JP2002282712A - Purging vessel - Google Patents

Purging vessel

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JP2002282712A
JP2002282712A JP2001091677A JP2001091677A JP2002282712A JP 2002282712 A JP2002282712 A JP 2002282712A JP 2001091677 A JP2001091677 A JP 2001091677A JP 2001091677 A JP2001091677 A JP 2001091677A JP 2002282712 A JP2002282712 A JP 2002282712A
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purge
purge gas
purging
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Shiro Hara
史朗 原
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National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To solve such weak points of the conventional method for purging the contents of a vessel such as a glove box that a large quantity of the gas to be purged is consumed, it takes a long time and it costs too much to purge the contents and the operation is complicated. SOLUTION: Substance-permeable screens are arranged on both or one of the side faces of the upstream and downstream ends of a purge gas stream in the glove box or the other vessels. A purge gas introducing port is arranged in a wafer conveying/storing vessel for supplying the purge gas. As a result, the floating particulates or gaseous molecules in the vessel can be purged in a short time while the consumption of the purge gas is restrained. High- performance purge gas environment can be created without using the expensive evacuating glove box whose operation is complicated. Clean environment far cleaner than the conventional super clean environment can be created though the screen-arranged vessel is inexpensive and the product yield can be enhanced extremely at the step to manufacture a semiconductor device.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、有害ガス分子、有
害浮遊微粒子、有害微生物、劇物、遺伝子操作など、人
体と作業対象製品や物質とを、人体有害性の回避の観点
から隔絶する技術を利用する技術分野に関する。さら
に、本発明は、逆に、大気あるいは人体が、作業対象物
に対して悪影響を及ぼす作業に関わる技術分野およびそ
の隔絶技術全般に関する。具体的代表例として、清浄化
を必要とする半導体デバイスなどに代表される素子や精
密機器などの工業製品製造方法とその製造装置、および
清浄化技術に関する。また、大気中の酸素が作業に影響
を及ぼすリチウム電池製造技術も関係技術分野の一つで
ある。さらに、本発明は、パージを効率的に行うことを
目的とした基礎技術であるため、今後発展が見込まれる
環境制御技術やエコロジー関連技術および省エネルギー
技術とコストダウン技術に関わる。本発明に関わる産業
分野として、半導体工業分野、精密機械分野、化学工業
分野、医療分野、バイオテクノロジー分野、ナノテクノ
ロジー分野、宇宙航空分野、食品製造分野が挙げられ
る。具体的な工業製品を例として列挙すると、容器内で
の人間の手と腕による操作を可能とするグローブボック
ス、半導体工業におけるウェーハの搬送または保存のた
めの容器(以下ではウェーハ搬送・保存容器と略す
る)、その他の密閉型容器類などが代表例としてあり、
それらは本発明に関わる。以上、本発明は、全産業での
製品製造及び、先端技術全般にかかる、基礎的技術であ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique for isolating a human body from a product or a substance to be worked on, such as harmful gas molecules, harmful suspended fine particles, harmful microorganisms, deleterious substances, and genetic manipulation, from the viewpoint of avoiding harmful effects on the human body. Related to the technical field of utilizing. Further, the present invention, on the contrary, relates to a technical field related to work in which the atmosphere or the human body has a bad influence on a work target and a general isolation technology thereof. As a specific representative example, the present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing industrial products such as elements and precision instruments typified by semiconductor devices and the like which require cleaning, and a cleaning technique. Further, a technology for manufacturing a lithium battery in which oxygen in the atmosphere affects the operation is one of the related technical fields. Further, the present invention relates to an environmental control technology, an ecology-related technology, an energy saving technology, and a cost reduction technology, which are expected to be developed in the future, since the present invention is a basic technology for purging efficiently. Industrial fields related to the present invention include a semiconductor industry field, a precision machine field, a chemical industry field, a medical field, a biotechnology field, a nanotechnology field, an aerospace field, and a food production field. Specific examples of industrial products include glove boxes that allow human hands and arms to operate in containers, containers for transporting or storing wafers in the semiconductor industry (hereinafter, wafer transport / storage containers). Abbreviated) and other closed containers are typical examples.
They relate to the present invention. As described above, the present invention is a basic technology relating to product manufacture in all industries and general advanced technology.

【0002】[0002]

【従来の技術】多孔質物質で構成される板やシート状の
布など、物質透過性のあるスクリーンを通してガスを供
給し、それをもって圧力を供給面全面で均一にすること
により、層流を発生させる仕組みは、従来から存在す
る。具体的には、クリーンルームにおいてその天井から
のクリーンエアの供給方式にそのような技術がある。特
開昭62-288433号及びその改良特許の特開平成8-23426号
として提案されているのがその例である。このような工
夫を用いない普通のクリーンルーム、たとえば、クラス
3(ISO規格、0.1micron以上の粒子が1E3個/m3ある場合に
相当)程度の高性能クリーンルームにおいては、通常、
ULPAフィルターとその吹き出し口を、蛍光灯設置部を除
く天井のほぼ全面に配置している。このように、すでに
層流方式は実用的に使われている。スクリーンを張り巡
らせるメリットは、ULPAフィルター数を減らして建設コ
ストを低減できることであるが、実際には、現状のクリ
ーンルームでは、粒子除去用のULPAフィルターに加え
て、アンモニアや有機物ガスを除去するためのケミカル
フィルターも併せて併設されるようになっている。ケミ
カルフィルターは、数ヶ月に一度交換する必要があり、
その設置数を減らす効果はさほど見いだせない。以上の
ように、大部屋方式の通常のクリーンルームでは、層流
方式を発生するためのスクリーンの導入は、さほど意味
を持っていなかった。
2. Description of the Related Art Laminar flow is generated by supplying gas through a material-permeable screen, such as a plate or a sheet of cloth made of a porous material, and making the pressure uniform over the entire supply surface. A mechanism for causing this has existed conventionally. Specifically, there is such a technique in a method of supplying clean air from the ceiling in a clean room. Examples thereof are proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-288433 and Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 8-23426 which is an improved patent thereof. Ordinary clean rooms that do not use such ingenuity, such as class
3 In the high-performance clean room of about (ISO standard, corresponds to the case where particles larger than 0.1micron is 1E3 cells / m 3), usually,
The ULPA filter and its outlet are located almost entirely on the ceiling except for the fluorescent light installation. As described above, the laminar flow method is already in practical use. The merit of spreading the screen is that the number of ULPA filters can be reduced and the construction cost can be reduced. A chemical filter is also provided. Chemical filters need to be changed once every few months,
The effect of reducing the number of installations is not so significant. As described above, in a large clean room ordinary clean room, the introduction of a screen for generating a laminar flow system was not so significant.

【0003】一方、容器内など局所的な環境においては、こ
れまでは、層流を用いる例は極めて限られてきた。なぜ
ならば、極めて容積が小さいため、ガス置換は容易に行
えるように信じられてきたこと、また、容器内のガス置
換の完全性、すなわち、不要ガス、不要粒子のパージの
残留濃度には、さほど厳しい要求がなかったことによ
る。
[0003] On the other hand, in a local environment such as in a container, the use of laminar flow has been extremely limited. Because of the extremely small volume, it has been believed that the gas replacement can be easily performed, and the completeness of the gas replacement in the container, that is, the residual concentration of the purge of the unnecessary gas and the unnecessary particles is not much. No stringent requirements.

【0004】しかし、環境問題が深刻化する現在、モノづく
りに必要な環境と、人体に優しい環境は区別および隔絶
する必要が生じている。具体的な一つの技術動向とし
て、半導体工場における建設運営コストの低減の要求が
厳しくなってきたことが挙げられる。この状況変化によ
り、工場内に局所クリーン化技術を導入する動きが現実
のものとなっている。また、ナノテクノロジーなど最先
端分野では、局所的に環境を作り上げる潜在ニーズはま
すます高まっている。このような動向をふまえると、局
所的な環境、特に人体が入り得ない小さな容器内などの
局所環境に於いて、高純度ガス雰囲気やスーパークリー
ン環境など、その特別な環境を即座に形成して保持する
技術は、今後不可欠な基礎的技術要素となってゆくであ
ろう。
[0004] However, as environmental problems become more serious, it is necessary to distinguish and isolate the environment necessary for manufacturing from the environment that is friendly to the human body. One specific technical trend is that the demand for reduction of construction and operation costs at semiconductor factories has become more stringent. Due to this change in situation, the movement to introduce local clean technology in factories has become a reality. Also, in advanced fields such as nanotechnology, the potential needs to locally create an environment are increasing. Considering these trends, in a local environment, especially in a small container where the human body cannot enter, such as a small container, a special environment such as a high-purity gas atmosphere or a super clean environment is immediately formed. The technology to be retained will be an essential fundamental technical element in the future.

【0005】ここで、現状の容器内パージの方法を挙げる
と、それには大きく分けて、ガスパージによる方法と、
真空排気による方法がある。ガスパージは別のガスを導
入するだけで容器内の不要粒子・ガスが取り除かれるた
め、構造的に簡便で低コストであり、さらにパージ操作
が簡単であるという特徴を有している。しかし、容器内
不要粒子・ガスを完全にパージするためには、大量のパ
ージガスを長時間かけて導入し続ける必要があり、さほ
ど効率的でない欠点がある。それを補う方法が真空パー
ジ法である。この方法では、一旦容器内を真空に排気す
るため、その後容器内を満たすガスの必要体積は、容器
内容積と同一量で済む利点がある。しかし、真空引きに
耐えるため、大気圧に耐える容器強度を持たせる必要が
あり、真空に排気できない用途では使用不可能である。
また、真空排気のための排気系も必要であり、高コスト
で操作が複雑になる欠点を一方で持っている。さらに、
排気そのものに時間がかかるので、さほど短時間でパー
ジを行うことはできない。
[0005] Here, the current method of purging the inside of the container can be roughly classified into a method by gas purging and a method by gas purging.
There is a method by evacuation. The gas purging is characterized in that the unnecessary particles and gas in the container are removed only by introducing another gas, so that the structure is simple and low-cost, and the purging operation is simple. However, in order to completely purge unnecessary particles and gas in the container, it is necessary to continuously introduce a large amount of purge gas over a long period of time, which has a disadvantage that it is not very efficient. A method to compensate for this is the vacuum purge method. In this method, since the inside of the container is once evacuated to a vacuum, there is an advantage that the required volume of the gas filling the inside of the container after that is the same as the volume in the container. However, in order to withstand vacuum evacuation, it is necessary to have a container strength that can withstand atmospheric pressure, and it cannot be used in applications that cannot be evacuated to vacuum.
In addition, an exhaust system for evacuation is also required, which has the disadvantage of high cost and complicated operation. further,
Since the evacuation itself takes time, the purging cannot be performed in such a short time.

【0006】上記問題を軽減するための方法として、パージ
を工夫する方法がありえる。ところが、広く一般的に様
々なタイプの容器における容器内パージを対象とした場
合、そのようなパージ方法自体の工夫技術はほとんど見
かけないのが現状である。唯一の例外は、放射線粉体を
扱う内部を負圧に保つグローブボックス内でのパージ技
術である。この技術例においては、ガス流の流れを一定
方向に整える工夫をした構造の特許が提案されている
(特開平6-347592号)。負圧に保つためにポンプやファ
ンによる強制排気を必要としているのが一つの特徴であ
る。また、その応用として、装置内で発生する粉体の重
力落下を妨げないように、パージガスの入口側と出口側
に多孔質板を配置して、装置内ガス流を垂直方向に層流
化する構造に関する特許が提出されている(特開平9-16
8993)。しかし、この特開平9-168993においては、重力
の影響が支配的要因である粉体を対象にしているため、
垂直方向にガス流を流す構造にする必要があり、また、
この方法においては、重力の影響がある粉体が対象であ
るため、層流によるパージ時間の軽減がどの程度効率的
に行えるのか、物理的観点からは利点をほとんど見いだ
せない。この技術における層流発生は、特開平9-168993
の明細書にあるように、主に、容器の隅に堆積した粉体
を除去するために利用されている。さらに、多孔質板よ
り下部にたまってしまう粉体を吹き飛ばして取り除くた
めのガスラインが必要となっている。この多孔質板下部
での粉体吹き飛ばし用ガスによる乱流と圧力のために、
作業室から下部の多孔質板へのスムースなガス排出が阻
害されることになり、結果として、作業室での層流の維
持が難しいという欠点を持っている。
[0006] As a method for reducing the above problem, there is a method of devising a purge. However, in general, when purging the inside of a container in various types of containers in general, there is almost no technique for devising such a purging method itself. The only exception is the purging technique in a glove box, which keeps the interior handling the radiation powder at a negative pressure. In this technical example, a patent having a structure devised to adjust the flow of a gas flow in a certain direction has been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. 6-347592). One of the features is that forced exhaust by pump or fan is required to maintain negative pressure. In addition, as an application thereof, a porous plate is disposed on the inlet side and the outlet side of the purge gas so as not to hinder the gravitational drop of the powder generated in the apparatus, and the gas flow in the apparatus is vertically laminarized. A patent on the structure has been filed (Japanese Patent Laid-Open No. 9-16
8993). However, in Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-168993, since the influence of gravity is a dominant factor,
It is necessary to have a structure in which gas flows vertically, and
In this method, since a powder subject to the influence of gravity is a target, almost no advantage can be found from a physical point of view how efficiently the purge time can be reduced by the laminar flow. Laminar flow generation in this technology is disclosed in
It is mainly used for removing powder accumulated in the corners of a container as described in the specification. Further, a gas line is required to blow off and remove the powder accumulated below the porous plate. Due to the turbulence and pressure caused by the powder blowing gas at the bottom of this porous plate,
Smooth gas discharge from the working chamber to the lower porous plate is hindered, and as a result, there is a disadvantage that it is difficult to maintain a laminar flow in the working chamber.

【0007】以上のように、問題点を有しつつも、粉体に対
しては効率的パージの技術が提案されているが、微粒子
やガス分子のパージについては、重力の影響を受けない
か無視できるほど小さいため、そのような特徴を生かし
たパージ方法や容器構造などが検討される価値を有する
が、これまでは特に技術的提案はなされていない。
[0007] As described above, although there is a problem, an efficient purging technique has been proposed for powder, but is there any possibility that the purging of fine particles and gas molecules is not affected by gravity? Since it is so small that it can be neglected, it is worthwhile to consider a purging method and a container structure utilizing such characteristics, but no technical proposal has been made so far.

【0008】以上、パージに関する従来技術を述べたが、個
別の応用例として、以下に半導体ウェーハ搬送・保存容
器に関する技術について述べる。従来、1997年頃ま
では、半導体デバイスの製造は、シンプルなクリーンル
ーム内で行われてきた。製品チップ数に関する正常動作
率、すなわち、歩留まりを向上させるため、ほとんどの
デバイスチップは、スーパークリーンルームと呼ばれ
る、クラス3-5程度の大変清浄度の高い室内で製造され
てきた。しかし、最近になって、工場の建設コストと運
営・維持・チップ製造コストの増大が、製造会社の負担
限度を超えるようになり、製造に関わる様々なコストの
低減が必須となってきた。コストダウンと歩留まり向上
のもっとも有効な手段として、局所クリーン化技術が導
入されつつある。具体的には、200mmウェーハに対して
は、SMIF(Standard MechanicalInterFace)と名付けられ
たウェーハ搬送容器が使用され、実績を上げつつある。
また、昨年2000年から登場した300mmウェーハに対して
は、FOUP(Front OpeningUnified Pod)と呼ばれる容器が
使用されるよう、仕様の規格化がほぼ完了している。
[0008] The prior art relating to the purging has been described above. As an individual application example, a technique relating to a semiconductor wafer transport / storage container will be described below. Conventionally, until around 1997, semiconductor devices have been manufactured in a simple clean room. In order to improve the normal operation rate in terms of the number of product chips, that is, the yield, most device chips have been manufactured in a very clean room of a class 3-5, which is called a super clean room. However, recently, the increase in factory construction cost and operation / maintenance / chip manufacturing cost has exceeded the burden imposed on the manufacturing company, and it has become essential to reduce various costs related to manufacturing. As the most effective means of reducing costs and improving yield, local cleaning technology is being introduced. Specifically, for 200 mm wafers, a wafer transport container named SMIF (Standard Mechanical Interface) is used, and the results are increasing.
For 300mm wafers, which appeared last year since 2000, the specifications have been almost standardized so that containers called FOUPs (Front Opening Unified Pods) can be used.

【0009】ところが、残念なことに、これらウェーハ搬送
容器は、開発されたばかりで、技術的に未熟であり、外
界からのパーティクルと搬送時に発生するパーティクル
を完全には防ぐことができない。しかも、市販されてい
る全てのFOUPに対しては、圧力抜きポートが装着されて
おり、ガスに対しては、全く密閉性機能を有していな
い。これがないと、蓋の開閉時に容器内外の圧力差が生
じることで、気体の渦流が巻き起こり、パーティクルを
沢山発生してしまうのである。SMIFの場合は、容器自体
に特段のシール構造が施されておらず、パーティクルに
対しても完全保護容器とは言えないものである。従っ
て、このような容器を使用する限りは、クリーンルーム
のクリーン度(性能)を意図的に低下させることにはお
のずと限度が生じている。
Unfortunately, however, these wafer transfer containers have only been developed and are technically immature, and cannot completely prevent particles from the outside and particles generated during transfer. Moreover, all commercially available FOUPs are equipped with a pressure relief port, and have no sealing function for gas. Without this, a pressure difference between the inside and outside of the container occurs when the lid is opened and closed, causing a vortex of gas to be generated, and a lot of particles are generated. In the case of SMIF, no special sealing structure is applied to the container itself, and it cannot be said that the container is a completely protective container for particles. Therefore, as long as such a container is used, there is naturally a limit to intentionally lowering the cleanliness (performance) of the clean room.

【0010】[0010]

【本発明が解決しようとする課題】このように、従来の
容器内パージ法では、パージガスの大量消費や長時間の
パージ時間、コスト高、操作の複雑さなどの欠点を有し
ていた。本発明が解決しようとする課題は、容器内での
非効率なパージ、具体的には、原理的に長時間を要する
パージ時間の問題、パージガスの大量消費の問題、複雑
な操作を必要とするパージの問題、排気系を必須とする
パージの問題などを解決することである。また、特に、
重力の影響を受けないか無視できるほど小さい浮遊微粒
子およびガス分子に対する非効率パージ問題を解決する
ことが課題である。
As described above, the conventional in-vessel purging method has drawbacks such as large consumption of purge gas, long purging time, high cost, and complicated operation. The problem to be solved by the present invention is inefficient purging in a container, specifically, a problem of a purge time that takes a long time in principle, a problem of a large consumption of purge gas, and a complicated operation. An object of the present invention is to solve the problem of purging and the problem of purging that requires an exhaust system. Also, in particular,
The task is to solve the inefficient purge problem for suspended particulates and gas molecules that are not affected by gravity or are negligible.

【0011】また、半導体ウェーハ搬送・保存容器に対して
は、クリーンルームのコストダウンと歩留まり向上の観
点から、パーティクルやガス発生に対するより完全な保
護性能がウェーハ容器に求められている。
[0011] Further, with respect to the semiconductor wafer transfer / storage container, from the viewpoint of reducing the cost of the clean room and improving the yield, the wafer container is required to have more complete protection performance against generation of particles and gas.

【0012】さらに、グローブボックス応用においては、通
常のパージタイプでは、パージ時間がかかることと、パ
ージガスの大量消費という問題があった。また、これま
でより高性能なパージ性能、すなわち高速なガス置換と
置換後の残留ガスの低濃度性を要求される用途において
は、真空排気型グローブボックスが用いられてきた。こ
の場合、真空装置類が必要となり、操作及び構造の複雑
さと製造コスト高という問題、さらには、真空に排気で
きない用途では使用不可能であるという問題を抱えてい
た。それらの問題も、本発明が解決しようとする課題で
ある。
[0012] Further, in the glove box application, there is a problem in that the usual purge type requires a long purge time and a large amount of purge gas is consumed. Further, a vacuum-exhaust type glove box has been used in applications requiring higher performance purging performance, that is, high-speed gas replacement and low concentration of residual gas after the replacement. In this case, a vacuum device is required, and there is a problem that operation and structure are complicated and manufacturing cost is high, and further, there is a problem that it cannot be used in an application that cannot be evacuated to a vacuum. These problems are also problems that the present invention seeks to solve.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】課題を解決するための手
段として、容器内の対抗する2つの側面に物質透過性の
シート状または板状のスクリーンを配置する。それによ
り、容器内での場所に依存しない均一な流速を得、結果
として、高効率にパージを行う。スクリーンに必要な機
能は、スクリーン有効面積全面から物質が透過すること
である。それを満たすものであれば、どのようなスクリ
ーン構造でも良い。膜、繊維質の布、無数に穴の空いた
板、海綿体構造のスポンジ類、焼結体などが例として考
えられる。
As a means for solving the problems, a material-permeable sheet or plate screen is arranged on two opposing sides in the container. Thereby, a uniform flow rate independent of the location in the container is obtained, and as a result, the purging is performed with high efficiency. A necessary function of the screen is that the substance is transmitted through the entire effective area of the screen. Any screen structure may be used as long as it satisfies this. Examples include membranes, fibrous cloths, plates with countless holes, sponges having a spongy structure, and sintered bodies.

【0014】また、半導体ウェーハ搬送・保存容器に対して
は、上記スクリーンを設けることより、パーティクルを
ウェーハに付着しにくくさせることができる。また、そ
のようなパージを行うためのパージガスは、容器を接続
する製造装置などの相手側から供給するよう、ガス供給
コネクタを設ける。
Further, by providing the above-mentioned screen for the semiconductor wafer transport / storage container, it is possible to make it difficult for particles to adhere to the wafer. Further, a gas supply connector is provided so that a purge gas for performing such a purge is supplied from a counterpart such as a manufacturing apparatus to which the container is connected.

【0015】さらに、グローブボックス応用においては、上
記スクリーンを設けることにより、層流化が促進され、
パージ時間とパージガス消費量の大幅な減少が達成され
る。
[0015] Furthermore, in glove box applications, the provision of the screen promotes laminar flow,
A significant reduction in purge time and purge gas consumption is achieved.

【0016】なお、本発明の対象とする、重力の影響を無視
できる浮遊微粒子・ガス分子においては、下流スクリー
ンよりさらに下流にそれらが残留堆積する悪影響は無視
できるので、その部分に特に工夫を施す必要はない。
[0016] In the present invention, in regard to suspended particulates and gas molecules in which the influence of gravity can be neglected, the adverse effect of their remaining accumulation further downstream of the downstream screen can be neglected. No need.

【0017】[0017]

【作用】重力の影響を強く受ける粉体など大きな粒子と
違って、重力の影響を受けないか無視できる浮遊粒子ま
たはガス分子においては、別のガス分子と極めて混合し
やすい性質を有している。従って、容器内のガスパージ
においては、極めて排出されにくい。
[Function] Unlike large particles, such as powders, which are strongly affected by gravity, suspended particles or gas molecules that are not affected by gravity or can be ignored are very easily mixed with other gas molecules. . Therefore, it is extremely difficult to discharge the gas during the gas purge in the container.

【0018】容器内容積の大きさをV [liter]とした場合、
単位時間あたりの流入パージガス量をS [liter/min]と
すると、V=St(tは時間[min])となる時間tで、ちょうど
体積分のガスを導入したことになる。このとき、導入パ
ージガスが、初めにあった浮遊微粒子・ガス分子と完全
に分子レベルで混合する状態になっていた場合、V=Stに
なる時間tにおいて、パーティクルや汚染ガス分子は、
初めの汚染物濃度をN0として、N/2まで低減される。こ
の理想混合の場合状態を式で表すと、Nを濃度として、
[0018] When the size of the container volume is V [liter],
Assuming that the inflow purge gas amount per unit time is S [liter / min], it means that the gas of exactly the volume is introduced at time t when V = St (t is time [min]). At this time, if the introduced purge gas is in a state of being completely mixed at the molecular level with the suspended particulates and gas molecules at the beginning, at time t when V = St, particles and contaminant gas molecules are
Assuming that the initial contaminant concentration is N 0 , the concentration is reduced to N / 2. When the state of this ideal mixing is represented by an equation, N is a concentration,

【数1】 となる。(1)式によれば、たとえば、10回入れ替えに対
応するパージを行った場合、浮遊微粒子・ガス分子濃度
は、N = N0/1024に低減されるが、パージガスを10V[lit
er]消費し、時間t = 10V/S [min]を必要とする。20回入
れ替え時間に対して、N = N0/106 に低減できるが、そ
こでの消費パージガスは、20V [liter]で、t = 20V/S[m
in]の時間を必要とする。
(Equation 1) Becomes (1) According to the formula, for example, when performing a purge corresponding to 10 times replacement, suspended particulates and gas molecule concentration is being reduced to N = N 0/1024, 10V purge gas [lit
er] consumes and requires time t = 10V / S [min]. Against 20 times replacement time can be reduced to N = N 0/10 6, consumption purge gas there is a 20V [liter], t = 20V / S [m
in] time.

【0019】一方、分子レベルでの完全混合が行われていな
い場合は、パージガス流の流れに押し流される効果が出
てきて、より短時間で排気されるようになり、浮遊微粒
子・ガス分子の排気はN/2よりももっと速くなる。この
場合は、
On the other hand, when the complete mixing at the molecular level is not performed, the effect of being swept away by the flow of the purge gas flow appears, so that the gas is exhausted in a shorter time, and the exhaust of the suspended particulates and gas molecules is performed. Is much faster than N / 2. in this case,

【数2】 となる。ここで、Nsは、パージガス自体に含まれるか、
容器外部からリークしてくる残留浮遊微粒子・ガス分子
濃度の合計である。Cは微粒子の大きさに関係する混合
度を表す定数で、0 < C < 1である。理想混合の場合
は、C = 1となる。Nsは、右辺第一項がかなり小さくな
ってきた場合に、飽和値として現れてくるので、パージ
の主たる挙動は、右辺第一項で決まっている。(2)式のC
は1未満であるから、原理的には、浮遊微粒子・ガス分
子においては、理想混合の(1)式の場合が最大時間を要
する。図1にその傾向を示す。
(Equation 2) Becomes Here, Ns is included in the purge gas itself,
This is the sum of the concentration of residual suspended particulates and gas molecules leaking from the outside of the container. C is a constant representing the degree of mixing related to the size of the fine particles, where 0 <C <1. In the case of ideal mixing, C = 1. Since Ns appears as a saturation value when the first term on the right side becomes considerably small, the main behavior of the purge is determined by the first term on the right side. C in equation (2)
Is less than 1, in principle, the maximum time is required in the case of the ideal mixing (1) for suspended particulates and gas molecules. Figure 1 shows this trend.

【0020】また、さらにずっと大きくなり、重力の影響が
支配的になるような粒子においては、重力の影響で容器
内に残留しやすくなり、(1)と(2)式の挙動はもはや成立
しなくなり、図1に示すように、到達粒子濃度が飽和す
る傾向を示すようになる。そのような粒子排気では、パ
ージガス総量よりも、押し流す力がより重要になり、そ
のパージ流速S自体が排気所要時間に対して、支配因子
の一つとなる。重力の影響を受けない粒子の場合には、
軽いものほど、混合が進んで排気しにくくなるが、重力
の影響が支配的な粒子においては、重いものほど排気し
にくいという逆の性質を持っている。図2に、パージ対
象物が所定の残留濃度に達するのに必要なパージガス総
量St [liter]と、パージ速度S [liter/min]の関係を示
す。非理想混合パージの場合は、粒子径が大きくなるに
つれて、パージガス消費総量が減少して効率的パージが
行われているのがわかるが、さらに粒子が大きくなって
重力の影響を受けるようになると、パージガス流速が遅
い場合には、排気されなくなる傾向が現れている。
[0020] Further, in the case of particles which are much larger and the influence of gravity becomes dominant, the particles tend to remain in the container due to the influence of gravity, and the behaviors of equations (1) and (2) no longer hold. As shown in FIG. 1, the attained particle concentration tends to be saturated. In such a particle exhaust, the flushing force becomes more important than the total amount of the purge gas, and the purge flow rate S itself is one of the controlling factors for the exhaust time. For particles that are not affected by gravity,
The lighter the light, the more the mixing progresses and the more difficult it is to exhaust. However, particles dominated by the influence of gravity have the opposite property that the heavier the light, the harder it is to exhaust. FIG. 2 shows the relationship between the total amount St [liter] of the purge gas required for the purge target to reach a predetermined residual concentration and the purge speed S [liter / min]. In the case of the non-ideal mixed purge, it can be seen that as the particle size increases, the total purge gas consumption decreases and efficient purging is performed.However, when the particles become larger and become affected by gravity, When the flow rate of the purge gas is low, there is a tendency that the gas is not exhausted.

【0021】さて、ここで、層流化パージを密閉容器に導入
した場合を考えてみる。この場合、理想的には容器内容
積と同一のパージガスの導入を行えば、全てガスが入れ
替わるので、浮遊微粒子・ガス分子の残留量は、その飽
和値Nsまで一挙に低下し、そこで飽和する。Nsが初期値
N0に対して、10-6 の濃度を持っていた場合、(1)式で
は、20Vのガスを消費するのに対して、層流化パージで
は、Vで済むので、消費ガス量は、1/20で済むことにな
る。図2にその層流化パージの効果が示されている。Vの
導入ですむので、パージ時間も大幅に短縮されることに
なる。その様子は、図1に示してある。
Now, consider the case where the laminarization purge is introduced into a closed vessel. In this case, ideally, if the same purge gas as the internal volume of the container is introduced, all the gases are exchanged, so that the residual amount of the suspended particulates and gas molecules drops at once to the saturation value Ns, and is saturated there. Ns is the initial value
If N has a concentration of 10 -6 with respect to N 0 , gas of 20 V is consumed in the equation (1), whereas in the case of laminarization purging, only V is required. 1/20 will be enough. FIG. 2 shows the effect of the laminarization purge. Since the introduction of V is sufficient, the purge time is also greatly reduced. This is shown in FIG.

【0022】さて、層流化が完全になされた場合でも、導入
されたパージガスの先端とすでにある浮遊微粒子・ガス
分子を含むガスとの境界付近では多少のガス混合が起こ
るので、実際には、Vより多少多めのガス量とパージ時
間を必要とする。しかし、それは原理的にマイナーな効
果である。層流化によるパージ経過時間と濃度との関係
は、図2に示されているようになる。
By the way, even when laminarization is completely performed, some gas mixing occurs near the boundary between the tip of the introduced purge gas and the gas already containing suspended particulates and gas molecules. Requires slightly more gas volume and purge time than V. However, it is a minor effect in principle. The relationship between the elapsed purge time due to laminarization and the concentration is as shown in FIG.

【0023】なお、重力の影響が支配的になる粒子の場合
は、層流化による効果は、図1、図2に示すようにほと
んど期待できないか、または逆に乱流による壁面付着粒
子の叩き出し効果が期待できない分、到達残留濃度の観
点では逆効果の要因も無視できない。このような粒子で
は、排出口の面積が広いことが主たる効率向上効果であ
る。
In the case of particles in which the influence of gravity is dominant, the effect of laminarization can hardly be expected as shown in FIGS. 1 and 2, or conversely, the particles adhering to the wall due to turbulent flow Because the effect cannot be expected, the factor of the adverse effect cannot be ignored from the viewpoint of the ultimate residual concentration. For such particles, a large area of the outlet is the main effect of improving the efficiency.

【0024】[0024]

【実施の形態】図3に、本発明を実証するために用いら
れた、密閉型容器の構造を示す。容器内のパージガス流
の上流側側面と、下流側側面には、それぞれ、物質透過
性のスクリーンが設けてある。パージガスは、導入口6
より容器内に導入され、上流スクリーン5を通過して、
作業・保存空間2へ導かれる。その後、パージガスは、
下流スクリーン4を透過してパージガス排出口7から排
出される。矢印でガスの流れを示している。作業・保存
空間2では、上流・下流スクリーン5,4の作用によ
り、パージガスは層流となって流れている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 3 shows the structure of a closed container used to demonstrate the present invention. A material-permeable screen is provided on each of the upstream side surface and the downstream side surface of the purge gas flow in the container. The purge gas is supplied to the inlet 6
Introduced into the container and passed through the upstream screen 5,
It is led to the work / storage space 2. Then the purge gas is
The gas passes through the downstream screen 4 and is discharged from the purge gas discharge port 7. Arrows indicate the gas flow. In the work / storage space 2, the purge gas flows in a laminar flow due to the action of the upstream and downstream screens 5, 4.

【0025】通常パーティクルと呼ばれる浮遊微粒子(英語
ではairborne particle)のパージガスによる低減の様子
を計測した。図4にその時間変化を示す。計測を始める
前に、蓋3を開け、外部のパーティクルを容器内に呼び
込んである。横軸の時間は、蓋を閉じた時から計測され
る時間である。スクリーン4,5を用いない場合のパー
ティクル変化は、("乱流")と図中で表記されている実
測値である。0.1,0.2, 0.3micronのデータは、それぞ
れ、それ以上の粒径のパーティクルについてパーティク
ル量を計測した値である。理想混合式(1)も併せて示さ
れている。パーティクル粒径が大きくなるにつれ、理想
混合式よりも速くパーティクル量が減少しているのがわ
かる。この傾向は、図1の概念図と同じ結果である。
[0025] The state of reduction of suspended fine particles (airborne particles in English) usually called particles by the purge gas was measured. FIG. 4 shows the change over time. Before starting the measurement, the lid 3 is opened, and external particles are drawn into the container. The time on the horizontal axis is the time measured from when the lid is closed. The particle change in the case where the screens 4 and 5 are not used is an actually measured value indicated by “(turbulence)” in the drawing. The data of 0.1, 0.2, and 0.3 micron are values obtained by measuring the amount of particles for particles having a larger particle diameter, respectively. The ideal mixing formula (1) is also shown. It can be seen that as the particle size increases, the amount of particles decreases faster than in the ideal mixing method. This tendency is the same result as the conceptual diagram of FIG.

【0026】スクリーン4,5を装着した場合は、図4の0.
1micron(層流)と表記されているデータで示すように、
急速にパーティクルがパージされる。この計測に用いた
容器の内容積は、約100liter、窒素パージレートは、30
liter/minであるので、ほぼ3分くらいで1容積分(1V)
パージガスを消費しているが、実際のデータでは、それ
よりもわずかに遅いくらいで、パージの4桁にわたる減
少結果が得られている。スクリーンを用いない乱流方式
では、4桁の減少量を得るのに、約40分かかっている
ので、1桁程度高速なパージ能力を持っていることが実
証された。このような高速性は、真空排気とその後のガ
ス導入の方式と比較しても、それと同等かそれ以上の性
能である。
When the screens 4 and 5 are mounted, the screen shown in FIG.
As shown by the data described as 1 micron (laminar flow),
Particles are quickly purged. The internal volume of the container used for this measurement was about 100 liters, and the nitrogen purge rate was 30
Because it is liter / min, it takes about 3 minutes and 1 volume (1V)
Although the purge gas is being consumed, actual data shows that the purge is slightly slower, with a four-digit reduction in purge. In the turbulence method using no screen, it takes about 40 minutes to obtain a four-digit reduction amount. Therefore, it is demonstrated that the turbulence method has a purging capability as high as one digit. Such high-speed performance is equal to or higher than that of the vacuum evacuation and the subsequent gas introduction system.

【0027】また、本実施例では、1時間放置後、パーティ
クルは全く計測されなくなった。これは、現状の半導体
工場の最高性能スーパークリーンルームのクラス3より
遙かに良い値である。より詳細な測定においては、本発
明にかかる構造により、クラス1以下、つまりスーパー
クリーンルームの1/100以下の驚異的環境が容易に構築
できることが実証された。
In the present embodiment, no particles were measured after being left for one hour. This is far better than the current highest performance super clean room class 3 of a semiconductor factory. In more detailed measurements, it was demonstrated that the structure according to the present invention can easily construct a surprising environment of class 1 or less, that is, 1/100 or less of a super clean room.

【0028】次に、ウェーハ搬送・保存容器に層流方式を応
用した実施例を図5に示す。図の構造では、スクリーン
は、容器の奥の面のみに配置してある。搬送容器である
から、パージガスは、脱着可能なコネクタ36を介し
て、ウェーハ搬送・保存容器31と接続される製造装置
側から供給される。コネクタが製造装置側の相手のコネ
クタから離れると、コネクタ内部が周囲の汚染を受ける
ので、その部分的汚染ガスが容器内に入り込まないよ
う、パージガス導入口34とコネクタ36の間に、フィ
ルター35が挿入されている。
Next, FIG. 5 shows an embodiment in which a laminar flow method is applied to a wafer transfer / storage container. In the structure shown, the screen is arranged only on the inner surface of the container. Since the transfer container is used, the purge gas is supplied from the manufacturing apparatus connected to the wafer transfer / storage container 31 via the detachable connector 36. When the connector is separated from the counterpart connector on the manufacturing apparatus side, the inside of the connector is contaminated with the surroundings, so that a filter 35 is provided between the purge gas inlet 34 and the connector 36 so that the partially contaminated gas does not enter the container. Has been inserted.

【0029】容器が製造装置に接続されると、同時ないし相
前後してコネクタ36も相手コネクタと接続され、パー
ジガス導入が可能となる。容器の蓋(図5には省略され
て描かれていない)が製造装置内へ取り込まれて、容器
が開かれる直前に、パージガスが導入される。これによ
り、容器の蓋の開閉に関わって発生するパーティクルや
不要ガスは、容器内に入ることなく、装置内部へ排気さ
れる。
When the container is connected to the manufacturing apparatus, the connector 36 is connected to the mating connector at the same time or at the same time, so that purge gas can be introduced. Immediately before the container lid (not abbreviated and not shown in FIG. 5) is taken into the manufacturing apparatus and the container is opened, a purge gas is introduced. Thereby, particles and unnecessary gas generated in connection with opening and closing of the lid of the container are exhausted into the apparatus without entering the container.

【0030】以上のように、パージガス導入ポートと、層流
発生用スクリーンという大変シンプルな構造を通常の容
器に付加するだけの構造であるにもかかわらず、前述の
従来型ウェーハ搬送・保存容器の欠点を一挙に克服する
ことができるので、本発明は、極めて特許性が高い。
As described above, although the very simple structure of the purge gas introduction port and the laminar flow generation screen is simply added to the ordinary container, the conventional wafer transfer / storage container described above is used. The present invention is extremely patentable because the disadvantages can be overcome at once.

【0031】グローブボックス構造の実施例を図6に示す。
本構造では、左右両側面にスクリーンが配置されてい
る。ガスの流れは、パージガス導入口60から、上流ス
クリーン52,作業・保存空間54,下流スクリーン5
3を通って、パージガス排出口61より排出される。上
流と下流スクリーンの間の作業・保存空間54では、パ
ージガスは層流状になって流れているので、不要ガス・
浮遊微粒子の排出は図4に示したのと同様に極めて効率
的に行われる。スクリーンが劣化したときは、本実施例
では、蓋57を開けて、新しいものと交換できる。本発
明においては、通常市販されている様々なグローブボッ
クスにスクリーンを装着するだけの改良で済むという簡
便性という利点がある。
FIG. 6 shows an embodiment of the glove box structure.
In this structure, screens are arranged on both left and right sides. The gas flows from the purge gas inlet 60 to the upstream screen 52, the work / storage space 54, and the downstream screen 5.
3 and is discharged from the purge gas discharge port 61. In the working / storage space 54 between the upstream and downstream screens, since the purge gas flows in a laminar flow, unnecessary
Discharge of suspended particulates is performed very efficiently, as shown in FIG. When the screen has deteriorated, in this embodiment, the lid 57 can be opened and replaced with a new one. In the present invention, there is an advantage of simplicity that it is sufficient to simply attach the screen to various commercially available glove boxes.

【0032】[0032]

【発明の効果】これまで局所クリーン化は技術的に難し
いと思われていたり、または、その有用性に気づかなか
った多くの産業分野で、本発明は有効である。なぜなら
ば、本発明は、極めて簡便でありながら、局所環境を迅
速に形成する技術的要素を指摘、提案しているからであ
る。本発明は、局所環境技術を様々な分野へ導入してゆ
くきっかけとなるであろう。これにより、あらゆる製造
工程において、人間に必要な環境と、製造対象物に必要
な環境とを分離することが容易になる。これは今後の生
産技術全般にとって重要な考え方であり、また進むべき
方向性である。
The present invention is effective in many industrial fields in which local cleaning has been considered technically difficult or its usefulness has not been noticed. The reason for this is that the present invention points out and proposes a technical element that can form a local environment quickly while being extremely simple. The present invention will trigger the introduction of local environmental technologies into various fields. This makes it easy to separate the environment required for humans from the environment required for the object to be manufactured in all manufacturing processes. This is an important idea for the future of production technology in general, and it is the direction to be taken.

【0033】本発明の具体的応用実施例を極めて実用性の高
い技術として2つ提案した。
Two specific application examples of the present invention have been proposed as extremely practical techniques.

【0034】まず、半導体用のウェーハ搬送・保存容器につ
いてその波及効果を述べる。現在実際に半導体工場で使
用されている、SMIFとFOUPウェーハ搬送容器では、本発
明にある容器側からのガス導入機構が全くないため、パ
ーティクルやガスは、少なからず容器内へ侵入してしま
う。これは、従来技術の最も憂慮すべき欠点であった。
本発明では、容器側からのガス流によりそのような問題
点は大幅に軽減される。さらに、層流が装置方向へ向か
っているために、その効果により、パーティクルとガス
汚染は、無視できるまで低減される。
First, the ripple effect of the wafer transfer / storage container for semiconductor will be described. In SMIF and FOUP wafer transfer containers actually used in semiconductor factories at present, since there is no gas introduction mechanism from the container side according to the present invention, particles and gases enter the container to some extent. This was the most alarming drawback of the prior art.
In the present invention, such a problem is greatly reduced by the gas flow from the container side. Furthermore, due to the laminar flow towards the device, the effect reduces particle and gas contamination to a negligible level.

【0035】より重要なことは、これまで圧力差を容器内外
で生じさせないために設けてあった圧力抜きポートは、
本発明により原理的に不要になる。なぜならば、圧力
は、コネクタ36を介して制御可能となるからである。
それにより、容器前面の蓋のシール性能を確実なものと
する事が出来、その二つの技術的問題の解決により、完
全密閉型容器を実際に実現し使用することができる。こ
の利点は、ウェーハ搬送容器にとって、もっとも重要な
技術的課題の克服を意味している。さらには、今後ウェ
ーハ雰囲気環境を、ガス環境という観点から、クリーン
ルーム内の人体向け環境と分離することが初めて可能に
なることをも直接意味してくる。本発明により、半導体
チップ製造工場の生産方式に大きな変化をもたらすこと
ができる。結果として、半導体チップ工場建設、運営コ
ストと半導体製造工程コストに大幅なコストダウンが可
能になり、歩留まりが大変向上することになる。
More importantly, the pressure relief port, which has been provided to prevent a pressure difference from occurring inside and outside the container,
The present invention obviates the need in principle. This is because the pressure can be controlled via the connector 36.
Thereby, the sealing performance of the lid on the front surface of the container can be ensured, and by solving the two technical problems, a completely sealed container can be actually realized and used. This advantage means overcoming the most important technical challenges for wafer carriers. In addition, it directly means that it is possible to separate the wafer atmosphere environment from the environment for the human body in the clean room for the first time from the viewpoint of the gas environment. According to the present invention, a significant change can be brought about in a production system of a semiconductor chip manufacturing factory. As a result, the cost of constructing and operating a semiconductor chip factory and the cost of a semiconductor manufacturing process can be greatly reduced, and the yield can be greatly improved.

【0036】グローブボックス応用においては、これまでパ
ージタイプに対して、ほぼ10倍くらいの価格で販売さ
れてきた真空排気型グローブボックスという汎用商品と
同等で、コストはパージタイプ並の、本発明に係るグロ
ーブボックスが広く利用されるようになる。これによ
り、局所クリーン環境での作業が今後これまでよりもず
っと広範に利用されるようになる。
[0036] In the glove box application, the present invention is equivalent to a general-purpose product of a vacuum exhaust type glove box, which has been sold at about 10 times the price of the purge type, and the cost is equal to that of the purge type. Such glove boxes will be widely used. This will make working in local clean environments much more widely used in the future.

【0037】また、ナノテクノロジー・バイオテクノロジー
分野では、これまで、局所クリーン化技術は積極的に利
用されてこなかった。それは、これらの先端分野がまだ
産業としてスタートラインにたっている段階だからであ
る。しかし、今後これらの先端技術分野が産業応用され
るようになる時、それらは本質的にミクロスコピックな
技術であることに由来して、クリーン化環境や環境ガス
の制御が必ず必要とされるようになる。これらの新しい
テクノロジーに対して、半導体の大工場生産方式は明ら
かに不向きであり、局所クリーン化技術がインフラ的に
利用されるようになるだろう。本発明はその近未来に必
須となる技術要素を提供する。
[0037] In the nanotechnology / biotechnology field, the local cleaning technology has not been actively used so far. This is because these advanced fields are still at the starting line as an industry. However, when these advanced technology fields are applied to industry in the future, they will be required to control the clean environment and environmental gas because they are essentially microscopic technologies. become. For these new technologies, semiconductor factory manufacturing is clearly unsuitable, and local clean technologies will be used as infrastructure. The present invention provides technical elements that will be essential in the near future.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】パージ対象粒子のパージ経過時間との関係を示
す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a relationship between purge target particles and a purge elapsed time.

【図2】パージガス消費総量のパージガス流速依存性を
示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a purge gas flow rate dependency of a total purge gas consumption amount.

【図3】層流化パージ容器構造の例を示す斜視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view showing an example of a laminarization purge container structure.

【図4】パージ対象粒子のパージ経過時間との関係を示
す実施例1の図である。
FIG. 4 is a diagram of Example 1 showing a relationship between purge target particles and a purge elapsed time.

【図5】ウェーハ搬送・保存容器構造の例を示す実施例
2の斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view of a second embodiment showing an example of a wafer transfer / storage container structure.

【図6】グローブボックス構造の例を示す実施例3の斜
視図である。
FIG. 6 is a perspective view of Example 3 showing an example of a glove box structure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 容器 2 作業・保存空間 3 蓋 4 物質透過性の下流スクリーン 5 物質透過性の上流スクリーン 6 パージガス導入口 7 パージガス排出口 8、10 パージガス流の方向 9 パージガス流の方向(層流) 31 容器 32 容器前面 33 物質透過性のスクリーン 34 パージガス導入口 35 フィルター 36 パージガス導入コネクタ 37 パイプ支持板 38 ウェーハ 51 グローブボックス 52 物質透過性の上流スクリーン 53 物質透過性の下流スクリーン 54 作業・保存空間 55、56 手袋用装着用穴 57 蓋 58、59 留金 60 パージガス導入口 61 パージガス排出口 Reference Signs List 1 container 2 work / storage space 3 lid 4 material-permeable downstream screen 5 material-permeable upstream screen 6 purge gas inlet 7 purge gas outlet 8, 10 direction of purge gas flow 9 direction of purge gas flow (laminar flow) 31 container 32 Container front surface 33 Material permeable screen 34 Purge gas inlet 35 Filter 36 Purge gas inlet connector 37 Pipe support plate 38 Wafer 51 Glove box 52 Material permeable upstream screen 53 Material permeable downstream screen 54 Work / storage space 55, 56 Gloves Mounting hole 57 Lid 58, 59 Fastener 60 Purge gas inlet 61 Purge gas outlet

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B65G 49/00 B65G 49/00 A F24F 7/06 F24F 7/06 C Fターム(参考) 3C007 AS09 AS24 XJ05 3E070 AA40 AB40 PA01 RA01 RA30 3L058 BD06 BE02 BF03 BG01 BG03 4G057 AA07 5F031 CA02 DA08 NA03 NA04 NA15 NA16 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) B65G 49/00 B65G 49/00 A F24F 7/06 F24F 7/06 C F-term (Reference) 3C007 AS09 AS24 XJ05 3E070 AA40 AB40 PA01 RA01 RA30 3L058 BD06 BE02 BF03 BG01 BG03 4G057 AA07 5F031 CA02 DA08 NA03 NA04 NA15 NA16

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 容器内の浮遊微粒子またはガス分子の流
れの上流端と下流端の両方または片方に、物質透過性の
あるスクリーンを配置することにより、容器内の浮遊微
粒子またはガス分子をパージする仕組みを持つことを特
徴とするパージ容器。
Claims 1. A substance-permeable screen is disposed at an upstream end and / or a downstream end of a flow of suspended particulates or gas molecules in a container to purge the suspended particulates or gas molecules in the container. A purge container characterized by having a mechanism.
【請求項2】 ウェーハを搬送および保存する容器内に
おいて、ガス流の上流端と下流端の両方または片方の側
面に、物質透過性のあるスクリーンを配置することによ
り、容器内の浮遊微粒子またはガス分子をパージする仕
組みを持つことを特徴とするパージ容器。
2. In a container for transporting and storing wafers, a material-permeable screen is disposed on both or one of the side surfaces of the gas flow at the upstream end and the downstream end, so that suspended particulates or gas in the container are disposed. A purge container having a mechanism for purging molecules.
【請求項3】 ウェーハを搬送および保存する容器内に
おいて、ガス流の上流端と下流端の両方または片方の側
面に、物質透過性のあるスクリーンを配置し、また、脱
着可能なガス供給コネクタを有するガスパージのための
ガス供給配管を具備することにより、容器内の浮遊微粒
子またはガス分子をパージする仕組みを持つことを特徴
とするパージ容器。
In a container for transporting and storing a wafer, a material-permeable screen is disposed on both or one of the upstream and downstream ends of the gas flow, and a detachable gas supply connector is provided. A purge container having a mechanism for purging suspended particulates or gas molecules in the container by providing a gas supply pipe for gas purging.
【請求項4】 手袋装着用穴を有する容器において、そ
の内部に、ガス上流端と下流端の両方または片方の側面
に、物質透過性のあるスクリーンを配置することによ
り、容器内の浮遊微粒子またはガス分子をパージする仕
組みを持つことを特徴とするパージ容器。
4. A container having a glove-fitting hole, in which a material-permeable screen is disposed on one or both sides of a gas upstream end and a downstream end, so that floating particles in the container or A purge container having a mechanism for purging gas molecules.
【請求項5】 手袋装着用穴を有する容器において、そ
の内部に、パージガス流の方向が水平になる仕組みを有
し、また、ガス流の上流端である側面と下流端であるも
う一方の側面の両方または片方の側面に、物質透過性の
あるスクリーンを配置することにより、容器内の浮遊微
粒子またはガス分子をパージする仕組みを持つことを特
徴とするパージ容器。
5. A container having a glove-fitting hole, in which a mechanism in which the direction of a purge gas flow is horizontal is provided, and a side which is an upstream end of the gas flow and another side which is a downstream end thereof. A purging container having a mechanism for purging suspended particulates or gas molecules in the container by disposing a material-permeable screen on both or one of the side surfaces.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005175310A (en) * 2003-12-12 2005-06-30 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment apparatus
US8770907B2 (en) 2008-01-18 2014-07-08 Taiyo Nippon Sanso Corporation Cryopreservation device
JP2020061538A (en) * 2018-10-12 2020-04-16 國立臺北科技大學 Laminar flow device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52126281A (en) * 1976-04-08 1977-10-22 Landy Jerome J Method of purging operating plates used in treatments of biological poisoner and explosive materials* and safet cabinet for carrying out the method
JPH04235745A (en) * 1991-01-18 1992-08-24 Fujitsu Ltd Purifying method for atmosphere
JPH05228378A (en) * 1992-02-20 1993-09-07 Fujitsu Ltd Clean room
JP3005521U (en) * 1994-06-22 1995-01-10 ホソカワミクロン株式会社 Clean air blowing device
JPH09168993A (en) * 1995-12-19 1997-06-30 Toshiba Corp Chamber-type glove box

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52126281A (en) * 1976-04-08 1977-10-22 Landy Jerome J Method of purging operating plates used in treatments of biological poisoner and explosive materials* and safet cabinet for carrying out the method
JPH04235745A (en) * 1991-01-18 1992-08-24 Fujitsu Ltd Purifying method for atmosphere
JPH05228378A (en) * 1992-02-20 1993-09-07 Fujitsu Ltd Clean room
JP3005521U (en) * 1994-06-22 1995-01-10 ホソカワミクロン株式会社 Clean air blowing device
JPH09168993A (en) * 1995-12-19 1997-06-30 Toshiba Corp Chamber-type glove box

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005175310A (en) * 2003-12-12 2005-06-30 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment apparatus
US8770907B2 (en) 2008-01-18 2014-07-08 Taiyo Nippon Sanso Corporation Cryopreservation device
JP2020061538A (en) * 2018-10-12 2020-04-16 國立臺北科技大學 Laminar flow device

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