JP2002299181A - Solid electrolyte capacitor - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、固体電解コンデン
サに関する。[0001] The present invention relates to a solid electrolytic capacitor.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器のデジタル化、高周波化
に伴い、特に電源の分野で、小型大容量で高周波領域で
のインピーダンスの低いコンデンサが要求されている。2. Description of the Related Art In recent years, with the digitization and higher frequency of electronic equipment, particularly in the field of power supplies, there has been a demand for a capacitor having a small size, a large capacity, and a low impedance in a high frequency range.
【０００３】これらの要求に対しては、アルミニウム等
の弁作用金属からなる陰極箔と表面に酸化皮膜を形成し
た弁作用金属からなる陽極箔をセパレータを介在させて
巻回してコンデンサ素子を形成し、これらの陰極箔と陽
極箔の間に固体電解質を形成した、固体電解コンデンサ
が用いられている。この巻回型の固体電解コンデンサ
は、小型大容量という特質を有し、さらに高周波領域で
のインピーダンス特性が良好であるので、上記の要求に
対しては、最も適したコンデンサの一つである。そし
て、この種の固体電解コンデンサにおいて、陽極材料と
しては、アルミニウムを初めとしてタンタル、ニオブ、
チタン等が使用され、陰極材料には、陽極材料と同種の
金属が用いられる。To meet these requirements, a capacitor element is formed by winding a cathode foil made of a valve action metal such as aluminum and an anode foil made of a valve action metal having an oxide film formed on its surface with a separator interposed therebetween. A solid electrolytic capacitor having a solid electrolyte formed between the cathode foil and the anode foil is used. This wound type solid electrolytic capacitor has the characteristics of small size and large capacity, and has good impedance characteristics in a high frequency region, and is one of the most suitable capacitors for the above requirements. In this type of solid electrolytic capacitor, the anode material is aluminum, tantalum, niobium,
Titanium or the like is used, and the same kind of metal as the anode material is used as the cathode material.
【０００４】ところで、このような固体電解コンデンサ
において、陰極箔にＴｉＮ、ＺｒＮ、ＴａＮ、ＮｂＮな
どの金属窒化物や、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｂなどの弁金
属からなる皮膜を形成することによって、容量出現率を
向上させた技術が開示されている（特開平２０００−１
１４１０８号公報、特開平２０００−１１４１０９号公
報）。In such a solid electrolytic capacitor, a film made of a metal nitride such as TiN, ZrN, TaN or NbN or a valve metal such as Ti, Zr, Ta or Nb is formed on the cathode foil. A technique for improving the capacity appearance rate has been disclosed (JP-A-2000-1).
No. 14108, JP-A-2000-114109).
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
さらなる小型化への要求があり、本発明はこの要求に応
えることができる容量出現率の高い固体電解コンデンサ
を提供することをその目的とする。However, in recent years,
There is a demand for further miniaturization, and an object of the present invention is to provide a solid electrolytic capacitor having a high capacitance appearance rate that can meet this demand.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の固体電解コンデ
ンサは、弁作用金属からなる陰極箔と陽極箔とを、セパ
レータを介して巻回してコンデンサ素子を形成し、前記
陰極箔と陽極箔の間に導電性ポリマーからなる電解質層
を形成した固体電解コンデンサにおいて、前記陰極箔上
に金属窒化物または弁金属からなる皮膜を形成し、熱処
理を施したことを特徴としている。A solid electrolytic capacitor according to the present invention is formed by winding a cathode foil and an anode foil made of a valve metal through a separator to form a capacitor element. In a solid electrolytic capacitor having an electrolyte layer formed of a conductive polymer between them, a film made of a metal nitride or a valve metal is formed on the cathode foil and subjected to a heat treatment.
【０００７】前記固体電解コンデンサにおいて、前記導
電性ポリマーが、チオフェン誘電体の重合体であること
を特徴としている。In the solid electrolytic capacitor, the conductive polymer is a thiophene dielectric polymer.
【０００８】前記チオフェン誘電体が３，４−エチレン
ジオキシチオフェンであることを特徴としている。The thiophene dielectric is characterized by being 3,4-ethylenedioxythiophene.
【０００９】また、前記弁作用金属がアルミニウムであ
ることを特徴としている。Further, the valve metal is aluminum.
【００１０】そして、前記金属窒化物が、ＴｉＮ、Ｚｒ
Ｎ、ＴａＮ、ＮｂＮのいずれかであることを特徴として
いる。The metal nitride is TiN, Zr
N, TaN, or NbN.
【００１１】また、前記弁金属が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、
Ｎｂのいずれかであることを特徴としている。The valve metal is Ti, Zr, Ta,
Nb.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】本発明は、電解質層として、導電
性ポリマーを用いた巻回型の固体電解コンデンサにおい
て、陰極箔上に金属窒化物または弁金属からなる皮膜を
形成し、この陰極箔を熱処理することによって、静電容
量値が大幅に向上し、さらにインピーダンス特性が向上
することが判明することによってなされたものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a wound solid electrolytic capacitor using a conductive polymer as an electrolyte layer, wherein a film made of metal nitride or valve metal is formed on a cathode foil. Was found to be found to significantly improve the capacitance value and further improve the impedance characteristics by heat-treating.
【００１３】ここでの熱処理として、２００℃以上で１
時間以上、好ましくは２５０℃以上で２時間以上、さら
に好ましくは３時間以上の熱処理を施すことが好まし
い。熱処理は、陰極箔上に金属窒化物または弁金属から
なる皮膜を形成した後に行ってもよいし、皮膜を形成し
た陰極箔と陽極箔をセパレータを介して巻回してコンデ
ンサ素子を形成した後に行ってもよい。The heat treatment is performed at a temperature of 200.degree.
It is preferable to perform the heat treatment at a temperature of 250 ° C. or more, preferably 2 hours or more, more preferably 3 hours or more. The heat treatment may be performed after forming a film made of a metal nitride or a valve metal on the cathode foil, or may be performed after forming the capacitor element by winding the formed cathode foil and anode foil through a separator. You may.
【００１４】ここで、この導電性ポリマーとしてはチオ
フェン誘電体が好ましく、（化１）で示されるチオフェ
ン誘電体を挙げることができる。なかでも反応性が良好
で特性の良好な固体電解コンデンサを得ることができ
る、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）が好
ましい。Here, as the conductive polymer, a thiophene dielectric is preferable, and a thiophene dielectric represented by the following chemical formula 1 can be mentioned. Among them, poly (3,4-ethylenedioxythiophene), which can obtain a solid electrolytic capacitor having good reactivity and good characteristics, is preferable.
【化１】 ここで、ＸはＯまたはＳ、ＸがＯのとき、Ａはアルキレ
ン、またはポリオキシアルキレン、Ｘの少なくとも一方
がＳのとき、Ａはアルキレン、ポリオキシアルキレン、
置換アルキレン、置換ポリオキシアルキレン、ここで、
置換基はアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基であ
る。Embedded image Here, X is O or S, when X is O, A is alkylene or polyoxyalkylene, when at least one of X is S, A is alkylene, polyoxyalkylene,
Substituted alkylene, substituted polyoxyalkylene, wherein
The substituent is an alkyl group, an alkenyl group, or an alkoxy group.
【００１５】以上のように、陰極箔上に金属窒化物また
は弁金属からなる皮膜を形成し、熱処理を施すことによ
って、本発明の効果を得るものである。ここで、通常
は、陰極箔にはエッチッグ処理を施した金属箔を用いる
が、エッチング処理をしない金属箔を用いても、本発明
の効果が損なわれることはない。As described above, the effect of the present invention is obtained by forming a film made of metal nitride or valve metal on the cathode foil and performing a heat treatment. Here, usually, a metal foil which has been subjected to an etching treatment is used as the cathode foil. However, even if a metal foil which is not subjected to the etching treatment is used, the effect of the present invention is not impaired.
【００１６】ここで、陰極箔表面に酸化皮膜を形成し、
その上に金属窒化物または弁金属からなる皮膜を形成す
るとインピーダンス特性が向上するので好適である。Here, an oxide film is formed on the surface of the cathode foil,
It is preferable to form a film made of a metal nitride or a valve metal thereon because impedance characteristics are improved.
【００１７】陰極箔に酸化皮膜を形成する方法として
は、通常の陽極酸化皮膜を形成する化成処理を用いるこ
とができる。すなわち、化成液中で電圧を印加して陰極
箔の表面に酸化皮膜を形成する。As a method for forming an oxide film on the cathode foil, a usual chemical conversion treatment for forming an anodic oxide film can be used. That is, a voltage is applied in the chemical conversion solution to form an oxide film on the surface of the cathode foil.
【００１８】化成液としては、リン酸二水素アンモニウ
ム、リン酸水素二アンモニウム等のリン酸系の化成液、
ホウ酸アンモニウム等のホウ酸系の化成液、アジピン酸
アンモニウム等のアジピン酸系の化成液等を用いること
ができる。これらの中では、リン酸二水素アンモニウム
が好ましい。なお、リン酸二水素アンモニウムの濃度
は、０．００５〜３％が好適である。As the chemical conversion solution, a phosphoric acid-based chemical solution such as ammonium dihydrogen phosphate and diammonium hydrogen phosphate,
A boric acid-based chemical such as ammonium borate, an adipic acid-based chemical such as ammonium adipate, and the like can be used. Of these, ammonium dihydrogen phosphate is preferred. The concentration of ammonium dihydrogen phosphate is preferably 0.005 to 3%.
【００１９】また、この酸化皮膜を形成するために印加
する化成電圧は、１〜１０Ｖ以下であることが好まし
い。１Ｖ以下であると、自然酸化皮膜と同等であって、
効果がなく、１０Ｖ以上であると、酸化皮膜の厚みが増
して、つまり、陰極箔の誘電体皮膜の厚みが増すことに
なって、陰極箔の静電容量が減少し、そのことによっ
て、陽極箔と陰極箔の合成容量であるコンデンサの容量
が減少する。The formation voltage applied to form the oxide film is preferably 1 to 10 V or less. If it is 1 V or less, it is equivalent to a natural oxide film,
There is no effect, and if it is 10 V or more, the thickness of the oxide film increases, that is, the thickness of the dielectric film of the cathode foil increases, and the capacitance of the cathode foil decreases. The capacity of the capacitor, which is the combined capacity of the foil and the cathode foil, is reduced.
【００２０】そして、金属窒化物としては、表面に酸化
皮膜が形成されにくい、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＴａＮ、Ｎｂ
Ｎ等を用いる。また弁金属としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔ
ａ、Ｎｂ等を用いることができる。As the metal nitride, TiN, ZrN, TaN, Nb
N or the like is used. Ti, Zr, T
a, Nb and the like can be used.
【００２１】また、弁作用金属からなる陰極に金属窒化
物または弁金属からなる皮膜を形成する方法としては、
形成される皮膜の強度、陰極との密着性、成膜条件の制
御等を考慮すると、蒸着法が好ましく、なかでも、陰極
アークプラズマ蒸着法がより好ましい。この陰極アーク
プラズマ蒸着法の適用条件は、電流値は８０〜３００
Ａ、電圧値は１５〜２０Ｖである。なお、弁作用金属か
らなる陰極を２００〜４５０℃に加熱し、金属窒化物の
場合は窒素を含む全庄が１×１０-1〜１×１０-4Ｔｏｒ
ｒの雰囲気で行い、弁作用金属の場合は真空中で行う。As a method of forming a film made of a metal nitride or a valve metal on a cathode made of a valve metal,
In consideration of the strength of the film to be formed, the adhesion to the cathode, the control of the film formation conditions, and the like, the vapor deposition method is preferable, and the cathodic arc plasma vapor deposition method is more preferable. The application conditions of this cathodic arc plasma deposition method are as follows.
A, The voltage value is 15-20V. In addition, the cathode made of a valve metal is heated to 200 to 450 ° C., and in the case of a metal nitride, the total content of nitrogen is 1 × 10 −1 to 1 × 10 −4 Torr.
r, and in the case of a valve metal, in a vacuum.
【００２２】次いで、電解質層としてポリ３，４−エチ
レンジオキシチオフェンを用いた巻回型の固体電解コン
デンサの製造方法について説明する。陰極箔としては、
エッチングしたアルミニウム箔の表面にＴｉＮ膜を陰極
アークプラズマ蒸着法により形成したものを用いる。な
お、上述したように、陰極アークプラズマ蒸着法の条件
は、窒素雰囲気中でＴｉターゲットを用い、弁作用金属
からなる陰極を２００〜４５０℃に加熱し、窒素を含む
全庄が１×１０-1〜１×１-4Ｔｏｒｒ、８０〜３００
Ａ、１５〜２０Ｖで行う。また、陽極箔としては、エッ
チングしたアルミニウム箔の表面に、従来から用いられ
ている方法で化成処理を施して誘電体皮膜を形成したも
のを用いる。以上の陰極箔と陽極箔をセパレータを介し
て巻回して、コンデンサ素子を形成する。Next, a method for manufacturing a wound solid electrolytic capacitor using poly 3,4-ethylenedioxythiophene as an electrolyte layer will be described. As the cathode foil,
A film obtained by forming a TiN film on a surface of an etched aluminum foil by a cathodic arc plasma deposition method is used. As described above, the conditions of the cathodic arc plasma deposition method are as follows: a Ti target is used in a nitrogen atmosphere, the cathode made of a valve metal is heated to 200 to 450 ° C., and the nitrogen-containing cathode is 1 × 10 −. 1 ~1 × 1 -4 Torr, 80~300
A, 15 to 20V. Further, as the anode foil, a foil obtained by subjecting a surface of an etched aluminum foil to a chemical treatment by a conventionally used method to form a dielectric film is used. The above-described cathode foil and anode foil are wound via a separator to form a capacitor element.
【００２３】このコンデンサ素子にモノマーと酸化剤を
含浸し、加熱重合して導電性ポリマーを形成する。ここ
で、モノマーである３，４−エチレンジオキシチオフェ
ンは、特開平２−１５６１１号公報等により開示された
公知の製法により得ることができる。また、酸化剤は、
溶媒であるブタノールに溶解したｐ−トルエンスルホン
酸第二鉄を用いており、酸化剤はブタノールに対して４
０重量％ないし５５重量％の濃度、好ましくは４５重量
％ないし５０重量％であると良好な結果が得られる。ま
た、この酸化剤におけるブタノールとｐ−トルエンスル
ホン酸第二鉄の比率は任意でよいが、モノマーとの配合
比は１：２ないし１：１５の範囲が好適である。The capacitor element is impregnated with a monomer and an oxidizing agent, and is heated and polymerized to form a conductive polymer. Here, 3,4-ethylenedioxythiophene as a monomer can be obtained by a known production method disclosed in JP-A-2-15611 and the like. Also, the oxidizing agent
Ferric p-toluenesulfonate dissolved in butanol as a solvent is used, and the oxidizing agent is
Good results are obtained with a concentration of 0% to 55% by weight, preferably 45% to 50% by weight. The ratio of butanol to ferric p-toluenesulfonate in this oxidizing agent may be arbitrary, but the mixing ratio with the monomer is preferably in the range of 1: 2 to 1:15.
【００２４】[0024]
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をさらに詳細
に説明する。Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples.
【００２５】高純度のアルミニウム箔（純度９９％、厚
さ５０μｍ）を被処理材として使用し、エッチング処理
後、化成電圧２Ｖで０．１５％のリン酸二水素アンモニ
ウムの水溶液中で化成した。その後、その表面にＴｉＮ
膜を陰極アークプラズマ蒸着法により形成した。なお、
陰極アークプラズマ蒸着は、窒素雰囲気中でＴｉターゲ
ットを用い、高純度のアルミニウム箔を２００℃に加熱
し、５×１０−３Ｔｏｒｒ、３００Ａ、２０Ｖで行っ
た。Using a high-purity aluminum foil (purity: 99%, thickness: 50 μm) as a material to be treated, after the etching treatment, the film was formed in a 0.15% aqueous solution of ammonium dihydrogen phosphate at a formation voltage of 2V. After that, TiN
The film was formed by a cathodic arc plasma deposition method. In addition,
Cathodic arc plasma deposition was performed using a Ti target in a nitrogen atmosphere, heating a high-purity aluminum foil to 200 ° C., and 5 × 10 −3 Torr, 300 A, and 20 V.
【００２６】このようにして形成した陰極箔を用いて、
固体電解コンデンサを形成した。コンデンサ素子５は、
径寸法が１０φ、縦寸法が８ｍｍ、また定格電圧６．３
ＷＶ、定格静電容量３３μＦのものを用いている。なお
コンデンサ素子５の陽極電極箔１、陰極電極箔２にはそ
れぞれリード線４が電気的に接続され、コンデンサ素子
５の端面から突出している。Using the cathode foil thus formed,
A solid electrolytic capacitor was formed. The capacitor element 5 is
Diameter is 10φ, vertical dimension is 8mm, and rated voltage is 6.3
It has a WV and a rated capacitance of 33 μF. Lead wires 4 are electrically connected to the anode electrode foil 1 and the cathode electrode foil 2 of the capacitor element 5, respectively, and protrude from the end face of the capacitor element 5.
【００２７】このコンデンサ素子をリン酸水溶液中で再
化成し、その後に２５０℃、２時間の熱処理をおこなっ
た。This capacitor element was re-formed in a phosphoric acid aqueous solution, and then heat-treated at 250 ° C. for 2 hours.
【００２８】このコンデンサ素子５に、３，４−エチレ
ンジオキシチオフェンと酸化剤とを含浸する。酸化剤
は、ブタノールに対して５０重量％の配分で溶解したｐ
−トルエンスルホン酸第二鉄を用い、３，４−エチレン
ジオキシチオフェンに対して酸化剤を１：５で含浸し
た。This capacitor element 5 is impregnated with 3,4-ethylenedioxythiophene and an oxidizing agent. The oxidizing agent was dissolved in p butanol in a proportion of 50% by weight.
Using ferric toluenesulfonate, 3,4-ethylenedioxythiophene was impregnated with an oxidizing agent at a ratio of 1: 5.
【００２９】次いで、３，４−エチレンジオキシチオフ
ェンと酸化剤とを含浸したコンデンサ素子５に、６０℃
で６０分の熱処理を施して化学重合反応を促進させる。
この時の熱処理では、緩やかに化学重合反応は進み、陽
極電極箔１のエッチングピットの内部にポリマーである
ポリエチレンジオキシチオフェンが生成される。一方、
溶媒であるブタノールは完全には除去されず、したがっ
て、以降の熱処理でも化学重合反応は進行することにな
る。Next, a capacitor element 5 impregnated with 3,4-ethylenedioxythiophene and an oxidizing agent was placed at 60 ° C.
Heat treatment for 60 minutes to accelerate the chemical polymerization reaction.
In the heat treatment at this time, the chemical polymerization reaction proceeds slowly, and polyethylene dioxythiophene as a polymer is generated inside the etching pits of the anode electrode foil 1. on the other hand,
Butanol, which is a solvent, is not completely removed, and thus the chemical polymerization reaction proceeds even in the subsequent heat treatment.
【００３０】次いで、２回目以降の熱処理において、１
回目の熱処理温度とは異なる２００℃で、しかも短時間
の５分間の熱処理を施し、化学重合反応を更に促進させ
て重合度を上げるとともに、溶媒を除去し、残留物によ
る電気的特性への悪影響を排除する。その結果、重合温
度の上昇に伴う耐電圧特性の劣化を引き起こすことな
く、外観及び漏れ電流特性を良好にすることができる。Next, in the second and subsequent heat treatments, 1
A heat treatment at 200 ° C, which is different from the second heat treatment temperature, for a short time of 5 minutes, further promotes the chemical polymerization reaction to increase the degree of polymerization, removes the solvent, and adversely affects the electrical characteristics due to the residue. To eliminate. As a result, the appearance and the leakage current characteristics can be improved without causing the deterioration of the withstand voltage characteristics due to the increase in the polymerization temperature.
【００３１】このようにして形成された、陽極電極箔１
と陰極電極箔２との間に介在したセパレータ３が固体電
解質層を保持したコンデンサ素子５を、通常のエージン
グ工程等の後工程を施した後、外装樹脂層で覆い、ある
いは外装ケースに収納して外装ケースの開口部を封口ゴ
ム等で封止して固体電解コンデンサを形成する。The anode electrode foil 1 thus formed
After the capacitor element 5 having the solid electrolyte layer held by the separator 3 interposed between the electrode element 2 and the cathode electrode foil 2 is subjected to a post-process such as a normal aging step, the capacitor element 5 is covered with an exterior resin layer or housed in an exterior case. Then, the opening of the outer case is sealed with a sealing rubber or the like to form a solid electrolytic capacitor.
【００３２】ここで、従来例として化成皮膜とＴｉＮ膜
を形成しない陰極箔を用い、比較例として実施例におい
て熱処理を施さないＴｉＮ膜を形成した陰極箔を用いて
固体電解コンデンサを形成した。Here, a solid electrolytic capacitor was formed using a cathode foil without a chemical conversion film and a TiN film as a conventional example, and using a cathode foil with a TiN film without heat treatment in the examples as a comparative example.
【００３３】このようにして形成した実施例、比較例、
従来例の固体電解コンデンサの初期特性を（表１）に示
す。Examples, comparative examples,
Table 1 shows the initial characteristics of the conventional solid electrolytic capacitor.
【００３４】[0034]
【表１】 [Table 1]
【００３５】（表１）からわかるように、実施例の固体
電解コンデンサは比較例、従来例に比べて、静電容量は
高く、ｔａｎδ、ＥＳＲは低減されており、本発明の効
果が明らかである。As can be seen from Table 1, the solid electrolytic capacitors of the examples have higher capacitance, lower tan δ and lower ESR than those of the comparative example and the conventional example, and the effect of the present invention is clear. is there.
【００３６】[0036]
【発明の効果】以上のようにこの発明は、弁作用金属か
らなる陰極箔と陽極箔とを、セパレータを介して巻回し
てコンデンサ素子を形成し、前記陰極箔と陽極箔の間に
導電性ポリマーからなる電解質層を形成した固体電解コ
ンデンサにおいて、前記陰極箔上に金属窒化物または弁
金属からなる皮膜を形成し、熱処理を施したことを特徴
ととしているので、高い容量出現率を有し、さらにｔａ
ｎδ、ＥＳＲの良好な固体電解コンデンサを得ることが
できる。As described above, according to the present invention, a capacitor element is formed by winding a cathode foil and an anode foil made of a valve metal with a separator interposed therebetween, and a conductive element is provided between the cathode foil and the anode foil. In a solid electrolytic capacitor having an electrolyte layer made of a polymer, a film made of a metal nitride or a valve metal is formed on the cathode foil, and the heat treatment is performed. And ta
A solid electrolytic capacitor with good nδ and ESR can be obtained.
【図１】本発明で用いるコンデンサ素子の分解斜視図で
ある。FIG. 1 is an exploded perspective view of a capacitor element used in the present invention.
１ 陽極電極箔 ２ 陰極電極箔 ３ セパレータ ４ リード線 ５ コンデンサ素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Anode electrode foil 2 Cathode electrode foil 3 Separator 4 Lead wire 5 Capacitor element
Claims (6)
を、セパレータを介して巻回してコンデンサ素子を形成
し、前記陰極箔と陽極箔の間に導電性ポリマーからなる
電解質層を形成した固体電解コンデンサにおいて、前記
陰極箔上に金属窒化物または弁金属からなる皮膜を形成
し、熱処理を施した固体電解コンデンサ。1. A capacitor element is formed by winding a cathode foil and an anode foil made of a valve metal via a separator, and an electrolyte layer made of a conductive polymer is formed between the cathode foil and the anode foil. In the solid electrolytic capacitor, a film made of a metal nitride or a valve metal is formed on the cathode foil, and a heat treatment is performed.
体の重合体であることを特徴とする請求項１に記載の固
体電解コンデンサ。2. The solid electrolytic capacitor according to claim 1, wherein the conductive polymer is a polymer of a thiophene dielectric.
ンジオキシチオフェンであることを特徴とする請求項２
に記載の固体電解コンデンサ。3. The thiophene dielectric according to claim 2, wherein the thiophene dielectric is 3,4-ethylenedioxythiophene.
3. The solid electrolytic capacitor according to item 1.
とを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の固体電解
コンデンサ。4. The solid electrolytic capacitor according to claim 1, wherein said valve metal is aluminum.
ａＮ、ＮｂＮのいずれかであることを特徴とする請求項
１乃至請求項４のいずれか一に記載の固体電解コンデン
サ。5. The method according to claim 1, wherein the metal nitride is TiN, ZrN, T
The solid electrolytic capacitor according to claim 1, wherein the capacitor is one of aN and NbN.
のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至請求項
４のいずれか一に記載の固体電解コンデンサ。6. The valve metal is Ti, Zr, Ta, Nb.
5. The solid electrolytic capacitor according to claim 1, wherein:
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Cited By (8)
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