JP2002324501A

JP2002324501A - 電界放出型表示装置

Info

Publication number: JP2002324501A
Application number: JP2001126153A
Authority: JP
Inventors: Shuhei Nakada; 修平中田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2001-04-24
Filing date: 2001-04-24
Publication date: 2002-11-08

Abstract

(57)【要約】【課題】電子ビームの横漏れに起因する表示性能の劣
化を抑制し得る電界放出型表示装置を得る。【解決手段】カソード電極５上には電子放出部８が形
成されている。グリッド電極６には、各電子放出部８の
上方に貫通孔９が形成されている。シールド電極７に
は、各グリッド電極６の上方に、貫通孔１０が形成され
ている。グリッド電極６とシールド電極７とのＺ方向の
間隔Ｌ３は０．５ｍｍであり、カソード電極５の形成ピ
ッチＰ３は２ｍｍである。シールド電極７とグリッド電
極６との間隔Ｌ３をカソード電極５の形成ピッチＰ３の
０．２５倍以下に設定することにより、１％以下の横漏
れビーム率を確保することができ、コントラストの低下
による表示特性の劣化を適切に抑制することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電界放出型表示
装置の構造に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来技術１．図９及び図１０はそれぞ
れ、従来技術１に係る電界放出型表示装置の構造を示す
断面図及び上面図である（特開２０００−９０８１３号
公報参照）。図９を参照して、バックプレート１０１上
には、ＳｉＯ₂層１０５とクロム電極１０２とが形成さ
れている。ＳｉＯ₂層１０５上には、アルミニウム電極
１０６が形成されている。クロム電極１０２上には、グ
ラファイトやカーボンナノチューブ等の複数の粒子１０
３から成る電子放出部１０４が形成されている。アルミ
ニウム電極１０６の上方には、蛍光体層とメタルバック
層とが形成されたフェースプレート（図示しない）が配
置されている。図１０を参照して、クロム電極１０２
は、紙面の上下方向に延在して、複数並設されている。
また、アルミニウム電極１０６は、紙面の左右方向に延
在して、複数並設されている。電子放出部１０４は、ク
ロム電極１０２とアルミニウム電極１０６との平面視上
の交点にそれぞれ配設されている。

【０００３】クロム電極１０２とアルミニウム電極１０
６との間に所定の電圧を印加すると、電子放出部１０４
の粒子１０３から電子が引き出される。引き出された電
子はメタルバック層の強電界によって加速されて蛍光体
層に射突し、これによって蛍光体が発光する。

【０００４】従来技術２．図１１は、従来技術２に係る
電界放出型表示装置の構造を示す断面図である（特開２
０００−２５１７８３号公報参照）。カソード基板１１
０上にはカソード電極１１２が形成されており、カソー
ド電極１１２上には抵抗層１１３が形成されている。抵
抗層１１３上には、カーボンナノチューブから成るエミ
ッタ１１４が形成されている。また、抵抗層１１３上に
は絶縁層１１１が形成されている。絶縁層１１１上に
は、複数の開口部１１６を有するシールド電極１１５が
形成されている。シールド電極１１５の上方には、蛍光
体層１１８とメタルバック層１１９とが形成されたアノ
ード基板１１７が配設されている。

【０００５】メタルバック層１１９には、エミッタ１１
４から電子を電界放出することが可能な、十分に高いア
ノード電圧が印加される。シールド電極１１５は、メタ
ルバック層１１９の電界をエミッタ１１４に対して選択
的にシールドするための電極である。つまり、メタルバ
ック層１１９の電界によって常時放出可能な状態にある
エミッタ１１４からの実際の電子放出は、シールド電極
１１５に与える電圧によって抑制・制御される。

【０００６】表示装置の駆動時において、メタルバック
層１１９には上記の高電圧が常時印加される。カソード
電極１１２及びシールド電極１１５の一方は走査され、
他方には表示信号が与えられる。カソード電極１１２と
シールド電極１１５とのマトリクスで選択された位置に
あるエミッタ１１４には、メタルバック層１１９の電界
がシールド電極１１５によって遮蔽されることなく作用
し、これにより、そのエミッタ１１４から電子が放出さ
れる。放出された電子はメタルバック層１１９の強電界
によって加速されて蛍光体層１１８に射突し、これによ
って蛍光体が発光する。

【０００７】従来技術３．図１２は、従来技術３に係る
電界放出型表示装置の構造を示す断面図である（特開２
０００−２６８７０４号公報参照）。カソード基板１１
０上にはカソード電極１１２が形成されており、カソー
ド電極１１２上には抵抗層１１３が形成されている。抵
抗層１１３上には、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬ
Ｃ）やカーボンナノチューブ等から成るエミッション層
１１４が形成されている。また、エミッション層１１４
上には絶縁物質から成る突起層１２０が形成されてい
る。突起層１２０上には、ゲート電極（引き出し電極）
１２１が形成されている。ゲート電極１２１の上方に
は、蛍光体層１１８とメタルバック層１１９と遮光性の
黒色層１２５とが形成されたアノード基板１１７が配設
されている。メタルバック層１１９とゲート電極１２１
との間には、複数の開口部を有する収束電極１２２が形
成されている。高いアノード電圧による電極間のショー
ト（スパークの発生）を避けるために、アノード基板１
１７とカソード基板１１０とは、２０ｍｍ程度の間隔を
以て配設されている。

【０００８】メタルバック層１１９に印加する電圧をＶ
ａ、収束電極１２２に印加する電圧をＶｆ、ゲート電極
１２１に印加する電圧をＶｇとすると、Ｖａ＞Ｖｆ＞Ｖ
ｇとなるように各電圧が印加される。ゲート電極１２１
の電界によってエミッション層１１４から電界電子が引
き出され、引き出された電子は収束電極１２２によって
収束された後に蛍光体層１１８に射突し、これによって
蛍光体が発光する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の電界放出型表示装置には、それぞれ以下のよう
な問題があった。

【００１０】従来技術１の問題点．従来技術１に係る電
界放出型表示装置によると、高電圧が印加されるメタル
バック層に対してＳｉＯ₂層１０５が露出する部分が存
在するため、ＳｉＯ₂層１０５はメタルバック層の強電
界によってチャージアップされてしまう。その結果、Ｓ
ｉＯ₂層１０５とクロム電極１０２との間で不要な放電
が発生するという問題や、ＳｉＯ₂層１０５の電界によ
って、電子放出部１０４のエミッション特性が変化した
り、電子ビームの軌道が偏向されて蛍光体層へのランデ
ィング特性が低下するという問題があった。

【００１１】従来技術２の問題点．エミッタ１１４に用
いられているカーボンナノチューブ等の電子放出材料
は、先端が非常に細く、しかもその先端はあらゆる方向
を向いている。従って、表示信号によってある特定の画
素が選択された場合、その画素に対応する部分のエミッ
タ１１４からは非常に大きな発散角を以て電子が引き出
される。そして、引き出された電子の一部はシールド電
極１１５に衝突してその表面で散乱され、四方八方に飛
散する。シールド電極１１５には各画素に対応して開口
部１１６が形成されているが、散乱された電子が、選択
画素に隣接する画素に対応する開口部１１６の付近に到
達した場合、その電子は、その開口部１１６から漏れて
いるアノード電界に引き寄せられ、その開口部１１６を
通過してアノードに到達する。このような現象は、電子
ビームの「横漏れ」あるいは「隣接漏れ」と称されてい
る。電子ビームの横漏れが生じた場合、選択画素に隣接
する画素が発光することとなるため、コントラストが低
下して表示性能は劣化する。このように従来技術２に係
る電界放出型表示装置においては、電子ビームの横漏れ
に対する対策がなされていないという問題があった。

【００１２】従来技術３の問題点．同様に従来技術３に
係る電界放出型表示装置においても、電子ビームの横漏
れに対する対策がなされていないという問題があった。

【００１３】本発明はこのような問題を解決するために
成されたものであり、アノードの強電界によってカソー
ド側の絶縁膜がチャージアップされることに起因する不
要放電の発生等を防止し得るとともに、電子ビームの横
漏れに起因する表示性能の劣化を抑制し得る電界放出型
表示装置を得ることを目的とするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】この発明のうち請求項１
に記載の電界放出型表示装置は、表示面を有するアノー
ド基板と、アノード基板に離間して対面するカソード基
板と、アノード基板上に形成されたアノード電極と、カ
ソード基板上に形成され、電子放出部が形成され、互い
に離間しつつ第１方向に延在する、複数のカソード電極
と、カソード電極と離間しつつ第１方向に垂直な第２方
向に延在し、カソード電極との平面視上の交点に画素を
規定する、複数のグリッド電極と、アノード電極とグリ
ッド電極との間に配設され、アノード電極の強電界をシ
ールドする機能を有するシールド電極とを備え、シール
ド電極とグリッド電極との間隔は、カソード電極の形成
ピッチの０．２５倍以下であることを特徴とするもので
ある。

【００１５】また、この発明のうち請求項２に記載の電
界放出型表示装置は、請求項１に記載の電界放出型表示
装置であって、シールド電極は、平面視上グリッド電極
に重なる複数の電子通過孔を有しており、電子通過孔の
直径は、第１方向に関するグリッド電極の幅よりも小さ
いことを特徴とするものである。

【００１６】また、この発明のうち請求項３に記載の電
界放出型表示装置は、請求項２に記載の電界放出型表示
装置であって、シールド電極の厚みに対する電子通過孔
の直径の大きさが、３倍以上５倍以下であることを特徴
とするものである。

【００１７】また、この発明のうち請求項４に記載の電
界放出型表示装置は、表示面を有するアノード基板と、
アノード基板に離間して対面するカソード基板と、アノ
ード基板上に形成されたアノード電極と、カソード基板
上に形成され、電子放出部が形成され、互いに離間しつ
つ第１方向に延在する、複数のカソード電極と、カソー
ド電極と離間しつつ第１方向に垂直な第２方向に延在
し、カソード電極との平面視上の交点に画素を規定す
る、複数のグリッド電極と、アノード電極とグリッド電
極との間に配設され、アノード電極の強電界をシールド
する機能を有するシールド電極とを備え、シールド電極
は、平面視上グリッド電極に重なる複数の電子通過孔を
有しており、シールド電極の厚みに対する電子通過孔の
直径の大きさが、３倍以上５倍以下であることを特徴と
するものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は、本発明の
実施の形態１に係る電界放出型表示装置の構造の一部を
模式的に示す斜視図である。ガラス基板であるカソード
基板４上には、互いに離間しつつＹ方向に延在する、金
属から成る複数のカソード電極５が形成されている。カ
ソード電極５の上方には、互いに離間しつつＸ方向に延
在する、金属から成る複数のグリッド電極６が配設され
ている。カソード電極５とグリッド電極６との平面視上
の交点に、画素が規定される。グリッド電極６の上方に
は、シールド電極７が配設されている。シールド電極７
の上方には、アノード基板１が配設されている。アノー
ド基板１は表示面（図１では上面）を有しており、表示
面とは反対側のアノード基板１の底面には、蛍光体層２
及びアノード電極（メタルバック層）３が全面に形成さ
れている。アノード基板１はガラス基板から成り、透光
性を有している。アノード基板１とカソード基板４と
は、スペーサとしての機能も有する封止材（図示しな
い）によって、互いの周縁部同士で固着されている。

【００１９】図２，３は、図１に示した構造をそれぞれ
Ｘ方向及びＹ方向から眺めた場合の断面図である。カソ
ード電極５上には、各画素毎に複数の電子放出部８が形
成されている。電子放出部８はカーボンナノチューブ等
の電界電子放出特性を有する材料を含み、アイランド状
に並んで複数形成されている。但し、カソード電極５と
電子放出部８との間に抵抗層を介在させてもよい。グリ
ッド電極６には、各電子放出部８の上方に貫通孔９が形
成されている。シールド電極７には、各グリッド電極６
の上方に、貫通孔１０（電子通過孔）が形成されてい
る。シールド電極７は、その周縁部が上記封止材に固定
されている。互いに隣接するカソード電極５同士の間に
は絶縁性のスペーサ１１が形成されており、グリッド電
極６は、このスペーサ１１上に固定されている。

【００２０】カソード電極５とグリッド電極６とのＺ方
向の間隔Ｌ１は５０μｍであり、グリッド電極６のＺ方
向の厚みＬ２は５０μｍであり、グリッド電極６とシー
ルド電極７とのＺ方向の間隔Ｌ３は０．５ｍｍであり、
カソード電極５とアノード電極３とのＺ方向の間隔Ｌ４
は９ｍｍであり、シールド電極７のＺ方向の厚みＬ５は
０．２ｍｍであり、シールド電極７の貫通孔１０の直径
Ｌ６は２ｍｍであり、グリッド電極６のＹ方向の幅Ｌ７
は２．５ｍｍであり、グリッド電極６の形成ピッチＰ１
は３．５ｍｍであり、シールド電極７の貫通孔１０の形
成ピッチＰ２は３．５ｍｍである。また、カソード電極
５の形成ピッチＰ３は２ｍｍである。

【００２１】図４は、一つの画素に着目して、シールド
電極７の貫通孔１０からカソード基板４側を眺めた場合
の上面図である。貫通孔１０内にはグリッド電極６の貫
通孔９が露出しており、貫通孔９内にはカソード電極５
の電子放出部８が露出している。また、貫通孔１０の直
径Ｌ６（２ｍｍ）はグリッド電極６の幅Ｌ７（２．５ｍ
ｍ）よりも小さく、貫通孔１０の中心はグリッド電極６
の幅の中心に一致しているため、貫通孔９が形成されて
いる部分を除いて、貫通孔１０内にはグリッド電極６よ
りも下方の構造が露出していない。

【００２２】表示装置の駆動時において、アノード電極
３には、１４ｋＶの高電圧が常時印加される。シールド
電極７は、アノード電極３の強電界をグリッド電極６、
カソード電極５、及び電子放出部８に対してシールドす
るための電極であり、５００Ｖの電位が印加される。カ
ソード電極５及びグリッド電極６の一方は走査され、他
方には表示信号が与えられる。表示信号によって選択さ
れた画素においては、グリッド電極６とカソード電極５
との間に５００Ｖの電圧が印加され、これにより、その
選択画素に対応する電子放出部８から電子が放出され
る。放出された電子はその選択画素に対応する貫通孔
９，１０内を通過し、アノード電極３の強電界によって
加速されて蛍光体層２に射突し、これによって蛍光体が
発光する。

【００２３】図５は、カソード電極５の形成ピッチＰ３
に対するグリッド電極６及びシールド電極７の間隔Ｌ３
の比（Ｌ３／Ｐ３）と、隣接画素到達率（後述）との関
係を計算した結果を示すグラフである。Ｌ３／Ｐ３が大
きいほど、即ちカソード電極５とシールド電極７との間
隔Ｌ３が大きいほど、隣接画素到達率も大きくなってい
ることが分かる。

【００２４】選択画素に対応する電子放出部８から引き
出された全ての電子のうち、選択画素に隣接する画素に
対応する貫通孔１０（説明の便宜上「隣接貫通孔」と称
する）を通過して電子ビームの横漏れを生じさせるもの
の割合（本明細書において「横漏れビーム率」と称す
る）が１％以下であれば、いわゆるコントラスト１００
を確保することが可能である。コントラスト１００は、
一般的な表示装置において十分なコントラストと考えら
れている。

【００２５】ところで、電子放出部８から引き出された
全ての電子のうち、金属のグリッド電極６によって散乱
される電子の割合は３０％弱である。従って、全ての散
乱電子のうち、隣接貫通孔に到達するものの割合（本明
細書において「隣接画素到達率」と称する）が３％以下
であれば、１％以下の横漏れビーム率を確保することが
できる。

【００２６】以上の観点から、本実施の形態１に係る電
界放出型表示装置においては、図５のグラフに鑑みて、
上記Ｌ３／Ｐ３の値を０．２５以下の範囲に限定する。
換言すれば、シールド電極７とグリッド電極６との間隔
Ｌ３を、カソード電極５の形成ピッチＰ３の０．２５倍
以下に設定する。図２，３に示した例では、Ｌ３が０．
５ｍｍであり、Ｐ３が２ｍｍであったため、Ｌ３／Ｐ３
の値は０．２５となってこの条件を満たしている。

【００２７】図６は、Ｌ３が１．０ｍｍの場合の電子ビ
ームの横漏れの発生状況を示す模式図である。この場
合、Ｐ３が２ｍｍのままであるとすると、Ｌ３／Ｐ３の
値は０．５となる。図６に示すように、選択画素に対応
するカソード電極５ａ上の電子放出部８から放出された
電子ビーム２０ａ，２０ｂのうち、電子ビーム２０ａ
は、選択画素に対応する貫通孔１０ａ内を正常に通過し
ているが、一部の電子ビーム２０ｂは、隣接貫通孔１０
ｂ内を通過している。即ち、電子ビームの横漏れが発生
している。

【００２８】図７は、Ｌ３が０．５ｍｍの場合の電子ビ
ームの横漏れの発生状況を示す模式図である。この場
合、Ｐ３が２ｍｍのままであるとすると、Ｌ３／Ｐ３の
値は０．２５となる。シールド電極７がグリッド電極６
に近付いた結果、図７に示すように、電子ビーム２０ｂ
は正常に貫通孔１０ａ内を通過している。

【００２９】このように本実施の形態１に係る電界放出
型表示装置によれば、アノード電極３とグリッド電極６
との間にシールド電極７が配設されており、しかも、シ
ールド電極７の貫通孔１０内には、グリッド電極６の貫
通孔９が形成されている部分を除いて、グリッド電極６
よりも下方の構造が露出していない。そのため、アノー
ド電極３の強電界がグリッド電極６よりも下方のカソー
ド基板４側に作用することを、適切に防止することがで
きる。従って、アノード電極３の強電界によって絶縁性
のスペーサ１１等がチャージアップされることはないた
め、不要放電の発生等を適切に防止することが可能とな
る。

【００３０】また、シールド電極７とグリッド電極６と
の間隔Ｌ３を、カソード電極５の形成ピッチＰ３の０．
２５倍以下に設定したため、１％以下の横漏れビーム率
を確保することができ、コントラストの低下による表示
特性の劣化を適切に抑制することができる。

【００３１】実施の形態２．図８は、シールド電極７の
厚みＬ５に対する貫通孔１０の直径Ｌ６の比（Ｌ６／Ｌ
５）と、カソード電流の利用率との関係を計算した結果
を示すグラフである。ここで、カソード電流の利用率と
は、電子放出部８から放出された全ての電子のうち、ア
ノード電極３に到達するものの割合を意味している。Ｌ
６／Ｌ５の値が３以上５以下の範囲では、利用率の特性
の左上がりの傾斜が急峻になっており、３未満の範囲で
は特性が左下がりになっていることが分かる。つまり、
上記実施の形態１ではＬ５の値は０．２ｍｍ（Ｌ６／Ｌ
５の値は１０）であったが、貫通孔１０の直径Ｌ６を２
ｍｍに固定してシールド電極７の厚みＬ５を徐々に厚く
していくと、Ｌ５の値が０．４ｍｍまでは利用率は緩や
かに上昇し、０．４〜０．６７ｍｍの範囲内では利用率
は急激に上昇するが、０．６７ｍｍを超えると利用率は
逆に低下している。

【００３２】シールド電極７の厚みＬ５が０．４〜０．
６７ｍｍの範囲内で利用率が急激に上昇するのは、この
範囲内ではアノード電位の染み込みによる貫通孔１０付
近でのアノード電位分布の変形が大きく、貫通孔１０の
カソード基板４側付近でのアノード電界の強度が高まっ
て、電子の収束力が急激に増加するためである。但し、
シールド電極７があまりに厚くなりすぎるとその効果が
薄れるため、Ｌ５の値が０．６７ｍｍを超えると利用率
は逆に低下するのである。

【００３３】以上の観点から、本実施の形態２に係る電
界放出型表示装置においては、図８のグラフに鑑みて、
上記Ｌ６／Ｌ５の値を３以上５以下の範囲に設定する。
換言すれば、シールド電極７の厚みＬ５に対する貫通孔
１０の直径Ｌ６の大きさを、３倍以上５倍以下の範囲に
設定する。

【００３４】このように本実施の形態２に係る電界放出
型表示装置によれば、シールド電極７の厚みＬ５に対す
る貫通孔１０の直径Ｌ６の大きさを、３倍以上５倍以下
の範囲に設定したため、シールド電極７の板厚を厚くす
るに従ってカソード電流の利用率が大きく上昇する範囲
の特性のみを利用することができる。

【００３５】

【発明の効果】この発明のうち請求項１に係るものによ
れば、シールド電極とグリッド電極との間隔をカソード
電極の形成ピッチの０．２５倍以下に設定することによ
り、１％以下の横漏れビーム率を確保することができ、
コントラストの低下による表示特性の劣化を適切に抑制
することができる。

【００３６】また、この発明のうち請求項２に係るもの
によれば、アノード電極の強電界がグリッド電極よりも
下方のカソード基板側に作用することを防止でき、不要
放電の発生等を適切に防止することが可能となる。

【００３７】また、この発明のうち請求項３に係るもの
によれば、シールド電極の厚みに対する電子通過孔の直
径の大きさが３倍以上５倍以下の範囲に設定することに
より、シールド電極の厚みを厚くするに従ってカソード
電流の利用率が大きく上昇する範囲の特性のみを利用す
ることができる。

【００３８】また、この発明のうち請求項４に係るもの
によれば、シールド電極の厚みに対する電子通過孔の直
径の大きさが３倍以上５倍以下の範囲に設定することに
より、シールド電極の厚みを厚くするに従ってカソード
電流の利用率が大きく上昇する範囲の特性のみを利用す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係る電界放出型表示
装置の構造の一部を模式的に示す斜視図である。

【図２】図１に示した構造をＸ方向から眺めた場合の
断面図である。

【図３】図１に示した構造をＹ方向から眺めた場合の
断面図である。

【図４】シールド電極の貫通孔からカソード基板側を
眺めた場合の上面図である。

【図５】カソード電極の形成ピッチに対するグリッド
電極及びシールド電極の間隔の比と、隣接画素到達率と
の関係を計算した結果を示すグラフである。

【図６】グリッド電極とシールド電極との間隔が１．
０ｍｍの場合の、電子ビームの横漏れの発生状況を示す
模式図である。

【図７】グリッド電極とシールド電極との間隔が０．
５ｍｍの場合の、電子ビームの横漏れの発生状況を示す
模式図である。

【図８】本発明の実施の形態２に関して、シールド電
極の厚みに対する貫通孔の直径の比と、カソード電流の
利用率との関係を計算した結果を示すグラフである。

【図９】従来技術１に係る電界放出型表示装置の構造
を示す断面図である。

【図１０】従来技術１に係る電界放出型表示装置の構
造を示す上面図である。

【図１１】従来技術２に係る電界放出型表示装置の構
造を示す断面図である。

【図１２】従来技術３に係る電界放出型表示装置の構
造を示す断面図である。

【符号の説明】

１アノード基板、２蛍光体層、３アノード電極、
４カソード基板、５カソード電極、６グリッド電
極、７シールド電極、８電子放出部、１０貫通孔。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表示面を有するアノード基板と、前記アノード基板に離間して対面するカソード基板と、前記アノード基板上に形成されたアノード電極と、前記カソード基板上に形成され、電子放出部が形成さ
れ、互いに離間しつつ第１方向に延在する、複数のカソ
ード電極と、前記カソード電極と離間しつつ前記第１方向に垂直な第
２方向に延在し、前記カソード電極との平面視上の交点
に画素を規定する、複数のグリッド電極と、前記アノード電極と前記グリッド電極との間に配設さ
れ、前記アノード電極の強電界をシールドする機能を有
するシールド電極とを備え、前記シールド電極と前記グリッド電極との間隔は、前記
カソード電極の形成ピッチの０．２５倍以下であること
を特徴とする電界放出型表示装置。
【請求項２】前記シールド電極は、平面視上前記グリ
ッド電極に重なる複数の電子通過孔を有しており、前記電子通過孔の直径は、前記第１方向に関する前記グ
リッド電極の幅よりも小さいことを特徴とする、請求項
１に記載の電界放出型表示装置。
【請求項３】前記シールド電極の厚みに対する前記電
子通過孔の直径の大きさが、３倍以上５倍以下であるこ
とを特徴とする、請求項２に記載の電界放出型表示装
置。
【請求項４】表示面を有するアノード基板と、前記アノード基板に離間して対面するカソード基板と、前記アノード基板上に形成されたアノード電極と、前記カソード基板上に形成され、電子放出部が形成さ
れ、互いに離間しつつ第１方向に延在する、複数のカソ
ード電極と、前記カソード電極と離間しつつ前記第１方向に垂直な第
２方向に延在し、前記カソード電極との平面視上の交点
に画素を規定する、複数のグリッド電極と、前記アノード電極と前記グリッド電極との間に配設さ
れ、前記アノード電極の強電界をシールドする機能を有
するシールド電極とを備え、前記シールド電極は、平面視上前記グリッド電極に重な
る複数の電子通過孔を有しており、前記シールド電極の厚みに対する前記電子通過孔の直径
の大きさが、３倍以上５倍以下であることを特徴とする
電界放出型表示装置。