JP2002270532A - Heating device and thermal treatment apparatus - Google Patents

Heating device and thermal treatment apparatus

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JP2002270532A
JP2002270532A JP2001072317A JP2001072317A JP2002270532A JP 2002270532 A JP2002270532 A JP 2002270532A JP 2001072317 A JP2001072317 A JP 2001072317A JP 2001072317 A JP2001072317 A JP 2001072317A JP 2002270532 A JP2002270532 A JP 2002270532A
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JP
Japan
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lamp
temperature
light
groove
heat treatment
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JP2001072317A
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Japanese (ja)
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Masahiro Shimizu
正裕 清水
Minoru Yazawa
実 矢沢
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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  • Control Of Resistance Heating (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a heating device which enables the rapid temperature rise of an object to be treated and also is excellent in an economical efficiency, and to provide a thermal treatment apparatus. SOLUTION: The heating device comprises lamps and a lamp house. The lamps have a first lamp and a second lamp having an irradiation area narrower than that of the first lamp, respectively, The lamp house has a first lamp housing part for housing the first lamps in the center of the lamp house, and a second lamp housing part for housing the second lamps around the first lamp housing part.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶基板、ガラ
ス基板などの被処理体を加熱処理する加熱装置及び熱処
理装置に関する。本発明は、例えば、メモリやICなど
の半導体装置の製造に適した急速熱処理(RTP:Ra
pid Thermal Processing)装置に
好適である。ここで、RTPは、急速熱アニーリング
(RTA)、急速クリーニング(RTC)、急速熱化学
気相成長(RTCVD)、急速熱酸化(RTO)、及び
急速熱窒化(RTN)などを含む技術である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heating apparatus and a heat treatment apparatus for heating an object to be processed such as a single crystal substrate and a glass substrate. The present invention provides, for example, rapid thermal processing (RTP: Ra) suitable for manufacturing a semiconductor device such as a memory or an IC.
It is suitable for a pid thermal processing apparatus. Here, RTP is a technology including rapid thermal annealing (RTA), rapid cleaning (RTC), rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD), rapid thermal oxidation (RTO), rapid thermal nitridation (RTN), and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造するため
には、半導体ウェハ等のシリコン基板に対して成膜処
理、アニール処理、酸化拡散処理、スパッタ処理、エッ
チング処理、窒化処理等の各種の熱処理が複数回に亘っ
て繰り返される。
2. Description of the Related Art Generally, in order to manufacture a semiconductor integrated circuit, various heat treatments such as a film forming process, an annealing process, an oxidative diffusion process, a sputtering process, an etching process, and a nitriding process are performed on a silicon substrate such as a semiconductor wafer. Is repeated a plurality of times.

【0003】半導体製造処理の歩留まりと品質を向上さ
せるため等の目的から急速に被処理体の温度を上昇及び
下降させるRTP技術が注目されている。従来のRTP
装置は、典型的に、被処理体(例えば、半導体ウェハ、
フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、光
ディスク用基板)を載置するサポートリング(ガードリ
ングその他の名称で呼ばれる場合もある。)と、これら
を収納する枚葉式チャンバ(処理室)と、処理室に配置
されたウインドウと、ウインドウの外部上部又は上下部
に配置された加熱用ランプ(例えば、ハロゲンランプ)
と、ランプの被処理体とは反対側に配置されたリフレク
タ(反射板)とを有している。
For the purpose of improving the yield and quality of semiconductor manufacturing processing, RTP technology for rapidly increasing and decreasing the temperature of an object to be processed has attracted attention. Conventional RTP
The apparatus typically includes an object to be processed (eg, a semiconductor wafer,
A support ring for mounting a glass substrate for a photomask, a glass substrate for a liquid crystal display, and a substrate for an optical disk (also referred to as a guard ring or other names), and a single-wafer-type chamber (processing chamber) for accommodating these. A window disposed in the processing chamber, and a heating lamp (e.g., a halogen lamp) disposed on the upper outside or upper and lower portions of the window.
And a reflector (reflecting plate) arranged on the opposite side of the lamp from the object to be processed.

【0004】リフレクタは、例えば、アルミニウム製
で、その反射部には、典型的に、金メッキが施されてい
る。リフレクタには、リフレクタのランプによる温度破
損(例えば、高温による金メッキ剥離)と冷却時にリフ
レクタが冷却を妨げないようにするための冷却機構(冷
却管など)が設けられている。RTP技術で要求される
急速昇温は、ランプのパワー密度とランプから被処理体
への光照射の指向性に依存する。
[0004] The reflector is made of, for example, aluminum, and its reflection part is typically plated with gold. The reflector is provided with a cooling mechanism (a cooling pipe or the like) for preventing the reflector from hindering the cooling at the time of temperature damage (for example, gold plating peeling due to high temperature) due to the lamp of the reflector and cooling. The rapid temperature rise required in the RTP technology depends on the power density of the lamp and the directivity of light irradiation from the lamp to the object.

【0005】ウインドウは石英より形成(以下、石英ウ
インドウ)され、板状に構成されたり、被処理体を内部
に収納可能な管状に構成されたりする。処理室が真空ポ
ンプにより排気されて内部が減圧環境に維持される場合
には、石英ウインドウは数10mm(例えば、30乃至
40mm)の肉厚を有して減圧と大気との差圧を維持す
る。石英ウインドウは、温度が上昇することで発生する
各温度差による熱応力を防ぐために、肉薄で耐圧可能な
湾曲状に加工される場合もある。
The window is formed of quartz (hereinafter, a quartz window) and is formed in a plate shape or in a tubular shape capable of storing an object to be processed therein. When the processing chamber is evacuated by the vacuum pump and the inside is maintained in a reduced pressure environment, the quartz window has a thickness of several tens of mm (for example, 30 to 40 mm) to maintain a pressure difference between the reduced pressure and the atmosphere. . In some cases, the quartz window is formed into a thin and pressure-resistant curved shape in order to prevent thermal stress due to each temperature difference caused by a rise in temperature.

【0006】ハロゲンランプは、被処理体を均一に加熱
するために複数個配列され、リフレクタによって、ハロ
ゲンランプからの赤外線を一様に被処理体に向かって放
射する。ハロゲンランプ及びリフレクタは一のランプハ
ウスとして一体的に構成される。処理室は、典型的に、
その側壁において被処理体を導出入するゲートバルブに
接続され、また、その側壁において熱処理に使用される
処理ガスを導入するガス供給ノズルと接続される。
A plurality of halogen lamps are arranged to uniformly heat the object to be processed, and the reflector uniformly emits infrared rays from the halogen lamp toward the object to be processed. The halogen lamp and the reflector are integrally formed as one lamp house. Processing chambers are typically
The side wall is connected to a gate valve for introducing and receiving an object to be processed, and the side wall is connected to a gas supply nozzle for introducing a processing gas used for heat treatment.

【0007】被処理体の温度は処理の品質(例えば、成
膜処理における膜厚など)に影響を与えるために正確に
把握される必要があり、高速昇温及び高速冷却を達成す
るために被処理体の温度を測定する温度測定装置が処理
室に設けられる。温度測定装置は熱電対によって構成さ
れてもよいが、被処理体と接触させねばいけないことか
ら被処理体が熱電対を構成する金属によって汚染される
おそれがある。そこで、被処理体の裏面から放射される
赤外線強度を検出し、その放射強度を以下の数式1に示
す式に則って被処理体の放射率εを求めて温度換算する
ことによって被処理体の温度を算出するパイロメータが
温度測定装置として従来から提案されている。
[0007] The temperature of the object to be processed needs to be accurately grasped in order to affect the quality of processing (for example, the film thickness in the film forming process). A temperature measuring device for measuring the temperature of the processing object is provided in the processing chamber. The temperature measuring device may be constituted by a thermocouple. However, since the temperature measuring device must be brought into contact with the object to be processed, the object to be processed may be contaminated by the metal constituting the thermocouple. Therefore, the intensity of infrared rays radiated from the back surface of the object to be processed is detected, the emissivity ε of the object to be processed is calculated according to the following equation 1 to convert the temperature to the temperature of the object to be processed. A pyrometer for calculating a temperature has been conventionally proposed as a temperature measuring device.

【0008】[0008]

【数1】 (Equation 1)

【0009】ここで、EBB(T)は温度Tの黒体からの
放射強度、Em(T)は温度Tの被処理体から測定され
た放射強度、εは被処理体の放射率である。
[0009] Here, the radiation intensity, E m (T) is the radiation intensity measured from the workpiece temperature T from blackbody of E BB (T) is the temperature T, epsilon is the emissivity of the object is there.

【0010】動作においては、被処理体はゲートバルブ
から処理室に導入されて、中空のサポートリングにその
周辺が支持される。熱処理時には、ガス供給ノズルよ
り、窒素ガスや酸素ガス等の処理ガスが導入される。一
方、ハロゲンランプから照射される赤外線は被処理体に
吸収されて被処理体の温度は上昇する。
In operation, an object to be processed is introduced into the processing chamber from the gate valve, and its periphery is supported by a hollow support ring. During the heat treatment, a processing gas such as a nitrogen gas or an oxygen gas is introduced from a gas supply nozzle. On the other hand, infrared rays emitted from the halogen lamp are absorbed by the object, and the temperature of the object increases.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】近年のRTPは被処理
体の高品質処理とスループットの向上から急速昇温の要
請がますます高まっている。例えば、温度上昇を現在の
90℃/secから250℃/secにするなどであ
る。しかし、被処理体(例えば、シリコン基板)が載置
されるサポートリングは、通常、耐熱性に優れたセラミ
ックス(例えば、SiC)から構成されるが、両者の間
には熱容量の相違から温度上昇が異なる。このため、被
処理体は中心温度よりもサポートリングに接触する周辺
温度の温度上昇が低く、被処理体全面に亘る一様な急速
昇温が困難であるという問題があった。これを解決する
一手段として、本発明者は、被処理体の中心よりも周辺
を大きなパワーで加熱することを検討した。また、リフ
レクタも大きなパワーで加熱することにより劣化する。
しかし、高出力ランプは低出力ランプよりも短命にな
る。同様に、高出力ランプ用リフレクタは低出力ランプ
用リフレクタよりも短命になる。この結果、寿命切れと
なったランプハウス周辺のランプとリフレクタを交換す
るために、未だ使用可能なランプハウス中央のランプと
リフレクタをも含めたランプハウスを一体的に交換しな
ければならなくなり、不経済である。
In recent years, demands for rapid temperature rise of RTP have been increasing due to high quality processing of a processing object and improvement of throughput. For example, the temperature rise is changed from the current 90 ° C./sec to 250 ° C./sec. However, a support ring on which an object to be processed (for example, a silicon substrate) is placed is usually made of ceramics (for example, SiC) having excellent heat resistance, but the temperature rise between the two due to a difference in heat capacity. Are different. For this reason, there is a problem that the temperature of the object to be processed is lower at the peripheral temperature in contact with the support ring than at the center temperature, and it is difficult to uniformly and rapidly increase the temperature over the entire surface of the object to be processed. As a means for solving this, the present inventors have studied heating the periphery of the object to be processed with a larger power than the center of the object. The reflector is also deteriorated by heating with a large power.
However, high power lamps are shorter lived than low power lamps. Similarly, high power lamp reflectors are shorter lived than low power lamp reflectors. As a result, in order to replace the lamp and reflector around the expired lamp house, the lamp house including the lamp and reflector at the center of the lamp house, which can still be used, must be replaced integrally, which is inconvenient. Economy.

【0012】そこで、このような課題を解決する新規か
つ有用な加熱装置及び熱処理装置を提供することを本発
明の概括的目的とする。
Accordingly, it is a general object of the present invention to provide a new and useful heating device and heat treatment device that solve such problems.

【0013】より特定的には、被処理体の急速昇温を可
能にすると共に経済性に優れた加熱装置及び熱処理装置
を提供することを本発明の例示的目的とする。
[0013] More specifically, it is an exemplary object of the present invention to provide a heating device and a heat treatment device capable of rapidly increasing the temperature of an object to be processed and excellent in economical efficiency.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】上記課題に鑑み、本発明
の一側面としての加熱装置は、ランプとランプハウスか
らなる加熱装置であって、前記ランプは、第1のランプ
と、前記第1のランプより照射面積の小さい第2のラン
プとを有し、前記ランプハウスは、当該ランプハウスの
中央に第1のランプを収納する第1のランプ収納部と、
前記第1の領域の周囲に第2のランプを収納する第2の
ランプ収納部とを有する。かかる加熱装置はランプハウ
スの中央部に照射面積の大きな第1のランプ、当該第1
のランプの周囲に当該第1のランプより照射面積の小さ
な第2のランプを有する。かかる加熱装置は当該加熱装
置の被照射面の中心部を大きな照射面積で、その周囲を
小さな照射面積で照射することが可能である。また、第
2のランプの単位面積あたりの照射エネルギーを上げる
といった構成であっても良い。かかる構成は、被照射面
において照射部分の周縁部を集中的に加熱することが可
能である。また、第2の領域において、単位面積あたり
のランプ数を第1領域の単位面積あたりのランプ数より
増加させることで、かかる作用はより顕著なものとな
る。更に、加熱装置は一のランプに関し基部からの着脱
可能な構成であっても良い。かかる構成は、例えば、劣
化したランプだけを容易に交換することが可能であっ
て、未だ使用可能なランプを取り外すことがない。ま
た、ランプを交換する際に基部全体を交換する必要がな
く、劣化したランプのみを交換することができる。
In view of the above problems, a heating device according to one aspect of the present invention is a heating device including a lamp and a lamp house, wherein the lamp includes a first lamp and the first lamp. A second lamp having an irradiation area smaller than that of the first lamp housing, wherein the lamp house includes a first lamp housing unit that houses the first lamp in the center of the lamp house;
A second lamp accommodating portion accommodating a second lamp around the first region. Such a heating device includes a first lamp having a large irradiation area at the center of the lamp house,
And a second lamp having a smaller irradiation area than the first lamp around the first lamp. Such a heating device can irradiate the central portion of the surface to be irradiated of the heating device with a large irradiation area and the periphery thereof with a small irradiation area. Further, a configuration may be employed in which the irradiation energy per unit area of the second lamp is increased. With this configuration, it is possible to intensively heat the peripheral portion of the irradiated portion on the irradiated surface. Further, by increasing the number of lamps per unit area in the second region from the number of lamps per unit area in the first region, such an effect becomes more remarkable. Further, the heating device may have a structure in which one of the lamps is detachable from the base. With such a configuration, for example, only a deteriorated lamp can be easily replaced, and a lamp that can still be used is not removed. Further, it is not necessary to replace the entire base when replacing the lamp, and only the deteriorated lamp can be replaced.

【0015】また、本発明の別の側面としての熱処理装
置は、被処理体に熱源を用いて所定の熱処理を行う熱処
理装置であって、前記熱源を構成する第1のランプと、
前記熱源を構成し、前記第1のランプより照射面積の小
さい第2のランプと、前記第1及び第2のランプを保持
するランプハウスとを有し、前記ランプハウスは、当該
ランプハウスの中央に第1のランプを収納する第1のラ
ンプ収納部と、前記第1の領域の周囲に第2のランプを
収納する第2のランプ収納部とを有する。かかる熱処理
装置は上述した加熱装置を有し、同様の作用を奏する。
より詳細には、被処理体は中心温度よりもサポートリン
グに接触する周辺温度の温度上昇が低く部分である狭い
領域を小さな照射面積を有する第2のランプで効率的に
照射することができる。また、第2のランプの照射エネ
ルギーを上昇させる、又は第2の領域の単位面積あたり
のランプ数を増やすことで、被処理体の中心部及び外周
部をムラなく加熱することが可能である。従って、高品
質な熱処理を施すことが可能であり、かかる熱処理を施
された被処理体もまた高品質である。更に、熱処理装置
は一のランプに関し基部からの着脱可能な構成であって
も良い。かかる構成は、例えば、劣化したランプだけを
容易に交換することが可能であって、未だ使用可能なラ
ンプを取り外すことがない。また、ランプを交換する際
に基部全体を交換する必要がなく、劣化したランプのみ
を交換することができる。よって、熱処理装置のメンテ
ナンス性を向上することができる。
A heat treatment apparatus according to another aspect of the present invention is a heat treatment apparatus for performing a predetermined heat treatment on an object to be processed by using a heat source, the first lamp constituting the heat source;
A second lamp having an irradiation area smaller than that of the first lamp, and a lamp house holding the first and second lamps, wherein the lamp house is located at a center of the lamp house; A first lamp accommodating portion for accommodating a first lamp, and a second lamp accommodating portion for accommodating a second lamp around the first region. Such a heat treatment apparatus has the above-described heating apparatus and has the same effect.
More specifically, the object to be processed can efficiently irradiate a narrow area, which is a part where the temperature rise of the peripheral temperature in contact with the support ring is lower than the center temperature, with the second lamp having a small irradiation area. Further, by increasing the irradiation energy of the second lamp or increasing the number of lamps per unit area of the second region, the central portion and the outer peripheral portion of the object to be processed can be uniformly heated. Therefore, a high-quality heat treatment can be performed, and the object to which the heat treatment has been performed is also high-quality. Further, the heat treatment apparatus may be configured so that one lamp can be detached from the base. With such a configuration, for example, only a deteriorated lamp can be easily replaced, and a lamp that can still be used is not removed. Further, it is not necessary to replace the entire base when replacing the lamp, and only the deteriorated lamp can be replaced. Therefore, the maintainability of the heat treatment apparatus can be improved.

【0016】本発明の他の目的及び更なる特徴は以下添
付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明
らかにされるであろう。
[0016] Other objects and further features of the present invention will become apparent from the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の例示的な熱処理装置100について説明する。な
お、各図において同一の参照符号は同一部材を表してい
る。また、同一の参照番号に大文字のアルファベットを
付したものはアルファベットのない参照番号の変形例で
あり、特に断らない限り、アルファベットのない参照番
号は大文字のアルファベットを付した参照番号を総括す
るものとする。ここで、図1は、本発明の例示的一態様
としての熱処理装置100の概略断面図である。図1に
示すように、熱処理装置100は、処理室(プロセスチ
ャンバー)110と、ウインドウ120と、加熱部14
0と、サポートリング150と、ベアリング160と、
永久磁石170と、ガス導入部180と、排気部190
と、放射温度計200と、制御部300とを有する。な
お、図1において、加熱部140及びランプ130の形
状は簡略化されていることに理解されたい。なお、かか
る構成は後述する図面及び本明細書において更に明らか
となるであろう。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An exemplary heat treatment apparatus 100 according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same reference numerals indicate the same members. In addition, the same reference number with a capital letter added thereto is a modification of the reference number without a letter. I do. Here, FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a heat treatment apparatus 100 as an exemplary embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus 100 includes a processing chamber (process chamber) 110, a window 120, and a heating unit 14.
0, a support ring 150, a bearing 160,
Permanent magnet 170, gas introduction unit 180, exhaust unit 190
And a radiation thermometer 200 and a control unit 300. In FIG. 1, it should be understood that the shapes of the heating unit 140 and the lamp 130 are simplified. It should be noted that such a configuration will be further clarified in the drawings described later and in this specification.

【0018】処理室110は、例えば、ステンレススチ
ールやアルミニウム等により成形され、ウインドウ12
0と接続している。処理室110は、その円筒形の側壁
112とウインドウ120とにより被処理体Wに熱処理
を施すための処理空間を画定している。処理空間には、
半導体ウェハなどの被処理体Wを載置するサポートリン
グ150と、サポートリング150に接続された支持部
152が配置されている。これらの部材は被処理体Wの
回転機構において説明する。また、側壁112には、ガ
ス導入部180及び排気部190が接続されている。処
理空間は排気部190によって所定の減圧環境に維持さ
れる。被処理体Wを導入及び導出するためのゲートバル
ブは図1においては省略されている。
The processing chamber 110 is formed of, for example, stainless steel, aluminum, or the like.
0 is connected. The processing chamber 110 defines a processing space for performing a heat treatment on the workpiece W by the cylindrical side wall 112 and the window 120. In the processing space,
A support ring 150 on which a workpiece W such as a semiconductor wafer is placed, and a support 152 connected to the support ring 150 are arranged. These members will be described in the rotation mechanism of the workpiece W. Further, a gas introduction unit 180 and an exhaust unit 190 are connected to the side wall 112. The processing space is maintained in a predetermined reduced-pressure environment by the exhaust unit 190. A gate valve for introducing and discharging the workpiece W is omitted in FIG.

【0019】処理室110の底部114は冷却管116
a及び116b(以下、単に「116」という。)に接
続されており冷却プレートとして機能する。必要があれ
ば、冷却プレート114は温度制御機構を有してもよ
い。温度制御機構は、例えば、制御部300と、温度セ
ンサと、ヒータとを有し、水道などの水源から冷却水を
供給される。冷却水の代わりに他の種類の冷媒(アルコ
ール、ガルデン、フロン等)を使用してもよい。温度セ
ンサは、PTCサーミスタ、赤外線センサ、熱電対など
周知のセンサを使用することができる。ヒータは、例え
ば、冷却管116の周りに巻かれたヒータ線などとして
から構成される。ヒータ線に流れる電流の大きさを制御
することによって冷却管116を流れる水温を調節する
ことができる。
The bottom 114 of the processing chamber 110 is provided with a cooling pipe 116.
a and 116b (hereinafter simply referred to as "116") and function as a cooling plate. If necessary, the cooling plate 114 may have a temperature control mechanism. The temperature control mechanism includes, for example, a control unit 300, a temperature sensor, and a heater, and is supplied with cooling water from a water source such as a tap. Other types of refrigerants (alcohol, Galden, Freon, etc.) may be used instead of the cooling water. As the temperature sensor, a well-known sensor such as a PTC thermistor, an infrared sensor, and a thermocouple can be used. The heater is configured, for example, as a heater wire wound around the cooling pipe 116. By controlling the magnitude of the current flowing through the heater wire, the temperature of the water flowing through the cooling pipe 116 can be adjusted.

【0020】ウインドウ120は処理室110に気密的
に取り付けられて、処理室110内の減圧環境と大気と
の差圧を維持すると共に後述するランプ130からの光
を透過する。ウインドウ120は、半径約400mm、
厚さ約5乃至10mm、例えば5mmの円筒形のプレー
ト121であって、透光性セラミックスより形成され
る。本実施例において、プレート121に使用される透
光性セラミックスはAl 23より構成されるが、後述す
るようにこれに限定されるものではない。
The window 120 is airtight to the processing chamber 110.
Is attached to the decompression environment in the processing chamber 110 and the atmosphere.
And a light from a lamp 130 described later.
Through. The window 120 has a radius of about 400 mm,
Cylindrical play about 5 to 10 mm thick, for example 5 mm
121, made of translucent ceramics
You. In this embodiment, the transparent material used for the plate 121 is used.
Light ceramics is Al TwoOThreeIt will be described later.
However, the present invention is not limited to this.

【0021】セラミックスは原料粉末を焼結して得られ
る多結晶体で、その微細構造は一般に結晶粒、結晶粒界
のほかに析出物及び気孔(空孔)からなっている。基本
的にセラミックスは不透光性を示すが、焼結プロセス、
原料粉末、及び添加物をコントロールし、微細構造を変
化させることでセラミックスを透明化することが可能と
なる。なお、透光性を示すセラミックスを一般的に透光
性セラミックスと称する。透光性セラミックスの微構造
は気孔や析出物などがほとんど存在せず結晶粒界のみよ
り成る。これにより、透光性セラミックス中を通過する
光は物質によるエネルギーの損失がほとんど引き起こさ
れず、拡散光とならずに物体中を通過可能となり透光性
を示す。一方、物質中の電子遷移に基づく光エネルギー
の吸収現象も透光性を示す要因の一つであり、所望する
波長領域に吸収現象の要素を持っていない材料がセラミ
ックスの透明化の対象となる。なお、透光性セラミック
スは当業界のいかなる技術をも適用可能であり、本明細
書における詳細な説明は省略する。
Ceramics are polycrystals obtained by sintering raw material powders, and their fine structure is generally composed of precipitates and pores (voids) in addition to crystal grains and grain boundaries. Basically, ceramics show opacity, but the sintering process,
The ceramics can be made transparent by controlling the raw material powder and additives and changing the microstructure. Note that a ceramic having a light-transmitting property is generally referred to as a light-transmitting ceramic. The microstructure of the translucent ceramic is composed of only crystal grain boundaries with few pores and precipitates. Accordingly, light passing through the translucent ceramics hardly causes energy loss due to the substance, and can pass through the object without being diffused light, and exhibits translucency. On the other hand, the phenomenon of light energy absorption due to electronic transitions in a substance is also one of the factors that indicate translucency, and materials that do not have an element of the absorption phenomenon in the desired wavelength region are targets for transparent ceramics. . Note that any technology in the art can be applied to the translucent ceramics, and a detailed description in this specification is omitted.

【0022】透光性セラミックスは高温強度が大きく、
また焼結体の気孔率がほとんど0であることから、平滑
な表面が得られガス放出がないなどの特徴を有する。な
お、本発明において使用されるプレート121に好適な
透光性セラミックスは、更に以下のような性質を有す
る。第1に、透過率波長依存度が石英と同等以上であ
る。例えば、石英は0.3乃至2.5μmの波長を有す
る光を80乃至90%以上透過する。第2に、曲げ強度
が石英の最大曲げ応力σMAX=68MPaより優れてい
る。第3に、熱伝導率が石英の熱伝導率(1.4乃至
1.9W/m・K)より優れていること。第4に、製造
性が良いことが挙げられる。
Translucent ceramics have high strength at high temperatures,
Further, since the porosity of the sintered body is almost 0, it has features such as obtaining a smooth surface and no gas emission. The translucent ceramics suitable for the plate 121 used in the present invention further has the following properties. First, the transmittance wavelength dependence is equal to or higher than that of quartz. For example, quartz transmits 80 to 90% or more of light having a wavelength of 0.3 to 2.5 μm. Second, the bending strength is better than the maximum bending stress σ MAX = 68 MPa of quartz. Third, the thermal conductivity is superior to that of quartz (1.4 to 1.9 W / mK). Fourth, it has good productivity.

【0023】プレート121は上述したようにAl23
より構成される透光性セラミックスであり、文献による
と厚さ5mmのプレート121では波長領域3.5乃至
6.0μmにおいて80%以上の透過率を示す。また、
Al23の最大曲げ応力σMA Xは500MPaであり、
石英より向上している。従って、プレート121は従来
のように処理室110から離れる方向に湾曲するドーム
型に形成される必要がなく、平面形状を有する。ドーム
型に形成される石英ウインドウは被処理体をランプから
離間する距離を大きくするのでランプの指向性を悪化さ
せるという問題があったが、本実施例はかかる問題を解
決している。
The plate 121 is made of Al 2 O 3 as described above.
According to the literature, a plate 121 having a thickness of 5 mm has a transmittance of 80% or more in a wavelength region of 3.5 to 6.0 μm according to the literature. Also,
Maximum bending stress sigma MA X of Al 2 O 3 is 500 MPa,
It is better than quartz. Therefore, the plate 121 does not need to be formed in a dome shape curved in a direction away from the processing chamber 110 as in the related art, and has a planar shape. The dome-shaped quartz window has the problem that the directivity of the lamp is deteriorated because the distance of the object to be processed from the lamp is increased, but this embodiment solves this problem.

【0024】ウインドウ120と同条件である周囲固
定、等分布荷重pの円板(半径a、厚さt)において、
かかる円板に働く最大曲げ応力σMAXは次式で求められ
る。
In a disk (radius a, thickness t) with a fixed circumference and uniformly distributed load p under the same conditions as the window 120,
The maximum bending stress σ MAX acting on such a disk is obtained by the following equation.

【0025】[0025]

【数2】 (Equation 2)

【0026】周囲固定、等分布荷重の円板において半径
が同一である場合、最大曲げ応力は板圧の2乗に反比例
する。従って、石英の約7.4倍の最大曲げ応力を有す
る本発明のプレート121は、石英に対して板圧を約1
/2.7倍にすることが可能である。その結果、本発明
のプレート121は従来の石英の約1/3程度の厚さで
同様な強度を得ることができるため、ウインドウ120
の薄型化が可能となる。
When the radii are the same in a disk fixed at the periphery and uniformly distributed, the maximum bending stress is inversely proportional to the square of the plate pressure. Therefore, the plate 121 of the present invention, which has a maximum bending stress of about 7.4 times that of quartz, has a plate pressure of about 1 against quartz.
/2.7 times. As a result, the plate 121 of the present invention can obtain the same strength with a thickness of about 1/3 of the conventional quartz, and
Can be made thinner.

【0027】本実施例のプレート121の厚さは5乃至
10mm以下、例えば約5mmであり、従来の石英ウイ
ンドウの厚さである30乃至40mmよりも小さい。こ
の結果、本実施例のウインドウ120は、従来の石英ウ
インドウよりも後述するランプ130からの光の吸収量
が小さい。よって、第1に、後述するランプ130から
の被処理体Wへの照射効率を従来よりも向上することが
できるので高速昇温を低消費電力で達成することができ
る。即ち、従来はランプ光が石英ウインドウに吸収され
て被処理体Wへの照射効率を低下させる問題があったが
本実施例はそれを解決している。第2に、プレート12
1の表裏面での温度差(即ち、熱応力差)を従来よりも
低く維持することができるために破壊しにくい。即ち、
従来は石英ウインドウのランプに対向する面とその反対
側の面で温度差が生じて、RTPのような急速昇温時に
は表裏面での熱応力差から石英ウインドウが破壊し易い
という問題があったが本実施例はそれを解決している。
第3に、ウインドウ120の温度上昇は従来の石英ウイ
ンドウよりも低いために成膜処理の場合にその表面に堆
積膜や反応副生成物が付着することを防止することがで
き、温度再現性を確保することができると共に処理室1
10のクリーニングの頻度を減少することができる。即
ち、従来は石英ウインドウの温度が上昇し、特に、成膜
処理の場合には、その表面に堆積膜や反応副生成物が付
着してしまい温度再現性を確保できないと共に処理室の
クリーニングの頻度が増加するという問題があったが、
本実施例はそれを解決している。
The thickness of the plate 121 of this embodiment is 5 to 10 mm or less, for example, about 5 mm, which is smaller than the thickness of a conventional quartz window of 30 to 40 mm. As a result, the window 120 of the present embodiment absorbs less light from the lamp 130 described later than the conventional quartz window. Therefore, firstly, the efficiency of irradiation of the object W from the lamp 130, which will be described later, can be improved as compared with the related art, so that high-speed temperature rise can be achieved with low power consumption. That is, conventionally, there was a problem that the lamp light was absorbed by the quartz window and the irradiation efficiency to the object to be processed W was reduced, but this embodiment solves the problem. Second, the plate 12
Since the temperature difference (that is, the thermal stress difference) between the front and back surfaces of No. 1 can be kept lower than before, it is hard to break. That is,
Conventionally, there has been a problem that a temperature difference occurs between the surface of the quartz window facing the lamp and the surface on the opposite side, and the quartz window is easily broken due to the difference in thermal stress between the front and back surfaces during rapid temperature rise such as RTP. However, this embodiment solves that.
Third, since the temperature rise of the window 120 is lower than that of the conventional quartz window, it is possible to prevent a deposited film and a reaction by-product from adhering to the surface in the case of the film forming process, and to improve the temperature reproducibility. Processing chamber 1 that can be secured
10 can reduce the frequency of cleaning. That is, conventionally, the temperature of the quartz window has risen, and particularly in the case of a film forming process, a deposited film or a reaction by-product adheres to the surface thereof, so that the temperature reproducibility cannot be ensured and the frequency of cleaning the processing chamber is increased. There was a problem that increases
This embodiment solves that.

【0028】また、プレート121の熱伝導率は34W
/m・Kであり、従来の石英ウインドウの熱伝導率であ
る1.4乃至1.9W/m・Kより大きい。石英と比較
しても18乃至24倍高い値を示す。この結果、本実施
例のウインドウ120は、石英ウインドウよりも加熱時
のウインドウ120内の温度格差が小さい。よって、ラ
ンプ130からのエネルギーは被処理体Wへ均一に到達
し、被処理体Wを均一に加熱することが可能となる。従
って、被処理体Wへ均一な加熱をすることが可能であっ
て、従来と比べ高品質な被処理体Wを提供することが可
能となる。
The thermal conductivity of the plate 121 is 34 W
/ M · K, which is larger than the thermal conductivity of the conventional quartz window, which is 1.4 to 1.9 W / m · K. The value is 18 to 24 times higher than that of quartz. As a result, the window 120 of the present embodiment has a smaller temperature difference in the window 120 during heating than the quartz window. Therefore, the energy from the lamp 130 reaches the workpiece W uniformly, and the workpiece W can be uniformly heated. Therefore, the object to be processed W can be uniformly heated, and the object to be processed W can be provided with higher quality than before.

【0029】更に、透光性セラミックスより構成される
プレート121は石英と比べて加工が容易であり、製造
性に優れる。後述するように、プレート121の内部に
冷却管を配置する構成も可能である。
Further, the plate 121 made of translucent ceramics is easier to process than quartz and has excellent manufacturability. As described later, a configuration in which a cooling pipe is arranged inside the plate 121 is also possible.

【0030】本実施例において、プレート121はAl
23より構成されるが、上述した様に本発明はかかる部
材に限定されるものではない。プレート121は上述し
たような作用と効果を有するに足りるものであって、本
実施例に適用可能な透光性セラミックスは、例えば、A
lN、Sc23、MgO、Ca5(PO43OH、Si3
4、PLZT−8/65/35、Y23、ZrO2、T
hO2−5mol%Y 23、Y23−10mol%Th
2等が考えられる。
In this embodiment, the plate 121 is made of Al
TwoOThreeHowever, as described above, the present invention
It is not limited to the material. Plate 121 is described above.
Is sufficient to have the function and effect as described above.
Translucent ceramics applicable to the examples include, for example, A
1N, ScTwoOThree, MgO, CaFive(POFour)ThreeOH, SiThree
NFour, PLZT-8 / 65/35, YTwoOThree, ZrOTwo, T
hOTwo-5mol% Y TwoOThree, YTwoOThree-10 mol% Th
OTwoAnd so on.

【0031】以下、図2乃至図3を参照して、本実施例
のウインドウ120の変形例としてのウインドウ120
Aを説明する。ここで、図2は図1に示すウインドウ1
20の変形例であるウインドウ120Aの底面図であ
る。図3は、図2に示すウインドウ120AのA−A断
面の一部拡大断面図である。本実施例のウインドウ12
0Aは、図2に示すプレート121の直下に断面矩形の
アルミニウム又はステンレススチール(SUS)製の補
強材(又は柱)124を有する。図2において、例示的
に、補強材124は直線的に複数形成されている。な
お、かかるウインドウ120Aを使用する場合、ランプ
130は直線的に配列されることが好ましく、補強材1
24はランプ130の真下を避ける(即ち、ランプ13
0のランプ光が補強材によって遮蔽されない)ように配
置される。但し、補強材124は曲げ等の形状を有して
もよく、本実施例の加熱部140のようにランプ130
が同心円状に配置される場合、ランプ130の真下を避
けるように曲げ加工を施せばよい。 補強材124は熱
伝導率がよく、また、処理室と同様の材質であるので被
処理体Wに対する汚染源にはならない。補強材124に
よりウインドウ120Aのプレート121の厚さは5乃
至10mm以下、好ましくは5mm以下、より好ましく
は、例えば、約3mmとなり、上述の長所を更に顕著に
有する。本実施例で、補強材124の断面寸法は、図3
において高さ約18mm、幅約12mmであり、水冷管
125の径は6mm程度であるがこれに限定されるもの
ではない。図3に矢印で示すように、ランプ130から
の光は補強材124の側面で反射されて下方に配置され
た図示しない被処理体Wに導入される。
Hereinafter, referring to FIGS. 2 and 3, a window 120 as a modified example of the window 120 of the present embodiment will be described.
A will be described. Here, FIG. 2 shows the window 1 shown in FIG.
It is a bottom view of the window 120A which is a modification of 20. FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view taken along the line AA of the window 120A shown in FIG. Window 12 of this embodiment
OA has a reinforcing member (or column) 124 made of aluminum or stainless steel (SUS) having a rectangular cross section immediately below the plate 121 shown in FIG. In FIG. 2, for example, a plurality of reinforcing members 124 are linearly formed. When using such a window 120A, it is preferable that the lamps 130 are linearly arranged.
24 avoids the area directly below the lamp 130 (that is, the lamp 13
0 lamp light is not shielded by the reinforcing material). However, the reinforcing member 124 may have a shape such as a bend, and the lamp 130 may be shaped like the heating unit 140 of the present embodiment.
Are arranged concentrically, a bending process may be performed so as to avoid a position directly below the lamp 130. Since the reinforcing member 124 has a good thermal conductivity and is made of the same material as the processing chamber, it does not become a source of contamination for the workpiece W. Due to the reinforcing member 124, the thickness of the plate 121 of the window 120A is 5 to 10 mm or less, preferably 5 mm or less, more preferably, for example, about 3 mm. In this embodiment, the cross-sectional dimension of the reinforcing member 124 is as shown in FIG.
Is about 18 mm in height and about 12 mm in width, and the diameter of the water cooling tube 125 is about 6 mm, but is not limited thereto. As shown by the arrow in FIG. 3, light from the lamp 130 is reflected by the side surface of the reinforcing member 124 and is introduced into a workpiece W (not shown) arranged below.

【0032】かかる補強材124は、内部に冷却管(水
冷管)125を有し、ウインドウ120Aの強度を更に
高めている。本実施例の冷却管125は、補強材124
とプレート121の両方を冷却する機能を有する。冷却
管125はプレート121を冷却し、ランプ光による熱
変形を防止する効果を有する。また、補強材124がア
ルミニウム製であれば200乃至700℃で溶けたり変
形したりするので適当な温度制御が必要だからである。
冷却管125による温度制御は冷却管116と同様でも
よいし、当業界で既知のいかなる方法をも適用すること
ができる。
The reinforcing member 124 has a cooling pipe (water-cooling pipe) 125 inside, and further increases the strength of the window 120A. The cooling pipe 125 of the present embodiment includes a reinforcing material 124.
And a function of cooling both the plate 121. The cooling pipe 125 has an effect of cooling the plate 121 and preventing thermal deformation due to lamp light. Also, if the reinforcing material 124 is made of aluminum, it melts or deforms at 200 to 700 ° C., so that appropriate temperature control is necessary.
The temperature control by the cooling pipe 125 may be the same as that of the cooling pipe 116, and any method known in the art can be applied.

【0033】以下、図4を参照して、本実施例のウイン
ドウ120の別の変形例としてのウインドウ120Bを
説明する。ここで、図4は、図1に示すウインドウ12
0の変形例であるウインドウ120Bの一部拡大断面図
である。本実施例のウインドウ120Bは、透光性セラ
ミックスより形成された2枚の薄いプレート126及び
127より構成されるプレート121と、かかるプレー
ト126及び127の間に配置された冷却管125とを
有する。
Referring now to FIG. 4, a description will be given of a window 120B as another modified example of the window 120 of the present embodiment. Here, FIG. 4 shows the window 12 shown in FIG.
It is a partially expanded sectional view of the window 120B which is a modification of FIG. The window 120B of this embodiment has a plate 121 composed of two thin plates 126 and 127 formed of translucent ceramics, and a cooling pipe 125 arranged between the plates 126 and 127.

【0034】プレート121は、図中の点線で示したプ
レート126と127を張り合わせる貼り合せ面128
に対しプレート126及び127が線対称に構成され
る。プレート126及び127には冷却管125に適合
する溝が形成され、かかる溝に冷却管128を配し両面
から張り合わされる。なお、溝はランプ130の各ラン
プの間であって、ランプの真下を避けるように配置され
る。透光性セラミックスは石英に比べて局部的な加工が
容易であるという長所を有し、かかる構成が可能とな
る。また、プレート126及び127を張り合わせたと
きのプレート121の厚さは、ウインドウ120のプレ
ート121と同一であることが好ましい。
The plate 121 has a bonding surface 128 for bonding the plates 126 and 127 shown by dotted lines in the figure.
In contrast, plates 126 and 127 are configured to be line symmetric. A groove is formed in the plates 126 and 127 so as to fit the cooling pipe 125, and the cooling pipe 128 is disposed in such a groove and bonded from both sides. The groove is located between the lamps of the lamp 130 and is arranged so as not to be directly below the lamp. Translucent ceramics have the advantage that local processing is easier than quartz, and such a configuration is possible. Further, it is preferable that the thickness of the plate 121 when the plates 126 and 127 are attached to each other is the same as the plate 121 of the window 120.

【0035】冷却管125は断面形状が円もしくは楕円
より形成された冷却管であって、プレート126及び1
27の間に配される。冷却管125はプレート126及
び127の間に配されるため、ウインドウ120Aと比
べてプレート121の冷却効率を向上するという長所を
有する。なお、冷却管125は上述したウインドウ12
0Aと同様の効果を有するものであり、ここでの詳細な
説明は省略する。
The cooling pipe 125 is a cooling pipe having a circular or elliptical cross section.
27. Since the cooling pipe 125 is disposed between the plates 126 and 127, the cooling pipe 125 has an advantage of improving the cooling efficiency of the plate 121 as compared with the window 120A. The cooling pipe 125 is connected to the window 12 described above.
It has the same effect as 0A, and the detailed description is omitted here.

【0036】以下、図5乃至図10を参照して、本発明
の加熱部140を説明する。ここで、図5は、図1に示
す加熱部140の概略底面図であり、図6は、図5に示
す加熱部140の一部を示す拡大断面図である。図7
は、図5に示すランプ加熱部140よりランプ130を
はずしたときの図6に対応する図である。図8は、図6
に示すランプ130aの概略断面図である。図9は、図
6に示すランプ130bの概略断面である。図10は、
図6に示すランプ130の概略底面図である。なお、図
5乃至図10におてい加熱部140及びランプ130は
多少誇張して描かれており、本発明を特徴的に表すもの
であることに理解されたい。加熱部140は2種類のラ
ンプ130a及びランプ130bと、ランプハウスとし
てのランプ保持部142とを有し、被処理体Wに所定の
熱処理を施す加熱装置として機能する。ここで、ランプ
130はランプ130a及びランプ130bを総括する
ものとする。本実施例において、加熱部140はランプ
130の照射面と被処理体Wまでの距離が約40mmと
なるように被処理体Wから離間されている。
The heating section 140 of the present invention will be described below with reference to FIGS. Here, FIG. 5 is a schematic bottom view of the heating unit 140 shown in FIG. 1, and FIG. 6 is an enlarged sectional view showing a part of the heating unit 140 shown in FIG. FIG.
6 is a diagram corresponding to FIG. 6 when the lamp 130 is removed from the lamp heating unit 140 shown in FIG. FIG. 8 shows FIG.
3 is a schematic sectional view of a lamp 130a shown in FIG. FIG. 9 is a schematic cross section of the lamp 130b shown in FIG. FIG.
FIG. 7 is a schematic bottom view of the lamp 130 shown in FIG. 6. It should be understood that the heating unit 140 and the lamp 130 are somewhat exaggerated in FIGS. 5 to 10 and are characteristic of the present invention. The heating unit 140 includes two types of lamps 130a and 130b and a lamp holding unit 142 as a lamp house, and functions as a heating device that performs a predetermined heat treatment on the workpiece W. Here, it is assumed that the lamp 130 includes the lamps 130a and 130b. In this embodiment, the heating unit 140 is separated from the processing target W such that the distance between the irradiation surface of the lamp 130 and the processing target W is about 40 mm.

【0037】ランプ130は、本実施例ではシングルエ
ンド型であるが、電熱線ヒータ等その他のエネルギー源
を使用してもよい。ここで、シングルエンド型とは、図
6に示すように、一の電極部132を有する種類のラン
プをいう。ランプ130は被処理体Wを加熱する機能を
有し本実施例ではハロゲンランプであるが、加熱部14
0に適用可能なランプがこれに限定されるものではな
い。また、ランプ130の出力はランプドライバ310
によって決定されるが、ランプドライバ310は後述す
るように制御部300により制御され、それに応じた電
力をランプ130に供給する。なお、本実施例におい
て、ランプ130bのパワー密度はランプ130aのパ
ワー密度より大きくなるように制御部300により電力
が制御される。より詳細には、ランプ130bはランプ
130aの2乃至3倍のパワー密度を有する。
Although the lamp 130 is of a single-ended type in this embodiment, other energy sources such as a heating wire heater may be used. Here, the single-ended type refers to a type of lamp having one electrode portion 132 as shown in FIG. The lamp 130 has a function of heating the workpiece W and is a halogen lamp in this embodiment.
The lamp applicable to 0 is not limited to this. The output of the lamp 130 is output from the lamp driver 310.
The lamp driver 310 is controlled by the control unit 300 as described later, and supplies electric power to the lamp 130 in accordance with the control. In this embodiment, the power is controlled by the control unit 300 such that the power density of the lamp 130b is higher than the power density of the lamp 130a. More specifically, lamp 130b has a power density that is two to three times that of lamp 130a.

【0038】図5に示すように、本実施例では、ランプ
130はほぼ円形の被処理体Wに対応させてほぼ同心円
状に配置されている(図5において、ランプ130はそ
の数が省略して描かれている)。また、ランプ130は
被処理体Wの中心近傍に対応する位置に大口径のランプ
130aが、サポートリング150及び被処理体Wの端
部近傍に対応する位置に小口径のランプ130bが配置
される。なお、ランプ130の配置についてはランプ保
持部142において述べるものとし、ここでの詳細な説
明は省略する。
As shown in FIG. 5, in this embodiment, the lamps 130 are arranged substantially concentrically so as to correspond to the substantially circular workpiece W (in FIG. 5, the number of the lamps 130 is omitted. Is drawn). The lamp 130 has a large-diameter lamp 130a at a position corresponding to the vicinity of the center of the workpiece W, and a small-diameter lamp 130b at a position corresponding to the vicinity of the end of the support ring 150 and the workpiece W. . The arrangement of the lamp 130 will be described in the lamp holding unit 142, and a detailed description thereof will be omitted.

【0039】典型的に、ランプ130は一の電極部13
2と、中間部134と、中間部134を介し電極部13
2に接続される発光部136とを含み、発光部136は
中間部134を介し電極部132に接続するフィラメン
ト137のコイル138部分と、リフレクタ139とを
有する。
Typically, the lamp 130 has one electrode 13
2, the intermediate portion 134, and the electrode portion 13 via the intermediate portion 134.
The light emitting unit 136 includes a coil 138 portion of a filament 137 connected to the electrode unit 132 via the intermediate unit 134, and a reflector 139.

【0040】本実施例において、ランプ130はランプ
保持部142の後述する溝143と内接する側面部分に
ねじ山(おねじ)131が形成される。ねじ山131
は、本実施例においては三角ねじであって、略三角形状
のねじ山が形成される。なお、ねじ山131の形状はか
かる形状に限定されるものではなく、四角ねじ又は台形
ねじ等であってもよい。但し、ねじ山131はランプ1
30の例示的な形態を示したものであり、ランプ130
が形状においてこれに限定するものではない。後述する
ようにねじ山131がないランプ130Bであってもよ
い。
In this embodiment, the lamp 130 has a thread (male thread) 131 formed on a side surface portion of the lamp holding portion 142 which inscribes a groove 143 described later. Thread 131
Is a triangular screw in the present embodiment, and a substantially triangular thread is formed. The shape of the thread 131 is not limited to such a shape, and may be a square screw, a trapezoidal screw, or the like. However, the thread 131 is the lamp 1
30 shows an exemplary configuration of a lamp 130
Is not limited to this in shape. The lamp 130B without the thread 131 may be used as described later.

【0041】本実施例では、例示的に、ランプ130a
の電極部132の高さは約25mm、中間部134の高
さは約45mm、発光部136の高さは約25mmであ
る。また、中間部134の直径は約10mm、発光部1
36の直径は約40mmである。一方、例示的に、ラン
プ130bの電極部132の高さは約25mm、中間部
124の高さは約55mm、発光部の高さ約10mmで
ある。また、中間部134の直径は約10mm、発光部
136の直径は20mmである。
In this embodiment, for example, the lamp 130a
The height of the electrode part 132 is about 25 mm, the height of the middle part 134 is about 45 mm, and the height of the light emitting part 136 is about 25 mm. The diameter of the middle part 134 is about 10 mm,
The diameter of 36 is about 40 mm. Meanwhile, for example, the height of the electrode part 132 of the lamp 130b is about 25 mm, the height of the middle part 124 is about 55 mm, and the height of the light emitting part is about 10 mm. The diameter of the middle part 134 is about 10 mm, and the diameter of the light emitting part 136 is 20 mm.

【0042】電極部132は一対の電極133を有し、
ランプ保持部142を介しランプドライバ310と電気
的に接続する部分であって、かかる電極133がフィラ
メント137に電気的に接続されている。電極部132
へ供給される電力はランプドライバ310によって決定
され、ランプドライバ310は制御部300によって制
御される。電極部132とランプドライバ310との間
は後述する封止部143cによって接続されている。
The electrode section 132 has a pair of electrodes 133,
The electrode 133 is electrically connected to the lamp driver 310 via the lamp holding portion 142, and the electrode 133 is electrically connected to the filament 137. Electrode part 132
The power supplied to is determined by the lamp driver 310, and the lamp driver 310 is controlled by the control unit 300. The electrode section 132 and the lamp driver 310 are connected by a sealing section 143c described later.

【0043】中間部134は発光部136と一体、か
つ、気密的に形成され、かかる内部には窒素又はアルゴ
ン又はハロゲン気体が封入される。中間部134は電極
部132と発光部136の間に位置し所定の長さを有す
る円筒であって、電極部132と発光部136の間を離
間させる。中間部134は、かかる長さにおいて後述す
るランプ130の温度制御において好ましいという長所
を有する。なお、中間部134はかかる内部に位置する
フィラメント137も発光するため、当然発光部136
の一部である。しかし、本明細書では電極部132と発
光部136(最も強く発光する部分)が所定距離離間し
ているため、かかる領域を中間部134と定義したに過
ぎない事に理解されたい。本実施例において、中間部1
34はセラミックより形成される。なお、中間部134
はセラミックの他に金属材料、例えばアルミニウムやS
US(ステンレススチール)より形成されてもよい。
The intermediate portion 134 is formed integrally with the light emitting portion 136 and is hermetically sealed. Nitrogen, argon, or a halogen gas is sealed in the inside. The intermediate portion 134 is a cylinder having a predetermined length and located between the electrode portion 132 and the light emitting portion 136, and separates the electrode portion 132 from the light emitting portion 136. The intermediate portion 134 has an advantage that such a length is preferable in controlling the temperature of the lamp 130 described later. Since the filament 137 located inside the intermediate portion 134 also emits light, the light emitting portion 136 is naturally
Part of. However, in this specification, since the electrode portion 132 and the light emitting portion 136 (the portion that emits the strongest light) are separated by a predetermined distance, it should be understood that such a region is merely defined as the intermediate portion 134. In the present embodiment, the intermediate portion 1
34 is made of ceramic. The intermediate portion 134
Is a metal material such as aluminum or S besides ceramic.
It may be formed from US (stainless steel).

【0044】発光部136は本実施例において中間部1
34より大きな径の円筒形状であって、溝143に内接
する側面136aと、被処理体Wと対面しランプ光が射
出される射出面136bより構成される。発光部136
はフィラメント137のコイル138部分とリフレクタ
139とを内部に有する。本実施例において、発光部1
36の側面136aは中間部134と同一材料より中間
部134と一体的に成形される。一方、発光部136の
射出面136bは石英、又は透光性セラミックスなどの
ランプ光を透過しやすい材料より形成さる。
The light emitting section 136 is the intermediate section 1 in this embodiment.
It has a cylindrical shape with a diameter larger than 34, and includes a side surface 136a inscribed in the groove 143, and an emission surface 136b facing the workpiece W and emitting lamp light. Light emitting unit 136
Has a coil 138 portion of a filament 137 and a reflector 139 therein. In this embodiment, the light emitting unit 1
The side surface 136a of 36 is formed integrally with the intermediate portion 134 from the same material as the intermediate portion 134. On the other hand, the emission surface 136b of the light emitting unit 136 is formed of a material that easily transmits lamp light, such as quartz or translucent ceramics.

【0045】発光部136は、基本的に、側面136が
半球、半楕円球、及び円錐形状に形成されるが、ランプ
130の側面には後述するようなねじ山131が形成さ
れる。そこで、図6、図8及び図9に示すように、本実
施例では発光部136はかかるねじ山131を形成する
ために側面136bの形状が半球及び円錐形状とは異な
っており、例示的に変形されていることに理解された
い。また、後述するリフレクタ137の形状が側面13
6aと同一な形状ではなく半球形状を有するのは、側面
136aの形状が例示的に変形されているに過ぎないか
らである。
The light-emitting portion 136 basically has a side surface 136 formed in a hemisphere, a semi-elliptical sphere, and a conical shape. On the side surface of the lamp 130, a thread 131 as described later is formed. Therefore, as shown in FIGS. 6, 8 and 9, in the present embodiment, the light emitting portion 136 has a shape of the side surface 136b different from the hemispherical shape and the conical shape in order to form the screw thread 131. It should be understood that it has been transformed. The shape of a reflector 137 described later is changed to the side surface 13.
It has a hemispherical shape instead of the same shape as 6a, because the shape of the side surface 136a is only exemplarily deformed.

【0046】フィラメント137は、例えば、タングス
テン(W)から構成される。図8乃至図10によく示さ
れるように、フィラメント137は電極133に接続す
ると共に発光部136において光源と成り得るコイル1
38を構成する。かかるコイル138の軸心は被処理体
Wに対し平行するように形成される。フィラメント13
7から発せられた光はコイル138の法線方向(コイル
138の軸心方向と直交する方向)に照射される。従っ
て、少なくともコイル138の被処理体Wと対面する側
からの光は被処理体Wに直接(リフレクタ139を介さ
ずに)照射されることとなる。かかる光はリフレクタ1
39による反射損失が0であり、高エネルギーのまま被
処理体Wに照射される。一方、かかる光を除く光に関し
ては後述するリフレクタ139によって効率よく反射さ
れ被処理体Wへと照射される。
The filament 137 is made of, for example, tungsten (W). 8 to 10, the filament 137 is connected to the electrode 133 and the coil 1 which can be a light source in the light emitting unit 136.
38. The axis of the coil 138 is formed so as to be parallel to the workpiece W. Filament 13
The light emitted from 7 is irradiated in the normal direction of the coil 138 (the direction orthogonal to the axial direction of the coil 138). Therefore, light from at least the side of the coil 138 facing the object W is directly irradiated to the object W (not through the reflector 139). Such light is reflected by the reflector 1
The reflection loss due to 39 is 0, and the object to be processed W is irradiated with high energy. On the other hand, light excluding such light is efficiently reflected by the reflector 139 described later and is irradiated onto the processing target W.

【0047】リフレクタ139はコイル138を覆い、
被処理体Wから遠ざかる方向に凸となるような半球形状
を有する。リフレクタ139は光を被処理体Wに向けて
反射する反射部であって、より詳細には、発光部136
の側面136aと同一形状に形成される。但し、図6、
図8及び図9では、発光部136がねじ山131を形成
するため、上述したように発光部136の形状が変更さ
れていることに理解されたい。また、リフレクタ139
の形状は半球形状に限定されず、発光部136の側面と
同一であるならばその他の形状を排除するものではな
い。例えば、リフレクタ139は半楕円球形状や円錐形
状であってもよい。また、リフレクタ139は図示しな
い貫通孔を有し、当該貫通孔よりフィラメント137が
電極133と接続することを許容し、コイル138を覆
っている。但し、当該貫通孔はリフレクタ139の反射
機能を妨げない程度の大きさに形成されることが好まし
い。更に、リフレクタ139のコイル138を覆ってい
る側の表面は可視光線及び赤外線を含む光を効率よく反
射する為のコーティング処理が施されている。かかるコ
ーティングの塗布材料としては金(Au)、金(Au)
及びロジウム(Rh)、金(Au)及びニッケル(N
i)を使用することが考えられる。
The reflector 139 covers the coil 138,
It has a hemispherical shape that is convex in a direction away from the processing target object W. The reflector 139 is a reflecting portion that reflects light toward the processing target object W, and more specifically, the light emitting portion 136.
Is formed in the same shape as the side surface 136a. However, FIG.
In FIGS. 8 and 9, it should be understood that the shape of the light emitting unit 136 is changed as described above because the light emitting unit 136 forms the thread 131. Also, the reflector 139
Is not limited to a hemispherical shape, and other shapes are not excluded as long as the shape is the same as the side surface of the light emitting unit 136. For example, the reflector 139 may have a semi-elliptical spherical shape or a conical shape. The reflector 139 has a through hole (not shown), and allows the filament 137 to be connected to the electrode 133 from the through hole, and covers the coil 138. However, it is preferable that the through hole is formed in a size that does not hinder the reflection function of the reflector 139. Further, the surface of the reflector 139 on the side covering the coil 138 is subjected to a coating process for efficiently reflecting light including visible light and infrared light. Gold (Au), gold (Au)
And rhodium (Rh), gold (Au) and nickel (N
It is conceivable to use i).

【0048】リフレクタ139はフィラメント137の
コイル138より発せられる光を被処理体Wに向けて反
射すると共に、ランプ130の指向性を高める機能を有
する。リフレクタ139は、上述した形状によりフィラ
メント137のコイル138部分より放射された光を効
率よく、好ましくは少なくとも一回以下の反射で被処理
体Wに照射するとともに、ランプ光を被処理体に対し略
垂直となる方向に集光する。図11及び図12を参照す
るに、ランプ130の光路について説明する。ここで、
図11は、図6に示すランプ130のフィラメント13
7より放出される光L(LはL1、L2、及びL3を総括
するものとする。)の光路を示した概略側面図である。
図12は、図6に示すランプ130のフィラメント13
7より放出される光Lの光路を示した別の概略側面図で
ある。コイル138の上面側(被処理体Wに対し対向す
る側)より放射された光L1は被処理体Wから遠ざかる
方向、即ちリフレクタ139に向かう。上述したよう
に、リフレクタ139は光を被処理体Wに向かうように
反射させる為、かかる光L1はリフレクタ139で一回
反射し被処理体Wへ向かう。なお、光L1の一部は再び
フィラメント137に到達し被処理体Wに照射されない
ものがある。しかし、かかる光のエネルギーはコイル1
38の加熱及び発光に寄与するため、相対的にエネルギ
ーのロスとは成り得ない。また、コイル138の側面側
より放射された光L2はリフレクタ139に入射し、大
部分は被処理体Wへ照射され、残りは再びフィラメント
137にもどり上述したようにコイル138の発光に寄
与する。最後に、コイル138の下面側(被処理体Wに
対面する側)より放射された光L3はリフレクタ139
を介さずに被処理体Wに直接照射される。
The reflector 139 has a function of reflecting the light emitted from the coil 138 of the filament 137 toward the object to be processed W and increasing the directivity of the lamp 130. The reflector 139 efficiently irradiates the light radiated from the coil 138 portion of the filament 137 with the above-described shape to the workpiece W by preferably at least one or less reflection, and substantially emits lamp light to the workpiece. Focus in the vertical direction. The optical path of the lamp 130 will be described with reference to FIGS. here,
FIG. 11 shows the filament 13 of the lamp 130 shown in FIG.
FIG. 7 is a schematic side view showing an optical path of light L (L is a general term of L 1 , L 2 , and L 3 ) emitted from the light emitting device 7.
FIG. 12 shows the filament 13 of the lamp 130 shown in FIG.
FIG. 7 is another schematic side view showing an optical path of light L emitted from 7. Light L 1 emitted from the upper surface side of the coil 138 (the side facing the processing target W) travels in a direction away from the processing target W, that is, toward the reflector 139. As described above, since the reflector 139 reflects the light toward the processing target W, the light L 1 is reflected once by the reflector 139 and advances toward the processing target W. A part of the light L 1 is are those not irradiated on the target object W reaches the filament 137 again. However, the energy of such light is
Since it contributes to the heating and light emission of 38, it is not relatively possible to lose energy. The light L 2 emitted from the side surface of the coil 138 is incident on the reflector 139, most of the light L 2 is irradiated on the target object W, and the rest returns to the filament 137 and contributes to the light emission of the coil 138 as described above. . Finally, the light L3 emitted from the lower surface side of the coil 138 (the side facing the workpiece W) is reflected by the reflector 139.
The target object W is directly irradiated without passing through.

【0049】以上説明したように、本実施例のランプ1
30はフィラメント137のコイル138部分を平行に
配置することで、光は被処理体Wに対し垂直方向に射出
される。一の光は被処理体Wに直接照射され、一方その
他の光はリフレクタ139に向かう。また、上述したよ
うにリフレクタ139の形状は光を被処理体Wに向けて
反射するように形成されている。よって、ランプ130
より射出される光は、一回の反射のみで被処理体に照射
される。また、ランプ130より放射される光はリフレ
クタ139の開口部分の接線方向の範囲内に集中する。
即ち、本実施例のランプ130は、図26に示すような
従来のランプよりもリフレクタ139での反射回数が少
ないためエネルギー損失が少ないまま被処理体Wに伝達
され、指向性にも優れている。従来は光がリフレクタの
多重反射に伴う反射損失により、ランプ光のエネルギー
を低下させる問題があったが本実施例はそれを解決して
いる。よって、ランプ130は、被処理体Wへの照射効
率を従来よりも向上することができるので高速昇温を低
消費電力で達成することができる。なお、リフレクタ1
39が有する曲率、及び、開口はランプ130に求める
指向性により異なるものである。
As described above, the lamp 1 of this embodiment is
Numeral 30 designates a coil 138 portion of the filament 137 arranged in parallel, so that light is emitted in a direction perpendicular to the workpiece W. One light is directly applied to the object to be processed W, while the other light is directed to the reflector 139. Further, as described above, the shape of the reflector 139 is formed so as to reflect light toward the processing target object W. Therefore, the lamp 130
The light emitted from the object is irradiated on the object to be processed by only one reflection. Further, the light emitted from the lamp 130 is concentrated in the tangential range of the opening of the reflector 139.
That is, the lamp 130 of this embodiment is transmitted to the processing object W with a small energy loss because the number of reflections on the reflector 139 is smaller than that of the conventional lamp as shown in FIG. 26, and has excellent directivity. . Conventionally, there has been a problem that the energy of lamp light is reduced due to reflection loss caused by multiple reflection of light by a reflector, but this embodiment solves this problem. Thus, the lamp 130 can improve the irradiation efficiency of the object to be processed W more than before, and can achieve high-speed temperature rise with low power consumption. In addition, the reflector 1
The curvature and opening of the lamp 39 differ depending on the directivity required of the lamp 130.

【0050】また、本実施例ではランプ保持部142の
後述する溝143に適用可能なねじ山131がランプ1
30の側面に形成されるため、ランプ130の中間部1
34及び発光部136は強度、及び加工性を考慮して上
述の部材より構成される。しかし、本発明のランプ13
0はかかる部材に限定されず、ランプ130の中間部1
34及び発光部136の全体を石英、又は透光性セラミ
ックスより形成してもよい。但し、かかる構成にした場
合、ランプ130にカバー材を設け当該カバーにおいて
ランプ保持部142に対するランプ130の強度、及び
加工性を得るものとしなければならないことは言うまで
もない。更に、かかるカバー材は後述するランプ130
の冷却を妨げないよう、熱伝導率の高い部材より選択さ
れることが好ましい。一方、ランプ130は、典型的
に、発光部136の側面136bを上述したように半球
又は円錐形状に形成してもよい。更に、ランプ130は
発光部136と中間部134が同一径を有する円筒形状
に形成されてもよい。しかしながら、上述したランプ1
30の形状は後述する長所を数多く有するという利点が
ある。
In this embodiment, the thread 131 applicable to a groove 143 of the lamp holding portion 142 described later
30 formed on the side surface of the lamp 130,
The light-emitting portion 34 and the light-emitting portion 136 are formed of the above-described members in consideration of strength and workability. However, the lamp 13 of the present invention
0 is not limited to such a member, and
The entirety of the light emitting portion 34 and the light emitting portion 136 may be formed of quartz or translucent ceramics. However, in the case of such a configuration, it is needless to say that a cover material must be provided on the lamp 130 to obtain the strength and workability of the lamp 130 with respect to the lamp holding portion 142 in the cover. Further, such a cover material is used for a lamp 130 described later.
It is preferable to select a member having a high thermal conductivity so as not to hinder the cooling. On the other hand, in the lamp 130, typically, the side surface 136b of the light emitting unit 136 may be formed in a hemispherical or conical shape as described above. Further, the lamp 130 may be formed in a cylindrical shape in which the light emitting part 136 and the intermediate part 134 have the same diameter. However, the lamp 1 described above
The shape of 30 has the advantage that it has many of the advantages described below.

【0051】以下、図13を参照して、本実施例のラン
プ130の変形例としてのランプ130Aを説明する。
ここで、図13は、図6に示すランプ130の変形例で
あるランプ130Aの概略底面図である。ランプ130
Aは複数のコイル138a乃至138cを構成するフィ
ラメント137Aを有する。コイル138a乃至138
cは、上述したフィラメント137と同様に、被処理体
Wに対して平行になるように配置される。コイル138
a乃至138cを並列に配列することで、図12よりラ
ンプ130Aを見たとき、ランプ130Aは発光部13
6を面光源と見なすことができる。即ち、ランプ130
Aはランプ130よりも照射エネルギーを増大させる。
よって、被処理体Wへの照射効率をランプ130よりも
向上することができるので高速昇温を達成することがで
きる。また、かかるランプ130Aにおいても、ランプ
130で述べたようなリフレクタ139の反射損失が少
なく、かつ指向性を持たせたランプであることはいうま
でもない。
Hereinafter, a lamp 130A as a modification of the lamp 130 of the present embodiment will be described with reference to FIG.
Here, FIG. 13 is a schematic bottom view of a lamp 130A which is a modification of the lamp 130 shown in FIG. Lamp 130
A has a filament 137A constituting a plurality of coils 138a to 138c. Coils 138a to 138
c is disposed so as to be parallel to the processing target W, similarly to the filament 137 described above. Coil 138
a to 138c are arranged in parallel, so that when the lamp 130A is viewed from FIG.
6 can be considered as a surface light source. That is, the lamp 130
A increases irradiation energy more than the lamp 130.
Therefore, the irradiation efficiency of the object to be processed W can be higher than that of the lamp 130, so that a high-speed temperature rise can be achieved. Further, it is needless to say that the lamp 130A has a small reflection loss of the reflector 139 as described in the lamp 130 and has directivity.

【0052】なお、ランプ130Aにおいて、フィラメ
ント137Aを構成するコイル138a乃至138cの
数は例示的であり、所望する照射エネルギーにより適宜
変更可能である。また、フィラメント137Aの配置及
び形状は、ランプ130Aが被処理体Wに対して面光源
とみなせるに足りるものである。即ち、図14乃至図1
7に示すようなフィラメント137の配置であっても良
い。ここで、図14乃至図16は、図13に示すランプ
130Aの有するフィラメント137Aの変形例である
フィラメント137B乃至137Dを示す概略平面図で
ある。図17は、図16に示すフィラメント130Dを
示す概略側面図である。図14は複数のコイル138d
乃至139gが交差するように配置されたフィラメント
137Bである。図15は幅広に形成されたコイル13
8hを有するフィラメント137Cである。図16乃至
図17はコイル138iが螺旋を形成するフィラメント
137Dである。上述した形状であっても、ランプ13
0Aを面光源と見なせることができ、ランプの照射エネ
ルギーを上げることが可能である。
In the lamp 130A, the number of coils 138a to 138c constituting the filament 137A is illustrative, and can be appropriately changed according to desired irradiation energy. The arrangement and shape of the filament 137A are sufficient so that the lamp 130A can be regarded as a surface light source for the object W to be processed. That is, FIGS. 14 to 1
The arrangement of the filament 137 as shown in FIG. Here, FIGS. 14 to 16 are schematic plan views showing filaments 137B to 137D which are modified examples of the filament 137A of the lamp 130A shown in FIG. FIG. 17 is a schematic side view showing the filament 130D shown in FIG. FIG. 14 shows a plurality of coils 138d.
To 139 g are filaments 137B arranged so as to intersect. FIG. 15 shows a coil 13 formed wide.
Filament 137C with 8h. 16 and 17 show a filament 137D in which the coil 138i forms a spiral. Even with the above-described shape, the lamp 13
0A can be regarded as a surface light source, and the irradiation energy of the lamp can be increased.

【0053】図5乃至図7、図18を参照するに、ラン
プハウスとして機能するランプ保持部142は略直方体
形状を有し、各ランプ130を収納する溝143と、隔
壁148とを有している。ここで、図18は、図6に示
すランプ保持部142のランプ130が熱膨張をしてい
ないときの一部拡大断面図である。
Referring to FIGS. 5 to 7 and FIG. 18, the lamp holding portion 142 functioning as a lamp house has a substantially rectangular parallelepiped shape, and has a groove 143 for accommodating each lamp 130 and a partition 148. I have. Here, FIG. 18 is a partially enlarged cross-sectional view when the lamp 130 of the lamp holding unit 142 shown in FIG. 6 is not thermally expanded.

【0054】溝143はランプを収納するランプ収納部
としての機能を有し、ランプ130aを収納する溝14
3aと、ランプ130bを収納する溝143bより構成
される。なお、溝143は溝143a、溝143bを総
括するものとする。なお、溝143の詳細な形状につい
ては後述するものとし、以下溝143の配置について説
明する。
The groove 143 has a function as a lamp accommodating portion for accommodating the lamp, and has a groove 14 accommodating the lamp 130a.
3a and a groove 143b for accommodating the lamp 130b. The groove 143 generally includes the groove 143a and the groove 143b. The detailed shape of the groove 143 will be described later, and the arrangement of the groove 143 will be described below.

【0055】図5によく示されるように、溝143aは
ランプ保持部142の中心(図中、線Xと線Yの交差部
分)、即ち被処理体Wの中心に対応する部分から半径方
向に、サポートリング150の手前まで同心円を描くよ
うに形成される。より詳細には、溝143aはランプ保
持部142の中心、及び、当該中心部分から半径が第1
の距離づつ大きく形成された複数の同心円の円周上に、
溝143aの中心が位置するように複数の溝143aが
形成される。かかる第1の距離は、ランプ130aの放
射分布の半値幅(ランプ130aの光強度がピーク値と
比較して半分の値になったときの放射分布の幅)の約
0.5乃至1.5倍に設定される。本実施例において、ラ
ンプ130aは射出面136bからランプ光の放射方向
に約40mmの点(本実施例における、ランプ130か
ら被処理体Wまでの距離)において、半値幅約40mm
を示す。なお、かかる幅は使用するランプによって異な
る値であって、本発明を限定するものではない。また、
本実施例では、後述する冷却管148を発光部136側
に有する為、第1の距離はランプ130aの発光部13
6の直径より大きな値である50mm(半値幅40mm
ラ1.25)に設定される。なお、かかる同心円は後述
する溝143bと重ならない程度の位置まで広げられる
ものとする。また、一の円上に形成される各溝143a
の間隔は第1の距離ごとに形成されることが好ましい。
As shown in FIG. 5, the groove 143a extends radially from the center of the lamp holding portion 142 (the intersection of the line X and the line Y in the figure), that is, the portion corresponding to the center of the workpiece W. Are formed so as to draw concentric circles up to the support ring 150. More specifically, the groove 143a has a first radius from the center of the lamp holding portion 142 and from the center.
On the circumference of a plurality of concentric circles formed large by the distance of
A plurality of grooves 143a are formed so that the center of groove 143a is located. The first distance is about 0.5 to 1.5 of the half width of the radiation distribution of the lamp 130a (the width of the radiation distribution when the light intensity of the lamp 130a is half the peak value). Set to double. In this embodiment, the lamp 130a has a half-width of about 40 mm at a point of about 40 mm from the emission surface 136b in the direction of emission of the lamp light (the distance from the lamp 130 to the object W in this embodiment).
Is shown. The width varies depending on the lamp used, and does not limit the present invention. Also,
In this embodiment, since the cooling tube 148 described later is provided on the light emitting unit 136 side, the first distance is equal to the light emitting unit 13 of the lamp 130a.
50 which is a value larger than the diameter of No. 6 (half-width 40 mm
1.25). It is assumed that the concentric circle is expanded to a position that does not overlap with a groove 143b described later. Also, each groove 143a formed on one circle
Are preferably formed at every first distance.

【0056】一方、溝143bはサポートリング150
と被処理体Wとが重なる部分、及び、その近傍に対応す
る位置に複数の同心円を描くように形成される。より詳
細には、溝143bは被処理体Wと後述するサポートリ
ング150の重なる領域であって、その略中心を示す第
一の円C1、当該円C1より半径が第2の距離だけ大きい
第2の円C2と、円C1より半径が第2の距離だけ小さい
第3の円C3のそれぞれの円周上に位置するように配置
される。なお、第2の距離は、ランプ130bの放射分
布の半値幅の約0.5乃至1.5倍に設定される。ランプ
130bは射出面136bからランプ光の放射方向に約
40mmの点(本実施例における、ランプ130から被
処理体Wまでの距離)において、半値幅約20mmを示
す。なお、かかる幅は使用するランプによって異なる値
であって、本発明を限定するものではない。溝143a
と同様に、冷却管を発光部136側に有する為、第2の
距離は25mm(半値幅20mmラ1.25)に設定さ
れる。また、一の円上に形成される溝143bの間隔は
第2の距離ごとに形成されることが好ましい。
On the other hand, the groove 143b is
Are formed so as to draw a plurality of concentric circles at a position corresponding to a portion where the object and the processing object W overlap and at a position corresponding to the vicinity thereof. More specifically, the groove 143b is a region that overlaps the support ring 150 described later and the object W, the first circle C 1 that shows the approximate center, a large second distance radius from the circle C 1 a second circle C 2, the radius from the circle C 1 is arranged so as to be located a second distance smaller by a third each on the circumference of the circle C 3. The second distance is set to about 0.5 to 1.5 times the half width of the radiation distribution of the lamp 130b. The lamp 130b has a half width of about 20 mm at a point of about 40 mm from the emission surface 136b in the direction of emission of the lamp light (the distance from the lamp 130 to the object W in this embodiment). The width varies depending on the lamp used, and does not limit the present invention. Groove 143a
Similarly to the above, since the cooling tube is provided on the light emitting unit 136 side, the second distance is set to 25 mm (half-width 20 mm × 1.25). Further, it is preferable that the interval between the grooves 143b formed on one circle is formed at every second distance.

【0057】本実施例では、溝143bは3つの円
1、C2、及びC3上に形成されるが、かかる円(C1
2、C3)の数は例示的である。溝143bは上述した
ように、サポートリング150及び被処理体Wの重なる
部分、及び、その近傍をランプ130bが照射可能なよ
うに形成される。例えば、被処理体Wの端部が円C2
り大きい場合は、円C2の外側に第2の距離だけ大きい
半径を有する図示しない円上に溝143bが更に形成さ
れる。同様に、サポートリング150が円C3より小さ
い場合は、円C3の内側に第2の距離だけ小さい半径を
有する図示しない円上に溝143bが更に形成される。
[0057] In this embodiment, the grooves 143b are formed on the three circles C 1, C 2, and C 3, according circle (C 1,
The numbers C 2 , C 3 ) are exemplary. As described above, the groove 143b is formed so that the lamp 130b can irradiate the overlapping portion of the support ring 150 and the workpiece W and the vicinity thereof. For example, if the end portion of the specimen W is greater than the circle C 2, the grooves 143b on a circle (not shown) having a radius greater second distance is further formed on the outside of the circle C 2. Similarly, if the support ring 150 is circular C 3 smaller than, the groove 143b on a circle (not shown) having a smaller radius by the second distance is further formed on the inside of the circle C 3.

【0058】上述した構成において、ランプ保持部14
2は被処理体Wの中心近傍に対応する位置にランプ13
0aを、被処理体Wとサポートリングの重なる部分及び
当該部分の近傍にランプ130bを配置可能とする。図
21及び図22を参照するに、かかる状態においてラン
プ130を照射すると、被処理体Wの中心部ではランプ
130aにより大きな照射面積を得ることができる。一
方、被処理体Wの端部近傍ではランプ130bによりラ
ンプ130aの照射面積よりも小さな照射面積を得るこ
とができる。ここで、図21は、図1に示す加熱部14
0のランプ130aより被処理体Wに照射されるランプ
光を示した図である。図22は、図1に示す加熱部14
0のランプ130bより被処理体Wに照射されるランプ
光を示した図である。なお、図21及び図22はランプ
光を例示的に示したものであって、本実施例のランプ1
30の数とは一致していない。
In the above configuration, the lamp holding portion 14
2 is a lamp 13 at a position corresponding to the vicinity of the center of the workpiece W.
0a enables the lamp 130b to be arranged in a portion where the workpiece W overlaps the support ring and in the vicinity of the portion. Referring to FIGS. 21 and 22, when the lamp 130 is irradiated in such a state, a larger irradiation area can be obtained by the lamp 130a at the center of the object W to be processed. On the other hand, an irradiation area smaller than the irradiation area of the lamp 130a can be obtained by the lamp 130b near the end of the processing target W. Here, FIG. 21 shows the heating unit 14 shown in FIG.
FIG. 5 is a diagram showing lamp light emitted from a 0 lamp 130a to a workpiece W. FIG. 22 shows the heating unit 14 shown in FIG.
FIG. 5 is a diagram showing lamp light emitted from a 0 lamp 130b to a workpiece W. FIG. 21 and FIG. 22 exemplarily show lamp light, and the lamp 1 of this embodiment is shown.
It does not match the number of 30.

【0059】本実施例では口径の小さなランプ130b
をランプ130aの周囲に配置することで、被処理体W
の端部及びサポートリング150が重なり合う部分、及
び当該部分の近傍である狭い領域を、効率よく照射する
ことが可能となる。また、上述したように、ランプ13
0bに投入されている電力はランプ130aに投入され
ている電力より大きい。一のランプより照射される単位
面積あたりのエネルギーはランプ130bの方が大き
い。従来の熱処理装置のランプ配置では一の種類のラン
プしか使用されておらず、被処理体Wの中心部と端部で
ランプの照射面積を制御することは不可能であった。被
処理体Wとサポートリング150が重なり合う部分15
0、及び、当該部分の近傍はサポートリング150と被
処理体Wの比熱が異なる。より詳細には、サポートリン
グ150の比熱は被処理体Wの比熱より小さい。よっ
て、かかる部分は中心部と比べて温度が上昇し難いとい
った問題を有していた。しかし、本実施例では、温度上
昇のしにくい被処理体Wの端部である狭い領域を小口径
のランプ130bで照射することでランプ光が漏れるこ
となく効率よく加熱することができる。更に、ランプ1
30bのパワー密度をあげることで中心部との加熱むら
を防止することができ、高品質な処理を行うことができ
る。また、比較的温度上昇のし易い中心付近に大口径の
ランプ130aを使用することは、一のランプ130a
で広い照射面積を得ることができる。よって、中心付近
のランプ130の数を従来より減らすことができ、消費
電力の低減を可能とする。本実施例では異なる口径のラ
ンプ130を使用し、かつ投入電力を変化させることで
かかる問題を解決している。
In this embodiment, the small-diameter lamp 130b is used.
Is disposed around the lamp 130a, so that the workpiece W
It is possible to efficiently irradiate a portion where the end portion of the support ring 150 and the support ring 150 overlap, and a narrow area near the portion. Also, as described above, the lamp 13
The power supplied to Ob is greater than the power supplied to lamp 130a. The energy per unit area irradiated from one lamp is larger in the lamp 130b. In the lamp arrangement of the conventional heat treatment apparatus, only one kind of lamp is used, and it is impossible to control the irradiation area of the lamp at the center and the end of the object W to be processed. Portion 15 where workpiece W overlaps support ring 150
The specific heat of the support ring 150 and that of the workpiece W are different between 0 and the vicinity of the portion. More specifically, the specific heat of the support ring 150 is smaller than the specific heat of the workpiece W. Therefore, such a portion has a problem that the temperature is hard to rise as compared with the central portion. However, in the present embodiment, by irradiating the narrow area which is the end of the processing target W where the temperature does not easily rise with the small-diameter lamp 130b, the lamp light can be efficiently heated without leakage of the lamp light. Furthermore, lamp 1
By increasing the power density of 30b, uneven heating at the center can be prevented, and high-quality processing can be performed. In addition, the use of the large-diameter lamp 130a near the center where the temperature is relatively easy to increase is one lamp 130a
And a large irradiation area can be obtained. Therefore, the number of lamps 130 near the center can be reduced as compared with the conventional case, and power consumption can be reduced. In this embodiment, such a problem is solved by using lamps 130 having different diameters and changing the input power.

【0060】また、図23を参照するに、半径方向に最
外部にあるランプ130bをランプ光が隣接するランプ
130bと被処理体W上で重なるように、ランプ130
bを傾斜させることも考えられる。ここで、図23は、
図6に示すランプ130の配置の変形例を示した概略断
面図である。かかる構成は、被処理体Wの端部のランプ
の照射密度を高めるといった効果を有し、中心部との加
熱むらを防止する上で更に効果的である。
Referring to FIG. 23, the outermost lamp 130b in the radial direction is set so that the lamp light overlaps the adjacent lamp 130b on the object W to be processed.
It is also conceivable to incline b. Here, FIG.
FIG. 7 is a schematic sectional view showing a modification of the arrangement of the lamp 130 shown in FIG. 6. This configuration has the effect of increasing the irradiation density of the lamp at the end of the processing target W, and is more effective in preventing uneven heating with the center.

【0061】なお、溝143の配置は同心円状に配置さ
れることに限定されず、上述したような条件を満たして
いるのであればその他の配置状態でもよく、例えば、直
線状や、渦巻状に配置されてもよい。また、本実施例で
はランプ130のリフレクタ139の開口形状が円であ
るため、ランプ光の照射形状は円である。しかし、被処
理体Wの中心部に照射面積の広いランプ、端部に照射面
積が小さいランプを配置するといった概念から考える
と、ランプ130は照射形状において限定を有するもの
ではない。例えば、照射面積が三角形になるようにラン
プ130及び/又はリフレクタ139の形状を変化させ
ても良い。なお、ランプ光の形状は三角形に限定され
ず、正方形、6角形のその他の多角形であってもよい。
また、これと同様な作用を奏するいかなる照射方法をも
適用することができる。
The arrangement of the grooves 143 is not limited to the concentric arrangement, but may be any other arrangement as long as the above conditions are satisfied. For example, the arrangement may be linear or spiral. It may be arranged. Further, in this embodiment, since the opening shape of the reflector 139 of the lamp 130 is circular, the irradiation shape of the lamp light is circular. However, considering the concept of arranging a lamp with a large irradiation area at the center of the workpiece W and a lamp with a small irradiation area at the end, the lamp 130 has no limitation on the irradiation shape. For example, the shape of the lamp 130 and / or the reflector 139 may be changed so that the irradiation area becomes a triangle. The shape of the lamp light is not limited to a triangle, but may be a square, a hexagon, or another polygon.
In addition, any irradiation method having the same effect can be applied.

【0062】以下、溝143の形状について説明する。
溝143はランプ130と同一な形状を有し、ランプ1
30の電極部132を収納する部分143cと、中間部
134を収納する部分143dと、発光部136を収納
する部分143eからなる。部分143cは電極部13
2と、図1には図示されて図6及び図7には図示されな
いランプドライバ310とを接続すると共に、両者の間
を封止する封止部143cとして機能する。溝143は
ランプ130が内接する部分にランプ130に対応する
ねじ山(めねじ)147が形成されている。本実施例に
おいて、ねじ山147はランプ130と適合するような
三角ねじであって、略三角のねじ山が形成される。な
お、ねじ山の形状はかかる形状に限定されるものではな
く、ランプ130のねじ山131が四角ねじ又は台形ね
じ等であるなら、溝143のねじ山147もそれに対応
して形成される。なお、溝143はランプ130が熱膨
張したときに、ランプ130と最適に一致するようにね
じ山147が形成される。即ち、ランプ130が通常の
形態(熱膨張していない状態)であるとき、溝143に
形成されたねじ山147の外径、内径、及びねじ山のピ
ッチは、ランプ130のねじ山の外径、内径、及びねじ
山のピッチより若干大きい寸法を有する。但し、かかる
寸法の差はランプ130の挿入及び溝134との係合を
妨げない程度のものであると理解されたい。
Hereinafter, the shape of the groove 143 will be described.
The groove 143 has the same shape as the lamp 130,
A portion 143c for housing the 30 electrode portions 132, a portion 143d for housing the intermediate portion 134, and a portion 143e for housing the light emitting portion 136. The portion 143c is the electrode portion 13.
2 and a lamp driver 310 shown in FIG. 1 and not shown in FIGS. 6 and 7, and functions as a sealing portion 143c for sealing between the two. In the groove 143, a screw thread (female thread) 147 corresponding to the lamp 130 is formed at a portion where the lamp 130 is inscribed. In the present embodiment, the thread 147 is a triangular screw that is compatible with the lamp 130, and has a substantially triangular thread. The shape of the thread is not limited to such a shape. If the thread 131 of the lamp 130 is a square screw or a trapezoidal screw, the thread 147 of the groove 143 is formed correspondingly. The groove 143 is formed with a screw thread 147 so as to optimally match the lamp 130 when the lamp 130 thermally expands. That is, when the lamp 130 is in a normal form (in a state where it is not thermally expanded), the outer diameter, the inner diameter, and the pitch of the threads 147 formed in the groove 143 are determined by the outer diameter of the threads of the lamp 130. , Inner diameter, and dimensions slightly larger than the thread pitch. However, it should be understood that such a dimensional difference does not prevent insertion of the lamp 130 and engagement with the groove 134.

【0063】上述した構成において、溝143とランプ
130はナットとボルトの関係であって、ランプ保持部
142はランプ130を回転しながら溝143に挿入す
ることでねじ山が互いに係合し、ランプ130を保持す
る。図18に示すように、ランプ130が通常の形態
(熱膨張していない)であるとき、ランプ130と溝1
43の対応するねじ山は重力方向の面において接触して
いる。即ち、ランプ130と溝143はねじ山において
接触面積を確保している。かかる接触面積はランプ13
0を保持するために必要であると同時に、以下の欠点を
解決するものである。従来のランプ保持部の溝はランプ
と同様な円筒形を有しており、ランプの熱膨張を考慮し
てランプが膨張により最大となる時に溝とランプが一致
するように形成されていた。即ち、従来ではランプが完
全に膨張しきっていないときには、溝との接触面積が少
なくランプを冷却するためにランプ保持部に配置されて
いる冷却管の冷却効率を低下するという欠点を有した
が、本実施例ではそれを解決している。また、溝143
のねじ山147はランプ130のねじ山より若干大きく
形成されているため、溝143とランプ130には多少
の空間を形成する。ランプ130が加熱され熱膨張して
いるとき、溝143とランプ130は一致するように形
成されており、かかる空間によりランプ130の膨張を
可能とする。
In the above-described configuration, the groove 143 and the lamp 130 are in a relation of a nut and a bolt. Hold 130. As shown in FIG. 18, when the lamp 130 is in a normal form (not thermally expanded), the lamp 130 and the groove 1
The corresponding threads 43 are in contact in the direction of gravity. That is, the contact area between the lamp 130 and the groove 143 is secured at the thread. The contact area is the lamp 13
It is necessary to keep 0, and at the same time, solves the following disadvantages. The groove of the conventional lamp holding portion has a cylindrical shape similar to that of the lamp, and is formed such that the groove and the lamp coincide with each other when the lamp is maximized by expansion in consideration of the thermal expansion of the lamp. That is, conventionally, when the lamp is not completely expanded, the contact area with the groove is small, and the cooling efficiency of the cooling pipe arranged in the lamp holding portion for cooling the lamp is reduced. This embodiment solves that problem. Also, the groove 143
Since the thread 147 is slightly larger than the thread of the lamp 130, some space is formed between the groove 143 and the lamp 130. When the lamp 130 is heated and thermally expanding, the groove 143 and the lamp 130 are formed so as to coincide with each other, and the space allows the lamp 130 to expand.

【0064】更に、かかる形状のランプ130及び溝1
43の形状は次の示すような長所を有する。上述した構
成のように、一部のランプの出力を上げることは、かか
るランプの劣化を早めることとなる。また、リフレクタ
も大きなパワーで加熱することにより劣化する。従っ
て、高出力ランプは低出力ランプよりも短命になる。同
様に、高出力ランプ用リフレクタは低出力ランプ用リフ
レクタよりも短命になる。この結果、従来のランプ保持
部(ランプ保持部)は寿命切れとなったランプ保持部周
辺のランプとリフレクタを交換するために、未だ使用可
能なランプ保持部中央のランプとリフレクタをも含めた
ランプ保持部を一体的に交換しなければならなくなり、
不経済であった。しかし、本実施例のランプ保持部14
2の溝143とランプ130は、上述したようにナット
とボルトの関係であって、一のランプ130の取り外し
は容易である。従って、劣化したランプ130だけを取
り替えることで、未だ使用可能なランプ130を継続し
て使用することが可能である。従って、従来ではランプ
保持部を全体的に取り替えることでランプを全部取り替
える必要があり不経済であったが、本実施例ではかかる
課題を解決している。また、ランプ保持部全体を取り替
えることは作業が煩雑であるが、本実施例では劣化した
ランプだけを交換するだけであるのでメンテナンスの効
率を向上させるという更なる長所を有する。
Further, the lamp 130 and the groove 1 having such a shape are used.
The shape of 43 has the following advantages. Increasing the output of some of the lamps, as in the configuration described above, hasten the deterioration of such lamps. The reflector is also deteriorated by heating with a large power. Thus, high power lamps are shorter lived than low power lamps. Similarly, high power lamp reflectors are shorter lived than low power lamp reflectors. As a result, the conventional lamp holding part (lamp holding part) is replaced with a lamp including a lamp in the center of the lamp holding part and a reflector which can still be used in order to replace the lamp and the reflector around the lamp holding part whose life has expired. The holder must be replaced as a unit,
It was uneconomic. However, the lamp holding unit 14 of the present embodiment
The second groove 143 and the lamp 130 are in a relation between the nut and the bolt as described above, and the one lamp 130 can be easily removed. Therefore, by replacing only the deteriorated lamp 130, it is possible to continue using the lamp 130 that can still be used. Therefore, conventionally, it was necessary to replace the entire lamp by completely replacing the lamp holding unit, which was uneconomical. However, this embodiment solves such a problem. In addition, although replacing the entire lamp holding unit is troublesome, the present embodiment only has to replace only the deteriorated lamp, and thus has the further advantage of improving the maintenance efficiency.

【0065】以下、図19及び図20を参照し、ランプ
保持部142の溝143の変形例である溝143Aにつ
いて説明する。ここで、図19は、図5に示す加熱部1
40のランプ保持部142の構造を示す概略断面図であ
る。図20は、図5に示す加熱部のランプ保持部142
の構造を示す概略底面図である。なお、図20では、ラ
ンプ130は取り外されている。また、溝143Aに適
用可能なランプ130にはねじ山131は必要とされ
ず、ねじ山131が形成されていないランプ130Bを
使用する。
Referring to FIGS. 19 and 20, a description will be given of a groove 143A which is a modification of the groove 143 of the lamp holding portion 142. FIG. Here, FIG. 19 shows the heating unit 1 shown in FIG.
It is a schematic sectional drawing which shows the structure of 40 lamp holding parts 142. FIG. 20 shows a lamp holding unit 142 of the heating unit shown in FIG.
It is a schematic bottom view which shows the structure of. In FIG. 20, the lamp 130 is removed. Further, the thread 131 is not required for the lamp 130 applicable to the groove 143A, and a lamp 130B without the thread 131 is used.

【0066】溝143Aはランプ130Bより多少大き
めな形状を有しランプ130Bを収納する。また、溝1
43Aは当該溝134Aに内接する複数の薄板144を
有し、かかる薄板144は板ばねの機能を有し、かつ、
ランプ130Bを保持する。
The groove 143A has a slightly larger shape than the lamp 130B and accommodates the lamp 130B. Groove 1
43A has a plurality of thin plates 144 inscribed in the grooves 134A, and the thin plates 144 have a function of a leaf spring, and
Holds the lamp 130B.

【0067】薄板144は、本実施例においては矩形に
形成され、アルミニウム又はステンレススチールより成
形される。薄板144は部材の長手方向の両端が略L字
形状になるような曲げ加工が施されている。更に、薄板
144は曲率を有し、かかる曲率はランプ130Bの側
面の曲率と同一に形成される。図17及び図18によく
示されるように、薄板144は溝143Aに内接され、
例えば溶接等の手段によって略L字形状の先端が溝14
3Aに接合される。薄板144は、かかる状態において
溝143Aと薄板144の間に空間145を形成する。
空間145は、上述した薄板144の曲げ加工により発
生するスペースであり、薄板144の曲げ開始位置によ
って所望の大きさに設定することが可能である。空間1
45は、後述するようにランプ130Bの熱膨張に対し
薄板144が伸縮可能なスペースであるように設定され
る。薄板144は隣り合う薄板144と所定のギャップ
146を保ちながら、溝143Aの円周に沿って8枚配
置される。かかる構成において、薄板144は溝143
A内で略八角形を形成する。なお、ギャップ146は薄
板144が半径方向に伸縮する際、隣接する薄板144
同士が接触しない程度に設定される。更に、薄板144
は溝143Aの側面に沿って3枚、同様に配置される。
即ち、本実施例において、溝143Aは計24枚(8ラ
3枚)の薄板144を有する。また、溝143Aは薄板
144を有する状態で、ランプ130Bと同一、又はし
まりばめとなるように構成される。
The thin plate 144 is formed in a rectangular shape in this embodiment, and is formed of aluminum or stainless steel. The thin plate 144 is bent so that both ends in the longitudinal direction of the member become substantially L-shaped. Further, the thin plate 144 has a curvature, and the curvature is formed to be the same as the curvature of the side surface of the lamp 130B. As best shown in FIGS. 17 and 18, the thin plate 144 is inscribed in the groove 143A,
For example, the substantially L-shaped tip is formed into a groove
3A. In such a state, the thin plate 144 forms a space 145 between the groove 143A and the thin plate 144.
The space 145 is a space generated by bending the thin plate 144 described above, and can be set to a desired size depending on the bending start position of the thin plate 144. Space 1
Numeral 45 is set to be a space in which the thin plate 144 can expand and contract with respect to the thermal expansion of the lamp 130B as described later. Eight thin plates 144 are arranged along the circumference of the groove 143A while maintaining a predetermined gap 146 with the adjacent thin plates 144. In such a configuration, the thin plate 144 is
A substantially octagon is formed in A. When the thin plate 144 expands and contracts in the radial direction, the gap 146 becomes adjacent to the thin plate 144.
They are set to such an extent that they do not touch each other. Furthermore, the thin plate 144
Are similarly arranged along the side surface of the groove 143A.
That is, in this embodiment, the groove 143A has a total of 24 (8 × 3) thin plates 144. The groove 143A has the thin plate 144, and is configured to be the same as or close to the lamp 130B.

【0068】かかる構成において、溝143Aは薄板1
44を介し、ランプ130Bを保持する。より詳細に
は、薄板144が画定する空間にランプ130Bを強く
押し込むことで、ランプ130Bは溝143Aに挿入さ
れる。このとき、溝143Aはランプ130Bの挿入に
伴い弾性変形し、薄板144より構成される壁面に内接
する。従って、ランプ130Bは薄板144の復元力及
び摩擦力によって保持され、薄板144と全面において
接触している状態となる。また、ランプ130Bが熱膨
張した場合であっても、溝143Aは薄板144がラン
プ130Bに追従し伸縮することでランプ130Bを保
持する。即ち、従来ではランプが完全に膨張しきってい
ないときには、溝との接触面積が少なく後述する冷却管
の冷却効率が低下するという欠点を有したが、本実施例
ではそれを解決している。また、かかる構成でもランプ
130の部分的な交換は可能であり、劣化したランプ1
30だけを取り替えることで、未だ使用可能なランプ1
30を継続して使用することが可能である。また、ラン
プ保持部全体を取り替えることは作業が煩雑であるが、
本実施例では劣化したランプだけを交換するだけである
のでメンテナンスの効率を向上させるという更なる長所
を有する。
In such a configuration, the groove 143A is
The lamp 130B is held via 44. More specifically, the lamp 130B is inserted into the groove 143A by forcing the lamp 130B into the space defined by the thin plate 144. At this time, the groove 143A is elastically deformed with the insertion of the lamp 130B, and is inscribed in the wall surface constituted by the thin plate 144. Therefore, the lamp 130B is held by the restoring force and the frictional force of the thin plate 144, and comes into contact with the thin plate 144 over the entire surface. Even when the lamp 130B thermally expands, the groove 143A holds the lamp 130B by the expansion and contraction of the thin plate 144 following the lamp 130B. That is, conventionally, when the lamp was not completely expanded, there was a disadvantage that the contact area with the groove was small and the cooling efficiency of the cooling pipe described later was reduced, but this embodiment solves this. Further, even in such a configuration, the lamp 130 can be partially replaced, and the deteriorated lamp 1 can be replaced.
Lamp 1 still usable by replacing only 30
30 can be used continuously. Also, replacing the entire lamp holder is complicated, but
In this embodiment, since only the deteriorated lamp is replaced, there is a further advantage that the efficiency of maintenance is improved.

【0069】なお、本実施例において明細書中に記載し
た薄板144の枚数及び形状は例示的であり、上述した
記載に限定されない。例えば、薄板144が形成する画
定する空間は多角形であっても良い。しかし、ランプ1
30との接触面積を増やすためにも多角形は略円と見な
せることが好ましい。
The number and shape of the thin plates 144 described in the specification in the present embodiment are illustrative, and are not limited to the above description. For example, the space defined by the thin plate 144 may be a polygon. But lamp 1
In order to increase the contact area with the polygon 30, it is preferable that the polygon can be regarded as a substantially circle.

【0070】以上、ランプ130を保持する溝143の
好ましい形態について説明したが本発明はこれに限定さ
れず、上述の作用及び効果を達成可能であればその他の
形態を排除するものではない。また、溝143の形態は
ランプ130に限定されず、当該周知のいかなるランプ
にも適用可能である。
The preferred embodiment of the groove 143 for holding the lamp 130 has been described above, but the present invention is not limited to this, and other embodiments are not excluded as long as the above-described functions and effects can be achieved. Further, the shape of the groove 143 is not limited to the lamp 130, and can be applied to any known lamp.

【0071】隔壁148は図6及び図7に示すように、
同心円上に整列する複数の隣接する溝143の間に配置
されている。本実施例において、隔壁148は溝143
aの部分143c間では約50mm、部分143e間で
は約10mmである。また、溝143bの部分143c
間では約15mm、部分143eの間では約5mmであ
る。隔壁148には、隔壁148に沿って一対の冷却管
(水冷管)148a及び148bが内接されている(な
お、冷却管148は冷却管148a及び冷却管148b
を総括するものとする)。より詳細には、冷却管148
aはランプ130の電極部132に対応する場所に位置
し、冷却管148bはランプ130の発光部136に対
応する場所に位置する。
As shown in FIG. 6 and FIG.
It is arranged between a plurality of adjacent grooves 143 aligned on a concentric circle. In this embodiment, the partition 148 is formed by the groove 143.
The distance between the parts 143c is about 50 mm, and the distance between the parts 143e is about 10 mm. Also, a portion 143c of the groove 143b
It is about 15 mm between them and about 5 mm between the parts 143e. A pair of cooling pipes (water cooling pipes) 148a and 148b are inscribed along the partition 148 along the partition 148 (the cooling pipe 148 is a cooling pipe 148a and a cooling pipe 148b).
Shall be summarized)). More specifically, the cooling pipe 148
a is located at a location corresponding to the electrode section 132 of the lamp 130, and the cooling pipe 148 b is located at a location corresponding to the light emitting section 136 of the lamp 130.

【0072】冷却管148は図示しない温度制御機構に
接続される。温度制御機構は、例えば、制御部300
と、温度センサ又は温度計と、ヒータとを有し、水道な
どの水源から冷却水を供給される。冷却水の代わりに他
の種類の冷媒(アルコール、ガルデン、フロン等)を使
用してもよい。温度センサは、例えば、PTCサーミス
タ、赤外線センサ、熱電対など周知のセンサを使用する
ことができ、温度センサ又は温度計はランプ130の電
極部132及び発光部136の壁面温度を測定する。ヒ
ータは、例えば、冷却管116の周りに巻かれたヒータ
線などとしてから構成される。ヒータ線に流れる電流の
大きさを制御することによって冷却管148を流れる水
温を調節することができる。
The cooling pipe 148 is connected to a temperature control mechanism (not shown). The temperature control mechanism is, for example, the control unit 300
, A temperature sensor or a thermometer, and a heater, and cooling water is supplied from a water source such as tap water. Other types of refrigerants (alcohol, Galden, Freon, etc.) may be used instead of the cooling water. As the temperature sensor, for example, a well-known sensor such as a PTC thermistor, an infrared sensor, or a thermocouple can be used. The heater is configured, for example, as a heater wire wound around the cooling pipe 116. By controlling the magnitude of the current flowing through the heater wire, the temperature of the water flowing through the cooling pipe 148 can be adjusted.

【0073】冷却管148aは、電極133がモリブデ
ンから構成される場合は、モリブデンの酸化による電極
部133及び封止部143cの破壊を防止するために封
止部143cの温度を350℃以下に維持する。また、
冷却管148bは、中間部134及び発光部136がハ
ロゲンサイクルを維持するように発光部134の温度を
250乃至900℃に維持する。ここで、ハロゲンサイ
クルとは、フィラメント137を構成するタングステン
が蒸発しハロゲンガスと反応し、タングステン−ハロゲ
ン化合物が生成され、ランプ130内を浮遊する。ラン
プ130が250乃至900℃に維持された場合、タン
グステン−ハロゲン化合物はその状態を維持する。ま
た、対流によって、タングステン−ハロゲン化合物がフ
ィラメント137付近に運ばれると、高温のためにタン
グステンとハロゲンガスに分解される。その後、タング
ステンはフィラメント137に沈殿し、ハロゲンガスは
再び同じ反応を繰り返すことである。なお、ランプ13
0は、一般に、900℃を超えると失透(発光部134
が白くなる現象)が発生し、250℃を下回ると黒化
(タングステン−ハロゲン化合物がランプ130の内壁
に付着し黒くなる現象)が発生する。
When the electrode 133 is made of molybdenum, the cooling pipe 148a keeps the temperature of the sealing portion 143c at 350 ° C. or lower in order to prevent the electrode portion 133 and the sealing portion 143c from being broken by molybdenum oxidation. I do. Also,
The cooling pipe 148b maintains the temperature of the light emitting unit 134 at 250 to 900 ° C. so that the intermediate unit 134 and the light emitting unit 136 maintain the halogen cycle. Here, in the halogen cycle, the tungsten constituting the filament 137 evaporates and reacts with the halogen gas to generate a tungsten-halogen compound, which floats in the lamp 130. When the lamp 130 is maintained at 250 to 900 ° C., the tungsten-halogen compound maintains that state. When the tungsten-halogen compound is carried to the vicinity of the filament 137 by convection, it is decomposed into tungsten and a halogen gas due to high temperature. Thereafter, the tungsten precipitates on the filament 137, and the halogen gas repeats the same reaction again. The lamp 13
0 is generally devitrified when the temperature exceeds 900 ° C. (light emitting portion 134
When the temperature is lower than 250 ° C., blackening (a phenomenon in which a tungsten-halogen compound adheres to the inner wall of the lamp 130 and turns black) occurs.

【0074】本実施例では、冷却管149aをハロゲン
サイクルの範囲温度及びモリブデンの酸化防止の共通温
度、好ましくは250乃至350℃、冷却管149bを
ハロゲンサイクルの範囲温度、好ましくは800乃至9
00℃に維持する。ここで、発光部136の冷却温度は
250乃至900℃の範囲で可能であるが、冷却効率を
考えた上で冷却温度をハロゲンサイクルの上限に設定し
たほうが少ない電力で冷却可能となるからである。冷却
管149aはハロゲンサイクル並びにモリブデンの酸化
防止のための共通温度であり、また冷却管149bによ
り発光部136はハロゲンサイクル温度内に維持され
る。また、冷却管149a及び149bによりランプ1
30にはランプ130の中間部134の長さのため温度
勾配が生じ、かかる温度勾配(250乃至950℃)は
ランプ130全体をハロゲンサイクル温度内に維持す
る。即ち、発光部136と封止部143cが近いと発光
部136の温度(800乃至950℃)が封止部143
cの温度(250乃至350℃)に影響する恐れがある
が、本実施例ではランプ130に中間部134を設ける
ことでそれを防止している。
In this embodiment, the cooling pipe 149a is set to a temperature in the range of the halogen cycle and a common temperature for preventing oxidation of molybdenum, preferably 250 to 350 ° C., and the cooling pipe 149b is set to a temperature in the range of the halogen cycle, preferably 800 to 9
Maintain at 00 ° C. Here, the cooling temperature of the light emitting unit 136 can be in the range of 250 to 900 ° C., but if the cooling temperature is set to the upper limit of the halogen cycle in consideration of the cooling efficiency, the cooling can be performed with less power. . The cooling pipe 149a has a common temperature for preventing the halogen cycle and the oxidation of molybdenum, and the light emitting section 136 is maintained within the halogen cycle temperature by the cooling pipe 149b. Also, the lamp 1 is controlled by the cooling pipes 149a and 149b.
30 has a temperature gradient due to the length of the middle portion 134 of the lamp 130, such a temperature gradient (250-950 ° C.) maintains the entire lamp 130 within the halogen cycle temperature. That is, when the light emitting unit 136 is close to the sealing unit 143c, the temperature of the light emitting unit 136 (800 to 950 ° C.) is reduced.
Although this may affect the temperature of c (250 to 350 ° C.), in the present embodiment, this is prevented by providing the lamp 130 with the intermediate portion 134.

【0075】本実施例では、ランプ130は失透及び黒
化の発生を抑えることができる。また、電極133のモ
リブデンの酸化により電極部132及び封止部143c
が破損することを防止する。更に、ランプ130はハロ
ゲンサイクルの範囲内にあるように冷却される。従来の
ランプ130の冷却機構は単に封止部143cを冷却す
るだけであって、上述のようにハロゲンサイクルを考慮
したランプ130の冷却は行われていなかった。従っ
て、かかる冷却管148はランプ130の寿命を長くす
るといった長所を有し、経済的に優れている。なお、溝
143とランプ130との接触面積は上述したように従
来より大きく、冷却効率を十分に得ることが可能であ
る。
In this embodiment, the lamp 130 can suppress the occurrence of devitrification and blackening. Further, the molybdenum of the electrode 133 is oxidized to form the electrode portion 132 and the sealing portion 143c.
To prevent damage. Further, lamp 130 is cooled to be within the halogen cycle. The conventional cooling mechanism of the lamp 130 merely cools the sealing portion 143c, and the cooling of the lamp 130 in consideration of the halogen cycle is not performed as described above. Therefore, the cooling pipe 148 has an advantage of extending the life of the lamp 130 and is economically excellent. As described above, the contact area between the groove 143 and the lamp 130 is larger than that of the related art, and sufficient cooling efficiency can be obtained.

【0076】なお、例示的に、ランプ130の発光部1
36に相当する部分の隔壁148を設けずに、かかる部
分を空間とし発光部136を空冷にするとした冷却方法
も考えられる。なお、封止部143cは上述する冷却管
149aにより冷却するものとする。発光部136は8
00乃至900℃と冷却温度が比較的高いため、かかる
部分は空冷であっても冷却可能であり、上述した構成と
同様な作用及び効果を得ることができる。当該周知の空
冷機構、例えばブロアによって強制的に発光部136を
冷却するような方法を使用しても良い。更に、例示的
に、隔壁148に封止部143c及び発光部136を冷
却可能な共通の冷却管を設けた冷却方法も考えられる。
かかる構成においては、冷却管はモリブデンの酸化防
止、並びにハロゲンサイクル範囲に共通である温度、例
えば250乃至350℃になるように冷却される。この
ような構成であっても、上述した冷却管149と同様な
効果を得ることができる。
The light emitting section 1 of the lamp 130 is exemplified.
A cooling method is also conceivable in which the partition corresponding to 36 is not provided and the light-emitting unit 136 is air-cooled by using such a space as a space. The sealing section 143c is cooled by the cooling pipe 149a described above. The light emitting unit 136 is 8
Since the cooling temperature is relatively high at 00 to 900 ° C., such a portion can be cooled even if it is air-cooled, and the same operation and effect as the above-described configuration can be obtained. A known air cooling mechanism, for example, a method of forcibly cooling the light emitting unit 136 by a blower may be used. Further, for example, a cooling method in which a common cooling pipe capable of cooling the sealing portion 143c and the light emitting portion 136 is provided in the partition wall 148 is also conceivable.
In such a configuration, the cooling tubes are cooled to a temperature that is common to the range of halogen cycles, such as molybdenum oxidation protection, eg, 250-350 ° C. Even with such a configuration, the same effect as that of the cooling pipe 149 described above can be obtained.

【0077】次に、放射温度計200を説明する。放射
温度計200は被処理体Wに関してランプ130と反対
側に設けられている。本発明は放射温度計200がラン
プ130と同一の側に設けられる構造を排除するもので
はないが、ランプ130の光が放射温度計200に入射
することを防止することが好ましい。
Next, the radiation thermometer 200 will be described. The radiation thermometer 200 is provided on the opposite side of the lamp 130 with respect to the workpiece W. Although the present invention does not exclude the structure in which the radiation thermometer 200 is provided on the same side as the lamp 130, it is preferable to prevent light from the lamp 130 from being incident on the radiation thermometer 200.

【0078】放射温度計200は処理室110の底部1
14に取り付けられている。底部114の処理室110
内部を向く面は金メッキなどが施されて反射板(高反射
率面)として機能する。これは、かかる面を黒色などの
低反射率面とすると被処理体Wの熱を吸収してランプ1
30の照射出力を不経済にも上げなければならなくなる
ためである。底部114は円筒形状の貫通孔を有する。
放射温度計200は当該周知のいかなる技術も適用可能
であり、本明細書での詳細な説明は省略する。放射温度
計200は制御部300に接続され、かかる制御部30
0は被処理体Wの温度Tを算出する。なお、この演算は
放射温度計200内の図示しない演算部が行ってもよ
い。いずれにしろ制御部300は被処理体Wの温度Tを
得ることができる。
The radiation thermometer 200 is located at the bottom 1 of the processing chamber 110.
14 attached. Processing chamber 110 at bottom 114
The surface facing the inside is plated with gold and functions as a reflector (high reflectance surface). This is because if such a surface is a low-reflectance surface such as black, the heat of the workpiece W is absorbed and the lamp 1
This is because the irradiation output of the 30 must be increased uneconomically. The bottom 114 has a cylindrical through-hole.
The radiation thermometer 200 can apply any of the known techniques, and a detailed description thereof will be omitted. The radiation thermometer 200 is connected to the control unit 300, and the control unit 30
0 calculates the temperature T of the workpiece W. This calculation may be performed by a calculation unit (not shown) in the radiation thermometer 200. In any case, the control unit 300 can obtain the temperature T of the workpiece W.

【0079】制御部300は内部にCPU及びメモリを
備え、被処理体Wの温度Tを認識してランプドライバ3
10を制御することによってランプ130の出力をフィ
ードバック制御する。本実施例において、制御部300
はランプ130の電力が一度投入されたら、ランプドラ
イバ310を制御しランプ130の温度をハロゲンサイ
クル範囲内に維持し続ける。即ち、熱処理装置100を
含む図示しないクラスターツールのメイン電源がオンと
なり、その後、熱処理に伴いランプドライバ310が駆
動された時点から熱処理装置100を含むクラスターツ
ールのメイン電源がオフとなるまでランプドライバ31
0には電力が投入され続ける。このとき、同時にランプ
ドライバ310を介しランプ130にも電力が投入され
続ける。なお、上述したように、ランプ130はハロゲ
ンサイクルの範囲内で制御される。従って、ランプ13
0は加熱時には約900℃まで上昇し、冷却時であって
も250℃を維持される。かかる温度範囲内で、被処理
体Wの熱処理を行う。なお、かかるランプ130の温度
制御は冷却管149bに接続された温度制御機構の温度
センサ又は温度計を使用し、かかる温度によって投入電
力を変化させるフィードバック制御でもよい。また、ラ
ンプ130の温度と投入電力の関数を予め実験より算出
し、かかる関数を使用しランプ130の温度を予想して
電力を投入しても良い。
The control unit 300 has a CPU and a memory inside, and recognizes the temperature T of the object W to be processed, and
By controlling 10, the output of the lamp 130 is feedback-controlled. In the present embodiment, the control unit 300
Once the lamp 130 is powered on, it controls the lamp driver 310 to keep the temperature of the lamp 130 within the halogen cycle range. That is, the main power of the cluster tool (not shown) including the heat treatment apparatus 100 is turned on, and thereafter, the lamp driver 31 is driven from the time when the lamp driver 310 is driven in accordance with the heat treatment until the main power of the cluster tool including the heat treatment apparatus 100 is turned off.
Power continues to be supplied to 0. At this time, power is also continuously supplied to the lamp 130 via the lamp driver 310 at the same time. As described above, the lamp 130 is controlled within the range of the halogen cycle. Therefore, the lamp 13
0 rises to about 900 ° C. during heating and is maintained at 250 ° C. even during cooling. The heat treatment of the workpiece W is performed within such a temperature range. Note that the temperature control of the lamp 130 may be feedback control using a temperature sensor or a thermometer of a temperature control mechanism connected to the cooling pipe 149b and changing the input power according to the temperature. Further, a function of the temperature of the lamp 130 and the input power may be calculated in advance by an experiment, and the power may be input by estimating the temperature of the lamp 130 using such a function.

【0080】従来の熱処理装置100は、熱処理動作以
外ではランプドライバ310及びランプ130には電源
は投入されておらず、加熱時に再びランプドライバ31
0を駆動しランプ130に所望の電力を供給するように
制御されていた。しかし、ランプ130のフィラメント
137は室温において抵抗が非常に小さく、電圧印加の
瞬間は回路短絡に近い状態となる。かかる状態において
は、外部回路抵抗がある場合であっても定格電流値の7
乃至10倍、外部回路抵抗がない場合においては13乃
至17倍の電流が流れるラッシュ電流現象が発生する。
被処理体Wの温度の昇降に応じてランプ130の点消灯
を急激に行う熱処理装置において、その都度ラッシュ電
流現象を派生させることは、ランプ及びランプドライバ
310の劣化の原因となっていた。
In the conventional heat treatment apparatus 100, power is not supplied to the lamp driver 310 and the lamp 130 except for the heat treatment operation.
0 was controlled to supply the desired power to the lamp 130. However, the resistance of the filament 137 of the lamp 130 is very low at room temperature, and the moment of voltage application is almost a short circuit. In such a state, the rated current value of 7
If there is no external circuit resistance, a rush current phenomenon of 13 to 17 times occurs.
Deriving a rush current phenomenon each time in a heat treatment apparatus that rapidly turns on and off the lamp 130 in response to a rise and fall in the temperature of the workpiece W causes deterioration of the lamp and the lamp driver 310.

【0081】本実施例では、ランプ130に電源が投入
されるのは熱処理装置100を含むクラスターツールの
起動に伴う必要最低限のものであり、被処理体Wの温度
の昇降に対応して電源をオン/オフするものではない。
即ち、本実施例は上述した課題を解決しており、ランプ
130及びランプドライバ310の長寿命化を達成可能
とする。また、ランプ130はハロゲンサイクルの範囲
内で制御されている為、かかる理由からもランプ130
の長寿命化に効果的である。
In the present embodiment, the power is turned on to the lamp 130 at the minimum required when the cluster tool including the heat treatment apparatus 100 is started. It does not turn on / off.
That is, this embodiment solves the above-described problem, and makes it possible to achieve a longer life of the lamp 130 and the lamp driver 310. Further, since the lamp 130 is controlled within the range of the halogen cycle, the lamp 130 is also controlled for this reason.
It is effective for prolonging the service life.

【0082】なお、ランプ130の冷却用に冷却管14
9が配置されているが、ランプドライバ310と合せて
制御することで、ランプ130をハロゲンサイクルの範
囲で維持することを更に容易にする。また、本実施例
は、冷却管149を使用しランプ130の温度を制御す
る方法、又は、ランプドライバ310でランプ130の
温度を制御する方法のどちらか一方のみを使用する冷却
方法を排除するものではない。
The cooling pipe 14 is used for cooling the lamp 130.
Although 9 is located, control in conjunction with the lamp driver 310 further facilitates maintaining the lamp 130 within the halogen cycle. Further, the present embodiment excludes a cooling method using either the method of controlling the temperature of the lamp 130 using the cooling pipe 149 or the method of controlling the temperature of the lamp 130 using the lamp driver 310. is not.

【0083】また、制御部300は、後述するように、
モータドライバ320に所定のタイミングで駆動信号を
送って被処理体Wの回転速度を制御する。更に、制御部
300は、温度制御機構と共同しランプ130の温度を
認識してヒータを制御することによってランプ130の
温度をフィードバック制御する。
Further, as described later, the control unit 300
A drive signal is sent to the motor driver 320 at a predetermined timing to control the rotation speed of the processing target W. Further, the control unit 300 recognizes the temperature of the lamp 130 and controls the heater in cooperation with the temperature control mechanism, thereby performing feedback control of the temperature of the lamp 130.

【0084】ガス導入部180は、例えば、図示しない
ガス源、流量調節バルブ、マスフローコントローラ、ガ
ス供給ノズル及びこれらを接続するガス供給路を含み、
熱処理に使用されるガスを処理室110に導入する。な
お、本実施例ではガス導入部180は処理室110の側
壁112に設けられて処理室110の側部から導入され
ているが、その位置は限定されず、例えば、シャワーヘ
ッドとして構成されて処理室110の上部から処理ガス
を導入してもよい。
The gas introducing section 180 includes, for example, a gas source (not shown), a flow control valve, a mass flow controller, a gas supply nozzle, and a gas supply path connecting these.
A gas used for the heat treatment is introduced into the processing chamber 110. In the present embodiment, the gas introduction unit 180 is provided on the side wall 112 of the processing chamber 110 and is introduced from the side of the processing chamber 110. However, the position is not limited. The processing gas may be introduced from the upper part of the chamber 110.

【0085】アニールであればガス源はN2、Arな
ど、酸化処理であればO2、H2、H2O、NO2、窒化処
理であればN2、NH3など、成膜処理であればNH3
SiH2Cl2やSiH4などを使用するが、処理ガスは
これらに限定されないことはいうまでもない。マスフロ
ーコントローラはガスの流量を制御し、例えば、ブリッ
ジ回路、増幅回路、コンパレータ制御回路、流量調節バ
ルブ等を有し、ガスの流れに伴う上流から下流への熱移
動を検出することによって流量測定して流量調節バルブ
を制御する。ガス供給路は、例えば、シームレスパイプ
を使用したり、接続部に食い込み継ぎ手やメタルガスケ
ット継ぎ手を使用したりして供給ガスへの配管からの不
純物の混入が防止している。また、配管内部の汚れや腐
食に起因するダストパーティクルを防止するために配管
は耐食性材料から構成されるか、配管内部がPTFE
(テフロン(登録商標))、PFA、ポリイミド、PB
Iその他の絶縁材料により絶縁加工されたり、電解研磨
処理がなされたり、更には、ダストパーティクル捕捉フ
ィルタを備えたりしている。
[0085] If the annealing gas source such as N 2, Ar, if oxidation treatment O 2, H 2, H 2 O, NO 2, etc. N 2, NH 3 if nitriding treatment, the film formation process If there is NH 3 ,
Although SiH 2 Cl 2 or SiH 4 is used, it goes without saying that the processing gas is not limited to these. The mass flow controller controls the gas flow rate, for example, has a bridge circuit, an amplification circuit, a comparator control circuit, a flow control valve, etc., and measures the flow rate by detecting heat transfer from upstream to downstream accompanying the gas flow. To control the flow control valve. The gas supply path uses, for example, a seamless pipe or a bite joint or a metal gasket joint at a connecting portion to prevent impurities from entering the supply gas from the pipe. In order to prevent dust particles caused by dirt and corrosion inside the pipe, the pipe is made of a corrosion resistant material, or the inside of the pipe is made of PTFE.
(Teflon (registered trademark)), PFA, polyimide, PB
I Insulated with other insulating materials, subjected to electrolytic polishing, and further provided with a dust particle capturing filter.

【0086】排気部190は、本実施例ではガス導入部
180と略水平に設けられているが、その位置及び数は
限定されない。排気部190には所望の排気ポンプ(タ
ーボ分子ポンプ、スパッターイオンポンプ、ゲッターポ
ンプ、ソープションポンプ、クライオポンプなど)が圧
力調整バルブと共に接続される。なお、本実施例では処
理室110は減圧環境に維持されるが、本発明は減圧環
境を必ずしも必須の構成要素とするものではなく、例え
ば、133Pa乃至大気圧の範囲で適用可能である。
Although the exhaust section 190 is provided substantially horizontally with the gas introduction section 180 in the present embodiment, the position and number thereof are not limited. A desired exhaust pump (a turbo molecular pump, a sputter ion pump, a getter pump, a sorption pump, a cryopump, etc.) is connected to the exhaust unit 190 together with a pressure adjusting valve. In this embodiment, the processing chamber 110 is maintained in a reduced-pressure environment. However, the present invention does not necessarily require the reduced-pressure environment as an essential component, and is applicable, for example, in a range of 133 Pa to atmospheric pressure.

【0087】以下、被処理体Wの回転機構について図1
を参照して説明する。集積回路の各素子の電気的特性や
製品の歩留まり等を高く維持するためには被処理体Wの
表面全体に亘ってより均一に熱処理が行われることが要
求される。被処理体W上の温度分布が不均一であれば、
例えば、成膜処理における膜厚が不均一になったり、熱
応力によりシリコン結晶中に滑りを発生したりするな
ど、RTP装置100は高品質の熱処理を提供すること
ができない。被処理体W上の不均一な温度分布はランプ
130の不均一な照度分布に起因する場合もあるし、ガ
ス導入部180付近において導入される処理ガスが被処
理体Wの表面から熱を奪うことに起因する場合もある。
回転機構はウェハを回転させて被処理体Wがランプ13
0により均一に加熱されることを可能にする。
Hereinafter, the rotation mechanism of the object W will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIG. In order to maintain the electrical characteristics of each element of the integrated circuit and the yield of products at a high level, it is required that the heat treatment be performed more uniformly over the entire surface of the workpiece W. If the temperature distribution on the workpiece W is not uniform,
For example, the RTP apparatus 100 cannot provide high-quality heat treatment, for example, the film thickness becomes uneven in the film formation process, or a slip occurs in the silicon crystal due to thermal stress. The non-uniform temperature distribution on the processing target W may be caused by the non-uniform illuminance distribution of the lamp 130, and the processing gas introduced in the vicinity of the gas introduction unit 180 takes heat from the surface of the processing target W. In some cases.
The rotation mechanism rotates the wafer so that the object W
0 allows for more uniform heating.

【0088】被処理体Wの回転機構は、サポートリング
150と、リング状の永久磁石170と、リング状のS
USなどの磁性体172と、モータドライバ320と、
モータ330とを有する。
The rotating mechanism of the workpiece W includes a support ring 150, a ring-shaped permanent magnet 170, and a ring-shaped S
A magnetic body 172 such as a US, a motor driver 320,
And a motor 330.

【0089】サポートリング150は、耐熱性に優れた
セラミックス、例えば、SiCなどから構成された円形
リング形状を有する。サポートリング150は被処理体
Wの載置台として機能し、中空円部において断面L字状
に周方向に沿ってリング状の切り欠きを有する。かかる
切り欠き半径は被処理体Wの半径よりも小さく設計され
ているのでサポートリング150は切り欠きにおいて被
処理体W(の裏面周縁部)を保持することができる。必
要があれば、サポートリング150は被処理体Wを固定
する静電チャックやクランプ機構などを有してもよい。
サポートリング150は、被処理体Wの端部からの放熱
による均熱の悪化を防止する。
The support ring 150 has a circular ring shape made of ceramics having excellent heat resistance, such as SiC. The support ring 150 functions as a mounting table for the object to be processed W and has a ring-shaped notch along the circumferential direction in an L-shaped cross section in the hollow circular portion. Since the notch radius is designed to be smaller than the radius of the workpiece W, the support ring 150 can hold (the back surface peripheral portion of) the workpiece W in the notch. If necessary, the support ring 150 may have an electrostatic chuck or a clamp mechanism for fixing the workpiece W.
The support ring 150 prevents deterioration of uniform heat due to heat radiation from the end of the workpiece W.

【0090】サポートリング150は、その端部におい
て支持部152に接続されている。必要があれば、サポ
ートリング150と支持部152との間には石英ガラス
などの断熱部材が挿入されて、後述する磁性体172な
どを熱的に保護する。本実施例の支持部152は中空円
筒形状の不透明な石英リング部材として構成されてい
る。ベアリング160は支持部152及び処理室110
の内壁112に固定されており、処理室110内の減圧
環境を維持したまま支持部152の回転を可能にする。
支持部152の先端には磁性体172が設けられてい
る。
The support ring 150 is connected at its end to the support 152. If necessary, a heat insulating member such as quartz glass is inserted between the support ring 150 and the support portion 152 to thermally protect a magnetic body 172 described later. The support part 152 of this embodiment is formed as a hollow cylindrical opaque quartz ring member. The bearing 160 is connected to the support 152 and the processing chamber 110.
And allows the support 152 to rotate while maintaining a reduced pressure environment in the processing chamber 110.
A magnetic body 172 is provided at the tip of the support section 152.

【0091】同心円的に配置されたリング状の永久磁石
170と磁性体172は磁気結合されており、永久磁石
170はモータ330により回転駆動される。モータ3
30はモータドライバ320により駆動され、モータド
ライバ320は制御部300によって制御される。
The ring-shaped permanent magnet 170 and the magnetic body 172 arranged concentrically are magnetically coupled, and the permanent magnet 170 is driven to rotate by the motor 330. Motor 3
30 is driven by a motor driver 320, and the motor driver 320 is controlled by the control unit 300.

【0092】この結果、永久磁石170が回転すると磁
気結合された磁性体172が支持部152と共に回転
し、サポートリング150と被処理体Wが回転する。回
転速度は、本実施例では例示的に90RPMであるが、
実際には、被処理体Wに均一な温度分布をもたらすよう
に、かつ、処理室110内でのガスの乱流や被処理体W
周辺の風切り効果をもたらさないように、被処理体Wの
材質や大きさ、処理ガスの種類や温度などに応じて決定
されることになるであろう。磁石170と磁性体172
は磁気結合されていれば逆でもよいし両方とも磁石でも
よい。
As a result, when the permanent magnet 170 rotates, the magnetic body 172 that has been magnetically coupled rotates with the support 152, and the support ring 150 and the workpiece W rotate. The rotation speed is illustratively 90 RPM in the present embodiment,
Actually, a uniform temperature distribution is provided to the processing target W, and a turbulent gas flow in the processing chamber 110 and the processing target W
It will be determined according to the material and size of the object W to be processed, the type and temperature of the processing gas, etc. so as not to bring about the effect of cutting off the surrounding wind. Magnet 170 and magnetic body 172
May be reversed as long as they are magnetically coupled, or both may be magnets.

【0093】次に、RTP装置100の動作について説
明する。動作に伴い熱処理装置100を含むクラスター
ツールの電源がオンされる。クラスターツールなどの搬
送アームが被処理体Wを図示しないゲートバルブを介し
て処理室110に搬入する。被処理体Wを支持した搬送
アームがサポートリング150の上部に到着すると、図
示しないリフタピン昇降系がサポートリング150から
(例えば、3本の)図示しないリフタピンを突出させて
被処理体Wを支持する。この結果、被処理体Wの支持
は、搬送アームからリフタピンに移行するので、搬送ア
ームはゲートバルブより帰還させる。その後、ゲートバ
ルブは閉口される。搬送アームはその後図示しないホー
ムポジションに移動してもよい。
Next, the operation of the RTP device 100 will be described. With the operation, the power of the cluster tool including the heat treatment apparatus 100 is turned on. A transfer arm such as a cluster tool carries the workpiece W into the processing chamber 110 via a gate valve (not shown). When the transfer arm supporting the object W reaches the upper part of the support ring 150, a lifter pin lifting / lowering system (not shown) projects (eg, three) lifter pins (not shown) from the support ring 150 to support the object W. . As a result, the support of the object W is transferred from the transfer arm to the lifter pin, and the transfer arm is returned from the gate valve. Thereafter, the gate valve is closed. The transfer arm may then move to a home position (not shown).

【0094】一方、リフタピン昇降系は、その後、図示
しないリフタピンをサポートリング150の中に戻し、
これによって被処理体Wをサポートリング150の所定
の位置に配置する。リフタピン昇降系は図示しないベロ
ーズを使用することができ、これにより昇降動作中に処
理室110の減圧環境を維持すると共に処理室102内
の雰囲気が外部に流出するのを防止する。
On the other hand, the lifter pin lifting / lowering system then returns the lifter pin (not shown) into the support ring 150,
As a result, the workpiece W is arranged at a predetermined position on the support ring 150. The lifter pin elevating system can use a bellows (not shown) to maintain the decompressed environment of the processing chamber 110 during the elevating operation and prevent the atmosphere in the processing chamber 102 from flowing out.

【0095】その後、熱処理装置100は加熱処理を行
う。図24を参照するに、制御部300は、第1に、ラ
ンプドライバ310を駆動し、ランプ130に電力を供
給する(ステップ1000乃至1005)。ここで、図
24は、本発明のランプ130の駆動を示した制御フロ
ーチャートである。これに応答して、制御部300は、
更にランプドライバ310を介しランプ130の電力供
給量を上げる(ステップ1010)。次に、制御部30
0は、ランプ130の温度(例えば、発光部136の温
度)がハロゲンサイクルの上限値である900℃になっ
たら、制御部300はランプドライバ310を介しラン
プ130の電力の供給量をかかる値で維持する(ステッ
プ1015及び1025)。そして、制御部300は被
処理体Wを、所定の温度(例えば、約800℃)になる
まで加熱する(ステップ1030)。なお、ランプ13
0が900℃になる前に、被処理体Wの温度が所定の温
度に達した場合(ステップ1020)は、その時点で後
述する所定の熱処理を行う(ステップ1032)。
Thereafter, heat treatment apparatus 100 performs a heat treatment. Referring to FIG. 24, first, the control unit 300 drives the lamp driver 310 to supply power to the lamp 130 (steps 1000 to 1005). Here, FIG. 24 is a control flowchart showing driving of the lamp 130 of the present invention. In response, the control unit 300
Further, the power supply amount of the lamp 130 is increased via the lamp driver 310 (step 1010). Next, the control unit 30
When the temperature of the lamp 130 (for example, the temperature of the light emitting unit 136) reaches 900 ° C., which is the upper limit of the halogen cycle, the control unit 300 sets the power supply amount of the lamp 130 via the lamp driver 310 to the value. Maintain (steps 1015 and 1025). Then, the control unit 300 heats the target object W until a predetermined temperature (for example, about 800 ° C.) is reached (Step 1030). The lamp 13
If the temperature of the object W reaches a predetermined temperature before 0 becomes 900 ° C. (Step 1020), a predetermined heat treatment described later is performed at that time (Step 1032).

【0096】ランプ130から放射された熱線はウイン
ドウ120を介して処理空間にある被処理体Wの上面に
照射されて被処理体Wを、例えば、800℃へ高速昇温
する。一般に被処理体Wの周辺部はその中心側と比較し
て放熱量が多くなる傾向があるが、本実施例のランプ1
30は同心円状に配置したランプ130a及びランプ1
30bにより高い指向性と温度制御能力を提供する。
The heat rays radiated from the lamp 130 are applied to the upper surface of the processing object W in the processing space through the window 120, and the temperature of the processing object W is rapidly increased to, for example, 800 ° C. In general, the amount of heat radiated in the peripheral portion of the object to be processed W tends to be larger than that in the center side thereof.
30 is a lamp 130a and a lamp 1 arranged concentrically.
30b provides higher directivity and temperature control capability.

【0097】更に、制御部300は温度制御機構を制御
し、ランプ130を冷却する。制御部300は図示しな
い温度計の情報によりフィードバック制御を行い、封止
部143cが250乃至350℃、例えば300℃にな
るように冷却管149aの温度を制御する。より詳細に
は、図25を参照し、制御部300は封止部143cの
温度を測定し、350℃以下であるか確認する(ステッ
プ1500乃至1505)。ここで、図25は、本発明
のランプ130の冷却を示した制御フローチャートであ
る。封止部143cの温度が350℃以上であるなら冷
却管149aを使用し、封止部143cの冷却を開始す
る(ステップ1510)。制御部300は再び、封止部
143cの温度を測定し、封止部143cの温度が25
0℃以下であるか確認する(ステップ1515乃至15
20)。封止部143cの温度が250℃以下であるな
ら冷却を停止し(ステップ1525)、そうでなければ
250℃になるまで冷却は続けられる。上述した工程を
繰り返すことで、封止部143cは250乃至350℃
の範囲に維持される。
Further, the controller 300 controls the temperature control mechanism to cool the lamp 130. The control unit 300 performs feedback control based on information from a thermometer (not shown), and controls the temperature of the cooling pipe 149a so that the temperature of the sealing unit 143c is 250 to 350 ° C., for example, 300 ° C. More specifically, referring to FIG. 25, control unit 300 measures the temperature of sealing unit 143c and checks whether the temperature is 350 ° C. or lower (steps 1500 to 1505). Here, FIG. 25 is a control flowchart showing cooling of the lamp 130 of the present invention. If the temperature of the sealing portion 143c is equal to or higher than 350 ° C., the cooling of the sealing portion 143c is started using the cooling pipe 149a (step 1510). The control unit 300 again measures the temperature of the sealing unit 143c, and when the temperature of the sealing unit 143c is 25
Check whether the temperature is 0 ° C. or less (Steps 1515 to 1515)
20). If the temperature of the sealing portion 143c is equal to or lower than 250 ° C., the cooling is stopped (step 1525). Otherwise, the cooling is continued until the temperature reaches 250 ° C. By repeating the above steps, the sealing portion 143c is heated at 250 to 350 ° C.
Is maintained in the range.

【0098】更に、発熱部136も同様にフィードバッ
ク制御を行い(ステップ1530乃至1555)、発熱
部136が800乃至900℃、例えば850℃になる
ように冷却管149bの温度を制御する。かかる制御
は、ランプ130の電極部132の電極133を構成す
るモリブデンの酸化を防止する。また、ランプ130の
発光部136をハロゲンサイクル内で制御する。この結
果、ランプ130は破損の原因となりうる要素が減少さ
れ、ランプ130の長寿命化を達成できる。
Further, the heating section 136 also performs feedback control in the same manner (steps 1530 to 1555), and controls the temperature of the cooling pipe 149b so that the heating section 136 becomes 800 to 900 ° C., for example, 850 ° C. Such control prevents oxidation of molybdenum constituting the electrode 133 of the electrode section 132 of the lamp 130. In addition, the light emitting unit 136 of the lamp 130 is controlled in the halogen cycle. As a result, elements that may cause damage to the lamp 130 are reduced, and the life of the lamp 130 can be extended.

【0099】同時に、制御部300はモータドライバ3
20を制御し、モータ330を駆動するように命令す
る。これに応答して、モータドライバ320はモータ3
30を駆動し、モータ330はリング状磁石170を回
転させる。この結果、支持部152(又は152A)が
回転し、被処理体Wがサポートリング150と共に回転
する。被処理体Wが回転するのでその面内の温度は熱処
理期間中に均一に維持される。
At the same time, the control unit 300
20 to command the motor 330 to be driven. In response, the motor driver 320
30 is driven, and the motor 330 rotates the ring-shaped magnet 170. As a result, the support 152 (or 152A) rotates, and the workpiece W rotates together with the support ring 150. Since the object to be processed W rotates, the temperature in the plane is maintained uniformly during the heat treatment.

【0100】加熱中は、ウインドウ120はプレート1
21の厚さが比較的薄く、かつ熱伝導率が高いので幾つ
かの長所を有する。これらの長所は、(1)ランプ13
0からの光を均一に透過するので、被処理体Wに熱斑が
発生しにくい、(2)ランプ130からの光をあまり吸
収しないので被処理体Wへの照射効率を低下しない、
(3)プレート121の表裏面で温度差が小さいので熱
応力破壊が発生しにくい、(4)成膜処理の場合でもプ
レート121の温度上昇が少ないためにその表面に堆積
膜や反応副生成物が付着しにくい、(5)透光性セラミ
ックスは曲げ強度が強くウインドウ120の強度を高め
ているのでプレート120が薄くても処理室110内の
減圧環境と大気圧との差圧を維持することができる、を
含む。
During heating, the window 120 is
21 have several advantages due to their relatively small thickness and high thermal conductivity. These advantages are (1) lamp 13
Since the light from 0 is uniformly transmitted, heat spots are less likely to be generated on the target object W. (2) The light from the lamp 130 is not absorbed so much that the irradiation efficiency on the target object W is not reduced.
(3) Thermal stress destruction is unlikely to occur due to a small temperature difference between the front and back surfaces of the plate 121; (5) Translucent ceramics have high bending strength and high strength of the window 120. Therefore, even if the plate 120 is thin, the pressure difference between the reduced pressure environment in the processing chamber 110 and the atmospheric pressure is maintained. Can be included.

【0101】被処理体Wの温度は放射温度計200によ
り測定されて、制御部300はその測定結果に基づいて
ランプドライバ310をフィードバック制御する。被処
理体Wは回転しているためにその表面の温度分布は均一
であることが期待されるが、必要があれば、放射温度計
200は、被処理体Wの温度を複数箇所(例えば、その
中央と端部)測定することができ、放射温度計200が
被処理体W上の温度分布が不均一であると測定すれば、
制御部300は被処理体W上の特定の領域のランプ13
0の出力を変更するようにランプドライバ310に命令
することもできる。
The temperature of the object to be processed W is measured by the radiation thermometer 200, and the controller 300 performs feedback control of the lamp driver 310 based on the measurement result. Since the object to be processed W is rotating, it is expected that the temperature distribution on the surface is uniform. However, if necessary, the radiation thermometer 200 measures the temperature of the object to be processed W at a plurality of points (for example, (Central and end portions thereof), and if the radiation thermometer 200 determines that the temperature distribution on the object to be processed W is non-uniform,
The control unit 300 controls the lamp 13 in a specific area on the workpiece W.
It is also possible to instruct the lamp driver 310 to change the output of 0.

【0102】次いで、図示しないガス導入部から流量制
御された処理ガスが処理室110に導入される。所定の
熱処理(例えば、10秒間)が終了すると(ステップ1
032)、制御部300はランプドライバ310を介し
ランプ130の電力供給量を下げる(ステップ103
5)。これに応答して、ランプドライバ310はランプ
130が250℃になったかをチェックする(ステップ
1040)。もし、ランプ130の温度が250℃にな
ったら、制御部300は電力の供給量をかかる値で維持
する(ステップ1045)。そうでないならば、電力の
供給量を更に下げ、ランプ130の温度を250℃まで
下げる。
Next, a processing gas whose flow rate is controlled is introduced into the processing chamber 110 from a gas introduction unit (not shown). When a predetermined heat treatment (for example, 10 seconds) is completed (Step 1)
032), the controller 300 reduces the power supply amount of the lamp 130 via the lamp driver 310 (step 103).
5). In response, lamp driver 310 checks whether lamp 130 has reached 250 ° C. (step 1040). If the temperature of the lamp 130 reaches 250 ° C., the control unit 300 maintains the power supply amount at such a value (step 1045). If not, the power supply is further reduced and the temperature of lamp 130 is reduced to 250 ° C.

【0103】熱処理後に被処理体Wは上述したのと逆の
手順によりゲートバルブから処理室110の外へクラス
ターツールの搬送アームにより導出される。次いで、必
要があれば、搬送アームは被処理体Wを次段の装置(成
膜装置など)に搬送する。更に、制御部300は次の熱
処理命令を受けた場合は上述の工程を繰り返し、熱処理
を行う。このとき、ランプ130の制御はステップ10
10より繰り返される(ステップ1050)。熱処理命
令がなければランプ130への電力供給は停止され、ラ
ンプドライバ310の駆動も停止される(ステップ10
55乃至1060)。
After the heat treatment, the object to be processed W is drawn out of the processing chamber 110 from the gate valve by the transfer arm of the cluster tool in a procedure reverse to that described above. Next, if necessary, the transfer arm transfers the target object W to the next device (such as a film forming device). Further, when the control unit 300 receives the next heat treatment command, the control unit 300 repeats the above steps to perform the heat treatment. At this time, the control of the lamp 130 is performed in step 10.
The process is repeated from Step 10 (Step 1050). If there is no heat treatment command, the power supply to the lamp 130 is stopped, and the driving of the lamp driver 310 is also stopped (step 10).
55 to 1060).

【0104】上述した一連の熱処理方法は、ランプ13
0及びランプドラバ310に電源が投入されるのは熱処
理動作開始の1回のみの必要最低限のものであり、被処
理体Wの温度の昇降に対応して電源をオン/オフするも
のではない。即ち、かかる熱処理方法はラッシュ電流減
少を少なくとも一回に抑え、ランプ130及びランプド
ライバ310の長寿命化を達成可能とする。また、ラン
プ130はハロゲンサイクルの範囲内で制御されている
為、かかる理由からもランプ130の長寿命化に効果的
である。
The series of heat treatment methods described above
The power is turned on to the 0 and the lamp driver 310 only once at the start of the heat treatment operation, and it is not necessary to turn on / off the power in response to the temperature rise and fall of the workpiece W. In other words, such a heat treatment method can reduce the rush current at least once, and can achieve a longer life of the lamp 130 and the lamp driver 310. Further, since the lamp 130 is controlled within the range of the halogen cycle, it is effective for extending the life of the lamp 130 for such a reason.

【0105】以上、本発明の好ましい実施例を説明した
が、本発明はその要旨の範囲内で種々の変形及び変更が
可能である。
Although the preferred embodiment of the present invention has been described above, the present invention can be variously modified and changed within the scope of the gist.

【0106】[0106]

【発明の効果】本発明の例示的一態様である加熱装置及
び熱処理装置によれば、ランプ保持部の中央部に照射面
積の大きな第1のランプ、かかる第1のランプの周囲に
当該第1のランプより照射面積の小さな第2のランプを
有する。被処理体は中心温度よりもサポートリングに接
触する周辺温度の温度上昇が低く部分である狭い領域を
小さな照射面積を有する第2のランプで効率的に照射す
ることができる。また、第2のランプの照射エネルギー
を上昇させる、又は第2の領域の単位面積あたりのラン
プ数を増やすことで、被処理体の中心部及び外周部をム
ラなく加熱することが可能である。従って、高品質な熱
処理を施すことが可能であり、かかる熱処理を施された
被処理体もまた高品質である。
According to the heating device and the heat treatment device according to an exemplary embodiment of the present invention, the first lamp having a large irradiation area is provided at the center of the lamp holding portion, and the first lamp is provided around the first lamp. And a second lamp having an irradiation area smaller than that of the second lamp. The object to be processed can efficiently irradiate a narrow region, which is a portion where the temperature rise of the peripheral temperature in contact with the support ring is lower than the center temperature, with the second lamp having a small irradiation area. Further, by increasing the irradiation energy of the second lamp or increasing the number of lamps per unit area of the second region, the central portion and the outer peripheral portion of the object to be processed can be uniformly heated. Therefore, a high-quality heat treatment can be performed, and the object to which the heat treatment has been performed is also high-quality.

【0107】更に、熱処理装置は一のランプに関し基部
からの着脱可能な構成であっても良い。かかる構成は、
例えば、劣化したランプだけを容易に交換することが可
能であって、未だ使用可能なランプを取り外すことがな
い。また、ランプを交換する際に基部全体を交換する必
要がなく、劣化したランプのみを交換することができ
る。よって、従来のようにランプ保持部を一体的に交換
する作業と比較しても、熱処理装置のメンテナンスを容
易にするものである。
Further, the heat treatment apparatus may be configured so that one lamp can be detached from the base. Such a configuration,
For example, it is possible to easily replace only a deteriorated lamp without removing a still usable lamp. Further, it is not necessary to replace the entire base when replacing the lamp, and only the deteriorated lamp can be replaced. Therefore, the maintenance of the heat treatment apparatus is facilitated as compared with the conventional operation of integrally replacing the lamp holding unit.

【0108】[0108]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の例示的一態様としての熱処理装置の
概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view of a heat treatment apparatus as an exemplary embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示すウインドウの変形例であるウイン
ドウの底面図である。
FIG. 2 is a bottom view of a window which is a modification of the window shown in FIG.

【図3】 図2に示すウインドウのA−A断面の一部拡
大断面図である。
FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view taken along line AA of the window shown in FIG. 2;

【図4】 図1に示すウインドウの変形例であるウイン
ドウの一部拡大断面図である。
FIG. 4 is a partially enlarged sectional view of a window which is a modification of the window shown in FIG.

【図5】 図1に示す加熱部の概略底面図である。FIG. 5 is a schematic bottom view of the heating unit shown in FIG.

【図6】 図5に示す加熱部の一部を示す拡大断面図で
ある。
FIG. 6 is an enlarged sectional view showing a part of the heating unit shown in FIG.

【図7】 図5に示すランプ加熱部よりランプをはずし
たときの図6に対応する図である。
FIG. 7 is a diagram corresponding to FIG. 6 when the lamp is removed from the lamp heating unit shown in FIG. 5;

【図8】 図6に示すランプの概略断面図である。8 is a schematic sectional view of the lamp shown in FIG.

【図9】 図6に示すランプの概略断面である。FIG. 9 is a schematic cross section of the lamp shown in FIG.

【図10】 図6に示すランプの概略底面図である。FIG. 10 is a schematic bottom view of the lamp shown in FIG. 6;

【図11】 図6に示すランプのフィラメントより放出
される輻射光の光路を示した概略側面図である。
11 is a schematic side view showing an optical path of radiation light emitted from a filament of the lamp shown in FIG.

【図12】 図6に示すランプのフィラメントより放出
される輻射光の光路を示した別の概略側面図である。
12 is another schematic side view showing the optical path of radiation emitted from the filament of the lamp shown in FIG.

【図13】 図6に示すランプの変形例であるランプの
概略底面図である。
FIG. 13 is a schematic bottom view of a lamp which is a modified example of the lamp shown in FIG.

【図14】 図13に示すランプの有するフィラメント
の変形例であるフィラメントを示す概略平面図である。
FIG. 14 is a schematic plan view showing a filament which is a modification of the filament of the lamp shown in FIG.

【図15】 図13に示すランプの有するフィラメント
の変形例であるフィラメントを示す概略平面図である。
FIG. 15 is a schematic plan view showing a filament which is a modification of the filament of the lamp shown in FIG.

【図16】 図13に示すランプを示すランプの有する
フィラメントの変形例であるフィラメントを示す概略平
面図である。
16 is a schematic plan view showing a filament which is a modification of the filament of the lamp shown in FIG. 13;

【図17】 図16に示すフィラメントを示す概略側面
図である。
FIG. 17 is a schematic side view showing the filament shown in FIG. 16;

【図18】 図6に示すランプ保持部のランプが熱膨張
をしていないときの拡大断面図である。
18 is an enlarged cross-sectional view when the lamp of the lamp holding unit shown in FIG. 6 is not thermally expanded.

【図19】 図5に示す加熱部のランプ保持部のより詳
細な構造を示す概略断面図である。
FIG. 19 is a schematic sectional view showing a more detailed structure of a lamp holding section of the heating section shown in FIG.

【図20】 図5に示す加熱部のランプ保持部のより詳
細な構造を示す概略底面図である。
20 is a schematic bottom view showing a more detailed structure of a lamp holding unit of the heating unit shown in FIG.

【図21】 図1に示す加熱部のランプより被処理体W
に照射されるランプ光を示した図である。
FIG. 21 is a view showing a target object W from the lamp of the heating unit shown in FIG. 1;
FIG. 5 is a diagram showing lamp light applied to the light source.

【図22】 図1に示す加熱部のランプより被処理体W
に照射されるランプ光を示した図である。
FIG. 22 is a view showing a processing object W from a lamp of a heating unit shown in FIG. 1;
FIG. 5 is a diagram showing lamp light applied to the light source.

【図23】 図6に示すランプの配置の変形例を示した
概略断面図である。
FIG. 23 is a schematic sectional view showing a modification of the arrangement of the lamp shown in FIG.

【図24】 本発明のランプの駆動を示した制御フロー
チャートである。
FIG. 24 is a control flowchart showing driving of the lamp of the present invention.

【図25】 本発明のランプの冷却を示した制御フロー
チャートである。
FIG. 25 is a control flowchart showing cooling of the lamp according to the present invention.

【図26】 従来のランプ形状を示す概略断面図であ
る。
FIG. 26 is a schematic sectional view showing a conventional lamp shape.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 熱処理装置 110 処理室 120 ウインドウ 121 プレート 124 補強材 125 冷却管 130 ランプ 131 ねじ山 132 電極部 134 中間部 136 発光部 140 加熱部 142 ランプ保持部 143 溝 147 ねじ山 150 サポートリング 160 ベアリング 170 永久磁石 180 ガス導入部 190 排気部 200 放射温度計 300 制御部 310 ランプドライバ REFERENCE SIGNS LIST 100 heat treatment apparatus 110 processing chamber 120 window 121 plate 124 reinforcing material 125 cooling pipe 130 lamp 131 screw thread 132 electrode part 134 intermediate part 136 light emitting part 140 heating part 142 lamp holding part 143 groove 147 screw thread 150 support ring 160 bearing 170 permanent magnet 180 Gas introduction unit 190 Exhaust unit 200 Radiation thermometer 300 Control unit 310 Lamp driver

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ランプとランプハウスからなる加熱装置
であって、 前記ランプは、 第1のランプと、 前記第1のランプより照射面積の小さい第2のランプと
を有し、 前記ランプハウスは、 当該ランプハウスの中央に第1のランプを収納する第1
のランプ収納部と、 前記第1の領域の周囲に第2のランプを収納する第2の
ランプ収納部とを有する加熱装置。
1. A heating device comprising a lamp and a lamp house, wherein the lamp has a first lamp and a second lamp having an irradiation area smaller than that of the first lamp. A first lamp housing the first lamp in the center of the lamp house;
And a second lamp housing for housing a second lamp around the first area.
【請求項2】 前記第2のランプは、前記第1のランプ
の単位面積当たりの照射エネルギーよりも大きい単位面
積当たりの照射エネルギーを有する加熱装置。
2. The heating device according to claim 1, wherein the second lamp has irradiation energy per unit area larger than irradiation energy per unit area of the first lamp.
【請求項3】 前記第2の領域の有する単位面積当たり
のランプ数は、前記第1の領域の有する単位面積当たり
のランプ数よりも多い請求項1記載の加熱装置。
3. The heating device according to claim 1, wherein the number of lamps per unit area of the second region is larger than the number of lamps per unit area of the first region.
【請求項4】 前記第1及び第2のランプは前記第1及
び第2の収納部から着脱可能に収納される加熱装置。
4. A heating device in which the first and second lamps are detachably housed from the first and second housings.
【請求項5】 前記ランプは光源より射出された光を反
射する反射部を有する請求項4記載の加熱装置。
5. The heating device according to claim 4, wherein said lamp has a reflecting portion for reflecting light emitted from a light source.
【請求項6】 前記ランプは当該ランプの外周部にねじ
山を有し、 前記第1及び第2のランプ収納部は前記ランプのねじ山
と適合するねじ山を有する請求項4記載の加熱装置。
6. The heating device according to claim 4, wherein the lamp has a thread on an outer peripheral portion of the lamp, and the first and second lamp housings have threads matching the threads of the lamp. .
【請求項7】 前記ランプ収納部は当該ランプ収納部に
内接する複数の薄板を有し、 前記薄板を弾性変形させることで前記ランプを保持する
請求項4記載の加熱装置。
7. The heating device according to claim 4, wherein the lamp housing has a plurality of thin plates inscribed in the lamp housing, and holds the lamp by elastically deforming the thin plates.
【請求項8】 被処理体に熱源を用いて所定の熱処理を
行う熱処理装置であって、 前記熱源を構成する第1のランプと、 前記熱源を構成し、前記第1のランプより照射面積の小
さい第2のランプと、 前記第1及び第2のランプを保持するランプハウスとを
有し、 前記ランプハウスは、 当該ランプハウスの中央に第1のランプを収納する第1
のランプ収納部と、 前記第1の領域の周囲に第2のランプを収納する第2の
ランプ収納部とを有する熱処理装置。
8. A heat treatment apparatus for performing a predetermined heat treatment on an object to be processed using a heat source, comprising: a first lamp constituting the heat source; and an irradiation area larger than the first lamp constituting the heat source. A lamp house that holds the first and second lamps, wherein the lamp house has a first lamp that accommodates the first lamp in the center of the lamp house;
And a second lamp housing for housing a second lamp around the first region.
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