JP2002299040A - 有機ｅｌ表示装置及びこの有機ｅｌ表示装置の製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ表示装置及びこの有機ｅｌ表示装置の製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】長期にわたって安定した表示性能を維持するこ
とが可能な有機ＥＬ表示装置及びこの有機ＥＬ表示装置
の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】第１基板１００には、アノード電極１０４
と、発光能を有する有機化合物によって形成された有機
ＥＬ層１１０と、カソード電極１１２と、を含む積層体
が配置されている。第２基板２００は、第１基板１００
に対向して配置され、第１基板１００との間に形成され
る密閉空間４００内に積層体を収納する。積層体の最上
層には、吸着層１２０が配置され、密閉容器４００内に
含まれる酸素及び水分を吸着する。
とが可能な有機ＥＬ表示装置及びこの有機ＥＬ表示装置
の製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】第１基板１００には、アノード電極１０４
と、発光能を有する有機化合物によって形成された有機
ＥＬ層１１０と、カソード電極１１２と、を含む積層体
が配置されている。第２基板２００は、第１基板１００
に対向して配置され、第１基板１００との間に形成され
る密閉空間４００内に積層体を収納する。積層体の最上
層には、吸着層１２０が配置され、密閉容器４００内に
含まれる酸素及び水分を吸着する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、有機ＥＬ（エレ
クトロルミネッセンス）表示装置に係り、特に、安定し
た表示性能を維持することができる有機ＥＬ表示装置及
びこの有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
クトロルミネッセンス）表示装置に係り、特に、安定し
た表示性能を維持することができる有機ＥＬ表示装置及
びこの有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、平面表示装置として、有機ＥＬ表
示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自
発光性素子であるため、視野角が広く、バックライトを
必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、
且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自
発光性素子であるため、視野角が広く、バックライトを
必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、
且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】有機ＥＬ表示装置には、低分子材料を用い
た素子構成と、高分子材料を用いた素子構成とがある。
いずれの場合も、発光素子は、水分に対して非常に敏感
であり、わずかな水分や酸素（１ｐｐｍ程度）でも発光
素子が破壊され、表示デバイスとしての表示性能を維持
することができなくなる。
た素子構成と、高分子材料を用いた素子構成とがある。
いずれの場合も、発光素子は、水分に対して非常に敏感
であり、わずかな水分や酸素（１ｐｐｍ程度）でも発光
素子が破壊され、表示デバイスとしての表示性能を維持
することができなくなる。
【０００４】水分や酸素から発光層を保護するために、
様々な方法が検討されている。例えば、酸化バリウム
（ＢａＯ）を乾燥剤としてデバイス内に封入する方法が
ある。しかしながら、この方法の場合、酸化バリウムは
取り扱いが困難である上、デバイスに組み込む場合に、
封止基板に乾燥剤を封入するためのスペースを確保する
必要があり、特徴の一つである薄型化が阻害されること
になる。
様々な方法が検討されている。例えば、酸化バリウム
（ＢａＯ）を乾燥剤としてデバイス内に封入する方法が
ある。しかしながら、この方法の場合、酸化バリウムは
取り扱いが困難である上、デバイスに組み込む場合に、
封止基板に乾燥剤を封入するためのスペースを確保する
必要があり、特徴の一つである薄型化が阻害されること
になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、有機
ＥＬ表示装置においては、デバイス内に含まれる水分や
酸素により発光素子が時間の経過とともに劣化され、長
期にわたって安定した表示性能を維持することが困難で
あるといった問題を有している。
ＥＬ表示装置においては、デバイス内に含まれる水分や
酸素により発光素子が時間の経過とともに劣化され、長
期にわたって安定した表示性能を維持することが困難で
あるといった問題を有している。
【０００６】また、乾燥剤を封止基板に封入する場合、
乾燥剤を封止するためのスペースを確保する必要があ
り、薄型化が阻害される。また、乾燥剤を封入するため
の別個の製造工程が必要となり、製造コストが上昇す
る。すなわち、このように乾燥剤を封入する場合、製造
歩留まりの低下を招くといった問題がある。
乾燥剤を封止するためのスペースを確保する必要があ
り、薄型化が阻害される。また、乾燥剤を封入するため
の別個の製造工程が必要となり、製造コストが上昇す
る。すなわち、このように乾燥剤を封入する場合、製造
歩留まりの低下を招くといった問題がある。
【０００７】この発明は、上述した問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、長期にわたって安定した
表示性能を維持することが可能な有機ＥＬ表示装置及び
この有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにあ
る。
たものであって、その目的は、長期にわたって安定した
表示性能を維持することが可能な有機ＥＬ表示装置及び
この有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにあ
る。
【０００８】また、この発明の目的は、薄型化が可能な
構造であって、製造歩留まりが高い低コストな有機ＥＬ
表示装置及びこの有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供す
ることにある。
構造であって、製造歩留まりが高い低コストな有機ＥＬ
表示装置及びこの有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供す
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置
は、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電
極と前記カソード電極との間に配置され発光能を有する
有機化合物によって形成された有機発光層と、を含む積
層体を備えた第１基板と、前記第１基板に対向して配置
され、前記第１基板との間に形成される密閉空間内に前
記積層体を収納する第２基板と、前記密閉空間内に配置
され、前記密閉容器内に含まれる酸素及び水分を吸着す
るアルカリ金属単体またはアルカリ土類金属単体によっ
て形成された吸着手段と、を備えたことを特徴とする。
達成するために、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置
は、アノード電極と、カソード電極と、前記アノード電
極と前記カソード電極との間に配置され発光能を有する
有機化合物によって形成された有機発光層と、を含む積
層体を備えた第１基板と、前記第１基板に対向して配置
され、前記第１基板との間に形成される密閉空間内に前
記積層体を収納する第２基板と、前記密閉空間内に配置
され、前記密閉容器内に含まれる酸素及び水分を吸着す
るアルカリ金属単体またはアルカリ土類金属単体によっ
て形成された吸着手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造
方法は、第１基板上に、アノード電極と、カソード電極
と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に配置
され発光能を有する有機化合物によって形成された有機
発光層と、前記有機発光層上に配置されたカソード電極
と、を含む積層体を形成し、前記積層体の最上層に酸素
及び水分を吸着するアルカリ金属単体またはアルカリ土
類金属単体によって形成された吸着手段を配置し、前記
積層体を収納するように前記第１基板に対向して第２基
板を配置して不活性ガス雰囲気中に前記積層体を封入す
る、ことを特徴とする。
方法は、第１基板上に、アノード電極と、カソード電極
と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に配置
され発光能を有する有機化合物によって形成された有機
発光層と、前記有機発光層上に配置されたカソード電極
と、を含む積層体を形成し、前記積層体の最上層に酸素
及び水分を吸着するアルカリ金属単体またはアルカリ土
類金属単体によって形成された吸着手段を配置し、前記
積層体を収納するように前記第１基板に対向して第２基
板を配置して不活性ガス雰囲気中に前記積層体を封入す
る、ことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の有機ＥＬ表示装
置及びこの有機ＥＬ表示装置の製造方法の一実施の形態
について図面を参照して説明する。
置及びこの有機ＥＬ表示装置の製造方法の一実施の形態
について図面を参照して説明する。
【００１２】図１に示すように、有機ＥＬ表示装置は、
２つの薄膜トランジスタすなわちＴＦＴ１０及び２０
と、補助容量素子３０と、有機ＥＬ素子すなわち発光部
４０とを備えている。有機ＥＬ素子４０は、ＴＦＴ１０
を介して選択され、有機ＥＬ素子４０に対する励起電力
は、ＴＦＴ２０により制御される。
２つの薄膜トランジスタすなわちＴＦＴ１０及び２０
と、補助容量素子３０と、有機ＥＬ素子すなわち発光部
４０とを備えている。有機ＥＬ素子４０は、ＴＦＴ１０
を介して選択され、有機ＥＬ素子４０に対する励起電力
は、ＴＦＴ２０により制御される。
【００１３】このような有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ
素子４０の行方向に沿って配置された複数の走査線Ｙ
と、有機ＥＬ素子４０の列方向に沿って配置された複数
の信号線Ｘとを備えている。ＴＦＴ１０及び２０は、走
査線Ｙと信号線Ｘとの交差部近傍に配置されている。Ｔ
ＦＴ２０は、有機ＥＬ素子４０と直列に接続されてい
る。また、補助容量素子３０は、ＴＦＴ１０と直列に、
且つＴＦＴ２０と並列に接続されている。
素子４０の行方向に沿って配置された複数の走査線Ｙ
と、有機ＥＬ素子４０の列方向に沿って配置された複数
の信号線Ｘとを備えている。ＴＦＴ１０及び２０は、走
査線Ｙと信号線Ｘとの交差部近傍に配置されている。Ｔ
ＦＴ２０は、有機ＥＬ素子４０と直列に接続されてい
る。また、補助容量素子３０は、ＴＦＴ１０と直列に、
且つＴＦＴ２０と並列に接続されている。
【００１４】すなわち、ＴＦＴ１０のゲート電極は、走
査線Ｙに接続され、ソース領域は、信号線Ｘに接続さ
れ、ドレイン領域は、補助容量素子３０の一端及びＴＦ
Ｔ２０のゲート電極に接続されている。ＴＦＴ２０のソ
ース領域は、電源供給線Ｐに接続され、ドレイン領域
は、有機ＥＬ素子４０のアノード電極に接続されてい
る。補助容量素子３０の他端は、電源供給線Ｐに接続さ
れている。
査線Ｙに接続され、ソース領域は、信号線Ｘに接続さ
れ、ドレイン領域は、補助容量素子３０の一端及びＴＦ
Ｔ２０のゲート電極に接続されている。ＴＦＴ２０のソ
ース領域は、電源供給線Ｐに接続され、ドレイン領域
は、有機ＥＬ素子４０のアノード電極に接続されてい
る。補助容量素子３０の他端は、電源供給線Ｐに接続さ
れている。
【００１５】ＴＦＴ１０は、対応走査線Ｙを介して選択
されたときに対応信号線Ｘの駆動信号をＴＦＴ２０及び
補助容量素子３０に供給し、ＴＦＴ２０の駆動を制御す
る。ＴＦＴ２０は、駆動信号に基づいて電源供給線Ｐか
ら有機ＥＬ素子４０に駆動電流を供給する。
されたときに対応信号線Ｘの駆動信号をＴＦＴ２０及び
補助容量素子３０に供給し、ＴＦＴ２０の駆動を制御す
る。ＴＦＴ２０は、駆動信号に基づいて電源供給線Ｐか
ら有機ＥＬ素子４０に駆動電流を供給する。
【００１６】図２は、有機ＥＬ表示装置の構造を概略的
に示す断面図であり、ここでは、特に１画素分の有機Ｅ
Ｌ素子すなわち発光部の構造を示している。
に示す断面図であり、ここでは、特に１画素分の有機Ｅ
Ｌ素子すなわち発光部の構造を示している。
【００１７】図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１
は、第１基板１００と、この第１基板に所定の間隔をお
いて対向して配置された第２基板２００と、を備えてい
る。この第１基板１００と第２基板２００とは、シール
材３００によって貼り合わされ、第１基板１００と第２
基板２００との間に密閉空間４００を形成している。有
機ＥＬ素子４０を構成する積層体は、密閉空間４００内
に収容されている。
は、第１基板１００と、この第１基板に所定の間隔をお
いて対向して配置された第２基板２００と、を備えてい
る。この第１基板１００と第２基板２００とは、シール
材３００によって貼り合わされ、第１基板１００と第２
基板２００との間に密閉空間４００を形成している。有
機ＥＬ素子４０を構成する積層体は、密閉空間４００内
に収容されている。
【００１８】第１基板１００は、例えばガラス基板など
の透明な絶縁性基板である。この第１基板１００は、有
機ＥＬ素子４０を構成する積層体を形成するために、Ｔ
ＦＴ２０と、絶縁層１０２を介してＴＦＴ２０のドレイ
ン領域にコンタクトしたアノード電極１０４と、アノー
ド電極１０４上に配置された有機ＥＬ層１１０と、アノ
ード電極１０４との間に有機ＥＬ層１１０を挟持するカ
ソード電極１１２と、を備えている。また、第１基板１
００は、カソード電極１１２を覆うカバーメタル１１４
と、カバーメタル１１４上に配置された吸着手段として
機能する吸着層１２０とを備えている。１画素分の有機
ＥＬ素子４０は、格子状に配置された隔壁１３０によっ
て区画されている。
の透明な絶縁性基板である。この第１基板１００は、有
機ＥＬ素子４０を構成する積層体を形成するために、Ｔ
ＦＴ２０と、絶縁層１０２を介してＴＦＴ２０のドレイ
ン領域にコンタクトしたアノード電極１０４と、アノー
ド電極１０４上に配置された有機ＥＬ層１１０と、アノ
ード電極１０４との間に有機ＥＬ層１１０を挟持するカ
ソード電極１１２と、を備えている。また、第１基板１
００は、カソード電極１１２を覆うカバーメタル１１４
と、カバーメタル１１４上に配置された吸着手段として
機能する吸着層１２０とを備えている。１画素分の有機
ＥＬ素子４０は、格子状に配置された隔壁１３０によっ
て区画されている。
【００１９】ＴＦＴ２０は、アモルファスシリコンまた
はポリシリコンの半導体薄膜を有している。アノード電
極１０４は、透明な絶縁膜１０２上に配置され、透明な
導電性部材、例えばインジウム−ティン−オキサイド
（ＩＴＯ）によって形成されている。
はポリシリコンの半導体薄膜を有している。アノード電
極１０４は、透明な絶縁膜１０２上に配置され、透明な
導電性部材、例えばインジウム−ティン−オキサイド
（ＩＴＯ）によって形成されている。
【００２０】有機ＥＬ層１１０は、ホール輸送層１０６
及び発光層１０８を含んでいる。すなわち、ホール輸送
層１０６は、アノード電極１０４上に配置され、芳香族
アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘
導体などの薄膜によって形成されている。発光層１０８
は、ホール輸送層１０６上に配置され、赤、緑、または
青に発光する有機化合物によって形成されている。この
発光層１０８は、例えばＡｌｑ３によって形成された薄
膜を含み積層構造や、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニ
レン）やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などを
積層して構成されている。
及び発光層１０８を含んでいる。すなわち、ホール輸送
層１０６は、アノード電極１０４上に配置され、芳香族
アミン誘導体やポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘
導体などの薄膜によって形成されている。発光層１０８
は、ホール輸送層１０６上に配置され、赤、緑、または
青に発光する有機化合物によって形成されている。この
発光層１０８は、例えばＡｌｑ３によって形成された薄
膜を含み積層構造や、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニ
レン）やポリフルオレン誘導体またはその前駆体などを
積層して構成されている。
【００２１】カソード電極１１２は、有機ＥＬ層１１０
上に配置され、電子注入の機能を果たす材料によって形
成された反射電極である。カソード電極１１２は、例え
ばバリウム、カルシウム、バリウム−イッテルビウムな
どを蒸着することによって形成される。この有機ＥＬ層
１１０は、カソード電極１１２からの電子注入効率を向
上するために、発光層１０８とカソード電極１１２との
間に電子輸送層を含んで構成しても良い。
上に配置され、電子注入の機能を果たす材料によって形
成された反射電極である。カソード電極１１２は、例え
ばバリウム、カルシウム、バリウム−イッテルビウムな
どを蒸着することによって形成される。この有機ＥＬ層
１１０は、カソード電極１１２からの電子注入効率を向
上するために、発光層１０８とカソード電極１１２との
間に電子輸送層を含んで構成しても良い。
【００２２】カバーメタル１１４は、カソード電極１１
２上に配置され、例えばアルミニウムを蒸着することに
よって形成されている。
２上に配置され、例えばアルミニウムを蒸着することに
よって形成されている。
【００２３】吸着層１２０は、有機ＥＬ素子４０を構成
する積層体の最上層、例えばこの実施の形態ではカバー
メタル１１４上に配置される。この吸着層１２０は、酸
素及び水分を吸着するアルカリ金属単体またはアルカリ
土類金属単体を蒸着することによって形成されている。
例えば、この吸着層１２０は、バリウムによって形成さ
れている。
する積層体の最上層、例えばこの実施の形態ではカバー
メタル１１４上に配置される。この吸着層１２０は、酸
素及び水分を吸着するアルカリ金属単体またはアルカリ
土類金属単体を蒸着することによって形成されている。
例えば、この吸着層１２０は、バリウムによって形成さ
れている。
【００２４】積層体の最上層に配置された吸着層１２０
は、密閉空間４００内に充満された窒素ガスなどの不活
性ガスに曝されることにより、密閉空間４００内の酸素
や水分を吸着する。すなわち、吸着層１２０をバリウム
単体で形成した場合、バリウム（Ｂａ）は、水または酸
素と化学反応して酸化バリウム（ＢａＯ）になる。さら
に、酸化バリウムは、水と化学反応して水酸化バリウム
（Ｂａ（ＯＨ）２）になる。
は、密閉空間４００内に充満された窒素ガスなどの不活
性ガスに曝されることにより、密閉空間４００内の酸素
や水分を吸着する。すなわち、吸着層１２０をバリウム
単体で形成した場合、バリウム（Ｂａ）は、水または酸
素と化学反応して酸化バリウム（ＢａＯ）になる。さら
に、酸化バリウムは、水と化学反応して水酸化バリウム
（Ｂａ（ＯＨ）２）になる。
【００２５】これにより、密閉空間４００内に含まれる
水分や酸素を迅速に吸収し、有機ＥＬ素子の水分や酸素
による破壊を防止することが可能となり、長期にわたっ
て確実に安定した表示性能を維持することが可能とな
る。
水分や酸素を迅速に吸収し、有機ＥＬ素子の水分や酸素
による破壊を防止することが可能となり、長期にわたっ
て確実に安定した表示性能を維持することが可能とな
る。
【００２６】また、吸着層１２０を積層体の最上層に配
置したため、吸着層１２０を配置するためのスペースを
確保する必要がなくなり、装置全体の薄型を阻害するこ
とがなくなる。また、吸着層１２０は、真空チャンバ内
において、カソード電極１１２と、カバーメタル１１４
とを形成した後に連続して形成することが可能であるた
め、製造工程数を大幅に増やすことがなく、製造コスト
を抑え、製造歩留まりを向上することが可能となる。
置したため、吸着層１２０を配置するためのスペースを
確保する必要がなくなり、装置全体の薄型を阻害するこ
とがなくなる。また、吸着層１２０は、真空チャンバ内
において、カソード電極１１２と、カバーメタル１１４
とを形成した後に連続して形成することが可能であるた
め、製造工程数を大幅に増やすことがなく、製造コスト
を抑え、製造歩留まりを向上することが可能となる。
【００２７】さらに、吸着層１２０をカソード電極１１
２と同一の金属材料で形成しても良い。これにより、さ
らに製造コストを抑え、製造歩留まりを向上することが
可能となる。
２と同一の金属材料で形成しても良い。これにより、さ
らに製造コストを抑え、製造歩留まりを向上することが
可能となる。
【００２８】なお、吸着層１２０を形成する金属として
は、アルカリ金属単体としてはリチウム（Ｌｉ）、ナト
リウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）などでも良く、また、
アルカリ土類金属単体としてはカルシウム（Ｃａ）など
であってもよい。
は、アルカリ金属単体としてはリチウム（Ｌｉ）、ナト
リウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）などでも良く、また、
アルカリ土類金属単体としてはカルシウム（Ｃａ）など
であってもよい。
【００２９】また、この吸着層１２０の膜厚は、密閉空
間４００内に充満された不活性ガスに含まれる水分量及
び酸素濃度などに応じて適宜設定されるが、例えば６０
０乃至１５００オングストロームである。
間４００内に充満された不活性ガスに含まれる水分量及
び酸素濃度などに応じて適宜設定されるが、例えば６０
０乃至１５００オングストロームである。
【００３０】このように構成された有機ＥＬ素子４０で
は、アノード電極１０４とカソード電極１１４との間に
挟持された発光層１０８に電子及びホールを注入し、こ
れらを再結合させることにより励起子を生成し、この励
起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光す
る。
は、アノード電極１０４とカソード電極１１４との間に
挟持された発光層１０８に電子及びホールを注入し、こ
れらを再結合させることにより励起子を生成し、この励
起子の失活時に生じる所定波長の光放出により発光す
る。
【００３１】次に、この有機ＥＬ表示装置の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００３２】すなわち、図３の（ａ）に示すように、ま
ず、金属膜及び絶縁膜の成膜とパターニングとを繰り返
し、第１基板１００に、薄膜トランジスタすなわちＴＦ
Ｔ２０を形成する。また、同時に、第１基板１００に、
各種電極配線を形成し、縦４８０ピクセル、横６４０×
３ピクセル、合計約９２万画素を有したアレイ基板を形
成する。
ず、金属膜及び絶縁膜の成膜とパターニングとを繰り返
し、第１基板１００に、薄膜トランジスタすなわちＴＦ
Ｔ２０を形成する。また、同時に、第１基板１００に、
各種電極配線を形成し、縦４８０ピクセル、横６４０×
３ピクセル、合計約９２万画素を有したアレイ基板を形
成する。
【００３３】続いて、図３の（ｂ）に示すように、ＣＶ
Ｄ法により、第１基板１００上に透明な絶縁膜１０２、
例えば酸化シリコン膜を成膜する。さらに、エッチング
により、この絶縁膜１０２にＴＦＴ２０のドレイン領域
まで貫通するコンタクトホール１０２ａを形成する。
Ｄ法により、第１基板１００上に透明な絶縁膜１０２、
例えば酸化シリコン膜を成膜する。さらに、エッチング
により、この絶縁膜１０２にＴＦＴ２０のドレイン領域
まで貫通するコンタクトホール１０２ａを形成する。
【００３４】続いて、図３の（ｃ）に示すように、各画
素に対応して、透明な電極部材、例えばＩＴＯを配置し
てアノード電極１０４を形成する。このアノード電極１
０４は、ＩＴＯを基板全面に堆積した後にフォトエッチ
ングプロセスによりパターニングすることによって形成
しても良いし、各画素に対応してＩＴＯをマスクスパッ
タ法で堆積することによって形成しても良い。
素に対応して、透明な電極部材、例えばＩＴＯを配置し
てアノード電極１０４を形成する。このアノード電極１
０４は、ＩＴＯを基板全面に堆積した後にフォトエッチ
ングプロセスによりパターニングすることによって形成
しても良いし、各画素に対応してＩＴＯをマスクスパッ
タ法で堆積することによって形成しても良い。
【００３５】続いて、図３の（ｄ）に示すように、各画
素間の電気的なショートを防ぐために、各画素を囲むよ
うに格子状に紫外線硬化型アクリル樹脂レジストを配置
し、２２０℃で３０分間ベーク処理することによって隔
壁１３０を形成する。
素間の電気的なショートを防ぐために、各画素を囲むよ
うに格子状に紫外線硬化型アクリル樹脂レジストを配置
し、２２０℃で３０分間ベーク処理することによって隔
壁１３０を形成する。
【００３６】続いて、図３の（ｅ）に示すように、各画
素のアノード電極１０４上に有機ＥＬ層１１０を形成す
る。この実施の形態では、アノード電極１０４上に、ま
ず、ホール輸送層１０６を形成する。このホール輸送層
１０６は、芳香族アミン誘導体などの材料を直接蒸着す
る、または溶媒に溶解した溶液を塗布して乾燥すること
によって形成する。続いて、ホール輸送層１０６上に、
ストライプ状のシャドウマスクを用いて赤、緑、青の各
色を発光する発光層１０８を積層する。積層させる際に
は、１色の発光層１０８を対応する画素のホール輸送層
１０６上に積層した後に、シャドウマスクを画素１列分
だけずらして対応する次の画素列のホール輸送層１０６
上に積層する。発光層１０８は、材料を直接蒸着するこ
とによって形成しても良いし、インク状の発光材料を用
いてスピンコート方式やインクジェット方式により塗布
して乾燥することによって形成しても良い。
素のアノード電極１０４上に有機ＥＬ層１１０を形成す
る。この実施の形態では、アノード電極１０４上に、ま
ず、ホール輸送層１０６を形成する。このホール輸送層
１０６は、芳香族アミン誘導体などの材料を直接蒸着す
る、または溶媒に溶解した溶液を塗布して乾燥すること
によって形成する。続いて、ホール輸送層１０６上に、
ストライプ状のシャドウマスクを用いて赤、緑、青の各
色を発光する発光層１０８を積層する。積層させる際に
は、１色の発光層１０８を対応する画素のホール輸送層
１０６上に積層した後に、シャドウマスクを画素１列分
だけずらして対応する次の画素列のホール輸送層１０６
上に積層する。発光層１０８は、材料を直接蒸着するこ
とによって形成しても良いし、インク状の発光材料を用
いてスピンコート方式やインクジェット方式により塗布
して乾燥することによって形成しても良い。
【００３７】続いて、図４の（ａ）に示すように、有機
ＥＬ層１１０上に、カソード電極１１２を形成し、続け
てカソード電極１１２上にカバーメタル１１４を形成す
る。この実施の形態では、真空チャンバ内において、ま
ず、有機ＥＬ層１１０上にバリウム単体を蒸着すること
によってカソード電極１１２を形成する。続いて、カソ
ード電極１１２上にアルミニウム単体または合金を蒸着
することによってカバーメタル１１４を形成する。
ＥＬ層１１０上に、カソード電極１１２を形成し、続け
てカソード電極１１２上にカバーメタル１１４を形成す
る。この実施の形態では、真空チャンバ内において、ま
ず、有機ＥＬ層１１０上にバリウム単体を蒸着すること
によってカソード電極１１２を形成する。続いて、カソ
ード電極１１２上にアルミニウム単体または合金を蒸着
することによってカバーメタル１１４を形成する。
【００３８】続いて、図４の（ｂ）に示すように、カバ
ーメタル１１４上に、吸着層１２０を形成する。この実
施の形態では、同一の真空チャンバ内において、１０
−７Ｐａの真空度においてカバーメタル１１４上にバリ
ウム単体を６００オングストロームの膜厚で蒸着するこ
とによって吸着層１２０を形成する。このようにして、
有機ＥＬ素子４０を構成する積層体を形成する。
ーメタル１１４上に、吸着層１２０を形成する。この実
施の形態では、同一の真空チャンバ内において、１０
−７Ｐａの真空度においてカバーメタル１１４上にバリ
ウム単体を６００オングストロームの膜厚で蒸着するこ
とによって吸着層１２０を形成する。このようにして、
有機ＥＬ素子４０を構成する積層体を形成する。
【００３９】続いて、図４の（ｃ）に示すように、封止
を行うための第２基板２００の外周に沿って紫外線硬化
型のシール材３００を塗布し、窒素ガスやアルゴンガス
などの不活性ガス雰囲気中において、有機ＥＬ素子４０
を備えた第１基板１００と貼り合わせる。これにより、
有機ＥＬ素子４０は、不活性ガス雰囲気の密閉空間４０
０内に封入される。その後、紫外線を照射して、シール
材３００を硬化する。
を行うための第２基板２００の外周に沿って紫外線硬化
型のシール材３００を塗布し、窒素ガスやアルゴンガス
などの不活性ガス雰囲気中において、有機ＥＬ素子４０
を備えた第１基板１００と貼り合わせる。これにより、
有機ＥＬ素子４０は、不活性ガス雰囲気の密閉空間４０
０内に封入される。その後、紫外線を照射して、シール
材３００を硬化する。
【００４０】このようにして形成したカラー表示型アク
ティブマトリクス有機ＥＬ表示装置は、実質的な厚さが
第１基板及び第２基板の厚みしかないにもかかわらず、
素子寿命に優れ、信頼性の高いものとなった。
ティブマトリクス有機ＥＬ表示装置は、実質的な厚さが
第１基板及び第２基板の厚みしかないにもかかわらず、
素子寿命に優れ、信頼性の高いものとなった。
【００４１】なお、この発明は、上述した実施の形態だ
けに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で様々に変形可能である。
けに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で様々に変形可能である。
【００４２】例えば、上述した実施の形態では、吸着層
１２０は、有機ＥＬ素子４０を構成する積層体の最上層
に配置したが、封止用の第２基板２００の表面に配置し
ても良い。例えば、図５に示すように、第１基板１００
には、ＴＦＴ、アノード電極、発光層、カソード電極、
及びカバーメタルを積層して構成された有機ＥＬ素子４
０を配置し、第２基板２００には、この有機ＥＬ素子４
０に対向するように吸着層１２０を配置する。
１２０は、有機ＥＬ素子４０を構成する積層体の最上層
に配置したが、封止用の第２基板２００の表面に配置し
ても良い。例えば、図５に示すように、第１基板１００
には、ＴＦＴ、アノード電極、発光層、カソード電極、
及びカバーメタルを積層して構成された有機ＥＬ素子４
０を配置し、第２基板２００には、この有機ＥＬ素子４
０に対向するように吸着層１２０を配置する。
【００４３】この吸着層１２０は、ガラス基板などの透
明な絶縁性基板からなる第２基板にバリウム単体を１０
００オングストロームの膜厚で蒸着することによって形
成される。この際、第２基板２００の周囲に、封止用の
シール材３００の塗布スペースとして５ｍｍの枠を残す
ため、メタルのマスクを用いた。続いて、バリウム単体
を蒸着した第２基板２００を水分濃度、酸素濃度とも１
ｐｐｍ以下に保たれたグローブボックスに取り出し、メ
タル蒸着されていない外周部に紫外線硬化型のシール材
３００を塗布する。この第２基板２００を、有機ＥＬ素
子４０を形成した第１基板１００に貼り合せ、さらに紫
外線を照射することにより、シール材３００を硬化す
る。いずれの基板も真空チャンバから取り出して貼り合
わせるまでの処理は、すべて、水分濃度及び酸素濃度が
１ｐｐｍ以下のグローブボックスにて行った。
明な絶縁性基板からなる第２基板にバリウム単体を１０
００オングストロームの膜厚で蒸着することによって形
成される。この際、第２基板２００の周囲に、封止用の
シール材３００の塗布スペースとして５ｍｍの枠を残す
ため、メタルのマスクを用いた。続いて、バリウム単体
を蒸着した第２基板２００を水分濃度、酸素濃度とも１
ｐｐｍ以下に保たれたグローブボックスに取り出し、メ
タル蒸着されていない外周部に紫外線硬化型のシール材
３００を塗布する。この第２基板２００を、有機ＥＬ素
子４０を形成した第１基板１００に貼り合せ、さらに紫
外線を照射することにより、シール材３００を硬化す
る。いずれの基板も真空チャンバから取り出して貼り合
わせるまでの処理は、すべて、水分濃度及び酸素濃度が
１ｐｐｍ以下のグローブボックスにて行った。
【００４４】このようにして形成したカラー表示型アク
ティブマトリクス有機ＥＬ表示装置は、実質的な厚さが
第１基板及び第２基板の厚みしかないにもかかわらず、
素子寿命に優れ、信頼性の高いものとなった。
ティブマトリクス有機ＥＬ表示装置は、実質的な厚さが
第１基板及び第２基板の厚みしかないにもかかわらず、
素子寿命に優れ、信頼性の高いものとなった。
【００４５】上述したように、この発明の有機ＥＬ表示
装置及びこの有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、素
子の寿命を劣化させる水分及び酸素を容易に除去するこ
とができる構造を有し、且つ薄型化が可能である。ま
た、吸着層を封入するために特殊な形状をした基板を必
要とせず、プロセス的にも吸着層をカソード電極及びカ
バーメタルの蒸着の延長で行うことができるため、有機
ＥＬ表示装置の特徴の一つである薄型化に有利であり、
製造歩留まりを向上することも可能である。
装置及びこの有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、素
子の寿命を劣化させる水分及び酸素を容易に除去するこ
とができる構造を有し、且つ薄型化が可能である。ま
た、吸着層を封入するために特殊な形状をした基板を必
要とせず、プロセス的にも吸着層をカソード電極及びカ
バーメタルの蒸着の延長で行うことができるため、有機
ＥＬ表示装置の特徴の一つである薄型化に有利であり、
製造歩留まりを向上することも可能である。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、長期にわたって安定した表示性能を維持することが
可能な有機ＥＬ表示装置及びこの有機ＥＬ表示装置の製
造方法を提供することができる。また、この発明によれ
ば、薄型化が可能な構造であって、製造歩留まりが高い
低コストな有機ＥＬ表示装置及びこの有機ＥＬ表示装置
の製造方法を提供することができる。
ば、長期にわたって安定した表示性能を維持することが
可能な有機ＥＬ表示装置及びこの有機ＥＬ表示装置の製
造方法を提供することができる。また、この発明によれ
ば、薄型化が可能な構造であって、製造歩留まりが高い
低コストな有機ＥＬ表示装置及びこの有機ＥＬ表示装置
の製造方法を提供することができる。
【図１】図１は、この発明の一実施の形態にかかる有機
ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す回路図である。
ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す回路図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画
素分の構造を概略的に示す断面図である。
素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図３の（ａ）乃至（ｅ）は、この発明の有機Ｅ
Ｌ表示装置の製造方法を説明するための図である。
Ｌ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４の（ａ）乃至（ｃ）は、この発明の有機Ｅ
Ｌ表示装置の製造方法を説明するための図である。
Ｌ表示装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】図５は、この発明の他の実施の形態にかかる有
機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図
である。
機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図
である。
１…有機ＥＬ表示装置 １０、２０…ＴＦＴ ３０…補助容量素子 ４０…有機ＥＬ素子 １００…第１基板 １０４…アノード電極 １１０…有機ＥＬ層 １１２…カソード電極 １１４…カバーメタル １２０…吸着層 ２００…第２基板 ３００…シール材 ４００…密閉空間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB13 AB18 BA06 BB01 BB04 BB05 CA01 CB01 DA01 DB03 EB00 FA01 FA02
Claims (5)
- 【請求項１】アノード電極と、カソード電極と、前記ア
ノード電極と前記カソード電極との間に配置され発光能
を有する有機化合物によって形成された有機発光層と、
を含む積層体を備えた第１基板と、 前記第１基板に対向して配置され、前記第１基板との間
に形成される密閉空間内に前記積層体を収納する第２基
板と、 前記密閉空間内に配置され、前記密閉容器内に含まれる
酸素及び水分を吸着するアルカリ金属単体またはアルカ
リ土類金属単体によって形成された吸着手段と、 を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項２】前記吸着手段は、前記積層体の最上層に配
置されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表
示装置。 - 【請求項３】前記吸着手段は、前記第２基板に配置され
たことを特徴とする請求項１位に記載の有機ＥＬ表示装
置。 - 【請求項４】前記吸着手段は、前記カソード電極と同一
の材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に
記載の有機ＥＬ表示装置。 - 【請求項５】第１基板上に、アノード電極と、カソード
電極と、前記アノード電極と前記カソード電極との間に
配置され発光能を有する有機化合物によって形成された
有機発光層と、を含む積層体を形成し、 前記積層体の最上層に酸素及び水分を吸着するアルカリ
金属単体またはアルカリ土類金属単体によって形成され
た吸着手段を配置し、 前記積層体を収納するように前記第１基板に対向して第
２基板を配置して不活性ガス雰囲気中に前記積層体を封
入する、 ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001093662A JP2002299040A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 有機ｅｌ表示装置及びこの有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001093662A JP2002299040A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 有機ｅｌ表示装置及びこの有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299040A true JP2002299040A (ja) | 2002-10-11 |
Family
ID=18947970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001093662A Pending JP2002299040A (ja) | 2001-03-28 | 2001-03-28 | 有機ｅｌ表示装置及びこの有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002299040A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007080716A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| US7342356B2 (en) | 2004-09-23 | 2008-03-11 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer |
| US7468211B2 (en) | 2004-09-23 | 2008-12-23 | 3M Innovative Properties Company | Protected polymeric film |
| US7625638B2 (en) | 2002-07-08 | 2009-12-01 | Dynic Corporation | Hygroscopic molding |
| CN105390620A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-03-09 | 昆山国显光电有限公司 | Oled器件及其制备方法和显示器 |
| CN105810710A (zh) * | 2014-12-31 | 2016-07-27 | 昆山国显光电有限公司 | 一种oled器件及其制备方法 |
-
2001
- 2001-03-28 JP JP2001093662A patent/JP2002299040A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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