JP2002322554A - Film deposition apparatus and film deposition method - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の表面に薄膜
パターンを形成する成膜装置および成膜方法に係り、特
に、例えば表示装置に搭載される表示パネルを製造すべ
く、透明基板の表面に発光膜パターンを形成する成膜装
置および成膜方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method for forming a thin film pattern on a surface of a substrate, and more particularly to a method for manufacturing a display panel mounted on a display device. The present invention relates to a film forming apparatus and a film forming method for forming a light emitting film pattern on a substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ブラウン管に代わる表示媒体とし
て、例えば、映像の表示原理として有機エレクトロルミ
ネセント（Electroluminescent；ＥＬ）材料の発光現象
を利用した有機ＥＬディスプレイが知られている。有機
ＥＬディスプレイの表示パネルは、例えば、ガラスなど
の透明基板の表面に、有機ＥＬ材料よりなる発光膜パタ
ーンが形成されることにより製造される。2. Description of the Related Art In recent years, as a display medium that replaces a cathode ray tube, for example, an organic EL display utilizing a light emission phenomenon of an organic electroluminescent (EL) material as a principle of displaying an image has been known. A display panel of an organic EL display is manufactured, for example, by forming a light emitting film pattern made of an organic EL material on a surface of a transparent substrate such as glass.
【０００３】この発光膜パターンを形成する従来の手法
としては、例えば、透明基板の表面に２次元的に連続す
る発光膜を形成したのち、フォトリソグラフィ処理やエ
ッチング処理などを用いて、所望の形状パターンとなる
ように発光膜をパターニングする手法が挙げられる。し
かしながら、有機ＥＬ材料は一般に耐薬品性や耐熱性に
乏しいため、現像液などの各種薬品を利用するフォトリ
ソグラフィ処理や処理温度が高いエッチング処理などを
有機ＥＬ材料の加工に用いることは適当でない。As a conventional method of forming the light emitting film pattern, for example, a two-dimensionally continuous light emitting film is formed on the surface of a transparent substrate, and then the desired shape is formed by photolithography or etching. There is a method of patterning a light emitting film so as to form a pattern. However, since organic EL materials generally have poor chemical resistance and heat resistance, it is not appropriate to use photolithography processing using various chemicals such as a developing solution or etching processing at a high processing temperature for processing the organic EL material.
【０００４】発光膜パターンを形成する従来の他の手法
としては、例えば、マスクを透明基板に重ね合わせた状
態において、このマスクを用いて透明基板の表面に選択
的に成膜処理を施す手法が挙げられる。この手法によれ
ば、各種薬品を用いず、かつ処理温度を高くすることな
く発光膜パターンを形成することが可能になる。As another conventional method of forming a light-emitting film pattern, for example, there is a method in which a film is selectively formed on the surface of a transparent substrate using the mask while the mask is superimposed on the transparent substrate. No. According to this method, it is possible to form a light emitting film pattern without using various chemicals and without increasing the processing temperature.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マスク
を用いた従来の発光膜パターンの形成手法では、以下の
ような理由により、薄膜パターンを高精度に形成するこ
とが困難であるという問題があった。すなわち、従来の
手法を用いた場合、例えば有機ＥＬディスプレイの解像
度を向上させるためには、解像度の向上に応じて各発光
膜パターン間の距離を狭めるべく、マスクに設けられた
各開口間の距離を狭める必要がある。このとき、各開口
間の距離を狭めた結果、マスクのうちの開口間部分（リ
ブ）が細くなりすぎると、このリブの物理的な強度が低
下し、マスクが破損し易くなる。マスクが破損すると、
薄膜パターンの形成精度が低下してしまう。However, the conventional method of forming a light emitting film pattern using a mask has a problem that it is difficult to form a thin film pattern with high accuracy for the following reasons. . That is, when the conventional method is used, for example, in order to improve the resolution of the organic EL display, the distance between the openings provided in the mask is reduced in order to reduce the distance between the light emitting film patterns in accordance with the improvement in the resolution. Needs to be narrowed. At this time, as a result of reducing the distance between the openings, if the inter-opening portion (rib) of the mask becomes too thin, the physical strength of the rib decreases and the mask is easily damaged. If the mask breaks,
The precision of forming the thin film pattern is reduced.
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、マスクの物理的強度を確保しつ
つ、薄膜パターンを高精度に形成可能な成膜装置および
成膜方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a film forming apparatus and a film forming method capable of forming a thin film pattern with high accuracy while securing the physical strength of a mask. Is to do.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の成膜装置は、基
板の表面に薄膜パターンを形成するためのものであり、
基板に対向配置された成膜源と、成膜源から放出された
成膜物質が通過するための開口を有し、成膜源と基板と
の間に基板から離間して配設されたマスクとを備えるよ
うにしたものである。The film forming apparatus of the present invention is for forming a thin film pattern on the surface of a substrate.
A mask disposed opposite to the substrate, the mask having an opening through which a film-forming substance emitted from the film-forming source passes, and being disposed between the film-forming source and the substrate and separated from the substrate; Is provided.
【０００８】本発明の成膜方法は、基板の表面に薄膜パ
ターンを形成する方法であり、成膜源を基板に対向配置
させた状態において、成膜源と基板との間に、成膜源か
ら放出された成膜物質が通過するための開口を有するマ
スクを基板から離間させて配設したのち、このマスクを
用いて成膜源により基板に成膜処理を施すようにしたも
のである。The film forming method of the present invention is a method for forming a thin film pattern on the surface of a substrate. In a state where the film forming source is arranged to face the substrate, the film forming source is disposed between the film forming source and the substrate. After a mask having an opening through which a film-forming substance emitted from the substrate is passed is provided at a distance from the substrate, a film-forming source is used to perform a film-forming process on the substrate using the mask.
【０００９】本発明の成膜装置または成膜方法では、ま
ず、成膜源が基板に対向配置された状態において、成膜
源と基板との間に、成膜源から放出された成膜物質を通
過させるための開口を有するマスクが基板から離間され
て配設されたのち、このマスクを用いて成膜源により成
膜処理が施されることにより、基板の表面に薄膜パター
ンが形成される。マスクを基板から離間させて配設する
ことにより、成膜源から放出された成膜物質がマスクの
開口を通過したのち拡散する現象を利用して、開口の大
きさよりも大きな薄膜パターンをすることが可能となる
ため、薄膜パターンの形成幅に応じて開口の開口幅を大
きくする必要がなくなる。In the film forming apparatus or the film forming method of the present invention, first, in a state in which the film forming source is opposed to the substrate, the film forming substance discharged from the film forming source is placed between the film forming source and the substrate. After a mask having an opening for letting through is disposed at a distance from the substrate, a film forming process is performed by a film forming source using the mask, whereby a thin film pattern is formed on the surface of the substrate. . By disposing the mask away from the substrate, a thin film pattern larger than the size of the opening can be formed by utilizing the phenomenon that the film-forming substance emitted from the film-forming source diffuses after passing through the opening of the mask. Therefore, it is not necessary to increase the opening width of the opening according to the formation width of the thin film pattern.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００１１】まず、図１を参照して、本発明の一実施の
形態に係る成膜装置について説明する。図１は、本実施
の形態に係る成膜装置の断面構成の一例を表すものであ
る。この成膜装置１０は、例えば、有機ＥＬディスプレ
イなどに搭載される表示パネルを製造すべく、ガラスな
どの透明基板の表面に発光膜パターンを形成するための
ものである。First, a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 illustrates an example of a cross-sectional configuration of a film forming apparatus according to the present embodiment. The film forming apparatus 10 is for forming a light emitting film pattern on the surface of a transparent substrate such as glass, for example, in order to manufacture a display panel mounted on an organic EL display or the like.
【００１２】この成膜装置１０は、金属等により構成さ
れた真空チャンバ１と、この真空チャンバ１の底面に配
設された成膜源２と、排気管１Ｈを通じて真空チャンバ
１内と接続された真空ポンプ３と、真空チャンバ１内に
成膜源２と対向配置されたステージ４と、ステージ４の
一面に設けられた２本のポール５と、これらの２本のポ
ール５にそれぞれ挿通された２個の支持体６と、これら
の２個の支持体６により支持されたマスク７とを備えて
いる。ステージ４の一面には、例えばガラスなどにより
構成された矩形状の透明基板Ｋが装着されている。The film forming apparatus 10 is connected to the inside of the vacuum chamber 1 through a vacuum chamber 1 made of metal or the like, a film forming source 2 disposed on the bottom of the vacuum chamber 1, and an exhaust pipe 1H. A vacuum pump 3, a stage 4 opposed to the film forming source 2 in the vacuum chamber 1, two poles 5 provided on one surface of the stage 4, and the two poles 5 were respectively inserted. It comprises two supports 6 and a mask 7 supported by these two supports 6. A rectangular transparent substrate K made of, for example, glass is mounted on one surface of the stage 4.
【００１３】成膜源２は、透明基板Ｋに向かって成膜物
質を放射状に放出させることにより、透明基板Ｋの表面
に発光膜パターンを形成するものである。この成膜源２
は、例えば蒸着処理を行うものであり、成膜物質を加熱
して蒸発させる坩堝を含んで構成されている。The film forming source 2 forms a light emitting film pattern on the surface of the transparent substrate K by radially discharging a film forming material toward the transparent substrate K. This film forming source 2
Is for performing a vapor deposition process, for example, and includes a crucible that heats and evaporates a film-forming substance.
【００１４】真空ポンプ３は、真空チャンバ１内に満た
されているガス（例えば空気等）を排気管１Ｈを通じて
排気し、所望の真空状態となるまで真空チャンバ１内を
減圧するものである。The vacuum pump 3 exhausts gas (for example, air or the like) filled in the vacuum chamber 1 through an exhaust pipe 1H, and depressurizes the vacuum chamber 1 until a desired vacuum state is obtained.
【００１５】ステージ４は、その成膜源２と対向する側
の面に透明基板Ｋを保持するものであり、例えば円盤状
の平面構造を有している。このステージ４は、例えば固
定軸４Ｊを介して真空チャンバ１に固定されている。The stage 4 holds the transparent substrate K on the surface facing the film forming source 2 and has, for example, a disk-shaped planar structure. The stage 4 is fixed to the vacuum chamber 1 via a fixed shaft 4J, for example.
【００１６】支持体６は、マスク７を支持するものであ
り、例えばマスク７を把持することが可能な「Ｕ」型の
断面構造を有している。この支持体６は、マスク７を支
持した状態において、成膜源２とステージ４との間をポ
ール５に沿って図中の上下方向に移動可能になってい
る。The support 6 supports the mask 7 and has, for example, a "U" -shaped cross-sectional structure capable of holding the mask 7. The support 6 can move vertically between the film forming source 2 and the stage 4 along the poles 5 in the drawing while supporting the mask 7.
【００１７】マスク７は、例えばストライプ状の複数の
開口７Ｕを有するものであり、例えばステンレスなどの
金属により構成されている。開口７Ｕの形状は、透明基
板Ｋの表面に形成されることとなる発光膜パターンの形
状に対応しており、その大きさ（開口幅Ｗｍ１（μ
ｍ））は、発光膜パターンの大きさ（形成幅Ｗｐ１（μ
ｍ）；後述する図２参照）よりも小さくなっている（Ｗ
ｍ１＜Ｗｐ１）。なお、マスク７のうち、各開口７Ｕ間
の部分（リブ）７Ｒの幅（リブ幅）はＷｆ１（μｍ）で
ある。The mask 7 has a plurality of stripe-shaped openings 7U, for example, and is made of, for example, a metal such as stainless steel. The shape of the opening 7U corresponds to the shape of the light-emitting film pattern to be formed on the surface of the transparent substrate K, and its size (opening width Wm1 (μm)).
m)) is the size of the light-emitting film pattern (formed width Wp1 (μ
m); (see FIG. 2 described later)).
m1 <Wp1). The width (rib width) of the portion (rib) 7R between the openings 7U in the mask 7 is Wf1 (μm).
【００１８】このマスク７は、支持体６により支持され
た状態において、成膜源２とステージ４との間の所定の
位置に位置している。「所定の位置」とは、例えば、マ
スク７の上端から成膜源２までの距離がＨ（μｍ），マ
スク７の上端から透明基板Ｋまでの距離がＤ（μｍ）と
なるような位置である。The mask 7 is located at a predetermined position between the film forming source 2 and the stage 4 while being supported by the support 6. The “predetermined position” is, for example, a position where the distance from the upper end of the mask 7 to the film forming source 2 is H (μm) and the distance from the upper end of the mask 7 to the transparent substrate K is D (μm). is there.
【００１９】なお、成膜装置１０は、上記した一連の構
成要素の他、例えば、成膜装置１０全体を制御するため
のマイクロコンピュータ，支持体６を移動させるための
駆動装置，成膜装置１０を稼動させるための電源などを
含んで構成されている。The film forming apparatus 10 includes, for example, a microcomputer for controlling the entire film forming apparatus 10, a driving apparatus for moving the support 6, and a film forming apparatus 10 in addition to the above-described series of components. It is configured to include a power supply for operating the.
【００２０】次に、図１および図２を参照して、図１に
示した成膜装置を用いた本発明の一実施の形態に係る成
膜方法について説明する。以下では、例えば、透明基板
Ｋの表面に、形成幅Ｗｐ１＝約２００μｍの発光膜パタ
ーンを形成する場合について説明する。Next, a film forming method according to an embodiment of the present invention using the film forming apparatus shown in FIG. 1 will be described with reference to FIGS. Hereinafter, for example, a case will be described in which a light-emitting film pattern having a formation width Wp1 of about 200 μm is formed on the surface of the transparent substrate K.
【００２１】発光膜パターンを形成する際には、作業者
等により、以下のような準備作業が行われる（図１参
照）。すなわち、まず、例えばガラスなどにより構成さ
れた透明基板Ｋが洗浄されたのち、ステージ４の一面に
装着される。続いて、例えば開口幅Ｗｍ１＝約１６０μ
ｍの複数の開口７Ｕを有するマスク７が用意されたの
ち、このマスク７が透明基板Ｋに対して平行になるよう
に２個の支持体６により支持される。最後に、真空チャ
ンバ１の密閉状態が確認されたのち、真空ポンプ３によ
り真空チャンバ１内に満たされていた空気等が排気管１
Ｈを通じて排気され、真空チャンバ１内が所望の真空状
態（例えば約１０-4Ｐａ）となるまで減圧される。When a light emitting film pattern is formed, the following preparation work is performed by an operator or the like (see FIG. 1). That is, first, after the transparent substrate K made of, for example, glass is washed, it is mounted on one surface of the stage 4. Subsequently, for example, the opening width Wm1 = about 160 μ
After a mask 7 having a plurality of openings 7U of m is prepared, the mask 7 is supported by two supports 6 so as to be parallel to the transparent substrate K. Finally, after the sealed state of the vacuum chamber 1 is confirmed, the air or the like filled in the vacuum chamber 1 by the vacuum pump 3 is exhausted by the exhaust pipe 1.
H is exhausted, and the pressure is reduced until the inside of the vacuum chamber 1 reaches a desired vacuum state (for example, about 10 −4 Pa).
【００２２】準備作業が完了したのち、まず、図１に示
したように、マスク７を支持した状態において支持体６
をポール５に沿って移動させ、成膜源２とステージ４と
の間においてマスク７の位置を調整する。マスク７の位
置を調整する際には、例えば、マスク７の上端から成膜
源２までの距離Ｈが、マスク７の上端からステージ４ま
での距離Ｄの４倍になるようにする（距離Ｈ：距離Ｄ＝
４：１）。After the preparation work is completed, first, as shown in FIG.
Is moved along the pole 5 to adjust the position of the mask 7 between the film forming source 2 and the stage 4. When adjusting the position of the mask 7, for example, the distance H from the upper end of the mask 7 to the film forming source 2 is set to be four times the distance D from the upper end of the mask 7 to the stage 4 (distance H : Distance D =
4: 1).
【００２３】続いて、図２に示したように、マスク７を
用いて、成膜源２により透明基板Ｋに成膜処理を施す。
成膜源２において加熱蒸発され、透明基板Ｋに向かって
放出された成膜物質が、マスク７の開口７Ｕを通過して
透明基板Ｋに選択的に達することにより、透明基板Ｋの
表面に発光膜パターン２０が選択的に形成される。この
とき、発光膜パターン２０の形成幅Ｗｐ１は、マスク７
に設けられた開口７Ｕの開口幅Ｗｍ１（＝約１６０μ
ｍ）より大きくなり、約２００μｍとなる。Subsequently, as shown in FIG. 2, a film forming process is performed on the transparent substrate K by the film forming source 2 using the mask 7.
The film-forming substance heated and evaporated in the film-forming source 2 and emitted toward the transparent substrate K passes through the opening 7U of the mask 7 and selectively reaches the transparent substrate K, thereby emitting light on the surface of the transparent substrate K. The film pattern 20 is selectively formed. At this time, the formation width Wp1 of the light emitting film pattern 20 is
The opening width Wm1 of the opening 7U provided in the
m) and about 200 μm.
【００２４】成膜処理が完了したのち、真空ポンプ３を
稼動させ、真空チャンバ１内に満たされていた成膜物質
等を含むガスを排気口１Ｈを通じて排気する。発光膜パ
ターン２０が形成された透明基板Ｋは、真空チャンバ１
内の圧力が外部の圧力（大気圧）とほぼ等しくなった状
態において、作業者等によりステージ４から取り外され
る。After the film forming process is completed, the vacuum pump 3 is operated, and the gas containing the film forming material and the like filled in the vacuum chamber 1 is exhausted through the exhaust port 1H. The transparent substrate K on which the light emitting film pattern 20 is formed is placed in the vacuum chamber 1
When the internal pressure is almost equal to the external pressure (atmospheric pressure), the operator removes the internal pressure from the stage 4.
【００２５】以上説明したように、本実施の形態に係る
成膜装置および成膜方法では、成膜源２と透明基板Ｋと
の間に、透明基板Ｋから離間させてマスク７を配設した
状態において、このマスク７を用いて成膜源２により透
明基板Ｋに成膜処理を施すようにしたので、以下のよう
な理由により、マスク７の物理的強度を確保しつつ、発
光膜パターン２０を高精度に形成することができる。As described above, in the film forming apparatus and the film forming method according to the present embodiment, the mask 7 is provided between the film forming source 2 and the transparent substrate K so as to be separated from the transparent substrate K. In this state, the mask 7 is used to perform the film forming process on the transparent substrate K by the film forming source 2, so that the physical strength of the mask 7 is secured and the light emitting film pattern 20 is formed for the following reason. Can be formed with high precision.
【００２６】図３は、複数の開口１０７Ｕ（開口幅Ｗｍ
２）を有するマスク１０７を用いた従来の発光膜パター
ン１２０の形成手法の概略を説明するものである。この
従来の形成手法では、透明基板Ｋの表面にマスク１０７
が重ね合わされた状態において、このマスク１０７を用
いて成膜源１０２により透明基板Ｋに成膜処理が施され
ることにより、透明基板Ｋの表面に発光膜パターン１２
０が形成される。このとき、発光膜パターン１２０の形
成幅Ｗｐ２は、マスク１０７に設けられた開口１０７Ｕ
の開口幅Ｗｍ２と一致することとなる（Ｗｐ２＝Ｗｍ
２）、このような場合には、各発光膜パターン１２０間
の距離を狭めて有機ＥＬディスプレイの解像度を向上さ
せるべく、比較的大きな形成幅Ｗｐ２（＝約２００μ
ｍ）を有するように発光膜パターン１２０を形成するた
めには、形成幅Ｗｐ２に一致した開口幅Ｗｍ２（＝約２
００μｍ）を有するマスク１０７を用いなければならな
い。しかしながら、開口幅Ｗｍ２を大きくすると、これ
に応じてマスク１０７のうちのリブ１０７Ｒの幅（リブ
幅）Ｗｆ２が小さくなるため、リブ１０７Ｒが細くなり
すぎると、リブ１０７の物理的強度の低下に起因してマ
スク１０７が破損し易くなる。マスク１０７が破損する
と、発光膜パターン１２０の形成精度が低下してしま
う。FIG. 3 shows a plurality of openings 107U (opening width Wm).
The outline of a conventional method of forming a light emitting film pattern 120 using a mask 107 having the above 2) will be described. In this conventional forming method, the mask 107 is formed on the surface of the transparent substrate K.
In a state in which the light emitting film patterns 12 are formed on the transparent substrate K by the film forming source 102 using the mask 107 in a state where
0 is formed. At this time, the formation width Wp2 of the light emitting film pattern 120 is determined by the opening 107U provided in the mask 107.
(Wp2 = Wm)
2) In such a case, in order to improve the resolution of the organic EL display by reducing the distance between the light emitting film patterns 120, a relatively large formation width Wp2 (= about 200 μm)
m), it is necessary to form the light emitting film pattern 120 so as to have the opening width Wm2 (= approximately 2
00 μm) must be used. However, if the opening width Wm2 is increased, the width (rib width) Wf2 of the rib 107R in the mask 107 is correspondingly reduced, and if the rib 107R becomes too thin, the physical strength of the rib 107 is reduced. As a result, the mask 107 is easily damaged. When the mask 107 is damaged, the accuracy of forming the light emitting film pattern 120 is reduced.
【００２７】これに対して、本実施の形態では、図２に
示したように、マスク７が透明基板Ｋから離間された状
態において成膜処理が行われるため、成膜源２から放出
された成膜物質がマスク７の開口７Ｕを通過したのち拡
散する現象を利用して、開口幅Ｗｍ１よりも大きな形成
幅Ｗｐ１を有する発光膜パターン２０を形成することが
可能となる。この発光膜パターン２０の形成原理は、下
記の（１）式から説明される。すなわち、開口幅Ｗｍ１
と形成幅Ｗｐ１との間には下記の（１）式で表される関
係があり、この（１）式を変形することにより、開口幅
Ｗｍ１について下記の（２）式が導かれる。On the other hand, in the present embodiment, as shown in FIG. 2, since the film forming process is performed in a state where the mask 7 is separated from the transparent substrate K, the film 7 is released from the film forming source 2. By utilizing the phenomenon that the film forming material diffuses after passing through the opening 7U of the mask 7, it is possible to form the light emitting film pattern 20 having the formation width Wp1 larger than the opening width Wm1. The principle of forming the light emitting film pattern 20 will be described from the following equation (1). That is, the opening width Wm1
And the formation width Wp1 have a relationship represented by the following expression (1). By modifying the expression (1), the following expression (2) is derived for the opening width Wm1.
【００２８】 Ｈ：Ｗｍ１／２＝（Ｈ＋Ｄ）：Ｗｐ１／２・・・（１） Ｗｍ１＝（Ｈ／Ｈ＋Ｄ）・Ｗｐ１・・・（２）H: Wm1 / 2 = (H + D): Wp1 / 2 (1) Wm1 = (H / H + D) · Wp1 (2)
【００２９】（２）式から、マスク７を透明基板Ｋから
離間させることにより（Ｄ＞０）、発光膜パターン２０
を形成する際、マスク７に設けられた開口７Ｕの開口幅
Ｗｍ１を、発光パターン２０の形成幅Ｗｐ１より小さく
することが可能になることが判る。具体的には、上記し
たように、距離Ｈが距離Ｄの４倍となるようにマスク７
の位置を設定した場合（Ｈ：Ｄ＝４：１）には、（２）
式から、形成幅Ｗｐ１＝約２００μｍの発光膜パターン
２０を形成するために、開口幅Ｗｍ１＝約１６０μｍの
開口７Ｕを有するマスク７を用いればよい。このような
場合には、形成幅Ｗｐ２（約２００μｍ）と開口幅Ｗｍ
２（約２００μｍ）とが互いに一致してしまう従来の場
合（図３参照）とは異なり、開口幅Ｗｍ１（約１６０μ
ｍ）が形成幅Ｗｐ１（約２００μｍ）よりも約４０μｍ
小さくなるため、この分だけマスク７のリブ幅Ｗｆ１が
確保され（Ｗｆ２＞Ｗｆ１）、マスク７の物理的強度を
確保することが可能になる。これにより、マスク７の物
理的強度を確保しつつ、発光膜パターン２０を高精度に
形成することが可能になる。From the equation (2), by separating the mask 7 from the transparent substrate K (D> 0), the light emitting film pattern 20
It can be seen that when forming the pattern 7, the opening width Wm1 of the opening 7U provided in the mask 7 can be made smaller than the formation width Wp1 of the light emitting pattern 20. Specifically, as described above, the mask 7 is set so that the distance H is four times the distance D.
(H: D = 4: 1), (2)
From the formula, in order to form the light emitting film pattern 20 with the formation width Wp1 = about 200 μm, the mask 7 having the opening 7U with the opening width Wm1 = about 160 μm may be used. In such a case, the formation width Wp2 (about 200 μm) and the opening width Wm
2 (about 200 μm) differs from the conventional case (see FIG. 3) in which the opening width Wm1 (about 160 μm)
m) is about 40 μm larger than the formation width Wp1 (about 200 μm).
Since the width becomes smaller, the rib width Wf1 of the mask 7 is secured by this amount (Wf2> Wf1), and the physical strength of the mask 7 can be secured. Thereby, it is possible to form the light emitting film pattern 20 with high accuracy while securing the physical strength of the mask 7.
【００３０】また、本実施の形態では、ポール５に沿っ
て移動可能な支持体６によりマスク７を支持するように
したので、マスク７を支持した状態において支持体６を
移動させることにより、マスク７の位置（距離Ｈ，Ｄ）
や透明基板Ｋに対するマスク７の平行度等を微調整する
ことが可能となり、この観点においても発光膜パターン
２０の形成の高精度化に寄与することとなる。Further, in the present embodiment, the mask 7 is supported by the support 6 movable along the pole 5. Therefore, the support 6 is moved while the mask 7 is supported, whereby the mask is moved. 7 position (distance H, D)
In addition, it is possible to finely adjust the parallelism of the mask 7 with respect to the transparent substrate K and the like, and also from this viewpoint, it contributes to higher precision in forming the light emitting film pattern 20.
【００３１】なお、本実施の形態では、ポール５に沿っ
て移動可能な支持体６によりマスク７を支持するように
したが、必ずしもこれに限られるものではない。図４
は、本実施の形態に係る成膜装置の構成に関する変形例
としての成膜装置の構成を表すものである。この成膜装
置１０では、例えば、ステージ４上に配設された２個の
ブロック状の支持体３０によりマスク７が支持される。
このような場合においても、上記実施の形態の場合と同
様の効果を得ることができる。ただし、設置後のマスク
７の位置等の微調整を要するならば、上記実施の形態に
おいて説明したように、ポール５に沿って移動可能な支
持体６によりマスク７を支持するようにするのが好まし
い。In the present embodiment, the mask 7 is supported by the support 6 movable along the pole 5, but the present invention is not limited to this. FIG.
Represents a configuration of a film forming apparatus as a modification of the configuration of the film forming apparatus according to the present embodiment. In the film forming apparatus 10, for example, the mask 7 is supported by two block-shaped supports 30 disposed on the stage 4.
In such a case, the same effect as in the above embodiment can be obtained. However, if it is necessary to finely adjust the position of the mask 7 after installation, it is preferable to support the mask 7 by the support 6 movable along the pole 5 as described in the above embodiment. preferable.
【００３２】また、本実施の形態では、成膜源２とし
て、蒸着処理を行う坩堝を含むものを用いるようにした
が、必ずしもこれに限られるものではなく、坩堝と同様
に透明基板Ｋに向かって成膜物質を放射状に放出させる
ものである限り、坩堝以外のものを用いるようにしても
よい。Further, in the present embodiment, a source including a crucible for performing a vapor deposition process is used as the film forming source 2. However, the present invention is not limited to this. Any material other than the crucible may be used as long as the film-forming substance is radially released by the method.
【００３３】以上、実施の形態を挙げて本発明を説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
く、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態にお
いて説明した成膜装置の構成や成膜方法の詳細（マスク
７の配設位置（距離Ｈ，Ｄ），開口幅Ｗｍ１，リブ幅Ｗ
ｆ１，形成幅Ｗｐ１）等は、必ずしも上記実施の形態に
おいて説明したものに限られるものではなく、成膜源２
と透明基板Ｋとの間に透明基板Ｋから離間させてマスク
７を配設した状態において、このマスク７を用いて成膜
源２により透明基板Ｋに選択的に成膜処理を施すことが
可能な限り、自由に変更可能である。As described above, the present invention has been described with reference to the embodiments. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and can be variously modified. For example, the configuration of the film forming apparatus and the details of the film forming method described in the above embodiment (position where mask 7 is disposed (distance H, D), opening width Wm1, rib width W)
f1, the formation width Wp1) and the like are not necessarily limited to those described in the above embodiment, and the film formation source 2
In a state where the mask 7 is disposed between the transparent substrate K and the transparent substrate K, the film can be selectively formed on the transparent substrate K by the film forming source 2 using the mask 7. It can be changed freely as long as possible.
【００３４】また、上記実施の形態では、有機ＥＬディ
スプレイに搭載される表示パネルを製造するための発光
膜パターンの形成に本発明を適用する場合について説明
したが、必ずしもこれに限られるものではなく、有機Ｅ
Ｌディスプレイ以外の他の各種表示装置に搭載される表
示パネルを製造するための発光膜パターンや、表示装置
以外の他の各種分野における製品等を製造するための薄
膜パターンの形成に適用することも可能である。このよ
うな場合においても、上記実施の形態の場合と同様の効
果を得ることができる。In the above embodiment, the case where the present invention is applied to the formation of a light emitting film pattern for manufacturing a display panel mounted on an organic EL display has been described. However, the present invention is not limited to this. , Organic E
It can also be applied to the formation of a light emitting film pattern for manufacturing a display panel mounted on various display devices other than the L display and a thin film pattern for manufacturing products in various fields other than the display device. It is possible. In such a case, the same effect as in the above embodiment can be obtained.
【００３５】[0035]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項４のいずれか１項に記載の成膜装置または請求項５
ないし請求項８のいずれか１項に記載の成膜方法によれ
ば、成膜源を基板に対向配置させた状態において、成膜
源と基板との間に、成膜源から放出された成膜物質が通
過するための開口を有するマスクを基板から離間させて
配設したのち、このマスクを用いて成膜源により基板に
成膜処理を施すようにしたので、マスクのうちの開口間
の部分（リブ）の幅を確保しつつ、マスクに設けられた
開口の幅よりも大きな幅を有する薄膜パターンを形成す
ることが可能となる。したがって、マスクの物理的強度
を確保しつつ、薄膜パターンを高精度に形成することが
できる。As described above, the film forming apparatus according to any one of claims 1 to 4 or the film forming apparatus according to claim 5
According to the film forming method as set forth in any one of claims 8 to 12, in a state in which the film forming source is arranged to face the substrate, the film discharged from the film forming source is disposed between the film forming source and the substrate. After disposing a mask having an opening through which the film material passes away from the substrate, the substrate is subjected to a film forming process by a film forming source using this mask. It is possible to form a thin film pattern having a width larger than the width of the opening provided in the mask while securing the width of the portion (rib). Therefore, a thin film pattern can be formed with high accuracy while ensuring the physical strength of the mask.
【００３６】特に、請求項３記載の成膜装置または請求
項７記載の成膜方法によれば、マスクを支持体により支
持し、この支持体により基板と成膜源との間でマスクを
移動させるようにしたので、マスクの位置や基板に対す
る平行度を微調整することができる。In particular, according to the film forming apparatus according to the third aspect or the film forming method according to the seventh aspect, the mask is supported by the support, and the mask is moved between the substrate and the film forming source by the support. Because of this, the position of the mask and the parallelism with respect to the substrate can be finely adjusted.
【図１】本発明の一実施の形態に係る成膜装置の構成の
一例を表す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a configuration of a film forming apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施の形態に係る成膜方法を説明す
るための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a film forming method according to one embodiment of the present invention.
【図３】従来の成膜方法を説明するための図である。FIG. 3 is a view for explaining a conventional film forming method.
【図４】本発明の一実施の形態に係る成膜装置に対する
変形例としての成膜装置の構成を表す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of a film forming apparatus as a modification example of the film forming apparatus according to one embodiment of the present invention.
１…真空チャンバ、１Ｈ…排気管、２…成膜源、３…真
空ポンプ、４…ステージ、４Ｊ…固定軸、５…ポール、
６，３０…支持体、７…マスク、７Ｕ…開口、１０…成
膜装置、２０…発光膜パターン、Ｋ…透明基板、Ｗｆ１
…リブ幅、Ｗｍ１…開口幅、Ｗｐ１…形成幅。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Vacuum chamber, 1H ... Exhaust pipe, 2 ... Film formation source, 3 ... Vacuum pump, 4 ... Stage, 4J ... Fixed axis, 5 ... Pole,
6, 30 support, 7 mask, 7 U opening, 10 film forming apparatus, 20 light emitting film pattern, K transparent substrate, Wf1
... Rib width, Wm1 ... Opening width, Wp1 ... Forming width.
Claims (8)
めの成膜装置であって、 前記基板に対向配置された成膜源と、 前記成膜源から放出された成膜物質が通過するための開
口を有し、前記成膜源と前記基板との間に前記基板から
離間して配設されたマスクとを備えたことを特徴とする
成膜装置。1. A film forming apparatus for forming a thin film pattern on a surface of a substrate, wherein a film forming source disposed to face the substrate and a film forming substance emitted from the film forming source pass therethrough. And a mask disposed between the film formation source and the substrate and spaced apart from the substrate.
ンの幅より小さいことを特徴とする請求項１記載の成膜
装置。2. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the width of the opening of the mask is smaller than the width of the thin film pattern.
記マスクを移動させる支持体を備えたことを特徴とする
請求項１記載の成膜装置。3. The film forming apparatus according to claim 1, further comprising a support that supports the mask and moves the mask between the substrate and the film forming source.
を形成するものであることを特徴とする請求項１記載の
成膜装置。4. The film forming apparatus according to claim 1, wherein the film forming source forms a thin film pattern capable of emitting light.
膜方法であって、 成膜源を前記基板に対向配置させた状態において、前記
成膜源と前記基板との間に、前記成膜源から放出された
成膜物質が通過するための開口を有するマスクを前記基
板から離間させて配設したのち、このマスクを用いて前
記成膜源により前記基板に成膜処理を施すことを特徴と
する成膜方法。5. A film forming method for forming a thin film pattern on a surface of a substrate, wherein the film is formed between the film forming source and the substrate in a state where a film forming source is arranged to face the substrate. After a mask having an opening through which a film-forming substance emitted from a source passes is provided at a distance from the substrate, a film is formed on the substrate by the film-forming source using the mask. Film forming method.
薄膜パターンの幅より小さいものを用いることを特徴と
する請求項５記載の成膜方法。6. The film forming method according to claim 5, wherein a width of the opening is smaller than a width of the thin film pattern as the mask.
支持体により前記基板と前記成膜源との間で前記マスク
を移動させることを特徴とする請求項５記載の成膜方
法。7. The film forming method according to claim 5, wherein the mask is supported by a support, and the mask is moved between the substrate and the film forming source by the support.
ーンを形成するものを用いることを特徴とする請求項５
記載の成膜方法。8. A film forming source for forming a thin film pattern capable of emitting light is used as the film forming source.
The film forming method according to the above.
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|---|---|---|---|---|
| KR100986787B1 (en) * | 2003-03-19 | 2010-10-12 | 도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤 | Film formation mask, organic el panel, and method of manufacturing the organic el panel |
| CN103137901A (en) * | 2011-11-29 | 2013-06-05 | 佳能株式会社 | Film formation apparatus, film formation method, and mask unit to be used for them |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5993873A (en) * | 1982-11-19 | 1984-05-30 | Hitachi Ltd | Method and device for setting clearance between substrate and mask |
| JPH10298738A (en) * | 1997-04-21 | 1998-11-10 | Mitsubishi Chem Corp | Shadow mask and vapor depositing method |
| JP2000239826A (en) * | 1999-02-18 | 2000-09-05 | Toyota Motor Corp | Formation of thin film |
-
2001
- 2001-04-23 JP JP2001123981A patent/JP4706121B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5993873A (en) * | 1982-11-19 | 1984-05-30 | Hitachi Ltd | Method and device for setting clearance between substrate and mask |
| JPH10298738A (en) * | 1997-04-21 | 1998-11-10 | Mitsubishi Chem Corp | Shadow mask and vapor depositing method |
| JP2000239826A (en) * | 1999-02-18 | 2000-09-05 | Toyota Motor Corp | Formation of thin film |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100986787B1 (en) * | 2003-03-19 | 2010-10-12 | 도호꾸 파이오니어 가부시끼가이샤 | Film formation mask, organic el panel, and method of manufacturing the organic el panel |
| CN103137901A (en) * | 2011-11-29 | 2013-06-05 | 佳能株式会社 | Film formation apparatus, film formation method, and mask unit to be used for them |
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