JP2002310783A - ボロメータ型赤外センサアレイ - Google Patents
ボロメータ型赤外センサアレイInfo
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- JP2002310783A JP2002310783A JP2001120980A JP2001120980A JP2002310783A JP 2002310783 A JP2002310783 A JP 2002310783A JP 2001120980 A JP2001120980 A JP 2001120980A JP 2001120980 A JP2001120980 A JP 2001120980A JP 2002310783 A JP2002310783 A JP 2002310783A
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボロメータ型のアレイセンサでは、基板温度
が所定の温度になっていない場合、出力レベルがずれ、
検出できなくなるため、基板温度一定に保つためのペル
チェなどの温調装置が別途必要になる。 【解決手段】 画素の非選択時に画素内の画素抵抗に対
し、センサの基板温度に応じて電力を供給して、画素抵
抗の抵抗値を一定範囲に保つ。あるいは、画素の選択時
に画素内の画素抵抗に電力を供給する際、センサの基板
温度に応じて電力を供給して、画素抵抗の抵抗値を一定
範囲に保つ。
が所定の温度になっていない場合、出力レベルがずれ、
検出できなくなるため、基板温度一定に保つためのペル
チェなどの温調装置が別途必要になる。 【解決手段】 画素の非選択時に画素内の画素抵抗に対
し、センサの基板温度に応じて電力を供給して、画素抵
抗の抵抗値を一定範囲に保つ。あるいは、画素の選択時
に画素内の画素抵抗に電力を供給する際、センサの基板
温度に応じて電力を供給して、画素抵抗の抵抗値を一定
範囲に保つ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、赤外線を検知す
るボロメータ型の赤外アレイに関するものである。
るボロメータ型の赤外アレイに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来例として特許公報、第2710228号中
の図面を説明のために簡略化したものを図６に示し、図
中の画素３'の詳細を図７に示す。ここの赤外センサア
レイ４０では、水平回路１１'よりの水平選択線１１Ａ
と、垂直シフトレジスタ９よりの垂直選択線９Ａとがマ
トリックスに組まれ、両選択線の交差点に画素３'が形
成されている。各選択線の１本をそれぞれハイレベルに
すると、これに対応する一つの画素トランジスタ２がス
イッチオンし、画素３'が選択される。この選択された
画素３'の画素抵抗１に画素トランジスタ２を通じて電
流が流れ、このとき、画素抵抗１の抵抗値に応じた電圧
が信号として水平回路１１'に取り込まれる。
の図面を説明のために簡略化したものを図６に示し、図
中の画素３'の詳細を図７に示す。ここの赤外センサア
レイ４０では、水平回路１１'よりの水平選択線１１Ａ
と、垂直シフトレジスタ９よりの垂直選択線９Ａとがマ
トリックスに組まれ、両選択線の交差点に画素３'が形
成されている。各選択線の１本をそれぞれハイレベルに
すると、これに対応する一つの画素トランジスタ２がス
イッチオンし、画素３'が選択される。この選択された
画素３'の画素抵抗１に画素トランジスタ２を通じて電
流が流れ、このとき、画素抵抗１の抵抗値に応じた電圧
が信号として水平回路１１'に取り込まれる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ここで、画素抵抗１が
ある抵抗レンジ内にないと、出力レベルがずれ、水平回
路１１'の入力レンジからはずれ、信号として捕らえる
ことができなくなる。すなわち、撮像素子として機能し
なくなる。ボロメータ型のセンサでは、画素抵抗に温度
により抵抗値が変化する抵抗を使うため、基板温度が所
定の温度になっていない場合、このような不具合が起こ
る。
ある抵抗レンジ内にないと、出力レベルがずれ、水平回
路１１'の入力レンジからはずれ、信号として捕らえる
ことができなくなる。すなわち、撮像素子として機能し
なくなる。ボロメータ型のセンサでは、画素抵抗に温度
により抵抗値が変化する抵抗を使うため、基板温度が所
定の温度になっていない場合、このような不具合が起こ
る。
【０００４】これを回避するには、基板温度を一定に保
つためのペルチェなどの温調装置が別途必要になる(同
公報ではこの点については指摘していない)。ボロメー
タ型のセンサは、高感度化のため温度抵抗変化率の高い
材料を使うので、高性能センサほど温調装置が重要にな
ってくる。
つためのペルチェなどの温調装置が別途必要になる(同
公報ではこの点については指摘していない)。ボロメー
タ型のセンサは、高感度化のため温度抵抗変化率の高い
材料を使うので、高性能センサほど温調装置が重要にな
ってくる。
【０００５】なお、前記公報では温度抵抗変化率のそれ
ほど高くない材料Ｔｉを使用しているため、感度をかせ
ぐために抵抗をつづら折りにしている。このため、同じ
画素ピッチのセンサと比べて高感度化に不利である。逆
に言えば、温度抵抗変化率の高い材料を使えるセンサが
高感度化に対して有利である。
ほど高くない材料Ｔｉを使用しているため、感度をかせ
ぐために抵抗をつづら折りにしている。このため、同じ
画素ピッチのセンサと比べて高感度化に不利である。逆
に言えば、温度抵抗変化率の高い材料を使えるセンサが
高感度化に対して有利である。
【０００６】また、画素抵抗に通電されるのは、画素が
選択されている間のみである。前記公報では、フレーム
周期を画素数で割った期間であり、ごく限られた期間の
通電になるので検知部の温度上昇はごく僅かである。
選択されている間のみである。前記公報では、フレーム
周期を画素数で割った期間であり、ごく限られた期間の
通電になるので検知部の温度上昇はごく僅かである。
【０００７】この発明は、検知部温度を所定温度にでき
るボロメータ型赤外センサアレイを提供するものであ
る。
るボロメータ型赤外センサアレイを提供するものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に係わる、画素
のアレイからなるボロメータ型赤外センサにおいては、
画素の選択時(信号読出し期間)外の非選択時に、画素内
の画素抵抗に対し、センサの基板温度に応じて電力を供
給して、画素抵抗の抵抗値を一定範囲に保つ
のアレイからなるボロメータ型赤外センサにおいては、
画素の選択時(信号読出し期間)外の非選択時に、画素内
の画素抵抗に対し、センサの基板温度に応じて電力を供
給して、画素抵抗の抵抗値を一定範囲に保つ
【０００９】センサの非選択時に、基板温度に応じて電
力を供給して発熱させることにより、画素抵抗の抵抗値
を一定範囲に保つことができ、温調装置は不要である。
力を供給して発熱させることにより、画素抵抗の抵抗値
を一定範囲に保つことができ、温調装置は不要である。
【００１０】画素抵抗に電力を供給するには、請求項２
にあるように、画素抵抗に接続した１方向のスイッチ素
子を通じ、画素抵抗に電力を供給するか、もしくは請求
項３にあるように、画素の非選択時にスイッチオンする
スイッチ素子を画素抵抗に接続し、そのスイッチ素子を
通じ、画素抵抗に電力を供給することができる。
にあるように、画素抵抗に接続した１方向のスイッチ素
子を通じ、画素抵抗に電力を供給するか、もしくは請求
項３にあるように、画素の非選択時にスイッチオンする
スイッチ素子を画素抵抗に接続し、そのスイッチ素子を
通じ、画素抵抗に電力を供給することができる。
【００１１】請求項４に係わる、画素のアレイからなる
ボロメータ型赤外センサにおいては、画素の選択時(信
号読出し期間)に画素内の画素抵抗に電力を供給する
際、センサの基板温度に応じて電力を供給して、画素抵
抗の抵抗値を一定範囲に保つ。
ボロメータ型赤外センサにおいては、画素の選択時(信
号読出し期間)に画素内の画素抵抗に電力を供給する
際、センサの基板温度に応じて電力を供給して、画素抵
抗の抵抗値を一定範囲に保つ。
【００１２】この場合、回路構成が簡単なため、画素の
小ピッチ化が図れるので高画素数のセンサに適する。
小ピッチ化が図れるので高画素数のセンサに適する。
【００１３】
【発明の実施の形態】実施形態１ 本発明の実施形態になるボロメータ型赤外センサアレイ
５０の回路図を図１に示し、図中の画素３部の詳細を図
２に示している。図６の従来例と比較してわかるよう
に、電流源回路１２が備えられ、この電源回路１２か
ら、前記垂直選択線９Ａのごとき制御用線１２Ａが設け
られており、各制御用線１２Ａは、各画素３毎に設けた
制御用トランジスタ４を介して画素抵抗１に接続され
る。
５０の回路図を図１に示し、図中の画素３部の詳細を図
２に示している。図６の従来例と比較してわかるよう
に、電流源回路１２が備えられ、この電源回路１２か
ら、前記垂直選択線９Ａのごとき制御用線１２Ａが設け
られており、各制御用線１２Ａは、各画素３毎に設けた
制御用トランジスタ４を介して画素抵抗１に接続され
る。
【００１４】制御用トランジスタ４は、ゲートをソース
に接続してあるため、制御用線１２Ａがハイになるとス
イッチオンとなり、ローになるとスイッチオフする１方
向のスイッチ素子である。また、画素抵抗１はボロメー
タ材料であって、温度によってその抵抗値が大きく変化
する。本発明では酸化バナジゥム、シリコン、チタン、
その他ボロメータ材料のいずれを用いてもよい。
に接続してあるため、制御用線１２Ａがハイになるとス
イッチオンとなり、ローになるとスイッチオフする１方
向のスイッチ素子である。また、画素抵抗１はボロメー
タ材料であって、温度によってその抵抗値が大きく変化
する。本発明では酸化バナジゥム、シリコン、チタン、
その他ボロメータ材料のいずれを用いてもよい。
【００１５】まず、本発明の原理について図３により説
明する。図３は、画素部分の断面の模式図である。検知
部５の中に画素抵抗(ボロメータ)１があり、検知部５は
基板７より支持構造１３を介して中空部分にある。検知
部５は熱伝導の小さな支持構造１３により支えられてい
るので、画素抵抗１で発生する発熱により基板７との間
には発熱量に応じた温度差を作ることができる。例え
ば、基板温度が下がり、それと共に検知部の温度が下が
った場合に、通電加熱により、検知部の温度を戻すこと
ができる。従来は基板温度と共に検知部温度が変化した
が、本発明では、ボロメータ素子の断熱構造を利用し
て、検知部温度を基板温度にはよらず一定に保つもので
ある。
明する。図３は、画素部分の断面の模式図である。検知
部５の中に画素抵抗(ボロメータ)１があり、検知部５は
基板７より支持構造１３を介して中空部分にある。検知
部５は熱伝導の小さな支持構造１３により支えられてい
るので、画素抵抗１で発生する発熱により基板７との間
には発熱量に応じた温度差を作ることができる。例え
ば、基板温度が下がり、それと共に検知部の温度が下が
った場合に、通電加熱により、検知部の温度を戻すこと
ができる。従来は基板温度と共に検知部温度が変化した
が、本発明では、ボロメータ素子の断熱構造を利用し
て、検知部温度を基板温度にはよらず一定に保つもので
ある。
【００１６】この不具合を回避するため従来は既述した
ようにペルチェなどの温調装置が必要となったが、本発
明では、選択時(信号読出し期間)とは別の期間の非選択
時(非信号読出し期間)に、画素抵抗１を通電加熱し、通
電の調節により、検知部５の温度をほぼ一定値に保つよ
うにしている。例えば、基板７の温度が低いときは通電
の投入電力を大きくし、逆に基板７の温度が高いときは
通電の投入電力を小さくし、画素抵抗１の温度制御を行
なっている。
ようにペルチェなどの温調装置が必要となったが、本発
明では、選択時(信号読出し期間)とは別の期間の非選択
時(非信号読出し期間)に、画素抵抗１を通電加熱し、通
電の調節により、検知部５の温度をほぼ一定値に保つよ
うにしている。例えば、基板７の温度が低いときは通電
の投入電力を大きくし、逆に基板７の温度が高いときは
通電の投入電力を小さくし、画素抵抗１の温度制御を行
なっている。
【００１７】さて、図１において、従来例と同様に、垂
直シフトレジスタ９よりのいずれかの垂直選択線９Ａ
と、水平回路１１よりのいずれかの水平選択線１１Ａを
ハイレベルとすることにより、両選択線の交差点に位置
する画素３の画素トランジスタ２がスイッチオンし、画
素３が選択される。これにより、対応する画素抵抗１に
電流が流れ、その画素抵抗値に比例した電圧値が水平回
路１１で取り込まれ、アンプＡＭＰを通じて出力され
る。
直シフトレジスタ９よりのいずれかの垂直選択線９Ａ
と、水平回路１１よりのいずれかの水平選択線１１Ａを
ハイレベルとすることにより、両選択線の交差点に位置
する画素３の画素トランジスタ２がスイッチオンし、画
素３が選択される。これにより、対応する画素抵抗１に
電流が流れ、その画素抵抗値に比例した電圧値が水平回
路１１で取り込まれ、アンプＡＭＰを通じて出力され
る。
【００１８】次に垂直選択線９Ａをローレベルにする
と、前記画素トランジスタ２はスイッチオフし、画素３
は非選択となる。この非選択時に、電源回路１２の各制
御用線１２Ａを所定の時間、ハイレベルにする。これに
より、スイッチオンした各制御用トランジスタ４を通じ
て各画素抵抗１に電流が流れ、検知部５が発熱する。
と、前記画素トランジスタ２はスイッチオフし、画素３
は非選択となる。この非選択時に、電源回路１２の各制
御用線１２Ａを所定の時間、ハイレベルにする。これに
より、スイッチオンした各制御用トランジスタ４を通じ
て各画素抵抗１に電流が流れ、検知部５が発熱する。
【００１９】このとき、基板温度にみあった電力を供給
することにより、温度抵抗変化するボロメータ材料で構
成された画素抵抗１を所定の値に維持することができ
る。例えば、環境温度が赤外センサを動作させた初期よ
りも低くなった場合は、上述の電力投入により検知部５
の温度を初期値に戻すことができる。
することにより、温度抵抗変化するボロメータ材料で構
成された画素抵抗１を所定の値に維持することができ
る。例えば、環境温度が赤外センサを動作させた初期よ
りも低くなった場合は、上述の電力投入により検知部５
の温度を初期値に戻すことができる。
【００２０】画素３の非選択時に電流源回路１２から供
給される電力の調整は、通電時間の調整、通電電圧の調
整、又は双方の調整によって行う。そのためには、例え
ば非選択時に、画素抵抗１を検知部５の温度センサとし
て用い、検出した温度に応じて電力を供給すればよい。
給される電力の調整は、通電時間の調整、通電電圧の調
整、又は双方の調整によって行う。そのためには、例え
ば非選択時に、画素抵抗１を検知部５の温度センサとし
て用い、検出した温度に応じて電力を供給すればよい。
【００２１】尚、電流源回路１２から画素抵抗１に供給
される間は、非選択の期間なので、このとき画素抵抗１
に生じる電圧が信号として水平回路１１に取り込まれる
ことはない。
される間は、非選択の期間なので、このとき画素抵抗１
に生じる電圧が信号として水平回路１１に取り込まれる
ことはない。
【００２２】実施形態１によれば、赤外センサアレイ５
０の温調のためにペルチェ素子を附加する等の処置をし
なくともよいので、センサシステム全体のコストダウン
が図れ、また駆動用電池も小型のもので済むので軽量化
できる。ボロメータ材料に高い抵抗値および抵抗温度変
化率をもつ酸化バナジゥムを用いた場合には高感度が得
られる反面、センサの温度制御については従来、十分な
措置が必用であったが、本発明ではそのような配慮が不
要なため、このようなボロメータ材料を用いて高感度セ
ンサを得るには特に好都合となる。
０の温調のためにペルチェ素子を附加する等の処置をし
なくともよいので、センサシステム全体のコストダウン
が図れ、また駆動用電池も小型のもので済むので軽量化
できる。ボロメータ材料に高い抵抗値および抵抗温度変
化率をもつ酸化バナジゥムを用いた場合には高感度が得
られる反面、センサの温度制御については従来、十分な
措置が必用であったが、本発明ではそのような配慮が不
要なため、このようなボロメータ材料を用いて高感度セ
ンサを得るには特に好都合となる。
【００２３】尚、本実施形態では制御用トランジスタ４
のゲートをソース、つまり制御用線８に接続したが、ゲ
ートの制御のためにゲート制御用線を設けてもよく、
又、図４の画素３Ａに示したように、制御用トランジス
タ４に替え、ダイオードＤを用いてもよい。
のゲートをソース、つまり制御用線８に接続したが、ゲ
ートの制御のためにゲート制御用線を設けてもよく、
又、図４の画素３Ａに示したように、制御用トランジス
タ４に替え、ダイオードＤを用いてもよい。
【００２４】実施形態２ 本発明の第２の実施形態では、図２に示した画素３に替
えて、図５に示すような画素３Ｂを採用している。この
実施形態では、制御用トランジスタ４Ａの反転ゲートを
対応する垂直選択線９Ａに接続している。この動作を次
に説明する。
えて、図５に示すような画素３Ｂを採用している。この
実施形態では、制御用トランジスタ４Ａの反転ゲートを
対応する垂直選択線９Ａに接続している。この動作を次
に説明する。
【００２５】水平回路１１と垂直シフトレジスタ９によ
って画素３Ｂが選択され、画素抵抗１に電流が流れてい
る間は、画素抵抗１の抵抗値に対応する電圧が信号とし
て捕らえられる(ここまでは前実施形態と同じ動作)。次
に垂直選択線９Ａがハイからローレベルに切り換えられ
ると、前記画素３Ｂの画素トランジスタ２がスイッチオ
フになり、画素３Ｂは非選択になり、画素抵抗１への通
電が停止されるが、この時、制御用トランジスタ４Ａが
スイッチオンすることにより、電流源回路１２から制御
用トランジスタ４Ａを通じて画素抵抗１に電流が流れ、
検知部５が発熱する。
って画素３Ｂが選択され、画素抵抗１に電流が流れてい
る間は、画素抵抗１の抵抗値に対応する電圧が信号とし
て捕らえられる(ここまでは前実施形態と同じ動作)。次
に垂直選択線９Ａがハイからローレベルに切り換えられ
ると、前記画素３Ｂの画素トランジスタ２がスイッチオ
フになり、画素３Ｂは非選択になり、画素抵抗１への通
電が停止されるが、この時、制御用トランジスタ４Ａが
スイッチオンすることにより、電流源回路１２から制御
用トランジスタ４Ａを通じて画素抵抗１に電流が流れ、
検知部５が発熱する。
【００２６】このとき、基板温度にみあった電流を供給
することにより、温度抵抗変化するボロメータ材料で構
成された画素抵抗を所定の値に維持することができる。
例えば、環境温度が赤外センサを動作させた初期よりも
低くなった場合は、上述の電力投入により検知部５の温
度を初期値に戻すことができる。
することにより、温度抵抗変化するボロメータ材料で構
成された画素抵抗を所定の値に維持することができる。
例えば、環境温度が赤外センサを動作させた初期よりも
低くなった場合は、上述の電力投入により検知部５の温
度を初期値に戻すことができる。
【００２７】ここでは、電流源回路１２側で投入電力の
期間を決めたが、画素３Ｂの選択時以外に連続通電し、
投入電力の調整は電圧の制御のみにすることもできる。
その場合は電流源回路１２に期間調整のための回路を省
略することができ、簡素化できる。
期間を決めたが、画素３Ｂの選択時以外に連続通電し、
投入電力の調整は電圧の制御のみにすることもできる。
その場合は電流源回路１２に期間調整のための回路を省
略することができ、簡素化できる。
【００２８】実施形態３ 本実施形態の回路構成は図６の従来例と同じになるので
説明にそれを転用する。画素３'の選択時、その選択期
間または、その選択時に画素抵抗１に流す電流の大きさ
を、基板温度に応じて制御する。
説明にそれを転用する。画素３'の選択時、その選択期
間または、その選択時に画素抵抗１に流す電流の大きさ
を、基板温度に応じて制御する。
【００２９】本実施形態では、画素３'(図７)自体の回
路構成が簡単で、又、画素を選択するための駆動クロッ
クのもの制御でよいため、温度制御不用の赤外センサア
レイが得られる。この場合、前実施形態１のように温調
範囲が広くとれないが、画素３'の回路構成が簡単なた
め、画素の小ピッチ化が図れるので高画素数のセンサに
適している。
路構成が簡単で、又、画素を選択するための駆動クロッ
クのもの制御でよいため、温度制御不用の赤外センサア
レイが得られる。この場合、前実施形態１のように温調
範囲が広くとれないが、画素３'の回路構成が簡単なた
め、画素の小ピッチ化が図れるので高画素数のセンサに
適している。
【００３０】
【発明の効果】請求項１に係わる発明は、画素のアレイ
からなるボロメータ型赤外センサにおいて、画素の選択
時(信号読出し期間)外の非選択時に、画素内の画素抵抗
に対し、センサの基板温度に応じて電力を供給して、画
素抵抗の抵抗値を一定範囲に保つようにしたものであ
り、センサの非選択時に、基板温度に応じて電力を供給
して発熱させることにより、画素抵抗の抵抗値を一定範
囲に保つことができ、温調装置などの追加は不要であ
る。従ってこの赤外線センサアレイを搭載した撮影カメ
ラシステムの価格および消費電力を削減でき、撮影カメ
ラシステムの利便性が向上する。
からなるボロメータ型赤外センサにおいて、画素の選択
時(信号読出し期間)外の非選択時に、画素内の画素抵抗
に対し、センサの基板温度に応じて電力を供給して、画
素抵抗の抵抗値を一定範囲に保つようにしたものであ
り、センサの非選択時に、基板温度に応じて電力を供給
して発熱させることにより、画素抵抗の抵抗値を一定範
囲に保つことができ、温調装置などの追加は不要であ
る。従ってこの赤外線センサアレイを搭載した撮影カメ
ラシステムの価格および消費電力を削減でき、撮影カメ
ラシステムの利便性が向上する。
【００３１】請求項４に係わる発明は、画素のアレイか
らなるボロメータ型赤外センサにおいては、画素の選択
時に画素内の画素抵抗に電力を供給する際、センサの基
板温度に応じて電力を供給して、画素抵抗の抵抗値を一
定範囲に保つようにしたものであり、この場合は、回路
構成が簡単なため、画素の小ピッチ化が図れるので高画
素数のセンサに適する。
らなるボロメータ型赤外センサにおいては、画素の選択
時に画素内の画素抵抗に電力を供給する際、センサの基
板温度に応じて電力を供給して、画素抵抗の抵抗値を一
定範囲に保つようにしたものであり、この場合は、回路
構成が簡単なため、画素の小ピッチ化が図れるので高画
素数のセンサに適する。
【図１】 本発明の第１実施形態になるボロメータ型赤
外センサアレイの回路図
外センサアレイの回路図
【図２】 図１中の画素の詳細回路図
【図３】 画素の動作原理を説明するために用いた素子
断面図
断面図
【図４】 図２の素子の変形例を示した詳細回路図
【図５】 本発明の第２実施形態になる画素の詳細回路
図
図
【図６】 従来のボロメータ型赤外センサアレイの回路
図
図
【図７】 図６中の画素の詳細回路図
１ 画素抵抗、２ 画素トランジスタ、３ 画素、４
制御用トランジスタ、５検知部、７ 素子基板、９ 垂
直シフトレジスタ、１１ 水平回路、１２ 電流源回
路、９Ａ 垂直選択線、１１Ａ 水平選択線、１２Ａ
制御用線、５０ボロメータ型赤外センサアレイ
制御用トランジスタ、５検知部、７ 素子基板、９ 垂
直シフトレジスタ、１１ 水平回路、１２ 電流源回
路、９Ａ 垂直選択線、１１Ａ 水平選択線、１２Ａ
制御用線、５０ボロメータ型赤外センサアレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 秦 久敏 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 2G065 AA04 AB02 BA12 BA34 CA21 5C024 AX06 EX15 GX08 HX44 HX46
Claims (4)
- 【請求項１】 画素のアレイからなるボロメータ型赤外
センサにおいて、画素の非選択時に画素内の画素抵抗に
対し、センサの基板温度に応じて電力を供給して、画素
抵抗の抵抗値を一定範囲に保つことを特徴とするボロメ
ータ型赤外センサアレイ。 - 【請求項２】 画素抵抗に接続した１方向のスイッチ素
子を通じ、画素抵抗に電力を供給する請求項１記載のボ
ロメータ型赤外センサアレイ。 - 【請求項３】 画素の非選択時にスイッチオンするスイ
ッチ素子を画素抵抗に接続し、そのスイッチ素子を通
じ、画素抵抗に電力を供給する請求項１記載のボロメー
タ型赤外センサアレイ。 - 【請求項４】 画素のアレイからなるボロメータ型赤外
センサにおいて、画素の選択時に画素内の画素抵抗に電
力を供給する際、センサの基板温度に応じて電力を供給
して、画素抵抗の抵抗値を一定範囲に保つことを特徴と
するボロメータ型赤外センサアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001120980A JP2002310783A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | ボロメータ型赤外センサアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001120980A JP2002310783A (ja) | 2001-04-19 | 2001-04-19 | ボロメータ型赤外センサアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002310783A true JP2002310783A (ja) | 2002-10-23 |
Family
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
2001
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