JP2002289586A - Method and device for exfoliating resist - Google Patents
Method and device for exfoliating resistInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
で不可欠なレジスト剥離工程（レジスト除去工程）に関
する。更に詳しくは、原子状水素とレジストとを反応さ
せることにより、気相的にレジストを剥離するレジスト
剥離方法、及び、レジスト剥離装置に関する。特に、レ
ジスト剥離工程前に行われるイオン注入工程、エッチン
グ工程において、少なくとも表層の変質したレジストを
剥離するレジスト剥離方法、及び、レジスト剥離装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resist removing step (resist removing step) which is indispensable in the manufacture of a semiconductor device. More specifically, the present invention relates to a resist stripping method for stripping a resist in a gas phase by reacting atomic hydrogen with a resist, and a resist stripping apparatus. In particular, the present invention relates to a resist stripping method and a resist stripping apparatus for stripping at least a surface-changed resist in an ion implantation step and an etching step performed before the resist stripping step.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年における半導体装置の高集積化、高
性能化の進展に伴い、積層構造を有する微細な素子パタ
ーンを精密かつ清浄に転写するためのフォトリソグラフ
ィーが益々重要となっている。ここに、清浄とは、積層
された各層の界面の汚染物質を含まない又は極めて少し
しか含まないことを意味する。2. Description of the Related Art With the recent progress of high integration and high performance of semiconductor devices, photolithography for precisely and cleanly transferring a fine element pattern having a laminated structure has become increasingly important. Here, the term “clean” means that the contaminants at the interface between the stacked layers are not contained or contained very little.
【０００３】従来より、ドライエッチング工程後やイオ
ン注入工程後のレジストは、ドライアッシング技術とウ
ェットアッシング技術とを併用して剥離（除去）されて
きた。例えば、酸素プラズマによるドライアッシング
と、硫酸（硫酸濃度９８％）と過酸化水素水（過酸化水
素濃度３０重量％）を重量比４：１で混合した混合溶液
を加熱して用いるウェットアッシングとを組み合わせ
て、レジストを剥離するのが通常であった。本明細書に
おいて、レジスト剥離溶液とレジストとの接触による剥
離（ウエット式のレジスト剥離）をウェットアッシング
と称する。Conventionally, a resist after a dry etching step or an ion implantation step has been stripped (removed) using a combination of a dry ashing technique and a wet ashing technique. For example, dry ashing using oxygen plasma and wet ashing using a mixed solution obtained by mixing sulfuric acid (sulfuric acid concentration 98%) and hydrogen peroxide solution (hydrogen peroxide concentration 30% by weight) at a weight ratio of 4: 1 are used. It was common to strip the resist in combination. In this specification, peeling (wet resist peeling) by contact between a resist peeling solution and a resist is referred to as wet ashing.
【０００４】また、ドライアッシング技術とウェットア
ッシング技術を併用しても、高濃度にイオン注入されて
変質したレジストを酸素プラズマで完全に除去すること
ができず、レジストの下地層上に残渣が残る。この残渣
に含まれる金属イオンがデバイスの特性を劣化させるこ
とが指摘されており、また、酸素プラズマによるプラズ
マダメージもデバイス特性に大きな影響を与えることが
知れている。[0004] Even when the dry ashing technique and the wet ashing technique are used in combination, a deteriorated resist which has been ion-implanted at a high concentration and cannot be completely removed cannot be completely removed by oxygen plasma, and a residue remains on an underlayer of the resist. . It has been pointed out that metal ions contained in the residue deteriorate the characteristics of the device, and it is known that plasma damage due to oxygen plasma also has a large effect on the device characteristics.
【０００５】また、従来のどの様なアッシング技術を用
いても、特開平９−１３９３７０号報に示されているよ
うに、特に、炭素−炭素の単結合が、レジストの下地層
に残留しやすいことが分かった。特開平９−１３９３７
０号報では、原子状水素をプラズマ法、あるいは、水素
ガスを加熱し、加熱された水素ガスとＰｄ／Ａｌ2Ｏ3、
Ｐｄ／Ｃ、Ｒｕ／Ｃなどの金属触媒とを接触させる方法
により生成し、炭素−炭素の単結合を除去し、下地層を
清浄化する方法を提案している。この清浄化処理は、極
めて高性能な半導体装置の製造において、重要であると
考えられる。In addition, no matter what conventional ashing technique is used, as shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-139370, a carbon-carbon single bond is particularly likely to remain in a resist underlayer. I found out. JP-A-9-13937
In the No. 0 report, atomic hydrogen was plasma-processed or hydrogen gas was heated, and the heated hydrogen gas was mixed with Pd / Al 2 O 3 ,
A method has been proposed in which the underlayer is cleaned by removing the carbon-carbon single bond generated by contacting with a metal catalyst such as Pd / C or Ru / C. This cleaning treatment is considered to be important in the production of extremely high performance semiconductor devices.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述したように、特
に、ドライエッチング工程後やイオン注入工程後のレジ
ストは、高性能な半導体装置の製造において、ドライア
ッシング技術とウェットアッシング技術とを併用して剥
離されることが重要である。しかしながら、ドライアッ
シングとウェットアッシングとを行えば工程も複雑とな
り、また、処理にも時間がかかる。また、レジストの下
地層の清浄化を行うとなれば、更に工程が増加すること
により、生産性の低下や製造コストの上昇にも繋がる。As described above, in particular, the resist after the dry etching step or the ion implantation step is used in combination with the dry ashing technique and the wet ashing technique in the manufacture of a high-performance semiconductor device. It is important that they are stripped. However, if dry ashing and wet ashing are performed, the process becomes complicated, and processing takes time. Further, if the resist underlayer is cleaned, the number of steps is further increased, which leads to a decrease in productivity and an increase in manufacturing cost.
【０００７】また、特開平９−１３９３７０号報の清浄
化方法をレジストの剥離に応用することも考えられる
が、原子状水素の発生量が極めて少量であるので、処理
に時間がかかるという実用上の問題があり、つまり、改
善の余地があった。It is also conceivable to apply the cleaning method disclosed in JP-A-9-139370 to the removal of a resist. However, since the amount of generated atomic hydrogen is extremely small, it takes a long time to perform the treatment. Problem, that is, there was room for improvement.
【０００８】本発明は上記に鑑みなされたものであり、
その目的は、レジストを剥離する工程を簡素化するレジ
スト剥離方法、また、レジストを剥離すると伴に下地層
の清浄化を行うレジスト剥離方法、及び、これらの方法
を実現するためのレジスト剥離装置を提供することにあ
る。[0008] The present invention has been made in view of the above,
The purpose is a resist stripping method that simplifies the step of stripping the resist, a resist stripping method that cleans the underlying layer while stripping the resist, and a resist stripping apparatus that realizes these methods. To provide.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決する為
に、請求項１に記載の発明は、基板上に下地層を介して
形成されたレジストを気相的に剥離するレジスト剥離方
法であって、水素原子を有する分子を含む剥離ガスと、
加熱した高融点触媒体とを接触させる接触分解反応で原
子状水素を生成し、生成した前記原子状水素と前記レジ
ストとの接触により前記レジストをガス化して剥離する
ことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a resist stripping method for stripping a resist formed on a substrate via a base layer in a gas phase. A stripping gas containing a molecule having a hydrogen atom,
Atomic hydrogen is generated by a catalytic cracking reaction of bringing a heated high-melting catalyst into contact with the resist, and the resist is gasified and peeled by contact of the generated atomic hydrogen with the resist.
【００１０】上記の構成によれば、ドライプロセスによ
るレジスト除去には不可欠とされていた、酸素プラズマ
により発生する活性酸素を使用しなくても、原子状水素
によりレジストを剥離できる。また、従来法であるプラ
ズマ法や、水素ガスを加熱し、触媒に触れさせる方法に
比較して、格段に多量の原子状水素を生成できる。According to the above configuration, the resist can be stripped off by atomic hydrogen without using active oxygen generated by oxygen plasma, which is indispensable for resist removal by a dry process. In addition, a significantly larger amount of atomic hydrogen can be generated as compared with a conventional plasma method or a method in which a hydrogen gas is heated and brought into contact with a catalyst.
【００１１】レジストが表面から剥離されるので、表面
から所定の厚さのレジストを剥離することもできるし、
レジスト全部を剥離することもできる。また、原子状水
素の生成量は、高融点触媒体の温度や、水素原子を有す
る分子を含んだ剥離ガスのチャンバ内での分圧により制
御可能である。Since the resist is stripped from the surface, the resist having a predetermined thickness can be stripped from the surface,
The entire resist can be removed. The amount of atomic hydrogen generated can be controlled by the temperature of the high-melting catalyst or the partial pressure of the stripping gas containing molecules having hydrogen atoms in the chamber.
【００１２】本明細書において、「原子状水素」はAtom
ic Hydrogenの日本語訳であり、中性の水素原子を意味
する。「高融点触媒体」は、融点が１４００℃以上の触
媒体を意味する。高融点触媒には、高融点金属、高融点
金属の酸化物、高融点金属の窒化物等を含む。In the present specification, “atomic hydrogen” is Atom
Japanese translation of ic Hydrogen, meaning neutral hydrogen atom. “High melting point catalyst” means a catalyst having a melting point of 1400 ° C. or higher. The high melting point catalyst includes a high melting point metal, a high melting point metal oxide, a high melting point metal nitride, and the like.
【００１３】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
のレジスト剥離方法において、前記原子状水素を用い
て、前記レジストの剥離を行い、かつ前記レジストの剥
離に引き続き、前記レジストの形成されていた前記下地
層の界面の清浄化をも行うことを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the method of removing a resist according to the first aspect, the resist is stripped using the atomic hydrogen, and the resist is formed following the stripping of the resist. The cleaning of the interface of the underlayer, which has been performed, is also performed.
【００１４】上記の構成によれば、レジストを剥離する
と共に、レジストとレジストの下地層との界面を清浄化
することができる。この界面の清浄化では、レジストを
形成したことに起因する炭素−炭素の単結合を切断する
ものであってもよいし、レジストを形成する前に、すで
に形成されていた炭素−炭素の単結合を切断するもので
あってもよい。According to the above configuration, the resist can be stripped and the interface between the resist and the underlying layer of the resist can be cleaned. In the cleaning of the interface, the carbon-carbon single bond resulting from the formation of the resist may be cut, or the carbon-carbon single bond already formed before forming the resist may be used. May be cut.
【００１５】請求項３に記載の発明は、請求項１又は２
に記載のレジスト剥離方法において、前記レジストが、
イオン注入によるイオン含有部とイオン非含有部とを有
しており、前記イオン含有部とイオン非含有部とを前記
原子状水素により一括して剥離することを特徴とする。The invention described in claim 3 is the first or second invention.
In the resist stripping method according to the above, the resist,
It has an ion-containing portion and an ion-free portion by ion implantation, and the ion-containing portion and the non-ion-containing portion are collectively separated by the atomic hydrogen.
【００１６】上記の構成によれば、ウェットアッシング
を行わなくとも、イオン含有部及びイオン非含有部を同
一の処理により剥離できる。これにより、イオン含有部
及びイオン非含有部を有するイオン変質レジストを剥離
する工程が簡素化できる。通常、レジストの上層部がイ
オン含有部となり、下層部がイオン非含有部となる。According to the above arrangement, the ion-containing portion and the non-ion-containing portion can be separated by the same process without performing wet ashing. Thereby, the step of peeling off the ion-altered resist having the ion-containing portion and the ion-non-containing portion can be simplified. Usually, the upper layer portion of the resist is an ion-containing portion, and the lower layer portion is an ion-free portion.
【００１７】請求項４に記載の発明は、請求項１又は２
に記載のレジスト剥離方法において、前記レジストが、
エッチング処理に伴うエッチング変質部とエッチング非
変質部とを有しており、前記エッチング変質部と前記エ
ッチング非変質部とを前記原子状水素により一括して剥
離することを特徴とする。The invention described in claim 4 is the first or second invention.
In the resist stripping method according to the above, the resist,
It has an affected part and an unaffected part due to the etching process, and the affected part and the unaffected part are separated by the atomic hydrogen.
【００１８】上記の構成によれば、ウェットアッシング
を行わなくとも、エッチング変質部及びエッチング非変
質部を同一の処理により剥離できる。これにより、エッ
チング変質部及びエッチング非変質部を有するエッチン
グ変質レジストを剥離する工程を簡素化できる。通常、
レジストの上層部がエッチング変質部となり、下層部が
エッチング非変質部となる。According to the above-mentioned structure, the deteriorated portion and the non-etched portion can be separated by the same process without performing wet ashing. Thereby, the step of removing the etching-altered resist having the etching-altered portion and the etching-unaltered portion can be simplified. Normal,
The upper layer portion of the resist becomes the deteriorated portion of the etching, and the lower layer portion becomes the non-changed portion of the etching.
【００１９】請求項５に記載の発明は、請求項１及至４
のいずれかに記載のレジスト剥離方法において、前記高
融点触媒が高融点金属であり、かつ前記高融点金属に電
流を通電して抵抗加熱することを特徴とする。上記の構
成によれば、簡便に高融点金属を加熱することができ
る。The invention according to claim 5 is the invention according to claims 1 to 4
Wherein the high-melting-point catalyst is a high-melting-point metal, and an electric current is applied to the high-melting-point metal to perform resistance heating. According to the above configuration, the high melting point metal can be easily heated.
【００２０】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
のレジスト剥離方法において、前記高融点金属としてタ
ングステン、タンタル、モリブデン、バナジウム、白
金、トリウムよりなる金属群から選択される１種の金
属、又は前記金属群から選択される２種以上の金属を含
む合金を用いることを特徴とする。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the resist stripping method according to the fifth aspect, wherein the high melting point metal is one kind selected from a metal group consisting of tungsten, tantalum, molybdenum, vanadium, platinum, and thorium. It is characterized by using a metal or an alloy containing two or more metals selected from the above metal group.
【００２１】上記の構成によれば、効率よく原子状水素
を生成することができる。また、高融点金属の温度調整
幅が広く、原子状水素の生成量の制御が簡便となる。According to the above configuration, atomic hydrogen can be efficiently generated. Further, the temperature adjustment range of the refractory metal is wide, and the control of the amount of generated atomic hydrogen is simplified.
【００２２】請求項７に記載の発明は、請求項５に記載
のレジスト剥離方法において、前記基板を加熱して定温
に保つことを特徴とする。上記の構成によれば、レジス
トの剥離速度が高速となる。According to a seventh aspect of the present invention, in the resist stripping method according to the fifth aspect, the substrate is maintained at a constant temperature by heating. According to the above configuration, the peeling speed of the resist becomes high.
【００２３】請求項８に記載の発明は、請求項７に記載
のレジスト剥離方法において、前記基板の温度を８０℃
以上９０℃以下の一定温度に保つことを特徴とする。上
記の構成によれば、剥離速度が極めて高速となり、効率
良くレジストを剥離することができる。According to an eighth aspect of the present invention, in the resist stripping method according to the seventh aspect, the temperature of the substrate is set to 80 ° C.
It is characterized in that it is kept at a constant temperature of 90 ° C. or less. According to the above configuration, the stripping speed becomes extremely high, and the resist can be stripped efficiently.
【００２４】請求項９に記載の発明は、請求項５及至８
のいずれかに記載のレジスト剥離方法において、前記剥
離ガスとして水素ガスを用いることを特徴とする。上記
の構成によれば、極めて効率よく原子状水素を生成する
ことができる。また、原子状水素は、従来の活性酸素と
異なり、レジストの形成されていない部位へのダメージ
を低減することができる。The ninth aspect of the present invention relates to the fifth to eighth aspects.
In the resist stripping method according to any one of the above, hydrogen gas is used as the stripping gas. According to the above configuration, atomic hydrogen can be generated extremely efficiently. Atomic hydrogen, unlike conventional active oxygen, can reduce damage to a portion where a resist is not formed.
【００２５】請求項１０に記載の発明は、請求項５及至
８のいずれかに記載のレジスト剥離方法において、前記
剥離ガスとして、水素分子と酸素分子、又は水素分子と
水分子からなる混合ガスを用いることを特徴とする。According to a tenth aspect of the present invention, in the resist stripping method according to any one of the fifth to eighth aspects, as the stripping gas, a mixed gas comprising hydrogen molecules and oxygen molecules or a hydrogen gas and water molecules is used. It is characterized by using.
【００２６】上記の構成によれば、原子状水素と共に活
性酸素を生成できるので、レジスト剥離速度を向上する
ことができる。酸素雰囲気中であっても、水素稀釈した
水蒸気あるいは水素稀釈した酸素をある特定分圧下で用
いれば、高融点金属の酸化を抑制できることが知られて
いる。したがって、汚染原因となりうる、酸化した高融
点金属の生成を抑制できるので、極めて高性能な半導体
装置の作製におけるレジスト剥離工程としても十分利用
できる。According to the above configuration, active oxygen can be generated together with atomic hydrogen, so that the resist stripping speed can be improved. It is known that even in an oxygen atmosphere, oxidation of a high melting point metal can be suppressed by using hydrogen-diluted steam or hydrogen-diluted oxygen under a specific partial pressure. Therefore, generation of an oxidized high-melting-point metal, which can cause contamination, can be suppressed, so that it can be sufficiently used as a resist stripping step in manufacturing an extremely high-performance semiconductor device.
【００２７】例えば、水素稀釈した水蒸気あるいは水素
稀釈した酸素を特定の分圧に調整した酸素雰囲気中にお
いて、タングステンは酸化されないことが、１９８３年
の第１５回国際固体素子・材料コンファレンス エクス
テンディド・アブストラクト２１７−２２０頁（Extenn
ded Abstracts of 15th Conference on Solid StateDev
ices and Materials, pp.217-220 (1983))に報告されて
いる。For example, it has been reported that tungsten is not oxidized in an oxygen atmosphere in which hydrogen-diluted steam or hydrogen-diluted oxygen is adjusted to a specific partial pressure. 217-220 (Extenn
ded Abstracts of 15th Conference on Solid StateDev
ices and Materials, pp.217-220 (1983)).
【００２８】また、上記の課題を解決するために、請求
項１１に記載の発明は、基板上に下地層を介して形成さ
れたレジストを気相的に剥離するレジスト剥離装置であ
って、真空チャンバと、前記真空チャンバに、水素原子
を有する分子を含む剥離ガスを一定の流量で導入する剥
離ガス導入部と、前記レジストを剥離する原子状水素
を、前記剥離ガスとの接触により生成する高融点触媒体
を有する原子状水素生成部と、前記高融点触媒体を加熱
する高融点触媒体加熱部と、前記真空チャンバ内の剥離
ガスのガス圧を一定に保つ排気部と、を備えることを特
徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided a resist stripping apparatus for stripping a resist formed on a substrate via an underlayer in a gaseous phase. A chamber, a stripping gas introduction unit for introducing a stripping gas containing molecules having hydrogen atoms into the vacuum chamber at a constant flow rate, and a high-pressure gas generating atomic hydrogen for stripping the resist by contact with the stripping gas. An atomic hydrogen generator having a melting point catalyst, a high melting point catalyst heating section for heating the high melting point catalyst, and an exhaust section for keeping the gas pressure of the stripping gas in the vacuum chamber constant. Features.
【００２９】上記の構成によれば、剥離ガスと加熱され
た高融点触媒体との接触で生成された原子状水素によ
り、レジストをガス化して剥離することができる。本明
細書において、「真空チャンバ」は真空引き可能なチャ
ンバを意味する。高融点触媒は、高融点金属、高融点金
属の酸化物、高融点金属の窒化物等を意味する。According to the above configuration, the resist can be gasified and stripped by the atomic hydrogen generated by the contact between the stripping gas and the heated high melting point catalyst. As used herein, "vacuum chamber" means a chamber that can be evacuated. The high melting point catalyst means a high melting point metal, a high melting point metal oxide, a high melting point metal nitride, and the like.
【００３０】請求項１２に記載の発明は、請求項１１に
記載のレジスト剥離装置において、前記基板を加熱する
基板加熱部を有することを特徴とする。According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided the resist removing apparatus according to the eleventh aspect, further comprising a substrate heating section for heating the substrate.
【００３１】上記の構成によれば、基板を加熱すること
によりレジストが加熱され、レジストの剥離速度を高速
にすることができる。したがって、効率よくレジストを
剥離するレジスト剥離装置となる。According to the above arrangement, the resist is heated by heating the substrate, and the resist can be stripped at a high speed. Therefore, a resist stripping apparatus that strips the resist efficiently can be obtained.
【００３２】請求項１３に記載の発明は、請求項１２に
記載のレジスト剥離装置において、前記剥離ガス導入部
が、複数種のガスを混合し、かつ混合してなる前記剥離
ガスを前記真空チャンバに導入する機構を有することを
特徴とする。上記の構成によれば、簡便に複数種のガス
を混合して剥離ガスを生成することができる。According to a thirteenth aspect of the present invention, in the resist stripping apparatus according to the twelfth aspect, the stripping gas introduction unit mixes a plurality of types of gases and sends the stripping gas obtained by mixing the gases to the vacuum chamber. Characterized in that it has a mechanism for introducing it into According to the above configuration, a stripping gas can be easily generated by mixing a plurality of types of gases.
【００３３】請求項１４に記載の発明は、請求項１２又
は１３に記載のレジスト剥離装置において、前記高融点
触媒体が高融点金属であることを特徴とする。上記構成
の如く、高融点触媒体として高融点金属を用いることが
でき、剥離ガスと接触する高融点金属を高温にすれば、
レジストを剥離する原子状水素の生成効率を向上するこ
とができる。According to a fourteenth aspect of the present invention, in the resist stripping apparatus according to the twelfth or thirteenth aspect, the high melting point catalyst is a high melting point metal. As in the above configuration, a high-melting-point metal can be used as the high-melting-point catalyst, and if the high-melting-point metal that contacts the stripping gas is heated to a high temperature,
The generation efficiency of atomic hydrogen for stripping the resist can be improved.
【００３４】請求項１５に記載の発明は、請求項１４に
記載のレジスト剥離装置において、前記高融点金属が、
タングステン、タンタル、モリブデン、バナジウム、白
金、トリウムよりなる金属群から選択される１種の金
属、又は前記金属群からなる２種以上の金属を含む合金
であることを特徴とする。According to a fifteenth aspect of the present invention, in the resist stripping apparatus according to the fourteenth aspect, the high melting point metal is
It is a metal selected from the group consisting of tungsten, tantalum, molybdenum, vanadium, platinum and thorium, or an alloy containing two or more metals selected from the group of metals.
【００３５】上記の構成によれば、金属又は合金の温度
を極めて高温にすることができ、原子状水素を効率的か
つ大量に生成することができる。According to the above configuration, the temperature of the metal or alloy can be extremely high, and atomic hydrogen can be efficiently produced in large quantities.
【００３６】[0036]
【発明の実施の形態】本発明の内容を説明すると共に、
好ましい実施の形態を記述する。 （実施の形態１）本実施の形態において、レジスト剥離
装置について図１を参照しながら詳細に説明する。図１
は、レジスト除去装置の１例を示す模式図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The contents of the present invention will be described,
A preferred embodiment is described. (Embodiment 1) In this embodiment, a resist stripping apparatus will be described in detail with reference to FIG. FIG.
FIG. 3 is a schematic view showing one example of a resist removing apparatus.
【００３７】図１に示された、真空チャンバ２と、剥離
ガスの流量を制御できるマス・フロー・コントローラ４
を有する剥離ガス導入部と、真空ポンプ７及び真空ポン
プ７の実効排気能力を制御するコンダクタンス制御バル
ブ１０を有する排気部と、高融点金属であるタングステ
ン線５を有する原子状水素生成部と、タングステン線５
を抵抗加熱するための電流を流すタングステン線（高融
点触媒体）加熱用電源６を有する高融点金属加熱部（高
融点触媒体加熱部）と、レジスト付き基板１を保持する
サセプタ３を有する基板保持部と、サセプタ３を介して
基板の温度を制御するヒータブロック８とヒータブロッ
ク８を作動させるヒータブロック用（基板加熱用）電源
９を有する基板加熱部とを備えたレジスト剥離装置を用
いることにより、レジストを剥離することができる。FIG. 1 shows a vacuum chamber 2 and a mass flow controller 4 capable of controlling the flow rate of a stripping gas.
A vacuum gas pump 7 and an exhaust unit having a conductance control valve 10 for controlling the effective pumping capacity of the vacuum pump 7, an atomic hydrogen generator having a tungsten wire 5 as a high melting point metal, Line 5
A high-melting-point metal heating unit (high-melting-point catalyst heating unit) having a tungsten-wire (high-melting-point catalyst heating unit) heating power supply 6 through which an electric current for resistively heating the substrate, and a susceptor 3 holding the resist-coated substrate 1 Using a resist stripping device including a holding unit, a heater block 8 for controlling the temperature of the substrate via the susceptor 3, and a substrate heating unit having a heater block (substrate heating) power supply 9 for operating the heater block 8. Thereby, the resist can be stripped.
【００３８】上記レジスト剥離装置において、上記基板
保持部及び上記基板加熱部は本発明の必須要素ではない
が、上記基板加熱部を備えることにより、レジスト剥離
速度を高速かつ定速にでき、また、上記基板保持部を備
えることにより、基板を保持すると伴に、基板加熱部か
らの熱を均一かつ効率的にレジスト付き基板１の全面に
伝導できる。したがって、基板保持部及び基板加熱部を
備えることが好ましい。In the above resist stripping apparatus, the substrate holding section and the substrate heating section are not essential elements of the present invention. However, by providing the substrate heating section, the resist stripping speed can be made high and constant, and By providing the substrate holding unit, the heat from the substrate heating unit can be uniformly and efficiently transmitted to the entire surface of the resist-coated substrate 1 while holding the substrate. Therefore, it is preferable to include the substrate holding unit and the substrate heating unit.
【００３９】また、上記ガス導入部のマス・フロー・コ
ントローラ４も本発明の必須要素ではないが、マス・フ
ロー・コントローラ４を有することにより、レジスト剥
離速度を制御することが可能になる。したがって、ガス
導入部にはマス・フロー・コントローラ４を有すること
が好ましい。なお、バリアブル・リーク・バルブ、ニー
ドル・バルブ等の剥離ガスの流量を制御するものであれ
ば、マス・フロー・コントローラ４でなくともよい。Although the mass flow controller 4 of the gas introduction section is not an essential element of the present invention, the provision of the mass flow controller 4 makes it possible to control the resist peeling speed. Therefore, it is preferable that the gas introduction unit has the mass flow controller 4. The mass flow controller 4 need not be provided as long as it controls the flow rate of the stripping gas, such as a variable leak valve or a needle valve.
【００４０】また、上記ガス排気部のコンダクタンス制
御バルブ１０も本発明の必須要素ではないが、コンダク
タンス制御バルブ１０を有することにより、上記真空チ
ャンバ２内のガス圧を制御することが可能になる。した
がって、ガス排気部にはコンダクタンス制御バルブ１０
を有することが好ましい。なお、排気速度制御可能な真
空ポンプ等を用いて、真空チャンバ２内のガス圧を制御
するものであれば、コンダクタンス制御バルブ１０はな
くともよい。例えば、回転数の制御できるターボ分子ポ
ンプを用いることができる。Although the conductance control valve 10 of the gas exhaust section is not an essential element of the present invention, the provision of the conductance control valve 10 makes it possible to control the gas pressure in the vacuum chamber 2. Therefore, the conductance control valve 10 is provided in the gas exhaust portion.
It is preferable to have The conductance control valve 10 need not be provided as long as the gas pressure in the vacuum chamber 2 is controlled using a vacuum pump or the like capable of controlling the pumping speed. For example, a turbo molecular pump whose rotation speed can be controlled can be used.
【００４１】上記ガス排気部は、真空ポンプ７として、
ロータリーポンプ等、１つの真空ポンプを有してもよい
し、ロータリーポンプとターボ分子ポンプとの併用等、
複数の真空ポンプ７を有していてもよい。一般的に、ロ
ータリーポンプとターボ分子ポンプを併用した場合、１
×１０-3Ｐａ（パスカル）以下の高真空を得ることがで
きる。The above-mentioned gas exhaust unit is used as a vacuum pump 7
Such as a rotary pump, may have a single vacuum pump, or a combination of a rotary pump and a turbo molecular pump,
A plurality of vacuum pumps 7 may be provided. Generally, when a rotary pump and a turbo molecular pump are used together, 1
A high vacuum of 10-3 Pa (Pascal) or less can be obtained.
【００４２】上記原子状水素発生部のタングステン線５
は、周囲と絶縁されて保持される必要がある。また、タ
ングステン線５の直径を０．３ｍｍから０．８ｍｍにす
ることが好ましい。また、レジスト剥離速度を均一にす
るためは、タングステン線５の温度を一定に保つことが
好ましい。したがって、タングステン線５の温度をモニ
ターして、フィードバック制御することが好ましい。The tungsten wire 5 of the above-mentioned atomic hydrogen generating part
Must be kept insulated from the surroundings. Further, it is preferable that the diameter of the tungsten wire 5 be 0.3 mm to 0.8 mm. In order to make the resist stripping rate uniform, it is preferable to keep the temperature of the tungsten wire 5 constant. Therefore, it is preferable to monitor the temperature of the tungsten wire 5 and perform feedback control.
【００４３】図１においては、原子状水素発生部の高融
点金属（タングステン線）を真空チャンバ内に配置して
いるが、高融点金属の蒸発によるレジスト付き基板１表
面の汚染を抑制するためには、高融点金属とレジスト付
き基板との間に細孔を有する隔壁で隔離する構造として
もよいし、高融点金属とレジスト付き基板との間隔を、
汚染が問題とならない程度に離し配置する構造であって
も良い。高融点金属とレジスト付き基板との間隔は、原
子状水素の寿命と、汚染の度合いを考慮して決定するこ
とが重要である。また、原子状水素の寿命が長いので、
真空チャンバとの接続部近辺の前記剥離ガス導入部に高
融点金属を配置し、原子状水素を含むガスを真空チャン
バ内に導入しする構造としてもよい。In FIG. 1, the refractory metal (tungsten wire) of the atomic hydrogen generating portion is disposed in the vacuum chamber. However, in order to suppress contamination of the surface of the resist-coated substrate 1 due to evaporation of the refractory metal. May be separated by a partition having pores between the refractory metal and the resist-coated substrate, or may be a gap between the refractory metal and the resist-coated substrate,
The structure may be arranged so that contamination is not a problem. It is important to determine the distance between the refractory metal and the resist-coated substrate in consideration of the life of atomic hydrogen and the degree of contamination. Also, because the life of atomic hydrogen is long,
A structure may be employed in which a high melting point metal is disposed in the stripping gas introduction section near the connection with the vacuum chamber, and a gas containing atomic hydrogen is introduced into the vacuum chamber.
【００４４】タングステン線５の温度は、放射温度計１
１によりチャンバ２に設置されたビューポート１２を介
してチャンバ２外部より測定可能である。あるいは、高
融点触媒体加熱用電源６による印加電圧・印加電流を測
定するための電圧・電流計１３を設置し、電圧・電流値
とタングステン線５の径と長さから、抵抗率を計算し、
抵抗率と温度との既知の関係を利用して、加熱温度を求
めることも可能である。ここに、放射温度計１１、ビュ
ーポート１２、電圧・電流計１３は、本発明の必須要素
でないことに注意を要する。The temperature of the tungsten wire 5 is measured by the radiation thermometer 1.
1 allows measurement from outside the chamber 2 through the viewport 12 installed in the chamber 2. Alternatively, a voltage / ammeter 13 for measuring the applied voltage / current by the high melting point catalyst heating power supply 6 is installed, and the resistivity is calculated from the voltage / current value and the diameter and length of the tungsten wire 5. ,
It is also possible to determine the heating temperature by using a known relationship between the resistivity and the temperature. Here, it should be noted that the radiation thermometer 11, the viewport 12, and the voltage / ammeter 13 are not essential elements of the present invention.
【００４５】なお、このレジスト剥離装置は、例えば、
ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジ
ックス、１９９８年、第３７号３１７５から３１７８頁
(Japanese Journal of Applied Physics、 vol. 37 (19
98) pp. 3175-3187)に記述されている触媒化学的気相堆
積(触媒CVD)装置を応用したものである。In addition, this resist peeling device is, for example,
Japanese Journal of Applied Physics, 1998, 37, pp. 3175-3178
(Japanese Journal of Applied Physics, vol. 37 (19
98) pp. 3175-3187) is an application of the catalytic chemical vapor deposition (catalytic CVD) apparatus.
【００４６】上記本実施の形態においては、高融点金属
としてタングステンを使用する場合に関して記述した。
しかし、当然、本願発明はこれに限定するされるもので
はなく、高融点金属の加熱温度や、雰囲気ガスの圧力を
調整することで、他の金属やガスの使用が可能であると
考えられる。特に、高融点金属としては、タングステ
ン、タンタル、モリブデン、バナジウム、 白金、トリ
ウムおよびこれらの合金の使用が容易に類推できる。In this embodiment, the case where tungsten is used as the high melting point metal has been described.
However, the present invention is not limited to this, and it is considered that other metals and gases can be used by adjusting the heating temperature of the high melting point metal and the pressure of the atmosphere gas. In particular, as the refractory metal, use of tungsten, tantalum, molybdenum, vanadium, platinum, thorium, and alloys thereof can be easily analogized.
【００４７】（実施の形態２）本実施の形態２において
は、上記実施の形態に記載したレジスト剥離装置を用い
たレジスト剥離方法について、図１を参照しながら詳細
に説明する。(Embodiment 2) In Embodiment 2, a resist stripping method using the resist stripping apparatus described in the above embodiment will be described in detail with reference to FIG.
【００４８】レジストが部分的に形成されたレジスト付
基板１を、真空チャンバ２内に配置する。レジストは、
イオン注入工程を経ることにより表面が変質し、イオン
含有部及びイオン非含有部の形成された変質レジスト
や、ドライエッチング工程を経ることにより表面が変質
し、エッチング変質部及びエッチング非変質部が形成さ
れた変質レジストでも構わない。The substrate 1 with resist on which a resist is partially formed is placed in a vacuum chamber 2. The resist is
The surface is altered by the ion implantation process, the altered resist in which the ion-containing portion and the non-ion-containing portion are formed, and the surface is altered by the dry etching process, and the altered portion and the non-etched portion are formed. An altered resist that has been used may be used.
【００４９】外部の基板加熱用電源９により温度制御可
能な基板加熱装置を備えたサセプタ３上にレジスト付基
板１を保持する。なお、レジスト付基板１を室温のまま
処理することも可能であるが、レジスト剥離速度を向上
させるためには、基板を加熱することが好ましい。１０
０℃程度に基板を加熱できればよい。The substrate with resist 1 is held on a susceptor 3 provided with a substrate heating device whose temperature can be controlled by an external substrate heating power supply 9. Although the substrate with resist 1 can be processed at room temperature, it is preferable to heat the substrate in order to improve the resist peeling speed. 10
It is sufficient that the substrate can be heated to about 0 ° C.
【００５０】次に、一旦、真空チャンバ２内を真空状態
にした後、真空チャンバ２内に水素ガスをマス・フロー
・コントローラ４などのガス流量制御機構を介して導入
すると伴に、コンダクタンス制御バルブの実効面積を制
御するなどして、真空チャンバ２内の圧力を所定の圧力
に制御する。圧力はレジストの除去速度と露出部分への
影響を考慮して決定すればよく、１Ｐａ以上５００Ｐａ
以下で幅広く選択できる。Next, once the inside of the vacuum chamber 2 is evacuated, hydrogen gas is introduced into the vacuum chamber 2 via a gas flow control mechanism such as a mass flow controller 4 and a conductance control valve is provided. The pressure in the vacuum chamber 2 is controlled to a predetermined pressure, for example, by controlling the effective area of the vacuum chamber. The pressure may be determined in consideration of the removal rate of the resist and the effect on the exposed portion, from 1 Pa to 500 Pa.
You can choose from a wide range below.
【００５１】次に、チャンバ２内に保持されたタングス
テン線５に外部タングステン線用電源６から交流あるい
は直流電流を流すことにより抵抗加熱する。加熱温度
は、レジストの除去速度と、レジストが形成されていな
い部分への影響を考慮して決定すればよく、１０００℃
以上２２００℃以下とする。これは、タングステン線５
を構成する原子の蒸発が顕著になりレジストの形成され
ていない部分に与える影響が無視できなくなるためであ
る。加熱されたタングステン線５の表面において、水素
ガスが接触分解し、原子状水素が生成される。この時、
タングステン線５には変化が生じないので、水素ガスの
接触分解において、加熱されたタングステン線５は触媒
的に作用すると考えられる。Next, resistance heating is performed by flowing an AC or DC current from a power supply 6 for an external tungsten wire to the tungsten wire 5 held in the chamber 2. The heating temperature may be determined in consideration of the removal rate of the resist and the effect on the portion where the resist is not formed.
The temperature is set to 2200 ° C or lower. This is a tungsten wire 5
Is remarkable, and the influence on the portion where the resist is not formed cannot be ignored. At the surface of the heated tungsten wire 5, hydrogen gas is catalytically decomposed to generate atomic hydrogen. At this time,
Since no change occurs in the tungsten wire 5, it is considered that the heated tungsten wire 5 acts catalytically in the catalytic decomposition of hydrogen gas.
【００５２】高融点金属（高融点触媒体）を構成する原
子の蒸気圧を、１×１０-5Ｐａ以下となるように高融点
金属の温度を調整しておけば、酸素プラズマを用いたド
ライアッシングに比べて、十分にレジスト付き基板に対
するダメージを低減できる。例えば、この蒸気圧を満た
すためには、タングステンでは約２２００℃以下、タン
タルでは２１００℃以下、ニッケルでは、９５０℃以下
に加熱すればよい。If the temperature of the high melting point metal is adjusted so that the vapor pressure of the atoms constituting the high melting point metal (high melting point catalyst) is 1 × 10 −5 Pa or less, the dry pressure using oxygen plasma can be improved. Damage to the resist-coated substrate can be sufficiently reduced as compared with ashing. For example, in order to satisfy this vapor pressure, tungsten may be heated to about 2200 ° C. or less, tantalum may be heated to 2100 ° C. or less, and nickel may be heated to 950 ° C. or less.
【００５３】上記のようにして生成した原子状水素とレ
ジストとが反応してレジストをガス化することにより、
順次表面より剥離することができる。さらに、レジスト
を剥離した後、レジストの形成されていた下地層の界面
をも清浄化することができる。ここに、上記イオン含有
部及びイオン非含有部の形成された変質レジストや、エ
ッチング変質部及びエッチング非変質部が形成された変
質レジストであっても、同様に剥離及び清浄化を行うこ
とができる。By reacting the atomic hydrogen generated as described above with the resist to gasify the resist,
It can be sequentially peeled from the surface. Further, after the resist is stripped, the interface of the underlayer on which the resist has been formed can also be cleaned. Here, even if the deteriorated resist has the ion-containing portion and the non-ion-containing portion, or the deteriorated resist has the etched deteriorated portion and the non-etched deteriorated portion, the peeling and the cleaning can be similarly performed. .
【００５４】上記本実施の形態において、剥離ガスとし
て水素ガスを用いた場合を記述したが、水素ガスに加え
て水分子又は酸素分子を含む混合ガスを剥離ガスとして
用いてよく、この場合、レジストの剥離を高速に行うこ
とができる。これは、混合ガスに含まれる水分子又は酸
素分子が加熱されたタングステン線５と接触することに
より、原子状酸素等の活性酸素が発生するからである。In this embodiment, the case where hydrogen gas is used as the stripping gas has been described. However, a mixed gas containing water molecules or oxygen molecules in addition to the hydrogen gas may be used as the stripping gas. Can be separated at high speed. This is because water molecules or oxygen molecules contained in the mixed gas come into contact with the heated tungsten wire 5 to generate active oxygen such as atomic oxygen.
【００５５】また、水素原子を有する分子を含む剥離ガ
スとして、アンモニア分子を含むガスなどが利用できる
ことが容易に類推できる。It can be easily inferred that a gas containing an ammonia molecule or the like can be used as the stripping gas containing a molecule having a hydrogen atom.
【００５６】[0056]
【実施例】以下、実施例に基づいて、本発明の内容を具
体的に説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the contents of the present invention will be specifically described based on embodiments.
【００５７】（実施例１）実施の形態２のレジスト除去
装置により、厚さ約１μｍのポジ型レジスト（日本ゼオ
ン社製の「ＺＰＰ３６００」）が形成されたシリコン基
板を、水素流量１００ｓｃｃｍ（standard cubic centi
meter per minute）、タングステン線（高融点触媒体）
の直径０．５ｍｍ、タングステン温度約１７００℃の条
件で３０分間剥離処理した。剥離処理後の基板を光学顕
微鏡で観察したところ、レジストが剥離されていること
が確認できた。更に、レジストの下地層（本実施例にお
いては、シリコン基板に相当する）の表面をＸ線光電子
分光法により測定した。図２に剥離処理前後でのＸ線光
電子分光測定の結果を示した。剥離処理により、レジス
トに起因する炭素１ｓ軌道のピークが著しく減少し、剥
離処理後の大気汚染によると思われるピークしか観測さ
れず、一方、基板のシリコンのピークが明瞭になり、レ
ジストの剥離及びシリコン基板（本実施例においてはレ
ジストの下地層である）の清浄化が確認された。Example 1 A silicon substrate on which a positive type resist (ZPP3600 manufactured by Zeon Corporation) having a thickness of about 1 μm was formed by the resist removing apparatus of the second embodiment was applied to a hydrogen flow rate of 100 sccm (standard cubic). centi
meter per minute), tungsten wire (high melting point catalyst)
Under a condition of 0.5 mm in diameter and a tungsten temperature of about 1700 ° C. for 30 minutes. When the substrate after the peeling treatment was observed with an optical microscope, it was confirmed that the resist was peeled. Further, the surface of the resist underlayer (corresponding to the silicon substrate in this embodiment) was measured by X-ray photoelectron spectroscopy. FIG. 2 shows the results of X-ray photoelectron spectroscopy measurement before and after the peeling treatment. By the stripping treatment, the peak of the carbon 1s orbit due to the resist is significantly reduced, and only a peak which is considered to be due to air pollution after the stripping process is observed. On the other hand, the silicon peak of the substrate becomes clear, and the resist stripping and It was confirmed that the silicon substrate (which is a resist underlayer in this embodiment) was cleaned.
【００５８】また、レジストに加速電圧５０ｋＶでボロ
ン（ホウ素；Ｂ）を１×１０15ｃｍ -2注入し、表面層を
変質させた場合にも同様に剥離及び清浄化が可能であっ
た。図３に、基板温度８５℃での、レジストの剥離速度
と水素流量との関係を、ボロン注入を施していない試料
（白丸で表す）と、施した試料（黒丸で表す）の両方に
関して示した。ボロン注入による表面の変質により、レ
ジストの剥離速度は、若干低下するものの、本願発明の
方法で剥離及び清浄化が可能であることが分かった。Further, the resist is crushed at an accelerating voltage of 50 kV.
(Boron; B) 1 × 10Fifteencm -2Inject the surface layer
In the case of denaturation, peeling and cleaning are also possible.
Was. FIG. 3 shows the resist removal rate at a substrate temperature of 85 ° C.
The relationship between the hydrogen flow rate and the sample
(Represented by open circles) and the applied sample (represented by black circles)
It was shown about. Degradation of surface due to boron implantation
Although the peeling speed of dist is slightly reduced, the present invention
It has been found that the method allows for stripping and cleaning.
【００５９】次に、水素流量を１００ｓｃｃｍに固定
し、処理時の基板温度を変化させ、レジストの剥離速度
をボロン注入を施していない試料と、施した試料との両
方に関して測定した。結果を図４に示した。基板温度依
存性は顕著で、ボロン注入を施していない試料（白丸で
表す）と、施した試料（黒丸で表す）ともに同様の基板
温度依存性を示し、８０℃から９０℃の範囲で極めて剥
離速度が高速であり、８５℃近辺で最大の剥離速度であ
ることが解る。Next, the hydrogen flow rate was fixed at 100 sccm, the substrate temperature during processing was changed, and the resist stripping rate was measured for both the sample without boron implantation and the sample with boron implantation. The results are shown in FIG. The substrate temperature dependency is remarkable. Both the sample without boron implantation (indicated by white circles) and the sample with boron implantation (indicated by black circles) show the same substrate temperature dependence, and are extremely peeled in the range of 80 ° C. to 90 ° C. It can be seen that the speed is high, and the maximum peeling speed is around 85 ° C.
【００６０】[0060]
【発明の効果】以上で説明したように、本発明では、原
子状水素を比較的容易に、多量に発生させることがで
き、レジストを剥離することができる。また、従来技術
では困難とされていたイオン注入工程やドライエッチン
グ工程により変質したレジストをも、変質部、非変質部
を問わず一括して剥離することができる。また、従来の
レジスト剥離方法である酸素プラズマによるドライアッ
シングとウェットアッシングの組み合わせと併用するこ
となく、単一工程でレジストを剥離することもでき、工
程の簡略化にも寄与する。さらに、レジストの剥離に引
き続き、レジストの形成されていた下地層の清浄化をも
行うことができる。As described above, in the present invention, a large amount of atomic hydrogen can be generated relatively easily, and the resist can be stripped. In addition, a resist that has been deteriorated by an ion implantation process or a dry etching process, which has been difficult in the related art, can be collectively removed regardless of a deteriorated portion or a non-transformed portion. Further, the resist can be stripped in a single step without using a combination of dry ashing and wet ashing by oxygen plasma which is a conventional resist stripping method, which contributes to simplification of the step. Further, subsequent to the removal of the resist, the underlying layer on which the resist has been formed can be cleaned.
【００６１】また、本願発明により、ウェットアッシン
グに使用していた硫酸や過酸化水素水を使用する必要が
無くなるので、地球環境、宇宙環境に優しいこととな
る。Further, according to the present invention, there is no need to use sulfuric acid or hydrogen peroxide used for wet ashing, so that it is friendly to the global environment and space environment.
【図１】図１は、レジスト剥離装置の構成を示す模式図
である。FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of a resist stripping apparatus.
【図２】図２は、剥離処理前後における、レジスト付き
基板の表面のＸ線光電子分光測定結果を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the results of X-ray photoelectron spectroscopy measurement of the surface of a substrate with a resist before and after a peeling process.
【図３】図３は、ボロン注入を施したレジスト及びボロ
ン注入を施していないレジストに対する、剥離速度と水
素ガス流量との相関を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a correlation between a stripping rate and a hydrogen gas flow rate for a resist implanted with boron and a resist not implanted with boron.
【図４】図４は、ボロン注入を施したレジスト及びボロ
ン注入を施していないレジストに対する、剥離速度と基
板温度との相関を示す図であるFIG. 4 is a diagram illustrating a correlation between a peeling rate and a substrate temperature for a resist implanted with boron and a resist not implanted with boron.
１ レジスト付基板 ２ 真空チャンバ ３ サセプタ ４ マス・フロー・コントローラ ５ タングステン線 ６ タングステン線用電源（高融点触媒体加熱用電
源） ７ 真空ポンプ ８ ヒータブロック ９ ヒータブロック用電源（基板加熱用電源） １０ コンダクタンス制御バルブ １１ 放射温度計 １２ ビュー・ポート １３ 電圧計 １４ 電流計DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate with resist 2 Vacuum chamber 3 Susceptor 4 Mass flow controller 5 Tungsten wire 6 Power supply for tungsten wire (power supply for heating high melting point catalyst) 7 Vacuum pump 8 Heater block 9 Power supply for heater block (power supply for substrate heating) 10 Conductance control valve 11 radiation thermometer 12 view port 13 voltmeter 14 ammeter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 和泉 亮 石川県能美郡辰口町旭台１丁目１番地 北 陸先端科学技術大学院大学内 (72)発明者 松村 英樹 石川県能美郡辰口町旭台１丁目１番地 北 陸先端科学技術大学院大学内 Ｆターム(参考） 5F004 AA14 BA19 BB26 BB32 CA02 CA04 DA24 DB26 5F046 MA11 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Ryo Izumi, 1-1-1, Asahidai, Tatsunokuchi-cho, Nomi-gun, Ishikawa Prefecture Inside the National Institute of Advanced Science and Technology (72) Hideki Matsumura 1-1-1, Asahidai, Tatsunokuchi-cho, Nomi-gun, Ishikawa No. Hokuriku Advanced Institute of Science and Technology F-term (reference) 5F004 AA14 BA19 BB26 BB32 CA02 CA04 DA24 DB26 5F046 MA11
Claims (15)
ストを気相的に剥離するレジスト剥離方法であって、 水素原子を有する分子を含む剥離ガスと、加熱した高融
点触媒体とを接触させる接触分解反応で原子状水素を生
成し、生成した前記原子状水素と前記レジストとの接触
により前記レジストをガス化して剥離することを特徴と
するレジスト剥離方法。1. A resist stripping method for stripping a resist formed on a substrate through an underlayer in a gas phase, comprising: a stripping gas containing a molecule having a hydrogen atom; and a heated high melting point catalyst. A resist stripping method, wherein atomic hydrogen is generated by a catalytic cracking reaction to be brought into contact, and the resist is gasified and stripped by contact of the generated atomic hydrogen with the resist.
いて、 前記原子状水素を用いて、前記レジストの剥離を行い、
かつ前記レジストの剥離に引き続き、前記レジストの形
成されていた前記下地層の界面の清浄化をも行うことを
特徴とするレジスト剥離方法。2. The resist stripping method according to claim 1, wherein the resist is stripped using the atomic hydrogen.
And a method of removing the resist, wherein the interface of the underlayer on which the resist is formed is also cleaned following the removal of the resist.
法において、 前記レジストが、イオン注入によるイオン含有部と、イ
オン非含有部とを有しており、前記イオン含有部と前記
イオン非含有部とを前記原子状水素により一括して剥離
することを特徴とするレジスト剥離方法。3. The resist stripping method according to claim 1, wherein the resist has an ion-containing portion by ion implantation and an ion-free portion, and the ion-containing portion and the ion-free portion. A resist stripping method using the atomic hydrogen.
法において、 前記レジストが、エッチング処理に伴うエッチング変質
部と、エッチング非変質部とを有しており、前記エッチ
ング変質部と前記エッチング非変質部とを前記原子状水
素により一括して剥離することを特徴とするレジスト剥
離方法。4. The resist stripping method according to claim 1, wherein the resist has an affected part of the etching and an unaffected part of the etching, and the affected part of the etching and the unaffected part of the etching. A method of stripping a resist, comprising stripping the affected part together with the atomic hydrogen.
スト剥離方法において、 前記高融点触媒体が高融点金属であり、 かつ、前記高融点金属に電流を通電して抵抗加熱するこ
とを特徴とするレジスト剥離方法。5. The resist stripping method according to claim 1, wherein the high melting point catalyst is a high melting point metal, and an electric current is applied to the high melting point metal to perform resistance heating. Characteristic resist stripping method.
いて、 前記高融点金属として、タングステン、タンタル、モリ
ブデン、バナジウム、白金、トリウムよりなる金属群か
ら選択される１種の金属、又は前記金属群から選択され
る２種以上の金属を含む合金を用いることを特徴とする
レジスト剥離方法。6. The resist stripping method according to claim 5, wherein the refractory metal is a metal selected from the group consisting of tungsten, tantalum, molybdenum, vanadium, platinum, and thorium, or the metal group. A resist stripping method using an alloy containing two or more metals selected from the group consisting of:
法において、 前記基板を加熱して定温に保つことを特徴とするレジス
ト剥離方法。7. The resist stripping method according to claim 5, wherein the substrate is heated to maintain a constant temperature.
いて、 前記基板の温度を８０℃以上９０℃以下の一定温度に保
つことを特徴とするレジスト剥離方法。8. The method according to claim 7, wherein the temperature of the substrate is maintained at a constant temperature of 80 ° C. or more and 90 ° C. or less.
スト剥離方法において、 前記剥離ガスとして水素ガスを用いることを特徴とする
レジスト剥離方法。9. The resist stripping method according to claim 5, wherein a hydrogen gas is used as the stripping gas.
ジスト剥離方法において、 前記剥離ガスとして、水素分子と酸素分子、又は、水素
分子と水分子よりなる混合ガスを用いることを特徴とす
るレジスト剥離方法。10. The resist stripping method according to claim 5, wherein a gas mixture of hydrogen molecules and oxygen molecules or a mixed gas of hydrogen molecules and water molecules is used as the stripping gas. Resist stripping method.
ジストを気相的に剥離するレジスト剥離装置であって、 真空チャンバと、 前記真空チャンバに、水素原子を有する分子を含む剥離
ガスを一定の流量で導入する剥離ガス導入部と、 前記レジストを剥離する原子状水素を、前記剥離ガスと
の接触により生成する高融点触媒体を有する原子状水素
生成部と、 前記高融点触媒体を加熱する高融点触媒体加熱部と、前
記真空チャンバ内の剥離ガスのガス圧を一定に保つ排気
部と、 を備えることを特徴とするレジスト剥離装置。11. A resist stripping apparatus for stripping a resist formed on a substrate via an underlayer in a gas phase, comprising: a vacuum chamber; and a stripping gas containing a molecule having a hydrogen atom in the vacuum chamber. A stripping gas introduction unit for introducing at a constant flow rate, an atomic hydrogen generating unit having a high melting point catalyst for generating atomic hydrogen for stripping the resist by contact with the stripping gas, and the high melting point catalyst. A resist stripping apparatus, comprising: a high-melting-point catalyst heating section for heating; and an exhaust section for keeping the gas pressure of the stripping gas in the vacuum chamber constant.
において、 前記基板を加熱する基板加熱部を有することを特徴とす
るレジスト剥離装置。12. The resist stripping device according to claim 11, further comprising a substrate heating unit for heating the substrate.
において、 前記剥離ガス導入部が、複数種のガスを混合し、かつ混
合してなる前記剥離ガスを前記真空チャンバに導入する
ことを特徴とするレジスト剥離装置。13. The resist stripping apparatus according to claim 12, wherein the stripping gas introduction unit mixes a plurality of types of gases and introduces the stripping gas obtained by mixing the gases into the vacuum chamber. Resist stripper.
剥離装置において、前記高融点触媒体が高融点金属であ
ることを特徴とするレジスト剥離装置。14. A resist stripping apparatus according to claim 12, wherein said high melting point catalyst is a high melting point metal.
において、 前記高融点金属が、タングステン、タンタル、モリブデ
ン、バナジウム、白金、トリウムよりなる金属群から選
択される１種の金属、又は前記金属群から選択される２
種以上の金属を含む合金であることを特徴とするレジス
ト剥離装置。15. The resist stripping apparatus according to claim 14, wherein the refractory metal is a metal selected from the group consisting of tungsten, tantalum, molybdenum, vanadium, platinum, and thorium, or the metal group. 2 selected from
A resist stripping apparatus characterized by being an alloy containing at least one kind of metal.
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