JP2002280399A - Method of evaluating adhesion of die bond paste, die- bonding method and die bonder - Google Patents
Method of evaluating adhesion of die bond paste, die- bonding method and die bonderInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップとリ
ードフレームとの付着状態を評価するダイボンドペース
トの付着評価方法、ダイボンド方法、およびダイボンド
装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for evaluating the adhesion of a die bond paste for evaluating the state of adhesion between a semiconductor chip and a lead frame, a die bonding method, and a die bonding apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、トランジスタ、ＩＣ（Integrated
Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integrated circui
t）等の半導体素子のアセンブリにおいては、先ずウェ
ハーをダイシングにより所定のサイズの半導体チップと
して切断する。そして、切断された半導体チップをリー
ドフレームに固定するために、ダイボンドペーストと呼
ばれる導電性接着剤が用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, transistors, ICs (Integrated
Circuit), LSI (Large Scale Integrated circui)
In the assembly of semiconductor devices such as t), first, a wafer is cut into semiconductor chips of a predetermined size by dicing. Then, in order to fix the cut semiconductor chip to a lead frame, a conductive adhesive called a die bond paste is used.
【０００３】そして、半導体チップをダイボンドペース
ト上に安定して固定し、なおかつ必要量以上のダイボン
ドペーストを用いて半導体チップとリードフレームとの
導通すべきでない部分が導通するというような不具合を
防止するために、種々の方法が採用されている。例え
ば、（１）厚さが一定のシート状のダイボンドフィルム
を用いるという方法、（２）塗布するダイボンドペース
トの体積を制御する方法である。[0005] Then, the semiconductor chip is stably fixed on the die bond paste, and a problem that a part of the semiconductor chip and the lead frame that should not be conductive is conductive is prevented by using the die bond paste in a necessary amount or more. For this purpose, various methods have been adopted. For example, (1) a method of using a sheet-like die bond film having a constant thickness, and (2) a method of controlling the volume of a die bond paste to be applied.
【０００４】上記（１）の方法においては、半導体チッ
プにシート状のダイボンドフィルムを貼り付けることに
より、半導体チップをリードフレームに固定する。しか
し、この方法においては、厚さが一定のシート状のダイ
ボンドフィルムを用意する必要がありダイボンド材料が
高価なものとなるという問題がある。In the method (1), a semiconductor chip is fixed to a lead frame by attaching a sheet-like die bond film to the semiconductor chip. However, in this method, it is necessary to prepare a sheet-like die-bonding film having a constant thickness, and there is a problem that the die-bonding material becomes expensive.
【０００５】一方、上記（２）の方法は、粘性を有する
ダイボンドペーストを、リードフレーム内のアイランド
（孤島部）におけるチップを固定する領域であるダイパ
ッド上にディスペンサー（dispenser:塗布機）により塗
布する方法である。この方法の一例として、例えば特開
平１０−２９６１５８号公報に開示されたダイボンドペ
ーストの塗布方法を挙げることができる。On the other hand, in the above method (2), a viscous die bond paste is applied by a dispenser (dispenser: coating machine) on a die pad which is a region for fixing a chip in an island (isolated island) in a lead frame. Is the way. As an example of this method, for example, a method of applying a die bond paste disclosed in JP-A-10-296158 can be mentioned.
【０００６】上記公報に開示された塗布方法は、ダイボ
ンドペーストには粘性の低いものがあり、糸引き、液だ
れなどが発生することによって、塗布する体積にばらつ
きが生じやすいという問題点に鑑み、ディスペンサーの
塗布圧力と塗布時間とを調整することにより塗布するダ
イボンドペーストの体積を制御する方法である。この方
法によれば、リードフレーム内のアイランドに均一な形
状にてダイボンドペーストを塗布することができる。[0006] The coating method disclosed in the above publication has a problem in that the die-bonding paste has a low viscosity, and stringing, dripping, and the like are likely to occur, so that the applied volume tends to vary. This is a method of controlling the volume of the die bond paste to be applied by adjusting the application pressure and the application time of the dispenser. According to this method, the die bond paste can be applied to the island in the lead frame in a uniform shape.
【０００７】そして、上記公報に開示された塗布方法に
より塗布されたダイボンドペーストは、以下に説明する
ような手順により、実際にどのような面積で半導体チッ
プの裏面に付着しているかが確認されている。なお、ダ
イボンドペーストが半導体チップの裏面に付着している
面積の半導体チップの面積に対する割合を、以下「濡れ
広がり性」と称する。ここで、濡れ広がり性の確認が必
要であるのは、濡れ広がり性が不充分であると、ダイボ
ンド工程の後工程であるアセンブリ工程、例えばトラン
スファーモールド等の封止工程においてチップクラック
が生じたり、あるいは、マザーボードに実装するために
熱処理を行う際にポップコーン現象と呼ばれるパッケー
ジの変形が生じたり、あるいは、半導体チップがリード
フレームから剥離してしまうという不具合が生じるおそ
れがあるからである。[0007] Then, according to the procedure described below, it is confirmed that the die bond paste applied by the application method disclosed in the above publication is actually attached to the back surface of the semiconductor chip in what area. I have. The ratio of the area where the die bond paste adheres to the back surface of the semiconductor chip to the area of the semiconductor chip is hereinafter referred to as “wetting and spreading property”. Here, it is necessary to check the wet spreading property. If the wet spreading property is insufficient, a chip crack may occur in an assembly process after the die bonding process, for example, a sealing process such as transfer molding, Alternatively, when heat treatment is performed for mounting on a motherboard, a package deformation called a popcorn phenomenon may occur, or a problem may occur in that a semiconductor chip is peeled from a lead frame.
【０００８】濡れ広がり性の確認においては、先ず、図
５に示すように、リードフレーム１００内のアイランド
２００におけるダイパッド３００に、塗布圧力と塗布時
間（以下、「塗布条件」と称する）とが制御された図示
しないディスペンサーにより複数個のダイボンドペース
ト４００…を所定の量だけ塗布する。In confirming the wet spreadability, first, as shown in FIG. 5, the application pressure and application time (hereinafter, referred to as “application conditions”) are controlled on the die pad 300 in the island 200 in the lead frame 100. A plurality of die bond pastes 400 are applied by a predetermined amount by a dispenser (not shown).
【０００９】次に、ダイパッド３００に塗布されたダイ
ボンドペースト４００…のそれぞれが、均一な半球の形
状を成しているかどうかを目視確認する。あるいは、図
示しない画像処理装置を用いた画像処理によりリードフ
レーム１００とダイボンドペースト４００…との色のコ
ントラストを把握して、ダイボンドペースト４００…の
形状を確認する。Next, it is visually confirmed whether or not each of the die bond pastes 400 applied to the die pad 300 has a uniform hemispherical shape. Alternatively, the color contrast between the lead frame 100 and the die bond paste 400 is grasped by image processing using an image processing device (not shown), and the shape of the die bond paste 400 is confirmed.
【００１０】次に、図示しないダイボンド装置のダイボ
ンド荷重を調整した後、図６に示すように、ダミーの半
導体チップ５００を、ダイボンドペースト４００が塗布
されたダイパッド３００の上にダイボンドする。Next, after adjusting the die bonding load of a die bonding apparatus (not shown), as shown in FIG. 6, a dummy semiconductor chip 500 is die bonded onto a die pad 300 to which a die bonding paste 400 has been applied.
【００１１】そして、ダイボンドされたダミーの半導体
チップ５００をリードフレーム１００から垂直方向に引
き剥がし、半導体チップ５００の裏面にダイボンドペー
スト４００が所定の面積以上に付着しているか否かを目
視確認する。あるいは、図示しない画像処理装置を用い
て、ダイボンドペースト４００の画像とリードフレーム
１００の画像とを２値化して、２値化された画像のコン
トラストから半導体チップ５００の裏面におけるダイボ
ンドペースト４００の付着面積を測定する。Then, the die-bonded dummy semiconductor chip 500 is peeled off from the lead frame 100 in the vertical direction, and it is visually checked whether or not the die bond paste 400 has adhered to the rear surface of the semiconductor chip 500 to a predetermined area or more. Alternatively, the image of the die bond paste 400 and the image of the lead frame 100 are binarized using an image processing device (not shown), and the adhesion area of the die bond paste 400 on the back surface of the semiconductor chip 500 is determined based on the contrast of the binarized image. Is measured.
【００１２】上記の濡れ広がり性の確認によりダイボン
ドペースト４００が所定値以上の濡れ広がり性を示して
いる場合には、その際に設定されているディスペンサー
の塗布条件およびダイボンドの荷重条件を用いて、それ
以降のダイボンドを行う。When the die-bonding paste 400 shows a wet-spreading property of a predetermined value or more as a result of the above-described confirmation of the wet-spreading property, the dispenser application condition and the die-bonding load condition set at that time are used. The subsequent die bonding is performed.
【００１３】逆に、上記の濡れ広がり性の確認によりダ
イボンドペースト４００が所定値以上の濡れ広がり性を
示していない場合は、所定値以上の濡れ広がり性を示す
ように、ディスペンサーの塗布条件、あるいはダイボン
ドの条件を調整する。しかしながら、ダイボンドペース
ト自体の粘度変化等により、同一の塗布条件でもダイボ
ンドペーストの塗布量は時間経過とともに変化しやす
い。On the other hand, if the die bond paste 400 does not show a wet spread of a predetermined value or more as a result of checking the wet spread, the dispenser application conditions or Adjust the conditions for die bonding. However, the application amount of the die bond paste tends to change over time even under the same application conditions due to a change in viscosity of the die bond paste itself.
【００１４】また、ダイボンドペースト４００が銀粉入
りのものである場合は、ダイボンドした半導体チップ５
００をＮ2 雰囲気のオーブンで加熱処理してダイボンド
ペースト４００を硬化させた後に、図示しない透過Ｘ線
装置を用いた画像処理により上記の濡れ広がり性を測定
することも行われている。具体的には、透過Ｘ線装置に
よりＸ線を半導体チップ５００上に出射する。このよう
に出射されたＸ線により、半導体チップ５００を介して
ダイボンドペースト４００とリードフレーム１００とを
Ｘ線像化することができる。このダイボンドペースト４
００のＸ線像とリードフレーム１００のＸ線像とのコン
トラストから、半導体チップ５００の裏面のダイボンド
ペースト４００の濡れ広がり性を測定することができ
る。When the die bond paste 400 contains silver powder, the die-bonded semiconductor chip 5
After heat-treating the die bond paste 400 in an oven in an N 2 atmosphere to cure the die bond paste 400, the above-mentioned wet spreadability is measured by image processing using a transmission X-ray apparatus (not shown). Specifically, X-rays are emitted onto the semiconductor chip 500 by a transmission X-ray device. The X-rays thus emitted can form an X-ray image of the die bond paste 400 and the lead frame 100 via the semiconductor chip 500. This die bond paste 4
From the contrast between the X-ray image of the semiconductor chip 500 and the X-ray image of the lead frame 100, the wet spreadability of the die bond paste 400 on the back surface of the semiconductor chip 500 can be measured.
【００１５】[0015]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の目視により濡れ広がり性を確認する方法、画像処理
装置を用いて２値化を行い濡れ広がり性を測定する方
法、およびダイボンドペースト４００…が銀粉を含んで
いる場合に透過Ｘ線装置を用いて濡れ広がり性を測定す
る方法のいずれも、半導体チップ５００をダイパッド３
００の上に一旦固定し、事後的にダイボンドペースト４
００の濡れ広がり性の評価を行う方法である。However, the above-mentioned conventional method for visually confirming the wet spreading property, a method for measuring the wet spreading property by binarization using an image processing apparatus, and the method for forming the die bond paste 400 using silver powder. In any of the methods for measuring the wet spreadability using a transmission X-ray apparatus when the semiconductor chip 500 contains
00, and then die-bond paste 4
This is a method for evaluating the wet spreadability of No. 00.
【００１６】すなわち、ダイボンドペースト４００によ
る半導体チップ５００とリードフレーム１００との付着
状態の評価のために半導体チップ５００をリードフレー
ム１００の上に固定し、半導体チップ５００裏面でのダ
イボンドペースト４００の付着面積を評価する場合に
は、その半導体チップ５００を引き剥がす必要があり、
非常に手間がかかるという問題が生じる。That is, the semiconductor chip 500 is fixed on the lead frame 100 in order to evaluate the state of adhesion between the semiconductor chip 500 and the lead frame 100 by the die bond paste 400, and the adhesion area of the die bond paste 400 on the back surface of the semiconductor chip 500. When it is evaluated, it is necessary to peel off the semiconductor chip 500,
There is a problem that it takes much time and effort.
【００１７】本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされ
たものであって、その目的は、半導体チップとリードフ
レームとの付着状態の評価を容易に評価することができ
るダイボンドペーストの付着評価方法、ダイボンド方
法、およびダイボンド装置を提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and has as its object to provide a method for evaluating the adhesion of a die bond paste which can easily evaluate the state of adhesion between a semiconductor chip and a lead frame. To provide a die bonding method and a die bonding apparatus.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】本発明のダイボンドペー
ストの付着評価方法は、上記課題を解決するために、半
導体チップをリードフレームに固定する前に、リードフ
レームのダイパッド上に塗布されたダイボンドペースト
の体積を測定し、その測定結果に基づいてダイボンドペ
ーストによる半導体チップとリードフレームとの付着状
態を評価することを特徴としている。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, a method for evaluating the adhesion of a die bond paste according to the present invention is a method for fixing a die bond paste on a die pad of a lead frame before fixing a semiconductor chip to the lead frame. Is characterized by measuring the volume of the semiconductor chip and evaluating the state of adhesion between the semiconductor chip and the lead frame by the die bond paste based on the measurement result.
【００１９】上記の発明によれば、半導体チップをリー
ドフレームに固定する前に、塗布されたダイボンドペー
ストの体積を測定することにより、ダイボンドペースト
による半導体チップとリードフレームとの付着状態を評
価する。According to the above invention, before fixing the semiconductor chip to the lead frame, the adhesion state between the semiconductor chip and the lead frame by the die bond paste is evaluated by measuring the volume of the applied die bond paste.
【００２０】したがって、従来の付着状態の評価のため
に必要とされていた、半導体チップをリードフレームに
固定する作業とその後の作業とを省略することができ
る。さらに、半導体チップを障害にすることなく、塗布
したダイボンドペーストの体積を直接測定することがで
き、測定の信頼性が向上する。Therefore, the operation for fixing the semiconductor chip to the lead frame and the subsequent operation, which are required for the conventional evaluation of the adhesion state, can be omitted. Further, the volume of the applied die bond paste can be directly measured without hindering the semiconductor chip, and the reliability of the measurement is improved.
【００２１】これにより、半導体チップとリードフレー
ムとの付着状態の評価を容易に行うことができる。Thus, the state of adhesion between the semiconductor chip and the lead frame can be easily evaluated.
【００２２】また、本発明のダイボンドペーストの付着
評価方法は、上記課題を解決するために、上記のダイボ
ンドペーストの付着評価方法において、リードフレーム
のダイパッド上に塗布されたダイボンドペーストの体積
を測定することにより、ダイボンドペーストの半導体チ
ップへの濡れ広がり性を予測することを特徴としてい
る。In order to solve the above problems, the method for evaluating the adhesion of a die bond paste according to the present invention measures the volume of the die bond paste applied on a die pad of a lead frame in the method for evaluating the adhesion of a die bond paste. Thus, the feature is to predict the spreadability of the die bond paste on the semiconductor chip.
【００２３】すなわち、本発明者においては、塗布され
たダイボンドペーストの体積と、ダイボンドペーストの
濡れ広がり性との関係を検証し、それら２つの物性値の
関係が良好な線型性を示すことを確認した。その結果、
塗布された体積を直接的に測定することにより、濡れ広
がり性を評価することができることを確認した。That is, the present inventors have verified the relationship between the volume of the applied die-bonding paste and the spreadability of the die-bonding paste, and confirmed that the relationship between these two physical properties shows good linearity. did. as a result,
It was confirmed that the wet spreading property can be evaluated by directly measuring the applied volume.
【００２４】また、濡れ広がり性と、リードフレームと
半導体チップとの固定状態とはもともと相関関係があ
る。すなわち、塗布されたダイボンドペーストの体積か
ら、リードフレームと半導体チップとの固定状態を知る
ことができる。Also, there is a correlation between the wet spreading property and the fixed state of the lead frame and the semiconductor chip from the beginning. That is, the fixed state of the lead frame and the semiconductor chip can be known from the volume of the applied die bond paste.
【００２５】これにより、半導体チップをリードフレー
ムに固定する前に、リードフレームと半導体チップとの
固定状態を知ることができる。Thus, before the semiconductor chip is fixed to the lead frame, the fixing state between the lead frame and the semiconductor chip can be known.
【００２６】また、本発明のダイボンドペーストの付着
評価方法は、上記課題を解決するために、上記のいずれ
かのダイボンドペーストの付着評価方法において、塗布
されたダイボンドペーストの体積をレーザ変位測定器に
より測定することを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, a method for evaluating the adhesion of a die bond paste according to the present invention is the method for evaluating the adhesion of a die bond paste according to any one of the above, wherein the volume of the applied die bond paste is measured by a laser displacement measuring device. It is characterized by measuring.
【００２７】上記の発明によれば、レーザ変位測定器に
より、ダイボンドペーストの体積を測定する。According to the above invention, the volume of the die bond paste is measured by the laser displacement measuring device.
【００２８】レーザ変位測定器によれば、ダイボンドペ
ーストの体積を容易に測定できるとともに、精度良く体
積を測定することができる。According to the laser displacement measuring device, the volume of the die bond paste can be easily measured, and the volume can be accurately measured.
【００２９】また、リードフレームに半導体チップを最
適に固定するダイボンドペーストの濡れ広がり性に基づ
いて、その最適な濡れ広がり性を与えるダイボンドペー
ストの塗布体積をより的確に把握することができる。Further, based on the wet-spreading property of the die-bonding paste for optimally fixing the semiconductor chip to the lead frame, the applied volume of the die-bonding paste giving the optimum wet-spreading property can be grasped more accurately.
【００３０】これにより、その最適なダイボンドペース
トの塗布体積をディスペンサーにフィードバックし塗布
条件を調整することで、より効率的なダイボンドを行う
ことが可能となる。Thus, by feeding back the optimum die-bonding paste application volume to the dispenser and adjusting the coating conditions, more efficient die-bonding can be performed.
【００３１】また、本発明のダイボンド方法は、上記課
題を解決するために、上記のいずれかのダイボンドペー
ストの付着評価方法による評価に基づいて、ダイボンド
ペーストの塗布条件を設定してダイボンドを行うことを
特徴としている。According to the die bonding method of the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, the die bonding is performed by setting the application conditions of the die bonding paste based on the evaluation by any one of the die bonding paste adhesion evaluation methods. It is characterized by.
【００３２】上記の発明によれば、ダイボンドペースト
の付着評価方法による評価に基づいて、ダイボンドペー
ストの塗布条件を設定する。According to the invention, the application condition of the die bond paste is set based on the evaluation by the die bond paste adhesion evaluation method.
【００３３】すなわち、一旦良好なダイボンドペースト
の付着状態を得た後は、その付着状態を得ることができ
る塗布条件を設定してダイボンドを自動で行うので、良
好な付着状態を維持することができる。That is, once a good adhesion state of the die bond paste is obtained, application conditions for obtaining the adhesion state are set, and the die bonding is automatically performed, so that the good adhesion state can be maintained. .
【００３４】これにより、良好なダイボンドペーストの
付着状態を維持してダイボンドを容易に行うことができ
る。Thus, it is possible to easily carry out die bonding while maintaining a good adhesion state of the die bonding paste.
【００３５】また、本発明のダイボンド方法は、上記課
題を解決するために、上記のダイボンド方法において、
予め設定したロット数毎にダイボンドペーストの付着状
態の評価を行うとともに、ロットの付着状態の評価に基
づいて上記ロット数を変更することを特徴としている。Further, in order to solve the above-mentioned problems, the die bonding method of the present invention is characterized in that:
The method is characterized in that the adhesion state of the die bond paste is evaluated for each preset lot number, and the lot number is changed based on the evaluation of the lot adhesion state.
【００３６】上記の発明によれば、付着状態の評価に基
づいて付着状態の評価を行うダイボンドペーストのロッ
ト数を変更する。According to the above invention, the lot number of the die bond paste for which the evaluation of the adhesion state is performed based on the evaluation of the adhesion state is changed.
【００３７】例えば、良好な付着状態を得ていないと評
価した場合には、付着状態の評価を行うダイボンドペー
ストのロット数を少なくする。すなわち、付着状態を評
価する頻度を高くすることにより、塗布条件を確認する
機会を増やし、良好な付着状態を短時間にて得ることが
できる。For example, when it is evaluated that a good adhesion state is not obtained, the number of die bond paste lots for which the adhesion state is evaluated is reduced. That is, by increasing the frequency of evaluating the adhesion state, the chances of checking the application conditions are increased, and a good adhesion state can be obtained in a short time.
【００３８】一方、良好な付着状態を得ていると評価し
た場合には、付着状態の評価を行うダイボンドペースト
のロット数を増やす。すなわち、付着状態を評価する頻
度を低くすることにより、付着状態の評価に要する工数
を低減することができる。On the other hand, when it is evaluated that a good adhesion state is obtained, the number of die bond paste lots for which the adhesion state is evaluated is increased. That is, by reducing the frequency of evaluating the attached state, the number of steps required for evaluating the attached state can be reduced.
【００３９】これにより、より効率的にダイボンド工程
の工程管理を行うことができる。Thus, the process management of the die bonding process can be performed more efficiently.
【００４０】また、本発明のダイボンド装置は、上記課
題を解決するために、上記のいずれかのダイボンド方法
を用いることを特徴としている。Further, a die bonding apparatus of the present invention is characterized by using any one of the above die bonding methods in order to solve the above problems.
【００４１】上記の発明によれば、良好なダイボンドペ
ーストの付着状態のダイボンドを容易に維持することが
でき、より効率的にダイボンド工程の工程管理を行うこ
とが可能となる。According to the above-mentioned invention, it is possible to easily maintain a good die-bonding state of the die-bonding paste, and to more efficiently manage the die-bonding process.
【００４２】[0042]
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態について添
付する図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
【００４３】図示しない半導体素子のアセンブリ工程で
は、先ず、図示しないウェハーをダイシングし、所定の
サイズに切断する。次に、図３に示すように、この所定
のサイズに切断された半導体チップ５をリードフレーム
１のアイランド２におけるダイパッド３に固定する前
に、図２に示すように、ダイボンドペースト４…をリー
ドフレーム１のアイランド２におけるダイパッド３上に
塗布する。ここで、ダイパッド３上に塗布するダイボン
ドペースト４…の量は、以下の（ステップ１）〜（ステ
ップ５）を踏むことにより決定される。In the process of assembling a semiconductor element (not shown), first, a wafer (not shown) is diced and cut into a predetermined size. Next, as shown in FIG. 3, before fixing the semiconductor chip 5 cut into a predetermined size to the die pad 3 in the island 2 of the lead frame 1, the die bond paste 4 is lead-out as shown in FIG. It is applied on the die pad 3 in the island 2 of the frame 1. Here, the amount of the die bond paste 4 to be applied on the die pad 3 is determined by performing the following (Step 1) to (Step 5).
【００４４】（ステップ１）ダイボンドペースト４…の
入ったディスペンサーのノズルから塗布したペーストの
形状がリードフレーム１上のダイパッド３に均一に塗布
されることを確認する。なお、ここで用いるディスペン
サーは、上記した特開平１０−２９６１５８号公報に記
載されているような、塗布圧力と塗布時間とを調整する
ことによりダイボンドペースト４…の体積を制御するこ
とができるディスペンサーを用いる。(Step 1) It is confirmed that the shape of the paste applied from the nozzle of the dispenser containing the die bond paste 4 is uniformly applied to the die pad 3 on the lead frame 1. The dispenser used here is a dispenser that can control the volume of the die bond paste 4 by adjusting the application pressure and the application time as described in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-296158. Used.
【００４５】また、ダイボンドペースト４…は、導電性
の充填剤および有機溶剤を含むものを用いる。以下の表
１に、本実施の形態で用いるダイボンドペースト４…の
主成分とその割合を示す。併せて、ダイボンドペースト
４…を加熱硬化する際の硬化条件の一例を示す。As the die bond pastes 4, a paste containing a conductive filler and an organic solvent is used. Table 1 below shows the main components of the die bond pastes 4 used in the present embodiment and their ratios. In addition, an example of the curing conditions when the die bond pastes 4 are cured by heating is shown.
【００４６】[0046]
【表１】 [Table 1]
【００４７】（ステップ２）リードフレーム１上のダイ
パッド３に塗布されたダイボンドペースト４…の分布と
付着状態とを確認するため、図１に示すように、レーザ
変位測定器６を用いて、ステージ７に載置されたリード
フレーム１における所定の計測域を格子状に数μｍ間隔
でスキャンニングする。なお、このスキャンニングにお
いては、レーザ変位測定器６とリードフレーム１とは非
接触状態でスキャンニングされる。(Step 2) In order to confirm the distribution and adhesion state of the die bond pastes 4 applied to the die pads 3 on the lead frame 1, as shown in FIG. A predetermined measurement area on the lead frame 1 placed on the scanning unit 7 is scanned in a grid pattern at intervals of several μm. In this scanning, the laser displacement measuring device 6 and the lead frame 1 are scanned in a non-contact state.
【００４８】スキャンニングされた情報は、ＣＣＤ(Cha
rge Coupled Device) センサ８と画像処理装置９とによ
り、画像モニター１０において画像化される。この画像
モニター１０における画像から、ダイパッド３の表面に
塗布されたダイボンドペースト４…の凹凸を計測する。
なお、以下の表２に、本実施の形態で用いるレーザ変位
測定器６の仕様を示す。The scanned information is stored in a CCD (Cha
(rge Coupled Device) The image is formed on the image monitor 10 by the sensor 8 and the image processing device 9. The irregularities of the die bond pastes 4 applied to the surface of the die pad 3 are measured from the image on the image monitor 10.
Table 2 below shows the specifications of the laser displacement measuring device 6 used in the present embodiment.
【００４９】[0049]
【表２】 [Table 2]
【００５０】また、レーザ変位測定器６は、被測定物、
すなわちダイボンドペースト４…に対してレーザ光を照
射するとともに、該レーザ光がダイボンドペースト４…
の表面で反射した散乱光を受光することにより、後述す
るようにダイボンドペースト４…の寸法、体積等の物性
値を測定することができる。Further, the laser displacement measuring device 6 comprises an object to be measured,
That is, the laser light is applied to the die bond pastes 4 and the laser light is irradiated with the laser light.
By receiving the scattered light reflected on the surface of the die bond paste, it is possible to measure physical properties such as dimensions and volume of the die bond paste 4 as described later.
【００５１】（ステップ３）上記ステップ２におけるレ
ーザ変位測定器６における測定において、ディスペンサ
ーのノズルからリードフレーム１のダイパッド３内に塗
布された個々のダイボンドペースト４…の縦、横、高さ
の寸法を測定する。さらに、個々のダイボンドペースト
４…の体積も測定する。(Step 3) In the measurement by the laser displacement measuring device 6 in the above step 2, the length, width and height dimensions of the individual die bond pastes 4 applied to the die pad 3 of the lead frame 1 from the nozzle of the dispenser are measured. Is measured. Further, the volume of each die bond paste 4 is also measured.
【００５２】（ステップ４）上記のように測定されたダ
イボンドペースト４…の体積と、予め設定されているダ
イボンドペースト４…の最適体積とを比較する。なお、
ダイボンドペースト４…の最適体積は、ダイパッド３上
に固定される半導体チップ５の面積に基づいて予め決定
されるものである。(Step 4) The volume of the die bond paste 4 measured as described above is compared with a preset optimum volume of the die bond paste 4. In addition,
The optimum volume of the die bond paste 4 is determined in advance based on the area of the semiconductor chip 5 fixed on the die pad 3.
【００５３】（ステップ５）レーザ変位測定器６の測定
されたダイボンドペースト４…の体積と、予め設定され
たダイボンドペースト４…の最適体積とに差がある場合
は、図示しない制御器からディスペンサーへ、塗布する
ダイボンドペースト４…の体積の増減の指示を与える。
ディスペンサーは、与えられた指示に基づき、塗布条件
を調整することにより、塗布するダイボンドペースト４
…の体積が最適体積に近づくように制御する。(Step 5) When there is a difference between the volume of the die bond paste 4 measured by the laser displacement measuring device 6 and the preset optimum volume of the die bond paste 4, a controller (not shown) transfers the dispenser. , An instruction to increase or decrease the volume of the die bond paste 4 to be applied.
The dispenser adjusts the application conditions based on the given instructions to thereby apply the die bond paste 4 to be applied.
.. Are controlled so as to approach the optimum volume.
【００５４】上記の（ステップ１）〜（ステップ５）に
より、ダイパッド３上に塗布するダイボンドペースト４
…の塗布量が決定される。According to the above (Step 1) to (Step 5), the die bond paste 4 applied on the die pad 3
Are determined.
【００５５】次に、ダイボンドペースト４…を塗布する
際に、その塗布量を上記のように決定された塗布量にて
安定化させるための方法について説明する。Next, a method for stabilizing the amount of application of the die bond pastes 4 at the amount determined as described above will be described.
【００５６】上記の塗布量を安定化させるための方法に
ついては、ダイボンドペーストの塗布に際しての塗布
条件の決定、ダイボンド作業の実施に分けて説明す
る。The method for stabilizing the amount of application described above will be described separately for the determination of the application conditions when applying the die bond paste and the execution of the die bond operation.
【００５７】ダイボンドペーストの塗布に際しての塗
布条件の決定 まず、ディスペンサーの塗布圧力と塗布時間（塗布条
件）とを仮決定し、その塗布条件でダイボンドペースト
４…を塗布し、その体積を計測する。その後、半導体チ
ップ５をダイボンドし、濡れ広がり性を後述する実施例
のように計測する。Determination of Application Conditions for Application of Die Bond Paste First, the application pressure and application time (application conditions) of the dispenser are temporarily determined, and the die bond paste 4 is applied under the application conditions, and the volume is measured. Thereafter, the semiconductor chip 5 is die-bonded, and the wet spreadability is measured as in the examples described later.
【００５８】塗布されたダイボンドペースト４の濡れ広
がり性が管理幅内である場合は、仮決定したものと同じ
塗布条件で、当面のディスペンサーの塗布条件を設定す
る。一方、塗布されたダイボンドペースト４の濡れ広が
り性が管理幅外である場合は、塗布条件の仮決定から再
度実施し、ダイボンドペースト４の濡れ広がり性が管理
幅に納まるようにする。When the spreadability of the applied die bond paste 4 is within the control range, the application conditions of the dispenser for the time being are set under the same application conditions as tentatively determined. On the other hand, if the wet spread property of the applied die bond paste 4 is out of the control range, the process is performed again from the provisional determination of the application condition so that the wet spread property of the die bond paste 4 falls within the control range.
【００５９】ダイボンド作業の実施 先ず、半導体チップ５のサイズに対応して、塗布すべき
ダイボンドペースト４…の塗布量を特定する。この塗布
量にて塗布を行うように、当面のディスペンサーの塗布
条件を設定する。Implementation of Die Bonding Operation First, the amount of the die bond paste 4 to be applied is specified according to the size of the semiconductor chip 5. The application condition of the dispenser for the time being is set so that application is performed with this application amount.
【００６０】そして、個々のダイボンドペースト４…を
塗布したのちに、ダイボンドペースト４…の塗布量を計
測し、設定した塗布量と個々に計測した塗布量とを比較
する。After the individual die bond pastes 4 are applied, the application amount of the die bond pastes 4 is measured, and the set application amount is compared with the individually measured application amount.
【００６１】計測した塗布量が設定した塗布量の管理幅
内であれば、このとき設定されている塗布条件でダイボ
ンドを継続する。If the measured application amount is within the set application amount management range, the die bonding is continued under the application conditions set at this time.
【００６２】一方、計測した塗布量が設定した塗布量の
管理幅外であれば、ディスペンサーの塗布条件の再調整
を行う。そして、再調整された塗布条件にて塗布された
ダイボンドペースト４…の塗布量を計測し、計測された
塗布量が管理幅内に納まるようにする。On the other hand, if the measured application amount is outside the set application amount management range, the application condition of the dispenser is readjusted. Then, the application amount of the die bond pastes 4 applied under the readjusted application conditions is measured so that the measured application amount falls within the management range.
【００６３】上記のように、ダイボンドペーストの塗
布に際しての塗布条件の決定と、ダイボンド作業の実
施とを行うことにより、ダイボンドペースト４…の塗布
量を安定化することができる。As described above, the application amount of the die bond paste 4 can be stabilized by determining the application conditions when applying the die bond paste and performing the die bonding operation.
【００６４】このように、本実施の形態のダイボンドペ
ースト４…の付着評価方法は、半導体チップ５をリード
フレーム１に固定する前に、リードフレーム１のダイパ
ッド３上に塗布されたダイボンドペースト４…の体積を
測定し、その測定結果に基づいてダイボンドペースト４
による半導体チップ５とリードフレーム１との付着状態
を評価する方法である。As described above, the method for evaluating the adhesion of the die bond pastes 4 according to the present embodiment uses the die bond pastes 4 applied on the die pads 3 of the lead frame 1 before the semiconductor chip 5 is fixed to the lead frame 1. Of the die bond paste 4 based on the measurement result.
This is a method for evaluating the state of adhesion between the semiconductor chip 5 and the lead frame 1 by the method described above.
【００６５】したがって、塗布されたダイボンドペース
ト４…の体積を測定することにより、従来の付着状態の
評価のために必要とされていた、半導体チップ５をリー
ドフレーム１に固定する作業とその後の作業とを省略す
ることができる。さらに、半導体チップ５を障害にする
ことなく、塗布したダイボンドペースト４…の体積を直
接測定することができ、測定の信頼性が向上する。Therefore, by measuring the volume of the applied die bond paste 4..., The operation for fixing the semiconductor chip 5 to the lead frame 1 and the subsequent operation, which have been required for the evaluation of the adhesion state in the related art, are performed. Can be omitted. Further, the volume of the applied die bond paste 4 can be directly measured without hindering the semiconductor chip 5, and the reliability of the measurement is improved.
【００６６】よって、半導体チップ５とリードフレーム
１との付着状態の評価を容易に行うことができる。Therefore, the state of adhesion between the semiconductor chip 5 and the lead frame 1 can be easily evaluated.
【００６７】また、本実施の形態のダイボンドペースト
４…の付着評価方法は、上記のダイボンドペースト４…
の付着評価方法において、リードフレーム１のダイパッ
ド３上に塗布されたダイボンドペースト４…の体積を測
定することにより、ダイボンドペースト４の半導体チッ
プ５への濡れ広がり性を予測する方法である。The method for evaluating the adhesion of the die bond pastes 4 according to the present embodiment is described above.
Is a method of estimating the wet spread of the die bond paste 4 on the semiconductor chip 5 by measuring the volume of the die bond paste 4 applied on the die pad 3 of the lead frame 1.
【００６８】したがって、塗布されたダイボンドペース
ト４…の体積から、リードフレーム１と半導体チップ５
との固定状態を知ることができる。Therefore, the lead frame 1 and the semiconductor chip 5 are determined based on the volume of the applied die bond paste 4.
Can be known.
【００６９】よって、半導体チップ５をリードフレーム
１に固定する前に、リードフレーム１と半導体チップ５
との固定状態を知ることができる。Therefore, before fixing the semiconductor chip 5 to the lead frame 1, the lead frame 1 and the semiconductor chip 5
Can be known.
【００７０】また、本実施の形態のダイボンドペースト
４…の付着評価方法は、上記のいずれかのダイボンドペ
ースト４…の付着評価方法において、塗布されたダイボ
ンドペースト４…の体積をレーザ変位測定器６により測
定する方法である。The method for evaluating the adhesion of the die bond pastes 4 according to the present embodiment is the same as the method for evaluating the adhesion of the die bond pastes 4. This is a method of measuring by:
【００７１】よって、ダイボンドペースト４…の体積を
容易に測定できるとともに、精度良く体積を測定するこ
とができる。Therefore, the volume of the die bond pastes 4 can be easily measured, and the volume can be accurately measured.
【００７２】また、リードフレーム１に半導体チップ５
を最適に固定するダイボンドペースト４の濡れ広がり性
に基づいて、その最適な濡れ広がり性を与えるダイボン
ドペースト４…の塗布体積をより的確に把握することが
できる。The semiconductor chip 5 is mounted on the lead frame 1.
Can be more accurately grasped on the basis of the wet-spreading property of the die-bonding paste 4 that optimally fixes the paste.
【００７３】よって、その最適なダイボンドペースト４
…の塗布体積をディスペンサーにフィードバックし塗布
条件を調整することで、より効率的なダイボンドを行う
ことができる。Therefore, the optimum die bond paste 4
By feeding back the application volume of... To the dispenser and adjusting the application conditions, more efficient die bonding can be performed.
【００７４】また、本実施の形態のダイボンド方法は、
上記のいずれかのダイボンドペースト４…の付着評価方
法による評価に基づいて、ダイボンドペースト４…の塗
布条件を設定してダイボンドを行う方法である。Further, the die bonding method of the present embodiment
In this method, the die bonding is performed by setting the application conditions of the die bond pastes 4 based on the evaluation by any one of the die bond pastes 4.
【００７５】よって、一旦良好なダイボンドペースト４
…の付着状態を得た後は、その付着状態を得ることがで
きる塗布条件にてダイボンドを自動で行うので、良好な
付着状態を維持することができる。Therefore, once the good die bond paste 4
After obtaining the attached state, the die bonding is automatically performed under the application conditions capable of obtaining the attached state, so that a good attached state can be maintained.
【００７６】これにより、良好なダイボンドペースト４
…の付着状態を維持してダイボンドを容易に行うことが
できる。Thus, a good die bond paste 4 was obtained.
The die bonding can be easily performed while maintaining the adhesion state of.
【００７７】また、本実施の形態のダイボンド方法は、
上記のダイボンド方法において、予め設定したロット数
毎にダイボンドペースト４…の付着状態の評価を行うと
ともに、ロットの付着状態の評価に基づいて上記ロット
数を変更する方法である。Further, the die bonding method of the present embodiment
In the above-described die bonding method, a method of evaluating the adhesion state of the die bond paste 4 for each preset number of lots and changing the number of lots based on the evaluation of the adhesion state of the lots.
【００７８】例えば、良好な付着状態を得ていないと評
価した場合には、付着状態の評価を行うダイボンドペー
スト４…のロット数を少なくする。すなわち、付着状態
を評価する頻度を高くすることにより、塗布条件を確認
する機会を増やし、良好な付着状態を短時間にて得るこ
とができる。For example, when it is evaluated that a good adhesion state is not obtained, the number of lots of the die bond pastes 4 for evaluating the adhesion state is reduced. That is, by increasing the frequency of evaluating the adhesion state, the chances of checking the application conditions are increased, and a good adhesion state can be obtained in a short time.
【００７９】一方、良好な付着状態を得ていると評価し
た場合には、付着状態の評価を行うダイボンドペースト
４…のロット数を増やす。すなわち、付着状態を評価す
る頻度を低くすることにより、付着状態の評価に要する
工数を低減することができる。On the other hand, when it is evaluated that a good adhesion state is obtained, the number of lots of the die bond pastes 4 for evaluating the adhesion state is increased. That is, by reducing the frequency of evaluating the attached state, the number of steps required for evaluating the attached state can be reduced.
【００８０】よって、より効率的にダイボンド工程の工
程管理を行うことができる。Therefore, the process management of the die bonding process can be performed more efficiently.
【００８１】また、本実施の形態の図示しないダイボン
ド装置は、上記のいずれかのダイボンド方法を用いるも
のである。A die bonding apparatus (not shown) according to the present embodiment uses any one of the die bonding methods described above.
【００８２】よって、良好なダイボンドペースト４…の
付着状態のダイボンドを容易に維持することができ、よ
り効率的にダイボンド工程の工程管理を行うことができ
る。Therefore, it is possible to easily maintain a good die-bonding state of the die-bonding pastes 4... And to more efficiently manage the die-bonding process.
【００８３】なお、本実施の形態においては、後述する
ようにダイボンド後の濡れ体積の測定が、ダイボンドペ
ースト４…による半導体チップ５とリードフレーム１と
の付着状態の評価へ適応可能であるか否かの評価を行っ
たが、ダイボンドペースト４の他の物性値を用いて評価
を行うことも可能である。例えば、リードフレーム１と
ダイボンドペースト４との固着力や、ダイボンドペース
ト４…の重量を、半導体チップ５をリードフレーム１に
固定する前に測定することにより、ダイボンドペースト
４…による半導体チップ５とリードフレーム１との付着
状態の評価を行ってもよい。In this embodiment, whether or not the measurement of the wetting volume after die bonding is applicable to the evaluation of the state of adhesion between semiconductor chip 5 and lead frame 1 by die bonding pastes 4 as will be described later. However, the evaluation can be performed using other physical property values of the die bond paste 4. For example, by measuring the adhesive force between the lead frame 1 and the die bond paste 4 and the weight of the die bond paste 4 before fixing the semiconductor chip 5 to the lead frame 1, the semiconductor chip 5 and the lead by the die bond paste 4 are measured. The state of adhesion to the frame 1 may be evaluated.
【００８４】また、本発明のダイボンドペーストの付着
評価方法は、ダイボンド工程でのダイボンドペーストの
塗布に際して、レーザ変位測定器を用いて平面スキャン
を行い、その測定結果からぺーストの塗布体積、塗布面
積、塗布高さを計算して、ダイボンドペーストの付着状
態を判断する方法である。In the method for evaluating the adhesion of the die bond paste according to the present invention, when applying the die bond paste in the die bonding step, a plane scan is performed using a laser displacement measuring instrument, and the paste application volume and the application area are determined from the measurement results. In this method, the application height is calculated to determine the adhesion state of the die bond paste.
【００８５】上記の方法によれば、レーザ変位測定器で
塗布されたぺーストを２次元的にスキャンすることによ
り、塗布されたペーストの体積が計算できる。According to the above-described method, the paste applied by the laser displacement measuring device is two-dimensionally scanned, so that the volume of the applied paste can be calculated.
【００８６】したがって、人手で目視にて判断するより
も精確で高速な処理ができる。また、スキャン自体の高
速化も測定系のソフトおよびハードの改良で、今後さら
に高速化が可能であるという効果を奏する。Therefore, more accurate and faster processing can be performed as compared with the case where the judgment is made by hand. In addition, the speed of the scan itself can be increased by improving the software and hardware of the measurement system, and the speed can be further increased in the future.
【００８７】さらに、条件出しからアセンブリ完了まで
を全自動にもできるので、ダイボンド工程のシステムト
ータルとしての高速化の要求に応えられる。Further, since the process from condition setting to assembly completion can be performed fully automatically, it is possible to meet the demand for a high-speed system as a whole in the die bonding process.
【００８８】それゆえ、塗布するダイボンドペースト４
の量を設定することにより、アセンブリ工程を低コスト
で安定的に行い、レーザ変位測定器で塗布されたぺース
トの体積、平面積、高さを求めて最適な塗布条件を判定
することができるという効果を奏する。Therefore, the die bond paste 4 to be applied
By setting the amount, the assembly process can be performed stably at low cost, and the optimal application conditions can be determined by obtaining the volume, plane area, and height of the paste applied by the laser displacement measuring device. This has the effect.
【００８９】また、本発明のダイボンド方法は、レーザ
変位測定器をダイボンド装置に装着し、ダイボンドを自
動で行う方法である。The die bonding method of the present invention is a method in which a laser displacement measuring device is mounted on a die bonding apparatus and die bonding is performed automatically.
【００９０】上記のダイボンド方法によれば、塗布条件
を一旦決めておいて、その後は一々チェックせずに同じ
条件で生産を行うことができる。According to the above-mentioned die bonding method, once the application conditions are determined, the production can be performed under the same conditions without checking each time.
【００９１】それゆえ、量産に於いて、簡便な方式で適
正条件を決定できるとともに、人手を介さず高速に処理
ができるという効果を奏する。Therefore, in mass production, the appropriate conditions can be determined by a simple method, and the processing can be performed at high speed without human intervention.
【００９２】また、本発明のダイボンド方法は、レーザ
変位測定器を備えたダイボンド装置を用いて、ダイボン
ドペーストの塗布条件を複数個単位で（ロット単位で）
条件出しを行う方法である。Further, the die bonding method of the present invention uses a die bonding apparatus equipped with a laser displacement measuring device to adjust the application conditions of the die bonding paste in plural units (in lot units).
This is a method for setting conditions.
【００９３】上記のダイボンド方法によれば、ばらつき
の大きいぺーストの塗布工程において、条件出しを一々
チェックした結果が、連続してその都度条件変更の必要
が無いと判断できたときには、その条件が安定した条件
であると判定できるし、以後のチェックを間引きチェッ
クができ、ひいてはトータルの生産工数が削減できる。According to the above-described die bonding method, in the paste application step with large variations, if the results of checking the conditions one by one determine that it is not necessary to continuously change the conditions each time, the conditions are determined. It is possible to judge that the conditions are stable, and to perform a thinning-out check on the subsequent checks, thereby reducing the total man-hours for production.
【００９４】それゆえ、効率的な工程管理ができるとい
う効果を奏する。Therefore, there is an effect that efficient process management can be performed.
【００９５】[0095]
【実施例】本発明におけるダイボンドペーストの付着評
価方法について、半導体チップとリードフレームとの付
着状態の評価へ適応可能であるか否かの検証を行ったの
で説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The method for evaluating the adhesion of a die bond paste according to the present invention will be described after verifying whether or not the method is applicable to the evaluation of the state of adhesion between a semiconductor chip and a lead frame.
【００９６】すなわち、本実施例においては、表３に示
すような条件を用いてダイボンドを行い、表４に示すよ
うな測定結果を得た。そして、表４に示すような測定結
果から、レーザ変位測定器６によるダイボンドペースト
４…の付着状態の評価が、半導体チップ５とリードフレ
ーム１との付着状態の評価へ適応可能であるか否かの検
証を行った。That is, in this example, die bonding was performed under the conditions shown in Table 3, and the measurement results shown in Table 4 were obtained. From the measurement results as shown in Table 4, it is determined whether or not the evaluation of the adhesion state of the die bond pastes 4 by the laser displacement measuring device 6 can be applied to the evaluation of the adhesion state of the semiconductor chip 5 and the lead frame 1. Was verified.
【００９７】より詳細に説明すれば、本実施例における
ダイボンドでは、表３に示すように、ダイボンドペース
ト４…の成分としては表１に示したものと同じ成分構成
のダイボンドペースト４…を用い、ディスペンサーの塗
布圧力としては、0.8 〜2.1×10-4Pa(0.09 〜0.21kgf/c
m2)とし、リードフレーム１として４２アロイ（42 Allo
y）を用いた。More specifically, in the die bonding in this embodiment, as shown in Table 3, the die bonding pastes 4 having the same composition as those shown in Table 1 were used as the components of the die bonding pastes 4. The application pressure of the dispenser is 0.8 to 2.1 × 10 -4 Pa (0.09 to 0.21 kgf / c
m 2 ) and 42 alloy (42 Allo)
y) was used.
【００９８】なお、４２アロイとは、従来からＭＯＳ
（Metal Oxide Semiconductor ）デバイス用として主に
使用されているFe-Ni 合金系のリードフレーム材料であ
り、Niを４２重量％含み、熱膨張率がSiと近似している
ことから、リードフレームとして使用されているもので
ある。The 42 alloy is a conventional MOS
(Metal Oxide Semiconductor) Fe-Ni alloy lead frame material mainly used for devices. Used as a lead frame because it contains 42% by weight of Ni and has a thermal expansion coefficient similar to that of Si. Is what is being done.
【００９９】[0099]
【表３】 [Table 3]
【０１００】上記表３に示した条件により、以下に示す
表４のような測定結果を得た。なお、表４においては、
ダイボンドペースト４…のサンプル１ないしサンプル５
について、ペースト径寸法とペースト高さとを、図示し
ない測定顕微鏡あるいはレーザ変位測定器６により計っ
た場合のデータを比較する形式で記載している。Under the conditions shown in Table 3 above, measurement results as shown in Table 4 below were obtained. In Table 4,
Samples 1 to 5 of die bond paste 4 ...
Is described in a format for comparing data when the paste diameter and the paste height are measured by a measuring microscope or a laser displacement measuring device 6 (not shown).
【０１０１】また、表４において、濡れ広がり性は、上
記したように、図３に示す半導体チップ５の面積に対す
るダイボンドペースト４…の塗布面積の割合を、実測し
て計算した値である。また、濡れ体積は、レーザ変位測
定器６により測定したダイボンドペースト４…の体積で
ある。In Table 4, the wetting and spreading property is a value calculated by actually measuring the ratio of the application area of the die bond paste 4 to the area of the semiconductor chip 5 shown in FIG. The wet volume is the volume of the die bond paste 4 measured by the laser displacement measuring device 6.
【０１０２】[0102]
【表４】 [Table 4]
【０１０３】表４に示す測定結果におけるサンプル２な
いしサンプル５については、図４に示すように、濡れ広
がり性と濡れ体積との関係が良好な線型性を示した。す
なわち、レーザ変位測定器６により濡れ体積を測定し、
濡れ体積に対応する濡れ広がり性を図４に示すグラフか
ら判断することにより、濡れ広がり性を把握することが
できる。As shown in FIG. 4, with regard to Samples 2 to 5 in the measurement results shown in Table 4, the relationship between the wet spreading property and the wet volume showed good linearity. That is, the wet volume is measured by the laser displacement measuring device 6,
By judging the wet spreading property corresponding to the wet volume from the graph shown in FIG. 4, the wet spreading property can be grasped.
【０１０４】また、濡れ広がり性を把握することによ
り、ダイボンドペースト４…による半導体チップ５とリ
ードフレーム１との付着状態の評価を十分に行うことが
できる。Further, by grasping the wet spreading property, the state of adhesion between the semiconductor chip 5 and the lead frame 1 by the die bond pastes 4 can be sufficiently evaluated.
【０１０５】したがって、本実施例においては、レーザ
変位測定器６によるダイボンドペースト４…の付着状態
の評価が、ダイボンドペースト４…による半導体チップ
５とリードフレーム１との付着状態の評価へ適応可能で
あると判断した。Therefore, in this embodiment, the evaluation of the adhesion state of the die bond pastes 4 by the laser displacement measuring device 6 can be applied to the evaluation of the adhesion state of the semiconductor chip 5 and the lead frame 1 by the die bond pastes 4. It was determined that there was.
【０１０６】[0106]
【発明の効果】本発明のダイボンドペーストの付着評価
方法は、以上のように、半導体チップをリードフレーム
に固定する前に、リードフレームのダイパッド上に塗布
されたダイボンドペーストの体積を測定し、その測定結
果に基づいてダイボンドペーストによる半導体チップと
リードフレームとの付着状態を評価する方法である。As described above, the method for evaluating the adhesion of the die bond paste according to the present invention measures the volume of the die bond paste applied on the die pad of the lead frame before fixing the semiconductor chip to the lead frame. This is a method for evaluating the state of adhesion between a semiconductor chip and a lead frame by a die bond paste based on a measurement result.
【０１０７】それゆえ、半導体チップとリードフレーム
との付着状態の評価を容易に行うことができるという効
果を奏する。Therefore, there is an effect that the state of adhesion between the semiconductor chip and the lead frame can be easily evaluated.
【０１０８】本発明のダイボンドペーストの付着評価方
法は、以上のように、上記のダイボンドペーストの付着
評価方法において、リードフレームのダイパッド上に塗
布されたダイボンドペーストの体積を測定することによ
り、ダイボンドペーストの半導体チップへの濡れ広がり
性を予測する方法である。As described above, the method for evaluating the adhesion of the die-bonding paste according to the present invention comprises measuring the volume of the die-bonding paste applied on the die pad of the lead frame in the method for evaluating the adhesion of the die-bonding paste. This is a method of estimating the wet spread of the semiconductor chip on the semiconductor chip.
【０１０９】それゆえ、上記のダイボンドペーストの付
着評価方法による効果に加えて、半導体チップをリード
フレームに固定する前に、リードフレームと半導体チッ
プとの固定状態を知ることができるという効果を奏す
る。Therefore, in addition to the effect of the above-described method for evaluating the adhesion of the die bond paste, there is an effect that the fixing state between the lead frame and the semiconductor chip can be known before the semiconductor chip is fixed to the lead frame.
【０１１０】本発明のダイボンドペーストの付着評価方
法は、以上のように、上記のいずれかのダイボンドペー
ストの付着評価方法において、塗布されたダイボンドペ
ーストの体積をレーザ変位測定器により測定する方法で
ある。As described above, the method for evaluating the adhesion of the die bond paste of the present invention is a method for measuring the volume of the applied die bond paste by using a laser displacement measuring device in any one of the methods for evaluating the adhesion of the die bond paste. .
【０１１１】それゆえ、上記のダイボンドペーストの付
着評価方法による効果に加えて、最適なダイボンドペー
ストの体積をディスペンサーにフィードバックし、より
効率的なダイボンドを行うことが可能という効果を奏す
る。Therefore, in addition to the effect obtained by the method for evaluating the adhesion of the die bond paste, an effect is obtained in which the optimum volume of the die bond paste is fed back to the dispenser, and more efficient die bonding can be performed.
【０１１２】本発明のダイボンド方法は、以上のよう
に、上記のいずれかのダイボンドペーストの付着評価方
法による評価に基づいて、ダイボンドペーストの塗布条
件を設定してダイボンドを行う方法である。As described above, the die bonding method of the present invention is a method of performing die bonding by setting the application conditions of the die bonding paste based on the evaluation by any one of the die bonding paste evaluation methods described above.
【０１１３】それゆえ、上記のダイボンドペーストの付
着評価方法による効果に加えて、良好なダイボンドペー
ストの付着状態を維持してダイボンドを容易に行うこと
ができるという効果を奏する。Therefore, in addition to the effect of the method for evaluating the adhesion of the die bond paste, there is an effect that the die bonding can be easily performed while maintaining a good adhesion state of the die bond paste.
【０１１４】本発明のダイボンド方法は、以上のよう
に、予め設定したロット数毎にダイボンドペーストの付
着状態の評価を行うとともに、ロットの付着状態の評価
に基づいて上記ロット数を変更する方法である。As described above, the die bonding method of the present invention is a method in which the adhesion state of the die bond paste is evaluated for each preset number of lots, and the lot number is changed based on the evaluation of the adhesion state of the lots. is there.
【０１１５】それゆえ、上記のダイボンド方法の効果に
加えて、より効率的にダイボンド工程の工程管理を行う
ことができるという効果を奏する。Therefore, in addition to the effects of the above-described die bonding method, there is an effect that the process management of the die bonding process can be performed more efficiently.
【０１１６】本発明のダイボンド装置は、以上のよう
に、上記のいずれかのダイボンド方法を用いるものであ
る。As described above, the die bonding apparatus of the present invention uses any one of the die bonding methods described above.
【０１１７】それゆえ、上記のダイボンド方法による効
果に加えて、良好なダイボンドペーストの付着状態のダ
イボンドを容易に維持することができ、より効率的にダ
イボンド工程の工程管理を行うことが可能となるという
効果を奏する。Therefore, in addition to the effect of the above-described die bonding method, it is possible to easily maintain a good die bonding state of the die bonding paste, and to more efficiently manage the die bonding process. This has the effect.
【図１】本発明におけるダイボンドペーストの付着評価
方法の実施の一形態を説明するための構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram for explaining an embodiment of a method for evaluating the adhesion of a die bond paste in the present invention.
【図２】上記ダイボンドペーストの付着評価方法に用い
るリードフレームにダイボンドペーストを塗布した状態
を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a state in which a die bond paste is applied to a lead frame used in the method for evaluating the adhesion of the die bond paste.
【図３】上記ダイボンドペーストの付着評価方法に用い
るリードフレームにダイボンドペーストにより半導体チ
ップを固定した状態を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a state in which a semiconductor chip is fixed to a lead frame used in the method for evaluating the adhesion of the die bond paste by the die bond paste.
【図４】上記ダイボンドペーストの付着評価方法におけ
る濡れ広がり性と濡れ体積との関係を示すグラフであ
る。FIG. 4 is a graph showing the relationship between wet spreadability and wet volume in the method for evaluating the adhesion of a die bond paste.
【図５】従来のダイボンドペーストの付着評価方法に用
いるリードフレームにダイボンドペーストを塗布した状
態を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing a state in which a die bond paste is applied to a lead frame used in a conventional die bond paste adhesion evaluation method.
【図６】従来のダイボンドペーストの付着評価方法に用
いるリードフレームにダイボンドペーストにより半導体
チップを固定した状態を示す平面図である。FIG. 6 is a plan view showing a state in which a semiconductor chip is fixed to a lead frame used in a conventional method for evaluating the adhesion of a die bond paste by a die bond paste.
１ リードフレーム ３ ダイパッド ４ ダイボンドペースト ５ 半導体チップ ６ レーザ変位測定器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Lead frame 3 Die pad 4 Die bond paste 5 Semiconductor chip 6 Laser displacement measuring instrument
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA06 AA59 CC26 FF11 FF31 GG06 JJ26 MM06 QQ21 QQ31 RR08 UU05 4D075 AC06 AC91 AC93 CA12 CA22 CA47 DA06 DB14 DC22 EA14 EA31 EA35 EB33 5F047 AA11 BB11 FA22 FA77 FA83 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2F065 AA06 AA59 CC26 FF11 FF31 GG06 JJ26 MM06 QQ21 QQ31 RR08 UU05 4D075 AC06 AC91 AC93 CA12 CA22 CA47 DA06 DB14 DC22 EA14 EA31 EA35 EB33 5F047 AA11 FA8322 FA
Claims (6)
前に、リードフレームのダイパッド上に塗布されたダイ
ボンドペーストの体積を測定し、その測定結果に基づい
てダイボンドペーストによる半導体チップとリードフレ
ームとの付着状態を評価することを特徴とするダイボン
ドペーストの付着評価方法。1. A method of measuring the volume of a die bond paste applied on a die pad of a lead frame before fixing the semiconductor chip to the lead frame, and adhering the semiconductor chip and the lead frame by the die bond paste based on the measurement result. A method for evaluating the adhesion of a die bond paste, comprising evaluating a state.
たダイボンドペーストの体積を測定することにより、ダ
イボンドペーストの半導体チップへの濡れ広がり性を予
測することを特徴とする請求項１に記載のダイボンドペ
ーストの付着評価方法。2. The die-bonding paste according to claim 1, wherein the volume of the die-bonding paste applied on the die pad of the lead frame is measured to predict the spreadability of the die-bonding paste on the semiconductor chip. Evaluation method of adhesion.
ーザ変位測定器により測定することを特徴とする請求項
１または請求項２に記載のダイボンドペーストの付着評
価方法。3. The method for evaluating the adhesion of a die bond paste according to claim 1, wherein the volume of the applied die bond paste is measured by a laser displacement measuring device.
記載のダイボンドペーストの付着評価方法による評価に
基づいて、ダイボンドペーストの塗布条件を設定してダ
イボンドを行うことを特徴とするダイボンド方法。4. A die bonding method comprising: setting die coating paste application conditions based on the evaluation by the die bonding paste adhesion evaluation method according to claim 1; and performing die bonding. Method.
ストの付着状態の評価を行うとともに、ロットの付着状
態の評価に基づいて上記ロット数を変更することを特徴
とする請求項４に記載のダイボンド方法。5. The die bonding apparatus according to claim 4, wherein the evaluation of the adhesion state of the die bond paste is performed for each preset lot number, and the lot number is changed based on the evaluation of the adhesion state of the lot. Method.
ド方法を用いるダイボンド装置。6. A die bonding apparatus using the die bonding method according to claim 4.
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| JP2016082084A (en) * | 2014-10-17 | 2016-05-16 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | Electronic component mounting device |
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