JP2002305366A - Manufacturing method of laminated board and electronic component - Google Patents
Manufacturing method of laminated board and electronic componentInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、プリプレグおよび
基板を用いた積層基板や電子部品の製造方法に関し、特
に層間の厚みを薄くすることが可能な積層基板、電子部
品の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a laminated substrate and an electronic component using a prepreg and a substrate, and more particularly to a method for manufacturing a laminated substrate and an electronic component capable of reducing the thickness between layers.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、通信用、民生用、産業用等の電子
機器の分野における実装方法の小型化・高密度化への指
向は著しいものがあり、それに伴って材料の面でもより
優れた耐熱性、寸法安定性、電気特性、成形性が要求さ
れつつある。2. Description of the Related Art In recent years, there has been a remarkable trend toward miniaturization and high-density mounting methods in the field of electronic devices for communication, consumer use, industrial use, and the like. Heat resistance, dimensional stability, electrical properties, and moldability are being demanded.
【0003】高周波用電子部品もしくは高周波用多層基
板としては、焼結フェライトや焼結セラミックを基板状
に多層化、成形したものが一般に知られている。これら
の材料を多層基板にすることは、小型化が図れるという
メリットがあることから従来より用いられてきた。[0003] As a high-frequency electronic component or a high-frequency multilayer substrate, a substrate obtained by forming a sintered ferrite or sintered ceramic into a multi-layered substrate is generally known. Making these materials into a multi-layer substrate has been conventionally used because of its merit of miniaturization.
【0004】しかしながら、これら焼結フェライトや焼
結セラミックを用いた場合、焼成工程や厚膜印刷工程数
が多く、また、焼成時のクラックや反り等、焼結材料特
有の問題が多いことと、プリント基板との熱膨張係数の
違い等によるクラックの発生等といった問題が多いこと
から、樹脂系材料への要求が年々高まっている。However, when these sintered ferrites and sintered ceramics are used, there are many firing steps and thick film printing steps, and there are many problems specific to sintered materials such as cracks and warpage during firing. Since there are many problems such as generation of cracks due to a difference in thermal expansion coefficient from a printed circuit board, a demand for a resin-based material is increasing year by year.
【0005】しかしながら、樹脂系の材料ではそれ自体
で十分な誘電率を得ることが極めて困難であり、これと
併せて透磁率の向上を図ることも困難である。このた
め、単に樹脂材料を利用した電子部品では、十分な特性
を得ることができず、形状的にも大きなものとなり、小
型、薄型化を図ることが困難である。[0005] However, it is extremely difficult to obtain a sufficient dielectric constant by itself with a resin-based material, and it is also difficult to improve the magnetic permeability. For this reason, an electronic component simply using a resin material cannot obtain sufficient characteristics, is large in shape, and it is difficult to reduce the size and thickness.
【0006】また、樹脂材料にセラミック粉末をコンポ
ジットする手法も、例えば特開平10−270255号
公報、同11−192620号公報、同8−69712
号公報に開示されているが、いずれも十分な誘電率や、
これと併せて透磁率を得られてはいない。誘電率を上げ
るためにセラミック粉末の充填率を上げると、強度が低
下し、ハンドリング時や加工時に破損しやすくなるとい
った問題もあった。[0006] Also, a method of compositing a ceramic powder with a resin material is disclosed in, for example, JP-A-10-270255, JP-A-11-192620 and JP-A-8-69712.
However, all have sufficient dielectric constants,
At the same time, no magnetic permeability has been obtained. When the filling rate of the ceramic powder is increased to increase the dielectric constant, there is a problem that the strength is reduced and the ceramic powder is liable to be broken during handling or processing.
【0007】また、これらの基板は、ガラスクロスなど
の補強材料にペーストを含浸させることにより構成され
ている。このため、ガラスクロスの厚み以下には構成層
の厚みを薄くすることができず、しかもガラスクロスと
素地間の吸湿による信頼性の面での特性劣化等の問題も
有していた。Further, these substrates are constituted by impregnating a reinforcing material such as glass cloth with a paste. For this reason, the thickness of the constituent layers cannot be reduced below the thickness of the glass cloth, and there is also a problem such as deterioration of characteristics in terms of reliability due to moisture absorption between the glass cloth and the substrate.
【0008】ガラスクロスを用いない基板の構成の例と
しては、例えば特公平6−14600号公報に開示され
ている。この公報では、PETフィルムに塗布、乾燥す
ることにより、150μm 厚のシートを得ている。しか
し、この公報の基板はシート厚が150μm と厚く、し
かも電極の形成方法についての記載がみられないため、
通常の方法により作製されているものと考えると、それ
以上の薄型化は困難である。[0008] An example of the configuration of a substrate not using a glass cloth is disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 6-14600. In this publication, a 150 μm thick sheet is obtained by coating and drying a PET film. However, since the substrate of this publication has a sheet thickness as large as 150 μm, and furthermore, there is no description about a method of forming electrodes,
Considering that it is manufactured by an ordinary method, it is difficult to further reduce the thickness.
【0009】特に、近年、携帯機器の急速な発展と普及
により、小型、薄型の機器を実現する上で基板の薄型化
は極めて重要である。In particular, in recent years, with the rapid development and spread of portable devices, thinning of substrates is extremely important in realizing small and thin devices.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
の基板よりも薄型化が可能で、ハンドリング時の強度的
な問題も生じない積層基板、電子部品の製造方法を提供
することである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a laminated substrate and an electronic component which can be made thinner than a conventional substrate and which does not cause a problem in strength during handling. .
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の本発
明の構成により達成される。 (1) 転写フィルムに導電体層を接着し、この導電体
層をエッチングにより所定のパターンにパターニング
し、その後パターン形成された導電体層を有する転写フ
ィルムを、この導電体層側がプリプレグと対向するよう
に配置し、次いで、転写フィルムをプリプレグに加熱圧
着した後、転写フィルムを剥離し導電体層を有するプリ
プレグを得る積層基板の製造方法。 (2) 前記加熱圧着は、温度:140〜160℃、圧
力:4.9〜39MPa、処理時間120〜180分間の
条件で行う上記(1)の積層基板の製造方法。 (3) 前記プリプレグを配置する前に、前記転写フィ
ルムを100〜130℃、5〜20分間熱処理を行う上
記(1)または(2)の積層基板の製造方法。 (4) 少なくとも誘電体粉、磁性体粉のいずれかが樹
脂中に分散され、厚みが2〜40μm であるプリプレグ
を得る上記(1)〜(3)のいずれかの積層基板の製造
方法。 (5) さらに、前記プリプレグのパターン形成面上に
他のプリプレグを配置し、この他のプリプレグを加熱圧
着することにより、内部導体パターンを有する積層基板
を得る上記(1)〜(4)のいずれかの積層基板の製造
方法。 (6) 前記導電体層の表面粗さRz が1〜6μm であ
る上記(1)〜(5)のいずれかの積層基板の製造方
法。 (7) 前記導電体層が、Cu,Al,AgおよびAu
から選択される1種または2種以上の元素により構成さ
れている上記(1)〜(5)のいずれかの積層基板の製
造方法。 (8) 前記導電体層は、電解法、または圧延法により
製造されている上記(1)〜(5)のいずれかの積層基
板の製造方法。 (9) 前記導電体層の膜厚は、3〜32μm である上
記(1)〜(5)のいずれかの積層基板の製造方法。 (10) 前記誘電体粉は、チタン−バリウム−ネオジ
ウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系セラミ
ックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化チタン
系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミックス、チ
タン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウム系セ
ラミックス、チタン酸カルシウム系セラミックス、チタ
ン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネシウム系
セラミックス、CaWO4 系セラミックス、Ba(M
g,Nb)O3 系セラミックス、Ba(Mg,Ta)O
3 系セラミックス、Ba(Co,Mg,Nb)O3 系セ
ラミックス、およびBa(Co,Mg,Ta)O3 系セ
ラミックスのいずれか1種または2種以上により形成さ
れている上記(4)〜(9)のいずれかの積層基板の製
造方法。 (11) 前記誘電体粉は、シリカ、アルミナ、ジルコ
ニア、チタン酸カリウムウイスカ、チタン酸カルシウム
ウイスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイス
カ、ガラスチョップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、お
よび酸化マグネシウムのいずれか1種または2種以上に
より形成されている上記(4)〜(9)のいずれかの積
層基板の製造方法。 (12) 前記誘電体粉は、樹脂と誘電体粉末との合計
量を100体積%としたとき、10体積%以上65体積
%未満含有する上記(4)〜(11)のいずれかの積層
基板の製造方法。 (13) 前記磁性体粉は、Mn−Mg−Zn系、Ni
−Zn系、およびMn−Zn系フェライトのいずれか1
種または2種以上により形成されている上記(4)〜
(12)のいずれかの積層基板の製造方法。 (14) 前記磁性体粉は、カーボニール鉄、鉄−シリ
コン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金、鉄−ニッケル系
合金、およびアモルファス系強磁性金属の1種または2
種以上により形成されている上記(4)〜(12)のい
ずれかの積層基板の製造方法。 (15) 前記誘電体粉または磁性体粉は、投影形状が
円形である球形度0.9〜1.0の球状であって、平均
粒径が0.1〜40μm である上記(4)〜(14)の
いずれかの積層基板の製造方法。 (16) 上記(4)〜(15)の積層基板の少なくと
も導電体層のパターニングにより電子部品素子を形成
し、さらに電子部品素子の端子となるスルーホールを形
成し、前記各電子部品素子毎に前記スルーホール部分で
切断して電子部品を得る電子部品の製造方法。The above object is achieved by the following constitution of the present invention. (1) A conductor layer is adhered to a transfer film, and the conductor layer is patterned into a predetermined pattern by etching. Then, the transfer film having the patterned conductor layer is opposed to the prepreg on the conductor layer side. Then, the transfer film is heated and pressed on the prepreg, and then the transfer film is peeled off to obtain a prepreg having a conductor layer. (2) The method for producing a laminated substrate according to the above (1), wherein the thermocompression bonding is performed under the conditions of a temperature of 140 to 160 ° C, a pressure of 4.9 to 39 MPa, and a processing time of 120 to 180 minutes. (3) The method for producing a laminated substrate according to the above (1) or (2), wherein the transfer film is subjected to a heat treatment at 100 to 130 ° C. for 5 to 20 minutes before placing the prepreg. (4) The method according to any one of (1) to (3), wherein at least one of the dielectric powder and the magnetic powder is dispersed in the resin to obtain a prepreg having a thickness of 2 to 40 μm. (5) Further, another prepreg is arranged on the pattern forming surface of the prepreg, and the other prepreg is heated and pressed to obtain a laminated substrate having an internal conductor pattern. Manufacturing method of such a laminated substrate. (6) The method according to any one of (1) to (5), wherein the surface roughness Rz of the conductor layer is 1 to 6 μm. (7) The conductor layer is made of Cu, Al, Ag and Au.
The method for producing a laminated substrate according to any one of the above (1) to (5), comprising one or more elements selected from the group consisting of: (8) The method according to any one of (1) to (5), wherein the conductor layer is manufactured by an electrolytic method or a rolling method. (9) The method according to any one of the above (1) to (5), wherein the thickness of the conductor layer is 3 to 32 μm. (10) The dielectric powder includes titanium-barium-neodymium ceramics, titanium-barium-tin ceramics, lead-calcium ceramics, titanium dioxide ceramics, barium titanate ceramics, lead titanate ceramics, titanic acid. Strontium ceramics, calcium titanate ceramics, bismuth titanate ceramics, magnesium titanate ceramics, CaWO 4 ceramics, Ba (M
g, Nb) O 3 ceramics, Ba (Mg, Ta) O
(4) to (4) to (4) to (3), which are formed of any one or more of a 3 series ceramic, a Ba (Co, Mg, Nb) O 3 series ceramic, and a Ba (Co, Mg, Ta) O 3 series ceramic. 9) The method for manufacturing a laminated substrate according to any one of the items 9). (11) The dielectric powder is any one of silica, alumina, zirconia, potassium titanate whiskers, calcium titanate whiskers, barium titanate whiskers, zinc oxide whiskers, glass chops, glass beads, carbon fibers, and magnesium oxide. The method for producing a laminated substrate according to any one of the above (4) to (9), wherein the laminated substrate is formed of a kind or two or more kinds. (12) The laminated substrate according to any one of (4) to (11), wherein the dielectric powder contains 10% by volume or more and less than 65% by volume when the total amount of the resin and the dielectric powder is 100% by volume. Manufacturing method. (13) The magnetic powder is a Mn-Mg-Zn based, Ni
Any one of -Zn-based and Mn-Zn-based ferrites
(4) to above, which are formed by species or two or more species
(12) The method for manufacturing a laminated substrate according to any of (12). (14) The magnetic powder is one or two of carbonyl iron, an iron-silicon alloy, an iron-aluminum-silicon alloy, an iron-nickel alloy, and an amorphous ferromagnetic metal.
The method for manufacturing a laminated substrate according to any one of the above (4) to (12), which is formed by at least one kind. (15) The above-mentioned (4) to (4), wherein the dielectric powder or the magnetic powder has a spherical shape having a circular projection of 0.9 to 1.0 and an average particle diameter of 0.1 to 40 μm. (14) The method for manufacturing a laminated substrate according to any of (14). (16) An electronic component element is formed by patterning at least the conductive layer of the laminated substrate of (4) to (15), and a through hole serving as a terminal of the electronic component element is formed. A method for manufacturing an electronic component, wherein the electronic component is obtained by cutting at the through hole.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】本発明の積層基板の製造方法は、
転写フィルムに導電体層を接着し、この導電体層を所定
のパターンにパターニングし、その後パターン形成され
た導電体層を有する転写フィルムを、この導電体層側が
プリプレグと対向するように配置し、次いで、転写フィ
ルムをプリプレグ方向に加熱圧着した後、転写フィルム
を剥離し導電体層を有するプリプレグを得るものであ
る。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
A conductor layer is adhered to the transfer film, the conductor layer is patterned into a predetermined pattern, and then a transfer film having a patterned conductor layer is arranged such that the conductor layer side faces the prepreg, Next, after the transfer film is heated and pressed in the prepreg direction, the transfer film is peeled off to obtain a prepreg having a conductor layer.
【0013】また、転写を行う前に、あらかじめ前記転
写フィルムを、100〜130℃、5〜20分間熱処理
し、転写フィルムの接着剤を発泡させてから転写を行う
ようにしてもよい。Before the transfer, the transfer film may be heat-treated in advance at 100 to 130 ° C. for 5 to 20 minutes to foam the adhesive of the transfer film before the transfer.
【0014】このような製造方法により、ガラスクロス
などの補強部材を包含せず、厚みが40μm 以下の構成
層が得られ、薄型の積層基板を提供することができる。According to such a manufacturing method, a constituent layer having a thickness of 40 μm or less is obtained without including a reinforcing member such as a glass cloth, and a thin laminated substrate can be provided.
【0015】こうして得られた構成層を用いることによ
り、 (1)小型で高性能で加工性がよく、比重が軽く、柔軟
性のある電子部品、多層回路基板を得ることができる。 (2)異なった特性を有する材料を多層化しても、高い
柔軟性のため、クラック、剥がれ、反りなどの問題が生
じ難く高機能の電子部品を得ることができる。 (3)焼成、厚膜印刷等の工程がないため、製造しやす
く、不具合の起き難いライン設計が可能となる。 (4)ガラスクロスレスなので信頼性が高く、誘電体
粉、磁性体粉の充填度を上げることができ、高誘電率
化、高透磁率化を図ることができる。 (5)エッチングによりパターン形成するので、パター
ン精度が非常に高くなる。 (6)ガラスクロスを含有しないので、ロット間での特
性変動が少ない。 (7)さらに、ガラスクロスを含有する層を積層するこ
とにより、容易に強度を増すことができる。 (8)基板自体はエッチング工程を経ていないので、エ
ッチング液性分が残存することがなく、製品の信頼度が
向上する。等といった効果が得られる。By using the constituent layers thus obtained, (1) a small-sized, high-performance, well-processable, light-weight, flexible electronic component or multilayer circuit board can be obtained. (2) Even if the materials having different characteristics are multilayered, a high-performance electronic component can be obtained because of high flexibility, which is unlikely to cause problems such as cracks, peeling, and warping. (3) Since there are no processes such as firing and thick film printing, it is easy to manufacture, and a line design that does not easily cause problems can be made. (4) Since it is glass-less, the reliability is high, the degree of filling of dielectric powder and magnetic powder can be increased, and a high dielectric constant and a high magnetic permeability can be achieved. (5) Since the pattern is formed by etching, the pattern accuracy is extremely high. (6) Since no glass cloth is contained, there is little variation in characteristics between lots. (7) Further, by laminating a layer containing a glass cloth, the strength can be easily increased. (8) Since the substrate itself has not been subjected to the etching step, no etchant component remains, and the reliability of the product is improved. And the like.
【0016】さらに、具体的に説明すると、本発明の積
層基板は、図1,2に示すような方法により製造するこ
とができる。More specifically, the laminated substrate of the present invention can be manufactured by a method as shown in FIGS.
【0017】先ず、図1の工程Aに示されるように、所
定厚さの転写フィルム103に所定厚さの導電体層であ
る銅(Cu)箔102を重ねて接着させる。なお、転写
フィルムの接着面を保護するシートを貼り付けておき、
Cu箔接着の際にこれを除くようにしてもよい。このと
きの転写フィルムの接着力としては、好ましくは7N/20
mm以下、特に3.7〜7.0N/20mmである。接着力が
3.7N/20mm以下になると、エッチング工程などで導電
体層が剥がれたり、エッチング液が層間に進入しやすく
なってくる。また、接着力が上記範囲より大きくなる
と、転写フィルムがプリプレグから剥離しにくくなって
くる。First, as shown in step A of FIG. 1, a copper (Cu) foil 102 as a conductor layer having a predetermined thickness is laminated and adhered to a transfer film 103 having a predetermined thickness. In addition, pasting a sheet that protects the adhesive surface of the transfer film,
This may be removed when bonding the Cu foil. The adhesive strength of the transfer film at this time is preferably 7N / 20.
mm or less, especially 3.7 to 7.0 N / 20 mm. When the adhesive strength is 3.7 N / 20 mm or less, the conductor layer is peeled off in the etching step or the like, and the etching solution easily enters between the layers. On the other hand, when the adhesive strength is larger than the above range, the transfer film becomes difficult to peel off from the prepreg.
【0018】次に、工程Bに示すように、銅箔102を
所望のパターン形状にパターニングする。次に、工程C
に示すように、一対のパターン形成された銅箔102を
有する転写フィルム103を、プリプレグ101を挟ん
で上下に配置する。なお、転写フィルム103はどちら
か一方のみでもよい。このとき、予熱工程として転写フ
ィルム103を、あらかじめ温度:100〜130℃、
特に110〜120℃、時間:5〜20分、特に10〜
15分間熱処理し、接着層を発泡(軟化)させておいて
もよい。この予熱工程は、転写フィルム上に形成された
パターンの占有面積が、80%以下、特に70%以下の
ときに効果がある。従って、占有パターン面積が80%
超のときには予熱工程は不要である。転写フィルム上の
パターンの占有面積が80%超になると、プリプレグ面
と転写フィルム面の接触が少なくなり、転写フィルムか
ら剥がれやすくなり、転写が容易になる。Next, as shown in step B, the copper foil 102 is patterned into a desired pattern shape. Next, process C
As shown in FIG. 2, a transfer film 103 having a pair of patterned copper foils 102 is vertically arranged with a prepreg 101 interposed therebetween. Note that either one of the transfer films 103 may be used. At this time, as a preheating step, the transfer film 103 was previously heated at a temperature of
Especially 110 to 120 ° C, time: 5 to 20 minutes, especially 10 to
The adhesive layer may be foamed (softened) by heat treatment for 15 minutes. This preheating step is effective when the area occupied by the pattern formed on the transfer film is 80% or less, particularly 70% or less. Therefore, the occupied pattern area is 80%
If it is too high, a preheating step is not required. When the area occupied by the pattern on the transfer film exceeds 80%, the contact between the prepreg surface and the transfer film surface is reduced, and the transfer film is easily peeled off and the transfer is facilitated.
【0019】そして、工程Dに示すように、上下の転写
フィルム103を、プリプレグ101方向に加熱圧着
(ラミネート)する。このとき、好ましい態様では、加
熱によりプリプレグが軟化し、銅箔パターン102との
接着性が格段に向上する。このため、転写フィルムから
銅箔が剥離しやすくなる。このときの、加熱・加圧条件
としては、温度:130〜170℃、特に140〜16
0℃、圧力:4.9〜30MPa、特に9.8〜20MP
a、処理時間120〜180分間程度である。処理温度
が高すぎるとプリプレグの硬化が進みすぎて、それ自体
を多層化する際等に樹脂の流れが悪くなり、接着性が低
下してしまう。また、処理温度が低すぎるとパターンが
転写され難くなってくる。圧力が高すぎるとプリプレグ
に転写フィルムが貼り付いてしまい、剥離できなくな
る。圧力が低すぎると、パターンとフィルムとの間に樹
脂が流れ込んで、めっきが付着しなかったり、粗面化処
理や、エッチングができないなど、その後の工程で不具
合が生じてくる。Then, as shown in step D, the upper and lower transfer films 103 are heat-pressed (laminated) in the direction of the prepreg 101. At this time, in a preferred embodiment, the prepreg is softened by heating, and the adhesion to the copper foil pattern 102 is significantly improved. For this reason, the copper foil is easily peeled from the transfer film. The heating and pressurizing conditions at this time are as follows: temperature: 130 to 170 ° C., particularly 140 to 16 ° C.
0 ° C., pressure: 4.9 to 30 MPa, especially 9.8 to 20 MP
a, The processing time is about 120 to 180 minutes. If the treatment temperature is too high, the curing of the prepreg proceeds too much, and the flow of the resin becomes poor when the prepreg itself is multi-layered, and the adhesiveness is reduced. Further, if the processing temperature is too low, it becomes difficult to transfer the pattern. If the pressure is too high, the transfer film sticks to the prepreg and cannot be peeled off. If the pressure is too low, the resin will flow between the pattern and the film, and problems will occur in the subsequent steps, such as plating not attaching, roughening treatment and etching not being possible.
【0020】次に、図2の工程Eに示すように、転写フ
ィルム103を剥離すると、両面銅箔102付プリプレ
グ101が得られる。さらに、工程Fに示すように、必
要によりこのプリプレグ101を挟んで上下に他のプリ
プレグ101aを配置し、工程Gに示すようにプリプレ
グ101方向に加熱圧着(ラミネート)することによ
り、内部導体パターン102を有する積層基板が得られ
る。なお、一方の面にのみパターン転写した場合などに
は、他のプリプレグ101aも一方のパターン面にのみ
配置すればよい。Next, as shown in step E of FIG. 2, when the transfer film 103 is peeled off, a prepreg 101 with double-sided copper foil 102 is obtained. Further, as shown in a step F, another prepreg 101a is arranged above and below the prepreg 101 as necessary, and is heat-pressed (laminated) in the direction of the prepreg 101 as shown in a step G, whereby the internal conductor pattern 102 is formed. Is obtained. In the case where the pattern is transferred only to one surface, the other prepreg 101a may be arranged only on one pattern surface.
【0021】また、複数の構成層、具体的には2枚以上
の両面銅箔付プリプレグと、3枚以上のプリプレグを交
互に配置し、これらを一度に加熱加圧することにより、
ラミネートプレスしてもよい。このように、一度にラミ
ネートプレスすることにより、プレス回数を少なくする
ことができ、繰り返し加熱されることによる樹脂の劣化
を防止することができる。このときの、加熱・加圧条件
としては、温度:180〜210℃、特に190〜20
0℃、圧力:1〜2MPa、特に1.3〜1.5MPa、処
理時間60〜120分間程度である。Further, a plurality of constituent layers, specifically, two or more prepregs with double-sided copper foil and three or more prepregs are alternately arranged, and these are heated and pressurized at once.
A laminate press may be performed. As described above, by performing the laminating press at one time, the number of times of pressing can be reduced, and deterioration of the resin due to repeated heating can be prevented. The heating and pressurizing conditions at this time are as follows: temperature: 180 to 210 ° C, particularly 190 to 20 ° C.
0 ° C., pressure: 1 to 2 MPa, particularly 1.3 to 1.5 MPa, and treatment time is about 60 to 120 minutes.
【0022】本発明において、積層基板の基礎となるプ
リプレグを得るには、所定の配合比とした誘電体粉、磁
性体粉と樹脂、必要により難燃剤とを含み、溶剤に混練
してスラリー化したペーストを塗布して、乾燥(Bステ
ージ化)する工程に従う。この場合に用いられる溶剤は
揮発性溶剤が好ましく、極性中性溶媒が特に好ましく、
ペーストの粘度を調整し塗工しやすくする目的で用いら
れる。混練はボールミル、撹拌等により公知の方法によ
って行えばよい。ペーストを基材上に塗工することによ
り、プリプレグが得られる。In the present invention, in order to obtain a prepreg as a basis for a laminated substrate, a dielectric powder, a magnetic powder and a resin, if necessary, a flame retardant having a predetermined compounding ratio, and if necessary, a flame retardant, are kneaded with a solvent to form a slurry. The process is followed by applying the dried paste and drying (B-stage). The solvent used in this case is preferably a volatile solvent, particularly preferably a polar neutral solvent,
It is used for the purpose of adjusting the viscosity of the paste to facilitate coating. The kneading may be performed by a known method using a ball mill, stirring, or the like. The prepreg is obtained by applying the paste on the base material.
【0023】プリプレグの乾燥(Bステージ化)は、含
有する誘電体粉、磁性体粉、難燃剤の含有量などにより
適宜調整すればよい。乾燥、Bステージ化した後の厚み
は40μm 以下が好ましく、その用途や要求される特性
(パターン幅および精度、直流抵抗)等により最適な膜
厚に調整すればよい。The drying (B-stage) of the prepreg may be appropriately adjusted depending on the contents of the dielectric powder, the magnetic powder, the flame retardant and the like. The thickness after drying and B-stage formation is preferably 40 μm or less, and may be adjusted to an optimum film thickness in accordance with its use and required characteristics (pattern width and precision, DC resistance) and the like.
【0024】積層基板の構成層となる基板、およびプリ
プレグは、塗工法や、材料を混練し、固体状とした混練
物を成型することによっても得ることができる。The substrate to be a constituent layer of the laminated substrate and the prepreg can also be obtained by a coating method or by kneading materials to form a solid kneaded material.
【0025】混練は、ボールミル、撹拌、混練機などの
公知の方法で行えばよい。その際、必要により溶媒を用
いてもよい。また、必要に応じてペレット化、粉末化し
てもよい。The kneading may be performed by a known method such as a ball mill, stirring, and a kneader. At that time, a solvent may be used if necessary. Further, it may be pelletized or powdered as necessary.
【0026】この場合に得られるプリプレグの厚みとし
ては、40μm 以下である。プリプレグの厚みは、積層
基板の所望する板厚、積層数、誘電体粉、磁性体粉の含
有率に応じて適宜調整すればよい。The thickness of the prepreg obtained in this case is 40 μm or less. The thickness of the prepreg may be appropriately adjusted according to the desired thickness of the laminated substrate, the number of layers, and the content of the dielectric powder and the magnetic powder.
【0027】積層基板に用いられる構成層のうち、上記
方法により得られる構成層は、少なくとも誘電体粉、磁
性体粉のいずれかが樹脂中に分散され、かつガラスクロ
スを含有しない構成層を有し、この構成層の厚みを2〜
40μm としたものが好ましい。Among the constituent layers used for the laminated substrate, the constituent layers obtained by the above method have a constituent layer in which at least one of a dielectric powder and a magnetic powder is dispersed in a resin and does not contain glass cloth. And the thickness of this constituent layer is 2 to
Those having a thickness of 40 μm are preferred.
【0028】構成層の厚みは2〜40μm 、好ましくは
5〜35μm 、より好ましくは10〜30μm である。
構成層の厚みが厚くなると、積層基板自体の厚みが増
し、小型、薄型の電子部品を得られ難くなる。また、コ
ンデンサを形成したときに、所望の容量が得られ難くな
る。厚みが薄すぎると強度が低下し、形状を保持するこ
とが困難になってくる。The thickness of the constituent layer is 2 to 40 μm, preferably 5 to 35 μm, more preferably 10 to 30 μm.
As the thickness of the constituent layers increases, the thickness of the laminated substrate itself increases, and it becomes difficult to obtain small and thin electronic components. Further, when a capacitor is formed, it becomes difficult to obtain a desired capacity. If the thickness is too thin, the strength is reduced, and it becomes difficult to maintain the shape.
【0029】導電体層の転写に用いられる転写フィルム
としては、特に限定されるものではなく、エッチング工
程に耐えうる強度と化学的安定性を有し、導電体層の転
写に必要な接着性、剥離性を有するものであればよい。
具体的には、樹脂フィルム等の支持体上に、接着層を有
する構造のものがよい。The transfer film used for the transfer of the conductor layer is not particularly limited, and has a strength and a chemical stability that can withstand the etching step. Any material having releasability may be used.
Specifically, a structure having an adhesive layer on a support such as a resin film is preferable.
【0030】支持体は、例えば、ポリテトラフルオロエ
チレン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロ
ピレンコポリマー、テトラフルオロエチレン−パーフロ
ロアルキルビニルエーテルコポリマー、テトラフルオロ
エチレン−エチレンコポリマー、ポリクロロトリフルオ
ロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル
などのフッ素樹脂からなるプラスチックフィルム、ポリ
エチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリスチ
レンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエステル
フィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィ
ルム、ポリサルフォンフィルム、ポリエーテルサルフォ
ンフィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフ
ィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリフェニレン
スルフィドフィルムなどの公知のプラスチックフィルム
が挙げられる。The support may be, for example, polytetrafluoroethylene, tetrafluoroethylene-hexafluoropropylene copolymer, tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer, tetrafluoroethylene-ethylene copolymer, polychlorotrifluoroethylene, polyvinylidene fluoride, Plastic film made of fluororesin such as polyvinyl fluoride, polyethylene film, polypropylene film, polystyrene film, polyvinyl chloride film, polyester film, polycarbonate film, polyimide film, polysulfone film, polyethersulfone film, polyamide film, polyamideimide film , Polyetherketone film, polyphenylene sulfide fill Include known plastic films such as.
【0031】なかでも、ポリエチレンテレフタレート
(PET)フィルム、二軸延伸ポリプロピレン(OP
P)フィルム、メチルペンテンコポリマー(PTX)フ
ィルム、フッ素樹脂フィルムなどが好ましい。なお、フ
ッ素樹脂フィルムは、フッ化エチレン(1F)、3フッ
化エチレン(3F)および4フッ化エチレン(4F)か
らなるフィルムが好ましい。Among them, polyethylene terephthalate (PET) film, biaxially oriented polypropylene (OP)
P) films, methylpentene copolymer (PTX) films, fluororesin films and the like are preferred. Note that the fluororesin film is preferably a film made of ethylene fluoride (1F), ethylene trifluoride (3F), and ethylene tetrafluoride (4F).
【0032】これらプラスチックフィルムは、その厚み
が約10μm〜200μm、特に約15μm〜150μ
mであることが好ましい。These plastic films have a thickness of about 10 μm to 200 μm, especially about 15 μm to 150 μm.
m is preferable.
【0033】接着層は、特に加熱によりその接着力が低
下する特性を有することが望ましい。このような接着層
として、母材となるベースポリマー中に発泡剤を配合し
て構成され、加熱により発泡剤が発泡することにより、
接着力が低減または消失する特性を有するものが挙げら
れる。ベースポリマーは、具体的には高弾性ポリマーか
らなり、特に動的弾性率が常温から150℃において5
0万〜1000万μN/cm2 、好ましくは50万〜80
0万μN/cm2 の範囲内にあるものが好ましい。前記の
動的弾性率が50万μN/cm2 未満では常温での接着力
が大きくて貼り直し性に劣り、加熱処理による接着力の
低下性に乏しく、接着力が上昇する場合もある。一方、
動的弾性率が1000万μN/cm2 を超えると常温での
接着力に乏しく、加熱処理時に発泡剤の膨脹ないし発泡
が抑制されて接着力が満足に低下しない。It is desirable that the adhesive layer has a characteristic that its adhesive strength is reduced particularly by heating. As such an adhesive layer, a foaming agent is compounded in a base polymer serving as a base material, and the foaming agent foams by heating.
One having the property of reducing or eliminating the adhesive force is given. The base polymer is specifically composed of a highly elastic polymer, and particularly has a dynamic elastic modulus of 5 at normal temperature to 150 ° C.
100,000 to 10,000,000 μN / cm 2 , preferably 500,000 to 80
Those in the range of 100,000 μN / cm 2 are preferred. When the dynamic elastic modulus is less than 500,000 μN / cm 2 , the adhesive strength at room temperature is large and the re-adhesiveness is poor, and the adhesive strength by heat treatment is poor, and the adhesive strength may increase. on the other hand,
If the dynamic elastic modulus exceeds 10 million μN / cm 2 , the adhesive strength at room temperature is poor, and the expansion or foaming of the foaming agent is suppressed during the heat treatment, and the adhesive strength does not decrease satisfactorily.
【0034】さらに高弾性ポリマーは、常温から150
℃における動的弾性率の変化率が小さいものが好まし
い。その変化程度は5倍以内、特に3倍以内が好まし
い。高弾性ポリマーを形成するモノマー成分等について
は特に限定はない。アクリル系感圧接着剤、ゴム系感圧
接着剤、スチレン・共役ジエンブロック共重合体系感圧
接着剤など、公知の感圧接着剤の調製に用いられるモノ
マー成分のいずれも用いることができる。Further, the high elasticity polymer can be used at room temperature to 150
It is preferable that the change rate of the dynamic elastic modulus at a temperature of ° C is small. The degree of the change is preferably within 5 times, particularly preferably within 3 times. There is no particular limitation on the monomer components forming the high elasticity polymer. Any of the monomer components used in the preparation of known pressure-sensitive adhesives such as an acrylic pressure-sensitive adhesive, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, and a styrene / conjugated diene block copolymer-based pressure-sensitive adhesive can be used.
【0035】その具体例としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、ブチル基、2−エチルヘキシル基、イ
ソオクチル基、イソノニル基、イソデシル基、ドデシル
基、ラウリル基、トリデシル基、ペンタデシル基、ヘキ
サデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデ
シル基、エイコシル基の如き通例、炭素数が20以下の
アルキル基を有するアクリル酸ないしメタクリル酸の如
きアクリル酸系アルキルエステル、アクリル酸、メタク
リル酸、イタコン酸、アクリル酸ヒドロキシエチル、メ
タクリル酸ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプ
ロピル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、N−メチロ
ールアクリルアミド、アクリロニトリル、メタクリロニ
トリル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジ
ル、酢酸ビニル、スチレン、イソプレン、ブタジエン、
イソブチレン、ビニルエーテルなどがあげられる。ま
た、上記した高弾性ポリマーの条件を満足する天然ゴム
や再生ゴムなどもベースポリマーに用いることができ
る。Specific examples thereof include methyl, ethyl, propyl, butyl, 2-ethylhexyl, isooctyl, isononyl, isodecyl, dodecyl, lauryl, tridecyl, pentadecyl, hexadecyl, Acrylic acid-based alkyl esters such as acrylic acid or methacrylic acid having an alkyl group having 20 or less carbon atoms, such as heptadecyl group, octadecyl group, nonadecyl group, and eicosyl group; Ethyl, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl acrylate, hydroxypropyl methacrylate, N-methylolacrylamide, acrylonitrile, methacrylonitrile, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, vinyl acetate, vinyl acetate Ren, isoprene, butadiene,
Isobutylene, vinyl ether and the like. In addition, natural rubber, recycled rubber, or the like that satisfies the conditions for the above-described high elasticity polymer can also be used as the base polymer.
【0036】発泡剤は、種々の無機系や有機系の発泡剤
を用いることができ、その配合量は接着力を低下させる
程度に応じて適宜に決定してよい。一般には、ベースポ
リマー100重量部あたり1〜100重量部、好ましく
は5〜50重量部、特に10〜40重量部配合される。As the foaming agent, various inorganic or organic foaming agents can be used, and the amount of the foaming agent may be appropriately determined according to the degree of reducing the adhesive strength. Generally, it is blended in an amount of 1 to 100 parts by weight, preferably 5 to 50 parts by weight, especially 10 to 40 parts by weight per 100 parts by weight of the base polymer.
【0037】無機系発泡剤の代表例としては、炭酸アン
モニウム、炭酸水素アンモニウム、炭酸水素ナトリウ
ム、亜硝酸アンモニウム、水素化ホウ素ナトリウム、ア
ジド類などがあげられる。Representative examples of the inorganic foaming agent include ammonium carbonate, ammonium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, ammonium nitrite, sodium borohydride, azides and the like.
【0038】有機系発泡剤の代表例としては、水、トリ
クロロモノフルオロメタンやジクロロモノフルオロメタ
ン等の塩フッ化アルカン、アゾビスイソブチロニトリル
やアゾジカルボンアミド、バリウムアゾジカルボキシレ
ート等のアゾ系化合物、パラトルエンスルホニルヒドラ
ジドやジフェニルスルホン−3,3′−ジスルホニルヒ
ドラジド、4,4′−オキシビス(ベンゼンスルホニル
ヒドラジド)、アリルビス(スルホニルヒドラジド)等
のヒドラジン系化合物、p−トルイレンスルホニルセミ
カルバジドや4,4′−オキシビス(ベンゼンスルホニ
ルセミカルバジド)の如きセミカルバジド系化合物、5
−モルホリル−1,2,3,4−チアトリアゾールの如
きトリアゾール系化合物、N,N′−ジニトロソペンタ
メチレンテトラミンやN,N′−ジメチル−N,N′−
ジニトロソテレフタルアミド等のN−ニトロソ系化合物
などがあげられる。発泡剤をマイクロカプセル化した熱
膨張性微粒子は、混合操作が容易であるなどの点により
好ましく用いられる。熱膨張性粒子には、マイクロスフ
ェア(商品名、松本油脂社製)などの市販品もある。な
お本発明においては、必要に応じて発泡助剤を添加して
もよい。なお本発明で用いる接着層の詳細は、熱剥離性
粘着剤等として、特願平3−228861号および特願
平5−226527号に記載されている。Representative examples of organic foaming agents include water, chloroalkanes such as trichloromonofluoromethane and dichloromonofluoromethane, azobisisobutyronitrile, azodicarbonamide, and azo such as barium azodicarboxylate. Compounds, hydrazine compounds such as paratoluenesulfonylhydrazide, diphenylsulfone-3,3'-disulfonylhydrazide, 4,4'-oxybis (benzenesulfonylhydrazide), allylbis (sulfonylhydrazide), p-toluylenesulfonyl semicarbazide, Semicarbazide compounds such as 4,4'-oxybis (benzenesulfonylsemicarbazide);
-Triazole compounds such as morpholyl-1,2,3,4-thiatriazole, N, N'-dinitrosopentamethylenetetramine and N, N'-dimethyl-N, N'-
And N-nitroso compounds such as dinitrosoterephthalamide. The heat-expandable microparticles in which a foaming agent is microencapsulated are preferably used because the mixing operation is easy. The thermally expandable particles include commercially available products such as microspheres (trade name, manufactured by Matsumoto Yushi Co., Ltd.). In the present invention, a foaming aid may be added as necessary. The details of the adhesive layer used in the present invention are described in Japanese Patent Application Nos. 3-22861 and 5-226527 as a heat-peelable pressure-sensitive adhesive.
【0039】接着層の厚みとしては、特に限定されるも
のではないが、好ましくは100μm 以下、より好まし
くは40μm 以下である。また、その下限としては、2
0μm 程度である。接着層が厚すぎると発泡した面の凹
凸が大きく、パターンがよれてしまう。このため転写時
に皺がよってしまい正規のパターンが得られない。The thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but is preferably 100 μm or less, more preferably 40 μm or less. The lower limit is 2
It is about 0 μm. If the adhesive layer is too thick, the unevenness of the foamed surface is large, and the pattern is distorted. For this reason, wrinkles are formed at the time of transfer, and a regular pattern cannot be obtained.
【0040】本発明の積層基板の構成層に用いられる樹
脂は、特に限定されるものではなく、成形性、加工性、
積層時の接着性、電気的特性に優れた樹脂材料の中から
適宜選択して用いることができる。具体的には、熱硬化
性樹脂、熱可塑性樹脂等が好ましい。The resin used for the constituent layers of the laminated substrate of the present invention is not particularly limited, and the moldability, workability,
It can be appropriately selected from resin materials having excellent adhesiveness and electrical characteristics at the time of lamination. Specifically, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like is preferable.
【0041】熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フ
ェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステ
ル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル(オ
キサイド)樹脂、ビスマレイミドトリアジン(シアネー
トエステル)樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹
脂、ポリビニルベンジルエーテル樹脂等が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、芳香族ポリエステル樹脂、ポリ
フェニレンサルファイド樹脂、ポリエチレンテレフタレ
ート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチ
レンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹
脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、グラフト樹脂等
が挙げられる。これらのなかでも、特にフェノール樹
脂、エポキシ樹脂、低誘電率エポキシ樹脂、ポリブタジ
エン樹脂、BTレジン、ポリビニルベンジルエーテル樹
脂等が、ベースレジンとして好ましい。As the thermosetting resin, epoxy resin, phenol resin, unsaturated polyester resin, vinyl ester resin, polyimide resin, polyphenylene ether (oxide) resin, bismaleimide triazine (cyanate ester) resin, fumarate resin, polybutadiene resin, Polyvinyl benzyl ether resin and the like.
Examples of the thermoplastic resin include an aromatic polyester resin, a polyphenylene sulfide resin, a polyethylene terephthalate resin, a polybutylene terephthalate resin, a polyethylene sulfide resin, a polyether ether ketone resin, a polytetrafluoroethylene resin, and a graft resin. Among them, phenol resin, epoxy resin, low dielectric constant epoxy resin, polybutadiene resin, BT resin, polyvinyl benzyl ether resin and the like are particularly preferable as the base resin.
【0042】これらの樹脂は、単独で用いてもよいし、
2種以上を混合して用いてもよい。2種以上を混合して
用いる場合の混合比は任意である。These resins may be used alone,
You may mix and use 2 or more types. When two or more kinds are used in combination, the mixing ratio is arbitrary.
【0043】本発明に用いる誘電体粉は、セラミクス粉
末が好ましく、高周波数帯域において、分散媒となる樹
脂よりも大きい比誘電率とQを持つセラミクス粉末であ
ればよく、2種類以上用いてもよい。The dielectric powder used in the present invention is preferably a ceramic powder, and may be any ceramic powder having a higher relative dielectric constant and Q than the resin serving as the dispersion medium in a high frequency band. Good.
【0044】特に本発明に用いるセラミクス粉末は、測
定周波数1〜2GHzにおける比誘電率が10〜2000
0、誘電正接が0.05以下のものを使用することが好
ましい。In particular, the ceramic powder used in the present invention has a relative dielectric constant of 10 to 2000 at a measurement frequency of 1 to 2 GHz.
It is preferable to use those having 0 and a dielectric loss tangent of 0.05 or less.
【0045】比較的高い誘電率を得るためには、特に以
下の材料を用いることが好ましい。チタン−バリウム−
ネオジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系
セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化
チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミック
ス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウ
ム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミック
ス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネ
シウム系セラミックス、CaWO4 系セラミックス、B
a(Mg,Nb)O3 系セラミックス、Ba(Mg,T
a)O3 系セラミックス、Ba(Co,Mg,Nb)O
3 系セラミックス、Ba(Co,Mg,Ta)O3 系セ
ラミックス。なお、二酸化チタン系セラミックスとは、
二酸化チタンのみを含有するもののほか、他の少量の添
加物を含有するものも含み、二酸化チタンの結晶構造が
保持されているものをいう。また、他のセラミックスも
同様である。特に、二酸化チタン系セラミックスは、ル
チル構造を有するものが好ましい。In order to obtain a relatively high dielectric constant, it is particularly preferable to use the following materials. Titanium-barium-
Neodymium ceramics, titanium-barium-tin ceramics, lead-calcium ceramics, titanium dioxide ceramics, barium titanate ceramics, lead titanate ceramics, strontium titanate ceramics, calcium titanate ceramics, bismuth titanate Ceramics, magnesium titanate ceramics, CaWO 4 ceramics, B
a (Mg, Nb) O 3 ceramics, Ba (Mg, T
a) O 3 ceramics, Ba (Co, Mg, Nb) O
3 type ceramics, Ba (Co, Mg, Ta) O 3 type ceramics. In addition, titanium dioxide ceramics
In addition to those containing only titanium dioxide, those containing other small amounts of additives include those in which the crystal structure of titanium dioxide is maintained. The same applies to other ceramics. In particular, the titanium dioxide ceramic preferably has a rutile structure.
【0046】誘電率をあまり高くせずに、高いQを得る
ためには以下の材料を用いることが好ましい。In order to obtain a high Q without increasing the dielectric constant too much, it is preferable to use the following materials.
【0047】シリカ、アルミナ、ジルコニア、チタン酸
カリウムウイスカ、チタン酸カルシウムウイスカ、チタ
ン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛ウイスカ、ガラスチョ
ップ、ガラスビーズ、カーボン繊維、酸化マグネシウム
(タルク)。Silica, alumina, zirconia, potassium titanate whiskers, calcium titanate whiskers, barium titanate whiskers, zinc oxide whiskers, glass chops, glass beads, carbon fibers, magnesium oxide (talc).
【0048】これらは単独で用いてもよいし2種以上を
混合して用いてもよい。2種以上を混合して用いる場
合、その混合比は任意である。These may be used alone or as a mixture of two or more. When two or more kinds are used in combination, the mixing ratio is arbitrary.
【0049】具体的には、比較的高い誘電率を必要とし
ない場合には以下の材料が好ましい。Specifically, the following materials are preferable when a relatively high dielectric constant is not required.
【0050】Mg2SiO4[ε=7、Q=20000:
測定周波数1GHz以下同じ]、Al 2O3[ε=9.8、
Q=40000]、MgTiO3[ε=17、Q=22
000]、ZnTiO3[ε=26、Q=800]、Z
n2TiO4[ε=15、Q=700]、TiO2[ε=
104、Q=15000]、CaTiO3[ε=17
0、Q=1800]、SrTiO3[ε=255、Q=
700]、SrZrO3[ε=30、Q=1200]、
BaTiO3[ε=1500〜20000]、BaTi2
O5[ε=42、Q=5700]、BaTi4O9[ε=
38、Q=9000]、Ba2Ti9O20[ε=39、Q
=9000]、Ba2(Ti,Sn)9O20[ε=37、
Q=5000]、ZrTiO4[ε=39、Q=700
0]、(Zr,Sn)TiO4[ε=38、Q=700
0]、BaNd2Ti5O14[ε=83、Q=210
0]、BaSm2Ti5O14[ε=74、Q=240
0]、Bi2O3−BaO−Nd2O3−TiO2系[ε=
88、Q=2000]、PbO−BaO−Nd2O3−T
iO2系[ε=90、Q=5200]、(Bi2O3、P
bO)−BaO−Nd2O3−TiO2系[ε=105、
Q=2500]、La2Ti2O7[ε=44、Q=40
00]、Nd2Ti2O7[ε=37、Q=1100]、
(Li,Sm)TiO3[ε=81、Q=2050]、
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3[ε=25、Q=3500
0]、Ba(Zn1/3Ta2/3)O3[ε=30、Q=1
4000]、Ba(Zn1/3Nb2/3)O3[ε=41、
Q=9200]、Ba(Mg1/2W1/2)O3[ε=2
0、Q=130000]、Ba(Mg1/3Cr2/3)O3
[ε=18、Q=115000]、Ba(Mg1/3Nb
2/3)O3[ε=32、Q=115000]、(Sr0.6
Ba0.4)(Ga1/2Ta1/2)O3[ε=29、Q=11
5000]、Ca(Ga1/2Ta1/2)O3[ε=31、
Q=99400]、Sr(Zn1/3Nb2/3)O3[ε=
40、Q=4000]、BaWO4[ε=8、Q=22
50]、MgSiO3[ε=6、Q=2500]、3(A
l2O3)(SiO2)[ε=7.8、Q=250]、Ba
(ZrTi)O3[ε=38、Q=48800]、Ba
ZrO3[ε=40、Q=1400]、(SrCa)
(TiSn)O3[ε=40、Q=72000]、Sn
O2−TiO2[ε=43、Q=31500]、Sm(T
iSn)NbO6[ε=46、Q=31300]、Nd
(TiZr)NbO6[ε=50、Q=27600]、
Nd(TiSn)NbO6[ε=50、Q=2760
0]、Sr2Nb2O7[ε=52、Q=700]、(B
aSr)5Nb4O15[ε=50、Q=3500]、Ba
2(TiMnNi)9O20[ε=50、Q=3760
0]、(SrCa)TiO3−La(ZnMgTi)O3
[ε=60、Q=25100]、MgTiO3−CaT
iO3[ε=21、Q=45000]、Ca(FeNb
Ti)O3[ε=69、Q=4000]、Ba(SmL
a)2Ti5O14[ε=75、Q=9500]、Ba(S
mLaCe)2Ti5O14[ε=76、Q=9500]、
(BaSr)Sm2Ti5O14[ε=80、Q=1110
0]、BaNd2(TiMn)5O14[ε=77、Q=1
0200]、Ba(SmNd)2Ti5O14[ε=77、
Q=9000]、Ba(NdSmLaBi)2Ti5O14
[ε=90、Q=7500]、Ba(NdBi)2(T
iAl)5O14[ε=92、Q=5600]、Ba(N
dBi)2Ti5O14[ε=93、Q=5000]、(B
aPb)Nd2Ti5O14[ε=93、Q=5300]、
(BaPb)(NdSmBi)2Ti5O14[ε=15
3、Q=800]、Ba(NdSmBi)2Ti5O
14[ε=147、Q=1100]、Ba(NdGd)2
(TiAl)5O14[ε=82、Q=5400]、(B
aPb)(NdSmBiMg)2Ti5O14[ε=10
7、Q=2900]、(BaPb)(NdBi)2Ti5
O14[ε=110、Q=2500]、Ba(NdGdB
i)2Ti5O14[ε=115、Q=2900]、Ba
(LaSmBi)2(TiZr)5O14[ε=117、Q
=3100]、Ba(NdGdBi)2Ti5O14[ε=
140、Q=1000]、(BaPb)(NdCeL
a)2Ti5O14[ε=98、Q=5400]、CaSm
2Ti5O14[ε=141、Q=3200]、CaNd2
Ti5O14[ε=143、Q=3200]、CaY2Ti
5O14[ε=137、Q=3200]、CaGd2Ti5
O14[ε=138、Q=3200]、CaEu2Ti5O
14[ε=139、Q=3200]、CaPr2Ti5O14
[ε=140、Q=3200]、(BaSrPb)(M
gTa)O3[ε=125、Q=2000]、Pb(Z
rCe)O3[ε=140、Q=2600]、Sr(Z
nNb)O3[ε=40、Q=36800]、Ca(F
eNb)O3[ε=40、Q=20000]、Ba(Z
nNb)O3[ε=41、Q=86900]、Ba(N
dNb)O3[ε=42、Q=15600]、Ca(N
iNbTi)O3[ε=55、Q=12000]、Ca
(CaNbTi)O3[ε=55、Q=35000]、
(PbCa)ZrO3[ε=118、Q=3200]、
(PbCa)HfO3[ε=100、Q=4700]、
(PbCa)(MgZr)O3[ε=143、Q=15
00]、(PbCa)(MgNb)O3[ε=86、Q
=4100]、(PbCa)(ZrTiSn)O3[ε
=137、Q=1700]、(PbCa)(FeNbT
i)O3[ε=132、Q=2800]、(PbCa)
(FeNbW)O3[ε=96、Q=3800]、(P
bCa)(CrNb)O3[ε=48、Q=360
0]、(PbCa)(NiNb)O3[ε=73、Q=
5100]、(PbCa)(CoNb)O3[ε=7
5、Q=1400]、(PbCa)(FeNb)O
3[ε=104、Q=3900]、(PbCa)(Zr
Sn)O3[ε=146、Q=1400]、(PbC
a)(MgNiNb)O3[ε=116、Q=180
0]、(PbCa)(FeTaNb)O3[ε=11
8、Q=1500]、(PbCa)(FeNbZr)O
3[ε=144、Q=1600]、(PbCa)(Ni
NbZr)O3[ε=147、Q=500]、(PbC
a)(MgNbZr)O3[ε=151、Q=100
0]、(PbCa)(FeNbW)O3[ε=152、
Q=1300]、(PbSr)(ZnNb)O3[ε=
141、Q=1000]、(PbSrCa)(FeTa
Nb)O3[ε=115、Q=3100]、(BaSr
CaPb)(ZnTaNb)O3[ε=85、Q=80
00]、(BaSrPb)(MgTaNb)O3[ε=
90、Q=6000]、(NdSr)TiO3[ε=2
20、Q=6000]、(SrCa)TiO3[ε=2
66、Q=1100]、SrSnO3[ε=129、Q
=1200]、(SrCa)3Ti 2O3[ε=77、Q
=10200]、(BaCa)TiO3、Ba(TiS
n)O3[ε=1500〜10000]、(PbSr)
TiO3[ε=300〜400]、Pb(ZnNb)O3
−Pb(FeW)O3[ε=24000]、Pb系複合
ペロブスカイト[ε=数万]等。MgTwoSiOFour[Ε = 7, Q = 20,000:
Measurement frequency 1 GHz or less the same], Al TwoOThree[Ε = 9.8,
Q = 40000], MgTiOThree[Ε = 17, Q = 22
000], ZnTiOThree[Ε = 26, Q = 800], Z
nTwoTiOFour[Ε = 15, Q = 700], TiOTwo[Ε =
104, Q = 15000], CaTiOThree[Ε = 17
0, Q = 1800], SrTiOThree[Ε = 255, Q =
700], SrZrOThree[Ε = 30, Q = 1200],
BaTiOThree[Ε = 1500-20,000], BaTiTwo
OFive[Ε = 42, Q = 5700], BaTiFourO9[Ε =
38, Q = 9000], BaTwoTi9O20[Ε = 39, Q
= 9000], BaTwo(Ti, Sn)9O20[Ε = 37,
Q = 5000], ZrTiOFour[Ε = 39, Q = 700
0], (Zr, Sn) TiOFour[Ε = 38, Q = 700
0], BaNdTwoTiFiveO14[Ε = 83, Q = 210
0], BaSmTwoTiFiveO14[Ε = 74, Q = 240
0], BiTwoOThree-BaO-NdTwoOThree-TiOTwoThe system [ε =
88, Q = 2000], PbO-BaO-NdTwoOThree-T
iOTwoThe system [ε = 90, Q = 5200], (BiTwoOThree, P
bO) -BaO-NdTwoOThree-TiOTwoThe system [ε = 105,
Q = 2500], LaTwoTiTwoO7[Ε = 44, Q = 40
00], NdTwoTiTwoO7[Ε = 37, Q = 1100],
(Li, Sm) TiOThree[Ε = 81, Q = 2050],
Ba (Mg1/3Ta2/3) OThree[Ε = 25, Q = 3500
0], Ba (Zn1/3Ta2/3) OThree[Ε = 30, Q = 1
4000], Ba (Zn1/3Nb2/3) OThree[Ε = 41,
Q = 9200], Ba (Mg1/2W1/2) OThree[Ε = 2
0, Q = 1300,000], Ba (Mg1/3Cr2/3) OThree
[Ε = 18, Q = 115000], Ba (Mg1/3Nb
2/3) OThree[Ε = 32, Q = 115000], (Sr0.6
Ba0.4) (Ga1/2Ta1/2) OThree[Ε = 29, Q = 11
5000], Ca (Ga1/2Ta1/2) OThree[Ε = 31,
Q = 99400], Sr (Zn1/3Nb2/3) OThree[Ε =
40, Q = 4000], BaWOFour[Ε = 8, Q = 22
50], MgSiOThree[Ε = 6, Q = 2500], 3 (A
lTwoOThree) (SiOTwo) [Ε = 7.8, Q = 250], Ba
(ZrTi) OThree[Ε = 38, Q = 48800], Ba
ZrOThree[Ε = 40, Q = 1400], (SrCa)
(TiSn) OThree[Ε = 40, Q = 72000], Sn
OTwo-TiOTwo[Ε = 43, Q = 31500], Sm (T
iSn) NbO6[Ε = 46, Q = 31300], Nd
(TiZr) NbO6[Ε = 50, Q = 27600],
Nd (TiSn) NbO6[Ε = 50, Q = 2760
0], SrTwoNbTwoO7[Ε = 52, Q = 700], (B
aSr)FiveNbFourO15[Ε = 50, Q = 3500], Ba
Two(TiMnNi)9O20[Ε = 50, Q = 3760
0], (SrCa) TiOThree-La (ZnMgTi) OThree
[Ε = 60, Q = 25100], MgTiOThree-CaT
iOThree[Ε = 21, Q = 45000], Ca (FeNb
Ti) OThree[Ε = 69, Q = 4000], Ba (SmL
a)TwoTiFiveO14[Ε = 75, Q = 9500], Ba (S
mLaCe)TwoTiFiveO14[Ε = 76, Q = 9500],
(BaSr) SmTwoTiFiveO14[Ε = 80, Q = 1110
0], BaNdTwo(TiMn)FiveO14[Ε = 77, Q = 1
0200], Ba (SmNd)TwoTiFiveO14[Ε = 77,
Q = 9000], Ba (NdSmLaBi)TwoTiFiveO14
[Ε = 90, Q = 7500], Ba (NdBi)Two(T
iAl)FiveO14[Ε = 92, Q = 5600], Ba (N
dBi)TwoTiFiveO14[Ε = 93, Q = 5000], (B
aPb) NdTwoTiFiveO14[Ε = 93, Q = 5300],
(BaPb) (NdSmBi)TwoTiFiveO14[Ε = 15
3, Q = 800], Ba (NdSmBi)TwoTiFiveO
14[Ε = 147, Q = 1100], Ba (NdGd)Two
(TiAl)FiveO14[Ε = 82, Q = 5400], (B
aPb) (NdSmBiMg)TwoTiFiveO14[Ε = 10
7, Q = 2900], (BaPb) (NdBi)TwoTiFive
O14[Ε = 110, Q = 2500], Ba (NdGdB
i)TwoTiFiveO14[Ε = 115, Q = 2900], Ba
(LaSmBi)Two(TiZr)FiveO14[Ε = 117, Q
= 3100], Ba (NdGdBi)TwoTiFiveO14[Ε =
140, Q = 1000], (BaPb) (NdCeL
a)TwoTiFiveO14[Ε = 98, Q = 5400], CaSm
TwoTiFiveO14[Ε = 141, Q = 3200], CaNdTwo
TiFiveO14[Ε = 143, Q = 3200], CaYTwoTi
FiveO14[Ε = 137, Q = 3200], CaGdTwoTiFive
O14[Ε = 138, Q = 3200], CaEuTwoTiFiveO
14[Ε = 139, Q = 3200], CaPrTwoTiFiveO14
[Ε = 140, Q = 3200], (BaSrPb) (M
gTa) OThree[Ε = 125, Q = 2000], Pb (Z
rCe) OThree[Ε = 140, Q = 2600], Sr (Z
nNb) OThree[Ε = 40, Q = 36800], Ca (F
eNb) OThree[Ε = 40, Q = 20,000], Ba (Z
nNb) OThree[Ε = 41, Q = 86900], Ba (N
dNb) OThree[Ε = 42, Q = 15600], Ca (N
iNbTi) OThree[Ε = 55, Q = 12000], Ca
(CaNbTi) OThree[Ε = 55, Q = 35000],
(PbCa) ZrOThree[Ε = 118, Q = 3200],
(PbCa) HfOThree[Ε = 100, Q = 4700],
(PbCa) (MgZr) OThree[Ε = 143, Q = 15
00], (PbCa) (MgNb) OThree[Ε = 86, Q
= 4100], (PbCa) (ZrTiSn) OThree[Ε
= 137, Q = 1700], (PbCa) (FeNbT
i) OThree[Ε = 132, Q = 2800], (PbCa)
(FeNbW) OThree[Ε = 96, Q = 3800], (P
bCa) (CrNb) OThree[Ε = 48, Q = 360
0], (PbCa) (NiNb) OThree[Ε = 73, Q =
5100], (PbCa) (CoNb) OThree[Ε = 7
5, Q = 1400], (PbCa) (FeNb) O
Three[Ε = 104, Q = 3900], (PbCa) (Zr
Sn) OThree[Ε = 146, Q = 1400], (PbC
a) (MgNiNb) OThree[Ε = 116, Q = 180
0], (PbCa) (FeTaNb) OThree[Ε = 11
8, Q = 1500], (PbCa) (FeNbZr) O
Three[Ε = 144, Q = 1600], (PbCa) (Ni
NbZr) OThree[Ε = 147, Q = 500], (PbC
a) (MgNbZr) OThree[Ε = 151, Q = 100
0], (PbCa) (FeNbW) OThree[Ε = 152,
Q = 1300], (PbSr) (ZnNb) OThree[Ε =
141, Q = 1000], (PbSrCa) (FeTa
Nb) OThree[Ε = 115, Q = 3100], (BaSr
CaPb) (ZnTaNb) OThree[Ε = 85, Q = 80
00], (BaSrPb) (MgTaNb) OThree[Ε =
90, Q = 6000], (NdSr) TiOThree[Ε = 2
20, Q = 6000], (SrCa) TiOThree[Ε = 2
66, Q = 1100], SrSnOThree[Ε = 129, Q
= 1200], (SrCa)ThreeTi TwoOThree[Ε = 77, Q
= 10200], (BaCa) TiOThree, Ba (TiS
n) OThree[Ε = 1500-10000], (PbSr)
TiOThree[Ε = 300-400], Pb (ZnNb) OThree
-Pb (FeW) OThree[Ε = 24000], Pb-based composite
Perovskite [ε = tens of thousands] and the like.
【0051】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
るものである。TiO2、CaTiO3、SrTiO3、
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3、Ba(Zn1/3Ta2/3)
O3、Sr(Zn1/3Nb2/3)O3、Al2O3、MgTi
O3、Nd2Ti2O7、MgTiO3−CaTiO3、Ba
Sm2Ti5O14、BaNd2Ti 5O14、BaO−Nd2
O3−TiO2系、Bi2O3−BaO−Nd2O3−TiO
2系、BaTiO3、BaTi2O5、BaTi4O9、Ba
2Ti9O20、(BaCa)TiO3、(BaSr)Ti
O3、Ba(TiSn)O3、Ba(TiZr)O3、B
a2(Ti,Sn)9O20系、MgO−TiO2系、Zn
O−TiO2系、MgO−SiO2系、Al2O3 等。More preferably, the following composition is a main component.
Things. TiOTwo, CaTiOThree, SrTiOThree,
Ba (Mg1/3Ta2/3) OThree, Ba (Zn1/3Ta2/3)
OThree, Sr (Zn1/3Nb2/3) OThree, AlTwoOThree, MgTi
OThree, NdTwoTiTwoO7, MgTiOThree-CaTiOThree, Ba
SmTwoTiFiveO14, BaNdTwoTi FiveO14, BaO-NdTwo
OThree-TiOTwoSystem, BiTwoOThree-BaO-NdTwoOThree-TiO
TwoSystem, BaTiOThree, BaTiTwoOFive, BaTiFourO9, Ba
TwoTi9O20, (BaCa) TiOThree, (BaSr) Ti
OThree, Ba (TiSn) OThree, Ba (TiZr) OThree, B
aTwo(Ti, Sn)9O20System, MgO-TiOTwoSystem, Zn
O-TiOTwoSystem, MgO-SiOTwoSystem, AlTwoOThree etc.
【0052】一方、比較的高い誘電率を必要とする場合
には以下の材料が好ましい。On the other hand, when a relatively high dielectric constant is required, the following materials are preferable.
【0053】BaTiO3[ε=1500:測定周波数
1GHz以下同じ]、(Ba,Pb)TiO3系[ε=6
000]、Ba(Ti,Zr)O3系[ε=9000]
(Ba,Sr)TiO3系[ε=7000]。BaTiO 3 [ε = 1500: measurement frequency 1 GHz or less the same], (Ba, Pb) TiO 3 [ε = 6
000], Ba (Ti, Zr) O 3 system [ε = 9000]
(Ba, Sr) TiO 3 [ε = 7000].
【0054】より好ましくは、以下の組成を主成分とす
る誘電体の粉末から選択される。BaTiO3、Ba
(Ti,Zr)O3系。More preferably, it is selected from dielectric powders having the following compositions as main components. BaTiO 3 , Ba
(Ti, Zr) O 3 system.
【0055】セラミクス粉末は単結晶や多結晶の粉末で
もよい。The ceramic powder may be a single crystal or polycrystal powder.
【0056】セラミクス粉末の含有量は、樹脂とセラミ
クス粉末との合計量を100体積%としたとき、セラミ
クス粉末の含有量は10体積%以上65体積%未満であ
り、好ましくは20体積%以上60体積%以下の範囲で
ある。The content of the ceramic powder is 10% by volume or more and less than 65% by volume, preferably 20% by volume or more and 60% by volume, when the total amount of the resin and the ceramics powder is 100% by volume. It is in the range of not more than% by volume.
【0057】セラミクス粉末が65体積%以上であると
緻密な組成物が得られなくなる。また、セラミクス粉末
を添加しない場合に比べて、Qが大きく低下することも
ある。一方、セラミクス粉末が10体積%未満である
と、セラミクス粉末を含有する効果があまりみられな
い。If the content of the ceramic powder is 65% by volume or more, a dense composition cannot be obtained. In addition, Q may be greatly reduced as compared with the case where no ceramics powder is added. On the other hand, when the content of the ceramic powder is less than 10% by volume, the effect of containing the ceramic powder is not so much seen.
【0058】本発明の積層基板は、各成分を上記の範囲
内で適宜設定することにより、樹脂単体から得られる誘
電率よりも大きくすることができ、必要に応じた比誘電
率と高いQを得ることが可能となる。The laminated substrate of the present invention can have a dielectric constant higher than that obtained from a resin alone by appropriately setting each component within the above range, and can provide a relative dielectric constant and a high Q as required. It is possible to obtain.
【0059】誘電体粉は、円形や楕円形でも破砕粉のよ
うに不定型であってもよい。投影形状が円形である球状
のものの平均粒径は、0.1〜40μm 、特に0.5〜
20μm が好ましく、球形度は0.9〜1.0、特に
0.95〜1.0が好ましい。The dielectric powder may be in a circular or elliptical shape or an irregular type such as crushed powder. The average particle diameter of a spherical projection having a circular shape is 0.1 to 40 μm, particularly 0.5 to 40 μm.
It is preferably 20 μm, and the sphericity is preferably 0.9 to 1.0, particularly preferably 0.95 to 1.0.
【0060】平均粒径が0.1μm より小さいと、粒子
の表面積が増大し、分散、混合時の粘度、チクソ性が上
昇し、高充填率化が困難となり、樹脂との混練がし難く
なってくる。逆に40μm より大きいと、均一な分散・
混合を行うことが困難となり、沈降が激しくなって不均
一となり、粉末の含有量が多い組成の成形の際に、緻密
な成型体を得られ難くなる。If the average particle size is smaller than 0.1 μm, the surface area of the particles increases, the viscosity during dispersion and mixing and the thixotropy increase, and it becomes difficult to increase the filling rate, and it becomes difficult to knead with the resin. Come. Conversely, if it is larger than 40 μm,
Mixing becomes difficult, sedimentation becomes severe and the mixture becomes non-uniform, and it becomes difficult to obtain a dense molded body when molding a composition having a large powder content.
【0061】また、球形度が0.9より小さくなると、
例えば圧粉コア等の成型体の成型時において、粉末の均
一な分散が困難となり、誘電体特性のばらつきを生じる
原因となるなど、所望の特性が得られにくくなり、ロッ
ト間、製品間のばらつきが増大してくる。球形度は複数
のサンプルを任意に測定し、その平均値が上記値となっ
ていればよい。When the sphericity is smaller than 0.9,
For example, when molding a molded body such as a dust core, it becomes difficult to uniformly disperse the powder, and it becomes difficult to obtain desired characteristics such as causing variations in dielectric characteristics. Will increase. The sphericity may be obtained by arbitrarily measuring a plurality of samples, and the average value may be the above value.
【0062】破砕粉を用いる場合、粒径は0.01〜4
0μm 、特に0.01〜35μm であることが好まし
く、平均粒径は1〜30μm であることが好ましい。こ
のような粒径とすることによって、破砕粉の分散性が良
好となる。これに対し、破砕粉の粒径がこれより小さい
と、比表面積が大きくなり、高充填率化が困難になって
くる。一方、これより大きくなるとペースト化した際に
沈降し易くなり、均一に分散しにくくなってくる。ま
た、肉薄の基板、プリプレグを形成しようとした場合
に、表面の平滑性を得ることが困難になってくる。粒径
をあまり小さくすることは実際上困難であり、0.01
μm 程度が限度である。When crushed powder is used, the particle size is 0.01 to 4
It is preferably 0 μm, particularly preferably 0.01 to 35 μm, and the average particle size is preferably 1 to 30 μm. With such a particle size, the dispersibility of the crushed powder is improved. On the other hand, when the particle size of the crushed powder is smaller than this, the specific surface area increases, and it becomes difficult to increase the filling rate. On the other hand, if it is larger than this, it tends to settle when it is made into a paste, making it difficult to uniformly disperse it. Also, when it is attempted to form a thin substrate or prepreg, it becomes difficult to obtain a smooth surface. It is practically difficult to make the particle size too small.
The limit is about μm.
【0063】これらを粉末にするための手段は、粉砕、
造粒など公知の方法に従えばよい。Means for making these into powder are pulverization,
A known method such as granulation may be used.
【0064】また、円形状の誘電体粉に加えて破砕粉を
含有していてもよい。誘電体破砕粉を含有することによ
り、さらに充填率を向上させることができる。Further, crushed powder may be contained in addition to the circular dielectric powder. By containing the crushed dielectric powder, the filling rate can be further improved.
【0065】本発明の積層基板は、誘電体粉とは別に、
あるいは誘電体粉に加えて1種または2種以上の磁性体
粉を含有していてもよい。The laminated substrate of the present invention can be prepared separately from the dielectric powder.
Alternatively, one or more magnetic powders may be contained in addition to the dielectric powder.
【0066】磁性体粉材料であるフェライトとしては、
Mn−Mg−Zn系、Ni−Zn系、Mn−Zn系など
であり、特にこれらの単結晶、あるいはMn−Mg−Z
n系、Ni−Zn系などが好ましい。As the ferrite which is a magnetic powder material,
Mn-Mg-Zn type, Ni-Zn type, Mn-Zn type, etc.
N-based, Ni-Zn-based and the like are preferable.
【0067】磁性体粉材料である強磁性金属としては、
カーボニール鉄、鉄−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪
素系合金(商標名:センダスト)、鉄−ニッケル系合金
(商標名:パーマロイ)、アモルファス系(鉄系、コバ
ルト系)などが好ましい。As the ferromagnetic metal which is a magnetic powder material,
Carbonyl iron, iron-silicon based alloy, iron-aluminum-silicon based alloy (trade name: Sendust), iron-nickel based alloy (trade name: Permalloy), amorphous type (iron type, cobalt type) and the like are preferable.
【0068】これらを粉末にするための手段は、粉砕、
造粒など公知の方法に従えばよい。Means for making these into powder are pulverization,
A known method such as granulation may be used.
【0069】磁性体粉の粒径や形状は、上記誘電体粉と
同様であり、誘電体粉と同様に表面が平滑な材料が好ま
しいが、破砕粉を用いてもよい。破砕粉を用いる効果は
上記と同様である。The particle size and shape of the magnetic powder are the same as those of the above-mentioned dielectric powder, and a material having a smooth surface is preferable like the dielectric powder, but crushed powder may be used. The effect of using the crushed powder is the same as above.
【0070】さらに、種類、粒度分布の異なる磁性体粉
を2種以上用いてもよい。その際の混合比は任意であ
り、用途により用いる材料、粒度分布、混合比を調整す
ればよい。Further, two or more magnetic powders having different types and different particle size distributions may be used. The mixing ratio at this time is arbitrary, and the material used, the particle size distribution, and the mixing ratio may be adjusted depending on the application.
【0071】磁性体粉の測定周波数1〜2GHzにおける
透磁率μは10〜1000000であることが好まし
い。また、バルクの絶縁性は高い方が基板化した際の絶
縁性が向上して好ましい。The magnetic permeability μ of the magnetic powder at a measurement frequency of 1 to 2 GHz is preferably 10 to 1,000,000. In addition, it is preferable that the bulk insulating property is high because the insulating property when the substrate is formed is improved.
【0072】樹脂と磁性体粉との混合比としては、形成
される構成層全体の測定周波数1〜2GHzにおける透磁
率が3〜20となるように添加されることが好ましい。
特に成形するペースト段階で、樹脂と磁性体粉との比率
で示した場合、磁性体粉の含有量は10〜65 体積
%、特に20〜60 体積%であることが好ましい。こ
のような磁性体粉の含有量とすることで、構成層全体の
透磁率が3〜20となり、所望の電気特性が得られ易く
なる。これに対し、磁性体粉の含有量が多くなると、ス
ラリー化して塗工することが困難になり、積層基板の作
製が困難になる。一方、磁性体粉の含有量が少なくなる
と透磁率を確保できなくなる場合があり、磁気特性を付
与することが困難となる。The mixing ratio of the resin and the magnetic substance powder is preferably such that the magnetic permeability at the measurement frequency of 1 to 2 GHz of the entire constituent layer to be formed is 3 to 20.
In particular, when the ratio of the resin to the magnetic powder is indicated in the paste step of molding, the content of the magnetic powder is preferably 10 to 65% by volume, particularly preferably 20 to 60% by volume. By setting the content of the magnetic powder as described above, the magnetic permeability of the entire constituent layer becomes 3 to 20, and desired electric characteristics are easily obtained. On the other hand, when the content of the magnetic substance powder is large, it is difficult to make a slurry and apply the slurry, and it is difficult to manufacture a laminated substrate. On the other hand, if the content of the magnetic substance powder is small, it may not be possible to secure the magnetic permeability, and it may be difficult to impart magnetic properties.
【0073】本発明に用いられる難燃剤としては、通常
基板の難燃化のために用いられている種々の難燃剤を用
いることができる。具体的には、ハロゲン化リン酸エス
テル、ブロム化エポキシ樹脂等のハロゲン化物、また、
リン酸エステルアミド系等の有機化合物や、三酸化アン
チモン、水素化アルミニウム等の無機材料を用いること
ができる。As the flame retardant used in the present invention, various flame retardants usually used for making a substrate flame-retardant can be used. Specifically, halides such as halogenated phosphates and brominated epoxy resins,
Organic compounds such as phosphoric acid ester amides and inorganic materials such as antimony trioxide and aluminum hydride can be used.
【0074】使用する金属箔としては、金、銀、銅、ア
ルミニウムのいずれか1種または2種以上など導電率の
良好な金属のなかから好適なものを用いればよい。これ
らのなかでも特に銅が好ましい。As the metal foil to be used, a suitable metal may be used from metals having good conductivity such as one or more of gold, silver, copper and aluminum. Of these, copper is particularly preferred.
【0075】金属箔を作製する方法としては、電解、圧
延法等種々の公知の方法を用いることができるが、箔ピ
ール強度をとりたい場合には電解箔を、高周波特性を重
視したい場合には、表面凹凸による表皮効果の影響の少
ない圧延箔を使用するとよい。金属箔の表面粗さとして
は、Rz =1〜6μm の範囲が好ましい。特に、電解箔
のRz は2.5〜6.0μm 、圧延箔のRz は1.0〜
3.0μm の範囲が好ましい。Various known methods such as electrolysis and rolling can be used as a method for producing a metal foil. An electrolytic foil is used when foil peel strength is desired, and an electrolytic foil is used when high frequency characteristics are emphasized. It is preferable to use a rolled foil which is less affected by the skin effect due to surface irregularities. The surface roughness of the metal foil is preferably in the range of Rz = 1 to 6 μm. In particular, Rz of the electrolytic foil is 2.5 to 6.0 μm, and Rz of the rolled foil is 1.0 to
A range of 3.0 μm is preferred.
【0076】金属箔の厚みとしては、3.0〜32μm
が好ましく、薄型化を考えると3.0〜18μm が好ま
しい。The thickness of the metal foil is 3.0 to 32 μm
Preferably, the thickness is 3.0 to 18 μm in consideration of thickness reduction.
【0077】本発明の積層基板は、上記ガラスクロスレ
ス構成層に加えて、ガラスクロス等の強化繊維を含有す
る構成層を有していてもよい。強化繊維を含有する構成
層を有することにより、積層基板全体の強度を向上させ
ることができる。The laminated substrate of the present invention may have a constituent layer containing a reinforcing fiber such as glass cloth in addition to the above-mentioned glass cloth-less constituent layer. By having the constituent layer containing the reinforcing fiber, the strength of the whole laminated substrate can be improved.
【0078】このようなガラスクロス含有構成層に用い
られるガラスクロス等の強化繊維は、目的・用途に応じ
て種々のものであってよく、市販品をそのまま用いるこ
とができる。このときの強化繊維は、電気的な特性に応
じてEガラスクロス(ε=7、tanδ=0.003、
1GHz)、Dガラスクロス(ε=4、tanδ=0.00
13、 1GHz)、Hガラスクロス(ε=11、tanδ
=0.003、 1GHz)等を使い分けてもよい。ま
た、層間密着力向上のため、カップリング処理などを行
ってもよい。その厚さは100μm 以下、特に20〜6
0μm であることが好ましい。布重量としては、120
g/m2 以下、特に20〜70g/m2 が好ましい。The reinforcing fibers such as glass cloth used for such a glass cloth-containing constituent layer may be of various types depending on the purpose and application, and commercially available products can be used as they are. At this time, the reinforcing fiber is made of E glass cloth (ε = 7, tan δ = 0.003,
1 GHz), D glass cloth (ε = 4, tanδ = 0.00)
13, 1 GHz), H glass cloth (ε = 11, tanδ)
= 0.003, 1 GHz) or the like. Further, a coupling treatment or the like may be performed to improve interlayer adhesion. Its thickness is less than 100 μm, especially 20 to 6
It is preferably 0 μm. The cloth weight is 120
g / m 2 or less, particularly preferably 20 to 70 g / m 2 .
【0079】また、樹脂とガラスクロスとの配合比は、
重量比で、樹脂/ガラスクロスが4/1〜1/1である
ことが好ましい。このような配合比とすることによって
本発明の効果が向上する。これに対し、この比が小さく
なって、樹脂量が少なくなると銅箔との密着力が低下
し、基板の平滑性に問題が生じる。逆にこの比が大きく
なって、樹脂量が多くなると使用できるガラスクロスの
選択が困難となり、薄肉での強度の確保が困難となる。The mixing ratio between the resin and the glass cloth is as follows:
The weight ratio of resin / glass cloth is preferably 4/1 to 1/1. With such a mixing ratio, the effect of the present invention is improved. On the other hand, when this ratio is reduced and the amount of resin is reduced, the adhesion to the copper foil is reduced, and a problem occurs in the smoothness of the substrate. Conversely, when this ratio increases and the amount of resin increases, it becomes difficult to select a usable glass cloth, and it becomes difficult to secure strength with a thin wall.
【0080】本発明では2種以上の異なる構成層を用い
た積層体により、積層基板を構成してもよい。また、各
構成層に2種以上の異なる分散材料を含有させてもよ
い。このように2種以上の種類の異なる構成層を組み合
わせたり、2種以上の異なる粉体、また同種であっても
組成、電気(誘電率等)、磁気特性の異なる粉体と樹脂
とを混合することによって、誘電率や透磁率の調整が容
易となり、各種電子部品に合わせた特性に調整すること
ができる。特に、波長短縮効果のある誘電率や透磁率を
最適な値にすることにより、装置の小型化、薄型化が実
現できる。また、比較的周波数の低い領域で良好な電気
特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域で良好
な電気特性が得られる材料とを組み合わせることによ
り、広い周波数帯域で良好な電気特性を得ることができ
る。In the present invention, a laminated substrate using two or more different constituent layers may constitute a laminated substrate. Further, each constituent layer may contain two or more different dispersing materials. As described above, two or more kinds of different constituent layers are combined, or two or more kinds of different powders, or a mixture of the same kind with powder having different composition, electric (dielectric constant, etc.) and magnetic properties and resin is mixed. By doing so, the dielectric constant and the magnetic permeability can be easily adjusted, and the characteristics can be adjusted to suit various electronic components. In particular, by setting the permittivity and the magnetic permeability that have the wavelength shortening effect to optimal values, the device can be reduced in size and thickness. In addition, by combining a material having good electric characteristics in a relatively low frequency region and a material having good electric characteristics in a relatively high frequency region, good electric characteristics can be obtained in a wide frequency band. be able to.
【0081】また、このようなハイブリッド層、つまり
樹脂と誘電体粉、磁性体粉とを混合した構成層を用いて
積層基板、電子部品等を形成する場合、接着剤等を用い
ることなく、銅箔との接着やパターニングが実現でき、
かつ多層化を実現することができる。こうしたパターニ
ングや多層化処理は、通常の基板製造工程と同じ工程で
できるので、コストダウンおよび作業性の改善を図るこ
とができる。また、このようにして得られる基板による
積層基板は、高強度で、高周波特性の向上したものであ
る。When a laminated substrate, an electronic component or the like is formed by using such a hybrid layer, that is, a constituent layer in which a resin, a dielectric powder, and a magnetic powder are mixed, copper is used without using an adhesive or the like. Adhesion to foil and patterning can be realized,
In addition, multilayering can be realized. Such patterning and multi-layer processing can be performed in the same process as a normal substrate manufacturing process, so that cost reduction and improvement in workability can be achieved. Further, the laminated substrate made of the substrate obtained in this manner has high strength and improved high-frequency characteristics.
【0082】まら、誘電率を高めることで波長短縮効果
が得られる。すなわち、基板上での実行波長λは、 λ=λ0 /(ε・μ)1/2 で与えられる。ここで、λ0 は実際の波長、ε、μは電
子部品や基板の誘電率、透磁率である。従って、例えば
λ/4の電子部品、回路を設計する場合、その回路を構
成する部材のε、μを高めることで、長さλ/4が必要
な部分を、ε、μの積の平方根で除した値だけ小さくす
ることができる。従って、積層基板、基板材料の少なく
ともεを高めることにより積層基板、基板の大きさを小
さくすることができる。Further, a wavelength shortening effect can be obtained by increasing the dielectric constant. That is, the effective wavelength λ on the substrate is given by λ = λ0 / (εμ) 1/2 . Here, λ0 is the actual wavelength, and ε and μ are the permittivity and the magnetic permeability of the electronic component or substrate. Therefore, for example, when designing an electronic component and a circuit of λ / 4, by increasing ε and μ of the members constituting the circuit, the portion requiring the length λ / 4 can be calculated by the square root of the product of ε and μ. It can be reduced by the divided value. Therefore, by increasing at least ε of the laminated substrate and the substrate material, the size of the laminated substrate and the substrate can be reduced.
【0083】また、比較的周波数の低い領域で良好な電
気特性が得られる材料と、比較的周波数の高い領域で良
好な電気特性が得られる材料とを組み合わせることによ
り、広い周波数帯域、具体的には1〜2000MHz、特
に50〜1000MHzの広い周波数帯域で良好なHPF
等の電気特性を得ることができる。Further, by combining a material capable of obtaining good electric characteristics in a relatively low frequency region and a material capable of obtaining good electric characteristics in a relatively high frequency region, a wide frequency band, specifically, Is a good HPF in a wide frequency band of 1 to 2000 MHz, especially 50 to 1000 MHz.
And other electrical characteristics.
【0084】具体的には、波長短縮効果だけを考えた場
合、高誘電率材を樹脂材料に混合することにより目的を
達成することが可能である。しかし、このような高誘電
率材は高周波特性がさほど優れていないため、これを補
う必要がある。そこで、高誘電率材、例えばBaTiO
3 、BaZrO3 等と共に、高周波特性に優れた磁性材
料、例えばカーボニール鉄等を併用することにより、高
周波領域においても所望の特性を得ることができる。Specifically, when only the wavelength shortening effect is considered, the purpose can be achieved by mixing a high dielectric constant material with a resin material. However, such high-permittivity materials are not so excellent in high-frequency characteristics, and need to be compensated for. Therefore, a high dielectric constant material such as BaTiO
3. By using a magnetic material having excellent high-frequency characteristics, such as carbonyl iron, together with BaZrO 3 or the like, desired characteristics can be obtained even in a high-frequency region.
【0085】このような、波長短縮と高周波特性の必要
な電子部品としては、積層フィルタ、バルントランス、
誘電体フィルタ、カプラ、アンテナ、VCO(電圧制御
発振器)、RF(高周波)ユニット、共振器等を挙げる
ことができる。Such electronic components requiring wavelength reduction and high frequency characteristics include a multilayer filter, a balun transformer,
Examples include a dielectric filter, a coupler, an antenna, a VCO (voltage controlled oscillator), an RF (high frequency) unit, and a resonator.
【0086】さらに、ある材料を用いて一つの電気的特
性を高めたとき、他の材料により不足した電気特性を補
うことができる。Further, when one electrical characteristic is enhanced by using a certain material, the insufficient electrical characteristic can be compensated by another material.
【0087】積層基板を用いて電子部品を得るには、例
えば積層基板の少なくとも導電体層のパターニングによ
り電子部品素子を形成し、さらに電子部品素子の端子と
なるスルーホールを形成し、前記各電子部品素子毎に前
記ビアホール部分で切断して電子部品とすればよい。In order to obtain an electronic component using the laminated substrate, for example, an electronic component element is formed by patterning at least a conductor layer of the laminated substrate, and a through hole serving as a terminal of the electronic component element is formed. An electronic component may be obtained by cutting at the via hole for each component element.
【0088】本発明の積層電子部品は、コンデンサ(キ
ャパシタ)、コイル(インダクタ)、フィルター等の
他、これらと、あるいはそれ以外に配線パターン、増幅
素子、機能素子を組み合わせ、アンテナや、RFモジュ
ール(RF増幅段)、VCO(電圧制御発振回路)、パ
ワーアンプ(電力増幅段)等の高周波電子回路、光ピッ
クアップなどに用いられる重畳モジュール等の高周波用
電子部品を得ることができる。The laminated electronic component of the present invention can be used in combination with a capacitor (capacitor), a coil (inductor), a filter, and the like, or a wiring pattern, an amplifying element, and a functional element. High frequency electronic circuits such as an RF amplification stage, a VCO (voltage controlled oscillation circuit), and a power amplifier (power amplification stage), and high frequency electronic components such as a superposition module used for an optical pickup can be obtained.
【0089】[0089]
【実施例】以下、本発明の具体的実験例、実施例を示
し、本発明をさらに詳細に説明する。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific experimental examples and examples of the present invention.
【0090】<実施例1>先ずガラスクロスレスシート
(プリプレグ)を作製した。原材料としてポリビニルベ
ンジル樹脂を用い、誘電体粉:68.45g 、樹脂:3
1.55g としてボールミルにて混合した、このとき、
カップリング剤として、シランカップリング剤をインテ
グラルブレンド法にて混合した。Example 1 First, a glass clothless sheet (prepreg) was prepared. Using polyvinylbenzyl resin as a raw material, dielectric powder: 68.45 g, resin: 3
1.55 g was mixed in a ball mill.
As a coupling agent, a silane coupling agent was mixed by an integral blend method.
【0091】得られたスラリーを、ドクターブレード法
により、厚さ40μm のガラスクロスレスプリプレグと
した。The obtained slurry was formed into a glass clothless prepreg having a thickness of 40 μm by a doctor blade method.
【0092】次に、転写フィルムとして、熱剥離シート
〔日東電工社製、商品名リバアルファー(支持体ポリエ
ステル、厚さ100μm 、接着層厚さ45μm )〕を用
い、これに厚さ18μm の銅箔を貼り付けた。このとき
の熱剥離シートの接着力は、4.9N/20mm、張り付け時
の圧力は1kg/mm2 であった。Next, as a transfer film, a heat-peelable sheet [manufactured by Nitto Denko Corporation, trade name: River Alpha (support polyester, thickness: 100 μm, thickness of adhesive layer: 45 μm)] was used, and a copper foil having a thickness of 18 μm was used. Was pasted. At this time, the adhesive force of the heat-peelable sheet was 4.9 N / 20 mm, and the pressure at the time of sticking was 1 kg / mm 2 .
【0093】次いで、銅箔面に所定パターンを、フォト
リソグラフィーの手法により形成し、塩化第二鉄組成の
エッチング液(35%溶液、温度20℃)に浸漬し、約
10〜15分間エッチングを行った。このエッチング工
程は、フォトリソグラフィーの手法を用いているため、
約30〜36μm の微細パターンも鮮明にパターニング
することができた。Next, a predetermined pattern is formed on the copper foil surface by photolithography, immersed in an etching solution (35% solution, temperature: 20 ° C.) containing ferric chloride, and etched for about 10 to 15 minutes. Was. This etching process uses a photolithography technique,
Fine patterns of about 30 to 36 μm could be clearly patterned.
【0094】次に、得られたパターン銅箔付熱転写シー
トを、二枚用意し、それぞれ上記で得たプリプレグの上
下に銅箔面を内側にして配置し、熱ラミネートプレスを
行った。このときの条件は、120℃、30分で、プレ
ス圧は1.5MPaとした。プレス後、熱剥離シートを剥
がして、両面銅箔付プリプレグを得た。Next, two sheets of the obtained thermal transfer sheet with patterned copper foil were prepared, and placed on the upper and lower sides of the prepreg obtained above with the copper foil side inside, respectively, and subjected to a thermal laminating press. The conditions at this time were 120 ° C. and 30 minutes, and the press pressure was 1.5 MPa. After pressing, the heat release sheet was peeled off to obtain a prepreg with copper foil on both sides.
【0095】また、熱ラミネートの条件を変えて加熱プ
レスを行い、得られた銅箔付基板の状態(転写結果)を
評価した。結果を表1に示す。なお、サンプル4−1
は、転写フィルムの接着力が弱く、エッチング工程でパ
ターンが剥離したため、その後のラミネート作業は行わ
なかった。Further, heat press was performed while changing the conditions of the heat lamination, and the state (transfer result) of the obtained substrate with copper foil was evaluated. Table 1 shows the results. Sample 4-1
In (2), since the transfer film had low adhesive strength and the pattern was peeled off in the etching step, the subsequent laminating operation was not performed.
【0096】[0096]
【表1】 [Table 1]
【0097】次に、積層基板を用い、これに所定の回路
を構成するように、同様の操作により得られた複数の銅
箔付プリプレグ、およびこれらの間に配置されるプリプ
レグを用意し、これらを積層して熱ラミネートプレスを
行った。このときの条件は、200℃、60分で、プレ
ス圧は1.5MPaとした。得られた積層基板を用いて下
記の電子部品を作製した。積層した導体同士を接続する
手段としては、貫通スルーホールやインナービアホール
等の適宜な方式を用いて行えばよい。Next, using a laminated substrate, a plurality of prepregs with copper foil obtained by the same operation and a prepreg arranged between them are prepared so as to constitute a predetermined circuit. Were laminated and subjected to a heat lamination press. The conditions at this time were 200 ° C. and 60 minutes, and the press pressure was 1.5 MPa. The following electronic components were produced using the obtained laminated substrate. As a means for connecting the laminated conductors, a proper method such as a through through hole or an inner via hole may be used.
【0098】<実施例2>実施例1のガラスクロスレス
シートを用いて、積層基板を作製した。<Example 2> A laminated substrate was manufactured using the glass clothless sheet of Example 1.
【0099】転写フィルムとして、熱剥離シート〔ニッ
タ(株)のインテリマーウオームオフタイプ(支持体ポ
リエステル、厚さ100μm 、接着層厚さ約25〜30
μm)〕を用い、これに厚さ18μm の銅箔を貼り付け
た。このときの熱剥離シートの接着力は、1.5N/25m
m、張り付け時の圧力は1kg/mm2 であった。As the transfer film, a heat-peelable sheet [Intelimar warm-off type of Nitta Co., Ltd. (support polyester, thickness 100 μm, adhesive layer thickness about 25 to 30)
μm)], and a copper foil having a thickness of 18 μm was attached thereto. At this time, the adhesive force of the heat release sheet is 1.5 N / 25 m
m, and the pressure at the time of application was 1 kg / mm 2 .
【0100】次いで、銅箔面に所定パターンを、フォト
リソグラフィーの手法により形成し、塩化第二鉄組成の
エッチング液(35%溶液、温度40℃)に浸漬し、約
10〜15分間エッチングを行った。このエッチング工
程は、フォトリソグラフィーの手法を用いているため、
約30〜36μm の微細パターンも鮮明にパターニング
することができた。Next, a predetermined pattern is formed on the copper foil surface by photolithography, immersed in an etching solution (35% solution, temperature: 40 ° C.) containing ferric chloride, and etched for about 10 to 15 minutes. Was. This etching process uses a photolithography technique,
Fine patterns of about 30 to 36 μm could be clearly patterned.
【0101】次に、得られたパターン銅箔付熱転写シー
トを、二枚用意し、それぞれ上記で得たプリプレグの上
下に銅箔面を内側にして配置し、熱ラミネートプレスを
行った。このときの条件は、100℃でラミネーター速
度0.1m/minで、プレス圧は1.0MPaとした。プレ
ス後、熱剥離シートを剥がして、両面銅箔付プリプレグ
を得た。Next, two sheets of the obtained thermal transfer sheet with patterned copper foil were prepared, and placed on the upper and lower sides of the prepreg obtained above with the copper foil side inside, respectively, and subjected to thermal laminating press. The conditions at this time were 100 ° C., a laminator speed of 0.1 m / min, and a press pressure of 1.0 MPa. After pressing, the heat release sheet was peeled off to obtain a prepreg with copper foil on both sides.
【0102】このパターン構成プリプレグを所定の設計
になるように準備し、これに所定の回路を構成するよう
に、同様の操作により得られた複数の銅箔付プリプレ
グ、およびこれらの間に配置されるプリプレグを用意
し、これらを積層して熱ラミネートプレスを行った。こ
のときの条件は、200℃、60分で、プレス圧は1.
5MPaとした。得られた積層基板を用いて下記の電子部
品を作製した。A plurality of prepregs with a copper foil obtained by the same operation, and a plurality of prepregs arranged therebetween are prepared so as to form a predetermined circuit by preparing the prepreg having the pattern configuration so as to have a predetermined design. A prepreg was prepared, and these were laminated and subjected to a heat lamination press. The conditions at this time are 200 ° C. and 60 minutes, and the pressing pressure is 1.
It was 5 MPa. The following electronic components were produced using the obtained laminated substrate.
【0103】<実施例3>図3、図4は、インダクタを
示した図であり、図3は透視斜視図、図4は断面図を表
している。<Embodiment 3> FIGS. 3 and 4 are views showing an inductor. FIG. 3 is a transparent perspective view, and FIG. 4 is a sectional view.
【0104】図において、インダクタ10は本発明の樹
脂を有する構成層(プリプレグないし基板)10a〜1
0eと、この構成層10b〜10e上に形成されている
内部導体(コイルパターン)13と、この内部導体13
を電気的に接続するためのビアホール14とを有する。
このビアホール14はドリル、レーザー加工、エッチン
グ等により形成することができる。また、形成されたコ
イルの終端部は、それぞれインダクタ10の端面に形成
された貫通ビア12とそれから僅かに上下面方向に形成
されたランドパターン11と接続されている。貫通ビア
12は、ダイシング、Vカット等により、半分に切断さ
れた構造となっている。これは、集合基板で複数の素子
を形成し、最終的に個片に切断する際に貫通ビア12の
中心から切断するためである。In the figure, an inductor 10 has constituent layers (prepregs or substrates) 10a to 1 having a resin of the present invention.
0e, an internal conductor (coil pattern) 13 formed on the constituent layers 10b to 10e, and an internal conductor 13
And via holes 14 for electrically connecting.
This via hole 14 can be formed by drilling, laser processing, etching or the like. The terminal ends of the formed coils are connected to the through vias 12 formed on the end faces of the inductor 10 and the land patterns 11 formed slightly in the vertical direction from the through vias 12. The through via 12 has a structure cut in half by dicing, V-cut or the like. This is because a plurality of elements are formed on the collective substrate and cut from the center of the through via 12 when finally cut into individual pieces.
【0105】このインダクタ10の構成層10a〜10
eの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが2〜4
0μm であるガラスクロスレス構成層を有する。この構
成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するため
に誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合に
よっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が
同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料によ
り形成された構成層を組み合わせてもよい。なお、部品
強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用い
てもよい。The constituent layers 10a to 10a of the inductor 10
e has a thickness of at least 2 to 4
It has a glass clothless constituent layer of 0 μm. This constituent layer may further contain a dielectric powder or a magnetic powder in order to adjust electric characteristics or magnetic characteristics, and in some cases, may contain a flame retardant. Not all constituent layers need to be formed of the same material, and constituent layers formed of different materials may be combined. Note that a glass cloth may be used for a part of the component in order to improve the component strength.
【0106】チップインダクタとしては、L値を大きく
するために、ベース基板の透磁率を大きくする必要があ
る。また、EMC対策用として、ビーズを使用する場
合、インピーダンスを高くとるためにはできるだけ透磁
率を上げる必要がある。また、層間、すなわち構成層を
薄くし、漏れ電流を減らすことと、同形状で巻数(ター
ン数)を増やすことでL値を上げることができる。従っ
て、少なくとも厚みが2〜40μm であるガラスクロス
レスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特性を調整す
るために磁性体粉を含有させることで、小型でL値が高
い、あるいはインピーダンスが高いチップインダクタが
得られる。For the chip inductor, it is necessary to increase the magnetic permeability of the base substrate in order to increase the L value. When beads are used as a measure against EMC, it is necessary to increase the magnetic permeability as much as possible in order to increase the impedance. The L value can be increased by reducing the leakage current by reducing the thickness of the interlayer, that is, the constituent layer, and increasing the number of turns (the number of turns) in the same shape. Therefore, by adding a magnetic powder to at least the glass clothless constituent layer having a thickness of 2 to 40 μm to adjust the electric characteristics and magnetic characteristics, it is small and has a high L value or a high impedance. A chip inductor is obtained.
【0107】また、高周波用のチップインダクタとして
の用途を考えたとき、分布容量をできるだけ減らす必要
があることから1〜2GHzにおける比誘電率を2.6〜
3.5とすることが好ましい。また、共振回路を構成す
るインダクタにおいては、積極的に分布容量を用いる場
合があり、このような用途では1〜2GHzにおける比誘
電率を5〜40とすることが好ましい。このようにする
ことで、素子の小型化、容量素子の省略を図ることがで
きる。また、このインダクタにおいては、材料の損失を
できるだけ抑える必要がある。このため、1〜2GHzに
おける誘電正接( tanδ)を0.0025〜0.007
5とすることにより、材料損失の極めて少ない、Qの高
いインダクタを得ることができる。さらに、ノイズ除去
のための用途を考えた場合、除去したいノイズの周波数
でインピーダンスをできるだけ大きくする必要がある。
このような場合には1〜2GHzにおける透磁率を3〜2
0と調整することが好ましい。これにより、高周波ノイ
ズの除去効果を飛躍的に向上させることができる。ま
た、各構成層は同一でも異なっていてもよく、最適な組
み合わせを選択すればよい。Further, when considering the use as a chip inductor for high frequency, it is necessary to reduce the distributed capacitance as much as possible.
It is preferably 3.5. In addition, in the inductor forming the resonance circuit, the distributed capacitance may be positively used, and in such an application, the relative dielectric constant at 1 to 2 GHz is preferably 5 to 40. In this manner, the size of the element can be reduced and the capacitor can be omitted. Further, in this inductor, it is necessary to minimize the loss of material. Therefore, the dielectric loss tangent (tan δ) at 1 to 2 GHz is 0.0025 to 0.007.
By setting the value to 5, it is possible to obtain an inductor with a very low material loss and a high Q. Further, when considering an application for noise removal, it is necessary to increase the impedance as much as possible at the frequency of the noise to be removed.
In such a case, the magnetic permeability at 1 to 2 GHz is 3 to 2
It is preferable to adjust to 0. As a result, the effect of removing high-frequency noise can be significantly improved. The constituent layers may be the same or different, and an optimal combination may be selected.
【0108】なお、その等価回路を図12(a)に示
す。図12(a)に示されるように、等価回路ではコイ
ル31を有する積層電子部品(インダクタ)となってい
る。The equivalent circuit is shown in FIG. As shown in FIG. 12A, the equivalent circuit is a multilayer electronic component (inductor) having the coil 31.
【0109】<実施例4>図5、図6は、他のインダク
タを示した図であり、図5は透視斜視図、図6は断面図
を表している。<Embodiment 4> FIGS. 5 and 6 show other inductors. FIG. 5 is a perspective view and FIG. 6 is a sectional view.
【0110】この例では、実施例3において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、横方向に巻回したヘ
リカル巻とした構成態様を表している。その他の構成要
素は実施例3と同様であり、同一構成要素には同一符号
を付して説明を省略する。This example shows a configuration in which the coil pattern wound in the vertical direction in the third embodiment is replaced by a helical winding wound in the horizontal direction. Other components are the same as those of the third embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【0111】<実施例5>図7、図8は、他のインダク
タを示した図であり、図7は透視斜視図、図8は断面図
を表している。<Embodiment 5> FIGS. 7 and 8 show other inductors. FIG. 7 is a transparent perspective view, and FIG. 8 is a sectional view.
【0112】この例では、実施例3において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、上下面でのスパイラ
ルを連結した構成態様としたものを表している。その他
の構成要素は実施例3と同様であり、同一構成要素には
同一符号を付して説明を省略する。In this example, the coil pattern wound in the vertical direction in the third embodiment is changed to a configuration in which spirals on the upper and lower surfaces are connected. Other components are the same as those of the third embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【0113】<実施例6>図9、図10は、他のインダ
クタを示した図であり、図9は透視斜視図、図10は断
面図を表している。<Embodiment 6> FIGS. 9 and 10 are views showing another inductor, FIG. 9 is a perspective view, and FIG. 10 is a sectional view.
【0114】この例では、実施例3において上下方向に
巻回されていたコイルパターンを、内部に形成されたミ
アンダー状のパターンとして構成したものを表してい
る。その他の構成要素は実施例3と同様であり、同一構
成要素には同一符号を付して説明を省略する。In this example, the coil pattern wound up and down in the third embodiment is configured as a meander-shaped pattern formed inside. Other components are the same as those of the third embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【0115】<実施例7>図11は、他のインダクタを
示した透視斜視図である。<Embodiment 7> FIG. 11 is a perspective view showing another inductor.
【0116】この例では、実施例3において単独で構成
されていたコイルを、4連とした態様を表している。こ
のような構成とすることにより、省スペース化を図るこ
とができる。その他の構成要素は実施例3と同様であ
り、同一構成要素には同一符号を付して説明を省略す
る。なお、その等価回路を図12(b)に示す。図12
(b)に示されるように、等価回路ではコイル31a〜
31dが4連装された積層電子部品(インダクタ)とな
っている。In this example, a mode is shown in which the coils configured independently in the third embodiment are replaced with four coils. With such a configuration, space can be saved. Other components are the same as those of the third embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted. The equivalent circuit is shown in FIG. FIG.
As shown in (b), in the equivalent circuit, the coils 31a to 31a
Reference numeral 31d denotes a laminated electronic component (inductor) provided in a quadruple arrangement.
【0117】<実施例8>図13、図14は、キャパシ
タ(コンデンサ)を示した図であり、図13は透視斜視
図、図14は断面図を表している。<Eighth Embodiment> FIGS. 13 and 14 are views showing a capacitor (capacitor). FIG. 13 is a transparent perspective view and FIG. 14 is a sectional view.
【0118】図において、キャパシタ20は本発明の樹
脂を有する構成層(プリプレグないし基板)20a〜2
0gと、この構成層20b〜20g上に形成されている
内部導体(内部電極パターン)23と、この内部導体2
3とそれぞれ交互に接続されるキャパシタの端面に形成
された貫通ビア22とそれから僅かに上下面方向に形成
されたランドパターン21ととから構成されている。In the figure, a capacitor 20 includes constituent layers (prepregs or substrates) 20a to 2 having the resin of the present invention.
0 g, the internal conductor (internal electrode pattern) 23 formed on the constituent layers 20 b to 20 g, and the internal conductor 2.
3 and a through via 22 formed on the end face of the capacitor, which is connected alternately with each other, and a land pattern 21 formed slightly in the vertical direction from the through via 22.
【0119】このキャパシタ20の構成層20a〜20
gの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが2〜4
0μm であるガラスクロスレス構成層を有する。この構
成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するため
に誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合に
よっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が
同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料によ
り形成された構成層を組み合わせてもよい。なお、部品
強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用い
てもよい。The constituent layers 20a to 20 of the capacitor 20
g has a thickness of at least 2 to 4
It has a glass clothless constituent layer of 0 μm. The constituent layer may further contain a dielectric powder or a magnetic powder in order to adjust electric characteristics or magnetic characteristics, and may contain a flame retardant in some cases. It is not necessary that all constituent layers are formed of the same material, and constituent layers formed of different materials may be combined. Note that a glass cloth may be used for a part of the component in order to improve the component strength.
【0120】チップコンデンサを小型化するにあたって
は、対向電極の層間の誘電率を上げる必要がある。ま
た、容量を得るためには層間、すなわち構成層はできる
だけ薄い方がよい。従って、少なくとも厚みが2〜40
μm であるガラスクロスレスの構成層に、さらに、電気
特性や磁気特性を調整するために誘電体粉を含有させる
ことで、小型でC値が高いチップコンデンサが得られ
る。To reduce the size of the chip capacitor, it is necessary to increase the dielectric constant between the layers of the counter electrode. Further, in order to obtain a capacity, the interlayer, that is, the constituent layer is preferably as thin as possible. Therefore, at least the thickness is 2 to 40
By adding a dielectric powder to the glass clothless constituent layer of μm to adjust the electric and magnetic characteristics, a small chip capacitor having a high C value can be obtained.
【0121】また、得られる容量の多様性や精度の点を
考慮すると、1〜2GHzにおける比誘電率2.6〜4
0、誘電正接0.0025〜0.025であることが好
ましい。これにより、得られる容量の範囲が広がり、低
い容量値でも高精度に形成できる。また、材料の損失を
できるだけ抑える必要がある。このため、1〜2GHzに
おける誘電正接( tanδ)を0.0025〜0.025
とすることにより、材料損失の極めて少ないキャパシタ
とすることができる。また、各構成層は同一でも異なっ
ていてもよく、最適な組み合わせを選択すればよい。Considering the diversity of the obtained capacitance and the point of accuracy, the relative dielectric constant at 1-2 GHz is 2.6-4.
It is preferably 0 and the dielectric loss tangent is 0.0025 to 0.025. As a result, the range of the obtained capacitance is widened, and a low capacitance value can be formed with high accuracy. In addition, it is necessary to minimize material loss. Therefore, the dielectric loss tangent (tan δ) at 1 to 2 GHz is 0.0025 to 0.025.
By doing so, a capacitor with extremely small material loss can be obtained. The constituent layers may be the same or different, and an optimum combination may be selected.
【0122】なお、その等価回路を図16(a)に示
す。図16(a)に示されるように、等価回路ではキャ
パシタ32を有する積層電子部品(コンデンサ)となっ
ている。The equivalent circuit is shown in FIG. As shown in FIG. 16A, the equivalent circuit is a multilayer electronic component (capacitor) having a capacitor 32.
【0123】<実施例9>図15は、他のキャパシタを
示した透視斜視図である。<Embodiment 9> FIG. 15 is a perspective view showing another capacitor.
【0124】この例では、実施例8において単独で構成
されていたキャパシタを、複数アレイ状に並べて4連と
した態様を表している。また、キャパシタをアレイ状に
形成する場合、様々な容量を精度よく形成する場合があ
る。このため、上記誘電率、誘電正接の範囲が好ましい
といえる。その他の構成要素は実施例8と同様であり、
同一構成要素には同一符号を付して説明を省略する。な
お、その等価回路を図16(b)に示す。図16(b)
に示されるように、等価回路ではキャパシタ32a〜3
2dが4連装された積層電子部品(コンデンサ)となっ
ている。In this example, a configuration is shown in which the capacitors configured independently in the eighth embodiment are arranged in a plurality of arrays to form four units. When the capacitors are formed in an array, various capacitances may be formed with high accuracy. Therefore, it can be said that the above ranges of the dielectric constant and the dielectric loss tangent are preferable. Other components are the same as those in the eighth embodiment,
The same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted. The equivalent circuit is shown in FIG. FIG. 16 (b)
As shown in FIG.
2d is a laminated electronic component (capacitor) in which four are mounted in series.
【0125】<実施例10>図17〜図20は、バルン
トランスを示している。ここで図17は透過斜視図、図
18は断面図、図19は各構成層の分解平面図、図20
は等価回路図である。Embodiment 10 FIGS. 17 to 20 show a balun transformer. 17 is a transparent perspective view, FIG. 18 is a sectional view, FIG. 19 is an exploded plan view of each constituent layer, FIG.
Is an equivalent circuit diagram.
【0126】図17〜19において、バルントランス4
0は、構成層40a〜40oが積層された積層体の上下
および中間に配置された内部GND導体45と、この内
部GND導体45間に形成されている内部導体43を有
する。この内部導体43は、λg /4長のスパイラル状
導体43を、図20の等価回路に示される結合ライン5
3a〜53dを構成するようにビアホール44等で連結
している。17 to 19, the balun transformer 4
No. 0 has an internal GND conductor 45 disposed above, below, and in the middle of the laminated body in which the constituent layers 40a to 40o are laminated, and an internal conductor 43 formed between the internal GND conductors 45. The inner conductor 43 is formed by connecting a spiral conductor 43 having a length of λg / 4 to the coupling line 5 shown in the equivalent circuit of FIG.
They are connected by via holes 44 and the like so as to form 3a to 53d.
【0127】このバルントランス40の構成層40a〜
40oの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが2
〜40μm であるガラスクロスレス構成層を有する。こ
の構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整する
ために誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場
合によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成
層が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料
により形成された構成層を組み合わせてもよい。なお、
部品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを
用いてもよい。The balun transformer 40 has the constituent layers 40a-
At least one of 40o has a thickness of at least 2
It has a glass clothless constituent layer of 4040 μm. This constituent layer may further contain a dielectric powder or a magnetic powder in order to adjust electric characteristics or magnetic characteristics, and in some cases, may contain a flame retardant. It is not necessary that all constituent layers are formed of the same material, and constituent layers formed of different materials may be combined. In addition,
In order to improve the strength of the parts, a glass cloth may be used for a part thereof.
【0128】バルントランスを設計するにあたって小型
化を考えると、比誘電率はできるだけ高い方がよい。ま
た、同様に層間、すなわち構成層はできるだけ薄い方が
よい。従って、少なくとも厚みが2〜40μm であるガ
ラスクロスレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特
性を調整するために誘電体粉を含有させることで、小型
で高性能のバルントランスが得られる。When designing a balun transformer, considering the miniaturization, it is preferable that the relative dielectric constant is as high as possible. Similarly, the interlayers, that is, the constituent layers are preferably as thin as possible. Therefore, a compact and high-performance balun transformer can be obtained by further adding a dielectric powder for adjusting electric and magnetic properties to at least the glass clothless constituent layer having a thickness of 2 to 40 μm.
【0129】また、ある用途によっては1〜2GHzにお
ける比誘電率を2.6〜40とし、誘電正接( tanδ)
を0.0025〜0.025とすることが好ましい。ま
た、他の用途によっては1〜2GHzにおける透磁率を3
〜20とすることが好ましい。なお、各構成層は同一で
も異なっていてもよく、最適な組み合わせを選択すれば
よい。In some applications, the relative dielectric constant at 1-2 GHz is set to 2.6-40, and the dielectric loss tangent (tan δ)
Is preferably 0.0025 to 0.025. Further, depending on other applications, the permeability at 1-2 GHz may be 3
It is preferably set to 20. The constituent layers may be the same or different, and an optimum combination may be selected.
【0130】<実施例11>図21〜図24は、積層フ
ィルターを示している。ここで図21は斜視図、図22
は分解斜視図、図23は等価回路図、図24は伝達特性
図である。なお、この積層フィルターは2ポールとして
構成されている。<Embodiment 11> FIGS. 21 to 24 show a laminated filter. Here, FIG. 21 is a perspective view, and FIG.
Is an exploded perspective view, FIG. 23 is an equivalent circuit diagram, and FIG. 24 is a transfer characteristic diagram. Note that this laminated filter is configured as a two-pole filter.
【0131】図21〜23において、積層フィルター6
0は、構成層60a〜60eが積層された積層体のほぼ
中央に一対のストリップ線路68と、一対のコンデンサ
導体67とを有する。コンデンサ導体67は下部構成層
群60d上に形成され、ストリップ線路68はその上の
構成層60c上に形成されている。構成層60a〜60
eの上下端部にはGND導体65が形成されていて、前
記ストリップ線路68とコンデンサ導体67とを挟み込
むようになっている。ストリップ線路68と、コンデン
サ導体67と、GND導体65とはそれぞれ端面に形成
された端部電極(外部端子)62とそれから僅かに上下
面方向に形成されたランドパターン61と接続されてい
る。また、その両側面およびそこから僅かに上下面方向
に形成されたGNDパターン66はGND導体65と接
続されている。21 to 23, the laminated filter 6
No. 0 has a pair of strip lines 68 and a pair of capacitor conductors 67 at substantially the center of the stacked body in which the constituent layers 60a to 60e are stacked. The capacitor conductor 67 is formed on the lower constituent layer group 60d, and the strip line 68 is formed on the constituent layer 60c thereabove. Constituent layers 60a-60
A GND conductor 65 is formed at the upper and lower ends of e, so that the strip line 68 and the capacitor conductor 67 are sandwiched therebetween. Each of the strip line 68, the capacitor conductor 67, and the GND conductor 65 is connected to an end electrode (external terminal) 62 formed on an end surface thereof and a land pattern 61 formed slightly upward and downward from the end electrode (external terminal). The GND pattern 66 formed on both side surfaces and slightly in the vertical direction from the both sides is connected to the GND conductor 65.
【0132】ストリップ線路68は、図23の等価回路
図に示されるλg /4長またはそれ以下の長さを有する
ストリップ線路74a、74bであり、コンデンサ導体
67は入出力結合容量Ciを構成する。また、それぞれ
のストリップ線路74a、74b間は、結合容量Cmお
よび結合係数Mにより結合されている。このような等価
回路により、図24に示すような2ポール型の伝達特性
を有する積層フィルタを得ることができる。The strip line 68 is a strip line 74a, 74b having a length of λg / 4 or less as shown in the equivalent circuit diagram of FIG. 23, and the capacitor conductor 67 forms an input / output coupling capacitance Ci. The strip lines 74a and 74b are coupled by a coupling capacitance Cm and a coupling coefficient M. With such an equivalent circuit, a multilayer filter having a two-pole type transfer characteristic as shown in FIG. 24 can be obtained.
【0133】この積層フィルタ60の構成層60a〜6
0eの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが2〜
40μm であるガラスクロスレス構成層を有する。この
構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するた
めに誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合
によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層
が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料に
より形成された構成層を組み合わせてもよい。また、部
品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用
いてもよい。The component layers 60a to 60a of the multilayer filter 60
0e has a thickness of at least 2
It has a glass clothless constituent layer of 40 μm. This constituent layer may further contain a dielectric powder or a magnetic powder in order to adjust electric characteristics or magnetic characteristics, and in some cases, may contain a flame retardant. It is not necessary that all constituent layers are formed of the same material, and constituent layers formed of different materials may be combined. In addition, a glass cloth may be used for a part of the component in order to improve the strength of the component.
【0134】積層フィルタを設計するにあたり、小型化
を考えると、比誘電率はできるだけ高い方がよい。ま
た、同様に層間、すなわち構成層はできるだけ薄い方が
よい。従って、少なくとも厚みが2〜40μm であるガ
ラスクロスレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特
性を調整するために誘電体粉を含有させることで、小型
で高性能の積層フィルタが得られる。In designing a multilayer filter, the relative dielectric constant should be as high as possible in consideration of miniaturization. Similarly, the interlayers, that is, the constituent layers are preferably as thin as possible. Therefore, a compact and high-performance laminated filter can be obtained by further adding a dielectric powder for adjusting electric and magnetic properties to at least the glass clothless constituent layer having a thickness of 2 to 40 μm.
【0135】また、1〜2GHzにおける比誘電率を2.
6〜40とすることにより、数100MHzから数GHzの
帯域において、所望の伝達特性が得られるようになる。
また、ストリップライン共振器の材料損失はできるだけ
抑えることが望ましく、1〜2GHzにおける誘電正接
( tanδ)を0.0025〜0.0075とすることが
好ましい。The relative dielectric constant at 1-2 GHz is set to 2.
By setting the value to 6 to 40, a desired transfer characteristic can be obtained in a band of several hundred MHz to several GHz.
It is also desirable to minimize the material loss of the stripline resonator, and it is preferable that the dielectric loss tangent (tan δ) at 1 to 2 GHz be 0.0025 to 0.0075.
【0136】<実施例12>図25〜図28は、他の積
層フィルターを示している。ここで図25は斜視図、図
26は分解斜視図、図27は等価回路図、図28は伝達
特性図である。なお、この積層フィルターは4ポールと
して構成されている。Embodiment 12 FIGS. 25 to 28 show another laminated filter. Here, FIG. 25 is a perspective view, FIG. 26 is an exploded perspective view, FIG. 27 is an equivalent circuit diagram, and FIG. 28 is a transfer characteristic diagram. In addition, this laminated filter is comprised as a 4-pole.
【0137】図25〜27において、積層フィルター6
0は、構成層60a〜60eが積層された積層体のほぼ
中央に4つのストリップ線路68と、一対のコンデンサ
導体67とを有する。その他の構成要素は実施例11と
同様であり、同一構成要素には同一符号を付して説明を
省略する。25 to 27, the laminated filter 6
No. 0 has four strip lines 68 and a pair of capacitor conductors 67 substantially at the center of the stacked body in which the constituent layers 60a to 60e are stacked. Other components are the same as those of the eleventh embodiment, and the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.
【0138】<実施例13>図29〜図33は、カプラ
を示している。ここで図29は透過斜視図、図30は断
面図、図31は各構成層の分解平面図、図32は内部結
線図、図33は等価回路図である。<Embodiment 13> FIGS. 29 to 33 show couplers. 29 is a transparent perspective view, FIG. 30 is a sectional view, FIG. 31 is an exploded plan view of each constituent layer, FIG. 32 is an internal connection diagram, and FIG. 33 is an equivalent circuit diagram.
【0139】図29〜33において、カプラ110は、
構成層110a〜110cが積層された積層体の上下に
形成、配置された内部GND導体115と、この内部G
ND導体115間に形成されている内部導体113を有
する。この内部導体113は、2つのコイルによりトラ
ンスが構成されるようにスパイラル状にビアホール11
4等で連結している。また。形成されたコイルの終端
と、内部GND導体115とは、図32に示すように、
それぞれ端面に形成された貫通ビア112とそれから僅
かに上下面方向に形成されたランドパターン111と接
続されている。このように構成することにより、図33
の等価回路図で示すように、2つのコイル125a,1
25bが結合したカプラ110が得られる。29 to 33, the coupler 110 is
An internal GND conductor 115 formed and arranged above and below a laminated body in which the constituent layers 110a to 110c are laminated;
It has an internal conductor 113 formed between the ND conductors 115. The internal conductor 113 is formed in a spiral shape in the via hole 11 so that a transformer is constituted by two coils.
They are linked by 4 mag. Also. As shown in FIG. 32, the end of the formed coil and the internal GND conductor 115 are
Each is connected to a through via 112 formed on the end face and a land pattern 111 formed slightly upward and downward from the through via 112. With this configuration, FIG.
As shown in the equivalent circuit diagram of FIG.
The coupler 110 to which 25b is coupled is obtained.
【0140】このカプラ110の構成層110a〜11
0cの少なくともいずれかには、少なくとも厚みが2〜
40μm であるガラスクロスレス構成層を有する。この
構成層には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するた
めに誘電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合
によっては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層
が同一材料で形成されている必要はなく、異なる材料に
より形成された構成層を組み合わせてもよい。また、部
品強度を向上させるため、その一部にガラスクロスを用
いてもよい。The constituent layers 110a-11 of the coupler 110
0c has a thickness of at least 2
It has a glass clothless constituent layer of 40 μm. This constituent layer may further contain a dielectric powder or a magnetic powder in order to adjust electric characteristics or magnetic characteristics, and in some cases, may contain a flame retardant. It is not necessary that all constituent layers are formed of the same material, and constituent layers formed of different materials may be combined. In addition, a glass cloth may be used for a part of the component in order to improve the strength of the component.
【0141】カプラを設計するにあたり、小型化を考え
ると、比誘電率はできるだけ高い方がよい。また、同様
に層間、すなわち構成層はできるだけ薄い方がよい。従
って、少なくとも厚みが2〜40μm であるガラスクロ
スレスの構成層に、さらに、電気特性や磁気特性を調整
するために誘電体粉を含有させることで、小型で高性能
のカプラが得られる。なお、広帯域化を実現しようとし
た場合、比誘電率はできるだけ小さい方が好ましい。In designing a coupler, the relative dielectric constant should be as high as possible in consideration of miniaturization. Similarly, the interlayers, that is, the constituent layers are preferably as thin as possible. Therefore, a compact and high-performance coupler can be obtained by further adding a dielectric powder for adjusting electric and magnetic characteristics to at least a glass clothless constituent layer having a thickness of 2 to 40 μm. In order to realize a wide band, it is preferable that the relative permittivity is as small as possible.
【0142】また、用途や、要求される性能、仕様等に
よりそれに適した誘電率の材料を用いればよい。通常、
1〜2GHzにおける比誘電率を2.6〜40とすること
により、数100MHzから数GHzの帯域において、所望
の伝達特性が得られるようになる。また、内部インダク
タのQ値を上げるために、1〜2GHzにおける誘電正接
(tanδ)を0.0025〜0.0075とすることが
好ましい。これにより、材料損失が極めて少なく、Q値
の高いインダクタを形成でき、高性能のカプラを得るこ
とができる。Further, a material having a dielectric constant suitable for the intended use, required performance, specifications and the like may be used. Normal,
By setting the relative dielectric constant at 1 to 2 GHz to 2.6 to 40, a desired transfer characteristic can be obtained in a band of several hundred MHz to several GHz. Further, in order to increase the Q value of the internal inductor, it is preferable that the dielectric loss tangent (tan δ) at 1 to 2 GHz is 0.0025 to 0.0075. As a result, an inductor having a very small material loss and a high Q value can be formed, and a high-performance coupler can be obtained.
【0143】<実施例14>図34〜図36は、VCO
(電圧制御発振器)を示している。ここで図34は透過
斜視図、図35は断面図、図36は等価回路図である。<Embodiment 14> FIGS. 34 to 36 show a VCO
(Voltage controlled oscillator). 34 is a transparent perspective view, FIG. 35 is a sectional view, and FIG. 36 is an equivalent circuit diagram.
【0144】図34〜36において、VCOは、構成層
210a〜210gが積層された積層体の上に形成、配
置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジスタ等
の電子部品261と、この構成層210a〜210g中
およびその上下面に形成されている導体パターン26
2,263,264を有する。このVCOは図36に示
すような等価回路により構成されているため、ストリッ
プライン263、コンデンサ、信号線、半導体、電源ラ
インなどを有する。このため、それぞれの機能に適した
材料で構成層を形成するのが効果的である。In FIGS. 34 to 36, a VCO includes an electronic component 261 such as a capacitor, an inductor, a semiconductor, and a resistor formed and arranged on a laminated body in which constituent layers 210a to 210g are stacked. Conductor pattern 26 formed in 210 g and on upper and lower surfaces thereof
2,263,264. Since this VCO is constituted by an equivalent circuit as shown in FIG. 36, it has a strip line 263, a capacitor, a signal line, a semiconductor, a power supply line and the like. For this reason, it is effective to form the constituent layers with materials suitable for each function.
【0145】この例では、構成層210a〜210gの
少なくともいずれかには、少なくとも厚みが2〜40μ
m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層
には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘
電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっ
ては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一
材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形
成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度
を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いても
よい。In this example, at least one of the constituent layers 210a to 210g has a thickness of at least 2 to 40 μm.
m having a glass clothless constituent layer. This constituent layer may further contain a dielectric powder or a magnetic powder in order to adjust electric characteristics or magnetic characteristics, and in some cases, may contain a flame retardant. It is not necessary that all constituent layers are formed of the same material, and constituent layers formed of different materials may be combined. In addition, a glass cloth may be used for a part of the component in order to improve the strength of the component.
【0146】特に、コンデンサ構成層210c〜210
eに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成
層の厚みを極端に薄くすることができ、VCOをより小
型にすることができる。In particular, the capacitor constituting layers 210c to 210c
By using the glass clothless constituent layer for e, the thickness of the constituent layer can be made extremely thin, and the VCO can be made smaller.
【0147】共振器を構成する構成層210f,210
gでは1〜2GHzにおける誘電正接が0.0025〜
0.0075の構成層を用いることが好ましい。コンデ
ンサ構成層210c〜210eには、1〜2GHzにおけ
る誘電正接が0.0075〜0.025、比誘電率が5
〜40となるような構成層を用いることが好ましい。配
線、およびインダクタ構成層210a,210bには、
1〜2GHzにおける誘電正接が0.0025〜0.00
75、比誘電率が2.6〜5.0の誘電体層を用いるこ
とが好ましい。Constituent layers 210f and 210 constituting a resonator
In g, the dielectric loss tangent at 1-2 GHz is 0.0025-
It is preferable to use a constituent layer of 0.0075. The capacitor constituent layers 210c to 210e have a dielectric loss tangent of 0.0075 to 0.025 at 1-2 GHz and a relative dielectric constant of 5
It is preferable to use a constituent layer having a thickness of from 40 to 40. The wiring and the inductor constituent layers 210a and 210b include:
The dielectric loss tangent at 1-2 GHz is 0.0025-0.00
It is preferable to use a dielectric layer having a relative dielectric constant of 2.6 to 5.0.
【0148】そして、上記構成層210a〜210gの
表面には、内部導体であるストリップライン263、G
ND導体262、コンデンサ導体264,配線インダク
タ導体265、および端子導体266を構成する。ま
た、それぞれの内部導体はビアホール214により上下
に接続され、表面にはマウントされた電子部品261が
搭載されて図36の等価回路に示すようなVCOが形成
される。The strip lines 263, G, which are internal conductors, are provided on the surfaces of the constituent layers 210a to 210g.
The ND conductor 262, the capacitor conductor 264, the wiring inductor conductor 265, and the terminal conductor 266 are formed. Further, the respective internal conductors are vertically connected by via holes 214, and mounted electronic components 261 are mounted on the surface to form a VCO as shown in an equivalent circuit of FIG.
【0149】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Q、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。With this configuration, the dielectric constant, Q, and dielectric loss tangent suitable for each function can be obtained, and high performance, small size, and thinness can be achieved.
【0150】<実施例15>図37〜図39は、パワー
アンプ(電力増幅部)を示している。ここで図37は各
構成層の分解平面図、図38は断面図、図39は等価回
路図である。Embodiment 15 FIGS. 37 to 39 show a power amplifier (power amplifier). Here, FIG. 37 is an exploded plan view of each constituent layer, FIG. 38 is a sectional view, and FIG. 39 is an equivalent circuit diagram.
【0151】図37〜39において、パワーアンプは、
構成層300a〜300eが積層された積層体の上に形
成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、レジ
スタ等の電子部品361と、この構成層300a〜30
0e中およびその上下面に形成されている導体パターン
313,315を有する。このパワーアンプは図39に
示すような等価回路により構成されているため、ストリ
ップラインL11〜L17、コンデンサC11〜C2
0、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。この
ため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成する
のが効果的である。In FIG. 37 to FIG. 39, the power amplifier
Electronic components 361 such as capacitors, inductors, semiconductors, and resistors formed and arranged on a laminated body in which the constituent layers 300a to 300e are stacked;
It has conductor patterns 313 and 315 formed in 0e and on the upper and lower surfaces thereof. Since this power amplifier is constituted by an equivalent circuit as shown in FIG. 39, the strip lines L11 to L17 and the capacitors C11 to C2
0, a signal line, a power supply line to a semiconductor, and the like. For this reason, it is effective to form the constituent layers with materials suitable for each function.
【0152】この例では、構成層の少なくともいずれか
には、少なくとも厚みが2〜40μm であるガラスクロ
スレス構成層を有する。この構成層には、さらに、電気
特性や磁気特性を調整するために誘電体粉、磁性体粉が
含有されていてもよく、場合によっては難燃剤が含まれ
ていてもよい。全ての構成層が同一材料で形成されてい
る必要はなく、異なる材料により形成された構成層を組
み合わせてもよい。また、部品強度を向上させるため、
その一部にガラスクロスを用いてもよい。In this example, at least one of the constituent layers has a glass clothless constituent layer having a thickness of at least 2 to 40 μm. This constituent layer may further contain a dielectric powder or a magnetic powder in order to adjust electric characteristics or magnetic characteristics, and in some cases, may contain a flame retardant. It is not necessary that all constituent layers are formed of the same material, and constituent layers formed of different materials may be combined. Also, to improve the strength of the parts,
A glass cloth may be used for a part thereof.
【0153】特に、コンデンサ構成層300a〜300
cに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成
層の厚みを極端に薄くすることができ、パワーアンプを
より小型にすることができる。In particular, capacitor constituent layers 300a to 300
By using the glass clothless constituent layer for c, the thickness of the constituent layer can be extremely reduced, and the power amplifier can be made more compact.
【0154】この場合、ストリップラインを構成する構
成層300d,300eには、1〜2GHzにおける誘電
正接が0.0075〜0.025、比誘電率が2.6〜
40の構成を用いることが好ましい。コンデンサ構成層
300a〜300cには、1〜2GHzにおける誘電正接
が0.0025〜0.025、比誘電率が5〜40とな
るような構成層を用いることが好ましい。In this case, the constituent layers 300d and 300e constituting the strip line have a dielectric loss tangent of 0.0075 to 0.025 and a dielectric constant of 2.6 to 2.6 GHz at 1 to 2 GHz.
Preferably, a forty configuration is used. As the capacitor constituent layers 300a to 300c, it is preferable to use constituent layers having a dielectric loss tangent of 0.0025 to 0.025 and a relative dielectric constant of 5 to 40 at 1 to 2 GHz.
【0155】そして、これらの構成層300a〜300
eの表面には、内部導体313、GND導体315等が
形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホー
ル314により上下に接続され、表面にはマウントされ
た電子部品361が搭載されて図39の等価回路に示す
ようなパワーアンプが形成される。Then, these constituent layers 300a to 300a
On the surface of e, an internal conductor 313, a GND conductor 315 and the like are formed. Each internal conductor is vertically connected by a via hole 314, and mounted electronic components 361 are mounted on the surface to form a power amplifier as shown in the equivalent circuit of FIG.
【0156】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Q、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。With this configuration, the dielectric constant, Q, and dielectric tangent suitable for each function can be obtained, and high performance, small size, and thinness can be achieved.
【0157】<実施例16>図40〜図42は、光ピッ
クアップなどに使用される重畳モジュールを示してい
る。ここで図40は各構成層の分解平面図、図41は断
面図、図42は等価回路図である。Embodiment 16 FIGS. 40 to 42 show a superposition module used for an optical pickup or the like. 40 is an exploded plan view of each constituent layer, FIG. 41 is a sectional view, and FIG. 42 is an equivalent circuit diagram.
【0158】図40〜42において、重畳モジュール
は、構成層400a〜400kが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品461と、この構成層400a〜
400k中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン413,415を有する。この重畳モジュールは図
42に示すような等価回路により構成されているため、
インダクタL21、L23、コンデンサC21〜C2
7、信号線、半導体への電源ラインなどを有する。この
ため、それぞれの機能に適した材料で構成層を形成する
のが効果的である。40 to 42, a superimposed module includes a capacitor, an inductor, a semiconductor, and a capacitor formed and arranged on a laminate in which constituent layers 400a to 400k are laminated.
An electronic component 461 such as a register and the constituent layers 400a to
It has conductor patterns 413 and 415 formed in 400k and on the upper and lower surfaces thereof. Since this superimposition module is configured by an equivalent circuit as shown in FIG. 42,
Inductors L21 and L23, capacitors C21 and C2
7, a signal line, a power supply line to a semiconductor, and the like. For this reason, it is effective to form the constituent layers with materials suitable for each function.
【0159】この例では、構成層400a〜400kの
少なくともいずれかには、少なくとも厚みが2〜40μ
m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層
には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘
電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっ
ては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一
材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形
成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度
を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いても
よい。In this example, at least one of the constituent layers 400a to 400k has at least a thickness of 2 to 40 μm.
m having a glass clothless constituent layer. This constituent layer may further contain a dielectric powder or a magnetic powder in order to adjust electric characteristics or magnetic characteristics, and in some cases, may contain a flame retardant. It is not necessary that all constituent layers are formed of the same material, and constituent layers formed of different materials may be combined. In addition, a glass cloth may be used for a part of the component to improve the strength of the component.
【0160】特に、コンデンサ構成層400d〜400
hに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成
層の厚みを極端に薄くすることができ、重畳モジュール
をより小型にすることができる。In particular, capacitor constituent layers 400d to 400d
By using the above-mentioned glass clothless constituent layer for h, the thickness of the constituent layer can be extremely reduced, and the superposed module can be made more compact.
【0161】この場合、コンデンサ構成層400d〜4
00hには、1〜2GHzにおける誘電正接が0.007
5〜0.025、比誘電率が10〜40となるような構
成を用いることが好ましい。インダクタを構成する構成
層400a〜400c,400j〜400kには、1〜
2GHzにおける誘電正接が0.0025〜0.007
5、比誘電率が2.6〜5.0となるような構成層を用
いることが好ましい。In this case, the capacitor constituting layers 400d-4d
In 00h, the dielectric loss tangent at 1-2 GHz is 0.007.
It is preferable to use a configuration in which the relative dielectric constant is 5 to 0.025 and the relative dielectric constant is 10 to 40. The constituent layers 400a to 400c and 400j to 400k constituting the inductor include
Dielectric tangent at 2 GHz is 0.0025 to 0.007
5. It is preferable to use a constituent layer having a relative dielectric constant of 2.6 to 5.0.
【0162】そして、これらの構成層400a〜400
kの表面には、内部導体413、GND導体415等が
形成されている。また、それぞれの内部導体はビアホー
ル414により上下に接続され、表面にはマウントされ
た電子部品461が搭載されて図42の等価回路に示す
ような重畳モジュールが形成される。Then, these constituent layers 400a-400
On the surface of k, an internal conductor 413, a GND conductor 415, and the like are formed. The respective internal conductors are vertically connected by via holes 414, and mounted electronic components 461 are mounted on the surface to form a superimposed module as shown in the equivalent circuit of FIG.
【0163】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Q、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。With this configuration, the dielectric constant, Q, and dielectric tangent suitable for each function can be obtained, and high performance, small size, and thinness can be achieved.
【0164】<実施例17>図43〜図46は、RFモ
ジュールを示している。ここで図43は斜視図、図44
は外装部材を外した状態での斜視図、図45は各構成層
の分解斜視図、図46は断面図である。<Embodiment 17> FIGS. 43 to 46 show an RF module. Here, FIG. 43 is a perspective view, and FIG.
Is a perspective view with the exterior member removed, FIG. 45 is an exploded perspective view of each constituent layer, and FIG. 46 is a sectional view.
【0165】図43〜46において、RFモジュール
は、構成層500a〜500iが積層された積層体の上
に形成、配置されたコンデンサ、インダクタ、半導体、
レジスタ等の電子部品561と、この構成層500a〜
500i中およびその上下面に形成されている導体パタ
ーン513,515、572と、アンテナパターン57
3を有する。このRFモジュールは、上記のようにイン
ダクタ、コンデンサ、信号線、半導体への電源ラインな
どを有する。このため、それぞれの機能に適した材料で
構成層を形成するのが効果的である。43 to 46, the RF module includes a capacitor, an inductor, a semiconductor, and a capacitor formed and arranged on a laminate in which constituent layers 500a to 500i are laminated.
Electronic components 561 such as registers,
Conductor patterns 513, 515, 572 formed in and on the upper and lower surfaces of the antenna pattern
3 This RF module has an inductor, a capacitor, a signal line, a power supply line to a semiconductor, and the like as described above. For this reason, it is effective to form the constituent layers with materials suitable for each function.
【0166】この例では、構成層500a〜500iの
少なくともいずれかには、少なくとも厚みが2〜40μ
m であるガラスクロスレス構成層を有する。この構成層
には、さらに、電気特性や磁気特性を調整するために誘
電体粉、磁性体粉が含有されていてもよく、場合によっ
ては難燃剤が含まれていてもよい。全ての構成層が同一
材料で形成されている必要はなく、異なる材料により形
成された構成層を組み合わせてもよい。また、部品強度
を向上させるため、その一部にガラスクロスを用いても
よい。In this example, at least one of the constituent layers 500a to 500i has a thickness of at least 2 to 40 μm.
m having a glass clothless constituent layer. This constituent layer may further contain a dielectric powder or a magnetic powder in order to adjust electric characteristics or magnetic characteristics, and in some cases, may contain a flame retardant. It is not necessary that all constituent layers are formed of the same material, and constituent layers formed of different materials may be combined. In addition, a glass cloth may be used for a part of the component in order to improve the strength of the component.
【0167】特に、コンデンサ構成層500e〜500
fに上記ガラスクロスレス構成層を用いることで、構成
層の厚みを極端に薄くすることができ、RFモジュール
をより小型にすることができる。In particular, capacitor constituent layers 500e to 500e
By using the glass clothless constituent layer for f, the thickness of the constituent layer can be extremely reduced, and the RF module can be made smaller.
【0168】この場合、アンテナ構成、ストリップライ
ン構成および配線層500a〜500d、500gは、
1〜2GHzにおける誘電正接が0.0025〜0.00
75、比誘電率が2.6〜5.0の構成層を用いること
が好ましい。コンデンサ構成層500e〜500fに
は、1〜2GHzにおける誘電正接が0.0075〜0.
025、比誘電率が10〜40となるような構成層を用
いることが好ましい。電源ライン層500h〜500i
には、1〜2GHzにおける透磁率が3〜20となるよう
な構成層を用いることが好ましい。In this case, the antenna configuration, the strip line configuration, and the wiring layers 500a to 500d and 500g are:
The dielectric loss tangent at 1-2 GHz is 0.0025-0.00
75, it is preferable to use a constituent layer having a relative dielectric constant of 2.6 to 5.0. The dielectric loss tangent at 1-2 GHz is 0.0075-0.
025, it is preferable to use a constituent layer having a relative dielectric constant of 10 to 40. Power supply line layer 500h to 500i
It is preferable to use a constituent layer having a magnetic permeability of 3 to 20 at 1 to 2 GHz.
【0169】そして、これらの構成層500a〜500
iの表面には、内部導体513、GND導体515、ア
ンテナ導体573等が形成されている。また、それぞれ
の内部導体はビアホール514により上下に接続され、
表面にはマウントされた電子部品561が搭載されてR
Fモジュールが形成される。Then, these constituent layers 500a to 500a
On the surface of i, an internal conductor 513, a GND conductor 515, an antenna conductor 573, and the like are formed. Also, the respective inner conductors are vertically connected by via holes 514,
The mounted electronic component 561 is mounted on the surface, and R
An F module is formed.
【0170】このように構成することにより、それぞれ
の機能に適した誘電率、Q、誘電正接とすることがで
き、高性能化、小型、薄型化が可能となる。With this configuration, the dielectric constant, Q, and dielectric tangent suitable for each function can be obtained, and high performance, small size, and thinness can be achieved.
【0171】本発明は、上記に例示した電子部品以外
に、上記同様の手法で、コモンモードフィルタ、EMC
フィルタ、電源用フィルタ、パルストランス、チョーク
コイル、DC−DCコンバータ、ディレイライン、アン
テナスイッチモジュール、アンテナフロントエンドモジ
ュール、アイソレータ・パワーアンプモジュール、PL
Lモジュール、フロントエンドモジュール、チューナー
ユニット、方向性結合器、ダブルバランスドミキサー
(DBM)、電力合成器、電力分配器、PTCサーミス
タ等に応用することができる。According to the present invention, in addition to the electronic components exemplified above, a common mode filter and an EMC
Filter, power supply filter, pulse transformer, choke coil, DC-DC converter, delay line, antenna switch module, antenna front-end module, isolator / power amplifier module, PL
It can be applied to an L module, a front end module, a tuner unit, a directional coupler, a double balanced mixer (DBM), a power combiner, a power distributor, a PTC thermistor, and the like.
【0172】[0172]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、従来の基
板よりも薄型化が可能で、高性能、しかもハンドリング
時の強度的な問題も生じない積層基板、および電子部品
を提供することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a laminated substrate and an electronic component which can be made thinner than conventional substrates, have high performance, and do not cause problems in strength during handling. Can be.
【図1】本発明の積層基板の構成層の形成例を示す工程
図である。FIG. 1 is a process chart showing an example of forming constituent layers of a laminated substrate of the present invention.
【図2】本発明の積層基板の構成層の形成例を示す工程
図である。FIG. 2 is a process chart showing an example of forming constituent layers of a laminated substrate according to the present invention.
【図3】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an inductor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図4】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an inductor as a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図5】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an inductor as a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図6】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an inductor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図7】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an inductor as a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図8】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an inductor as a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図9】本発明の電子部品の構成例であるインダクタを
示す図である。FIG. 9 is a view showing an inductor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図10】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す図である。FIG. 10 is a view showing an inductor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図11】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing an inductor as a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図12】本発明の電子部品の構成例であるインダクタ
を示す等価回路図である。FIG. 12 is an equivalent circuit diagram showing an inductor as a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図13】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。FIG. 13 is a view showing a capacitor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図14】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。FIG. 14 is a view showing a capacitor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図15】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す図である。FIG. 15 is a view showing a capacitor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図16】本発明の電子部品の構成例であるキャパシタ
を示す等価回路図である。FIG. 16 is an equivalent circuit diagram showing a capacitor which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図17】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。FIG. 17 is a diagram showing a balun transformer which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図18】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。FIG. 18 is a diagram showing a balun transformer which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図19】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す図である。FIG. 19 is a diagram showing a balun transformer which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図20】本発明の電子部品の構成例であるバルントラ
ンスを示す等価回路図である。FIG. 20 is an equivalent circuit diagram showing a balun transformer which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図21】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。FIG. 21 is a diagram illustrating a multilayer filter that is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図22】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。FIG. 22 is a diagram illustrating a laminated filter that is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図23】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す等価回路図である。FIG. 23 is an equivalent circuit diagram showing a multilayer filter as a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図24】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タの伝達特性を示す図である。FIG. 24 is a diagram illustrating transfer characteristics of a multilayer filter as a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図25】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。FIG. 25 is a diagram showing a laminated filter which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図26】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す図である。FIG. 26 is a diagram illustrating a multilayer filter that is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図27】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タを示す等価回路図である。FIG. 27 is an equivalent circuit diagram showing a multilayer filter as a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図28】本発明の電子部品の構成例である積層フィル
タの伝達特性を示す図である。FIG. 28 is a diagram illustrating transfer characteristics of a multilayer filter that is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図29】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。FIG. 29 is a diagram illustrating a coupler as a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図30】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。FIG. 30 is a diagram illustrating a coupler that is a configuration example of an electronic component according to the invention.
【図31】本発明の電子部品の構成例であるカプラを示
す図である。FIG. 31 is a diagram illustrating a coupler that is a configuration example of an electronic component according to the invention.
【図32】本発明の電子部品の構成例であるカプラの内
部結線を示す図である。FIG. 32 is a diagram showing an internal connection of a coupler which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図33】本発明の電子部品の構成例であるカプラの等
価回路を示す図である。FIG. 33 is a diagram showing an equivalent circuit of a coupler which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図34】本発明の電子部品の構成例であるVCOを示
す図である。FIG. 34 is a diagram illustrating a VCO that is a configuration example of an electronic component according to the present invention.
【図35】本発明の電子部品の構成例であるVCOを示
す図である。FIG. 35 is a diagram illustrating a VCO that is a configuration example of an electronic component according to the invention.
【図36】本発明の電子部品の構成例であるVCOを示
す等価回路図である。FIG. 36 is an equivalent circuit diagram showing a VCO that is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図37】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す図である。FIG. 37 is a diagram illustrating a power amplifier that is a configuration example of an electronic component according to the invention.
【図38】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す図である。FIG. 38 is a diagram illustrating a power amplifier that is a configuration example of an electronic component according to the invention.
【図39】本発明の電子部品の構成例であるパワーアン
プを示す等価回路図である。FIG. 39 is an equivalent circuit diagram showing a power amplifier which is a configuration example of an electronic component of the present invention.
【図40】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す図である。FIG. 40 is a diagram showing a superposition module which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図41】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す図である。FIG. 41 is a diagram showing a superposition module which is a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図42】本発明の電子部品の構成例である重畳モジュ
ールを示す等価回路図である。FIG. 42 is an equivalent circuit diagram showing a superposition module which is a configuration example of an electronic component of the present invention.
【図43】本発明の電子部品の構成例であるRFモジュ
ールを示す図である。FIG. 43 is a diagram showing an RF module which is a configuration example of an electronic component of the present invention.
【図44】本発明の電子部品の構成例であるRFモジュ
ールを示す図である。FIG. 44 is a diagram showing an RF module as a configuration example of the electronic component of the present invention.
【図45】本発明の電子部品の構成例であるRFモジュ
ールを示す図である。FIG. 45 is a diagram showing an RF module which is a configuration example of an electronic component of the present invention.
【図46】本発明の電子部品の構成例であるRFモジュ
ールを示す図である。FIG. 46 is a diagram showing an RF module which is a configuration example of an electronic component of the present invention.
10 インダクタ 10a〜10e 構成層 11 ランドパターン 12 貫通ビア 13 内部導体(コイルパターン) 14 ビアホール 20 キャパシタ 20a〜20g 構成層 21 ランドパターン 22 貫通ビア 23 内部導体(内部電極パターン) 40 バルントランス 40a〜40o構成層 45 GND導体 43 内部導体 60 積層フィルター 80 ブロックフィルター 110 カプラ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Inductor 10a-10e Constituent layer 11 Land pattern 12 Through via 13 Internal conductor (coil pattern) 14 Via hole 20 Capacitor 20a-20g Constituent layer 21 Land pattern 22 Through via 23 Internal conductor (internal electrode pattern) 40 Balun transformer 40a-40o Layer 45 GND conductor 43 Inner conductor 60 Multilayer filter 80 Block filter 110 Coupler
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01G 4/12 364 H01G 4/30 311Z 4/30 311 H05K 1/03 610R H01F 1/14 B H05K 1/03 610 C Fターム(参考) 5E001 AB03 AE02 AH01 AH09 AJ01 AJ02 5E041 AA11 AB02 AB04 CA10 NN06 5E082 AA01 AB03 FG26 JJ03 JJ15 PP03 PP04 PP09 5E343 AA13 BB23 BB24 BB25 BB28 DD56 DD76 GG20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) H01G 4/12 364 H01G 4/30 311Z 4/30 311 H05K 1/03 610R H01F 1/14 B H05K 1 / 03 610 CF term (reference) 5E001 AB03 AE02 AH01 AH09 AJ01 AJ02 5E041 AA11 AB02 AB04 CA10 NN06 5E082 AA01 AB03 FG26 JJ03 JJ15 PP03 PP04 PP09 5E343 AA13 BB23 BB24 BB25 BB28 DD56 DD76GG20
Claims (16)
ーニングし、 その後パターン形成された導電体層を有する転写フィル
ムを、この導電体層側がプリプレグと対向するように配
置し、 次いで、転写フィルムをプリプレグに加熱圧着した後、
転写フィルムを剥離し導電体層を有するプリプレグを得
る積層基板の製造方法。1. A conductive film is adhered to a transfer film, and the conductive layer is patterned into a predetermined pattern by etching. Thereafter, a transfer film having a patterned conductive layer is formed by prepreg on the conductive layer side. After placing the transfer film on the prepreg under heat and pressure,
A method for manufacturing a laminated substrate, in which a transfer film is peeled to obtain a prepreg having a conductor layer.
℃、圧力:4.9〜39MPa、処理時間120〜180
分間の条件で行う請求項1の積層基板の製造方法。2. The thermocompression bonding is performed at a temperature of 140 to 160.
° C, pressure: 4.9-39MPa, processing time 120-180
The method for producing a laminated substrate according to claim 1, wherein the method is performed under the condition of minutes.
写フィルムを100〜130℃、5〜20分間熱処理を
行う請求項1または2の積層基板の製造方法。3. The method according to claim 1, wherein the transfer film is heat-treated at 100 to 130 ° C. for 5 to 20 minutes before placing the prepreg.
かが樹脂中に分散され、厚みが2〜40μm であるプリ
プレグを得る請求項1〜3のいずれかの積層基板の製造
方法。4. The method according to claim 1, wherein at least one of a dielectric powder and a magnetic powder is dispersed in a resin to obtain a prepreg having a thickness of 2 to 40 μm.
面上に他のプリプレグを配置し、この他のプリプレグを
加熱圧着することにより、内部導体パターンを有する積
層基板を得る請求項1〜4のいずれかの積層基板の製造
方法。5. The laminated substrate having an internal conductor pattern by arranging another prepreg on the pattern forming surface of the prepreg and heat-pressing the other prepreg. Of manufacturing a laminated substrate.
m である請求項1〜5のいずれかの積層基板の製造方
法。6. The conductor layer has a surface roughness Rz of 1 to 6 μm.
The method for manufacturing a laminated substrate according to any one of claims 1 to 5, wherein
びAuから選択される1種または2種以上の元素により
構成されている請求項1〜5のいずれかの積層基板の製
造方法。7. The method according to claim 1, wherein the conductive layer is made of one or more elements selected from Cu, Al, Ag, and Au.
により製造されている請求項1〜5のいずれかの積層基
板の製造方法。8. The method according to claim 1, wherein the conductor layer is manufactured by an electrolytic method or a rolling method.
ある請求項1〜5のいずれかの積層基板の製造方法。9. The method according to claim 1, wherein said conductive layer has a thickness of 3 to 32 μm.
ネオジウム系セラミックス、チタン−バリウム−スズ系
セラミックス、鉛−カルシウム系セラミックス、二酸化
チタン系セラミックス、チタン酸バリウム系セラミック
ス、チタン酸鉛系セラミックス、チタン酸ストロンチウ
ム系セラミックス、チタン酸カルシウム系セラミック
ス、チタン酸ビスマス系セラミックス、チタン酸マグネ
シウム系セラミックス、CaWO4 系セラミックス、B
a(Mg,Nb)O3 系セラミックス、Ba(Mg,T
a)O3 系セラミックス、Ba(Co,Mg,Nb)O
3系セラミックス、およびBa(Co,Mg,Ta)O3
系セラミックスのいずれか1種または2種以上により
形成されている請求項4〜9のいずれかの積層基板の製
造方法。10. The dielectric powder is titanium-barium-
Neodymium ceramics, titanium-barium-tin ceramics, lead-calcium ceramics, titanium dioxide ceramics, barium titanate ceramics, lead titanate ceramics, strontium titanate ceramics, calcium titanate ceramics, bismuth titanate Ceramics, magnesium titanate ceramics, CaWO 4 ceramics, B
a (Mg, Nb) O 3 ceramics, Ba (Mg, T
a) O 3 ceramics, Ba (Co, Mg, Nb) O
3 series ceramics and Ba (Co, Mg, Ta) O 3
The method for manufacturing a laminated substrate according to any one of claims 4 to 9, wherein the method is formed of any one or more of ceramics.
ジルコニア、チタン酸カリウムウイスカ、チタン酸カル
シウムウイスカ、チタン酸バリウムウイスカ、酸化亜鉛
ウイスカ、ガラスチョップ、ガラスビーズ、カーボン繊
維、および酸化マグネシウムのいずれか1種または2種
以上により形成されている請求項4〜9のいずれかの積
層基板の製造方法。11. The dielectric powder comprises silica, alumina,
The whiskers are made of one or more of zirconia, potassium titanate whiskers, calcium titanate whiskers, barium titanate whiskers, zinc oxide whiskers, glass chops, glass beads, carbon fibers, and magnesium oxide. 9. The method for manufacturing a laminated substrate according to any one of items 1 to 9.
の合計量を100体積%としたとき、10体積%以上6
5体積%未満含有する請求項4〜11のいずれかの積層
基板の製造方法。12. The dielectric powder, when the total amount of the resin and the dielectric powder is 100% by volume, is at least 10% by volume.
The method for producing a laminated substrate according to any one of claims 4 to 11, wherein the content is less than 5% by volume.
系、Ni−Zn系、およびMn−Zn系フェライトのい
ずれか1種または2種以上により形成されている請求項
4〜12のいずれかの積層基板の製造方法。13. The magnetic material powder, wherein Mn—Mg—Zn
The method for manufacturing a laminated substrate according to claim 4, wherein the laminated substrate is formed of one or more of ferrite, Ni—Zn ferrite, and Mn—Zn ferrite.
−シリコン系合金、鉄−アルミ−珪素系合金、鉄−ニッ
ケル系合金、およびアモルファス系強磁性金属の1種ま
たは2種以上により形成されている請求項4〜12のい
ずれかの積層基板の製造方法。14. The magnetic powder is formed of one or more of carbonyl iron, an iron-silicon alloy, an iron-aluminum-silicon alloy, an iron-nickel alloy, and an amorphous ferromagnetic metal. The method for manufacturing a laminated substrate according to any one of claims 4 to 12, wherein:
形状が円形である球形度0.9〜1.0の球状であっ
て、平均粒径が0.1〜40μm である請求項4〜14
のいずれかの積層基板の製造方法。15. The dielectric powder or the magnetic powder has a spherical shape having a circular projection of 0.9 to 1.0 and an average particle diameter of 0.1 to 40 μm. ~ 14
Any one of the laminated substrates.
も導電体層のパターニングにより電子部品素子を形成
し、 さらに電子部品素子の端子となるスルーホールを形成
し、 前記各電子部品素子毎に前記スルーホール部分で切断し
て電子部品を得る電子部品の製造方法。16. An electronic component element is formed by patterning at least a conductive layer of the laminated substrate according to claim 4; and a through hole serving as a terminal of the electronic component element is formed. A method of manufacturing an electronic component in which an electronic component is obtained by cutting at a through hole.
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007088358A (en) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Sekisui Chem Co Ltd | Transfer film and laminated ceramic capacitor |
JP2007278900A (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Sheet-like connector and its manufacturing method |
CN100348661C (en) * | 2002-12-27 | 2007-11-14 | Tdk株式会社 | Resin composition, cured resin, sheet-like cured resin, laminated body, prepreg, electronic parts and multilayer boards |
WO2009001944A1 (en) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Process for producing magnetic material |
JP2010212442A (en) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nec Tokin Corp | Amorphous soft magnetic powder, toroidal core, and inductor |
JP2011176076A (en) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Emprie Technology Development LLC | Wiring board and method for manufacturing the same, and method for disassembling the wiring board |
WO2019026695A1 (en) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | 株式会社村田製作所 | Multilayer substrate and method for manufacturing multilayer substrate |
WO2020111045A1 (en) * | 2018-11-26 | 2020-06-04 | 日本発條株式会社 | Method for manufacturing metal base circuit substrate |
WO2024073393A1 (en) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | Resonant Link, Inc. | Improved coil fabrication |
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2001
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100348661C (en) * | 2002-12-27 | 2007-11-14 | Tdk株式会社 | Resin composition, cured resin, sheet-like cured resin, laminated body, prepreg, electronic parts and multilayer boards |
JP2007088358A (en) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Sekisui Chem Co Ltd | Transfer film and laminated ceramic capacitor |
JP2007278900A (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Sheet-like connector and its manufacturing method |
JP4715600B2 (en) * | 2006-04-07 | 2011-07-06 | 住友電気工業株式会社 | Sheet connector and manufacturing method thereof |
WO2009001944A1 (en) * | 2007-06-27 | 2008-12-31 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Process for producing magnetic material |
JP4846025B2 (en) * | 2007-06-27 | 2011-12-28 | 新電元工業株式会社 | Method for manufacturing magnetic material |
JP2010212442A (en) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Nec Tokin Corp | Amorphous soft magnetic powder, toroidal core, and inductor |
JP2011176076A (en) * | 2010-02-24 | 2011-09-08 | Emprie Technology Development LLC | Wiring board and method for manufacturing the same, and method for disassembling the wiring board |
WO2019026695A1 (en) * | 2017-08-02 | 2019-02-07 | 株式会社村田製作所 | Multilayer substrate and method for manufacturing multilayer substrate |
WO2020111045A1 (en) * | 2018-11-26 | 2020-06-04 | 日本発條株式会社 | Method for manufacturing metal base circuit substrate |
WO2024073393A1 (en) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | Resonant Link, Inc. | Improved coil fabrication |
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