JP2002314188A - Semiconductor laser device - Google Patents

Semiconductor laser device

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JP2002314188A
JP2002314188A JP2001115685A JP2001115685A JP2002314188A JP 2002314188 A JP2002314188 A JP 2002314188A JP 2001115685 A JP2001115685 A JP 2001115685A JP 2001115685 A JP2001115685 A JP 2001115685A JP 2002314188 A JP2002314188 A JP 2002314188A
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JP
Japan
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semiconductor laser
laser array
front surface
condenser lens
array
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JP2001115685A
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Japanese (ja)
Inventor
Hirobumi Suga
博文 菅
Takeshi Kanzaki
武司 神崎
Hirobumi Miyajima
博文 宮島
Kazunori Kuroyanagi
和典 黒柳
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Hamamatsu Photonics KK
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor laser device where the positioning work of a condensing lens with respect to a semiconductor laser array is facilitated. SOLUTION: A spacer 10 protruded to the front face of the semiconductor laser array 3 by prescribed quantity is arranged in the condensing lens 9 applied to the semiconductor laser device 1, and the idle end of the spacer 10 is made to abut on the front 4 of the semiconductor laser array 3. Thus, the distance of the condensing lens 9 against the front 4 of the semiconductor laser array 3 can always be kept constant in accordance with the projection quantity of the spacer 10. Namely, the condensing lens 9 is positioned with the front 4 of the semiconductor layer array 3 where laser radiating points 3a are arranged as the reference of positioning. At the time of assembling the semiconductor laser device 1, the condensing lens 9 can be highly precisely positioned only by making the idle end of the spacer of the condensing lens 9 abut on the front 4 of the semiconductor laser array 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、固定レーザの励起
や微細加工処理等の光源として利用される半導体レーザ
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device used as a light source for excitation of a fixed laser or fine processing.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から一般的に利用されているこの種
の半導体レーザ装置100は、図9に示すように、半導
体レーザアレイ101の出射面101a上には複数のレ
ーザ出射点が設けられている。また、半導体レーザアレ
イ101は、その上面及び下面をサブマウントベース1
02,103で挟み込み、この状態で半導体レーザアレ
イ101はヒートシンク104に配置されている。更
に、半導体レーザアレイ101からのレーザ光を集光さ
せる目的で、ロッドレンズからなる集光レンズ105を
ヒートシンク104上に接着剤を介して固定させてい
る。このようなサンドイッチ構造の半導体レーザアレイ
101を一ユニットとして構成させ、これをハウジング
105内で積層させると、多段の半導体レーザ装置が構
成されることになる。
2. Description of the Related Art As shown in FIG. 9, a semiconductor laser device 100 of this type, which has been generally used, has a plurality of laser emission points provided on an emission surface 101a of a semiconductor laser array 101. I have. The semiconductor laser array 101 has its upper and lower surfaces mounted on the submount base 1.
The semiconductor laser array 101 is disposed on the heat sink 104 in this state. Further, in order to collect the laser light from the semiconductor laser array 101, a condensing lens 105 composed of a rod lens is fixed on the heat sink 104 via an adhesive. When the semiconductor laser array 101 having such a sandwich structure is configured as one unit and stacked in the housing 105, a multi-stage semiconductor laser device is configured.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た従来の半導体レーザ装置には、次のような課題が存在
している。すなわち、ヒートシンク104上に接着固定
させる集光レンズ105と、ヒートシンク104上に固
定させる半導体レーザアレイ101との間隔は、厳格に
管理される必要があり、半導体レーザアレイ101に対
する集光レンズ105の位置合せ作業性は困難を伴うも
のであった。
However, the above-described conventional semiconductor laser device has the following problems. That is, the distance between the condensing lens 105 adhered and fixed on the heat sink 104 and the semiconductor laser array 101 fixed on the heat sink 104 needs to be strictly controlled, and the position of the condensing lens 105 with respect to the semiconductor laser array 101 is required. The joining workability involved difficulties.

【0004】本発明は、上述の課題を解決するためにな
されたもので、特に、半導体レーザアレイに対する集光
レンズの位置合せ作業を容易にした半導体レーザ装置を
提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problems, and it is an object of the present invention to provide a semiconductor laser device which facilitates the operation of aligning a condenser lens with respect to a semiconductor laser array.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体レー
ザ装置は、前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点
を配列させた半導体レーザアレイと、半導体レーザアレ
イの前面に対峙して配置させると共に、半導体レーザア
レイの長手方向に沿って延在する集光レンズと、集光レ
ンズに設けられると共に、集光レンズの両端から半導体
レーザアレイの前面に向けて突出するスペーサ部とを備
え、スペーサ部の遊端を、半導体レーザアレイの前面に
当接させたことを特徴とする。
A semiconductor laser device according to the present invention has a semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged along the longitudinal direction of the front surface, and is arranged to face the front surface of the semiconductor laser array. A condensing lens extending along the longitudinal direction of the semiconductor laser array, and a spacer portion provided on the condensing lens and projecting from both ends of the condensing lens toward the front surface of the semiconductor laser array. The free end of the portion is brought into contact with the front surface of the semiconductor laser array.

【0006】この半導体レーザ装置に適用する集光レン
ズには、半導体レーザアレイの前面に向けて所定量だけ
突出させるスペーサ部が設けられており、このスペーサ
部の遊端を半導体レーザアレイの前面に当接させること
で、半導体レーザアレイの前面に対する集光レンズの距
離を、スペーサ部の突出量に応じて常に一定に保つこと
ができる。すなわち、レーザ出射点を配列させた半導体
レーザアレイの前面を位置決めの基準として集光レンズ
の位置決めが行われるので、レーザ出射点を基準とした
集光レンズの高精度な位置合せが可能となる。更に、半
導体レーザ装置を組立てる際、半導体レーザアレイの前
面に集光レンズのスペーサ部の遊端を突き当てるだけ
で、集光レンズの高精度な位置決めが達成されるので、
集光レンズの位置合せ作業が極めて容易に実現され、こ
のことは、半導体レーザ装置の生産性を向上させ、大量
生産の一助をなすものである。
The condenser lens applied to this semiconductor laser device is provided with a spacer portion projecting a predetermined amount toward the front surface of the semiconductor laser array. The free end of this spacer portion is provided on the front surface of the semiconductor laser array. The contact allows the distance of the condenser lens to the front surface of the semiconductor laser array to be always kept constant according to the amount of protrusion of the spacer portion. That is, since the focusing lens is positioned using the front surface of the semiconductor laser array in which the laser emission points are arranged as a reference for positioning, highly accurate alignment of the focusing lens based on the laser emission point can be performed. Further, when assembling the semiconductor laser device, high-precision positioning of the condenser lens is achieved only by abutting the free end of the spacer portion of the condenser lens on the front surface of the semiconductor laser array.
The work of aligning the condenser lens is realized very easily, which improves the productivity of the semiconductor laser device and helps mass production.

【0007】また、スペーサ部の遊端に、半導体レーザ
アレイの前面に向けて突出する突起部を更に設けると好
適である。このような構成は、半導体レーザアレイを上
側サブマウントベース及び下側サブマウントベースで挟
み込んで、半導体レーザアレイの前面がサブマウントベ
ースの前面に対して後退している場合に、半導体レーザ
アレイの前面にスペーサ部の遊端を適切に当接させると
き特に有効である。
It is preferable that a protrusion protruding toward the front surface of the semiconductor laser array be further provided at the free end of the spacer. In such a configuration, when the semiconductor laser array is sandwiched between the upper submount base and the lower submount base, and the front surface of the semiconductor laser array is receded from the front surface of the submount base, the front surface of the semiconductor laser array is This is particularly effective when the free end of the spacer portion is appropriately brought into contact with the spacer.

【0008】また、集光レンズ及び半導体レーザアレイ
を配置させるヒートシンクを更に有し、ヒートシンクに
は、集光レンズの底面に向けて貫通する接着剤充填孔が
設けられていると好適である。このような構成は、ヒー
トシンクの裏面側から接着剤充填孔内に接着剤を充填さ
せるだけで、ヒートシンクに対する集光レンズの接着固
定が容易に達成されることになる。しかも、接着剤に、
紫外線硬化樹脂などの硬化収縮性をもったものを利用す
る場合でも、接着剤の収縮にあたって、集光レンズがヒ
ートシンク側に引き寄せられるように作用するのみであ
るから、半導体レーザアレイと集光レンズとの間隔の変
化に与える影響が極めて少なくなり、半導体レーザアレ
イに対する集光レンズの位置決めが常に高精度で維持さ
れることになる。
It is preferable that a heat sink for disposing the condenser lens and the semiconductor laser array is further provided, and the heat sink is provided with an adhesive filling hole penetrating toward the bottom surface of the condenser lens. With such a configuration, the adhesive fixation of the condenser lens to the heat sink can be easily achieved only by filling the adhesive into the adhesive filling hole from the back side of the heat sink. Moreover, for the adhesive,
Even when using an ultraviolet curable resin or the like that has a curing shrinkage property, when the adhesive is shrunk, it only acts to draw the condenser lens toward the heat sink side. Of the condenser lens is extremely small, and the positioning of the condenser lens with respect to the semiconductor laser array is always maintained with high accuracy.

【0009】本発明に係る半導体レーザ装置は、前面の
長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させた半導
体レーザアレイと、半導体レーザアレイを挟み込んで配
置させた上側及び下側のサブマウントベースと、半導体
レーザアレイの前面に対峙して配置させると共に、半導
体レーザアレイの長手方向に沿って延在する集光レンズ
と、集光レンズに設けられると共に、集光レンズの両端
から半導体レーザアレイの前面に向けて突出するスペー
サ部とを備え、スペーサ部の遊端を、上側及び下側のサ
ブマウントベースの両端からはみ出した半導体レーザア
レイの両端部分における前面に当接させたことを特徴と
する。
A semiconductor laser device according to the present invention comprises: a semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged along a longitudinal direction of a front surface; and upper and lower submount bases having the semiconductor laser array interposed therebetween. And a condensing lens arranged to face the front surface of the semiconductor laser array and extending along the longitudinal direction of the semiconductor laser array; and a condensing lens provided on the condensing lens. A spacer portion protruding toward the front surface, and the free ends of the spacer portion are brought into contact with the front surfaces of both end portions of the semiconductor laser array protruding from both ends of the upper and lower submount bases. .

【0010】この半導体レーザ装置に適用する集光レン
ズには、半導体レーザアレイの前面に向けて所定量だけ
突出させるスペーサ部が設けられており、このスペーサ
部の遊端を、半導体レーザアレイの前面に当接させる
が、このとき、半導体レーザアレイの前面において、上
側及び下側のサブマウントベースの両端からはみ出した
両端部分にスペーサ部の遊端を当接させる。これによっ
て、スペーサ部の遊端は、サブマウントベースに当たる
ことなく、確実に半導体レーザアレイの前面に当接させ
ることができる。スペーサ部のこのような構成によっ
て、はみ出し部分の有効利用が図られることになる。よ
って、半導体レーザアレイの前面に対する集光レンズの
距離を、スペーサ部の突出量に応じて常に一定に保つこ
とが可能になる。すなわち、レーザ出射点を配列させた
半導体レーザアレイの前面を位置決めの基準として集光
レンズの位置決めが行われるので、レーザ出射点を基準
とした集光レンズの高精度な位置合せが可能となる。更
に、半導体レーザ装置を組立てる際、半導体レーザアレ
イの前面に集光レンズのスペーサ部の遊端を突き当てる
だけで、集光レンズの高精度な位置決めが達成されるの
で、集光レンズの位置合せ作業が極めて容易に実現さ
れ、このことは、半導体レーザ装置の生産性を向上さ
せ、大量生産の一助をなすものである。
The condensing lens applied to the semiconductor laser device is provided with a spacer portion projecting a predetermined amount toward the front surface of the semiconductor laser array, and the free end of the spacer portion is connected to the front surface of the semiconductor laser array. At this time, on the front surface of the semiconductor laser array, the free ends of the spacer portions are brought into contact with both end portions protruding from both ends of the upper and lower submount bases. Thus, the free end of the spacer portion can reliably contact the front surface of the semiconductor laser array without hitting the submount base. With such a configuration of the spacer portion, the protruding portion can be effectively used. Therefore, the distance of the condenser lens from the front surface of the semiconductor laser array can always be kept constant according to the amount of protrusion of the spacer portion. That is, since the focusing lens is positioned using the front surface of the semiconductor laser array in which the laser emission points are arranged as a reference for positioning, highly accurate alignment of the focusing lens based on the laser emission point can be performed. Furthermore, when assembling the semiconductor laser device, high-precision positioning of the condenser lens can be achieved only by abutting the free end of the spacer portion of the condenser lens against the front surface of the semiconductor laser array. The work is realized very easily, which improves the productivity of the semiconductor laser device and helps mass production.

【0011】本発明に係る半導体レーザ装置は、前面の
長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させた半導
体レーザアレイと、半導体レーザアレイを挟み込んで配
置させた上側及び下側のサブマウントベースと、半導体
レーザアレイの前面に対峙して配置させると共に、半導
体レーザアレイの長手方向に沿って延在する集光レンズ
と、集光レンズに設けられると共に、集光レンズの両端
から半導体レーザアレイの前面に向けて突出するスペー
サ部とを備え、スペーサ部の遊端を、上側及び下側のサ
ブマウントベースのいずれか一方の前面に当接させたこ
とを特徴とする。
A semiconductor laser device according to the present invention comprises: a semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged along a longitudinal direction of a front surface; and upper and lower submount bases having the semiconductor laser array interposed therebetween. And a condensing lens arranged to face the front surface of the semiconductor laser array and extending along the longitudinal direction of the semiconductor laser array; and a condensing lens provided on the condensing lens. And a spacer portion protruding toward the front surface, wherein the free end of the spacer portion is in contact with one of the front surfaces of the upper and lower submount bases.

【0012】この半導体レーザ装置に適用される集光レ
ンズには、半導体レーザアレイの前面に向けて所定量だ
け突出させるスペーサ部が設けられており、このスペー
サ部の遊端を、上側及び下側のサブマウントベースのい
ずれか一方の前面に当接させることで、サブマウントベ
ースの前面に対する集光レンズの距離を、スペーサ部の
突出量に応じて常に一定に保つことができる。これは、
半導体レーザアレイの前面がサブマウントベースの前面
に対して後退している場合に特に有効であり、サブマウ
ントベースの前面を位置決め基準とした集光レンズの高
精度な位置合せが可能となる。更に、半導体レーザ装置
を組立てる際、サブマウントベースの前面に集光レンズ
のスペーサ部の遊端を突き当てるだけで、集光レンズの
高精度な位置決めが達成されるので、集光レンズの位置
合せ作業が極めて容易に実現され、このことは、半導体
レーザ装置の生産性を向上させ、大量生産の一助をなす
ものである。
The condensing lens applied to this semiconductor laser device is provided with a spacer portion projecting by a predetermined amount toward the front surface of the semiconductor laser array. By contacting any one of the front surfaces of the submount bases, the distance of the condenser lens to the front surface of the submount base can always be kept constant according to the amount of protrusion of the spacer portion. this is,
This is particularly effective when the front surface of the semiconductor laser array is receded from the front surface of the submount base, and highly accurate alignment of the condenser lens using the front surface of the submount base as a positioning reference becomes possible. Furthermore, when assembling the semiconductor laser device, high-precision positioning of the condenser lens can be achieved only by abutting the free end of the spacer portion of the condenser lens against the front surface of the submount base. The work is realized very easily, which improves the productivity of the semiconductor laser device and helps mass production.

【0013】また、集光レンズ及び下側のサブマウント
ベースを配置させるヒートシンクを更に有し、ヒートシ
ンクには、集光レンズの底面に向けて貫通する接着剤充
填孔が設けられていると好適である。このような構成
は、ヒートシンクの裏面側から接着剤充填孔内に接着剤
を充填させるだけで、ヒートシンクに対する集光レンズ
の接着固定が容易に達成されることになる。しかも、接
着剤に、紫外線硬化樹脂などの硬化収縮性をもったもの
を利用する場合でも、接着剤の収縮にあたって、集光レ
ンズがヒートシンク側に引き寄せられるように作用する
のみであるから、半導体レーザアレイと集光レンズとの
間隔の変化に与える影響が極めて少なくなり、半導体レ
ーザアレイに対する集光レンズの位置決めが常に高精度
で維持されることになる。
It is preferable that a heat sink for disposing the condenser lens and the lower submount base is further provided, and the heat sink is provided with an adhesive filling hole penetrating toward the bottom surface of the condenser lens. is there. With such a configuration, the adhesive fixation of the condenser lens to the heat sink can be easily achieved only by filling the adhesive into the adhesive filling hole from the back side of the heat sink. In addition, even when an adhesive having a curing shrinkage property such as an ultraviolet curable resin is used, the contraction of the adhesive only acts to draw the condenser lens toward the heat sink. The influence on the change in the distance between the array and the condenser lens is extremely reduced, and the positioning of the condenser lens with respect to the semiconductor laser array is always maintained with high accuracy.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明に
係る半導体レーザ装置の好適な実施形態について詳細に
説明する。なお、同一又は同等の構成部分には同一の符
合を付す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a semiconductor laser device according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. The same or equivalent components are denoted by the same reference numerals.

【0015】図1に示すように、半導体レーザ装置1
は、平板状の半導体レーザアレイ3を有し、この半導体
レーザアレイ3の前面4上には、長手方向に沿って多数
のレーザ出射点3aを一直線上に配列させている。各半
導体レーザアレイ3は、GaAs等からなる化合物半導
体から構成されており、発光領域の大きさが100μm
×2μm程度のレーザ出射点3aを有している。
As shown in FIG. 1, a semiconductor laser device 1
Has a semiconductor laser array 3 in the form of a flat plate. On the front surface 4 of the semiconductor laser array 3, a large number of laser emission points 3a are arranged in a straight line along the longitudinal direction. Each semiconductor laser array 3 is made of a compound semiconductor such as GaAs and has a light emitting region of 100 μm.
It has a laser emission point 3a of about × 2 μm.

【0016】また、1個の半導体レーザアレイ3の上面
及び下面には、上側のサブマウントベース(別名「カバ
ープレート」)6及び下側のサブマウントベース7がハ
ンダ付けによって上下から挟み込むようにそれぞれ接合
され、この状態で半導体レーザアレイ3をヒートシンク
8上に搭載させる。この上側及び下側のサブマウントベ
ース6,7は、銅、銅タングステン、モリブデンなどの
導電性及び熱伝導性に優れた材質で形成され、ヒートシ
ンク8の内部には水路(図示せず)が形成され、この水
路内で冷却水を循環させることによって、半導体レーザ
アレイ3の冷却効率を高めている。更に、このようなサ
ンドイッチ構造の半導体レーザアレイ3を一ユニットと
して、これをハウジング(図示せず)内で縦方向に積層
させることで、多段の半導体レーザ装置1を構成させて
いる。
On the upper and lower surfaces of one semiconductor laser array 3, an upper sub-mount base (also called "cover plate") 6 and a lower sub-mount base 7 are sandwiched from above and below by soldering, respectively. The semiconductor laser array 3 is mounted on the heat sink 8 in this state. The upper and lower submount bases 6 and 7 are formed of a material having excellent conductivity and heat conductivity such as copper, copper tungsten, and molybdenum, and a water path (not shown) is formed inside the heat sink 8. The cooling efficiency of the semiconductor laser array 3 is increased by circulating the cooling water in the channel. Further, the semiconductor laser array 3 having such a sandwich structure is formed as one unit, and the units are stacked vertically in a housing (not shown), whereby the multi-stage semiconductor laser device 1 is configured.

【0017】図1及び図2に示すように、半導体レーザ
アレイ3の出射点3aからの光は拡散光であるから、こ
のレーザ光を集光させる目的で、集光レンズの一例であ
るガラス製のロッドレンズ9を半導体レーザアレイ3の
前面4に対峙して配置させる。このロッドレンズ9は、
半導体レーザアレイ3の長手方向に沿って延在すると共
に、ヒートシンク8の表面上に接着剤を介して固定され
る。
As shown in FIGS. 1 and 2, the light from the emission point 3a of the semiconductor laser array 3 is a diffused light. Is disposed so as to face the front surface 4 of the semiconductor laser array 3. This rod lens 9
It extends along the longitudinal direction of the semiconductor laser array 3 and is fixed on the surface of the heat sink 8 via an adhesive.

【0018】ここで、ロッドレンズ9の両端には、半導
体レーザアレイ3の前面4に向けて突出する左右一対の
略平行なスペーサ部10が一体に形成されている。図2
及び図3に示すように、スペーサ部10の遊端は、半導
体レーザアレイ3の前面4に当接させている。このよう
な突き当てによって、半導体レーザアレイ3の前面4と
ロッドレンズ9との距離を、スペーサ部10の突出量に
応じて常に一定に保つことができる。
Here, at both ends of the rod lens 9, a pair of left and right substantially parallel spacer portions 10 projecting toward the front surface 4 of the semiconductor laser array 3 are integrally formed. FIG.
As shown in FIG. 3 and FIG. 3, the free end of the spacer portion 10 is in contact with the front surface 4 of the semiconductor laser array 3. By such abutting, the distance between the front surface 4 of the semiconductor laser array 3 and the rod lens 9 can be always kept constant according to the amount of protrusion of the spacer portion 10.

【0019】このスペーサ部10の遊端は、半導体レー
ザアレイ3の前面4に当接させるが、このとき、スペー
サ部10の遊端は、半導体レーザアレイ3において、上
側及び下側のサブマウントベース6,7の両端からはみ
出した部分3bの前面4に当接させる。これによって、
スペーサ部10の遊端を、上側及び下側のサブマウント
ベース6,7のいずれにも当てることなく、確実に半導
体レーザアレイ3の前面4のみに当接させることができ
る。このようなはみ出し部分3bは、従来においては、
サブマウントベース6,7の端部と半導体レーザアレイ
3の端部とを揃えるように切除されていた部分である。
従って、スペーサ部10の遊端をはみ出し部分3bに当
接させることは、はみ出し部分3bの有効活用を図り、
半導体レーザ装置1の組立て作業の効率化を図る上でも
効果的である。
The free end of the spacer portion 10 is brought into contact with the front surface 4 of the semiconductor laser array 3. At this time, the free end of the spacer portion 10 is connected to the upper and lower submount bases in the semiconductor laser array 3. 6 and 7 are brought into contact with the front surface 4 of the portion 3b protruding from both ends. by this,
The free end of the spacer section 10 can reliably contact only the front surface 4 of the semiconductor laser array 3 without touching any of the upper and lower submount bases 6 and 7. Such a protruding portion 3b is conventionally
This is a portion that has been cut away so that the ends of the submount bases 6 and 7 and the end of the semiconductor laser array 3 are aligned.
Therefore, contacting the free end of the spacer portion 10 with the protruding portion 3b aims at effectively utilizing the protruding portion 3b,
This is also effective in increasing the efficiency of the assembling work of the semiconductor laser device 1.

【0020】このように、レーザ出射点3aを配列させ
た半導体レーザアレイ3の前面4を位置決めの基準とし
て、ロッドレンズ9の位置合せが行われているので、そ
の結果として、レーザ出射点3aを基準としたロッドレ
ンズ9の高精度な位置決めが可能となる。更に、半導体
レーザ装置1を組立てる際、半導体レーザアレイ3の前
面4にロッドレンズ9のスペーサ部10の遊端を突き当
てるだけで、ロッドレンズ9の高精度な位置決めが達成
されるので、ロッドレンズ9の位置合せ作業が極めて容
易に実現され、このことは、半導体レーザ装置の生産性
を向上させ、大量生産を可能にするものである。
As described above, the positioning of the rod lens 9 is performed using the front surface 4 of the semiconductor laser array 3 in which the laser emission points 3a are arranged as a reference for positioning. The rod lens 9 used as a reference can be positioned with high accuracy. Furthermore, when assembling the semiconductor laser device 1, the rod lens 9 can be positioned with high accuracy only by abutting the free end of the spacer portion 10 of the rod lens 9 against the front surface 4 of the semiconductor laser array 3. 9 can be realized extremely easily, which improves the productivity of the semiconductor laser device and enables mass production.

【0021】図1及び図4に示すように、ヒートシンク
8には、ロッドレンズ9の底面9aに向けて貫通する接
着剤充填孔11が形成されている。各接着剤充填孔11
は、ロッドレンズ9の長手方向に沿ってヒートシンク8
に複数個(この場合3個)並設させている。この場合、
ロッドレンズ9の底面9aをヒートシンク8の表面に当
接させた状態で、ヒートシンク8の裏面側から接着剤充
填孔11内に、注射針等を利用して接着剤Rを充填させ
る。
As shown in FIGS. 1 and 4, the heat sink 8 is provided with an adhesive filling hole 11 penetrating toward the bottom surface 9 a of the rod lens 9. Each adhesive filling hole 11
The heat sink 8 extends along the longitudinal direction of the rod lens 9.
(In this case, three). in this case,
With the bottom surface 9a of the rod lens 9 in contact with the surface of the heat sink 8, the adhesive R is filled into the adhesive filling hole 11 from the back side of the heat sink 8 using a syringe needle or the like.

【0022】これによって、ヒートシンク8に対するロ
ッドレンズ9の接着固定が容易に達成される。しかも、
接着剤Rに、紫外線硬化樹脂などの収縮硬化性をもった
ものを利用する場合でも、接着剤Rの収縮時に、ロッド
レンズ9がヒートシンク8側に引き寄せられるように作
用するのみであるから、半導体レーザアレイ3とロッド
レンズ9との間隔の変化に与える影響を極めて少なく
し、半導体レーザアレイ3に対するロッドレンズ9の位
置決めが常に高精度に維持されることになる。
As a result, the adhesive fixing of the rod lens 9 to the heat sink 8 is easily achieved. Moreover,
Even when a material having shrinkage-hardening property such as an ultraviolet curable resin is used as the adhesive R, only the rod lens 9 acts so as to be drawn toward the heat sink 8 when the adhesive R contracts. The influence on the change in the distance between the laser array 3 and the rod lens 9 is extremely reduced, and the positioning of the rod lens 9 with respect to the semiconductor laser array 3 is always maintained with high accuracy.

【0023】次に、図5及び図6に示すように、ロッド
レンズ9におけるスペーサ部10の遊端に、半導体レー
ザアレイ3の前面に向けて突出させる突起部12を一体
的に形成させてもよい。この突起部12の採用は、半導
体レーザアレイ3の前面4がサブマウントベース6,7
の前面6a,7aに対して所定量だけ後退している場合
に、スペーサ部10の遊端を半導体レーザアレイ3の前
面4に適切に当接させるときに有効である。特に、半導
体レーザアレイ3の前面4とサブマウントベース6の前
面6aとの間隔と、半導体レーザアレイ3の前面4とサ
ブマウントベース7の前面7aとの間隔とが異なる場合
に有効である。よって、図7に示すように、突起部12
の遊端を半導体レーザアレイ3の前面4に突き当てるこ
とで、半導体レーザアレイ3の前面4を位置決めの基準
としたロッドレンズ9の確実な位置決めが達成されるこ
とになる。
Next, as shown in FIGS. 5 and 6, a projecting portion 12 projecting toward the front surface of the semiconductor laser array 3 may be integrally formed at the free end of the spacer portion 10 of the rod lens 9. Good. The use of the projections 12 is such that the front surface 4 of the semiconductor laser array 3 is
This is effective when the free end of the spacer portion 10 is appropriately brought into contact with the front surface 4 of the semiconductor laser array 3 when the front ends 6a and 7a are retracted by a predetermined amount. This is particularly effective when the distance between the front surface 4 of the semiconductor laser array 3 and the front surface 6a of the submount base 6 is different from the distance between the front surface 4 of the semiconductor laser array 3 and the front surface 7a of the submount base 7. Therefore, as shown in FIG.
By contacting the free end of the rod lens 9 with the front surface 4 of the semiconductor laser array 3, reliable positioning of the rod lens 9 using the front surface 4 of the semiconductor laser array 3 as a reference for positioning is achieved.

【0024】また、図8に示すように、スペーサ部10
の遊端を、下側のサブマウントベース7の前面7aに当
接させてもよい。この場合、スペーサ部10の遊端は、
下側のサブマウントベース7において、上側のサブマウ
ントベース6及び半導体レーザアレイ3の両端からはみ
出した部分7bの前面7aに当接させる。これによっ
て、スペーサ部10の遊端を、上側のサブマウントベー
ス6及び半導体レーザアレイ3のいずれにも当てること
なく、確実に下側のサブマウントベース7の前面7aの
みに当接させることができる。よって、サブマウントベ
ース7の前面7aを基準としたロッドレンズ9の位置決
めが可能となる。なお、スペーサ部10の遊端を上側の
サブマウントベース6のはみ出し部分(図示せず)の前
面6aに当接させるようにしても同様である。
Further, as shown in FIG.
May be brought into contact with the front surface 7a of the lower submount base 7. In this case, the free end of the spacer 10 is
The lower submount base 7 is brought into contact with the upper submount base 6 and the front surface 7a of the portion 7b protruding from both ends of the semiconductor laser array 3. Thus, the free end of the spacer portion 10 can be reliably brought into contact with only the front surface 7a of the lower submount base 7 without touching either the upper submount base 6 or the semiconductor laser array 3. . Therefore, the rod lens 9 can be positioned with reference to the front surface 7a of the submount base 7. The same applies to the case where the free end of the spacer portion 10 is brought into contact with the front surface 6a of the protruding portion (not shown) of the upper submount base 6.

【0025】本発明に係る半導体レーザ装置は、前述し
た実施形態に限定されるものではない。例えば、接着剤
充填孔11を採用せずに、スペーサ部10の底面に塗布
された接着剤を介して、ヒートシンク8の表面にロッド
レンズ(集光レンズ)9を固定させてもよい。
The semiconductor laser device according to the present invention is not limited to the embodiment described above. For example, the rod lens (condensing lens) 9 may be fixed to the surface of the heat sink 8 via an adhesive applied to the bottom surface of the spacer portion 10 without using the adhesive filling hole 11.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明による半導体レーザ装置は、以上
のように構成されているため、次のような効果を得る。
すなわち、前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点
を配列させた半導体レーザアレイと、半導体レーザアレ
イの前面に対峙して配置させると共に、半導体レーザア
レイの長手方向に沿って延在する集光レンズと、集光レ
ンズに設けられると共に、集光レンズの両端から半導体
レーザアレイの前面に向けて突出するスペーサ部とを備
え、スペーサ部の遊端を、半導体レーザアレイの前面に
当接させたことにより、半導体レーザアレイに対する集
光レンズの位置合せ作業を容易にする。
Since the semiconductor laser device according to the present invention is configured as described above, the following effects can be obtained.
That is, a semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged along the longitudinal direction of the front surface, and a condensing light which is arranged facing the front surface of the semiconductor laser array and extends along the longitudinal direction of the semiconductor laser array. A lens and a spacer provided on the condenser lens and protruding from both ends of the condenser lens toward the front surface of the semiconductor laser array, and the free end of the spacer portion is brought into contact with the front surface of the semiconductor laser array. This facilitates the work of aligning the condenser lens with respect to the semiconductor laser array.

【0027】また、本発明による半導体レーザ装置は、
前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させ
た半導体レーザアレイと、半導体レーザアレイを挟み込
んで配置させた上側及び下側のサブマウントベースと、
半導体レーザアレイの前面に対峙して配置させると共
に、半導体レーザアレイの長手方向に沿って延在する集
光レンズと、集光レンズに設けられると共に、集光レン
ズの両端から半導体レーザアレイの前面に向けて突出す
るスペーサ部とを備え、スペーサ部の遊端を、上側及び
下側のサブマウントベースの両端からはみ出した半導体
レーザアレイの両端部分における前面に当接させたこと
により、半導体レーザアレイに対する集光レンズの位置
合せ作業を容易にする。
Further, the semiconductor laser device according to the present invention
A semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged along the longitudinal direction of the front surface, and upper and lower sub-mount bases arranged to sandwich the semiconductor laser array,
A condensing lens that is arranged to face the front surface of the semiconductor laser array and extends along the longitudinal direction of the semiconductor laser array. A spacer portion protruding toward the semiconductor laser array by contacting the free ends of the spacer portion with the front surfaces at both end portions of the semiconductor laser array protruding from both ends of the upper and lower submount bases. It facilitates the work of positioning the condenser lens.

【0028】また、本発明による半導体レーザ装置は、
前面の長手方向に沿って複数のレーザ出射点を配列させ
た半導体レーザアレイと、半導体レーザアレイを挟み込
んで配置させた上側及び下側のサブマウントベースと、
半導体レーザアレイの前面に対峙して配置させると共
に、半導体レーザアレイの長手方向に沿って延在する集
光レンズと、集光レンズに設けられると共に、集光レン
ズの両端から半導体レーザアレイの前面に向けて突出す
るスペーサ部とを備え、スペーサ部の遊端を、上側及び
下側のサブマウントベースのいずれか一方の前面に当接
させたことにより、半導体レーザアレイに対する集光レ
ンズの位置合せ作業を容易にする。
Also, the semiconductor laser device according to the present invention
A semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged along the longitudinal direction of the front surface, and upper and lower sub-mount bases arranged to sandwich the semiconductor laser array,
A condensing lens that is arranged to face the front surface of the semiconductor laser array and extends along the longitudinal direction of the semiconductor laser array. A spacer part protruding toward the semiconductor laser array, the free end of the spacer part being brought into contact with the front surface of one of the upper and lower sub-mount bases, thereby aligning the condenser lens with respect to the semiconductor laser array. To facilitate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る半導体レーザ装置の第1の実施形
態を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a first embodiment of a semiconductor laser device according to the present invention.

【図2】図1に示した半導体レーザ装置の組立て完了後
の状態を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a state after assembly of the semiconductor laser device shown in FIG. 1 is completed.

【図3】図2に示した半導体レーザ装置の平面図であ
る。
FIG. 3 is a plan view of the semiconductor laser device shown in FIG. 2;

【図4】ヒートシンクに設けられた接着剤充填孔を示す
断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing an adhesive filling hole provided in a heat sink.

【図5】本発明に係る半導体レーザ装置の第2の実施形
態を示す要部拡大斜視図である。
FIG. 5 is an enlarged perspective view of a main part showing a second embodiment of the semiconductor laser device according to the present invention.

【図6】図5に示した集光レンズの組付け前の状態を示
す側面図である。
FIG. 6 is a side view showing a state before assembling the condenser lens shown in FIG. 5;

【図7】図5に示した集光レンズの組付け後の状態を示
す側面図である。
FIG. 7 is a side view showing a state after the condenser lens shown in FIG. 5 is assembled.

【図8】本発明に係る半導体レーザ装置の第3の実施形
態を示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view showing a third embodiment of the semiconductor laser device according to the present invention.

【図9】従来の半導体レーザ装置を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing a conventional semiconductor laser device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体レーザ装置、3…半導体レーザアレイ、3a
…レーザ出射点、3b…はみ出し部分、4…半導体レー
ザアレイの前面、6…上側のサブマウントベース、6a
…上側のサブマウントベースの前面、7…下側のサブマ
ウントベース、7a…下側のサブマウントベースの前
面、8…ヒートシンク、9…ロッドレンズ(集光レン
ズ)、9a…集光レンズの底面、10…スペーサ部、1
1…接着剤充填孔、12…突起部、R…接着剤。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor laser device, 3 ... Semiconductor laser array, 3a
... Laser emission point, 3b ... protruding part, 4 ... front surface of semiconductor laser array, 6 ... upper submount base, 6a
... Front of upper sub-mount base, 7 ... Lower sub-mount base, 7a ... Front of lower sub-mount base, 8 ... Heat sink, 9 ... Rod lens (condensing lens), 9a ... Bottom of condensing lens , 10 spacer part, 1
1 ... adhesive filling hole, 12 ... protrusion, R ... adhesive.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮島 博文 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 黒柳 和典 静岡県浜松市市野町1126番地の1 浜松ホ トニクス株式会社内 Fターム(参考) 5F073 AB27 BA09 FA08 FA14 FA15 FA16 FA23 FA26  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hirofumi Miyajima 1126, Nomachi, Ichinomachi, Hamamatsu City, Shizuoka Prefecture Inside (72) Inventor Kazunori Kuroyanagi 1, 1126, Nomachi, Ichinomachi, Hamamatsu City, Shizuoka Prefecture F term in reference (reference) 5F073 AB27 BA09 FA08 FA14 FA15 FA16 FA23 FA26

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 前面の長手方向に沿って複数のレーザ出
射点を配列させた半導体レーザアレイと、 前記半導体レーザアレイの前記前面に対峙して配置させ
ると共に、前記半導体レーザアレイの長手方向に沿って
延在する集光レンズと、 前記集光レンズに設けられると共に、前記集光レンズの
両端から前記半導体レーザアレイの前記前面に向けて突
出するスペーサ部とを備え、 前記スペーサ部の遊端を、前記半導体レーザアレイの前
記前面に当接させたことを特徴とする半導体レーザ装
置。
A semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged along a longitudinal direction of a front surface; and a semiconductor laser array arranged to face the front surface of the semiconductor laser array and along a longitudinal direction of the semiconductor laser array. A condenser lens provided on the condenser lens and extending from both ends of the condenser lens toward the front surface of the semiconductor laser array. A semiconductor laser device contacting the front surface of the semiconductor laser array.
【請求項2】 前記スペーサ部の遊端に、前記半導体レ
ーザアレイの前記前面に向けて突出する突起部を更に設
けたことを特徴とする請求項1記載の半導体レーザ装
置。
2. The semiconductor laser device according to claim 1, further comprising a projection protruding toward said front surface of said semiconductor laser array at a free end of said spacer portion.
【請求項3】 前記集光レンズ及び前記半導体レーザア
レイを配置させるヒートシンクを更に有し、前記ヒート
シンクには、前記集光レンズの底面に向けて貫通する接
着剤充填孔が設けられていることを特徴とする請求項1
又は2記載の半導体レーザ装置。
3. A heat sink for disposing the condenser lens and the semiconductor laser array, wherein the heat sink is provided with an adhesive filling hole penetrating toward a bottom surface of the condenser lens. Claim 1.
Or the semiconductor laser device according to 2.
【請求項4】 前面の長手方向に沿って複数のレーザ出
射点を配列させた半導体レーザアレイと、 前記半導体レーザアレイを挟み込んで配置させた上側及
び下側のサブマウントベースと、 前記半導体レーザアレイの前記前面に対峙して配置させ
ると共に、前記半導体レーザアレイの長手方向に沿って
延在する集光レンズと、 前記集光レンズに設けられると共に、前記集光レンズの
両端から前記半導体レーザアレイの前記前面に向けて突
出するスペーサ部とを備え、 前記スペーサ部の遊端を、前記上側及び下側のサブマウ
ントベースの両端からはみ出した前記半導体レーザアレ
イの両端部分における前記前面に当接させたことを特徴
とする半導体レーザ装置。
4. A semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged along a longitudinal direction of a front surface, upper and lower sub-mount bases arranged so as to sandwich the semiconductor laser array, and the semiconductor laser array A converging lens disposed opposite to the front surface and extending along the longitudinal direction of the semiconductor laser array; and A spacer portion protruding toward the front surface, and a free end of the spacer portion is brought into contact with the front surface at both end portions of the semiconductor laser array protruding from both ends of the upper and lower submount bases. A semiconductor laser device characterized by the above-mentioned.
【請求項5】 前面の長手方向に沿って複数のレーザ出
射点を配列させた半導体レーザアレイと、 前記半導体レーザアレイを挟み込んで配置させた上側及
び下側のサブマウントベースと、 前記半導体レーザアレイの前記前面に対峙して配置させ
ると共に、前記半導体レーザアレイの長手方向に沿って
延在する集光レンズと、 前記集光レンズに設けられると共に、前記集光レンズの
両端から前記半導体レーザアレイの前記前面に向けて突
出するスペーサ部とを備え、 前記スペーサ部の遊端を、前記上側及び下側のサブマウ
ントベースのいずれか一方の前面に当接させたことを特
徴とする半導体レーザ装置。
5. A semiconductor laser array in which a plurality of laser emission points are arranged along a longitudinal direction of a front surface, upper and lower sub-mount bases arranged so as to sandwich the semiconductor laser array, and the semiconductor laser array. A converging lens disposed opposite to the front surface and extending along the longitudinal direction of the semiconductor laser array; and And a spacer portion protruding toward the front surface, wherein a free end of the spacer portion is in contact with one of the front surfaces of the upper and lower submount bases.
【請求項6】 前記集光レンズ及び前記下側のサブマウ
ントベースを配置させるヒートシンクを更に有し、前記
ヒートシンクには、前記集光レンズの底面に向けて貫通
する接着剤充填孔が設けられていることを特徴とする請
求項4又は5記載の半導体レーザ装置。
6. A heat sink for disposing the condenser lens and the lower submount base, wherein the heat sink is provided with an adhesive filling hole penetrating toward a bottom surface of the condenser lens. The semiconductor laser device according to claim 4, wherein:
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