JP2002299040A - 有機el表示装置及びこの有機el表示装置の製造方法 - Google Patents

有機el表示装置及びこの有機el表示装置の製造方法

Info

Publication number
JP2002299040A
JP2002299040A JP2001093662A JP2001093662A JP2002299040A JP 2002299040 A JP2002299040 A JP 2002299040A JP 2001093662 A JP2001093662 A JP 2001093662A JP 2001093662 A JP2001093662 A JP 2001093662A JP 2002299040 A JP2002299040 A JP 2002299040A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
substrate
display device
laminate
disposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001093662A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoko Kihara
尚子 木原
Muneharu Akiyoshi
宗治 秋吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2001093662A priority Critical patent/JP2002299040A/ja
Publication of JP2002299040A publication Critical patent/JP2002299040A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/874Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】長期にわたって安定した表示性能を維持するこ
とが可能な有機EL表示装置及びこの有機EL表示装置
の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】第1基板100には、アノード電極104
と、発光能を有する有機化合物によって形成された有機
EL層110と、カソード電極112と、を含む積層体
が配置されている。第2基板200は、第1基板100
に対向して配置され、第1基板100との間に形成され
る密閉空間400内に積層体を収納する。積層体の最上
層には、吸着層120が配置され、密閉容器400内に
含まれる酸素及び水分を吸着する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、有機EL(エレ
クトロルミネッセンス)表示装置に係り、特に、安定し
た表示性能を維持することができる有機EL表示装置及
びこの有機EL表示装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、平面表示装置として、有機EL表
示装置が注目されている。この有機EL表示装置は、自
発光性素子であるため、視野角が広く、バックライトを
必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、
且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【0003】有機EL表示装置には、低分子材料を用い
た素子構成と、高分子材料を用いた素子構成とがある。
いずれの場合も、発光素子は、水分に対して非常に敏感
であり、わずかな水分や酸素(1ppm程度)でも発光
素子が破壊され、表示デバイスとしての表示性能を維持
することができなくなる。
【0004】水分や酸素から発光層を保護するために、
様々な方法が検討されている。例えば、酸化バリウム
(BaO)を乾燥剤としてデバイス内に封入する方法が
ある。しかしながら、この方法の場合、酸化バリウムは
取り扱いが困難である上、デバイスに組み込む場合に、
封止基板に乾燥剤を封入するためのスペースを確保する
必要があり、特徴の一つである薄型化が阻害されること
になる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、有機
EL表示装置においては、デバイス内に含まれる水分や
酸素により発光素子が時間の経過とともに劣化され、長
期にわたって安定した表示性能を維持することが困難で
あるといった問題を有している。
【0006】また、乾燥剤を封止基板に封入する場合、
乾燥剤を封止するためのスペースを確保する必要があ
り、薄型化が阻害される。また、乾燥剤を封入するため
の別個の製造工程が必要となり、製造コストが上昇す
る。すなわち、このように乾燥剤を封入する場合、製造
歩留まりの低下を招くといった問題がある。
【0007】この発明は、上述した問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、長期にわたって安定した
表示性能を維持することが可能な有機EL表示装置及び
この有機EL表示装置の製造方法を提供することにあ
る。
【0008】また、この発明の目的は、薄型化が可能な
構造であって、製造歩留まりが高い低コストな有機EL
表示装置及びこの有機EL表示装置の製造方法を提供す
ることにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項1に記載の有機EL表示装置
は、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電
極と前記カソード電極との間に配置され発光能を有する
有機化合物によって形成された有機発光層と、を含む積
層体を備えた第1基板と、前記第1基板に対向して配置
され、前記第1基板との間に形成される密閉空間内に前
記積層体を収納する第2基板と、前記密閉空間内に配置
され、前記密閉容器内に含まれる酸素及び水分を吸着す
るアルカリ金属単体またはアルカリ土類金属単体によっ
て形成された吸着手段と、を備えたことを特徴とする。
【0010】請求項5に記載の有機EL表示装置の製造
方法は、第1基板上に、アノード電極と、カソード電極
と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に配置
され発光能を有する有機化合物によって形成された有機
発光層と、前記有機発光層上に配置されたカソード電極
と、を含む積層体を形成し、前記積層体の最上層に酸素
及び水分を吸着するアルカリ金属単体またはアルカリ土
類金属単体によって形成された吸着手段を配置し、前記
積層体を収納するように前記第1基板に対向して第2基
板を配置して不活性ガス雰囲気中に前記積層体を封入す
る、ことを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、この発明の有機EL表示装
置及びこの有機EL表示装置の製造方法の一実施の形態
について図面を参照して説明する。
【0012】図1に示すように、有機EL表示装置は、
2つの薄膜トランジスタすなわちTFT10及び20
と、補助容量素子30と、有機EL素子すなわち発光部
40とを備えている。有機EL素子40は、TFT10
を介して選択され、有機EL素子40に対する励起電力
は、TFT20により制御される。
【0013】このような有機EL表示装置は、有機EL
素子40の行方向に沿って配置された複数の走査線Y
と、有機EL素子40の列方向に沿って配置された複数
の信号線Xとを備えている。TFT10及び20は、走
査線Yと信号線Xとの交差部近傍に配置されている。T
FT20は、有機EL素子40と直列に接続されてい
る。また、補助容量素子30は、TFT10と直列に、
且つTFT20と並列に接続されている。
【0014】すなわち、TFT10のゲート電極は、走
査線Yに接続され、ソース領域は、信号線Xに接続さ
れ、ドレイン領域は、補助容量素子30の一端及びTF
T20のゲート電極に接続されている。TFT20のソ
ース領域は、電源供給線Pに接続され、ドレイン領域
は、有機EL素子40のアノード電極に接続されてい
る。補助容量素子30の他端は、電源供給線Pに接続さ
れている。
【0015】TFT10は、対応走査線Yを介して選択
されたときに対応信号線Xの駆動信号をTFT20及び
補助容量素子30に供給し、TFT20の駆動を制御す
る。TFT20は、駆動信号に基づいて電源供給線Pか
ら有機EL素子40に駆動電流を供給する。
【0016】図2は、有機EL表示装置の構造を概略的
に示す断面図であり、ここでは、特に1画素分の有機E
L素子すなわち発光部の構造を示している。
【0017】図2に示すように、有機EL表示装置1
は、第1基板100と、この第1基板に所定の間隔をお
いて対向して配置された第2基板200と、を備えてい
る。この第1基板100と第2基板200とは、シール
材300によって貼り合わされ、第1基板100と第2
基板200との間に密閉空間400を形成している。有
機EL素子40を構成する積層体は、密閉空間400内
に収容されている。
【0018】第1基板100は、例えばガラス基板など
の透明な絶縁性基板である。この第1基板100は、有
機EL素子40を構成する積層体を形成するために、T
FT20と、絶縁層102を介してTFT20のドレイ
ン領域にコンタクトしたアノード電極104と、アノー
ド電極104上に配置された有機EL層110と、アノ
ード電極104との間に有機EL層110を挟持するカ
ソード電極112と、を備えている。また、第1基板1
00は、カソード電極112を覆うカバーメタル114
と、カバーメタル114上に配置された吸着手段として
機能する吸着層120とを備えている。1画素分の有機
EL素子40は、格子状に配置された隔壁130によっ
て区画されている。
【0019】TFT20は、アモルファスシリコンまた
はポリシリコンの半導体薄膜を有している。アノード電
極104は、透明な絶縁膜102上に配置され、透明な
導電性部材、例えばインジウム−ティン−オキサイド
(ITO)によって形成されている。
【0020】有機EL層110は、ホール輸送層106
及び発光層108を含んでいる。すなわち、ホール輸送
層106は、アノード電極104上に配置され、芳香族
アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘
導体などの薄膜によって形成されている。発光層108
は、ホール輸送層106上に配置され、赤、緑、または
青に発光する有機化合物によって形成されている。この
発光層108は、例えばAlqによって形成された薄
膜を含み積層構造や、PPV(ポリパラフェニレンビニ
レン)やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などを
積層して構成されている。
【0021】カソード電極112は、有機EL層110
上に配置され、電子注入の機能を果たす材料によって形
成された反射電極である。カソード電極112は、例え
ばバリウム、カルシウム、バリウム−イッテルビウムな
どを蒸着することによって形成される。この有機EL層
110は、カソード電極112からの電子注入効率を向
上するために、発光層108とカソード電極112との
間に電子輸送層を含んで構成しても良い。
【0022】カバーメタル114は、カソード電極11
2上に配置され、例えばアルミニウムを蒸着することに
よって形成されている。
【0023】吸着層120は、有機EL素子40を構成
する積層体の最上層、例えばこの実施の形態ではカバー
メタル114上に配置される。この吸着層120は、酸
素及び水分を吸着するアルカリ金属単体またはアルカリ
土類金属単体を蒸着することによって形成されている。
例えば、この吸着層120は、バリウムによって形成さ
れている。
【0024】積層体の最上層に配置された吸着層120
は、密閉空間400内に充満された窒素ガスなどの不活
性ガスに曝されることにより、密閉空間400内の酸素
や水分を吸着する。すなわち、吸着層120をバリウム
単体で形成した場合、バリウム(Ba)は、水または酸
素と化学反応して酸化バリウム(BaO)になる。さら
に、酸化バリウムは、水と化学反応して水酸化バリウム
(Ba(OH))になる。
【0025】これにより、密閉空間400内に含まれる
水分や酸素を迅速に吸収し、有機EL素子の水分や酸素
による破壊を防止することが可能となり、長期にわたっ
て確実に安定した表示性能を維持することが可能とな
る。
【0026】また、吸着層120を積層体の最上層に配
置したため、吸着層120を配置するためのスペースを
確保する必要がなくなり、装置全体の薄型を阻害するこ
とがなくなる。また、吸着層120は、真空チャンバ内
において、カソード電極112と、カバーメタル114
とを形成した後に連続して形成することが可能であるた
め、製造工程数を大幅に増やすことがなく、製造コスト
を抑え、製造歩留まりを向上することが可能となる。
【0027】さらに、吸着層120をカソード電極11
2と同一の金属材料で形成しても良い。これにより、さ
らに製造コストを抑え、製造歩留まりを向上することが
可能となる。
【0028】なお、吸着層120を形成する金属として
は、アルカリ金属単体としてはリチウム(Li)、ナト
リウム(Na)、カリウム(K)などでも良く、また、
アルカリ土類金属単体としてはカルシウム(Ca)など
であってもよい。
【0029】また、この吸着層120の膜厚は、密閉空
間400内に充満された不活性ガスに含まれる水分量及
び酸素濃度などに応じて適宜設定されるが、例えば60
0乃至1500オングストロームである。
【0030】このように構成された有機EL素子40で
は、アノード電極104とカソード電極114との間に
挟持された発光層108に電子及びホールを注入し、こ
れらを再結合させることにより励起子を生成し、この励
起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光す
る。
【0031】次に、この有機EL表示装置の製造方法に
ついて説明する。
【0032】すなわち、図3の(a)に示すように、ま
ず、金属膜及び絶縁膜の成膜とパターニングとを繰り返
し、第1基板100に、薄膜トランジスタすなわちTF
T20を形成する。また、同時に、第1基板100に、
各種電極配線を形成し、縦480ピクセル、横640×
3ピクセル、合計約92万画素を有したアレイ基板を形
成する。
【0033】続いて、図3の(b)に示すように、CV
D法により、第1基板100上に透明な絶縁膜102、
例えば酸化シリコン膜を成膜する。さらに、エッチング
により、この絶縁膜102にTFT20のドレイン領域
まで貫通するコンタクトホール102aを形成する。
【0034】続いて、図3の(c)に示すように、各画
素に対応して、透明な電極部材、例えばITOを配置し
てアノード電極104を形成する。このアノード電極1
04は、ITOを基板全面に堆積した後にフォトエッチ
ングプロセスによりパターニングすることによって形成
しても良いし、各画素に対応してITOをマスクスパッ
タ法で堆積することによって形成しても良い。
【0035】続いて、図3の(d)に示すように、各画
素間の電気的なショートを防ぐために、各画素を囲むよ
うに格子状に紫外線硬化型アクリル樹脂レジストを配置
し、220℃で30分間ベーク処理することによって隔
壁130を形成する。
【0036】続いて、図3の(e)に示すように、各画
素のアノード電極104上に有機EL層110を形成す
る。この実施の形態では、アノード電極104上に、ま
ず、ホール輸送層106を形成する。このホール輸送層
106は、芳香族アミン誘導体などの材料を直接蒸着す
る、または溶媒に溶解した溶液を塗布して乾燥すること
によって形成する。続いて、ホール輸送層106上に、
ストライプ状のシャドウマスクを用いて赤、緑、青の各
色を発光する発光層108を積層する。積層させる際に
は、1色の発光層108を対応する画素のホール輸送層
106上に積層した後に、シャドウマスクを画素1列分
だけずらして対応する次の画素列のホール輸送層106
上に積層する。発光層108は、材料を直接蒸着するこ
とによって形成しても良いし、インク状の発光材料を用
いてスピンコート方式やインクジェット方式により塗布
して乾燥することによって形成しても良い。
【0037】続いて、図4の(a)に示すように、有機
EL層110上に、カソード電極112を形成し、続け
てカソード電極112上にカバーメタル114を形成す
る。この実施の形態では、真空チャンバ内において、ま
ず、有機EL層110上にバリウム単体を蒸着すること
によってカソード電極112を形成する。続いて、カソ
ード電極112上にアルミニウム単体または合金を蒸着
することによってカバーメタル114を形成する。
【0038】続いて、図4の(b)に示すように、カバ
ーメタル114上に、吸着層120を形成する。この実
施の形態では、同一の真空チャンバ内において、10
−7Paの真空度においてカバーメタル114上にバリ
ウム単体を600オングストロームの膜厚で蒸着するこ
とによって吸着層120を形成する。このようにして、
有機EL素子40を構成する積層体を形成する。
【0039】続いて、図4の(c)に示すように、封止
を行うための第2基板200の外周に沿って紫外線硬化
型のシール材300を塗布し、窒素ガスやアルゴンガス
などの不活性ガス雰囲気中において、有機EL素子40
を備えた第1基板100と貼り合わせる。これにより、
有機EL素子40は、不活性ガス雰囲気の密閉空間40
0内に封入される。その後、紫外線を照射して、シール
材300を硬化する。
【0040】このようにして形成したカラー表示型アク
ティブマトリクス有機EL表示装置は、実質的な厚さが
第1基板及び第2基板の厚みしかないにもかかわらず、
素子寿命に優れ、信頼性の高いものとなった。
【0041】なお、この発明は、上述した実施の形態だ
けに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で様々に変形可能である。
【0042】例えば、上述した実施の形態では、吸着層
120は、有機EL素子40を構成する積層体の最上層
に配置したが、封止用の第2基板200の表面に配置し
ても良い。例えば、図5に示すように、第1基板100
には、TFT、アノード電極、発光層、カソード電極、
及びカバーメタルを積層して構成された有機EL素子4
0を配置し、第2基板200には、この有機EL素子4
0に対向するように吸着層120を配置する。
【0043】この吸着層120は、ガラス基板などの透
明な絶縁性基板からなる第2基板にバリウム単体を10
00オングストロームの膜厚で蒸着することによって形
成される。この際、第2基板200の周囲に、封止用の
シール材300の塗布スペースとして5mmの枠を残す
ため、メタルのマスクを用いた。続いて、バリウム単体
を蒸着した第2基板200を水分濃度、酸素濃度とも1
ppm以下に保たれたグローブボックスに取り出し、メ
タル蒸着されていない外周部に紫外線硬化型のシール材
300を塗布する。この第2基板200を、有機EL素
子40を形成した第1基板100に貼り合せ、さらに紫
外線を照射することにより、シール材300を硬化す
る。いずれの基板も真空チャンバから取り出して貼り合
わせるまでの処理は、すべて、水分濃度及び酸素濃度が
1ppm以下のグローブボックスにて行った。
【0044】このようにして形成したカラー表示型アク
ティブマトリクス有機EL表示装置は、実質的な厚さが
第1基板及び第2基板の厚みしかないにもかかわらず、
素子寿命に優れ、信頼性の高いものとなった。
【0045】上述したように、この発明の有機EL表示
装置及びこの有機EL表示装置の製造方法によれば、素
子の寿命を劣化させる水分及び酸素を容易に除去するこ
とができる構造を有し、且つ薄型化が可能である。ま
た、吸着層を封入するために特殊な形状をした基板を必
要とせず、プロセス的にも吸着層をカソード電極及びカ
バーメタルの蒸着の延長で行うことができるため、有機
EL表示装置の特徴の一つである薄型化に有利であり、
製造歩留まりを向上することも可能である。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、長期にわたって安定した表示性能を維持することが
可能な有機EL表示装置及びこの有機EL表示装置の製
造方法を提供することができる。また、この発明によれ
ば、薄型化が可能な構造であって、製造歩留まりが高い
低コストな有機EL表示装置及びこの有機EL表示装置
の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、この発明の一実施の形態にかかる有機
EL表示装置の構成を概略的に示す回路図である。
【図2】図2は、図1に示した有機EL表示装置の1画
素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図3】図3の(a)乃至(e)は、この発明の有機E
L表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図4】図4の(a)乃至(c)は、この発明の有機E
L表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図5】図5は、この発明の他の実施の形態にかかる有
機EL表示装置の1画素分の構造を概略的に示す断面図
である。
【符号の説明】
1…有機EL表示装置 10、20…TFT 30…補助容量素子 40…有機EL素子 100…第1基板 104…アノード電極 110…有機EL層 112…カソード電極 114…カバーメタル 120…吸着層 200…第2基板 300…シール材 400…密閉空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 3K007 AB11 AB13 AB18 BA06 BB01 BB04 BB05 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 FA02

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アノード電極と、カソード電極と、前記ア
    ノード電極と前記カソード電極との間に配置され発光能
    を有する有機化合物によって形成された有機発光層と、
    を含む積層体を備えた第1基板と、 前記第1基板に対向して配置され、前記第1基板との間
    に形成される密閉空間内に前記積層体を収納する第2基
    板と、 前記密閉空間内に配置され、前記密閉容器内に含まれる
    酸素及び水分を吸着するアルカリ金属単体またはアルカ
    リ土類金属単体によって形成された吸着手段と、 を備えたことを特徴とする有機EL表示装置。
  2. 【請求項2】前記吸着手段は、前記積層体の最上層に配
    置されたことを特徴とする請求項1に記載の有機EL表
    示装置。
  3. 【請求項3】前記吸着手段は、前記第2基板に配置され
    たことを特徴とする請求項1位に記載の有機EL表示装
    置。
  4. 【請求項4】前記吸着手段は、前記カソード電極と同一
    の材料によって形成されたことを特徴とする請求項1に
    記載の有機EL表示装置。
  5. 【請求項5】第1基板上に、アノード電極と、カソード
    電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に
    配置され発光能を有する有機化合物によって形成された
    有機発光層と、を含む積層体を形成し、 前記積層体の最上層に酸素及び水分を吸着するアルカリ
    金属単体またはアルカリ土類金属単体によって形成され
    た吸着手段を配置し、 前記積層体を収納するように前記第1基板に対向して第
    2基板を配置して不活性ガス雰囲気中に前記積層体を封
    入する、 ことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。
JP2001093662A 2001-03-28 2001-03-28 有機el表示装置及びこの有機el表示装置の製造方法 Pending JP2002299040A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001093662A JP2002299040A (ja) 2001-03-28 2001-03-28 有機el表示装置及びこの有機el表示装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001093662A JP2002299040A (ja) 2001-03-28 2001-03-28 有機el表示装置及びこの有機el表示装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002299040A true JP2002299040A (ja) 2002-10-11

Family

ID=18947970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001093662A Pending JP2002299040A (ja) 2001-03-28 2001-03-28 有機el表示装置及びこの有機el表示装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2002299040A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007080716A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US7342356B2 (en) 2004-09-23 2008-03-11 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer
US7468211B2 (en) 2004-09-23 2008-12-23 3M Innovative Properties Company Protected polymeric film
US7625638B2 (en) 2002-07-08 2009-12-01 Dynic Corporation Hygroscopic molding
CN105390620A (zh) * 2015-12-21 2016-03-09 昆山国显光电有限公司 Oled器件及其制备方法和显示器
CN105810710A (zh) * 2014-12-31 2016-07-27 昆山国显光电有限公司 一种oled器件及其制备方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7625638B2 (en) 2002-07-08 2009-12-01 Dynic Corporation Hygroscopic molding
US7342356B2 (en) 2004-09-23 2008-03-11 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer
US7468211B2 (en) 2004-09-23 2008-12-23 3M Innovative Properties Company Protected polymeric film
JP2007080716A (ja) * 2005-09-15 2007-03-29 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
CN105810710A (zh) * 2014-12-31 2016-07-27 昆山国显光电有限公司 一种oled器件及其制备方法
CN105390620A (zh) * 2015-12-21 2016-03-09 昆山国显光电有限公司 Oled器件及其制备方法和显示器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI472264B (zh) 主動矩陣發光裝置
JP4776393B2 (ja) 有機el表示装置
KR100656324B1 (ko) 표시 장치
KR100647325B1 (ko) 저면발광형 유기발광소자
JP4651916B2 (ja) 発光装置の作製方法
US20090261719A1 (en) Organic electroluminescent apparatus
EP2251906B1 (en) Method of fabricating organic light emitting diode display
WO2006064715A1 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
US8247274B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
JPWO2007086137A1 (ja) 光デバイス、および光デバイスの製造方法
US8004184B2 (en) Electro-luminescent display device
JP2006004650A (ja) 表示素子及び光学デバイス
KR100670382B1 (ko) 유기 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
JP2002299040A (ja) 有機el表示装置及びこの有機el表示装置の製造方法
JP2006004743A (ja) 表示装置及びその製造方法
JPH10189238A (ja) 光学的素子及びその製造方法
JP4467876B2 (ja) 発光装置
JP2005353398A (ja) 表示素子、光学デバイス、及び光学デバイスの製造方法
JP2003217834A (ja) 自己発光表示装置及びその製造方法
WO2018173177A1 (ja) 有機el表示装置及びその製造方法
JP2006190570A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
WO2010134237A1 (ja) 有機el表示装置及びその製造方法
KR101560228B1 (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
JP2006172940A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
KR20100000208A (ko) 유기 발광 표시장치 및 그의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070514