JP2002270932A - 導波路増幅器および導波路増幅器のためのポンピングスキーム - Google Patents
導波路増幅器および導波路増幅器のためのポンピングスキームInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導波路増幅器および導波路増幅器のためのポ
ンピングスキームを提供すること。 【解決手段】 本発明は、Ｔｍイオンを含有する増幅導
波路にポンプレーザモジュールを結合するための少なく
とも１つの手段を備える少なくとも１つの増幅導波路を
備える光信号のための入力部および光信号のための出力
部を備える導波路増幅器に関する。また、本発明は、導
波路に２つの異なる波長を供給する導波路増幅器のため
のポンピングスキームに関する。
ンピングスキームを提供すること。 【解決手段】 本発明は、Ｔｍイオンを含有する増幅導
波路にポンプレーザモジュールを結合するための少なく
とも１つの手段を備える少なくとも１つの増幅導波路を
備える光信号のための入力部および光信号のための出力
部を備える導波路増幅器に関する。また、本発明は、導
波路に２つの異なる波長を供給する導波路増幅器のため
のポンピングスキームに関する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｔｍイオンを含有
する増幅導波路にポンプレーザモジュールを結合するた
めの少なくとも１つの手段（４）を備える少なくとも１
つの増幅導波路を備える光信号のための入力部および光
信号のための出力部を備える導波路増幅器に関する。ま
た、本発明は、導波路に２つの異なる波長を供給する導
波路増幅器のためのポンピングスキームに関する。
する増幅導波路にポンプレーザモジュールを結合するた
めの少なくとも１つの手段（４）を備える少なくとも１
つの増幅導波路を備える光信号のための入力部および光
信号のための出力部を備える導波路増幅器に関する。ま
た、本発明は、導波路に２つの異なる波長を供給する導
波路増幅器のためのポンピングスキームに関する。
【０００２】
【従来の技術】光伝送ネットワーク内の信号を増幅する
ための多数の導波路増幅器、特にファイバ増幅器は確立
し、あるいは研究中である。プラセオジム（Ｐ
Ｒ３＋）、ネオジム（Ｎｄ３＋）、エルビウム（ＥＲ
３＋）、ツリウム（Ｔｍ３＋）、イッテルビウム（Ｙｂ
３＋）などの希土類イオンをガラスファイバにドープす
る原理を用いるカテゴリがある。
ための多数の導波路増幅器、特にファイバ増幅器は確立
し、あるいは研究中である。プラセオジム（Ｐ
Ｒ３＋）、ネオジム（Ｎｄ３＋）、エルビウム（ＥＲ
３＋）、ツリウム（Ｔｍ３＋）、イッテルビウム（Ｙｂ
３＋）などの希土類イオンをガラスファイバにドープす
る原理を用いるカテゴリがある。
【０００３】この希土類ドープファイバ増幅器では、ガ
ラスは受動ホストであり、電界相互作用を引き起こす媒
質偏光は、イオンをドーピングすることによって発生す
る。希土類の濃度は、最大１０重量％まで大きくするこ
とができるため、ファイバの長さを比較的短くすること
ができる。信号の増幅は、励起イオンの基底状態への緩
和による誘導放出によるものである。この種の増幅器で
は、ポンプ帯域および信号帯域は、希土類の原子共振に
よって固定されており、したがって増幅器は、複数のデ
ィスクリートポンプ帯域の中心波長が固定された利得ス
ペクトルを有している。希土類ドープ増幅器の利得スペ
クトルは、マトリックス中の共ドーパントによって変更
することができる。また、ガラスホストは、シュタルク
準位の位置、遷移の均一および不均一線幅、非放射崩壊
特性を左右する。
ラスは受動ホストであり、電界相互作用を引き起こす媒
質偏光は、イオンをドーピングすることによって発生す
る。希土類の濃度は、最大１０重量％まで大きくするこ
とができるため、ファイバの長さを比較的短くすること
ができる。信号の増幅は、励起イオンの基底状態への緩
和による誘導放出によるものである。この種の増幅器で
は、ポンプ帯域および信号帯域は、希土類の原子共振に
よって固定されており、したがって増幅器は、複数のデ
ィスクリートポンプ帯域の中心波長が固定された利得ス
ペクトルを有している。希土類ドープ増幅器の利得スペ
クトルは、マトリックス中の共ドーパントによって変更
することができる。また、ガラスホストは、シュタルク
準位の位置、遷移の均一および不均一線幅、非放射崩壊
特性を左右する。
【０００４】例えば、ゲルマニウム、砒素、セレン、お
よび硫黄のガラス組成から構成された増幅ファイバの製
造および使用法を記述したＵＳ５，９７３，８２４が知
られている。また、増幅ファイバ材料として、他の非酸
化物タイプのガラスの使用が知られている。特に、希土
類でドープされたハロゲン化物および硫化物からなる材
料を、増幅ファイバとして使用することが有望と思われ
る。石英ガラスと比較すると、ハロゲン化ガラスおよび
特にフッ化ガラスは、スペクトル的に長波レンジ中に大
きく広がる透明属性を有している。これは、実質的によ
り重いイオンの混入の結果による、多重フォノン吸収端
のスペクトル移行によるものである。しかしながら、こ
れらの種類のガラスは、材料の製造およびファイバの準
備の点で技術的に困難である。このような種類のガラス
が有する、湿気を帯びた大気中における不都合な機械的
特性、不都合な挙動により、これまでのところ、これら
のガラスは大規模に使用されていない。最近、ＺＢＬＡ
Ｎ（ジルコニウム（Ｚｒ）−バリウム（Ｂａ）−ランタ
ン（Ｌａ）−アルミニウム（Ａｌ）−ナトリウム（Ｎ
ａ））フッ化ガラスから構成されたファイバと共に動作
するファイバ増幅器の製造が可能になり、その比較的高
い屈折率、およびその組成の柔軟性により、硫化ガラス
は、増幅材料として使用するための有望な候補と見做さ
れ、フォノンエネルギーの小さい、多くの異なる種類の
ハロゲン化ガラスを製造するために、世界中で多大な努
力が傾注されている。
よび硫黄のガラス組成から構成された増幅ファイバの製
造および使用法を記述したＵＳ５，９７３，８２４が知
られている。また、増幅ファイバ材料として、他の非酸
化物タイプのガラスの使用が知られている。特に、希土
類でドープされたハロゲン化物および硫化物からなる材
料を、増幅ファイバとして使用することが有望と思われ
る。石英ガラスと比較すると、ハロゲン化ガラスおよび
特にフッ化ガラスは、スペクトル的に長波レンジ中に大
きく広がる透明属性を有している。これは、実質的によ
り重いイオンの混入の結果による、多重フォノン吸収端
のスペクトル移行によるものである。しかしながら、こ
れらの種類のガラスは、材料の製造およびファイバの準
備の点で技術的に困難である。このような種類のガラス
が有する、湿気を帯びた大気中における不都合な機械的
特性、不都合な挙動により、これまでのところ、これら
のガラスは大規模に使用されていない。最近、ＺＢＬＡ
Ｎ（ジルコニウム（Ｚｒ）−バリウム（Ｂａ）−ランタ
ン（Ｌａ）−アルミニウム（Ａｌ）−ナトリウム（Ｎ
ａ））フッ化ガラスから構成されたファイバと共に動作
するファイバ増幅器の製造が可能になり、その比較的高
い屈折率、およびその組成の柔軟性により、硫化ガラス
は、増幅材料として使用するための有望な候補と見做さ
れ、フォノンエネルギーの小さい、多くの異なる種類の
ハロゲン化ガラスを製造するために、世界中で多大な努
力が傾注されている。
【０００５】光通信の利用可能な帯域幅を拡張するため
に、特にツリウムドープファイバが、現在研究中であ
り、その目的は、広帯域増幅器を創出することであり、
データ転送のために、Ｓ帯域の１４８０ｎｍ付近に伝送
ウィンドウを開くことである。
に、特にツリウムドープファイバが、現在研究中であ
り、その目的は、広帯域増幅器を創出することであり、
データ転送のために、Ｓ帯域の１４８０ｎｍ付近に伝送
ウィンドウを開くことである。
【０００６】最近の刊行物によれば、他の種類のツリウ
ムドープファイバが扱われている。Ｓａｍｓｏｎ等によ
るドキュメント「thulium doped silicate fiber ampli
fier」（Tech. Dig. Optical Amplifier and their App
lication, OAA, Paper PD1,2000）に、ケイ酸塩マトリ
ックス中にツリウムをドープしたファイバ増幅器が記述
されている。ＺＢＬＡＮに代わるケイ酸塩ガラスの使用
により、ＺＢＬＡＮ材料に関わる問題のいくつかが回避
される。進歩としては、ツリウムの放出スペクトルの半
値全幅ＦＷＨＭが、ケイ酸塩マトリックスにおいて、長
波長サイドを広げ、１００ｎｍに増加する。
ムドープファイバが扱われている。Ｓａｍｓｏｎ等によ
るドキュメント「thulium doped silicate fiber ampli
fier」（Tech. Dig. Optical Amplifier and their App
lication, OAA, Paper PD1,2000）に、ケイ酸塩マトリ
ックス中にツリウムをドープしたファイバ増幅器が記述
されている。ＺＢＬＡＮに代わるケイ酸塩ガラスの使用
により、ＺＢＬＡＮ材料に関わる問題のいくつかが回避
される。進歩としては、ツリウムの放出スペクトルの半
値全幅ＦＷＨＭが、ケイ酸塩マトリックスにおいて、長
波長サイドを広げ、１００ｎｍに増加する。
【０００７】ツリウムイオンは、図１に示すスキームで
ポンピングされる。基底状態３Ｈ６から第１の励起準位
３Ｆ４がポンピングされる。このポンピングには、１５
６０ｎｍの励起光源が必要である（基底状態吸収ＧＳ
Ａ）。次に、励起準位３Ｆ４は、励起状態吸収ＥＳＡと
呼ばれるプロセスにおいて、約１４００ｎｍのポンプで
準位３Ｈ４状態にポンピングされる。
ポンピングされる。基底状態３Ｈ６から第１の励起準位
３Ｆ４がポンピングされる。このポンピングには、１５
６０ｎｍの励起光源が必要である（基底状態吸収ＧＳ
Ａ）。次に、励起準位３Ｆ４は、励起状態吸収ＥＳＡと
呼ばれるプロセスにおいて、約１４００ｎｍのポンプで
準位３Ｈ４状態にポンピングされる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このポンピングスキー
ムの問題は、励起準位の吸収断面積に関するＧＳＡの効
率である。また、Ｌ帯域信号のレンジ内にある１５６０
ｎｍのポンピング波長では別の問題が生じるため、ポン
プ光に対するフィルタリングの問題が発生する。
ムの問題は、励起準位の吸収断面積に関するＧＳＡの効
率である。また、Ｌ帯域信号のレンジ内にある１５６０
ｎｍのポンピング波長では別の問題が生じるため、ポン
プ光に対するフィルタリングの問題が発生する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、ツリウ
ムドープイオンのための混成ポンピングスキームを備え
る導波路増幅器、および波長のより効率的かつより適切
な使用法を提供することである。
ムドープイオンのための混成ポンピングスキームを備え
る導波路増幅器、および波長のより効率的かつより適切
な使用法を提供することである。
【００１０】詳細には、本発明により、Ｔｍ導波路、例
えば１２００ｎｍおよび１４００ｎｍの２つのポンプ源
を有するファイバ増幅器を作製することができる。
えば１２００ｎｍおよび１４００ｎｍの２つのポンプ源
を有するファイバ増幅器を作製することができる。
【００１１】本発明を図に示し、以下の記述の中で説明
する。
する。
【００１２】
【発明の実施の形態】図５は、ＺＢＬＡＮマトリックス
におけるＴｍイオンの吸収スペクトルを示したものであ
る。基底状態吸収である３Ｆ４への移行に対して、強い
吸収ピークがあることが分かる。この吸収ピークは幅が
広く、半導体増幅器によって容易にポンピングすること
ができる。次の高エネルギー準位のピークは、３Ｈ５準
位に関連している。この吸収ピークは、より広い吸収断
面積およびより細い吸収線を有している。１２００ｎｍ
のレーザポンプを用いることにより、Ｔｍ３＋イオンの
この準位を、極めて効率的にポンピングすることができ
る。中間状態は、非放射崩壊におけるエネルギーを、３
Ｆ４準位へ急速に変換する。第２のポンプレーザが、３
Ｆ４準位のエネルギーを、波長１４００ｎｍの３Ｆ４準
位に変換する。最良の性能を発揮するためには、ポンプ
出力の比率が重要であり、１．２μｍポンプ出力と１．
４μｍポンプ出力の間の比率が約１０％のとき、良好な
結果が得られる。
におけるＴｍイオンの吸収スペクトルを示したものであ
る。基底状態吸収である３Ｆ４への移行に対して、強い
吸収ピークがあることが分かる。この吸収ピークは幅が
広く、半導体増幅器によって容易にポンピングすること
ができる。次の高エネルギー準位のピークは、３Ｈ５準
位に関連している。この吸収ピークは、より広い吸収断
面積およびより細い吸収線を有している。１２００ｎｍ
のレーザポンプを用いることにより、Ｔｍ３＋イオンの
この準位を、極めて効率的にポンピングすることができ
る。中間状態は、非放射崩壊におけるエネルギーを、３
Ｆ４準位へ急速に変換する。第２のポンプレーザが、３
Ｆ４準位のエネルギーを、波長１４００ｎｍの３Ｆ４準
位に変換する。最良の性能を発揮するためには、ポンプ
出力の比率が重要であり、１．２μｍポンプ出力と１．
４μｍポンプ出力の間の比率が約１０％のとき、良好な
結果が得られる。
【００１３】図３は、従来技術によるポンピングスキー
ムと本発明によるポンピングスキームを比較した、放射
ポンプ出力に対する出力変換効率を示したものである。
ムと本発明によるポンピングスキームを比較した、放射
ポンプ出力に対する出力変換効率を示したものである。
【００１４】図４ａは、新しいポンピングスキームを用
いた増幅器を示したものである。図４ａでは、１つの増
幅ファイバ２に光入力信号１が供給され、増幅ファイバ
は、結合手段を介してレーザポンプモジュールＰ１およ
びＰ２に結合されている。増幅された光信号３が、増幅
器から出力される。これは、いずれも必要な波長を有す
る逆伝搬ポンピングの一例である。ポンピングには半導
体レーザモジュールすなわちラマンレーザが使用されて
いる。例えば、１．２μｍおよび１．４μｍのポンプ
は、いずれも、ＹｂファイバレーザあるいはＮｄ結晶レ
ーザによる半導体レーザポンピングすなわちラマンレー
ザポンピングによって実現することができる。
いた増幅器を示したものである。図４ａでは、１つの増
幅ファイバ２に光入力信号１が供給され、増幅ファイバ
は、結合手段を介してレーザポンプモジュールＰ１およ
びＰ２に結合されている。増幅された光信号３が、増幅
器から出力される。これは、いずれも必要な波長を有す
る逆伝搬ポンピングの一例である。ポンピングには半導
体レーザモジュールすなわちラマンレーザが使用されて
いる。例えば、１．２μｍおよび１．４μｍのポンプ
は、いずれも、ＹｂファイバレーザあるいはＮｄ結晶レ
ーザによる半導体レーザポンピングすなわちラマンレー
ザポンピングによって実現することができる。
【００１５】図４ｂは、入力光信号の方向にポンピング
する共伝搬ポンピングスキームを示したものである。結
合手段４は、両方のレーザポンプモジュールへの経路を
有する単一の結合器上に設けることができる。他の解決
法では、結合器を２個使用して、必要な２つの波長を増
幅ファイバに供給する。増幅ファイバの好ましい一実施
形態は少なくともＴｍでドープされたケイ酸塩ファイバ
である。好ましい他の実施形態では、Ｔｍでドープされ
たＺＢＬＡＮガラスファイバを使用する。
する共伝搬ポンピングスキームを示したものである。結
合手段４は、両方のレーザポンプモジュールへの経路を
有する単一の結合器上に設けることができる。他の解決
法では、結合器を２個使用して、必要な２つの波長を増
幅ファイバに供給する。増幅ファイバの好ましい一実施
形態は少なくともＴｍでドープされたケイ酸塩ファイバ
である。好ましい他の実施形態では、Ｔｍでドープされ
たＺＢＬＡＮガラスファイバを使用する。
【００１６】図４ｃは、１２００ｎｍポンプモジュール
または１４００ｎｍポンプモジュールのいずれかが、増
幅ファイバの前または後に接続される共／逆伝搬ポンピ
ングスキームを示したものである。
または１４００ｎｍポンプモジュールのいずれかが、増
幅ファイバの前または後に接続される共／逆伝搬ポンピ
ングスキームを示したものである。
【００１７】図６は、１．２μｍおよび１．４μｍの両
ポンプ波長を提供するラマンレーザを示したものであ
る。ラマンファイバ５に、１０６４ｎｍの入力ポンプ信
号が供給される。反射エレメント６は、異なるラマン波
長に対する共振器環境を生成している。第１のストーク
スシフトにより、光信号の波長が１１７６ｎｍまで増加
する。第３のラマンシフトの後の信号の波長は、１２４
２ｎｍであり、第５のシフトの後の信号の波長は、１４
００ｎｍである。したがって必要なポンプ波長を利用す
ることができる。１２４２ｎｍおよび１４００ｎｍのポ
ンプ波長が、ラマンレーザから部分反射フィルタ７を介
して引き出される。
ポンプ波長を提供するラマンレーザを示したものであ
る。ラマンファイバ５に、１０６４ｎｍの入力ポンプ信
号が供給される。反射エレメント６は、異なるラマン波
長に対する共振器環境を生成している。第１のストーク
スシフトにより、光信号の波長が１１７６ｎｍまで増加
する。第３のラマンシフトの後の信号の波長は、１２４
２ｎｍであり、第５のシフトの後の信号の波長は、１４
００ｎｍである。したがって必要なポンプ波長を利用す
ることができる。１２４２ｎｍおよび１４００ｎｍのポ
ンプ波長が、ラマンレーザから部分反射フィルタ７を介
して引き出される。
【００１８】図７は、２段ファイバ増幅器を示したもの
で、その第１段は、約１．２μｍに位置付けされる第１
の波長と、約１．１μｍに位置付けされる第２の波長の
２つの波長の組合せによってポンピングされている。第
２段は、図４で説明したファイバ増幅器である。また、
この２段増幅器のポンプ手段は、図５に示されている。
１．１μｍ源（例えばＹｂファイバレーザ）が、増幅器
の第１段およびラマンレーザをポンピングしている。ラ
マンレーザは、１．２μｍおよび１．４μｍの２つの波
長の光を放出し、１．２μｍ出力を用いて、増幅器の２
つの段がポンピングされ、１．４μｍを用いて第２段が
ポンピングされている。
で、その第１段は、約１．２μｍに位置付けされる第１
の波長と、約１．１μｍに位置付けされる第２の波長の
２つの波長の組合せによってポンピングされている。第
２段は、図４で説明したファイバ増幅器である。また、
この２段増幅器のポンプ手段は、図５に示されている。
１．１μｍ源（例えばＹｂファイバレーザ）が、増幅器
の第１段およびラマンレーザをポンピングしている。ラ
マンレーザは、１．２μｍおよび１．４μｍの２つの波
長の光を放出し、１．２μｍ出力を用いて、増幅器の２
つの段がポンピングされ、１．４μｍを用いて第２段が
ポンピングされている。
【００１９】以上、図に照らして説明し、かつ、記述し
たファイバ増幅器は、Ｔｍでドープされた導波路増幅器
を実現するための一例である。また、導波路の構造は、
プレーナ構造で実現することもできる。
たファイバ増幅器は、Ｔｍでドープされた導波路増幅器
を実現するための一例である。また、導波路の構造は、
プレーナ構造で実現することもできる。
【図１】従来技術によるポンピングスキームを示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明によるポンピングスキームを示す図であ
る。
る。
【図３】異なるポンピングスキームの比較を示す図であ
る。
る。
【図４ａ】Ｔｍファイバ増幅器の例を示す図である。
【図４ｂ】Ｔｍファイバ増幅器の他の例を示す図であ
る。
る。
【図４ｃ】Ｔｍファイバ増幅器の他の例を示す図であ
る。
る。
【図５】ＺＢＬＡＮマトリックスにおけるＴｍイオンの
吸収スペクトルを示す図である。
吸収スペクトルを示す図である。
【図６】本発明に関連するポンプ手段を示す図である。
【図７】２段増幅器を示す図である。
Ｐ１、Ｐ２ ポンプレーザモジュール １ 入力部（導波路増幅器） ２ 増幅ファイバ（増幅導波路） ３ 出力部 ４ 結合手段 ５ ラマンファイバ ６ 反射エレメント ７ 部分反射フィルタ ８ ラマンレーザ（ポンプ装置） ９ ポンプレーザ（ポンプ装置） ２１ 導波路増幅器の第１の段 ２２ 導波路増幅器の第２の段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F072 AB07 AB20 AK06 PP10 QQ07 RR01 YY17 5K002 AA06 BA13 BA31 CA13 FA01
Claims (9)
- 【請求項１】 光信号のための入力部（１）および光信
号のための出力部（３）と、少なくとも１つの増幅ファ
イバ（２）と、増幅導波路にポンプレーザモジュール
（Ｐ１、Ｐ２）を結合するための少なくとも１つの手段
（４）とを備える波路増幅器であって、増幅導波路
（２）が、Ｔｍイオンでドープされた材料からなり、ポ
ンプレーザモジュール（Ｐ１、Ｐ２）が、約１２００ｎ
ｍの第１の波長および約１４００ｎｍの第２の波長を放
出することを特徴とする導波路増幅器。 - 【請求項２】 一方のポンプモジュール（Ｐ１、Ｐ２）
が、増幅ファイバの前の増幅導波路に結合され、もう一
方のポンプモジュール（Ｐ１、Ｐ２）が、増幅導波路の
後に結合されることを特徴とする請求項１に記載の導波
路増幅器（１）。 - 【請求項３】 共伝搬ポンピングのために、両方のポン
プモジュール（Ｐ１、Ｐ２）が、増幅導波路の前の増幅
導波路に接続されることを特徴とする請求項１に記載の
導波路増幅器（１）。 - 【請求項４】 逆伝搬ポンピングのために、両方のポン
プモジュール（Ｐ１、Ｐ２）が、増幅導波路の後の増幅
導波路に接続されることを特徴とする請求項１に記載の
導波路増幅器（１）。 - 【請求項５】 約１２００ｎｍおよび１４００ｎｍの２
つのポンプ波長を同時に導波路中に供給することによっ
て、導波路中のＴｍイオンをポンピングするためのポン
ピングスキームを備える、請求項１に記載の導波路増幅
器（１）。 - 【請求項６】 導波路増幅器のポンプが、単一のポンプ
レーザによってポンピングされる２つの波長で同時に放
出するラマンレーザである、請求項１に記載の導波路増
幅器（１）。 - 【請求項７】 ポンプ装置（８、９）に接続された第２
のＴｍドープ導波路を備える第２の段（２２）と接続さ
れたポンプ装置（８、９）に接続された第１のＴｍドー
プ導波路を備える第１の段（２１）からなる導波路増幅
器であって、第１の段が、約１．２μｍおよび約１．１
μｍの２つの波長の組合せによってポンピングされ、第
２の段が、波長約１．４μｍおよび１．２μｍでポンピ
ングされ、ポンプ装置が、約１．１μｍのポンプで放出
するポンプレーザ（９）によってポンピングされるラマ
ンレーザ（８）からなる導波路増幅器。 - 【請求項８】 少なくとも請求項１または７に記載の導
波路増幅器を備える通信システム。 - 【請求項９】 約１２００ｎｍおよび１４００ｎｍの２
つのポンプ波長を同時に導波路中に供給することによっ
て、導波路中のＴｍイオンをポンピングするためのポン
ピングスキーム。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| EP00440337.4 | 2000-12-29 | ||
| EP00440337A EP1220384A1 (en) | 2000-12-29 | 2000-12-29 | Optical waveguide amplifier and dual-wavelength optical pumping scheme |
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|---|---|
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ID=8174198
Family Applications (1)
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| JP2001390917A Withdrawn JP2002270932A (ja) | 2000-12-29 | 2001-12-25 | 導波路増幅器および導波路増幅器のためのポンピングスキーム |
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| JP (1) | JP2002270932A (ja) |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1220384A1 (en) | 2002-07-03 |
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