JP2002328319A - 圧電／電歪デバイス及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 素子の大型化を招くことなく偏向角度を大き
くでき、駆動部分の経時的な劣化が生じ難い圧電／電歪
デバイスを提供すること。 【解決手段】 この圧電／電歪デバイス１０は、基部１
１と、基部から延設されて平面を構成する薄板状の変形
部１２と、変形部に密着された圧電／電歪素子１４と、
前記変形部の平面と交差する平面状の作用面１３ａを構
成するように同変形部から延設されるとともに同作用面
上に光反射部材１３ｂを配した反射部１３とを備えてい
る。そして、前記圧電／電歪素子の作動によって前記変
形部が同変形部の平面と略直交する方向に変形されるこ
とにより前記反射部の光の反射角度が変化する。これに
よれば、光の反射角度を大きくするために変形部の長さ
を大きくしても、反射部を大きくする必要がない。ま
た、反射部は剛性が高く形成されるので、光反射面の平
坦性が長期に渡り維持される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示装置、画
像描画装置、露光装置、及び光スイッチ等に利用される
光変調機構を備えた圧電／電歪デバイスに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光変調機構を備えた種々のデバイ
スが開発されていて、特開平５−１９６８８０号公報
は、その一例である変形可能鏡装置（以下、ＤＭＤと称
呼する。）を開示している。このＤＭＤは、概略斜視図
である図３３に示したように、ＣＭＯＳ基板２００と、
基板２００上に設けられた支持体２０２，２０２と、前
記支持体２０２，２０２に支持された一対のトーション
・ヒンジ２０４，２０４と、トーション・ヒンジ２０
４，２０４を介して支持体２０２，２０２に保持された
ヨーク２０６と、ヨーク２０６に支持されたミラー２０
８とを備え、静電引力を利用してトーション・ヒンジ２
０４，２０４を捩ることによってミラー２０８の角度を
変更するようになっている。なお、図３３においては、
理解を容易にするため、ミラー２０８が透明に描かれて
いる。

【０００３】このＤＭＤは、小型化が容易で画素の高密
度化を可能とするされているが、トーション・ヒンジ２
０４，２０４を捩らせてミラー２０８を駆動するため、
同ヒンジ２０４，２０４が疲労し易いという問題を有し
ている。また、ミラー２０８は静電引力により駆動され
るため、同ミラー２０８が作動中にスティッキング（固
着）してしまう惧れもある。

【０００４】これに対し、特開平１１−７２７２４号公
報に開示された薄膜型光路調節装置（以下、ＡＭＡと称
呼する。）は、概略断面図である図３４に示したよう
に、基板３００の上に形成されたアンカ３０２と、アン
カ３０２により支持された支持層３０４と、支持層３０
４の上に順に積層された下部電極３０６、圧電物質を含
む変形層３０８、及び上部電極３１０と、支持層３０４
〜上部電極３１０により構成されるアクチュエーティン
グ部３１２にポスト３１４を介して支持されたストレス
バランス層３１６と、ストレスバランス層３１６の上に
形成された光反射部材３１８とを備えていて、下部電極
３０６と上部電極３１０との間に電圧を印加して変形層
３０８を変形させ、これによりアクチュエーティング部
３１２を傾斜させることで光反射部材３１８を傾斜させ
るようになっている。このように、ＡＭＡは、トーショ
ン・ヒンジの捩り運動ではなく、圧電材料を含む変形層
３０８の変形を利用して光反射部材３１８の角度を変化
させるので、駆動部分の疲労が少なく、且つ、静電引力
を利用していないので、光反射部材３１８がスティッキ
ングし難いという特性を有している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ａ
ＭＡは、光反射部材３１８と変形層３０８とが平行に形
成されているので、偏向角度（反射面の変化角度）を大
きくする場合に変形層３０８を長くする必要があり、こ
の結果、素子のサイズが大きくなるという問題を有して
いる。また、ＡＭＡにおける光反射部材３１８は剛性が
小さい金属薄膜であるため、同光反射部材３１８により
構成される反射面の平坦性の確保が難しく、同平坦性が
ＡＭＡ作動に伴って経時的に変化し、偏向が長期間に渡
り安定して行えないという課題もある。本発明は、ＤＭ
Ｄ及びＡＭＡが有する上記課題を解決するためになされ
たものであって、その目的は、素子の大型化を招くこと
なく偏向角度を大きくすることができ、駆動部分の経時
的な劣化が生じ難い圧電／電歪デバイス、及び、その製
造方法を提供することにある。

【０００６】

【本発明の概要】本発明による圧電／電歪デバイスは、
基部と、前記基部から延設されて平面を構成する薄板状
の変形部と、少なくとも前記変形部に密着された圧電／
電歪素子と、前記変形部の平面と交差する平面状の作用
面を構成するように同変形部から延設されるとともに同
作用面上に光反射部材を配した反射部とを備え、前記圧
電／電歪素子の作動によって前記変形部が同変形部の平
面と略直交する方向に変形されることにより前記反射部
の光の反射角度が変化するように構成された１組の機能
素子を含んで構成される。

【０００７】これによれば、反射部材を配した反射部の
光の反射角度を変化させる際、圧電／電歪素子によって
薄板状の変形部が同変形部の平面と略直交する方向に変
形されるので、駆動部分である同変形部にねじり等が加
わらず、同変形部に経時的な劣化が生じ難い。また、反
射部材を配した反射部の作用面は、変形部の平面と交差
する平面を構成しているから、偏向角度（反射面の変化
角度）を大きくするために同変形部を長くした場合であ
っても、同光反射部材を同変形部と同じだけ長くする必
要がない。従って、上記構成によれば、小型であって、
例えば、画像表示装置として用いた場合に、画素の高密
度化を達成し得る信頼性の高い圧電／電歪デバイスが提
供され得る。なお、係るデバイスの小型化は、前記反射
部の作用面と前記変形部の平面とが直交する場合におい
て、最も顕著に達成される。

【０００８】この場合、上記圧電／電歪デバイスにおい
て、前記反射部は前記変形部の端部から同変形部と略同
一幅を有して延設されることが好適である。

【０００９】上記従来のＡＭＡにおいては、光反射部材
がポストにより一点にて支持されているから、同光反射
部材に自重等による変形（ねじれ、たわみ）が生じ易
く、反射面の平坦度を長期に渡り良好に維持することが
難しいという問題がある。これに対し、上記のように、
反射部を変形部の端部から同変形部と略同一幅を有して
延設するように構成すれば、同反射部が長い距離にて支
持されるとともに、同反射部の剛性を高めることが可能
となるので、同反射部の変形を生じ難くでき、反射面の
平坦度を良好に維持することが可能となる。

【００１０】上記本発明によるデバイスは、光スイッチ
や露光装置等に利用し得る態様となるように複数組の機
能素子を直線状（直線的）に隣接配置して構成してもよ
く、この場合、前記直線状に隣接配置された複数組の機
能素子の前記各基部が一体的に形成されてなることが好
適である。

【００１１】上記本発明によるデバイスは、光スイッ
チ、画像表示装置、及び露光装置等に利用し得る態様と
なるように複数組の機能素子をマトリクス状に隣接配置
して構成してもよく、この場合、前記マトリクスの少な
くとも一列を構成する前記複数組の機能素子の前記各基
部が一体的に形成されてなることが好適である。

【００１２】また、上記何れかに記載のデバイスは、前
記１組の機能素子の前記基部と前記変形部と前記反射部
とがセラミックスの一体化物として形成されてなること
が好適である。

【００１３】これによれば、セラミックスの特性によ
り、前記変形部を、薄く、厚み方向に変形し易く、且つ
金属膜のように変形の繰り返しによりその面内で延びて
しまうことがないように形成することができるととも
に、基部、変形部、及び反射部、の間に接着剤が介在し
ない構造であるので、小型で、望ましい特性、及び優れ
た耐久性を備えた光変調機構を有するデバイスを提供す
ることができる。

【００１４】この場合、前記圧電／電歪素子は、膜型の
圧電／電歪素子であり、焼成により前記変形部に一体化
されてなることが好適である。

【００１５】これによれば、小型の圧電／電歪素子を容
易に形成でき、デバイスの作動電圧を小さくできるとと
もに、圧電／電歪素子を変形部に接着剤等を用いて密着
させる必要がないので、圧電／電歪素子の発生する歪み
をロスすることなく、効率良く利用することができる。

【００１６】また、本発明による他のデバイスは、基部
と、前記基部から延設されて平面を構成する薄板状の変
形部と、少なくとも前記変形部に密着された圧電／電歪
素子と、前記変形部の平面と交差する平面状の作用面を
構成するように同変形部から延設されるとともに同作用
面上に光反射部材を配した反射部と、前記変形部と対向
するように前記基部から延設され前記反射部の一部を保
持する保持部とを備え、前記圧電／電歪素子の作動によ
って前記変形部が同変形部の平面と略直交する方向に変
形されることにより、前記保持部が変形することなく前
記反射部の光の反射角度が変化するように構成された１
組の機能素子を含んで構成される。

【００１７】これは、上述した本発明による圧電／電歪
デバイスに対し、前記変形部と対向するように前記基部
から延設され前記反射部の一部を保持する保持部を更に
具備させたものである。この保持部は、前記圧電／電歪
素子によって前記変形部が変形され、前記反射部の光の
反射角度が変化されたときにも、変形することがないよ
うな構造（例えば、剛性）を有している。

【００１８】従って、この本発明による他の圧電／電歪
デバイスは、上記本発明による圧電／電歪デバイスと同
様な利点を有することに加え、前記反射部の光の反射角
度を変化させるために同反射部が駆動されたとき、その
駆動中心が保持部により前記基部に対し移動しないよう
になっているので、光軸が反射部から外れてしまうこと
を防止することができる。

【００１９】この場合、上記他の圧電／電歪デバイスに
おいても、前記反射部は前記変形部の端部から同変形部
と略同一幅を有して延設されることが好適である。

【００２０】これによれば、反射部が変形部により長い
距離をもって支持されるとともに、同反射部の剛性を高
めることが可能となるので、同反射部の変形を生じ難く
でき、反射面の平坦度を良好に維持することが可能とな
る。

【００２１】上記本発明による他のデバイスは、光スイ
ッチや露光装置等に利用し得る態様となるように複数組
の機能素子を直線状に隣接配置して構成してもよく、こ
の場合、前記直線状に隣接配置された複数組の機能素子
の前記各基部が一体的に形成されてなることが好適であ
る。

【００２２】上記本発明による他のデバイスは、光スイ
ッチ、画像表示装置、及び露光装置等に利用し得る態様
となるように複数組の機能素子をマトリクス状に隣接配
置して構成してもよく、この場合、前記マトリクスの少
なくとも一列を構成する前記複数組の機能素子の前記各
基部が一体的に形成されてなることが好適である。

【００２３】また、上記何れかに記載の他のデバイス
は、前記１組の機能素子の前記基部、前記変形部、前記
反射部、及び前記保持部がセラミックスの一体化物とし
て形成されてなることが好適である。

【００２４】これによれば、セラミックスの特性によ
り、前記変形部を、薄く、厚み方向に変形し易く、且つ
金属膜のように変形の繰り返しによりその面内で延びて
しまうことがないように形成することができるととも
に、基部、変形部、反射部、及び保持部の間に接着剤が
介在しない構造であるので、小型で、望ましい特性、及
び優れた耐久性を備えた光変調機構を有するデバイスを
提供することができる。

【００２５】この場合、前記圧電／電歪素子は、膜型の
圧電／電歪素子であり、焼成により前記変形部に一体化
されてなることが好ましい。

【００２６】これによれば、小型の圧電／電歪素子を容
易に形成でき、デバイスの作動電圧を小さくできるとと
もに、圧電／電歪素子を変形部に接着剤等を用いて密着
させる必要がないので、圧電／電歪素子の発生する歪み
をロスすることなく、効率良く利用することができる。

【００２７】本発明の他の特徴は、厚肉のセラミックス
からなる基部から延設された薄肉のセラミックスからな
る変形部を少なくとも同変形部に密着された圧電／電歪
素子の作動により変形させることによって、同変形部か
ら延設されたセラミックスからなる反射部の角度を変更
する圧電／電歪デバイスの製造方法が、中央部に略長方
形状の貫通窓が形成されたセラミックグリーンシート上
に別のセラミックグリーンシートを同貫通窓を覆うよう
に積層する工程と、前記積層された両セラミックグリー
ンシートを焼成して厚肉部と薄肉部とを有するセラミッ
クスの一体化物を形成する工程と、少なくとも前記薄肉
部の上面に圧電／電歪素子を形成する工程と、前記セラ
ミックスの一体化物を形成した後であって、前記圧電／
電歪素子を形成した後又は前記圧電／電歪素子を形成す
る前に、前記薄肉部の端部から一定の肉厚を残すように
前記厚肉部の一部を切断加工する第１切断工程と、少な
くとも前記切断加工により一定の肉厚が残された厚肉部
を同切断加工により形成された切断面と交差する平面に
沿って切断し、同一定の肉厚を有する前記反射部と、前
記薄肉の変形部と、前記厚肉の基部とを形成する第２切
断工程と、を含んだことにある。

【００２８】これによれば、特に、上記直線状又はマト
リクス状に複数組の機能素子を隣接配置する圧電／電歪
デバイスを少ない工程により効率的に製造することがで
きる。

【００２９】この場合において、前記第２切断工程前の
状態にあるセラミックスの一体化物を複数個用意すると
ともに同複数個の一体化物の前記厚肉部であって後に前
記基部となる部分同士をスペーサを介在させて接合する
工程と、前記反射部に光反射部材を形成する工程と、を
含むことが好適である。前記セラミックスの一体化物を
接合する工程は、前記セラミックスの一体化物が形成さ
れた後であれば、前記第１切断工程後であっても、前記
第１切断工程前であってもよい。

【００３０】これによれば、各々が反射部を備える複数
の機能素子をマトリクス状に隣接配置した圧電／電歪デ
バイスを簡単に製造することができる。また、前記一体
化物間の距離をスペーサにより精密且つ簡易に管理しな
がら製造することができる。

【００３１】また、前記第２切断工程は、少なくとも前
記第１切断工程の切断加工により一定の肉厚が残された
厚肉部、前記光反射部材、及び前記薄肉部を切断する工
程であることが好適である。

【００３２】これによれば、第２切断工程において、基
部、変形部、反射部を一つの切断加工により同時に形成
することができる。

【００３３】また、前記圧電／電歪素子を形成する工程
は、同圧電／電歪素子を複数個互いに略同一間隔を隔て
て形成する工程であり、前記圧電／電歪素子の形成後で
あって前記第２切断工程前に同圧電／電歪素子間の前記
薄肉部をスリット状に除去する工程を含み、更に、前記
第２切断工程は、少なくとも前記第１切断工程の切断加
工により一定の肉厚が残された厚肉部及び前記光反射部
材を、前記スリットに沿った面で切断する工程であって
もよい。更に、この場合、前記薄肉部をスリット状に除
去する工程は、レーザー加工によりスリットを形成する
工程であり、前記第２切断工程は、レーザー加工により
前記一定の肉厚が残された厚肉部及び前記光反射部材を
切断する工程であることが望ましい。

【００３４】これによれば、圧電／電歪素子間の薄肉部
が予めスリット状に除去されているので、第２切断工程
において、前記第１切断工程の切断加工により一定の肉
厚が残された厚肉部及び前記光反射部材を、前記スリッ
トに沿った面で切断するだけでよく、この結果、同第２
切断加工の際にデバイスに加わる負荷（応力）を低減す
ることができ、製造時の破損等を効果的に抑制できる。
また、スリットの形成、及び第２切断工程の切断をレー
ザー加工により行えば、切断時にデバイスに加わる負荷
を一層低減することができる。

【００３５】この場合において、前記光反射部材を形成
する工程は同光反射部材の形成前に前記第１切断工程に
おいて切断加工された面を研磨する研磨工程を含み、更
に、前記複数個の一体化物の前記肉厚部同士を前記スペ
ーサを介して接合した後であって前記研磨工程の実施前
に同複数個の一体化物の間隙部に充填材を充填する工程
と、前記第２切断工程の後に前記充填材を除去する工程
とを含むことが好適である。

【００３６】これによれば、前記複数個の一体化物を接
合した後であって前記光反射部材を形成する前に同複数
個の一体化物の間隙部に充填材が充填され、その状態で
前記光反射部材が形成される面が研磨される。そして、
前記研磨面に前記光反射部材が形成されてから、同光反
射部材と前記厚肉部（と前記薄肉部）とが切断加工さ
れ、最後に前記充填材が除去される。従って、研磨加工
時及び第２切断工程の切断加工時において、充填材が前
記複数個の一体化物間に存在しているので、同研磨加工
及び同切断加工を安定して行うことが可能となる。

【００３７】

【発明の実施の形態】本明細書において「圧電／電歪」
とは、圧電及び／又は電歪のことを意味している。圧電
／電歪素子は、主に加えられる外部電界と平行な方向に
伸張し、同電界と直交する方向に収縮する性質を備え、
電気的エネルギと機械的エネルギとを相互に変換する素
子として広く知られている。一般に、圧電素子は、抗電
界（分極が反転するときの外部電界）の大きさが比較的
大きく、電歪素子は同抗電界が極めて小さいという特徴
を有するものである。

【００３８】以下、本発明による圧電／電歪デバイス及
びその製造方法の各実施形態について、図面を参照しな
がら説明する。なお、各図において示されたｘ，ｙ，ｚ
軸は互いに直交する座標軸である。また、圧電／電歪デ
バイスを構成する各部分のうち、ｘ，ｙ，及びｚ軸方向
に沿った辺の長さは、幅、厚さ又は奥行き、及び高さと
それぞれ称呼される。

【００３９】（第１実施形態）図１に概略斜視図を、図
２に正面図を示した本発明の第１実施形態に係る圧電／
電歪デバイス１０は、基部１１、変形部１２、反射部１
３、及び圧電／電歪素子１４を備え、これらにより１組
の光変調機能を有する機能素子を構成している。

【００４０】基部１１は、部分安定化ジルコニアを主成
分とするセラミックスからなり、幅Ｗ１、厚さＬ１、高
さＨ１を有する略直方体形状の中実で剛性を有する箱体
である。幅Ｗ１は、厚さＬ１と略同一又は同厚さＬ１よ
り若干だけ大きく、高さＨ１は、幅Ｗ１及び厚さＬ１よ
り大きくなっている。なお、これらの寸法の大小関係
は、圧電／電歪デバイスの用途、使用目的等により適宜
決定される。

【００４１】変形部１２は、基部１１と同一種のセラミ
ックスからなり、同基部１１と一体的に形成されてい
る。この変形部１２は、幅Ｗ１、厚さＬ２、高さＨ２の
略直方体形状を有する可撓性の薄板体（振動板）であっ
て、ｙ軸方向に容易に変形し得るようになっている。即
ち、基部１１と変形部１２の厚さを肉厚と考えれば、薄
肉の変形部１２は厚肉の基部１１から高さ方向に同基部
１１と同一の幅Ｗ１を有しながら延設されていて、基部
１１の一面１１ａと同一の平面内に存在する平面１２ａ
を構成している。この平面１２ａは、後述するように変
形することから、変形面１２ａとも称呼される。

【００４２】反射部１３は、基部１１及び変形部１２と
同一種のセラミックスからなり、同基部１１及び同変形
部１２と一体的に形成されている。この反射部１３は、
幅Ｗ１、奥行きＬ３、高さＨ３の略直方体形状を有する
薄板体であって、高さＨ３は変形部１２の厚さＬ２より
も大きく、これにより反射部１３自体は変形しないよう
になっている。ただし、このような寸法関係にすること
が、反射部１３の変形を防止する唯一の方法ということ
ではない。

【００４３】この反射部１３は、前記変形部１２の平面
１２ａと直角に交差する（直交する）平面状の作用面１
３ａを構成するように、同変形部１２と同一の幅Ｗ１を
有しながらから同変形部１２の端部（基部１１側と反対
側の端部）から延設されている。また、前記作用面１３
ａの上には、アルミニウムの薄膜からなる光反射部材１
３ｂが配されていて、同作用面１３ａと並行な反射面が
形成され、これにより反射部１３（光反射部材１３ｂ）
に入射する光が反射されるようになっている。なお、こ
の例では、反射部１３の奥行きＬ３は、基部１１の厚さ
Ｌ１と等しくされている。

【００４４】圧電／電歪素子１４は、変形部１２の幅Ｗ
１と同一の幅Ｗ１、長さＨ４、及び厚さＤの略直方体形
状（薄板形状）を有していて、より具体的には、図２に
示したように、圧電セラミックスからなる膜状の圧電／
電歪層１４ａと、同圧電／電歪層１４ａを挟むように形
成された白金からなる膜状の第１電極１４ｂ及び金から
なる第２電極１４ｃとを備えている。第１電極１４ｂ
は、変形部１２の平面１２ａ上の殆どの部分、及び基部
１１の上部（基部１１の底面から同基部の高さＨ１より
も低い高さＨ５より上部）に密着するように形成させら
れていて、これにより、圧電／電歪素子１４の全体が同
変形部１２の殆どの部分、及び同基部１１の上部と密着
している。また、第１，第２電極１４ｂ，１４ｃには、
図示しない回路（駆動回路）から所定の電位差（駆動電
圧）が印加されるようになっていて、これにより圧電／
電歪層１４ａに対し厚さＤの方向の電界が加えられるよ
うになっている。

【００４５】次に、このように構成された圧電／電歪デ
バイス１０の作用について説明すると、第１電極１４ｂ
及び第２電極１４ｃに対して電圧が印加されていない場
合、圧電／電歪デバイス１０は、図２に示した状態を維
持する。一方、図示しない駆動回路から第１電極１４ｂ
及び第２電極１４ｃに電圧が印加され、これらの電極間
に所定の電位差が与えられると、圧電／電歪層１４ａに
は厚さＤ方向の電界が加わり、同圧電／電歪層１４ａは
電界と直交する方向に収縮する。

【００４６】このとき、第１電極１４ｂは変形部１２の
大部分と密着されているから、圧電／電歪層１４ａの第
１電極１４ｂ側の収縮は妨げられ、第２電極１４ｃ側が
収縮する。これにより、図３に示したように、変形部１
２がその変形面１２ａ（平面１２ａ）と略垂直な方向に
円弧状に屈曲変位する。この結果、反射部１３に形成さ
れた光反射部材１３ｂの角度はθだけ変化する。本圧電
／電歪デバイス１０は、この作用を利用して光反射部材
１３ｂに入射する光の反射方向を変更し、もって光変調
機能を達成する。

【００４７】以上説明した本発明の第１実施形態によれ
ば、反射部１３（光反射部材１３ｂ）のなす反射面（反
射部１３の作用面１３ａ）が変形部１２の変形面１２ａ
と直角に交差しているから、変形部の高さＨ２を大きく
することにより、光反射部材１３ｂの角度変化（即ち、
光の反射角度の変化）を大きくすることができる。従っ
て、圧電／電歪デバイス１０は、光反射部材１３ｂの角
度変化を大きくしても、反射部１３（光反射部材１３
ｂ）を大きくする必要がないので、小型で所望の光変調
機能を達成することができ、例えば、画像表示用に用い
れば画素の高密度化を達成し得るデバイスとなってい
る。

【００４８】また、上記圧電／電歪デバイス１０におい
ては、反射部１３は変形部１２と同一の幅Ｗ１を有しな
がら同変形部１２から屈曲（延設）されているので、同
反射部１３の剛性を高くすることができ、同反射部１３
自体に歪みが生じ難く、光反射部材１３ｂはこの剛性を
有する反射部１３の作用面１３ａに形成されるので、光
反射部材１３ｂの反射面の平坦度を経時的に一定に維持
することが可能である。更に、前記したように、光反射
部材１３ｂ（反射面）の大きさを反射角度の大小にかか
わらず一定とすることができるので、その反射面の平坦
度を設計によらず安定したものとすることができる。

【００４９】加えて、圧電／電歪デバイス１０において
は、基部１１と変形部１２と反射部１３とがセラミック
スの一体化物として形成されるているので、セラミック
スの特性により、前記変形部１２を、薄く（厚みＤを小
さく）、厚みＤ方向に変形し易く、且つ金属膜のように
変形の繰り返しによりその面内で延びてしまうことがな
いように形成することができる。また、基部１１、変形
部１２、及び反射部１３の間に接着剤が介在しない構造
であるので、圧電／電歪デバイス１０は、小型で、望ま
しい特性、及び優れた耐久性を備えた光変調機構を有す
るデバイスとなっている。

【００５０】更に、圧電／電歪素子１４の一部が厚肉の
基部１１上に形成されていることから、前述した屈曲変
位が基部１１と変形部１２との接合部を支点として発現
され、同圧電／電歪素子１４の歪みを効率良く屈曲変位
に変換できる。

【００５１】なお、第１実施形態においては、反射部１
３の作用面１３ａ（光反射部材１３ｂのなす反射面）が
変形部１２の変形面１２ａと直角に交差していたが、こ
れらの面が交差していればその交差角度は直角でなくて
もよい。また、第１実施形態においては、基部１１、変
形部１２、及び反射部１３はセラミックスの一体化物と
して形成されていたが、これらは各部の機能を満足する
限り別体の部材から構成され、且つこれら別体の部材が
接着等により上記第１実施形態のように接合されてもよ
い。更に、セラミックスに代えて、金属、エンジニアリ
ングプラスチックで構成されてもよい。

【００５２】（第２実施形態）図４は、本発明の第２実
施形態に係る圧電／電歪デバイス２０の概略斜視図を示
している。この圧電／電歪デバイス２０は、第１実施形
態に係る１組の機能素子である圧電／電歪デバイス１０
を実質的に複数組有し、これら複数組の圧電／電歪デバ
イス１０を、その変形面１２ａ（圧電／電歪素子１４の
平面）と光反射部材１３ｂのなす反射面とがそれぞれ同
一面上に存在するように、直線状に隣接配置したもので
ある。この圧電／電歪デバイス２０においては、第１実
施形態の基部１１に相当する部分が、各圧電／電歪素子
１４の下端部（反射部１３が存在する側と反対側の端
部、即ちｚ軸負方向の端部）１４ｄよりも下方部分にお
いて一体的に形成（連接）され、一つの基部２１を形成
している。

【００５３】即ち、各圧電／電歪素子１４の下端部１４
ｄの基部２１の底面からの高さＨ５は同基部２１の高さ
Ｈ１よりも低く、且つ、基部１１に相当する部分が隣接
する基部１１に相当する部分に連接している部分の高さ
Ｈ６は、前記下端部１４ｄの高さＨ５よりも低い。な
お、下端部１４ｄの高さＨ５が基部２１の高さＨ１より
高い場合には、前記基部２１の連接部分の高さＨ６は、
同基部２１の高さＨ１以下でなければならない。このよ
うに、基部２１を形成することで、複数の変形部１２が
独立して変位可能となる。

【００５４】この圧電／電歪デバイス２０は、第１実施
形態の圧電／電歪デバイス１０と同様に、各圧電／電歪
素子１４の第１,第２電極１４ｂ，１４ｃ（図４におい
ては図示が省略されている。）に電位差が与えられる
と、同電位差が与えられた同圧電／電歪素子１４に歪み
が生じ、変形部１２がその変形面１２ａと略垂直な方向
に円弧状に屈曲変位し、この結果、反射部１３に形成さ
れた光反射部材１３ｂの角度はθだけ変化する。本圧電
／電歪デバイス２０は、この作用を利用して、光反射部
材１３ｂに入射する光の反射方向を変更し、もって光変
調機能を達成する。即ち、この第２実施形態によれば、
直線状に並べられ、且つ互いに独立に光の反射角度を変
化させ得る複数の反射面を備えた圧電／電歪デバイス２
０が提供される。

【００５５】なお、第２実施形態においても、各反射部
１３の作用面１３ａ（光反射部材１３ｂのなす反射面）
が各変形部１２の変形面１２ａと直角に交差していた
が、これらの面が交差していれば、その交差角度は直角
でなくてもよい。また、第２実施形態においては、基部
２１が、各変形部１２、及び各反射部１３に対して共通
化されていたが、第１実施形態の圧電／電歪デバイス１
０を単に一列に整列させ、これらを互いに所定の間隔を
もって接着等により接合して形成したものであってもよ
い。また、第２実施形態においても、基部２１、変形部
１２、反射部１３がセラミックスの一体化物として形成
されていたが、これらは各部の機能を満足する限り別体
の部材からなり、これらの別体の部材が接着等により上
記第２実施形態のように接合されてもよい。

【００５６】（第３実施形態）図５は、本発明の第３実
施形態に係る圧電／電歪デバイス３０の概略斜視図を示
している。この圧電／電歪デバイス３０は、第１実施形
態に係る１組の機能素子である圧電／電歪デバイス１０
を実質的に複数組有し、これらの圧電／電歪デバイス１
０を同一の向きに、且つ各圧電／電歪デバイス１０の光
反射部材１３ｂのなす反射面がそれぞれ同一面上に存在
するように、マトリクス状に隣接配置したものである。

【００５７】より具体的に述べると、圧電／電歪デバイ
ス３０は、第２実施形態に係る一列（ｘ軸方向）の圧電
／電歪デバイス２０を複数個備え、これら複数の圧電／
電歪デバイス２０を図５に示したように行方向に並べ、
基部２１同士を接着材により接合したたものである。な
お、各基部２１間にはスペーサＳＰが介在され、隣接す
る圧電／電歪デバイス２０間の距離が一定に維持されて
いる。

【００５８】この圧電／電歪デバイス３０は、第１実施
形態の圧電／電歪デバイス１０と同様に、各圧電／電歪
素子１４の第１,第２電極１４ｂ，１４ｃ（図５におい
ては図示が省略されている。）に電位差が与えられる
と、同電位差が与えられた圧電／電歪素子１４に歪みが
生じ、変形部１２がその変形面１２ａと略垂直な方向に
円弧状に屈曲変位し、この結果、反射部１３に形成され
た光反射部材１３ｂの角度はθだけ変化する。なお、図
５は、一つの光反射部材１３ｂの角度が変更された例を
示している。

【００５９】本圧電／電歪デバイス３０は、この作用を
利用して光反射部材１３ｂに入射する光の反射方向を変
更し、もって光変調機能を達成する。即ち、この第３実
施形態によれば、マトリクス状に配置され、且つ互いに
独立に光の反射角度を変化させ得る複数の光反射部材１
３ｂを備えた圧電／電歪デバイス３０が提供される。そ
して、このような光変調機能を有する本圧電／電歪デバ
イスを画像表示装置、露光装置、光スイッチ等に使用す
れば、小型で、かつ画像形成の再現精度の高い装置を実
現することができる。また、一般に、従来の露光装置
は、画像（パターン）形成にクロムマスク等のマスクを
必要とするが、本圧電／電歪デバイスを使用した露光装
置は、画像データ（電子情報）で直接的に画像を形成す
ることができるので、設計変更の都度新たにマスクを準
備する煩雑さがなく、設計変更のリードタイムを大幅に
削減できるという効果を奏する。

【００６０】なお、第３実施形態においても、各反射部
１３の作用面１３ａ（光反射部材１３ｂのなす反射面）
が各変形部１２の変形面１２ａと直角に交差していた
が、これらの面が交差していれば、図６に示したよう
に、同作用面１３ａ（反射面）と変形面１２ａの交差角
度は直角でなくてもよい。

【００６１】また、第３実施形態においては、基部２１
が、同一列内の各変形部１２、及び各反射部１３に対し
て共通化されていたが、第１実施形態の圧電／電歪デバ
イス１０を単にマトリクス状に整列させ、これらを互い
に所定の間隔をもって接着等により接合して形成したも
のであってもよい。また、第３実施形態においても、各
列内の基部２１、変形部１２、反射部１３がセラミック
スの一体化物として形成されていたが、これらは各部の
機能を満足する限り別体の部材からなり、これらの別体
の部材が接着等により上記第３実施形態のように接合さ
れてもよい。

【００６２】（圧電／電歪デバイスの第１の製造方法）
次に、圧電／電歪デバイス３０の第１の製造方法につい
て、図７〜図９を参照しながら説明する。先ず、図７
（Ａ）に示したように、後に基部２１と反射部１３を構
成するための略長方形状で厚肉のセラミックグリーンシ
ート４１を準備し、同セラミックグリーンシートの略中
央部に金型を用いた打ち抜き加工、レーザー加工等の方
法で長方形の貫通窓４１ａを形成する。次いで、セラミ
ックグリーンシート４１と実質的に同じ長方形状を有
し、後に変形部１２を構成するための薄肉（前記セラミ
ックグリーンシート４１に比較して）のセラミックグリ
ーンシート４２を準備する。

【００６３】これらのセラミックグリーンシート４１，
４２は、例えば、先ずジルコニア等のセラミック粉末に
バインダ、溶剤、分散剤、可塑剤等を添加混合してスラ
リーを作成し、これを脱泡処理後、リバースロールコー
ター法、ドクターブレード法等の方法により作成され
る。また、図７においては、セラミックグリーンシート
４１はセラミックグリーンシート４２と比較して厚肉と
されているが、これらの厚みは、目的とする圧電／電歪
デバイスの設計に応じて適宜決定され、例えば両セラミ
ックグリーンシート４１，４２とも同一の厚みを有する
ものであってもよい。さらに、図７ではセラミックグリ
ーンシート４１，４２は、各一枚からなるセラミックグ
リーンシートとして説明しているが、これらはそれぞれ
複数からなるセラミックグリーンシートを積層・圧着し
たものであってもよい。なお、積層一体化のための圧着
回数や順序は限定されない。

【００６４】上記圧着は、熱を加えることで、より積層
性を向上させることができる。また、セラミック粉末、
バインダを主体としたペースト、スラリー等をセラミッ
クグリーンシート上に塗布、印刷して接合補助層とする
ことで、セラミックグリーンシート界面の積層性を向上
させることができる。なお、上記セラミック粉末を含む
ペーストをセラミックグリーンシート上に塗布、印刷す
る場合、同セラミック粉末はセラミックグリーンシート
に使用されたセラミックスと同一又は類似した組成であ
ることが、信頼性確保の点で好ましい。また、セラミッ
クグリーンシート４１，４２が薄い場合、プラスチック
フィルム、中でも表面にシリコーン系の離形剤をコーテ
ィングしたりポリエチレンテレフタレートフィルムを用
いて取り扱うことが好ましい。

【００６５】次いで、図７（Ｂ）に示したように、薄肉
のセラミックグリーンシート４２を厚肉のセラミックグ
リーンシート４１の上に貫通窓４１ａを覆うように積層
・圧着し、その後両セラミックグリーンシート４１，４
２を１２００℃〜１６００℃程度で焼成して薄肉部と厚
肉部とを有するセラミックスの一体化物４３を形成す
る。なお、前記焼成・一体化によりセラミックグリーン
シート４１，４２間の積層境界（界面）は消失するが、
図面では説明上そのまま境界を示している。

【００６６】次に、図７（Ｃ）に示したように、セラミ
ックスの一体化物４３の薄肉部の大部分を覆うように圧
電／電歪素子層４４をスクリーン印刷により形成する。
より具体的には、後に第１電極１４ｂを構成する電極層
をセラミックスの一体化物４３上にスクリーン印刷によ
り形成して焼成し、その上に後に圧電／電歪層１４ａを
構成する層をスクリーン印刷により形成して焼成し、そ
の上に後に第２電極１４ｃを構成する電極層をスクリー
ン印刷により形成して焼成する。スクリーン印刷法を用
いるのは、膜形成とパターン形成とを同時に行うことが
できるため、製造工程の簡素化に有利だからである。な
お、圧電／電歪素子層４４を構成する層の焼成温度は５
００〜１５００℃、特に、圧電／電歪層１４ａを構成す
る層の焼成温度は１０００〜１４００℃であることが好
ましい。このとき、厚肉部に、後に第１電極１４ｂを構
成する層と、後に第２電極１４ｃを構成する層とに対す
る端子Ｔ（配線パターン）も形成する。

【００６７】なお、第１電極１４ｂとして白金（Ｐ
ｔ）、圧電／電歪層１４ａとしてジルコン酸チタン酸鉛
（ＰＺＴ）、第２電極１４ｃとして金（Ａｕ）というよ
うに、各部材の焼成温度が積層順に従って低くなるよう
に材料を選定することが有利である。これによれば、あ
る焼成段階において、それ以前に焼成された材料の再焼
結が発生せず、電極層等の剥離や凝集といった不具合の
発生を回避できるからである。

【００６８】なお、圧電／電歪素子層４４及び端子、配
線を形成する方法としては、スクリーン印刷のほか、デ
ィッピング法、塗布法、及び電気泳動法等の厚膜形成法
や、イオンビーム法、スパッタリング法、真空蒸着、イ
オンプレーティング法、化学気相成長法（ＣＶＤ）、め
っき等の薄膜形成法を用いることができる。

【００６９】このような膜形成法を用いて圧電／電歪素
子層４４（即ち、圧電／電歪素子１４）を形成すること
により、接着剤を用いることなく、圧電／電歪素子１４
と変形部１２とを一体的に接合することができるので、
デバイスとしての信頼性を確保できるとともに、集積化
を容易に達成することができる。

【００７０】なお、圧電／電歪層１４ａを上記厚膜形成
法を用いて形成すれば、平均粒子径０．０１〜５μｍ、
好ましくは０．０５〜３μｍの圧電セラミックスの粒
子、粉末を主成分とするペーストやスラリー、又はサス
ペンションやエマルジョン、ゾル等を用いて膜化するこ
とができ、それを焼成することによって良好な圧電／電
歪特性を有する圧電／電歪素子層４４を得ることができ
る。また、電気泳動法は、膜を高い密度で、かつ、高い
形状精度で形成できるという利点がある。

【００７１】更に、上記においては、電極層と圧電／電
歪層を印刷毎に逐次焼成していたが、これらの印刷を連
続的に行った後に一括して焼成しても良い。また、図面
上では外部の制御機器（駆動回路）との接続のための配
線、端子は省略されているが、実際には後述する態様の
配線が、スクリーン印刷によって形成される。

【００７２】上記圧電／電歪素子層４４については、前
述の膜形成方にて直接形成するほか、別体として圧電／
電歪素子層を形成し、これを導電性の接着剤等により前
記セラミックスの一体化物４３の所定位置に接着するこ
とで形成してもよい。別体として圧電／電歪素子層を得
る方法としては、例えば、圧電／電歪層１４ａとなるグ
リーンシートを準備し、そのグリーンシート上に第１，
第２電極１４ｂ，１４ｃとなる電極層をスクリーン印刷
等により形成し、これを所定の形状に加工した後に焼成
して得る方法がある。また、別体の圧電／電歪素子層
は、圧電／電歪層１４ａとなるグリーンシートを準備
し、それを所定の大きさに加工して焼成し、その焼成体
にスパッタリング等の手法により第１，第２電極１４
ｂ，１４ｃとなる電極層を形成することで得ることもで
きる。なお、この場合には、圧電／電歪素子と駆動回路
との接続のために、セラミックスの一体化物４３の所定
部位に配線を別途形成しておく必要がある。

【００７３】次に、この一体化物４３を、図７（Ｄ）に
示した破線に沿って切断する。即ち、薄肉部（つまり、
覆われた貫通窓４１ａ）の端部から一定の肉厚を残すよ
うに厚肉部をダイシング、スライシング、ワイヤーソー
等で切断する。この切断により一定の肉厚が残された厚
肉部は後に反射部１３を構成する部分である。なお、こ
の切断工程を、便宜上、第１切断工程と呼ぶ。

【００７４】次に、図８（Ａ）及び図９に示したよう
に、第１切断工程後のセラミックスの一体化物４３を複
数用意し、これらをスペーサＳＰの存在下で接着剤によ
り接合する。ただし、接合部は後に基部２１を構成する
端子Ｔ（配線）が形成された厚肉部同士で行う。スペー
サとしては、ガラスやプラスチックのビーズ、ロッド、
及びプレート、更には金属シムなどをあげることができ
る。また、接合にあたっては、スペーサＳＰを介した基
部２１の隙間に接着剤を充填してもよく、接着剤とスペ
ーサＳＰとを混合したもので基部２１同士を接合しても
よい。なお、上記した第１切断工程の切断を、図７
（Ｃ）に示した圧電／電歪素子４４を形成した状態であ
って図７（Ｄ）に示した破線に沿って切断されていない
セラミックスの一体化物４３を複数接合した後に、一括
して行うようにしても良い。

【００７５】その後、前記接合部以外のセラミックスの
一体化物４３間の隙間に、後に溶剤等で除去可能な樹
脂、ワックス等の充填材を充填する。この段階で、接合
されたセラミックスの一体化物４３の上面を研磨する。

【００７６】次いで、図８（Ｂ）に示したように、研磨
された上面の上に光反射部材４５の膜をスパッタリング
により形成する。なお、形成方法は、スパッタリングに
代え、真空蒸着等の他の薄膜形成方法であってもよい。
このとき、マスクを用いて必要な部位のみに光反射部材
からなる膜４５を形成してもよいし、マスクを用いずに
前面に同光反射部材からなる膜４５を形成してもよい。
更に、膜４５を形成することに代えて後述するような金
属等のバルク体を接着してもよい。

【００７７】次に、この状態の一体化物の所定部位を、
図８（Ｂ）に示した破線に沿ってダイシング、スライシ
ング、ワイヤーソー等により切除（切断）する。即ち、
前記第１切断工程の切断加工により一定の肉厚が残され
た厚肉部、前記膜状に形成された光反射部材４５、薄肉
部、圧電／電歪素子層４４、及び後に基部を構成する部
分の上部を、前記切断加工により形成された切断面と交
差する平面に沿って一時に切断する。この切除工程を便
宜上、第２切断工程と呼ぶ。最後に、図８（Ｃ）に示し
たように、前記隙間に充填された樹脂、ワックスを溶剤
で除去する。以上により、圧電／電歪デバイス３０が完
成する。

【００７８】この第１の製造方法によれば、独立して反
射角度が変更可能な多数の反射部を有する圧電／電歪デ
バイスを簡単な工程で得ることができる。また、基部２
１をスペーサＳＰを介して接合しているので、セラミッ
クスの一体化物４３間の距離を精密且つ簡易に管理しな
がら、圧電／電歪デバイス３０を製造することができ
る。また、セラミックスの一体化物４３間の隙間に充填
材が充填され、その状態で研磨加工及び第２切断工程が
実施されるので、同研磨加工及び同切断加工を安定して
行うことが可能となる。

【００７９】なお、上記第１の製造方法の一部を省略す
ることにより、上記第１，第２実施形態の圧電／電歪デ
バイス１０，２０を製造することができる。即ち、圧電
／電歪デバイス１０は、図７（Ａ）で準備するセラミッ
クグリーンシート４１，４２を圧電／電歪デバイス１０
の１組分の大きさとし、図７（Ｄ）に示した第１切断工
程の後、図８（Ｂ）と同様に光反射部材を形成し、図８
（Ｃ）の第２切断工程のように一定肉厚が残された厚肉
部、光反射部材、変形部等を切断することにより製造さ
れ得る。また、圧電／電歪デバイス２０は、図８（Ａ）
に示した接合工程を省略し、一列の状態のセラミックス
の一体化物４３に図８（Ｂ）の光反射部材形成工程、及
び図８（Ｃ）の第２切断工程を施すことにより製造され
得る。

【００８０】（圧電／電歪デバイスの第２の製造方法）
次に、圧電／電歪デバイス３０の第２の製造方法につい
て、図１０及び図１１を参照しながら説明する。先ず、
図１０（Ａ）に示したように、後に基部２１と反射部１
３を構成するための略長方形状で厚肉のセラミックグリ
ーンシート４１を準備し、同セラミックグリーンシート
４１の略中央部に長方形の貫通窓４１ａを形成する。次
いで、セラミックグリーンシート４１と実質的に同じ長
方形状を有し、後に変形部１２を構成するための薄肉の
セラミックグリーンシート４２を準備する。セラミック
グリーンシート４１，４２の作成、それらの厚さ、及び
貫通窓４１ａの形成方法については、上記第１の製造方
法に記載した通りである。

【００８１】次いで、図１０（Ｂ）に示したように、薄
肉のセラミックグリーンシート４２を厚肉のセラミック
グリーンシート４１の上に貫通窓４１ａを覆うように積
層し、両セラミックグリーンシート４１，４２を焼成し
て薄肉部と厚肉部とを有するセラミックスの一体化物４
３を形成する。ここまでは、図７（Ａ）、及び図７
（Ｂ）に示した工程と同一である。

【００８２】次に、図１０（Ｃ）に示したように、少な
くともセラミックスの一体化物４３の薄肉部の上に長方
形状の圧電／電歪素子１４・・１４をスクリーン印刷に
より形成する。この各圧電／電歪素子１４は、最終的に
得られる圧電／電歪素子１４と同一の形状であって、隣
接する圧電／電歪素子１４との間に一定の距離が存在す
るように形成される。具体的には、圧電／電歪素子１４
は、後に第１電極１４ｂを構成する層をセラミックスの
一体化物４３上にスクリーン印刷により形成して焼成
し、その上に後に圧電／電歪層１４ａを構成する層をス
クリーン印刷により形成して焼成し、その上に後に第２
電極１４ｃを構成する層をスクリーン印刷により形成し
て焼成することで形成される。また、厚肉部に、後に第
１電極１４ｂを構成する層と、後に第２電極１４ｃを構
成する層とに対する端子Ｔ（配線パターン）も前記電極
の形成時にスクリーン印刷により同時に形成する。

【００８３】次に、この一体化物４３を、図１０（Ｃ）
に示した破線に沿って切断する。即ち、薄肉部（つま
り、覆われた貫通窓４１ａ）の端部から一定の肉厚を残
すように厚肉部をダイシング、スライシング、ワイヤー
ソー等で切断する。この切断により残される厚肉部は後
に反射部１３を構成する部分である。なお、この切断工
程を、便宜上、第１切断工程と呼ぶ。なお、この例にお
いては、一体化物４３に圧電／電歪素子１４を形成した
後に前記第１切断工程の切断を行っていたが、一体化物
４３に圧電／電歪素子１４を形成する前の段階で同一体
化物４３を同第１切断工程の切断と同様に切断し、その
後同圧電／電歪素子１４を形成するようにしても良い。

【００８４】次に、図１０（Ｄ）に破線で示した各圧電
／電歪素子１４の間のセラミックスの薄肉部をレーザー
加工等により除去し、同各圧電／電歪素子１４の長辺に
沿った貫通スリットＳＬを形成する。

【００８５】次に、図１１（Ａ）及び図９に示したよう
に、スリットＳＬが形成されたセラミックスの一体化物
４３を複数用意し、これらをスペーサＳＰの存在下で接
着剤により接合する。ただし、接合部は後に基部２１を
構成する端子Ｔ（図９参照）が形成された厚肉部同士で
行う。その後、前記接合部以外のセラミックスの一体化
物４３間の隙間に、後に溶剤等で除去可能な樹脂、ワッ
クス等の充填材を充填する。この段階で、接合されたセ
ラミックスの一体化物４３の上面を研磨する。

【００８６】次いで、図１１（Ｂ）に示したように、研
磨された上面の上に光反射部材の膜４５をスパッタリン
グにより形成する。なお、形成方法は、真空蒸着等の他
の薄膜形成方法であってもよい。このとき、マスクを用
いて必要な部位のみに光反射部材からなる膜４５を形成
してもよいし、マスクを用いずに前面に同光反射部材か
らなる膜４５を形成してもよい。更に、膜４５を形成す
ることに代えて後述するような金属等のバルク体を接着
してもよい。

【００８７】次に、図１１（Ｂ）に示した破線に沿っ
て、光反射部材からなる膜４５と前記第１切断工程の切
断加工により一定の肉厚が残された厚肉部とをレーザー
等で細く除去する（切れ込みを入れる）。この切れ込み
は、前記形成されたスリットＳＬのなす直線と同一直線
上に（スリットＳＬを含む面に沿って）形成され、従っ
て、この切れ込みが前記スリットＳＬに繋がって、前記
変形部１２が形成される。このレーザーによる切除工程
を便宜上、第２切断工程と呼ぶ。最後に、図１１（Ｃ）
に示したように、前記隙間に充填された樹脂、ワックス
等の充填材を溶剤で除去する。以上により、圧電／電歪
デバイス３０が完成する。

【００８８】なお、この製造方法により製造される圧電
／電歪デバイスは、図４に示した圧電／電歪デバイス２
０を複数個並べたものであるが、図４に示した高さＨ６
は基部２１の高さＨ１と略等しくなる。

【００８９】この第２の製造方法によれば、第１の製造
方法と同様な利点が得られるほか、圧電／電歪素子１４
間の薄肉部が予めスリット状に除去されているので、第
２切断工程において、前記第１切断工程の切断加工によ
り一定の肉厚が残された厚肉部及び前記光反射部材４５
を、前記スリットＳＬに沿った面で切除（切断）するだ
けでよく、この結果、同第２切断加工の際に製造物に加
わる負荷（応力）を低減することができる。また、スリ
ットＳＬの形成、及び第２切断工程の切断をレーザー加
工により行っているので、切断時に製造物に加わる負荷
を一層低減することができ、製造時におけるデバイスの
破損を防止できるという利点が得られる。

【００９０】加えて、本製造方法では、一般に脆い材料
である圧電／電歪材料（圧電／電歪層）に機械加工を施
さないので、セラミック粒子の脱粒等の不具合が発生し
ない。更に、レーザー加工によれば、加工幅を小さくす
ることができるので、光反射部材１３ｂが存在しない部
分の割合が小さくなる。従って、かかる製造方法により
製造された複数の反射部を有する圧電／電歪デバイス
は、画像表示装置等に応用した場合において光源の光の
利用率が大きいものとなる。

【００９１】なお、以上に説明した第１，第２の製造方
法では、圧電／電歪素子層４４はセラミックスの一体化
物（焼成体）に対して形成されるが、グリーンシートの
積層体（セラミックグリーンシート４１，４２を積層・
圧着したもの）に形成し、それらを同時に焼成して形成
することもできる。また、圧電／電歪素子１４の構造
を、第１電極１４ｂ、圧電／電歪層１４ａ、及び第２電
極１４ｃを１組として積層し、この積層方向に同様な組
を複数組積層させた構造としてもよい。なお、この場
合、任意の第２電極１４ｃは、これに積層された圧電／
電歪層１４ａの第１電極１４ｂを構成することになる。

【００９２】（第４実施形態）次に、本発明による第４
実施形態に係る圧電／電歪デバイス５０について説明す
ると、図１２に斜視図を、図１３に正面図を示した同圧
電／電歪デバイス５０は、保持部５１を備えている点の
みにおいて、第１実施形態の圧電／電歪デバイス１０と
構成上相違する。従って、図１２において圧電／電歪デ
バイス１０と同一構成部分には同一符号を付し、以下に
おいては、上記相違点である保持部５１を中心に説明を
加える。

【００９３】保持部５１は、基部１１と同一種のセラミ
ックスからなり、同基部１１からｚ軸方向に延設されて
いて、同基部１１と一体的に形成されている。この保持
部５１は、変形部１２と同一の幅Ｗ１、変形部１２の厚
さＬ２より大きい厚さＬ４、及び変形部１２と同一の高
さＨ２の略直方体形状を有する剛性の高い薄板体であっ
て、反射部１３の変形部１２により支持されている辺と
対向する（反対側の）辺と連接され、同反射部１３を保
持（支持）している。

【００９４】次に、このように構成された圧電／電歪デ
バイス５０の作用について説明すると、第１電極１４ｂ
及び第２電極１４ｃ（図１２において図示省略）に対し
て電圧が印加されていない場合、圧電／電歪デバイス５
０は、図１２に示した状態を維持する。一方、図示しな
い駆動回路から第１電極１４ｂ及び第２電極１４ｃに電
圧が印加され、これらの電極間に所定の電位差が与えら
れると、圧電／電歪層１４ａ（図１２において図示省
略）には厚さＤ方向の電界が加わり、同圧電／電歪層１
４ａは電界と直交する方向に収縮する。

【００９５】このとき、第１電極１４ｂは変形部１２の
大部分と密着されているから、圧電／電歪層１４ａの第
１電極１４ｂ側の収縮は妨げられ、第２電極１４ｃ側が
収縮する。これにより、図１４に示したように、変形部
１２がその変形面１２ａと略垂直な方向に円弧状に屈曲
変位する。一方、保持部５１は剛性が十分に高く、変形
部１２の変形が生じた場合でも変形しない。この結果、
反射部１３に形成された光反射部材１３ｂは、保持部５
１と反射部１３との接続部Ｐを中心に角度θだけ傾斜す
る。本圧電／電歪デバイス５０は、この作用を利用し
て、光反射部材１３ｂに入射する光の反射方向を変更
し、もって光変調機能を達成する。

【００９６】この第４実施形態に係る圧電／電歪デバイ
ス５０は、第１実施形態に係る圧電／電歪デバイス１０
の有する効果に加え、光反射部材１３ｂの反射面が接続
部Ｐを中心に回転して傾斜するので、同光反射部材１３
ｂの位置が大きく移動しないという利点を有している。
このため、光反射部材１３ｂで反射すべき光の軸が同光
反射部材１３ｂから外れてしまうという惧れがない。

【００９７】なお、この圧電／電歪デバイス５０は、圧
電／電歪デバイス１０が図４，図５に示した態様で使用
されるのと同様に、複数の圧電／電歪デバイス５０が直
線状（図１５を参照）に、又はマトリクス状（図１６を
参照）に隣接配置され、基部１１が共通化された態様に
て使用され得る。特に、マトリクス状に配置された場
合、圧電／電歪デバイス１０では反射角度を大きくする
と、隣接する圧電／電歪デバイス１０と干渉する惧れが
あるところ、圧電／電歪デバイス５０は、光反射部材１
３ｂの反射面（即ち、反射部１３の作用面１３ａ）が接
続部Ｐを中心に回転して傾斜するので、そのような干渉
の惧れがないという利点も備えている。なお、図１６に
示した圧電／電歪デバイス１００においては、変形部の
幅よりも圧電／電歪素子の幅の方が小さくされている。

【００９８】（第５実施形態）図１７に正面図を示した
本発明による第５実施形態に係る圧電／電歪デバイス６
０は、第４実施形態に係る１組の圧電／電歪デバイス５
０を２組備え、これらの圧電／電歪デバイス５０をその
保持部５１が互いに対向するように隣接配置したもので
ある。図１７は、両圧電／電歪デバイス５０の各第１，
第２電極１４ｂ，１４ｃに同一の電位差を与えた状態を
示していて、この図からも明らかなように、反射部１３
（光反射部材１３ｂ）は互いに逆向きに角度θだけ傾斜
する。

【００９９】（第６実施形態）図１８に斜視図を示した
本発明による第６実施形態に係る圧電／電歪デバイス７
０は、第５実施形態の圧電／電歪デバイス６０をマトリ
クス状に配列するとともに、例えば図５に示した第３実
施形態と同様に、基部１１を各列において共通化したも
のである。このような、第５，第６実施形態に係る圧電
／電歪デバイスでは、隣接した（第６実施形態ではマト
リクスの行方向（ｙ軸方向）に隣接した）二組の機能素
子の光反射部材１３ｂに同一光を入射することで、同入
射光の反射角度を±θの範囲で変更することができる。
但し、入射光を二組の機能素子で分けることになるた
め、各反射光の強度は入射光の強度の１／２となる。

【０１００】（第７実施形態）図１９に正面図を示した
本発明による第７実施形態に係る圧電／電歪デバイス８
０は、基部１１の対向する面から同基部１１を挟むよう
に延設された、互いに対向する同一形状からなる（圧電
／電歪デバイス１０の変形部１２と同一形状である）一
対の変形部１２Ｒ，１２Ｌ、及び同一対の変形部１２
Ｒ，１２Ｌにそれぞれ密着された一対の圧電／電歪素子
１４Ｒ，１４Ｌを備え、同一対の変形部１２Ｒ，１２Ｌ
により反射部１３の両端を支持する構造を有する点にお
いてのみ、第１実施形態の圧電／電歪デバイス１０と構
成上相違する。なお、図１８において圧電／電歪デバイ
ス１０と同一構成部分には同一符号を付している。

【０１０１】この圧電／電歪デバイス８０の作用につい
て図１９及び図２０を参照しながら説明すると、何れの
第１電極１４ｂ及び第２電極１４ｃに対しても電圧が印
加されていない場合、圧電／電歪デバイス８０は、図１
９に示した状態を維持する。一方、図２０（Ａ）に示し
たように、右側の圧電／電歪素子１４Ｒの第１電極１４
ｂ及び第２電極１４ｃに対し、図示しない駆動回路から
所定の電位差が与えられると、右側の圧電／電歪素子１
４Ｒの作動により右側の変形部１２Ｒが円弧状（弓状）
に屈曲変位する。このとき、左側の変形部１２Ｌは僅か
に変形するのみである。この結果、反射部１３に形成さ
れた光反射部材１３ｂは、左側の変形部１２Ｌと反射部
１３との接続部ＰＬ近傍を中心に角度θだけ傾斜する。

【０１０２】他方、図２０（Ｂ）に示したように、左側
の圧電／電歪素子１４Ｌの第１電極１４ｂ及び第２電極
１４ｃに対し、図示しない駆動回路から所定の電位差が
与えられると、左側の圧電／電歪素子１４Ｌの作動によ
り左側の変形部１２Ｌが円弧状（弓状）に屈曲変位す
る。このとき、右側の変形部１２Ｒは僅かに変形するの
みである。この結果、反射部１３に形成された光反射部
材１３ｂは、右側の変形部１２Ｒと反射部１３との接続
部ＰＲ近傍を中心に角度θだけ傾斜する。

【０１０３】このように、第７実施形態に係る圧電／電
歪デバイス８０は、実質的に光反射部材１３ｂの位置を
移動させることなく、その角度のみを水平角度から±θ
だけ傾斜させることができるので、より広いニーズに対
応可能なデバイスとなっている。

【０１０４】（第８実施形態）図２１に正面図を示した
本発明による第８実施形態に係る圧電／電歪デバイス９
０は、第７実施形態に係る１組の圧電／電歪デバイス８
０を２組備え、一方（図２１において右側）の圧電／電
歪デバイス８０の左側の圧電／電歪素子１４Ｌと、他方
（図２１において左側）の圧電／電歪デバイス８０の右
側の圧電／電歪素子１４Ｒとが互いに対向するように隣
接配置したものである。なお、図２１は、右側の圧電／
電歪デバイス８０の右側の圧電／電歪素子１４Ｒを作動
させて右側の変形部１２Ｒを変位させるとともに、左側
の圧電／電歪デバイス８０の左側の圧電／電歪素子１４
Ｌを作動させて左側の変形部１２Ｌを変位させた状態を
示している。

【０１０５】（第９実施形態）図２２に斜視図を示した
本発明による第９実施形態に係る圧電／電歪デバイス１
１０は、第８実施形態の圧電／電歪デバイス９０をマト
リクス状に配列するとともに、基部１１を列方向にて共
通化したものである。この例では、基部１１が共通化さ
れた列状の圧電／電歪デバイスを行方向に配置し、これ
らを図示しない基板等に接着等により固定している。

【０１０６】前述の第５，第６実施形態においては、二
つの機能素子（二つの反射部材）を用いて入射光を±θ
で反射させていたので、反射光の強度が入射光の強度の
１／２となっていた。これに対し、上記第８実施形態と
第９実施形態に係る圧電／電歪デバイスは、１組の機能
素子（一つの反射部材）で±θの反射角を与えるので、
反射光の強度が入射光の強度の１／２となることはな
く、効率良く光変調を行うことができる。

【０１０７】なお、第４実施形態に代表される保持部５
１、又は第７実施形態に代表される変形部と対向する変
形部（一対の変形部）を有する圧電／電歪デバイスは、
先に記載の第１，第２の製造方法において、後に基部及
び反射部となるセラミックグリーンシート４１と後に変
形部となるセラミックグリーンシート４２とを積層する
際に、保持部又は対向する変形部となるグリーンシート
を、セラミックグリーンシート４１を挟んで、セラミッ
クグリーンシート４２と対向して積層しておき、他は第
１，第２の製造方法と実質的に同様な工程を実施するこ
とで製造され得る。

【０１０８】（第１０実施形態）図２３に斜視図を示し
た本発明による第１０実施形態に係る圧電／電歪デバイ
ス１２０は、第１実施形態に係る圧電／電歪デバイス１
０の圧電／電歪素子１４を、櫛歯電極が配設された圧電
／電歪素子１５に置換した点のみにおいて、同第１実施
形態と相違している。従って、図２３において圧電／電
歪デバイス１０と同一構成部分には同一符号を付し、以
下においては、上記相違点である圧電／電歪素子１５を
中心に説明を加える。

【０１０９】圧電／電歪素子１５は、一対の櫛歯状電極
１５ａ，１５ｂが対向してなる電極間の空隙に、圧電／
電歪層１５ｃが埋め込まれる態様とされていて、これが
変形部１２と基部１１の両部に密着されている。一対の
櫛歯状電極１５ａ，１５ｂからは、下方（ｚ軸負方向）
に延びる電圧印加用の端子１５ｄ，１５ｅがそれぞれ基
部１１上に形成されている。櫛歯状電極１５ａ，１５
ｂ、及び電圧印加用の端子１５ｄ，１５ｅは、例えば白
金から形成されている。

【０１１０】次に、このように構成された圧電／電歪デ
バイス１２０の作用について説明すると、櫛歯状電極１
５ａ，１５ｂに対して電圧が印加されていない場合、圧
電／電歪デバイス１２０は、図２３に示した状態を維持
する。一方、櫛歯状電極１５ａ，１５ｂに対して図示し
ない駆動回路から所定の電位差が与えられると、圧電／
電歪層１５ｃには、対向する電極歯１５ａ１，１５ｂ１
によるｚ軸方向の電界が加わる。このため、圧電／電歪
層１５ｃはｚ軸方向に伸張するが、同圧電／電歪層１５
ｃの変形部１２側は同変形部１２と密着しているので、
その伸張が妨げられる。この結果、変形部１２はｙ軸負
方向側に屈曲変位し、反射部１３に形成された光反射部
材１３ｂの角度が変化する。本圧電／電歪デバイス１２
０は、この作用を利用して、光反射部材１３ｂに入射す
る光の反射方向を変更し、もって光変調機能を達成す
る。

【０１１１】この圧電／電歪デバイス１２０は、圧電／
電歪デバイス１０が図４，図５に示した態様で使用され
るのと同様に、直線状に、又はマトリクス状に隣接配置
され、基部１１が共通化された形態にて使用され得る。
また、図２４に示したように、圧電／電歪デバイス１０
と併用することもできる。この構成により、先の第５，
第６実施形態と同様な効果が得られる。

【０１１２】なお、圧電／電歪デバイス１２０のように
一対の櫛歯状電極の間に圧電／電歪材料を埋め込むこと
に代え、変形部１２上に圧電／電歪層を直接形成し、同
形成された圧電／電歪層の面上に一対の櫛歯状電極を形
成したものとしてもよい。また、変形部１２上に一対の
櫛歯状電極を形成し、その上に圧電／電歪層を形成して
もよい。

【０１１３】（各実施形態における各部の材料例及び寸
法例）次に、上記各実施形態の基部、光反射部材、圧電
／電歪素子、電極の材料及び寸法例について説明する。
以下に述べるように、従来のＤＭＤ及びＡＭＡでは、各
部品を構成する材料が半導体プロセスに適した材料に制
限されるのに対し、上記各実施形態の圧電／電歪デバイ
スは、機能的な観点から基部、変形部、及び反射部等の
各部毎に材料を最適化することが可能であるという特徴
を有している。

【０１１４】基部１１，２１、及び反射部１３を構成す
る材料としては、剛性を有する限り特に限定されず、例
えばセラミックス、又は、金属材料を用いることができ
る。セラミックスの具体例としては、安定化ジルコニア
及び部分安定化ジルコニアをはじめとするジルコニア、
アルミナ、マグネシア、窒化珪素、窒化アルミニウム、
酸化チタンを主成分とする材料等を挙げることができ
る。このうち、機械的強度や靱性が高い点において、ジ
ルコニア、特に安定化ジルコニアを主成分とする材料と
部分安定化ジルコニアを主成分とする材料が最も好適で
ある。金属材料の具体例としては、ステンレス鋼、及び
ニッケル鋼等が挙げられる。なお、反射部１３を金属に
より形成した場合、反射部１３自体を反射部材としても
よい。これは、金属よりなる反射部１３に、同一金属か
らなる反射部材を配したものと言える。

【０１１５】基部１１，２１の厚さＬ１、及び反射部１
３の奥行きＬ３は、それぞれ３０〜２０００μｍとする
ことが好ましく、これらの幅Ｗ１は３０〜２０００μｍ
が好ましい。また、反射部１３の高さ（厚さ）Ｈ３は、
同反射部１３がそれ自体で作用面１３ａ（従って、光反
射部材１３ｂの反射面）の平坦性を維持し得る剛性を有
するための高さとされるが、具体的には３０〜５００μ
ｍが好ましい。なお、基部１１の厚さＬ１と反射部１３
の奥行きＬ３は、必ずしも同じである必要はなく、基部
１１の厚さＬ１を反射部１３の奥行きＬ３より大きくし
てもよい。

【０１１６】変形部１２は、上述したように、圧電／電
歪素子１４の作動によって屈曲変位する部分である。従
って、変形部１２の材質は、可撓性を有し、屈曲変位時
に破損しない程度の機械的強度を有するものであれば足
り、反射部１３の応答性、操作性を考慮して適宜選択す
ることができる。

【０１１７】変形部１２を構成する材料としては、基部
１１と同様のセラミックスを用いることができ、ジルコ
ニア、中でも安定化ジルコニアを主成分とする材料と部
分安定化ジルコニアを主成分とする材料は、薄肉であっ
ても機械的強度が大きいこと、靱性が高いこと、圧電／
電歪層や電極材との反応性が小さいことから好適であ
る。また、変形部１２と前記基部１１とを同一の材料で
構成することが好ましく、この場合、接合部分の信頼性
の向上、圧電／電歪デバイス１０の強度の増加、製造の
煩雑さの低減を図ることができる。

【０１１８】また、変形部１２を金属材料で構成するこ
ともできる。この場合、鉄系材料としては、各種ステン
レス鋼、各種バネ鋼鋼材が望ましく、非鉄系材料として
は、ベリリウム銅、リン青銅、ニッケル、ニッケル鉄合
金が望ましい。

【０１１９】なお、上述した基部１１、変形部１２等に
好適な安定化ジルコニア及び部分安定化ジルコニアにお
いては、次のような化合物を添加することにより安定化
及び部分安定化されたものが好ましい。即ち、ジルコニ
アを安定化及び部分安定化させる化合物としては、酸化
イットリウム、酸化イッテルビウム、酸化セリウム、酸
化カルシウム、及び酸化マグネシウムがあり、少なくと
もそのうちの一つの化合物を添加、含有させることによ
り、ジルコニアを部分的に又は完全に安定化させる。こ
の場合、１種類の上記化合物を添加してもよく、複数種
類の化合物を組合せて添加してもよい。

【０１２０】なお、上記化合物の添加量としては、酸化
イットリウムや酸化イッテルビウムの場合にあっては、
１〜３０モル％、好ましくは１．５〜１０モル％、酸化
セリウムの場合にあっては、６〜５０モル％、酸化カル
シウムや酸化マグネシウムの場合にあっては、５〜４０
モル％、好ましくは５〜２０モル％とすることが望まし
い。これらのうち、特に、酸化イットリウムを安定化剤
として用いることが好ましく、その場合においては、
１．５〜１０モル％、更に好ましくは２〜４モル％とす
ることが望ましい。また、焼結助剤等の添加物としてア
ルミナ、シリカ、遷移金属酸化物等を０．０５〜２０ｗ
ｔ％の範囲で添加することが可能である。特に、圧電／
電歪素子１４（圧電／電歪層１４ａ）の形成手法とし
て、膜形成法による焼成一体化を採用する場合は、アル
ミナ、マグネシア、遷移金属酸化物等を添加物として添
加することも好ましい。

【０１２１】また、機械的強度と安定した結晶相が得ら
れるように、ジルコニアの平均結晶粒子径を０.０５〜
３μｍ、好ましくは０.０５〜１μｍとすることが望ま
しい。

【０１２２】圧電／電歪素子１４（圧電／電歪層１４
ａ）には、圧電セラミックスが好適に用いられ得るが、
電歪セラミックスや強誘電体セラミックス、又は反強誘
電体セラミックスを用いることもできる。但し、上記各
実施形態の圧電／電歪デバイスは、この圧電／電歪素子
１４の作動により反射部１３の作用面１３ａ（従って、
光反射部材１３ｂの反射面）の光反射角度を高精度に変
更する画像表示装置、画像描画装置、露光装置、及び光
スイッチ等に利用されるものであることから、変形部１
２の変位量と駆動電圧との間のリニアリティを良好に維
持する必要があり、そのためには、歪み履歴の小さい材
料（例えば、抗電界が１０ｋＶ／ｍｍ以下の材料）を用
いることが望ましい。

【０１２３】より具体的に述べると、ここでの圧電／電
歪素子の材料には、ジルコン酸鉛、チタン酸鉛、亜鉛ニ
オブ酸鉛、マンガンニオブ酸鉛、アンチモンスズ酸鉛、
マンガンタングステン酸鉛、コバルトニオブ酸鉛、チタ
ン酸バリウム、チタン酸ナトリウムビスマス、ニオブ酸
カリウムナトリウム、タンタル酸ストロンチウムビスマ
ス等を単独で、又は混合物として含有するセラミックス
が使用され得る。また、電歪素子の材料には、マグネシ
ウムニオブ酸鉛、ニッケルニオブ酸鉛を単独で、又は混
合物として含有するセラミックスが使用され得る。

【０１２４】これらの中でも、特に、高い電気機械結合
係数と圧電定数とを有し、圧電／電歪層１４ａの焼結時
における変形部１２及び基部１１との反応性が小さく、
安定した組成の素子が得られるという点において、ジル
コン酸鉛、チタン酸鉛、及びマグネシウムニオブ酸鉛を
主成分とする材料、若しくはチタン酸ナトリウムビスマ
スを主成分とする材料が好適に用いられる。

【０１２５】更に、前記材料に、ランタン、カルシウ
ム、ストロンチウム、モリブデン、タングステン、バリ
ウム、ニオブ、亜鉛、ニッケル、マンガン、セリウム、
カドミウム、クロム、コバルト、アンチモン、鉄、イッ
トリウム、タンタル、リチウム、ビスマス、スズ等の酸
化物等を単独で、又は組合せて混合したセラミックス
を、圧電／電歪素子１４の材料として用いてもよい。

【０１２６】例えば、主成分であるジルコン酸鉛、チタ
ン酸鉛、及びマグネシウムニオブ酸鉛に、ランタンやス
トロンチウムを含有させることにより、抗電界や圧電特
性を調整可能となる等の利点が得られる場合がある。

【０１２７】なお、シリカ等のガラス化し易い材料の添
加は避けることが望ましい。なぜならば、シリカ等の材
料は、圧電／電歪層の熱処理時に、圧電／電歪材料と反
応し易く、その組成を変動させ、圧電特性を劣化させる
からである。

【０１２８】上記第１，第２電極１４ｂ，１４ｃ、櫛歯
状電極１５ａ，１５ｂ、及び後述する配線や端子の材料
としては、室温で固体であり、導電性に優れた金属で構
成されていることが好ましく、例えばアルミニウム、チ
タン、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ニ
オブ、モリブデン、ルテニウム、パラジウム、ロジウ
ム、銀、スズ、タンタル、タングステン、イリジウム、
白金、金、鉛等の金属単体、又はこれらの合金が用いら
れる。また、これらの金属に圧電／電歪素子１４又は変
形部１２と同じ材料を分散させたサーメット材料を用い
てもよい。

【０１２９】上記第１，第２電極１４ｂ，１４ｃ、櫛歯
状電極１５ｅ，１５ｆ、及び後述する配線や端子の材料
は、また、圧電／電歪素子１４の形成方法に依存して決
定される。例えば、変形部１２上に第１電極１４ｂを形
成した後、同第１電極１４ｂの上に圧電／電歪層１４ａ
を焼結により成形する場合は、同第１電極１４ｂには圧
電／電歪層１４ａの焼成温度においても変化しない白
金、パラジウム、白金−パラジウム合金、銀−パラジウ
ム合金等の高融点金属を使用する必要がある。これに対
し、形成された圧電／電歪層１４ａの上に形成される第
２電極１４ｃは、低温で電極形成を行うことができるた
め、アルミニウム、金、銀等の低融点金属を使用するこ
とができる。

【０１３０】また、第１，第２電極１４ｂ，１４ｃの厚
みは、少なからず圧電／電歪素子１４の作動による変形
部１２の変位を低下させる要因となるため、特に圧電／
電歪層１４ａの焼成後に形成される電極には、焼成後に
緻密でより薄い膜が得られる有機金属ペースト、例え
ば、金レジネートペースト、白金レジネートペースト、
銀レジネートペースト等の材料を用いることが好まし
い。

【０１３１】上記変形部１２の厚みＬ２は、４〜１００
μｍ程度とすることが好ましく、変形部１２と圧電／電
歪素子１４とを合わせた厚み（Ｌ２＋Ｄ）は７〜４００
μｍとすることが好ましい。第１，第２電極１４ｂ，１
４ｃの厚みは０．０５〜５０μｍが好ましく、特に、
０．１〜５μｍとすることが好ましい。圧電／電歪層１
４ａの厚みは３〜２００μｍとすることが好ましい。ま
た変形部１２の幅Ｗ１は、３０〜２０００μｍが好まし
い。

【０１３２】光反射部材１３ｂの材料としては、光の反
射効率が高い限り特に限定されず、例えば、金属単体、
合金、ガラス、セラミックス、ゴム、有機樹脂等が使用
され得る。これらの材料は、単独で、又は混合されて使
用されてもよい。上記金属単体及び合金を構成する金属
成分は、例えばアルミニウム、チタン、クロム、鉄、コ
バルト、ニッケル、銅、すず、タンタル、タングステ
ン、イリジウム、白金、金、銀、鉛等であってよい。

【０１３３】この光反射部材１３ｂは、上記材料からな
るバルク体を作用面１３ａ上に接着すること、上記材料
からなる薄膜を同作用面上１３ａに形成すること、又は
上記各材料からなる薄膜を作用面１３ａ上に積層するこ
と等により、同作用面１３ａの上面に配され得る。な
お、光反射面の傾斜角度及び平坦度を均一に形成できる
という点において、上記単層の薄膜又は上記積層された
薄膜の方が、上記バルク体よりも好ましい。

【０１３４】（電極配線（端子Ｔ）構成例）次に、上記
各実施形態における第１，第２電極１４ｂ，１４ｃへの
配線例（端子Ｔの構成例）について、図２５〜図３０を
参照しながら説明する。なお、図２５〜図２９は、上記
第２実施形態の圧電／電歪デバイス２０に対しての電極
配線例を図示するが、これらの配線例は他の実施形態に
おいても同様に適用され得る。

【０１３５】図２５に示した圧電／電歪デバイス２０に
おいては、基部２１に密着されている第１電極１４ｂが
圧電／電歪層１４ａの下端部１４ｄより下方（ｚ軸負方
向）まで延設されていて、同延設された部分の上面に導
電性金属からなる長方形薄板状の電極パッド１４ｂ１が
形成されている。また、第２電極１４ｃの下端部近傍に
導電性金属からなる長方形薄板状の電極パッド１４ｃ１
が形成されている。そして、これらの各電極パッド１４
ｂ１，１４ｃ１に対して図示しない金属ワイヤ（例え
ば、金線）がボンディングされ、同ワイヤが図示しない
駆動回路に接続されている。この構成によれば、各圧電
／電歪素子１４の密着した変形部１２が独立して変位
し、その結果、反射部１３の作用面１３ａ（従って、光
反射部材１３ｂの反射面）の角度が独立して変更され得
る。駆動回路への接続は、フレキシブルプリント基板
（ＦＰＣ）、フレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）
等で行ってもよい。

【０１３６】図２６に示した圧電／電歪デバイス２０
は、各第１電極１４ｂに接続された複数の第１配線部
（第１端子Ｔ）１４ｂ２・・１４ｂ２と、図２６におい
て最も左に位置する圧電／電歪素子１４の第２電極１４
ｃに接続された第２配線部１４ｃ２と、隣接する圧電／
電歪素子１４の各第２電極１４ｃ同士を接続する第３配
線部１４ｃ３とを備えている。

【０１３７】第１配線部１４ｂ２・・１４ｂ２は、各第
１電極１４ｂの略中央下端部から各圧電／電歪層１４ａ
と基部２１との間を貫通して下方（ｚ軸負方向）に延
び、その後直角に屈曲してｘ軸正方向に延びるように基
部２１上に形成されている。この第１配線部１４ｂ２・
・１４ｂ２は、図示しない駆動回路に対して独立に接続
されている。

【０１３８】第２配線部１４ｃ２は、図２６において最
も左に位置する圧電／電歪素子１４の左下端部の下方ま
でｘ軸負方向に延び、同左下端部下方において直角に屈
曲して上方（ｚ軸正方向）に延び、その後、圧電／電歪
層１４ａの下端面に沿ってｙ軸正方向に延びて第２電極
１４ｃに接続されるように形成されている。第２配線部
１４ｃ２は、前記駆動回路に接続されている。

【０１３９】第３配線部１４ｃ３は、各圧電／電歪素子
１４の第２電極１４ｃの右下端部から圧電／電歪層１４
ａの下端面に沿ってｙ軸負方向に延びて基部２１に至
り、その後、下方（ｚ軸負方向）に向い、直角に屈曲し
て隣接する各圧電／電歪素子１４の左下端部下方までｘ
軸負方向に延び、そこから再度直角に屈曲して同隣接す
る圧電／電歪素子１４の左下端部に至り、そこから圧電
／電歪層１４ａの左下端面に沿ってｙ軸正方向に延びて
第２電極１４ｃに接続されるように形成されている。

【０１４０】この配線例においては、第２電極１４ｃが
第２配線部１４ｃ２と第３配線部１４ｃ３とにより同電
位に維持され、前記駆動回路によって各第１配線部１４
ｂ２・・１４ｂ２を介して各第１電極１４ｂ・・１４ｂ
に独立した電位が加えられることにより、各圧電／電歪
素子１４が密着した変形部１２が独立して変位され、そ
の結果、反射部１３の作用面１３ａ（従って、光反射部
材１３ｂの反射面）の角度が独立して変更され得る。

【０１４１】図２７に示した圧電／電歪デバイス２０
は、各第１電極１４ｂと図示しない駆動回路とを独立に
接続する複数の第１配線部１４ｂ３，１４ｂ３、１４ｂ
４，１４ｂ４と、圧電／電歪素子１４の各第２電極１４
ｃ同士を駆動回路に共通に接続する第２配線部１４ｃ４
とを備えている。

【０１４２】第１配線部１４ｂ３，１４ｂ３は、前記駆
動回路と接続されるとともに基部２１上をｘ軸負方向に
伸び、各圧電／電歪素子１４の右下端部下方に至ると上
方（ｚ軸正方向）に屈曲して同各圧電／電歪素子１４の
右下端部に至り、各圧電／電歪層１４ａと基部２１との
間を貫通して第１電極１４ｂの各々に接続されるように
形成されている。なお、ｚ軸方向に伸びる部分には、第
２配線部１４ｃ４との絶縁を維持するための絶縁部Ｒが
設けられている。

【０１４３】同様に、第１配線部１４ｂ４，１４ｂ４
は、前記駆動回路と接続されるとともに基部２１上をｘ
軸正方向に伸び、各圧電／電歪素子１４の右下端部下方
に至ると上方（ｚ軸正方向）に屈曲して同各圧電／電歪
素子１４の右下端部に至り、各圧電／電歪層１４ａと基
部２１との間を貫通して第１電極１４ｂの各々に接続さ
れるように形成されている。なお、ｚ軸方向に伸びる部
分には、第２配線部１４ｃ４との絶縁を維持するための
絶縁部Ｒが設けられている。

【０１４４】第２配線部１４ｃ４は、基部２１上をｘ軸
方向に伸びる水平部Ｈを含むとともに、同水平部Ｈの各
圧電／電歪素子１４の左下端部下方から上方（ｚ軸正方
向）に延びて同左下端部に至り、その後、圧電／電歪層
１４ａの下端面に沿ってｙ軸正方向に延びて第２電極１
４ｃに接続される垂直部Ｖとを備えている。

【０１４５】この配線例においては、第２電極１４ｃが
第２配線部１４ｃ４により同電位に維持され、前記駆動
回路によって各第１配線部１４ｂ３，１４ｂ３、１４ｂ
４，１４ｂ４を介して各第１電極１４ｂ・・１４ｂに独
立した電位が加えられることにより、各圧電／電歪素子
１４が密着した変形部１２が独立して変位され、その結
果、反射部１３の作用面１３ａ（従って、光反射部材１
３ｂの反射面）の角度が独立して変更され得る。

【０１４６】図２８に示した圧電／電歪デバイス２０
は、図２８において最も左に位置する圧電／電歪素子１
４の第１電極１４ｂに接続された第１配線部１４ｂ５
と、隣接する圧電／電歪素子１４の各第１電極１４ｂ同
士を接続する第２配線部１４ｂ６と、各第２電極１４ｃ
と図示しない駆動回路とを独立に接続する複数の第３配
線部１４ｃ５とを備えている。

【０１４７】第１配線部１４ｂ５は、図２８において最
も左に位置する圧電／電歪素子１４の左下端部の下方ま
で基部２１上をｘ軸負方向に延び、同左下端部において
屈曲して上方（ｚ軸正方向）に延び、その後、圧電／電
歪層１４ａの第１電極１４ｂに接続されるように形成さ
れている。

【０１４８】第２配線部１４ｂ６は、各圧電／電歪素子
１４の第１電極１４ｂの右下端部から基部２１に沿って
下方（ｚ軸負方向）に延び、直角に屈曲して隣接する各
圧電／電歪素子１４の左下端部下方までｘ軸負方向に延
び、そこから再度直角に屈曲して同隣接する圧電／電歪
素子１４の左下端部に至り、更に上方（ｚ軸正方向）に
延びて同隣接する圧電／電歪素子１４の第１電極１４ｂ
に接続されるように形成されている。

【０１４９】第３配線部１４ｃ５の各々は、各第２電極
１４ｃの略中央下端部から圧電／電歪層１４ａに沿って
ｚ軸負方向、その後ｙ軸負方向に延びて基部２１に至
り、その後、下方（ｚ軸負方向）に向い、直角に屈曲し
てｘ軸正方向に延びて前記駆動回路に接続されるように
形成されている。

【０１５０】この配線例においては、第１電極１４ｂが
第１配線部１４ｂ５，１４ｂ６により同電位に維持さ
れ、前記駆動回路によって各第２配線部１４ｃ５を介し
て各第２電極１４ｃに独立した電位が加えられることに
より、各圧電／電歪素子１４が密着した変形部１２が独
立して変位され、その結果、反射部１３の作用面１３ａ
（従って、光反射部材１３ｂの反射面）の角度が独立し
て変更され得る。

【０１５１】図２９に示した圧電／電歪デバイス２０
は、各第１電極１４ｂと図示しない駆動回路とを共通に
接続する第１配線部１４ｂ７と、各第２電極１４ｃと同
駆動回路とを共通に接続する第２配線部１４ｃ６とを備
えている。

【０１５２】第１配線部１４ｂ７は、基部２１上をｘ軸
方向に伸びる水平部Ｈｂを含むとともに、同水平部Ｈｂ
の各圧電／電歪素子１４の右下端部下方から上方（ｚ軸
正方向）に延びて同右下端部に至り、その後、各圧電／
電歪層１４ａと基部２１との間を貫通して第１電極１４
ｂの各々に接続される垂直部Ｖｂとを備えている。

【０１５３】第２配線部１４ｃ６は、基部２１上をｘ軸
方向に伸びる水平部Ｈｃを含むとともに、同水平部Ｈｃ
の各圧電／電歪素子１４の左下端部下方から上方（ｚ軸
正方向）に延びて同左下端部に至り、その後、圧電／電
歪層１４ａの下端面に沿ってｙ軸正方向に延びて第２電
極１４ｃに接続される垂直部Ｖｃとを備えている。な
お、前記第１配線部１４ｂ７の垂直部Ｖｂと、第２配線
部１４ｃ６の水平部Ｈｃとが交差する部分には絶縁部Ｒ
が設けられ、同第１配線部１４ｂ７と同第２配線部１４
ｃ６との絶縁状態が維持されるようになっている。

【０１５４】この配線例においては、各第１電極１４ｂ
及び各第２電極１４ｃが、それぞれ共通に前記駆動回路
に接続されているから、これらの各電極間には同一の電
位差が常に与えられる。従って、各圧電／電歪素子１４
が密着した変形部１２が同時に変位し、その結果、反射
部１３の作用面１３ａ（従って、光反射部材１３ｂの反
射面）の角度が同時に変更され得る。

【０１５５】図３０は、図２６に示した配線例を上記第
３実施形態の圧電／電歪デバイス３０に適用した例を示
している。この場合、各配線と図示しない駆動回路との
接続を容易に行うため、マトリクスの各列を構成する圧
電／電歪デバイス２０ａ〜２０ｄの各左端部がｘ軸方向
に順に長くなるように構成されている。

【０１５６】（使用例）次に、上記各実施形態を実際に
光スイッチ等として使用する際の具体例について、上記
第３実施形態の圧電／電歪デバイス３０を用いながら説
明する。なお、以下の例は上記他の実施形態にも同様に
適用され得る。

【０１５７】図３１に示した圧電／電歪デバイス１３０
においては、上記圧電／電歪デバイス３０の光反射部材
１３ｂの上部であって、変形部１２が変位していない場
合の同光反射部材１３ｂのなす反射面に平行な面内にス
トッパ部材２２が配置されている。このストッパ部材２
２は、ガラス、石英、透明性プラスチック（アクリル
等）などからなる透明の（光透過性の）薄板であって、
圧電／電歪素子１４の作動によって変形部１２が変位さ
れ反射部１３の作用面１３ａ（従って、光反射部材１３
ｂのなす反射面）が角度αだけ傾斜したときに、同光反
射部材１３ｂの端部が当接し、同反射面の角度が角度α
以上にならないような位置に配置されている。

【０１５８】この角度αは、圧電／電歪素子１４の作動
による光反射部材１３ｂのなす反射面の最大傾斜角度θ
ｍよりも小さくなっている。即ち、圧電／電歪素子１４
の第１，第２電極（図３１において図示を省略）に対し
光反射部材１３ｂの反射面の傾斜角度がαより大きくな
るように所定の電位差を与えたとき、光反射部材１３ｂ
の端部が当接し、これにより反射面の傾斜角度が常に一
定の角度αとなる。

【０１５９】これによれば、圧電／電歪素子１４の作動
に伴う反射面の反射角度（傾斜角度）が長期に渡り安定
するとともに、一つのデバイス内における各反射面間の
反射角度、或いは各デバイス間における反射角度が一定
に維持される。

【０１６０】図３２は、図１２に示した圧電／電歪デバ
イス５０をマトリクス状に隣接配置した圧電／電歪デバ
イス１４０（即ち、図１６に示した圧電／電歪デバイス
１００）を光スイッチとして使用した例を示している。
この例においては、複数の光ファイバ１４１により伝達
されてきた光が、各光ファイバの形成する光軸１４２上
にある光反射部材１３ｂによって反射される。このと
き、光が入射された光反射部材１３ｂのなす反射面が傾
斜されていなければ、同入射光は同光反射部材１３ｂに
より反射されて第１出力側光ファイバ群１４３の対応す
る光ファイバ１４３ａにレンズ１４３ｂを介して入射さ
れる。一方、光が入射された光反射部材１３ｂのなす反
射面が傾斜されていると、同入射光は同光反射部材１３
ｂにより反射されて第２出力側光ファイバ群１４４の対
応する光ファイバ１４４ａにレンズを介して入射され
る。このようにして、光信号のチャンネルが切り換えら
れる。

【０１６１】以上、説明したように、本発明による各実
施形態によれば、小型で、光反射面の平坦性が長期に渡
り安定して維持可能で、且つ、耐久性及び信頼性に優れ
た光変調機構を備えた圧電／電歪デバイスが提供され
る。

【０１６２】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ことはなく、本発明の範囲内において種々の変形例を採
用することができる。例えば、上記各実施形態において
は、基部１１（２１）、変形部１２、反射部１３、及び
／又は保持部５１がセラミックスの一体化物として構成
されていたが、これら各部を金属材料同士で構成するこ
ともでき、セラミックスから構成された部材と金属から
構成された部材とを組合せて構成することもできる。ま
た、基部１１（２１）を総て金属により構成する場合に
は、同基部１１に相当する部分を鋳造により形成するほ
か、薄板状の金属を積層してクラッディング法により形
成することができる。また、反射部１３の作用面１３ａ
（従って、光反射部材１３ｂのなす反射面）は変形部１
２の変形面１２ａと交差していればよく、必ずしも直角
に交差している必要はない。

【０１６３】また、圧電／電歪デバイス、即ち１組の機
能素子をマトリクス状に隣接配置した実施形態において
は、各機能素子により形成されるマトリクスの行と列と
が直交するとともに整列するようになっていたが、同マ
トリクスは、各行又は各列でピッチがずれていてもよ
い。更に、上記機能素子をマトリクス状に隣接配置した
各実施形態においては、光反射部材１３ｂのなす反射面
がｘ−ｙ平面と並行な同一面内に存在するようになって
いたが、同反射面は必ずしも同一平面内に存在している
必要はない。即ち、例えば、マトリクスの列方向（ｘ軸
方向）における各反射面は同各列内において同一の平面
内に存在させ（即ち、基部２１の底面から各反射面まで
の高さを同一にし）、同マトリクスの行方向（ｙ軸方
向）における反射面は、階段状に配置され同行方向中央
部で最低の高さとなるように（各反射面の基部２１の底
面からの高さが行方向において徐々に小さくなった後に
徐々に大きくなるように）存在させてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明による第１実施形態に係る圧電／電歪
デバイスの概略斜視図である。

【図２】 図１に示した圧電／電歪デバイスの正面図で
ある。

【図３】 図１に示した圧電／電歪デバイスの変形部が
変位したときの同圧電／電歪デバイスの正面図である。

【図４】 本発明による第２実施形態に係る圧電／電歪
デバイスの概略斜視図である。

【図５】 本発明による第３実施形態に係る圧電／電歪
デバイスの概略斜視図である。

【図６】 本発明による第３実施形態に係る圧電／電歪
デバイスの変形例の概略斜視図である。

【図７】 図７（Ａ）〜（Ｄ）は、図５に示した圧電／
電歪デバイスの第１の製造方法の各工程を説明するため
の図である。

【図８】 図８（Ａ）〜（Ｃ）は、図５に示した圧電／
電歪デバイスの第１の製造方法の各工程を説明するため
の図である。

【図９】 図８（Ａ）に示した状態の製造途中にある圧
電／電歪デバイスの正面図である。

【図１０】 図１０（Ａ）〜（Ｄ）は、図５に示した圧
電／電歪デバイスの第２の製造方法の各工程を説明する
ための図である。

【図１１】 図１１（Ａ）〜（Ｃ）は、図５に示した圧
電／電歪デバイスの第２の製造方法の各工程を説明する
ための図である。

【図１２】 本発明による第４実施形態に係る圧電／電
歪デバイスの概略斜視図である。

【図１３】 図１２に示した圧電／電歪デバイスの正面
図である。

【図１４】 図１２に示した圧電／電歪デバイスの変形
部が変位したときの同圧電／電歪デバイスの正面図であ
る。

【図１５】 図１２に示した圧電／電歪デバイスを直線
的（直線状）に隣接配置してなる圧電／電歪デバイスの
概略斜視図である。

【図１６】 図１２に示した圧電／電歪デバイスをマト
リクス状に隣接配置してなる圧電／電歪デバイスの概略
斜視図である。

【図１７】 本発明による第５実施形態に係る圧電／電
歪デバイスの、各変形部が変位された場合の正面図であ
る。

【図１８】 本発明による第６実施形態に係る圧電／電
歪デバイスの概略斜視図である。

【図１９】 本発明による第７実施形態に係る圧電／電
歪デバイスの正面図である。

【図２０】 図２０（Ａ）は図１９に示した圧電／電歪
デバイスの右側の変形部が変位された場合の同圧電／電
歪デバイスの正面図、図２０（Ｂ）は図１９に示した圧
電／電歪デバイスの左側の変形部が変位された場合の同
圧電／電歪デバイスの正面図である。

【図２１】 本発明による第８実施形態に係る圧電／電
歪デバイスの、右側の機能素子の右側の変形部、及び左
側の機能素子の左側の変形部が変位された場合の正面図
である。

【図２２】 本発明による第９実施形態に係る圧電／電
歪デバイスの概略斜視図である。

【図２３】 本発明による第１０実施形態に係る圧電／
電歪デバイスの概略斜視図である。

【図２４】 図２３に示した圧電／電歪デバイスの使用
例を示す概略斜視図である。

【図２５】 図４に示した圧電／電歪デバイスの配線例
を示す同圧電／電歪デバイスの斜視図である。

【図２６】 図４に示した圧電／電歪デバイスの配線例
を示す同圧電／電歪デバイスの斜視図である。

【図２７】 図４に示した圧電／電歪デバイスの配線例
を示す同圧電／電歪デバイスの斜視図である。

【図２８】 図４に示した圧電／電歪デバイスの配線例
を示す同圧電／電歪デバイスの斜視図である。

【図２９】 図４に示した圧電／電歪デバイスの配線例
を示す同圧電／電歪デバイスの斜視図である。

【図３０】 図５に示した圧電／電歪デバイスの配線例
を示す同圧電／電歪デバイスの斜視図である。

【図３１】 図５に示した圧電／電歪デバイスを実際に
使用する際の具体例を示した同圧電／電歪デバイスの正
面図である。

【図３２】 図１２に示した圧電／電歪デバイスをマト
リクス状に隣接配置したものを、光スイッチとして使用
した例を示す概念図である。

【図３３】 従来の変形可能鏡装置（ＤＭＤ）の斜視図
である。

【図３４】 従来の薄膜型光路調節装置（ＡＭＡ）の概
略断面図である。

【符号の説明】

１０…電歪デバイス、１１…基部、１２…変形部、１２
ａ…変形面、１３…反射部、１３ａ…作用面、１３ｂ…
光反射部材、１４…圧電／電歪素子、１４ａ…圧電／電
歪層、１４ｂ…第１電極、１４ｃ…第２電極、４１，４
２…セラミックグリーンシート、４１ａ…貫通窓、４３
…一体化物、４４…圧電／電歪素子層、４５…光反射部
材。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ (72)発明者 木村 浩二 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 Ｆターム(参考） 2H041 AA14 AA16 AB14 AC08 AZ02 AZ05 AZ08

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基部と、 前記基部から延設されて平面を構成する薄板状の変形部
   と、 少なくとも前記変形部に密着された圧電／電歪素子と、 前記変形部の平面と交差する平面状の作用面を構成する
   ように同変形部から延設されるとともに同作用面上に光
   反射部材を配した反射部とを備え、 前記圧電／電歪素子の作動によって前記変形部が同変形
   部の平面と略直交する方向に変形されることにより前記
   反射部の光の反射角度が変化するように構成された１組
   の機能素子を含んでなる圧電／電歪デバイス。
2. 【請求項２】請求項１に記載の圧電／電歪デバイスであ
   って、 前記反射部は前記変形部の端部から同変形部と略同一幅
   を有して延設されてなる圧電／電歪デバイス。
3. 【請求項３】請求項１に記載の圧電／電歪デバイスであ
   って、 前記１組の機能素子を複数組有し、 前記複数組の機能素子を直線状に隣接配置してなる圧電
   ／電歪デバイス。
4. 【請求項４】請求項３に記載の圧電／電歪デバイスであ
   って、 前記直線状に隣接配置された複数組の機能素子の前記各
   基部が一体的に形成されてなる圧電／電歪デバイス。
5. 【請求項５】請求項１に記載の圧電／電歪デバイスであ
   って、 前記１組の機能素子を複数組有し、 前記複数組の機能素子をマトリクス状に隣接配置してな
   る圧電／電歪デバイス。
6. 【請求項６】請求項５に記載の圧電／電歪デバイスであ
   って、 前記マトリクスの少なくとも一列を構成する前記複数組
   の機能素子の前記各基部が一体的に形成されてなる圧電
   ／電歪デバイス。
7. 【請求項７】請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載
   の圧電／電歪デバイスであって、 前記１組の機能素子の前記基部と前記変形部と前記反射
   部とがセラミックスの一体化物として形成されてなる圧
   電／電歪デバイス。
8. 【請求項８】請求項７に記載の圧電／電歪デバイスであ
   って、 前記圧電／電歪素子は、膜型の圧電／電歪素子であり、
   焼成により前記変形部に一体化されてなる圧電／電歪デ
   バイス。
9. 【請求項９】基部と、 前記基部から延設されて平面を構成する薄板状の変形部
   と、 少なくとも前記変形部に密着された圧電／電歪素子と、 前記変形部の平面と交差する平面状の作用面を構成する
   ように同変形部から延設されるとともに同作用面上に光
   反射部材を配した反射部と、 前記変形部と対向するように前記基部から延設され前記
   反射部の一部を保持する保持部とを備え、 前記圧電／電歪素子の作動によって前記変形部が同変形
   部の平面と略直交する方向に変形されることにより、前
   記保持部が変形することなく前記反射部の光の反射角度
   が変化するように構成された１組の機能素子を含んでな
   る圧電／電歪デバイス。
10. 【請求項１０】請求項９に記載の圧電／電歪デバイスで
    あって、 前記反射部は前記変形部の端部から同変形部と略同一幅
    を有して延設されてなる圧電／電歪デバイス。
11. 【請求項１１】請求項９に記載の圧電／電歪デバイスで
    あって、 前記１組の機能素子を複数組有し、 前記複数組の機能素子を直線状に隣接配置してなる圧電
    ／電歪デバイス。
12. 【請求項１２】請求項１１に記載の圧電／電歪デバイス
    であって、 前記直線状に隣接配置された複数組の機能素子の前記各
    基部が一体的に形成されてなる圧電／電歪デバイス。
13. 【請求項１３】請求項９に記載の圧電／電歪デバイスで
    あって、 前記１組の機能素子を複数組有し、 前記複数組の機能素子をマトリクス状に隣接配置してな
    る圧電／電歪デバイス。
14. 【請求項１４】請求項１３に記載の圧電／電歪デバイス
    であって、 前記マトリクスの少なくとも一列を構成する前記複数組
    の機能素子の前記各基部が一体的に形成されてなる圧電
    ／電歪デバイス。
15. 【請求項１５】請求項９乃至請求項１４の何れか一項に
    記載の圧電／電歪デバイスであって、 前記１組の機能素子の前記基部、前記変形部、前記反射
    部、及び前記保持部がセラミックスの一体化物として形
    成されてなる圧電／電歪デバイス。
16. 【請求項１６】請求項１５に記載の圧電／電歪デバイス
    であって、 前記圧電／電歪素子は、膜型の圧電／電歪素子であり、
    焼成により前記変形部に一体化されてなる圧電／電歪デ
    バイス。
17. 【請求項１７】厚肉のセラミックスからなる基部から延
    設された薄肉のセラミックスからなる変形部を少なくと
    も同変形部に密着された圧電／電歪素子の作動により変
    形させることによって、同変形部から延設されたセラミ
    ックスからなる反射部の角度を変更する圧電／電歪デバ
    イスの製造方法であって、 中央部に略長方形状の貫通窓が形成されたセラミックグ
    リーンシート上に別のセラミックグリーンシートを同貫
    通窓を覆うように積層する工程と、 前記積層された両セラミックグリーンシートを焼成して
    厚肉部と薄肉部とを有するセラミックスの一体化物を形
    成する工程と、 少なくとも前記薄肉部の上面に圧電／電歪素子を形成す
    る工程と、 前記セラミックスの一体化物を形成した後であって、前
    記圧電／電歪素子を形成した後又は前記圧電／電歪素子
    を形成する前に、前記薄肉部の端部から一定の肉厚を残
    すように前記厚肉部の一部を切断加工する第１切断工程
    と、 少なくとも前記切断加工により一定の肉厚が残された厚
    肉部を同切断加工により形成された切断面と交差する平
    面に沿って切断し、同一定の肉厚を有する前記反射部
    と、前記薄肉の変形部と、前記厚肉の基部とを形成する
    第２切断工程と、 を含んでなる圧電／電歪デバイスの製造方法。
18. 【請求項１８】請求項１７に記載の圧電／電歪デバイス
    の製造方法であって、 前記第２切断工程前の状態にあるセラミックスの一体化
    物を複数個用意するとともに同複数個の一体化物の前記
    厚肉部であって後に前記基部となる部分同士をスペーサ
    を介在させて接合する工程と、 前記反射部に光反射部材を形成する工程と、 を含んでなる圧電／電歪デバイスの製造方法。
19. 【請求項１９】請求項１８に記載の圧電／電歪デバイス
    の製造方法であって、 前記第２切断工程は、少なくとも前記第１切断工程の切
    断加工により一定の肉厚が残された厚肉部、前記光反射
    部材、及び前記薄肉部を切断する工程である圧電／電歪
    デバイスの製造方法。
20. 【請求項２０】請求項１８に記載の圧電／電歪デバイス
    の製造方法であって、 前記圧電／電歪素子を形成する工程は、同圧電／電歪素
    子を複数個互いに略同一間隔を隔てて形成する工程であ
    り、 前記圧電／電歪素子の形成後であって前記第２切断工程
    前に同圧電／電歪素子間の前記薄肉部をスリット状に除
    去する工程を含み、更に、 前記第２切断工程は、少なくとも前記第１切断工程の切
    断加工により一定の肉厚が残された厚肉部及び前記光反
    射部材を、前記スリットに沿った面で切断する工程であ
    る圧電／電歪デバイスの製造方法。
21. 【請求項２１】請求項２０に記載の圧電／電歪デバイス
    の製造方法であって、 前記薄肉部をスリット状に除去する工程は、レーザー加
    工によりスリットを形成する工程であり、 前記第２切断工程は、レーザー加工により前記一定の肉
    厚が残された厚肉部及び前記光反射部材を切断する工程
    である圧電／電歪デバイスの製造方法。
22. 【請求項２２】請求項１８乃至請求項２１の何れか一項
    に記載の圧電／電歪デバイスの製造方法であって、 前記光反射部材を形成する工程は同光反射部材の形成前
    に前記第１切断工程において切断加工された面を研磨す
    る研磨工程を含み、更に、 前記複数個の一体化物の前記肉厚部同士を前記スペーサ
    を介して接合した後であって前記研磨工程の実施前に同
    複数個の一体化物の間隙部に充填材を充填する工程と、 前記第２切断工程の後に前記充填材を除去する工程とを
    含んでなる圧電／電歪デバイスの製造方法。