JP2002294483A - シード層修復浴 - Google Patents

シード層修復浴

Info

Publication number
JP2002294483A
JP2002294483A JP2001322035A JP2001322035A JP2002294483A JP 2002294483 A JP2002294483 A JP 2002294483A JP 2001322035 A JP2001322035 A JP 2001322035A JP 2001322035 A JP2001322035 A JP 2001322035A JP 2002294483 A JP2002294483 A JP 2002294483A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper
present
amount
seed layer
copper ions
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001322035A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002294483A5 (ja
Inventor
David Merricks
デービッド・メリックス
Denis Morrissey
デニス・モリッセイ
Martin W Bayes
マーティン・ダブリュー・ベイズ
Mark Lefebvre
マーク・レフェブレ
James G Shelnut
ジェームズ・ジー・シェルナット
Donald E Storjohann
ドナルド・イー・ストルジョハン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Original Assignee
Shipley Co LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shipley Co LLC filed Critical Shipley Co LLC
Publication of JP2002294483A publication Critical patent/JP2002294483A/ja
Publication of JP2002294483A5 publication Critical patent/JP2002294483A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76868—Forming or treating discontinuous thin films, e.g. repair, enhancement or reinforcement of discontinuous thin films
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • H01L21/2885—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition using an external electrical current, i.e. electro-deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
    • H01L21/76874—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for electroless plating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
    • H01L2221/1068—Formation and after-treatment of conductors
    • H01L2221/1073—Barrier, adhesion or liner layers
    • H01L2221/1084—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
    • H01L2221/1089—Stacks of seed layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】０．５ミクロン以下のような小さなジオメトリ
ーを有する電子デバイスの製造過程においてメタライゼ
ーションの前に酸化および不連続を有するシード層を修
復する方法を提供する。 【解決手段】硫酸銅、酢酸銅、フルオロホウ酸銅又は硝
酸銅から選択された１以上の銅イオン源と、酸性の電解
質を含む電気めっき浴を用い、基体に不連続の無い金属
シード層を形成する。その基体は１以上のアパーチャを
含有する電子デバイス基体を含む製品である。また、化
学的機械的平坦化法により１以上のアパーチャを含む半
導体ウェーハを回転する研磨パッドと接触させ、それか
ら過剰物質を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は、一般的に引き続くメタライゼー
ションのためのシード層の分野に関する。特に、本発明
は、メタライゼーション前にシード層を修復する方法に
関する。
【０００２】サブミクロンジオメトリーを有するものと
いったより小さなマイクロエレクトロニクスデバイスへ
の傾向は、より高い密度を扱うためのマルチプルメタリ
ゼーション層を有するデバイスという結果になる。半導
体ウェハー上、（配線としても示される）金属ラインを
形成するのに用いられる１つの一般的な金属は、アルミ
ニウムである。アルミニウムは、比較的安く、低い抵抗
率を有し、比較的エッチングしやすいという利点を有す
る。アルミニウムは、異なった金属層を接続するため
に、ビア中にインターコネクションを形成するのにも用
いられる。しかしながら、ビア／コンタクトホール（ｃ
ｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）のサイズがサブミクロン領域
まで小さくなると、ステップカバレージ問題、すなわ
ち、異なった金属層の間のインターコネクションを形成
するのにアルミニウムを用いる際に、信頼性の問題を引
き起こす可能性のある問題が生じる。そのような弱いス
テップカバレージが、高い電流密度をもたらし、エレク
トロマイグレーションを高める。
【０００３】ビア中の改良されたインターコネクション
パスを提供するための１つのアプローチは、金属層のた
めにアルミニウムを用いる際に、タングステンといった
金属を用いることで完全に充てんされたプラグを形成す
ることである。しかしながら、タングステン工程は値段
が高く、複雑であり、タングステンは高い抵抗率を有
し、タングステンプラグはボイドの影響を受けやすく、
配線層との弱い境界面を形成する。
【０００４】銅は、インターコネクト（ｉｎｔｅｒｃｏ
ｎｎｅｃｔ）メタリゼーションのための代替物質として
提案されてきている。銅は、タングステンと比較して改
良された電気的性質ならびに、アルミニウムよりよいエ
レクトロマイグレーション特性およびより低い抵抗率と
いう利点を有する。銅の欠点は、アルミニウムおよびタ
ングステンと比較してよりエッチングし難いことおよび
二酸化ケイ素といった絶縁層へマイグレーションする傾
向を有することである。そのようなマイグレーションを
妨げるために、窒化チタン、窒化タンタル等といったバ
リア（ｂａｒｒｉｅｒ）層を、銅層の析出の前に用いな
ければならない。
【０００５】電気化学的析出といった金属層の適用のた
めの典型的な技術は、導電層へ銅を適用するのにのみ適
している。このように、下にある伝導性シード層、典型
的には銅といった金属シード層は、一般に、銅を電気化
学的に析出する前に基体に適用される。そのようなシー
ド層は、物理蒸着（「ＰＶＤ」）および化学蒸着（「Ｃ
ＶＤ」）といった様々な方法によって適用されることが
できる。典型的には、シード層は、厚さ５０から１５０
０オングストロームといった他の金属層と比較して薄
い。
【０００６】米国特許第５，８２４，５９９号（Ｓｃｈ
ａｃｈａｍ−Ｄｉａｍａｎｄ等）は、ウェハー上のバリ
ア層上の触媒（ｃａｔａｌｙｔｉｃ）銅層を、真空下、
コンフォーマルなブランケット（ｂｌａｎｋｅｔ）で析
出し、その後真空をやぶることなく触媒銅層上に保護ア
ルミニウム層を析出することによって、銅シード層の表
面上に酸化物が生成するのを妨げる方法を開示してい
る。そのような真空下での銅層のブランケット析出は、
商業的に用いられているそのような手順の典型である。
【０００７】ＰＣＴ特許出願番号ＷＯ９９／４７７３１
号（Ｃｈｅｎ）は、まず最初に超薄シード層を蒸着し、
続いて最終のシード層を形成するために、超薄シード層
を電気化学的に厚くさせることによるシード層の提供方
法を開示している。銅シード層は、アルカリ電解浴を使
用することにより厚くされる。この特許出願によれば、
二工程法は、減少した不連続性、即ちシード層のカバレ
ッジが不完全であるか欠けているシード層中の領域を有
するシード層を提供する。しかしながら、シード層を厚
くするためにこの方法を使用する者は、慣用の酸性電解
質めっき浴を使用する前にシード層をすすぎ、中和しな
ければならないであろう。加えて、そのような酸電気め
っき浴と組み合わせたアルカリエンハンスメント法は、
めっき器具のめっきヘッドの数を倍増させなければなら
ないか、または処理量が減少するであろう。
【０００８】ヨーロッパ特許出願ＥＰ９５２２４２Ａ１
号（ランダウ等）は、小さなくぼみ状構造のボイドの無
い充填用低酸（≦０．４モル）及び高い濃度の銅（＞
０．８モル）を含有する電気めっき浴を開示する。シー
ド層の修復は、開示されていない。
【０００９】従って、特に０．５ミクロン以下のように
小さなジオメトリーを有するデバイスのための、酸化及
び不連続を有するシード層を修復する方法の継続した必
要性が存在する。
【００１０】引き続くメタライゼーションの前に実質的
に不連続の無いシード層を提供することにより、酸性電
気めっき液が銅シード層を修復するために使用され得る
ことが、驚くべきことに見出された。
【００１１】一態様において、本発明は基体上に堆積し
た金属シード層に、１以上の銅イオン源及び電解質を含
む電気めっき浴を接触させる工程を含む、基体に析出し
た実質的に不連続の無い金属シード層を提供する方法を
提供する。
【００１２】第二の態様において、本発明は基体上に堆
積した金属シード層に、１以上の銅イオン源及び電解質
を含む電気めっき浴を接触させる工程を含む電子デバイ
スを製造する方法であって、該銅イオンが１０ｇ／Ｌま
での量で存在する方法を提供する。
【００１３】第三の態様において、本発明は、１以上の
銅イオン源及び電解質を含む電気めっき浴であって、銅
イオンが１０ｇ／Ｌまでの量で存在する電気めっき浴を
提供する。
【００１４】第四の態様においては、本発明は、１以上
のアパーチャを含有する電子デバイス基体を含む製品で
あって、各アパーチャは、１以上の銅イオン源及び電解
質を含み、該銅イオンが１０ｇ／Ｌまでの量で存在する
電気めっき組成物から得られたシード層析出物を含有す
る製品を提供する。
【００１５】第五の態様においては、本発明は、半導体
ウェーハを回転する研磨パッドと接触させ、それにより
半導体ウェーハから過剰の物質を除去することを含む化
学的機械的平坦化法を使用することにより１以上のアパ
ーチャを含む半導体ウェーハから過剰物質を除去する方
法であって、ここでアパーチャは、１以上の銅イオン源
及び電解質を含み、該銅イオンが１０ｇ／Ｌまでの量で
存在する電気めっき組成物から得られたシード層析出物
を含有する方法を提供する。
【００１６】本明細書を通して使用されるように、明ら
かに断りがない限り次の略語は次の意味を有する；ｎｍ
＝ナノメーター；ｇ／Ｌ＝リットル当たりのグラム；μ
ｍ＝ミクロン＝マイクロメーター；ＡＳＦ＝平方フィー
ト当たりのアンペア；Ｍ＝モル；及びｐｐｍ＝百万当た
りの部数。
【００１７】本明細書を通して用いられる際に、「構
造」は、制限されないが、例えばトレンチおよびビアと
いった基体上のジオメトリーを示す。「アパーチュア」
は、ビアおよびトレンチといったくぼんだ（ｒｅｃｅｓ
ｓｅｄ）構造を示す。用語「小さい構造」は、サイズが
１ミクロンかまたはそれより小さい構造を示す。「非常
に小さい構造」は、サイズが１／２ミクロンかまたはそ
れより小さい構造を示す。同様に、「小さいアパーチュ
ア」は、サイズが１ミクロンかまたはそれより小さいア
パーチュアを示し、「非常に小さいアパーチュア」は、
サイズが１／２ミクロンかまたはそれより小さいアパー
チュアを示す。本明細書を通して用いられる際に、文脈
が明らかに他を示さない限り、用語「めっき」は金属電
気めっきを示す。「析出」および「めっき」は、本明細
書を通して互換性があるものとして用いられることがで
きる。用語「促進剤」は、めっき速度を向上させる化合
物を示す。用語「抑制剤」は、めっき速度を抑制する化
合物を示す。「ハロゲン化物」は、フッ化物、塩化物、
臭化物およびヨウ化物を示す。
【００１８】全てのパーセント及び比率は断りの無い限
り重量部である。全ての範囲は、両端の数字を含み、組
合わせ可能である。
【００１９】本発明は、実質的に不連続またはボイドの
ないシード層、特に銅または銅合金シード層を提供する
ことができる特定の希釈電気めっき浴を提供する。本発
明の電気めっき浴は、電子デバイスの製造、特に集積回
路の製造に使用するのに適している。本発明は、実質的
に不連続又はボイドの無いシード層、特に銅又は銅合金
層を提供できるある種の希釈電気めっき浴を提供する。
本電気めっき浴は、特に電子デバイスの製造及び特に集
積回路の製造における使用に特に適する。
【００２０】本発明の電気めっき液は、一般に１以上の
銅イオン源及び酸性電解質を含む。本発明の電気めっき
液は、１以上のハロゲン化物、促進剤又は光沢剤、抑制
剤、平滑化剤、グレインリファイナー、湿潤剤及び界面
活性剤等の添加剤を任意に含有してもよい。
【００２１】多種類の銅塩が、銅イオン源として本発明
のシード層修復電気めっき液に使用され得る。好適な銅
塩には、硫酸銅、酢酸銅、フルオロホウ酸銅及び硝酸銅
が含まれるが、これらに限定されない。硫酸銅五水塩
が、特に好ましい。本発明の電気めっき浴は、慣用の銅
電気めっき浴に比較して高い希釈度で稼動される。従っ
て、本めっき浴において銅イオンは、約１０ｇ／Ｌまで
の量で存在し、好ましくは約８ｇ／Ｌまでである。特に
好適なシード層電気めっき浴は、約１から約６ｇ／Ｌの
銅イオンを含有するものである。
【００２２】シード層修復電気めっき浴は、また、錫及
び亜鉛等の他の合金となる元素を含有することができ
る。従って、本発明に有用な銅電気めっき浴は、銅又は
銅合金を析出することができる。
【００２３】本発明のめっき浴は、１以上の酸を含む酸
性電解質を使用する。好ましい電解質は、二つの酸又は
三つ酸を含み、より好ましくは二つの酸である。好適な
酸は、無機又は有機である。従って、１以上の酸が本シ
ード層修復電気めっき浴に使用されるとき、その２以上
の酸は、２以上の無機酸、２以上の有機酸又は無機及び
有機酸の混合物であることができる。好適な無機酸とし
ては、硫酸、燐酸、硝酸、ハロゲン化水素酸、スルファ
ミン酸及びフルオロホウ酸等があげられるが、これらに
限定されない。好適な有機酸としては、メタンスルホン
酸等のアルキルスルホン酸、フェニルスルホン酸及びト
リルスルホン酸等のアリールスルホン酸、蟻酸、酢酸及
びプロピオン酸等のカルボン酸、トリフルオロメチルス
ルホン酸及びハロ酢酸等のハロゲン化酸等があげられる
がこれらに限定されない。特に、好適な有機酸として
は、（Ｃ１〜Ｃ１０）のアルキルスルホン酸があげられ
る。特に好適な酸の組み合わせとしては、１以上の無機
酸と１以上の有機酸又は２以上の有機酸混合物があげら
れる。
【００２４】好適な酸の混合物としては、硫酸／メタン
スルホン酸、フルオロホウ酸／トリフルオロメタンスル
ホン酸、硫酸／メタンスルホン酸／フェニルスルホン
酸、硝酸／硫酸／メタンスルホン酸、メタンスルホン酸
／エタンスルホン酸／フェニルスルホン酸、メタンスル
ホン酸／エタンスルホン酸、メタンスルホン酸／エタン
スルホン酸／硫酸、硫酸／酢酸／メタンスルホン酸、硫
酸／メタンスルホン酸／プロピオン酸、トリクロロ酢酸
／硫酸、トリクロロ酢酸／硫酸／メタンスルホン酸及び
トリクロロ酢酸／硫酸／フェニルスルホン酸等があげら
れるが、これらに限定されない。
【００２５】典型的には、二以上の酸が、如何なる比率
で存在してもよい。例えば、二つの酸が使用されると
き、９９：１から１：９９の如何なる比率で存在しても
よい。好ましくは、二つの酸は９０：１０から１０：９
０の比で存在し、より好ましくは、８０：２０から２
０：８０、更により好ましくは、７５：２５から２５：
７５、及びいっそうより好ましくは６０：４０から４
０：６０の比で存在する。３以上の酸が使用されると
き、それらは如何なる比率でも存在され得る。本発明の
電解質において２以上の酸は、慣用的にハロゲン化物イ
オン源として使用される少量の（典型的には１００ｍｇ
／Ｌ未満）のハロゲン化水素酸を含むようには意図され
ていない。
【００２６】本発明のシード層修復浴は高い希釈度で稼
動されるので、斯かる浴に用いられる添加酸の総量は、
慣用の銅電気めっき浴に使用されるものよりも少ない。
従って、電解質は、０から約７０ｇ／Ｌ、好ましくは、
約１０から７０ｇ／Ｌの添加酸を含有することができ
る。二つの無機酸が使用されるときは、それぞれの酸は
少なくとも約０．５ｇ／Ｌ、好ましくは少なくとも約１
ｇ／Ｌ、更に好ましくは少なくとも２ｇ／Ｌの量で存在
するのが好ましい。金属イオン源として金属硫酸塩を使
用して、如何なる酸も添加することなく酸性電解質が入
手され得ることは当業者により認識されるであろう。従
って、もしも金属硫酸塩が使用されるとき、２以上の酸
を有する電解質を提供するためには、一つだけの追加の
酸が添加されることが必要とされる。もしハロゲン化水
素酸が使用されるならば、５０ｍｇ／Ｌを超える量で好
ましく使用され、より好ましくは１００ｍｇ／Ｌ以上の
量、更により好ましくは２００ｍｇ以上の量、及びいっ
そうより好ましくは５００ｍｇ／Ｌ以上の量で使用され
る。
【００２７】ある種の用途については、添加される酸の
総量が少ないことが好ましい。「少ないい酸」とは、電
解質に添加される酸の総量が約０．４モル未満であり、
好ましくは約０．３モル未満、より好ましくは約０．２
モル未満である。
【００２８】本電解質は、任意に１以上のハロゲン化
物、好ましくは少なくとも一つのハロゲン化物を含有す
ることができる。塩化物及び臭化物は、好ましいハロゲ
ン化物であり、塩化物が更に好ましい。広範囲のハロゲ
ン化物濃度（もしハロゲン化物イオンが採用されたなら
ば）が好適に用いられ得る、例えば、めっき液内で約０
（ハロゲン化物イオンが採用されないとき）から１００
ｐｐｍ、より好ましくは約２５から約７５ｐｐｍのハロ
ゲン化物イオンが使用される。斯かるハロゲン化物は、
相当するハロゲン化水素酸又は好適な塩として添加され
得る。
【００２９】公知の光沢剤を含む多岐に亘る光沢剤（又
は促進剤）は、本発明の電気めっき組成物において採用
され得る。典型的な光沢剤は、１以上の硫黄原子を含有
し、典型的には窒素原子を含まず、約１０００以下の分
子量である。スルフィド及び／又はスルホン酸基を有す
る光沢剤化合物が、一般的に好ましい。特に式Ｒ’‐Ｓ
‐Ｒ‐ＳＯ３Ｘ、［ここで、Ｒは、任意に置換したアル
キル（シクロアルキルを含む）、任意に置換したヘテロ
アルキル、任意に置換したアリール基、又は任意に置換
したヘテロ脂環式であり；Ｘは、ナトリウム又はカリウ
ム等の対イオンである；及びＲ’は、水素又は化学結合
（即ち、‐Ｓ‐Ｒ‐ＳＯ３Ｘ、又はより大きな化合物の
置換基である）である］を有する基を含む化合物が好ま
しい。典型的にアルキル基は、１から約１６の炭素、よ
り典型的には１から約８又は１２の炭素を有するであろ
う。ヘテロアルキル基は、１以上のヘテロ原子（Ｎ、Ｏ
又はＳ）を連鎖中に有し、好ましくは１から約１６個、
より好ましくは１から約８または１２個の炭素原子を有
する。炭素環式アリール基は、典型的にはフェニール及
びナフチル等のアリール基である。ヘテロ芳香族基は、
また、好適なアリール基であろう、そして典型的には１
から約３のＮ、Ｏ又はＳ、１から３個の分離又は縮合環
を含有し、例えば、クマリニル、キノリニル、ピリジ
ル、ピラジル、ピラジニル、ピリミジル、フリル、ピロ
リル、チエニル、チアゾリル、オキサゾリル、オキシジ
ゾリル、トリアゾール、イミダゾリル、インドリル、ベ
ンゾフラニル及びベンゾチアゾール等があげられる。ヘ
テロ脂環式基は、典型的には１から３のＮ，Ｏ又はＳ原
子及び１から３の分離又は縮合環を有し、例えば、テト
ラヒドロフラニル、チエニル、テトラヒドロピラニル、
ピペルジニル、モルフォリノ及びピロリンジニル等を有
するであろう。置換アルキル、ヘテロアルキル、アリー
ル又はヘテロ脂環式基の置換基としては、例えば、Ｃ１
〜Ｃ８アルコキシ；Ｃ１〜Ｃ８アルキル；ハロゲン、特
にＦ、Ｃｌ及びＢｒ；シアノ及びニトロ等が挙げられ
る。
【００３０】より詳細には、有用な光沢剤としては、次
式のものがあげられる：ＸＯ３Ｓ−Ｒ−ＳＨ、ＸＯ３Ｓ
−Ｒ−Ｓ−Ｓ−Ｒ−ＳＯ３Ｘ、およびＸＯ３−Ａｒ−Ｓ
−Ｓ−Ａｒ−ＳＯ３Ｘ ［上記式中、Ｒは、任意に置換したアルキル基及び好ま
しくは１から６の炭素原子を有するアルキル基であり、
より好ましくは１から４の炭素原子を有するアルキル基
である；Ａｒは、任意に置換したフェニル基又はナフチ
ル基等の任意に置換したアリール基である；及びＸは、
ナトリウム又はカリウム等の対イオンである。］
【００３１】幾つかの具体的な好適な光沢剤としては、
例えば、ｎ，ｎ‐ジメチル‐ジチオカルバミン酸‐（３
‐スルホプロピル）エステル；３‐メルカプト‐プロピ
ルスルホン酸‐（３‐スルホプロピル）エステル；３‐
メルカプト‐プロピルスルホン酸（ナトリウム塩）；３
‐メルカプト‐１−プロパンスルホン酸（カリウム塩）
とのカルボン酸‐ジチオ‐ｏ‐エチルエステル‐ｓ‐エ
ステル；ビススルホプロピルジスルフィド；３‐（ベン
ズチアゾリル‐ｓ‐チオ）プロピルスルホン酸（ナトリ
ウム塩）；ピリジニウムプロピルスルホベタイン；１‐
ナトリウム‐３‐メルカプトプロパン‐１‐スルホネー
ト；米国特許第３，７７８，３５７号に記載のスルホア
ルキルスルフィド化合物；ジアルキルアミノ‐チオック
ス‐メチル‐チオアルカンスルホン酸のペルオキシド酸
化生成物；及び上記の混合物が挙げられる。追加の好適
な光沢剤は、また、米国特許第３，７７０，５９８号、
第４，３７４，７０９号、第４，３７６，６８５号、第
４，５５５，３１５号及び４，６７３，４６９号に記載
されており、全てここで参照として挿入されている。本
発明のめっき組成物に使用される特に好ましい光沢剤
は、ｎ，ｎ‐ジメチル‐ジチオカルバミル酸‐（３‐ス
ルホプロピル）エステル及びビス‐ナトリウム‐スルホ
ノプロピル‐ジスルフィドである。
【００３２】電解めっき浴において存在する斯かる促進
剤の量は、約０．１から約１０００ｐｐｍの範囲であ
る。好ましくは、促進剤化合物は、約０．５から約３０
０ｐｐｍ、より好ましくは約１から約１００ｐｐｍ及び
更に好ましくは約２から約５０ｐｐｍの量で存在する。
【００３３】本発明の組成物において有用な抑制剤は、
重合体物質であり、好ましくはヘテロ原子置換基、特に
酸素結合を有する。一般に好ましい抑制剤は、次式で表
されるような高分子量ポリエーテルである：
【００３４】Ｒ−Ｏ−（ＣＸＹＣＸ’Ｙ’Ｏ）ｎＨ ［Ｒは、約２から２０炭素原子を含有するアリール又は
アルキル基であり；Ｘ、Ｙ、Ｘ’及びＹ’は、独立に水
素、アルキル好ましくはメチル、エチル又はプロピル、
フェニル等のアリール；ベンジルのようなアラルキル；
及び好ましくは１以上のＸ、Ｙ、Ｘ’及びＹ’が、水素
であり；及びｎは５及び１００，０００の間の整数であ
る。好ましくは、Ｒはエチレンであり、ｎは１２，００
０より大きい］。
【００３５】電解めっき浴内に存在する斯かる抑制剤の
量は、約０．１から約１０００ｐｐｍの範囲である。好
ましくは、抑制剤化合物は、約０．５から約５００ｐｐ
ｍの量で存在し、より好ましくは、約１から約２００ｐ
ｐｍの量で存在する。
【００３６】界面活性剤は、任意にめっき浴に添加され
ることができる。斯かる界面活性剤は、典型的には浴重
量を基準にして約１から１０，０００ｐｐｍ、より好ま
しくは約５から１０，０００ｐｐｍの範囲の濃度で電解
銅めっき液に添加される。特に、好適な本発明のめっき
組成物用界面活性剤は、ポリエチレングリコールコポリ
マーを含む商業的に入手可能なポリエチレングリコール
コポリマーである。斯かるポリマーは、例えば、ＢＡＳ
Ｆ（ＢＡＳＦよりテトロニック（Ｔｅｔｒｏｎｉｃ）及
びプルロニック（Ｐｌｕｒｏｎｉｃ）の商品名で販売）
から入手でき、ケマックス社からのコポリマーでもよ
い。
【００３７】平滑化剤は、任意に本めっき浴に添加され
てもよい。１以上の平滑化剤成分が、本めっき浴におい
て使用されることが好ましい。斯かる平滑化剤は、約
０．０１から約５０ｐｐｍの量で使用され得る。好適な
平滑化剤の例は、既述した米国特許第３，７７０，５９
８号、第４，３７４，７０９号、第４，３７６，６８５
号、第４，５５５，３１５号及び第４，６７３，４５９
号に記載されている。一般に、有用な平滑化剤として
は、Ｒ‐Ｎ‐Ｒ’［各Ｒ及びＲ’は、独立に置換もしく
は非置換アルキル基又は置換もしくは非置換アリール基
である］を有する化合物のような置換アミノ基を含有す
るものが含まれる。典型的にアルキル基は、１から６の
炭素原子、より典型的には１から４の炭素原子を有す
る。好適なアリール基には、置換又は非置換フェニル又
はナフチルが含まれる。置換アルキル及びアリール基の
置換基は、例えば、アルキル、ハロ及びアルコキシであ
り得る。
【００３８】より具体的には、好適な平滑化剤には、１
‐(２‐ヒドロキシエチル)‐２‐イミダゾリジンチオ
ン；４‐メルカプトピリジン；２‐メルカプトチアゾリ
ン；エチレンチオウレア；チオウレア；アルキル化ポリ
アルキレンイミン；米国特許第３，９５６，０８４号に
記載されたフェナゾニウム化合物；N‐ヘテロ芳香族環
含有ポリマー；第四級、アクリル、重合体アミン；ポリ
ビニルカルバメート；ピロリドン；及びイミダゾールが
含まれるが、これらに限定されない。特に好ましい平滑
化剤は、１‐(２‐ヒドロキシエチル)‐２‐イミダゾリ
ジンチオンである。
【００３９】本発明のシード層電気めっき浴は、好まし
くは慣用の電気銅めっき浴を上記で特定された範囲内の
銅イオン及び全酸の量を提供するに十分な水で直接希釈
することにより調製されることができる。本発明の電気
めっき浴は、実質的に不連続の無いシード層を提供する
ために、銅又は銅合金シード層を処理し又は修復するの
に有益に使用される。本電気めっき浴の低酸含量は、あ
る量の酸化度を含有するシード層についての使用に好適
である。低度から中位の酸化度を有するシード層につい
ては本発明のシード層修復電気めっき浴は、そのように
酸化されたシード層の少なくとも一部を除去し、修復す
る追加の利点を提供する。本発明は、実質的に不連続が
無く、実質的にシード層の酸化の無いシード層を提供す
るのが好ましい。
【００４０】本電気銅めっき組成物は、従前のより濃縮
された電気銅めっき浴と同様な仕様で好適に使用され
る。本発明のめっき浴は、好ましくは室温以下から例え
ば６５℃まで及びそれより高い室温以上の広範な温度範
囲において採用される。めっき組成物は、空気スパージ
ャー、工作物撹拌、衝突又は他の好適な方法によるよう
な使用の過程で好ましく撹拌される。めっきは、好まし
くは、基体特性に応じて約１から４０ＡＳＦの電流で行
われる。めっき時間は、工作物の困難性に応じて約２分
から１時間又はそれ以上の範囲でよい。
【００４１】上記のように、非常に様々な基体が、本発
明の組成物を用いてめっきされることができる。本発明
の組成物は、小さな直径、高いアスペクト比のマイクロ
ビア、および他のアパーチュアを有する回路板基体とい
った、困難なワークピースをめっきするのに特に有用で
ある。本発明のめっき組成物は、形成された半導体デバ
イス等といった集積回路デバイスのめっきにも特に有用
である。本発明の組成物は、高いアスペクト比のマイク
ロビアおよびトレンチ、例えば４：１かそれ以上のアス
ペクト比を有するもののめっきに特に適している。
【００４２】上述したように、約２００ｎｍかまたはそ
れより小さい直径を有する、少なくとも４：１のアスペ
クト比は、本発明のめっき溶液を用いて欠損のない（例
えば、イオンビーム試験によるボイドまたは混在物のな
い）効果的な銅めっきをされている。直径が１５０ｎｍ
より小さいかまたは約１００ｎｍより小さくすらあり、
５：１、６：１、７：１、１０：１またはそれ以上、さ
らには約１５：１またはそれ以上のアスペクト比を有す
るアパーチュアが、本発明のめっき溶液を用いて（例え
ば、イオンビーム試験によるボイドまたは混在物のな
い）効果的なめっきをされることができる。本発明は
０．１８μｍおよびそれより小さいアパーチュアを有す
る基体上のシード層を修復するのに特に適している。
【００４３】従って、本発明は、基体上に堆積した金属
シード層に、１以上の銅イオン源及び電解質を含む電気
めっき浴を接触させる工程を含む、基体に析出した実質
的に不連続の無い金属シード層を提供する方法であっ
て、該銅イオンが１０ｇ／Ｌまでの量で存在する方法を
提供する。理論に拘束されることを意図しているわけで
はないが、本発明の電気めっき浴では、アパーチャ内部
での銅の析出に対し、シード層内の不連続又はボイドが
優先的に充填され又は修復されるように銅が析出し、実
質的な水平法において銅を析出する、即ち本発明は、実
質的にアパーチャのボトムアップフィル（又はスーパー
フィル）を実質的に提供しない。
【００４４】多岐に亘る基体が、本発明に従い銅でめっ
きされることができる。特に好適なのは、集積回路、プ
リント配線基板内層及び外層及びフレキシブル回路等の
製造に使用されるウェーハのような電子デバイスの製造
に使用される基体である。基体は、ウェーハが好まし
い。
【００４５】本発明は、また、基体上に堆積した金属シ
ード層に、１以上の銅イオン源及び電解質を含む電気め
っき浴を接触させる工程を含む電子デバイスを製造する
方法であって、該銅イオンが１０ｇ／Ｌまでの量で存在
する方法を提供する。
【００４６】従って、本発明は、１以上のアパーチャを
含有する電子デバイス基体であって、各アパーチャは１
以上の銅イオン源及び電解質を含む電気めっき組成物で
あって、銅イオンは１０ｇ／Ｌまでの量で存在する組成
物から得られたシード層析出物を含有するものを提供す
る。
【００４７】本発明に従い、一旦シード層が修復された
ら、次にアパーチャを充填し又は実質的に充填するため
にメタライゼーションされる。本発明に基づく処理の後
で、ウェーハ等の基体は、メタライゼーション浴に直接
接触されうる。本発明のシード層修復処理及び次のメタ
ライゼーション浴との接触の間のすすぎ工程は、任意で
あるが、好ましくはない。理論に拘束されることを意図
しているわけではないが、本希釈めっき浴との接触の後
で、アパーチャは低酸溶液で保護され、従って、シード
層修復浴から慣用の酸銅電気めっき浴へと移動され得る
と信じられる。
【００４８】本発明に基づくシード層修復処理の後で、
基体は、アパーチャを充填又は実質的に充填するために
慣用のメタライゼーション浴に接触される。斯かる慣用
のメタライゼーションは、当業者に公知であり、一般に
本発明の電気めっき浴より濃縮された形態である。斯か
る慣用の酸銅浴においては、銅イオンは、典型的には１
４から２１ｇ／の量で存在し、合計の添加酸は約１５０
から２００ｇ／Ｌ以上である。斯かるメタライゼーショ
ン浴は、任意に上記したような１以上の追加の成分を含
有することができる。メタライゼーション、即ち、アパ
ーチャの充填の後で、基体は、ウェーハの場合好ましく
は化学的機械的平坦化法（「ＣＭＰ」）に付される。Ｃ
ＭＰ手順は、以下の発明に従って行われることができ
る。
【００４９】ウェハーは、動いている研摩パッドの表面
に対してウェハーを移動させるウェハーキャリヤーにマ
ウントされる。研磨パッドは、公知の平滑研磨パッドま
たは溝付研磨パッドであることができる。溝付研磨パッ
ドの例は、米国特許第５，１７７，９０８号、第５，０
２０，２８３号、第５，２９７，３６４号、第５，２１
６，８４３号、第５，３２９，７３４号、第５，４３
５，７７２号、第５，３９４，６５５号、第５，６５
０，０３９号、第５，４８９，２３３号、第５，５７
８，３６２号、第５，９００，１６４号、第５，６０
９，７１９号、第５，６２８，８６２号、第５，７６
９，６９９号、第５，６９０，５４０号、第５，７７
８，４８１号、第５，６４５，４６９号、第５，７２
５，４２０号、第５，８４２，９１０号、第５，８７
３，７７２号、第５，９２１，８５５号、第５，８８
８，１２１号、第５，９８４，７６９号、およびヨーロ
ッパ特許第８０６２６７号に開示されている。研磨パッ
ドは、研磨パッドを回転させることができる公知のプラ
テン（ｐｌａｔｅｎ）上に取り付けられることができ
る。研磨パッドは、限定されないが、接着剤、例えば両
面に接着剤を有する両面テープといった保持手段によっ
てプラテン上に保持されることができる。
【００５０】研磨溶液またはスラリーは、研磨パッド上
に供給される。ウェハーキャリヤーは、研磨パッド上の
異なった位置に存在することができる。ウェハーは、限
定されないが例えば水といった、限定されないが流体と
いったものの表面張力、真空、またはウェハーホルダー
といった（限定されないが）任意の適した保持手段によ
って所定の位置に保持されることができる。もし保持手
段が真空によるなら、その際にはウェハーキャリヤーと
接続されている中空軸が存在するのが好ましい。加え
て、中空軸は、例えば空気または不活性ガスに限定され
ないガス圧力を調節するのに、または、最初にウェハー
を保持するために真空を用いるのに用いられることがで
きる。ガスまたは真空は、中空軸からキャリヤーへと流
れる。ガスは、所望の形状（ｃｏｎｔｏｕｒ）のために
研磨パッドに対してウェハーを移動させることができ
る。真空は、最初にウェハーをウェハーキャリヤーにお
ける所定の位置に保持することができる。いったんウェ
ハーが研磨パッドのトップに置かれたら、真空は解か
れ、研磨パッドに対してウェハーを押しつけるために、
ガス圧を使用することができる。過剰または望まれない
銅は、その後取り除かれる。プラテンおよびウェハーキ
ャリヤーは独立して回転することができる。それゆえ、
ウェハーを同じもしくは異なったスピードで、研磨パッ
ドと同じ方向に回転する、または研磨パッドと逆の方向
に回転することが可能である。
【００５１】従って、本発明は、半導体ウェーハを回転
する研磨パッドと接触させ、それにより半導体ウェーハ
をから過剰の物質を除去することを含む化学的機械的平
坦化法を使用して半導体ウェーハから過剰な物質を除去
する方法であって、半導体ウェーハは、少なくとも一つ
の可溶性銅塩及び２以上の酸を含む電解質を含む電気銅
めっき組成物で予め電気めっきされている方法を提供す
る。
【００５２】また、半導体ウェーハを回転する研磨パッ
ドと接触させ、それにより半導体ウェーハから過剰の物
質を除去することを含む化学的機械的平坦化法を使用す
ることにより１以上のアパーチャを含む半導体ウェーハ
から過剰物質を除去する方法であって、ここでアパーチ
ャは、１以上の銅イオン源及び電解質を含み、該銅イオ
ンが１０ｇ／Ｌまでの量で存在する電気めっき組成物か
ら得られたシード層析出物を含有する方法を提供する。
【００５３】本発明は、電気銅めっき浴に関して記載さ
れているが、当業者にとって、本発明の希釈電気めっき
浴が、錫、錫合金、ニッケル及びニッケル‐合金等のよ
うな多様なめっき浴に使用され得ることが認識されるで
あろう。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 デービッド・メリックス イギリス，コベントリー州，シーブイ５・ ６ピーユー，アールズドン，ハンティント ン・ロード・66 (72)発明者 デニス・モリッセイ アメリカ合衆国ニューヨーク州11743，ハ ンティントン，トレイナー・コート・36 (72)発明者 マーティン・ダブリュー・ベイズ アメリカ合衆国マサチューセッツ州01748, ホプキントン，ヘイドン・ロウ・ストリー ト・106 (72)発明者 マーク・レフェブレ アメリカ合衆国ニューハンプシャー州 03051，ハドソン，ハイリンデール・ドラ イブ・12 (72)発明者 ジェームズ・ジー・シェルナット アメリカ合衆国マサチューセッツ州01532, ノースボロ，バブコック・ドライブ・５ (72)発明者 ドナルド・イー・ストルジョハン アメリカ合衆国マサチューセッツ州02472 −3546，ウォータータウン，エッジクリ フ・ロード・82 Ｆターム(参考） 4K023 AA19 AB20 AB33 AB38 BA06 BA07 BA13 BA15 BA20 CB07 CB21 DA06 4K024 AA03 AA07 AA09 AA14 AA21 BB09 BB12 CA01 CA02 CA06 GA16 4M104 BB04 BB30 BB32 DD52 FF18 FF22

Claims (22)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基体上に堆積した金属シード層に、１以上
    の銅イオン源及び電解質を含む電気めっき浴を接触させ
    る工程を含む、基体に析出した実質的に不連続の無い金
    属シード層を提供する方法であって、該銅イオンが１０
    ｇ／Ｌまでの量で存在する方法。
  2. 【請求項２】銅イオンが８ｇ／Ｌまでの量で存在する請
    求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】銅イオンが１から６ｇ／Ｌまでの量で存在
    する請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】銅イオン源が硫酸銅、酢酸銅、フルオロホ
    ウ酸銅又は硝酸銅から選択される請求項１に記載の方
    法。
  5. 【請求項５】電解質が酸性である請求項１に記載の方
    法。
  6. 【請求項６】添加酸の量が７０ｇ／Ｌまでである請求項
    ５に記載の方法。
  7. 【請求項７】添加酸の量が１０から７０ｇ／Ｌである請
    求項５に記載の方法。
  8. 【請求項８】基体上に堆積した金属シード層に、１以上
    の銅イオン源及び電解質を含む電気めっき浴を接触させ
    る工程を含む電子デバイスを製造する方法であって、該
    銅イオンが１０ｇ／Ｌまでの量で存在する方法。
  9. 【請求項９】銅イオンが８ｇ／Ｌまでの量で存在する請
    求項８に記載の方法。
  10. 【請求項１０】銅イオンが１から６ｇ／Ｌの量で存在す
    る請求項８に記載の方法。
  11. 【請求項１１】銅イオン源が硫酸銅、酢酸銅、フルオロ
    ホウ酸銅又は硝酸銅から選択される請求項８に記載の方
    法。
  12. 【請求項１２】電解質が酸性である請求項８に記載の方
    法。
  13. 【請求項１３】添加酸の量が７０ｇ／Ｌまでである請求
    項１２に記載の方法。
  14. 【請求項１４】添加酸の量が１０から７０ｇ／Ｌである
    請求項１２に記載の方法。
  15. 【請求項１５】１以上の銅イオン源及び電解質を含む電
    気めっき浴であって、銅イオンが１０ｇ／Ｌまでの量で
    存在する電気めっき浴。
  16. 【請求項１６】銅イオンが１から６ｇ／Ｌの量で存在す
    る請求項１５に記載の電気めっき浴。
  17. 【請求項１７】銅イオン源が硫酸銅、酢酸銅、フルオロ
    ホウ酸銅又は硝酸銅から選択される請求項１５に記載の
    電気めっき浴。
  18. 【請求項１８】電解質が酸性である請求項１５に記載の
    電気めっき浴。
  19. 【請求項１９】添加酸の量が７０ｇ／Ｌまでである請求
    項１８に記載の電気めっき浴。
  20. 【請求項２０】添加酸の量が１０から７０ｇ／Ｌである
    請求項１８に記載の電気めっき浴。
  21. 【請求項２１】１以上のアパーチャを含有する電子デバ
    イス基体を含む製品であって、各アパーチャは、１以上
    の銅イオン源及び電解質を含み、該銅イオンが１０ｇ／
    Ｌまでの量で存在する電気めっき組成物から得られたシ
    ード層析出物を含有する製品。
  22. 【請求項２２】半導体ウェーハを回転する研磨パッドと
    接触させ、それにより半導体ウェーハから過剰の物質を
    除去することを含む化学的機械的平坦化法を使用するこ
    とにより１以上のアパーチャを含む半導体ウェーハから
    過剰物質を除去する方法であって、ここでアパーチャ
    は、１以上の銅イオン源及び電解質を含み、該銅イオン
    が１０ｇ／Ｌまでの量で存在する電気めっき組成物から
    得られたシード層析出物を含有する方法。
JP2001322035A 2000-10-20 2001-10-19 シード層修復浴 Withdrawn JP2002294483A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US24223400P 2000-10-20 2000-10-20
US60/242234 2000-10-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002294483A true JP2002294483A (ja) 2002-10-09
JP2002294483A5 JP2002294483A5 (ja) 2005-09-15

Family

ID=22913979

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001322035A Withdrawn JP2002294483A (ja) 2000-10-20 2001-10-19 シード層修復浴

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6660153B2 (ja)
EP (1) EP1199383A3 (ja)
JP (1) JP2002294483A (ja)
KR (1) KR20020031075A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006510807A (ja) * 2002-12-16 2006-03-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 銅配線および／またはフィルムを研磨および／または洗浄する方法およびそのための組成物
CN1326216C (zh) * 2003-12-30 2007-07-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种避免漩涡效应缺陷的方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6660154B2 (en) 2000-10-25 2003-12-09 Shipley Company, L.L.C. Seed layer
US6797146B2 (en) * 2000-11-02 2004-09-28 Shipley Company, L.L.C. Seed layer repair
US8002962B2 (en) 2002-03-05 2011-08-23 Enthone Inc. Copper electrodeposition in microelectronics
US7316772B2 (en) * 2002-03-05 2008-01-08 Enthone Inc. Defect reduction in electrodeposited copper for semiconductor applications
US6676823B1 (en) * 2002-03-18 2004-01-13 Taskem, Inc. High speed acid copper plating
US7429401B2 (en) 2003-05-23 2008-09-30 The United States of America as represented by the Secretary of Commerce, the National Insitiute of Standards & Technology Superconformal metal deposition using derivatized substrates
TWI400365B (zh) * 2004-11-12 2013-07-01 Enthone 微電子裝置上的銅電沈積
TWI341554B (en) * 2007-08-02 2011-05-01 Enthone Copper metallization of through silicon via
US7905994B2 (en) 2007-10-03 2011-03-15 Moses Lake Industries, Inc. Substrate holder and electroplating system
US8262894B2 (en) 2009-04-30 2012-09-11 Moses Lake Industries, Inc. High speed copper plating bath
US9714474B2 (en) 2010-04-06 2017-07-25 Tel Nexx, Inc. Seed layer deposition in microscale features
US20140159285A1 (en) * 2011-05-03 2014-06-12 Digital Graphics Incorporation Composition for laser direct structuring and laser direct structuring method using same
KR102041646B1 (ko) * 2014-05-13 2019-11-07 삼성전기주식회사 전극 구조체

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3841979A (en) * 1971-08-20 1974-10-15 M & T Chemicals Inc Method of preparing surfaces for electroplating
US5051154A (en) * 1988-08-23 1991-09-24 Shipley Company Inc. Additive for acid-copper electroplating baths to increase throwing power
US5004525A (en) * 1988-08-23 1991-04-02 Shipley Company Inc. Copper electroplating composition
US4897165A (en) * 1988-08-23 1990-01-30 Shipley Company Inc. Electroplating composition and process for plating through holes in printed circuit boards
US5328589A (en) * 1992-12-23 1994-07-12 Enthone-Omi, Inc. Functional fluid additives for acid copper electroplating baths
TWI223678B (en) * 1998-03-20 2004-11-11 Semitool Inc Process for applying a metal structure to a workpiece, the treated workpiece and a solution for electroplating copper
KR100656581B1 (ko) * 1998-09-03 2006-12-12 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판의 도금방법 및 장치
EP1111096A3 (en) * 1999-12-15 2004-02-11 Shipley Company LLC Seed layer repair method
US6354916B1 (en) * 2000-02-11 2002-03-12 Nu Tool Inc. Modified plating solution for plating and planarization and process utilizing same
EP1197587B1 (en) * 2000-10-13 2006-09-20 Shipley Co. L.L.C. Seed layer repair and electroplating bath

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006510807A (ja) * 2002-12-16 2006-03-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 銅配線および／またはフィルムを研磨および／または洗浄する方法およびそのための組成物
CN1326216C (zh) * 2003-12-30 2007-07-11 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种避免漩涡效应缺陷的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20020088713A1 (en) 2002-07-11
EP1199383A2 (en) 2002-04-24
US6660153B2 (en) 2003-12-09
EP1199383A3 (en) 2004-02-11
KR20020031075A (ko) 2002-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4116781B2 (ja) シ−ド修復及び電解めっき浴
KR100514251B1 (ko) 전해 구리 도금액
US6679983B2 (en) Method of electrodepositing copper
US20040217009A1 (en) Electroplating bath
TWI619853B (zh) 自酸性銅電鍍浴液向基板上之通孔中電鍍銅之方法
US7989347B2 (en) Process for filling recessed features in a dielectric substrate
JP2005535787A (ja) 電解銅めっき液
JP2002294483A (ja) シード層修復浴
KR100971267B1 (ko) 전해질
EP1201790B1 (en) Seed layer
EP1477588A1 (en) Copper Electroplating composition for wafers
US20020074242A1 (en) Seed layer recovery
US6649038B2 (en) Electroplating method
US6797146B2 (en) Seed layer repair
US20020090484A1 (en) Plating bath
JP2002275684A (ja) シード層
JP2002266096A (ja) シード層修復浴

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041013

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041013

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050401

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20060915