JP2002280431A - ｎタイプウェーハの少数キャリア拡散長測定法 - Google Patents
ｎタイプウェーハの少数キャリア拡散長測定法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、簡便で精度の高い少数キャリアの
拡散長を測定する方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 抵抗率が０．１〜５０Ωｃｍのｎタイプ
シリコンウェーハを、０．００１〜１０ｐｐｍのＡｌ塩
を添加した弱酸化性水溶液に、３０秒〜２０分間浸漬し
た後、図１の装置を用いてＳＰＶ法を用いて光電圧を測
定することを特徴とするｎタイプウェーハの少数キャリ
ア拡散長測定法であり、特に上記Ａｌ塩を添加した弱酸
化性水溶液が、Ａｌ（ＮＯ３）３を添加したＳＣ−１溶
液である場合に最も望ましい結果が得られる。
拡散長を測定する方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 抵抗率が０．１〜５０Ωｃｍのｎタイプ
シリコンウェーハを、０．００１〜１０ｐｐｍのＡｌ塩
を添加した弱酸化性水溶液に、３０秒〜２０分間浸漬し
た後、図１の装置を用いてＳＰＶ法を用いて光電圧を測
定することを特徴とするｎタイプウェーハの少数キャリ
ア拡散長測定法であり、特に上記Ａｌ塩を添加した弱酸
化性水溶液が、Ａｌ（ＮＯ３）３を添加したＳＣ−１溶
液である場合に最も望ましい結果が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ｎタイプウェーハ
の少数キャリア拡散長を、ＳＰＶ法を用いて測定する方
法に関するものである。
の少数キャリア拡散長を、ＳＰＶ法を用いて測定する方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンウェハの少数キャリア拡
散長を測定する方法として、ＳＰＶ法が知られている。
この方法は、シリコンウェハ表面へ光を照射することに
よって、シリコンウェハ内部に生成した過剰少数キャリ
アが、ウェハ表層部に存在する空乏層の電界によりウェ
ハ表面に移動し、その結果発生する表面光電圧（Ｓｕｒ
ｆａｃｅ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅ：ＳＰＶ）を測定
するものである。実際の測定においては、数波長の光を
別個にシリコンウェハ表面に照射し、それぞれの波長に
ついて、ＳＰＶ値を測定する。そして、照射した光の浸
透深さと発生したＳＰＶの値との関係から、少数キャリ
ア拡散長を求めるものである。
散長を測定する方法として、ＳＰＶ法が知られている。
この方法は、シリコンウェハ表面へ光を照射することに
よって、シリコンウェハ内部に生成した過剰少数キャリ
アが、ウェハ表層部に存在する空乏層の電界によりウェ
ハ表面に移動し、その結果発生する表面光電圧（Ｓｕｒ
ｆａｃｅ Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｇｅ：ＳＰＶ）を測定
するものである。実際の測定においては、数波長の光を
別個にシリコンウェハ表面に照射し、それぞれの波長に
ついて、ＳＰＶ値を測定する。そして、照射した光の浸
透深さと発生したＳＰＶの値との関係から、少数キャリ
ア拡散長を求めるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
ＳＰＶ法によって、少数キャリア拡散長を測定するに
は、シリコンウェハ表面に空乏層ができている必要があ
る。通常は、この条件を満足していれば他に特別な表面
処理は必要ないが、サンプルのシリコンウェハによって
はＳＰＶ信号が小さく、測定ができない場合がある。こ
の場合、そのサンプルがｎタイプシリコンウェハであれ
ば、サンプルのシリコンウェハをＨ２Ｏ２溶液中で煮沸
処理したり，ＳＣ−１（過酸化水素とアンモニアを純水
に溶解した水溶液）で洗浄を行うことによって、測定が
可能になるとされている。しかし、実際にＨ２Ｏ２溶液
中での煮沸やＳＣ−１洗浄を行っても、空乏層の電界が
小さい場合や低抵抗のウェハの場合には、十分な測定が
不可能である。
ＳＰＶ法によって、少数キャリア拡散長を測定するに
は、シリコンウェハ表面に空乏層ができている必要があ
る。通常は、この条件を満足していれば他に特別な表面
処理は必要ないが、サンプルのシリコンウェハによって
はＳＰＶ信号が小さく、測定ができない場合がある。こ
の場合、そのサンプルがｎタイプシリコンウェハであれ
ば、サンプルのシリコンウェハをＨ２Ｏ２溶液中で煮沸
処理したり，ＳＣ−１（過酸化水素とアンモニアを純水
に溶解した水溶液）で洗浄を行うことによって、測定が
可能になるとされている。しかし、実際にＨ２Ｏ２溶液
中での煮沸やＳＣ−１洗浄を行っても、空乏層の電界が
小さい場合や低抵抗のウェハの場合には、十分な測定が
不可能である。
【０００４】また、他の表面処理方法として、サンプル
のシリコンウェハ表面に７ｎｍ以上の酸化膜を形成した
後、マイナスのコロナチャージを帯電させる方法もあ
る。しかし、この方法によれば、シリコンウェハ表面へ
の酸化処理が必要なため、手間がかかる上、酸化時にウ
ェハが汚染を受ける可能性もある。しかもコロナチャー
ジを帯電させるための装置も必要である。本発明は、上
記従来公知の測定方法における上記の問題点を改善し、
簡便で精度の高い少数キャリアの拡散長を測定する方法
を提供することを目的としている。
のシリコンウェハ表面に７ｎｍ以上の酸化膜を形成した
後、マイナスのコロナチャージを帯電させる方法もあ
る。しかし、この方法によれば、シリコンウェハ表面へ
の酸化処理が必要なため、手間がかかる上、酸化時にウ
ェハが汚染を受ける可能性もある。しかもコロナチャー
ジを帯電させるための装置も必要である。本発明は、上
記従来公知の測定方法における上記の問題点を改善し、
簡便で精度の高い少数キャリアの拡散長を測定する方法
を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、抵抗率が０．
１〜５０Ωｃｍのｎタイプシリコンウェーハを、０．０
０１〜１０ｐｐｍのＡｌ塩を添加した弱酸化性水溶液
に、３０秒〜２０分間浸漬した後、ＳＰＶ法を用いて光
電圧を測定することを特徴とするｎタイプウェーハの少
数キャリア拡散長測定法である。
１〜５０Ωｃｍのｎタイプシリコンウェーハを、０．０
０１〜１０ｐｐｍのＡｌ塩を添加した弱酸化性水溶液
に、３０秒〜２０分間浸漬した後、ＳＰＶ法を用いて光
電圧を測定することを特徴とするｎタイプウェーハの少
数キャリア拡散長測定法である。
【０００６】上記Ａｌ塩を添加した弱酸化性水溶液とし
ては、Ａｌ（ＮＯ３）３を添加したＳＣ−１溶液である
ことが望ましい。
ては、Ａｌ（ＮＯ３）３を添加したＳＣ−１溶液である
ことが望ましい。
【０００７】次に、本発明の測定方法の原理を説明す
る。シリコンウェハを弱酸化性水溶液に浸漬すると、シ
リコンウェハ表面に自然酸化膜が形成される。そして、
生成した自然酸化膜は、弱酸化性水溶液中に存在する不
純物が取り込まれるが、添加したＡｌ塩からのＡｌ元素
が存在するため、マイナスの電荷を有することになり、
ウェハの表層部に大きな空乏層ができる。すなわち、本
発明の場合、処理液中にＡｌイオンが存在することか
ら、Ａｌ金属元素が、シリコンウェハ表面酸化膜に取り
込まれ、ＡｌＳｉＯの形で存在しマイナスの電荷として
働くことになって、大きな空乏層が形成されることにな
る。
る。シリコンウェハを弱酸化性水溶液に浸漬すると、シ
リコンウェハ表面に自然酸化膜が形成される。そして、
生成した自然酸化膜は、弱酸化性水溶液中に存在する不
純物が取り込まれるが、添加したＡｌ塩からのＡｌ元素
が存在するため、マイナスの電荷を有することになり、
ウェハの表層部に大きな空乏層ができる。すなわち、本
発明の場合、処理液中にＡｌイオンが存在することか
ら、Ａｌ金属元素が、シリコンウェハ表面酸化膜に取り
込まれ、ＡｌＳｉＯの形で存在しマイナスの電荷として
働くことになって、大きな空乏層が形成されることにな
る。
【０００８】そして、本発明によってシリコンウェハ表
面を弱酸化性水溶液処理した場合と、この処理を施さな
い場合とを比較した表面空乏層の形成を模式的に示す図
２に見られるように、この空乏層の影響により、シリコ
ンウェハ表面に光が照射されると過剰少数キャリアが発
生し、この過剰少数キャリアがウェハ表面へ有効に移動
されることになり、ＳＰＶ信号強度が増幅されることに
なる。
面を弱酸化性水溶液処理した場合と、この処理を施さな
い場合とを比較した表面空乏層の形成を模式的に示す図
２に見られるように、この空乏層の影響により、シリコ
ンウェハ表面に光が照射されると過剰少数キャリアが発
生し、この過剰少数キャリアがウェハ表面へ有効に移動
されることになり、ＳＰＶ信号強度が増幅されることに
なる。
【０００９】その結果、各波長の光の浸透深さに対して
の各波長で発生するＳＰＶ値との関係を示す図３から明
らかなように、各波長の光を照射した時に発生するＳＰ
Ｖ値を測定する際のＳ／Ｎ比が向上し、ＳＰＶプロット
の直線性が良好になるため、安定した拡散長を測定する
ことが可能となる。
の各波長で発生するＳＰＶ値との関係を示す図３から明
らかなように、各波長の光を照射した時に発生するＳＰ
Ｖ値を測定する際のＳ／Ｎ比が向上し、ＳＰＶプロット
の直線性が良好になるため、安定した拡散長を測定する
ことが可能となる。
【００１０】シリコンウェハがｎタイプの場合には、こ
の自然酸化膜の直下に形成される空乏層に特定波長の光
を照射すると、その波長の光の浸透深さ領域に存在する
金属不純物元素の量に比例した光電圧が発生する。そこ
で、この光電圧を測定することによって、特定の深さの
領域に存在する不純物元素の濃度を算出することができ
る。
の自然酸化膜の直下に形成される空乏層に特定波長の光
を照射すると、その波長の光の浸透深さ領域に存在する
金属不純物元素の量に比例した光電圧が発生する。そこ
で、この光電圧を測定することによって、特定の深さの
領域に存在する不純物元素の濃度を算出することができ
る。
【００１１】上記、本発明においては、弱酸化性水溶液
としては、例えば前述の過酸化水素、アンモニアの純水
溶液であるＳＣ−１を用いることができる。ここでＳＣ
−１を用いたのは、以下の理由による。すなわち、ウェ
ハ面内均一に、ＳＣ−１洗浄に添加した金属原子を含ん
だケミカル酸化膜を形成できるためである。また、サン
プルとなるシリコンウェハにおいて、抵抗率として０．
１〜５０Ωｃｍのものが最も好ましい。本発明におい
て、この抵抗率の範囲のものを選択するのは、抵抗率が
上記範囲を上回った場合には、空乏層幅が、最も波長が
短い光の侵入深さよりも大きくなり、ＳＰＶプロットの
直線性が損なわれる問題が発生して測定が困難となり、
逆に上記範囲を下回った場合、空乏層の電界が小さく、
ＳＰＶが発生しなくなり測定が困難となるからである。
としては、例えば前述の過酸化水素、アンモニアの純水
溶液であるＳＣ−１を用いることができる。ここでＳＣ
−１を用いたのは、以下の理由による。すなわち、ウェ
ハ面内均一に、ＳＣ−１洗浄に添加した金属原子を含ん
だケミカル酸化膜を形成できるためである。また、サン
プルとなるシリコンウェハにおいて、抵抗率として０．
１〜５０Ωｃｍのものが最も好ましい。本発明におい
て、この抵抗率の範囲のものを選択するのは、抵抗率が
上記範囲を上回った場合には、空乏層幅が、最も波長が
短い光の侵入深さよりも大きくなり、ＳＰＶプロットの
直線性が損なわれる問題が発生して測定が困難となり、
逆に上記範囲を下回った場合、空乏層の電界が小さく、
ＳＰＶが発生しなくなり測定が困難となるからである。
【００１２】また、サンプルとなるシリコンウェハとし
ては、酸素濃度として０．５〜２．０×１０１８／ｃｃ
のものを用いることが好ましい。
ては、酸素濃度として０．５〜２．０×１０１８／ｃｃ
のものを用いることが好ましい。
【００１３】また、弱酸化性水溶液に添加するＡｌ塩と
しては、例えばＡｌ（ＮＯ３）３を用いることができ
る。本発明においては特にＡｌ（ＮＯ３）３が選択した
のは、この物質が、原子吸光分析用の標準用液として販
売されており、不純物が少ないものだからであり、この
ような特徴を有する物質であれば、上記物質に置き換え
て使用することもできる。この例としては、ＡｌＣｌ３
等があげられる。また、弱酸化性水溶液へのＡｌ塩の添
加量としては、０．００１〜１０ｐｐｍの範囲が望まし
く、添加量が上記範囲を上回った場合、ＳＰＶ値が大き
くなりすぎてしまうため、得られる拡散長の値が、本来
よりも高い値となってしまう問題が発生して好ましくな
く、一方、下回った場合は、空乏層を増加させる効果が
小さく、測定誤差が大きくなる問題が発生して好ましく
ない。
しては、例えばＡｌ（ＮＯ３）３を用いることができ
る。本発明においては特にＡｌ（ＮＯ３）３が選択した
のは、この物質が、原子吸光分析用の標準用液として販
売されており、不純物が少ないものだからであり、この
ような特徴を有する物質であれば、上記物質に置き換え
て使用することもできる。この例としては、ＡｌＣｌ３
等があげられる。また、弱酸化性水溶液へのＡｌ塩の添
加量としては、０．００１〜１０ｐｐｍの範囲が望まし
く、添加量が上記範囲を上回った場合、ＳＰＶ値が大き
くなりすぎてしまうため、得られる拡散長の値が、本来
よりも高い値となってしまう問題が発生して好ましくな
く、一方、下回った場合は、空乏層を増加させる効果が
小さく、測定誤差が大きくなる問題が発生して好ましく
ない。
【００１４】さらに、サンプルであるシリコンウェハの
弱酸化性水溶液への浸漬時間としては、３０秒から２０
分間の範囲が好ましい。浸漬時間がこの範囲より短い
と、Ａｌ原子を含んだケミカル酸化膜が十分に形成され
ない問題があり好ましくない。逆に上記範囲より長い
と、処理時間が長くなるだけで得られる効果は変わらな
く、これも好ましくない。シリコンウェハを浸漬する弱
酸化性水溶液の温度は、室温で用いられるが、沸騰ない
し氷結しない温度の範囲であれば使用可能である。
弱酸化性水溶液への浸漬時間としては、３０秒から２０
分間の範囲が好ましい。浸漬時間がこの範囲より短い
と、Ａｌ原子を含んだケミカル酸化膜が十分に形成され
ない問題があり好ましくない。逆に上記範囲より長い
と、処理時間が長くなるだけで得られる効果は変わらな
く、これも好ましくない。シリコンウェハを浸漬する弱
酸化性水溶液の温度は、室温で用いられるが、沸騰ない
し氷結しない温度の範囲であれば使用可能である。
【００１５】本発明では、上記の方法によって得られた
光電圧測定値から、次の手順によって拡散長を求めるこ
とができる。ＳＰＶ値（ΔＶ）と照射光の侵入深さ（α
−１）には、次の関係がある。 Φｅｆｆ／ΔＶ＝Ａ（Ｓ＋Ｄ／Ｌ）（１＋α−１＊１／
Ｌ） 拡散長の測定時、ΦｅｆｆおよびＡ（Ｓ＋Ｄ／Ｌ）の部
分は一定と考えてよいので、各波長の侵入深さ（α−
１）に対して、Φｅｆｆ／ΔＶをプロットすると、Φｅ
ｆｆ／ΔＶ＝０となるα−１の値が拡散長Ｌとなる。
光電圧測定値から、次の手順によって拡散長を求めるこ
とができる。ＳＰＶ値（ΔＶ）と照射光の侵入深さ（α
−１）には、次の関係がある。 Φｅｆｆ／ΔＶ＝Ａ（Ｓ＋Ｄ／Ｌ）（１＋α−１＊１／
Ｌ） 拡散長の測定時、ΦｅｆｆおよびＡ（Ｓ＋Ｄ／Ｌ）の部
分は一定と考えてよいので、各波長の侵入深さ（α−
１）に対して、Φｅｆｆ／ΔＶをプロットすると、Φｅ
ｆｆ／ΔＶ＝０となるα−１の値が拡散長Ｌとなる。
【００１６】なお、本発明では、表面処理に添加元素と
してＡｌを用いるため、表面処理によってウェハを汚染
し、拡散長値を変えてしまう可能性が考えられる。しか
し、室温でのＳｉ中のＡｌの拡散速度は非常に遅いた
め、ウェハ内部に拡散する可能性は極めて低い。従っ
て、本発明による拡散長値を算出するにあたってＡｌ元
素の存在を考慮する必要は無い。
してＡｌを用いるため、表面処理によってウェハを汚染
し、拡散長値を変えてしまう可能性が考えられる。しか
し、室温でのＳｉ中のＡｌの拡散速度は非常に遅いた
め、ウェハ内部に拡散する可能性は極めて低い。従っ
て、本発明による拡散長値を算出するにあたってＡｌ元
素の存在を考慮する必要は無い。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の測定
方法において用いられる光電圧測定装置について説明す
る。図１が、本発明で用いることのできる光電圧測定装
置である。図において、表面に弱酸化性水溶液処理によ
って自然酸化膜２が生成したシリコンウェハ１を、金属
電極からなる試料台４上に載せ、シリコンウェハ１の上
方には適当な間隔を置いて、ガラス板５ａの表裏に透明
電極５ｂ、５ｃを形成してなる透明な測定電極５を対向
配置させ、測定電極５の上方からウェハ１の表面に光ビ
ームを断続的に照射させるようになっている。そしてこ
の装置においては照射する光の波長は自在に変更可能と
なっている。この装置においては、測定電極５とウェハ
１との間に容量が形成されており、光ビームがウェハに
照射されると、透明電極５ｂと金属電極４との間に、基
板表面の空乏層の広がりに応じた光電圧が発生するの
で、これを電圧測定器６で測定することによって、ＳＰ
Ｖ値を測定することができる。
方法において用いられる光電圧測定装置について説明す
る。図１が、本発明で用いることのできる光電圧測定装
置である。図において、表面に弱酸化性水溶液処理によ
って自然酸化膜２が生成したシリコンウェハ１を、金属
電極からなる試料台４上に載せ、シリコンウェハ１の上
方には適当な間隔を置いて、ガラス板５ａの表裏に透明
電極５ｂ、５ｃを形成してなる透明な測定電極５を対向
配置させ、測定電極５の上方からウェハ１の表面に光ビ
ームを断続的に照射させるようになっている。そしてこ
の装置においては照射する光の波長は自在に変更可能と
なっている。この装置においては、測定電極５とウェハ
１との間に容量が形成されており、光ビームがウェハに
照射されると、透明電極５ｂと金属電極４との間に、基
板表面の空乏層の広がりに応じた光電圧が発生するの
で、これを電圧測定器６で測定することによって、ＳＰ
Ｖ値を測定することができる。
【００１８】この装置を用いてサンプルであるシリコン
ウェハを測定する最も好ましい方法は以下の通りであ
る。まず、サンプルとなるシリコンウェハを、Ａｌ（Ｎ
Ｏ３）３ を０．００１〜１０ｐｐｍの範囲で添加した
弱酸化性水溶液であるＳＣ−１中に浸漬する。この際の
弱酸化性水溶液の温度を６５℃とし、１０分間、弱酸化
性溶液に浸漬したシリコンウェハを取り出し、室温にて
乾燥した後、図１に見られる測定装置にセットする。装
置の上方から、ハロゲンランプの光源を用い光度１０１
２〜１０１４フォトン／ｃｍ２・ｓｅｃで、波長０．８
μｍの光をパルス状に照射した後、電圧計６で光電圧を
測定する。次いで、光の波長を１μｍに変更して、同様
に光電圧を測定する。以下同様にして、所要の波長の光
を用いて光電圧を測定する。
ウェハを測定する最も好ましい方法は以下の通りであ
る。まず、サンプルとなるシリコンウェハを、Ａｌ（Ｎ
Ｏ３）３ を０．００１〜１０ｐｐｍの範囲で添加した
弱酸化性水溶液であるＳＣ−１中に浸漬する。この際の
弱酸化性水溶液の温度を６５℃とし、１０分間、弱酸化
性溶液に浸漬したシリコンウェハを取り出し、室温にて
乾燥した後、図１に見られる測定装置にセットする。装
置の上方から、ハロゲンランプの光源を用い光度１０１
２〜１０１４フォトン／ｃｍ２・ｓｅｃで、波長０．８
μｍの光をパルス状に照射した後、電圧計６で光電圧を
測定する。次いで、光の波長を１μｍに変更して、同様
に光電圧を測定する。以下同様にして、所要の波長の光
を用いて光電圧を測定する。
【００１９】
【実施例】抵抗率１．７Ωｃｍ、酸素濃度１４×１０
１７ａｔｏｍｓ／ｃｃのｎタイプＣＺ−Ｓｉ（１００）
ウェハに対して強制的にＦｅ汚染を施した。このサンプ
ルシリコンウェハを、１ｐｐｍのＡｌ（ＮＯ３）３を添
加した温度６５℃のＳＣ−１溶液に６００秒間浸漬し、
シリコンウェハ表面に１．５ｎｍの自然酸化膜を形成し
た。このサンプルであるシリコンウェハを図１に示す測
定装置にセットし、波長０．８μｍの光を照射したとこ
ろ、４ｍＶの光電圧が観測された。また、波長を１μｍ
に変更して同様に測定したところ、１ｍＶの光電圧が観
測された。
１７ａｔｏｍｓ／ｃｃのｎタイプＣＺ−Ｓｉ（１００）
ウェハに対して強制的にＦｅ汚染を施した。このサンプ
ルシリコンウェハを、１ｐｐｍのＡｌ（ＮＯ３）３を添
加した温度６５℃のＳＣ−１溶液に６００秒間浸漬し、
シリコンウェハ表面に１．５ｎｍの自然酸化膜を形成し
た。このサンプルであるシリコンウェハを図１に示す測
定装置にセットし、波長０．８μｍの光を照射したとこ
ろ、４ｍＶの光電圧が観測された。また、波長を１μｍ
に変更して同様に測定したところ、１ｍＶの光電圧が観
測された。
【００２０】上記の実施例の結果を基に、強制汚染した
シリコンウェハ中のＦｅ元素の濃度と少数キャリア拡散
長との関係を図３に示す。また、図４には、表面処理な
しで測定できなかったウェハについて測定した少数キャ
リア拡散長を示している。図３より、Ｆｅ濃度の増加と
ともに小数キャリア拡散長が低下していることがわか
る。また、図４から、強制Ｆｅ汚染を行っていないウェ
ハについては、本発明による方法と、本発明による方法
を用いないで測定した小数キャリア拡散長が、ほぼ同じ
値を示していることがわかる。これにより、ウェハの金
属汚染量の大小に関わらず、本発明による方法を用いる
ことにより、正しい少数キャリア拡散長の測定が可能で
あることを確認できた。
シリコンウェハ中のＦｅ元素の濃度と少数キャリア拡散
長との関係を図３に示す。また、図４には、表面処理な
しで測定できなかったウェハについて測定した少数キャ
リア拡散長を示している。図３より、Ｆｅ濃度の増加と
ともに小数キャリア拡散長が低下していることがわか
る。また、図４から、強制Ｆｅ汚染を行っていないウェ
ハについては、本発明による方法と、本発明による方法
を用いないで測定した小数キャリア拡散長が、ほぼ同じ
値を示していることがわかる。これにより、ウェハの金
属汚染量の大小に関わらず、本発明による方法を用いる
ことにより、正しい少数キャリア拡散長の測定が可能で
あることを確認できた。
【００２１】
【発明の効果】従来、ｎタイプウェハの表面処理は、不
十分な効果しか得られないもの、または、酸化処理が必
要なもののみであったが、本発明を用いることにより、
ｎタイプウェハについて、簡便に、少数キャリア拡散長
の測定を行うことが可能となった。
十分な効果しか得られないもの、または、酸化処理が必
要なもののみであったが、本発明を用いることにより、
ｎタイプウェハについて、簡便に、少数キャリア拡散長
の測定を行うことが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の測定方法において用いることのでき
る光電圧測定装置の概略図。
る光電圧測定装置の概略図。
【図２】 シリコンウェハ表面のアルミニウム処理によ
って生ずる空乏層拡大効果を説明するための図。
って生ずる空乏層拡大効果を説明するための図。
【図３】 本発明のアルミニウム処理によるＳＰＶ値プ
ロット直線性を示す図。
ロット直線性を示す図。
【図４】 シリコンウェハ中のＦｅ濃度と小数キャリア
拡散長の関係を示す図。
拡散長の関係を示す図。
【図５】 アルミニウム処理の有無による拡散長測定値
の比較を示す図。
の比較を示す図。
１・・・シリコンウェハ ２・・・自然酸化膜 ３・・・空乏層 ４・・・金属電極 ５ａ・・・ガラス板 ５ｂ、５ｃ・・・透明電極 ６・・・電圧計
Claims (2)
- 【請求項１】抵抗率が０．１〜５０Ωｃｍのｎタイプシ
リコンウェーハを、０．００１〜１０ｐｐｍのＡｌ塩を
添加した弱酸化性水溶液に、３０秒〜２０分間浸漬した
後、ＳＰＶ法を用いて光電圧を測定することを特徴とす
るｎタイプウェーハの少数キャリア拡散長測定法 - 【請求項２】上記Ａｌ塩を添加した弱酸化性水溶液が、
Ａｌ（ＮＯ３）３を添加したＳＣ−１溶液であることを
特徴とする請求項１に記載のｎタイプウェーハの少数キ
ャリア拡散長測定法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001074845A JP2002280431A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | ｎタイプウェーハの少数キャリア拡散長測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001074845A JP2002280431A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | ｎタイプウェーハの少数キャリア拡散長測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280431A true JP2002280431A (ja) | 2002-09-27 |
Family
ID=18932035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001074845A Withdrawn JP2002280431A (ja) | 2001-03-15 | 2001-03-15 | ｎタイプウェーハの少数キャリア拡散長測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002280431A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005217131A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 太陽電池およびこれを用いた太陽電池モジュール |
| JP2011238656A (ja) * | 2010-05-06 | 2011-11-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 金属汚染評価用シリコンウエーハ及び金属汚染評価用シリコンウエーハの製造方法 |
| JP2013051330A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Covalent Silicon Co Ltd | ｎ型シリコンウェハの少数キャリア拡散長測定の前処理方法 |
-
2001
- 2001-03-15 JP JP2001074845A patent/JP2002280431A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005217131A (ja) * | 2004-01-29 | 2005-08-11 | Kyocera Corp | 太陽電池およびこれを用いた太陽電池モジュール |
| JP2011238656A (ja) * | 2010-05-06 | 2011-11-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 金属汚染評価用シリコンウエーハ及び金属汚染評価用シリコンウエーハの製造方法 |
| JP2013051330A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-14 | Covalent Silicon Co Ltd | ｎ型シリコンウェハの少数キャリア拡散長測定の前処理方法 |
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