JP2002311959A - バルク音響共振器およびフィルタのウェハレベル同調のための方法およびシステム - Google Patents
バルク音響共振器およびフィルタのウェハレベル同調のための方法およびシステムInfo
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Length Measuring Devices Characterised By Use Of Acoustic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 特定の許容差内でバルク音響波デバイスの所
望の共振周波数を達成するための方法およびシステムを
提供する。 【解決手段】 基板上に形成された複数の音響波発生お
よび制御層から作製されたバルク音響波デバイスを同調
させる方法であって、アパーチャを有するマスクを前記
デバイスの表面に近接して設ける工程と、マスク上に粒
子のビームを提供して、前記粒子ビームの少なくとも一
部分をアパーチャに通過させて、前記デバイス表面の実
質的に前記アパーチャによって画定される接触エリアに
接触させて、前記デバイスの厚さを変化させる工程と、
前記マスクのアパーチャを前記デバイス表面に対して実
質的に横方向に再配置して前記接触エリアを変化させる
工程とを含む方法。
望の共振周波数を達成するための方法およびシステムを
提供する。 【解決手段】 基板上に形成された複数の音響波発生お
よび制御層から作製されたバルク音響波デバイスを同調
させる方法であって、アパーチャを有するマスクを前記
デバイスの表面に近接して設ける工程と、マスク上に粒
子のビームを提供して、前記粒子ビームの少なくとも一
部分をアパーチャに通過させて、前記デバイス表面の実
質的に前記アパーチャによって画定される接触エリアに
接触させて、前記デバイスの厚さを変化させる工程と、
前記マスクのアパーチャを前記デバイス表面に対して実
質的に横方向に再配置して前記接触エリアを変化させる
工程とを含む方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的にバルク音
響共振器およびフィルタに関し、さらに詳しくはそのよ
うな共振器およびフィルタの同調に関する。
響共振器およびフィルタに関し、さらに詳しくはそのよ
うな共振器およびフィルタの同調に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】バル
ク音響波（ＢＡＷ）デバイスは、一般的に電極として作
用する２つの導電層のあいだに挟まれた圧電体層からな
る。無線周波数（ＲＦ）信号がデバイスに印加される
と、圧電体層内に機械波が発生する。ＲＦ信号の波長が
圧電体層の厚さの約２倍のときに、基本共振が発生す
る。ＢＡＷデバイスの共振周波数はほかの要素にも依存
するが、圧電体層の厚さは、共振周波数を決定する上で
支配的な要素である。圧電体層の厚さが減少すると、共
振周波数は増加する。ＢＡＷデバイスは伝統的に、水晶
結晶板上に製造されてきた。一般的に、この製法を用い
て、高い共振周波数のデバイスを達成することは困難で
ある。受動的な基板材料上に薄膜層を堆積することによ
ってＢＡＷデバイスを製造すると、共振周波数を０．５
〜１０ＧＨｚの範囲に拡張することができる。これらの
型のＢＡＷデバイスは一般的に薄膜バルク音響共振器ま
たはＦＢＡＲと呼ばれる。主に２種類のＦＢＡＲ、すな
わちＢＡＷ共振器および積層型結晶フィルタ（ＳＣＦ）
がある。これらの２種類のデバイス間の相違は主に、そ
れらの構造にある。ＳＣＦは通常、２つまたはそれ以上
の圧電体層、および３つまたはそれ以上の電極をもち、
幾つかの電極は接地される。ＦＢＡＲは通常、帯域通過
フィルタまたは帯域阻止フィルタを生成するために組み
合わせて使用される。１つの直列ＦＢＡＲおよび１つの
並列ＦＢＡＲの組合せで、いわゆるはしご形フィルタの
１セクションが作られる。はしご形フィルタの記載は、
たとえばＥｌｌａ（米国特許第６，０８１，１７１号明
細書）に見ることができる。Ｅｌｌａに記載されている
ように、ＦＢＡＲをベースにするデバイスは１つまたは
それ以上の、一般的にパッシベーション層と呼ばれる保
護層をもつことがある。典型的なＦＢＡＲをベースとす
るデバイスを図１に示す。図１に示すとおり、ＦＢＡＲ
デバイス１は、基板２と、下部電極４と、圧電体層６
と、上部電極８と、パッシベーション層１０とを含む。
ＦＢＡＲデバイス１は追加的に、低音響インピーダンス
の２つの層１４および１８に挟まれた高音響インピーダ
ンスの１つの層１６からなる、音響ミラー層１２を含む
ことがある。該ミラーは、常にではないが、通常は、高
インピーダンス層と低インピーダンス層の対（偶数の
層）からなる。あるミラーは、ＳｉＯ2、Ｗ、ＳｉＯ2、
Ｗのように順番に配列された２対のそのような層からな
る。該ミラーの代わりに、ＦＢＡＲデバイスは追加的
に、ＳｉＯ2の１つまたはそれ以上の膜層および犠牲層
を含むことがある。基板２はシリコン（Ｓｉ）、二酸化
シリコン（ＳｉＯ2）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ガ
ラス、またはセラミック材から作製することができる。
下部電極４および上部電極８は金（Ａｕ）、モリブデン
（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ま
たはそのほかの導電性材料から作製することができる。
圧電体層６は酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、タンタル酸リチウ
ム（ＬｉＴａＯ3）、またはいわゆるランタン添加ジル
コン酸チタン酸鉛などの構成要素から作製することがで
きる。パッシベーション層はＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、また
はポリイミドから作製することができる。低音響インピ
ーダンス層１４および１８はＳｉ、ＳｉＯ2、ポリシリ
コン、Ａｌ、またはポリマーから作製することができ
る。高音響インピーダンス層１６はＡｕ、Ｍｏ、または
タングステン（Ｗ）から作製することができ、場合によ
っては、多数の対を作製するためにＡｌＮなどの誘電体
から作製することができる。ＦＢＡＲはしご形フィルタ
は一般的に、直列共振器がそれぞれのフィルタの所望
の、または設計された中心周波数にほぼ等しいかまたは
それに近い周波数の直列共振を生じるように設計され
る。同様に、分路または並列共振器は、直列ＦＢＡＲ共
振から少しずれた周波数の並列共振を生じる。直列共振
器は通常、中心周波数の伝達の最大ピークが得られるよ
うに設計されるので、信号は直列共振器内を伝達され
る。対照的に、並列共振器は大地に短絡される信号が最
小になるように設計される。ＦＢＡＲは、層の種類およ
びデバイス内で使用されるほかの材料など、ほかの要素
に加えて、デバイスを製造するために使用する圧電材料
の圧電係数の関数である量だけ異なる周波数での並列共
振および直列共振を生じる。とくに、ＦＢＡＲはしご形
フィルタは、共振器のたとえば圧電体層を形成するため
に使用される材料の種類、およびデバイス内のさまざま
な層の厚さの関数である帯域幅を有する通過帯域を生じ
る。
ク音響波（ＢＡＷ）デバイスは、一般的に電極として作
用する２つの導電層のあいだに挟まれた圧電体層からな
る。無線周波数（ＲＦ）信号がデバイスに印加される
と、圧電体層内に機械波が発生する。ＲＦ信号の波長が
圧電体層の厚さの約２倍のときに、基本共振が発生す
る。ＢＡＷデバイスの共振周波数はほかの要素にも依存
するが、圧電体層の厚さは、共振周波数を決定する上で
支配的な要素である。圧電体層の厚さが減少すると、共
振周波数は増加する。ＢＡＷデバイスは伝統的に、水晶
結晶板上に製造されてきた。一般的に、この製法を用い
て、高い共振周波数のデバイスを達成することは困難で
ある。受動的な基板材料上に薄膜層を堆積することによ
ってＢＡＷデバイスを製造すると、共振周波数を０．５
〜１０ＧＨｚの範囲に拡張することができる。これらの
型のＢＡＷデバイスは一般的に薄膜バルク音響共振器ま
たはＦＢＡＲと呼ばれる。主に２種類のＦＢＡＲ、すな
わちＢＡＷ共振器および積層型結晶フィルタ（ＳＣＦ）
がある。これらの２種類のデバイス間の相違は主に、そ
れらの構造にある。ＳＣＦは通常、２つまたはそれ以上
の圧電体層、および３つまたはそれ以上の電極をもち、
幾つかの電極は接地される。ＦＢＡＲは通常、帯域通過
フィルタまたは帯域阻止フィルタを生成するために組み
合わせて使用される。１つの直列ＦＢＡＲおよび１つの
並列ＦＢＡＲの組合せで、いわゆるはしご形フィルタの
１セクションが作られる。はしご形フィルタの記載は、
たとえばＥｌｌａ（米国特許第６，０８１，１７１号明
細書）に見ることができる。Ｅｌｌａに記載されている
ように、ＦＢＡＲをベースにするデバイスは１つまたは
それ以上の、一般的にパッシベーション層と呼ばれる保
護層をもつことがある。典型的なＦＢＡＲをベースとす
るデバイスを図１に示す。図１に示すとおり、ＦＢＡＲ
デバイス１は、基板２と、下部電極４と、圧電体層６
と、上部電極８と、パッシベーション層１０とを含む。
ＦＢＡＲデバイス１は追加的に、低音響インピーダンス
の２つの層１４および１８に挟まれた高音響インピーダ
ンスの１つの層１６からなる、音響ミラー層１２を含む
ことがある。該ミラーは、常にではないが、通常は、高
インピーダンス層と低インピーダンス層の対（偶数の
層）からなる。あるミラーは、ＳｉＯ2、Ｗ、ＳｉＯ2、
Ｗのように順番に配列された２対のそのような層からな
る。該ミラーの代わりに、ＦＢＡＲデバイスは追加的
に、ＳｉＯ2の１つまたはそれ以上の膜層および犠牲層
を含むことがある。基板２はシリコン（Ｓｉ）、二酸化
シリコン（ＳｉＯ2）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ガ
ラス、またはセラミック材から作製することができる。
下部電極４および上部電極８は金（Ａｕ）、モリブデン
（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ま
たはそのほかの導電性材料から作製することができる。
圧電体層６は酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、タンタル酸リチウ
ム（ＬｉＴａＯ3）、またはいわゆるランタン添加ジル
コン酸チタン酸鉛などの構成要素から作製することがで
きる。パッシベーション層はＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、また
はポリイミドから作製することができる。低音響インピ
ーダンス層１４および１８はＳｉ、ＳｉＯ2、ポリシリ
コン、Ａｌ、またはポリマーから作製することができ
る。高音響インピーダンス層１６はＡｕ、Ｍｏ、または
タングステン（Ｗ）から作製することができ、場合によ
っては、多数の対を作製するためにＡｌＮなどの誘電体
から作製することができる。ＦＢＡＲはしご形フィルタ
は一般的に、直列共振器がそれぞれのフィルタの所望
の、または設計された中心周波数にほぼ等しいかまたは
それに近い周波数の直列共振を生じるように設計され
る。同様に、分路または並列共振器は、直列ＦＢＡＲ共
振から少しずれた周波数の並列共振を生じる。直列共振
器は通常、中心周波数の伝達の最大ピークが得られるよ
うに設計されるので、信号は直列共振器内を伝達され
る。対照的に、並列共振器は大地に短絡される信号が最
小になるように設計される。ＦＢＡＲは、層の種類およ
びデバイス内で使用されるほかの材料など、ほかの要素
に加えて、デバイスを製造するために使用する圧電材料
の圧電係数の関数である量だけ異なる周波数での並列共
振および直列共振を生じる。とくに、ＦＢＡＲはしご形
フィルタは、共振器のたとえば圧電体層を形成するため
に使用される材料の種類、およびデバイス内のさまざま
な層の厚さの関数である帯域幅を有する通過帯域を生じ
る。
【０００３】デバイス内のさまざまな層の厚さの相違
は、デバイスの製造中に達成することができる。現在、
ＦＢＡＲはガラス基板またはシリコンウェハ上に製造さ
れる。ＦＢＡＲをベース（構成要素）とするデバイス内
のさまざまな層は、薄膜堆積によって順次形成される。
ＦＢＡＲをベースとするデバイスでは、デバイスの共振
周波数は、０．２〜０．５％の許容差内に制御しなけれ
ばならない。これは、デバイス内の各層の厚さを同様に
制御しなければならないことを意味する。しかし、基板
またはウェハが大きい場合、そのような許容差内の厚さ
を生じるように、薄膜層の堆積を制御することが難しい
ことが知られている。その理由から、ＦＢＡＲをベース
とするデバイスの製造者は、デバイスの製造のために４
インチあるいはそれ以下のウェハを使用する。小さいウ
ェハまたは基板では、動作周波数が仕様から外れるため
に多数の構成部品を失うことなく、許容可能な厚さの不
均一性が得られる。しかし、小さいウェハまたは基板で
デバイスを製造すると、同じことを大きい基板で行なう
場合より、費用効果が低下する。大きい基板を使用する
場合、厚さの不均一性に関連する問題が深刻になる。
は、デバイスの製造中に達成することができる。現在、
ＦＢＡＲはガラス基板またはシリコンウェハ上に製造さ
れる。ＦＢＡＲをベース（構成要素）とするデバイス内
のさまざまな層は、薄膜堆積によって順次形成される。
ＦＢＡＲをベースとするデバイスでは、デバイスの共振
周波数は、０．２〜０．５％の許容差内に制御しなけれ
ばならない。これは、デバイス内の各層の厚さを同様に
制御しなければならないことを意味する。しかし、基板
またはウェハが大きい場合、そのような許容差内の厚さ
を生じるように、薄膜層の堆積を制御することが難しい
ことが知られている。その理由から、ＦＢＡＲをベース
とするデバイスの製造者は、デバイスの製造のために４
インチあるいはそれ以下のウェハを使用する。小さいウ
ェハまたは基板では、動作周波数が仕様から外れるため
に多数の構成部品を失うことなく、許容可能な厚さの不
均一性が得られる。しかし、小さいウェハまたは基板で
デバイスを製造すると、同じことを大きい基板で行なう
場合より、費用効果が低下する。大きい基板を使用する
場合、厚さの不均一性に関連する問題が深刻になる。
【０００４】したがって、ＦＢＡＲに基づくデバイスを
大きい基板またはウェハ上に製造する際の厚さの不均一
性に関連する問題を解決する方法およびシステムを提供
することは、価値があり、また求められている。
大きい基板またはウェハ上に製造する際の厚さの不均一
性に関連する問題を解決する方法およびシステムを提供
することは、価値があり、また求められている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の主要な目的は、
特定の許容差内でデバイスの所望の共振周波数を達成す
るための方法およびシステムを提供することである。こ
の目的は、大きい基板上に製造されるデバイスの厚さの
不均一性を是正することによって、達成することができ
る。厚さの変動は、ウェハを個別のチップに切断する前
に、ウェハの表面（その上にデバイスの１つまたはそれ
以上の層がすでに堆積されている）、またはダイから材
料を選択的に除去するか、または材料を追加することに
よって、是正することができる。その意味において、こ
こで記述するバルク音響波デバイスとは、１つまたはそ
れ以上の個別チップを形成するためにその上に堆積され
た１つまたはそれ以上の層をもつウェハまたは基板全
体、もしくはその一部分を指す。さらに、ここで言うバ
ルク音響波デバイスは、バルク音響波共振器、積層型結
晶フィルタ、共振器とフィルタの任意の組合せ、および
共振器およびフィルタの構造的変形を含む。さらに、基
板上には１つまたはそれ以上の層がすでに形成されてい
るが、デバイスはすべての必要な層または層のパターン
を含んでも含まなくてもよい。たとえば、基板の最上層
は圧電体層、上部電極、または別の層とすることができ
る。
特定の許容差内でデバイスの所望の共振周波数を達成す
るための方法およびシステムを提供することである。こ
の目的は、大きい基板上に製造されるデバイスの厚さの
不均一性を是正することによって、達成することができ
る。厚さの変動は、ウェハを個別のチップに切断する前
に、ウェハの表面（その上にデバイスの１つまたはそれ
以上の層がすでに堆積されている）、またはダイから材
料を選択的に除去するか、または材料を追加することに
よって、是正することができる。その意味において、こ
こで記述するバルク音響波デバイスとは、１つまたはそ
れ以上の個別チップを形成するためにその上に堆積され
た１つまたはそれ以上の層をもつウェハまたは基板全
体、もしくはその一部分を指す。さらに、ここで言うバ
ルク音響波デバイスは、バルク音響波共振器、積層型結
晶フィルタ、共振器とフィルタの任意の組合せ、および
共振器およびフィルタの構造的変形を含む。さらに、基
板上には１つまたはそれ以上の層がすでに形成されてい
るが、デバイスはすべての必要な層または層のパターン
を含んでも含まなくてもよい。たとえば、基板の最上層
は圧電体層、上部電極、または別の層とすることができ
る。
【０００６】したがって、本発明の第１の態様では、基
板および基板上に形成された複数の音響波発生および制
御層を含むバルク音響波デバイスを同調させる方法を提
供する。該デバイスはデバイスの厚さによって部分的に
変動する動作周波数をもち、該動作周波数はデバイスの
厚さを変化させることによって調整することができる。
該方法は、アパーチャを有するマスクをデバイスに近接
して設ける工程と、アパーチャを通して粒子のビームを
提供して、デバイスの表面の実質的にアパーチャによっ
て画定される接触エリアに粒子を接触させて、デバイス
の厚さを変化させる工程と、マスクのアパーチャをデバ
イス表面に対して実質的に横方向に再配置して接触エリ
アを変化させる工程とを含む。
板および基板上に形成された複数の音響波発生および制
御層を含むバルク音響波デバイスを同調させる方法を提
供する。該デバイスはデバイスの厚さによって部分的に
変動する動作周波数をもち、該動作周波数はデバイスの
厚さを変化させることによって調整することができる。
該方法は、アパーチャを有するマスクをデバイスに近接
して設ける工程と、アパーチャを通して粒子のビームを
提供して、デバイスの表面の実質的にアパーチャによっ
て画定される接触エリアに粒子を接触させて、デバイス
の厚さを変化させる工程と、マスクのアパーチャをデバ
イス表面に対して実質的に横方向に再配置して接触エリ
アを変化させる工程とを含む。
【０００７】デバイス表面の充分に大きい部分が一度に
ビームに照射されるように、アパーチャは１つの個別チ
ップまたは単一共振器もしくはフィルタより大きいこと
が好ましい。しかし、１つまたは２つのチップ、デバイ
ス上のチップの一部分だけがビームに同時に暴露される
ように、小さいアパーチャをもつことも可能である。
ビームに照射されるように、アパーチャは１つの個別チ
ップまたは単一共振器もしくはフィルタより大きいこと
が好ましい。しかし、１つまたは２つのチップ、デバイ
ス上のチップの一部分だけがビームに同時に暴露される
ように、小さいアパーチャをもつことも可能である。
【０００８】デバイス表面の接触エリアに粒子を追加す
ることによって、厚さを変化させることが好ましい。ま
た、粒子を使用してデバイス表面の接触エリアの一部分
をドライエッチングプロセスで除去することによって、
厚さを変化させることも可能である。
ることによって、厚さを変化させることが好ましい。ま
た、粒子を使用してデバイス表面の接触エリアの一部分
をドライエッチングプロセスで除去することによって、
厚さを変化させることも可能である。
【０００９】圧電体層の厚さを変化させることにより、
デバイスの厚さを変化させることが好ましい。また、上
部電極またはパッシベーション層の厚さを変化させるこ
とも可能である。
デバイスの厚さを変化させることが好ましい。また、上
部電極またはパッシベーション層の厚さを変化させるこ
とも可能である。
【００１０】厚さ調整の前に、ウェハをマッピングし
て、デバイス表面の不均一なプロフィールを決定するこ
とが好ましい。そのようなマッピングは、デバイスの局
所化エリアの周波数を測定することによって、または積
層の厚さを測定することによって、実行することができ
る。マッピング結果から、位置の関数としてデバイス表
面に追加またはそこから除去すべき材料の量を計算する
ことが可能である。
て、デバイス表面の不均一なプロフィールを決定するこ
とが好ましい。そのようなマッピングは、デバイスの局
所化エリアの周波数を測定することによって、または積
層の厚さを測定することによって、実行することができ
る。マッピング結果から、位置の関数としてデバイス表
面に追加またはそこから除去すべき材料の量を計算する
ことが可能である。
【００１１】圧電体層の厚さを上述の方法によって調整
する場合には、厚さ調整後に圧電体層上に上部電極層が
堆積されることが理解される。同じ方法を用いて、上部
電極層の厚さを調整することが必要であるかもしれな
い。加えて、電極層に所望のパターンを生成するため
に、通常、パターン形成工程が必要である。パターン形
成工程は、本発明の一部分ではない。さらに、パターン
形成された上部電極層の上にパッシベーション層が堆積
される場合、パッシベーション層の厚さを調整すること
が必要かもしれない。したがって、本発明における厚さ
調整工程は、必要な場合、デバイス全体を同調させるた
めに、１回またはそれ以上の回数実行しなければならな
いかもしれない。
する場合には、厚さ調整後に圧電体層上に上部電極層が
堆積されることが理解される。同じ方法を用いて、上部
電極層の厚さを調整することが必要であるかもしれな
い。加えて、電極層に所望のパターンを生成するため
に、通常、パターン形成工程が必要である。パターン形
成工程は、本発明の一部分ではない。さらに、パターン
形成された上部電極層の上にパッシベーション層が堆積
される場合、パッシベーション層の厚さを調整すること
が必要かもしれない。したがって、本発明における厚さ
調整工程は、必要な場合、デバイス全体を同調させるた
めに、１回またはそれ以上の回数実行しなければならな
いかもしれない。
【００１２】本発明の第２の態様では、基板および基板
上に形成された複数の音響波発生および制御層を含むバ
ルク音響波デバイスを同調させるためのシステムを提供
する。デバイスは表面および厚さをもち、バルク音響波
デバイスは動作周波数をもち、それはデバイスの厚さに
よって部分的に変動し、該動作周波数はデバイスの厚さ
を変化させることによって調整することができる。該シ
ステムは、デバイスに隣接して配置されたアパーチャを
有するマスクと、アパーチャを通して粒子のビームを提
供して、デバイスの表面のアパーチャ付近の接触エリア
に粒子を接触させて、デバイスの厚さを変化させるため
の供給源と、マスクのアパーチャをデバイス表面に対し
て実質的に横方向に再配置して接触エリアを変化させる
ための手段とを含む。
上に形成された複数の音響波発生および制御層を含むバ
ルク音響波デバイスを同調させるためのシステムを提供
する。デバイスは表面および厚さをもち、バルク音響波
デバイスは動作周波数をもち、それはデバイスの厚さに
よって部分的に変動し、該動作周波数はデバイスの厚さ
を変化させることによって調整することができる。該シ
ステムは、デバイスに隣接して配置されたアパーチャを
有するマスクと、アパーチャを通して粒子のビームを提
供して、デバイスの表面のアパーチャ付近の接触エリア
に粒子を接触させて、デバイスの厚さを変化させるため
の供給源と、マスクのアパーチャをデバイス表面に対し
て実質的に横方向に再配置して接触エリアを変化させる
ための手段とを含む。
【００１３】好ましくは、システムは、厚さを調整する
前にデバイス表面の厚さ不均一性プロフィールをマッピ
ングする機構をも含む。好ましくは、該マッピング機構
は、デバイス表面のさまざまな位置の周波数を測定する
ための周波数測定デバイスを含む。また、厚さ測定デバ
イスを使用して、さまざまな位置で追加または除去すべ
き材料の量を決定することも可能である。
前にデバイス表面の厚さ不均一性プロフィールをマッピ
ングする機構をも含む。好ましくは、該マッピング機構
は、デバイス表面のさまざまな位置の周波数を測定する
ための周波数測定デバイスを含む。また、厚さ測定デバ
イスを使用して、さまざまな位置で追加または除去すべ
き材料の量を決定することも可能である。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、図２ないし図１０に関
連してなされる説明を読むことにより、明らかになるで
あろう。
連してなされる説明を読むことにより、明らかになるで
あろう。
【００１５】図２を参照すると、厚さ調整システム３０
は、ウェハまたは基板６２上に形成された薄膜バルク音
響波デバイス６０に追加材料を提供するための材料源４
０を含む。基板６２の上の層をまとめて上部層と呼び、
参照符号６４で表わす。上部層６４は上部表面６６を有
する。図２に示すように、上部層の厚さは均一ではな
い。バルク音響波デバイス６０は、おのおのが１つまた
はそれ以上の共振器およびフィルタを含む複数の個別Ｂ
ＡＷチップ（図示せず）を含むかもしれないことを理解
されたい。上部表面６６の厚さ不均一性のため、個別Ｂ
ＡＷチップの幾つかは、それらの共振周波数に関する仕
様を満たさないかもしれない。したがって、これらの個
別ＢＡＷチップを同調させなければならない。ここでは
２つの同調法を開示する。第１方法は、上部表面６６に
材料を追加して上部層６４のより薄いエリアに充填する
ことを含む。ほかの方法は、以下で図５および図６に関
連して述べるように、上部表面６６の一部分を除去する
ことを含む。材料源４０は、まとめて参照符号４２によ
って表わされる粒子のビームを提供するために用いられ
る。開口またはアパーチャ５２を有するマスク５０は、
ビーム４２の一部分２４２だけが制御された方法で上部
表面６６に到達できるように、バルク音響波デバイス６
０の上に配置される。必要ならば上部層６４の表面のす
べての領域を粒子ビーム４２で照射することができるよ
うに、マスク５０は駆動機構５８によって、矢印５４で
表わされるように上面６６に対して横方向に移動する。
マッピング機構（図７および図８）によって、デバイス
６０の厚さまたは上部表面６６の表面形状をマッッピン
グして、デバイスの不均一性プロフィールを決定するこ
とが好ましい。不均一性プロフィールは、デバイス６０
のさまざまな表面位置で共振周波数を測定することから
決定することが好ましいが、厚さ測定手段によって厚さ
を測定することも可能である。ウェハ（１つまたはそれ
以上のバルク音響生成および制御層がその上に形成され
ている）の不均一性プロフィールを図９に示す。該不均
一性プロフィールに基づき、上部表面６６における各位
置のアパーチャの「滞留時間」がその位置の表面に追加
すべき材料の量に基づいて決定されるように、駆動機構
５８をプログラムすることによって、マスク６０の移動
を制御することができる。図５に示す通り、厚さプロフ
ィールは参照符号１５４によって表わされ、制御プログ
ラムは参照符号１５２によって表わされる。ウェハ６０
全体における圧電体層の不均一性プロフィール１５４を
表わす厚さマップを図９に示す。ビーム４２の粒子束
は、厚さ調整プロセス中、実質的に一定であることが好
ましい。しかし、不均一性プロフィールによってビーム
４２の粒子束を変化させることも可能である。
は、ウェハまたは基板６２上に形成された薄膜バルク音
響波デバイス６０に追加材料を提供するための材料源４
０を含む。基板６２の上の層をまとめて上部層と呼び、
参照符号６４で表わす。上部層６４は上部表面６６を有
する。図２に示すように、上部層の厚さは均一ではな
い。バルク音響波デバイス６０は、おのおのが１つまた
はそれ以上の共振器およびフィルタを含む複数の個別Ｂ
ＡＷチップ（図示せず）を含むかもしれないことを理解
されたい。上部表面６６の厚さ不均一性のため、個別Ｂ
ＡＷチップの幾つかは、それらの共振周波数に関する仕
様を満たさないかもしれない。したがって、これらの個
別ＢＡＷチップを同調させなければならない。ここでは
２つの同調法を開示する。第１方法は、上部表面６６に
材料を追加して上部層６４のより薄いエリアに充填する
ことを含む。ほかの方法は、以下で図５および図６に関
連して述べるように、上部表面６６の一部分を除去する
ことを含む。材料源４０は、まとめて参照符号４２によ
って表わされる粒子のビームを提供するために用いられ
る。開口またはアパーチャ５２を有するマスク５０は、
ビーム４２の一部分２４２だけが制御された方法で上部
表面６６に到達できるように、バルク音響波デバイス６
０の上に配置される。必要ならば上部層６４の表面のす
べての領域を粒子ビーム４２で照射することができるよ
うに、マスク５０は駆動機構５８によって、矢印５４で
表わされるように上面６６に対して横方向に移動する。
マッピング機構（図７および図８）によって、デバイス
６０の厚さまたは上部表面６６の表面形状をマッッピン
グして、デバイスの不均一性プロフィールを決定するこ
とが好ましい。不均一性プロフィールは、デバイス６０
のさまざまな表面位置で共振周波数を測定することから
決定することが好ましいが、厚さ測定手段によって厚さ
を測定することも可能である。ウェハ（１つまたはそれ
以上のバルク音響生成および制御層がその上に形成され
ている）の不均一性プロフィールを図９に示す。該不均
一性プロフィールに基づき、上部表面６６における各位
置のアパーチャの「滞留時間」がその位置の表面に追加
すべき材料の量に基づいて決定されるように、駆動機構
５８をプログラムすることによって、マスク６０の移動
を制御することができる。図５に示す通り、厚さプロフ
ィールは参照符号１５４によって表わされ、制御プログ
ラムは参照符号１５２によって表わされる。ウェハ６０
全体における圧電体層の不均一性プロフィール１５４を
表わす厚さマップを図９に示す。ビーム４２の粒子束
は、厚さ調整プロセス中、実質的に一定であることが好
ましい。しかし、不均一性プロフィールによってビーム
４２の粒子束を変化させることも可能である。
【００１６】図３は、調整されたバルク音響波デバイス
２６０を示す。図示する通り、上部層６４の上の１層の
追加材料７０が、デバイス２６０の厚さをデバイス全体
で実質的に均一にする。追加材料は、その真下の層の材
料と同一であることが好ましい。たとえば、上部層２６
０の最上層がパッシベーション層である場合、デバイス
６０を厚さ調整するときには、粒子ビーム４２に同一パ
ッシベーション材料を使用することが好ましい。しか
し、このやり方は単に好ましいだけであって、必須では
ない。
２６０を示す。図示する通り、上部層６４の上の１層の
追加材料７０が、デバイス２６０の厚さをデバイス全体
で実質的に均一にする。追加材料は、その真下の層の材
料と同一であることが好ましい。たとえば、上部層２６
０の最上層がパッシベーション層である場合、デバイス
６０を厚さ調整するときには、粒子ビーム４２に同一パ
ッシベーション材料を使用することが好ましい。しか
し、このやり方は単に好ましいだけであって、必須では
ない。
【００１７】ＦＢＡＲに基づくデバイスにおけるさまざ
まな層の中で、圧電体層の厚さは、デバイスがその仕様
を満たすかどうかを決定する最も重要な要素であろう、
ということに注意する必要がある。図１に示すとおり、
バルク音響波デバイスの最上層は通常、圧電体層ではな
い。しかし、図２および図３に付随して述べた方法で圧
電体層の厚さを調整し、ついで、調整された圧電体層の
上により多くの層を追加して、デバイス作製プロセスを
完了することが可能である。図４に示すように、調整さ
れた上部層６４の上に、１つまたはそれ以上の層６８を
形成することができる。さらに、新しい層６８の厚さが
均一でなく、それがデバイスの全体的性能に悪影響をお
よぼす場合、希望するならば同じプロセスを用いて、新
しい層６８の厚さを調整することが可能である。
まな層の中で、圧電体層の厚さは、デバイスがその仕様
を満たすかどうかを決定する最も重要な要素であろう、
ということに注意する必要がある。図１に示すとおり、
バルク音響波デバイスの最上層は通常、圧電体層ではな
い。しかし、図２および図３に付随して述べた方法で圧
電体層の厚さを調整し、ついで、調整された圧電体層の
上により多くの層を追加して、デバイス作製プロセスを
完了することが可能である。図４に示すように、調整さ
れた上部層６４の上に、１つまたはそれ以上の層６８を
形成することができる。さらに、新しい層６８の厚さが
均一でなく、それがデバイスの全体的性能に悪影響をお
よぼす場合、希望するならば同じプロセスを用いて、新
しい層６８の厚さを調整することが可能である。
【００１８】図５は、別の厚さ調整システム３２を示
す。上部層６４上に材料を追加するために材料源４０を
用いる代わりに、エッチング装置８０を使用して、デバ
イス６０の上部表面６６の一部を除去することが可能で
ある。たとえば、イオンビームエッチング（ＩＢＥ）装
置または反応性イオンビーム（ＲＩＢＥ）装置を用い
て、イオンのビーム８２をマスク５０上に提供して、ビ
ーム８０の一部分２８２がアパーチャ５２を通して上部
表面７７と接触できるようにすることが可能である。イ
オンビームの一部２８２は、上部表面６６の過剰部分７
２を除去するのに用いられる。マスク５０のアパーチャ
５２を通しての表面厚さ調整には、ＩＢＥおよびＲＩＢ
Ｅ以外に、スパッタリングおよびレーザアブレーション
など、ほかのエッチング技術も使用することができる。
修正されたデバイス３６０を図６に示す。図示するとお
り、調整後の上部層２６４は当初の上部層６４より薄
い。したがって、エッチング装置８０を表面厚さ調整に
用いるときは、上部層６４を指定または目標厚さより厚
くしなければならない。これに反して、図２に示すよう
に材料源を表面調整に用いるときは、上部層６４を指定
または目標厚さより薄くしなければならない。
す。上部層６４上に材料を追加するために材料源４０を
用いる代わりに、エッチング装置８０を使用して、デバ
イス６０の上部表面６６の一部を除去することが可能で
ある。たとえば、イオンビームエッチング（ＩＢＥ）装
置または反応性イオンビーム（ＲＩＢＥ）装置を用い
て、イオンのビーム８２をマスク５０上に提供して、ビ
ーム８０の一部分２８２がアパーチャ５２を通して上部
表面７７と接触できるようにすることが可能である。イ
オンビームの一部２８２は、上部表面６６の過剰部分７
２を除去するのに用いられる。マスク５０のアパーチャ
５２を通しての表面厚さ調整には、ＩＢＥおよびＲＩＢ
Ｅ以外に、スパッタリングおよびレーザアブレーション
など、ほかのエッチング技術も使用することができる。
修正されたデバイス３６０を図６に示す。図示するとお
り、調整後の上部層２６４は当初の上部層６４より薄
い。したがって、エッチング装置８０を表面厚さ調整に
用いるときは、上部層６４を指定または目標厚さより厚
くしなければならない。これに反して、図２に示すよう
に材料源を表面調整に用いるときは、上部層６４を指定
または目標厚さより薄くしなければならない。
【００１９】図２に示すような材料源４０、または図５
に示すようなエッチング装置８０を用いる厚さ調整の前
に、厚さプロフィールをマッピングすることが好まし
い。周波数測定装置８４（図７）を使用して、デバイス
６０の共振周波数の局部測定を実行することが好まし
い。デバイス６０の個々の共振器およびフィルタの共振
周波数を測定することが必要であるかもしれない。これ
らの構成部品の共振周波数を測定するために、ウェハ上
に上部電極層を形成し、パターン形成を行なうことが必
要であることに注意されたい。周波数プロフィール１５
０（図７）に基づき、上部表面６６から除去すべき、ま
たはそこに追加すべき材料の量を計算することが可能で
ある。図７に示すように、プロフィールマッピングシス
テム３４は周波数測定装置８４、および表面の周波数プ
ロフィール１５０を得るために該周波数測定装置８４を
デバイス６０に対して相対的に移動させるための駆動機
構８８を含む。周波数プロフィル１５０から、厚さ不均
一性プロフィール１５４（図２および図５）を得ること
ができる。
に示すようなエッチング装置８０を用いる厚さ調整の前
に、厚さプロフィールをマッピングすることが好まし
い。周波数測定装置８４（図７）を使用して、デバイス
６０の共振周波数の局部測定を実行することが好まし
い。デバイス６０の個々の共振器およびフィルタの共振
周波数を測定することが必要であるかもしれない。これ
らの構成部品の共振周波数を測定するために、ウェハ上
に上部電極層を形成し、パターン形成を行なうことが必
要であることに注意されたい。周波数プロフィール１５
０（図７）に基づき、上部表面６６から除去すべき、ま
たはそこに追加すべき材料の量を計算することが可能で
ある。図７に示すように、プロフィールマッピングシス
テム３４は周波数測定装置８４、および表面の周波数プ
ロフィール１５０を得るために該周波数測定装置８４を
デバイス６０に対して相対的に移動させるための駆動機
構８８を含む。周波数プロフィル１５０から、厚さ不均
一性プロフィール１５４（図２および図５）を得ること
ができる。
【００２０】図８は、デバイスの物理的厚さを測定する
ことによってバルク音響波デバイスをマッピングするた
めのシステム３６を示す図である。周波数測定装置８４
の代わりに、厚さ測定装置８６を使用して、装置６０の
厚さを直接測定する。
ことによってバルク音響波デバイスをマッピングするた
めのシステム３６を示す図である。周波数測定装置８４
の代わりに、厚さ測定装置８６を使用して、装置６０の
厚さを直接測定する。
【００２１】図９は、複数の音響波発生および制御層が
その上に作製されたウェハの不均一性厚さプロフィール
を示す層厚図である。とくに、図９は、ナノメートル単
位で表わされた圧電体（ＺｎＯ）層の不均一性プロフィ
ールを示す。平均厚さを基準として使用した場合、層全
体の厚さの変動は約±２３％である。そのような大きい
厚さの変動があると、ウェハ全体の周波数の変動は通常
受け入れられない。したがって、デバイスの厚さを調整
することによって、デバイスを同調させなければならな
い。
その上に作製されたウェハの不均一性厚さプロフィール
を示す層厚図である。とくに、図９は、ナノメートル単
位で表わされた圧電体（ＺｎＯ）層の不均一性プロフィ
ールを示す。平均厚さを基準として使用した場合、層全
体の厚さの変動は約±２３％である。そのような大きい
厚さの変動があると、ウェハ全体の周波数の変動は通常
受け入れられない。したがって、デバイスの厚さを調整
することによって、デバイスを同調させなければならな
い。
【００２２】図１０は、本発明にしたがってバルク音響
波デバイスを同調させるためのプロセス１００を示すフ
ローチャートである。図示するとおり、工程１０２で、
周波数測定装置（図７）または厚さ測定装置（図８）を
使用して、デバイス６０の表面をマッピングする。こう
して厚さ不均一性プロフィール１５４が得られる。工程
１０３で表面厚さが許容差内であることが決定された場
合には、マッピングされた表面の上に新しい層を追加す
ることができる。そうでない場合には、工程１０４で、
アパーチャ５２のあるマスク５０をデバイス６０上に配
置する（図２および図５）。工程１０６で粒子のビーム
をマスク５０上に印加して、ビームの一部がアパーチャ
５２を通過してデバイス表面の局所エリアと接触するこ
とを可能にする。粒子ビームを使用して局所エリアの厚
さを調整したのち、工程１０８で、表面全体の必要な厚
さ調整が実行されたかどうかを決定する。さらに表面エ
リアの厚さを調整する必要がある場合、工程１１０でマ
スク５０を別の未調整位置に移動する。表面全体の必要
な厚さが得られた場合、工程１１２で、デバイスを完成
するためにさらなる層を形成する必要があるかどうかを
決定する。工程１１４で、調整された層の上に１つまた
はそれ以上の新しい層が追加されたのち、工程１０２で
デバイスの表面プロフィールを再びマッピングして、デ
バイスが仕様通りに作製されたかどうかを決定する。
波デバイスを同調させるためのプロセス１００を示すフ
ローチャートである。図示するとおり、工程１０２で、
周波数測定装置（図７）または厚さ測定装置（図８）を
使用して、デバイス６０の表面をマッピングする。こう
して厚さ不均一性プロフィール１５４が得られる。工程
１０３で表面厚さが許容差内であることが決定された場
合には、マッピングされた表面の上に新しい層を追加す
ることができる。そうでない場合には、工程１０４で、
アパーチャ５２のあるマスク５０をデバイス６０上に配
置する（図２および図５）。工程１０６で粒子のビーム
をマスク５０上に印加して、ビームの一部がアパーチャ
５２を通過してデバイス表面の局所エリアと接触するこ
とを可能にする。粒子ビームを使用して局所エリアの厚
さを調整したのち、工程１０８で、表面全体の必要な厚
さ調整が実行されたかどうかを決定する。さらに表面エ
リアの厚さを調整する必要がある場合、工程１１０でマ
スク５０を別の未調整位置に移動する。表面全体の必要
な厚さが得られた場合、工程１１２で、デバイスを完成
するためにさらなる層を形成する必要があるかどうかを
決定する。工程１１４で、調整された層の上に１つまた
はそれ以上の新しい層が追加されたのち、工程１０２で
デバイスの表面プロフィールを再びマッピングして、デ
バイスが仕様通りに作製されたかどうかを決定する。
【００２３】要約すると、本発明は、ウェハまたはダイ
レベルでバルク音響波デバイスを同調させるための方法
およびシステムを開示する。開示した方法およびシステ
ムは、ウェハの表面積が充分に大きく、薄膜の堆積によ
り受入れ可能な厚さの均一性を達成することができない
場合に、とくに有用である。ウェハ表面の局所エリアの
厚さを調整することによってウェハ全体の周波数をトリ
ミングすることで、ＦＢＡＲ製造工程の歩留まりを増加
することができる。ＦＢＡＲをベースとするデバイスの
１つまたはそれ以上の層を調整するために、厚さ調整プ
ロセスを別個に、順次実行することができる。表面層の
上に材料を追加して周波数をトリミングし、材料源を用
いて粒子のビームを提供する場合、粒子および表面層が
同一材料であることが好ましい。しかし、粒子の材料と
表面層の材料は同一でなくてもよい。表面層の材料を部
分的に除去して周波数をトリミングする場合、表面をト
リミングするためにＩＢＥまたはＲＩＢＥなど、ドライ
エッチングプロセスを使用することが好ましい。しか
し、スパッタリングなど、ほかの表面除去プロセスを使
用して、同じ目的を達成することもできる。上部および
下部電極層の形成は一般的に、おのおのの電極層からパ
ターンを形成するために１つまたはそれ以上の追加工程
を含むことが、技術上知られている。パターン形成工程
は、それぞれの電極層の厚さを調整したのちに実行する
ことが好ましい。しかし、厚さ調整前にパターン形成工
程を実行することも可能である。
レベルでバルク音響波デバイスを同調させるための方法
およびシステムを開示する。開示した方法およびシステ
ムは、ウェハの表面積が充分に大きく、薄膜の堆積によ
り受入れ可能な厚さの均一性を達成することができない
場合に、とくに有用である。ウェハ表面の局所エリアの
厚さを調整することによってウェハ全体の周波数をトリ
ミングすることで、ＦＢＡＲ製造工程の歩留まりを増加
することができる。ＦＢＡＲをベースとするデバイスの
１つまたはそれ以上の層を調整するために、厚さ調整プ
ロセスを別個に、順次実行することができる。表面層の
上に材料を追加して周波数をトリミングし、材料源を用
いて粒子のビームを提供する場合、粒子および表面層が
同一材料であることが好ましい。しかし、粒子の材料と
表面層の材料は同一でなくてもよい。表面層の材料を部
分的に除去して周波数をトリミングする場合、表面をト
リミングするためにＩＢＥまたはＲＩＢＥなど、ドライ
エッチングプロセスを使用することが好ましい。しか
し、スパッタリングなど、ほかの表面除去プロセスを使
用して、同じ目的を達成することもできる。上部および
下部電極層の形成は一般的に、おのおのの電極層からパ
ターンを形成するために１つまたはそれ以上の追加工程
を含むことが、技術上知られている。パターン形成工程
は、それぞれの電極層の厚さを調整したのちに実行する
ことが好ましい。しかし、厚さ調整前にパターン形成工
程を実行することも可能である。
【００２４】さらに、前述したマスクは、粒子をデバイ
ス表面と接触させるために１つのアパーチャをもつ。表
面厚さ調整のために、マスクに２つまたはそれ以上のア
パーチャをもつことが可能である。さらに、マスクをデ
バイスに対して相対的に移動させて、マスクのアパーチ
ャを再配置させることが可能である。また、デバイスを
マスクに対して相対的に移動させて、同じことを達成す
ることも可能である。
ス表面と接触させるために１つのアパーチャをもつ。表
面厚さ調整のために、マスクに２つまたはそれ以上のア
パーチャをもつことが可能である。さらに、マスクをデ
バイスに対して相対的に移動させて、マスクのアパーチ
ャを再配置させることが可能である。また、デバイスを
マスクに対して相対的に移動させて、同じことを達成す
ることも可能である。
【００２５】本発明をその好適な実施形態に関連して説
明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することな
く、その形態および細部における前記およびそのほかの
さまざまな変化、省略、およびずれを施すことができる
ことを、当業者は理解するであろう。
明したが、本発明の精神および範囲から逸脱することな
く、その形態および細部における前記およびそのほかの
さまざまな変化、省略、およびずれを施すことができる
ことを、当業者は理解するであろう。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、特定の許容差内でバル
ク音響波デバイスの所望の共振周波数を達成することが
できる。
ク音響波デバイスの所望の共振周波数を達成することが
できる。
【図１】基板上に形成された複数の層を示す典型的なバ
ルク音響波デバイスの側面断面図である。
ルク音響波デバイスの側面断面図である。
【図２】バルク音響波デバイスの最上部の層に材料を追
加するための厚さ調整システムを示す線図である。
加するための厚さ調整システムを示す線図である。
【図３】最上部表面から材料を追加することによる厚さ
調整ののちのバルク音響波デバイスを示す線図である。
調整ののちのバルク音響波デバイスを示す線図である。
【図４】修正された層の上に形成された１つまたはそれ
以上の層をもつ、バルク音響波デバイスを示す線図であ
る。
以上の層をもつ、バルク音響波デバイスを示す線図であ
る。
【図５】本発明による、バルク音響波デバイスの最上層
から材料を除去するための厚さ調整システムを示す線図
である。
から材料を除去するための厚さ調整システムを示す線図
である。
【図６】最上部表面から材料を除去することによる厚さ
調整後のバルク音響波デバイスを示す線図である。
調整後のバルク音響波デバイスを示す線図である。
【図７】本発明による、共振周波数を測定することによ
ってバルク音響波デバイスをマッピングするためのシス
テムを示す線図である。
ってバルク音響波デバイスをマッピングするためのシス
テムを示す線図である。
【図８】本発明による、デバイスの物理的厚さを測定す
ることによってバルク音響波デバイスをマッピングする
ためのシステムを示す線図である。
ることによってバルク音響波デバイスをマッピングする
ためのシステムを示す線図である。
【図９】複数の音響波発生器および制御層がその上に形
成されたウェハの不均一性厚さプロフィールを示す層厚
図である。
成されたウェハの不均一性厚さプロフィールを示す層厚
図である。
【図１０】本発明による、バルク音響波デバイスを同調
させるための工程を示すフローチャートである。
させるための工程を示すフローチャートである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イルキ カイチラ フィンランド共和国、00530 ヘルシンキ、 ネルエス リンヤ 14 ベー 45 Ｆターム(参考） 5J108 AA02 BB07 CC01 KK01 KK06
Claims (30)
- 【請求項１】 基板上に形成された複数の音響波発生お
よび制御層から作製されたバルク音響波デバイスを同調
させる方法であって、前記バルク音響波デバイスは表面
および厚さをもち、前記バルク音響波デバイスは厚さに
よって部分的に変動する動作周波数をもち、前記動作周
波数は前記デバイスの厚さを変化させることによって調
整することができ、アパーチャを有するマスクを前記デ
バイスの表面に近接して設ける工程と、マスク上に粒子
のビームを提供して、前記粒子ビームの少なくとも一部
分をアパーチャに通過させて、前記デバイス表面の実質
的に前記アパーチャによって画定される接触エリアに接
触させて、前記デバイスの厚さを変化させる工程と、前
記マスクのアパーチャを前記デバイス表面に対して実質
的に横方向に再配置して前記接触エリアを変化させる工
程とを含む方法。 - 【請求項２】 前記粒子ビームの前記一部分が前記デバ
イス表面上に堆積され、それにより接触エリアにおける
前記デバイスの厚さが実質的に増加する請求項１記載の
方法。 - 【請求項３】 前記層が前記基板から遠く離れた最上層
を含み、前記粒子ビームの前記少なくとも一部分を前記
接触エリアで前記最上層と接触させるために前記マスク
を前記最上層に近接して配置する請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記最上層が表面材料から作製され、前
記粒子が層材料を含む請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 前記最上層が電極層を含む請求項３記載
の方法。 - 【請求項６】 前記最上層がパッシベーション層を含む
請求項３記載の方法。 - 【請求項７】 前記最上層が圧電体層を含む請求項３記
載の方法。 - 【請求項８】 前記表面が表面材料から作製され、前記
粒子ビームの前記少なくとも一部分が一部の表面材料を
除去し、それにより前記接触エリアの前記デバイスの厚
さが実質的に減少する請求項１記載の方法。 - 【請求項９】 前記バルク音響波デバイスが膜バルク音
響波共振器を含む請求項１記載の方法。 - 【請求項１０】 前記バルク音響波デバイスが膜バルク
音響波フィルタを含む請求項１記載の方法。 - 【請求項１１】 前記バルク音響波デバイスが積層形結
晶フィルタを含む請求項１記載の方法。 - 【請求項１２】 前記バルク音響波デバイスが複数の個
別バルク音響波デバイスチップを含む請求項１記載の方
法。 - 【請求項１３】 前記デバイスの厚さが前記デバイス表
面全体にわたり不均一プロフィールを有し、前記同調工
程を使用して前記不均一性を減少させる請求項１記載の
方法。 - 【請求項１４】 前記デバイス表面をマッピングして前
記不均一性プロフィールを決定する工程をさらに含み、
前記移動工程が前記不均一性プロフィールに基づく請求
項１３記載の方法。 - 【請求項１５】 前記マッピング工程が、前記デバイス
表面全体にわたり前記デバイスの共振周波数を測定する
ことによって実行される請求項１４記載の方法。 - 【請求項１６】 前記マッピング工程が、前記音響波発
生および制御層の厚さを測定することによって実行され
る請求項１４記載の方法。 - 【請求項１７】 基板上に形成された複数の音響波発生
および制御層から作製されたバルク音響波デバイスを同
調させるためのシステムであって、前記バルク音響波デ
バイスは表面および厚さをもち、前記バルク音響波デバ
イスは厚さによって部分的に変動する動作周波数をも
ち、前記動作周波数は前記デバイスの厚さを変化させる
ことによって調整することができ、前記デバイスの表面
に近接して配置されたアパーチャを有するマスクと、前
記マスク上に粒子のビームを提供して、前記デバイス表
面の実質的に前記アパーチャによって画定される接触エ
リアに接触させて、前記デバイスの厚さを変化させるた
めの手段と、前記マスクと係合して、前記マスクのアパ
ーチャを前記デバイス表面に対して実質的に横方向に再
配置して前記接触エリアを変化させるための手段とを含
むシステム。 - 【請求項１８】 前記粒子ビームの前記一部分が前記デ
バイス表面上に堆積され、それにより接触エリアにおけ
る前記デバイスの厚さが実質的に増加する請求項１７記
載のシステム。 - 【請求項１９】 前記層が前記基板から遠く離れた最上
層を含み、前記粒子ビームの前記少なくとも一部分を前
記接触エリアで前記最上層と接触させるために前記マス
クを前記最上層に近接して配置する請求項１７記載のシ
ステム。 - 【請求項２０】 前記最上層が表面材料から作製され、
前記粒子が層材料を含む請求項１９記載のシステム。 - 【請求項２１】 前記表面が表面材料および前記粒子ビ
ームの前記少なくとも一部分から作製され、それにより
前記接触エリアにおける前記デバイスの厚さが実質的に
減少する請求項１７記載のシステム。 - 【請求項２２】 前記粒子が多数のイオンを含む請求項
１７記載のシステム。 - 【請求項２３】 前記粒子が複数の反応イオンを含む請
求項１７記載のシステム。 - 【請求項２４】 前記デバイスの厚さが前記デバイス表
面全体にわたり不均一プロフィールを有し、前記システ
ムが、前記デバイス表面をマッピングすることによって
前記不均一性プロフィールを得るためのマッピング機構
をさらに含む請求項１７記載のシステム。 - 【請求項２５】 前記マッピング機構が、前記デバイス
表面全体にわたり前記デバイスの局所共振周波数を決定
するための周波数測定装置を含む請求項２４記載のシス
テム。 - 【請求項２６】 前記マッピング機構が厚さ測定装置を
含む請求項２４記載のシステム。 - 【請求項２７】 前記再配置手段が、前記不均一性プロ
フィールに基づいて前記装置を再配置するための制御機
構をもつ請求項２４記載のシステム。 - 【請求項２８】 前記デバイスがおのおのにチップ表面
積をもつ複数の個別チップからなり、前記アパーチャが
前記チップ表面積より大きい請求項１７記載のシステ
ム。 - 【請求項２９】 前記デバイスがおのおのにチップ表面
積をもつ複数の個別チップからなり、前記アパーチャが
前記チップ表面積より小さい請求項１７記載のシステ
ム。 - 【請求項３０】 前記デバイスの厚さが厚さ不均一性プ
ロフィールによって表わされ、前記システムが、表面不
均一性を減少するために前記厚さ不均一性プロフィール
によって前記再配置手段を制御するためのソフトウェア
プログラムをさらに含む請求項１７記載のシステム。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/784,634 | 2001-02-15 | ||
| US09/784,634 US6456173B1 (en) | 2001-02-15 | 2001-02-15 | Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002311959A true JP2002311959A (ja) | 2002-10-25 |
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ID=25133066
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004320759A (ja) * | 2003-04-10 | 2004-11-11 | Trikon Technol Ltd | 層のスタック堆積方法、共振器の形成方法、圧電層の堆積方法、および、共振器 |
| JP2007312157A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Ngk Insulators Ltd | 圧電薄膜共振子及び圧電薄膜共振子の共振周波数の調整方法 |
| JP2009526420A (ja) * | 2005-12-20 | 2009-07-16 | インテル・コーポレーション | 圧電薄膜共振器（ｆｂａｒ）の周波数のチューニング |
| JP2011142613A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-07-21 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型圧電薄膜フィルタの製造方法 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3470678B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2003-11-25 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の周波数調整方法 |
| KR100398363B1 (ko) * | 2000-12-05 | 2003-09-19 | 삼성전기주식회사 | Ｆｂａｒ 소자 및 그 제조방법 |
| AU2002242927A1 (en) * | 2001-03-22 | 2002-10-08 | Xsil Technology Limited | A laser machining system and method |
| US6462460B1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-10-08 | Nokia Corporation | Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters |
| US6480074B1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-12 | Nokia Mobile Phones Ltd. | Method and system for wafer-level tuning of bulk acoustic wave resonators and filters by reducing thickness non-uniformity |
| DE50112976D1 (de) * | 2001-05-22 | 2007-10-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur herstellung einer schicht mit einem vordefinierten schichtdickenprofil |
| TW591202B (en) * | 2001-10-26 | 2004-06-11 | Hermosa Thin Film Co Ltd | Dynamic film thickness control device/method and ITS coating method |
| US6662419B2 (en) * | 2001-12-17 | 2003-12-16 | Intel Corporation | Method for fabricating film bulk acoustic resonators to achieve high-Q and low loss |
| US6949268B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-09-27 | Intel Corporation | Frequency uniformity of film bulk acoustic resonators |
| US6787970B2 (en) * | 2003-01-29 | 2004-09-07 | Intel Corporation | Tuning of packaged film bulk acoustic resonator filters |
| US20040227578A1 (en) * | 2003-05-14 | 2004-11-18 | Miikka Hamalainen | Acoustic resonance-based frequency synthesizer using at least one bulk acoustic wave (BAW) or thin film bulk acoustic wave (FBAR) device |
| US7114252B2 (en) * | 2004-06-17 | 2006-10-03 | Toko, Inc. | Large scale simultaneous circuit encapsulating apparatus |
| US20060017352A1 (en) * | 2004-07-20 | 2006-01-26 | Aram Tanielian | Thin device and method of fabrication |
| US7535324B2 (en) | 2007-06-15 | 2009-05-19 | Avago Technologies Wireless Ip, Pte. Ltd. | Piezoelectric resonator structure and method for manufacturing a coupled resonator device |
| DE102008003820B4 (de) * | 2008-01-10 | 2013-01-17 | Epcos Ag | Frontendschaltung |
| US20110121916A1 (en) * | 2009-11-24 | 2011-05-26 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Hybrid bulk acoustic wave resonator |
| FI20106059A (fi) * | 2010-10-14 | 2012-04-15 | Valtion Teknillinen | Toimintataajuuden vaihto LBAW-suodattimessa |
| US8922302B2 (en) | 2011-08-24 | 2014-12-30 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator formed on a pedestal |
| US9166141B2 (en) * | 2011-09-09 | 2015-10-20 | Dvx, Llc | Process of manufacturing a piezopolymer transducer with matching layer |
| CN109474254B (zh) | 2018-10-31 | 2020-12-08 | 武汉衍熙微器件有限公司 | 一种声波器件及其制作方法 |
| CN111058005A (zh) * | 2019-08-09 | 2020-04-24 | 河源市众拓光电科技有限公司 | 一种氮化物和金属薄膜沉积与修整设备及其应用 |
| CN114244300A (zh) * | 2020-09-09 | 2022-03-25 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器组件及其制造方法、电子设备 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4454639A (en) * | 1982-06-03 | 1984-06-19 | Motorola, Inc. | Method for tuning piezoelectric resonators |
| US4638536A (en) * | 1986-01-17 | 1987-01-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of making a resonator having a desired frequency from a quartz crystal resonator plate |
| US4761298A (en) * | 1987-05-06 | 1988-08-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method of precisely adjusting the frequency of a piezoelectric resonator |
| US5643629A (en) * | 1991-05-20 | 1997-07-01 | Sauerland; Franz L. | Method for adjusting center frequency and bandwidth of monolithic filters by plating through a single-aperture mask on a single side of the filters electrode pattern to plate selected areas of the pattern |
| FR2699765B1 (fr) * | 1992-12-22 | 1995-01-20 | Cepe | Procédé d'ajustage en fréquence d'un dispositif piézoélectrique et équipement pour la mise en Óoeuvre du procédé. |
| US5587620A (en) * | 1993-12-21 | 1996-12-24 | Hewlett-Packard Company | Tunable thin film acoustic resonators and method for making the same |
| US5662782A (en) * | 1994-05-26 | 1997-09-02 | Seiko Epson Corporation | Method and apparatus for adjusting a resonance frequency of piezoelectric elements |
| JPH0818372A (ja) * | 1994-06-24 | 1996-01-19 | Seiko Instr Inc | 圧電素子の周波数調整装置及び圧電周波数調整方法 |
| US5630949A (en) * | 1995-06-01 | 1997-05-20 | Tfr Technologies, Inc. | Method and apparatus for fabricating a piezoelectric resonator to a resonant frequency |
| US6051907A (en) * | 1996-10-10 | 2000-04-18 | Nokia Mobile Phones Limited | Method for performing on-wafer tuning of thin film bulk acoustic wave resonators (FBARS) |
| US5780713A (en) * | 1996-11-19 | 1998-07-14 | Hewlett-Packard Company | Post-fabrication tuning of acoustic resonators |
| US5894647A (en) * | 1997-06-30 | 1999-04-20 | Tfr Technologies, Inc. | Method for fabricating piezoelectric resonators and product |
| US6081171A (en) | 1998-04-08 | 2000-06-27 | Nokia Mobile Phones Limited | Monolithic filters utilizing thin film bulk acoustic wave devices and minimum passive components for controlling the shape and width of a passband response |
| US6339276B1 (en) * | 1999-11-01 | 2002-01-15 | Agere Systems Guardian Corp. | Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion |
| US6307447B1 (en) * | 1999-11-01 | 2001-10-23 | Agere Systems Guardian Corp. | Tuning mechanical resonators for electrical filter |
-
2001
- 2001-02-15 US US09/784,634 patent/US6456173B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-01-25 EP EP02250518A patent/EP1233510B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-25 DE DE60229577T patent/DE60229577D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-01-28 JP JP2002018553A patent/JP4130990B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004320759A (ja) * | 2003-04-10 | 2004-11-11 | Trikon Technol Ltd | 層のスタック堆積方法、共振器の形成方法、圧電層の堆積方法、および、共振器 |
| JP2011061867A (ja) * | 2003-04-10 | 2011-03-24 | Aviza Technology Ltd | 層のスタック堆積方法、共振器の形成方法、および、圧電層の堆積方法 |
| JP2009526420A (ja) * | 2005-12-20 | 2009-07-16 | インテル・コーポレーション | 圧電薄膜共振器（ｆｂａｒ）の周波数のチューニング |
| JP2007312157A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Ngk Insulators Ltd | 圧電薄膜共振子及び圧電薄膜共振子の共振周波数の調整方法 |
| JP2011142613A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-07-21 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型圧電薄膜フィルタの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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