JP2002299444A - Semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ヒューズを備えた
半導体装置に関する。特には、耐吸湿性が向上し、信頼
性の低下を抑制できる半導体装置に関する。The present invention relates to a semiconductor device having a fuse. In particular, the present invention relates to a semiconductor device having improved moisture absorption resistance and capable of suppressing a decrease in reliability.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図２（ａ）は、従来の半導体装置を示す
平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す２ｂ−
２ｂ線に沿った断面図である。この半導体装置は、製品
特性を調節するためのヒューズ２１ａを備えており、液
晶表示用のドライバーＩＣなどに用いられるものであ
る。2. Description of the Related Art FIG. 2A is a plan view showing a conventional semiconductor device, and FIG. 2B is a plan view of a semiconductor device shown in FIG.
It is sectional drawing which followed the 2b line. This semiconductor device includes a fuse 21a for adjusting product characteristics, and is used for a driver IC for liquid crystal display and the like.
【０００３】シリコン基板（図示せず）上に絶縁膜（図
示せず）を介してポリシリコン膜を堆積し、このポリシ
リコン膜をパターニングする。これにより、絶縁膜上に
はポリシリコンからなるヒューズ２１ａが形成されると
共に、ヒューズ２１ａの外側にはリング状のポリシリコ
ン部２１ｂが形成される。次に、ヒューズ２１ａ及びポ
リシリコン部２１ｂを含む全面上にＢＰＳＧ(Boron-dop
ed Phosphor-SilicateGlass)膜２２を堆積し、このＢＰ
ＳＧ膜２２を平坦化する。[0005] A polysilicon film is deposited on a silicon substrate (not shown) via an insulating film (not shown), and the polysilicon film is patterned. Thus, a fuse 21a made of polysilicon is formed on the insulating film, and a ring-shaped polysilicon portion 21b is formed outside the fuse 21a. Next, a BPSG (Boron-dopop) is formed on the entire surface including the fuse 21a and the polysilicon portion 21b.
ed Phosphor-SilicateGlass) film 22 is deposited and this BP
The SG film 22 is flattened.
【０００４】この後、エッチングによりＢＰＳＧ膜２２
にヒューズ２１ａ上に位置する接続孔２２ａ，２２ｂを
設けると共にポリシリコン部２１ｂ上に位置するリング
状の接続孔２２ｃを設ける。次に、これら接続孔２２ａ
〜２２ｃ内及びＢＰＳＧ膜２２上にスパッタリング法に
より１層目Ａｌ合金膜を堆積し、１層目Ａｌ合金膜をパ
ターニングする。これにより、ＢＰＳＧ膜２２上には１
層目Ａｌ合金配線２３ａ，２３ｂ及びリング状の１層目
Ａｌ合金部２３ｃが形成される。１層目Ａｌ合金配線２
３ａは接続孔２２ａを介してヒューズ２１ａの一端に接
続されており、１層目Ａｌ合金配線２３ｂは接続孔２２
ｂを介してヒューズ２１ａの他端に接続されている。１
層目Ａｌ合金部２３ｃは、ポリシリコン部２１ｂ上に位
置し、接続孔２２ｃを介してポリシリコン部２１ｂに接
続されている。Thereafter, the BPSG film 22 is etched by etching.
Are provided with connection holes 22a and 22b located on the fuse 21a and a ring-shaped connection hole 22c located on the polysilicon portion 21b. Next, these connection holes 22a
The first Al alloy film is deposited by sputtering in the layers 22c and 22c and on the BPSG film 22, and the first Al alloy film is patterned. As a result, 1 is on the BPSG film 22.
The first layer Al alloy wirings 23a and 23b and the ring-shaped first layer Al alloy part 23c are formed. First layer Al alloy wiring 2
3a is connected to one end of the fuse 21a via the connection hole 22a, and the first layer Al alloy wiring 23b is connected to the connection hole 22a.
It is connected to the other end of the fuse 21a via the line b. 1
The layer Al alloy portion 23c is located on the polysilicon portion 21b, and is connected to the polysilicon portion 21b via the connection hole 22c.
【０００５】次に、１層目Ａｌ合金配線２３ａ，２３ｂ
及び１層目Ａｌ合金部２３ｃを含む全面上にＣＶＤ（Ch
emical Vapor Deposition）法によりシリコン酸化膜２
４を堆積する。この後、シリコン酸化膜２４をエッチン
グすることにより、該シリコン酸化膜２４にヒューズ２
１ａの上方に位置する開口部２４ａが形成されると共に
１層目Ａｌ合金配線２３ａ，２３ｂ上に位置する接続孔
２４ｂ，２４ｃが形成される。Next, the first-layer Al alloy wirings 23a and 23b
And CVD (Ch) on the entire surface including the first-layer Al alloy portion 23c.
Silicon oxide film 2 by emical vapor deposition) method
4 is deposited. Thereafter, the silicon oxide film 24 is etched, so that the fuse 2
An opening 24a located above 1a is formed, and connection holes 24b, 24c located above the first-layer Al alloy wirings 23a, 23b are formed.
【０００６】この後、開口部２４ａの内側壁を含む全面
上にスパッタリング法により２層目Ａｌ合金膜を堆積
し、２層目Ａｌ合金膜をパターニングする。これによ
り、開口部２４ａの内側壁には２層目Ａｌ合金膜からな
る防湿口リング壁２５ａが形成され、シリコン酸化膜２
４上には２層目Ａｌ合金配線２５ｂ，２５ｃが形成され
る。Thereafter, a second Al alloy film is deposited on the entire surface including the inner side wall of the opening 24a by a sputtering method, and the second Al alloy film is patterned. Thus, the moisture-proof opening ring wall 25a made of the second-layer Al alloy film is formed on the inner side wall of the opening 24a,
The second layer Al alloy wirings 25b and 25c are formed on the fourth layer.
【０００７】次に、防湿口リング壁２５ａを含む全面上
にシリコン窒化膜からなる１層目パッシベーション膜２
６を堆積し、１層目パッシベーション膜２６上にシリコ
ン窒化膜からなる２層目パッシベーション膜２７を堆積
する。Next, a first passivation film 2 made of a silicon nitride film is formed on the entire surface including the moisture-proof opening ring wall 25a.
6 is deposited, and a second passivation film 27 made of a silicon nitride film is deposited on the first passivation film 26.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
半導体装置では、平坦化プロセスに適したＢＰＳＧ膜２
２を用いている。このＢＰＳＧ膜２２は吸湿性が高いた
め、ＢＰＳＧ膜２２に水分が進入すると、そのＢＰＳＧ
膜はボロボロになり、ＢＰＳＧ膜に接するＡｌ合金配線
には腐食が発生することがある。これを防止するため
に、図２に示すように、ポリシリコン部２１ｂと１層目
Ａｌ合金部２３ｃからなる防湿リング壁及び防湿口リン
グ壁２５ａを設けている。これら防湿口リング壁２５ａ
などは水分の進入を遮蔽する遮蔽物として作用する。By the way, in the above-mentioned conventional semiconductor device, the BPSG film 2 suitable for the planarization process is used.
2 is used. Since the BPSG film 22 has high hygroscopicity, when moisture enters the BPSG film 22, the BPSG film
The film becomes tattered, and corrosion may occur on the Al alloy wiring in contact with the BPSG film. In order to prevent this, as shown in FIG. 2, a moisture-proof ring wall and a moisture-proof opening ring wall 25a including a polysilicon portion 21b and a first-layer Al alloy portion 23c are provided. These moisture barrier ring walls 25a
Etc. act as a shield to block the ingress of moisture.
【０００９】しかしながら、開口部２４ａにレーザーを
照射してヒューズ２１ａを切断すると、２層目パッシベ
ーション膜２７、１層目パッシベーション膜２６及びＢ
ＰＳＧ膜２２に穴が開き、その穴からＢＰＳＧ膜２２が
外気に晒され、その部分から水分が進入してしまうこと
がある。これにより、ヒューズ２１ａ上のＢＰＳＧ膜２
２がボロボロになったり、１層目Ａｌ合金配線２３ａ，
２３ｂや防湿口リング壁２５ａが腐食したり、ヒューズ
２１ａのコンタクト部が腐食したり、上記穴の近くの配
線まで影響が及ぶ可能性がある。その結果、外観異常、
製品劣化等の不具合が発生したり製品の動作に支障をき
たして信頼性が低下するという問題が生じることがあ
る。However, when the fuse 21a is cut by irradiating the opening 24a with a laser, the second passivation film 27, the first passivation film
A hole may be formed in the PSG film 22, the BPSG film 22 may be exposed to the outside air from the hole, and moisture may enter from that portion. Thereby, the BPSG film 2 on the fuse 21a
2 becomes tattered or the first layer Al alloy wiring 23a,
23b and the moisture-proof opening ring wall 25a may be corroded, the contact portion of the fuse 21a may be corroded, and wirings near the holes may be affected. As a result, abnormal appearance,
In some cases, a problem such as deterioration of the product occurs or the operation of the product is hindered, resulting in a decrease in reliability.
【００１０】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、耐吸湿性が向上し、信頼
性の低下を抑制できる半導体装置を提供することにあ
る。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device having improved moisture absorption resistance and capable of suppressing a decrease in reliability.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る半導体装置は、ヒューズを備えた半導
体装置であって、このヒューズ上に形成され、互いに分
離された第１及び第２の防湿リング部材を有し、該第１
及び第２の防湿リング部材は、複数のメタル層が重ねら
れて形成されていることを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, a semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device having a fuse. First and second semiconductor devices formed on the fuse and separated from each other are provided. A first moisture-proof ring member,
The second moisture-proof ring member is characterized in that a plurality of metal layers are stacked.
【００１２】上記半導体装置によれば、複数のメタル層
が重ねられた第１及び第２の防湿リング部材を形成して
いるため、レーザーなどを照射してヒューズを切断し
て、ヒューズ上に穴が開いても、複数のメタル層からな
る防湿リング部材により水分の進入を遮蔽するので、水
分の進入を抑制することができる。このようにして耐吸
湿性を向上させることにより、信頼性が低下することを
抑制できる。According to the above-described semiconductor device, since the first and second moisture-proof ring members on which a plurality of metal layers are superimposed are formed, the fuse is cut by irradiating a laser or the like to form a hole on the fuse. Is opened, the entry of moisture is blocked by the moisture-proof ring member composed of a plurality of metal layers, so that the entry of moisture can be suppressed. By improving the moisture absorption resistance in this way, it is possible to suppress a decrease in reliability.
【００１３】また、本発明に係る半導体装置において
は、上記ヒューズの外周を囲むように配置された２つ以
上の防湿リング壁をさらに含むことが好ましい。これに
より、耐吸湿性をさらに向上させることができる。[0013] The semiconductor device according to the present invention preferably further comprises two or more moisture-proof ring walls arranged so as to surround the outer periphery of the fuse. Thereby, the moisture absorption resistance can be further improved.
【００１４】本発明に係る半導体装置は、ヒューズを備
えた半導体装置であって、このヒューズ上に絶縁膜を介
して形成された防湿リング部材を有し、この防湿リング
部材は、Ａｌ合金膜より耐吸湿性の高い材料から形成さ
れていることを特徴とする。A semiconductor device according to the present invention is a semiconductor device having a fuse, which has a moisture-proof ring member formed on the fuse via an insulating film, and the moisture-proof ring member is made of an Al alloy film. It is characterized by being formed from a material having high moisture absorption resistance.
【００１５】上記半導体装置によれば、Ａｌ合金膜より
耐吸湿性の高い材料から防湿リング部材を形成している
ため、Ａｌ合金膜より耐吸湿性を向上させることができ
る。According to the above-described semiconductor device, the moisture-proof ring member is formed from a material having a higher moisture absorption resistance than the Al alloy film.
【００１６】また、本発明に係る半導体装置において
は、上記ヒューズの外周を囲むように配置され、Ａｌ合
金膜より耐吸湿性の高い材料から形成された防湿リング
壁をさらに含むことが好ましい。これにより、耐吸湿性
をさらに向上させることができる。Further, in the semiconductor device according to the present invention, it is preferable that the semiconductor device further includes a moisture-proof ring wall which is disposed so as to surround the outer periphery of the fuse and is formed of a material having higher moisture absorption resistance than the Al alloy film. Thereby, the moisture absorption resistance can be further improved.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１（ａ）は、本発明に係
る第１の実施の形態による半導体装置を示す平面図であ
り、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示す１ｂ−１ｂ線に沿
った断面図である。この半導体装置は、製品特性を調節
するためのヒューズ１１ａを備えており、液晶表示用の
ドライバーＩＣなどに用いられるものである。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1A is a plan view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line 1b-1b shown in FIG. It is. This semiconductor device includes a fuse 11a for adjusting product characteristics, and is used for a driver IC for a liquid crystal display and the like.
【００１８】シリコン基板（図示せず）上に絶縁膜（図
示せず）を介してポリシリコン膜を堆積し、このポリシ
リコン膜をパターニングする。これにより、絶縁膜上に
はポリシリコンからなるヒューズ１１ａが形成されると
共に、ヒューズ１１ａの外側にはリング状の第１及び第
２のポリシリコン部１１ｂ，１１ｃが形成される。第２
のポリシリコン部１１ｃは第１のポリシリコン部１１ｂ
の外側に位置している。次に、ヒューズ１１ａ及びポリ
シリコン部１１ｂ，１１ｃを含む全面上にＢＰＳＧ膜１
２を堆積し、このＢＰＳＧ膜１２を平坦化する。A polysilicon film is deposited on a silicon substrate (not shown) via an insulating film (not shown), and the polysilicon film is patterned. Thus, a fuse 11a made of polysilicon is formed on the insulating film, and first and second ring-shaped polysilicon portions 11b and 11c are formed outside the fuse 11a. Second
Of the first polysilicon portion 11b
Is located outside. Next, the BPSG film 1 is formed on the entire surface including the fuse 11a and the polysilicon portions 11b and 11c.
2 is deposited, and the BPSG film 12 is flattened.
【００１９】この後、エッチングによりＢＰＳＧ膜１２
にヒューズ１１ａ上に位置する接続孔１２ａ〜１２ｄを
設けると共に第１及び第２のポリシリコン部１１ｂ，１
１ｃ上に位置するリング状の接続孔１２ｅ，１２ｆを設
ける。次に、これら接続孔１２ａ〜１２ｆ内及びＢＰＳ
Ｇ膜１２上にスパッタリング法により１層目Ａｌ合金膜
を堆積し、１層目Ａｌ合金膜をパターニングする。これ
により、ＢＰＳＧ膜１２上にはＡｌ合金膜からなる１層
目防湿口リング部材１３ａ，１３ｂ、１層目Ａｌ合金配
線１３ｃ，１３ｄ、リング状の第１及び第２の１層目Ａ
ｌ合金部１３ｅ，１３ｆが形成される。１層目防湿口リ
ング部材１３ａ，１３ｂは接続孔１２ａ，１２ｂを介し
てヒューズ１１ａに接続されており、１層目防湿口リン
グ部材１３ａ，１３ｂは図１（ａ）に示すように互いに
分離されている。１層目Ａｌ合金配線１３ｃは接続孔１
２ｃを介してヒューズ１１ａの一端に接続されており、
１層目Ａｌ合金配線１３ｄは接続孔１２ｄを介してヒュ
ーズ１１ａの他端に接続されている。第１の１層目Ａｌ
合金部１３ｅは、第１のポリシリコン部１１ｂ上に位置
し、接続孔１２ｅを介して第１のポリシリコン部１１ｂ
に接続されている。第２の１層目Ａｌ合金部１３ｆは、
第２のポリシリコン部１１ｃ上に位置し、接続孔１２ｆ
を介して第２のポリシリコン部１１ｃに接続されてい
る。Thereafter, the BPSG film 12 is etched by etching.
Are provided with connection holes 12a to 12d located on the fuse 11a, and the first and second polysilicon portions 11b, 1b are provided.
Ring-shaped connection holes 12e and 12f located on 1c are provided. Next, the inside of these connection holes 12a to 12f and the BPS
A first layer Al alloy film is deposited on the G film 12 by a sputtering method, and the first layer Al alloy film is patterned. Thus, the first-layer moisture-proof opening ring members 13a and 13b made of an Al alloy film, the first-layer Al alloy wirings 13c and 13d, and the first and second ring-shaped first layers A are formed on the BPSG film 12.
1 alloy portions 13e and 13f are formed. The first-layer moisture-proof opening ring members 13a and 13b are connected to the fuse 11a via the connection holes 12a and 12b, and the first-layer moisture-proof opening ring members 13a and 13b are separated from each other as shown in FIG. ing. The first layer Al alloy wiring 13c has the connection hole 1
2c, is connected to one end of the fuse 11a,
The first layer Al alloy wiring 13d is connected to the other end of the fuse 11a via the connection hole 12d. First first layer Al
The alloy portion 13e is located on the first polysilicon portion 11b, and is connected to the first polysilicon portion 11b through the connection hole 12e.
It is connected to the. The second first-layer Al alloy portion 13f includes:
The connection hole 12f is located on the second polysilicon portion 11c.
Is connected to the second polysilicon portion 11c.
【００２０】次に、１層目防湿口リング部材１３ａ，１
３ｂを含む全面上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜１４
を堆積する。この後、シリコン酸化膜１４をエッチング
することにより、該シリコン酸化膜１４に１層目防湿口
リング部材１３ａ，１３ｂ上に位置する開口部１４ａが
形成されると共に１層目Ａｌ合金配線１３ｃ，１３ｄ上
に位置する接続孔１４ｂ，１４ｃが形成される。Next, the first-layer moisture-proof opening ring member 13a, 1
Silicon oxide film 14 on the entire surface including 3b by CVD.
Is deposited. Thereafter, by etching the silicon oxide film 14, an opening 14a is formed in the silicon oxide film 14 on the first-layer moisture-proof opening ring members 13a, 13b, and the first-layer Al alloy wirings 13c, 13d are formed. The connection holes 14b and 14c located above are formed.
【００２１】この後、開口部１４ａの内側壁を含む全面
上にスパッタリング法により２層目Ａｌ合金膜を堆積
し、２層目Ａｌ合金膜をパターニングする。これによ
り、開口部１４ａの内側壁には２層目Ａｌ合金膜からな
る２層目防湿口リング部材１５ａ，１５ｂが形成され、
シリコン酸化膜１４上には２層目Ａｌ合金配線１５ｃ，
１５ｄが形成される。２層目防湿口リング部材１５ａは
１層目防湿口リング部材１３ａ上に位置し、２層目防湿
口リング部材１５ｂは１層目防湿口リング部材１３ｂ上
に位置している。２層目防湿口リング部材１５ａ，１５
ｂは図１（ａ）に示すように互いに分離されている。分
離しておかなければ、ヒューズ１１ａを切断しても２層
目Ａｌ合金配線１５ｃ，１５ｄの相互間を短絡させるこ
とができないからである。Thereafter, a second Al alloy film is deposited on the entire surface including the inner side wall of the opening 14a by a sputtering method, and the second Al alloy film is patterned. As a result, second-layer moisture-proof opening ring members 15a and 15b made of the second-layer Al alloy film are formed on the inner side wall of the opening 14a.
On the silicon oxide film 14, a second layer Al alloy wiring 15c,
15d is formed. The second-layer moisture-proof mouth ring member 15a is located on the first-layer moisture-proof mouth ring member 13a, and the second-layer moisture-proof mouth ring member 15b is located on the first-layer moisture-proof mouth ring member 13b. Second-layer moisture-proof opening ring members 15a, 15
b are separated from each other as shown in FIG. If they are not separated, even if the fuse 11a is cut, the second layer Al alloy wirings 15c and 15d cannot be short-circuited to each other.
【００２２】次に、２層目防湿口リング部材１５ａ，１
５ｂを含む全面上にシリコン窒化膜からなる１層目パッ
シベーション膜１６を堆積し、１層目パッシベーション
膜１６上にシリコン窒化膜からなる２層目パッシベーシ
ョン膜１７を堆積する。Next, the second-layer moisture-proof opening ring member 15a, 1
A first passivation film 16 made of a silicon nitride film is deposited on the entire surface including 5b, and a second passivation film 17 made of a silicon nitride film is deposited on the first passivation film 16.
【００２３】上記第１の実施の形態によれば、ヒューズ
１１ａ上に１層目防湿口リング部材１３ａ，１３ｂを形
成し、それらの上に２層目防湿口リング部材１５ａ，１
５ｂを形成している。このため、開口部１４ａにレーザ
ーを照射してヒューズ１１ａを切断して、２層目パッシ
ベーション膜１７、１層目パッシベーション膜１６及び
ＢＰＳＧ膜１２に穴が開いても、２層の防湿口リング部
材により水分の進入を遮蔽するので、１層目Ａｌ合金配
線１３ｃ，１３ｄまで水分が到達することを抑制でき
る。このようにして耐吸湿性を向上させることにより、
外観異常、製品劣化等の不具合が発生することを抑制で
き、製品の動作に支障をきたして信頼性が低下すること
を抑制できる。According to the first embodiment, the first-layer moisture-proof opening ring members 13a and 13b are formed on the fuse 11a, and the second-layer moisture-proof opening ring members 15a and 1b are formed thereon.
5b. Therefore, even if the opening 11a is irradiated with a laser to cut the fuse 11a and a hole is formed in the second-layer passivation film 17, the first-layer passivation film 16 and the BPSG film 12, the two-layer moisture-proof opening ring member is formed. Thus, the entry of moisture is shielded, so that it is possible to prevent the moisture from reaching the first-layer Al alloy wirings 13c and 13d. By improving the moisture absorption resistance in this way,
It is possible to suppress occurrence of defects such as abnormal appearance and deterioration of the product, and to suppress a decrease in reliability due to hindrance to the operation of the product.
【００２４】また、本実施の形態では、第１のポリシリ
コン部１１ｂ及び第１の１層目Ａｌ合金部１３ｅにより
１つ目の防湿リング壁を構成し、第２のポリシリコン部
１１ｃ及び第２の１層目Ａｌ合金部１３ｆにより２つ目
の防湿リング壁を構成している。このように防湿リング
壁を複数形成することにより、耐吸湿性を向上させるこ
とができる。従って、この点においても外観異常、製品
劣化等の不具合が発生することを抑制でき、製品の動作
に支障をきたして信頼性が低下することを抑制できる。In the present embodiment, the first polysilicon portion 11b and the first Al alloy portion 13e constitute a first moisture-proof ring wall, and the second polysilicon portion 11c and the second The second moisture-proof ring wall is constituted by the second first-layer Al alloy portion 13f. By forming a plurality of moisture-proof ring walls in this manner, the moisture absorption resistance can be improved. Therefore, also in this respect, it is possible to suppress the occurrence of defects such as abnormal appearance and deterioration of the product, and it is possible to suppress the reliability of the product from being deteriorated due to hindrance to the operation of the product.
【００２５】尚、上記第１の実施の形態では、防湿口リ
ング部材を２層形成しているが、防湿口リング部材を２
層以上形成することも可能である。In the first embodiment, the moisture-proof opening ring member is formed in two layers.
It is also possible to form more than layers.
【００２６】また、上記第１の実施の形態では、防湿リ
ング壁を二重に形成しているが、防湿リング壁を三重以
上形成することも可能である。Further, in the first embodiment, the moisture-proof ring wall is formed as a double, but it is also possible to form three or more moisture-proof ring walls.
【００２７】次に、本発明に係る第２の実施の形態によ
る半導体装置について説明する。第２の実施の形態によ
る半導体装置の構造は図２に示す半導体装置と同様であ
る。異なる点は、１層目Ａｌ合金配線２３ａ，２３ｂ、
リング状の１層目Ａｌ合金部２３ｃ、防湿口リング壁２
５ａ、及び、２層目Ａｌ合金配線２５ｂ，２５ｃがＡｌ
合金膜から形成されておらず、Ａｌ合金膜より耐吸湿性
の高い金属（例えばＡｕ、Ｐｔなど）から形成されてい
ることである。Next, a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention will be described. The structure of the semiconductor device according to the second embodiment is similar to that of the semiconductor device shown in FIG. The difference is that the first layer Al alloy wirings 23a and 23b,
Ring-shaped first layer Al alloy part 23c, moisture-proof opening ring wall 2
5a and the second layer Al alloy wirings 25b and 25c
It is not formed of an alloy film, but is formed of a metal (for example, Au, Pt, or the like) having higher moisture absorption resistance than the Al alloy film.
【００２８】上記第２の実施の形態によれば、従来より
耐吸湿性の高い金属を防湿口リング壁２５ａなどに用い
ているため、耐吸湿性を向上させることができる。従っ
て、外観異常、製品劣化等の不具合が発生することを抑
制でき、製品の動作に支障をきたして信頼性が低下する
ことを抑制できる。According to the second embodiment, since a metal having higher moisture absorption resistance is used for the moisture-proof opening ring wall 25a and the like than before, the moisture absorption resistance can be improved. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of defects such as abnormal appearance and deterioration of the product, and it is possible to suppress the reliability of the product from being lowered due to the hindrance to the operation of the product.
【００２９】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変更
して実施することが可能である。例えば、上記第１の実
施の形態では、防湿口リング部材１３ａ，１３ｂ，１５
ａ，１５ｂなどにＡｌ合金膜を用いているが、防湿口リ
ング部材１３ａ，１３ｂ，１５ａ，１５ｂなどにＡｌ合
金膜より耐吸湿性の高い金属（例えばＡｕ、Ｐｔなど）
を用いることも可能である。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be implemented with various modifications without departing from the gist of the present invention. For example, in the first embodiment, the moisture-proof opening ring members 13a, 13b, 15
Although an Al alloy film is used for a, 15b, etc., the moisture-proof opening ring members 13a, 13b, 15a, 15b, etc. have higher moisture absorption resistance than the Al alloy film (for example, Au, Pt, etc.)
Can also be used.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ヒ
ューズ上に形成され、互いに分離された第１及び第２の
防湿リング部材を有し、該第１及び第２の防湿リング部
材は、複数のメタル層が重ねられて形成されている。し
たがって、耐吸湿性が向上し、信頼性の低下を抑制でき
る半導体装置を提供することができる。As described above, according to the present invention, there are provided first and second moisture-proof ring members formed on a fuse and separated from each other. , A plurality of metal layers are stacked. Therefore, it is possible to provide a semiconductor device having improved moisture absorption resistance and capable of suppressing a decrease in reliability.
【図１】（ａ）は、本発明に係る第１の実施の形態によ
る半導体装置を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に
示す１ｂ−１ｂ線に沿った断面図である。FIG. 1A is a plan view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line 1b-1b shown in FIG. .
【図２】（ａ）は、従来の半導体装置を示す平面図であ
り、（ｂ）は、（ａ）に示す２ｂ−２ｂ線に沿った断面
図である。FIG. 2A is a plan view showing a conventional semiconductor device, and FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line 2b-2b shown in FIG.
１１ａ，２１ａ…ヒューズ １１ｂ…第１のポリシリコン部 １１ｃ…第２のポリシリコン部 １２，２２…ＢＰＳＧ １２ａ〜１２ｆ，２２ａ〜２２ｃ…接続孔 １３ａ，１３ｂ…１層目防湿口リング部材 １３ｃ，１３ｄ，２３ａ，２３ｂ…１層目Ａｌ合金配線 １３ｅ…第１の１層目Ａｌ合金部 １３ｆ…第２の１層目Ａｌ合金部 １４，２４…シリコン酸化膜 １４ａ，２４ａ…開口部 １４ｂ，１４ｃ，２４ｂ，２４ｃ…接続孔 １５ａ，１５ｂ…２層目防湿口リング部材 １５ｃ，１５ｄ，２５ｂ，２５ｃ…２層目Ａｌ合金配線 １６，２６…１層目パッシベーション膜 １７，２７…２層目パッシベーション膜 ２１ｂ…ポリシリコン部 ２３ｃ…１層目Ａｌ合金部 ２５ａ…防湿口リング壁 11a, 21a: fuse 11b: first polysilicon portion 11c: second polysilicon portion 12, 22, BPSG 12a to 12f, 22a to 22c: connection hole 13a, 13b: first-layer moisture-proof opening ring member 13c, 13d , 23a, 23b... First-layer Al alloy wiring 13e... First-first-layer Al alloy portion 13f... Second-first-layer Al alloy portion 14, 24... Silicon oxide films 14a, 24a. 24b, 24c: Connection hole 15a, 15b: Second-layer moisture-proof opening ring member 15c, 15d, 25b, 25c: Second-layer Al alloy wiring 16, 26: First-layer passivation film 17, 27: Second-layer passivation film 21b ... Polysilicon part 23c ... First layer Al alloy part 25a ... Moisture-proof opening ring wall
Claims (4)
第２の防湿リング部材を有し、 該第１及び第２の防湿リング部材は、複数のメタル層が
重ねられて形成されていることを特徴とする半導体装
置。1. A semiconductor device having a fuse, comprising: a first and a second moisture-proof ring member formed on the fuse and separated from each other; A semiconductor device, wherein a plurality of metal layers are stacked.
れた２つ以上の防湿リング壁をさらに含むことを特徴と
する請求項１に記載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, further comprising two or more moisture-proof ring walls arranged so as to surround an outer periphery of said fuse.
部材を有し、 この防湿リング部材は、Ａｌ合金膜より耐吸湿性の高い
材料から形成されていることを特徴とする半導体装置。3. A semiconductor device having a fuse, comprising a moisture-proof ring member formed on the fuse with an insulating film interposed therebetween, wherein the moisture-proof ring member has a higher moisture absorption resistance than the Al alloy film. A semiconductor device characterized by being formed from.
れ、Ａｌ合金膜より耐吸湿性の高い材料から形成された
防湿リング壁をさらに含むことを特徴とする請求項３に
記載の半導体装置。4. The semiconductor device according to claim 3, further comprising a moisture-proof ring wall disposed around the fuse and formed of a material having a higher moisture absorption resistance than the Al alloy film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001106267A JP2002299444A (en) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | Semiconductor device |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001106267A JP2002299444A (en) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | Semiconductor device |
Publications (1)
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|---|---|
| JP2002299444A true JP2002299444A (en) | 2002-10-11 |
Family
ID=18958805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001106267A Pending JP2002299444A (en) | 2001-04-04 | 2001-04-04 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2002299444A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006148021A (en) * | 2004-11-24 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor circuit device and manufacturing method thereof |
| KR100732132B1 (en) | 2003-12-11 | 2007-06-27 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | Semiconductor device and fabrication method thereof |
| JP2011077466A (en) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Ricoh Co Ltd | Semiconductor device |
-
2001
- 2001-04-04 JP JP2001106267A patent/JP2002299444A/en active Pending
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|
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