JP2004172573A - Processing apparatus for substrate and processing method for substrate - Google Patents

Processing apparatus for substrate and processing method for substrate Download PDF

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Akira Izumi
昭 泉
Kenichi Sano
謙一 佐野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing technique capable of reducing the processing time while minimizing the amount of etching for the substrate surface. <P>SOLUTION: A cleaning process for the substrate is taken place by feeding an alkaline processing liquid with an ultrasonic vibration and subsequently feeding an acidic processing liquid to the surface of the rotating substrate. Contaminative particles on the substrate are released from the substrate surface by the ultrasonic vibration of the alkaline processing liquid, and since the electric potentials of the contaminative particles and that of the substrate surface are of the same polarity in the alkaline processing liquid, re-adhesion of the once released contaminative particles is prevented. Therefore, the contaminative particles are efficiently removed. Since metallic contaminants on the substrate surface are changed to hydroxides by the alkaline processing liquid, they are removed by being rapidly dissolved by the subsequent acidic processing liquid. Therefore the processing time is reduced. With this method, the amount of etching for the substrate is minimized, since the metallic contaminants are removed by the acidic processing liquid of weak etching power. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

本発明は、半導体基板など(以下、単に「基板」という)の表面を洗浄する基板処理技術に関する。   The present invention relates to a substrate processing technique for cleaning a surface of a semiconductor substrate or the like (hereinafter, simply referred to as “substrate”).

基板の製造工程においては、基板の表面には粒子状の異物(以下、「汚染粒子」という)や、各種金属の汚染物質(以下、「金属汚染物質」という)が付着する。このため、適当な段階で基板の表面を洗浄する必要がある。基板の洗浄方法としては、多数枚の基板を一度に洗浄液の中に浸漬して処理するバッチ式の方法と、1枚ずつ基板を回転させ、基板表面に洗浄液を供給して処理する枚葉式の方法とがある。   In the substrate manufacturing process, particulate foreign substances (hereinafter referred to as “contaminated particles”) and various metal contaminants (hereinafter referred to as “metal contaminants”) adhere to the surface of the substrate. Therefore, it is necessary to clean the surface of the substrate at an appropriate stage. As a method of cleaning a substrate, a batch type method in which a large number of substrates are immersed in a cleaning liquid at a time and a processing method, and a single-wafer method in which a substrate is rotated one by one and a cleaning liquid is supplied to a substrate surface to be processed. There is a method.

枚葉式の基板処理装置は、処理の均一性、パーティクルの低減、他の基板からの金属汚染物質の転写防止など、プロセス性能においてバッチ式の基板処理装置と比較して多くの利点を有している。そのため、近年は枚葉式の基板処理装置が主流となりつつある。ただし、このような枚葉式の基板処理装置では1枚ずつ基板を処理するため、生産性の観点からは、バッチ式の基板処理装置と比較して短時間で処理を行う必要がある。   Single wafer processing equipment has many advantages over batch processing equipment in process performance, such as processing uniformity, particle reduction, and prevention of transfer of metal contaminants from other substrates. ing. Therefore, in recent years, a single-wafer-type substrate processing apparatus is becoming mainstream. However, in such a single-wafer-type substrate processing apparatus, since substrates are processed one by one, it is necessary to perform processing in a shorter time than a batch-type substrate processing apparatus from the viewpoint of productivity.

枚葉式の基板処理装置において処理時間を短縮する試みとして、例えば特開平10−256211号公報には、洗浄液としてオゾン水および希フッ酸を用いる方法が開示されている。この先行技術によれば、オゾン水による15秒程度の処理と希フッ酸による20秒程度の処理を含む工程により基板表面のパーティクルや金属汚染の除去を行い、洗浄処理の短時間化を図っている。   As an attempt to reduce the processing time in a single-wafer-type substrate processing apparatus, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 10-256211 discloses a method using ozone water and dilute hydrofluoric acid as a cleaning liquid. According to this prior art, particles and metal contamination on the substrate surface are removed by a process including a treatment for about 15 seconds with ozone water and a treatment for about 20 seconds with dilute hydrofluoric acid, thereby shortening the cleaning process. I have.

特開平10−256211号公報JP-A-10-256211

上述のように、枚葉式の基板処理装置においては、洗浄処理時間を短縮しなければならないという問題が存在する。   As described above, the single-wafer-type substrate processing apparatus has a problem that the cleaning processing time must be shortened.

また、特開平10−256211号公報に開示されている方法を用いる場合においても、フッ酸のエッチング力を利用して汚染粒子や金属汚染物質を除去する方法であるため、基板表面のエッチング量が多くなってしまう(例えば、エッチング厚さが2.0nm)という別の問題が存在する。   In addition, even when the method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-256211 is used, the etching amount on the substrate surface is reduced by using the etching power of hydrofluoric acid to remove contaminant particles and metal contaminants. There is another problem that the number increases (for example, the etching thickness is 2.0 nm).

そこで、本発明においては、基板表面のエッチング量を最小限に抑えつつ、処理時間を短縮できる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。   In view of the foregoing, an object of the present invention is to provide a substrate processing method and a substrate processing apparatus capable of reducing a processing time while minimizing an etching amount on a substrate surface.

上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、基板処理方法であって、処理対象となる基板を回転させつつ、前記基板に対して超音波振動を付与したアルカリ性処理液を供給する第1工程と、前記第1工程の後、前記基板を回転させつつ、前記基板に対して酸性処理液を供給する第2工程と、を含むことを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problem, the invention according to claim 1 is a substrate processing method, wherein a substrate to be processed is rotated while supplying an alkaline processing liquid to which ultrasonic vibration is applied to the substrate. And a second step of supplying the acidic processing liquid to the substrate while rotating the substrate after the first step.

請求項2に係る発明は、請求項1に記載の基板処理方法であって、前記第1工程は、前記基板のおもて面に対して超音波振動を付与したアルカリ性処理液を供給するとともに、前記基板のうら面に対してアルカリ性処理液を供給する工程を備え、前記第2工程は、前記基板のおもて面およびうら面に対して酸性処理液を供給する工程を備えることを特徴とする。   The invention according to claim 2 is the substrate processing method according to claim 1, wherein the first step supplies an alkaline processing liquid having ultrasonic vibration applied to a front surface of the substrate. Supplying an alkaline processing liquid to the back surface of the substrate; and supplying the acidic processing liquid to the front surface and the back surface of the substrate. And

請求項3に係る発明は、請求項1または請求項2に記載の基板処理方法であって、前記アルカリ性処理液は、希アンモニア水であることを特徴とする。   The invention according to claim 3 is the substrate processing method according to claim 1 or 2, wherein the alkaline processing liquid is diluted aqueous ammonia.

請求項4に係る発明は、請求項1または請求項2に記載の基板処理方法であって、前記アルカリ性処理液は、アンモニア水と過酸化水素水とを含む混合溶液であることを特徴とする。   The invention according to claim 4 is the substrate processing method according to claim 1 or 2, wherein the alkaline processing liquid is a mixed solution containing aqueous ammonia and aqueous hydrogen peroxide. .

請求項5に係る発明は、請求項1から請求項4までのいずれかに記載の基板処理方法であって、前記酸性処理液は、希塩酸であることを特徴とする。   The invention according to claim 5 is the substrate processing method according to any one of claims 1 to 4, wherein the acidic processing liquid is dilute hydrochloric acid.

請求項6に係る発明は、請求項1から請求項4までのいずれかに記載の基板処理方法であって、前記酸性処理液は、塩酸とフッ酸とを含む混合溶液であることを特徴とする。   The invention according to claim 6 is the substrate processing method according to any one of claims 1 to 4, wherein the acidic processing liquid is a mixed solution containing hydrochloric acid and hydrofluoric acid. I do.

請求項7に係る発明は、請求項1から請求項6までのいずれかに記載の基板処理方法であって、前記アルカリ性処理液と前記酸性処理液は、共に常温の液体であることを特徴とする。   The invention according to claim 7 is the substrate processing method according to any one of claims 1 to 6, wherein the alkaline processing liquid and the acidic processing liquid are both liquids at room temperature. I do.

請求項8に係る発明は、処理対象となる基板を水平面内にて回転させつつ所定の処理を行う基板処理装置であって、前記基板を略鉛直方向に沿った軸を中心として回転させる回転手段と、前記基板のおもて面に対して超音波振動を付与したアルカリ性処理液を供給する第1供給手段と、前記基板のおもて面に対して酸性処理液を供給する第2供給手段と、を備えることを特徴とする。   An invention according to claim 8 is a substrate processing apparatus for performing a predetermined process while rotating a substrate to be processed in a horizontal plane, wherein the rotating means rotates the substrate about an axis along a substantially vertical direction. First supply means for supplying an alkaline processing liquid having ultrasonic vibration applied to the front surface of the substrate, and second supply means for supplying an acidic processing liquid to the front surface of the substrate And the following.

請求項9に係る発明は、請求項8に記載の基板処理装置であって、前記基板のうら面に対してアルカリ性処理液を供給する第3供給手段と、前記基板のうら面に対して酸性処理液を供給する第4供給手段と、をさらに備えることを特徴とする。   The invention according to claim 9 is the substrate processing apparatus according to claim 8, wherein a third supply means for supplying an alkaline processing liquid to the back surface of the substrate, and an acid supply to the back surface of the substrate. And a fourth supply unit for supplying a processing liquid.

請求項10に係る発明は、請求項8または請求項9に記載の基板処理装置であって、前記アルカリ性処理液は、希アンモニア水であることを特徴とする。   The invention according to claim 10 is the substrate processing apparatus according to claim 8 or 9, wherein the alkaline processing liquid is diluted aqueous ammonia.

請求項11に係る発明は、請求項8または請求項9に記載の基板処理装置であって、前記アルカリ性処理液は、アンモニア水と過酸化水素水とを含む混合溶液であることを特徴とする。   The invention according to claim 11 is the substrate processing apparatus according to claim 8 or 9, wherein the alkaline processing liquid is a mixed solution containing ammonia water and hydrogen peroxide water. .

請求項12に係る発明は、請求項8から請求項11までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記酸性処理液は、希塩酸であることを特徴とする。   A twelfth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to any one of the eighth to eleventh aspects, wherein the acidic processing liquid is diluted hydrochloric acid.

請求項13に係る発明は、請求項8から請求項11までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記酸性処理液は、塩酸とフッ酸とを含む混合溶液であることを特徴とする。   The invention according to claim 13 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 8 to 11, wherein the acidic processing liquid is a mixed solution containing hydrochloric acid and hydrofluoric acid. I do.

請求項14に係る発明は、請求項8から請求項13までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記アルカリ性処理液と前記酸性処理液は、共に常温の液体であることを特徴とする。   The invention according to claim 14 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 8 to 13, wherein the alkaline processing liquid and the acidic processing liquid are both liquids at room temperature. I do.

請求項1から請求項14に記載の発明によれば、超音波振動を付与したアルカリ性処理液を基板に供給するため、基板表面に付着した汚染粒子を超音波振動により基板表面から遊離することができる。さらに、一旦遊離した汚染粒子はアルカリ性処理液中における基板表面とのゼータ電位の反発により再付着が防止されるため、効率的に除去でき、処理時間を短縮することができる。また、基板表面に付着した金属汚染物質は、アルカリ性処理液の供給により水酸化物に変化し、その後酸性処理液により迅速に溶解し除去できるため、処理時間を短縮することができる。また、この方法により、エッチング力の弱い酸性処理液でも金属汚染物質の効果的な除去が可能となるため、基板表面のエッチング量を最小限に抑えることができる。   According to the first to fourteenth aspects of the present invention, since the alkaline treatment liquid to which ultrasonic vibration is applied is supplied to the substrate, contaminant particles attached to the substrate surface can be released from the substrate surface by ultrasonic vibration. it can. Further, once released contaminant particles are prevented from re-adhering due to repulsion of zeta potential with the substrate surface in the alkaline processing liquid, they can be efficiently removed and the processing time can be shortened. In addition, the metal contaminants attached to the substrate surface are changed to hydroxides by the supply of the alkaline processing liquid, and can be quickly dissolved and removed by the acidic processing liquid, so that the processing time can be reduced. In addition, this method makes it possible to effectively remove metal contaminants even with an acidic treatment liquid having a weak etching power, and thus it is possible to minimize the amount of etching on the substrate surface.

特に、請求項2または請求項9に記載の発明によれば、基板のうら面に付着した汚染粒子および金属汚染物質も除去することができる。このとき、基板のおもて面に供給したアルカリ性処理液の超音波振動は、基板のうら面にまで伝搬するため、基板のうら面に付着した汚染粒子も超音波振動により遊離することができ、高い除去効果を得ることができる。   In particular, according to the second or ninth aspect of the present invention, it is possible to remove contaminant particles and metal contaminants attached to the back surface of the substrate. At this time, since the ultrasonic vibration of the alkaline processing liquid supplied to the front surface of the substrate propagates to the back surface of the substrate, contaminant particles attached to the back surface of the substrate can also be released by the ultrasonic vibration. , A high removal effect can be obtained.

特に、請求項5または請求項12に記載の発明によれば、酸性処理液として希塩酸を用いることにより、基板表面のエッチング量を低減することができる。   In particular, according to the fifth or twelfth aspect of the present invention, by using dilute hydrochloric acid as the acidic treatment liquid, the amount of etching of the substrate surface can be reduced.

特に、請求項7または請求項14に記載の発明によれば、常温で処理を行うことにより、高温で処理を行う場合と比較して、アルカリ性処理液や酸性処理液による基板のエッチング量を、著しく低減することができる。また、処理前および処理後の温度調整に要する時間や設備が不要となるため、処理時間を短縮し、コストを低減することができる。   In particular, according to the invention described in claim 7 or claim 14, by performing the treatment at room temperature, compared with the case of performing the treatment at a high temperature, the amount of etching of the substrate by an alkaline treatment solution or an acidic treatment solution, It can be significantly reduced. In addition, since time and equipment required for temperature adjustment before and after processing are not required, processing time can be reduced and cost can be reduced.

以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本明細書中において基板の「表面」とは基板の内部に対する外側面を指し、基板の表裏面をそれぞれ「おもて面」「うら面」ということとする。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In this specification, the “front surface” of the substrate refers to an outer surface with respect to the inside of the substrate, and the front and back surfaces of the substrate are referred to as “front surface” and “back surface”, respectively.

<基板処理装置1の要部構成>
図1は、本発明に係る基板処理装置1の構成を示す縦断面図である。この基板処理装置1は、半導体ウエハ(より具体的にはシリコンウエハ)である基板Wに対する洗浄処理を行う枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置1は、主として、基板Wを保持して回転するスピンベース10と、超音波振動を付与したアルカリ性処理液をスピンベース10上に保持された基板Wに供給するアルカリ性処理液ノズル68と、酸性処理液をスピンベース10上に保持された基板Wに供給する酸性処理液ノズル78と、純水をスピンベース上に保持された基板Wに供給する純水ノズル36と、使用後の処理液(アルカリ性処理液、酸性処理液、純水など)等を廃棄または回収する排液槽等を構成する受け部材26と、スピンベース10上に保持されて回転する基板Wから振り切られた処理液を受けるためのスプラッシュガード50と、装置全体の動作をコントロールする制御部90とを備えている。
<Main Configuration of Substrate Processing Apparatus 1>
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer-type substrate processing apparatus that performs a cleaning process on a substrate W that is a semiconductor wafer (more specifically, a silicon wafer). The substrate processing apparatus 1 mainly includes a spin base 10 that rotates while holding the substrate W, an alkaline processing liquid nozzle 68 that supplies an alkaline processing liquid to which ultrasonic vibration is applied to the substrate W held on the spin base 10, An acid processing liquid nozzle 78 for supplying an acid processing liquid to the substrate W held on the spin base 10, a pure water nozzle 36 for supplying pure water to the substrate W held on the spin base, and post-use processing. A receiving member 26 that constitutes a drainage tank or the like for discarding or recovering a liquid (alkaline processing liquid, acidic processing liquid, pure water, etc.), and a processing liquid shaken off from a rotating substrate W held on the spin base 10 And a control unit 90 for controlling the operation of the entire apparatus.

図2は、基板処理装置1に付帯する配管等の構成を示す模式図である。以下に図1および図2を参照しつつ、基板処理装置1の構成について説明する。   FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration of piping and the like attached to the substrate processing apparatus 1. Hereinafter, the configuration of the substrate processing apparatus 1 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

まず、スピンベース10周辺の構成について説明する。   First, the configuration around the spin base 10 will be described.

スピンベース10は中心部に開口を有する円板状の部材であって、その上面には円形の基板Wの周縁部を把持するための複数個のチャックピン14が立設されている。チャックピン14は、円形の基板Wを確実に保持するために3個以上(例えば、6個)設けてあればよく、スピンベース10の周縁部に沿って等角度間隔(例えば、60°間隔)で配置されている。チャックピン14のそれぞれは、基板Wの周縁部を下方から支持する基板支持部14aと、基板支持部14aに支持された基板Wの外周端面を押圧して基板Wを保持する基板保持部14bとを備えている。各チャックピン14は、基板保持部14bが基板Wの外周端面を押圧する押圧状態と、基板保持部14bが基板Wの外周端面から離れる開放状態との間を切り替え可能に構成されている。複数個のチャックピン14の押圧状態と解放状態との切り替えは、種々の公知の機構によって実現することが可能であり、例えば特公平3−9607号公報に開示されたリンク機構等を用いればよい。   The spin base 10 is a disk-shaped member having an opening at the center, and a plurality of chuck pins 14 for holding a peripheral portion of the circular substrate W are provided upright on an upper surface thereof. At least three (for example, six) chuck pins 14 may be provided in order to securely hold the circular substrate W, and the chuck pins 14 are provided at equal angular intervals (for example, at 60 ° intervals) along the periphery of the spin base 10. It is arranged in. Each of the chuck pins 14 includes a substrate supporting portion 14a that supports a peripheral portion of the substrate W from below, a substrate holding portion 14b that presses an outer peripheral end surface of the substrate W supported by the substrate supporting portion 14a to hold the substrate W, It has. Each of the chuck pins 14 is configured to be switchable between a pressing state in which the substrate holding unit 14b presses the outer peripheral end surface of the substrate W and an open state in which the substrate holding unit 14b is separated from the outer peripheral end surface of the substrate W. The switching between the pressed state and the released state of the plurality of chuck pins 14 can be realized by various known mechanisms. For example, a link mechanism disclosed in Japanese Patent Publication No. 3-9607 may be used. .

スピンベース10に対する基板Wの受け渡し時には、複数個のチャックピン14を解放状態とし、基板Wに対する諸処理を行う時には、複数個のチャックピン14を押圧状態とする。押圧状態とすることによって、複数個のチャックピン14は基板Wの周縁部を把持してその基板Wをスピンベース10から所定間隔を隔てて略水平姿勢に保持することができる。基板Wは、そのおもて面(電子回路パターンの形成面)WS1を上面側に向け、うら面WS2を下面側に向けた状態で保持される。   When the substrate W is transferred to the spin base 10, the plurality of chuck pins 14 are released, and when various processes are performed on the substrate W, the plurality of chuck pins 14 are pressed. By being in the pressed state, the plurality of chuck pins 14 can grip the peripheral portion of the substrate W and hold the substrate W in a substantially horizontal posture at a predetermined interval from the spin base 10. The substrate W is held with its front surface (surface on which an electronic circuit pattern is formed) WS1 facing the upper surface and the back surface WS2 facing the lower surface.

スピンベース10の中心部下面側には、回転軸11が垂設されている。回転軸11は中空の円筒状部材であって、その内側の中空部分にはうら面処理液ノズル15が挿設されている。回転軸11の下端付近には、ベルト駆動機構21を介して電動モータ20が連動連結されている。すなわち、回転軸11の外周に固設された従動プーリ21aと電動モータ20の回転軸に連結された主動プーリ21bとの間にベルト21cが巻き掛けられている。電動モータ20を駆動することにより、その駆動力をベルト駆動機構21を介して回転軸11に伝達し、回転軸11、スピンベース10とともにチャックピン14に保持された基板Wを水平面内にて鉛直方向に沿った回転軸Jを中心として回転させることができる。   On the lower surface side of the center of the spin base 10, a rotating shaft 11 is vertically provided. The rotating shaft 11 is a hollow cylindrical member, and a back surface treatment liquid nozzle 15 is inserted into a hollow portion inside the rotating shaft 11. An electric motor 20 is interlockingly connected to a lower end of the rotating shaft 11 via a belt driving mechanism 21. That is, the belt 21c is wound around the driven pulley 21a fixedly provided on the outer periphery of the rotating shaft 11 and the driven pulley 21b connected to the rotating shaft of the electric motor 20. By driving the electric motor 20, the driving force is transmitted to the rotating shaft 11 via the belt driving mechanism 21, and the substrate W held by the chuck pins 14 together with the rotating shaft 11 and the spin base 10 is vertically moved in a horizontal plane. It can be rotated about a rotation axis J along the direction.

以上の回転軸11、ベルト駆動機構21、電動モータ20等は、ベース部材24上に設けられた有蓋円筒状のケーシング25内に収容されている。   The rotating shaft 11, the belt driving mechanism 21, the electric motor 20, and the like are accommodated in a covered cylindrical casing 25 provided on the base member 24.

うら面処理液ノズル15は回転軸11を貫通しており、その先端部15aはスピンベース10上に保持された基板Wの中心部直下に位置する。また、うら面処理液ノズル15の基端部15bは、図2に示す処理液配管16に連通接続されている。処理液配管16の基端部は3つの配管に分岐されていて、そのうち1つの分岐配管16aにはアルカリ性処理液供給源17aが連通接続されており、別の分岐配管16bには酸性処理液供給源17bが連通接続されており、さらに別の分岐配管16cには純水供給源17cが連通接続されている。また、分岐配管16a,16b,16cにはそれぞれバルブ12a,12b,12cが設けられており、これらバルブ12a,12b,12cの開閉を切り替えることによって、うら面処理液ノズル15の先端部15aからスピンベース10上に保持された基板Wのうら面WS2の中心部付近にアルカリ性処理液(ここでは、希アンモニア水)、酸性処理液(ここでは、希塩酸)、および純水を選択的に切り換えて吐出し、供給することができる。すなわち、バルブ12b,12cを閉鎖してバルブ12aを開放することにより希アンモニア水を、バルブ12a,12cを閉鎖してバルブ12bを開放することにより希塩酸を、バルブ12a,12bを閉鎖してバルブ12cを開放することにより純水を、それぞれうら面処理液ノズル15から供給することができる。   The back surface processing liquid nozzle 15 penetrates the rotating shaft 11, and the tip 15 a thereof is located immediately below the center of the substrate W held on the spin base 10. The base end 15b of the back surface processing liquid nozzle 15 is connected to the processing liquid piping 16 shown in FIG. The base end of the processing liquid pipe 16 is branched into three pipes, one of which is connected to an alkaline processing liquid supply source 17a, and the other is connected to another branch pipe 16b. A source 17b is connected in communication, and a further branch pipe 16c is connected in communication with a pure water supply source 17c. The branch pipes 16a, 16b, and 16c are provided with valves 12a, 12b, and 12c, respectively. By switching the opening and closing of the valves 12a, 12b, and 12c, the spinning from the front end 15a of the back surface processing liquid nozzle 15 is performed. An alkaline processing liquid (here, diluted ammonia water), an acidic processing liquid (here, diluted hydrochloric acid), and pure water are selectively switched and discharged near the center of the back surface WS2 of the substrate W held on the base 10. And can be supplied. That is, diluted ammonia water is obtained by closing the valves 12b and 12c and opening the valve 12a, diluted hydrochloric acid by closing the valves 12a and 12c and opening the valve 12b, and valve 12c by closing the valves 12a and 12b. , The pure water can be supplied from the back surface treatment liquid nozzle 15.

また、回転軸11の中空部分の内壁とうら面処理液ノズル15の外壁との間の隙間は、気体供給路19となっている。この気体供給路19の先端部19aは環状開口となっており、スピンベース10上に保持された基板Wのうら面WS2中心部に向けられている。そして、気体供給路19の基端部19bはガス配管22に連通接続されている。ガス配管22は不活性ガス供給源23に連通接続され、ガス配管22の経路途中にはバルブ13が設けられている。バルブ13を開放することによって、気体供給路19の先端部19aからスピンベース10上に保持された基板Wのうら面WS2中心部に向けて不活性ガス(ここでは窒素ガス)を供給することができる。   A gap between the inner wall of the hollow portion of the rotating shaft 11 and the outer wall of the back surface treatment liquid nozzle 15 is a gas supply path 19. The distal end portion 19a of the gas supply path 19 has an annular opening, and is directed toward the center of the back surface WS2 of the substrate W held on the spin base 10. The base end 19 b of the gas supply path 19 is connected to the gas pipe 22. The gas pipe 22 is connected to an inert gas supply source 23, and the valve 13 is provided in the gas pipe 22 in the middle of the path. By opening the valve 13, an inert gas (here, nitrogen gas) can be supplied from the front end 19 a of the gas supply path 19 toward the center of the back surface WS <b> 2 of the substrate W held on the spin base 10. it can.

次に、アルカリ性処理液ノズル68周辺の構成について説明する。   Next, the configuration around the alkaline processing liquid nozzle 68 will be described.

スピンベース10上に保持された基板Wの上部には、アルカリ性処理液ノズル68が配置されており、基板Wのおもて面WS1に希アンモニア水を供給することができるようになっている。アルカリ性処理液ノズル68は、凸字に屈曲したリンク部材66を介してノズル移動機構65と連結されている。ノズル移動機構65は、鉛直方向に沿った回転軸を有する電動モータ65aを備えており、その回転軸の周りにリンク部材66およびリンク部材66に接続されたアルカリ性処理液ノズル68を回転させることができる。これにより、アルカリ性処理液ノズル68は、スピンベース10に保持された基板Wのおもて面WS1に対向する対向位置と、対向位置から側方にスプラッシュガード50の外側まで退避した退避位置との間を、回転運動により移動することができる。また、対向位置においても、アルカリ性処理液ノズル68はスピンベース10に保持された基板Wのおもて面WS1の中心部から周縁部に至る各部に対向することができる。さらに、ノズル移動機構65はノズル昇降機構69に接続されており、ノズル移動機構65とともにアルカリ性処理液ノズル68を昇降できる構成となっている。これにより、スプラッシュガード50を回避して、アルカリ性処理液ノズル68を退避位置と対向位置との間で移動させることができる。   An alkaline processing liquid nozzle 68 is disposed above the substrate W held on the spin base 10 so that diluted ammonia water can be supplied to the front surface WS1 of the substrate W. The alkaline processing liquid nozzle 68 is connected to a nozzle moving mechanism 65 via a link member 66 bent in a convex shape. The nozzle moving mechanism 65 includes an electric motor 65a having a rotation axis extending in the vertical direction, and can rotate the link member 66 and the alkaline processing liquid nozzle 68 connected to the link member 66 around the rotation axis. it can. As a result, the alkaline processing liquid nozzle 68 moves between the facing position facing the front surface WS1 of the substrate W held by the spin base 10 and the retracted position retracted laterally from the facing position to the outside of the splash guard 50. It can move between them by a rotational movement. Also at the facing position, the alkaline processing liquid nozzle 68 can face each part from the center of the front surface WS1 of the substrate W held by the spin base 10 to the peripheral part. Further, the nozzle moving mechanism 65 is connected to a nozzle elevating mechanism 69 so that the alkaline processing liquid nozzle 68 can be moved up and down together with the nozzle moving mechanism 65. Accordingly, the alkaline processing liquid nozzle 68 can be moved between the retreat position and the opposing position, avoiding the splash guard 50.

アルカリ性処理液ノズル68の斜視図を図3(a)に、アルカリ性処理液ノズル68の配管37aを含む縦断面図を図3(b)に、それぞれ示す。これらの図に示すように、アルカリ性処理液ノズル68は、下半部の断面形状がV字形をなし下端面に吐出口68aが形設された有蓋円筒形状の吐出部68bと、吐出部68bの上壁面に形成された透孔68cの一端に固設された超音波振動子68dとを備えている。吐出部68bは、フッ素樹脂等の耐薬性を有する素材で形成されている。また、超音波振動子68dの表面には、石英もしくは高純度SiC(炭化珪素)の薄板が貼り付けられている。超音波振動子68dには、ケーブル67が電気的に接続されており、ケーブル67は、図外の高周波発信器に電気的に接続されている。超音波振動子68dからは、吐出部68bの内部に充満した希アンモニア水に向けて超音波を発射することができ、吐出口68aから吐出される希アンモニア水に超音波振動を付与することができる。また、吐出部68bの側壁面には、液導入口70が形設されており、その液導入口70には配管37aが連通接続されている。図2に示すように、配管37aは、バルブ18aを介してアルカリ性処理液供給源17aに連通接続されている。すなわち、バルブ18aを開放することによりアルカリ性処理液ノズル68の吐出部68b内へ希アンモニア水を供給し、超音波振動子68dにより超音波振動を付与した希アンモニア水を吐出口68aから基板Wのおもて面WS1へ向けて吐出させることができる。   FIG. 3A is a perspective view of the alkaline processing liquid nozzle 68, and FIG. 3B is a longitudinal sectional view of the alkaline processing liquid nozzle 68 including the pipe 37a. As shown in these figures, the alkaline processing liquid nozzle 68 has a closed cylindrical discharge part 68b having a V-shaped lower half section and a discharge port 68a formed at the lower end surface, and a discharge part 68b. An ultrasonic vibrator 68d fixedly provided at one end of a through hole 68c formed in the upper wall surface. The ejection portion 68b is formed of a chemical-resistant material such as a fluororesin. A thin plate of quartz or high-purity SiC (silicon carbide) is attached to the surface of the ultrasonic transducer 68d. A cable 67 is electrically connected to the ultrasonic transducer 68d, and the cable 67 is electrically connected to a high-frequency oscillator (not shown). Ultrasonic waves can be emitted from the ultrasonic vibrator 68d toward dilute ammonia water filled in the discharge section 68b, and ultrasonic vibration can be applied to the dilute ammonia water discharged from the discharge port 68a. it can. A liquid inlet 70 is formed on the side wall surface of the discharge portion 68b, and the liquid inlet 70 is connected to a pipe 37a. As shown in FIG. 2, the pipe 37a is connected to the alkaline processing liquid supply source 17a via a valve 18a. That is, by opening the valve 18a, diluted ammonia water is supplied into the discharge portion 68b of the alkaline processing liquid nozzle 68, and the diluted ammonia water to which ultrasonic vibration has been applied by the ultrasonic vibrator 68d is discharged from the discharge port 68a to the substrate W. It can be discharged toward the front surface WS1.

続いて、酸性処理液ノズル78周辺の構成について説明する。   Subsequently, a configuration around the acidic processing liquid nozzle 78 will be described.

スピンベース10上に保持された基板Wの上部には、酸性処理液ノズル78が配置されており、基板Wのおもて面WS1に希塩酸を供給することができるようになっている。酸性処理液ノズル78は、凸字に屈曲したリンク部材76を介してノズル移動機構75と連結されている。ノズル移動機構75は、鉛直方向に沿った回転軸を有する電動モータ75aを備えており、その回転軸の周りにリンク部材76およびリンク部材76に接続された酸性処理液ノズル78を回転させることができる。これにより、酸性処理液ノズル78は、スピンベース10に保持された基板Wのおもて面WS1に対向する対向位置と、対向位置の側方にスプラッシュガード50の外側まで退避した退避位置との間を移動することができる。また、対向位置においても、酸性処理液ノズル78はスピンベース10に保持された基板Wのおもて面WS1の中心部から周縁部に至る各部に対向することができる。さらに、ノズル移動機構75はノズル昇降機構79に接続されており、ノズル移動機構75とともに酸性処理液ノズル78を昇降できる構成となっている。これにより、スプラッシュガード50を回避して、酸性処理液ノズル78を退避位置と対向位置との間で移動させることができる。   An acidic processing liquid nozzle 78 is arranged above the substrate W held on the spin base 10 so that diluted hydrochloric acid can be supplied to the front surface WS1 of the substrate W. The acidic processing liquid nozzle 78 is connected to the nozzle moving mechanism 75 via a link member 76 bent in a convex shape. The nozzle moving mechanism 75 includes an electric motor 75a having a rotation axis extending in the vertical direction, and can rotate the link member 76 and the acid treatment liquid nozzle 78 connected to the link member 76 around the rotation axis. it can. As a result, the acidic processing liquid nozzle 78 moves between the facing position facing the front surface WS1 of the substrate W held on the spin base 10 and the retracted position retracted to the outside of the splash guard 50 to the side of the facing position. You can move between. Also at the facing position, the acidic processing liquid nozzle 78 can face each part from the center of the front surface WS1 of the substrate W held on the spin base 10 to the peripheral part. Further, the nozzle moving mechanism 75 is connected to a nozzle elevating mechanism 79, and is configured to move up and down the acidic processing liquid nozzle 78 together with the nozzle moving mechanism 75. Accordingly, the acidic processing liquid nozzle 78 can be moved between the retreat position and the opposing position, avoiding the splash guard 50.

また、酸性処理液ノズル78には配管37bが連通接続されている。図2に示すように、配管37bは、バルブ18bを介して酸性処理液供給源17bに連通接続されている。すなわち、バルブ18bを開放することにより酸性処理液ノズル78から基板Wのおもて面WS1へ向けて希塩酸を吐出させることができる。   A pipe 37b is connected to the acidic processing liquid nozzle 78. As shown in FIG. 2, the pipe 37b is connected to the acidic processing liquid supply source 17b via a valve 18b. That is, by opening the valve 18b, the diluted hydrochloric acid can be discharged from the acidic processing liquid nozzle 78 toward the front surface WS1 of the substrate W.

続いて、純水ノズル36周辺の構成について説明する。   Subsequently, a configuration around the pure water nozzle 36 will be described.

スピンベース10上に保持された基板Wの上方には、円盤状の雰囲気遮断板30と、雰囲気遮断板30の上面中央部に垂設された環状の回転軸35と、回転軸35の内部に挿通された純水ノズル36とが、一体として昇降可能に配置されている。   Above the substrate W held on the spin base 10, a disk-shaped atmosphere shielding plate 30, an annular rotating shaft 35 vertically suspended at the center of the upper surface of the atmosphere shielding plate 30, and an inside of the rotating shaft 35. The inserted pure water nozzle 36 is arranged so as to be able to ascend and descend integrally.

雰囲気遮断板30の中心部には、回転軸35の内径にほぼ等しい開口が設けられており、回転軸35の内側の中空部分には純水ノズル36が挿設されている。純水ノズル36は、回転軸35を貫通しており、その先端部36aはスピンベース10上に保持された基板Wの中心部直上に位置する。純水ノズル36の基端部36bは純水配管37cに連通接続されており、図2に示すように、純水配管37cはバルブ18cを介して純水供給源17cと接続されている。バルブ18cを開放することによって、純水ノズル36の先端部36aからチャックピンに保持された基板Wのおもて面WS1の中心部に向けて純水を供給することができる。   An opening substantially equal to the inner diameter of the rotating shaft 35 is provided at the center of the atmosphere shielding plate 30, and a pure water nozzle 36 is inserted into a hollow portion inside the rotating shaft 35. The pure water nozzle 36 penetrates the rotation shaft 35, and the tip 36 a is located immediately above the center of the substrate W held on the spin base 10. A base end portion 36b of the pure water nozzle 36 is connected to a pure water pipe 37c, and as shown in FIG. 2, the pure water pipe 37c is connected to a pure water supply source 17c via a valve 18c. By opening the valve 18c, pure water can be supplied from the distal end portion 36a of the pure water nozzle 36 toward the center of the front surface WS1 of the substrate W held by the chuck pins.

また、回転軸35の中空部分の内壁および雰囲気遮断板30の中心の開口の内壁と純水ノズル36の外壁との間の隙間は、気体供給路45となっている。この気体供給路45の先端部45aは環状開口となっており、スピンベース10上に保持された基板Wのおもて面WS1中心部に向けられている。そして、気体供給路45の基端部45bはガス配管46に連通接続されている。図2に示すように、ガス配管46は不活性ガス供給源23に連通接続され、ガス配管46の経路途中にはバルブ47が設けられている。バルブ47を開放することによって、気体供給路45の先端部45aからチャックピンに保持された基板Wのおもて面WS1の中心部に向けて窒素ガスを供給することができる。   The gap between the inner wall of the hollow portion of the rotating shaft 35 and the inner wall of the opening at the center of the atmosphere shielding plate 30 and the outer wall of the pure water nozzle 36 is a gas supply passage 45. The distal end portion 45a of the gas supply passage 45 has an annular opening, and is directed toward the center of the front surface WS1 of the substrate W held on the spin base 10. The base end 45 b of the gas supply passage 45 is connected to the gas pipe 46. As shown in FIG. 2, the gas pipe 46 is connected to the inert gas supply source 23, and a valve 47 is provided in the middle of the gas pipe 46. By opening the valve 47, the nitrogen gas can be supplied from the front end portion 45a of the gas supply path 45 toward the center of the front surface WS1 of the substrate W held by the chuck pins.

回転軸35は、支持アーム40にベアリングを介して回転自在に支持されているとともに、ベルト駆動機構41を介して、支持アーム40に取り付けられた電動モータ42に連結されている。すなわち、回転軸35の外周に固設された従動プーリ41aと電動モータ42の回転軸に連結された主動プーリ41bとの間にベルト41cが巻き掛けられている。電動モータ42を駆動することにより、その駆動力をベルト駆動機構41を介して回転軸35に伝達し、回転軸35および雰囲気遮断板30を水平面内にて鉛直方向に沿った回転軸Jを中心として回転させることができる。雰囲気遮断板30は基板Wとほぼ同じ回転数にて回転する。なお、ベルト駆動機構41は支持アーム40内に収容されている。   The rotation shaft 35 is rotatably supported by the support arm 40 via a bearing, and is connected to an electric motor 42 attached to the support arm 40 via a belt drive mechanism 41. That is, the belt 41c is wound around the driven pulley 41a fixedly provided on the outer periphery of the rotating shaft 35 and the driven pulley 41b connected to the rotating shaft of the electric motor 42. By driving the electric motor 42, the driving force is transmitted to the rotating shaft 35 via the belt driving mechanism 41, and the rotating shaft 35 and the atmosphere shielding plate 30 are centered on the rotating shaft J along the vertical direction in the horizontal plane. Can be rotated as The atmosphere blocking plate 30 rotates at substantially the same rotation speed as the substrate W. The belt drive mechanism 41 is housed in the support arm 40.

さらに、支持アーム40はアーム昇降機構49に接続され、昇降可能となっている。アーム昇降機構としては、ボールネジを用いた送りネジ機構やエアシリンダを用いた機構等、種々の公知の機構を採用することができる。アーム昇降機構49は、支持アームを昇降させることによって、それに連結された回転軸35および雰囲気遮断板30を昇降させることができ、雰囲気遮断板30を、スピンベース上に保持された基板Wのおもて面WS1に近接する位置と、基板Wの上方に離間して退避した位置との間で移動させることができる。図1では、雰囲気遮断板30は退避した位置にある。   Further, the support arm 40 is connected to an arm elevating mechanism 49, and is capable of elevating. Various known mechanisms such as a feed screw mechanism using a ball screw and a mechanism using an air cylinder can be used as the arm lifting mechanism. The arm lifting / lowering mechanism 49 can raise / lower the support arm to raise / lower the rotating shaft 35 and the atmosphere shielding plate 30 connected thereto, and move the atmosphere shielding plate 30 to the substrate W held on the spin base. It can be moved between a position close to the front surface WS1 and a position separated and retreated above the substrate W. In FIG. 1, the atmosphere shielding plate 30 is in a retracted position.

続いて、受け部材26周辺の構成について説明する。   Subsequently, a configuration around the receiving member 26 will be described.

ベース部材24上のケーシング25の周囲には受け部材26が固定的に取り付けられている。受け部材26には、円筒状の仕切部材27a,27bが立設されている。ケーシング25および仕切部材27aを側壁として、第1排液槽28が形成されており、仕切部材27aおよび仕切部材27bを側壁として、第2排液槽29が形成されている。第1排液槽28の底部にはV溝が形成されており、V溝中央部の一部には廃棄ドレイン28bに連通接続された排出口28aが設けられている。第1排液槽28の排出口28aからは使用済みの純水および気体を廃棄ドレイン28bへ排出し、気液分離後、それぞれ所定の手続きに従って廃棄することができる。一方、第2排液槽29の底部にはV溝が形成されており、V溝中央部の一部には回収ドレイン29bに連通接続された排出口29aが設けられている。第2排液槽29の排出口29aからは使用済みの薬液を回収ドレイン29bへ排出し、図外の回収タンクに一旦回収した後、アルカリ性処理液供給源17aまたは酸性処理液供給源17bに供給することにより、薬液を循環再利用することができるようになっている。   A receiving member 26 is fixedly mounted around the casing 25 on the base member 24. On the receiving member 26, cylindrical partition members 27a and 27b are erected. A first drainage tank 28 is formed using the casing 25 and the partition member 27a as side walls, and a second drainage tank 29 is formed using the partition member 27a and the partition member 27b as side walls. A V-groove is formed at the bottom of the first drain tank 28, and a discharge port 28a connected to the waste drain 28b is provided at a part of the center of the V-groove. The used pure water and gas are discharged from the discharge port 28a of the first drainage tank 28 to the waste drain 28b, and after gas-liquid separation, can be disposed according to predetermined procedures. On the other hand, a V-groove is formed at the bottom of the second drain tank 29, and a discharge port 29a connected to the recovery drain 29b is provided at a part of the center of the V-groove. The used chemical solution is discharged from a discharge port 29a of the second drainage tank 29 to a recovery drain 29b, and once collected in a recovery tank (not shown), and then supplied to an alkaline processing liquid supply source 17a or an acidic processing liquid supply source 17b. By doing so, the chemical solution can be circulated and reused.

続いて、スプラッシュガード50周辺の構成について説明する。   Subsequently, a configuration around the splash guard 50 will be described.

スピンベース10およびそれに保持された基板Wの周囲を取り囲むように、筒状のスプラッシュガード50が配置されている。スプラッシュガード50の内面上部には、断面くの字形で内方に開いた溝状の第1案内部51が形成されている。また、スプラッシュガード50の下部には、内方および下方に開いた断面4分の1円弧状の第2案内部52と、第2案内部52の内側に円環状の溝53が形成されている。スプラッシュガード50は、リンク部材56を介してガード昇降機構55と連結されており、ガード昇降機構55によって昇降自在とされている。ガード昇降機構55としては、ボールネジを用いた送りネジ機構やエアシリンダを用いた機構など、種々の公知の機構を採用することができる。   A cylindrical splash guard 50 is arranged so as to surround the spin base 10 and the substrate W held by the spin base. A first guide portion 51 is formed in the upper portion of the inner surface of the splash guard 50 and has a groove-shaped cross section and opens inward. Further, a second guide portion 52 having a quarter-arc cross section opened inward and downward is formed in a lower portion of the splash guard 50, and an annular groove 53 is formed inside the second guide portion 52. . The splash guard 50 is connected to a guard elevating mechanism 55 via a link member 56, and is movable up and down by the guard elevating mechanism 55. As the guard elevating mechanism 55, various known mechanisms such as a feed screw mechanism using a ball screw and a mechanism using an air cylinder can be adopted.

ガード昇降機構55がスプラッシュガード50を下降させているときには、仕切部材27aが溝53に遊嵌するとともに、スピンベース10およびそれに保持された基板Wの周囲に第1案内部51が位置する。この状態は後述するリンス処理時およびスピン乾燥時の状態であり、回転する基板W等から飛散した純水を第1案内部51によって受け止め、その傾斜に沿って第1排液槽28に流し込み、排出口28aから廃棄ドレイン28bへと排出できる状態となる。   When the guard elevating mechanism 55 lowers the splash guard 50, the partition member 27a is loosely fitted in the groove 53, and the first guide portion 51 is positioned around the spin base 10 and the substrate W held thereon. This state is a state of a rinsing process and a spin drying described later, and the pure water scattered from the rotating substrate W or the like is received by the first guide portion 51 and flows into the first drainage tank 28 along the inclination thereof. The discharge port 28a can be discharged to the waste drain 28b.

一方、ガード昇降機構55がスプラッシュガード50を上昇させているときには、仕切部材27aが溝53から離間するとともに、スピンベース10およびそれに保持された基板Wの周囲に第2案内部52が位置することとなる(図1の状態)。この状態はアルカリ性処理液または酸性処理液を用いた洗浄処理時の状態であり、回転する基板Wから飛散したアルカリ性処理液または酸性処理液を第2案内部52によって受け止め、その曲面に沿って第2排液槽29に流し込み、排出口29aから回収ドレイン29bへと排出できる状態となる。   On the other hand, when the guard elevating mechanism 55 raises the splash guard 50, the partition member 27a is separated from the groove 53, and the second guide portion 52 is positioned around the spin base 10 and the substrate W held thereon. (The state shown in FIG. 1). This state is a state at the time of the cleaning processing using the alkaline processing liquid or the acidic processing liquid, and the alkaline processing liquid or the acidic processing liquid scattered from the rotating substrate W is received by the second guide portion 52, and the second processing is performed along the curved surface. 2 The liquid can be poured into the drainage tank 29 and discharged from the discharge port 29a to the collection drain 29b.

また、基板処理装置1は、上記の構成以外に制御部90を備え、電動モータ20,42、アーム昇降機構49、ガード昇降機構55、ノズル移動機構65,75、ノズル昇降機構69,79、バルブ12a,12b,12c,13,18a,18b,18c,47などは、制御部90により、その動作を制御することができる。   Further, the substrate processing apparatus 1 includes a control unit 90 in addition to the above-described configuration, and controls the electric motors 20 and 42, the arm elevating mechanism 49, the guard elevating mechanism 55, the nozzle moving mechanisms 65 and 75, the nozzle elevating mechanisms 69 and 79, and the valve. The operation of 12a, 12b, 12c, 13, 18a, 18b, 18c, 47, and the like can be controlled by the control unit 90.

<基板処理装置1における洗浄処理手順>
以下に、この基板処理装置1を用いた基板Wの洗浄処理手順について説明する。図4は、基板処理装置1における基板処理の動作を説明するフローチャートである。図4に示すように、この基板処理装置1における基板Wの洗浄処理は、基板Wの搬入(ステップS1)、超音波振動を付与したアルカリ性処理液の供給(ステップS2)、酸性処理液の供給(ステップS3)、リンス処理(ステップS4)、スピン乾燥(ステップS5)、基板Wの搬出(ステップS6)、の順で行う。
<Cleaning procedure in substrate processing apparatus 1>
Hereinafter, a procedure for cleaning the substrate W using the substrate processing apparatus 1 will be described. FIG. 4 is a flowchart illustrating the operation of the substrate processing in the substrate processing apparatus 1. As shown in FIG. 4, the cleaning process of the substrate W in the substrate processing apparatus 1 includes loading of the substrate W (Step S1), supply of an alkaline processing liquid to which ultrasonic vibration is applied (Step S2), and supply of an acidic processing liquid. (Step S3), a rinsing process (Step S4), spin drying (Step S5), and unloading of the substrate W (Step S6).

ステップS1ではまず、ガード昇降機構55によりスプラッシュガード50の昇降動作を行い、スプラッシュガード50の上端がスピンベース10と同じ高さもしくは若干低い状態とする。また、アルカリ性処理液ノズル68、酸性処理液ノズル78、および雰囲気遮断板30を、退避位置に移動させる。この状態で、図外の搬送ロボットによって洗浄処理前の基板Wをスピンベース10上に搬入し、複数個のチャックピン14を解放状態から押圧状態とすることにより基板Wの周縁部を把持する。これにより基板Wは水平姿勢にて保持される。   In step S <b> 1, the splash guard 50 is first moved up and down by the guard elevating mechanism 55 so that the upper end of the splash guard 50 is at the same height or slightly lower than the spin base 10. Further, the alkaline processing liquid nozzle 68, the acidic processing liquid nozzle 78, and the atmosphere blocking plate 30 are moved to the retreat position. In this state, the substrate W before the cleaning process is carried onto the spin base 10 by a transfer robot (not shown), and the peripheral edge of the substrate W is gripped by changing the plurality of chuck pins 14 from the released state to the pressed state. Thereby, the substrate W is held in a horizontal posture.

ステップS2においては、ガード昇降機構55によりスプラッシュガード50を上昇させ、第2案内部52がスピンベース10およびそれに保持された基板Wを取り囲むように位置調整を行う。また、ノズル移動機構65およびノズル昇降機構69も駆動させ、アルカリ性処理液ノズル68を基板Wの対向位置に移動させる。そして、電動モータ20およびベルト駆動機構21を駆動させることにより、スピンベース10とともに基板Wの回転を開始する。この状態で、アルカリ性処理液ノズル68からは超音波振動を付与した希アンモニア水を基板Wのおもて面WS1に向けて、うら面処理液ノズル15からは希アンモニア水を基板Wのうら面WS2に向けて、それぞれ吐出する。図5(a)は、ステップS2における希アンモニア水の供給の様子を基板W付近のみ図解的に示した動作状態図である。   In step S2, the splash guard 50 is raised by the guard lifting mechanism 55, and the position is adjusted so that the second guide 52 surrounds the spin base 10 and the substrate W held thereon. Further, the nozzle moving mechanism 65 and the nozzle elevating mechanism 69 are also driven to move the alkaline processing liquid nozzle 68 to a position facing the substrate W. Then, by driving the electric motor 20 and the belt driving mechanism 21, the rotation of the substrate W together with the spin base 10 is started. In this state, the dilute ammonia water to which ultrasonic vibration is applied is directed from the alkaline processing liquid nozzle 68 toward the front surface WS1 of the substrate W, and the dilute ammonia water is discharged from the back surface processing liquid nozzle 15 to the back surface of the substrate W. Each is discharged toward WS2. FIG. 5A is an operation state diagram schematically showing the state of the supply of the diluted ammonia water in step S2 only in the vicinity of the substrate W.

図6は、スピンベース10上に保持された基板Wに対するアルカリ性処理液ノズル68の動きを説明するための図解的な平面図である。アルカリ性処理液ノズル68は、ノズル移動機構65の回転軸を中心とし基板Wの回転軸Jを通る円弧軌跡(図6の二点鎖線)上を、基板Wの周縁部N1とN2の間で往復走査する。このような円弧状の走査を行いながら、回転している基板Wのおもて面WS1に向かって希アンモニア水を吐出することにより、基板Wのおもて面WS1全域に希アンモニア水を供給し、基板Wのおもて面WS1全域を均一に処理することができる。なお、図6の一点鎖線は後述の酸性処理液ノズル78の運動軌跡を示している。   FIG. 6 is a schematic plan view for explaining the movement of the alkaline processing liquid nozzle 68 with respect to the substrate W held on the spin base 10. The alkaline processing liquid nozzle 68 reciprocates between the peripheral edges N1 and N2 of the substrate W on an arc trajectory (two-dot chain line in FIG. 6) centering on the rotation axis of the nozzle moving mechanism 65 and passing through the rotation axis J of the substrate W. Scan. By discharging the dilute aqueous ammonia toward the front surface WS1 of the rotating substrate W while performing such an arc-shaped scan, the dilute aqueous ammonia is supplied to the entire front surface WS1 of the substrate W. However, the entire front surface WS1 of the substrate W can be uniformly processed. The dashed line in FIG. 6 indicates the movement locus of the acidic processing liquid nozzle 78 described later.

また、うら面処理液ノズルから基板Wうら面WS2の中心付近に吐出された希アンモニア水は、回転に伴う遠心力によって外側へ向かって拡散し、図5(a)に示すように、基板Wうら面WS2の全面にわたって供給されることとなる。   Further, the dilute ammonia water discharged from the back surface treatment liquid nozzle to the vicinity of the center of the back surface WS2 of the substrate W diffuses outward due to centrifugal force accompanying rotation, and as shown in FIG. It is supplied over the entire back surface WS2.

ここで、アルカリ性処理液ノズル68から吐出する希アンモニア水には超音波振動が付与されているため、超音波振動の衝撃が、基板W表面に付着した汚染粒子の遊離を促進する。また、うら面処理液ノズルには超音波振動の付与機能は備えていないが、基板Wのおもて面WS1に供給された希アンモニア水の超音波振動は、基板W内をその膜厚方向に伝搬してうら面WS2にまで到達するため、基板Wのうら面WS2に付着した汚染粒子の遊離も促進する。一方、PSL(ポリスチレンラテックス)、SiN、SiO、Si等の主な汚染粒子の表面の電位(ゼータ電位)は、アルカリ性の水溶液中においてマイナス(−)に帯電し、基板(シリコンウエハ)W表面のゼータ電位もアルカリ性の水溶液と接触した状態ではマイナス(−)に帯電する。この場合、基板W表面と汚染粒子表面のゼータ電位が同極性となるため、基板Wと汚染粒子との間に斥力が生じる。したがって、基板W表面において、希アンモニア水の超音波振動により一旦基板W表面から遊離した汚染粒子は、ゼータ電位の斥力により再付着を防止されることとなり、汚染粒子は効率的よく除去される。   Here, since the ultrasonic vibration is applied to the diluted ammonia water discharged from the alkaline processing liquid nozzle 68, the shock of the ultrasonic vibration promotes the release of the contaminant particles attached to the surface of the substrate W. Further, the back surface treatment liquid nozzle does not have a function of imparting ultrasonic vibration, but the ultrasonic vibration of the diluted ammonia water supplied to the front surface WS1 of the substrate W causes the inside of the substrate W to move in the thickness direction. To the back surface WS2, thereby promoting the release of the contaminant particles attached to the back surface WS2 of the substrate W. On the other hand, the potential (zeta potential) of the main contaminant particles such as PSL (polystyrene latex), SiN, SiO, and Si is negatively (-) in an alkaline aqueous solution, and the surface of the substrate (silicon wafer) W The zeta potential is also negatively charged (−) when in contact with an alkaline aqueous solution. In this case, since the zeta potential on the surface of the substrate W and the surface of the contaminated particles have the same polarity, a repulsive force is generated between the substrate W and the contaminated particles. Therefore, on the surface of the substrate W, the contaminant particles once released from the surface of the substrate W by the ultrasonic vibration of the dilute ammonia water are prevented from re-adhering due to the repulsive force of the zeta potential, and the contaminant particles are efficiently removed.

また、ステップS2においては、希アンモニア水を供給することにより、基板表面に付着しているFeやCu等の金属汚染物質を水酸化物にしておく。これにより、後述のステップS3において、金属汚染物質を容易に溶解することができる。   In step S2, a metal contaminant such as Fe or Cu attached to the substrate surface is converted into a hydroxide by supplying diluted ammonia water. This makes it possible to easily dissolve metal contaminants in step S3 described below.

基板W表面に供給された希アンモニア水は、図5(a)中の矢印で示すように、基板Wの回転による遠心力で基板Wの側方へと振り切られ、スプラッシュガード50の第2案内部52に受けられる。そして、その希アンモニア水は第2排液槽29内に流れ落ち、排出口29aから回収ドレイン29bへと排出される。回収ドレイン29bへ排出された希アンモニア水は図外の回収タンクに回収された後、アルカリ性処理液供給源17aに再度供給され、循環再利用される。   The dilute ammonia water supplied to the surface of the substrate W is shaken off to the side of the substrate W by the centrifugal force due to the rotation of the substrate W, as shown by the arrow in FIG. It is received by the unit 52. Then, the diluted ammonia water flows down into the second drain tank 29 and is discharged from the discharge port 29a to the recovery drain 29b. The dilute ammonia water discharged to the recovery drain 29b is recovered in a recovery tank (not shown), and then supplied again to the alkaline processing liquid supply source 17a to be recycled.

所定の時間希アンモニア水を供給した後、アルカリ性処理液ノズル68およびうら面処理液ノズル15からの希アンモニア水の供給を停止する。   After supplying the dilute aqueous ammonia for a predetermined time, the supply of the dilute aqueous ammonia from the alkaline processing liquid nozzle 68 and the back surface processing liquid nozzle 15 is stopped.

ステップS3においては、まず、ノズル移動機構65,75、ノズル昇降機構69,79、ガード昇降機構55等を駆動することにより、アルカリ性処理液ノズル68を退避位置に、代わって酸性処理液ノズル78を対向位置に、それぞれ移動させる。そして、酸性処理液ノズル78からは希塩酸を回転している基板Wのおもて面WS1に向けて、うら面処理液ノズル15からは希塩酸を回転している基板Wのうら面WS2に向けて、それぞれ吐出する。図5(b)は、ステップS3における希塩酸の供給の様子を基板W付近のみ図解的に示した動作状態図である。   In step S3, first, by driving the nozzle moving mechanisms 65 and 75, the nozzle elevating mechanisms 69 and 79, the guard elevating mechanism 55, and the like, the alkaline processing liquid nozzle 68 is moved to the retracted position, and the acidic processing liquid nozzle 78 is replaced. Each is moved to the opposing position. Then, the acidic treatment liquid nozzle 78 is directed toward the front surface WS1 of the substrate W rotating the dilute hydrochloric acid, and the back surface treatment liquid nozzle 15 is directed toward the back surface WS2 of the substrate W rotating the diluted hydrochloric acid. , Respectively. FIG. 5B is an operation state diagram schematically showing the state of the supply of the dilute hydrochloric acid in step S3 only in the vicinity of the substrate W.

酸性処理液ノズル78は、ノズル移動機構75の回転軸を中心とし基板Wの回転軸Jを通る円弧軌跡(図6の一点鎖線)上を、基板Wの周縁部N3とN4の間で往復走査する。このような円弧状の走査を行いながら、回転している基板Wのおもて面WS1に向かって希塩酸を吐出することにより、基板Wのおもて面WS1全域に希塩酸を供給し、基板Wのおもて面WS1全域を均一に処理することができる。   The acidic processing liquid nozzle 78 reciprocates between the peripheral edges N3 and N4 of the substrate W on an arc trajectory (dashed line in FIG. 6) passing the rotation axis J of the substrate W around the rotation axis of the nozzle moving mechanism 75. I do. By discharging the dilute hydrochloric acid toward the front surface WS1 of the rotating substrate W while performing such an arc-shaped scan, the dilute hydrochloric acid is supplied to the entire front surface WS1 of the substrate W, and the substrate W The entire front surface WS1 can be uniformly processed.

また、うら面処理液ノズルから基板Wうら面WS2の中心付近に吐出された希塩酸は、回転に伴う遠心力によって外側へ向かって拡散し、図5(b)に示すように、基板Wうら面WS2の全面にわたって供給されることとなる。   Further, the diluted hydrochloric acid discharged from the back surface treatment liquid nozzle to the vicinity of the center of the back surface WS2 of the substrate W diffuses outward due to centrifugal force accompanying rotation, and as shown in FIG. It will be supplied over the entire surface of WS2.

基板W表面に供給された希塩酸により、基板W表面に付着している金属汚染物質は溶解(イオン化)し、除去されることとなる。ここで、基板W表面に付着している金属汚染物質は、ステップS2において予め水酸化物へと変化させているため、ステップS3における希塩酸による溶解をより迅速に行うことができる。   The dilute hydrochloric acid supplied to the surface of the substrate W dissolves (ionizes) metal contaminants adhering to the surface of the substrate W and is removed. Here, since the metal contaminants adhering to the surface of the substrate W have been converted into hydroxides in advance in step S2, the dissolution with dilute hydrochloric acid in step S3 can be performed more quickly.

ステップS3において、基板W表面に供給された希塩酸は、図5(b)中の矢印でに示すように、基板Wの回転による遠心力で基板Wの側方へと振り切られ、スプラッシュガード50の第2案内部52に受けられる。そして、その希塩酸は第2排液槽29内に流れ落ち、排出口29aから回収ドレイン29bへと排出される。回収ドレイン29bへ排出された希塩酸は図外の回収タンクに回収された後、酸性処理液供給源17bに再度供給され、循環再利用される。   In step S3, the diluted hydrochloric acid supplied to the surface of the substrate W is shaken off to the side of the substrate W by the centrifugal force due to the rotation of the substrate W, as indicated by the arrow in FIG. It is received by the second guide section 52. Then, the diluted hydrochloric acid flows down into the second drain tank 29 and is discharged from the discharge port 29a to the recovery drain 29b. The dilute hydrochloric acid discharged to the recovery drain 29b is recovered in a recovery tank (not shown), and then supplied again to the acid processing liquid supply source 17b to be circulated and reused.

所定の時間希塩酸を供給した後、酸性処理液ノズル78およびうら面処理液ノズル15からの希塩酸の供給を停止する。   After the diluted hydrochloric acid is supplied for a predetermined time, the supply of the diluted hydrochloric acid from the acidic processing liquid nozzle 78 and the back surface processing liquid nozzle 15 is stopped.

ステップS4においては、まず、ノズル移動機構75、ノズル昇降機構79、ガード昇降機構55を駆動することにより酸性処理液ノズル78を退避位置に移動させる。その後ガード昇降機構55によりスプラッシュガード50を移動させ、第1案内部51がスピンベース10およびそれに保持された基板Wを取り囲むように位置調整を行う。さらに、アーム昇降機構49を駆動し、雰囲気遮断板30をスピンベース10上に保持された基板Wのおもて面WS1に近接する位置まで下降させる。そして、電動モータ42およびベルト駆動機構41を駆動させ、回転軸35とともに雰囲気遮断板30を回転させ、気体供給路45からは窒素ガスを基板Wのおもて面WS1に向けて吐出する。一方、気体供給路19からは窒素ガスを基板Wのうら面WS2に向けて吐出する。これにより、雰囲気遮断板30と基板Wとの間の空間、およびスピンベース10と基板Wとの間の空間を、それぞれ低酸素分圧にする。この状態で純水ノズル36からは純水を回転している基板Wのおもて面WS1に向けて、うら面処理液ノズル15からは純水をを回転している基板Wのうら面WS2に向けて、それぞれ吐出し、基板W表面に残存する希塩酸等を洗い流すリンス処理を行う。図5(c)は、ステップS4における純水の供給の様子を基板W付近のみ図解的に示した動作状態図である。   In step S4, first, the acidic processing liquid nozzle 78 is moved to the retreat position by driving the nozzle moving mechanism 75, the nozzle elevating mechanism 79, and the guard elevating mechanism 55. Thereafter, the splash guard 50 is moved by the guard elevating mechanism 55, and the position is adjusted so that the first guide portion 51 surrounds the spin base 10 and the substrate W held thereon. Further, the arm elevating mechanism 49 is driven to lower the atmosphere blocking plate 30 to a position close to the front surface WS1 of the substrate W held on the spin base 10. Then, the electric motor 42 and the belt driving mechanism 41 are driven to rotate the atmosphere blocking plate 30 together with the rotating shaft 35, and the nitrogen gas is discharged from the gas supply path 45 toward the front surface WS1 of the substrate W. On the other hand, nitrogen gas is discharged from the gas supply path 19 toward the back surface WS2 of the substrate W. Thereby, the space between the atmosphere blocking plate 30 and the substrate W and the space between the spin base 10 and the substrate W are each made to have a low oxygen partial pressure. In this state, from the pure water nozzle 36 toward the front surface WS1 of the substrate W rotating the pure water, and from the back surface treatment liquid nozzle 15, the back surface WS2 of the substrate W rotating the pure water is rotating. Then, a rinsing process is performed to discharge dilute hydrochloric acid and the like remaining on the surface of the substrate W, respectively. FIG. 5C is an operation state diagram schematically showing the state of pure water supply in step S4 only in the vicinity of the substrate W.

ステップS4において、基板W表面に供給された純水は、図5(c)中の矢印で示すように、基板Wの回転による遠心力で基板Wの側方へと振り切られ、スプラッシュガード50の第1案内部51に受けられる。そして、その純水は第1排液槽28内に流れ落ち、排出口28aから廃棄ドレイン28bへと排出され、廃棄される。   In step S4, the pure water supplied to the surface of the substrate W is shaken off to the side of the substrate W by the centrifugal force due to the rotation of the substrate W, as indicated by an arrow in FIG. It is received by the first guide section 51. Then, the pure water flows down into the first drain tank 28, is discharged from the discharge port 28a to the waste drain 28b, and is discarded.

所定の時間純水を供給した後、純水ノズル36およびうら面処理液ノズル15からの純水の供給を停止する。   After supplying pure water for a predetermined time, supply of pure water from the pure water nozzle 36 and the back surface treatment liquid nozzle 15 is stopped.

ステップS5においては、ステップS4における純水の供給が終了した後、気体供給路45,19からの窒素ガスの供給および基板Wの回転は継続し、基板W表面に付着した水分を振り切ることにより乾燥(スピン乾燥)を行う。   In step S5, after the supply of the pure water in step S4 is completed, the supply of the nitrogen gas from the gas supply passages 45 and 19 and the rotation of the substrate W are continued, and the water attached to the surface of the substrate W is shaken off to dry the substrate W. (Spin drying).

ここで、気体供給路45および19から窒素ガスを吐出しつつスピン乾燥を行うことにより、基板Wおもて面WS1およびうら面WS2の乾燥効率を高める効果を得ることができる。また、雰囲気遮断板30と基板Wとの間の空間、およびスピンベース10と基板Wとの間の空間を、それぞれ低酸素分圧とすることにより、基板Wのおもて面WS1およびうら面WS2におけるウォーターマークの発生を抑制するという効果を得ることができる。   Here, by performing the spin drying while discharging the nitrogen gas from the gas supply passages 45 and 19, an effect of increasing the drying efficiency of the front surface WS1 and the back surface WS2 of the substrate W can be obtained. Further, the space between the atmosphere blocking plate 30 and the substrate W and the space between the spin base 10 and the substrate W are made to have a low oxygen partial pressure, respectively, so that the front surface WS1 and the back surface of the substrate W are formed. The effect of suppressing generation of a watermark in WS2 can be obtained.

基板W表面の乾燥が完了すると、気体供給路45,19からの窒素ガスの供給を停止する。また、電動モータ20を停止することにより基板Wの回転も停止させる。   When the drying of the surface of the substrate W is completed, the supply of the nitrogen gas from the gas supply paths 45 and 19 is stopped. By stopping the electric motor 20, the rotation of the substrate W is also stopped.

ステップS6においては、アーム昇降機構を駆動し、雰囲気遮断板30をスピンベース10上に保持された基板Wのおもて面WS1から大きく離間した位置まで上昇させ、退避させる。また、ガード昇降機構55を駆動することにより、スプラッシュガード50の上端がスピンベース10と同じ高さもしくは若干低い状態とする。この状態で、基板Wの周縁部を把持する複数個のチャックピン14を押圧状態から解放状態にし、図外の搬送ロボットによって基板Wをスピンベース10上から装置外へと搬出し、1枚の基板Wの洗浄処理を終了する。   In step S6, the arm elevating mechanism is driven to raise the atmosphere blocking plate 30 to a position largely separated from the front surface WS1 of the substrate W held on the spin base 10, and to retract the same. In addition, by driving the guard elevating mechanism 55, the upper end of the splash guard 50 is set at the same height or slightly lower than the spin base 10. In this state, the plurality of chuck pins 14 gripping the peripheral portion of the substrate W are released from the pressed state, and the substrate W is carried out from the spin base 10 to the outside of the apparatus by a transfer robot (not shown). The cleaning process of the substrate W ends.

以上の一連の処理において、希アンモニア水および希塩酸の温度は、常温(20〜30℃)で行うことができる。室温が常温に保たれていれば、希アンモニア水および希塩酸は、特に液温を調整することなく使用することができるので、基板Wの処理を容易に行うことができる。すなわち、処理前および処理後の温度調整に要する時間や設備が不要となるため、処理時間を短縮し、コストを低減することができる。また、常温で処理を行うことにより、高温(65℃程度)で処理を行う場合と比較して、アルカリ性処理液や酸性処理液による基板Wのエッチング量を、著しく低減することができる。   In the above series of processes, the temperature of the diluted ammonia water and the diluted hydrochloric acid can be performed at normal temperature (20 to 30 ° C.). If the room temperature is kept at room temperature, the diluted ammonia water and the diluted hydrochloric acid can be used without adjusting the liquid temperature, so that the processing of the substrate W can be easily performed. That is, since the time and equipment required for temperature adjustment before and after the treatment are not required, the treatment time can be reduced and the cost can be reduced. Further, by performing the treatment at room temperature, the amount of etching of the substrate W by the alkaline treatment liquid or the acidic treatment liquid can be significantly reduced as compared with the case of performing the treatment at a high temperature (about 65 ° C.).

<変形例>
上述の実施の形態では、アルカリ性処理液として希アンモニア水を例に挙げて説明したが、アンモニア水と過酸化水素水と純水の混合溶液(SC1)や、希アンモニア水に界面活性剤を添加したアルカリ性処理液などを用いてもよい。このように、過酸化水素水や界面活性剤を添加したアルカリ性処理液を使用した場合には、処理を受ける基板Wの表面を保護し、表面粗さの悪化を抑制する効果を得ることができる。希アンモニア水を用いる場合には基板Wの表面保護のため純水とアンモニア水(28〜30wt%、以下同じ)の体積比率を5:0.02〜0.6で行うことが望ましく、SC1を用いる場合にはアルカリ性を保つため純水、アンモニア水、過酸化水素水(30wt%、以下同じ)の体積比率を5:0.03〜1:0.03〜1で行うことが望ましい。
<Modification>
In the above-described embodiment, dilute ammonia water has been described as an example of the alkaline processing liquid. However, a mixed solution (SC1) of ammonia water, hydrogen peroxide water, and pure water, or a surfactant added to diluted ammonia water Alternatively, an alkaline treatment liquid or the like may be used. As described above, when the alkaline processing liquid to which the hydrogen peroxide solution or the surfactant is added is used, the effect of protecting the surface of the substrate W to be processed and suppressing the deterioration of the surface roughness can be obtained. . When dilute aqueous ammonia is used, the volume ratio of pure water to aqueous ammonia (28 to 30 wt%, the same applies hereinafter) is preferably set to 5: 0.02 to 0.6 for protecting the surface of the substrate W. When used, in order to maintain alkalinity, it is desirable that the volume ratio of pure water, aqueous ammonia, and aqueous hydrogen peroxide (30 wt%, the same applies hereinafter) be 5: 0.03 to 1: 0.03 to 1.

また、希アンモニア水やSC1に強アルカリ性の薬液を添加して、pH値を上げたアルカリ性処理液を使用してもよい。上述の実施の形態においては、アルカリ性処理液を供給することによって、基板Wの表面に付着しているFeやCu等の金属汚染物質を水酸化物にし、その後の酸性処理液による溶解処理を促進させる効果を得ることができるが、pH値を上げたアルカリ性処理液を供給することによって、この効果をより顕著に得ることができる。すなわち、供給するアルカリ性処理液のpH値を上げるほど、基板Wの表面に付着している金属汚染物質をより効率よく水酸化物にすることができるため、その後の酸性処理液による溶解をより促進させることができる。後述する実施例3における試験の結果では、pH値を12に上げたアルカリ性処理液を使用すると、金属汚染物質に対する除去効果が向上することが示されている。   Alternatively, an alkaline treatment liquid whose pH value has been increased by adding a strongly alkaline chemical to diluted ammonia water or SC1 may be used. In the above-described embodiment, by supplying an alkaline processing liquid, metal contaminants such as Fe and Cu adhering to the surface of the substrate W are converted into hydroxides, and the subsequent dissolution processing with the acidic processing liquid is promoted. The effect can be obtained, but this effect can be more remarkably obtained by supplying an alkaline treatment liquid having an increased pH value. In other words, as the pH value of the supplied alkaline processing liquid is increased, metal contaminants adhering to the surface of the substrate W can be more efficiently converted into hydroxides, so that the subsequent dissolution by the acidic processing liquid is further promoted. Can be done. The results of the test in Example 3 described below show that the use of an alkaline treatment liquid whose pH value has been increased to 12 improves the effect of removing metal contaminants.

ただし、pH値を過度に上げると、アルカリ性処理液は、基板Wに対して無視できない程のエッチング力を得る場合がある。その場合には、アルカリ性処理液による基板W表面のエッチングが不適当に進行してしまい、本発明の目的に反することとなる。このため、所定以上のエッチング力を得ない範囲でpH値を上げたアルカリ性処理液を使用することが望ましく、たとえば好ましいpH値の範囲は11以上13未満である。   However, when the pH value is excessively increased, the alkaline processing liquid may obtain an etching force that cannot be ignored for the substrate W. In that case, the etching of the surface of the substrate W by the alkaline processing liquid proceeds inappropriately, which is contrary to the object of the present invention. For this reason, it is desirable to use an alkaline treatment liquid whose pH value is raised within a range that does not provide an etching power of a predetermined value or more. For example, a preferable pH value range is 11 or more and less than 13.

なお、希アンモニア水やSC1などのアルカリ性処理液につき、比較的高いpH値を得るにあたっては、その濃度や混合比率を調整することのみによってpH値を高めるよりも、強アルカリ性の薬液を添加する方が容易であり、後者によればアルカリ性処理液のpH値を11以上に容易に到達させることができるだけでなく、薬液の使用量も少量で済むために、前者と比較して製造コストの増大や環境への負担も僅かである。   In addition, in order to obtain a relatively high pH value for an alkaline treatment liquid such as dilute ammonia water or SC1, it is better to add a strongly alkaline chemical solution than to increase the pH value only by adjusting the concentration or the mixing ratio. According to the latter, not only can the pH value of the alkaline processing solution easily reach 11 or more, but also the amount of the chemical solution used is small, so that the production cost increases compared to the former. The burden on the environment is also small.

アルカリ性処理液のpH値を上げるために添加する強アルカリ性の薬液としては、例えば、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)水溶液や、CHOLINE(2−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイド)水溶液などを用いることが好ましい。   As the strong alkaline chemical solution added to increase the pH value of the alkaline treatment liquid, for example, an aqueous solution of TMAH (tetramethylammonium hydroxide) or an aqueous solution of CHOLINE (2-hydroxyethyltrimethylammonium hydroxide) is preferably used. .

また、上記の実施の形態では、酸性処理液として希塩酸を例に挙げて説明したが、希塩酸の他に希フッ酸、希硫酸、あるいは希塩酸と希フッ酸の混合溶液などを用いてもよい。希塩酸を用いる場合には塩酸(35wt%、以下同じ)と純水の体積比率を1:3〜15で行うことが望ましく、希塩酸と希フッ酸の混合溶液を用いる場合にはフッ酸によるエッチング力を抑えるためフッ酸(50wt%、以下同じ)と希塩酸の体積比率を1:50〜500で行うことが望ましい。   Further, in the above-described embodiment, dilute hydrochloric acid has been described as an example of the acidic treatment liquid, but dilute hydrofluoric acid, dilute sulfuric acid, or a mixed solution of dilute hydrochloric acid and dilute hydrofluoric acid may be used in addition to dilute hydrochloric acid. When using dilute hydrochloric acid, the volume ratio of hydrochloric acid (35 wt%, the same applies hereinafter) and pure water are desirably performed at a ratio of 1: 3 to 15, and when using a mixed solution of dilute hydrochloric acid and dilute hydrofluoric acid, the etching force by hydrofluoric acid is used. It is desirable to carry out the reaction at a volume ratio of hydrofluoric acid (50 wt%, the same applies hereinafter) and dilute hydrochloric acid of 1:50 to 500 in order to suppress the concentration.

また、ステップS2とステップS3との間に、純水で基板Wの表面を洗浄するステップを追加してもよい。このステップにおける純水の吐出用ノズルとしては、例えば酸性処理液ノズル78を利用することができる。この場合、図7に示すように酸性処理液ノズル78に連通接続されている配管37bを2つの配管に分岐し、そのうち一方の分岐配管37dをバルブ18dを介して酸性処理液供給源17bに、他方の分岐配管37eをバルブ18eを介して純水供給源17cに接続するようにする。このようにすれば、バルブ18dとバルブ18eの開閉により酸性処理液ノズル78からの吐出を酸性処理液と純水との間で切り換えることが可能となる。処理の手順としては、ステップS2の後、ノズル移動機構65,75、ノズル昇降機構69,79、ガード昇降機構55等を駆動することにより、アルカリ性処理液ノズル68を退避位置に、酸性処理液ノズル78を対向位置に、スプラッシュガード50を第1案内部51がスピンベース10およびそれに保持された基板Wを取り囲むような位置に、それぞれ移動させる。そして、酸性処理液ノズル78からは純水をを回転している基板Wのおもて面WS1に向けて、うら面処理液ノズル15からは純水を回転している基板Wのうら面WS2に向けて、それぞれ吐出する。所定の時間純水の吐出を行った後、酸性処理液ノズル78およびうら面処理液ノズル15からの純水の吐出を停止する。その後、ガード昇降機構を駆動してスプラッシュガード50を第2案内部52がスピンベース10およびそれに保持された基板Wを取り囲むような位置に移動させ、ステップ3に移る。   Further, a step of cleaning the surface of the substrate W with pure water may be added between step S2 and step S3. As the nozzle for discharging pure water in this step, for example, an acidic processing liquid nozzle 78 can be used. In this case, as shown in FIG. 7, a pipe 37b connected to the acid processing liquid nozzle 78 is branched into two pipes, and one of the branch pipes 37d is connected to the acid processing liquid supply source 17b via a valve 18d. The other branch pipe 37e is connected to the pure water supply source 17c via the valve 18e. In this way, it is possible to switch the discharge from the acid processing liquid nozzle 78 between the acid processing liquid and pure water by opening and closing the valves 18d and 18e. As a processing procedure, after step S2, the alkaline processing liquid nozzle 68 is moved to the retreat position by driving the nozzle moving mechanisms 65 and 75, the nozzle raising and lowering mechanisms 69 and 79, the guard raising and lowering mechanism 55, and the like. The splash guard 50 is moved to a position where the first guide portion 51 surrounds the spin base 10 and the substrate W held thereby. Then, the acidic processing liquid nozzle 78 directs pure water toward the front surface WS1 of the rotating substrate W, and the back surface processing liquid nozzle 15 outputs pure water from the back surface WS2 of the rotating substrate W. Are ejected toward. After discharging the pure water for a predetermined time, the discharge of the pure water from the acidic processing liquid nozzle 78 and the back surface processing liquid nozzle 15 is stopped. Thereafter, the guard elevating mechanism is driven to move the splash guard 50 to a position where the second guide portion 52 surrounds the spin base 10 and the substrate W held by the spin base 10, and then proceeds to step 3.

基板W(シリコンウエハ)にアルカリ性処理液を供給し、アルカリ性処理液供給前後における、基板Wおもて面WS1上に存在するSi粒子とSiN粒子(汚染粒子)の除去率について試験を行った。   An alkaline treatment liquid was supplied to the substrate W (silicon wafer), and a test was performed on the removal rate of Si particles and SiN particles (contaminant particles) existing on the front surface WS1 of the substrate W before and after the supply of the alkaline treatment liquid.

ケースC11においては、上述の基板処理装置1を用い、アルカリ性処理液としては希アンモニア水(体積比率でアンモニア水:純水=1:25)を用いて超音波振動を付与した上で基板Wのおもて面WS1へ20秒間供給を行った。希アンモニア水の温度は常温で行った。   In case C11, the above substrate processing apparatus 1 was used, and ultrasonic vibration was applied using diluted ammonia water (ammonia water: pure water = 1: 25 by volume ratio) as an alkaline processing liquid, and then the substrate W was treated. Supply was performed to the front surface WS1 for 20 seconds. The temperature of the dilute aqueous ammonia was normal.

ケースC12においては、上述の基板処理装置1を用い、アルカリ性処理液としてはSC1(体積比率でアンモニア水:過酸化水素水:純水=1:1:50)を用いて超音波振動を付与した上で基板Wのおもて面WS1へ20秒間供給を行った。SC1の温度は常温で行った。   In Case C12, the above-described substrate processing apparatus 1 was used, and ultrasonic vibration was applied using SC1 (aqueous ammonia: hydrogen peroxide: pure water = 1: 1: 50 by volume) as an alkaline processing liquid. The wafer W was supplied to the front surface WS1 of the substrate W for 20 seconds. The temperature of SC1 was normal temperature.

ケースC13においては、バッチ式の基板処理装置を用い、アルカリ性処理液としてはSC1(体積比率でアンモニア水:過酸化水素水:純水=1:1:50)を用いてSC1を貯留した処理槽内に基板Wを60秒間浸漬した。SC1の温度は60℃で行った。   In case C13, a processing tank in which SC1 was stored using a batch type substrate processing apparatus and SC1 (aqueous ammonia: hydrogen peroxide: pure water = 1: 1: 50 by volume) as an alkaline processing liquid. The substrate W was immersed therein for 60 seconds. The temperature of SC1 was 60 ° C.

ケースC14においては、バッチ式の基板処理装置を用い、アルカリ性処理液としてはSC1(体積比率でアンモニア水:過酸化水素水:純水=1:1:50)を用いてSC1を貯留した処理槽内に基板Wを600秒間浸漬した。SC1の温度は60℃で行った。   In case C14, a batch-type substrate processing apparatus was used, and a processing tank in which SC1 was stored using SC1 (a volume ratio of ammonia water: hydrogen peroxide solution: pure water = 1: 1: 50) as an alkaline processing liquid. The substrate W was immersed therein for 600 seconds. The temperature of SC1 was 60 ° C.

本実施例1に係る試験の結果を図8に示す。本発明に係るケースC11およびケースC12は、ケースC13と比較して処理時間が3分の1であり処理温度も常温であるにもかかわらず、高い除去率を得ることができた。また、本発明に係るケースC11およびケースC12は、ケースC14と比較して、処理温度が常温であるにもかかわらず、わずか30分の1の処理時間で同等の除去率を得ることができた。   FIG. 8 shows the results of the test according to the first embodiment. In the case C11 and the case C12 according to the present invention, a high removal rate could be obtained in spite of the processing time being one third and the processing temperature being room temperature as compared with the case C13. In addition, in the case C11 and the case C12 according to the present invention, the same removal rate could be obtained in only 1/30 of the processing time, even though the processing temperature was room temperature, as compared with the case C14. .

次に、基板W(シリコンウエハ)のおもて面WS1上に存在するFeとCu(金属汚染物質)の除去効果について試験を行った。   Next, a test was performed on the effect of removing Fe and Cu (metal contaminants) present on the front surface WS1 of the substrate W (silicon wafer).

ケースC21においては、上述の基板処理装置1を用いた。アルカリ性処理液としてはSC1(体積比率でアンモニア水:過酸化水素水:純水=1:1:50)を用い、基板Wのおもて面WS1へ20秒間供給を行った。酸性処理液としては、希塩酸(体積比率で塩酸:純水=1:5)を用い、基板Wのおもて面WS1へ15秒間供給を行った。   In case C21, the above-described substrate processing apparatus 1 was used. SC1 (aqueous ammonia: hydrogen peroxide: pure water = 1: 1: 50 in volume ratio) was used as the alkaline treatment liquid, and was supplied to the front surface WS1 of the substrate W for 20 seconds. Dilute hydrochloric acid (hydrochloric acid: pure water = 1: 5 in volume ratio) was used as the acidic treatment liquid, and was supplied to the front surface WS1 of the substrate W for 15 seconds.

ケースC22においては、上述の基板処理装置1を用いた。アルカリ性処理液としてはSC1(体積比率でアンモニア水:過酸化水素水:純水=1:1:50)を用い、基板Wのおもて面WS1へ20秒間供給を行った。酸性処理液としては、希フッ酸と希塩酸の混合溶液(体積比率でフッ酸:塩酸:純水=1:20:200)を用い、基板Wのおもて面WS1へ15秒間供給を行った。   In case C22, the above-described substrate processing apparatus 1 was used. SC1 (aqueous ammonia: hydrogen peroxide: pure water = 1: 1: 50 by volume) was used as the alkaline treatment liquid, and was supplied to the front surface WS1 of the substrate W for 20 seconds. A mixed solution of dilute hydrofluoric acid and dilute hydrochloric acid (hydrofluoric acid: hydrochloric acid: pure water = 1: 20: 200 in volume ratio) was supplied as an acidic treatment liquid to the front surface WS1 of the substrate W for 15 seconds. .

ケースC23においては、上述の基板処理装置1を用いた。アルカリ性処理液の供給を省略し、酸性処理液としては、希フッ酸と希塩酸の混合溶液(体積比率でフッ酸:塩酸:純水=1:20:200)を用い、基板Wのおもて面WS1へ15秒間供給を行った。   In case C23, the above-described substrate processing apparatus 1 was used. The supply of the alkaline processing liquid is omitted, and a mixed solution of diluted hydrofluoric acid and dilute hydrochloric acid (hydrofluoric acid: hydrochloric acid: pure water = 1: 20: 200 in volume ratio) is used as the acidic processing liquid, and the front surface of the substrate W is used. Supply was performed to the surface WS1 for 15 seconds.

本実施例2に係る試験の結果を図9に示す。本発明に係るケースC21およびケースC22は、ケースC23と比較して、処理後の残留金属汚染物質の濃度が低く、優れた除去効果を得ることができた。すなわち、アルカリ性処理液を供給した後、酸性処理液を供給することにより金属汚染物質に対する除去効果を高めることができた。   FIG. 9 shows the results of the test according to the second embodiment. The case C21 and the case C22 according to the present invention had a lower concentration of the residual metal contaminant after the treatment than the case C23, and were able to obtain an excellent removal effect. That is, by supplying the acidic treatment liquid after supplying the alkaline treatment liquid, the effect of removing metal contaminants could be enhanced.

本実施例3では、基板W(シリコンウエハ)表面に存在するFe,Cu,Ni(金属汚染物質)に対する除去効果について、異なるpH値のアルカリ性処理液を使用した場合の比較試験を行った。本実施例3では、全てのケースC31,C32,C41,C42において、上述の基板処理装置1を用い、アルカリ性処理液は超音波振動を付与した上で基板W表面への供給を行った。   In the third embodiment, a comparative test was performed on the effect of removing Fe, Cu, and Ni (metal contaminants) existing on the surface of the substrate W (silicon wafer) when alkaline treatment solutions having different pH values were used. In the third embodiment, in all cases C31, C32, C41, and C42, the above-described substrate processing apparatus 1 was used, and the alkaline processing liquid was supplied to the surface of the substrate W after applying ultrasonic vibration.

ケースC31においては、アルカリ性処理液としてpH値が10.5のSC1(体積比率でアンモニア水:過酸化水素水:純水=1:1:100)を用い、基板Wの表面へ10秒間供給を行った。また、酸性処理液として希フッ酸と希塩酸の混合溶液(体積比率でフッ酸:塩酸:純水=1:40:200)を用い、基板Wの表面へ10秒間供給を行った。   In case C31, SC1 having a pH value of 10.5 (aqueous ammonia: hydrogen peroxide: pure water = 1: 1: 100 in volume ratio) was used as the alkaline treatment liquid, and supplied to the surface of the substrate W for 10 seconds. went. In addition, a mixed solution of diluted hydrofluoric acid and diluted hydrochloric acid (hydrofluoric acid: hydrochloric acid: pure water = 1: 40: 200 in volume ratio) was supplied to the surface of the substrate W for 10 seconds as an acidic treatment liquid.

ケースC32においては、アルカリ性処理液としてSC1にTMAH(25wt%、以下同じ)を添加してpH値を12としたアルカリ性処理液(体積比率でTMAH:アンモニア水:過酸化水素水:純水=3:1:1:100)を用い、基板Wの表面へ10秒間供給を行った。また、酸性処理液として希フッ酸と希塩酸の混合溶液(体積比率でフッ酸:塩酸:純水=1:40:200)を用い、基板Wの表面へ10秒間供給を行った。   In case C32, an alkaline treatment liquid was prepared by adding TMAH (25 wt%, the same applies hereinafter) to SC1 as an alkaline treatment liquid to adjust the pH value to 12 (by volume ratio, TMAH: ammonia water: hydrogen peroxide: pure water = 3). : 1: 1: 100) for 10 seconds to the surface of the substrate W. In addition, a mixed solution of diluted hydrofluoric acid and diluted hydrochloric acid (hydrofluoric acid: hydrochloric acid: pure water = 1: 40: 200 in volume ratio) was supplied to the surface of the substrate W for 10 seconds as an acidic treatment liquid.

ケースC41においては、アルカリ性処理液としてpH値が10.5のSC1(体積比率でアンモニア水:過酸化水素水:純水=1:1:100)を用い、基板Wの表面へ10秒間供給を行った。また、酸性処理液として希塩酸(体積比率で塩酸:純水=1:5)を用い、基板Wの表面へ10秒間供給を行った。   In Case C41, SC1 having a pH value of 10.5 (aqueous ammonia: hydrogen peroxide: pure water = 1: 1: 100 in volume ratio) was used as the alkaline treatment liquid and supplied to the surface of the substrate W for 10 seconds. went. In addition, dilute hydrochloric acid (hydrochloric acid: pure water = 1: 5 in volume ratio) was used as the acidic treatment liquid, and was supplied to the surface of the substrate W for 10 seconds.

ケースC42においては、アルカリ性処理液としてSC1にTMAHを添加してpH値を12としたアルカリ性処理液(体積比率でTMAH:アンモニア水:過酸化水素水:純水=3:1:1:100)を用い、基板Wの表面へ10秒間供給を行った。また、酸性処理液として希塩酸(体積比率で塩酸:純水=1:5)を用い、基板Wの表面へ10秒間供給を行った。   In case C42, an alkaline treatment liquid having a pH value of 12 by adding TMAH to SC1 as an alkaline treatment liquid (TMAH: ammonia water: hydrogen peroxide solution: pure water = 3: 1: 1: 100 by volume ratio) Was supplied to the surface of the substrate W for 10 seconds. In addition, dilute hydrochloric acid (hydrochloric acid: pure water = 1: 5 in volume ratio) was used as the acidic treatment liquid, and was supplied to the surface of the substrate W for 10 seconds.

本実施例3に係る試験の結果を図10〜図12に示す。図10は、ケースC31およびケースC32の条件における処理前後のFeイオン濃度を、図11は、ケースC41およびケースC42の条件における処理前後のCuイオン濃度を、図12は、ケースC41およびケースC42の条件における処理前後のNiイオン濃度を、それぞれ示している。   The results of the test according to the third embodiment are shown in FIGS. 10 shows the Fe ion concentration before and after the treatment under the conditions of Case C31 and Case C32, FIG. 11 shows the Cu ion concentration before and after the treatment under the conditions of Case C41 and Case C42, and FIG. The Ni ion concentrations before and after the treatment under the conditions are shown respectively.

図10〜図12の何れの結果においても、pH値を12に上げたアルカリ性処理液を使用したケースC32およびケースC42では、ケースC31およびケースC41と比較して、処理後の残留金属汚染物質の濃度を低減できることが確認された。すなわち、pH値を上げたアルカリ性処理液を使用することによって、金属汚染物質に対する除去効果が向上することが確認された。   In any of the results of FIGS. 10 to 12, the case C32 and the case C42 using the alkaline treatment liquid whose pH value was raised to 12 were compared with the case C31 and the case C41, and the residual metal contaminants after the treatment were compared. It was confirmed that the concentration could be reduced. That is, it was confirmed that the use of the alkaline treatment liquid having an increased pH value improved the effect of removing metal contaminants.

また、基板表面のエッチング量を抑えるためには、酸性処理液中のフッ酸の割合をなるべく低くすることが望ましいが、図11および図12の結果によれば、ケースC42では、酸性処理液としてフッ酸を含まない希塩酸を用いて、金属汚染物質に対する非常に優れた除去効果を得られることが確認された。すなわち、pH値を上げたアルカリ性処理液を使用することによって、酸性処理液中にフッ酸を混合しなくても、金属汚染物質に対する極めて優れた除去効果を得ることができた。   Further, in order to suppress the amount of etching of the substrate surface, it is desirable to reduce the ratio of hydrofluoric acid in the acidic processing liquid as much as possible. However, according to the results of FIGS. It was confirmed that a very excellent removal effect on metal contaminants can be obtained using dilute hydrochloric acid containing no hydrofluoric acid. That is, by using the alkaline treatment liquid having an increased pH value, an extremely excellent effect of removing metal contaminants could be obtained without mixing hydrofluoric acid in the acidic treatment liquid.

pH値を上げたアルカリ性処理液を使用した場合に、実施例3では、金属汚染物質に対する除去効果について試験を行ったが、本実施例4では、汚染粒子に対する除去率について試験を行った。本実施例4では、主な5種類の汚染粒子PSL,SiN,AlO,Si,SiOに対する除去率について試験を行った。   In the case of using an alkaline treatment solution having an increased pH value, in Example 3, a test was performed on the effect of removing metal contaminants, but in Example 4, a test was performed on the removal rate of contaminant particles. In Example 4, tests were performed on the removal rates of the five main types of contaminant particles PSL, SiN, AlO, Si, and SiO.

ケースC51においては、上述の基板処理装置1を用いた。アルカリ性処理液としてSC1にTMAHを添加してpH値を12としたアルカリ性処理液(体積比率でTMAH:アンモニア水:過酸化水素水:純水=3:1:1:100)を用い、超音波振動を付与した上で基板Wの表面へ30秒間供給を行った。また、酸性処理液として希フッ酸と希塩酸の混合溶液(体積比率でフッ酸:塩酸:純水=1:40:200)を用い、基板Wの表面へ10秒間供給を行った。   In case C51, the above-described substrate processing apparatus 1 was used. Using an alkaline treatment liquid (pH ratio: TMAH: ammonia water: hydrogen peroxide water: pure water = 3: 1: 1: 100) by adding TMAH to SC1 and adjusting the pH value to 12 as an alkaline treatment liquid, After applying the vibration, supply was performed to the surface of the substrate W for 30 seconds. In addition, a mixed solution of diluted hydrofluoric acid and diluted hydrochloric acid (hydrofluoric acid: hydrochloric acid: pure water = 1: 40: 200 in volume ratio) was supplied to the surface of the substrate W for 10 seconds as an acidic treatment liquid.

ケースC52においては、従来から使用されているバッチ式の基板処理装置を用いた。ケースC52ではまず、常温の希フッ酸(体積比率でフッ酸:純水=1:50)を貯留した処理槽内に基板Wを510秒間浸漬し、次に、65℃のSC1(体積比率でアンモニア水:過酸化水素水:純水=1:1:50)を貯留した処理槽内に基板Wを600秒間浸漬し、その後、65℃のSC2を貯留した処理槽内に基板Wを600秒間浸漬した。なお、SC2は、塩酸と過酸化水素水と純水との混合溶液であり、本ケースC52では、体積比率で塩酸:過酸化水素水:純水=1:1:50としたSC2を使用した。   In case C52, a conventionally used batch type substrate processing apparatus was used. In case C52, first, the substrate W was immersed for 510 seconds in a treatment tank storing dilute hydrofluoric acid at normal temperature (hydrofluoric acid: pure water = 1: 50 by volume ratio), and then SC1 at 65 ° C. (volume ratio). The substrate W is immersed in a processing tank storing ammonia water: hydrogen peroxide water: pure water = 1: 1: 50) for 600 seconds, and then the substrate W is stored in a processing tank storing 65 ° C. SC2 for 600 seconds. Dipped. Note that SC2 is a mixed solution of hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution, and pure water. In this case C52, SC2 having a volume ratio of hydrochloric acid: hydrogen peroxide solution: pure water = 1: 1: 50 was used. .

本実施例4に係る試験の結果を図13に示す。本発明に係るケースC51は、ケースC52と比較して、合計処理時間が50分の1以下であり処理温度も常温であるにもかかわらず、主な汚染粒子PSL,SiN,AlO,Si,SiOのそれぞれに対してほぼ同等の除去率が得られることが確認された。すなわち、pH値を上げたアルカリ性処理液を用いた場合にも、汚染粒子の除去について特に悪影響を及ぼすことはなく、従来のバッチ式の基板処理装置における除去率とほぼ同等の除去率が得られることが確認された。   FIG. 13 shows the results of the test according to the fourth embodiment. The case C51 according to the present invention is different from the case C52 in that the total processing time is 1/50 or less and the processing temperature is normal temperature, but the main contaminant particles PSL, SiN, AlO, Si, SiO It was confirmed that almost the same removal rate was obtained for each of the above. In other words, even when the alkaline processing liquid having an increased pH value is used, there is no particular adverse effect on the removal of the contaminant particles, and a removal rate substantially equal to that of the conventional batch-type substrate processing apparatus can be obtained. It was confirmed that.

本発明の基板処理装置1の構成を示す縦断面図である。It is a longitudinal section showing the composition of substrate processing device 1 of the present invention. 基板処理装置1に付帯する配管等の構成を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating a configuration of piping and the like attached to the substrate processing apparatus 1. アルカリ性処理液ノズル68の斜視図およびアルカリ性処理液ノズル68の配管37aを含む縦断面図である。FIG. 3 is a perspective view of an alkaline processing liquid nozzle 68 and a vertical cross-sectional view including a pipe 37 a of the alkaline processing liquid nozzle 68. 基板処理装置1における基板処理の動作を説明するフローチャートである。5 is a flowchart illustrating an operation of substrate processing in the substrate processing apparatus 1. 希アンモニア水、希塩酸、および純水の供給の様子を基板W付近のみ図解的に示した動作状態図である。FIG. 9 is an operation state diagram schematically showing a state of supply of diluted ammonia water, diluted hydrochloric acid, and pure water only in the vicinity of the substrate W. スピンベース10上に保持された基板Wに対するアルカリ性処理液ノズル68の動きを説明するための図解的な平面図である。FIG. 4 is an illustrative plan view for explaining movement of an alkaline processing liquid nozzle 68 with respect to a substrate W held on a spin base 10. 変形例に係る配管等の構成を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing composition of piping etc. concerning a modification. 実施例1に係る試験の結果を示すグラフである。4 is a graph showing the results of a test according to Example 1. 実施例2に係る試験の結果を示すグラフである。9 is a graph showing the results of a test according to Example 2. 実施例3に係る試験の結果を示すグラフである。13 is a graph showing the results of a test according to Example 3. 実施例3に係る試験の結果を示すグラフである。13 is a graph showing the results of a test according to Example 3. 実施例3に係る試験の結果を示すグラフである。13 is a graph showing the results of a test according to Example 3. 実施例4に係る試験の結果を示すグラフである。13 is a graph showing the results of a test according to Example 4.

符号の説明Explanation of reference numerals

1 基板処理装置
10 スピンベース
15 うら面処理液ノズル
26 受け部材
30 雰囲気遮断板
36 純水ノズル
50 スプラッシュガード
68 アルカリ性処理液ノズル
68d 超音波振動子
78 酸性処理液ノズル
W 基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 10 Spin base 15 Back surface treatment liquid nozzle 26 Receiving member 30 Atmosphere barrier plate 36 Pure water nozzle 50 Splash guard 68 Alkaline treatment liquid nozzle 68d Ultrasonic vibrator 78 Acid treatment liquid nozzle W Substrate

Claims (14)

基板処理方法であって、
処理対象となる基板を回転させつつ、前記基板に対して超音波振動を付与したアルカリ性処理液を供給する第1工程と、
前記第1工程の後、前記基板を回転させつつ、前記基板に対して酸性処理液を供給する第2工程と、
を含むことを特徴とする基板処理方法。
A substrate processing method,
A first step of supplying an alkaline processing liquid having ultrasonic vibration applied to the substrate while rotating the substrate to be processed;
A second step of supplying an acidic treatment liquid to the substrate while rotating the substrate after the first step;
A substrate processing method comprising:
請求項1に記載の基板処理方法であって、
前記第1工程は、前記基板のおもて面に対して超音波振動を付与したアルカリ性処理液を供給するとともに、前記基板のうら面に対してアルカリ性処理液を供給する工程を備え、
前記第2工程は、前記基板のおもて面およびうら面に対して酸性処理液を供給する工程を備えることを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 1, wherein
The first step includes supplying an alkaline treatment liquid having ultrasonic vibration applied to the front surface of the substrate, and supplying an alkaline treatment liquid to the back surface of the substrate,
The substrate processing method according to claim 2, wherein the second step includes a step of supplying an acidic processing liquid to the front surface and the back surface of the substrate.
請求項1または請求項2に記載の基板処理方法であって、
前記アルカリ性処理液は、希アンモニア水であることを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 1 or 2, wherein
The substrate processing method, wherein the alkaline processing liquid is diluted ammonia water.
請求項1または請求項2に記載の基板処理方法であって、
前記アルカリ性処理液は、アンモニア水と過酸化水素水とを含む混合溶液であることを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to claim 1 or 2, wherein
The substrate processing method, wherein the alkaline processing liquid is a mixed solution containing aqueous ammonia and aqueous hydrogen peroxide.
請求項1から請求項4までのいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記酸性処理液は、希塩酸であることを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to any one of claims 1 to 4, wherein
The substrate processing method, wherein the acidic processing liquid is dilute hydrochloric acid.
請求項1から請求項4までのいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記酸性処理液は、塩酸とフッ酸とを含む混合溶液であることを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to any one of claims 1 to 4, wherein
The substrate processing method, wherein the acidic processing liquid is a mixed solution containing hydrochloric acid and hydrofluoric acid.
請求項1から請求項6までのいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記アルカリ性処理液と前記酸性処理液は、共に常温の液体であることを特徴とする基板処理方法。
The substrate processing method according to any one of claims 1 to 6, wherein
The substrate processing method, wherein the alkaline processing liquid and the acidic processing liquid are both liquids at room temperature.
処理対象となる基板を水平面内にて回転させつつ所定の処理を行う基板処理装置であって、
前記基板を略鉛直方向に沿った軸を中心として回転させる回転手段と、
前記基板のおもて面に対して超音波振動を付与したアルカリ性処理液を供給する第1供給手段と、
前記基板のおもて面に対して酸性処理液を供給する第2供給手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus that performs a predetermined process while rotating a substrate to be processed in a horizontal plane,
Rotating means for rotating the substrate about an axis along a substantially vertical direction,
First supply means for supplying an alkaline treatment liquid having ultrasonic vibration applied to the front surface of the substrate,
Second supply means for supplying an acidic treatment liquid to the front surface of the substrate;
A substrate processing apparatus comprising:
請求項8に記載の基板処理装置であって、
前記基板のうら面に対してアルカリ性処理液を供給する第3供給手段と、
前記基板のうら面に対して酸性処理液を供給する第4供給手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein:
Third supply means for supplying an alkaline processing liquid to the back surface of the substrate,
Fourth supply means for supplying an acidic treatment liquid to the back surface of the substrate,
A substrate processing apparatus, further comprising:
請求項8または請求項9に記載の基板処理装置であって、
前記アルカリ性処理液は、希アンモニア水であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein:
The substrate processing apparatus, wherein the alkaline processing liquid is diluted ammonia water.
請求項8または請求項9に記載の基板処理装置であって、
前記アルカリ性処理液は、アンモニア水と過酸化水素水とを含む混合溶液であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein:
The substrate processing apparatus, wherein the alkaline processing liquid is a mixed solution containing aqueous ammonia and aqueous hydrogen peroxide.
請求項8から請求項11までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記酸性処理液は、希塩酸であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 8 to 11, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the acidic processing liquid is diluted hydrochloric acid.
請求項8から請求項11までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記酸性処理液は、塩酸とフッ酸とを含む混合溶液であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 8 to 11, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the acidic processing liquid is a mixed solution containing hydrochloric acid and hydrofluoric acid.
請求項8から請求項13までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記アルカリ性処理液と前記酸性処理液は、共に常温の液体であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 8 to 13, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the alkaline processing liquid and the acidic processing liquid are both liquids at room temperature.
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