery of the substrate W is set to a low oxygen concentration atmosphere.
【００５３】なお、リンス処理時に、回転するスピンベ
ース１０や基板Ｗから飛散した純水はスプラッシュガー
ド５０の第１案内部５１によって受け止められ、その傾
斜に沿って第１排液槽２８に流れ込む（図２参照）。第
１排液槽２８に流れ込んだ純水は、排出口２８ａから廃
棄ドレイン２８ｂへと排出される。During the rinsing process, pure water scattered from the rotating spin base 10 and substrate W is received by the first guide portion 51 of the splash guard 50, and flows into the first drainage tank 28 along the inclination thereof ( (See FIG. 2). The pure water flowing into the first drainage tank 28 is discharged from the discharge port 28a to the waste drain 28b.
【００５４】また、この純水リンス処理は、フッ酸（Ｈ
Ｆ）の最後の吐出期間Ｔ１の後、所定の停止期間Ｔ２が
経過してから開始されることが好ましい。後述するよう
に、フッ酸の供給の後、その供給を一定期間だけ停止す
ることによって、基板Ｗに固気液界面を発生させること
が汚染粒子（すなわちパーティクル）の除去に寄与する
と考えられるからである。This pure water rinsing treatment is performed using hydrofluoric acid (H
It is preferable to start after a predetermined stop period T2 has elapsed after the last ejection period T1 of F). As will be described later, after the supply of hydrofluoric acid, by stopping the supply for a certain period of time, generating a solid-gas-liquid interface on the substrate W is considered to contribute to the removal of contaminant particles (that is, particles). is there.
【００５５】さらに、所定時間のリンス処理が終了した
後、ステップＳ４において、上側処理液ノズル３６およ
び下側処理液ノズル１５からの純水吐出を停止するとと
もに、スプラッシュガード５０を若干下降させてスピン
ベース１０をスプラッシュガード５０からわずかに突き
出させる。なお、雰囲気遮断板３０は、基板Ｗに近接し
た状態を維持する。基板Ｗの上下面に窒素ガスが供給さ
れた低酸素濃度雰囲気下にて、基板Ｗに付着している水
滴が回転の遠心力によって振り切られることにより振り
切り乾燥処理（スピンドライ処理）が進行する。Further, after the rinsing processing for a predetermined time is completed, in step S4, the discharge of pure water from the upper processing liquid nozzle 36 and the lower processing liquid nozzle 15 is stopped, and the splash guard 50 is slightly lowered to perform spinning. The base 10 is slightly protruded from the splash guard 50. Note that the atmosphere shielding plate 30 maintains a state close to the substrate W. In a low oxygen concentration atmosphere in which nitrogen gas is supplied to the upper and lower surfaces of the substrate W, the water droplets attached to the substrate W are shaken off by the centrifugal force of rotation, whereby the spin-off drying process (spin dry process) proceeds.
【００５６】所定時間のスピンドライ処理が終了する
と、スピンベース１０およびそれに保持された基板Ｗの
回転を停止する。また、雰囲気遮断板３０の回転も停止
するとともに、雰囲気遮断板３０を上昇させてスピンベ
ース１０から離間させる。この状態にて、図示を省略す
る搬送ロボットが処理済の基板Ｗをスピンベース１０か
ら取り出して搬出することにより一連の表裏面洗浄処理
が終了する。When the spin dry processing for a predetermined time is completed, the rotation of the spin base 10 and the substrate W held thereon is stopped. At the same time, the rotation of the atmosphere shielding plate 30 is stopped, and the atmosphere shielding plate 30 is raised to be separated from the spin base 10. In this state, the transfer robot (not shown) removes the processed substrate W from the spin base 10 and carries it out, thereby completing a series of front and back surface cleaning processing.
【００５７】なお、上記においては、ＳＣ１による洗浄
処理とフッ酸（ＨＦ）による洗浄処理とを連続的に実施
しているが、両薬液（ＳＣ１，ＨＦ）の混合を防止する
ため、ＳＣ１による洗浄処理（ステップＳ１ａ）とＨＦ
による洗浄処理（ステップＳ２ａ）との間において、純
水リンス処理を追加的に行うようにしても良い。In the above description, the cleaning process using SC1 and the cleaning process using hydrofluoric acid (HF) are continuously performed. However, in order to prevent mixing of both chemicals (SC1, HF), the cleaning process using SC1 is performed. Processing (Step S1a) and HF
Between the cleaning process (Step S2a) and the pure water rinsing process may be additionally performed.
【００５８】図６は、汚染粒子（すなわちパーティク
ル）の除去率に関する実験結果を示す図であり、上記と
同様の処理を含む３つの処理について、各種類のパーテ
ィクル除去率を示すグラフである。図６においては、汚
染粒子の種類（Ｓｉ，Ａｌ2Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4，ＳｉＯ2，
ＰＳＬ（ポリスチレンラテックス））ごとに、実験結果
を示す３つの棒グラフが並んで配置されている。これら
の３つのうち最も右側のものは、上記のＨＦ間欠吐出を
伴う「第１の処理」（すなわちこの実施形態の処理に相
当する処理）の結果を表しており、その左側（すなわち
中央）のものは、第１の処理におけるＨＦ間欠吐出を行
わずその代わりにＨＦを連続的に吐出する処理を伴う
「第２の処理」の結果を表すものである。以上の２つの
処理結果は、いずれも枚葉処理に関する処理結果を表す
ものである。また、最も左側のものは、第２の処理と同
様の処理をバッチ式処理において行う「第３の処理」の
結果を表すものである。第３の処理は、バッチ式処理で
あり枚葉式処理とは直接的に関連しないが、参考のため
に記しておく。FIG. 6 is a graph showing the results of experiments on the removal rate of contaminant particles (that is, particles), and is a graph showing the particle removal rates of each type in three processes including the same processes as described above. In FIG. 6, the types of contaminant particles (Si, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiO 2 ,
For each PSL (polystyrene latex), three bar graphs showing experimental results are arranged side by side. The rightmost one of these three represents the result of the “first processing” involving the above-mentioned intermittent HF discharge (that is, the processing corresponding to the processing of this embodiment), and the leftmost (that is, the center) This indicates the result of the “second process” involving the process of continuously discharging HF instead of performing intermittent HF discharge in the first process. The above two processing results each represent a processing result relating to the single-wafer processing. The leftmost one represents the result of the “third process” in which the same process as the second process is performed in the batch process. The third process is a batch process and is not directly related to the single-wafer process, but is described for reference.
【００５９】より詳細には、第１の処理（上記の処理に
相当）は、 ＳＣ１（３０秒）→純水リンス（１５秒）→ＨＦ（１
０秒）→純水リンス（２０秒）→スピンドライ、の順序
で各処理を行うものであり、第２の処理（比較例１）
は、 ＳＣ１（３０秒）→純水リンス（１５秒）→ＨＦ（２
秒吐出１秒停止を５回繰り返す）→純水リンス（２０
秒）→スピンドライ、の順序で各処理を行うものであ
り、第３の処理（比較例２）は、 ＳＣ１（１０分）→純水リンス（１５分）→ＨＦ（３
０秒）→純水リンス（１５分）→スピンドライ、の順序
で各処理を行うものである。More specifically, the first processing (corresponding to the above processing) is as follows: SC1 (30 seconds) → pure water rinse (15 seconds) → HF (1
0 seconds) → pure water rinsing (20 seconds) → spin drying, and the second processing (Comparative Example 1).
Is SC1 (30 seconds) → pure water rinse (15 seconds) → HF (2
5 seconds of 1-second discharge stop per second) → Rinse with pure water (20
Second) → spin dry. The third process (Comparative Example 2) is as follows: SC1 (10 minutes) → pure water rinse (15 minutes) → HF (3 minutes)
0 seconds) → pure water rinsing (15 minutes) → spin drying.
【００６０】ここでは、ＳＣ１による洗浄処理とＨＦに
よる洗浄処理との間において、両薬液（ＳＣ１，ＨＦ）
の混合を防止するため、純水リンスを行う場合を例示し
ている。Here, between the cleaning treatment with SC1 and the cleaning treatment with HF, both chemicals (SC1, HF) are used.
The case where pure water rinsing is performed in order to prevent the mixing of water is illustrated.
【００６１】図６に示すように、いずれの種類の汚染粒
子に対しても、第１の処理（すなわちこの実施形態に係
る処理）による処理結果は、第２の処理（すなわちＨＦ
間欠の代わりにＨＦ連続吐出を行う処理）による処理結
果に比べて、高いパーティクル除去率を示している。ま
た、この実験条件下では、第１の処理は、バッチ式処理
であり比較的長時間を要する第３の処理と比較しても、
ほぼ同様のパーティクル除去率を達成している。このよ
うに、フッ酸（ＨＦ）の間欠吐出を伴う洗浄処理を行う
ことによって、パーティクルをより効率的に除去するこ
とが可能である。As shown in FIG. 6, the processing result of the first process (ie, the process according to this embodiment) is the second process (ie, HF) for any type of contaminant particles.
A higher particle removal rate is shown as compared with the processing result of the processing of performing HF continuous ejection instead of intermittent discharge. Also, under these experimental conditions, the first process is a batch type process, and compared with the third process which requires a relatively long time,
Almost the same particle removal rate is achieved. As described above, by performing the cleaning process involving intermittent discharge of hydrofluoric acid (HF), particles can be more efficiently removed.
【００６２】ここにおいて、フッ酸（ＨＦ）の間欠吐出
による粒子汚染の除去メカニズムについて説明する。以
下では、基板のおもて面（上面）について説明するが、
裏（うら）面（下面）についても同様である。Here, a mechanism for removing particle contamination by intermittent discharge of hydrofluoric acid (HF) will be described. In the following, the front surface (upper surface) of the substrate will be described.
The same applies to the back (back) surface (lower surface).
【００６３】図７は、期間Ｔ１において基板Ｗの表面に
フッ酸（ＨＦ）が吐出されている状態を示す模式的断面
図であり、図８は、図７の一部を示す模式的拡大図であ
る。また、図９は、期間Ｔ２において基板Ｗの表面に対
するフッ酸（ＨＦ）の吐出供給が停止されている状態を
示す模式的断面図であり、図１０は、図９の一部（点Ｐ
付近）を示す模式的拡大図である。FIG. 7 is a schematic sectional view showing a state in which hydrofluoric acid (HF) is discharged onto the surface of the substrate W during the period T1, and FIG. 8 is a schematic enlarged view showing a part of FIG. It is. FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the supply of hydrofluoric acid (HF) to the surface of the substrate W is stopped in the period T2. FIG. 10 is a part of FIG.
(Nearby).
【００６４】水溶液中において各粒子（パーティクル）
の表面は帯電し、このとき各粒子の表面は所定のゼータ
電位を有している。そして、基板表面の電荷と粒子表面
のゼータ電位とが異極性である場合には、基板Ｗと粒子
との間に引力が生じ粒子が基板Ｗ上に付着する。一方、
基板表面の電荷と粒子表面のゼータ電位とが同極性であ
る場合には、基板Ｗと粒子との間に斥力が生じ粒子が基
板Ｗから離れやすくなる。本実施形態に係るフッ酸の間
欠吐出においては、このようなメカニズムを利用して粒
子が除去されるものであると理解できる。Each particle (particle) in an aqueous solution
Is charged, and at this time, the surface of each particle has a predetermined zeta potential. When the charge on the substrate surface and the zeta potential on the particle surface have different polarities, an attractive force is generated between the substrate W and the particles, and the particles adhere to the substrate W. on the other hand,
When the charge on the substrate surface and the zeta potential on the particle surface have the same polarity, a repulsive force is generated between the substrate W and the particles, and the particles are easily separated from the substrate W. In the intermittent discharge of hydrofluoric acid according to the present embodiment, it can be understood that particles are removed using such a mechanism.
【００６５】図７および図８に示すように、期間Ｔ１
（図５）において基板Ｗの表面がフッ酸によって覆われ
ている場合には、基板（シリコンウエハ）Ｗの表面のゼ
ータ電位はマイナス（−）であり、粒子表面のゼータ電
位はプラス（＋）である。As shown in FIGS. 7 and 8, the period T1
In FIG. 5, when the surface of the substrate W is covered with hydrofluoric acid, the zeta potential on the surface of the substrate (silicon wafer) W is minus (−), and the zeta potential on the particle surface is plus (+). It is.
【００６６】一方、図９および図１０に示すように、期
間Ｔ２（図５）においてフッ酸（ＨＦ）の供給が停止さ
れ、基板Ｗの表面がフッ酸に覆われることなく露出して
いる場合、すなわち固気液界面が発生している場合に
は、粒子表面のゼータ電位はプラス（＋）のままである
が、その固気液界面における基板（シリコンウエハ）Ｗ
の表面の電荷はプラス（＋）になる。On the other hand, as shown in FIGS. 9 and 10, the supply of hydrofluoric acid (HF) is stopped in the period T2 (FIG. 5), and the surface of the substrate W is exposed without being covered with hydrofluoric acid. That is, when a solid-gas-liquid interface is generated, the zeta potential on the particle surface remains positive (+), but the substrate (silicon wafer) W at the solid-gas-liquid interface is generated.
Is positive (+).
【００６７】このとき、基板Ｗと粒子との間に斥力が生
じるので、粒子が基板Ｗから離れやすくなる。そして、
基板Ｗの表面から離れた粒子は、回転に伴う遠心力によ
って、さらに基板の外側へ向かってフッ酸（ＨＦ）とと
もに移動し、基板Ｗの周縁部において基板Ｗから離脱す
る。At this time, a repulsive force is generated between the substrate W and the particles, so that the particles are easily separated from the substrate W. And
The particles separated from the surface of the substrate W further move toward the outside of the substrate together with hydrofluoric acid (HF) due to the centrifugal force caused by the rotation, and separate from the substrate W at the periphery of the substrate W.
【００６８】たとえば、Ａｌ2Ｏ3，Ｓｉ3Ｎ4，Ｓｉ
Ｏ2，ＰＳＬ（ポリスチレンラテックス）の各粒子のゼ
ータ電位は、いずれもプラス（＋）であるので、期間Ｔ
２において、固気液界面が発生して基板Ｗの電荷がプラ
ス（＋）になったときに、これらの粒子表面と基板Ｗの
表面との間に斥力が作用することによって、各汚染粒子
の基板Ｗからの離脱が促進される。これによって、より
効率的なパーティクルの除去を行うことが可能である。
なお、図６に示す汚染粒子のうちＳｉの粒子だけは、そ
の粒子表面のゼータ電位は、マイナス（−）である。こ
のＳｉ粒子は、図７および図８に示す期間Ｔ１におい
て、基板Ｗの表面のゼータ電位と同極性になる。したが
って、このＳｉ粒子は、この期間Ｔ１に作用する斥力に
よって基板からの離脱が進行することによって基板Ｗ表
面から除去されるものと考えられる。For example, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , Si
Since the zeta potential of each particle of O 2 and PSL (polystyrene latex) is plus (+), the period T
2, when the solid-gas-liquid interface is generated and the electric charge of the substrate W becomes positive (+), a repulsive force acts between the surface of these particles and the surface of the substrate W, so that each contaminant particle Detachment from the substrate W is promoted. Thereby, it is possible to more efficiently remove particles.
In addition, among the contaminant particles shown in FIG. 6, only the Si particles have a negative (-) zeta potential on the particle surface. The Si particles have the same polarity as the zeta potential on the surface of the substrate W during the period T1 shown in FIGS. Therefore, it is considered that the Si particles are removed from the surface of the substrate W as the particles are separated from the substrate by the repulsive force acting during the period T1.
【００６９】以上のように、フッ酸（ＨＦ）の間欠吐出
を用いることによって、より効率的にパーティクルを除
去すること、言い換えれば、短時間の洗浄処理で高いパ
ーティクルの除去率を示すことが可能である。As described above, it is possible to more efficiently remove particles by using intermittent discharge of hydrofluoric acid (HF), in other words, it is possible to exhibit a high particle removal rate by a short cleaning process. It is.
【００７０】特に、期間Ｔ１と期間Ｔ２とを含む単位動
作を多数回（少なくとも２回以上）繰り返すことによっ
て、固気液界面がより多く発生するので、上記のメカニ
ズムの洗浄効果をより大きく得ることが可能である。こ
れによって、より高いパーティクル除去率を達成するこ
とができる。なお、フッ酸（ＨＦ）の間欠吐出における
停止期間Ｔ２は、基板Ｗの表面からフッ酸（ＨＦ）が完
全に除去される程度の長さを必ずしも要するものではな
く、固気液界面が発生する程度の長さを有すればよい。
すなわち、回転中の基板Ｗに対するフッ酸（ＨＦ）の供
給を停止することによって固気液界面が一瞬でも発生す
ればよく、たとえば、図１１に示すように、フッ酸（Ｈ
Ｆ）の供給停止後、円形の基板Ｗの周縁部において未だ
フッ酸（ＨＦ）が円環状に残留しているときに、フッ酸
（ＨＦ）の吐出供給を再開するようにしてもよい。この
場合でも、基板の中央部と基板の周縁部とに挟まれる領
域Ｒにおいて固気液界面が発生し、この固気液界面付近
において上記のメカニズムによる効率的な洗浄処理を行
うことができる。In particular, by repeating the unit operation including the period T1 and the period T2 many times (at least two times), more solid-gas-liquid interfaces are generated, so that the cleaning effect of the above mechanism can be further enhanced. Is possible. Thereby, a higher particle removal rate can be achieved. Note that the stop period T2 in the intermittent discharge of hydrofluoric acid (HF) does not necessarily need to be long enough to completely remove hydrofluoric acid (HF) from the surface of the substrate W, and a solid-gas-liquid interface is generated. What is necessary is just to have length of about.
That is, by stopping the supply of hydrofluoric acid (HF) to the rotating substrate W, the solid-gas-liquid interface may be generated even instantaneously. For example, as shown in FIG.
After the supply of F) is stopped, the discharge supply of hydrofluoric acid (HF) may be restarted when hydrofluoric acid (HF) still remains in an annular shape at the periphery of the circular substrate W. Even in this case, a solid-gas-liquid interface is generated in a region R sandwiched between the central part of the substrate and the peripheral part of the substrate, and an efficient cleaning process by the above mechanism can be performed near the solid-gas-liquid interface.
【００７１】また、この実施形態においては、フッ酸
（ＨＦ）の間欠吐出を伴う洗浄処理（ステップＳ１ａ）
を行うとともに、ＳＣ１の洗浄処理（ステップＳ２ａ）
をも併せて行っている。これによって、フッ酸（ＨＦ）
の間欠吐出による洗浄能力のみならず、ＳＣ１の洗浄能
力によってもパーティクルを除去することができるの
で、さらに効率的にパーティクルを除去することが可能
である。また、Ａｌ、Ｚｎなどによるメタル汚染等をも
除去することが可能である。In this embodiment, a cleaning process involving intermittent discharge of hydrofluoric acid (HF) (step S1a)
And the cleaning process of SC1 (Step S2a)
Is also performed. Thereby, hydrofluoric acid (HF)
The particles can be removed not only by the cleaning ability by intermittent ejection but also by the cleaning ability of SC1, so that the particles can be more efficiently removed. It is also possible to remove metal contamination and the like due to Al, Zn, and the like.
【００７２】＜Ａ３.その他＞上記実施形態において
は、（１）ＳＣ１→ＨＦ間欠→純水リンス→スピンドラ
イ、の順序で各処理を実行する場合を例示したが、これ
に限定されない。<A3. Others> In the above embodiment, the case where each processing is executed in the order of (1) SC1 → HF intermittent → pure water rinsing → spin dry has been exemplified, but the present invention is not limited to this.
【００７３】たとえば、ＨＦ間欠吐出による洗浄処理と
ＳＣ１による洗浄処理との順序を入れ替えても良い。す
なわち、 （２）ＨＦ間欠→ＳＣ１→純水リンス→スピンドライ、 の順序で各処理を実行してもよい。For example, the order of the cleaning process by intermittent HF discharge and the cleaning process by SC1 may be exchanged. That is, each process may be executed in the order of (2) HF intermittent → SC1 → pure water rinse → spin dry.
【００７４】あるいは、このような処理において、さら
にＨＦの間欠吐出による洗浄処理や、ＳＣ１による洗浄
処理を適宜繰り返して行うようにしても良い。たとえ
ば、 （３）ＨＦ間欠→ＳＣ１→ＨＦ間欠→純水リンス→スピ
ンドライ、 の順序で各処理を実行しても良く、 （４）ＨＦ間欠→ＳＣ１→ＨＦ間欠→ＳＣ１→純水リン
ス→スピンドライ、 の順序で各処理を実行しても良く、さらには、 （５）ＳＣ１→ＨＦ間欠→ＳＣ１→ＨＦ間欠→純水リン
ス→スピンドライ、 の順序各処理を実行しても良い。なお、図１２は、上記
（５）の各処理を表すフローチャートである。これによ
れば、「ＳＣ１→ＨＦ間欠」の処理の組合せを２回繰り
返すことになるので、より高いパーティクル除去率を達
成することが可能である。Alternatively, in such a process, a cleaning process by intermittent ejection of HF or a cleaning process by SC1 may be repeated as appropriate. For example, each process may be executed in the following order: (3) HF intermittent → SC1 → HF intermittent → pure water rinse → spin dry. (4) HF intermittent → SC1 → HF intermittent → SC1 → pure water rinse → spin The respective processes may be performed in the order of dry, and the following processes may be further performed: (5) SC1 → HF intermittent → SC1 → HF intermittent → pure water rinse → spin dry. FIG. 12 is a flowchart showing each process of the above (5). According to this, since the combination of the processing of “SC1 → HF intermittent” is repeated twice, it is possible to achieve a higher particle removal rate.
【００７５】また、上記ＳＣ１（アンモニア過酸化水素
水混合水溶液）の代わりに、ＳＣ２（塩酸と過酸化水素
水と水との混合液、すなわち塩酸過酸化水素水混合水溶
液）を用いてもよい。これによって、特にメタル汚染に
ついて、ＳＣ１を用いる場合よりもさらに強力に除去す
ることが可能である。Further, SC2 (a mixed solution of hydrochloric acid, hydrogen peroxide and water, ie, a mixed solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide) may be used in place of SC1 (aqueous solution of aqueous ammonia and hydrogen peroxide). This makes it possible to remove metal contamination more strongly than when SC1 is used.
【００７６】あるいは、ＳＣ１による洗浄処理とＳＣ２
による洗浄処理との両方を用いてもよい。たとえば、 （６）ＳＣ１→ＳＣ２→ＨＦ間欠→純水リンス→スピン
ドライ、 の順序で各処理を実行しても良く、 （７）ＳＣ１→ＨＦ間欠→ＳＣ２→純水リンス→スピン
ドライ、 の順序で各処理を実行しても良く、さらには、 （８）ＨＦ間欠→ＳＣ１→ＳＣ２→純水リンス→スピン
ドライ、 の順序で各処理を実行しても良い。ここで、「ＳＣ２」
は、ＳＣ２（塩酸過酸化水素水混合水溶液）を用いた洗
浄処理を意味する。Alternatively, the cleaning treatment by SC1 and SC2
May be used. For example, each processing may be performed in the order of (6) SC1 → SC2 → HF intermittent → pure water rinse → spin dry, and (7) SC1 → HF intermittent → SC2 → pure water rinse → spin dry. Each process may be performed, and further, each process may be performed in the order of (8) HF intermittent → SC1 → SC2 → pure water rinse → spin dry. Here, "SC2"
Means a cleaning treatment using SC2 (a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide).
【００７７】なお、ＳＣ１とＳＣ２との両方を用いても
よいが、上記実施形態のように、ＳＣ１およびＳＣ２の
うちのいずれか一方の薬液（上記実施形態ではＳＣ１）
とＨＦとのみを用いることによっても、高いレベルのパ
ーティクル除去率を得ることができる。この場合、洗浄
処理に使用する薬液の種類を抑制しつつ効率的にパーテ
ィクルを除去することが可能である。特に、装置におい
て準備すべき薬液種類の最大数を抑制することができれ
ば、余剰な分岐配管やバルブ等を削除した装置構成とす
ることが可能になる。したがって、構成を容易にするこ
とができるとともに、コストを抑制することも可能であ
る。Although both SC1 and SC2 may be used, as in the above embodiment, either one of SC1 and SC2 (SC1 in the above embodiment)
By using only HF and HF, a high level of particle removal rate can be obtained. In this case, particles can be efficiently removed while suppressing the type of chemical used for the cleaning process. In particular, if the maximum number of types of chemical liquids to be prepared in the apparatus can be suppressed, it is possible to obtain an apparatus configuration in which redundant branch pipes, valves, and the like are eliminated. Therefore, the configuration can be simplified and the cost can be reduced.
【００７８】さらに、上記実施形態においては、フッ酸
（ＨＦ）を間欠吐出する場合について例示したが、本発
明はこれに限定されない。たとえば、上記のステップＳ
２ａにおいて、吐出期間Ｔ１にわたって基板Ｗを回転さ
せつつＨＦを吐出する吐出動作の直後に、引き続き基板
Ｗを回転させつつＨＦの吐出を停止する停止期間Ｔ２を
設けた単位動作を１回だけ行い、この後、すぐに次のス
テップＳ３の処理（純水リンス処理）に移行するように
しても良い。すなわち、１回だけフッ酸（ＨＦ）を供給
しその直後にフッ酸供給を停止状態に維持する停止期間
を設けて次の処理に移行しても良い。この場合でも、上
記メカニズムによってパーティクルを効率的に除去する
ことが可能である。ただし、上述したように、より高い
パーティクルの除去率を達成するため、このようなＨＦ
の供給動作と停止動作とを含む単位動作を連続的に複数
回繰り返して行う動作、すなわち間欠吐出動作を行うこ
とが好ましい。Further, in the above embodiment, the case where the hydrofluoric acid (HF) is intermittently discharged has been exemplified, but the present invention is not limited to this. For example, the above step S
In 2a, immediately after the discharge operation of discharging HF while rotating the substrate W over the discharge period T1, the unit operation with the stop period T2 for stopping the discharge of HF while continuously rotating the substrate W is performed only once, Thereafter, the process may immediately proceed to the next step S3 (pure water rinsing). That is, the hydrofluoric acid (HF) may be supplied only once, and immediately after that, a stop period for maintaining the supply of hydrofluoric acid in a stopped state may be provided to shift to the next process. Even in this case, particles can be efficiently removed by the above mechanism. However, as described above, in order to achieve a higher particle removal rate, such HF is used.
It is preferable to perform an operation in which a unit operation including a supply operation and a stop operation is continuously repeated a plurality of times, that is, an intermittent ejection operation.
【００７９】また、上記実施形態においては、間欠吐出
における各吐出期間Ｔ１は、いずれの吐出時においても
同じ長さを有していたが、本発明はこれに限定されず、
各吐出時においてそれぞれ異なる長さを有していてよ
い。また、間欠吐出における停止期間Ｔ２においても同
様であり、各停止期間Ｔ２は、各停止時においてそれぞ
れ異なる長さを有していても良い。Further, in the above embodiment, each ejection period T1 in intermittent ejection has the same length in any ejection, but the present invention is not limited to this.
Each ejection may have a different length. The same applies to the stop period T2 in intermittent ejection, and each stop period T2 may have a different length at each stop.
【００８０】[0080]
【発明の効果】以上のように、請求項１ないし請求項６
に記載の発明によれば、(a)処理対象となる基板を回転
させつつ基板に対してアンモニア過酸化水素水混合水溶
液を吐出するステップと、(b)ステップ(a)の前または後
に、基板を回転させつつ基板に対してフッ酸を吐出する
吐出期間とその後に基板を回転させつつ当該吐出を停止
する停止期間とを設けた単位動作を、少なくとも１回行
うステップと、を含むので、薬液による処理時間を短縮
し生産性の低下を抑制しつつパーティクルを効率的に除
去することができる。As described above, claims 1 to 6 are as described above.
According to the invention described in (a), a step of discharging an aqueous solution of aqueous ammonia and hydrogen peroxide to the substrate while rotating the substrate to be treated, and (b) before or after the step (a), the substrate Performing a unit operation at least once with a discharge period for discharging hydrofluoric acid to the substrate while rotating the substrate, and a stop period for stopping the discharge while rotating the substrate thereafter. Particles can be efficiently removed while shortening the processing time due to and suppressing the decrease in productivity.
【００８１】特に、請求項２に記載の発明によれば、ス
テップ(b)は、単位動作を繰り返すことにより、基板を
回転させつつ基板に対してフッ酸を間欠的に複数回吐出
するステップであるので、より高いパーティクル除去率
を達成することができる。In particular, according to the second aspect of the present invention, the step (b) is a step of intermittently discharging hydrofluoric acid to the substrate a plurality of times while rotating the substrate by repeating the unit operation. As a result, a higher particle removal rate can be achieved.
【００８２】さらに、請求項３に記載の発明によれば、
ステップ(a)とステップ(b)とを繰り返すステップ(c)を
さらに含むので、より高いパーティクル除去率を達成す
ることができる。According to the third aspect of the present invention,
Since the method further includes step (c) of repeating step (a) and step (b), a higher particle removal rate can be achieved.
【００８３】また、請求項７ないし請求項１２に記載の
発明によれば、(a)処理対象となる基板を回転させつつ
基板に対して塩酸過酸化水素水混合水溶液を吐出するス
テップと、(b)ステップ(a)の前または後に、基板を回転
させつつ基板に対してフッ酸を吐出する吐出期間とその
後に基板を回転させつつ当該吐出を停止する停止期間と
を設けた単位動作を、少なくとも１回行うステップと、
を含むので、薬液による処理時間を短縮し生産性の低下
を抑制しつつパーティクルを効率的に除去することがで
きる。According to the present invention, (a) discharging the aqueous solution of hydrochloric acid / hydrogen peroxide mixture to the substrate while rotating the substrate to be processed; b) Before or after step (a), a unit operation having a discharge period for discharging hydrofluoric acid to the substrate while rotating the substrate and a stop period for stopping the discharge while rotating the substrate after that, Performing at least one time;
Therefore, particles can be efficiently removed while reducing the processing time with the chemical solution and suppressing a decrease in productivity.
【００８４】特に、請求項８に記載の発明によれば、ス
テップ(b)は、単位動作を繰り返すことにより、基板を
回転させつつ基板に対してフッ酸を間欠的に複数回吐出
するステップであるので、より高いパーティクル除去率
を達成することができる。In particular, according to the invention as set forth in claim 8, step (b) is a step of intermittently discharging hydrofluoric acid to the substrate a plurality of times while rotating the substrate by repeating the unit operation. As a result, a higher particle removal rate can be achieved.
【００８５】さらに、請求項９に記載の発明によれば、
ステップ(a)とステップ(b)とを繰り返すステップ(c)を
さらに含むので、より高いパーティクル除去率を達成す
ることができる。Further, according to the ninth aspect of the present invention,
Since the method further includes step (c) of repeating step (a) and step (b), a higher particle removal rate can be achieved.
【００８６】また、請求項１３に記載の発明によれば、
制御手段は、(a)基板を回転させつつ基板に対してアン
モニア過酸化水素水混合水溶液を吐出する期間と、(b)
基板を回転させつつに対してフッ酸を吐出し、その直後
に基板を回転させつつ基板に対するフッ酸の吐出を停止
状態に維持する期間と、が設けられるように、回転手段
および吐出手段を制御するので、薬液による処理時間を
短縮し生産性の低下を抑制しつつパーティクルを効率的
に除去することができる。According to the thirteenth aspect of the present invention,
The control means includes: (a) a period during which the aqueous solution of the mixed solution of ammonia and hydrogen peroxide is discharged to the substrate while rotating the substrate, and (b)
The rotating means and the discharging means are controlled such that a period during which the hydrofluoric acid is discharged while rotating the substrate, and immediately after that, the discharging of the hydrofluoric acid to the substrate is maintained in a stopped state while the substrate is rotated. Therefore, it is possible to efficiently remove particles while shortening the processing time with the chemical solution and suppressing a decrease in productivity.
【００８７】さらに、請求項１４に記載の発明によれ
ば、制御手段は、(a)基板を回転させつつ基板に対して
塩酸過酸化水素水混合水溶液を吐出する期間と、(b)基
板を回転させつつ基板に対してフッ酸を吐出し、その直
後に基板を回転させつつ基板に対するフッ酸の吐出を停
止状態に維持する期間と、が設けられるように、回転手
段および吐出手段を制御するので、薬液による処理時間
を短縮し生産性の低下を抑制しつつパーティクルを効率
的に除去することができる。Further, according to the invention of claim 14, the control means comprises: (a) a period during which the aqueous solution of hydrochloric acid / hydrogen peroxide mixture is discharged onto the substrate while rotating the substrate; The rotating means and the discharging means are controlled so that a period during which the hydrofluoric acid is discharged to the substrate while rotating, and the period during which the discharging of the hydrofluoric acid to the substrate is maintained in a stopped state while rotating the substrate is provided immediately thereafter. Therefore, particles can be efficiently removed while shortening the processing time with the chemical solution and suppressing a decrease in productivity.
【図１】本発明にかかる基板処理装置１の構成を示す縦
断面図である。FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention.
【図２】純水リンス処理時の純水の流れを示す図であ
る。FIG. 2 is a diagram showing a flow of pure water during a pure water rinsing process.
【図３】薬液処理時の純水の流れを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a flow of pure water during chemical solution treatment.
【図４】処理順序を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a processing order.
【図５】フッ酸（ＨＦ）の間欠吐出動作を示す図であ
る。FIG. 5 is a diagram showing an intermittent discharge operation of hydrofluoric acid (HF).
【図６】汚染粒子（パーティクル）の除去率に関する実
験結果を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an experimental result regarding a removal rate of contaminant particles (particles).
【図７】期間Ｔ１において基板Ｗの表面にＨＦが吐出さ
れている状態を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a state in which HF is discharged to the surface of the substrate W during a period T1.
【図８】図７の一部を示す模式的拡大図である。FIG. 8 is a schematic enlarged view showing a part of FIG. 7;
【図９】期間Ｔ２において基板Ｗの表面に対するＨＦの
吐出供給が停止されている状態を示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a state in which the supply of HF to the surface of the substrate W is stopped during a period T2.
【図１０】図９の一部（点Ｐ付近）を示す模式的拡大図
である。FIG. 10 is a schematic enlarged view showing a part (around point P) of FIG. 9;
【図１１】基板Ｗの表面に対するＨＦの吐出供給を再開
する際における状態の一例を示す断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of a state when the supply of HF to the surface of the substrate W is restarted.
【図１２】他の処理例を表すフローチャートである。FIG. 12 is a flowchart illustrating another processing example.
１ 基板処理装置 １０ スピンベース １２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１３，３８ａ，３８ｂ，３８
ｃ バルブ １５ 下側処理液ノズル １６ａ，１６ｂ，１６ｃ，３７ａ，３７ｂ，３７ｃ 分
岐配管 １７ａ 純水供給源 １７ｂ，１７ｃ 薬液（ＳＣ１，ＨＦ等）供給源 ２０ 電動モータ ２１ ベルト駆動機構 ３０ 雰囲気遮断板 ３６ 上側処理液ノズル ３６ａ 先端部 Ｔ１ 吐出期間 Ｔ２ 停止期間 Ｗ 基板DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 10 Spin base 12a, 12b, 12c, 13, 38a, 38b, 38
c Valve 15 Lower processing liquid nozzle 16a, 16b, 16c, 37a, 37b, 37c Branch pipe 17a Pure water supply source 17b, 17c Chemical (SC1, HF, etc.) supply source 20 Electric motor 21 Belt drive mechanism 30 Atmosphere shut-off plate 36 Upper processing liquid nozzle 36a Tip T1 Ejection period T2 Stop period W Substrate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｂ０８Ｂ 3/08 Ｚ Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１ Ｇ０２Ｆ 1/13 １０１ 1/1333 ５００ 1/1333 ５００ Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｈ０１Ｌ 21/308 Ｇ (72)発明者 清瀬 浩巳 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA21 FA30 HA01 MA20 2H090 HC18 JB02 JB03 JC19 3B201 AA02 AA03 AB01 AB34 AB42 BB22 BB82 BB90 BB92 BB93 BB96 CC01 CC12 CC13 CD31 5F043 BB27 DD13 EE08 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) B08B 3/08 B08B 3/08 Z G02F 1/13 101 G02F 1/13 101 1/1333 500 1/1333 500 H01L 21/308 H01L 21/308 G (72) Inventor Hiromi Kiyose 4-term Tenjin Kitamachi, Horikawa-dori-Terauchi, Kamigyo-ku, Kyoto 1-Dai Nippon Screen Manufacturing Co., Ltd. F-term (reference) 2H088 FA17 FA21 FA30 HA01 MA20 2H090 HC18 JB02 JB03 JC19 3B201 AA02 AA03 AB01 AB34 AB42 BB22 BB82 BB90 BB92 BB93 BB96 CC01 CC12 CC13 CD31 5F043 BB27 DD13 EE08
Claims (14)
てアンモニア過酸化水素水混合水溶液を吐出するステッ
プと、 (b)前記ステップ(a)の前または後に、前記基板を回転さ
せつつ前記基板に対してフッ酸を吐出する吐出期間とそ
の後に前記基板を回転させつつ当該吐出を停止する停止
期間とを設けた単位動作を、少なくとも１回行うステッ
プと、を含むことを特徴とする基板処理方法。1. A substrate processing method, comprising: (a) discharging a mixed aqueous solution of ammonia and hydrogen peroxide to the substrate while rotating the substrate to be processed; and (b) the step (a). Before or after, a unit operation provided with a discharge period for discharging hydrofluoric acid to the substrate while rotating the substrate and a stop period for stopping the discharge while rotating the substrate after at least one time Performing a substrate processing method.
て、 前記ステップ(b)は、前記単位動作を繰り返すことによ
り、前記基板を回転させつつ前記基板に対してフッ酸を
間欠的に複数回吐出するステップであることを特徴とす
る基板処理方法。2. The substrate processing method according to claim 1, wherein in the step (b), hydrofluoric acid is intermittently applied to the substrate a plurality of times while rotating the substrate by repeating the unit operation. A substrate processing method, comprising the step of discharging.
理方法において、 (c)前記ステップ(a)と前記ステップ(b)とを繰り返すス
テップ、をさらに含むことを特徴とする基板処理方法。3. The substrate processing method according to claim 1, further comprising: (c) repeating the steps (a) and (b). .
載の基板処理方法において、 (d)前記基板に対する純水リンス処理を行うステップ、
をさらに含むことを特徴とする基板処理方法。4. The substrate processing method according to claim 1, wherein: (d) performing a pure water rinsing process on the substrate;
A substrate processing method, further comprising:
載の基板処理方法において、 (e)前記基板に対するスピンドライ処理を行うステッ
プ、をさらに含むことを特徴とする基板処理方法。5. The substrate processing method according to claim 1, further comprising: (e) performing a spin dry process on the substrate.
載の基板処理方法において、 (f)前記ステップ(a)と前記ステップ(b)との間に前記基
板に対する純水リンス処理を行うステップ、をさらに含
むことを特徴とする基板処理方法。6. The substrate processing method according to claim 1, wherein (f) performing a pure water rinsing process on the substrate between the step (a) and the step (b). A substrate processing method, further comprising:
て塩酸過酸化水素水混合水溶液を吐出するステップと、 (b)前記ステップ(a)の前または後に、前記基板を回転さ
せつつ前記基板に対してフッ酸を吐出する吐出期間とそ
の後に前記基板を回転させつつ当該吐出を停止する停止
期間とを設けた単位動作を、少なくとも１回行うステッ
プと、を含むことを特徴とする基板処理方法。7. A substrate processing method, comprising: (a) discharging a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide to the substrate while rotating the substrate to be processed; and (b) the step (a). Before or after, a unit operation provided with a discharge period for discharging hydrofluoric acid to the substrate while rotating the substrate and a stop period for stopping the discharge while rotating the substrate after at least one time Performing a substrate processing method.
て、 前記ステップ(b)は、前記単位動作を繰り返すことによ
り、前記基板を回転させつつ前記基板に対してフッ酸を
間欠的に複数回吐出するステップであることを特徴とす
る基板処理方法。8. The substrate processing method according to claim 7, wherein in the step (b), hydrofluoric acid is intermittently applied to the substrate a plurality of times while rotating the substrate by repeating the unit operation. A substrate processing method, comprising the step of discharging.
理方法において、 (c)前記ステップ(a)と前記ステップ(b)とを繰り返すス
テップ、をさらに含むことを特徴とする基板処理方法。9. The substrate processing method according to claim 7, further comprising: (c) repeating the steps (a) and (b). .
記載の基板処理方法において、 (d)前記基板に対する純水リンス処理を行うステップ、
をさらに含むことを特徴とする基板処理方法。10. The substrate processing method according to claim 7, wherein (d) performing a pure water rinsing process on the substrate;
A substrate processing method, further comprising:
に記載の基板処理方法において、 (e)前記基板に対するスピンドライ処理を行うステッ
プ、をさらに含むことを特徴とする基板処理方法。11. The substrate processing method according to claim 7, further comprising: (e) performing a spin dry process on the substrate.
に記載の基板処理方法において、 (f)前記ステップ(a)と前記ステップ(b)との間に前記基
板に対する純水リンス処理を行うステップ、をさらに含
むことを特徴とする基板処理方法。12. The substrate processing method according to claim 7, wherein (f) performing a pure water rinsing process on the substrate between the step (a) and the step (b). A substrate processing method, further comprising:
内にて回転させつつ所定の処理を行う基板処理装置であ
って、 基板を略鉛直方向に沿った軸を中心として回転させる回
転手段と、 前記基板に対してアンモニア過酸化水素水混合水溶液お
よびフッ酸を選択的に吐出する吐出手段と、 前記回転手段および前記吐出手段を制御する制御手段
と、を備え、 前記制御手段は、 (a)前記基板を回転させつつ前記基板に対してアンモニ
ア過酸化水素水混合水溶液を吐出する期間と、 (b)前記基板を回転させつつ前記基板に対してフッ酸を
吐出し、その直後に前記基板を回転させつつ前記基板に
対するフッ酸の吐出を停止状態に維持する期間と、が設
けられるように、前記回転手段および前記吐出手段を制
御することを特徴とする基板処理装置。13. A substrate processing apparatus for performing predetermined processing while rotating a substrate held on a rotating base in a horizontal plane, wherein the rotating means rotates the substrate about an axis along a substantially vertical direction. A discharge unit for selectively discharging an aqueous solution of aqueous ammonia and hydrogen peroxide and hydrofluoric acid to the substrate; and a control unit for controlling the rotation unit and the discharge unit. a) a period of discharging an aqueous solution of an aqueous solution of ammonium hydrogen peroxide with respect to the substrate while rotating the substrate, and (b) discharging hydrofluoric acid to the substrate while rotating the substrate. A substrate processing apparatus that controls the rotation unit and the discharge unit so that a period during which the discharge of hydrofluoric acid to the substrate is maintained in a stopped state while rotating the substrate is provided.
内にて回転させつつ所定の処理を行う基板処理装置であ
って、 基板を略鉛直方向に沿った軸を中心として回転させる回
転手段と、 前記基板に対して塩酸過酸化水素水混合水溶液およびフ
ッ酸を選択的に吐出する吐出手段と、 前記回転手段および前記吐出手段を制御する制御手段
と、を備え、 前記制御手段は、 (a)前記基板を回転させつつ前記基板に対して塩酸過酸
化水素水混合水溶液を吐出する期間と、 (b)前記基板を回転させつつ前記基板に対してフッ酸を
吐出し、その直後に前記基板を回転させつつ前記基板に
対するフッ酸の吐出を停止状態に維持する期間と、が設
けられるように、前記回転手段および前記吐出手段を制
御することを特徴とする基板処理装置。14. A substrate processing apparatus for performing a predetermined process while rotating a substrate held on a rotating base in a horizontal plane, wherein the rotating means rotates the substrate about an axis along a substantially vertical direction. Discharge means for selectively discharging a mixed aqueous solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide and hydrofluoric acid to the substrate; andcontrol means for controlling the rotation means and the discharge means.The control means comprises: a) a period of discharging a mixed solution of hydrochloric acid and hydrogen peroxide to the substrate while rotating the substrate, and (b) discharging hydrofluoric acid to the substrate while rotating the substrate. A substrate processing apparatus that controls the rotation unit and the discharge unit so that a period during which the discharge of hydrofluoric acid to the substrate is maintained in a stopped state while rotating the substrate is provided.
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006319282A (en) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2008034489A (en) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus |
| DE102008044754A1 (en) | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium |
| JP2009295662A (en) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium |
| KR101373325B1 (en) | 2010-12-17 | 2014-03-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus for substrate |
| CN112563183A (en) * | 2020-12-11 | 2021-03-26 | 中环领先半导体材料有限公司 | Process for reducing defect rate of edge-removing sucker seal of 8-inch polished wafer |
| CN116759295A (en) * | 2023-08-14 | 2023-09-15 | 天府兴隆湖实验室 | Silicon wafer cleaning method and silicon wafer cleaning equipment |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07115081A (en) * | 1993-10-14 | 1995-05-02 | Sony Corp | Treatment apparatus |
| JP2000277477A (en) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Hitachi Ltd | Substrate fluid processing method and equipment |
| JP2001060576A (en) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treatment apparatus and substrate treating method |
| JP2001085310A (en) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Sony Corp | Chemical treatment method and chemical treatment apparatus |
-
2001
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07115081A (en) * | 1993-10-14 | 1995-05-02 | Sony Corp | Treatment apparatus |
| JP2000277477A (en) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Hitachi Ltd | Substrate fluid processing method and equipment |
| JP2001060576A (en) * | 1999-08-23 | 2001-03-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate treatment apparatus and substrate treating method |
| JP2001085310A (en) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Sony Corp | Chemical treatment method and chemical treatment apparatus |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006319282A (en) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2008034489A (en) * | 2006-07-26 | 2008-02-14 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus |
| DE102008044754A1 (en) | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium |
| US8371318B2 (en) | 2007-08-31 | 2013-02-12 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
| JP2009295662A (en) * | 2008-06-03 | 2009-12-17 | Tokyo Electron Ltd | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium |
| US8251077B2 (en) | 2008-06-03 | 2012-08-28 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium |
| TWI397118B (en) * | 2008-06-03 | 2013-05-21 | Tokyo Electron Ltd | Liquid treatment apparatus, liquid treatment method and storage medium |
| KR101371572B1 (en) * | 2008-06-03 | 2014-03-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid treatment apparatus, liquid treatment method and storage medium |
| KR101373325B1 (en) | 2010-12-17 | 2014-03-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Liquid processing apparatus for substrate |
| CN112563183A (en) * | 2020-12-11 | 2021-03-26 | 中环领先半导体材料有限公司 | Process for reducing defect rate of edge-removing sucker seal of 8-inch polished wafer |
| CN116759295A (en) * | 2023-08-14 | 2023-09-15 | 天府兴隆湖实验室 | Silicon wafer cleaning method and silicon wafer cleaning equipment |
| CN116759295B (en) * | 2023-08-14 | 2023-11-14 | 天府兴隆湖实验室 | Silicon wafer cleaning method and silicon wafer cleaning equipment |
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