JP2002287696A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 動画表示特性に優れた表示装置を提供する。 【解決手段】 行および列を有するマトリクス状に配列
された複数の画素であって、発光素子と、発光素子に供
給される電流を制御する制御回路とをそれぞれが有す
る、複数の画素と、行に対応して設けられ、制御回路に
走査信号を供給する複数の走査配線と、列に対応して設
けられ、制御回路に表示信号を供給する複数の信号配線
とを備える。制御回路は、走査信号に同期して制御回路
に供給された表示信号を記憶する表示信号バッファと、
発光素子を所定のタイミングで消光するための第１スイ
ッチング素子とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示装置に関し、
特に、アクティブマトリクス型表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクスアドレス方式の表
示装置は、高解像度の表示が可能なマトリクス画像表示
装置として用いられている。現在、広く用いられている
アクティブマトリクス型表示装置は、各画素に設けられ
たスイッチング素子(例えば、薄膜トランジスタ)を線順
次で駆動する方式のものである。

【０００３】図９および図１０に、発光素子として有機
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を備えたアクテ
ィブマトリクス型表示装置３００を模式的に示す。図９
は、アクティブマトリクス型表示装置３００を模式的に
示すブロック図であり、図１０は、アクティブマトリク
ス型表示装置３００の１画素に対応する領域（図９中の
走査配線Ｒｎ’と信号配線Ｄｍ’との交差部３０８付近
に相当）の等価回路を示す図である。

【０００４】図９に示すように、アクティブマトリクス
型表示装置３００は、行および列を有するマトリクス状
に配列された複数の画素と、行に対応して設けられた複
数の走査配線Ｒ１〜Ｒｎと、列に対応して設けられた複
数の信号配線Ｄ１〜Ｄｍと、走査回路３０１と、信号回
路３０２と、コントロール部３０３とを有する。走査回
路３０１は、複数の走査配線Ｒ１〜Ｒｎのそれぞれに、
走査信号を順次供給し、複数の画素を行ごとに線順次走
査する。信号回路３０２は、複数の信号配線Ｄ１〜Ｄｍ
のそれぞれに、線順次走査と同期して、表示信号を供給
する。コントロール部３０３は、走査回路３０１および
信号回路３０２の同期制御を行う。

【０００５】また、アクティブマトリクス型表示装置３
００は、図１０に示すように、複数の画素ごとに、第１
トランジスタ３２０と、第２トランジスタ３３０と、キ
ャパシタ３４０と、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセン
ス）素子３５０とを備えている。

【０００６】第１トランジスタ３２０は、ゲート電極３
２０Ｇ、ソース電極３２０Ｓおよびドレイン電極３２０
Ｄを有しており、第２トランジスタ３３０は、ゲート電
極３３０Ｇ、ソース電極３３０Ｓおよびドレイン電極３
３０Ｄを有している。また、キャパシタ３４０は、第１
電極３４１と第２電極３４２とを有している。

【０００７】第１トランジスタ３２０のゲート電極３２
０Ｇは、複数の走査配線Ｒ１〜Ｒｎのいずれかに電気的
に接続され、第１トランジスタ３２０のソース電極３２
０Ｓは、複数の信号配線Ｄ１〜Ｄｍのいずれかに電気的
に接続され、第１トランジスタ３２０のドレイン電極３
２０Ｄは、キャパシタ３４０の第１電極３４１および第
２トランジスタ３３０のゲート電極３３０Ｇに電気的に
接続されている。このように接続されている第１トラン
ジスタ３２０は、走査配線からゲート電極３２０Ｇに走
査信号が供給されている間に信号配線からソース電極３
２０Ｓに供給された表示信号を、ドレイン電極３２０Ｄ
を介してキャパシタ３４０の第１電極３４１および第２
トランジスタ３３０のゲート電極３３０Ｇに供給する。

【０００８】キャパシタ３４０の第１電極３４１は、第
１トランジスタ３２０のドレイン電極３２０Ｄおよび第
２トランジスタ３３０のゲート電極３３０Ｇに電気的に
接続されており、キャパシタ３４０の第２電極３４２
は、接地されている。このように接続されているキャパ
シタ３４０は、第１トランジスタ３２０から供給される
表示信号を記憶し、第１トランジスタ３２０から第２ト
ランジスタ３３０のゲート電極３３０Ｇへの表示信号の
供給が停止された後、第２トランジスタ３３０のゲート
電極３３０Ｇに表示信号を供給する。

【０００９】第２トランジスタ３３０のゲート電極３３
０Ｇは、第１トランジスタ３２０のドレイン電極３２０
Ｄおよびキャパシタ３４０の第１電極３４１と電気的に
接続されており、第２トランジスタ３３０のソース電極
３３０Ｓは、電源ライン３６０に電気的に接続されてお
り、第２トランジスタ３３０のドレイン電極３３０Ｄ
は、有機ＥＬ素子３５０に電気的に接続され、有機ＥＬ
素子３５０を介して接地されている。このように接続さ
れている第２トランジスタ３３０は、第１トランジスタ
３２０またはキャパシタ３４０からゲート電極３３０Ｇ
に表示信号が供給されている間、電源ライン３６０から
ソース電極３３０Ｓに供給される電流をドレイン電極３
３０Ｄを介して有機ＥＬ素子３５０に供給する。

【００１０】有機ＥＬ素子３５０は、例えば、アノード
側（第２トランジスタ３３０側）に形成された正孔輸送
層と、カソード側（接地側）に形成された電子輸送性発
光層とから構成されており、有機ＥＬ素子３５０に供給
される電流の大きさに応じて発光する。

【００１１】上述の構成を有するアクティブマトリクス
型表示装置３００は、例えば、以下のようにして動作す
る。

【００１２】まず、走査回路３０１が、複数の走査配線
Ｒ１〜Ｒｎのそれぞれに走査信号を順次供給し、第１ト
ランジスタ３２０のゲート電極３２０Ｇに走査信号に応
じた電圧が印加される。

【００１３】これと同期して、信号回路３０２は、複数
の信号配線Ｄ１〜Ｄｍに表示信号を供給し、第１トラン
ジスタ３２０のソース電極３２０Ｓに表示信号に応じた
電圧が印加され、ドレイン電極３２０Ｄを介してキャパ
シタ３４０の第１電極３４１に表示信号に応じた電圧が
印加されて、キャパシタ３４０が充電される。また、こ
のとき、第１トランジスタ３２０のドレイン電極３２０
Ｄから、第２トランジスタ３３０のゲート電極３３０Ｄ
にも表示信号に応じた電圧が印加される。

【００１４】第２トランジスタ３３０のゲート電極３３
０Ｇに印加された電圧に応じて、電源ライン３６０から
第２トランジスタ３３０を介して有機ＥＬ素子３５０に
電流が供給され、有機ＥＬ素子３５０が発光する。第１
トランジスタ３２０のドレイン電極３２０Ｄから第２ト
ランジスタ３３０のゲート電極３３０Ｇへの電圧の印加
が停止された後は、キャパシタ３４０によって第２トラ
ンジスタ３３０のゲート電極３３０Ｇに電圧が印加さ
れ、所定の期間有機ＥＬ素子３５０の発光が維持され
る。

【００１５】上述のように、アクティブマトリクス型表
示装置３００においては、キャパシタ３４０が表示信号
を記憶する表示信号バッファとして機能するので、信号
配線から表示信号が供給されている期間よりも長く、有
機ＥＬ素子３５０を発光させることができ、輝度を向上
させることが可能となる。

【００１６】しかしながら、上述のアクティブマトリク
ス型表示装置３００は、動画表示特性が低いという問題
を有している。以下にその理由を説明する。

【００１７】一般に、表示装置の表示方式は、ホールド
型とインパルス型とに大別される。ホールド型の表示装
置としては、例えば、液晶表示装置が挙げられ、インパ
ルス型の表示装置としては、例えば、ブラウン管（ＣＲ
Ｔ）が挙げられる。図１１（ａ）および（ｂ）に、ホー
ルド型およびインパルス型の表示装置のある画素におけ
る時間−輝度分布をそれぞれ模式的に示す。

【００１８】ホールド型の表示装置においては、図１１
（ａ）に示すように、所定の輝度で表示を行っている画
素は、表示状態が書き換えられるまで、ほぼそのままの
輝度を維持する。なお、図１１（ａ）および（ｂ）で
は、表示の書き換え間隔をＴで示す。一方、インパルス
型の表示装置においては、図１１（ｂ）に示すように、
所定の輝度で表示を行っている画素は、表示状態が書き
換えられる前に輝度を失い、インパルス型の表示装置
は、点滅画素の集合として画像を表示する。

【００１９】ホールド型の表示装置においては、人間の
視覚の時間積分効果によって、動画のぼけが知覚される
ことが知られており、動画表示特性においては、ホール
ド型の表示装置よりもインパルス型の表示装置の方が優
れている。

【００２０】図１２（ａ）および（ｂ）を参照しなが
ら、視覚の時間積分効果について説明する。図１２
（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、ホールド型の表示装
置およびインパルス型の表示装置において、水平方向に
連続した８つの画素からなる画像を１フレームあたり水
平方向（図中右方向）に４画素分移動させる場合の様子
を模式的に示す図である。

【００２１】図１２（ａ）に示すように、ホールド型の
表示装置においては、水平方向に連続した８つの画素
が、１フレームの間所定の輝度で表示を行い続け、次の
フレームにおいては、４画素分ずれた位置の水平方向に
連続した８つの画素が再び所定の輝度で表示を行う。こ
のため、その動きを目で追う観察者には、視覚の時間積
分効果によって、４つの画素の平均の明るさが知覚され
る。

【００２２】一方、図１２（ｂ）に示すように、インパ
ルス型の表示装置においては、水平方向に連続した８つ
の画素が、１フレームの間のある期間だけ所定の輝度で
表示を行い、その後の期間はこれらの画素は輝度を失っ
ており、次のフレームにおいては、４画素分ずれた位置
の水平方向に連続した８つの画素が再び所定の輝度で表
示を行う。このため、積分する時間の幅が狭くなり、観
察者には、２つの画素の平均の明るさが知覚される。従
って、インパルス型の表示装置においては、動画のぼけ
が防止され、ホールド型の表示装置よりも優れた動画表
示特性が実現される。

【００２３】図９および図１０に示したアクティブマト
リクス型表示装置３００においては、各画素の有機ＥＬ
素子３５０は、ほぼ１フレームの間発光し続けるため、
図１１（ａ）に示したホールド型の表示装置と同様の時
間−輝度分布となり、動画のぼけが発生する。

【００２４】上述の問題を解決するために、特開２００
０−３４７６２２号公報は、１フレームに相当する期間
における発光手段（例えば有機ＥＬ素子）の発光期間の
長さを、１フレームに相当する期間の長さの１／３以下
とすることによって、インパルス型の表示装置と同様の
時間−輝度分布が実現され、動画表示特性が向上した表
示装置を開示している。

【００２５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開２０００−３４７６２２号公報が開示する表示装置
には、以下の問題があることを本願発明者は見出した。

【００２６】上述の公報が開示する表示装置において
は、発光手段に電流を供給する電流供給源と、発光手段
への電流供給を制御するために画素ごとに設けられた第
１制御手段との間に、発光期間の長さを制御するための
第２制御手段を設けることによって、発光手段の発光期
間の長さを調整している。この第２制御手段は、全画素
共通にまたは行ごとに設けられたスイッチであるので、
各画素に設けられた発光素子からスイッチまでの距離が
長く、配線引き回しによる配線抵抗のばらつきが大き
い。また、全画素共通にまたは行ごとに設けられたスイ
ッチによって、各画素の発光と消光とを高速で切り替え
ることは困難である。

【００２７】本発明は、上述の問題に鑑みてなされたも
のであり、その目的は、動画表示特性に優れた表示装置
を提供することにある。

【００２８】

【課題を解決するための手段】本発明による表示装置
は、行および列を有するマトリクス状に配列された複数
の画素であって、発光素子と、前記発光素子に供給され
る電流を制御する制御回路とをそれぞれが有する、複数
の画素と、前記行に対応して設けられ、前記制御回路に
走査信号を供給する複数の走査配線と、前記列に対応し
て設けられ、前記制御回路に表示信号を供給する複数の
信号配線とを備え、前記制御回路は、前記走査信号に同
期して前記制御回路に供給された前記表示信号を記憶す
る表示信号バッファと、前記発光素子を所定のタイミン
グで消光するための第１スイッチング素子とを有し、そ
のことによって上記目的が達成される。

【００２９】前記制御回路は、さらに、第２スイッチン
グ素子と第３スイッチング素子とを有し、前記第２スイ
ッチング素子は、前記走査信号に応じて前記表示信号バ
ッファに前記表示信号を供給し、前記表示信号バッファ
は、記憶された前記表示信号を前記第３スイッチング素
子に供給し、前記第３スイッチング素子は、前記表示信
号に応じて前記発光素子に電流を供給する構成としても
よい。

【００３０】前記第１スイッチング素子は、前記表示信
号バッファに記憶された前記表示信号をリセットするこ
とによって、前記発光素子を消光する構成としてもよ
い。

【００３１】前記第１スイッチング素子は、前記第３ス
イッチング素子への前記表示信号の供給を遮断すること
によって、前記発光素子を消光する構成としてもよい。

【００３２】前記表示信号バッファに記憶される前記表
示信号は、所定の周期で更新され、１周期に相当する期
間において前記発光素子が発光する期間の長さは、１周
期の長さの１／２以下であることが好ましく、１／４以
下であることがさらに好ましい。

【００３３】前記第１スイッチング素子、前記第２スイ
ッチング素子および前記第３スイッチング素子は、互い
に同一の膜から形成された薄膜トランジスタであること
が好ましい。

【００３４】前記発光素子は、有機エレクトロルミネッ
センス素子であってもよい。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
による実施形態の表示装置を説明する。なお、本発明は
以下の実施形態に限定されるものではない。 （実施形態１）図１および図２に、本発明による実施形
態１の表示装置１００を模式的に示す。図１は、表示装
置１００を模式的に示すブロック図であり、図２は、表
示装置１００の１画素に対応する領域（図１中の走査配
線Ｒｎ’と信号配線Ｄｍ’との交差部１０８付近に相
当）の等価回路を示す図である。

【００３６】本発明による実施形態１の表示装置１００
は、行および列を有するマトリクス状に配列された複数
の画素であって、発光素子としての有機エレクトロルミ
ネッセンス（ＥＬ）素子１５０と、有機ＥＬ素子１５０
に供給される電流を制御する制御回路１０５とをそれぞ
れが有する複数の画素と、行に対応して設けられた複数
の走査配線Ｒ１〜Ｒｎと、列に対応して設けられた複数
の信号配線Ｄ１〜Ｄｍとを有している。

【００３７】複数の走査配線Ｒ１〜Ｒｎは、制御回路１
０５に走査信号を供給し、複数の信号配線Ｄ１〜Ｄｍ
は、制御回路１０５に表示信号を供給する。複数の走査
配線Ｒ１〜Ｒｎは、表示領域外に設けられた走査回路１
０１に接続されており、走査回路１０１から走査信号に
相当する電圧を順次印加される。また、複数の信号配線
Ｄ１〜Ｄｍは、表示領域外に設けられた信号回路１０２
に接続されており、信号回路から表示信号に相当する電
圧を印加される。走査回路１０１および信号回路１０２
は、表示領域外に設けられたコントロール部１０３に接
続されており、コントロール部１０３によって同期制御
される。表示装置１００は、さらに、行に対応して設け
られた複数のさらなる走査配線Ｅ１〜Ｅｎを有してい
る。さらなる走査配線Ｅ１〜Ｅｎは、表示領域外に設け
られた消光回路１０４に接続されており、消光回路１０
４から任意のタイミングで走査信号を供給される。

【００３８】複数の画素のそれぞれが有する制御回路１
０５は、走査信号に同期して制御回路１０５に供給され
た表示信号を記憶する表示信号バッファ１４０と、有機
ＥＬ素子１５０を所定のタイミングで消光するためのス
イッチング素子としての第１ＴＦＴ１１０とを有する。

【００３９】制御回路１０５は、さらに、走査信号に応
じて表示信号バッファ１４０に表示信号を供給する第２
ＴＦＴ１２０と、表示信号に応じて有機ＥＬ素子１５０
に電流を供給する第３ＴＦＴ１３０とを有する。

【００４０】以下、図２を参照しながらさらに詳しく説
明する。

【００４１】第１ＴＦＴ１１０は、ゲート電極１１０
Ｇ、ソース電極１１０Ｓおよびドレイン電極１１０Ｄを
有し、第２ＴＦＴ１２０は、ゲート電極１２０Ｇ、ソー
ス電極１２０Ｓおよびドレイン電極１２０Ｄを有する。
第３ＴＦＴ１３０は、ゲート電極１３０Ｇ、ソース電極
１３０Ｓおよびドレイン電極１３０Ｄを有する。

【００４２】表示信号バッファ１４０は、第１電極１４
１と第２電極１４２とを有し、第１電極１４１と、第２
電極１４２と、第１電極１４１と第２電極１４２との間
に設けられた誘電体とによって構成された容量（キャパ
シタ）である。

【００４３】第２ＴＦＴ１２０のゲート電極１２０Ｇ
は、複数の走査配線Ｒ１〜Ｒｎのいずれかに電気的に接
続され、第２ＴＦＴ１２０のソース電極１２０Ｓは、複
数の信号配線Ｄ１〜Ｄｍのいずれかに電気的に接続さ
れ、第２ＴＦＴ１２０のドレイン電極１２０Ｄは、表示
信号バッファ１４０の第１電極１４１および第１ＴＦＴ
１１０のソース電極１１０Ｓに電気的に接続されてい
る。このように接続されている第２ＴＦＴ１２０は、走
査配線からゲート電極１２０Ｇに走査信号が供給されて
いる間に信号配線からソース電極１２０Ｓに供給された
表示信号を、ドレイン電極１２０Ｄを介して表示信号バ
ッファ１４０の第１電極１４１および第１ＴＦＴ１１０
のソース電極１１０Ｓに供給する。

【００４４】表示信号バッファ１４０の第１電極１４１
は、第２ＴＦＴ１２０のドレイン電極１２０Ｄおよび第
１ＴＦＴ１１０のソース電極１１０Ｓに電気的に接続さ
れており、表示信号バッファ１４０の第２電極１４２
は、接地されている。このように接続されている表示信
号バッファ１４０は、第２ＴＦＴ１２０から供給される
表示信号を記憶し、第２ＴＦＴ１２０から第１ＴＦＴ１
１０のソース電極１１０Ｓへの表示信号の供給が停止さ
れた後、第１ＴＦＴ１１０のソース電極１１０Ｓに表示
信号を供給する。

【００４５】第１ＴＦＴ１１０のゲート電極１１０Ｇ
は、さらなる走査配線Ｅ１〜Ｅｎのいずれかに電気的に
接続されており、第１ＴＦＴ１１０のソース電極１１０
Ｓは、第２ＴＦＴ１２０のドレイン電極１２０Ｄおよび
表示信号バッファ１４０の第１電極１４１に電気的に接
続されており、第１ＴＦＴ１１０のドレイン電極１１０
Ｄは、第３ＴＦＴ１３０のゲート電極１３０Ｇに電気的
に接続されている。このように接続されている第１ＴＦ
Ｔ１１０は、さらなる走査配線からゲート電極１１０Ｇ
に走査信号が供給されている間、第２ＴＦＴ１２０およ
び表示信号バッファ１４０からソース電極１１０Ｓに供
給される表示信号を、ドレイン電極１１０Ｄを介して第
３ＴＦＴ１３０のゲート電極１３０Ｇに供給する。ま
た、第１ＴＦＴ１１０は、さらなる走査配線からの走査
信号の供給が停止された後は、第３ＴＦＴ１３０への表
示信号の供給を停止する。

【００４６】第３ＴＦＴ１３０のゲート電極１３０Ｇ
は、第１ＴＦＴ１１０のドレイン電極１１０Ｄと電気的
に接続されており、第３ＴＦＴ１３０のソース電極１３
０Ｓは、電源ライン１６０に電気的に接続されており、
第３ＴＦＴ１３０のドレイン電極１３０Ｄは、有機ＥＬ
素子１５０に電気的に接続され、有機ＥＬ素子１５０を
介して接地されている。このように接続されている第３
ＴＦＴ１３０は、第１ＴＦＴ１１０からゲート電極１３
０Ｇに表示信号が供給されている間、電源ライン１６０
からソース電極１３０Ｓに供給される電流をドレイン電
極１３０Ｄを介して有機ＥＬ素子１５０に供給する。

【００４７】有機ＥＬ素子１５０は、例えば、アノード
側（第３ＴＦＴ１３０のドレイン電極１３０Ｄ側）に形
成された正孔輸送層と、カソード側（接地側）に形成さ
れた電子輸送性発光層とから構成されており、有機ＥＬ
素子１５０に供給される電流の大きさに応じて発光す
る。

【００４８】上述の構成を有する表示装置１００のさら
に具体的な構成を図３（ａ）および（ｂ）を参照しなが
ら説明する。図３（ａ）は、本発明による実施形態１の
表示装置１００の１画素に対応する領域（図１中の走査
配線Ｒｎ’と信号配線Ｄｍ’との交差部１０８付近に相
当）を模式的に示す上面図であり、図３（ｂ）は、図３
（ａ）中のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。

【００４９】表示装置１００が有する制御回路１０５お
よび有機ＥＬ素子１５０は、絶縁性基板（例えば、ガラ
ス基板；不図示）上に形成されている。

【００５０】走査配線Ｒｎ’、さらなる走査配線Ｅｎ’
およびゲート電極１１０Ｇ、１２０Ｇ、１３０Ｇが絶縁
性基板上に形成され、これらを覆うように第１絶縁層１
７１が形成されている。第１ＴＦＴ１１０のゲート電極
１１０Ｇは、さらなる走査配線Ｅｎ’と一体に形成さ
れ、第２ＴＦＴ１２０のゲート電極１２０Ｇは、走査配
線Ｒｎ’と一体に形成されている。第１絶縁層１７１
は、第１ＴＦＴ１１０、第２ＴＦＴ１２０および第３Ｔ
ＦＴ１３０のゲート絶縁膜としても機能する。走査配線
Ｒｎ’、さらなる走査配線Ｅｎ’およびゲート電極１１
０Ｇ、１２０Ｇ、１３０Ｇは、例えばアルミニウムから
なり、第１絶縁層１７１は、例えば酸化シリコン、窒化
シリコンまたは酸化タンタルからなる。

【００５１】ゲート電極１１０Ｇ、１２０Ｇおよび１３
０Ｇ上に位置する第１絶縁層１７１上に、半導体層１７
２、ソース電極１１０Ｓ、１２０Ｓ、１３０Ｓ、およ
び、ドレイン電極１１０Ｄ、１２０Ｄ、１３０Ｄが形成
されている。また、第１絶縁層１７１上には、信号配線
Ｄｍ’、表示信号バッファ１４０の第１電極１４１、電
源ライン１６０および有機ＥＬ素子１５０のアノードと
して機能する導電層（電極）１５１も形成されている。

【００５２】第２ＴＦＴ１２０のソース電極１２０Ｓ
は、信号配線Ｄｍ’と一体に形成されており、第２ＴＦ
Ｔのドレイン電極１２０Ｄおよび第１ＴＦＴ１１０のソ
ース電極１１０Ｓは、表示信号バッファ１４０の第１電
極１４１と一体に形成されている。第３ＴＦＴ１３０の
ソース電極１３０Ｓは、電源ライン１６０と一体に形成
されており、第３ＴＦＴ１３０のドレイン電極１３０Ｄ
は、導電層（電極）１５１と一体に形成されている。ま
た、第１ＴＦＴ１１０のドレイン電極１１０Ｄと、第３
ＴＦＴ１３０のゲート電極１３０Ｇとは、第１絶縁層１
７１に設けられたコンタクトホール１７１’において電
気的に接続されている。

【００５３】半導体層１７２は、例えばアモルファスシ
リコンまたは多結晶シリコンからなり、ソース電極１１
０Ｓ、１２０Ｓ、１３０Ｓ、ドレイン電極１１０Ｄ、１
２０Ｄ、１３０Ｄ、信号配線Ｄｍ’、表示信号バッファ
１４０の第１電極１４１、電源ライン１６０、および、
導電層（電極）１５１は、例えばアルミニウムからな
る。

【００５４】そして、表示信号バッファ１４０の第１電
極１４１などを覆うように、第２絶縁層１７３が形成さ
れており、この第２絶縁層１７３上に、表示信号バッフ
ァ１４０の第２電極１４２と、有機ＥＬ素子１５０のカ
ソードとして機能する透明導電層（透明電極）１５２と
が一体に形成されている。表示信号バッファ１４０の第
１電極１４１と、第２電極１４２と、第１電極１４１と
第２電極１４２との間に位置する第２絶縁層１７３とが
容量（キャパシタ）を構成している。また、有機ＥＬ素
子のアノードとして機能する導電層（電極）１５１と、
カソードとして機能する透明導電層（透明電極）１５２
との間には、典型的には、正孔輸送層と、電子輸送性発
光層とが設けられている。第２絶縁層１７３は、例えば
酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸化タンタルからな
り、表示信号バッファ１４０の第２電極１４２および透
明導電層（透明電極）１５２は、例えばＩＴＯ、酸化亜
鉛または酸化錫からなる。

【００５５】上述の構成を有する表示装置１００は、例
えば、以下のようにして駆動される。図４は、この表示
装置１００を駆動するためのタイミングチャートであ
る。

【００５６】まず、複数の走査配線Ｒ１〜Ｒｎのうち、
１行目に設けられた走査配線Ｒ１から制御回路１０５に
走査信号が供給され、第２ＴＦＴ１２０のゲート電極１
２０Ｇに走査信号に応じた電圧（オン電圧）が印加され
る。

【００５７】これと同期して、複数の信号配線Ｄ１〜Ｄ
ｍから制御回路１０５に表示信号が供給され、第２ＴＦ
Ｔ１２０のドレイン電極１２０Ｄから、表示信号バッフ
ァ１４０の第１電極１４１に表示信号に応じた電圧が印
加されて、表示信号バッファ１４０が充電される。すな
わち、表示信号バッファ１４０に表示信号が記憶され
る。

【００５８】また、このとき、さらなる走査配線Ｅ１か
ら第１ＴＦＴ１１０に走査信号が供給され、第１ＴＦＴ
１１０のゲート電極１１０Ｇに走査信号に応じた電圧
（オン電圧）が印加されているので、第２ＴＦＴ１２０
のドレイン電極１２０Ｄから第１ＴＦＴ１１０を介し
て、第３ＴＦＴ１３０のゲート電極１３０にも電圧が印
加される。第３ＴＦＴ１３０のゲート電極１３０Ｇに印
加された電圧に応じて、電源ライン１６０から第３ＴＦ
Ｔ１３０を介して有機ＥＬ素子１５０に電流が供給さ
れ、有機ＥＬ素子１５０が発光する。

【００５９】走査配線Ｒ１から第２ＴＦＴ１２０への走
査信号の供給が停止された後は、表示信号バッファ１４
０によって第３ＴＦＴ１３０のゲート電極１３０Ｇに電
圧が印加され、有機ＥＬ素子１５０の発光が維持され
る。

【００６０】その後、所定のタイミングで、さらなる走
査配線Ｅ１から第１ＴＦＴ１１０への走査信号の供給が
停止され、第１ＴＦＴ１１０のゲート電極１１０Ｇにオ
フ電圧が印加されることによって、表示信号バッファ１
４０からの第３ＴＦＴ１３０への表示信号の供給が遮断
され、電源ライン１６０から第３ＴＦＴ１３０を介して
有機ＥＬ素子１５０に供給される電流が遮断されて、有
機ＥＬ素子１５０が消光される。

【００６１】また、走査配線Ｒ１からの走査信号の供給
が停止されると、２行目の走査配線Ｒ２から走査信号が
供給され、その後、各行に設けられた走査配線から順次
走査信号が供給されて、各画素が有する有機ＥＬ素子１
５０が表示信号に応じて発光する。そして、１行目の画
素の有機ＥＬ素子１５０と同様に、各行の画素の有機Ｅ
Ｌ素子１５０は所定のタイミングで順次消光される。

【００６２】上述のようにして、表示装置１００が駆動
される。

【００６３】本発明による表示装置１００においては、
複数の画素のそれぞれが有する制御回路１０５が、有機
ＥＬ素子１５０を所定のタイミングで消光するためのス
イッチング素子としての第１ＴＦＴ１１０を有している
ので、複数の画素ごとに設けられた有機ＥＬ素子１５０
を所望のタイミングで消光することが可能となる。従っ
て、表示信号が更新される周期の長さと、１周期に相当
する期間において有機ＥＬ素子１５０が発光する期間の
長さとの割合を任意の割合とすることが可能となる。そ
のため、動画のぼけが防止された高品位の動画表示が実
現される。

【００６４】１周期に相当する期間において有機ＥＬ素
子１５０が発光する期間の長さを１周期の長さの１／２
以下とすると、動画のぼけが確実に抑制され、高品位の
動画表示が実現される。さらに、１周期に相当する期間
において有機ＥＬ素子１５０が発光する期間の長さを１
周期の長さの１／４以下とすると、動画のぼけがより確
実に抑制され、一層高品位の動画表示が実現される。

【００６５】本実施形態においては、図４に示したよう
に、制御回路１０５に表示信号が供給されるのとほぼ同
時に有機ＥＬ素子１５０の発光を開始する場合について
説明したが、全ての行の制御回路１０５に表示信号を供
給した後に、全ての行のさらなる走査配線から一斉に第
１ＴＦＴ１１０に走査信号を供給し、全ての画素の有機
ＥＬ素子１５０を一斉に発光させてもよい。ただし、こ
の場合には、１周期に相当する期間において有機ＥＬ素
子１５０が発光する期間の長さは、１周期の長さから、
全ての行の制御回路１０５に表示信号を供給する期間の
長さを引いた長さの範囲内で設定されるので、十分な輝
度が得られないことがある。図３に示したように、制御
回路１０５に表示信号が供給されるのとほぼ同時に有機
ＥＬ素子１５０の発光を開始すると、１周期に相当する
期間において有機ＥＬ素子１５０が発光する期間の長さ
は、１周期の長さの範囲内で任意に設定されるので、高
輝度の表示が実現される。

【００６６】また、本発明による表示装置１００におい
ては、複数の画素のそれぞれが有する第１ＴＦＴ１１０
が第３ＴＦＴ１３０への表示信号の供給を遮断すること
によって、有機ＥＬ素子１５０の消光が行われるので、
消光するためのスイッチング素子としての第１ＴＦＴ１
１０から有機ＥＬ素子１５０までの距離が短く、配線引
き回しによる配線抵抗のばらつきが画素間で小さい。さ
らに、第１ＴＦＴ１１０は画素ごとに設けられているの
で、有機ＥＬ素子１５０の発光と消光とを高速で（比較
的短い間隔で）切り替えることができる。

【００６７】さらに、本実施形態においては、第１ＴＦ
Ｔ１１０、第２ＴＦＴ１２０および第３ＴＦＴ１３０
は、図３（ａ）および（ｂ）に示したように、互いに同
一の膜から形成されている。このように、第１ＴＦＴ１
１０、第２ＴＦＴ１２０および第３ＴＦＴ１３０が互い
に同一の膜から形成されている構成を採用すると、製造
工程において、消光するためのスイッチング素子として
の第１ＴＦＴ１１０を形成するために新たな工程を設け
る必要がなく、本実施形態の表示装置１００は効率よく
製造できる。

【００６８】なお、本実施形態においては、図３に示し
たように、複数の画素のそれぞれが有する有機ＥＬ素子
１５０が、１周期に相当する期間において所定の期間連
続的に発光する場合について説明したが、これに限定さ
れず、１周期に相当する期間において、有機ＥＬ素子１
５０を断続的に発光させてもよい。本実施形態による表
示装置１００においては、第１ＴＦＴ１１０によって表
示信号バッファ１４０から第３ＴＦＴ１３０への表示信
号の供給が遮断され、これによって、有機ＥＬ素子１５
０が消光される。そのため、第１ＴＦＴ１１０のゲート
電極１１０Ｇに１周期に相当する期間において断続的に
オン電圧を印加し、表示信号バッファ１４０に記憶され
た表示信号を断続的に第３ＴＦＴ１３０に供給すること
によって、１周期に相当する期間において有機ＥＬ素子
１５０を断続的に発光させることが可能となる。 （実施形態２）図５および図６に、本発明による実施形
態２の表示装置２００を模式的に示す。図５は、表示装
置２００を模式的に示すブロック図であり、図６は、表
示装置２００の１画素に対応する領域（図４中の走査配
線Ｒｎ’と信号配線Ｄｍ’との交差部２０８付近に相
当）の等価回路を示す図である。本発明による実施形態
１の表示装置１００が、第３ＴＦＴ１３０への表示信号
の供給を遮断することによって有機ＥＬ素子１５０を消
光する第１ＴＦＴ１１０を有するのに対し、実施形態２
の表示装置２００は、表示信号バッファ２４０に記憶さ
れた表示信号をリセットすることによって有機ＥＬ素子
２５０を消光する第１ＴＦＴ２１０を有する点において
異なる。

【００６９】本発明による実施形態２の表示装置２００
は、行および列を有するマトリクス状に配列された複数
の画素であって、発光素子としての有機エレクトロルミ
ネッセンス（ＥＬ）素子２５０と、有機ＥＬ素子２５０
に供給される電流を制御する制御回路２０５とをそれぞ
れが有する複数の画素と、行に対応して設けられた複数
の走査配線Ｒ１〜Ｒｎと、列に対応して設けられた複数
の信号配線Ｄ１〜Ｄｍとを有している。

【００７０】複数の走査配線Ｒ１〜Ｒｎは、制御回路２
０５に走査信号を供給し、複数の信号配線Ｄ１〜Ｄｍ
は、制御回路２０５に表示信号を供給する。複数の走査
配線Ｒ１〜Ｒｎは、表示領域外に設けられた走査回路２
０１に接続されており、走査回路２０１から走査信号に
相当する電圧を順次印加される。また、複数の信号配線
Ｄ１〜Ｄｍは、表示領域外に設けられた信号回路２０２
に接続されており、信号回路から表示信号に相当する電
圧を印加される。走査回路２０１および信号回路２０２
は、表示領域外に設けられたコントロール部２０３に接
続されており、コントロール部２０３によって同期制御
される。表示装置２００は、さらに、行に対応して設け
られた複数のさらなる走査配線Ｅ１〜Ｅｎを有してい
る。さらなる走査配線Ｅ１〜Ｅｎは、表示領域外に設け
られた消光回路２０４に接続されており、消光回路２０
４から任意のタイミングで走査信号を供給される。

【００７１】複数の画素のそれぞれが有する制御回路２
０５は、走査信号に同期して制御回路２０５に供給され
た表示信号を記憶する表示信号バッファ２４０と、有機
ＥＬ素子２５０を所定のタイミングで消光するためのス
イッチング素子としての第１ＴＦＴ２１０とを有する。

【００７２】制御回路２０５は、さらに、走査信号に応
じて表示信号バッファ２４０に表示信号を供給する第２
ＴＦＴ２２０と、表示信号に応じて有機ＥＬ素子２５０
に電流を供給する第３ＴＦＴ２３０とを有する。

【００７３】以下、図６を参照しながらさらに詳しく説
明する。

【００７４】第１ＴＦＴ２１０は、ゲート電極２１０
Ｇ、ソース電極２１０Ｓおよびドレイン電極２１０Ｄを
有し、第２ＴＦＴ２２０は、ゲート電極２２０Ｇ、ソー
ス電極２２０Ｓおよびドレイン電極２２０Ｄを有する。
第３ＴＦＴ２３０は、ゲート電極２３０Ｇ、ソース電極
２３０Ｓおよびドレイン電極２３０Ｄを有する。

【００７５】表示信号バッファ２４０は、第１電極２４
１と第２電極２４２とを有し、第１電極２４１と、第２
電極２４２と、第１電極２４１と第２電極２４２との間
に設けられた誘電体とによって構成された容量（キャパ
シタ）である。

【００７６】第２ＴＦＴ２２０のゲート電極２２０Ｇ
は、複数の走査配線Ｒ１〜Ｒｎのいずれかに電気的に接
続され、第２ＴＦＴ２２０のソース電極２２０Ｓは、複
数の信号配線Ｄ１〜Ｄｍのいずれかに電気的に接続さ
れ、第２ＴＦＴ２２０のドレイン電極１２０Ｄは、表示
信号バッファ２４０の第１電極２４１および第３ＴＦＴ
２３０のゲート電極２３０Ｇに電気的に接続されてい
る。このように接続されている第２ＴＦＴ２２０は、走
査配線からゲート電極２２０Ｇに走査信号が供給されて
いる間に信号配線からソース電極２２０Ｓに供給された
表示信号を、ドレイン電極２２０Ｄを介して表示信号バ
ッファ２４０の第１電極２４１および第３ＴＦＴ２３０
のゲート電極２３０Ｇに供給する。

【００７７】表示信号バッファ２４０の第１電極２４１
は、第２ＴＦＴ２２０のドレイン電極２２０Ｄ、第３Ｔ
ＦＴ２３０のゲート電極２３０Ｇおよび第１ＴＦＴ２１
０のソース電極２１０Ｓに電気的に接続されており、表
示信号バッファ２４０の第２電極２４２は、第１ＴＦＴ
２１０のドレイン電極２２０Ｄに電気的に接続されてい
るとともに接地されている。このように接続されている
表示信号バッファ２４０は、第２ＴＦＴ２２０から供給
される表示信号を記憶し、第２ＴＦＴ２２０から第３Ｔ
ＦＴ２３０のゲート電極２３０Ｇへの表示信号の供給が
停止された後、第３ＴＦＴ２３０のゲート電極２３０Ｇ
に表示信号を供給する。

【００７８】第１ＴＦＴ２１０のゲート電極２１０Ｇ
は、さらなる走査配線Ｅ１〜Ｅｎのいずれかに電気的に
接続されており、第１ＴＦＴ２１０のソース電極２１０
Ｓは、表示信号バッファ２４０の第１電極２４１に電気
的に接続されており、第１ＴＦＴ２１０のドレイン電極
２１０Ｄは、表示信号バッファ２４０の第２電極２４２
に電気的に接続されている。このように接続されている
第１ＴＦＴ２１０は、さらなる走査配線からゲート電極
２１０Ｇに走査信号が供給されている間、表示信号バッ
ファ２４０の第１電極２４１と第２電極２４２とを互い
に電気的に接続することによって、表示信号バッファ２
４０の第１電極２４１と第２電極２４２との間の電位を
ほぼ等しくし、表示信号バッファ２４０に記憶された表
示信号をリセットする。

【００７９】第３ＴＦＴ２３０のゲート電極２３０Ｇ
は、第２ＴＦＴ２２０のドレイン電極２２０Ｄおよび表
示信号バッファ２４０の第１電極２４１に電気的に接続
されており、第３ＴＦＴ２３０のソース電極２３０Ｓ
は、電源ライン２６０に電気的に接続されており、第３
ＴＦＴ２３０のドレイン電極２３０Ｄは、有機ＥＬ素子
２５０に電気的に接続され、有機ＥＬ素子２５０を介し
て接地されている。このように接続されている第３ＴＦ
Ｔ２３０は、第２ＴＦＴ２２０または表示信号バッファ
２４０からゲート電極２３０Ｇに表示信号が供給されて
いる間、電源ライン２６０からソース電極２３０Ｓに供
給される電流をドレイン電極２３０Ｄを介して有機ＥＬ
素子２５０に供給する。

【００８０】有機ＥＬ素子２５０は、例えば、アノード
側（第３ＴＦＴ２３０のドレイン電極２３０Ｄ側）に形
成された正孔輸送層と、カソード側（接地側）に形成さ
れた電子輸送性発光層とから構成されており、有機ＥＬ
素子２５０に供給される電流の大きさに応じて発光す
る。

【００８１】上述の構成を有する表示装置２００のさら
に具体的な構成を図７（ａ）および（ｂ）を参照しなが
ら説明する。図７（ａ）は、本発明による実施形態１の
表示装置１００の１画素に対応する領域（図５中の走査
配線Ｒｎ’と信号配線Ｄｍ’との交差部１０８付近に相
当）を模式的に示す上面図であり、図７（ｂ）は、図７
（ａ）中のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。

【００８２】表示装置２００が有する制御回路２０５お
よび有機ＥＬ素子２５０は、絶縁性基板（例えば、ガラ
ス基板；不図示）上に形成されている。

【００８３】走査配線Ｒｎ’、さらなる走査配線Ｅｎ’
およびゲート電極２１０Ｇ、２２０Ｇ、２３０Ｇが絶縁
性基板上に形成され、これらを覆うように第１絶縁層２
７１が形成されている。第１ＴＦＴ２１０のゲート電極
２１０Ｇは、さらなる走査配線Ｅｎ’と一体に形成さ
れ、第２ＴＦＴ２２０のゲート電極２２０Ｇは、走査配
線Ｒｎ’と一体に形成されている。第１絶縁層２７１
は、第１ＴＦＴ２１０、第２ＴＦＴ２２０および第３Ｔ
ＦＴ２３０のゲート絶縁膜としても機能する。走査配線
Ｒｎ’、さらなる走査配線Ｅｎ’およびゲート電極２１
０Ｇ、２２０Ｇ、２３０Ｇは、例えばアルミニウムから
なり、第１絶縁層１７１は、例えば酸化シリコン、窒化
シリコンまたは酸化タンタルからなる。

【００８４】ゲート電極２１０Ｇ、２２０Ｇおよび２３
０Ｇ上に位置する第１絶縁層２７１上に、半導体層２７
２、ソース電極２１０Ｓ、２２０Ｓ、２３０Ｓ、およ
び、ドレイン電極２１０Ｄ、２２０Ｄ、２３０Ｄが形成
されている。また、第１絶縁層２７１上には、信号配線
Ｄｍ’、表示信号バッファ２４０の第１電極２４１、電
源ライン２６０および有機ＥＬ素子２５０のアノードと
して機能する導電層（電極）２５１も形成されている。

【００８５】第２ＴＦＴ２２０のソース電極２２０Ｓ
は、信号配線Ｄｍ’と一体に形成されており、第２ＴＦ
Ｔ２２０のドレイン電極２２０Ｄおよび第１ＴＦＴ２１
０のソース電極２１０Ｓは、表示信号バッファ２４０の
第１電極２４１と一体に形成されている。第３ＴＦＴ２
３０のソース電極２３０Ｓは、電源ライン２６０と一体
に形成されており、第３ＴＦＴ２３０のドレイン電極２
３０Ｄは、導電層（電極）２５１と一体に形成されてい
る。また、表示信号バッファ２４０の第１電極２４１
と、第３ＴＦＴ２３０のゲート電極２３０Ｇとは、第１
絶縁層２７１に設けられたコンタクトホール２７１’に
おいて電気的に接続されている。

【００８６】半導体層２７２は、例えばアモルファスシ
リコンまたは多結晶シリコンからなり、ソース電極２１
０Ｓ、２２０Ｓ、２３０Ｓ、ドレイン電極２１０Ｄ、２
２０Ｄ、２３０Ｄ、信号配線Ｄｍ’、表示信号バッファ
２４０の第１電極２４１、電源ライン２６０、および、
導電層（電極）２５１は、例えばアルミニウムからな
る。

【００８７】そして、表示信号バッファ２４０の第１電
極２４１などを覆うように、第２絶縁層２７３が形成さ
れており、この第２絶縁層２７３上に、表示信号バッフ
ァ２４０の第２電極２４２と、有機ＥＬ素子２５０のカ
ソードとして機能する透明導電層（透明電極）２５２と
が一体に形成されている。透明導電層（透明電極）２５
２と、第１ＴＦＴ２１０のドレイン電極２１０Ｄとは、
第２絶縁層２７３に設けられたコンタクトホール２７
３’において電気的に接続されている。

【００８８】表示信号バッファ２４０の第１電極２４１
と、第２電極２４２と、第１電極２４１と第２電極２４
２との間に位置する第２絶縁層２７３とが容量（キャパ
シタ）を構成している。また、有機ＥＬ素子２５０のア
ノードとして機能する導電層（電極）２５１と、カソー
ドとして機能する透明導電層（透明電極）２５２との間
には、典型的には、正孔輸送層と、電子輸送性発光層と
が設けられている。第２絶縁層１７３は、例えば酸化シ
リコン、窒化シリコンまたは酸化タンタルからなり、表
示信号バッファ１４０の第２電極１４２および透明導電
層（透明電極）１５２は、例えばＩＴＯからなる。

【００８９】上述の構成を有する表示装置２００は、例
えば、以下のようにして駆動される。図８は、表示装置
２００を駆動するためのタイミングチャートである。

【００９０】まず、複数の走査配線Ｒ１〜Ｒｎのうち、
１行目に設けられた走査配線Ｒ１から制御回路２０５に
走査信号が供給され、第２ＴＦＴ２２０のゲート電極２
２０Ｇに走査信号に応じた電圧（オン電圧）が印加され
る。

【００９１】これと同期して、複数の信号配線Ｄ１〜Ｄ
ｍから制御回路２０５に表示信号が供給され、第２ＴＦ
Ｔ２２０のドレイン電極２２０Ｄから、表示信号バッフ
ァ２４０の第１電極２４１に表示信号に応じた電圧が印
加されて、表示信号バッファ２４０が充電される。すな
わち、表示信号バッファ２４０に表示信号が記憶され
る。

【００９２】また、このとき、第２ＴＦＴ２２０のドレ
イン電極２２０Ｄから第３ＴＦＴ２３０のゲート電極２
３０にも表示信号に応じた電圧が印加される。第３ＴＦ
Ｔ２３０のゲート電極２３０Ｇに印加された電圧に応じ
て、電源ライン２６０から第３ＴＦＴ２３０を介して有
機ＥＬ素子２５０に電流が供給され、有機ＥＬ素子２５
０が発光する。

【００９３】走査配線Ｒ１から第２ＴＦＴ２２０への走
査信号の供給が停止された後は、表示信号バッファ２４
０によって第３ＴＦＴ２３０のゲート電極２３０Ｇに電
圧が印加され、有機ＥＬ素子２５０の発光が維持され
る。

【００９４】その後、所定のタイミングで、さらなる走
査配線Ｅ１から第１ＴＦＴ２１０に走査信号が供給さ
れ、第１ＴＦＴ２１０のゲート電極２１０Ｇにオン電圧
が印加されることによって、表示信号バッファ２４０の
第１電極２４１と第２電極２４２とが、第１ＴＦＴ２１
０のソース電極２１０Ｓおよびドレイン電極２１０Ｄを
介して互いに電気的に接続される。これによって、表示
信号バッファ２４０の第１電極２４１と第２電極２４２
との間の電位がほぼ等しくなり、表示信号バッファ２４
０に記憶された表示信号がリセットされ、第３ＴＦＴ２
３０のゲート電極２３０Ｇへの表示信号の供給が停止さ
れる。そのため、電源ライン２６０から第３ＴＦＴ２３
０を介して有機ＥＬ素子２５０に供給される電流が遮断
されて、有機ＥＬ素子２５０が消光される。

【００９５】また、走査配線Ｒ１からの走査信号の供給
が停止されると、２行目の走査配線Ｒ２から走査信号が
供給され、その後、各行に設けられた走査配線から順次
走査信号が供給されて、各画素が有する有機ＥＬ素子２
５０が表示信号に応じて発光する。そして、１行目の画
素の有機ＥＬ素子２５０と同様に、各行の画素の有機Ｅ
Ｌ素子２５０は所定のタイミングで順次消光される。

【００９６】上述のようにして、表示装置２００が駆動
される。

【００９７】本発明による表示装置２００においては、
複数の画素のそれぞれが有する制御回路２０５が、有機
ＥＬ素子２５０を所定のタイミングで消光するためのス
イッチング素子としての第１ＴＦＴ２１０を有している
ので、実施形態１の表示装置１００と同様に、複数の画
素ごとに設けられた有機ＥＬ素子２５０を所望のタイミ
ングで消光することが可能となる。従って、表示信号が
更新される周期の長さと、１周期に相当する期間におい
て有機ＥＬ素子２５０が発光する期間の長さとの割合を
任意の割合とすることが可能となる。そのため、動画の
ぼけが防止された高品位の動画表示が実現される。

【００９８】１周期に相当する期間において有機ＥＬ素
子２５０が発光する期間の長さを１周期の長さの１／２
以下とすると、動画のぼけが確実に抑制され、高品位の
動画表示が実現される。さらに、１周期に相当する期間
において有機ＥＬ素子２５０が発光する期間の長さを１
周期の長さの１／４以下とすると、動画のぼけがより確
実に抑制され、一層高品位の動画表示が実現される。

【００９９】本実施形態による表示装置２００において
は、図８に示したように、制御回路１０５に表示信号が
供給されるのとほぼ同時に有機ＥＬ素子１５０の発光が
開始されるので、１周期に相当する期間において有機Ｅ
Ｌ素子１５０が発光する期間の長さは、１周期の長さの
範囲内で任意に設定され得る。そのため、高輝度の表示
が実現される。

【０１００】また、本発明による表示装置２００におい
ては、複数の画素のそれぞれが有する第１ＴＦＴ２１０
が表示信号バッファ２４０に記憶された表示信号をリセ
ットすることによって有機ＥＬ素子２５０の消光が行わ
れるので、消光するためのスイッチング素子としての第
１ＴＦＴ２１０から有機ＥＬ素子２５０までの距離が短
く、配線引き回しによる配線抵抗のばらつきが画素間で
小さい。さらに、第１ＴＦＴ２１０は画素ごとに設けら
れているので、有機ＥＬ素子２５０の発光と消光とを高
速で（比較的短い間隔で）切り替えることができる。

【０１０１】さらに、本実施形態においては、第１ＴＦ
Ｔ２１０、第２ＴＦＴ２２０および第３ＴＦＴ２３０
は、図７（ａ）および（ｂ）に示したように、互いに同
一の膜から形成されている。このように、第１ＴＦＴ２
１０、第２ＴＦＴ２２０および第３ＴＦＴ２３０が互い
に同一の膜から形成されている構成を採用すると、製造
工程において、消光するためのスイッチング素子として
の第１ＴＦＴ２１０を形成するために新たな工程を設け
る必要がなく、本実施形態の表示装置２００は、効率よ
く製造できる。

【０１０２】実施形態１の表示装置１００においては、
図２に示したように、有機ＥＬ素子１５０を消光するた
めの第１ＴＦＴ１１０が、第２ＴＦＴ１２０と第３ＴＦ
Ｔ１３０との間、つまり、第２ＴＦＴ１２０のドレイン
電極１２０Ｄと第３ＴＦＴ１３０のゲート電極１３０Ｇ
との電気的な接続をオン／オフ制御できる位置に設けら
れているのに対し、実施形態２の表示装置２００におい
ては、有機ＥＬ素子２５０を消光するための第１ＴＦＴ
２１０は、表示信号バッファ２４０の第１電極２４１と
第２電極２４２との電気的な接続をオン／オフ制御でき
る位置に設けられている。

【０１０３】従って、実施形態２の表示装置２００にお
いては、実施形態１の表示装置１００のように、第１Ｔ
ＦＴ２１０のソース−ドレイン間抵抗によって、第３Ｔ
ＦＴ２３０のゲート電極２３０Ｇに印加される電圧が下
がることがない。なお、表示信号バッファ２４０の第１
電極２４１と第２電極２４２とを導通させたときに、第
１ＴＦＴ２１０のソース−ドレイン間抵抗によって、第
１電極２４１と第２電極２４２との電位差が厳密には等
しくならないことがあるので、第１ＴＦＴ２１０のソー
ス−ドレイン間抵抗に起因するこの残留電位によって、
有機ＥＬ素子２５０が誤って発光することがないよう
に、有機ＥＬ素子１５０の発光閾値を設定することが好
ましい。

【０１０４】

【発明の効果】本発明によると、動画のぼけが防止さ
れ、動画表示特性に優れた表示装置が提供される。本発
明は、発光素子を備える表示装置全般に好適に用いられ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による実施形態１の表示装置１００を模
式的に示すブロック図である。

【図２】本発明による実施形態１の表示装置１００の１
画素に対応する領域の等価回路を示す図である。

【図３】（ａ）は、本発明による実施形態１の表示装置
１００の１画素に対応する領域を模式的に示す上面図で
あり、（ｂ）は、図３（ａ）中のＡ−Ａ’線に沿った断
面図に相当する。

【図４】本発明による実施形態１の表示装置１００を駆
動するためのタイミングチャートである。

【図５】本発明による実施形態２の表示装置２００を模
式的に示すブロック図である。

【図６】本発明による実施形態２の表示装置２００の１
画素に対応する領域の等価回路を示す図である。

【図７】（ａ）は、本発明による実施形態２の表示装置
２００の１画素に対応する領域を模式的に示す上面図で
あり、（ｂ）は、図７（ａ）中のＡ−Ａ’線に沿った断
面図に相当する。

【図８】本発明による実施形態２の表示装置２００を駆
動するためのタイミングチャートである。

【図９】有機ＥＬ素子を備える従来のアクティブマトリ
クス型表示装置３００を模式的に示すブロック図であ
る。

【図１０】有機ＥＬ素子を備える従来のアクティブマト
リクス型表示装置３００の１画素に対応する領域の等価
回路を示す図である。

【図１１】（ａ）は、ホールド型の表示装置のある画素
における時間−輝度分布を模式的に示す図であり、
（ｂ）は、およびインパルス型の表示装置のある画素に
おける時間−輝度分布を模式的に示す図である。

【図１２】（ａ）は、ホールド型の表示装置において、
所定の画像を水平方向に移動させる様子を模式的に示す
図であり、（ｂ）は、インパルス型の表示装置におい
て、所定の画像を水平方向に移動させる様子を模式的に
示す図である。

【符号の説明】

１００、２００ 表示装置 １０１、２０１ 走査回路 １０２、２０２ 信号回路 １０３、２０３ コントロール部 １０４、２０４ 消光回路 １０５、２０５ 制御回路 １１０、２１０ 第１ＴＦＴ １１０Ｇ、２１０Ｇ ゲート電極 １１０Ｓ、２１０Ｓ ソース電極 １１０Ｄ、２１０Ｄ ドレイン電極 １２０、２２０ 第２ＴＦＴ １２０Ｇ、２２０Ｇ ゲート電極 １２０Ｓ、２２０Ｓ ソース電極 １２０Ｄ、２２０Ｄ ドレイン電極 １３０、２３０ 第３ＴＦＴ １３０Ｇ、２３０Ｇ ゲート電極 １３０Ｓ、２３０Ｓ ソース電極 １３０Ｄ、２３０Ｄ ドレイン電極 １４０、２４０ 表示信号バッファ １４１、２４１ 第１電極 １４２、２４２ 第２電極 １５０、２５０ 有機ＥＬ素子 １６０、２６０ 電源ライン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 行および列を有するマトリクス状に配列
   された複数の画素であって、発光素子と、前記発光素子
   に供給される電流を制御する制御回路とをそれぞれが有
   する、複数の画素と、 前記行に対応して設けられ、前記制御回路に走査信号を
   供給する複数の走査配線と、 前記列に対応して設けられ、前記制御回路に表示信号を
   供給する複数の信号配線とを備え、 前記制御回路は、前記走査信号に同期して前記制御回路
   に供給された前記表示信号を記憶する表示信号バッファ
   と、前記発光素子を所定のタイミングで消光するための
   第１スイッチング素子とを有する表示装置。
2. 【請求項２】 前記制御回路は、さらに、第２スイッチ
   ング素子と第３スイッチング素子とを有し、 前記第２スイッチング素子は、前記走査信号に応じて前
   記表示信号バッファに前記表示信号を供給し、 前記表示信号バッファは、記憶された前記表示信号を前
   記第３スイッチング素子に供給し、 前記第３スイッチング素子は、前記表示信号に応じて前
   記発光素子に電流を供給する、請求項１に記載の表示装
   置。
3. 【請求項３】 前記第１スイッチング素子は、前記表示
   信号バッファに記憶された前記表示信号をリセットする
   ことによって、前記発光素子を消光する、請求項１また
   は２に記載の表示装置。
4. 【請求項４】 前記第１スイッチング素子は、前記第３
   スイッチング素子への前記表示信号の供給を遮断するこ
   とによって、前記発光素子を消光する、請求項２に記載
   の表示装置。
5. 【請求項５】 前記表示信号バッファに記憶される前記
   表示信号は、所定の周期で更新され、 １周期に相当する期間において前記発光素子が発光する
   期間の長さは、１周期の長さの１／２以下である、請求
   項１から４のいずれかに記載の表示装置。
6. 【請求項６】 前記第１スイッチング素子、前記第２ス
   イッチング素子および前記第３スイッチング素子は、互
   いに同一の膜から形成された薄膜トランジスタである請
   求項１から５のいずれかに記載の表示装置。
7. 【請求項７】 前記発光素子は、有機エレクトロルミネ
   ッセンス素子である、請求項１から６のいずれかに記載
   の表示装置。