JP2002323767A - Positive photosensitive composition - Google Patents

Positive photosensitive composition

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JP2002323767A JP2001157366A JP2001157366A JP2002323767A JP 2002323767 A JP2002323767 A JP 2002323767A JP 2001157366 A JP2001157366 A JP 2001157366A JP 2001157366 A JP2001157366 A JP 2001157366A JP 2002323767 A JP2002323767 A JP 2002323767A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive photosensitive composition which has a wide defocus latitude when ring-zone lighting is used and which hardly generates the side lobes when a pattern is formed by using a halftone phase shift mask, and moreover, to provide a positive photosensitive composition which hardly produces particles during stored with time. SOLUTION: The positive photosensitive composition contains (A) an acid producing agent which produces acids by irradiation of active rays or radiation, (B) a resin which has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure and is decomposed by the effect of acids to increase the solubility in an alkali developer, (C) a basic compound and (D) a fluorine and/or silicon-based surfactant. The acid producing agent (A) is a mixture containing at least one kind of triaryl sulfonium salt and at least one kind of compound having a phenacyl sulfonium salt structure.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、IC等の半導体製
造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さ
らにその他のフォトファブリケーション工程に使用され
るポジ型感光性組成物に関するものである。さらに詳し
くは250nm以下の遠紫外線等を露光光源とする場合
に好適なポジ型感光性組成物に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a positive photosensitive composition used in a semiconductor manufacturing process such as an IC, a circuit board such as a liquid crystal and a thermal head, and other photofabrication processes. . More specifically, the present invention relates to a positive photosensitive composition suitable for use as a light source for exposure to far ultraviolet rays of 250 nm or less.

【0002】[0002]

【従来の技術】化学増幅系ポジ型レジスト組成物は、遠
紫外光等の放射線の照射により露光部に酸を生成させ、
この酸を触媒とする反応によって、活性放射線の照射部
と非照射部の現像液に対する溶解性を変化させ、パター
ンを基板上に形成させるパターン形成材料である。
2. Description of the Related Art A chemically amplified positive resist composition generates an acid in an exposed portion by irradiation with radiation such as far ultraviolet light.
This acid-catalyzed reaction changes the solubility of the irradiated portion and the non-irradiated portion of the active radiation in a developing solution, and is a pattern forming material for forming a pattern on a substrate.

【0003】KrFエキシマレーザーを露光光源とする
場合には、主として248nm領域での吸収の小さい、
ポリ(ヒドロキシスチレン)を基本骨格とする樹脂を主
成分に使用するため、高感度、高解像度で、且つ良好な
パターンを形成し、従来のナフトキノンジアジド/ノボ
ラック樹脂系に比べて良好な系となっている。しかしな
がら、更なる短波長の光源、例えばArFエキシマレー
ザー(193nm)を露光光源として使用する場合は、
芳香族基を有する化合物が本質的に193nm領域に大
きな吸収を示すため、上記化学増幅系でも十分ではなか
った。また、193nm波長領域に吸収の小さいポリマ
ーとして、ポリ(メタ)アクリレートの利用がJ.Va
c.Sci.Technol.,B9,3357(19
91). に記載されているが、このポリマーは一般に半
導体製造工程で行われるドライエッチングに対する耐性
が、芳香族基を有する従来のフェノール樹脂に比べ低い
という問題があった。
[0003] When a KrF excimer laser is used as an exposure light source, absorption having a small absorption mainly in a 248 nm region is obtained.
High sensitivity, high resolution and good pattern are formed by using resin having poly (hydroxystyrene) as the main skeleton as a main component, and it is a better system than conventional naphthoquinonediazide / novolak resin system. ing. However, when an even shorter wavelength light source, for example, an ArF excimer laser (193 nm) is used as an exposure light source,
Since the compound having an aromatic group essentially shows large absorption in the 193 nm region, the above-mentioned chemical amplification system was not sufficient. Further, as a polymer having a small absorption in a wavelength region of 193 nm, the use of poly (meth) acrylate is described in J. Am. Va
c. Sci. Technol. , B9, 3357 (19
91). However, this polymer has a problem that resistance to dry etching generally performed in a semiconductor manufacturing process is lower than that of a conventional phenol resin having an aromatic group.

【0004】特開2000−292917号公報には特
定のスルホニウム塩(アニオンの炭素数1〜15)とト
リアリールスルホニウム塩との混合酸発生剤、特開20
00−275845号公報には炭素数4〜8のパーフロ
ロアルカンスルホン酸のトリフェニルスルホニウム塩と
2−アルキル−2−アダマンチル(メタ)アクリレート
との組合せ、EP1041442A号には特定のスルホ
ニウム塩(アニオンの炭素数1〜8)と炭素数4〜8の
パーフロロアルカンスルホン酸のトリフェニルスルホニ
ウム塩又はヨードニウム塩との混合酸発生剤が記載され
ている。
JP-A-2000-292917 discloses a mixed acid generator comprising a specific sulfonium salt (anion having 1 to 15 carbon atoms) and a triarylsulfonium salt.
JP-A No. 00-275845 discloses a combination of a triphenylsulfonium salt of perfluoroalkanesulfonic acid having 4 to 8 carbon atoms and 2-alkyl-2-adamantyl (meth) acrylate, and EP1041442A discloses a specific sulfonium salt (anion of anion). A mixed acid generator comprising a triphenylsulfonium salt or an iodonium salt of perfluoroalkanesulfonic acid having 1 to 8 carbon atoms and 4 to 8 carbon atoms is described.

【0005】また、更なるパターンの微細化に対応する
ために、変形照明法や位相シフトマスクを用いるのが一
般的であり、ラインアンドスペースパターンには輪帯照
明、コンタクトホールにはハーフトーン位相シフトマス
クが多く使用されている。輪帯照明を用いた際、デフォ
ーカスラチチュードが広いことが望まれていた。デフォ
ーカスラティチュードが広いとは、焦点ずれに伴うライ
ンの幅の変動が小さいことを言う。ハーフトーン位相シ
フトマスクを用いた場合、僅かな透過光によりパターン
部が溶解してしまうサイドローブの問題があり、この解
決が望まれていた。また、KrFエキシマレーザーレジ
ストで用いられるP−ヒドロキシスチレン系樹脂は、酸
発生剤、特にオニウム塩のようなイオン性化合物と相互
作用し、酸発生剤の溶解性を向上させるが、脂環炭化水
素構造を有する樹脂は、疎水性が非常に高いためにオニ
ウム塩のようなイオン性化合物との相互作用が起こり難
いために酸発生剤の溶解性が低くなり、レジスト溶液を
経時保存すると、パーティクルが発生し易いという問題
があった。
In order to cope with further miniaturization of the pattern, it is common to use a modified illumination method or a phase shift mask. The line and space pattern has an annular illumination, and the contact hole has a halftone phase. Shift masks are often used. When using annular illumination, it was desired that the defocus latitude be wide. The fact that the defocus latitude is wide means that the fluctuation of the line width due to defocus is small. When a halftone phase shift mask is used, there is a problem of a side lobe in which a pattern portion is dissolved by a small amount of transmitted light, and this solution has been desired. Further, the P-hydroxystyrene-based resin used in the KrF excimer laser resist interacts with an acid generator, particularly an ionic compound such as an onium salt, and improves the solubility of the acid generator. The resin having a structure has a very high hydrophobicity, so that interaction with an ionic compound such as an onium salt is unlikely to occur, so that the solubility of the acid generator becomes low. There was a problem that it easily occurred.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、輪帯照明を用いた際にデフォーカスラチチュードが
広く、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターン
形成した際にサイドローブが発生し難いポジ型感光性組
成物、また、加えて経時保存時にパーティクルが発生し
難いポジ型感光性組成物を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a wide defocus latitude when using annular illumination, and it is difficult to generate side lobes when a pattern is formed using a halftone phase shift mask. Another object of the present invention is to provide a positive photosensitive composition and, in addition, a positive photosensitive composition in which particles are hardly generated during storage over time.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、下記構成のポ
ジ型感光性組成物であり、これにより本発明の上記目的
が達成される。
Means for Solving the Problems The present invention is a positive photosensitive composition having the following constitution, thereby achieving the above object of the present invention.

【0008】(1) (A)活性光線又は放射線の照射
により酸を発生する酸発生剤、(B)単環又は多環の脂
環炭化水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカ
リ現像液中での溶解度が増大する樹脂、(C)塩基性化
合物、及び(D)フッ素及び/又はシリコン系界面活性
剤を含有し、且つ(A)酸発生剤が、トリアリールスル
フォニウム塩を少なくとも1種及びフェナシルスルフォ
ニウム塩構造を有する化合物を少なくとも1種含有する
混合物であることを特徴とするポジ型感光性組成物。 (2) (E)水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有し
ない溶剤とを混合した混合溶剤を含有する(1)に記載
のポジ型感光性組成物。 (3)(C)塩基性化合物が、イミダゾール構造、ジア
ザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウム
カルボキシレート構造、及びアニリン構造から選ばれる
構造を有する化合物を少なくとも1種含有する(1)又
は(2)に記載のポジ型感光性組成物。 (4)更に(F)酸の作用により分解してアルカリ現像
液中での溶解性を増大させる基を有し、分子量3000
以下の溶解阻止低分子化合物を含有することを特徴とす
る(1)〜(3)のいずれかに記載のポジ型感光性組成
物。
(1) (A) an acid generator that generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation; (B) a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, which is decomposed by the action of an acid to form an alkali A resin which increases solubility in a developer, (C) a basic compound, and (D) a fluorine and / or silicon surfactant, and (A) an acid generator contains a triarylsulfonium salt. A positive photosensitive composition comprising a mixture containing at least one compound and at least one compound having a phenacylsulfonium salt structure. (2) The positive photosensitive composition according to (1), further comprising (E) a mixed solvent obtained by mixing a solvent containing a hydroxyl group and a solvent not containing a hydroxyl group. (3) The basic compound (C) contains at least one compound having a structure selected from an imidazole structure, a diazabicyclo structure, an onium hydroxide structure, an onium carboxylate structure, and an aniline structure (1) or (2). 4. The positive photosensitive composition according to item 1. (4) (F) It further has a group which is decomposed by the action of an acid to increase the solubility in an alkali developer, and has a molecular weight of 3,000.
The positive photosensitive composition according to any one of (1) to (3), comprising the following dissolution inhibiting low molecular weight compound.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】≪(A)酸発生剤≫本発明に用い
られる酸発生剤は、活性光線又は放射線の照射により酸
を発生する、トリアリールスルフォニウム塩を少なくと
も1種及びフェナシルスルフォニウム塩構造を有する化
合物を少なくとも1種を含有する混合物(以下、(A)
成分又は酸発生剤ともいう)である。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (A) Acid Generator The acid generator used in the present invention comprises at least one triarylsulfonium salt which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation and phenacylsulfonate. A mixture containing at least one compound having a sodium salt structure (hereinafter referred to as (A)
Component or acid generator).

【0010】活性光線又は放射線の照射により酸を発生
するトリアリールスルホニム塩とは、トリアリールスル
ホニウムをカチオンとする塩である。トリアリールスル
ホニウムカチオンのアリール基としてはフェニル基、ナ
フチル基が好ましく、更に好ましくはフェニル基であ
る。トリアリールスルホニムカチオンが有する3つのア
リール基は同一であっても異なっていてもよい。各アリ
ール基は、アルキル基(例えば炭素数1〜15)、アル
コキシ基(例えば炭素数1〜15)、ハロゲン原子、水
酸基、フェニルチオ基を置換基として有してもよい。好
ましい置換基としては炭素数4以上のアルキル基、炭素
数4以上のアルコキシ基であり、最も好ましくはt−ブ
チル基、炭素数1〜4のアルコキシ基である。置換基は
3つのアリール基のうちのいずれか1つに置換していて
もよいし、3つ全てに置換していてもよい。また置換基
はアリール基のp−位に置換していることが好ましい。
トリアリールスルホニウム塩のアニオンとしてはスルホ
ン酸アニオンであり、好ましくは1位がフッ素原子によ
って置換されたアルカンスルホン酸アニオン、電子吸引
性基で置換されたベンゼンスルホン酸であり、さらに好
ましくは炭素数1〜8のパーフロロアルカンスルホン酸
アニオンであり、最も好ましくはパーフロロブタンスル
ホン酸アニオン、パーフロロオクタンスルホン酸アニオ
ンである。これら用いることにより酸分解性基の分解速
度が向上し、感度が優れ、また発生酸の拡散性が制御さ
れ解像力が向上する。トリアリールスルホニウム構造
は、−S−等の連結基により他のトリアリールスルホニ
ウム構造と結合し複数のトリアリールスルホニウム構造
を有してもよい。電子吸引性基としては、フッ素原子、
塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシ
カルボニル基、アシロキシ基、アシル基等を挙げること
ができる。以下に、本発明で使用できるトリアリールス
ルホニウム塩の具体例を示すが、本発明はこれらに限定
されるものではない。
The triarylsulfonium salt which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation is a salt having triarylsulfonium as a cation. The aryl group of the triarylsulfonium cation is preferably a phenyl group or a naphthyl group, and more preferably a phenyl group. The three aryl groups of the triarylsulfonium cation may be the same or different. Each aryl group may have an alkyl group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), an alkoxy group (for example, having 1 to 15 carbon atoms), a halogen atom, a hydroxyl group, or a phenylthio group as a substituent. Preferred substituents are an alkyl group having 4 or more carbon atoms and an alkoxy group having 4 or more carbon atoms, and most preferred are a t-butyl group and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. The substituent may be substituted on any one of the three aryl groups, or may be substituted on all three. The substituent is preferably substituted at the p-position of the aryl group.
The anion of the triarylsulfonium salt is a sulfonic acid anion, preferably an alkanesulfonic acid anion substituted at the 1-position with a fluorine atom, or a benzenesulfonic acid substituted with an electron-withdrawing group, and more preferably a benzenesulfonic acid. To 8 perfluoroalkanesulfonic acid anions, most preferably perfluorobutanesulfonic acid anion and perfluorooctanesulfonic acid anion. By using these, the decomposition rate of the acid-decomposable group is improved, the sensitivity is excellent, and the diffusivity of the generated acid is controlled to improve the resolving power. The triarylsulfonium structure may have a plurality of triarylsulfonium structures linked to another triarylsulfonium structure via a linking group such as -S-. As the electron-withdrawing group, a fluorine atom,
Examples include a chlorine atom, a bromine atom, a nitro group, a cyano group, an alkoxycarbonyl group, an acyloxy group, and an acyl group. Hereinafter, specific examples of the triarylsulfonium salt that can be used in the present invention are shown, but the present invention is not limited thereto.

【0011】[0011]

【化1】 Embedded image

【0012】[0012]

【化2】 Embedded image

【0013】活性光線又は放射線の照射により酸を発生
する、フェナシルスルフォニウム塩構造を有する化合物
とは、例えば、以下の一般式(III)で表される化合物
を挙げることができる。
The compound having a phenacylsulfonium salt structure capable of generating an acid upon irradiation with actinic rays or radiation includes, for example, a compound represented by the following general formula (III).

【0014】[0014]

【化3】 Embedded image

【0015】R1c〜R5cは、各々独立に、水素原子、ア
ルキル基、アルコキシ基、又はハロゲン原子を表す。R
6c及びR7cは、各々独立に、水素原子、アルキル基、又
はアリール基を表す。Rx及びRyは、各々独立に、アル
キル基、2−オキソアルキル基、アルコキシカルボニル
メチル基、アリル基、又はビニル基を表す。R1c〜R7c
中のいずれか2つ以上、及びRxとRyは、それぞれ結合
して環構造を形成しても良く、この環構造は、酸素原
子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合を含んでいて
もよい。X-は、スルホン酸、カルボン酸、又はスルホ
ニルイミドのアニオンを表す。
R 1c to R 5c each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, or a halogen atom. R
6c and R 7c each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or an aryl group. Rx and Ry each independently represent an alkyl group, a 2-oxoalkyl group, an alkoxycarbonylmethyl group, an allyl group, or a vinyl group. R 1c to R 7c
Any two or more of them and Rx and Ry may be bonded to each other to form a ring structure, and this ring structure may include an oxygen atom, a sulfur atom, an ester bond, and an amide bond. X - represents a sulfonic acid, carboxylic acid, or sulfonyl imide anions.

【0016】R1c〜R5cとしてのアルキル基は、直鎖、
分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数1〜
10のアルキル基、好ましくは、炭素数1〜5の直鎖及
び分岐アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、直鎖
又は分岐プロピル基、直鎖又は分岐ブチル基、直鎖又は
分岐ペンチル基)、炭素数3〜8の環状アルキル基(例
えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基)を挙げる
ことができる。R1c〜R5cとしてのアルコキシ基は、直
鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば炭素数
1〜10のアルコキシ基、好ましくは、炭素数1〜5の
直鎖及び分岐アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エト
キシ基、直鎖又は分岐プロポキシ基、直鎖又は分岐ブト
キシ基、直鎖又は分岐ペントキシ基)、炭素数3〜8の
環状アルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、
シクロヘキシルオキシ基)を挙げることができる。好ま
しくはR1c〜R5cのうちいずれかが直鎖、分岐、環状ア
ルキル基、又は直鎖、分岐、環状アルコキシ基であり、
更に好ましくはR1cからR5cの炭素数の和が2〜15で
ある。これにより、より溶剤溶解性が向上し、保存時に
パーティクルの発生が抑制される。
The alkyl group as R 1c to R 5c is a straight-chain,
It may be branched or cyclic, for example, having 1 to 1 carbon atoms.
10 alkyl groups, preferably linear and branched alkyl groups having 1 to 5 carbon atoms (eg, methyl, ethyl, linear or branched propyl, linear or branched butyl, linear or branched pentyl) And a cyclic alkyl group having 3 to 8 carbon atoms (e.g., cyclopentyl group, cyclohexyl group). The alkoxy group as R 1c to R 5c may be linear, branched or cyclic, and may be, for example, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, preferably a linear or branched alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms. (E.g., a methoxy group, an ethoxy group, a linear or branched propoxy group, a linear or branched butoxy group, a linear or branched pentoxy group), a cyclic alkoxy group having 3 to 8 carbon atoms (e.g., a cyclopentyloxy group,
Cyclohexyloxy group). Preferably, any one of R 1c to R 5c is a linear, branched, or cyclic alkyl group, or a linear, branched, or cyclic alkoxy group,
More preferably, the sum of the carbon numbers of R 1c to R 5c is 2 to 15. Thereby, the solvent solubility is further improved, and the generation of particles during storage is suppressed.

【0017】R6c及びR7cとしてアルキル基について
は、R1c〜R5cとしてのアルキル基と同様のものを挙げ
ることができる。アリール基としては、例えば、炭素数
6〜14のアリール基(例えば、フェニル基)を挙げる
ことができる。Rx及びRyとしてのアルキル基は、R1c
〜R5cとしてのアルキル基と同様のものを挙げることが
できる。2−オキソアルキル基は、R1c〜R5cとしての
アルキル基の2位に>C=Oを有する基を挙げることが
できる。アルコキシカルボニルメチル基におけるアルコ
キシ基については、R1c〜R5cとしてのアルコキシ基と
同様のものを挙げることができる。Rx及びRyが結合し
て形成する基としては、ブチレン基、ペンチレン基等を
挙げることができる。
As the alkyl group for R 6c and R 7c , the same alkyl groups as R 1c to R 5c can be exemplified. Examples of the aryl group include an aryl group having 6 to 14 carbon atoms (for example, a phenyl group). The alkyl group as Rx and Ry is represented by R 1c
It can be the same as those of the alkyl group as to R 5c. 2-oxoalkyl group include a group having> C = O at the 2-position of the alkyl group as R 1c to R 5c. As the alkoxy group in the alkoxycarbonylmethyl group, those similar to the alkoxy groups for R 1c to R 5c can be exemplified. Examples of the group formed by combining Rx and Ry include a butylene group and a pentylene group.

【0018】式(III)の化合物は、環を形成することに
より立体構造が固定され、光分解能が向上する。R1c
7c中のいずれか2つが結合して環構造を形成する場合
については、R1c〜R5cのいずれか1つとR6c及びR7c
のいずれか1つが結合して単結合または連結基となり、
環を形成する場合が好ましく、特にR5cとR6c又はR 7c
が結合して単結合または連結基となり環を形成する場合
が好ましい。連結基としては、置換基を有していてもよ
いアルキレン基、置換基を有していてもよいアルケニレ
ン基、−O−、−S−、−CO−、−CONR−(Rは
水素原子、アルキル基、アシル基である)、及びこれら
を2つ以上組み合わせてなる基を挙げることができ、更
に、置換基を有していてもよい、アルキレン基、酸素原
子を含むアルキレン基、硫黄原子を含むアルキレン基が
好ましい。置換基としては、アルキル基(好ましくは炭
素数1〜5)、アリール基(好ましくは炭素数6〜1
0、例えばフェニル基)、アシル基(例えば、炭素数2
〜11)などを挙げることができる。また、メチレン
基、エチレン基、プロピレン基、−CH2−O−、−C
2−S−のように5〜7員環を形成する連結基が好ま
しく、エチレン基、−CH2−O−、−CH2−S−など
のように6員環を形成する連結基が特に好ましい。6員
環を形成することによりカルボニル平面とC−S+シグ
マ結合がより垂直に近くなり、軌道相互作用により光分
解能が向上する。また、R1c〜R7c及びRxとRyのいず
れかの位置で、単結合または連結基を介して結合し、式
(III)の構造を2つ以上有する化合物であってもよ
い。
The compound of the formula (III) forms a ring
The three-dimensional structure is more fixed, and the optical resolution is improved. R1c~
R7cWhen any two of the above combine to form a ring structure
For R1c~ R5cAny one of and R6cAnd R7c
Is bonded to form a single bond or a linking group,
Preferably, a ring is formed, and in particular, R5cAnd R6cOr R 7c
Is bonded to form a single bond or a linking group to form a ring
Is preferred. The linking group may have a substituent
Alkylene group and alkenylene which may have a substituent
Group, -O-, -S-, -CO-, -CONR- (R is
A hydrogen atom, an alkyl group, an acyl group), and these
And a group formed by combining two or more of
An optionally substituted alkylene group, an oxygen atom
An alkylene group containing a child or an alkylene group containing a sulfur atom
preferable. As the substituent, an alkyl group (preferably a carbon
An aryl group (preferably having 6 to 1 carbon atoms)
0, for example, a phenyl group), an acyl group (for example, having 2 carbon atoms)
To 11). Also, methylene
Group, ethylene group, propylene group, -CHTwo-O-, -C
HTwoA linking group forming a 5- to 7-membered ring such as -S- is preferred.
, Ethylene group, -CHTwo-O-, -CHTwo-S- etc.
A linking group forming a 6-membered ring as described above is particularly preferred. 6 members
By forming a ring, the carbonyl plane and the C--S + signal
Coupling becomes more vertical, and the orbital interaction
The resolution is improved. Also, R1c~ R7cAnd either Rx or Ry
At any position, linked via a single bond or a linking group,
It may be a compound having two or more structures of (III).
No.

【0019】X-は、好ましくはスルホン酸アニオンで
あり、より好ましくは1位がフッ素原子によって置換さ
れたアルカンスルホン酸アニオン、又は電子吸引性基で
置換されたベンゼンスルホン酸である。アルカンスルホ
ン酸アニオンのアルカン部分は、アルコキシ基(例えば
炭素数1〜8)、パーフルオロアルコキシ基(例えば炭
素数1〜8)等の置換基で置換されていてもよい。ま
た、電子吸引性基としては、フッ素原子、塩素原子、臭
素原子、ニトロ基、シアノ基、アルコキシカルボニル
基、アシロキシ基、アシル基等を挙げることができる。
-は、さらに好ましくは炭素数1〜8のパーフロロア
ルカンスルホン酸アニオンであり、特に好ましくはパー
フロロオクタンスルホン酸アニオン、最も好ましくはパ
ーフロロブタンスルホン酸アニオン、トリフロロメタン
スルホン酸アニオンである。これら用いることにより酸
分解性基の分解速度が向上し、感度が優れ、また発生酸
の拡散性が制御され解像力が向上する。以下に、本発明
で使用できるフェナシルスルフォニウム塩構造を有する
化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定される
ものではない。
X - is preferably a sulfonic acid anion, more preferably an alkanesulfonic acid anion substituted at the 1-position with a fluorine atom, or benzenesulfonic acid substituted with an electron-withdrawing group. The alkane portion of the alkanesulfonic acid anion may be substituted with a substituent such as an alkoxy group (for example, having 1 to 8 carbon atoms) or a perfluoroalkoxy group (for example, having 1 to 8 carbon atoms). Examples of the electron-withdrawing group include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, a nitro group, a cyano group, an alkoxycarbonyl group, an acyloxy group, and an acyl group.
X is more preferably a perfluoroalkanesulfonic acid anion having 1 to 8 carbon atoms, particularly preferably a perfluorooctanesulfonic acid anion, most preferably a perfluorobutanesulfonic acid anion or a trifluoromethanesulfonic acid anion. . By using these, the decomposition rate of the acid-decomposable group is improved, the sensitivity is excellent, and the diffusivity of the generated acid is controlled to improve the resolving power. Hereinafter, specific examples of the compound having a phenacylsulfonium salt structure that can be used in the present invention are shown, but the present invention is not limited thereto.

【0020】[0020]

【化4】 Embedded image

【0021】[0021]

【化5】 Embedded image

【0022】[0022]

【化6】 Embedded image

【0023】[0023]

【化7】 Embedded image

【0024】[0024]

【化8】 Embedded image

【0025】[0025]

【化9】 Embedded image

【0026】本発明の組成物は、上記のトリアリールス
ルホニウム塩及びフェナシルスルホニウム塩を含有する
が、以下の条件を満足することが好ましい。 (1)トリアリールスルホニウム塩を組成物中の全固形
分に対して0.4〜4重量%、好ましくは0.8〜3.
5重量%、更に好ましくは1〜3重量%含有する。 (2)フェナシルスルホニウム塩を組成物中の全固形分
に対して1重量%以上、好ましくは2〜12重量%、更
に好ましくは3〜8重量%含有する。 (3)2種の酸発生剤の総添加量が組成物中の全固形分
に対して1.1重量%以上、好ましくは1.5〜12重
量%、更に好ましくは3〜10重量%含有する。(1)
から(3)の条件を1つ以上満たしていることが好まし
く、更に好ましくは(1)から(3)の条件を2つ以
上、最も好ましくは(1)から(3)の条件全て満たし
ていることが好ましい。これらの条件のいずれも満たし
ていないと酸発生量が少なくなってしまい感度が低下す
る傾向にある。サイドローブマージンの点から、トリア
リールスルホニウム塩とフェナシルスルホニウム塩との
比率(重量比)は、好ましくは20/80〜80/2
0、更に好ましくは25/75〜75/25、特に好ま
しくは30/70〜70/30である。
The composition of the present invention contains the above triarylsulfonium salt and phenacylsulfonium salt, and preferably satisfies the following conditions. (1) 0.4 to 4% by weight, preferably 0.8 to 3% by weight of the triarylsulfonium salt based on the total solid content in the composition.
The content is 5% by weight, more preferably 1 to 3% by weight. (2) The composition contains a phenacylsulfonium salt in an amount of 1% by weight or more, preferably 2 to 12% by weight, more preferably 3 to 8% by weight based on the total solids in the composition. (3) The total amount of the two acid generators is at least 1.1% by weight, preferably 1.5 to 12% by weight, more preferably 3 to 10% by weight, based on the total solids in the composition. I do. (1)
It is preferable that one or more conditions of (1) to (3) are satisfied, more preferably, two or more conditions of (1) to (3) are satisfied, and most preferably all of the conditions of (1) to (3) are satisfied. Is preferred. If none of these conditions is satisfied, the amount of generated acid tends to be small, and the sensitivity tends to decrease. From the viewpoint of side lobe margin, the ratio (weight ratio) of the triarylsulfonium salt to the phenacylsulfonium salt is preferably from 20/80 to 80/2.
0, more preferably 25/75 to 75/25, particularly preferably 30/70 to 70/30.

【0027】(A)成分以外の併用しうる酸発生化合物 本発明においては、混合物としての成分(A)以外に、
活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生する
化合物を併用してもよい。本発明の成分(A)と併用し
うる光酸発生剤の使用量は、モル比(成分(a)/その
他の酸発生剤)で、通常100/0〜20/80、好ま
しくは100/0〜40/60、更に好ましくは100
/0〜50/50である。そのような併用可能な光酸発
生剤としては、光カチオン重合の光開始剤、光ラジカル
重合の光開始剤、色素類の光消色剤、光変色剤、あるい
はマイクロレジスト等に使用されている活性光線又は放
射線の照射により酸を発生する公知の化合物及びそれら
の混合物を適宜に選択して使用することができる。
Acid-generating compound which can be used in combination other than component (A) In the present invention, in addition to component (A) as a mixture,
A compound which decomposes upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid may be used in combination. The amount of the photoacid generator that can be used in combination with the component (A) of the present invention is usually 100/0 to 20/80, preferably 100/0, in molar ratio (component (a) / other acid generator). ~ 40/60, more preferably 100
/ 0 to 50/50. Such photoacid generators that can be used together are used in photoinitiators for photocationic polymerization, photoinitiators for photoradical polymerization, photodecolorants for dyes, photochromic agents, or microresists. Known compounds that generate an acid upon irradiation with actinic rays or radiation and mixtures thereof can be appropriately selected and used.

【0028】たとえば、ジアゾニウム塩、アンモニウム
塩、ホスホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム
塩、セレノニウム塩、アルソニウム塩等のオニウム塩、
有機ハロゲン化合物、有機金属/有機ハロゲン化物、o
−ニトロベンジル型保護基を有する光酸発生剤、イミノ
スルフォネ−ト等に代表される光分解してスルホン酸を
発生する化合物、ジスルホン化合物を挙げることができ
る。
For example, onium salts such as diazonium salts, ammonium salts, phosphonium salts, iodonium salts, sulfonium salts, selenonium salts and arsonium salts;
Organic halogen compound, organic metal / organic halide, o
-Photoacid generators having a nitrobenzyl-type protecting group, compounds that generate sulfonic acid upon photolysis, such as iminosulfonate, and disulfone compounds.

【0029】また、これらの活性光線又は放射線の照射
により酸を発生する基、あるいは化合物をポリマーの主
鎖又は側鎖に導入した化合物、たとえば、米国特許第3,
849,137号、独国特許第3914407号、特開昭63-26653号、
特開昭55-164824号、特開昭62-69263号、特開昭63-1460
38 号、特開昭63-163452 号、特開昭62-153853号、特開
昭63-146029号等に記載の化合物を用いることができ
る。
Further, compounds in which a group or a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation is introduced into a main chain or a side chain of a polymer, for example, US Pat.
No. 849,137, German Patent No. 3914407, JP-A-63-26653,
JP-A-55-164824, JP-A-62-69263, JP-A-63-1460
Compounds described in JP-A-38-163452, JP-A-63-163452, JP-A-62-153853, JP-A-63-146029 and the like can be used.

【0030】さらに米国特許第3,779,778号、欧州特許
第126,712号等に記載の光により酸を発生する化合物も
使用することができる。
Further, compounds capable of generating an acid by light described in US Pat. No. 3,779,778 and European Patent No. 126,712 can also be used.

【0031】上記併用可能な活性光線又は放射線の照射
により分解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に
用いられるものについて以下に説明する。 (1)トリハロメチル基が置換した下記一般式(PAG
1)で表されるオキサゾール誘導体又は一般式(PAG
2)で表されるS−トリアジン誘導体。
Among the compounds which can be used together and decompose upon irradiation with actinic rays or radiation to generate an acid, those which are particularly effectively used are described below. (1) The following general formula (PAG) substituted with a trihalomethyl group
The oxazole derivative represented by 1) or the general formula (PAG)
An S-triazine derivative represented by 2).

【0032】[0032]

【化10】 Embedded image

【0033】式中、R201は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、R202は置換もしくは未置換の
アリール基、アルケニル基、アルキル基、−C(Y)3
をしめす。Yは塩素原子又は臭素原子を示す。具体的に
は以下の化合物を挙げることができるがこれらに限定さ
れるものではない。
In the formula, R 201 is a substituted or unsubstituted aryl group or alkenyl group, and R 202 is a substituted or unsubstituted aryl group, alkenyl group, alkyl group, —C (Y) 3
Show Y represents a chlorine atom or a bromine atom. Specific examples include the following compounds, but the present invention is not limited thereto.

【0034】[0034]

【化11】 Embedded image

【0035】[0035]

【化12】 Embedded image

【0036】(2)下記の一般式(PAG3)で表され
るヨードニウム塩、又は一般式(PAG4)で表される
スルホニウム塩。
(2) An iodonium salt represented by the following formula (PAG3) or a sulfonium salt represented by the following formula (PAG4).

【0037】[0037]

【化13】 Embedded image

【0038】ここで式Ar1、Ar2は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基とし
ては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基及びハロゲン原子が挙げられる。
Here, the formulas Ar 1 and Ar 2 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. Preferred substituents include an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an alkoxy group, a nitro group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a hydroxy group, a mercapto group, and a halogen atom.

【0039】R203、R204、R205は各々独立に、置換
もしくは未置換のアルキル基、アリール基を示す。但
し、少なくともひとつは置換もしくは未置換のアルキル
基であり、かつ少なくともひとつは置換もしくは未置換
のアリール基である。例えば、アリール基としては、炭
素数6〜14のアリール基、アルキル基としては、炭素
数1〜8のアルキル基を挙げることができる。好ましい
置換基としては、アリール基に対しては炭素数1〜8の
アルコキシ基、炭素数1〜8のアルキル基、ニトロ基、
カルボキシル基、ヒロドキシ基及びハロゲン原子であ
り、アルキル基に対しては炭素数1〜8のアルコキシ
基、カルボキシル基、アルコシキカルボニル基である。
R 203 , R 204 and R 205 each independently represent a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. However, at least one is a substituted or unsubstituted alkyl group, and at least one is a substituted or unsubstituted aryl group. For example, the aryl group includes an aryl group having 6 to 14 carbon atoms, and the alkyl group includes an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms. Preferred substituents include an aryl group, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, a nitro group,
A carboxyl group, a hydroxy group and a halogen atom, and an alkyl group is an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, a carboxyl group and an alkoxycarbonyl group.

【0040】Z-は対アニオンを示し、例えばBF4 -
AsF6 -、PF6 -、SbF6 -、SiF6 2-、ClO4 -
CF3SO3 -等のパーフルオロアルカンスルホン酸アニ
オン、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸アニオン、ナ
フタレン−1−スルホン酸アニオン等の縮合多核芳香族
スルホン酸アニオン、アントラキノンスルホン酸アニオ
ン、スルホン酸基含有染料等を挙げることができるがこ
れらに限定されるものではない。
[0040] Z - represents a counter anion, for example BF 4 -,
AsF 6 -, PF 6 -, SbF 6 -, SiF 6 2-, ClO 4 -,
CF 3 SO 3 -, etc. perfluoroalkane sulfonate anion, pentafluorobenzenesulfonic acid anion, condensed polynuclear aromatic sulfonic acid anion such as naphthalene-1-sulfonic acid anion, anthraquinone sulfonic acid anion, a sulfonic acid group-containing dyes Examples include, but are not limited to:

【0041】またR203、R204、R205のうちの2つ及
びAr1、Ar2はそれぞれの単結合又は置換基を介して
結合してもよい。
Further, two of R 203 , R 204 and R 205 and Ar 1 and Ar 2 may be bonded through a single bond or a substituent.

【0042】具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.

【0043】[0043]

【化14】 Embedded image

【0044】[0044]

【化15】 Embedded image

【0045】[0045]

【化16】 Embedded image

【0046】[0046]

【化17】 Embedded image

【0047】[0047]

【化18】 Embedded image

【0048】[0048]

【化19】 Embedded image

【0049】[0049]

【化20】 Embedded image

【0050】[0050]

【化21】 Embedded image

【0051】一般式(PAG3)、(PAG4)で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、例えば米国特許第2,
807,648 号及び同4,247,473号、特開昭53-101,331号等
に記載の方法により合成することができる。
The above onium salts represented by the general formulas (PAG3) and (PAG4) are known, and are described, for example, in US Pat.
It can be synthesized by the methods described in 807,648 and 4,247,473, JP-A-53-101,331 and the like.

【0052】(3)下記一般式(PAG5)で表される
ジスルホン誘導体又は一般式(PAG6)で表されるイ
ミノスルホネート誘導体。
(3) Disulfone derivatives represented by the following general formula (PAG5) or iminosulfonate derivatives represented by the following general formula (PAG6).

【0053】[0053]

【化22】 Embedded image

【0054】式中、Ar3、Ar4は各々独立に置換もし
くは未置換のアリール基を示す。R206は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Aは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。
In the formula, Ar 3 and Ar 4 each independently represent a substituted or unsubstituted aryl group. R 206 represents a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group. A represents a substituted or unsubstituted alkylene group, alkenylene group, or arylene group. Specific examples include the following compounds, but are not limited thereto.

【0055】[0055]

【化23】 Embedded image

【0056】[0056]

【化24】 Embedded image

【0057】[0057]

【化25】 Embedded image

【0058】[0058]

【化26】 Embedded image

【0059】[0059]

【化27】 Embedded image

【0060】(4)下記一般式(PAG7)で表される
ジアゾジスルホン誘導体。
(4) A diazodisulfone derivative represented by the following general formula (PAG7).

【0061】[0061]

【化28】 Embedded image

【0062】ここでRは、直鎖状、分岐状又は環状アル
キル基、あるいは置換していてもよいアリール基を表
す。具体例としては以下に示す化合物が挙げられるが、
これらに限定されるものではない。
Here, R represents a linear, branched or cyclic alkyl group or an optionally substituted aryl group. Specific examples include the following compounds,
It is not limited to these.

【0063】[0063]

【化29】 Embedded image

【0064】本発明における、特に好ましい併用酸発生
剤としては、次のものを挙げることができる。
Particularly preferred combined acid generators in the present invention include the following.

【0065】[0065]

【化30】 Embedded image

【0066】≪(B)酸の作用によりアルカリ現像液に
対する溶解速度が増加する樹脂(「酸分解性樹脂」とも
いう)≫
{(B) Resin whose dissolution rate in an alkaline developer is increased by the action of an acid (also referred to as "acid-decomposable resin")}

【0067】本発明の(B)酸分解性樹脂としては、単
環又は多環の脂環炭化水素構造を有し、酸の作用により
アルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂であれ
ば、何れでもよいが、一般式(pI)〜一般式(pVI)
で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する繰り
返し単位及び一般式(II-AB)で示される繰り返し単位
の群から選択される少なくとも1種を含有する樹脂であ
ることが好ましい。
As the acid-decomposable resin (B) of the present invention, any resin may be used as long as it has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure and the dissolution rate in an alkali developing solution is increased by the action of an acid. Or any of the general formulas (pI) to (pVI)
It is preferable that the resin contains at least one selected from the group consisting of a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by and a repeating unit represented by the general formula (II-AB).

【0068】[0068]

【化31】 Embedded image

【0069】(式中、R11は、メチル基、エチル基、n
−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブ
チル基又はsec−ブチル基を表し、Zは、炭素原子と
ともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を
表す。R12〜R16は、各々独立に、炭素数1〜4個の、
直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を
表し、但し、R12〜R14のうち少なくとも1つ、もしく
はR15、R16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。R
17〜R21は、各々独立に、水素原子、炭素数1〜4個
の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素
基を表し、但し、R17〜R21のうち少なくとも1つは脂
環式炭化水素基を表す。また、R19、R21のいずれかは
炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は
脂環式炭化水素基を表す。R22〜R25は、各々独立に、
炭素数1〜4個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は
脂環式炭化水素基を表し、但し、R22〜R25のうち少な
くとも1つは脂環式炭化水素基を表す。また、R23とR
24は、互いに結合して環を形成していてもよい。)
(Wherein R 11 is a methyl group, an ethyl group, n
-Represents a propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group or sec-butyl group, and Z represents an atomic group necessary for forming an alicyclic hydrocarbon group together with a carbon atom. R 12 to R 16 each independently represent a group having 1 to 4 carbon atoms;
It represents a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group, provided that at least one of R 12 to R 14 , or any of R 15 and R 16 represents an alicyclic hydrocarbon group. R
17 to R 21 each independently represent a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 17 to R 21 Represents an alicyclic hydrocarbon group. Further, either R 19 or R 21 represents a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms. R 22 to R 25 are each independently
It represents a linear or branched alkyl group or an alicyclic hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, provided that at least one of R 22 to R 25 represents an alicyclic hydrocarbon group. Also, R 23 and R
24 may combine with each other to form a ring. )

【0070】[0070]

【化32】 Embedded image

【0071】式(II-AB)中:R11',R12'は、各々独
立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子、又は置換基
を有していてもよいアルキル基を表す。Z'は、結合し
た2つの炭素原子(C−C)を含み、置換基を有してい
てもよい脂環式構造を形成するための原子団を表す。
In the formula (II-AB), R 11 ′ and R 12 ′ each independently represent a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom, or an alkyl group which may have a substituent. Z ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure which may have a substituent and has two bonded carbon atoms (C—C).

【0072】また、上記一般式(II-AB)は、下記一般
式(II−A)又は一般式(II−B)であることが更に好
ましい。
Further, the general formula (II-AB) is more preferably the following general formula (II-A) or general formula (II-B).

【0073】[0073]

【化33】 Embedded image

【0074】式(II−A)、(II−B)中:R13'〜R
16'は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ
基、−COOH、−COOR5、酸の作用により分解す
る基、−C(=O)−X−A'−R17'、又は置換基を有
していてもよいアルキル基あるいは環状炭化水素基を表
す。ここで、R5は、置換基を有していてもよい、アル
キル基、環状炭化水素基又は下記の−Y基を表す。X
は、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NHSO2−又
は−NHSO2NH−を表す。A'は単結合又は2価の連
結基を表す。また、Rl3'〜R16'のうち少なくとも2つ
が結合して環を形成してもよい。nは0又は1を表す。
17'は、−COOH、−COOR5、−CN、水酸基、
置換基を有していてもよいアルコキシ基、−CO−NH
−R6、−CO−NH−SO2−R6又は下記の−Y基を
表す。R6は、置換基を有していてもよい、アルキル基
又は環状炭化水素基を表す。−Y基;
In the formulas (II-A) and (II-B): R 13 ′ to R 13
16 ′ is each independently a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, —COOH, —COOR 5 , a group decomposed by the action of an acid, —C (= O) —XA′-R 17 ′, or substituted Represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a group. Here, R 5 represents an alkyl group, a cyclic hydrocarbon group or the following —Y group which may have a substituent. X
It represents an oxygen atom, a sulfur atom, -NH -, - NHSO 2 - or an -NHSO 2 NH-. A ′ represents a single bond or a divalent linking group. Further, at least two of R 13 ′ to R 16 ′ may combine to form a ring. n represents 0 or 1.
R 17 ′ represents —COOH, —COOR 5 , —CN, a hydroxyl group,
An alkoxy group which may have a substituent, -CO-NH
—R 6 , —CO—NH—SO 2 —R 6 or the following —Y group. R 6 represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. A —Y group;

【0075】[0075]

【化34】 Embedded image

【0076】(−Y基中、R21'〜R30'は、各々独立
に、水素原子又は置換基を有していてもよいアルキル基
を表す。a,bは1又は2を表す。)
(In the —Y group, R 21 ′ to R 30 ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent. A and b represent 1 or 2.)

【0077】一般式(pI)〜(pVI)において、R
12〜R25におけるアルキル基としては、置換もしくは非
置換のいずれであってもよい、1〜4個の炭素原子を有
する直鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。そのアルキ
ル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピ
ル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基等が挙げられる。ま
た、上記アルキル基の更なる置換基としては、炭素数1
〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アシル基、アシロキ
シ基、シアノ基、水酸基、カルボキシ基、アルコキシカ
ルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
In the general formulas (pI) to (pVI), R
The alkyl group for 12 to R 25 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, which may be substituted or unsubstituted. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group,
Examples include a sec-butyl group and a t-butyl group. Further, as a further substituent of the above alkyl group, one having 1 carbon atom
And 4 to 4 alkoxy groups, halogen atoms (fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), acyl group, acyloxy group, cyano group, hydroxyl group, carboxy group, alkoxycarbonyl group, nitro group and the like.

【0078】R11〜R25における脂環式炭化水素基ある
いはZと炭素原子が形成する脂環式炭化水素基として
は、単環式でも、多環式でもよい。具体的には、炭素数
5以上のモノシクロ、ビシクロ、トリシクロ、テトラシ
クロ構造等を有する基を挙げることができる。その炭素
数は6〜30個が好ましく、特に炭素数7〜25個が好
ましい。これらの脂環式炭化水素基は置換基を有してい
てもよい。以下に、脂環式炭化水素基のうち、脂環式部
分の構造例を示す。
The alicyclic hydrocarbon group represented by R 11 to R 25 or the alicyclic hydrocarbon group formed by Z and a carbon atom may be monocyclic or polycyclic. Specific examples include groups having a monocyclo, bicyclo, tricyclo, tetracyclo structure or the like having 5 or more carbon atoms. The number of carbon atoms is preferably from 6 to 30, particularly preferably from 7 to 25. These alicyclic hydrocarbon groups may have a substituent. Below, the structural example of an alicyclic part among alicyclic hydrocarbon groups is shown.

【0079】[0079]

【化35】 Embedded image

【0080】[0080]

【化36】 Embedded image

【0081】[0081]

【化37】 Embedded image

【0082】本発明においては、上記脂環式部分の好ま
しいものとしては、アダマンチル基、ノルアダマンチル
基、デカリン残基、トリシクロデカニル基、テトラシク
ロドデカニル基、ノルボルニル基、セドロール基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、
シクロデカニル基、シクロドデカニル基を挙げることが
できる。より好ましくは、アダマンチル基、デカリン残
基、ノルボルニル基、セドロール基、シクロヘキシル
基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデカ
ニル基、シクロドデカニル基である。
In the present invention, preferred examples of the alicyclic moiety include an adamantyl group, a noradamantyl group, a decalin residue, a tricyclodecanyl group, a tetracyclododecanyl group, a norbornyl group, a cedrol group, and a cyclohexyl group. , Cycloheptyl group, cyclooctyl group,
Examples thereof include a cyclodecanyl group and a cyclododecanyl group. More preferred are an adamantyl group, a decalin residue, a norbornyl group, a cedrol group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group, a cyclodecanyl group, and a cyclododecanyl group.

【0083】これらの脂環式炭化水素基の置換基として
は、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカルボ
ニル基が挙げられる。アルキル基としてはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低
級アルキル基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エ
チル基、プロピル基、イソプロピル基よりなる群から選
択された置換基を表す。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。上記アルコキシ基としてはメトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個
のものを挙げることができる。
Examples of the substituent of these alicyclic hydrocarbon groups include an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group and an alkoxycarbonyl group. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and a butyl group, and more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a substituent selected from the group consisting of an isopropyl group. Represent. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group.

【0084】上記樹脂における一般式(pI)〜(pV
I)で示される構造は、アルカリ可溶性基の保護に使用
することができる。アルカリ可溶性基としては、この技
術分野において公知の種々の基が挙げられる。具体的に
は、カルボン酸基、スルホン酸基、フェノール基、チオ
ール基などが挙げられ、好ましくはカルボン酸基、スル
ホン酸基である。上記樹脂における一般式(pI)〜
(pVI)で示される構造で保護されたアルカリ可溶性
基としては、好ましくは下記一般式(pVII)〜(p
XI)で表される基が挙げられる。
The above resins represented by the general formulas (pI) to (pV)
The structure represented by I) can be used for protecting an alkali-soluble group. Examples of the alkali-soluble group include various groups known in this technical field. Specific examples include a carboxylic acid group, a sulfonic acid group, a phenol group, and a thiol group, and a carboxylic acid group and a sulfonic acid group are preferable. General formula (pI) to above resin
The alkali-soluble group protected by the structure represented by (pVI) is preferably the following general formulas (pVII) to (pVII).
XI).

【0085】[0085]

【化38】 Embedded image

【0086】ここで、R11〜R25ならびにZは、それぞ
れ前記定義に同じである。上記樹脂において、一般式
(pI)〜(pVI)で示される構造で保護されたアル
カリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、下記一般
式(pA)で示される繰り返し単位が好ましい。
Here, R 11 to R 25 and Z are the same as defined above. In the above resin, as the repeating unit having an alkali-soluble group protected by the structure represented by any of formulas (pI) to (pVI), a repeating unit represented by the following formula (pA) is preferable.

【0087】[0087]

【化39】 Embedded image

【0088】ここで、Rは、水素原子、ハロゲン原子又
は1〜4個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直
鎖もしくは分岐のアルキル基を表す。複数のRは、各々
同じでも異なっていてもよい。Aは、単結合、アルキレ
ン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル
基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォン
アミド基、ウレタン基、又はウレア基よりなる群から選
択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表
す。Raは、上記式(pI)〜(pVI)のいずれかの基
を表す。
Here, R represents a hydrogen atom, a halogen atom or a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. A plurality of Rs may be the same or different. A is singly or two or more selected from the group consisting of a single bond, an alkylene group, a substituted alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group, and a urea group. Represents a combination of groups. Ra represents any one of the above formulas (pI) to (pVI).

【0089】以下、一般式(pA)で示される繰り返し
単位に相当するモノマーの具体例を示す。
Hereinafter, specific examples of the monomer corresponding to the repeating unit represented by formula (pA) will be shown.

【0090】[0090]

【化40】 Embedded image

【0091】[0091]

【化41】 Embedded image

【0092】[0092]

【化42】 Embedded image

【0093】[0093]

【化43】 Embedded image

【0094】[0094]

【化44】 Embedded image

【0095】[0095]

【化45】 Embedded image

【0096】上記一般式(II-AB)において、R11'、R
12'は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原
子、又は置換基を有していてもよいアルキル基を表す。
Z'は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、置
換基を有していてもよい脂環式構造を形成するための原
子団を表す。
In the general formula (II-AB), R 11 ′ and R 11
12 ′ each independently represents a hydrogen atom, a cyano group, a halogen atom, or an alkyl group which may have a substituent.
Z ′ represents an atomic group for forming an alicyclic structure which may have a substituent and has two bonded carbon atoms (C—C).

【0097】上記R11'、R12'におけるハロゲン原子と
しては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等
を挙げることができる。上記R11'、R12'、R21'〜R
30'におけるアルキル基としては、炭素数1〜10個の
直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、より好ま
しくは炭素数1〜6個の直鎖状あるいは分岐状アルキル
基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、
sec−ブチル基、t−ブチル基である。
Examples of the halogen atom for R 11 ′ and R 12 ′ include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom and an iodine atom. R 11 ′, R 12 ′, R 21 ′ to R
As the alkyl group at 30 ′, a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms is more preferable, and still more preferable. Methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group,
They are a sec-butyl group and a t-butyl group.

【0098】上記のアルキル基における更なる置換基と
しては、水酸基、ハロゲン原子、カルボキシル基、アル
コキシ基、アシル基、シアノ基、アシルオキシ基等を挙
げることができる。ハロゲン原子としては塩素原子、臭
素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができ、
アルコキシ基としてはメトキシ基、エトキシ基、プロポ
キシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げる
ことができ、アシル基としてはホルミル基、アセチル基
等を挙げることができ、アシルオキシ基としてはアセト
キシ基等を挙げることができる。
Further substituents in the above alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxy group, an acyl group, a cyano group, an acyloxy group and the like. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, an iodine atom,
Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the acyl group include a formyl group and an acetyl group. Is an acetoxy group.

【0099】上記Z'の脂環式構造を形成するための原
子団は、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素の繰
り返し単位を樹脂に形成する原子団であり、中でも有橋
式の脂環式炭化水素の繰り返し単位を形成する有橋式脂
環式構造を形成するための原子団が好ましい。形成され
る脂環式炭化水素の骨格としては、下記構造で示すもの
等が挙げられる。
The atomic group for forming the alicyclic structure of Z ′ is an atomic group for forming a repeating unit of an alicyclic hydrocarbon which may have a substituent on the resin. An atomic group for forming a bridged alicyclic structure forming a repeating unit of the alicyclic hydrocarbon of the formula is preferred. Examples of the skeleton of the formed alicyclic hydrocarbon include those represented by the following structures.

【0100】[0100]

【化46】 Embedded image

【0101】[0101]

【化47】 Embedded image

【0102】好ましい有橋式の脂環式炭化水素の骨格と
しては、上記構造のうち、(5)、(6)、(7)、
(9)、(10)、(13)、(14)、(15)、
(23)、(28)、(36)、(37)、(42)、
(47)が挙げられる。
Preferable bridged alicyclic hydrocarbon skeletons include (5), (6), (7),
(9), (10), (13), (14), (15),
(23), (28), (36), (37), (42),
(47).

【0103】上記脂環式炭化水素の骨格には置換基を有
していてもよい。そのような置換基としては、上記一般
式(II−A)あるいは(II−B)中のR13'〜R16'を挙
げることができる。上記有橋式の脂環式炭化水素を有す
る繰り返し単位の中でも、上記一般式(II−A)あるい
は(II−B)で表される繰り返し単位が更に好ましい。
The alicyclic hydrocarbon skeleton may have a substituent. Examples of such a substituent include R 13 ′ to R 16 ′ in the above formula (II-A) or (II-B). Among the repeating units having a bridged alicyclic hydrocarbon, a repeating unit represented by the above general formula (II-A) or (II-B) is more preferable.

【0104】上記一般式(II−A)あるいは(II−B)
において、R13'〜R16'は、各々独立に、水素原子、ハ
ロゲン原子、シアノ基、−COOH、−COOR5 、酸
の作用により分解する基、−C(=O)−X−A'−R
17'、又は置換基を有していてもよいアルキル基あるい
は環状炭化水素基を表す。R5は、置換基を有していて
もよい、アルキル基、環状炭化水素基又は前記の−Y基
を表す。Xは、酸素原子、硫黄原子、−NH−、−NH
SO2−又は−NHSO2NH−を表す。A'は、単結合
または2価の連結基を表す。また、Rl3'〜R16'のうち
少なくとも2つが結合して環を形成してもよい。nは0
又は1を表す。R17'は、−COOH、−COOR5
−CN、水酸基、置換基を有していてもよいアルコキシ
基、−CO−NH−R6 、−CO−NH−SO2 −R6
又は下記の−Y基を表す。R6は、置換基を有していて
もよい、アルキル基又は環状炭化水素基を表す。前記−
Y基において、R21'〜R30'は、各々独立に、水素原子
又は置換基を有していてもよいアルキル基を表し、a、
bは1又は2を表す。
Formula (II-A) or (II-B)
In the formula, R 13 ′ to R 16 ′ each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, —COOH, —COOR 5 , a group decomposed by the action of an acid, —C ((O) —XA ′. -R
17 ′ represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. R 5 represents an alkyl group, a cyclic hydrocarbon group or the above-mentioned —Y group which may have a substituent. X is an oxygen atom, a sulfur atom, -NH-, -NH
Represents SO 2 — or —NHSO 2 NH—. A ′ represents a single bond or a divalent linking group. Further, at least two of R 13 ′ to R 16 ′ may combine to form a ring. n is 0
Or represents 1. R 17 ′ represents —COOH, —COOR 5 ,
—CN, a hydroxyl group, an optionally substituted alkoxy group, —CO—NH—R 6 , —CO—NH—SO 2 —R 6
Or represents the following -Y group. R 6 represents an alkyl group or a cyclic hydrocarbon group which may have a substituent. The-
In the Y group, R 21 ′ to R 30 ′ each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent;
b represents 1 or 2.

【0105】本発明に係わる樹脂において、酸分解性基
は、上記−C(=O)−X−A'−R17'に含まれてもよ
いし、一般式(II-AB)のZ'の置換基として含まれても
よい。酸分解性基の構造としては、−C(=O)−X1
−R0 で表される。式中、R0 としては、t−ブチル
基、t−アミル基等の3級アルキル基、イソボロニル
基、1−エトキシエチル基、1−ブトキシエチル基、1
−イソブトキシエチル基、1−シクロヘキシロキシエチ
ル基等の1−アルコキシエチル基、1−メトキシメチル
基、1−エトキシメチル基等のアルコキシメチル基、3
−オキソアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラ
ヒドロフラニル基、トリアルキルシリルエステル基、3
−オキソシクロヘキシルエステル基、2−メチル−2−
アダマンチル基、メバロニックラクトン残基等を挙げる
ことができる。X1は、上記Xと同義である。
In the resin according to the present invention, the acid-decomposable group may be contained in the above-mentioned —C (= O) —XA′-R 17 ′ or Z ′ in the general formula (II-AB) May be included as a substituent. The structure of the acid-decomposable group is -C (= O) -X 1
-R 0 . In the formula, R 0 represents a tertiary alkyl group such as a t-butyl group, a t-amyl group, an isobornyl group, a 1-ethoxyethyl group, a 1-butoxyethyl group,
1-alkoxyethyl groups such as isobutoxyethyl group and 1-cyclohexyloxyethyl group, alkoxymethyl groups such as 1-methoxymethyl group and 1-ethoxymethyl group, 3
-Oxoalkyl group, tetrahydropyranyl group, tetrahydrofuranyl group, trialkylsilyl ester group, 3
-Oxocyclohexyl ester group, 2-methyl-2-
An adamantyl group, a mevalonic lactone residue and the like can be mentioned. X 1 has the same meaning as X described above.

【0106】上記R13'〜R16'におけるハロゲン原子と
しては、塩素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等
を挙げることができる。
Examples of the halogen atom in R 13 ′ to R 16 ′ include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom and an iodine atom.

【0107】上記R5、R6、R13'〜R16'におけるアル
キル基としては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分
岐状アルキル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜
6個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好
ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基である。
The alkyl group for R 5 , R 6 and R 13 ′ to R 16 ′ is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms.
It is six linear or branched alkyl groups, more preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group.

【0108】上記R5、R6、R13'〜R16'における環状
炭化水素基としては、例えば環状アルキル基、有橋式炭
化水素であり、シクロプロピル基、シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、アダマンチル基、2−メチル−2−
アダマンチル基、ノルボルニル基、ボロニル基、イソボ
ロニル基、トリシクロデカニル基、ジシクロペンテニル
基、ノボルナンエポキシ基、メンチル基、イソメンチル
基、ネオメンチル基、テトラシクロドデカニル基等を挙
げることができる。上記R13'〜R16'のうち少なくとも
2つが結合して形成する環としては、シクロペンテン、
シクロヘキセン、シクロヘプタン、シクロオクタン等の
炭素数5〜12の環が挙げられる。
Examples of the cyclic hydrocarbon group for R 5 , R 6 and R 13 ′ to R 16 ′ include a cyclic alkyl group and a bridged hydrocarbon group, such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group,
Cyclohexyl group, adamantyl group, 2-methyl-2-
An adamantyl group, a norbornyl group, a boronyl group, an isobornyl group, a tricyclodecanyl group, a dicyclopentenyl group, a nobornane epoxy group, a menthyl group, an isomenthyl group, a neomenthyl group, a tetracyclododecanyl group, and the like can be given. As the ring formed by bonding at least two of R 13 ′ to R 16 ′, cyclopentene,
Rings having 5 to 12 carbon atoms such as cyclohexene, cycloheptane, cyclooctane and the like can be mentioned.

【0109】上記R17'におけるアルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数1〜4個のものを挙げることができる。
Examples of the alkoxy group for R 17 ′ include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group.

【0110】上記アルキル基、環状炭化水素基、アルコ
キシ基における更なる置換基としては、水酸基、ハロゲ
ン原子、カルボキシル基、アルコキシ基、アシル基、シ
アノ基、アシルオキシ基、アルキル基、環状炭化水素基
等を挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個の
ものが挙げることができ、アシル基としてはホルミル
基、アセチル基等を挙げることができ、アシルオキシ基
としてはアセトキシ基等を挙げることができる。また、
アルキル基、環状炭化水素基は、上記で挙げたものが挙
げられる。
Further substituents in the above alkyl group, cyclic hydrocarbon group and alkoxy group include a hydroxyl group, a halogen atom, a carboxyl group, an alkoxy group, an acyl group, a cyano group, an acyloxy group, an alkyl group and a cyclic hydrocarbon group. Can be mentioned. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, and a butoxy group. Examples of the acyl group include a formyl group and an acetyl group. Examples thereof include an acetoxy group. Also,
Examples of the alkyl group and the cyclic hydrocarbon group include those described above.

【0111】上記A'の2価の連結基としては、アルキ
レン基、置換アルキレン基、エーテル基、チオエーテル
基、カルボニル基、エステル基、アミド基、スルフォン
アミド基、ウレタン基、ウレア基よりなる群から選択さ
れる単独あるいは2つ以上の基の組み合わせが挙げられ
る。上記A'におけるアルキレン基、置換アルキレン基
としては、下記式で表される基を挙げることができる。 −〔C(Ra )(Rb )〕r − 式中、Ra 、Rb は、水素原子、アルキル基、置換アル
キル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表し、
両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好ま
しくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル
基から選択される。置換アルキル基の置換基としては、
水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げることがで
きる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のも
のを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。rは1〜10の整数を表す。
The divalent linking group represented by A ′ is selected from the group consisting of an alkylene group, a substituted alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, an ester group, an amide group, a sulfonamide group, a urethane group and a urea group. The selected one or a combination of two or more groups can be mentioned. Examples of the alkylene group and substituted alkylene group in A ′ include groups represented by the following formula. -[C (R a ) (R b )] r-wherein R a and R b represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, an alkoxy group,
Both may be the same or different. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group and a butyl group, and more preferably selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group and an isopropyl group. As the substituent of the substituted alkyl group,
Examples include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r represents an integer of 1 to 10.

【0112】本発明に係る樹脂においては、酸の作用に
より分解する基は、前記一般式(pI)〜一般式(pV
I)で示される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する
繰り返し単位、一般式(II-AB)で表される繰り返し単
位、及び後記共重合成分の繰り返し単位のうち少なくと
も1種の繰り返し単位に含有することができる。
In the resin according to the present invention, the groups decomposed by the action of an acid are represented by the general formulas (pI) to (pV).
A repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by I), a repeating unit represented by the general formula (II-AB), and at least one kind of a repeating unit of a copolymer component described below. Can be contained.

【0113】上記一般式(II−A)あるいは一般式(II
−B)におけるR13'〜R16'の各種置換基は、上記一般
式(II-AB)における脂環式構造を形成するための原子
団ないし有橋式脂環式構造を形成するための原子団Zの
置換基ともなるものである。
The formula (II-A) or (II
The various substituents of R 13 ′ to R 16 ′ in —B) are an atomic group for forming an alicyclic structure or a bridged alicyclic structure for forming an alicyclic structure in the general formula (II-AB). It is also a substituent of the atomic group Z.

【0114】上記一般式(II−A)あるいは一般式(II
−B)で表される繰り返し単位の具体例として次の[II
−1]〜[II−175]が挙げられるが、本発明はこれ
らの具体例に限定されるものではない。
The above general formula (II-A) or general formula (II
-B) As specific examples of the repeating unit represented by the following [II]
-1] to [II-175], but the present invention is not limited to these specific examples.

【0115】[0115]

【化48】 Embedded image

【0116】[0116]

【化49】 Embedded image

【0117】[0117]

【化50】 Embedded image

【0118】[0118]

【化51】 Embedded image

【0119】[0119]

【化52】 Embedded image

【0120】[0120]

【化53】 Embedded image

【0121】[0121]

【化54】 Embedded image

【0122】[0122]

【化55】 Embedded image

【0123】[0123]

【化56】 Embedded image

【0124】[0124]

【化57】 Embedded image

【0125】[0125]

【化58】 Embedded image

【0126】[0126]

【化59】 Embedded image

【0127】[0127]

【化60】 Embedded image

【0128】[0128]

【化61】 Embedded image

【0129】[0129]

【化62】 Embedded image

【0130】[0130]

【化63】 Embedded image

【0131】[0131]

【化64】 Embedded image

【0132】[0132]

【化65】 Embedded image

【0133】[0133]

【化66】 Embedded image

【0134】本発明の酸分解性樹脂は、更に下記一般式
(IV)で表されるラクトン構造を有する繰り返し単位を
含有することができる。
The acid-decomposable resin of the present invention may further contain a repeating unit having a lactone structure represented by the following general formula (IV).

【0135】[0135]

【化67】 Embedded image

【0136】一般式(IV)中、R1aは、水素原子又はメ
チル基を表す。W1は、単結合、アルキレン基、エーテ
ル基、チオエーテル基、カルボニル基、エステル基より
なる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み
合わせを表す。Ra1,Rb1,Rc1,Rd1,Re1
各々独立に、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基を
表す。m,nは各々独立に0〜3の整数を表し、m+n
は、2以上6以下である。
[0136] In the general formula (IV), R 1 a represents a hydrogen atom or a methyl group. W 1 represents a single bond, an alkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group, or a combination of two or more groups selected from the group consisting of an ester group. Ra 1, Rb 1, Rc 1 , Rd 1, Re 1 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. m and n each independently represent an integer of 0 to 3;
Is 2 or more and 6 or less.

【0137】Ra1〜Re1の炭素数1〜4のアルキル基
としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロ
ピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル
基、t−ブチル基等を挙げることができる。
Examples of the alkyl group having 1 to 4 carbon atoms of Ra 1 to Re 1 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group and a t-butyl group. Can be mentioned.

【0138】一般式(IV)において、W1のアルキレン
基としては、下記式で表される基を挙げることができ
る。 −〔C(Rf)(Rg)〕r1− 上記式中、Rf、Rgは、水素原子、アルキル基、置換
アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基を表
し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル基と
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更に好
ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピ
ル基から選択される。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキ
シ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4のも
のを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩素
原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げること
ができる。r1は1〜10の整数である。
[0138] In formula (IV), the alkylene group of W 1, can be a group represented by the following formula. — [C (Rf) (Rg)] r 1 — In the above formula, Rf and Rg represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group, and they may be the same or different. Good. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group and a butyl group, and more preferably selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r 1 is an integer of 1 to 10.

【0139】上記アルキル基における更なる置換基とし
ては、カルボキシル基、アシルオキシ基、シアノ基、ア
ルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、ア
ルコキシ基、置換アルコキシ基、アセチルアミド基、ア
ルコキシカルボニル基、アシル基が挙げられる。ここで
アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、シクロプロピル基、シ
クロブチル基、シクロペンチル基等の低級アルキル基を
挙げることができる。置換アルキル基の置換基として
は、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げること
ができる。置換アルコキシ基の置換基としては、アルコ
キシ基等を挙げることができる。アルコキシ基として
は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ
基等の炭素数1〜4のものを挙げることができる。アシ
ルオキシ基としては、アセトキシ基等が挙げられる。ハ
ロゲン原子としては、塩素原子、臭素原子、フッ素原
子、沃素原子等を挙げることができる。
Further substituents on the above alkyl group include carboxyl group, acyloxy group, cyano group, alkyl group, substituted alkyl group, halogen atom, hydroxyl group, alkoxy group, substituted alkoxy group, acetylamide group, alkoxycarbonyl group, An acyl group is exemplified. Here, examples of the alkyl group include lower alkyl groups such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, and a cyclopentyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the substituent of the substituted alkoxy group include an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the acyloxy group include an acetoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom.

【0140】以下、一般式(IV)で示される繰り返し構
造単位に相当するモノマーの具体例を示すが、これらに
限定されるものではない。
Hereinafter, specific examples of the monomer corresponding to the repeating structural unit represented by the general formula (IV) will be shown, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0141】[0141]

【化68】 Embedded image

【0142】[0142]

【化69】 Embedded image

【0143】[0143]

【化70】 Embedded image

【0144】上記一般式(IV)の具体例において、露光
マージンがより良好になるという点から(IV−17)〜
(IV−36)が好ましい。更に一般式(IV)の構造とし
ては、エッジラフネスが良好になるという点からアクリ
レート構造を有するものが好ましい。
In the specific example of the above general formula (IV), (IV-17) to (IV-17)
(IV-36) is preferred. Further, as the structure of the general formula (IV), those having an acrylate structure are preferable from the viewpoint that edge roughness is improved.

【0145】また、下記一般式(V−1)〜(V−4)
のいずれかで表される基を有する繰り返し単位を含有し
ても良い。
Further, the following general formulas (V-1) to (V-4)
And a repeating unit having a group represented by any of the above.

【0146】[0146]

【化71】 Embedded image

【0147】一般式(V−1)〜(V−4)において、
1b〜R5bは、各々独立に水素原子、置換基を有してい
てもよい、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニ
ル基を表す。R1b〜R5bの内の2つは、結合して環を形
成してもよい。
In the general formulas (V-1) to (V-4),
R 1b to R 5b each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group or an alkenyl group which may have a substituent. Two of R 1b to R 5b may combine to form a ring.

【0148】一般式(V−1)〜(V−4)において、
1b〜R5bにおけるアルキル基としては、直鎖状、分岐
状のアルキル基が挙げられ、置換基を有していてもよ
い。直鎖状、分岐状のアルキル基としては、炭素数1〜
12個の直鎖状あるいは分岐状アルキル基が好ましく、
より好ましくは炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐
状アルキル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル
基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソ
ブチル基、sec−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル
基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、
デシル基である。R1b〜R5bにおけるシクロアルキル基
としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シク
ロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等
の炭素数3〜8個のものが好ましい。R1b〜R5bにおけ
るアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブ
テニル基、ヘキセニル基等の炭素数2〜6個のものが好
ましい。また、R1b〜R5bの内の2つが結合して形成す
る環としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シ
クロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロオクタン環
等の3〜8員環が挙げられる。なお、一般式(V−1)
〜(V−4)におけるR1b〜R5bは、環状骨格を構成し
ている炭素原子のいずれに連結していてもよい。
In the general formulas (V-1) to (V-4),
Examples of the alkyl group for R 1b to R 5b include a linear or branched alkyl group, and may have a substituent. The linear or branched alkyl group has 1 to 1 carbon atoms.
Twelve linear or branched alkyl groups are preferred,
More preferably, it is a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and still more preferably, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group, -Butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, nonyl group,
Decyl group. The cycloalkyl group in R 1b to R 5b is preferably a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms such as a cyclopropyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a cycloheptyl group, a cyclooctyl group and the like. The alkenyl group in R 1b to R 5b is preferably an alkenyl group having 2 to 6 carbon atoms such as a vinyl group, a propenyl group, a butenyl group, and a hexenyl group. Examples of the ring formed by combining two members out of R 1b to R 5b include a 3- to 8-membered ring such as a cyclopropane ring, a cyclobutane ring, a cyclopentane ring, a cyclohexane ring, and a cyclooctane ring. The general formula (V-1)
R 1b to R 5b in (V-4) may be connected to any of the carbon atoms constituting the cyclic skeleton.

【0149】また、上記アルキル基、シクロアルキル
基、アルケニル基が有してもよい好ましい置換基として
は、炭素数1〜4個のアルコキシ基、ハロゲン原子(フ
ッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、炭素数
2〜5のアシル基、炭素数2〜5のアシロキシ基、シア
ノ基、水酸基、カルボキシ基、炭素数2〜5のアルコキ
シカルボニル基、ニトロ基等を挙げることができる。
Preferred substituents which the alkyl group, cycloalkyl group and alkenyl group may have are an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom (a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom). Atom), an acyl group having 2 to 5 carbon atoms, an acyloxy group having 2 to 5 carbon atoms, a cyano group, a hydroxyl group, a carboxy group, an alkoxycarbonyl group having 2 to 5 carbon atoms, and a nitro group.

【0150】一般式(V−1)〜(V−4)で表される
基を有する繰り返し単位としては、上記一般式(II−
A)又は(II−B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも
1つが上記一般式(V−1)〜(V−4)で表される基
を有するもの(例えば−COOR5のR5が一般式(V−
1)〜(V−4)で表される基を表す)、又は下記一般
式(AI)で表される繰り返し単位等を挙げることがで
きる。
The repeating units having groups represented by formulas (V-1) to (V-4) include those represented by formula (II-
A) or (II-B) wherein at least one of R 13 ′ to R 16 ′ has a group represented by the above general formulas (V-1) to (V-4) (for example, -COOR 5 R 5 is a group represented by the general formula (V-
1) to (V-4)), or a repeating unit represented by the following general formula (AI).

【0151】[0151]

【化72】 Embedded image

【0152】一般式(AI)中、Rb0は、水素原子、ハ
ロゲン原子、又は炭素数1〜4の置換もしくは非置換の
アルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよ
い好ましい置換基としては、前記一般式(V−1)〜
(V−4)におけるR1bとしてのアルキル基が有してい
てもよい好ましい置換基として先に例示したものが挙げ
られる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩
素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。R
b0は水素原子が好ましい。A’は、単結合、エーテル
基、エステル基、カルボニル基、アルキレン基、又はこ
れらを組み合わせた2価の基を表す。B2は、一般式
(V−1)〜(V−4)のうちのいずれかで示される基
を表す。A’において、該組み合わせた2価の基として
は、例えば下記式のものが挙げられる。
In the general formula (AI), R b0 represents a hydrogen atom, a halogen atom, or a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 4 carbon atoms. Preferred substituents which the alkyl group of Rb0 may have are those represented by the general formulas (V-1) to (V-1).
Preferred examples of the substituent which may be possessed by the alkyl group as R 1b in (V-4) include those exemplified above. Examples of the halogen atom for R b0 include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom and an iodine atom. R
b0 is preferably a hydrogen atom. A ′ represents a single bond, an ether group, an ester group, a carbonyl group, an alkylene group, or a divalent group obtained by combining these. B 2 represents a group represented by any one of formulas (V-1) to (V-4). In A ′, examples of the combined divalent group include those represented by the following formulas.

【0153】[0153]

【化73】 Embedded image

【0154】上記式において、Rab、Rbbは、水素原
子、アルキル基、置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸
基、アルコキシ基を表し、両者は同一でも異なっていて
もよい。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基、ブチル基等の低級アルキル
基が好ましく、更に好ましくはメチル基、エチル基、プ
ロピル基、イソプロピル基から選択される。置換アルキ
ル基の置換基としては、水酸基、ハロゲン原子、炭素数
1〜4のアルコキシ基を挙げることができる。アルコキ
シ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基、ブトキシ基等の炭素数1〜4個のものを挙げること
ができる。ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原
子、フッ素原子、沃素原子等を挙げることができる。r
1は1〜10の整数、好ましくは1〜4の整数を表す。
mは1〜3の整数、好ましくは1又は2を表す。
In the above formula, Rab and Rbb represent a hydrogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group, and they may be the same or different. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group and a butyl group, and more preferably selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom, and an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r
1 represents an integer of 1 to 10, preferably an integer of 1 to 4.
m represents an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2.

【0155】以下に、一般式(AI)で表される繰り返
し単位の具体例を挙げるが、本発明の内容がこれらに限
定されるものではない。
Specific examples of the repeating unit represented by formula (AI) are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0156】[0156]

【化74】 Embedded image

【0157】[0157]

【化75】 Embedded image

【0158】[0158]

【化76】 Embedded image

【0159】[0159]

【化77】 Embedded image

【0160】[0160]

【化78】 Embedded image

【0161】[0161]

【化79】 Embedded image

【0162】[0162]

【化80】 Embedded image

【0163】また、本発明の酸分解性樹脂は、更に下記
一般式(VI)で表される繰り返し単位を含有することが
できる。
Further, the acid-decomposable resin of the present invention may further contain a repeating unit represented by the following general formula (VI).

【0164】[0164]

【化81】 Embedded image

【0165】一般式(VI)において、A6は単結合、ア
ルキレン基、シクロアルキレン基、エーテル基、チオエ
ーテル基、カルボニル基、エステル基よりなる群から選
択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを表
す。R6aは水素原子、炭素数1〜4のアルキル基、シア
ノ基、又はハロゲン原子を表す。
In the general formula (VI), A 6 is a single bond, an alkylene group, a cycloalkylene group, an ether group, a thioether group, a carbonyl group or an ester group, or a combination of two or more groups. Represents R 6a represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, a cyano group, or a halogen atom.

【0166】一般式(VI)において、A6のアルキレン
基としては、下記式で表される基を挙げることができ
る。 −〔C(Rnf)(Rng)〕r− 上記式中、Rnf、Rngは、水素原子、アルキル基、
置換アルキル基、ハロゲン原子、水酸基、アルコキシ基
を表し、両者は同一でも異なっていてもよい。アルキル
基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基、ブチル基等の低級アルキル基が好ましく、更
に好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプ
ロピル基から選択される。置換アルキル基の置換基とし
ては、水酸基、ハロゲン原子、アルコキシ基を挙げるこ
とができる。アルコキシ基としては、メトキシ基、エト
キシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数1〜4の
ものを挙げることができる。ハロゲン原子としては、塩
素原子、臭素原子、フッ素原子、沃素原子等を挙げるこ
とができる。rは1〜10の整数である。一般式(VI)
において、A6のシクロアルキレン基としては、炭素数
3から10個のものが挙げられ、シクロペンチレン基、
シクロヘキシレン基、シクロオクチレン基等を挙げるこ
とができる。
In formula (VI), examples of the alkylene group represented by A 6 include groups represented by the following formula. -[C (Rnf) (Rng)] r- In the above formula, Rnf and Rng are a hydrogen atom, an alkyl group,
Represents a substituted alkyl group, a halogen atom, a hydroxyl group, or an alkoxy group, which may be the same or different. The alkyl group is preferably a lower alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group and a butyl group, and more preferably selected from a methyl group, an ethyl group, a propyl group and an isopropyl group. Examples of the substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, a halogen atom and an alkoxy group. Examples of the alkoxy group include those having 1 to 4 carbon atoms such as a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group and a butoxy group. Examples of the halogen atom include a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom, and an iodine atom. r is an integer of 1 to 10. General formula (VI)
In the above, examples of the cycloalkylene group for A 6 include those having 3 to 10 carbon atoms, and a cyclopentylene group,
Examples thereof include a cyclohexylene group and a cyclooctylene group.

【0167】Z6を含む有橋式脂環式環は、置換基を有
していてもよい。置換基としては、例えば、ハロゲン原
子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)、アルコキ
シカルボニル基(好ましくは炭素数1〜5)、アシル基
(例えば、ホルミル基、ベンゾイル基)、アシロキシ基
(例えば、プロピルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオ
キシ基)、アルキル基(好ましくは炭素数1〜4)、カ
ルボキシル基、水酸基、アルキルスルホニルスルファモ
イル基(-CONHSO2CH3等)が挙げられる。尚、
置換基としてのアルキル基は、更に水酸基、ハロゲン原
子、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜4)等で置換
されていてもよい。
The bridged alicyclic ring containing Z 6 may have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom, an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), an alkoxycarbonyl group (preferably having 1 to 5 carbon atoms), an acyl group (eg, a formyl group and a benzoyl group), and an acyloxy group ( For example, a propylcarbonyloxy group, a benzoyloxy group), an alkyl group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), a carboxyl group, a hydroxyl group, an alkylsulfonylsulfamoyl group (such as —CONHSO 2 CH 3 ) are exemplified. still,
The alkyl group as a substituent may be further substituted with a hydroxyl group, a halogen atom, an alkoxy group (preferably having 1 to 4 carbon atoms), or the like.

【0168】一般式(VI)において、A6に結合してい
るエステル基の酸素原子は、Z6を含む有橋式脂環式環
構造を構成する炭素原子のいずれの位置で結合してもよ
い。
In the general formula (VI), the oxygen atom of the ester group bonded to A 6 may be bonded at any position of the carbon atom constituting the bridged alicyclic ring structure including Z 6. Good.

【0169】以下に、一般式(VI)で表される繰り返し
単位の具体例を挙げるが、これらに限定されるものでは
ない。
Specific examples of the repeating unit represented by the general formula (VI) are shown below, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0170】[0170]

【化82】 Embedded image

【0171】[0171]

【化83】 Embedded image

【0172】更に、下記一般式(VII)で表される基を
有する繰り返し単位を含有してもよい。
Further, it may contain a repeating unit having a group represented by the following formula (VII).

【0173】[0173]

【化84】 Embedded image

【0174】一般式(VII)中、R2c〜R4cは、各々独
立に水素原子又は水酸基を表す。ただし、R2c〜R4cの
うち少なくとも1つは水酸基を表す。
[0174] In the general formula (VII), R 2 c~R 4 c represents a hydrogen atom or a hydroxyl group independently. Provided that at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group.

【0175】一般式(VII)で表される基は、好ましく
はジヒドロキシ体、モノヒドロキシ体であり、より好ま
しくはジヒドロキシ体である。
The group represented by the general formula (VII) is preferably a dihydroxy form or a monohydroxy form, more preferably a dihydroxy form.

【0176】一般式(VII)で表される基を有する繰り
返し単位としては、上記一般式(II−A)又は(II−
B)中のR13'〜R16'のうち少なくとも1つが上記一般
式(VII)で表される基を有するもの(例えば−COO
5のR5が一般式(V−1)〜(V−4)で表される基
を表す)、又は下記一般式(AII)で表される繰り返し
単位等を挙げることができる。
The repeating unit having a group represented by the general formula (VII) includes the above-mentioned general formula (II-A) or (II-
B) wherein at least one of R 13 ′ to R 16 ′ has a group represented by the general formula (VII) (for example, —COO
R 5 of R 5 represents a group represented by formulas (V-1) to (V-4)), or a repeating unit represented by the following formula (AII).

【0177】[0177]

【化85】 Embedded image

【0178】一般式(AII)中、R1cは、水素原子又は
メチル基を表す。R2c〜R4cは、各々独立に水素原子又
は水酸基を表す。ただし、R2c〜R4cのうち少なくとも
1つは水酸基を表す。
[0178] In formula (AII), R 1 c represents a hydrogen atom or a methyl group. R 2 c~R 4 c represents a hydrogen atom or a hydroxyl group independently. Provided that at least one of R 2 c to R 4 c represents a hydroxyl group.

【0179】以下に、一般式(AII)で表される構造を
有する繰り返し単位の具体例を挙げるが、これらに限定
されるものではない。
Specific examples of the repeating unit having the structure represented by formula (AII) are shown below, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0180】[0180]

【化86】 Embedded image

【0181】更に、下記一般式(VIII)で表される基を
有する繰り返し単位を含有してもよい。
Further, it may contain a repeating unit having a group represented by the following formula (VIII).

【0182】[0182]

【化87】 Embedded image

【0183】一般式(VIII)中:Z2は、−O−又は−
N(R41)−を表す。ここでR41は、水素原子、水酸
基、アルキル基、ハロアルキル基、又は−OSO2−R
42を表す。R42は、アルキル基、ハロアルキル基、シク
ロアルキル基又は樟脳残基を表す。
[0183 general formula (VIII) in: Z 2 is, -O- or -
N (R 41 )-. Here, R 41 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a haloalkyl group, or —OSO 2 —R
Represents 42 . R 42 represents an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group or a camphor residue.

【0184】上記一般式(VIII)に於いて、Z2は、−
O−又は−N(R41)−を表す。ここでR41は、水素原
子、水酸基、アルキル基、ハロアルキル基、又は−OS
2−R42を表す。R42は、アルキル基、ハロアルキル
基、シクロアルキル基又は樟脳残基を表す。
In the general formula (VIII), Z 2 represents-
Represents O- or -N ( R41 )-. Here, R 41 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group, an alkyl group, a haloalkyl group, or —OS
Represents O 2 -R 42 . R 42 represents an alkyl group, a haloalkyl group, a cycloalkyl group or a camphor residue.

【0185】上記R41及びR42におけるアルキル基とし
ては、炭素数1〜10個の直鎖状あるいは分岐状アルキ
ル基が好ましく、より好ましくは炭素数1〜6個の直鎖
状あるいは分岐状アルキル基であり、更に好ましくはメ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−
ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、t−ブチ
ル基である。上記R41及びR42 におけるハロアルキル
基としてはトリフルオロメチル基、ナノフルオロブチル
基、ペンタデカフルオロオクチル基、トリクロロメチル
基等を挙げることができる。上記R42 におけるシクロ
アルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシ
ル基、シクロオクチル基等を挙げることができる。
The alkyl group for R 41 and R 42 is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. And more preferably methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-
A butyl group, an isobutyl group, a sec-butyl group and a t-butyl group. Examples of the haloalkyl group for R 41 and R 42 include a trifluoromethyl group, a nanofluorobutyl group, a pentadecafluorooctyl group, and a trichloromethyl group. Examples of the cycloalkyl group for R 42 include a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group.

【0186】R41及びR42としてのアルキル基及びハロ
アルキル基、R42としてのシクロアルキル基又は樟脳残
基は置換基を有していてもよい。このような置換基とし
ては、例えば、水酸基、カルボキシル基、シアノ基、ハ
ロゲン原子(例えば、塩素原子、臭素原子、フッソ素原
子、沃素原子)、アルコキシ基(好ましくは炭素数1〜
4、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブ
トキシ基等)、アシル基(好ましくは炭素数2〜5、例
えば、ホルミル基、アセチル基等)、アシルオキシ基
(好ましくは炭素数2〜5、例えばアセトキシ基)、ア
リール基(好ましくは炭素数6〜14、例えばフェニル
基)等を挙げることができる。
[0186] alkyl and haloalkyl group as R 41 and R 42, a cycloalkyl group or a camphor residue as R 42 may have a substituent. Examples of such a substituent include a hydroxyl group, a carboxyl group, a cyano group, a halogen atom (for example, a chlorine atom, a bromine atom, a fluorine atom and an iodine atom), and an alkoxy group (preferably having 1 to 1 carbon atoms).
4, for example, a methoxy group, an ethoxy group, a propoxy group, a butoxy group, etc., an acyl group (preferably having 2 to 5 carbon atoms, for example, a formyl group, an acetyl group, etc.), an acyloxy group (preferably having 2 to 5 carbon atoms, for example, An acetoxy group) and an aryl group (preferably having 6 to 14 carbon atoms, for example, a phenyl group).

【0187】上記一般式(VIII)で表される繰り返し単
位の具体例として次の[I'−1]〜[I'−7]が挙げ
られるが、本発明はこれらの具体例に限定されるもので
はない。
Specific examples of the repeating unit represented by the above general formula (VIII) include the following [I'-1] to [I'-7], but the present invention is limited to these specific examples. Not something.

【0188】[0188]

【化88】 Embedded image

【0189】[0189]

【化89】 Embedded image

【0190】(B)成分である酸分解性樹脂は、上記の
繰り返し構造単位以外に、ドライエッチング耐性や標準
現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さら
にレジストの一般的な必要な特性である解像力、耐熱
性、感度等を調節する目的で様々な繰り返し構造単位を
含有することができる。
The acid-decomposable resin as the component (B) is, in addition to the above-mentioned repeating structural units, dry etching resistance, suitability for a standard developing solution, substrate adhesion, resist profile, and general necessary properties of a resist. Various repeating structural units can be contained for the purpose of adjusting resolution, heat resistance, sensitivity and the like.

【0191】このような繰り返し構造単位としては、下
記の単量体に相当する繰り返し構造単位を挙げることが
できるが、これらに限定されるものではない。これによ
り、酸分解性樹脂に要求される性能、特に、(1)塗布
溶剤に対する溶解性、(2)製膜性(ガラス転移点)、
(3)アルカリ現像性、(4)膜べり(親疎水性、アル
カリ可溶性基選択)、(5)未露光部の基板への密着
性、(6)ドライエッチング耐性、等の微調整が可能と
なる。このような単量体として、例えばアクリル酸エス
テル類、メタクリル酸エステル類、アクリルアミド類、
メタクリルアミド類、アリル化合物、ビニルエーテル
類、ビニルエステル類等から選ばれる付加重合性不飽和
結合を1個有する化合物等を挙げることができる。
Examples of such a repeating structural unit include, but are not limited to, repeating structural units corresponding to the following monomers. Thereby, the performance required for the acid-decomposable resin, in particular, (1) solubility in a coating solvent, (2) film-forming property (glass transition point),
Fine adjustment of (3) alkali developability, (4) film loss (hydrophobicity, selection of alkali-soluble group), (5) adhesion of unexposed portion to substrate, (6) dry etching resistance, etc. becomes possible. . As such monomers, for example, acrylates, methacrylates, acrylamides,
Examples thereof include compounds having one addition-polymerizable unsaturated bond selected from methacrylamides, allyl compounds, vinyl ethers, vinyl esters, and the like.

【0192】具体的には、以下の単量体を挙げることが
できる。 アクリル酸エステル類(好ましくはアルキル基の炭素数
が1〜10のアルキルアクリレート):アクリル酸メチ
ル、アクリル酸エチル、アクリル酸プロピル、アクリル
酸アミル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸エチ
ルヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−t−オ
クチル、クロルエチルアクリレート、2−ヒドロキシエ
チルアクリレート2,2−ジメチルヒドロキシプロピル
アクリレート、5−ヒドロキシペンチルアクリレート、
トリメチロールプロパンモノアクリレート、ペンタエリ
スリトールモノアクリレート、ベンジルアクリレート、
メトキシベンジルアクリレート、フルフリルアクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルアクリレート等。
Specific examples include the following monomers. Acrylic esters (preferably alkyl acrylate having an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms): methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, amyl acrylate, cyclohexyl acrylate, ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, acrylic Acid-t-octyl, chloroethyl acrylate, 2-hydroxyethyl acrylate 2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate,
Trimethylolpropane monoacrylate, pentaerythritol monoacrylate, benzyl acrylate,
Methoxybenzyl acrylate, furfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate and the like.

【0193】メタクリル酸エステル類(好ましくはアル
キル基の炭素数が1〜10のアルキルメタアクリレー
ト):メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、
プロピルメタクリレート、イソプロピルメタクリレー
ト、アミルメタクリレート、ヘキシルメタクリレート、
シクロヘキシルメタクリレート、ベンジルメタクリレー
ト、クロルベンジルメタクリレート、オクチルメタクリ
レート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、4−ヒ
ドロキシブチルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチ
ルメタクリレート、2,2−ジメチル−3−ヒドロキシ
プロピルメタクリレート、トリメチロールプロパンモノ
メタクリレート、ペンタエリスリトールモノメタクリレ
ート、フルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフ
リルメタクリレート等。
Methacrylic esters (preferably alkyl methacrylate having an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms): methyl methacrylate, ethyl methacrylate,
Propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate,
Cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, chlorobenzyl methacrylate, octyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, penta Erythritol monomethacrylate, furfuryl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate and the like.

【0194】アクリルアミド類:アクリルアミド、N−
アルキルアクリルアミド(アルキル基としては炭素数1
〜10のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、t−ブチル基、ヘプチル基、オクチル
基、シクロヘキシル基、ヒドロキシエチル基等があ
る。)、N,N−ジアルキルアクリルアミド(アルキル
基としては炭素数1〜10のもの、例えばメチル基、エ
チル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘキシル基、
シクロヘキシル基等がある)、N−ヒドロキシエチル−
N−メチルアクリルアミド、N−2−アセトアミドエチ
ル−N−アセチルアクリルアミド等。
Acrylamides: acrylamide, N-
Alkyl acrylamide (the alkyl group has 1 carbon atom
And 10 such as methyl, ethyl, propyl, butyl, t-butyl, heptyl, octyl, cyclohexyl, and hydroxyethyl. ), N, N-dialkylacrylamide (alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, for example, methyl group, ethyl group, butyl group, isobutyl group, ethylhexyl group,
A cyclohexyl group, etc.), N-hydroxyethyl-
N-methylacrylamide, N-2-acetamidoethyl-N-acetylacrylamide and the like.

【0195】メタクリルアミド類:メタクリルアミド、
N−アルキルメタクリルアミド(アルキル基としては炭
素数1〜10のもの、例えばメチル基、エチル基、t−
ブチル基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シ
クロヘキシル基等がある)、N,N−ジアルキルメタク
リルアミド(アルキル基としてはエチル基、プロピル
基、ブチル基等がある)、N−ヒドロキシエチル−N−
メチルメタクリルアミド等。
Methacrylamides: methacrylamide,
N-alkyl methacrylamide (an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, such as a methyl group, an ethyl group,
Butyl group, ethylhexyl group, hydroxyethyl group, cyclohexyl group, etc.), N, N-dialkylmethacrylamide (alkyl group includes ethyl group, propyl group, butyl group, etc.), N-hydroxyethyl-N-
Methyl methacrylamide and the like.

【0196】アリル化合物:アリルエステル類(例えば
酢酸アリル、カプロン酸アリル、カプリル酸アリル、ラ
ウリン酸アリル、パルミチン酸アリル、ステアリン酸ア
リル、安息香酸アリル、アセト酢酸アリル、乳酸アリル
等)、アリルオキシエタノール等。
Allyl compounds: allyl esters (for example, allyl acetate, allyl caproate, allyl caprylate, allyl laurate, allyl palmitate, allyl stearate, allyl benzoate, allyl acetoacetate, allyl lactate, etc.), allyloxyethanol etc.

【0197】ビニルエーテル類:アルキルビニルエーテ
ル(例えばヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエ
ーテル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシルビニル
エーテル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエ
チルビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、1
−メチル−2,2−ジメチルプロピルビニルエーテル、
2−エチルブチルビニルエーテル、ヒドロキシエチルビ
ニルエーテル、ジエチレングリコールビニルエーテル、
ジメチルアミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノ
エチルビニルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエー
テル、ベンジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリ
ルビニルエーテル等。
Vinyl ethers: alkyl vinyl ethers (eg, hexyl vinyl ether, octyl vinyl ether, decyl vinyl ether, ethylhexyl vinyl ether, methoxyethyl vinyl ether, ethoxyethyl vinyl ether, chloroethyl vinyl ether,
-Methyl-2,2-dimethylpropyl vinyl ether,
2-ethylbutyl vinyl ether, hydroxyethyl vinyl ether, diethylene glycol vinyl ether,
Dimethylaminoethyl vinyl ether, diethylaminoethyl vinyl ether, butylaminoethyl vinyl ether, benzyl vinyl ether, tetrahydrofurfuryl vinyl ether and the like.

【0198】ビニルエステル類:ビニルブチレート、ビ
ニルイソブチレート、ビニルトリメチルアセテート、ビ
ニルジエチルアセテート、ビニルバレート、ビニルカプ
ロエート、ビニルクロルアセテート、ビニルジクロルア
セテート、ビニルメトキシアセテート、ビニルブトキシ
アセテート、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテー
ト、ビニル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘ
キシルカルボキシレート等。
Vinyl esters: vinyl butyrate, vinyl isobutyrate, vinyl trimethyl acetate, vinyl diethyl acetate, vinyl barate, vinyl caproate, vinyl chloride acetate, vinyl dichloroacetate, vinyl methoxy acetate, vinyl butoxy acetate, vinyl Acetoacetate, vinyl lactate, vinyl-β-phenylbutyrate, vinylcyclohexylcarboxylate and the like.

【0199】イタコン酸ジアルキル類:イタコン酸ジメ
チル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチル等。フ
マール酸のジアルキルエステル類又はモノアルキルエス
テル類;ジブチルフマレート等。
Dialkyl itaconates: dimethyl itaconate, diethyl itaconate, dibutyl itaconate and the like. Dialkyl esters or monoalkyl esters of fumaric acid; dibutyl fumarate;

【0200】その他クロトン酸、イタコン酸、無水マレ
イン酸、マレイミド、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル、マレイロニトリル等。
Others crotonic acid, itaconic acid, maleic anhydride, maleimide, acrylonitrile, methacrylonitrile, maleilenitrile and the like.

【0201】その他にも、上記種々の繰り返し構造単位
に相当する単量体と共重合可能である付加重合性の不飽
和化合物であれば、共重合されていてもよい。
In addition, as long as it is an addition-polymerizable unsaturated compound copolymerizable with the monomer corresponding to the above-mentioned various repeating structural units, it may be copolymerized.

【0202】酸分解性樹脂において、各繰り返し構造単
位の含有モル比はレジストのドライエッチング耐性や標
準現像液適性、基板密着性、レジストプロファイル、さ
らにはレジストの一般的な必要性能である解像力、耐熱
性、感度等を調節するために適宜設定される。
In the acid-decomposable resin, the molar ratio of each repeating structural unit depends on the dry etching resistance of the resist, the suitability for the standard developer, the substrate adhesion, the resist profile, and the resolving power, heat resistance, which is a general required performance of the resist. It is set as appropriate to adjust properties, sensitivity, and the like.

【0203】本発明の酸分解性樹脂の好ましい態様とし
ては、以下のものが挙げられる。 (1) 上記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環
式炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し単位を含有
するもの(側鎖型) (2) 一般式(II-AB)で表される繰り返し単位を含
有するもの(主鎖型)但し、(2)においては例えば、
更に以下のものが挙げられる。 (3) 一般式(II-AB)で表される繰り返し単位、無
水マレイン酸誘導体及び(メタ)アクリレート構造を有
するもの(ハイブリッド型)
Preferred embodiments of the acid-decomposable resin of the present invention include the following. (1) Those containing a repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by the above general formulas (pI) to (pVI) (side chain type) (2) In the general formula (II-AB) Those containing a repeating unit represented (main chain type). However, in (2), for example,
Further, the following may be mentioned. (3) Having a repeating unit represented by the general formula (II-AB), a maleic anhydride derivative and a (meth) acrylate structure (hybrid type)

【0204】酸分解性樹脂中、一般式(pI)〜(pV
I)で表される脂環式炭化水素を含む部分構造を有する
繰り返し単位の含有量は、全繰り返し構造単位中30〜
70モル%が好ましく、より好ましくは35〜65モル
%、更に好ましくは40〜60モル%である。酸分解性
樹脂中、一般式(II-AB)で表される繰り返し単位の含
有量は、全繰り返し構造単位中10〜60モル%が好ま
しく、より好ましくは15〜55モル%、更に好ましく
は20〜50モル%である。
In the acid-decomposable resin, the compounds represented by the general formulas (pI) to (pV)
The content of the repeating unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by I) is 30 to
70 mol% is preferable, more preferably 35 to 65 mol%, and still more preferably 40 to 60 mol%. In the acid-decomposable resin, the content of the repeating unit represented by the general formula (II-AB) is preferably from 10 to 60 mol%, more preferably from 15 to 55 mol%, even more preferably from 20 to 70 mol% of all the repeating structural units. 5050 mol%.

【0205】また、上記更なる共重合成分の単量体に基
づく繰り返し構造単位の樹脂中の含有量も、所望のレジ
ストの性能に応じて適宜設定することができるが、一般
的に、上記一般式(pI)〜(pVI)で表される脂環式
炭化水素を含む部分構造を有する繰り返し構造単位と上
記一般式(II-AB)で表される繰り返し単位の合計した
総モル数に対して99モル%以下が好ましく、より好ま
しくは90モル%以下、さらに好ましくは80モル%以
下である。本発明の組成物がArF露光用であるとき、
ArF光への透明性の点から樹脂は芳香族基を有さない
ことが好ましい。
The content of the repeating structural unit based on the monomer of the further copolymer component in the resin can be appropriately set according to the desired resist properties. Based on the total number of moles of the repeating structural unit having a partial structure containing an alicyclic hydrocarbon represented by any one of the formulas (pI) to (pVI) and the repeating unit represented by the general formula (II-AB) It is preferably at most 99 mol%, more preferably at most 90 mol%, even more preferably at most 80 mol%. When the composition of the present invention is for ArF exposure,
From the viewpoint of transparency to ArF light, the resin preferably has no aromatic group.

【0206】本発明に用いる酸分解性樹脂は、常法に従
って(例えばラジカル重合)合成することができる。例
えば、一般的合成方法としては、モノマー種を、一括で
あるいは反応途中で反応容器に仕込み、これを必要に応
じ反応溶媒、例えばテトラヒドロフラン、1,4−ジオ
キサン、ジイソプロピルエーテルなどのエーテル類やメ
チルエチルケトン、メチルイソブチルケトンのようなケ
トン類、酢酸エチルのようなエステル溶媒、さらには後
述のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
トのような本発明の組成物を溶解する溶媒に溶解させ均
一とした後、窒素やアルゴンなど不活性ガス雰囲気下で
必要に応じ加熱、市販のラジカル開始剤(アゾ系開始
剤、パーオキサイドなど)を用いて重合を開始させる。
所望により開始剤を追加、あるいは分割で添加し、反応
終了後、溶剤に投入して粉体あるいは固形回収等の方法
で所望のポリマーを回収する。反応の濃度は20重量%
以上であり、好ましくは30重量%以上、さらに好まし
くは40重量%以上である。反応温度は10℃〜150
℃であり、好ましくは30℃〜120℃、さらに好まし
くは50〜100℃である。
The acid-decomposable resin used in the present invention can be synthesized according to a conventional method (for example, radical polymerization). For example, as a general synthesis method, monomer species are charged into a reaction vessel at once or in the middle of a reaction, and this is reacted with a reaction solvent as necessary, for example, ethers such as tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diisopropyl ether, methyl ethyl ketone, Ketones such as methyl isobutyl ketone, ester solvents such as ethyl acetate, and further dissolved in a solvent that dissolves the composition of the present invention such as propylene glycol monomethyl ether acetate described below, and then homogenized. Under an inert gas atmosphere, if necessary, heating is performed, and polymerization is started using a commercially available radical initiator (such as an azo initiator or a peroxide).
If desired, an initiator is added or added in portions, and after completion of the reaction, the mixture is poured into a solvent and a desired polymer is recovered by a method such as powder or solid recovery. Reaction concentration is 20% by weight
It is preferably at least 30% by weight, more preferably at least 40% by weight. Reaction temperature is 10 ° C. to 150
° C, preferably from 30 ° C to 120 ° C, more preferably from 50 to 100 ° C.

【0207】本発明に係る樹脂の重量平均分子量は、G
PC法によりポリスチレン換算値として、好ましくは
1,000〜200,000である。重量平均分子量が
1,000未満では耐熱性やドライエッチング耐性の劣
化が見られるため余り好ましくなく、200,000を
越えると現像性が劣化したり、粘度が極めて高くなるた
め製膜性が劣化するなど余り好ましくない結果を生じ
る。
The weight average molecular weight of the resin according to the present invention is G
It is preferably from 1,000 to 200,000 in terms of polystyrene according to the PC method. When the weight average molecular weight is less than 1,000, heat resistance and dry etching resistance are deteriorated, so that it is not preferable. When the weight average molecular weight exceeds 200,000, the developability is deteriorated and the viscosity becomes extremely high, so that the film forming property is deteriorated. And so on, which produces very unfavorable results.

【0208】本発明の遠紫外線露光用ポジ型フォトレジ
スト組成物において、本発明に係わる全ての樹脂の組成
物全体中の配合量は、全レジスト固形分中40〜99.
99重量%が好ましく、より好ましくは50〜99.9
7重量%である。
In the positive photoresist composition for deep ultraviolet exposure according to the present invention, the amount of all the resins according to the present invention in the total composition is from 40 to 99.
It is preferably 99% by weight, more preferably 50 to 99.9.
7% by weight.

【0209】≪(C)塩基性化合物≫本発明のポジ型感
光性組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化
を低減するために、(C)塩基性化合物を含有すること
が好ましい。好ましい構造として、下記式(A)〜
(E)で示される構造を挙げることができる。
{(C) Basic Compound} The positive photosensitive composition of the present invention preferably contains (C) a basic compound in order to reduce a change in performance over time from exposure to heating. As preferred structures, the following formulas (A) to
The structure shown by (E) can be mentioned.

【0210】[0210]

【化90】 Embedded image

【0211】ここでR250、R251及びR252は、各々独
立に、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1
〜6アミノアルキル基、炭素数1〜6のヒドロキシアル
キル基又は炭素数6〜20の置換もしくは非置換のアリ
ール基であり、ここでR250とR251は互いに結合して環
を形成してもよい。
Here, R 250 , R 251 and R 252 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms,
Or a substituted or unsubstituted aryl group having 6 to 20 carbon atoms, wherein R 250 and R 251 are bonded to each other to form a ring. Good.

【0212】[0212]

【化91】 Embedded image

【0213】(式中、R253、R254、R255及びR
256は、各々独立に、炭素数1〜6のアルキル基を示
す)。好ましい具体例としては、置換もしくは未置換の
グアニジン、置換もしくは未置換のアミノピリジン、置
換もしくは未置換のアミノアルキルピリジン、置換もし
くは未置換のアミノピロリジン、置換もしくは未置換の
インダーゾル、置換もしくは未置換のピラゾール、置換
もしくは未置換のピラジン、置換もしくは未置換のピリ
ミジン、置換もしくは未置換のプリン、置換もしくは未
置換のイミダゾリン、置換もしくは未置換のピラゾリ
ン、置換もしくは未置換のピペラジン、置換もしくは未
置換のアミノモルフォリン、置換もしくは未置換のアミ
ノアルキルモルフォリン等が挙げられ、モノ、ジ、トリ
アルキルアミン、置換もしくは未置換のアニリン、置換
もしくは未置換のピペリジン、モノあるいはジエタノー
ルアミン等が挙げられる。好ましい置換基は、アミノ
基、アミノアルキル基、アルキルアミノ基、アミノアリ
ール基、アリールアミノ基、アルキル基、アルコキシ
基、アシル基、アシロキシ基、アリール基、アリールオ
キシ基、ニトロ基、水酸基、シアノ基である。
(Wherein R 253 , R 254 , R 255 and R
256 independently represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms). Preferred specific examples include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyridine, substituted or unsubstituted aminoalkylpyridine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted indersol, substituted or unsubstituted Pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazine, substituted or unsubstituted pyrimidine, substituted or unsubstituted purine, substituted or unsubstituted imidazoline, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted or unsubstituted amino Examples include morpholine, substituted or unsubstituted aminoalkyl morpholine, and the like, and include mono, di, trialkylamine, substituted or unsubstituted aniline, substituted or unsubstituted piperidine, mono and diethanolamine, and the like. Preferred substituents are an amino group, an aminoalkyl group, an alkylamino group, an aminoaryl group, an arylamino group, an alkyl group, an alkoxy group, an acyl group, an acyloxy group, an aryl group, an aryloxy group, a nitro group, a hydroxyl group, a cyano group It is.

【0214】好ましい化合物としては、グアニジン、
1,1−ジメチルグアニジン、1,1,3,3,−テト
ラメチルグアニジン、2−アミノピリジン、3−アミノ
ピリジン、4−アミノピリジン、2−ジメチルアミノピ
リジン、4−ジメチルアミノピリジン、2−ジエチルア
ミノピリジン、2−(アミノメチル)ピリジン、2−ア
ミノ−3−メチルピリジン、2−アミノ−4−メチルピ
リジン、2−アミノ−5−メチルピリジン、2−アミノ
−6−メチルピリジン、3−アミノエチルピリジン、4
−アミノエチルピリジン、3−アミノピロリジン、ピペ
ラジン、N−(2−アミノエチル)ピペラジン、N−
(2−アミノエチル)ピペリジン、4−アミノ−2,
2,6,6−テトラメチルピペリジン、4−ピペリジノ
ピペリジン、2−イミノピペリジン、1−(2−アミノ
エチル)ピロリジン、ピラゾール、3−アミノ−5−メ
チルピラゾール、5−アミノ−3−メチル−1−p−ト
リルピラゾール、ピラジン、2−(アミノメチル)−5
−メチルピラジン、ピリミジン、2,4−ジアミノピリ
ミジン、4,6−ジヒドロキシピリミジン、2−ピラゾ
リン、3−ピラゾリン、N−アミノモルフォリン、N−
(2−アミノエチル)モルフォリン、1,5−ジアザビ
シクロ〔4.3.0〕ノナ−5−エン、1,8−ジアザ
ビシクロ〔5.4.0〕ウンデカ−7−エン、2,4,
5−トリフェニルイミダゾール、トリ(n−ブチル)ア
ミン、トリ(n−オクチル)アミン、N−フェニルジエ
タノールアミン、N−ヒドロキシエチルピペリジン、
2,6−ジイソプロピルアニリン、N−シクロヘキシル
−N’−モルホリノエチルチオ尿素等が挙げられるが、
これに限定されるものではない。
Preferred compounds include guanidine,
1,1-dimethylguanidine, 1,1,3,3-tetramethylguanidine, 2-aminopyridine, 3-aminopyridine, 4-aminopyridine, 2-dimethylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, 2-diethylamino Pyridine, 2- (aminomethyl) pyridine, 2-amino-3-methylpyridine, 2-amino-4-methylpyridine, 2-amino-5-methylpyridine, 2-amino-6-methylpyridine, 3-aminoethyl Pyridine, 4
-Aminoethylpyridine, 3-aminopyrrolidine, piperazine, N- (2-aminoethyl) piperazine, N-
(2-aminoethyl) piperidine, 4-amino-2,
2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-piperidinopiperidine, 2-iminopiperidine, 1- (2-aminoethyl) pyrrolidine, pyrazole, 3-amino-5-methylpyrazole, 5-amino-3-methyl -1-p-tolylpyrazole, pyrazine, 2- (aminomethyl) -5
-Methylpyrazine, pyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 4,6-dihydroxypyrimidine, 2-pyrazoline, 3-pyrazoline, N-aminomorpholine, N-
(2-aminoethyl) morpholine, 1,5-diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene, 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene, 2,4,4
5-triphenylimidazole, tri (n-butyl) amine, tri (n-octyl) amine, N-phenyldiethanolamine, N-hydroxyethylpiperidine,
2,6-diisopropylaniline, N-cyclohexyl-N′-morpholinoethylthiourea and the like,
It is not limited to this.

【0215】更に好ましい化合物として、置換もしくは
未置換のグアニジン、置換もしくは未置換のアミノピロ
リジン、置換もしくは未置換のピラゾール、置換もしく
は未置換のピラゾリン、置換もしくは未置換のピペラジ
ン、置換もしくは未置換のアミノモルホリン、置換もし
くは未置換のアミノアルキルモルフォリン、置換もしく
は未置換のピペリジン、更に、イミダゾール構造、ジア
ザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、オニウム
カルボキシレート構造、またはアニリン構造を有する化
合物を挙げることができる。
Further preferred compounds include substituted or unsubstituted guanidine, substituted or unsubstituted aminopyrrolidine, substituted or unsubstituted pyrazole, substituted or unsubstituted pyrazoline, substituted or unsubstituted piperazine, substituted or unsubstituted amino Examples thereof include morpholine, substituted or unsubstituted aminoalkylmorpholine, substituted or unsubstituted piperidine, and compounds having an imidazole structure, diazabicyclo structure, onium hydroxide structure, onium carboxylate structure, or aniline structure.

【0216】イミダゾール構造を有する化合物としては
イミダゾール、2、4、5−トリフェニルイミダゾー
ル、ベンズイミダゾール等があげられる。ジアザビシク
ロ構造を有する化合物としては1、4−ジアザビシクロ
[2,2,2]オクタン、1、5−ジアザビシクロ
[4,3,0]ノナー5−エン、1、8−ジアザビシク
ロ[5,4,0]ウンデカー7−エンなどがあげられ
る。オニウムヒドロキシド構造を有する化合物としては
トリアリールスルホニウムヒドロキシド、フェナシルス
ルホニウムヒドロキシド、2−オキソアルキル基を有す
るスルホニウムヒドロキシド、具体的にはトリフェニル
スルホニウムヒドロキシド、トリス(t−ブチルフェニ
ル)スルホニウムヒドロキシド、ビス(t−ブチルフェ
ニル)ヨードニウムヒドロキシド、フェナシルチオフェ
ニウムヒドロキシド、2−オキソプロピルチオフェニウ
ムヒドロキシドなどがあげられる。オニウムカルボキシ
レート構造を有する化合物としてはオニウムヒドロキシ
ド構造を有する化合物のアニオン部がカルボキシレート
になったものであり、例えばアセテート、アダマンタン
ー1−カルボキシレート、パーフロロアルキルカルボキ
シレート等があげられる。アニリン化合物としては、
2,6−ジイソプロピルアニリン、N,N−ジメチルア
ニリン等を挙げることができる。いずれも例示の具体例
に限定されるものではない。
Examples of the compound having an imidazole structure include imidazole, 2,4,5-triphenylimidazole, benzimidazole and the like. Examples of the compound having a diazabicyclo structure include 1,4-diazabicyclo [2,2,2] octane, 1,5-diazabicyclo [4,3,0] noner 5-ene, and 1,8-diazabicyclo [5,4,0]. Undeca 7-en and the like. Examples of the compound having an onium hydroxide structure include triarylsulfonium hydroxide, phenacylsulfonium hydroxide, and a sulfonium hydroxide having a 2-oxoalkyl group, specifically, triphenylsulfonium hydroxide, and tris (t-butylphenyl) sulfonium. Hydroxide, bis (t-butylphenyl) iodonium hydroxide, phenacylthiophenium hydroxide, 2-oxopropylthiophenium hydroxide and the like. The compound having an onium carboxylate structure is a compound having an onium hydroxide structure in which the anion moiety has become a carboxylate, and examples thereof include acetate, adamantane-1-carboxylate, and perfluoroalkyl carboxylate. As the aniline compound,
Examples thereof include 2,6-diisopropylaniline and N, N-dimethylaniline. Neither is limited to the illustrated example.

【0217】これらの(C)塩基性化合物は、単独であ
るいは2種以上で用いられる。(C)塩基性化合物の使
用量は、感光性樹脂組成物の固形分を基準として、通
常、0.001〜10重量%、好ましくは0.01〜5
重量%である。0.001重量%未満では上記塩基性化
合物の添加の効果が得られない。一方、10重量%を超
えると感度の低下や非露光部の現像性が悪化する傾向が
ある。
These basic compounds (C) may be used alone or in combination of two or more. The amount of the basic compound (C) used is usually 0.001 to 10% by weight, preferably 0.01 to 5% by weight, based on the solid content of the photosensitive resin composition.
% By weight. If the amount is less than 0.001% by weight, the effect of the addition of the basic compound cannot be obtained. On the other hand, if it exceeds 10% by weight, the sensitivity tends to decrease and the developability of the unexposed portion tends to deteriorate.

【0218】≪(D)フッ素系及び/又はシリコン系界
面活性剤≫本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、フッ素
系及び/又はシリコン系界面活性剤(フッ素系界面活性
剤及びシリコン系界面活性剤、フッソ原子と珪素原子の
両方を含有する界面活性剤)のいずれか、あるいは2種
以上を含有することが好ましい。本発明のポジ型感光性
組成物が上記(D)界面活性剤とを含有することによ
り、250nm以下、特に220nm以下の露光光源の
使用時に、良好な感度及び解像度で、密着性及び現像欠
陥の少ないレジストパターンを与えることが可能とな
る。これらの(D)界面活性剤として、例えば特開昭62
-36663号、特開昭61- 226746号、特開昭61-226745号、
特開昭62-170950号、特開昭63-34540号、特開平7-23016
5号、特開平8-62834号、特開平9-54432号、特開平9-598
8号、米国特許5405720号、同5360692号、同5529881号、
同5296330号、同5436098号、同5576143号、同 5294511
号、同5824451号記載の界面活性剤を挙げることがで
き、下記市販の界面活性剤をそのまま用いることもでき
る。使用できる市販の界面活性剤として、例えばエフト
ップEF301、EF303、(新秋田化成(株)製)、フロラードFC
430、431(住友スリーエム(株)製)、メガファックF171、
F173、F176、F189、R08(大日本インキ(株)製)、サ
ーフロンS−382、SC101、102、103、104、105、106(旭
硝子(株)製)、トロイゾルS−366(トロイケミカ
ル(株)製)等のフッ素系界面活性剤又はシリコン系界
面活性剤を挙げることができる。またポリシロキサンポ
リマーKP−341(信越化学工業(株)製)もシリコン系
界面活性剤として用いることができる。
{(D) Fluorine and / or Silicon Surfactant} The positive photosensitive resin composition of the present invention comprises a fluorine and / or silicon surfactant (fluorine and silicon surfactant). Surfactant or a surfactant containing both a fluorine atom and a silicon atom), or two or more kinds. When the positive photosensitive composition of the present invention contains the surfactant (D) described above, when using an exposure light source of 250 nm or less, particularly 220 nm or less, it has good sensitivity and resolution, and has good adhesion and development defects. It is possible to provide a small number of resist patterns. These (D) surfactants include, for example, those described in
-36663, JP-A-61-226746, JP-A-61-226745,
JP-A-62-170950, JP-A-63-34540, JP-A-7-23016
No. 5, JP-A-8-62834, JP-A-9-54432, JP-A-9-598
No. 8, U.S. Pat.No. 5,405,720, No. 5360692, No. 5529881,
5296330, 5436098, 5576143, 5294511
And No. 5824451. The following commercially available surfactants can also be used as they are. As commercially available surfactants that can be used, for example, F-top EF301, EF303, (manufactured by Shin-Akita Chemical Co., Ltd.), Florad FC
430, 431 (Sumitomo 3M Limited), Mega Fuck F171,
F173, F176, F189, R08 (manufactured by Dai Nippon Ink Co., Ltd.), Surflon S-382, SC101, 102, 103, 104, 105, 106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), Troysol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.) )) Or a silicon-based surfactant. Also, polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) can be used as a silicon-based surfactant.

【0219】界面活性剤の使用量は、ポジ型感光性組成
物全量(溶剤を除く)に対して、好ましくは0.000
1〜2重量%、より好ましくは0.001〜1重量%で
ある。
The amount of the surfactant used is preferably 0.000 to the total amount of the positive photosensitive composition (excluding the solvent).
The content is 1 to 2% by weight, more preferably 0.001 to 1% by weight.

【0220】≪(E)有機溶剤≫本発明の感光性組成物
は、上記の成分を所定の有機溶剤に溶解して用いる。使
用し得る有機溶剤としては、例えば、エチレンジクロラ
イド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、2−ヘプ
タノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エ
チレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコ
ールモノエチルエーテル、2−メトキシエチルアセテー
ト、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテルアセテート、トルエ
ン、酢酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、メトキシプ
ロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル、ピル
ビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピ
ル、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、N−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン等を
挙げることができる。
{(E) Organic Solvent} The photosensitive composition of the present invention is used by dissolving the above components in a predetermined organic solvent. Examples of usable organic solvents include, for example, ethylene dichloride, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, γ-butyrolactone, methyl ethyl ketone, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 2-methoxyethyl acetate, ethylene glycol monoethyl Ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, toluene, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, N, N -Dimethylformamide, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, tetrahydrofuran and the like.

【0221】本発明においては、有機溶剤として構造中
に水酸基を含有する溶剤と、水酸基を含有しない溶剤と
を混合した混合溶剤を使用することが好ましい。これに
よりレジスト液保存時のパーティクル発生を軽減するこ
とができる。水酸基を含有する溶剤としては、例えば、
エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロ
ピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、乳
酸エチル等を挙げることができ、これらの内でプロピレ
ングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチルが特に好
ましい。水酸基を含有しない溶剤としては、例えば、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エ
チルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、γ−ブ
チロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチル、N−メ
チルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメ
チルスルホキシド等を挙げることができ、これらの内
で、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘプタノン、
γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、酢酸ブチルが
特に好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート、エチルエトキシプロピオネート、2−ヘ
プタノンが最も好ましい。水酸基を含有する溶剤と水酸
基を含有しない溶剤との混合比(重量)は、1/99〜
99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好
ましくは20/80〜60/40である。水酸基を含有
しない溶剤を50重量%以上含有する混合溶剤が塗布均
一性の点で特に好ましい。
In the present invention, it is preferable to use, as the organic solvent, a mixed solvent obtained by mixing a solvent containing a hydroxyl group in the structure and a solvent not containing a hydroxyl group. This can reduce generation of particles during storage of the resist solution. As the solvent containing a hydroxyl group, for example,
Ethylene glycol, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethyl lactate and the like, among which propylene glycol monomethyl ether and ethyl lactate are particularly preferred preferable. Examples of the solvent containing no hydroxyl group include propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone, γ-butyrolactone, cyclohexanone, butyl acetate, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide and the like. Among these, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, 2-heptanone,
γ-butyrolactone, cyclohexanone, and butyl acetate are particularly preferred, and propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl ethoxypropionate, and 2-heptanone are most preferred. The mixing ratio (weight) of the solvent containing a hydroxyl group to the solvent not containing a hydroxyl group is from 1/99 to
The ratio is 99/1, preferably 10/90 to 90/10, and more preferably 20/80 to 60/40. A mixed solvent containing 50% by weight or more of a solvent containing no hydroxyl group is particularly preferable from the viewpoint of coating uniformity.

【0222】≪(F)酸分解性溶解阻止化合物≫本発明
のポジ型感光性組成物は、(F)酸の作用により分解し
てアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有し、
分子量3000以下の溶解阻止低分子化合物(以下、
「(F)酸分解性溶解阻止化合物」ともいう)を含有す
ることが好ましい。特に220nm以下の透過性を低下
させないため、Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)
に記載されている酸分解性基を含むコール酸誘導体の様
な、酸分解性基を含有する脂環族又は脂肪族化合物が
(F)酸分解性溶解阻止化合物として好ましい。酸分解
性基、脂環式構造としては、上記酸分解性樹脂のところ
で説明したものと同様のものが挙げられる。(F)酸分
解性溶解阻止化合物の添加量は、ポジ型感光性組成物の
全組成物の固形分に対し、好ましくは3〜50重量%で
あり、より好ましくは5〜40重量%である。以下に
(F)酸分解性溶解阻止化合物の具体例を示すが、これ
らに限定されない。
{(F) Acid-decomposable dissolution-inhibiting compound} The positive photosensitive composition of the present invention has a group which is decomposed by the action of (F) acid to increase the solubility in an alkaline developer. ,
Dissolution inhibiting low molecular weight compounds having a molecular weight of 3000 or less (hereinafter, referred to as
"(F) acid-decomposable dissolution inhibiting compound"). Proceeding of SPIE, 2724,355 (1996)
An alicyclic or aliphatic compound containing an acid-decomposable group, such as the cholic acid derivative containing an acid-decomposable group described in (1), is preferred as the acid-decomposable dissolution inhibiting compound (F). Examples of the acid-decomposable group and the alicyclic structure include the same as those described for the acid-decomposable resin. (F) The amount of the acid-decomposable dissolution-inhibiting compound to be added is preferably 3 to 50% by weight, more preferably 5 to 40% by weight, based on the solid content of the whole positive photosensitive composition. . Specific examples of (F) the acid-decomposable dissolution inhibiting compound are shown below, but the invention is not limited thereto.

【0223】[0223]

【化92】 Embedded image

【0224】≪(G)アルカリ可溶性樹脂≫本発明のポ
ジ型フォトレジスト組成物は、酸分解性基を含有してい
ない、(D)水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂を
含有することができ、これにより感度が向上する。本発
明においては、分子量1000〜20000程度のノボ
ラック樹脂類、分子量3000〜50000程度のポリ
ヒドロキシスチレン誘導体をこのような樹脂として用い
ることができるが、これらは250nm以下の光に対し
て吸収が大きいため、一部水素添加して用いるか、又は
全樹脂量の30重量%以下の量で使用するのが好まし
い。また、カルボキシル基をアルカリ可溶性基として含
有する樹脂も用いることができる。カルボキシル基を含
有する樹脂中にはドライエッチング耐性向上のために単
環、又は多環の脂環炭化水素基を有していることが好ま
しい。具体的には酸分解性を示さない脂環式炭化水素構
造を有するメタクリル酸エステルと(メタ)アクリル酸
の共重合体あるいは末端にカルボキシル基を有する脂環
炭化水素基の(メタ)アクリル酸エステルの樹脂などを
挙げることができる。
{(G) Alkali-Soluble Resin} The positive photoresist composition of the present invention contains (D) a resin which is insoluble in water and soluble in an alkali developing solution and which does not contain an acid-decomposable group. And thus the sensitivity is improved. In the present invention, a novolak resin having a molecular weight of about 1,000 to 20,000 and a polyhydroxystyrene derivative having a molecular weight of about 3,000 to 50,000 can be used as such a resin. However, these resins have large absorption for light having a wavelength of 250 nm or less. It is preferable to use a partially hydrogenated product or to use it in an amount of 30% by weight or less of the total resin amount. Further, a resin containing a carboxyl group as an alkali-soluble group can also be used. The resin containing a carboxyl group preferably has a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon group for improving dry etching resistance. Specifically, a copolymer of a methacrylic acid ester having an alicyclic hydrocarbon structure and a non-acid-decomposable structure and a (meth) acrylic acid or a (meth) acrylic acid ester of an alicyclic hydrocarbon group having a terminal carboxyl group And the like.

【0225】≪その他の添加剤≫本発明のポジ型感光性
組成物には、必要に応じてさらに染料、可塑剤、上記
(D)成分以外の界面活性剤、光増感剤、及び現像液に
対する溶解性を促進させる化合物等を含有させることが
できる。本発明で使用できる現像液に対する溶解促進性
化合物は、フェノール性OH基を2個以上、又はカルボ
キシ基を1個以上有する分子量1,000以下の低分子
化合物である。カルボキシ基を有する場合は上記と同じ
理由で脂環族又は脂肪族化合物が好ましい。これら溶解
促進性化合物の好ましい添加量は、(B)酸の作用によ
り分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂
に対して2〜50重量%であり、さらに好ましくは5〜
30重量%である。50重量%を越えた添加量では、現
像残渣が悪化し、また現像時にパターンが変形するとい
う新たな欠点が発生して好ましくない。
{Other Additives} The positive photosensitive composition of the present invention may further contain, if necessary, a dye, a plasticizer, a surfactant other than the above-mentioned component (D), a photosensitizer, and a developer. And the like which promote the solubility of the compound. The compound capable of accelerating dissolution in a developer that can be used in the present invention is a low molecular compound having a molecular weight of 1,000 or less and having two or more phenolic OH groups or one or more carboxy groups. When it has a carboxy group, an alicyclic or aliphatic compound is preferable for the same reason as described above. The preferred addition amount of these dissolution promoting compounds is 2 to 50% by weight, more preferably 5 to 50% by weight, based on the resin which is decomposed by the action of the acid (B) and has increased solubility in an alkali developer.
30% by weight. An addition amount exceeding 50% by weight is not preferable because new development defects such as development residue deterioration and pattern deformation during development occur.

【0226】このような分子量1000以下のフェノー
ル化合物は、例えば、特開平4−122938、特開平
2−28531、米国特許第4916210、欧州特許
第219294等に記載の方法を参考にして、当業者に
おいて容易に合成することができる。カルボキシル基を
有する脂環族、又は脂肪族化合物の具体例としてはコー
ル酸、デオキシコール酸、リトコール酸などのステロイ
ド構造を有するカルボン酸誘導体、アダマンタンカルボ
ン酸誘導体、アダマンタンジカルボン酸、シクロヘキサ
ンカルボン酸、シクロヘキサンジカルボン酸などが挙げ
られるがこれらに限定されるものではない。
A phenol compound having a molecular weight of 1,000 or less can be prepared by those skilled in the art by referring to the methods described in, for example, JP-A-4-122938, JP-A-2-28531, US Pat. No. 4,916,210, and EP 219294. It can be easily synthesized. Specific examples of the alicyclic group having a carboxyl group or an aliphatic compound include carboxylic acid derivatives having a steroid structure such as cholic acid, deoxycholic acid, and lithocholic acid, adamantanecarboxylic acid derivatives, adamantanedicarboxylic acid, cyclohexanecarboxylic acid, and cyclohexane. Examples include, but are not limited to, dicarboxylic acids.

【0227】本発明においては、上記(D)フッ素系及
び/又はシリコン系界面活性剤以外の他の界面活性剤を
加えることもできる。具体的には、ポリオキシエチレン
ラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエー
テル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシ
エチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアル
キルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノー
ルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエー
テル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル
類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロッ
クコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタ
ンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソ
ルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、
ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エス
テル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレー
ト、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテ−ト、
ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリ
オキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシ
エチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエ
チレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面
活性剤等を挙げることができる。これらの界面活性剤は
単独で添加してもよいし、また、いくつかの組み合わせ
で添加することもできる。
In the present invention, a surfactant other than the (D) fluorine-based and / or silicon-based surfactant may be added. Specifically, polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene cetyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenol ether, polyoxyethylene nonyl phenol ether and the like Polyoxyethylene alkyl allyl ethers, polyoxyethylene / polyoxypropylene block copolymers, sorbitan monolaurate, sorbitan monopalmitate, sorbitan monostearate, sorbitan monooleate, sorbitan trioleate,
Sorbitan fatty acid esters such as sorbitan tristearate, polyoxyethylene sorbitan monolaurate, polyoxyethylene sorbitan monopalmitate,
Nonionic surfactants such as polyoxyethylene sorbitan fatty acid esters such as polyoxyethylene sorbitan monostearate, polyoxyethylene sorbitan trioleate, and polyoxyethylene sorbitan tristearate, and the like. These surfactants may be added alone or in some combination.

【0228】≪使用方法≫本発明の感光性組成物は、上
記の成分を所定の有機溶剤、好ましくは前記混合溶剤に
溶解し、次のように所定の支持体上に塗布して用いる。
すなわち、上記感光性組成物を精密集積回路素子の製造
に使用されるような基板(例:シリコン/二酸化シリコ
ン被覆)上にスピナー、コーター等の適当な塗布方法に
より塗布する。塗布後、所定のマスクを通して露光し、
ベークを行い現像する。このようにすると、良好なレジ
ストパターンを得ることができる。ここで露光光として
は、好ましくは250nm以下、より好ましくは220
nm以下の波長の遠紫外線である。具体的には、KrF
エキシマレーザー(248nm)、ArFエキシマレー
ザー(193nm)、F2エキシマレーザー(157n
m)、X線、電子ビーム等が挙げられる。
{Method of Use} The photosensitive composition of the present invention is used by dissolving the above-mentioned components in a predetermined organic solvent, preferably in the above-mentioned mixed solvent, and coating it on a predetermined support as follows.
That is, the photosensitive composition is applied on a substrate (eg, silicon / silicon dioxide coating) such as used in the production of precision integrated circuit devices by a suitable application method such as a spinner or a coater. After coating, exposure through a predetermined mask,
Bake and develop. By doing so, a good resist pattern can be obtained. Here, the exposure light is preferably 250 nm or less, more preferably 220 nm or less.
It is far ultraviolet light having a wavelength of less than nm. Specifically, KrF
Excimer laser (248 nm), ArF excimer laser (193 nm), F 2 excimer laser (157 n)
m), X-rays, electron beams and the like.

【0229】現像工程では、現像液を次のように用い
る。感光性組成物の現像液としては、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウ
ム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アル
カリ類、エチルアミン、n−プロピルアミン等の第一ア
ミン類、ジエチルアミン、ジ−n−ブチルアミン等の第
二アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン
等の第三アミン類、ジメチルエタノールアミン、トリエ
タノールアミン等のアルコールアミン類、テトラメチル
アンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウム
ヒドロキシド等の第四級アンモニウム塩、ピロール、ピ
ヘリジン等の環状アミン類等のアルカリ性水溶液を使用
することができる。さらに、上記アルカリ性水溶液にア
ルコール類、界面活性剤を適当量添加して使用すること
もできる。
In the developing step, a developing solution is used as follows. As the developer of the photosensitive composition, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, inorganic alkalis such as ammonia water, ethylamine, primary amines such as n-propylamine, Secondary amines such as diethylamine and di-n-butylamine, tertiary amines such as triethylamine and methyldiethylamine, alcoholamines such as dimethylethanolamine and triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide and the like An alkaline aqueous solution such as a quaternary ammonium salt, a cyclic amine such as pyrrole, or pyrhelidine can be used. Further, an appropriate amount of an alcohol or a surfactant may be added to the above alkaline aqueous solution for use.

【0230】[0230]

【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明するが、本発明の範囲は実施例によっていささかも制
限されない。
EXAMPLES The present invention will now be described in detail with reference to examples, but the scope of the present invention is not at all limited by the examples.

【0231】<酸発生剤の合成例> 合成例(1) 酸発生剤(I−3)の合成 ジフェニルスルホキシド50gをベンゼン800mlに
溶解させ、これに塩化アルミニウム200gを加え、2
4時間還流した。反応液を水2Lにゆっくりと注ぎ、こ
れに濃硫酸400mlを加えて70℃で10分加熱し
た。この水溶液を酢酸エチル500mlで洗浄し、ろ過
した後にヨウ化アンモニウム200gを水400mlに
溶解したものを加えた。析出した粉体をろ取、水洗した
後酢酸エチルで洗浄、乾燥するとトリフェニルスルホニ
ウムヨージドが70g得られた。トリフェニルスルホニ
ウムヨージド17.6gをメタノール1000mlに溶
解させ、この溶液に酸化銀12.5gを加え、室温で4
時間攪拌した。溶液をろ過し、これに25gパーフロロ
−n−オクタンスルホン酸のメタノール溶液を加えた。
反応液を濃縮し、析出した油状物を酢酸エチルに溶解さ
せ、水洗、乾燥、濃縮すると目的物が20.5g得られ
た。
<Synthesis example of acid generator> Synthesis example (1) Synthesis of acid generator (I-3) 50 g of diphenyl sulfoxide was dissolved in 800 ml of benzene, and 200 g of aluminum chloride was added thereto.
Refluxed for 4 hours. The reaction solution was slowly poured into 2 L of water, and 400 ml of concentrated sulfuric acid was added thereto, followed by heating at 70 ° C. for 10 minutes. This aqueous solution was washed with 500 ml of ethyl acetate, filtered, and then a solution prepared by dissolving 200 g of ammonium iodide in 400 ml of water was added. The precipitated powder was collected by filtration, washed with water, washed with ethyl acetate and dried to obtain 70 g of triphenylsulfonium iodide. 17.6 g of triphenylsulfonium iodide was dissolved in 1000 ml of methanol, and 12.5 g of silver oxide was added to this solution.
Stirred for hours. The solution was filtered, and to this was added 25 g of a solution of perfluoro-n-octanesulfonic acid in methanol.
The reaction solution was concentrated, and the precipitated oil was dissolved in ethyl acetate, washed with water, dried and concentrated to obtain 20.5 g of the desired product.

【0232】合成例(2) 酸発生剤(I−5)の合成 ジ(t−ブチルフェニル)スルフィド(80mmo
l)、ジ(t−ブチルフェニル)ヨードニウムパーフロ
ロ−n−ブタンスルホネート(20mmol)、安息香
酸銅(4mmol)の混合物を窒素気流下130℃で4
時間攪拌した。反応液を放冷し、これにエタノール10
0mlを加え、析出物を除いた。ろ液を濃縮し、これに
エーテル200mlを加えると粉体が析出、これをろ
取、エーテルで洗浄、乾燥すると目的物が得られた。
Synthesis Example (2) Synthesis of Acid Generator (I-5) Di (t-butylphenyl) sulfide (80 mmol)
l), a mixture of di (t-butylphenyl) iodonium perfluoro-n-butanesulfonate (20 mmol) and copper benzoate (4 mmol) was added at 130 ° C. under a nitrogen stream at 4 ° C.
Stirred for hours. The reaction solution was allowed to cool, and ethanol 10
0 ml was added to remove precipitates. The filtrate was concentrated, and 200 ml of ether was added thereto to precipitate a powder. The powder was collected by filtration, washed with ether, and dried to obtain the desired product.

【0233】トリフェニルスルホニウムパーフロロブタ
ンスルホネート及びトリフェニルスルホニウムトリフレ
ートは、みどり化学製を用い、他の酸発生剤(I)は、
上記と同様の方法により合成した。
Triphenylsulfonium perfluorobutanesulfonate and triphenylsulfonium triflate were manufactured by Midori Kagaku. Other acid generators (I) were
Synthesized by the same method as above.

【0234】合成例(3):フェナシルテトラヒドロチ
オフェニウムパーフロロブタンスルホネート(III−
1)の合成 テトラヒドロチオフェン53.2gをアセトニトリル4
00mlに溶解させ、この溶液にフェナシルブロミド1
00gをアセトニトリル300mlに溶解させたものを
ゆっくり加えた。室温で3時間撹拌すると粉体が析出し
た。反応液を酢酸エチル1500mlに注ぎ、粉体をろ
取乾燥するとフェナシルテトラヒドロチオフェニウムブ
ロミド137gが得られた。パーフロロブタンスルホン
酸カリウム60gを水200ml、メタノール200m
lの混合溶剤に溶解させ、これにフェナシルテトラヒド
ロチオフェニウムブロミド49.5gを水300mlに
溶解させたものを加えた。この水溶液をクロロホルム2
00mlで2回抽出し、有機相を水洗、濃縮すると粗生
成物が得られた。これに蒸留水300mlを加え、10
0℃で30分加熱した後冷却すると固体が析出した。固
体をろ取、ジイソプロピルエーテルでリスラリーすると
フェナシルテトラヒドロチオフェニウムパーフロロブタ
ンスルホネート77gが得られた。
Synthesis Example (3): Phenacyltetrahydrothiophenium perfluorobutanesulfonate (III-
Synthesis of 1) 53.2 g of tetrahydrothiophene was added to acetonitrile 4
Of phenacyl bromide 1
A solution prepared by dissolving 00 g in acetonitrile (300 ml) was slowly added. After stirring at room temperature for 3 hours, powder was deposited. The reaction solution was poured into 1500 ml of ethyl acetate, and the powder was collected by filtration and dried to obtain 137 g of phenacyltetrahydrothiophenium bromide. 60 g of potassium perfluorobutanesulfonate was added to 200 ml of water and 200 m of methanol.
of phenacyltetrahydrothiophenium bromide dissolved in 300 ml of water. This aqueous solution is mixed with chloroform 2
The mixture was extracted twice with 00 ml, and the organic phase was washed with water and concentrated to obtain a crude product. 300 ml of distilled water is added to this and 10
After heating at 0 ° C. for 30 minutes and cooling, a solid precipitated. The solid was collected by filtration and reslurried with diisopropyl ether to obtain 77 g of phenacyltetrahydrothiophenium perfluorobutanesulfonate.

【0235】合成例(4):フェナシルテトラヒドロチ
オフェニウムパーフロロオクタンスルホネート(III
−3)の合成 フェナシルテトラヒドロチオフェニウムブロミドを上記
と同様の操作を行ってパーフロロオクタンスルホン酸と
塩交換することによって合成した。 合成例(5):フェナシルテトラヒドロチオフェニウム
トリフロロメタンスルホネート(III−2)の合成 フェナシルテトラヒドロチオフェニウムブロミドを上記
と同様の操作を行ってトリフロロメタンスルホン酸と塩
交換することによって合成した。他の化合物についても
対応するフェナシルハロゲニドとスルフィド化合物を反
応させてフェナシルスルホニウムハロゲニドを合成した
後、スルホン酸(塩)と塩交換することによって合成し
た。
Synthesis Example (4): Phenacyltetrahydrothiophenium perfluorooctanesulfonate (III
Synthesis of -3) Phenacyltetrahydrothiophenium bromide was synthesized by performing salt exchange with perfluorooctanesulfonic acid by performing the same operation as described above. Synthesis Example (5): Synthesis of phenacyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate (III-2) By subjecting phenacyltetrahydrothiophenium bromide to salt exchange with trifluoromethanesulfonic acid by performing the same operation as described above. Synthesized. Other compounds were also synthesized by reacting the corresponding phenacylhalogenide with a sulfide compound to synthesize phenacylsulfonium halogenide, followed by salt exchange with sulfonic acid (salt).

【0236】<樹脂の合成例> 合成例(1) 樹脂(1)の合成(側鎖型) 2−エチル−2−アダマンチルメタクリレート、ブチロ
ラクトンメタクリレートを55/45の割合で仕込みメ
チルエチルケトン/テトラヒドロフラン=5/5に溶解
し、固形分濃度20%の溶液100mLを調製した。こ
の溶液に和光純薬製V−65を2mol%加え、これを
窒素雰囲気下、4時間かけて60℃に加熱したメチルエ
チルケトン10mLに滴下した。滴下終了後、反応液を
4時間加熱、再度V−65を1mol%添加し、4時間
攪拌した。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、蒸留
水/ISOプロピルアルコール=1/1の混合溶媒3L
に晶析、析出した白色粉体である樹脂(1)を回収し
た。C13NMRから求めたポリマー組成比は46/54
であった。また、GPC測定により求めた標準ポリスチ
レン換算の重量平均分子量は10700であった。
<Synthesis example of resin> Synthesis example (1) Synthesis of resin (1) (side chain type) 2-ethyl-2-adamantyl methacrylate and butyrolactone methacrylate were charged at a ratio of 55/45, and methyl ethyl ketone / tetrahydrofuran = 5/45. 5 to prepare 100 mL of a 20% solids solution. To this solution, 2 mol% of V-65 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added, and this was added dropwise to 10 mL of methyl ethyl ketone heated to 60 ° C. over 4 hours under a nitrogen atmosphere. After the addition was completed, the reaction solution was heated for 4 hours, 1 mol% of V-65 was added again, and the mixture was stirred for 4 hours. After completion of the reaction, the reaction solution was cooled to room temperature, and 3 L of a mixed solvent of distilled water / ISO propyl alcohol = 1/1 was used.
The resin (1) as a white powder crystallized and precipitated was recovered. The polymer composition ratio determined from C 13 NMR was 46/54.
Met. The weight average molecular weight in terms of standard polystyrene determined by GPC measurement was 10,700.

【0237】上記合成例(1)と同様の操作で樹脂
(2)〜(15)を合成した。以下に上記樹脂(2)〜
(15)の組成比、分子量を示す。(繰り返し単位1、
2、3、4は構造式の左からの順番である。)
Resins (2) to (15) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example (1). The following resin (2) to
The composition ratio and molecular weight of (15) are shown. (Repeat unit 1,
2, 3, and 4 are the order from the left of the structural formula. )

【0238】[0238]

【表1】 [Table 1]

【0239】また、以下に上記樹脂(1)〜(15)の
構造を示す。
The structures of the resins (1) to (15) are shown below.

【0240】[0240]

【化93】 Embedded image

【0241】[0241]

【化94】 Embedded image

【0242】[0242]

【化95】 Embedded image

【0243】[0243]

【化96】 Embedded image

【0244】合成例(2) 樹脂(16)の合成(主鎖
型) ノルボルネンカルボン酸tブチルエステル、ノルボルネ
ンカルボン酸ブチロラクトンエステルと無水マレイン酸
(モル比40/10/50)およびTHF(反応温度6
0重量%)をセパラブルフラスコに仕込み、窒素気流下
60℃で加熱した。反応温度が安定したところで和光純
薬社製ラジカル開始剤V−601を2mol%加え反応
を開始させた。12時間加熱した。得られた反応混合物
をテトラヒドロフランで2倍に稀釈した後、ヘキサン/
イソプロピルアルコール=1/1の混合溶液に投入し白
色粉体を析出させた。析出した粉体を濾過取り出しし、
乾燥、目的物である樹脂(16)を得た。得られた樹脂
(16)のGPCによる分子量分析を試みたところ、ポ
リスチレン換算で8300(重量平均)であった。ま
た、NMRスペクトルより樹脂(1)のノルボルネンカ
ルボン酸tブチルエステル/ノルボルネンカルボン酸ブ
チロラクトンエステル/無水マレイン酸繰り返し単位の
モル比は42/8/50であることを確認した。
Synthesis Example (2) Synthesis of Resin (16) (Main Chain Type) Norbornene carboxylic acid t-butyl ester, norbornene carboxylic acid butyrolactone ester and maleic anhydride (molar ratio 40/10/50) and THF (reaction temperature 6)
0% by weight) was placed in a separable flask and heated at 60 ° C. under a nitrogen stream. When the reaction temperature was stabilized, 2 mol% of a radical initiator V-601 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added to start the reaction. Heat for 12 hours. After diluting the obtained reaction mixture twice with tetrahydrofuran, hexane /
It was poured into a mixed solution of isopropyl alcohol = 1/1 to precipitate a white powder. Filter out the precipitated powder,
Drying yielded the desired resin (16). When the molecular weight analysis of the obtained resin (16) by GPC was attempted, it was 8300 (weight average) in terms of polystyrene. From the NMR spectrum, it was confirmed that the molar ratio of norbornene carboxylic acid t-butyl ester / norbornene carboxylic acid butyrolactone ester / maleic anhydride repeating unit of the resin (1) was 42/8/50.

【0245】合成例(2)と同様の方法で以下、樹脂
(17)〜(27)を合成した。以下に上記樹脂(1
7)〜(27)の組成比、分子量を示す。(脂環オレフ
ィン単位1、2、3は構造式の左からの順番である。)
Resins (17) to (27) were synthesized in the same manner as in Synthesis Example (2). The following resin (1)
The composition ratios and molecular weights of 7) to (27) are shown. (Alicyclic olefin units 1, 2, and 3 are in order from the left in the structural formula.)

【0246】[0246]

【表2】 [Table 2]

【0247】また、以下に上記樹脂(16)〜(27)
の構造を示す。
The following resins (16) to (27)
The structure of is shown.

【0248】[0248]

【化97】 Embedded image

【0249】[0249]

【化98】 Embedded image

【0250】合成例(3) 樹脂(28)の合成(ハイ
ブリッド型) ノルボルネン、無水マレイン酸、tブチルアクリレー
ト、2−メチルシクロヘキシル−2−プロピルアクリレ
ートをモル比で35/35/20/10で反応容器に仕
込み、テトラヒドロフランに溶解し、固形分60%の溶
液を調製した。これを窒素気流下65℃で加熱した。反
応温度が安定したところで和光純薬社製ラジカル開始剤
V−601を1mol%加え反応を開始させた。8時間
加熱した後、反応混合物をテトラヒドロフランで2倍に
稀釈した後、反応混合液の5倍容量のヘキサンに投入し
白色粉体を析出させた。析出した粉体を濾過取り出し
し、これをメチルエチルケトンに溶解し、5倍容量のヘ
キサン/t−ブチルメチルエーテル=1/1混合溶媒に
再沈し、析出した白色粉体を濾取、乾燥、目的物である
樹脂(28)を得た。得られた樹脂(28)のGPCに
よる分子量分析を試みたところ、ポリスチレン換算で1
2100(重量平均)であった。また、NMRスペクト
ルより樹脂(1)の組成は本発明のノルボルネン/無水
マレイン酸/tブチルアクリレート/2−メチルシクロ
ヘキシル−2−プロピルアクリレートをモル比で32/
39/19/10であった。
Synthesis Example (3) Synthesis of Resin (28) (Hybrid Type) Norbornene, maleic anhydride, t-butyl acrylate, 2-methylcyclohexyl-2-propyl acrylate was reacted at a molar ratio of 35/35/20/10. The solution was charged in a container and dissolved in tetrahydrofuran to prepare a solution having a solid content of 60%. This was heated at 65 ° C. under a stream of nitrogen. When the reaction temperature was stabilized, 1 mol% of a radical initiator V-601 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added to start the reaction. After heating for 8 hours, the reaction mixture was diluted twice with tetrahydrofuran, and then poured into 5 times the volume of hexane of the reaction mixture to precipitate a white powder. The precipitated powder was taken out by filtration, dissolved in methyl ethyl ketone, reprecipitated in a 5-fold volume hexane / t-butyl methyl ether = 1/1 mixed solvent, and the precipitated white powder was collected by filtration, dried and dried. As a result, a resin (28) was obtained. When the molecular weight analysis of the obtained resin (28) by GPC was tried, it was 1 in terms of polystyrene.
2,100 (weight average). From the NMR spectrum, the composition of the resin (1) was as follows: norbornene / maleic anhydride / t-butyl acrylate / 2-methylcyclohexyl-2-propyl acrylate of the present invention in a molar ratio of 32 /
39/19/10.

【0251】合成例(3)と同様の方法で以下、樹脂
(29)〜(41)を合成した。以下に上記樹脂(2
9)〜(41)の組成比、分子量を示す。
In the same manner as in Synthesis Example (3), Resins (29) to (41) were synthesized. The following resin (2)
The composition ratios and molecular weights of 9) to (41) are shown.

【0252】[0252]

【表3】 [Table 3]

【0253】また、以下に上記樹脂(28)〜(41)
の構造を示す。
The following resins (28) to (41)
The structure of is shown.

【0254】[0254]

【化99】 Embedded image

【0255】[0255]

【化100】 Embedded image

【0256】[0256]

【化101】 Embedded image

【0257】[0257]

【化102】 Embedded image

【0258】合成例(4) 樹脂(42)の合成(ハイ
ブリッド型) ノルボルネンカルボン酸tブチルエステル、無水マレイ
ン酸、2−メチル−2−アダマンチルアクリレート、ノ
ルボルネンラクトンアクリレートをモル比で20/20
/35/25で反応容器に仕込み、メチルエチルケトン
/テトラヒドロフラン=1/1溶媒に溶解し、固形分6
0%の溶液を調製した。これを窒素気流下65℃で加熱
した。反応温度が安定したところで和光純薬社製ラジカ
ル開始剤V−601を3mol%加え反応を開始させ
た。12時間加熱した後、反応混合物を5倍量のヘキサ
ンに投入し白色粉体を析出させた。析出した粉体を再度
メチルエチルケトン/テトラヒドロフラン=1/1溶媒
に溶解させ5倍量のヘキサン/メチルtBuエ−テルに
投入し白色粉体を析出させ、濾過取り出した。この作業
を再度繰り返し、乾燥、目的物である樹脂(42)を得
た。得られた樹脂(42)のGPCによる分子量分析
(RI分析)を試みたところ、ポリスチレン換算で11
600(重量平均)、残留モノマーの量は0.4%であ
った。また、NMRスペクトルより樹脂(1)の組成は
本発明のノルボルネン/無水マレイン酸/2−メチル−
2−アダマンチルアクリレート/ノルボルネンラクトン
アクリレートをモル比で18/23/34/25であっ
た。
Synthesis Example (4) Synthesis of Resin (42) (Hybrid Type) Norbornene carboxylic acid t-butyl ester, maleic anhydride, 2-methyl-2-adamantyl acrylate, norbornene lactone acrylate in a molar ratio of 20/20.
/ 35/25, dissolve in methyl ethyl ketone / tetrahydrofuran = 1/1 solvent, solid content 6
A 0% solution was prepared. This was heated at 65 ° C. under a stream of nitrogen. When the reaction temperature was stabilized, 3 mol% of a radical initiator V-601 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd. was added to start the reaction. After heating for 12 hours, the reaction mixture was poured into 5 times the amount of hexane to precipitate a white powder. The precipitated powder was dissolved again in a solvent of methyl ethyl ketone / tetrahydrofuran = 1/1 and poured into a 5-fold amount of hexane / methyl tBu ether to precipitate a white powder, which was filtered and taken out. This operation was repeated again to obtain the desired resin (42) by drying. When the molecular weight analysis (RI analysis) of the obtained resin (42) by GPC was attempted, it was 11 in terms of polystyrene.
600 (weight average), the amount of residual monomer was 0.4%. From the NMR spectrum, the composition of the resin (1) was found to be the norbornene / maleic anhydride / 2-methyl-
The molar ratio of 2-adamantyl acrylate / norbornene lactone acrylate was 18/23/34/25.

【0259】合成例(4)と同様の方法で以下、樹脂
(43)〜(66)を合成した。以下に上記樹脂(4
3)〜(66)の組成比、分子量を示す。
In the same manner as in Synthesis Example (4), Resins (43) to (66) were synthesized. The following resin (4)
The composition ratios and molecular weights of 3) to (66) are shown.

【0260】[0260]

【表4】 [Table 4]

【0261】また、以下に上記樹脂(42)〜(66)
の構造を示す。
The following resins (42) to (66)
The structure of is shown.

【0262】[0262]

【化103】 Embedded image

【0263】[0263]

【化104】 Embedded image

【0264】[0264]

【化105】 Embedded image

【0265】[0265]

【化106】 Embedded image

【0266】[0266]

【化107】 Embedded image

【0267】<レジスト調整> 〔実施例1〜80及び比較例1〜4〕表5〜8に示す素
材を溶解させ固形分濃度12重量%の溶液を調整し、こ
れを0.1μmのテフロン(登録商標)フィルターでろ
過して感光性組成物を調製した。調製した組成物を下記
方法で評価を行い、結果を表9〜12に示した。
<Preparation of Resist> [Examples 1 to 80 and Comparative Examples 1 to 4] The materials shown in Tables 5 to 8 were dissolved to prepare a solution having a solid content of 12% by weight, and this was then dissolved in Teflon (0.1 μm). (Registered trademark) filter to prepare a photosensitive composition. The prepared compositions were evaluated by the following methods, and the results are shown in Tables 9 to 12.

【0268】[0268]

【表5】 [Table 5]

【0269】[0269]

【表6】 [Table 6]

【0270】[0270]

【表7】 [Table 7]

【0271】[0271]

【表8】 [Table 8]

【0272】表5〜8における略号は以下のとおりであ
る。 DBN;1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノナ−
5−エン TPI;2,4,5−トリフェニルイミダゾール TPSA;トリフェニルスルホニウムアセテート HEP;N−ヒドロキシエチルピペリジン DIA;2,6−ジイソプロピルアニリン DCMA;ジシクロヘキシルメチルアミン LCB;リトコール酸t−ブチル
The abbreviations in Tables 5 to 8 are as follows. DBN; 1,5-diazabicyclo [4.3.0] nona-
5-ene TPI; 2,4,5-triphenylimidazole TPSA; triphenylsulfonium acetate HEP; N-hydroxyethylpiperidine DIA; 2,6-diisopropylaniline DCMA; dicyclohexylmethylamine LCB; t-butyl lithocholic acid

【0273】W−1;メガファックF176(大日本イ
ンキ(株)製)(フッ素系) W−2;メガファックR08(大日本インキ(株)製)
(フッ素及びシリコン系) W−3;ポリシロキサンポリマーKP−341(信越化
学工業(株)製)(シリコン系) W‐4;トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)
製)
W-1: Megafax F176 (Dainippon Ink Co., Ltd.) (fluorine) W-2: Megafax R08 (Dainippon Ink Co., Ltd.)
(Fluorine and silicon type) W-3; Polysiloxane polymer KP-341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) (silicon type) W-4; Troysol S-366 (Troy Chemical Co., Ltd.)
Made)

【0274】溶剤についての略号は以下のとおりであ
る。尚、表5〜8における複数使用の場合の比は重量比
である。 A1;プロピレングリコールメチルエーテルアセテート A2;2−ヘプタノン A3;エチルエトキシプロピオネート A4;γ−ブチロラクトン A5;シクロヘキサノン A6;酢酸ブチル B1;プロピレングリコールメチルエーテル B2;乳酸エチル
The abbreviations for the solvents are as follows. In addition, the ratio in the case of multiple use in Tables 5-8 is a weight ratio. A1: propylene glycol methyl ether acetate A2; 2-heptanone A3; ethyl ethoxypropionate A4; γ-butyrolactone A5; cyclohexanone A6; butyl acetate B1: propylene glycol methyl ether B2; ethyl lactate

【0275】<画像評価法> (1)DOF(デフォーカスラチチュード)評価 スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理を施し
たシリコン基板上にブリューワーサイエンス社製反射防
止膜ARC25を600オングストローム均一に塗布
し、100℃で90秒間ホットプレート上で乾燥した
後、190℃で240秒間加熱乾燥を行った。その後、
各感光性組成物をスピンコーターで塗布し140℃で9
0秒乾燥を行い0.40μmのレジスト膜を形成させ
た。このレジスト膜に対し、マスクを通してArFエキ
シマレーザーステッパー(ISI社製NA=0.6(σ
=0.75、2/3輪帯照明))で露光し、露光後直ぐ
に140℃で90秒間ホットプレート上で加熱した。さ
らに2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液で23℃で60秒間現像し、30秒間純水に
てリンスした後、乾燥し、レジストラインパターンを得
た。0.13μmのラインアンドスペース(1/1)を
再現する露光量における0.13μmのデフォーカスラ
チチュードを観察した。
<Image Evaluation Method> (1) DOF (Defocus Latitude) Evaluation An antireflection film ARC25 manufactured by Brewer Science Co. was uniformly applied on a silicon substrate that had been subjected to hexamethyldisilazane treatment by a spin coater to 600 angstroms. After drying on a hot plate at 100 ° C. for 90 seconds, heat drying was performed at 190 ° C. for 240 seconds. afterwards,
Each photosensitive composition was applied by a spin coater,
Drying was performed for 0 seconds to form a 0.40 μm resist film. The resist film is passed through a mask through an ArF excimer laser stepper (NA = 0.6 (σ, manufactured by ISI)).
= 0.75, 2/3 annular illumination)) and heated on a hot plate at 140 ° C. for 90 seconds immediately after exposure. Further, the resist was developed with a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 23 ° C. for 60 seconds, rinsed with pure water for 30 seconds, and dried to obtain a resist line pattern. A 0.13 μm defocus latitude at an exposure amount that reproduces a 0.13 μm line and space (1/1) was observed.

【0276】(2)サイドローブマージン評価 スピンコーターにてヘキサメチルジシラザン処理を施し
たシリコン基板上にブリューワーサイエンス社製反射防
止膜ARC25を600オングストローム均一に塗布
し、100℃で90秒間ホットプレート上で乾燥した
後、190℃で240秒間加熱乾燥を行った。その後、
各感光性組成物をスピンコーターで塗布し140℃で9
0秒乾燥を行い0.40μmのレジスト膜を形成させ
た。このレジスト膜に対し、透過率6%のハーフトーン
位相シフトマスクを用いてArFエキシマレーザーステ
ッパー(ISI社製 NA=0.6)で露光し、露光後
直ぐに140℃で90秒間ホットプレート上で加熱し
た。さらに2.38重量%テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド水溶液で23℃で60秒間現像し、30秒間
純水にてリンスした後、乾燥し、コンタクトホールパタ
ーンを得た。Duty比1:2のマスクサイズ0.20
μmの寸法が0.18μmのコンタクトホールを開口す
る露光量を最適露光量Eopとし、最適露光量よりオー
バー露光した際にサイドローブが発生する露光量Esと
の関係を以下の式で算出し、サイソローブマージンとし
た。値が大きいほどサイドローブ耐性が高いことを示
す。 サイドローブマージン(%)=[(Es−Eop)/E
op]×100
(2) Evaluation of Sidelobe Margin An antireflection film ARC25 manufactured by Brewer Science Co. was uniformly applied on a silicon substrate that had been subjected to hexamethyldisilazane treatment with a spin coater at 600 Å, and was placed on a hot plate at 100 ° C. for 90 seconds. , And heat-dried at 190 ° C. for 240 seconds. afterwards,
Each photosensitive composition was applied by a spin coater and was applied at 140 ° C for 9 hours.
Drying was performed for 0 seconds to form a 0.40 μm resist film. The resist film is exposed with an ArF excimer laser stepper (NA = 0.6, manufactured by ISI) using a halftone phase shift mask having a transmittance of 6%, and immediately after exposure, heated on a hot plate at 140 ° C. for 90 seconds. did. Further, the film was developed with a 2.38% by weight aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide at 23 ° C. for 60 seconds, rinsed with pure water for 30 seconds, and then dried to obtain a contact hole pattern. Duty ratio 1: 2, mask size 0.20
The exposure amount for opening a contact hole having a dimension of 0.18 μm is defined as the optimal exposure amount Eop, and the relationship with the exposure amount Es at which side lobes occur when over-exposure is performed from the optimal exposure amount is calculated by the following equation. The lye lobe margin was used. A higher value indicates higher sidelobe resistance. Side lobe margin (%) = [(Es−Eop) / E
op] × 100

【0277】(3)パーティクル評価 調製した感光性組成物を4℃で1週間放置した後、リオ
ン社製パーティクルカウンターにてその溶液中に存在す
る粒経0.2μm以上のパーティクル数をカウントし
た。
(3) Evaluation of Particles After the prepared photosensitive composition was allowed to stand at 4 ° C. for one week, the number of particles having a particle diameter of 0.2 μm or more present in the solution was counted using a particle counter manufactured by Rion.

【0278】[0278]

【表9】 [Table 9]

【0279】[0279]

【表10】 [Table 10]

【0280】[0280]

【表11】 [Table 11]

【0281】[0281]

【表12】 [Table 12]

【0282】表9〜12に示される結果より以下のこと
が明らかである。実施例1〜80の組成物は、デフォー
カスラチチュードが広く、サイドローブ耐性に優れ、パ
ーティクルも発生し難い。一方、比較例1〜4の組成物
の場合は、デフォーカスラチチュード、サイドローブ耐
性、パーティクルの発生において、実施例の組成物と比
較して劣る。
The following is clear from the results shown in Tables 9 to 12. The compositions of Examples 1 to 80 have a wide defocus latitude, excellent side lobe resistance, and hardly generate particles. On the other hand, the compositions of Comparative Examples 1 to 4 are inferior to the compositions of Examples in defocus latitude, sidelobe resistance, and generation of particles.

【0283】[0283]

【発明の効果】本発明に係わるポジ型感光性組成物は、
輪帯照明を用いた際にデフォーカスラチチュードが広
く、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターン形
成した際にサイドローブが発生し難く、且つ経時保存時
にパーティクルが発生し難い。
The positive photosensitive composition according to the present invention comprises:
The defocus latitude is wide when ring-shaped illumination is used, side lobes are hardly generated when a pattern is formed using a halftone phase shift mask, and particles are hardly generated when stored over time.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G03F 7/004 503 G03F 7/004 503A 504 504 H01L 21/027 H01L 21/30 502R Fターム(参考) 2H025 AB16 AB17 AC04 AC08 AD03 BE00 BE07 BE10 BG00 CC03 CC04 CC20 FA03 FA12 FA17 4J002 BG031 BG071 BK001 EJ019 EL099 EN067 ER027 EU047 EU077 EU117 EU137 EU186 EU226 EV296 FD318 GP03──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G03F 7/004 503 G03F 7/004 503A 504 504 H01L 21/027 H01L 21/30 502R F-term (Reference) 2H025 AB16 AB17 AC04 AC08 AD03 BE00 BE07 BE10 BG00 CC03 CC04 CC20 FA03 FA12 FA17 4J002 BG031 BG071 BK001 EJ019 EL099 EN067 ER027 EU047 EU077 EU117 EU137 EU186 EU226 EV296 FD318 GP03

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)活性光線又は放射線の照射により
酸を発生する酸発生剤、(B)単環又は多環の脂環炭化
水素構造を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像
液中での溶解度が増大する樹脂、(C)塩基性化合物、
及び(D)フッ素及び/又はシリコン系界面活性剤を含
有し、且つ(A)酸発生剤が、トリアリールスルフォニ
ウム塩を少なくとも1種及びフェナシルスルフォニウム
塩構造を有する化合物を少なくとも1種含有する混合物
であることを特徴とするポジ型感光性組成物。
(A) an acid generator which generates an acid upon irradiation with actinic rays or radiation, (B) a monocyclic or polycyclic alicyclic hydrocarbon structure, which is decomposed by the action of an acid to develop an alkali A resin having increased solubility in a liquid, (C) a basic compound,
And (D) a fluorine- and / or silicon-based surfactant, and (A) the acid generator contains at least one triarylsulfonium salt and at least one compound having a phenacylsulfonium salt structure. A positive photosensitive composition, which is a mixture comprising:
【請求項2】 (E)水酸基を含有する溶剤と水酸基を
含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を含有する請求項
1に記載のポジ型感光性組成物。
2. The positive photosensitive composition according to claim 1, comprising (E) a mixed solvent obtained by mixing a solvent containing a hydroxyl group and a solvent not containing a hydroxyl group.
【請求項3】 (C)塩基性化合物が、イミダゾール構
造、ジアザビシクロ構造、オニウムヒドロキシド構造、
オニウムカルボキシレート構造、及びアニリン構造から
選ばれる構造を有する化合物を少なくとも1種含有する
請求項1又は2に記載のポジ型感光性組成物。
(C) the basic compound is an imidazole structure, a diazabicyclo structure, an onium hydroxide structure,
The positive photosensitive composition according to claim 1, comprising at least one compound having a structure selected from an onium carboxylate structure and an aniline structure.
【請求項4】 更に(F)酸の作用により分解してアル
カリ現像液中での溶解性を増大させる基を有し、分子量
3000以下の溶解阻止低分子化合物を含有することを
特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型感光
性組成物。
4. The composition according to claim 1, further comprising (F) a dissolution inhibiting low molecular weight compound having a group capable of decomposing under the action of an acid to increase solubility in an alkaline developer and having a molecular weight of 3000 or less. Item 4. The positive photosensitive composition according to any one of Items 1 to 3.
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