JP2002319760A - Method for manufacturing wiring board - Google Patents

Method for manufacturing wiring board

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JP2002319760A
JP2002319760A JP2001122892A JP2001122892A JP2002319760A JP 2002319760 A JP2002319760 A JP 2002319760A JP 2001122892 A JP2001122892 A JP 2001122892A JP 2001122892 A JP2001122892 A JP 2001122892A JP 2002319760 A JP2002319760 A JP 2002319760A
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Japan
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core substrate
substrate
wiring
layer
recess
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Japanese (ja)
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Sumio Ota
純雄 太田
Mitsuru Tamaoki
充 玉置
Yukihiro Kimura
幸広 木村
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Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a wiring board having a recess and a built-up layer formed only on the surface inexpensively without causing any damage on a wiring layer formed on the bottom of the recess. SOLUTION: The method for manufacturing a wiring board 1 comprises a step for forming through hole conductors 11 extending between the surface 3 and the rear surface 4 of a first core substrate 2, and forming a wiring layer 17 on the bottom of a recess 9 on the rear surface 4; a step for bonding the surface 7 of a second core substrate 6 to the rear surface 4 of the first core substrate 2 through an adhesive layer 5, and forming a board body H comprising the first and second core substrates 2 and 6 and having the recess 9 opening to the rear surface 8 of the core substrate 6; a step for making common through holes 13 extending between the surface 3 of the first core substrate 2 and the rear surface 8 of the second core substrate 6 except the recess 9; a step for filling the recess 9 with a filling material 9b; a step for forming a common through hole conductor 14 on the inner wall of the common through hole 13; and a step for forming wiring layers 16 and 19 on the surface 3 of the first core substrate 2, and on the rear surface 8 of the core substrate 6 in the board body H except the recess 9.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、コア基板の表面
(片面)上方にのみビルドアップ層を有し且つ電子部品を
実装または内臓するための凹部を有する配線基板の製造
方法に関する。
[0001] The present invention relates to a surface of a core substrate.
The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board having a build-up layer only above (one side) and a concave portion for mounting or incorporating an electronic component.

【0002】[0002]

【従来の技術】図9は、コア基板41の表面42の上方
にのみビルドアップ層を積層した配線基板40における
主要部の断面を示す。コア基板41は、比較的薄肉のガ
ラス−エポキシ系樹脂の絶縁材からなり、その表面42
と裏面43との間を貫通する複数のスルーホール44の
内壁には、スルーホール導体45および充填樹脂46が
個別に形成されている。図9に示すように、コア基板4
1の表面42上に所定パターンの配線層48が形成さ
れ、且つ各スルーホール導体45の上端と個別に接続さ
れている。かかる表面42および配線層48の上には、
エポキシ系樹脂の絶縁層50が形成され、且つ配線層4
8上の所定の位置にフィルドビア導体52が形成されて
いる。
2. Description of the Related Art FIG. 9 shows a cross section of a main part of a wiring board 40 in which a build-up layer is laminated only on a surface 42 of a core board 41. The core substrate 41 is made of a relatively thin glass-epoxy resin insulating material, and has a surface 42.
A through-hole conductor 45 and a filling resin 46 are individually formed on the inner walls of the plurality of through-holes 44 penetrating between the inner surface and the back surface 43. As shown in FIG.
A wiring pattern 48 having a predetermined pattern is formed on the front surface 42 of each of the first through-holes 42 and is individually connected to the upper end of each through-hole conductor 45. On the surface 42 and the wiring layer 48,
An insulating layer 50 of an epoxy resin is formed, and a wiring layer 4 is formed.
A filled via conductor 52 is formed at a predetermined position on 8.

【0003】図9に示すように、絶縁層50の上には、
前記と同様な絶縁層56およびビア導体52の上端と接
続する配線層54が形成されている。かかる配線層54
上の所定の位置にビア導体58が形成されると共に、絶
縁層56の上には、ソルダーレジスト層(絶縁層)60お
よびビア導体58の上端と接続する配線層59が形成さ
れている。以上の配線層48,54,59および絶縁層
50,56,60は、ビルドアップ層を形成する。図9
に示すように、配線層59上の所定の位置には、第1主
面61よりも高く突出する複数のハンダバンプ62が個
別に形成され、各バンプ62は第1主面61上に実装す
るICチップ(半導体素子)64の底面における接続端子
65と個別に接続される。尚、隣接するハンダバンプ6
2,62の軸心間距離(ピッチ)は、約200μm以上で
ある。
As shown in FIG. 9, on an insulating layer 50,
An insulating layer 56 and a wiring layer 54 connected to the upper end of the via conductor 52 are formed. Such a wiring layer 54
A via conductor 58 is formed at a predetermined upper position, and a solder resist layer (insulating layer) 60 and a wiring layer 59 connected to the upper end of the via conductor 58 are formed on the insulating layer 56. The wiring layers 48, 54, 59 and the insulating layers 50, 56, 60 form a build-up layer. FIG.
As shown in FIG. 7, a plurality of solder bumps 62 projecting higher than the first main surface 61 are individually formed at predetermined positions on the wiring layer 59, and each bump 62 is an IC mounted on the first main surface 61. It is individually connected to the connection terminal 65 on the bottom surface of the chip (semiconductor element) 64. In addition, the adjacent solder bump 6
The distance (pitch) between the axes of the shafts 2 and 62 is about 200 μm or more.

【0004】また、配線基板40の反りを防ぐため、I
Cチップ64の周囲には、これを囲む銅製の補強材(ス
ティフナ)66が第1主面61上に接着されている。図
9に示すように、コア基板41の裏面43下には、スル
ーホール導体45の下端と接続する配線層47およびソ
ルダーレジスト層(絶縁層)49が形成されている。配線
層47下の所定の位置には、第2主面51の下側に突出
する複数のハンダバンプ53が個別に形成され、各バン
プ53は第2主面51下に実装するチップコンデンサ
(電子部品)55の接続端子57と個別に接続される。
In order to prevent the wiring board 40 from warping,
A copper reinforcing member (stiffener) 66 surrounding the C chip 64 is bonded on the first main surface 61. As shown in FIG. 9, a wiring layer 47 connected to the lower end of the through-hole conductor 45 and a solder resist layer (insulating layer) 49 are formed below the back surface 43 of the core substrate 41. A plurality of solder bumps 53 projecting below the second main surface 51 are individually formed at predetermined positions below the wiring layer 47, and each bump 53 is mounted on a chip capacitor mounted under the second main surface 51.
(Electronic components) 55 are individually connected to connection terminals 57.

【0005】[0005]

【発明が解決すべき課題】しかしながら、以上のような
配線基板40では、コア基板41が薄肉であると共に、
その表面42上にのみビルドアップ層を形成しているた
め、ビルドアップ層およびコア基板41の熱膨張率の差
により、反りが発生してしまうという問題があった。か
かる配線基板40の反りを防ぐべく、第1主面61上に
補強材66を接着する必要があるため、コスト高を招く
という問題がある。また、ICチップ64は、前記配線
層59,54,48、ビア導体58,52、スルーホー
ル導体45、および配線層47を介して、チップコンデ
ンサ55と導通するため、導通経路が長くなって電気的
特性が不安定になる、という問題もある。
However, in the above-described wiring board 40, the core board 41 is thin and
Since the build-up layer is formed only on the surface 42, there is a problem that warpage occurs due to a difference in the coefficient of thermal expansion between the build-up layer and the core substrate 41. In order to prevent such a warpage of the wiring board 40, it is necessary to bond the reinforcing member 66 on the first main surface 61, and thus there is a problem that the cost is increased. The IC chip 64 is electrically connected to the chip capacitor 55 via the wiring layers 59, 54, 48, the via conductors 58, 52, the through-hole conductor 45, and the wiring layer 47. There is also a problem that the characteristic becomes unstable.

【0006】そこで、ICチップ64とチップコンデン
サ55とをより近付けて、クロストークノイズを低減さ
せるなど電気的特性を安定させるため、コア基板に凹部
を形成し、この凹部内にチップコンデンサなどの電子部
品を実装または内蔵することが考えられる。しかし、コ
ア基板に形成した凹部において、電子部品と接続するた
めの接続端子を含む配線層を精度良く形成すると共に、
かかるコア基板の裏面側の前記凹部以外の部分に配線層
を形成することは困難であるという問題があった。即
ち、凹部の底部に形成された配線層は、当該凹部の外側
の裏面を銅メッキする際、メッキ液に曝されてしまう。
更に、凹部を有するコア基板における当該凹部と反対側
の表面にビルドアップ層を形成しようとすると、凹部が
原因でコア基板に反りが発生し易くなり、前記表面にビ
ルドアップ層を平坦に精度良く形成することができな
い、という問題もあった。本発明は、以上に説明した従
来の技術における問題点を解決し、凹部を有するコア基
板からなる配線基板の表面上のみにビルドアップ層を形
成する配線基板であって、凹部の底部に形成した配線層
を損なうことなく、精度良く且つ安価に製造可能な配線
基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。
In order to stabilize the electrical characteristics such as reducing the crosstalk noise by bringing the IC chip 64 and the chip capacitor 55 closer to each other, a recess is formed in the core substrate, and an electronic component such as a chip capacitor is formed in the recess. It is conceivable to mount or incorporate components. However, in the recess formed in the core substrate, a wiring layer including a connection terminal for connecting to an electronic component is accurately formed, and
There is a problem that it is difficult to form a wiring layer on a portion other than the concave portion on the back surface side of the core substrate. That is, the wiring layer formed on the bottom of the concave portion is exposed to the plating solution when the back surface outside the concave portion is copper-plated.
Further, when an attempt is made to form the build-up layer on the surface of the core substrate having the concave portion on the opposite side to the concave portion, the core substrate is likely to be warped due to the concave portion, and the build-up layer is flatly and accurately formed on the surface. There was also a problem that it could not be formed. The present invention solves the problems in the conventional technique described above, and is a wiring board in which a build-up layer is formed only on the surface of a wiring board composed of a core substrate having a recess, and is formed at the bottom of the recess. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a wiring board that can be manufactured accurately and at low cost without damaging the wiring layer.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、2枚のコア基板を併用すると共に、かかる
2枚のコア基板により形成される凹部の底部に形成した
配線層を当該凹部の開口部を閉塞することにより保護す
る、ことに着目して成されたものである。即ち、本発明
の配線基板の製造方法(請求項1)は、表面および裏面を
有する第1のコア基板において、かかる表面と裏面との
間を貫通するスルーホール導体を形成し且つかかる裏面
のうち追って基板本体の凹部の底部となる所定の位置に
所定パターンの配線層を形成する工程と、上記スルーホ
ール導体を有する第1のコア基板の裏面側に、表面およ
び裏面を有し且つ中央部に貫通孔を有する第2のコア基
板の表面側を接着層を介して積層することにより、上記
第1のコア基板および第2のコア基板からなり、かかる
第2のコア基板の裏面側に開口する凹部を有する基板本
体を形成する積層工程と、この基板本体の上記凹部を除
いた位置における上記第1のコア基板の表面と上記第2
のコア基板の裏面との間を貫通する共通スルーホールを
形成する工程と、上記凹部の開口部をテープにより閉じ
るかまたは上記凹部を充填材により充填する工程と、上
記共通スルーホールの内壁に共通スルーホール導体を形
成する工程と、上記基板本体における上記第1のコア基
板の表面および上記第2のコア基板の裏面のうち上記凹
部を除いた位置に、所定パターンの配線層をそれぞれ形
成する工程と、を含む、ことを特徴とする。
According to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, two core substrates are used together, and a wiring layer formed at the bottom of a concave portion formed by the two core substrates is provided. It is made by paying attention to protecting the opening of the concave portion by closing it. That is, in the method for manufacturing a wiring board of the present invention (claim 1), in a first core substrate having a front surface and a back surface, a through-hole conductor penetrating between the front surface and the back surface is formed; Forming a wiring layer of a predetermined pattern at a predetermined position to be a bottom of the concave portion of the substrate body; and forming a wiring layer having a front surface and a rear surface on the back surface side of the first core substrate having the through-hole conductor, and By laminating the front side of the second core substrate having a through hole via an adhesive layer, the second core substrate is composed of the first core substrate and the second core substrate, and is opened on the back surface side of the second core substrate. A laminating step of forming a substrate main body having a concave portion, and a step of removing the surface of the first core substrate and the second
Forming a common through-hole penetrating with the back surface of the core substrate; closing the opening of the recess with a tape or filling the recess with a filler; A step of forming a through-hole conductor, and a step of forming a wiring pattern of a predetermined pattern on each of the front surface of the first core substrate and the back surface of the second core substrate in the substrate main body except for the concave portion. And the following.

【0008】これによれば、第1および第2のコア基板
により形成される凹部の開口部をテープにより閉じるか
充填材により充填するため、かかる凹部の底部に形成し
た配線層を損なうことなく、第2のコア基板の裏面にお
ける配線層を確実に形成することができる。また、第1
および第2のコア基板を積層して基板本体とするため、
得られる配線基板に反りが生じにくくなり、従来のよう
な補強材が不要となって、かかる補強材を接着する工程
を省略でき安価に製造することができる。しかも、凹部
内に実装または内蔵する電子部品と第1のコア基板にお
ける表面上方に形成されるビルドアップ層の表面上に実
装されるICチップなどの半導体素子との導通経路を短
かく形成できるため、かかる経路におけるループインダ
クタンスや抵抗を低減できるなど電気的特性を向上させ
ることも可能となる。尚、本明細書において、コア基板
とは、絶縁性の板材のみを指称し、その表面および裏面
に形成された配線層は含まれない。
According to this, since the opening of the recess formed by the first and second core substrates is closed with a tape or filled with a filler, the wiring layer formed at the bottom of the recess is not damaged. The wiring layer on the back surface of the second core substrate can be reliably formed. Also, the first
And the second core substrate is laminated to form a substrate body,
The resulting wiring board is less likely to be warped, and a conventional reinforcing material is not required, so that the step of bonding such a reinforcing material can be omitted and the manufacturing can be performed at low cost. In addition, a short conduction path can be formed between the electronic component mounted or built in the recess and the semiconductor element such as an IC chip mounted on the surface of the build-up layer formed above the surface of the first core substrate. It is also possible to improve electrical characteristics such as reducing loop inductance and resistance in such a path. In the present specification, the core substrate refers only to an insulating plate material, and does not include a wiring layer formed on the front surface and the back surface.

【0009】付言すれば、前記第2のコア基板は、前記
第1のコア基板の厚みよりも厚い、配線基板の製造方法
を本発明に含めることも可能である。これによる場合、
比較的薄肉の第1コア基板に比較的厚肉の第2のコア基
板を積層するため、配線基板全体に反りが一層生じにく
くなり、平坦な配線基板を確実に提供可能となる。ま
た、凹部内に実装または内蔵する電子部品と第1のコア
基板における表面上方に形成されるビルドアップ層の表
面上に実装されるICチップなどの半導体素子との導通
経路を確実に短くすることができ、かかる経路における
ループインダクタンスなどを低減できるなど電気的特性
を向上させることも可能となる。
[0009] In addition, the present invention can include a method of manufacturing a wiring substrate, wherein the second core substrate is thicker than the first core substrate. In this case,
Since the relatively thick second core substrate is laminated on the relatively thin first core substrate, the entire wiring substrate is less likely to be warped, and a flat wiring substrate can be reliably provided. Also, the conduction path between the electronic component mounted or built in the recess and the semiconductor element such as an IC chip mounted on the surface of the build-up layer formed above the surface of the first core substrate is reliably shortened. It is also possible to improve electrical characteristics such as reducing loop inductance and the like in such a path.

【0010】また、前記第1のコア基板の表面および前
記第2のコア基板の裏面のうち前記凹部を除いた位置に
所定パターンの配線層をそれぞれ形成する工程の後に、
前記基板本体における上記第1のコア基板の表面上方の
みに、少なくとも1層の配線層および複数の絶縁層を含
むビルドアップ層を形成する工程を有する、配線基板の
製造方法(請求項2)も本発明に含まれる。これによれ
ば、第1のコア基板の裏面側に、接着層を介して第2の
コア基板が積層されて基板本体となり、第1のコア基板
の表面上(片面)にのみビルドアップ層を形成するため、
基板本体の両面にビルドアップ層形成する場合に比べ
て、製造コストを低減することが可能となる。
After the step of forming a wiring layer of a predetermined pattern on each of the front surface of the first core substrate and the back surface of the second core substrate except for the concave portion,
A method of manufacturing a wiring board (claim 2), further comprising the step of forming a build-up layer including at least one wiring layer and a plurality of insulating layers only on the surface of the first core substrate in the substrate body. Included in the present invention. According to this, the second core substrate is laminated on the back surface side of the first core substrate via the adhesive layer to become a substrate main body, and the build-up layer is formed only on the surface (one side) of the first core substrate. To form
The manufacturing cost can be reduced as compared with the case where the build-up layers are formed on both surfaces of the substrate body.

【0011】更に、前記積層工程の前に、前記第1のコ
ア基板の裏面および第2のコア基板の表面のうち前記凹
部を除いた位置に所定パターンの配線層をそれぞれ形成
する工程を有する、配線基板の製造方法(請求項3)も本
発明に含まれる。これによれば、積層工程において、接
着層を挟んだ第1のコア基板の裏面および第2のコア基
板の表面にも配線層が形成されるため、2枚のコア基板
からなる基板本体の内部にも複数の配線層を形成するこ
とができる。これにより、内部配線の高密度化の要請に
も容易に対応することが可能となる。
Further, prior to the laminating step, a step of forming a wiring pattern of a predetermined pattern on each of the back surface of the first core substrate and the surface of the second core substrate excluding the recess is provided. A method for manufacturing a wiring board (claim 3) is also included in the present invention. According to this, in the laminating step, the wiring layer is also formed on the back surface of the first core substrate and the surface of the second core substrate with the adhesive layer interposed therebetween, so that the inside of the substrate body including the two core substrates is formed. Also, a plurality of wiring layers can be formed. As a result, it is possible to easily respond to a demand for higher density of the internal wiring.

【0012】加えて、前記ビルドアップ層を形成する工
程は、第1の基板本体および第2の基板本体を両者にお
ける第2のコア基板の裏面同士を対向させて積層した状
態とし、外側に露出する何れかの基板本体における第1
のコア基板の表面上方において行われる、配線基板の製
造方法(請求項4)も本発明に含まれる。これによれば、
第1の基板本体および第2の基板本体を積層した状態
で、ビルドアップ層を形成する工程が行われるため、ビ
ルドアップ層を一層平坦にして第1のコア基板の表面の
上方に精度良く形成できる。しかも、2組(一対)の基板
本体に対し、ビルドアップ層をほぼ同時に形成できるた
め、製造工数および製造コストの低減も可能となる。
[0012] In addition, the step of forming the build-up layer is performed in a state where the first substrate main body and the second substrate main body are laminated with the back surfaces of the second core substrates in both sides facing each other, and are exposed to the outside. The first in any substrate body
The present invention also includes a method of manufacturing a wiring board, which is performed above the surface of the core substrate. According to this,
Since the step of forming the build-up layer is performed in a state where the first substrate main body and the second substrate main body are stacked, the build-up layer is further flattened and formed accurately above the surface of the first core substrate. it can. In addition, since the build-up layers can be formed almost simultaneously on two (one) sets of substrate bodies, the number of manufacturing steps and manufacturing cost can be reduced.

【0013】付言すれば、上記の何れかに記載の各製造
方法であって、前記凹部内において、かかる凹部の底部
に形成した前記配線層(電子部品接続端子)と導通される
電子部品を実装する工程を更に有する、配線基板の製造
方法を本発明に含めることも可能である。これによる場
合、凹部内に実装する電子部品と第1のコア基板におけ
る表面上方に形成されるビルドアップ層の表面上に実装
されるICチップなどとの導通経路を短くすることがで
き、かかる経路のループインダクタンスなどを低減でき
るなど電気的特性の高い配線基板を製造することが可能
となる。
In addition, according to any one of the above-described manufacturing methods, an electronic component that is electrically connected to the wiring layer (electronic component connection terminal) formed at the bottom of the concave portion is mounted in the concave portion. The present invention can also include a method for manufacturing a wiring board, which further includes a step of performing the above. In this case, the conduction path between the electronic component mounted in the recess and the IC chip mounted on the surface of the build-up layer formed above the surface of the first core substrate can be shortened. It is possible to manufacture a wiring board having high electric characteristics such as a reduction in loop inductance of the wiring board.

【0014】また、前記各工程の後に、前記凹部内にお
いて、かかる凹部の底部に形成した前記配線層(電子部
品接続端子)と導通される電子部品を、埋込樹脂を介し
て内蔵する工程を有する、配線基板の製造方法を本発明
に含めることも可能である。これによる場合、凹部内に
電子部品を強固にして内蔵することが可能となる。尚、
上記電子部品には、コンデンサ、インダクタ、抵抗、フ
ィルタなどの受動部品や、ローノイズアンプ(LNA)、
トランジスタ、半導体素子、FETなどの能動部品、S
AWフィルタ、LCフィルタ、アンテナスイッチモジュ
ール、カプラ、ダイプレクサなどや、これらをチップ状
にしたものが含まれるがこれらに限らない。また、これ
らのうちで異種の電子部品同士を同じ凹部内に実装また
は内蔵しても良い。
Further, after each of the steps, a step of incorporating an electronic component, which is electrically connected to the wiring layer (electronic component connection terminal) formed at the bottom of the concave portion, through the embedded resin in the concave portion. The present invention can also include a method of manufacturing a wiring board having the same. In this case, the electronic component can be firmly embedded in the recess. still,
The electronic components include passive components such as capacitors, inductors, resistors, and filters, low-noise amplifiers (LNA),
Active components such as transistors, semiconductor devices, and FETs, S
An AW filter, an LC filter, an antenna switch module, a coupler, a diplexer, and the like, and those obtained by making these chips are included, but are not limited thereto. Further, among them, different kinds of electronic components may be mounted or incorporated in the same recess.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下において本発明の実施に好適
な形態を図面と共に説明する。図1は、本発明の製造方
法により得られる配線基板1の主要部の断面を示す。配
線基板1は、図1に示すように、比較的薄肉の第1のコ
ア基板2と、比較的厚肉の第2のコア基板6と、第1の
コア基板2における表面3の上方に形成された配線層1
6,26,30および絶縁層24,28,32を含むビ
ルドアップ層BUと、第1・第2のコア基板2,6によ
り形成される凹部9と、を有する。第1のコア基板2
は、表面3および裏面4を有する厚さ100〜400μ
mのガラス−エポキシ樹脂からなり(本実施形態では2
00μm)、その中央付近には、直径約150μmの複
数のスルーホール10が貫通すると共に、各スルーホー
ル10の内壁に沿って、厚みが約25μmで銅製のスル
ーホール導体11および充填樹脂12が形成されてい
る。
Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a cross section of a main part of a wiring board 1 obtained by the manufacturing method of the present invention. As shown in FIG. 1, the wiring substrate 1 is formed above a relatively thin first core substrate 2, a relatively thick second core substrate 6, and a surface 3 of the first core substrate 2. Wiring layer 1
6, 26, 30 and a build-up layer BU including insulating layers 24, 28, 32, and a concave portion 9 formed by the first and second core substrates 2, 6. First core substrate 2
Has a thickness of 100 to 400 μm having a front surface 3 and a back surface 4
m-glass-epoxy resin (in this embodiment, 2
In the vicinity of the center, a plurality of through-holes 10 having a diameter of about 150 μm penetrate, and along the inner wall of each through-hole 10, a copper through-hole conductor 11 and a filling resin 12 having a thickness of about 25 μm are formed. Have been.

【0016】図1に示すように、第2のコア基板6は、
表面7および裏面8を有する厚さ約800μmのガラス
−エポキシ樹脂からなり、その中央付近には、凹部9が
穿設されている。凹部9は、平面視で縦・横約14mm
ずつのほぼ正方形を呈する。第1のコア基板2と第2の
コア基板6とは、厚みが約60μmの接着性を有するプ
リプレグ(接着層)5を介して貼り合わせて積層されると
共に、これらにより、基板本体Hが形成される。図1の
左右に示すように、凹部9を除いた位置における第1お
よび第2のコア基板2,6には、直径約150μmで比
較的長い複数の共通スルーホール13が貫通し、各スル
ーホール13の内壁には、厚みが約25μmで銅製の共
通スルーホール導体14および充填樹脂15が形成され
ている。
As shown in FIG. 1, the second core substrate 6
It is made of a glass-epoxy resin having a front surface 7 and a back surface 8 and having a thickness of about 800 μm, and a recess 9 is formed near the center thereof. The recess 9 is approximately 14 mm in length and width in plan view.
Each has an almost square shape. The first core substrate 2 and the second core substrate 6 are laminated by laminating via a prepreg (adhesive layer) 5 having an adhesive property having a thickness of about 60 μm, and the substrate main body H is formed by these. Is done. As shown on the left and right of FIG. 1, a plurality of relatively long common through-holes 13 having a diameter of about 150 μm penetrate through the first and second core substrates 2 and 6 at positions excluding the concave portions 9. A copper common through-hole conductor 14 and a filling resin 15 having a thickness of about 25 μm are formed on the inner wall of the substrate 13.

【0017】また、図1に示すように、第1のコア基板
2の裏面4には、所定パターンを有し銅製で且つ厚みが
約15μmである銅製の配線層17が形成される。凹部
9の底部に位置する配線層(電子部品接続端子)17はス
ルーホール導体11の下端と接続し、プリプレグ5の上
側に位置する配線層17は共通スルーホール導体14の
中間と接続している。第2のコア基板6の表面7におけ
るプリプレグ5の下側にも、所定パターンおよび厚みを
有する銅製の配線層18が形成され、且つ共通スルーホ
ール導体14の中間と接続されている。
As shown in FIG. 1, a copper wiring layer 17 having a predetermined pattern and made of copper and having a thickness of about 15 μm is formed on the back surface 4 of the first core substrate 2. The wiring layer (electronic component connection terminal) 17 located at the bottom of the recess 9 is connected to the lower end of the through-hole conductor 11, and the wiring layer 17 located above the prepreg 5 is connected to the middle of the common through-hole conductor 14. . A copper wiring layer 18 having a predetermined pattern and thickness is also formed below the prepreg 5 on the surface 7 of the second core substrate 6, and is connected to the middle of the common through-hole conductor 14.

【0018】更に、図1に示すように、第1のコア基板
2の表面3には、所定パターンを有する銅製の配線層1
6が形成され、スルーホール導体11,14の上端と接
続されている。表面3および配線層16の上には、シリ
カフィラを含むエポキシ系樹脂の絶縁層24が形成さ
れ、且つ配線層16上の所定の位置にフィルドビア導体
25が形成されている。絶縁層24の上には、同様の絶
縁層28および上記ビア導体25の上端と接続する配線
層26が形成されると共に、かかる配線層26上の所定
の位置にフィルドビア導体29が形成されている。同様
にして、上記絶縁層28の上には、ソルダーレジスト層
(絶縁層)32および上記ビア導体29の上端と接続する
配線層30が形成される。以上の絶縁層24,28,3
2および配線層26,30は、ビルドアップ層BUを形
成する。尚、絶縁層24などの厚みは約30μmで、ソ
ルダーレジスト層32の厚みは約25μmである。
Further, as shown in FIG. 1, on the surface 3 of the first core substrate 2, a copper wiring layer 1 having a predetermined pattern is formed.
6 are formed and connected to the upper ends of the through-hole conductors 11 and 14. An insulating layer 24 of an epoxy resin containing silica filler is formed on the front surface 3 and the wiring layer 16, and a filled via conductor 25 is formed at a predetermined position on the wiring layer 16. On the insulating layer 24, a similar insulating layer 28 and a wiring layer 26 connected to the upper end of the via conductor 25 are formed, and a filled via conductor 29 is formed at a predetermined position on the wiring layer 26. . Similarly, on the insulating layer 28, a solder resist layer
(Insulating layer) 32 and a wiring layer 30 connected to the upper end of the via conductor 29 are formed. The above insulating layers 24, 28, 3
2 and the wiring layers 26 and 30 form a build-up layer BU. The thickness of the insulating layer 24 and the like is about 30 μm, and the thickness of the solder resist layer 32 is about 25 μm.

【0019】図1に示すように、配線層30上の所定の
位置には、第1主面(表面)34よりも高く突出する複数
のハンダバンプ(IC接続端子)36が個別に形成され、
かかるバンプ36は、第1主面34上に実装するICチ
ップ(半導体素子)38の底面における複数の接続端子3
9と個別に接続される。かかるバンプ36は、Sn−A
g系、Pb−Sn系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Cu
系、Sn−Zn系などの低融点合金からなり(本実施形
態では、Sn−Ag系ハンダ)、隣接し合うハンダバン
プ36,36の軸心間距離は、約150μmにして配置
されている。尚、複数のハンダバンプ36と接続端子3
9とは、図示しないアンダーフィル材により埋設され且
つ保護される。
As shown in FIG. 1, a plurality of solder bumps (IC connection terminals) 36 projecting higher than the first main surface (front surface) 34 are individually formed at predetermined positions on the wiring layer 30.
The bumps 36 are connected to a plurality of connection terminals 3 on the bottom surface of an IC chip (semiconductor element) 38 mounted on the first main surface 34.
9 individually. The bump 36 is formed of Sn-A
g-based, Pb-Sn-based, Sn-Ag-Cu-based, Sn-Cu
And a low melting point alloy such as a Sn-Zn-based alloy (Sn-Ag-based solder in the present embodiment), and the distance between the centers of the adjacent solder bumps 36, 36 is about 150 μm. In addition, the plurality of solder bumps 36 and the connection terminals 3
9 is embedded and protected by an underfill material (not shown).

【0020】また、図1に示すように、第1・第2のコ
ア基板2,6により形成される凹部9には、複数のチッ
プコンデンサ(電子部品)20が挿入され、且つハンダ2
1を介して実装される。かかるコンデンサ20は、両側
面の上端に突出する電極22を図1の前後方向に沿って
複数有し、例えばチタン酸バリウムを主成分とする誘電
層および内部電極となるNi層を交互に積層したセラミ
ックスコンデンサであり、3.2mm×1.6mm×
0.7mmのサイズを有する。かかるコンデンサ20に
おける上端の電極22は、ハンダ21を介してスルーホ
ール導体11の下端に位置し且つ凹部9内に露出する配
線層(電子部品接続端子)17と接続されている。尚、上
記ハンダ21も、低融点合金(Sn−Sb系ハンダ)から
なる。
As shown in FIG. 1, a plurality of chip capacitors (electronic components) 20 are inserted into the recess 9 formed by the first and second core substrates 2 and 6, and the solder 2
1 is implemented. Such a capacitor 20 has a plurality of electrodes 22 protruding from the upper ends of both side surfaces along the front-rear direction of FIG. 3.2mm × 1.6mm × ceramic capacitor
It has a size of 0.7 mm. The upper electrode 22 of the capacitor 20 is connected to the wiring layer (electronic component connection terminal) 17 located at the lower end of the through-hole conductor 11 and exposed in the recess 9 via the solder 21. The solder 21 is also made of a low melting point alloy (Sn-Sb based solder).

【0021】更に、図1に示すように、第2のコア基板
6の裏面8と配線層19との下側には、凹部9の真下を
除いて、前記同様の厚みを有するソルダーレジスト(絶
縁層)23が形成されると共に、配線層19から延びて
第2主面31側に開口する開口部27内に露出する配線
33が形成されている。かかる配線33は、表面にNi
およびAuメッキが被覆され、当該配線基板1自体を搭
載する図示しないマザーボードなどのプリント基板との
接続端子として活用される。尚、かかる配線33の接続
端子には、ハンダボールやピンなどを接合させても良
い。
Further, as shown in FIG. 1, a solder resist (insulating) having a thickness similar to that described above, except under the concave portion 9, is provided below the back surface 8 of the second core substrate 6 and the wiring layer 19. A layer 33 is formed, and a wiring 33 extending from the wiring layer 19 and exposed in the opening 27 opening toward the second main surface 31 is formed. The wiring 33 has Ni
Further, the wiring board 1 is coated with Au plating and is used as a connection terminal to a printed board such as a motherboard (not shown) on which the wiring board 1 itself is mounted. In addition, a solder ball, a pin, or the like may be joined to the connection terminal of the wiring 33.

【0022】以上のような配線基板1によれば、第1主
面34に実装されるICチップ38の接続端子39と凹
部9に実装されるチップコンデンサ20の電極22と
は、ハンダバンプ36、配線層30,26,16、フィ
ルドビア導体29,25、スルーホール導体11(薄肉
の第1のコア基板2)、配線層17、およびハンダ21
の短い経路により接続される。このため、かかる経路に
おけるループインダクタンスや抵抗を小さくでき、安定
した導通を取ることが可能となる。しかも、薄肉の第1
のコア基板2にプリプレグ5を介して厚肉の第2のコア
基板6を積層して基板本体Hとし且つ第1のコア基板2
の表面3上方のみにビルドアップ層BUを有しているの
で、充分な強度が得られる。このため、従来のような補
強材を取り付けることが不要となり、低コストで製造す
ることが可能となる。
According to the wiring board 1 described above, the connection terminals 39 of the IC chip 38 mounted on the first main surface 34 and the electrodes 22 of the chip capacitor 20 mounted on the recess 9 are connected to the solder bumps 36 and the wirings. Layers 30, 26, 16, filled via conductors 29, 25, through-hole conductor 11 (thin first core substrate 2), wiring layer 17, and solder 21
Are connected by a short path. For this reason, loop inductance and resistance in such a path can be reduced, and stable conduction can be achieved. Moreover, the thin first
A thick second core substrate 6 is laminated on the core substrate 2 via a prepreg 5 to form a substrate body H and the first core substrate 2
Since the build-up layer BU is provided only on the surface 3 above, sufficient strength can be obtained. For this reason, it is not necessary to attach a reinforcing material as in the related art, and it is possible to manufacture at low cost.

【0023】更に、第1主面34から突出する複数のハ
ンダバンプ36は、第1のコア基板2を貫通しチップコ
ンデンサ20と導通するスルーホール導体11を経る配
線経路だけでなく、第1および第2のコア基板2,6を
貫通する共通スルーホール導体14を経る配線経路に対
応した位置にも形成することができる。また、複数のハ
ンダバンプ36を約150μm程度のピッチの高密度で
配置し、多数の接続端子39を有するICチップ38を
これらのハンダバンプ36に実装することができる。従
って、反りがなく且つ内部の電気的特性が安定している
と共に、第1主面34にハンダバンプ36を高密度で配
置した配線基板1となる。
Further, the plurality of solder bumps 36 protruding from the first main surface 34 not only include a wiring path passing through the through-hole conductor 11 penetrating the first core substrate 2 and conducting to the chip capacitor 20, but also a first and second solder bump 36. It can also be formed at a position corresponding to a wiring path passing through the common through-hole conductor 14 penetrating the second core substrates 2 and 6. In addition, a plurality of solder bumps 36 can be arranged at a high pitch of about 150 μm, and an IC chip 38 having a large number of connection terminals 39 can be mounted on these solder bumps 36. Accordingly, the wiring board 1 is free from warpage, has stable internal electrical characteristics, and has the solder bumps 36 arranged on the first main surface 34 at a high density.

【0024】前記配線基板1を得るための本発明の製造
方法における主要な製造工程を、図2乃至図8により説
明する。図2(A)は、表・裏面3,4を有し厚みが約2
00μmの第1のコア基板2の断面を示す。かかるコア
基板2の表面3側の中央部における所定の位置を細径の
ドリルにより穿孔するか、あるいはレーザを照射する。
その結果、図2(B)に示すように、第1のコア基板2の
中央部において、表・裏面3,4間を貫通し且つ内径が
約150μmのスルーホール10が複数形成される。
尚、スルーホール10は、第1のコア基板2の周辺寄り
の位置で且つ後述する共通スルーホール13と同軸心の
位置に併せて形成しても良い。
The main manufacturing steps in the manufacturing method of the present invention for obtaining the wiring board 1 will be described with reference to FIGS. FIG. 2 (A) shows front and back surfaces 3 and 4 having a thickness of about 2
2 shows a cross section of a first core substrate 2 of 00 μm. A predetermined position in the central portion on the front surface 3 side of the core substrate 2 is pierced by a small diameter drill, or laser is irradiated.
As a result, as shown in FIG. 2B, a plurality of through holes 10 penetrating between the front and rear surfaces 3 and 4 and having an inner diameter of about 150 μm are formed in the center of the first core substrate 2.
The through hole 10 may be formed at a position near the periphery of the first core substrate 2 and at a position coaxial with a common through hole 13 described later.

【0025】次に、複数のスルーホール10を有する第
1のコア基板2の全面および各スルーホール10の内壁
には、無電解銅メッキおよび電解銅メッキを施す。尚、
第1のコア基板2の全面および各スルーホール10の内
壁には、予めPdを含むメッキ触媒を塗布しておく。ま
た、上記スルーホール10の穿孔と銅メッキは、複数の
コア基板2(製品単位)を含むパネル(多数個取りの基板)
の状態で行っても良い。その結果、図2(C)に示すよう
に、各スルーホール10の内壁に沿って厚みが約25μ
mのスルーホール導体11が形成される。同時に、第1
のコア基板2の表・裏面3,4には、銅メッキ層3a,
4aがそれぞれ形成される。
Next, the entire surface of the first core substrate 2 having the plurality of through holes 10 and the inner wall of each through hole 10 are subjected to electroless copper plating and electrolytic copper plating. still,
A plating catalyst containing Pd is applied to the entire surface of the first core substrate 2 and the inner wall of each through hole 10 in advance. Further, the perforation of the through hole 10 and the copper plating are performed on a panel (a multi-piece board) including a plurality of core substrates 2 (product units).
You may go in the state of. As a result, as shown in FIG. 2 (C), the thickness along the inner wall of each through hole 10 is about 25 μm.
m through-hole conductors 11 are formed. At the same time, the first
The copper plating layers 3a,
4a are respectively formed.

【0026】次いで、図2(D)に示すように、各スルー
ホール導体11の中空部にシリカフィラなどの無機フィ
ラ入りのエポキシ系樹脂からなる充填樹脂12を充填す
る。尚、充填樹脂12に替え、多量の金属粉末を含む導
電性樹脂、または金属粉末を含む非導電性樹脂を用いて
も良い。また、第1のコア基板2の表・裏面3,4を研
磨除去して、かかる充填樹脂12を形成した後、当該コ
ア基板2の表・裏面3,4における銅メッキ層3a,4
aの上に更に電解銅メッキを施して、新たな銅メッキ層
3b,4bを形成する。引き続いて、各充填樹脂12の
上・下端を蓋メッキして、かかる充填樹脂12を密封す
る。尚、充填樹脂12の真上や真下にビア導体を形成し
ない場合には、上記蓋メッキの形成を省いても良い。
Next, as shown in FIG. 2D, the hollow portion of each through-hole conductor 11 is filled with a filling resin 12 made of an epoxy resin containing an inorganic filler such as silica filler. Note that, instead of the filling resin 12, a conductive resin containing a large amount of metal powder or a non-conductive resin containing metal powder may be used. Further, after the front and back surfaces 3 and 4 of the first core substrate 2 are polished and removed to form the filling resin 12, the copper plating layers 3a and 4 on the front and back surfaces 3 and 4 of the core substrate 2 are formed.
Further, electrolytic copper plating is performed on a to form new copper plating layers 3b and 4b. Subsequently, the upper and lower ends of each filling resin 12 are plated with a lid, and the filling resin 12 is sealed. When no via conductor is formed directly above or below the filling resin 12, the formation of the cover plating may be omitted.

【0027】更に、表・裏面3,4における銅メッキ層
3a,3bおよび銅メッキ層4a,4bの上に、公知の
フォトリソグラフィ技術により、所定のパターンを有す
る図示しないエッチングレジストを形成した後、かかる
エッチングレジストのパターン間の隙間から露出する銅
メッキ層3a,3bおよび銅メッキ層4a,4bに対し
エッチング(公知のサブトラクティブ法)を施す。その結
果、図2(E)に示すように、第1のコア基板2の表・裏
面3,4に、上記パターンに倣った配線層16,17が
形成される。
Further, an etching resist (not shown) having a predetermined pattern is formed on the copper plating layers 3a and 3b and the copper plating layers 4a and 4b on the front and rear surfaces 3 and 4 by a known photolithography technique. The copper plating layers 3a, 3b and the copper plating layers 4a, 4b exposed from the gaps between the patterns of the etching resist are etched (known subtractive method). As a result, as shown in FIG. 2E, wiring layers 16 and 17 are formed on the front and back surfaces 3 and 4 of the first core substrate 2 according to the pattern.

【0028】図3(A)は、配線層16,17を形成した
第1のコア基板2の裏面4側に、厚みが約60μmのプ
リプレグ(接着層:絶縁層)5および厚みが約800μm
の第2のコア基板6を配置した状態を示す。第2のコア
基板6には、図3(A)に示すように、予め中央部に表・
裏面7,8間を貫通する貫通孔9aがパンチングなどに
より穿孔されている。かかる貫通孔9aは、縦・横約1
4mmずつで平面視においてほぼ正方形を呈し、その周
囲におけるコア基板6の表面7には、所定のパターンを
有する配線層18が、前記同様のフォトリソグラフィ技
術およびエッチングにより予め形成されている。かかる
第1のコア基板2と第2のコア基板6との間に、接着性
を有する厚みが約60μmのプリプレグ5を配置し、図
3(A)中の矢印方向に沿って、第1および第2のコア基
板2,6を加圧しつつ加熱(約190℃×約100分)す
る。尚、接着層の配置は、フイルム状の接着層を設着す
る方法の他、液状の絶縁材料をロールコータなどにより
第1のコア基板2または第2のコア基板6に塗布しても
良い。
FIG. 3A shows a prepreg (adhesive layer: insulating layer) 5 having a thickness of about 60 μm and a thickness of about 800 μm on the back surface 4 side of the first core substrate 2 on which the wiring layers 16 and 17 are formed.
2 shows a state in which the second core substrate 6 is arranged. As shown in FIG. 3 (A), the second core substrate 6 has a front surface in a center portion.
A through hole 9a penetrating between the back surfaces 7, 8 is formed by punching or the like. The through hole 9a has a length and width of about 1
A wiring layer 18 having a predetermined pattern is formed in advance on the surface 7 of the core substrate 6 around the surface of the core substrate 6 by the same photolithography technique and etching as described above. A prepreg 5 having an adhesive property and a thickness of about 60 μm is disposed between the first core substrate 2 and the second core substrate 6, and the first and second core substrates 6 are arranged along the directions indicated by arrows in FIG. The second core substrates 2 and 6 are heated (about 190 ° C. × about 100 minutes) while pressurizing. The adhesive layer may be disposed by applying a liquid insulating material to the first core substrate 2 or the second core substrate 6 using a roll coater or the like, instead of attaching the film-like adhesive layer.

【0029】その結果、図3(B)に示すように、第1・
第2のコア基板2,6は、プリプレグ5を介して一体に
積層される。これにより、第1・第2のコア基板2,6
からなり第2のコア基板6の裏面8側に開口する凹部9
を有すると共に、凹部9の底部(天井面)に配線層17を
有する基板本体Hが形成される。次いで、凹部9の上方
を除いた図3(B)で左右に位置する第1のコア基板2の
表面3側から、当該基板本体Hに対して、前記同様のド
リルによる穿孔またはレーザの照射を行う。その結果、
図4(A)に示すように、基板本体Hの左右において、プ
リプレグ5を含み且つ第1・第2のコア基板2,6の表
・裏面3,8間を貫通する長い共通スルーホール13が
複数穿孔される。各スルーホール13は、その中間でプ
リプレグ5の上下に位置する配線層17,18を貫通し
ている。尚、図4(A)は、前記図1における左右の両端
部付近を省略している。また、共通スルーホール13
は、予め第1のコア基板2の同じ位置に穿孔しておいた
スルーホール10の軸心に沿って同軸心で形成すること
も可能である。かかる方法による場合、各共通スルーホ
ール13の位置決めが容易となる。
As a result, as shown in FIG.
The second core substrates 2 and 6 are integrally laminated via the prepreg 5. Thereby, the first and second core substrates 2, 6
A concave portion 9 formed on the back surface 8 side of the second core substrate 6
And a substrate main body H having a wiring layer 17 at the bottom (ceiling surface) of the concave portion 9 is formed. Next, from the front surface 3 side of the first core substrate 2 located on the left and right in FIG. 3B excluding the upper part of the concave portion 9, the substrate body H is perforated by a drill or laser irradiation similar to the above. Do. as a result,
As shown in FIG. 4A, a long common through hole 13 including the prepreg 5 and penetrating between the front and back surfaces 3 and 8 of the first and second core substrates 2 and 6 is provided on the left and right sides of the substrate body H. Multiple holes are drilled. Each through hole 13 penetrates through wiring layers 17 and 18 located above and below the prepreg 5 in the middle. FIG. 4A omits the vicinity of both left and right ends in FIG. Also, the common through hole 13
Can be formed coaxially along the axis of the through hole 10 previously drilled at the same position on the first core substrate 2. According to such a method, the positioning of each common through-hole 13 becomes easy.

【0030】更に、図4(B)に示すように、凹部9内に
エポキシ樹脂からなる充填材9bを充填し、硬化後に外
部に露出するその表面を第2のコア基板6の裏面8と面
一にする。尚、上記充填材9bには、エポキシ樹脂の
他、フェノール、メラミン、ポリエステル、シリコンな
どの熱硬化性樹脂を使用しても良い。尚、かかる充填材
9bの充填に替えて、図4(b)に示すように、凹部9の
開口部を閉じるように、その周囲の裏面8にポリエステ
ル樹脂からなる厚みが約20μmのテープTを貼り付け
ても良い。尚、前記テープTの表面には粘着剤が付与さ
れており、その粘着面を前記凹部9の開口部側としてテ
ープTを貼り付ける。また、テープTの材質は、例えば
ポリイミド、ポリエステル、PET、フッ素樹脂(商品
名:テフロン)などが挙げられるが、このうち耐熱性お
よび耐薬品性の観点からフッ素樹脂が推奨される。更
に、テープTの表面に付与される粘着剤には、例えばシ
リコン系の粘着剤、アクリル系の粘着剤、熱可塑性ゴム
系の粘着剤などが挙げられる。このうち、離型性(即
ち、剥がし易さ)および耐熱性の観点からシリコン系の
粘着剤が推奨される。
Further, as shown in FIG. 4B, a filling material 9b made of an epoxy resin is filled in the concave portion 9 and the surface exposed to the outside after curing is made to be in contact with the back surface 8 of the second core substrate 6. Make one. In addition, a thermosetting resin such as phenol, melamine, polyester, and silicon may be used for the filler 9b in addition to the epoxy resin. Instead of filling with the filler 9b, as shown in FIG. 4 (b), a tape T made of a polyester resin and having a thickness of about 20 μm is formed around the back surface 8 so as to close the opening of the concave portion 9. You may paste it. Note that an adhesive is applied to the surface of the tape T, and the tape T is attached with the adhesive surface as the opening side of the recess 9. Examples of the material of the tape T include polyimide, polyester, PET, and fluororesin (trade name: Teflon). Of these, fluororesins are recommended from the viewpoint of heat resistance and chemical resistance. Furthermore, examples of the adhesive applied to the surface of the tape T include a silicone-based adhesive, an acrylic-based adhesive, and a thermoplastic rubber-based adhesive. Among these, silicone-based pressure-sensitive adhesives are recommended from the viewpoints of releasability (that is, ease of peeling) and heat resistance.

【0031】以下では、凹部9内に充填材9bを充填し
た基板本体Hについて説明する。図4(B)に示す状態
で、各共通スルーホール13の内壁、第1のコア基板2
における配線層16を含む表面3、および第2のコア基
板6の裏面8に前記同様のメッキ触媒を塗布した後、こ
れら全面に対して無電解銅メッキおよび電解電解銅メッ
キを施す。次いで、第1および第2のコア基板2,6の
表・裏面3,8に形成された図示しない銅メッキ層の上
に、前記同様にしてエッチングレジストの形成およびか
かるレジストを介したエッチングを施す。
In the following, a description will be given of the substrate body H in which the recess 9 is filled with the filler 9b. In the state shown in FIG. 4B, the inner wall of each common through hole 13 and the first core substrate 2
After applying the same plating catalyst to the front surface 3 including the wiring layer 16 and the back surface 8 of the second core substrate 6, the entire surface is subjected to electroless copper plating and electrolytic electrolytic copper plating. Next, an etching resist is formed on the copper plating layers (not shown) formed on the front and back surfaces 3 and 8 of the first and second core substrates 2 and 6 in the same manner as described above, and etching is performed through the resist. .

【0032】その結果、図5(A)に示すように、基板本
体Hにおける第1および第2のコア基板2,6の各共通
スルーホール13の内壁に沿って、厚みが約25μmの
共通スルーホール導体14が個別に形成される。また、
第2のコア基板6の裏面8には、所定のパターンを有し
且つ共通スルーホール導体14の下端と接続される配線
層19が形成され、第1のコア基板2の表面3における
配線層16内の配線は、共通スルーホール導体14の上
端と接続される。更に、図5(B)に示すように、各共通
スルーホール導体14の中空部に前記同様の充填樹脂1
5を形成した後、前記同様にして、第1のコア基板2の
表面3および第2のコア基板6の裏面8に銅メッキした
後、その上にエッチングレジストを形成し且つエッチン
グを施す。その結果、充填樹脂15の上下端が蓋メッキ
される。尚、図5(A),(B)において、配線層16の厚
みは便宜上から前記図4(A),(B)と同じとした。ま
た、充填樹脂15の真上や真下にビア導体を形成しない
場合には、上記蓋メッキを省いても良い。
As a result, as shown in FIG. 5A, a common through hole having a thickness of about 25 μm is formed along the inner wall of each common through hole 13 of the first and second core substrates 2 and 6 in the substrate body H. The hole conductors 14 are individually formed. Also,
On the back surface 8 of the second core substrate 6, a wiring layer 19 having a predetermined pattern and connected to the lower end of the common through-hole conductor 14 is formed, and the wiring layer 16 on the front surface 3 of the first core substrate 2 is formed. The inner wiring is connected to the upper end of the common through-hole conductor 14. Further, as shown in FIG. 5B, the same filling resin 1 as described above is placed in the hollow portion of each common through-hole conductor 14.
After the formation of No. 5, copper plating is performed on the front surface 3 of the first core substrate 2 and the back surface 8 of the second core substrate 6 in the same manner as described above, and then an etching resist is formed thereon and etched. As a result, the upper and lower ends of the filling resin 15 are lid-plated. In FIGS. 5A and 5B, the thickness of the wiring layer 16 is the same as in FIGS. 4A and 4B for convenience. In addition, when the via conductor is not formed directly above or below the filling resin 15, the lid plating may be omitted.

【0033】次に、凹部9内の充填材9bを例えばエン
ドミルを用いる座ぐり加工などにより除去すると、図5
(B)に示すように、凹部9の底部(天井面)に配線層17
を有すると共に、第1および第2のコア基板2,6の表
・裏面3,8に配線層16,19を有する基板本体Hを
得ることができる。尚、充填材9bに化学的エッチング
が可能な樹脂を用いた場合は、上記座ぐり加工に替え
て、かかる充填材9bに対し化学的エッチングを施し
て、これを除去しても良い。尚また、前記図4(b)で示
したように、凹部9の開口部に貼り付けたテープTを剥
離した場合にも、上記と同じ基板本体Hが得られる。
Next, when the filler 9b in the concave portion 9 is removed by, for example, spot facing using an end mill, FIG.
As shown in (B), the wiring layer 17 is provided at the bottom (ceiling surface) of the recess 9.
And the substrate body H having the wiring layers 16 and 19 on the front and back surfaces 3 and 8 of the first and second core substrates 2 and 6 can be obtained. When a resin that can be chemically etched is used for the filler 9b, the filler 9b may be subjected to chemical etching to remove it instead of the spot facing process. In addition, as shown in FIG. 4B, when the tape T attached to the opening of the recess 9 is peeled off, the same substrate body H as described above is obtained.

【0034】次いで、以上のような凹部9および配線層
16,17,19を有する基板本体Hを一対用意し、図
6に示すように、第1の基板本体H1と第2の基板本体
H2とを、両者の第2のコア基板6の裏面8,8を対向
させた状態で、かかる裏面8,8の周辺部にスペーサ
(プリプレグ)Sを介在させて積層し且つ拘束する。これ
により、第1および第2の基板本体H1,H2は、互い
に対称に積層され且つ全体として厚肉となって、高い剛
性を発揮するため、反りの発生が防止される。尚、上記
第1の基板本体H1および第2の基板本体H2を積層す
る工程は、これらの基板本体H1,H2(製品単位)を平
面方向に沿って個別に複数個有する2枚のパネル(多数
個取りの基板)により行っても良い。
Next, a pair of substrate bodies H having the above-described recess 9 and the wiring layers 16, 17, and 19 are prepared, and as shown in FIG. 6, the first substrate body H1 and the second substrate body H2 are connected to each other. In a state where the back surfaces 8 of the second core substrates 6 are opposed to each other, a spacer is
(Prepreg) Laminate and restrain with S interposed. Accordingly, the first and second substrate bodies H1 and H2 are stacked symmetrically with each other and have a large thickness as a whole, exhibiting high rigidity, thereby preventing warpage. In the step of laminating the first substrate body H1 and the second substrate body H2, two panels (a large number) each having a plurality of these substrate bodies H1 and H2 (product units) individually along the plane direction are used. Alternatively, it may be performed using a single substrate.

【0035】次に、図7に示すように、何れかの基板本
体H1/H2における第1のコア基板2の表面3の上方
に、絶縁層24を形成し、配線層16上の所定の位置に
フィルドビア導体25を形成する。これ以降は、絶縁層
24と共にビルドアップ層BUを形成する絶縁層28、
ソルダーレジスト層32、配線層26,30、およびフ
ィルドビア導体25,29を、公知のビルドアップ工程
(セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラ
クティブ法、フィルム状樹脂材料のラミネートによる絶
縁層の形成、フォトリソグラフィ技術など)により形成
する。更に、残りの基板本体H2/H1における第1の
コア基板2の表面3の上方にも、上記同様にしてビルド
アップ層BUなどを形成する。その結果、これらのビル
ドアップ層BUを一層平坦に且つ精度良く形成すること
ができる。尚、ビルドアップ層BUの形成工程は、複数
の基板本体H1,H2(製品単位)を個別に含む2枚のパ
ネル(多数個取りの基板)の状態で行っても良い。
Next, as shown in FIG. 7, an insulating layer 24 is formed above the surface 3 of the first core substrate 2 in one of the substrate main bodies H1 / H2, and a predetermined position on the wiring layer 16 is formed. Then, a filled via conductor 25 is formed. Thereafter, the insulating layer 28 forming the build-up layer BU together with the insulating layer 24,
The solder resist layer 32, the wiring layers 26 and 30, and the filled via conductors 25 and 29 are formed by a known build-up process.
(A semi-additive method, a full-additive method, a subtractive method, an insulating layer formed by laminating a film-like resin material, a photolithography technique, and the like). Further, a build-up layer BU and the like are formed above the surface 3 of the first core substrate 2 in the remaining substrate main bodies H2 / H1 in the same manner as described above. As a result, these build-up layers BU can be formed more evenly and more accurately. The process of forming the build-up layer BU may be performed in a state of two panels (multi-piece substrates) individually including a plurality of substrate bodies H1 and H2 (product units).

【0036】次に、スペーサSを除去し、ビルドアップ
層BUを有する第1・第2のコア基板2,6からなる第
1および第2基板本体H1,H2を分離すると、図8
(A)の状態となる。かかる基板本体Hにおける第2のコ
ア基板6の裏面8下に前記同様のソルダーレジスト層2
3を形成し、且つその表面(第2主面)31側に開口する
開口部27内に露出する配線層19内の配線33にNi
およびAuメッキを被覆して接続端子とする。そして、
図8(A)に示すように、配線層30上における所定の位
置に、ソルダーレジスト層32を貫通する開口部(パッ
ド)を形成し、それらの内側に前記同様の低融点合金を
印刷・充填して、ソルダーレジスト層32の表面(第1
主面)34よりも突出するハンダバンプ36を形成す
る。この際、隣接し合うハンダバンプ36,36の軸心
間距離(ピッチ)を約150μmにして配置することが可
能である。これにより、前記図1に示した配線基板1が
得られる。
Next, when the spacer S is removed and the first and second substrate bodies H1 and H2 composed of the first and second core substrates 2 and 6 having the build-up layer BU are separated, FIG.
The state shown in FIG. Under the back surface 8 of the second core substrate 6 in the substrate body H, the same solder resist layer 2 as described above is formed.
3 and the wiring 33 in the wiring layer 19 exposed in the opening 27 opened on the surface (second main surface) 31 side of the Ni
And Au plating to form connection terminals. And
As shown in FIG. 8A, openings (pads) penetrating the solder resist layer 32 are formed at predetermined positions on the wiring layer 30, and the same low melting point alloy as described above is printed and filled inside the openings. Then, the surface of the solder resist layer 32 (the first
A solder bump 36 protruding from the main surface 34 is formed. At this time, the distance (pitch) between the centers of the adjacent solder bumps 36, 36 can be set to about 150 μm. Thus, the wiring board 1 shown in FIG. 1 is obtained.

【0037】尚、第1の基板本体H1と第2の基板本体
H2との積層は、凹部9内を充填材9bで充填しまたは
その開口部をテープTにて閉じた状態で行っても良い。
この場合、第1の基板本体H1および第2の基板本体H
2に、それぞれビルドアップ層BUなど形成した後、両
者を分離してから充填材9bやテープTを取り除く。ま
た、上記ソルダーレジスト層23、開口部27、および
配線(接続端子)33の形成工程は、前記図5(A)に示し
た凹部9内に充填材9bを充填した状態、あるいは前記
図4(b)に示したテープTにて凹部9を閉じた状態で行
っても良い。この場合、ソルダーレジスト層23などを
形成した後で、凹部9内の充填材9bまたは開口部のテ
ープTを、これらの真下に位置するソルダーレジスト層
23と共に除去する。
The lamination of the first substrate body H1 and the second substrate body H2 may be performed in a state where the inside of the recess 9 is filled with the filler 9b or the opening thereof is closed with the tape T. .
In this case, the first substrate body H1 and the second substrate body H
2, after the build-up layers BU and the like are formed, the two are separated, and then the filler 9b and the tape T are removed. In the step of forming the solder resist layer 23, the opening 27, and the wiring (connection terminal) 33, the recess 9 shown in FIG. 5A is filled with the filler 9b, or FIG. This may be performed with the recess 9 closed with the tape T shown in b). In this case, after forming the solder resist layer 23 and the like, the filler 9b in the concave portion 9 or the tape T in the opening is removed together with the solder resist layer 23 located immediately below these.

【0038】凹部9内にチップコンデンサ(電子部品)2
0を実装するには、図8(B)に示すように、配線基板1
における凹部9の底部に位置する配線層(電子部品接続
端子)17の下側に、低融点の合金(Sn−Sb系ハン
ダ)からなるハンダ21を形成する。これらのハンダ2
1をチップコンデンサ20の上端に突出する電極22と
接続することにより、図8(B)に示すように、凹部9内
にチップコンデンサ20を実装することができる。尚、
図8(B)に示す状態を180°回転して上下逆の状態と
し、上向きに開口する凹部9内に図示しない溶けた埋込
樹脂を充填することにより、チップコンデンサ20をか
かる埋込樹脂に埋設し、且つこれを介して凹部9に内蔵
することも可能である。かかる形態にする場合は、チッ
プコンデンサ20を、その下端(凹部9の開口部寄り)か
ら突出する図示しない別の電極をも有するタイプを用い
ても良く、かかる下端に位置する電極に配線層19を接
続することも可能となる。
A chip capacitor (electronic component) 2 is provided in the recess 9.
0, the wiring board 1 is mounted as shown in FIG.
A solder 21 made of a low melting point alloy (Sn-Sb solder) is formed below the wiring layer (electronic component connection terminal) 17 located at the bottom of the concave portion 9 in FIG. These solder 2
By connecting 1 to the electrode 22 projecting from the upper end of the chip capacitor 20, the chip capacitor 20 can be mounted in the recess 9 as shown in FIG. still,
The state shown in FIG. 8B is turned upside down by rotating by 180 °, and by filling a not-shown molten embedding resin into the concave portion 9 that opens upward, the chip capacitor 20 is filled with the embedding resin. It is also possible to bury and embed in the recess 9 through this. In this case, the chip capacitor 20 may be of a type having another electrode (not shown) projecting from the lower end thereof (close to the opening of the concave portion 9). Can also be connected.

【0039】以上に説明した配線基板1の製造方法によ
れば、凹部9を充填材9bにより充填するか凹部9の開
口部をテープTにより閉じるため、凹部9の底部に形成
した配線層17を損なうことなく、第2のコア基板6の
裏面8に配線層19を確実に形成できると共に、共通ス
ルーホール導体14も容易に形成することができる。ま
た、第1および第2のコア基板2,6を積層して基板本
体Hとするため、配線基板1に反りが生じにくく、ビル
ドアップ層BUを平坦で精度良く形成することができ
る。更に、従来のような補強材が不要となり、かかる補
強材を接着する工程を省略でき安価に製造することがで
きる。しかも、第1および第2の基板本体H1,H2を
積層した状態で、第1のコア基板2の表面3上方にのみ
ビルドアップ層BUを形成するので、配線基板1を安価
に製造可能となる。更に、凹部9内に実装または内蔵さ
れるチップコンデンサ20とビルドアップ層BUの表面
34上に実装されるICチップ38との距離も短くでき
るので、両者の導通経路におけるループインダクタンス
などを低減できるなどの電気的特性の向上にも寄与する
ことが可能となる。
According to the method of manufacturing the wiring board 1 described above, the recess 9 is filled with the filler 9b or the opening of the recess 9 is closed with the tape T, so that the wiring layer 17 formed at the bottom of the recess 9 is removed. The wiring layer 19 can be reliably formed on the back surface 8 of the second core substrate 6 without damage, and the common through-hole conductor 14 can be easily formed. Further, since the first and second core substrates 2 and 6 are laminated to form the substrate main body H, the wiring substrate 1 is less likely to warp, and the build-up layer BU can be formed flat and accurately. Further, the conventional reinforcing member is not required, and the step of bonding the reinforcing member can be omitted, and the manufacturing can be performed at low cost. Moreover, since the build-up layer BU is formed only above the surface 3 of the first core substrate 2 in a state where the first and second substrate main bodies H1 and H2 are stacked, the wiring substrate 1 can be manufactured at low cost. . Furthermore, the distance between the chip capacitor 20 mounted or built in the recess 9 and the IC chip 38 mounted on the surface 34 of the build-up layer BU can be shortened, so that the loop inductance in the conduction path between the two can be reduced. Can also be improved.

【0040】本発明は、以上において説明した各形態に
限定されるものではない。前記第1・第2のコア基板
2,6の材質は、前記ガラス−エポキシ樹脂系の複合材
料の他、ビスマレイミド・トリアジン(BT)樹脂、エポ
キシ樹脂、同様の耐熱性、機械強度、可撓性、加工容易
性などを有するガラス織布や、ガラス織布などのガラス
繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、またはBT樹脂
などの樹脂との複合材料であるガラス繊維−樹脂系の複
合材料を用いても良い。あるいは、ポリイミド繊維など
の有機繊維と樹脂との複合材料や、連続気孔を有するP
TFEなど3次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹
脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合材料など
を用いることも可能である。
The present invention is not limited to the embodiments described above. The material of the first and second core substrates 2 and 6 is bismaleimide-triazine (BT) resin, epoxy resin, and similar heat resistance, mechanical strength, and flexibility, in addition to the glass-epoxy resin composite material. Using a glass woven fabric having properties and processing easiness, or a glass fiber-resin composite material that is a composite material of glass fiber such as glass woven fabric and a resin such as an epoxy resin, a polyimide resin, or a BT resin. Is also good. Alternatively, a composite material of an organic fiber such as a polyimide fiber and a resin, or a P
It is also possible to use a resin-resin composite material in which a resin such as an epoxy resin is impregnated into a fluorine resin having a three-dimensional network structure such as TFE.

【0041】また、前記凹部9に実装または内蔵する電
子部品は、1つのみでも良い。あるいは、多数の配線基
板(製品単位)1を含む多数個取りの基板(パネル)内にお
ける製品単位1個内に、複数の凹部9を形成し且つ各凹
部9内に所要数の電子部品を実装または内蔵しても良
い。更に、複数のチップ状電子部品を互いの側面間で予
め接着したユニットとし、これを前記凹部9内に実装な
どすることもできる。また、チップ状電子部品には、前
記チップコンデンサ20などの他、チップ状のインダク
タ、抵抗、フィルタなどの受動部品や、トランジスタ、
半導体素子、FET、ローノイズアンプ(LNA)などの
能動部品も含まれると共に、互いに異種の電子部品同士
を配線基板1の同じ凹部9内に併せて実装することも可
能である。
Further, only one electronic component may be mounted or built in the recess 9. Alternatively, a plurality of recesses 9 are formed in one product unit in a multi-piece board (panel) including a large number of wiring boards (product units) 1 and a required number of electronic components are mounted in each recess 9. Or it may be built-in. Further, a unit in which a plurality of chip-shaped electronic components are bonded in advance between their side surfaces may be mounted in the recess 9 or the like. In addition, the chip-shaped electronic components include passive components such as chip-shaped inductors, resistors, and filters, transistors,
Active components such as a semiconductor element, an FET, and a low noise amplifier (LNA) are also included, and electronic components of different types can be mounted together in the same recess 9 of the wiring board 1.

【0042】また、前記配線層16,26、スルーホー
ル導体11などの材質は、前記Cuの他、Ag、Ni、
Ni−Au系などにしても良く、あるいは、これら金属
のメッキ層を用いず、導電性樹脂を塗布するなどの方法
により形成しても良い。更に、前記絶縁層24,28な
どの材質は、前記エポキシ樹脂を主成分とするもののほ
か、同様の耐熱性、パターン成形性等を有するポリイミ
ド樹脂、BT樹脂、PPE樹脂、あるいは、連続気孔を
有するPTFEなど3次元網目構造のフッ素系樹脂にエ
ポキシ樹脂などの樹脂を含浸させた樹脂−樹脂系の複合
材料などを用いることもできる。尚、絶縁層の形成に
は、絶縁性の樹脂フィルムを熱圧着する方法のほか、液
状の樹脂をロールコータにより塗布する方法を用いるこ
ともできる。尚また、絶縁層に混入するガラス布または
ガラスフィラの組成は、Eガラス、Dガラス、Qガラ
ス、Sガラスの何れか、またはこれらのうちの2種類以
上を併用したものとしても良い。また、ビア導体は、前
記フィルドビア導体25などでなく、完全に導体で埋ま
ってないコンフォーマルビア導体とすることもできる。
あるいは、各ビア導体の軸心をずらしつつ積み重ねるス
タッガードの形態でも良いし、途中で平面方向に延びる
配線層が介在する形態としても良い。尚、前記凹部の底
部(天井面)に形成する配線層を除いて、第1のコア基板
の裏面と第2のコア基板の表面との配線層を形成せず、
接着層を介して第1のコア基板および第2のコア基板を
直に積層することも可能である。
The materials of the wiring layers 16 and 26, the through-hole conductors 11, etc. are Ag, Ni,
It may be formed of a Ni-Au type or the like, or may be formed by a method such as applying a conductive resin without using these metal plating layers. Further, the material of the insulating layers 24, 28 and the like has, besides the epoxy resin as a main component, a polyimide resin, a BT resin, a PPE resin, or a continuous pore having the same heat resistance and pattern moldability. A resin-resin composite material in which a resin such as an epoxy resin is impregnated with a fluorine-based resin having a three-dimensional network structure such as PTFE can also be used. The insulating layer may be formed by a method of applying a liquid resin by a roll coater, in addition to a method of thermocompression bonding an insulating resin film. Further, the composition of the glass cloth or glass filler mixed into the insulating layer may be any one of E glass, D glass, Q glass and S glass, or a combination of two or more of them. The via conductor may be a conformal via conductor that is not completely filled with a conductor, instead of the filled via conductor 25 or the like.
Alternatively, a staggered configuration in which the via conductors are stacked with their axes shifted may be used, or a configuration in which a wiring layer extending in the planar direction is interposed in the middle. Incidentally, except for the wiring layer formed on the bottom (ceiling surface) of the concave portion, no wiring layer was formed between the back surface of the first core substrate and the surface of the second core substrate,
It is also possible to directly laminate the first core substrate and the second core substrate via an adhesive layer.

【0043】[0043]

【発明の効果】以上に説明した本発明の配線基板の製造
方法(請求項1)によれば、第1・第2のコア基板により
形成される凹部内に充填材を充填するなどして閉じるた
め、かかる凹部の底部に形成した配線層を損なうことな
く、第2のコア基板の裏面に配線層を確実に形成するこ
とができる。また、第1・第2のコア基板を積層した基
板本体には反りが生じにくく、従来の補強材が不要とな
るため、補強材を接着する工程を省略でき安価に製造す
ることができる。更に、凹部内に実装などする電子部品
と第1のコア基板における表面上方に形成されるビルド
アップ層の表面上に実装されるICチップなどの半導体
素子との導通経路を短かく形成できるため、かかる経路
におけるループインダクタンスなどを低減できるなど電
気的特性の向上にも寄与することが可能となる。
According to the above-described method of manufacturing a wiring board of the present invention (claim 1), the recess formed by the first and second core substrates is closed by filling it with a filler or the like. Therefore, the wiring layer can be reliably formed on the back surface of the second core substrate without damaging the wiring layer formed at the bottom of the concave portion. In addition, since the substrate body on which the first and second core substrates are laminated is unlikely to be warped and a conventional reinforcing material is not required, the step of bonding the reinforcing material can be omitted, and the manufacturing can be performed at low cost. Furthermore, a short conduction path can be formed between an electronic component mounted in the recess and a semiconductor element such as an IC chip mounted on the surface of the build-up layer formed above the surface of the first core substrate. It is also possible to contribute to the improvement of electrical characteristics such as reduction of loop inductance and the like in such a path.

【0044】また、請求項2の配線基板の製造方法によ
れば、第1・第2のコア基板からなる基板本体における
片面にのみビルドアップ層を形成するので、両面にビル
ドアップ層を形成する場合に比べて、製造コストを低減
することが可能となる。更に、請求項3の配線基板の製
造方法によれば、積層工程において、接着層を挟んだ第
1のコア基板の裏面および第2のコア基板の表面にも配
線層が形成されるため、基板本体の内部にも複数の配線
層を形成することができ、内部配線の高密度化の要請に
も容易に対応することが可能となる。加えて、請求項4
の配線基板の製造方法によれば、ビルドアップ層を一層
平坦にして第1のコア基板の表面の上方に精度良く形成
できると共に、第1・第2の基板本体に対し、ビルドア
ップ層をほぼ同時に形成できるため、配線基板の製造工
数およびコストの低減も可能となる。
According to the method of manufacturing a wiring board of the second aspect, since the build-up layers are formed only on one side of the substrate body composed of the first and second core substrates, the build-up layers are formed on both sides. As compared with the case, the manufacturing cost can be reduced. Furthermore, according to the method of manufacturing a wiring board of the third aspect, in the laminating step, the wiring layer is also formed on the back surface of the first core substrate and the front surface of the second core substrate with the adhesive layer interposed therebetween. A plurality of wiring layers can be formed inside the main body, and it is possible to easily respond to a demand for high density of internal wiring. In addition, claim 4
According to the method of manufacturing a wiring board, the build-up layer can be more flattened and formed accurately above the surface of the first core substrate, and the build-up layer can be substantially Since they can be formed simultaneously, the number of manufacturing steps and cost of the wiring board can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の製造方法により得られる配線基板の主
要部を示す断面図。
FIG. 1 is a sectional view showing a main part of a wiring board obtained by a manufacturing method of the present invention.

【図2】(A)〜(E)は本発明の製造方法における主要な
製造工程を示す概略図。
FIGS. 2A to 2E are schematic views showing main manufacturing steps in the manufacturing method of the present invention.

【図3】(A),(B)は図2(E)に続く主要な製造工程を
示す概略図。
FIGS. 3A and 3B are schematic views showing main manufacturing steps following FIG. 2E.

【図4】(A),(B)は図3(B)に続く主要な製造工程を
示す概略図、(b)は(B)と異なる形態の工程を示す部分
概略図。
4 (A) and 4 (B) are schematic views showing main manufacturing steps following FIG. 3 (B), and FIG. 4 (b) is a partial schematic view showing steps in a form different from FIG. 3 (B).

【図5】(A),(B)は図4(B)に続く主要な製造工程を
示す概略図。
FIGS. 5A and 5B are schematic views showing main manufacturing steps subsequent to FIG. 4B.

【図6】図5(B)に続く本発明の製造方法の主要な製造
工程を示す概略図。
FIG. 6 is a schematic view showing main manufacturing steps of the manufacturing method of the present invention following FIG. 5 (B).

【図7】図6に続く本発明の製造方法の主要な製造工程
を示す概略図。
FIG. 7 is a schematic view showing main manufacturing steps of the manufacturing method of the present invention following FIG. 6;

【図8】(A),(B)は図7に続く本発明の主要な製造工
程を示す概略図。
FIGS. 8A and 8B are schematic diagrams showing main manufacturing steps following FIG. 7;

【図9】従来の配線基板における主要部を示す断面図。FIG. 9 is a sectional view showing a main part of a conventional wiring board.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1………………………………配線基板 2………………………………第1のコア基板 3,7…………………………表面 4,8…………………………裏面 5………………………………プリプレグ(接着層) 6………………………………第2のコア基板 9………………………………凹部 9a……………………………貫通孔 9b……………………………充填材 11……………………………スルーホール導体 13……………………………共通スルーホール 14……………………………共通スルーホール導体 16〜19,26,30……配線層 24,28,32……………絶縁層 H………………………………基板本体 H1……………………………第1の基板本体 H2……………………………第2の基板本体 BU……………………………ビルドアップ層 T………………………………テープ 1 ...... Wiring board 2 ...... First core board 3, 7 ...... Surface 4, 8 ………………………………………………………………………………………………………………………………………………… prepreg (adhesive layer) 6 …………… Recessed part 9a ………………………… Through hole 9b ………………………………… Filler 11 ……………………… … Through-hole conductor 13 ……………………… Common through-hole 14 ………………………… Common through-hole conductor 16 to 19, 26, 30… Wiring layers 24, 28, 32 Insulating layer H ………………………………………………………………………………………………………………… First substrate body H2 ………………………. …………………………………………………………………………… Layer T …………………………… Tape

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/12 N (72)発明者 木村 幸広 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 Fターム(参考) 5E346 AA02 AA22 AA43 BB15 CC04 CC09 CC32 DD02 DD03 DD25 DD32 DD33 DD44 EE09 EE33 FF04 FF07 FF15 GG15 GG17 GG22 GG28 HH02 HH25 HH32──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 23/12 N (72) Inventor Yukihiro Kimura 14-18 Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi Japan F-term (reference) in Ceramics Co., Ltd. 5E346 AA02 AA22 AA43 BB15 CC04 CC09 CC32 DD02 DD03 DD25 DD32 DD33 DD44 EE09 EE33 FF04 FF07 FF15 GG15 GG17 GG22 GG28 HH02 HH25 HH32

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】表面および裏面を有する第1のコア基板に
おいて、かかる表面と裏面との間を貫通するスルーホー
ル導体を形成し且つかかる裏面のうち追って基板本体の
凹部の底部となる所定の位置に所定パターンの配線層を
形成する工程と、上記スルーホール導体を有する第1の
コア基板の裏面側に、表面および裏面を有し且つ中央部
に貫通孔を有する第2のコア基板の表面側を接着層を介
して積層することにより、上記第1のコア基板および第
2のコア基板からなり、かかる第2のコア基板の裏面側
に開口する凹部を有する基板本体を形成する積層工程
と、 上記基板本体の上記凹部を除いた位置における上記第1
のコア基板の表面と上記第2のコア基板の裏面との間を
貫通する共通スルーホールを形成する工程と、 上記凹部の開口部をテープにより閉じるかまたは上記凹
部を充填材により充填する工程と、 上記共通スルーホールの内壁に共通スルーホール導体を
形成する工程と、 上記基板本体における上記第1のコア基板の表面および
上記第2のコア基板の裏面のうち上記凹部を除いた位置
に、所定パターンの配線層をそれぞれ形成する工程と、
を含む、 ことを特徴とする配線基板の製造方法。
1. A first core substrate having a front surface and a back surface, a through hole conductor penetrating between the front surface and the back surface, and a predetermined position on the back surface which will be a bottom of a concave portion of the substrate body. Forming a wiring layer of a predetermined pattern on the first core substrate having the through-hole conductor, the front surface of the second core substrate having a front surface and a back surface, and having a through-hole in the center. Are laminated via an adhesive layer, thereby forming a substrate main body including the first core substrate and the second core substrate and having a concave portion opened on the back surface side of the second core substrate. The first substrate at a position excluding the concave portion of the substrate body
Forming a common through-hole penetrating between the front surface of the core substrate and the back surface of the second core substrate; and closing the opening of the recess with a tape or filling the recess with a filler. Forming a common through-hole conductor on the inner wall of the common through-hole; and positioning the common through-hole conductor at a position excluding the recess on the front surface of the first core substrate and the back surface of the second core substrate in the substrate body. Forming a wiring layer of the pattern,
A method for manufacturing a wiring board, comprising:
【請求項2】前記第1のコア基板の表面および前記第2
のコア基板の裏面のうち前記凹部を除いた位置に所定パ
ターンの配線層をそれぞれ形成する工程の後に、前記基
板本体における上記第1のコア基板の表面上方のみに、
少なくとも1層の配線層および複数の絶縁層を含むビル
ドアップ層を形成する工程を有する、 ことを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方
法。
2. A surface of said first core substrate and said second core substrate.
After a step of forming a wiring layer of a predetermined pattern at a position on the back surface of the core substrate excluding the recess, only on the surface of the first core substrate in the substrate body,
The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, further comprising a step of forming a build-up layer including at least one wiring layer and a plurality of insulating layers.
【請求項3】前記積層工程の前に、前記第1のコア基板
の裏面および第2のコア基板の表面のうち前記凹部を除
いた位置に所定パターンの配線層をそれぞれ形成する工
程を有する、 ことを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板の
製造方法。
3. The method according to claim 1, further comprising, before the laminating step, a step of forming a wiring pattern having a predetermined pattern on each of the back surface of the first core substrate and the surface of the second core substrate except for the concave portion. The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein:
【請求項4】前記ビルドアップ層を形成する工程は、第
1の基板本体および第2の基板本体を両者における第2
のコア基板の裏面同士を対向させて積層した状態とし、
外側に露出する何れかの基板本体における第1のコア基
板の表面上方において行われる、 ことを特徴とする請求項2または3に記載の配線基板の
製造方法。
4. The step of forming the build-up layer includes the steps of: forming a first substrate main body and a second substrate main body into a second substrate main body;
The core substrates are laminated with their back surfaces facing each other,
The method according to claim 2, wherein the method is performed above a surface of the first core substrate in any of the substrate bodies exposed to the outside.
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