JP2002324712A

JP2002324712A - ノイズ吸収素子

Info

Publication number: JP2002324712A
Application number: JP2001126227A
Authority: JP
Inventors: Hidetaka Kosho; 英高古庄; Takeshi Hayama; 剛羽山
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2001-04-24
Filing date: 2001-04-24
Publication date: 2002-11-08

Abstract

(57)【要約】【課題】ノイズ吸収効果の高いノイズ吸収素子を提供
する。【解決手段】導体２に折り返し部を設け、その折り返
し部を金属磁性粉と電気絶縁性高分子材との混合物から
なる磁性成形体３内に設置したことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばキーボード
などの電子機器の信号線（導体）に取り付けられて、電
子機器の内部で発生したノイズや外部から信号線を通し
て電子機器へ流れ込むノイズを吸収するノイズ吸収素子
に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種のノイズ吸収素子として、信号線
を２分割された半円弧型の磁性体で挟み付けたもの（特
開平１１−２７３９５７号公報、特開２０００−２８６
１２７号公報、特開２０００−２８６１２９号公報な
ど）、信号線を折り返して磁性体に巻き付けたもの（特
開平１０−２６９８５４号公報）などが知られている。

【０００３】図２０は、従来の信号線を折り返して磁性
体に巻き付けたノイズ吸収素子の斜視図である。磁性体
１００は２分割された半円筒型のブロック１１０からな
り、内側に信号線３００が挿通する貫通孔１２０を形成
する溝が設けられている。磁性体１００は、フェライト
コアから構成されている。

【０００４】２つのブロック１１０の当接面１１３を互
いに当接して構成した磁性体１００に信号線３００を挿
通して１回巻き付けられ、この状態で合成樹脂からなる
ケース（図示せず）内に収納・固定される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】信号線を単に磁性体に
通すよりも、図２０のように折り返して巻き付けるよう
にした方がノイズ吸収効果がある。しかし図２０に示す
従来のノイズ吸収素子は信号線３００の折り返し部３１
０は磁性体１００の外側に配置されるため、ノイズ吸収
が半減するという欠点がある。

【０００６】本発明の目的は、このような従来技術の欠
点を解消し、ノイズ吸収効果の大きいノイズ吸収素子を
提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の第１の手段は、例えば信号線などの導体に
Ｕターン部と直線部分とを有する折り返し部を設け、そ
の折り返し部の少なくとも直線部分を例えばＦｅ−Ｃｏ
合金系軟磁性材料などの金属磁性粉と例えばシリコン系
樹脂などの電気絶縁性高分子材との混合物からなる磁性
成形体内に設置したことを特徴とするものである。

【０００８】本発明の第２の手段は前記第１の手段にお
いて、前記金属磁性粉が鱗片状をしており、大半の鱗片
状金属磁性粉の扁平面が前記磁性成形体内に設置されて
いる折り返し部のうちの直線部分の軸方向に対してほぼ
直交する方向に配向されていることを特徴とするもので
ある。

【０００９】本発明の第３の手段は前記第１の手段にお
いて、前記折り返し部のＵターン部が実質的に前記磁性
成形体内に設置されていることを特徴とするものであ
る。

【００１０】本発明の第４の手段は前記第１の手段にお
いて、前記磁性成形体の内部に一方の端面から他方の端
面に向けて貫通した挿通孔と、その磁性成形体の周面か
ら前記挿通孔に連通した切り込み部が形成され、前記導
体の折り返し部の直線部分が切り込み部を通して挿通孔
に挿入されたことを特徴とするものである。

【００１１】本発明の第５の手段は前記第４の手段にお
いて、前記磁性成形体が弾性変形可能であることを特徴
とするものである。

【００１２】本発明の第６の手段は前記第４の手段にお
いて、前記切り込み部の磁性成形体周面側に挿入ガイド
部が設けられていることを特徴とするものである。

【００１３】本発明の第７の手段は前記第４の手段にお
いて、前記導体の折り返し部が挿通孔に設置された状態
で、前記切り込み部に形成されている対向した２つの切
り込み面が互いに密着していることを特徴とするもので
ある。

【００１４】本発明の第８の手段は前記第４の手段にお
いて、前記挿通孔が複数設けられ、各挿通孔に対応して
磁性成形体の周面に外側切り込み部が形成されているこ
とを特徴とするものである。

【００１５】本発明の第９の手段は前記第４の手段にお
いて、前記挿通孔が複数設けられ、そのうちの１つの挿
通孔に対応して磁性成形体の周面に外側切り込み部が形
成され、その１つの挿通孔から他の挿通孔に向けて連通
した内側切り込み部が形成されていることを特徴とする
ものである。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図とと
もに説明する。図１は第１実施形態に係るノイズ吸収素
子の斜視図、図２はそのノイズ吸収素子に用いる磁性成
形体の平面図、図３はその磁性成形体の横断面図、図４
はその磁性成形体の縦断面図、図５は導体の折り返し部
の斜視図、図６はそのノイズ吸収素子の横断面図、図７
は図１Ａ−Ａ線上の断面図である。

【００１７】ノイズ吸収素子１は、信号線などの導体２
と、金属磁性粉と電気絶縁性高分子材との混合物からな
る磁性成形体３との組合体より構成されている。前記金
属磁性粉としては軟磁性金属粉が用いられ、例えば７８
重量％Ｎｉ−Ｆｅ、４５重量％Ｎｉ−Ｆｅ、３６重量％
Ｎｉ−Ｆｅ、１２重量％Ｍｎ−９．６重量％Ｃｕ−６重
量％Ｆｅ−Ｎｉなどのパーマロイ合金や、４２重量％Ｎ
ｉ−Ｆｅ、５２重量％Ｎｉ−ＦｅなどのＮｉ−Ｆｅ合
金、２９重量％Ｎｉ−１７重量％Ｃｏ−Ｆｅ、１０〜１
８重量％Ｃｒ−Ｆｅなどの電磁ステンレス鋼、３〜１０
重量％Ｃｒ−３〜１０重量％Ｓｉ−Ｆｅ、９〜２２重量
％Ｎｉ−１６〜２６重量％Ｃｒ−Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａ
ｌ系合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｘ（但しＸはＶ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒのグループから選
択された少なくとも１種の元素）などが好ましいが、そ
の他のＦｅ系合金も適用可能である。

【００１８】金属磁性粉としては鱗片状のものが好まし
く、鱗片状金属磁性粉の形状は、平均長・短径が２００
μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下、平均厚さが１０
μｍ以下、好ましくは１μｍ以下で、所要の減衰周波数
帯域により表皮効果厚を設定する。

【００１９】前記高分子材としては、例えばポリブタジ
エンゴム、ポリイソプレンゴム、エチレンイソプレンゴ
ム、ブタジエンアクリロニトリルゴム、イソブチレンイ
ソプレンゴム、スチレンブタジエンゴムなどの合成ゴ
ム、シリコン系樹脂、フェノール系樹脂、エポキシ系樹
脂、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエチレ
ン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、
ポリイミド系樹脂など各種の柔軟性を有する高分子材が
使用可能である。特に高密度ポリエチレン系樹脂やポリ
プロピレン系樹脂は熱伝導性が良好であるため、またポ
リアミド系樹脂やポリイミド系樹脂は耐熱性が良好であ
るため賞用される。なお、熱伝導性を高めるためガラス
繊維、カーボン繊維、無機物などのフィラーを適量混合
した複合材を用いることもできる。

【００２０】金属磁性粉と高分子材の混合重量比は金属
磁性粉の割合が大きい方がノイズ吸収効果は増大する
が、柔軟性（弾性）を損なう可能性がある。従って金属
磁性粉の含有率は７０重量％程度までは可能であるが、
柔軟性（弾性）、成形性、加工性、取扱性などを考慮す
ると３０〜５０重量％の範囲が好ましく、素子の形状と
の兼ね合いで選択する必要があり、金属磁性粉の含有量
を多くできない場合は、導体への被覆長さを長くしてノ
イズ吸収効果を高めることができる。

【００２１】磁性成形体３の具体例としては、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｘ（ＸはＶ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒのグループから選択
された元素）合金で、平均長・短径が６０μｍ以下、平
均厚さが０．２μｍの鱗片状した軟磁性金属粉を４０〜
５０重量％と、シリコン樹脂を６０〜５０重量％混合し
た弾性を有する成形体が好ましい。

【００２２】磁性成形体３の外形は図１に示すように円
柱状または角柱状をしており、磁性成形体３の一方の端
面３ａから他方の端面３ｂに向けて貫通した第１挿通孔
４ａ、第２挿通孔４ｂ、第３挿通孔４ｃが周方向に等間
隔に設けられている（図２、図３参照）。図２と図４に
示すように磁性成形体３の一方の端面３ａに第１挿通孔
４ａと第２挿通孔４ｂの開口部を連通する第１連通溝５
ａが、磁性成形体３の他方の端面３ｂに第２挿通孔４ｂ
と第３挿通孔４ｃの開口部を連通する第２連通溝５ｂ
が、それぞれ形成されている。従って第１挿通孔４ａ、
第１連通溝５ａ、第２挿通孔４ｂ、第２連通溝５ｂ、第
３挿通孔４ｃは連通した状態になっている。

【００２３】磁性成形体３の周面から各第１挿通孔４
ａ、第２挿通孔４ｂ、第３挿通孔４ｃに向けて切り込み
部６ａ、６ｂ、６ｃが形成され、各切り込み部６の長さ
は各挿通孔４の長さと同寸である。各切り込み部６の周
面側には、外側に向けて広がったＶ溝状の挿入ガイド部
７が、切り込み部６の全長にわたって設けられる。

【００２４】この磁性成形体３内に導体２が挿入され
る。図５に示すように線状の導体２は途中で２回Ｕ字状
に折り曲げられて、ほぼ平行に並ぶ第１直線部分８ａ、
第２直線部分８ｂ、第３直線部分８ｃと、第１直線部分
８ａと第２直線部分８ｂを結ぶ第１Ｕターン部９ａ、第
２直線部分８ｂと第３直線部分８ｃを結ぶ第２Ｕターン
部９ｂを有する折り返し部を構成している。

【００２５】前記第１直線部分８ａを磁性成形体３の第
１挿通孔４ａの外側に持ってきて、第１挿通孔４ａと連
通している切り込み部６ａの挿入ガイド部７から第１挿
通孔４ａに押し込むことにより、切り込み部６ａが弾性
的に拡がり、第１直線部分８ａが第１挿通孔４ａ内に挿
入される。同様の手順で第２直線部分８ｂが第２挿通孔
４ｂ内に挿入され、第３直線部分８ｃが第３挿通孔４ｃ
内に挿入される。また導体２の第１Ｕターン部９ａが第
１連通溝５ａ内に、第２Ｕターン部９ｂが第２連通溝５
ｂ内にそれぞれ収容され、第１Ｕターン部９ａと第２Ｕ
ターン部９ｂも磁性成形体３内に配置されて端面３ａ，
３ｂより外側には突出していない。

【００２６】このようにして導体２を磁性成形体３内に
収容して構成したノイズ吸収素子が図１、図６ならびに
図７に示されている。図６に示すように直線部分８を挿
通孔４内に設置した状態で、切り込み部６に形成されて
いる対向した２つの切り込み面が互いに密着して、切り
込み部６に隙間は形成されない。このようにするために
は、磁性成形体３が適度の弾性を有し、挿通孔４の内径
を直線部分８の外径以上に設定する必要がある。

【００２７】図８と図９は本発明の第２実施形態を示す
図で、図８は磁性成形体の横断面図、図９はノイズ吸収
素子の横断面図である。前記第１実施形態の場合は図３
に示すように、磁性成形体３の各挿通孔４に対してそれ
ぞれ外側に切り込み部６を形成したが、本実施形態で
は、例えば第２挿通孔４ｂに対してだけ外側の切り込み
部６ｂが形成され、第２挿通孔４ｂから第１挿通孔４ａ
に向けてＶ溝状の内側の切り込み部６ｄが、また第２挿
通孔４ｂから第３挿通孔４ｃに向けてＶ溝状の内側の切
り込み部６ｅがそれぞれ設けられている。従って第１挿
通孔４ａと第２挿通孔４ｂは切り込み部６ｄにより連通
し、第３挿通孔４ｃと第２挿通孔４ｂは切り込み部６ｅ
により連通している。

【００２８】この磁性成形体３に対して図５に示す導体
２を挿入には、まず導体２の第１直線部分８ａを外側の
切り込み部６ｂから第２挿通孔４ｂに挿入し、さらにそ
こから内側の切り込み部６ｄを通して第１挿通孔４ａに
挿入する。次に第３直線部分８ｃを同様にして第２挿通
孔４ｂ経由で第３挿通孔４ｃに挿入し、最後に第２直線
部分８ｂを第２挿通孔４ｂに挿入することにより、図９
に示すように各直線部分８が各挿通孔４内に設置され
る。

【００２９】図示していないが、本実施形態の場合にも
導体２の第１Ｕターン部９ａが第１連通溝５ａ内に、第
２Ｕターン部９ｂが第２連通溝５ｂ内にそれぞれ収容さ
れ、第１Ｕターン部９ａと第２Ｕターン部９ｂも磁性成
形体３内に配置されて端面３ａ，３ｂより外側には突出
していない。

【００３０】図１０は、本発明の第３実施形態を示すノ
イズ吸収素子の横断面図である。本実施形態の場合、磁
性成形体３の内側中央部に１つの挿通孔４が形成され、
それに挿入ガイド部７付きの切り込み部６が１つ設けら
れている。

【００３１】導体２は図５に示す状態から直線部分８
ａ，８ｂ，８ｃを寄せ集め、それらを一緒に挿通孔４内
に挿入する。図示していないがこの実施形態でも導体２
の第１Ｕターン部９ａと第２Ｕターン部９ｂは挿通孔４
内に配置され、磁性成形体３より突出していない構成に
なっている。

【００３２】前記第２実施形態や第３実施形態のよう
に、磁性成形体３に設ける外側の切り込み部６が１つの
場合は、複数の外側切り込み部６を設けるものよりもノ
イズ吸収効果が高い。

【００３３】図１１は、本発明の第４実施形態を示すノ
イズ吸収素子の縦断面図である。本実施形態の場合、磁
性成形体３は内側中央部に貫通しない１つの挿通孔４が
形成された底部３ｃを有する筒状体からなる。導体２を
Ｕ字状に折り曲げることにより形成された２本の直線部
分８ａ，８ｂが挿通孔４内に挿入され、Ｕターン部９が
底部３ｃによって覆われている。挿通孔４の開口部にテ
ーパ状に広がった挿入ガイド部７が形成されている。こ
の実施形態では切込み６を設ける必要がなく、磁性成形
体３への導体２の挿入が容易である。

【００３４】本実施形態の場合、導体２をＵ字状に折り
曲げて折り返し部を形成したが、導体２をほぼＭ字状に
折り曲げて折り返し部を形成することにより、磁性成形
体３で覆われる折り返し部の長さを長くすることも可能
である。

【００３５】図１２ないし図１４は、導体に対する鱗片
状金属磁性粉の配向例を示す図である。これらの図に示
す磁性成形体３はシート状のもので、鱗片状金属磁性粉
１０の配向度が９０％以上になるように作製している。
絶縁基板１１上にマイクロストリップライン状の導体２
を印刷形成し、その上に磁性成形体３を配置している。
導体２に電流Ｉを流すことにより、導体２を中心にして
放射状に電界１２が、導体２と同心円状に磁界１３が形
成される。

【００３６】各図とも磁性成形体３の一部を立方形に切
り欠いて磁性成形体３内の鱗片状金属磁性粉１０の配向
状態を示し、その切欠部の隣に鱗片状金属磁性粉１０の
向きを拡大して示している。

【００３７】図１２の配向例は、鱗片状金属磁性粉１０
の扁平面が導体２の平面ならびに電流Ｉの方向と平行に
なるように配向され、従って同図（ｂ）に示すように磁
界１３に対してほぼ平行、電界１２に対して直交してい
る。

【００３８】図１３の配向例は、鱗片状金属磁性粉１０
の扁平面が導体２の平面ならびに電流Ｉの方向と直交す
るように配向され、従って同図（ｂ）に示すように磁界
１３に対してほぼ平行、電界１２に対しても平行になっ
ている。

【００３９】図１４の配向例は、鱗片状金属磁性粉１０
の扁平面が導体２の平面に対して直交し、電流Ｉの方向
と平行になるように配向され、従って同図（ｂ）に示す
ように磁界１３に対して直交し、電界１２に対して平行
になっている。

【００４０】図１５は、図１２ないし図１４の各配向例
における伝送信号の減衰特性を示す図である。この減衰
特性試験は下記の条件で行なった。図中の曲線Ｘは図１
２の配向例の特性曲線、曲線Ｙは図１３の配向例の特性
曲線、曲線Ｚは図１４の配向例の特性曲線である。

【００４１】（試験条件）測定基板：６０×７０ｍｍＦＲ−４マイクロストリッ
プラインＺ＝５０Ω 測定機器：ネットワークアナライザ測定方法：Ｓパラ法試料：４×３０ｍｍ導体中央付近一般に信号の減衰量が−２０ｄＢｍ以下であるとノイズ
吸収効果があるとされているから、曲線Ｘのもの、すな
わち図１２に示すように鱗片状金属磁性粉１０の扁平面
が磁界１３に対してほぼ平行、電界１２に対して直交す
るように配向されている場合でもノイズ吸収効果はあ
る。しかし、その吸収効果が現れる周波数帯域は約４〜
６ＧＨｚと狭く、他の周波数帯域ではノイズ吸収効果が
ない。

【００４２】これに対して曲線Ｙのもの、すなわち図１
３に示すように鱗片状金属磁性粉１０の扁平面が磁界１
３に対してほぼ平行、電界１２に対しても平行になるよ
うに配向すれば、３〜１８ＧＨｚの広い周波数帯域にわ
たってノイズ吸収効果があることが実験により立証され
た。

【００４３】一般に波長より遠方に設置したノイズ吸収
素子は、アンテナ線と見做されるストリップライン（導
体）に対して平行に鱗片状金属磁性粉の扁平面を配置す
ると、誘電損失および渦電流損失を含む、磁気的損失が
最大となる。しかし、波長よりも短い近傍に設置したノ
イズ吸収素子は、空間インピーダンスが異なるととも
に、ストリップライン（導体）にインピーダンス変化を
与え、漏洩電磁界との相互作用が発生し、異なる特性を
示すことが知られている。ストリップライン（導体）の
近傍にノイズ吸収素子を設置する場合、漏洩電磁界成分
に対して平行、すなわちストリップライン（導体）に対
して直交する方向に鱗片状金属磁性粉の扁平面を配置す
る方が減衰量の極大値が得られる（図１５曲線Ｙ参
照）。これはストリップライン（導体）とグランドプレ
ーン間に、電磁界を拡散減衰し易くしているとも言え
る。理論的には十分解明されていないが、以下の理由が
考えられる。

【００４４】鱗片状金属磁性粉の扁平面を電磁界に対し
て平行に配向すると（図１３参照）、鱗片状金属磁性粉
が互いに電気的に絶縁されている場合、対向する磁性体
面に反磁場が発生し、振幅値の時間的な差により磁気的
損失が極大化する。これは図１２や図１４に示すような
配向例に比べて、ノイズ吸収効果が広い周波数帯域にわ
たって高いことが前述のように実験的に立証されてい
る。

【００４５】図１５の実験データは理想線路であるマイ
クロストリップラインでの結果であり、不要ノイズ放射
は基本的には少ない。実際の回路設計では５０Ωの均一
なインピーダンス設計は困難であり、反射などによる不
要輻射が問題となり易い。この対策としてノイズ周波数
帯域での不要信号成分の拡散・減衰を狙いとし、グラン
ド層と信号線間または信号線と信号線の間に、電気絶縁
体と金属磁性体を混合したノイズ吸収体を設置すると効
果的である。この絶縁体と金属磁性体の複合材は、誘電
率の周波数依存性は殆どないため、導体（信号線）に対
して同軸線上に設置し、インピーダンス整合をとり、高
周波帯域では磁性損失を図ることが可能である。

【００４６】図１６は、導体２に流す電流（Ｉ）方向に
対して鱗片状金属磁性粉１０の扁平面を直交する方向に
配置した状態を示す模式図である。図１７は導体２に発
生する電界１２と磁界１３に対する鱗片状金属磁性粉１
０の扁平面の向きを示した図であり、同図のように鱗片
状金属磁性粉１０の扁平面を電界１２と磁界１３に対し
て平行に配向すれば図１５の曲線Ｙのように優れたノイ
ズ吸収効果が得られる。

【００４７】図１８は、磁性成形体３中における鱗片状
金属磁性粉１０の大半（約５０重量％以上）をその扁平
面が導体２の軸方向（電流流れ方向）と直交する方向に
配向するように磁性成形体３が成形できる手段を説明す
るための図である。

【００４８】図に示すように固定金型１４と移動金型１
５の接合により形成されるキャビティ１６内に、挿通孔
４ａ〜４ｃを形成するためのコアピン１７が３本周方向
に等間隔に挿入、設置される。

【００４９】３本のコアピン１７の中央位置に射出ゲー
ト１８が設けられ、鱗片状金属磁性粉と高分子材との混
練物からなる加熱溶融物１９がゲート１８からキャビテ
ィ１６内に射出される。ゲート１８から射出された加熱
溶融物１９は、同図に矢印で示すように各コアピン１７
の周囲を回り込むように流れ、溶融物１９中の鱗片状金
属磁性粉１０の大半はその流れに沿って扁平面がコアピ
ン１７の軸方向とほぼ直交するように自然に配向され、
冷却により各鱗片状金属磁性粉１０の姿勢が固定され
る。このようにして射出成形された磁性成形体３に導体
２を挿入すると、鱗片状金属磁性粉１０の大半をその扁
平面が導体２の長手方向（軸方向）と直交することにな
る。

【００５０】この例ではキャビティ１６の中央位置に１
つのゲート１８を設けたが、キャビティ１６の外周部、
例えば各コアピン１７の外側位置にそれぞれゲートを設
け、各ゲートから前記加熱溶融物をコアピンを回り込む
ように流し込んでも同様に鱗片状金属磁性粉の自然配向
がなされる。

【００５１】図１９は、鱗片状金属磁性粉の他の配向手
段を説明するための図である。長尺状の磁性成形体素体
２０を射出成形あるいは押出し成形で作り、それが未硬
化のうち電磁コイルを有する磁場配向装置２１に装着
し、磁性成形体素体２０に例えば０．４テスラー程度の
外部磁界を印加することにより、磁性成形体素体２０内
の鱗片状金属磁性粉を一定方向に強制的に配向して、磁
性成形体素体２０を硬化させる。その後に磁性成形体素
体２０を磁場配向装置２１から取り出し、同図に点線で
示しているように所定の長さに切断して磁性成形体とす
る。この磁性成形体素体２０を成形する際に図１８に示
す手段を併用すれば、鱗片状金属磁性粉の配向がより効
果的である。

【００５２】前記実施形態では１本の導体を折り返して
１つの磁性成形体内に挿入した例を示したが、本発明は
これに限定されるものではなく、例えば電源線のように
複数本の導体を折り返して同じの磁性成形体内に挿入す
ることも可能である。

【００５３】

【発明の効果】請求項１記載の本発明（第１の手段）は
前述のように導体の折り返し部の少なくとも直線部分が
磁性成形体内に設置されているから、ノイズ吸収効果が
高い。

【００５４】請求項２記載の本発明（第２の手段）は前
述のように鱗片状金属磁性粉の配向により、優れたノイ
ズ吸収効果が得られる。

【００５５】請求項３記載の本発明（第３の手段）は前
述のように導体折り返し部のＵターン部も実質的に磁性
成形体内に設置されているから、ノイズ吸収効果が高
い。

【００５６】請求項４記載の本発明（第４の手段）は前
述のように磁性成形体に挿通孔と切り込み部が連設され
ているから、導体への磁性成形体の装着が容易である。

【００５７】請求項５記載の本発明（第５の手段）は前
述のように磁性成形体が弾性変形可能であるため、導体
への磁性成形体の装着が容易である。

【００５８】請求項６記載の本発明（第６の手段）は前
述のように切り込み部の磁性成形体周面側に挿入ガイド
部が設けられているから、磁性成形体への導体の挿入が
容易である。

【００５９】請求項７記載の本発明（第７の手段）は前
述のように導体の折り返し部が挿通孔に設置された状態
で、切り込み部に形成されている対向した２つの切り込
み面が互いに密着しているから、ノイズ吸収効果が高
い。

【００６０】請求項８記載の本発明（第８の手段）は前
述のように挿通孔が複数設けられ、各挿通孔に対応して
磁性成形体の周面に外側切り込み部が形成されているか
ら、磁性成形体への導体の挿入が容易である。

【００６１】請求項９記載の本発明（第９の手段）は前
述のように挿通孔が複数設けられ、そのうちの１つの挿
通孔に対応して磁性成形体の周面に外側切り込み部が形
成され、その１つの挿通孔から他の挿通孔に向けて連通
した内側切り込み部が形成されているから、ノイズ吸収
効果が高いなどの特長を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係るノイズ吸収素子の
斜視図である。

【図２】そのノイズ吸収素子に用いる磁性成形体の平面
図である。

【図３】その磁性成形体の横断面図である。

【図４】その磁性成形体の縦断面図である。

【図５】そのノイズ吸収素子に用いる導体の折り返し部
の斜視図である。

【図６】そのノイズ吸収素子の横断面図である。

【図７】図１Ａ−Ａ線上の断面図である。

【図８】本発明の第２実施形態に係るノイズ吸収素子に
用いる磁性成形体の横断面図である。

【図９】そのノイズ吸収素子の横断面図である。

【図１０】本発明の第３実施形態に係るノイズ吸収素子
の横断面図である。

【図１１】本発明の第４実施形態に係るノイズ吸収素子
の縦断面図である。

【図１２】導体に対する鱗片状金属磁性粉の配向例を示
す図である。

【図１３】導体に対する鱗片状金属磁性粉の配向例を示
す図である。

【図１４】導体に対する鱗片状金属磁性粉の配向例を示
す図である。

【図１５】伝送信号の減衰特性図である。

【図１６】導体に流す電流方向に対する鱗片状金属磁性
粉の向きを示す模式図である。

【図１７】導体に発生する電界と磁界に対する鱗片状金
属磁性粉の向きを示す模式図である。

【図１８】鱗片状金属磁性粉の配向手段を説明するため
の図である。

【図１９】鱗片状金属磁性粉の他の配向手段を説明する
ための図である。

【図２０】従来提案されたノイズ吸収素子の斜視図であ
る。

【符号の説明】１ノイズ吸収素子２導体３磁性成形体３ａ，３ｂ磁性成形体の端面３ｃ磁性成形体の底部４挿通孔４ａ第１挿通孔４ｂ第２挿通孔４ｃ第３挿通孔５連通孔５ａ第１連通孔５ｂ第２連通孔６、６ａ〜６ｅ切り込み部７挿入ガイド部８直線部分８ａ第１直線部分８ｂ第２直線部分８ｃ第３直線部分９Ｕターン部９ａ第１Ｕターン部９ｂ第２Ｕターン部１０鱗片状金属磁性粉１１絶縁基板１２電界１３磁界１４固定金型１５移動金型１６キャビティ１７コアピン１８ゲート１９加熱溶融物２０磁性成形体素体２１磁場配向装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導体にＵターン部と直線部分とを有する
折り返し部を設け、その折り返し部の少なくとも直線部
分を金属磁性粉と電気絶縁性高分子材との混合物からな
る磁性成形体内に設置したことを特徴とするノイズ吸収
素子。
【請求項２】請求項１記載のノイズ吸収素子におい
て、前記金属磁性粉が鱗片状をしており、大半の鱗片状
金属磁性粉の扁平面が前記磁性成形体内に設置されてい
る折り返し部のうちの直線部分の軸方向に対してほぼ直
交する方向に配向されていることを特徴とするノイズ吸
収素子。
【請求項３】請求項１記載のノイズ吸収素子におい
て、前記折り返し部のＵターン部が実質的に前記磁性成
形体内に設置されていることを特徴とするノイズ吸収素
子。
【請求項４】請求項１記載のノイズ吸収素子におい
て、前記磁性成形体の内部に一方の端面から他方の端面
に向けて貫通した挿通孔と、その磁性成形体の周面から
前記挿通孔に連通した切り込み部が形成され、前記導体
の折り返し部の直線部分が切り込み部を通して挿通孔に
挿入されたことを特徴とするノイズ吸収素子。
【請求項５】請求項４記載のノイズ吸収素子におい
て、前記磁性成形体が弾性変形可能であることを特徴と
するノイズ吸収素子。
【請求項６】請求項４記載のノイズ吸収素子におい
て、前記切り込み部の磁性成形体周面側に挿入ガイド部
が設けられていることを特徴とするノイズ吸収素子。
【請求項７】請求項４記載のノイズ吸収素子におい
て、前記導体の折り返し部が挿通孔に設置された状態
で、前記切り込み部に形成されている対向した２つの切
り込み面が互いに密着していることを特徴とするノイズ
吸収素子。
【請求項８】請求項４記載のノイズ吸収素子におい
て、前記挿通孔が複数設けられ、各挿通孔に対応して磁
性成形体の周面に外側切り込み部が形成されていること
を特徴とするノイズ吸収素子。
【請求項９】請求項４記載のノイズ吸収素子におい
て、前記挿通孔が複数設けられ、そのうちの１つの挿通
孔に対応して磁性成形体の周面に外側切り込み部が形成
され、その１つの挿通孔から他の挿通孔に向けて連通し
た内側切り込み部が形成されていることを特徴とするノ
イズ吸収素子。