JPH10144619A - Lamp heater heat-treatment device - Google Patents

Lamp heater heat-treatment device

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JPH10144619A
JPH10144619A JP8317150A JP31715096A JPH10144619A JP H10144619 A JPH10144619 A JP H10144619A JP 8317150 A JP8317150 A JP 8317150A JP 31715096 A JP31715096 A JP 31715096A JP H10144619 A JPH10144619 A JP H10144619A
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Japan
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heating
lamp
sealing portion
base
heat treatment
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Wataru Okase
亘 大加瀬
Kazuji Aoki
一二 青木
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Tokyo Electron Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the durability of heater lamps by a method wherein a heating unit which has a plurality of heater lamps is provided in a treatment chamber with a transmitting window therebetween and the sealing parts and lamp main parts of the respective heater lamps in the heating unit are cooled to respective predetermined temperatures. SOLUTION: A heating chamber 22 is provided in connected with the outside of the bottom of a treatment chamber 10 with a transmitting window 19 therebetween. A base table 23 of which a turntable to turn a heating unit 12 horizontally is provided in the heating chamber 22 and heater lamps 24 and reflectors 25 are provided on the base table 23. A gas supply inlet 27 through which cooling gas is supplied is provided on the side of the heating chamber 22 on the rear side of the base table 23 with the base table 23 as a boundary and a gas exhaust outlet 28 is provided on the opposite side. The lamp main parts and the sealing parts of the heater lamps 24 are cooled by the cooling gas from the gas supply inlet 27 to respective predetermined temperature. With this constitution, problems which are caused by the overheat or the heating unevenness can be avoided and the durability of the heat lamps 24 can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ランプ加熱型熱処
理装置に関する。
The present invention relates to a lamp heating type heat treatment apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、被処理体である半導体ウエハに酸化、拡散、CVD
(Chemical Vapor Deposition)、アニールなどの処理
を行うために、各種の熱処理装置が使用されている。こ
の種の熱処理装置の一つとして、熱源に加熱ランプを使
用したランプ加熱型熱処理装置が知られている。このラ
ンプ加熱型熱処理装置は、半導体ウエハを収容する処理
室に透過窓を介して複数の加熱ランプを配置し、こられ
加熱ランプにより上記半導体ウエハを加熱するようにな
っている。
2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor wafer to be processed is oxidized, diffused, and CVD.
(Chemical Vapor Deposition), various heat treatment apparatuses are used for performing processing such as annealing. As one of such heat treatment apparatuses, a lamp heating type heat treatment apparatus using a heating lamp as a heat source is known. In this lamp heating type heat treatment apparatus, a plurality of heating lamps are arranged in a processing chamber accommodating a semiconductor wafer through a transmission window, and the semiconductor wafer is heated by the heating lamps.

【0003】このようなランプ加熱型熱処理装置におい
ては、上記加熱ランプの過熱による耐久性の低下を防止
するために、加熱ランプ群の全体に冷却エアを吹き付け
て冷却することが行なわれている。
In such a lamp heating type heat treatment apparatus, in order to prevent a decrease in durability due to overheating of the heating lamp, cooling air is blown to the entire heating lamp group for cooling.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ラ
ンプ加熱型熱処理装置においては、加熱ランプ群全体に
冷却エアを吹き付けて冷却する構造上、全ての加熱ラン
プを均一に冷却することが困難であった。
However, in the lamp heating type heat treatment apparatus, it is difficult to uniformly cool all the heating lamps because of the structure in which cooling air is blown to the entire heating lamp group to cool the lamps. .

【0005】加熱ランプとしては、通常、ハロゲンラン
プが使用され、このハロゲンランプにおいては、フィラ
メントの成分(タングステン)が蒸発してハロゲン化合
物となり、このハロゲン化合物が分解して上記成分がフ
ィラメントに戻るというハロゲンサイクルを繰り返す。
ところが、ランプ本体(バルブともいう)の表面に温度
むらが生じると、温度の低い部分にハロゲン化合物が付
着生成して上記ハロゲンサイクルの円滑な継続が困難と
なり、上記フィラメントが断線しやすくなり、加熱ラン
プの耐久性が低下(ランプ寿命の短縮化)する。
As a heating lamp, a halogen lamp is generally used. In this halogen lamp, a component (tungsten) of the filament evaporates to a halogen compound, and the halogen compound is decomposed to return the component to the filament. Repeat the halogen cycle.
However, if temperature unevenness occurs on the surface of the lamp body (also referred to as a bulb), a halogen compound adheres to a portion having a low temperature to generate and make it difficult to continue the halogen cycle smoothly. Lamp durability is reduced (lamp life is shortened).

【0006】また、加熱ランプの封止部は、通常、導電
材(モリブデン箔)にランプ本体の石英ガラスを密着さ
せて封止した構造を有している。このため、上記封止部
が過熱すると、導電材と石英ガラスの熱膨張差により両
者間に隙間が発生して、ハロゲンガスが漏れやすくな
り、加熱ランプの耐久性が低下する。
[0006] The sealing portion of the heating lamp usually has a structure in which quartz glass of the lamp body is brought into close contact with a conductive material (molybdenum foil) and sealed. For this reason, if the sealing portion is overheated, a gap is generated between the conductive material and the quartz glass due to a difference in thermal expansion between the conductive material and the quartz glass, and the halogen gas easily leaks, and the durability of the heating lamp decreases.

【0007】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、加熱ランプの耐久性の向上が図れるランプ加熱型熱
処理装置を提供することにある。
It is an object of the present invention to provide a lamp heating type heat treatment apparatus which solves the above-mentioned problems and improves the durability of a heating lamp.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のうち請求項1に係る発明は、処理室に透過窓
を介して複数の加熱ランプを有する加熱部を設け、この
加熱部により上記処理室内の被処理体を加熱するランプ
加熱型熱処理装置において、上記加熱部における各加熱
ランプの封止部およびランプ本体をそれぞれ所定の温度
に冷却するように構成したことを特徴とする。
In order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a heating unit having a plurality of heating lamps is provided in a processing chamber through a transmission window. In the lamp heating type heat treatment apparatus for heating an object to be processed in the processing chamber, the sealing portion of each heating lamp and the lamp body in the heating section are each cooled to a predetermined temperature.

【0009】請求項2に係る発明は、処理室に透過窓を
介して基台に複数の加熱ランプおよび反射体を配設して
なる加熱部を設け、この加熱部により上記処理室内の被
処理体を加熱するランプ加熱型熱処理装置において、上
記加熱部の基台に各加熱ランプの封止部側からランプ本
体側へ冷却気体を通風させる通風口を設けると共に、こ
の通風口に冷却気体を整流する整流体を設けたことを特
徴とする。
According to a second aspect of the present invention, a heating section having a plurality of heating lamps and a reflector disposed on a base via a transmission window is provided in the processing chamber, and the heating section is used for processing the processing target in the processing chamber. In the lamp heating type heat treatment apparatus that heats the body, a ventilation port through which a cooling gas flows from the sealing portion side of each heating lamp to the lamp body side is provided on a base of the heating section, and the cooling gas is rectified into the ventilation port. A rectifier is provided.

【0010】請求項3に係る発明は、上記処理室には上
記加熱部を収容する加熱室が連設され、この加熱室には
上記加熱部の基台を境として裏面側に冷却気体を供給す
る供給口と、反対側から排気する排気口とが設けられて
いることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, a heating chamber for accommodating the heating unit is connected to the processing chamber, and a cooling gas is supplied to the back surface of the heating chamber from a base of the heating unit. And a discharge port for discharging air from the opposite side.

【0011】請求項4に係る発明は、上記基台が冷却構
造とされると共に、上記整流体が上記加熱ランプの封止
部から上記通風口の出口側へ向って末広がり状に形成さ
れ、かつ上記基台側から上記加熱ランプの封止部の側部
に圧接された熱伝導性を有する板バネからなることを特
徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, the base has a cooling structure, and the rectifying body is formed so as to expand from the sealing portion of the heating lamp toward the outlet side of the ventilation port. It is characterized by comprising a thermally conductive leaf spring pressed from the base side to the side of the sealing portion of the heating lamp.

【0012】請求項5に係る発明は、上記整流体には、
上記封止部の温度を管理するための温度センサが設けら
れていることを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, the rectifier includes:
A temperature sensor for controlling the temperature of the sealing portion is provided.

【0013】[0013]

【実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添付図面
に基づいて詳述する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

【0014】先ず、本発明が適用されるランプ加熱型熱
処理装置を含む複数の処理室を備えたマルチチャンバ型
処理装置の概略的平面構成を示す図2において、1は搬
送機能を備えたロードロック型の移載室であり、この移
載室1の前部にはゲートバルブG1,G2を介して第1
のカセット室2Aおよび第2のカセット室2Bが接続さ
れている。これらカセット室2A,2Bは、複数枚(例
えば25枚)の被処理体例えば半導体ウエハWを所定の
間隔(例えば5mm間隔)で収容する容器たるカセット
3を収容するチャンバとして形成されている。
First, FIG. 2 shows a schematic plan configuration of a multi-chamber type processing apparatus having a plurality of processing chambers including a lamp heating type heat processing apparatus to which the present invention is applied. In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a load lock having a transfer function. The transfer chamber 1 is a mold transfer chamber. The front of the transfer chamber 1 is connected to the first transfer chamber via gate valves G1 and G2.
And the second cassette chamber 2B are connected to each other. These cassette chambers 2A and 2B are formed as chambers for accommodating a cassette 3 as a container accommodating a plurality of (eg, 25) objects to be processed, for example, semiconductor wafers W at predetermined intervals (eg, 5 mm intervals).

【0015】例えば、第1のカセット室2A内には、未
処理ウエハ用のカセットが収容され、第2のカセット室
2B内には、処理済みウエハ用のカセットが収容され
る。上記カセット室2A,2Bには、外部との間を開閉
するゲートバルブG3,G4が設けられ、カセット室2
A,2B内には、上記カセット3をウエハWが水平な状
態で支持するアームを有してカセット3を外部との間で
上記ゲートバルブG3,G4を介して搬入搬出するカセ
ット搬入搬出機構(図示省略)と、搬入されたカセット
3を上記アームから受け取って高さ調整可能に支持する
昇降可能なカセットステージ4を備えている。
For example, a cassette for unprocessed wafers is accommodated in the first cassette chamber 2A, and a cassette for processed wafers is accommodated in the second cassette chamber 2B. Gate valves G3 and G4 for opening and closing between the cassette chambers 2A and 2B are provided in the cassette chambers 2A and 2B.
A and 2B have an arm for supporting the cassette 3 in a state where the wafer W is horizontal, and a cassette loading / unloading mechanism (for loading / unloading the cassette 3 from / to the outside via the gate valves G3 and G4). (Not shown), and a cassette stage 4 that can be moved up and down to receive the loaded cassette 3 from the arm and support it in a height-adjustable manner.

【0016】上記移載室1内には、移載機構5と、ウエ
ハWの中心およびオリエンテーションフラット(オリフ
ラともいう)の位置合せを行うための回転ステージ6と
が配設されている。この回転ステージ6は、ウエハWの
周縁位置を検知する図示しない光センサおよび移載機構
5とともにウエハWの位置合せ機構を構成している。例
えばウエハWの中心が回転ステージ6の中心からずれて
いることが検出された場合には、移載機構5によりウエ
ハWの位置を修正する。
In the transfer chamber 1, a transfer mechanism 5 and a rotary stage 6 for aligning the center of the wafer W and an orientation flat (also referred to as an orientation flat) are provided. The rotary stage 6 constitutes an alignment mechanism for the wafer W together with an optical sensor (not shown) for detecting the peripheral position of the wafer W and the transfer mechanism 5. For example, when it is detected that the center of the wafer W is deviated from the center of the rotating stage 6, the transfer mechanism 5 corrects the position of the wafer W.

【0017】上記移載機構5は、水平方向に回転および
伸縮可能なアーム、例えば多関節アームからなり、先端
には支持したウエハWを真空吸着により保持する吸引孔
7を有していることが好ましい。移載機構5は、上記第
1ないし第2のカセット室2A,2B内のカセット3
と、上記回転ステージ6と、後述の処理室10A,10
B,10Cとの間でウエハWの移載を行うように構成さ
れている。
The transfer mechanism 5 is composed of an arm which can rotate and expand and contract in the horizontal direction, for example, an articulated arm, and has a suction hole 7 at its tip for holding the supported wafer W by vacuum suction. preferable. The transfer mechanism 5 controls the cassettes 3 in the first and second cassette chambers 2A and 2B.
And the rotary stage 6 and processing chambers 10A and 10
It is configured to transfer the wafer W between B and 10C.

【0018】上記移載室7の前部を除く周囲には、ゲー
トバルブG9〜G11を介して第1〜第3の処理室10
A〜10Cが接続され、これら処理室10A〜10Cは
減圧ポンプにより所定の圧力例えば10-3〜10-8To
rrに減圧されるようになっている。上記処理室10A
〜10Cは、同一の処理を行なうように構成されていて
もよく、あるいは異なる処理を行なうように構成されて
いてもよい。
Around the transfer chamber 7 excluding the front part, the first to third processing chambers 10 are connected via gate valves G9 to G11.
The processing chambers 10A to 10C are connected to a predetermined pressure, for example, 10 -3 to 10 -8 To by a pressure reducing pump.
The pressure is reduced to rr. Processing chamber 10A
-10C may be configured to perform the same processing, or may be configured to perform different processing.

【0019】上記移載室1は、ゲートバルブG1,G2
を開いてカセット室2A,2Bと連通するに際してカセ
ット室2A,2B内と同じ圧力、例えば大気圧とされ、
ゲートバルブG1,G2を閉じ、ゲートバルブG5,G
6,G7を開いて第1〜第3の何れかの処理室10A〜
10Cと連通するに際して処理室10A〜10C内とほ
ぼ同じ圧力とされるように圧力制御されるように構成さ
れている。カセット室2A,2B内および移載室1内
は、カセット室2A,2Bと移載室1とを連通するに際
して不活性ガス例えば窒素ガスを導入して大気圧の不活
性ガス雰囲気にすることが好ましい。
The transfer chamber 1 includes gate valves G1 and G2.
Is opened to communicate with the cassette chambers 2A and 2B, the same pressure as in the cassette chambers 2A and 2B, for example, the atmospheric pressure,
Gate valves G1 and G2 are closed and gate valves G5 and G
6, G7 is opened and any of the first to third processing chambers 10A to 10A
When communicating with 10C, it is comprised so that pressure may be controlled so that it may become substantially the same pressure as in processing chamber 10A-10C. When the cassette chambers 2A, 2B and the transfer chamber 1 are communicated with each other, an inert gas such as a nitrogen gas may be introduced into the cassette chambers 2A, 2B and the transfer chamber 1 to make the atmosphere inert gas atmosphere. preferable.

【0020】上記処理室10A〜10Cの少なくとも一
つは、ランプ加熱型熱処理装置、例えばランプ加熱型枚
葉式減圧CVD装置の処理室10として構成されてい
る。この処理室10は、図1に示すように例えばアルミ
ニウム合金により円筒状に形成されており、処理室10
内にはウエハWを支持する支持体としてのサセプタ11
が処理室10の底部開口を内側から塞ぐように水平に設
けられている。
At least one of the processing chambers 10A to 10C is configured as a processing chamber 10 of a lamp heating type heat treatment apparatus, for example, a lamp heating type single wafer decompression CVD apparatus. The processing chamber 10 is formed in a cylindrical shape from, for example, an aluminum alloy as shown in FIG.
A susceptor 11 as a support for supporting the wafer W is provided therein.
Are provided horizontally so as to close the bottom opening of the processing chamber 10 from the inside.

【0021】上記サセプタ11は、ウエハWを載置し、
後述する加熱部12からの光エネルギー(熱線)を吸収
して熱伝導により所定の温度例えば500〜700℃に
加熱するために、例えばカーボン(C)、あるいはシリ
コンカーバイド(SiC)により円盤状に形成されてい
ることが好ましい。また、上記サセプタ11には、その
温度管理を行なうために底面部等に温度センサが設けら
れていることが好ましい。
The susceptor 11 places a wafer W thereon,
In order to absorb light energy (heat rays) from the heating unit 12 to be described later and heat it to a predetermined temperature, for example, 500 to 700 ° C. by heat conduction, it is formed in a disk shape using, for example, carbon (C) or silicon carbide (SiC). It is preferred that Further, it is preferable that the susceptor 11 is provided with a temperature sensor on a bottom portion or the like in order to manage the temperature.

【0022】処理室10の上部は、蓋体13で気密に塞
がれ、この蓋体13には処理ガス、クリーニングガス、
不活性ガス等を処理室内に導入するためにガス源に通じ
るガス供給口14a,14bが設けられている。また、
上記蓋体13には、ウエハWの被処理面に処理ガスをシ
ャワー状に均一に供給するガス供給部として多孔構造の
シャワーヘッド15が上記サセプタ11と対向して設け
られている。上記処理ガスの供給を更に均一にするため
に、上記ガス供給口14a,14bとシャワーヘッド1
5との間には多孔板16a,16bが適宜段数配置され
ていることが好ましい。
The upper portion of the processing chamber 10 is air-tightly closed by a lid 13, and a processing gas, a cleaning gas,
Gas supply ports 14a and 14b leading to a gas source for introducing an inert gas or the like into the processing chamber are provided. Also,
On the lid 13, a shower head 15 having a porous structure is provided facing the susceptor 11 as a gas supply unit for uniformly supplying a processing gas to the surface to be processed of the wafer W in a shower shape. In order to further uniformly supply the processing gas, the gas supply ports 14a, 14b and the shower head 1
It is preferable that the number of perforated plates 16a and 16b is appropriately arranged between the five plates.

【0023】上記処理室10の側部には、ウエハWを搬
入搬出する出入口17およびこの出入口17を開閉する
ゲートバルブGが設けられている。また、処理室10の
側部には、減圧ポンプ等に通じる排気口18が設けられ
ている。
On the side of the processing chamber 10, there are provided an entrance 17 for carrying in and out the wafer W and a gate valve G for opening and closing the entrance 17. In addition, an exhaust port 18 communicating with a decompression pump or the like is provided on a side portion of the processing chamber 10.

【0024】上記処理室10の底部には、透過窓19が
底部開口を外側から塞ぐように図示しない気密材例えば
Oリングを介して気密に設けられている。上記透過窓1
9は、加熱部12からの光エネルギーを効率よく透過す
る材質、例えば石英ガラスにより形成されている。ま
た、透過窓19は、耐圧性や薄肉化を図るために外側に
膨らんだ曲面状に形成されていることが好ましい。
At the bottom of the processing chamber 10, a transmission window 19 is provided in an airtight manner via an unillustrated airtight material such as an O-ring so as to close the bottom opening from the outside. The above transmission window 1
Reference numeral 9 denotes a material that efficiently transmits light energy from the heating unit 12, for example, quartz glass. Further, it is preferable that the transmission window 19 is formed in a curved shape bulging outward in order to achieve pressure resistance and thinning.

【0025】上記サセプタ11の裏側に処理ガスが回り
込んで透過窓19等に付着生成して温度むらの発生原因
となるのを防止するために、処理室10の側部には不活
性ガス(例えば窒素ガス)あるいはエアなどを上記サセ
プタ11と透過窓19との間の空間に供給するガス供給
口20が設けられている。また、上記サセプタ11と透
過窓19との間には、上記不活性ガスをサセプタ11の
裏面に温度むらを生じさせないように均一に供給するた
めの多孔を有する石英製のバッファープレート21が設
けられている。上記サセプタ11の裏面に供給された不
活性ガスが、サセプタ11と処理室10との間の隙間を
通って減圧側の処理室11内へと流れることにより、サ
セプタ11の裏側への上記処理ガスの回り込みが防止さ
れる。
In order to prevent the processing gas from flowing to the back side of the susceptor 11 and adhering to the transmission window 19 and the like to cause temperature unevenness, an inert gas ( A gas supply port 20 is provided for supplying, for example, nitrogen gas) or air to the space between the susceptor 11 and the transmission window 19. Further, between the susceptor 11 and the transmission window 19, there is provided a quartz buffer plate 21 having a porosity for uniformly supplying the inert gas so as not to cause temperature unevenness on the back surface of the susceptor 11. ing. The inert gas supplied to the back surface of the susceptor 11 flows through the gap between the susceptor 11 and the processing chamber 10 into the processing chamber 11 on the reduced pressure side, so that the processing gas flows to the back side of the susceptor 11. Wrap around is prevented.

【0026】上記処理室10の底部側外側には、上記透
過窓19を介して加熱室22が連設され、この加熱室2
2内に上記加熱部12が水平に回転可能に収容されてい
る。上記加熱部12は、ターンテーブルを構成する基台
23を有し、この基台23に熱源としての複数の加熱ラ
ンプ24および反射体25が配設されている。
A heating chamber 22 is connected to the outside of the bottom of the processing chamber 10 through the transmission window 19.
The heating unit 12 is rotatably accommodated in 2. The heating unit 12 has a base 23 constituting a turntable, and a plurality of heating lamps 24 and a reflector 25 as heat sources are arranged on the base 23.

【0027】上記基台23は、例えばアルミニウム合金
により円盤状に形成され、内部に冷媒通路26を有する
冷却構造、例えば冷媒として常温の冷却水を用いる水冷
構造とされている。上記反射体25は、図3にも示すよ
うに各加熱ランプ24のランプ本体24aの周囲を囲ん
で上方へ拡開された形状に形成され、例えばアルミニウ
ム合金からなる母材の表面に金メッキを施してなる。
The base 23 is formed in a disk shape by, for example, an aluminum alloy and has a cooling structure having a coolant passage 26 therein, for example, a water cooling structure using room temperature cooling water as a coolant. As shown in FIG. 3, the reflector 25 is formed in a shape that is expanded upward around the lamp body 24a of each heating lamp 24, and is formed by applying gold plating to a surface of a base material made of, for example, an aluminum alloy. It becomes.

【0028】上記加熱室22は、円筒状に形成され、そ
の内部が上記基台23により上下に仕切られている。上
記加熱室2の側部には、基台23を境として上記基台2
3の裏面側(下方)に冷却気体、例えば常温の空気(冷
却エアともいう)を供給する給気口27が、反対側(上
方)に排気口28が設けられ、上記給気口27には冷却
エアを供給する図示しないブロワが接続されている。
The heating chamber 22 is formed in a cylindrical shape, and the inside thereof is vertically divided by the base 23. On the side of the heating chamber 2, the base 2
An air supply port 27 for supplying a cooling gas, for example, air at a normal temperature (also referred to as cooling air), is provided on the back side (lower side) of 3, and an exhaust port 28 is provided on the opposite side (upper side). A blower (not shown) for supplying cooling air is connected.

【0029】上記加熱ランプ24は、例えばハロゲンラ
ンプからなり、図5に示すように石英ガラス製のランプ
本体(バルブ)24aを有している。このランプ本体2
4aは、両端にモリブデン箔からなる導電材29を有す
るタングステン製のフィラメント30を挿入してハロゲ
ンガスを封入し、その導電材29に石英ガラスを密着さ
せて封止されている。ランプ本体24aの封止部分に
は、上記導電部29に電気的に接続された端子31を有
する例えばアルミナ(Al23)製のほぼ直方体状の封
止部24bが設けられている。
The heating lamp 24 is, for example, a halogen lamp, and has a quartz glass lamp body (bulb) 24a as shown in FIG. This lamp body 2
4a is sealed by inserting a tungsten filament 30 having a conductive material 29 made of molybdenum foil at both ends, sealing a halogen gas, and bringing quartz glass into close contact with the conductive material 29. A substantially rectangular parallelepiped sealing portion 24b made of, for example, alumina (Al 2 O 3 ) having a terminal 31 electrically connected to the conductive portion 29 is provided in a sealing portion of the lamp body 24a.

【0030】上記基台23には、図3ないし図4に示す
ように加熱ランプ24の封止部24bを挿入する挿入口
32が設けられ、基台23の下部(裏面)における上記
封止部24bと対応する位置には封止部24bの端子3
1を挿入するソケット33が取付けられている。このソ
ケット33は、その長手方向両端部に有する図示しない
ブラケットを介して基台23にネジ止めにより取付けら
れている(図示省略)。
As shown in FIGS. 3 and 4, the base 23 is provided with an insertion opening 32 into which the sealing portion 24b of the heating lamp 24 is inserted. Terminal 3 of sealing portion 24b is located at a position corresponding to 24b.
A socket 33 for inserting the socket 1 is attached. The socket 33 is attached to the base 23 by screws (not shown) via brackets (not shown) provided at both ends in the longitudinal direction.

【0031】上記基台23には、上記加熱ランプ24の
封止部24b側からランプ本体24a側へ冷却気体であ
る冷却エアを通風させる通風口34が設けられ、その通
風口34には冷却エアを整流する整流体35が設けられ
ている。図示例の通風口34は、上記封止部24bの両
長辺側に配設され、封止部24bの挿入口32と連続し
て形成されている。
The base 23 is provided with a ventilation port 34 for passing cooling air as a cooling gas from the sealing portion 24b side of the heating lamp 24 to the lamp body 24a side. Is provided. The ventilation holes 34 in the illustrated example are provided on both long sides of the sealing portion 24b, and are formed continuously with the insertion ports 32 of the sealing portion 24b.

【0032】上記整流体35は、上記加熱ランプ24の
封止部24bから上記通風口34の出口側へ向って末広
がり状に形成され、かつ上記基台23側から上記加熱ラ
ンプ24の封止部24bの側部に圧接された板バネから
なっている。この板バネの材質としては、熱伝導性等に
優れた例えばリン青銅が好ましい。
The rectifying body 35 is formed so as to expand toward the outlet side of the ventilation hole 34 from the sealing portion 24b of the heating lamp 24, and the sealing portion of the heating lamp 24 extends from the base 23 side. It consists of a leaf spring pressed against the side of 24b. As a material of the leaf spring, for example, phosphor bronze which is excellent in thermal conductivity or the like is preferable.

【0033】上記板バネは方形に形成され、その一端が
基台23の上面部に反射体25との間で挟持されるよう
に固定され、他端が通風口34内下方へ湾曲されて封止
部24bの長辺側側面部に面接触で圧接されて、封止部
24bの両側に対称に配設されている。また、上記板バ
ネには、ランプ本体24aの側面よりも外側に位置させ
て通気孔36が穿設されている。上記整流体35によっ
て、封止部24b側からランプ本体24a側へ流れる冷
却エアの流速が1〜3m/s程度に制御されることが好
ましい。
The leaf spring is formed in a rectangular shape, and one end thereof is fixed to the upper surface of the base 23 so as to be sandwiched between the reflector 25 and the other end thereof is bent downward in the ventilation port 34 and sealed. The stop portion 24b is pressed against the long side surface of the stop portion 24b by surface contact, and is symmetrically disposed on both sides of the sealing portion 24b. Further, a vent hole 36 is formed in the leaf spring so as to be located outside the side surface of the lamp body 24a. It is preferable that the flow rate of the cooling air flowing from the sealing portion 24b side to the lamp body 24a side be controlled to about 1 to 3 m / s by the rectifier 35.

【0034】冷却エアが通風口34を通過する際に、先
ず封止部24bの側部を通ってこれを冷却し、次いで整
流体35により径方向外方へ導かれて通気孔36からラ
ンプ本体24aと反射体25との間の空間(環状空間)
37に流れ、ランプ本体24aを冷却するようになって
いる。また、上記整流体35が熱伝導性を有する板バネ
により形成され、冷却構造(水冷構造)の基台23から
封止部24bの側面部に圧設されていることにより、接
触不良を生じることなく封止部24bを熱伝導で確実に
冷却し、冷却効率の向上が図れるように構成されてい
る。
When the cooling air passes through the ventilation port 34, it first cools the cooling air through the side of the sealing portion 24 b, and is then guided radially outward by the rectifier 35 through the ventilation hole 36. Space between annular member 24a and reflector 25 (annular space)
37, and cools the lamp body 24a. Further, since the rectifier 35 is formed of a plate spring having thermal conductivity and is press-fitted from the base 23 of the cooling structure (water-cooled structure) to the side surface of the sealing portion 24b, poor contact occurs. It is configured such that the sealing portion 24b can be reliably cooled by heat conduction and the cooling efficiency can be improved.

【0035】このような冷却構造により上記ランプ本体
24aを、過熱させず、かつハロゲンサイクルを円滑に
継続し得る所定の温度、例えば250〜800℃、好ま
しくは500〜600℃に冷却するようになっている。
また、封止部24bを、導電部29と石英ガラスとの間
に熱膨張差により微少リークを発生させない所定の温
度、例えば350℃以下、好ましくは200〜300℃
に冷却するようになっている。
With such a cooling structure, the lamp body 24a is cooled to a predetermined temperature at which the halogen cycle can be smoothly continued without overheating, for example, 250 to 800 ° C., preferably 500 to 600 ° C. ing.
Further, the sealing portion 24b is formed at a predetermined temperature at which a minute leak does not occur due to a difference in thermal expansion between the conductive portion 29 and the quartz glass, for example, 350 ° C. or less, preferably 200 to 300 ° C.
It is designed to cool down.

【0036】上記整流体35には、封止部24bの温度
管理を行なうために、例えば熱電対からなる温度センサ
38が設けられていることが好ましい。この場合、上記
温度センサ38の温度検出に基づくフィードバック制御
により、例えば上記基台23に供給する冷却水の流量等
を制御し、上記封止部24bの温度管理を行なうように
するとよい。
The rectifier 35 is preferably provided with a temperature sensor 38 composed of, for example, a thermocouple in order to control the temperature of the sealing portion 24b. In this case, the feedback control based on the temperature detection of the temperature sensor 38 may control, for example, the flow rate of the cooling water supplied to the base 23 to manage the temperature of the sealing portion 24b.

【0037】上記基台23は、図1に示すように上記加
熱室22の底部に貫通する状態で軸受39を介して回転
可能に支持された回転体40の上端部に複数の支持腕4
0aを介して周縁部が支持されており、その回転体40
には回転駆動部である電動モータ41がプーリ42a,
42bおよびベルト43を介して連結されている。ま
た、上記回転体40には、電源側の給電端子44から電
力を上記加熱ランプ24のソケット33に給電するため
のスリップリング45が設けられると共に、回転体40
の軸芯部を通って上記基台23の冷媒通路26に冷媒例
えば冷却水を給排するための冷媒給排ヘッダ46が設け
られている。
As shown in FIG. 1, the base 23 has a plurality of support arms 4 at the upper end of a rotating body 40 rotatably supported via bearings 39 so as to penetrate the bottom of the heating chamber 22.
0a, the periphery of which is supported by the rotating body 40a.
Is provided with an electric motor 41 as a rotation drive unit, a pulley 42a,
42b and the belt 43. The rotating body 40 is provided with a slip ring 45 for supplying power from the power supply terminal 44 on the power supply side to the socket 33 of the heating lamp 24.
A coolant supply / discharge header 46 for supplying / discharging a coolant, for example, cooling water, to / from the coolant passage 26 of the base 23 through the shaft core portion is provided.

【0038】次に、以上のように構成されたランプ加熱
型熱処理装置の作用について述べる。先ず、給電端子4
4からスリップリング45を介して加熱部12の加熱ラ
ンプ24に給電し、加熱ランプ24を点灯させると共
に、電動モータ41の駆動で加熱部12を回転させる。
また、冷媒給排ヘッダ46から冷媒である例えば冷却水
を上記加熱部12の基台23の冷媒通路26に供給循環
させて基台23および反射体25を冷却すると共に、加
熱室22内に給気口27から冷却気体である例えば冷却
エアを供給して加熱部12を後述するように冷却(空
冷)する。
Next, the operation of the lamp heating type heat treatment apparatus configured as described above will be described. First, the power supply terminal 4
4 supplies power to the heating lamp 24 of the heating unit 12 via the slip ring 45 to turn on the heating lamp 24 and to rotate the heating unit 12 by driving the electric motor 41.
In addition, for example, coolant, which is a coolant, is supplied and circulated from the coolant supply / discharge header 46 to the coolant passage 26 of the base 23 of the heating unit 12 to cool the base 23 and the reflector 25 and to be supplied into the heating chamber 22. The heating unit 12 is cooled (air cooled) by supplying a cooling gas, for example, cooling air from the air port 27 as described later.

【0039】上記加熱ランプ24の点灯により、光エネ
ルギーが透過窓19およびバッファープレート21を介
してサセプタ11の裏面に照射され、その光エネルギー
を吸収してサセプタ11が昇温し、熱伝導により、サセ
プタ11の上面に載置されたウエハWを所定の処理温度
まで面内均一に加熱する。ウエハWを収容した処理室1
0内は、排気口18からの減圧排気により所定の減圧状
態に維持され、この状態で処理ガス供給口14aからシ
ャワーヘッド15を介して処理ガスを上記加熱状態のウ
エハWの被処理面に供給することにより、ウエハWの被
処理面にはCVD法による成膜処理が面内均一に施され
る。
When the heating lamp 24 is turned on, light energy is applied to the back surface of the susceptor 11 through the transmission window 19 and the buffer plate 21, and the light energy is absorbed to raise the temperature of the susceptor 11. The wafer W placed on the upper surface of the susceptor 11 is uniformly heated to a predetermined processing temperature. Processing chamber 1 containing wafer W
The inside of 0 is maintained at a predetermined reduced pressure state by the reduced pressure exhaust from the exhaust port 18, and in this state, the processing gas is supplied from the processing gas supply port 14a via the shower head 15 to the surface to be processed of the wafer W in the heated state. Thus, the surface to be processed of the wafer W is uniformly subjected to the film forming process by the CVD method.

【0040】上記加熱部12においては、基台23の下
方に供給された冷却エアが基台23に設けられた通風口
34を通って各加熱ランプ24の封止部24b側からラ
ンプ本体24a側へ流れ、封止部24bおよびランプ本
体24aをそれぞれ冷却(空冷)する。この場合、上記
通風口34に設けられた整流体35により冷却エアが整
流されてランプ本体24aと反射体25との間の空間
(環状空間)37に供給されるため、ランプ本体24a
の下面部d等を局部的ないし直接的に直接冷却すること
なくランプ本体24aを均一に冷却することが可能とな
る。なお、冷却エアは、両側の整流体35の通気孔36
を通って上記ランプ本体24aと反射体25との間の空
間37に吹き出されるが、その際に上記空間(環状空
間)37における通気孔36のない領域にも回り込んで
流れるため、ランプ本体24aに冷却むらが生じること
はない。
In the heating section 12, the cooling air supplied below the base 23 passes through a ventilation hole 34 provided in the base 23, and the sealing section 24 b side of each heating lamp 24 to the lamp body 24 a side. To cool (air cooling) the sealing portion 24b and the lamp body 24a, respectively. In this case, the cooling air is rectified by the rectifier 35 provided in the ventilation port 34 and supplied to the space (annular space) 37 between the lamp body 24a and the reflector 25, so that the lamp body 24a
It is possible to cool the lamp body 24a uniformly without directly or directly cooling the lower surface portion d or the like. The cooling air is supplied to the ventilation holes 36 of the rectifiers 35 on both sides.
Is blown into the space 37 between the lamp body 24a and the reflector 25, and at that time, it flows around to the area of the space (annular space) 37 where the ventilation hole 36 is not provided. No cooling unevenness occurs in 24a.

【0041】このように上記ランプ加熱型熱処理装置に
よれば、加熱部12の各加熱ランプ24の封止部24b
およびランプ本体24aをそれぞれ所定の温度に冷却す
るように構成されているため、加熱ランプ24の過熱や
冷却むらに起因する不具合を防止することができ、加熱
ランプ24の耐久性の向上が図れる。特に、複数の加熱
ランプ24および反射体25が配設される基台23に各
加熱ランプ24の封止部24b側からランプ本体24a
側へ冷却エアを通風させる通風口34を設けると共に、
この通風口34に冷却エアを整流する整流体35を設け
ているため、各加熱ランプ24の封止部24bおよびラ
ンプ本体24aをそれぞれ所定の適切な温度に冷却する
ことが可能となる。
As described above, according to the lamp heating type heat treatment apparatus, the sealing portion 24b of each heating lamp 24 of the heating portion 12 is provided.
Further, since the lamp body 24a is configured to be cooled to a predetermined temperature, it is possible to prevent troubles caused by overheating and uneven cooling of the heating lamp 24, and to improve the durability of the heating lamp 24. In particular, a lamp body 24a is placed on a base 23 on which a plurality of heating lamps 24 and a reflector 25 are disposed, from a sealing portion 24b side of each heating lamp 24.
Ventilation holes 34 for venting the cooling air to the side,
Since the rectifier 35 for rectifying the cooling air is provided in the ventilation port 34, the sealing portion 24b and the lamp body 24a of each heating lamp 24 can be cooled to a predetermined appropriate temperature.

【0042】また、上記処理室10には加熱部12を収
容する加熱室22が連設され、この加熱室22には上記
基台23を境としてその裏面側に冷却エアを供給する給
気口27と、反対側から排気する排気口28とが設けら
れているため、上記基台23に設けられた各通風口34
に加熱ランプ24の封止部24b側からランプ本体24
a側へ冷却エアを円滑に通風させることが可能となり、
封止部24bおよびランプ本体24aを効率よく冷却す
ることができる。更に、上記基台23が冷却構造とされ
ると共に、整流体35が加熱ランプ24の封止部24b
から通風口34の出口側へ向って末広がり状に形成さ
れ、かつ基台23側から加熱ランプ24の封止部24b
の側部に圧接された熱伝導性を有する板バネからなって
いるため、接触不良を生じることなく基台23側からの
熱伝導により封止部24bを確実に冷却することが可能
となり、冷却効率の更なる向上が図れる。
A heating chamber 22 for accommodating the heating section 12 is connected to the processing chamber 10, and an air supply port for supplying cooling air to the back side of the heating chamber 22 with the base 23 as a boundary. 27 and an exhaust port 28 for exhausting air from the opposite side, the ventilation holes 34 provided on the base 23 are provided.
From the sealing portion 24b side of the heating lamp 24,
Cooling air can be passed smoothly to the a side,
The sealing portion 24b and the lamp body 24a can be efficiently cooled. Further, the base 23 has a cooling structure, and the rectifier 35 has a sealing portion 24 b of the heating lamp 24.
From the base 23 to the outlet side of the ventilation port 34, and the sealing portion 24b of the heating lamp 24 from the base 23 side.
Is made of a plate spring having thermal conductivity pressed against the side of the sealing member 24b, so that the sealing portion 24b can be reliably cooled by heat conduction from the base 23 side without causing a contact failure. The efficiency can be further improved.

【0043】また、上記整流体35には封止部24bの
温度を管理するための温度センサ38が設けられている
ため、フィードバック制御により例えば上記基台23に
供給する冷却水の流量を制御するなどして、封止部24
bの温度を容易に管理することが可能となり、加熱ラン
プ24の耐久性の更なる向上が図れる。
Further, since the rectifier 35 is provided with a temperature sensor 38 for controlling the temperature of the sealing portion 24b, for example, the flow rate of the cooling water supplied to the base 23 is controlled by feedback control. The sealing part 24
The temperature b can be easily managed, and the durability of the heating lamp 24 can be further improved.

【0044】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、整流体35には、図
6に示すように通気孔36の近傍に整流効果を上げるた
めのガイド47を設けてもよい。また、整流体35に
は、図7に示すようにランプ本体24aの下面部dに局
部的冷却を生じさせることなく微少な冷却エアを供給す
る補助通気口36aを設けてもよく、この場合、図8に
示すようにランプ本体24aに下面部dをカバーするよ
うに例えば石英製のフィン48を設けてもよい。
The embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above embodiments, and various design changes and the like can be made without departing from the gist of the present invention. Is possible. For example, as shown in FIG. 6, a guide 47 for improving the rectification effect may be provided near the ventilation hole 36 in the rectifier 35. In addition, as shown in FIG. 7, the flow regulating body 35 may be provided with an auxiliary ventilation port 36a for supplying minute cooling air without causing local cooling on the lower surface d of the lamp body 24a. As shown in FIG. 8, a fin 48 made of, for example, quartz may be provided on the lamp body 24a so as to cover the lower surface portion d.

【0045】基板23に設けられる通風口34は加熱ラ
ンプ24の封止部24bの周囲に連続的もしくは間欠的
に設けられていてもよく、整流体35も周方向に連続し
たベルマウス状に形成されていてもよい。冷却気体とし
ては、冷却エア以外に不活性ガス例えば窒素ガス等であ
ってもよい。本発明が適用されるランプ加熱型熱処理装
置としては、CVD処理以外に例えば酸化、拡散、アニ
ール等の処理を行なうものであってもよい。また、ラン
プ加熱型熱処理装置としては、サセプタを介さずに半導
体ウエハを加熱ランプの光エネルギーにより直接加熱す
るものであってもよい。被処理体としては、半導体ウエ
ハ以外に例えばLCD基板等も適用可能である。
The ventilation port 34 provided on the substrate 23 may be provided continuously or intermittently around the sealing portion 24b of the heating lamp 24, and the rectifier 35 is also formed in a bell mouth shape continuous in the circumferential direction. It may be. The cooling gas may be an inert gas, such as nitrogen gas, in addition to the cooling air. The lamp heating type heat treatment apparatus to which the present invention is applied may be one which performs, for example, oxidation, diffusion, annealing or the like in addition to the CVD processing. Further, the lamp heating type heat treatment apparatus may be one which directly heats a semiconductor wafer by light energy of a heating lamp without passing through a susceptor. As the object to be processed, for example, an LCD substrate or the like can be applied other than the semiconductor wafer.

【0046】[0046]

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。
In summary, according to the present invention, the following excellent effects can be obtained.

【0047】(1)請求項1に係る発明によれば、ラン
プ加熱型熱処理装置における加熱部の各加熱ランプの封
止部およびランプ本体をそれぞれ所定の温度に冷却する
ように構成されているため、加熱ランプの過熱や冷却む
らに起因する不具合を防止することができ、加熱ランプ
の耐久性の向上が図れる。
(1) According to the first aspect of the present invention, since the sealing portion of each heating lamp and the lamp body of the heating section in the lamp heating type heat treatment apparatus are configured to be cooled to predetermined temperatures, respectively. In addition, it is possible to prevent problems caused by overheating and uneven cooling of the heating lamp, and to improve the durability of the heating lamp.

【0048】(2)請求項2に係る発明によれば、複数
の加熱ランプおよび反射体が配設される基台に各加熱ラ
ンプの封止部側からランプ本体側へ冷却気体を通風させ
る通風口を設けると共に、この通風口に冷却気体を整流
する整流体を設けたので、各加熱ランプの封止部および
ランプ本体をそれぞれ所定の適切な温度に冷却すること
が可能となり、加熱ランプの耐久性の向上が図れる。
(2) According to the second aspect of the present invention, ventilation through which a cooling gas is passed from the sealing portion side of each heating lamp to the lamp body side to the base on which the plurality of heating lamps and the reflector are disposed. In addition to the opening, a rectifier for rectifying the cooling gas is provided at the ventilation opening, so that the sealing portion of each heating lamp and the lamp body can be cooled to a predetermined appropriate temperature, respectively. Performance can be improved.

【0049】(3)請求項3に係る発明によれば、処理
室には加熱部を収容する加熱室が連設され、この加熱室
には上記基台を境としてその裏面側に冷却気体を供給す
る給気口と、反対側から排気する排気口とが設けられて
いるため、上記基台に設けられた各通風口に加熱ランプ
の封止部側からランプ本体側へ冷却気体を円滑に通風さ
せることができ、封止部およびランプ本体を効率よく冷
却することができる。
(3) According to the third aspect of the present invention, the processing chamber is provided with a heating chamber for accommodating a heating unit, and the heating chamber is provided with a cooling gas on the back side of the base with the base as a boundary. Since the supply air supply port and the exhaust port for exhausting air from the opposite side are provided, the cooling gas smoothly flows from the sealing portion side of the heating lamp to the lamp body side at each ventilation port provided on the base. The ventilation can be performed, and the sealing portion and the lamp body can be efficiently cooled.

【0050】(4)請求項4に係る発明によれば、基台
が冷却構造とされると共に、整流体が加熱ランプの封止
部から通風口の出口側へ向って末広がり状に形成され、
かつ基台側から加熱ランプの封止部の側部に圧接された
熱伝導性を有する板バネからなっているため、接触不良
を生じることなく基台側からの熱伝導により封止部を確
実に冷却することが可能となり、冷却効率の向上が図れ
る。
(4) According to the fourth aspect of the present invention, the base has a cooling structure, and the rectifying body is formed so as to expand from the sealing portion of the heating lamp toward the outlet side of the ventilation port.
In addition, since it is made of a thermally conductive leaf spring pressed against the side of the sealing portion of the heating lamp from the base side, the sealing portion can be securely secured by heat conduction from the base side without causing contact failure. The cooling efficiency can be improved, and the cooling efficiency can be improved.

【0051】(5)請求項5に係る発明によれば、整流
体には封止部の温度を管理するための温度センサが設け
られているため、封止部の温度を容易に管理することが
可能となり、加熱ランプの耐久性の更なる向上が図れ
る。
(5) According to the fifth aspect of the present invention, since the rectifier is provided with the temperature sensor for controlling the temperature of the sealing portion, the temperature of the sealing portion can be easily controlled. And the durability of the heating lamp can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態を示すランプ加熱型熱処理
装置の断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a lamp heating type heat treatment apparatus showing an embodiment of the present invention.

【図2】図1の装置を備えたマルチチャンバ型処理装置
を示す概略的平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view showing a multi-chamber type processing apparatus provided with the apparatus of FIG.

【図3】図1の装置における加熱部の要部拡大断面図で
ある。
FIG. 3 is an enlarged sectional view of a main part of a heating unit in the apparatus of FIG.

【図4】整流体の構成を示す概略的平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view showing the configuration of a rectifier.

【図5】加熱ランプの側面図である。FIG. 5 is a side view of a heating lamp.

【図6】加熱部の他の例を示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing another example of the heating unit.

【図7】加熱部の他の例を示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating another example of the heating unit.

【図8】加熱部の他の例を示す断面図である。FIG. 8 is a sectional view showing another example of the heating unit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W 半導体ウエハ(被処理体) 10 処理室 11 サセプタ 12 加熱部 19 透過窓 22 加熱室 23 基台 24 加熱ランプ 24a ランプ本体 24b 封止部 25 反射体 27 給気口 28 排気口 34 通風口 35 整流体 38 温度センサ W Semiconductor wafer (object to be processed) 10 Processing chamber 11 Susceptor 12 Heating section 19 Transmission window 22 Heating chamber 23 Base 24 Heating lamp 24a Lamp body 24b Sealing section 25 Reflector 27 Air supply port 28 Exhaust port 34 Ventilation port 35 Adjustment Fluid 38 Temperature sensor

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理室に透過窓を介して複数の加熱ラン
プを有する加熱部を設け、この加熱部により上記処理室
内の被処理体を加熱するランプ加熱型熱処理装置におい
て、上記加熱部における各加熱ランプの封止部およびラ
ンプ本体をそれぞれ所定の温度に冷却するように構成し
たことを特徴とするランプ加熱型熱処理装置。
In a lamp heating type heat treatment apparatus for providing a heating unit having a plurality of heating lamps through a transmission window in a processing chamber and for heating an object to be processed in the processing chamber by the heating unit, A lamp heating type heat treatment apparatus, wherein a sealing portion of a heating lamp and a lamp body are each cooled to a predetermined temperature.
【請求項2】 処理室に透過窓を介して基台に複数の加
熱ランプおよび反射体を配設してなる加熱部を設け、こ
の加熱部により上記処理室内の被処理体を加熱するラン
プ加熱型熱処理装置において、上記加熱部の基台に各加
熱ランプの封止部側からランプ本体側へ冷却気体を通風
させる通風口を設けると共に、この通風口に冷却気体を
整流する整流体を設けたことを特徴とするランプ加熱型
熱処理装置。
2. A heating unit having a plurality of heating lamps and a reflector disposed on a base through a transmission window in a processing chamber, and the heating unit heats an object to be processed in the processing chamber by the heating unit. In the mold heat treatment apparatus, the base of the heating unit is provided with a ventilation port through which the cooling gas flows from the sealing portion side of each heating lamp to the lamp body side, and a rectifying body that rectifies the cooling gas is provided in the ventilation port. A lamp heating type heat treatment apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項3】 上記処理室には上記加熱部を収容する加
熱室が連設され、この加熱室には上記加熱部の基台を境
としてその裏面側へ冷却気体を供給する給気口と、反対
側から排気する排気口とが設けられていることを特徴と
する請求項2に記載のランプ加熱型熱処理装置。
3. A heating chamber accommodating the heating section is connected to the processing chamber, and an air supply port for supplying a cooling gas to a back side of the heating chamber with a base of the heating section as a boundary. 3. The lamp heating type heat treatment apparatus according to claim 2, further comprising an exhaust port for exhausting air from an opposite side.
【請求項4】 上記基台が冷却構造とされると共に、上
記整流体が上記加熱ランプの封止部から上記通風口の出
口側へ向って末広がり状に形成され、かつ上記基台側か
ら上記加熱ランプの封止部の側部に圧接された熱伝導性
を有する板バネからなることを特徴とする請求項2に記
載のランプ加熱型熱処理装置。
4. The base has a cooling structure, and the rectifier is formed so as to expand from a sealing portion of the heating lamp toward an outlet side of the ventilation port, and the rectifier is formed from the base side. 3. The lamp heating type heat treatment apparatus according to claim 2, comprising a leaf spring having thermal conductivity pressed against a side of the sealing portion of the heating lamp.
【請求項5】 上記整流体には、上記封止部の温度を管
理するための温度センサが設けられていることを特徴と
する請求項2に記載のランプ加熱型熱処理装置。
5. The lamp heating type heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the rectifier is provided with a temperature sensor for controlling the temperature of the sealing portion.
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