JPH07326642A - Bonding head structure - Google Patents

Bonding head structure

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JPH07326642A
JPH07326642A JP12098394A JP12098394A JPH07326642A JP H07326642 A JPH07326642 A JP H07326642A JP 12098394 A JP12098394 A JP 12098394A JP 12098394 A JP12098394 A JP 12098394A JP H07326642 A JPH07326642 A JP H07326642A
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JP
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chip
chips
bonding
substrate
bonding head
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JP12098394A
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Hidehiko Kira
秀彦 吉良
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Fujitsu Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body

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  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enable bonding by controlling height and heating and pressing each chip individually, by moving a plurality of adaptors with the respective motors, on the basis of a control part which changes and controls the travel distances as far as a plurality of the chips individually for each of the adaptors. CONSTITUTION:A board on which pads 4 are formed is coated with reinforcing agent 5 for increasing the bonding strength of a chip 2. Bumps 3 are bonded to a chip 2 to be mounted on the board 1, and aligned to the formation positions of pads 4. The chip 2 is transferred with a bonding head 10. The bonding head 10 is equipped with two adaptors 6 having heaters 7, in order to bond collectively a plurality of the chips 2. The adaptor 6 is moved with a motor 8, on the basis of a control part 9. Thereby the number of heads to be pressed and controlled is reduced, and the coping with high density mounting is enabled.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ボンディングヘッド構
造に係り、特に基板に形成されたパッドに複数のチップ
を実装する際に、その複数のチップを加圧,加熱して一
括してボンディング接合するボンディングヘッド構造に
関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bonding head structure, and in particular, when a plurality of chips are mounted on a pad formed on a substrate, the plurality of chips are pressed and heated to collectively bond them together. The present invention relates to a bonding head structure.

【0002】近年、電子機器の小型化,高密度化に伴っ
てベアチップ実装技術が開発されている。このベアチッ
プ実装とはチップをパッケージに収納した状態で基板に
実装するのではなく、直接そのチップを基板に実装する
ものである。また、ベアチップ実装といってもバンプを
用いて基板とチップとの接合を行うフリップチップタイ
プとワイヤを用いて基板とチップとの接合を行うワンヤ
ボンディングタイプの二種類があり、実装時に状況に応
じて適宜選択されて採用されている。本発明では特にこ
のフリップチップタイプのベアチップ実装に関するもの
である。
In recent years, bare chip mounting technology has been developed along with miniaturization and high density of electronic devices. In this bare chip mounting, the chip is not mounted on the substrate in a package but directly mounted on the substrate. In addition, there are two types of bare chip mounting, a flip chip type that uses bumps to bond the substrate and chip, and a one-way bonding type that uses wires to bond the substrate and chip. It is appropriately selected and adopted depending on the situation. The present invention particularly relates to this flip chip type bare chip mounting.

【0003】[0003]

【従来の技術】まず、フリップチップタイプの半導体チ
ップ実装工程について図3を用いて説明する。
2. Description of the Related Art First, a flip chip type semiconductor chip mounting process will be described with reference to FIG.

【0004】まずチップ30のパッド上にキャピラリ3
1を用いたワイヤボンディング実装技術によりワイヤ
(例えばアルミニウム,銅,金等)を用いてスタッドバ
ンプ(以下バンプと称する)32が所定数形成される。
First, the capillary 3 is placed on the pad of the chip 30.
A predetermined number of stud bumps (hereinafter referred to as bumps) 32 are formed by using a wire (for example, aluminum, copper, gold, etc.) by the wire bonding mounting technique using 1.

【0005】この各バンプ32の高さは約20μm 程度
のバラツキがあるため、チップ30のバンプ32をガラ
ス平板33に押しつけてレベリングを行い各バンプ32
の高さを揃える。
Since the height of each bump 32 has a variation of about 20 μm, the bumps 32 of the chip 30 are pressed against the glass flat plate 33 to perform leveling, and the bumps 32 are
Align the height of.

【0006】続いて、予めガラス平板35(先のガラス
平板33と同様のものであってもよい)上に導電性接着
剤34が薄くスキージングされており、この導電性接着
剤34に各バンプ32を押しつけて付着させる転写が行
われる。
Subsequently, a conductive adhesive 34 is thinly squeezed on a glass flat plate 35 (which may be the same as the above-mentioned glass flat plate 33) in advance, and each bump is attached to the conductive adhesive 34. Transfer is performed by pressing 32 to attach.

【0007】一方、搭載されるチップ30のバンプ32
の数に対応して搭載パッド37が形成された基板38上
に、スクリーン印刷法により補強用として熱硬化性の絶
縁性接着剤36が塗布される。この基板38の上方にボ
ンディングヘッド(図示せず)で吸着された上記チップ
30が移送される。
On the other hand, the bump 32 of the mounted chip 30
The thermosetting insulative adhesive 36 for reinforcement is applied on the substrate 38 on which the mounting pads 37 are formed by a number corresponding to the above number by the screen printing method. The chip 30 adsorbed by a bonding head (not shown) is transferred above the substrate 38.

【0008】そして、基板38の搭載パッド37とチッ
プ30のバンプ32とをアラインメントし、ボンディン
グヘッドにより加圧,加熱して半導体チップ30を基板
38にフリップチップ接合と実装とを同時に行うもので
ある。この場合、ボンディングヘッドには熱源が具備さ
れており、加熱により絶縁性接着剤を熱硬化させてフリ
ップチップ接合を補強している。
Then, the mounting pads 37 of the substrate 38 and the bumps 32 of the chip 30 are aligned, and the semiconductor chip 30 is flip-chip bonded and mounted on the substrate 38 at the same time by applying pressure and heating by the bonding head. . In this case, the bonding head is equipped with a heat source, and the insulating adhesive is thermally cured by heating to reinforce the flip chip bonding.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】一括して複数のチップ
を実装する所謂マルチチップで接着剤が熱硬化する場
合、ウェハーロット,マルチベンダーの違いによるチッ
プ厚みにバラツキがあり、1つのヘッドではマルチチッ
プの一括加熱硬化が困難であるという欠点があった。
When the adhesive is heat-cured in a so-called multi-chip in which a plurality of chips are mounted in a lump, the chip thickness varies due to the difference between wafer lots and multi-benders. There is a drawback that it is difficult to heat-harden the chips all together.

【0010】マルチチップを個々にボンディングヘッド
で加熱制御できればよいが、設備が高価であったり、加
圧制御付きのボンディングヘッドはスペースを有するた
め高密度実装エリアにはマルチチップ実装ができないと
の理由により実装エリアが限定される欠点があった。
It suffices if the multi-chips can be individually heated and controlled by the bonding head, but the equipment is expensive and the multi-chip mounting cannot be carried out in the high-density mounting area because the bonding head with pressure control has a space. Due to this, there is a drawback that the mounting area is limited.

【0011】従って、本発明は複数のチップ毎に高さ制
御し加熱,加圧してボンディング接合できるようにする
ことを目的とするものである。
Therefore, it is an object of the present invention to control the height of each of a plurality of chips so that they can be bonded by heating and pressing.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的は、パッド4が
形成された基板1に複数のチップ2a,2bを加圧,加
熱して一括してボンディング接合するボンディングヘッ
ド構造において、前記複数のチップ2a,2bと接合
し、当該複数のチップ2a,2bに熱を供給するヒータ
7を有する複数のアダプタ6と、予め前記基板1に実装
される該複数のチップ2a,2b毎にチップ厚さを測定
した測定値に基づいて、該複数のアダプタ6毎に該複数
のチップ2a,2bまでの移動距離を可変制御する制御
部9と、該制御部9の制御に基づいて該複数のアダプタ
6をそれぞれ移動させるモータ8とを有することを特徴
とするボンディングヘッド構造によって、または、パッ
ド4が形成された基板1に複数のチップ2a,2bを加
圧,加熱して一括してボンディング接合するボンディン
グヘッド構造において、予め前記基板1に実装される該
複数のチップ2a,2b毎にチップ厚さを測定した測定
値に基づいて、該複数のチップ2a,2b毎に異なる厚
さが決定され、且つ該複数のチップ2a,2bに接合さ
れるアダプタ11a,11bと該複数のチップ2a,2
bと接合し、当該複数のチップ2a,2bに熱を供給す
るヒータ7を有するヘッド12とを有することを特徴と
するボンディングヘッド構造、によって達成することが
できる。
The above object is to provide a bonding head structure in which a plurality of chips 2a and 2b are pressed and heated on a substrate 1 on which a pad 4 is formed to bond them together in a batch. 2a, 2b, a plurality of adapters 6 having a heater 7 for supplying heat to the plurality of chips 2a, 2b, and a chip thickness for each of the plurality of chips 2a, 2b mounted on the substrate 1 in advance. A control unit 9 that variably controls the moving distance to the plurality of chips 2a and 2b for each of the plurality of adapters 6 based on the measured value, and the plurality of adapters 6 based on the control of the control unit 9. And a plurality of chips 2a and 2b are pressed and heated together on a substrate 1 having a pad 4 formed thereon by a bonding head structure characterized by having a motor 8 for moving them respectively. In the bonding head structure for bonding and joining, a different thickness is measured for each of the plurality of chips 2a, 2b based on the measurement value obtained by measuring the chip thickness for each of the plurality of chips 2a, 2b mounted on the substrate 1 in advance. Adapters 11a and 11b that are determined and are joined to the plurality of chips 2a and 2b and the plurality of chips 2a and 2
and a head 12 having a heater 7 for supplying heat to the plurality of chips 2a, 2b, and the bonding head structure.

【0013】[0013]

【作用】即ち、本発明の請求項1によれば、予め基板に
実装される複数のチップ毎にチップ厚さを測定してお
き、その測定値に基づいて、チップまでのアダプタの移
動距離を制御しているため、実装するチップ毎を一括し
てボンディングすることができる。
That is, according to claim 1 of the present invention, the chip thickness is measured in advance for each of a plurality of chips mounted on the substrate, and the moving distance of the adapter to the chip is calculated based on the measured value. Since they are controlled, the chips to be mounted can be collectively bonded.

【0014】また請求項2によれば、予め基板に実装さ
れる複数のチップ毎にチップ厚さを測定しておき、その
測定値に基づいて異なる厚みのアダプタを選択して使用
することにより、実装するチップ毎に一括してボンディ
ングすることができる。
According to a second aspect of the present invention, the chip thickness is measured in advance for each of a plurality of chips mounted on the substrate, and an adapter having a different thickness is selected and used based on the measured value. Bonding can be performed collectively for each chip to be mounted.

【0015】[0015]

【実施例】以下、本発明の望ましい実施例について図1
および図2を用いて説明する。尚、図1および図2を通
じて同一符号を付したものは同一対象物をそれぞれ示す
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will now be described with reference to FIG.
And it demonstrates using FIG. The same reference numerals in FIGS. 1 and 2 denote the same objects.

【0016】まず第1の実施例について図1を用いて説
明する。パッド4が形成された基板1にはチップ2の接
合強度を強化するための熱硬化性の絶縁性接着剤である
補強剤5が塗布されている。
First, the first embodiment will be described with reference to FIG. The substrate 1 on which the pads 4 are formed is coated with a reinforcing agent 5 which is a thermosetting insulating adhesive for enhancing the bonding strength of the chip 2.

【0017】この基板1に実装されるチップ2には従来
技術で説明した工程によってバンプ3が接合されてお
り、基板1のパッド4の形成位置にアラインメントして
チップ2がボンディングヘッド10により移送されてく
る。
Bumps 3 are bonded to the chip 2 mounted on the substrate 1 by the process described in the prior art, and the chip 2 is transferred by the bonding head 10 in alignment with the formation position of the pad 4 of the substrate 1. Come on.

【0018】このボンディングヘッド10は複数のチッ
プ2を一括してボンディング接合できるように、複数の
チップ2に対応して2本のアダプタ6を具備している。
このアダプタ6は直接チップと接するものであり、且つ
チップ2を加圧,加熱するためにヒータ7を有してい
る。
The bonding head 10 is equipped with two adapters 6 corresponding to the plurality of chips 2 so that the plurality of chips 2 can be bonded and bonded together.
This adapter 6 is in direct contact with the chip and has a heater 7 for pressurizing and heating the chip 2.

【0019】前述したように複数のチップ2はウエハー
ロット,マルチベンダーの違いによりチップの厚みが異
なっていることにより、複数のチップ2を一括してボン
ディング接合するためには、個々のチップ毎にそのチッ
プ実装高さ(チップ厚さ)を認識する必要がある。この
チップ厚さは公知の方法により予め基板に実装される複
数のチップ毎にチップ厚さを測定しておくことで、その
チップ厚みを認識することができる。
As described above, since the plurality of chips 2 have different chip thicknesses due to the difference in wafer lot and multi-bender, in order to collectively bond the plurality of chips 2 to each other, it is necessary to individually bond each chip. It is necessary to recognize the chip mounting height (chip thickness). This chip thickness can be recognized by measuring the chip thickness for each of a plurality of chips mounted on the substrate in advance by a known method.

【0020】またこのボンディんグヘッド10は制御部
9と2つのモータ8を有しており、上述したチップ厚み
の測定値に基づいてアダプタ8のチップ2までの移動距
離が制御部9によって制御され、その制御部からの信号
に基づいてモータ8が移動するものである。
The bonding head 10 has a controller 9 and two motors 8. The controller 9 controls the moving distance of the adapter 8 to the chip 2 based on the above-mentioned measured value of the chip thickness. The motor 8 moves based on the signal from the control unit.

【0021】よって、アダプタ6の移動距離を可変にす
ることで、複数のチップ2を一括して加熱,加圧するこ
とができる。次に第2の実施例について図2を用いて説
明する。
Therefore, by making the moving distance of the adapter 6 variable, a plurality of chips 2 can be heated and pressed together. Next, a second embodiment will be described with reference to FIG.

【0022】第2の実施例は異なるチップ厚みを有する
複数のチップを機械的に許容して一括して加圧,加熱す
るものである。即ち、チップ2にはアダプタ11が接合
されるものとして説明したが、このアダプタ11の厚み
を、予め第1の実施例と同様の方法で個々のチップ毎に
そのチップ実装高さ(チップ厚さ)を測定した測定値に
基づいて対応する厚みを選択するものである。
In the second embodiment, a plurality of chips having different chip thicknesses are mechanically allowed to collectively pressurize and heat. That is, although the description has been given assuming that the adapter 11 is bonded to the chip 2, the thickness of the adapter 11 is set in advance by the same method as in the first embodiment for each chip mounting height (chip thickness). ) Is selected based on the measured value.

【0023】ボンディングヘッド10のヘッド12とチ
ップ2までの距離は固定であるため、例えば図2におい
て厚みの薄いチップ2aに対しては厚みの厚いアダプタ
11aを選択し、逆に厚みの厚いチップ2bに対しては
厚みの薄いアダプタ11bを選択するようにするもので
ある。
Since the distance between the head 12 of the bonding head 10 and the chip 2 is fixed, for example, in FIG. 2, a thick adapter 11a is selected for a thin chip 2a and, conversely, a thick chip 2b. However, the adapter 11b having a small thickness is selected.

【0024】第2の実施例においても、2つのチップ2
aと2bを一括してボンディング接合するものであるた
め、ヘッド12にはチップ2aに対するアダプタ11a
を設置するための凹部12aが、またチップ2bに対す
るアダプタ11bを設置するための凹部12bが形成さ
れている。
Also in the second embodiment, two chips 2 are used.
Since a and 2b are collectively bonded and bonded, the head 12 has an adapter 11a for the chip 2a.
Is formed, and a recess 12b for installing the adapter 11b for the chip 2b is formed.

【0025】尚、第1の実施例と同様の符号の各部につ
いては第1の実施例と同様であるためその詳細な説明を
省略する。
Incidentally, since the respective parts having the same reference numerals as those in the first embodiment are the same as those in the first embodiment, detailed description thereof will be omitted.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、加
圧制御するヘッド数が減少し、設備が安価になると共
に、高密度実装にも対応することができる効果を奏す
る。
As described above, according to the present invention, the number of heads for pressure control is reduced, the cost of equipment is reduced, and high density mounting can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図3】チップ実装工程を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a chip mounting process.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板, 2 チップ, 3 バンプ, 4 パッド, 5 補強剤, 6 アダプタ, 7 ヒータ, 8 モータ, 9 制御部, 10 ボンディングヘッド, 1 substrate, 2 chips, 3 bumps, 4 pads, 5 reinforcing agents, 6 adapters, 7 heaters, 8 motors, 9 controllers, 10 bonding heads,

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パッド(4)が形成された基板(1)に
複数のチップ(2a,2b)を加圧,加熱して一括して
ボンディング接合するボンディングヘッド構造におい
て、 前記複数のチップ(2a,2b)と接合し、当該複数の
チップ(2a,2b)に熱を供給するヒータ(7)を有
する複数のアダプタ(6)と、 予め前記基板(1)に実装される該複数のチップ(2
a,2b)毎にチップ厚さを測定した測定値に基づい
て、該複数のアダプタ(6)毎に該複数のチップ(2
a,2b)までの移動距離を可変制御する制御部(9)
と、 該制御部(9)の制御に基づいて該複数のアダプタ
(6)をそれぞれ移動させるモータ(8)とを有するこ
とを特徴とするボンディングヘッド構造。
1. A bonding head structure in which a plurality of chips (2a, 2b) are pressed and heated on a substrate (1) on which pads (4) are formed to perform bonding bonding at one time. , 2b) and a plurality of adapters (6) having heaters (7) for supplying heat to the plurality of chips (2a, 2b), and the plurality of chips (8) mounted on the substrate (1) in advance. Two
a, 2b), the chip thickness is measured for each of the plurality of chips (2) for each of the plurality of adapters (6).
Control unit (9) for variably controlling the moving distance to a, 2b)
And a motor (8) for moving each of the plurality of adapters (6) under the control of the control unit (9).
【請求項2】 パッド(4)が形成された基板(1)に
複数のチップ(2a,2b)を加圧,加熱して一括して
ボンディング接合するボンディングヘッド構造におい
て、 予め前記基板(1)に実装される該チップ(2a,2
b)毎にチップ厚さを測定した測定値に基づいて、該チ
ップ(2a,2b)毎に異なる厚さが決定され、且つ該
チップ(2a,2b)に接合されるアダプタ(11a,
11b)と、 前記チップ(2)と接合し、当該チップ(2)に熱を供
給するヒータ(7)を有するヘッド(12)とを有する
ことを特徴とするボンディングヘッド構造。
2. A bonding head structure in which a plurality of chips (2a, 2b) are pressed and heated on a substrate (1) on which a pad (4) is formed to perform bonding bonding at one time, the substrate (1) being previously prepared. Mounted on the chip (2a, 2
Based on the measured value of the chip thickness for each b), a different thickness is determined for each chip (2a, 2b), and the adapter (11a, 11a,
11b) and a head (12) having a heater (7) joined to the chip (2) and supplying heat to the chip (2).
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