JP2002270446A - Multilayer block and its producing method, electromagnetic actuator, stage unit and aligner comprising it, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Multilayer block and its producing method, electromagnetic actuator, stage unit and aligner comprising it, and method for manufacturing semiconductor device

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JP2002270446A
JP2002270446A JP2001061867A JP2001061867A JP2002270446A JP 2002270446 A JP2002270446 A JP 2002270446A JP 2001061867 A JP2001061867 A JP 2001061867A JP 2001061867 A JP2001061867 A JP 2001061867A JP 2002270446 A JP2002270446 A JP 2002270446A
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laminated
stage
laminated block
manufacturing
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Noriyuki Irie
則行 入江
Toshihide Kikuchi
俊秀 菊池
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Nikon Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer block comprising a large number of thin magnetic sheets laid in layers in which the thin film is not stripped even if the multilayer block is polished obliquely to the layer direction and screws are prevented from loosening when the multilayer block is fixed to other apparatus. SOLUTION: The electromagnetic actuator 100 comprises an I core 20 and an E core 30. The multilayer block 22 employed in the I type core 20 comprises a plurality of thin magnetic sheets 21 laid in layers. The thin magnetic sheet 21 at one end of the multilayer block 22 is provided with a block fixing part 23 comprising a nonmagnetic body also serving as a securing part at the time of polishing. The multilayer plane 22A of the multilayer block 22 has an arcuate cross-section perpendicular to the layer direction. In the I core 20 employing the multilayer block 22, distance to the E core 30 is kept constant even if the I core 20 tilts against the E core 30.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、積層ブロック及び
その製造方法、電磁アクチュエータ、これを用いたステ
ージ装置及び露光装置、並びに半導体デバイスの製造方
法に関し、特に珪素鋼板等の磁性薄板が多数積層されて
構成された積層ブロック等に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laminated block and a method of manufacturing the same, an electromagnetic actuator, a stage device and an exposure apparatus using the same, and a method of manufacturing a semiconductor device. The present invention relates to a laminated block and the like configured as described above.

【0002】[0002]

【従来の技術】珪素鋼板、ニッケル鋼板等の磁性薄板を
多数積層接着された積層ブロックとしては、例えば、変
圧器に用いらるE型コア、I型コアが知られているが、
本発明者等は、E型の積層ブロック(E型コア)、I型
の積層ブロック(I型コア)を用いた電磁アクチュエー
タ1を発明した(図12)。
2. Description of the Related Art For example, E-type cores and I-type cores used for transformers are known as laminated blocks in which a number of magnetic thin plates such as silicon steel plates and nickel steel plates are laminated and bonded.
The present inventors have invented an electromagnetic actuator 1 using an E-type laminated block (E-type core) and an I-type laminated block (I-type core) (FIG. 12).

【0003】この電磁アクチュエータ1は、コイル4が
巻き付けられたE型コア3とI型コア2とを対向させ、
E型コア3に巻かれたコイル4に流れる電流を制御する
ことで、I型コア2とE型コア3との間に所望の吸引力
を発生させて、I型コア2とE型コア3との相対的な距
離を制御するものである。この電磁アクチュエータ1で
は、吸引力が、I型コア2の積層面とE型コア3の積層
面(図には表れていない)との相対的な距離の2乗に反
比例するため、これら互いに対向する積層面を高い平面
度(例えば、5μm以下)で表面加工しなければならな
い。
In this electromagnetic actuator 1, an E-type core 3 around which a coil 4 is wound and an I-type core 2 are opposed to each other.
By controlling the current flowing through the coil 4 wound around the E-type core 3, a desired attractive force is generated between the I-type core 2 and the E-type core 3, and the I-type core 2 and the E-type core 3 Is to control the relative distance from. In the electromagnetic actuator 1, the attractive force is inversely proportional to the square of the relative distance between the lamination surface of the I-type core 2 and the lamination surface of the E-type core 3 (not shown). The surface to be laminated must be processed with high flatness (for example, 5 μm or less).

【0004】特に、I型コア2の積層面2Aの表面加工
(研削加工)は、図13に示すように、I型コア2の両
側に治具6を当て、これを研削台5に固定して行われ
る。表面が研削加工されたI型コア2は、層方向の端部
に形成されたネジ止用切欠2c,…にネジが挿着されて
他の装置(例えば、ステージ装置)に取り付けられる。
In particular, in the surface processing (grinding) of the lamination surface 2A of the I-shaped core 2, jigs 6 are applied to both sides of the I-shaped core 2 as shown in FIG. Done. The I-shaped core 2 whose surface has been ground is attached to another device (for example, a stage device) by inserting screws into screw notches 2c,... Formed at the ends in the layer direction.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、I型コア2
の積層面2Aの研削加工は、砥石(図示省略)と治具6
との干渉を避けるために、図14に示すように、治具6
の上面を積層面2Aより低い位置にセットし、この状態
で砥石を積層面2Aに押し当ててその層方向(X方向)
の研削(研磨)が行われる。
The I-type core 2
Grinding of the laminated surface 2A is performed by using a grindstone (not shown) and a jig 6.
In order to avoid interference with the jig, as shown in FIG.
Is set at a position lower than the laminating surface 2A, and in this state, the grindstone is pressed against the laminating surface 2A and its layer direction (X direction)
Grinding (polishing) is performed.

【0006】このように層方向に沿って研削を行うの
は、層方向に垂直の方向(Y方向)や斜め方向に研削を
行った場合、砥石との研削抵抗により、図14に示すよ
うにI型コア2を構成する磁性薄板2bのうち治具6に
近い磁性薄板2bが剥がれやすくなるからである。この
ようにI型コア2の研削方向は、その層方向に限られ、
表面加工作業の自由度が低くなる。
[0006] As described above, the grinding in the layer direction is performed in the direction perpendicular to the layer direction (Y direction) or in the oblique direction, as shown in FIG. This is because the magnetic thin plate 2b close to the jig 6 among the magnetic thin plates 2b constituting the I-shaped core 2 is easily peeled off. Thus, the grinding direction of the I-shaped core 2 is limited to the layer direction,
The degree of freedom in surface processing work is reduced.

【0007】又、I型コア2に設けられたネジ止用切欠
2cは、薄い磁性薄板2bの端部に形成されるため、締
め付けにより潰れやすい。このため、I型コア2を他の
装置にネジ止めする際には締め付けのトルクを弱めなけ
ればならず、ネジ緩みの一因となっていた。本発明は、
かかる事情に鑑みてなされたもので、層方向に対して垂
直方向や斜め方向に沿って研削加工を行っても磁性薄板
の剥離を引き起こすことなく、しかも、他の装置への取
付時のネジ緩みを生じ難くした積層ブロック及びその製
造方法を提供することを目的とする。
[0007] Further, since the screw notch 2c provided in the I-shaped core 2 is formed at the end of the thin magnetic thin plate 2b, it is easily collapsed by tightening. For this reason, when the I-shaped core 2 is screwed to another device, the tightening torque must be reduced, which has been a factor of loosening of the screw. The present invention
In view of such circumstances, even if grinding processing is performed in a direction perpendicular or oblique to the layer direction, the magnetic thin plate does not peel off, and the screws are loose when mounting to another device. And a method for manufacturing the same.

【0008】又、本発明の他の目的は、この積層ブロッ
クを用いた位置制御の精度の高い電磁アクチュエータ、
及びこれを用いたステージ装置等を提供することであ
る。
Another object of the present invention is to provide a highly accurate electromagnetic actuator for position control using the laminated block.
And a stage device and the like using the same.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の積層ブロックは、複数の磁性薄板が積層
接着され、表面加工時の固定部を兼ねる非磁性体からな
るブロック取付部を、少なくとも、前記積層ブロックの
一端の磁性薄板と接合するように設けたものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a laminated block in which a plurality of magnetic thin plates are laminated and bonded, and a block mounting portion made of a non-magnetic material also serving as a fixing portion during surface processing. , At least so as to be joined to a magnetic thin plate at one end of the laminated block.

【0010】又、請求項2の積層ブロックは、少なくと
も1つの積層面が、その層方向に垂直の断面形状がアー
チ状に湾曲されたものである。又、請求項3の積層ブロ
ックは、複数の磁性薄板が積層された積層ブロックと、
前記積層ブロックの少なくとも一端の磁性薄板に接合さ
れた非磁性体とからなるブロック取付部と、を備え、前
記積層ブロックの少なくとも1つの積層面は、その層方
向と略直交する断面の形状が所定のアーチ状に湾曲され
るように形成され、前記ブロック取付部は、前記積層ブ
ロックの前記断面の方向と略同一方向における断面の形
状の少なくとも一部が、前記所定のアーチ状に湾曲され
ているものである。
According to a second aspect of the present invention, at least one laminating surface has an arc-shaped cross section perpendicular to the layer direction. Further, the laminated block according to claim 3 is a laminated block in which a plurality of magnetic thin plates are laminated,
A block mounting portion made of a non-magnetic material joined to a magnetic thin plate at at least one end of the laminated block, wherein at least one laminated surface of the laminated block has a predetermined cross-sectional shape substantially orthogonal to a layer direction thereof. The block mounting portion is formed such that at least a part of a cross-sectional shape of the laminated block in a direction substantially the same as the cross-sectional direction of the laminated block is curved in the predetermined arch shape. Things.

【0011】又、請求項4の積層ブロックの製造方法
は、磁性薄板を積層接着させて積層ブロックを形成する
第1のステップと、少なくとも、前記積層ブロックの一
端の磁性薄板に、非磁性体のブロック取付部を接合する
第2のステップと、前記ブロック取付部を用いて、前記
積層ブロックを研削装置に固定する第3のステップと、
前記積層ブロックの少なくとも1つの積層面を研削する
第4のステップとを含んだものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a laminated block, comprising: a first step of forming a laminated block by laminating and adhering magnetic thin plates; A second step of joining a block attaching portion, and a third step of fixing the laminated block to a grinding device using the block attaching portion;
Grinding the at least one lamination surface of the lamination block.

【0012】又、請求項5の積層ブロックの製造方法
は、請求項4に記載の積層ブロックの製造方法の前記第
4のステップで、前記積層面を、層方向に垂直な断面形
状がアーチ状となるように研削するものである。又、請
求項6の積層ブロックの製造方法は、請求項4又は請求
項5に記載の積層ブロックの製造方法の前記第4のステ
ップで、前記少なくとも1つの積層面と前記ブロック取
付部とを同時に研削するものである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a laminated block manufacturing method according to the fourth aspect, wherein the laminating surface is formed in an arch-like cross section perpendicular to the layer direction in the fourth step. The grinding is performed so that According to a sixth aspect of the present invention, in the fourth step of the method of manufacturing a laminated block according to the fourth or fifth aspect, the at least one laminated surface and the block mounting portion are simultaneously formed. It is to grind.

【0013】又、請求項7の電磁アクチュエータは、請
求項1、2、3の何れか1項に記載の積層ブロックと、
コイルが懸架されて磁界を発生させる積層ブロックとを
有するものである。又、請求項8のステージ装置は、請
求項7に記載の電磁アクチュエータが、ステージ部の駆
動手段として用いられているものである。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an electromagnetic actuator comprising: the laminated block according to any one of the first to third aspects;
And a laminated block in which a coil is suspended to generate a magnetic field. According to an eighth aspect of the present invention, there is provided the stage device, wherein the electromagnetic actuator according to the seventh aspect is used as a driving unit of the stage unit.

【0014】又、請求項9の露光装置は、露光用光学系
を用いて基板上に所定のパターンを形成する露光装置で
あって、請求項8に記載のステージ装置を備えているも
のである。又、請求項10の半導体デバイスの製造方法
は、所定のパターンが形成されたデバイスを製造するに
当たり、請求項9に記載の露光装置を用いて、レチクル
の回路パターンを感光剤が塗布されたウェハに転写する
工程を有するものである。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided an exposure apparatus for forming a predetermined pattern on a substrate by using an optical system for exposure, comprising the stage device according to the eighth aspect. . According to a tenth aspect of the present invention, in manufacturing a device having a predetermined pattern formed thereon, a wafer having a reticle circuit pattern coated with a photosensitive agent using the exposure apparatus according to the ninth aspect. Transfer step to

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】(第1の実施の形態)以下、本発
明の第1の実施の形態について、図1から図6を用いて
説明する。図1は、電磁アクチュエータ100(図4)
に用いられるI型コア20の斜視図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 shows an electromagnetic actuator 100 (FIG. 4).
FIG. 2 is a perspective view of an I-shaped core 20 used for the first embodiment.

【0016】この図に示すように、I型コア20は、磁
性薄板21,…が積層された積層ブロック22と、該積
層ブロック22の両端の磁性薄板21と接合するブロッ
ク取付部23,23とによって構成されている。ここで
磁性薄板21は、例えば、珪素磁性薄板、ニッケル磁性
薄板(例えば、パーマロイ(商品名))等がプレス型抜
きされたものである。
As shown in FIG. 1, the I-shaped core 20 includes a laminated block 22 on which magnetic thin plates 21 are laminated, and block mounting portions 23, 23 joined to the magnetic thin plates 21 at both ends of the laminated block 22. It is constituted by. Here, the magnetic thin plate 21 is, for example, a silicon magnetic thin plate, a nickel magnetic thin plate (for example, Permalloy (trade name)) or the like, which is press-cut.

【0017】又、この実施の形態では、磁性薄板21の
板厚は0.2mmで、100枚程度積層されている。
尚、磁性薄板21として珪素鋼板が用いられる場合に
は、錆止め、表面保護のため、各磁性薄板21毎に樹脂
(アクリル等)が焼き付け塗装されている。表面保護
は、I型コア20が電磁アクチュエータ100に用いら
れた場合、動作初期(イニシャライズ時)にI型コア2
0とE型コア30とが一時的に当接されるからである。
In this embodiment, the thickness of the magnetic thin plate 21 is 0.2 mm, and about 100 sheets are laminated.
When a silicon steel plate is used as the magnetic thin plate 21, a resin (such as acrylic) is applied to each magnetic thin plate 21 by baking to prevent rust and protect the surface. When the I-type core 20 is used for the electromagnetic actuator 100, the surface protection is performed at the initial stage of operation (at the time of initialization).
This is because the 0 and the E-shaped core 30 are temporarily in contact with each other.

【0018】又、多数の磁性薄板21が積層接着された
積層ブロック22では、1つの積層面22Aが層方向に
垂直の断面がアーチ状に湾曲されている。この積層ブロ
ック22によって構成されたI型コア20は、電磁アク
チュエータ100(図4)に用いられる。電磁アクチュ
エータ100では、このI型コア20側の積層面22A
と、E型コア30の積層面30Aとの間隔が、最大約3
00μmで、相対的な可動範囲が200μm程度であ
る。
In the laminated block 22 in which a number of magnetic thin plates 21 are laminated and bonded, one laminating surface 22A has a cross section perpendicular to the layer direction curved in an arch shape. The I-shaped core 20 constituted by the laminated block 22 is used for the electromagnetic actuator 100 (FIG. 4). In the electromagnetic actuator 100, the lamination surface 22A on the I-type core 20 side
And the interval between the laminated surface 30A of the E-shaped core 30 and the
The relative movable range is about 200 μm.

【0019】この積層ブロック22のアーチ状に湾曲さ
れた積層面22Aは、表面加工(研削加工)によってそ
の円筒度が5μmに仕上げられている。一方、E型コア
30の積層面30Aは平面度が5μmに仕上げられてい
る。
The arched curved surface 22A of the laminated block 22 is finished to a cylindricity of 5 μm by surface processing (grinding). On the other hand, the lamination surface 30A of the E-shaped core 30 is finished to have a flatness of 5 μm.

【0020】積層ブロック22の両側端に設けられたブ
ロック取付部23,23は、ステンレス鋼等の非磁性体
によって構成され、樹脂製の接着剤等によって固定され
ている。非磁性体で構成されたブロック取付部23,2
3は、積層ブロック22がI型コア20として用いられ
た場合に、コイル40が巻き付けられたE型コア30か
らの磁界の影響を受けない。尚、ブロック取付部23,
23は、磁性薄板21と研削速度が略一致する硬さとな
っている。
The block mounting portions 23 provided on both side ends of the laminated block 22 are made of a non-magnetic material such as stainless steel, and are fixed by a resin adhesive or the like. Block mounting portions 23, 2 made of non-magnetic material
3 is not affected by the magnetic field from the E-shaped core 30 around which the coil 40 is wound when the laminated block 22 is used as the I-shaped core 20. In addition, the block mounting part 23,
Reference numeral 23 denotes a hardness at which the grinding speed substantially matches that of the magnetic thin plate 21.

【0021】又、ブロック取付部23,23には、ネジ
穴23a,…が穴加工により設けられている。このネジ
穴23a,…は、I型コア20を他の装置(例えば、図
5に示すウェハテーブル604)に固定するために用い
られる。又、このブロック取付部23は、以下に説明す
るように、積層ブロック22を研削装置(研削台50)
に固定するためにも用いられる。
The block mounting portions 23 are provided with screw holes 23a by drilling. The screw holes 23a are used for fixing the I-shaped core 20 to another device (for example, the wafer table 604 shown in FIG. 5). In addition, as described below, the block mounting portion 23 is used to connect the laminated block 22 to a grinding device (grinding table 50).
Also used for fixing to.

【0022】ここで、積層ブロック22の製造方法につ
いて説明する。積層面22Aがアーチ状に湾曲された積
層ブロック22を製造するに当たっては、先ず、プレス
加工された長方形の磁性薄板21が積層接着されて、直
方体の積層ブロック22が形成される(図2(a))。
この時点では、積層面22Aは平坦である。この直方体
の積層ブロック22の両端(両端の磁性薄板21)に、
ブロック取付部23,23が樹脂製の接着剤等を用いて
接合される。
Here, a method of manufacturing the laminated block 22 will be described. In manufacturing the laminated block 22 in which the laminated surface 22A is curved in an arch shape, first, a pressed rectangular magnetic thin plate 21 is laminated and bonded to form a rectangular parallelepiped laminated block 22 (FIG. 2A )).
At this point, the lamination surface 22A is flat. At both ends (magnetic thin plates 21 at both ends) of this rectangular parallelepiped laminated block 22,
The block mounting portions 23 are joined using a resin adhesive or the like.

【0023】そして、ブロック取付部23のネジ穴23
a,…と研削台50側のネジ穴51,…との位置が合わ
され、ネジ61,…によって、積層ブロック22が研削
台50に固定さる(図2(b))。研削台50に固定さ
れた積層ブロック22の積層面22Aは、砥石55によ
って研削される。この研削は、図3に示すように積層面
22Aが、アーチ状に湾曲するように、層方向に対して
垂直方向(Y方向)や斜め方向に研削される。この研削
によって、アーチ状の積層面22Aは、所定の円筒度
(5μm)となる。
The screw holes 23 of the block mounting portion 23
are aligned with the screw holes 51 on the grinding table 50 side, and the laminated blocks 22 are fixed to the grinding table 50 by the screws 61,... (FIG. 2B). The lamination surface 22A of the lamination block 22 fixed to the grinding table 50 is ground by a grindstone 55. This grinding is performed in a direction perpendicular to the layer direction (Y direction) or in an oblique direction so that the laminated surface 22A is curved in an arch shape as shown in FIG. By this grinding, the arched laminated surface 22A has a predetermined cylindricity (5 μm).

【0024】この場合、上記のようにブロック取付部2
3の硬さは、積層ブロック22を構成する磁性薄板21
と、研削速度が略一定となる硬さなので、積層ブロック
22とブロック取付部23とを同時に研削でき、両者の
間に干渉を防ぐための段差(高低差)を設ける必要がな
い。このように本発明による積層ブロックの製造方法に
よれば、積層ブロックとブロック取付部とを一括して研
削するので、製造後は積層ブロックとブロック取付部
(の一部)の各断面が所定の円筒度で以てアーチ状に湾曲
されている連続した面に形成される。
In this case, as described above, the block mounting portion 2
The hardness of the magnetic thin plate 21 constituting the laminated block 22
Since the hardness is such that the grinding speed is substantially constant, the laminated block 22 and the block mounting portion 23 can be ground at the same time, and there is no need to provide a step (height difference) between them to prevent interference. As described above, according to the method for manufacturing a laminated block according to the present invention, since the laminated block and the block mounting portion are ground at once, the laminated block and the block mounting portion are manufactured after the production.
Each cross section of (part of) is formed into a continuous surface that is curved in an arch shape with a predetermined cylindricity.

【0025】このように積層面22Aが研削された積層
ブロック22はI型コア20として用いられ、図4に示
すように、コイル40が巻き付けられたE型コア30と
対向されて電磁アクチュエータ100を構成する。積層
ブロック22がI型コア20として用いられた電磁アク
チュエータ100は、図5、図6に示すように、I型コ
ア20のブロック取付部23のネジ穴23aにネジが螺
着されて、ウェハテーブル604側に固定される。
The laminated block 22 having the laminated surface 22A ground as described above is used as an I-type core 20, and as shown in FIG. 4, the electromagnetic actuator 100 is opposed to the E-type core 30 around which the coil 40 is wound. Constitute. As shown in FIGS. 5 and 6, the electromagnetic actuator 100 in which the laminated block 22 is used as the I-type core 20 has a screw screwed into a screw hole 23 a of the block mounting portion 23 of the I-type core 20, and It is fixed to the 604 side.

【0026】又、E型コア30,30も、取付部分に形
成されたネジ穴(図示省略)にネジ(図示省略)が螺着
されて、Yステージ600Y側に固定される。電磁アク
チュエータ100のI型コア20とE型コア30が各々
配置されたウェハテーブル604とYステージ600Y
は、図6(a)、(b)に示すように、Yステージ60
0Yに対してウェハテーブル604がチルトした場合で
あっても、I型コア20側の積層面22Aの断面がアー
チ状に湾曲されているため、相対的な傾きに関わらず、
I型コア20側の積層面22AとE型コア30の積層面
30Aとの距離が略一定に保たれる。
The E-shaped cores 30, 30 are also fixed to the Y stage 600Y by screwing screws (not shown) into screw holes (not shown) formed in the mounting portions. A wafer table 604 on which the I-type core 20 and the E-type core 30 of the electromagnetic actuator 100 are respectively arranged and the Y stage 600Y
As shown in FIGS. 6A and 6B, the Y stage 60
Even when the wafer table 604 is tilted with respect to 0Y, since the cross section of the lamination surface 22A on the I-type core 20 side is curved in an arch shape, regardless of the relative inclination,
The distance between the laminated surface 22A of the I-shaped core 20 and the laminated surface 30A of the E-shaped core 30 is kept substantially constant.

【0027】特に、I型コア20側の積層面22Aの円
筒度、E型コア30の積層面30Aの平面度が共に高い
ので(5μm)、ウェハテーブル604側のI型コア2
0と、Yステージ600Y側のE型コア30との距離
が、その積層面22Aと積層面30Aの全面亘って、略
一定に保持される。
In particular, since both the cylindricity of the lamination surface 22A on the I-type core 20 side and the flatness of the lamination surface 30A of the E-type core 30 are high (5 μm), the I-type core 2 on the wafer table 604 side is high.
The distance between 0 and the E-shaped core 30 on the Y stage 600Y side is maintained substantially constant over the entire surface of the lamination surface 22A and the lamination surface 30A.

【0028】これにより電磁アクチュエータ100の位
置制御の精度が向上し、コイル40への通電を制御する
ことで精度の高いステージ制御(ウェハテーブル604
のシフト方向(Z)の移動制御)が可能になる。尚、上
記した実施の形態では、ブロック取付部23,23を積
層ブロック22の両側端に設ける例をあげて説明した
が、図7(a)、(b)に示すように、升型のブロック
取付部70、ロ字型のブロック取付部80を用いて、表
面加工時の固定部として用いてもよい。
As a result, the accuracy of the position control of the electromagnetic actuator 100 is improved, and by controlling the energization of the coil 40, a highly accurate stage control (wafer table 604) is performed.
In the shift direction (Z). In the above-described embodiment, an example has been described in which the block mounting portions 23 are provided on both side ends of the laminated block 22. However, as shown in FIGS. The mounting part 70 and the square block mounting part 80 may be used as a fixing part at the time of surface processing.

【0029】又、本実施の形態では、表面が平坦な積層
ブロックに対して、その層方向に垂直な方向に沿った精
度の高い研削加工を施して、その積層面を高い円筒度で
アーチ状に湾曲させているが、この精度の高い研削加工
を施す前に、粗い研削加工等によって予め積層面をアー
チ状に形成しておき、その後、精度の高い研削加工によ
って高い円筒度を実現してもよい。
Further, in this embodiment, the laminated block having a flat surface is subjected to high-precision grinding along a direction perpendicular to the layer direction, so that the laminated surface is arched with high cylindricity. Before applying this high-precision grinding, the lamination surface is previously formed in an arch shape by rough grinding, etc., and then high cylindricity is realized by high-precision grinding Is also good.

【0030】(第2の実施の形態)次に、本発明の第2
の実施の形態について、図8を用いて説明する。この第
2の実施の形態は、半導体の製造に用いられるステージ
装置600のYステージ600Yと、ウェハテーブル6
04との間に、上記した第1の実施の形態の電磁アクチ
ュエータ100が配置されたものである。
(Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described.
The embodiment will be described with reference to FIG. In the second embodiment, a Y stage 600Y of a stage device 600 used for manufacturing a semiconductor and a wafer table 6
04, the electromagnetic actuator 100 of the first embodiment described above is arranged.

【0031】電磁アクチュエータ100が、Yステージ
600Yとウェハテーブル604との位置調整(シフト
量の調整)に用いられるステージ装置600は、その用
途は限定されないが、この実施の形態では、ウェハ(基
板)W上にマスク(図示省略)に形成されたパターンを
転写する露光装置における、ウェハWの移動手段として
用いられる。
The stage device 600 in which the electromagnetic actuator 100 is used to adjust the position (adjustment of the amount of shift) between the Y stage 600Y and the wafer table 604 is not limited in its use, but in this embodiment, a wafer (substrate) is used. It is used as a means for moving the wafer W in an exposure apparatus that transfers a pattern formed on a mask (not shown) onto the wafer W.

【0032】すなわち、ステージ装置600は、X軸及
びY軸の2軸のX−Yステージ装置であり、ベース部6
02上をX方向(図中矢印Xで示す方向)に駆動される
Xステージ600X、Y方向(矢印Yで示す方向)に駆
動されるYステージ600Y、及びウェハテーブル(試
料台)604、Yステージ600Yとウェハテーブル6
04との間でシフト量を調整するための電磁アクチュエ
ータ100(図8には表れていない)を主たる構成要素
としている。
That is, the stage device 600 is a two-axis XY stage device of an X axis and a Y axis.
02, an X stage 600X driven in the X direction (direction indicated by arrow X in the figure), a Y stage 600Y driven in the Y direction (direction indicated by arrow Y), a wafer table (sample stage) 604, and a Y stage 600Y and wafer table 6
The main component is an electromagnetic actuator 100 (not shown in FIG. 8) for adjusting the shift amount with respect to the electromagnetic actuator 04.

【0033】ここでウェハテーブル604は、前記Yス
テージ600Y上に配置され、このウェハテーブル60
4にウェハホルダ(図示省略)を介してウェハ(基板)
Wが搭載される。このウェハWの上方には、図示省略の
照射部が配置されており、照射部からマスク(共に図示
省略)を介して照射された露光光によって、前記ウェハ
W上に予め塗布されたレジスト(図示省略)に、マスク
上の回路パターンが転写されるようになっている。
Here, the wafer table 604 is arranged on the Y stage 600Y.
4. Wafer (substrate) via wafer holder (not shown)
W is mounted. An irradiation unit (not shown) is arranged above the wafer W, and a resist (not shown) applied to the wafer W in advance by exposure light irradiated from the irradiation unit via a mask (both not shown). (Omitted), the circuit pattern on the mask is transferred.

【0034】ステージ装置600におけるXステージ6
00X及びYステージ600Yの移動量は、各々、ウェ
ハテーブル604のX方向の端部、Y方向の端部に固定
された移動鏡605X,605Yと、これに対向するよ
うに、ベース部602に各々固定されたレーザ干渉計6
06X,606Yとによって計測される。そして、主制
御装置(図示省略)が、この計測結果を基に、ウェハテ
ーブル604をベース部602上の所望の位置に移動制
御するようになっている。
X stage 6 in stage device 600
The amounts of movement of the 00X and Y stages 600Y are respectively set to the moving mirrors 605X and 605Y fixed to the X-direction end and the Y-direction end of the wafer table 604, and to the base unit 602 so as to face the mirrors. Fixed laser interferometer 6
06X and 606Y. A main controller (not shown) controls the movement of the wafer table 604 to a desired position on the base 602 based on the measurement result.

【0035】このステージ装置600のXステージ60
0X、Yステージ600Yは、固定子611を用いたリ
ニアモータ610,610,620,620によって、
各々、ベース部602上をX方向、Y方向に駆動され
る。ここで、2つのリニアモータ610,610の固定
子611,611は、共にベース602上に取付部61
6,616にて固定され、可動子612,612は、各
々、固定板607,607を介してXステージ600X
に固定されている。
The X stage 60 of the stage device 600
The 0X, Y stage 600Y is driven by linear motors 610, 610, 620, 620 using a stator 611.
Each is driven on the base 602 in the X direction and the Y direction. Here, the stators 611 and 611 of the two linear motors 610 and 610 are both mounted on the mounting portion 61 on the base 602.
6 and 616, and the movers 612 and 612 are respectively fixed to the X stage 600X via fixed plates 607 and 607.
Fixed to.

【0036】又、リニアモータ620,620の、各々
の固定子621,621は共にXステージ600Xに固
定され、可動子622,622(一方のみ図示)はYス
テージ600Yに固定されている。
The stators 621 and 621 of the linear motors 620 and 620 are both fixed to the X stage 600X, and the movers 622 and 622 (only one is shown) are fixed to the Y stage 600Y.

【0037】各固定子611,611,621,621
は、その内部の流路に流される温度調整用の冷却媒体に
よって冷却されるが、この冷却媒体は、温度調節機63
1にて温度調節される。尚、固定子611,611,6
21,621と温度調節機631とは、吐出配管63
2、配管633等によって接続されている。又、ステー
ジ装置600には、エアガイド640と静圧気体軸受け
(図示省略)とが設けられて、エア吹き出し口641、
エア吸引口642によって静圧空気軸受式のステージが
構成されている。
Each stator 611, 611, 621, 621
Is cooled by a cooling medium for temperature adjustment flowing in a flow path in the inside thereof.
The temperature is adjusted at 1. The stators 611, 611, 6
21, 621 and the temperature controller 631
2, connected by a pipe 633 or the like. The stage device 600 is provided with an air guide 640 and a static pressure gas bearing (not shown).
The air suction port 642 forms a static pressure air bearing type stage.

【0038】(第3の実施の形態)次に、本発明の第3
の実施の形態について、図9を用いて説明する。この第
3の実施の形態は、上記した第1の実施の形態の電磁ア
クチュエータ100を、露光装置700のレチクル(マ
スク)ステージ750の駆動手段として用いたものであ
る。すなわち、この第3の実施の形態では、第1の実施
の形態の電磁アクチュエータ100がレチクルステージ
750に組み込まれて(図9には電磁アクチュエータ1
00は表れていない)、例えば、レチクルステージ75
0のチルト方向の駆動等を行うようになっている。
(Third Embodiment) Next, a third embodiment of the present invention will be described.
The embodiment will be described with reference to FIG. In the third embodiment, the electromagnetic actuator 100 of the first embodiment is used as a driving unit of a reticle (mask) stage 750 of an exposure apparatus 700. That is, in the third embodiment, the electromagnetic actuator 100 of the first embodiment is incorporated in a reticle stage 750 (FIG.
00 is not shown), for example, reticle stage 75
Driving in the 0 tilt direction and the like are performed.

【0039】ここで露光装置700は、いわゆるステッ
プ・アンド・スキャン露光方式の走査型露光装置であ
る。この露光装置700は、図9に示すように、照明系
710と、レチクル(フォトマスク)Rを保持するステ
ージ可動部751と、投影光学系PLと、ウェハ(基
板)WをX−Y平面内でX方向−Y方向の2次元方向に
駆動するステージ装置800と、これらを制御する主制
御装置720等を備えている。
The exposure apparatus 700 is a so-called step-and-scan exposure type scanning exposure apparatus. As shown in FIG. 9, the exposure apparatus 700 includes an illumination system 710, a stage movable unit 751 for holding a reticle (photomask) R, a projection optical system PL, and a wafer (substrate) W in an XY plane. , A stage device 800 for driving in a two-dimensional direction of the X direction and the Y direction, and a main control device 720 for controlling these.

【0040】前記照明系710は、光源ユニットから照
射された露光光を、レチクルR上の矩形(あるいは円弧
状)の照明領域IARに均一な照度で照射するものであ
る。又、レチクルステージ750では、ステージ可動部
751がレチクルベース(図示省略)上を所定の走査速
度でガイドレール(図示省略)に沿って移動される。
又、ステージ可動部751の上面にはレチクルRが、例
えば真空吸着により固定される。又、ステージ可動部7
51のレチクルRの下方には、露光光通過穴(図示省
略)が形成されている。
The illumination system 710 irradiates the exposure light emitted from the light source unit to the rectangular (or arc-shaped) illumination area IAR on the reticle R with uniform illuminance. In the reticle stage 750, the stage movable section 751 is moved on a reticle base (not shown) at a predetermined scanning speed along a guide rail (not shown).
A reticle R is fixed on the upper surface of the stage movable section 751, for example, by vacuum suction. Also, the stage movable part 7
An exposure light passage hole (not shown) is formed below the reticle R of 51.

【0041】このステージ可動部751の移動位置は、
反射鏡715、レチクルレーザ干渉計716によって検
出され、ステージ制御系719は、この検出されたステ
ージ可動部751の移動位置に基づく主制御装置720
からの指示に応じて、ステージ可動部751を駆動す
る。又、投影光学系PLは縮小光学系であり、レチクル
ステージ750の下方に配置され、その光軸AX(照明
光学系の光軸IXに一致)の方向がZ軸方向とされる。
ここではテレセントリックな光学配置となるように光軸
AX方向に沿って所定間隔で配置された複数枚のレンズ
エレメントから成る屈折光学系が使用されている。従っ
て、上記照明系710によりレチクルRの照明領域IA
Rが照明されると、レチクルRの照明領域IAR内の回
路パターンの縮小像(部分倒立像)が、ウェハW上の照
明領域IARに共役な露光領域IAに形成される。
The moving position of the stage movable section 751 is as follows.
The stage control system 719 is detected by the reflecting mirror 715 and the reticle laser interferometer 716, and the main controller 720 based on the detected moving position of the stage movable section 751 is used.
The stage movable section 751 is driven in accordance with the instruction from. The projection optical system PL is a reduction optical system, and is disposed below the reticle stage 750, and the direction of its optical axis AX (coincident with the optical axis IX of the illumination optical system) is defined as the Z-axis direction.
Here, a refraction optical system including a plurality of lens elements arranged at predetermined intervals along the optical axis AX direction so as to have a telecentric optical arrangement is used. Therefore, the illumination area IA of the reticle R by the illumination system 710
When R is illuminated, a reduced image (partially inverted image) of the circuit pattern in the illumination area IAR of the reticle R is formed in the exposure area IA conjugate to the illumination area IAR on the wafer W.

【0042】尚、ステージ装置800は、平面モータ8
70を駆動手段として、テーブル818をX−Y面内で
2次元方向に駆動するものである。すなわち、ステージ
装置800は、ベース部821と、このベース部821
の上面の上方に数μm程度のクリアランスを介して浮上
されるテーブル818と、このテーブル818を移動さ
せる平面モータ870とを具えている。ここでテーブル
818には、露光処理時、その上面にウェハ(基板)W
が、例えば真空吸着によって固定される。
The stage device 800 includes a flat motor 8
The table 818 is driven in a two-dimensional direction in the XY plane by using 70 as a driving unit. That is, the stage device 800 includes a base 821 and the base 821.
And a flat motor 870 for moving the table 818, with the table 818 floating above the upper surface through a clearance of about several μm. The table 818 has a wafer (substrate) W on its upper surface during the exposure processing.
Is fixed, for example, by vacuum suction.

【0043】又、テーブル818には移動鏡827が固
定され、ウェハ干渉計831からレーザビームが照射さ
れて、当該テーブル818のX−Y面内での移動位置が
検出されるようになっている。このとき得られた移動位
置の情報は、ステージ制御系719を介して主制御装置
720に送られる。そして、ステージ制御系719は、
この情報に基づく主制御装置720からの指示に従っ
て、平面モータ870を作動させ、テーブル818をX
−Y面内の所望の位置に移動させる。
A moving mirror 827 is fixed to the table 818, and a laser beam is irradiated from the wafer interferometer 831 to detect the moving position of the table 818 in the XY plane. . Information on the movement position obtained at this time is sent to main controller 720 via stage control system 719. Then, the stage control system 719
In accordance with an instruction from main controller 720 based on this information, planar motor 870 is operated and table 818 is set to X
-Move to a desired position in the Y plane.

【0044】テーブル818は、平面モータ870を構
成する可動子(図示省略)の上面に、支持機構(図示省
略)によって異なる3点で支持されており、平面モータ
870によって、X方向、Y方向に駆動するのみならず
X−Y面に対して傾斜させたり、Z軸方向(上方)に駆
動させることができるようになっている。尚、平面モー
タ870は、公知の構成であり、平面モータ870のそ
の他の説明は省略する。
The table 818 is supported at three different points by a support mechanism (not shown) on the upper surface of a mover (not shown) constituting the flat motor 870. The table 818 is moved in the X and Y directions by the flat motor 870. Not only can it be driven, but also it can be tilted with respect to the XY plane or driven in the Z-axis direction (upward). Note that the planar motor 870 has a known configuration, and other descriptions of the planar motor 870 are omitted.

【0045】尚、図中、符号821はベース部であり、
その内部から生じる熱による温度上昇を防ぐための冷却
媒体が、供給管792、排出管793、温度調節装置7
79の作用によって、循環されるようになっている。斯
かる構成のレチクルステージ750を含む露光装置70
0においては、概ね、以下の手順で露光処理が行われ
る。
In the figure, reference numeral 821 is a base portion,
The cooling medium for preventing the temperature rise due to the heat generated from the inside thereof includes the supply pipe 792, the discharge pipe 793, and the temperature control device 7.
By the action of 79, and is circulated. Exposure apparatus 70 including reticle stage 750 having such a configuration
At 0, the exposure process is generally performed in the following procedure.

【0046】先ず、レチクルR、ウェハWがロードさ
れ、次いで、レチクルアラインメント、ベースライン計
測、アラインメント計測等が実行される。アライメント
計測の終了後には、ステップ・アンド・スキャン方式の
露光動作が行われる。露光動作にあたっては、レチクル
干渉計716によるレチクルRの位置情報、ウェハ干渉
計831によるウェハWの位置情報に基づき、主制御装
置720がステージ制御系719に指令を出し、レチク
ルステージ750の電磁アクチュエータ100、リニア
モータ(図示省略)及び平面モータ870によって、レ
チクルRとウェハWとが同期して移動し、もって、所望
の走査露光が行われる。
First, reticle R and wafer W are loaded, and then reticle alignment, baseline measurement, alignment measurement and the like are executed. After the completion of the alignment measurement, an exposure operation of a step-and-scan method is performed. In the exposure operation, main controller 720 issues a command to stage control system 719 based on position information of reticle R by reticle interferometer 716 and position information of wafer W by wafer interferometer 831, and controls electromagnetic actuator 100 of reticle stage 750. The reticle R and the wafer W are moved synchronously by a linear motor (not shown) and a plane motor 870, so that a desired scanning exposure is performed.

【0047】このようにして、1つのショット領域に対
するレチクルパターンの転写が終了すると、テーブル8
18が1ショット領域分だけステッピングされて、次の
ショット領域に対する走査露光が行われる。このステッ
ピングと走査露光とが順次繰り返され、ウェハW上に必
要なショット数のパターンが転写される。
When the transfer of the reticle pattern to one shot area is completed, the table 8
18 is stepped by one shot area, and scanning exposure is performed on the next shot area. This stepping and scanning exposure are sequentially repeated, and the required number of shot patterns are transferred onto the wafer W.

【0048】尚、本発明の第2実施の形態、第3の実施
の形態のステージ装置600、又は露光装置700を用
いた半導体デバイスの製造は、概ね、図10、図11に
示す手順で行われる。すなわち、半導体デバイスは、デ
バイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステ
ップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン
材料からウェハを製作するステップ、前述した実施の形
態の露光装置によりレチクルのパターンをウェハに転写
するステップ、デバイス組み立てステップ(ダイシング
工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む)、検
査ステップ等を経て製造される。
The manufacture of a semiconductor device using the stage apparatus 600 or the exposure apparatus 700 according to the second and third embodiments of the present invention is generally performed according to the procedures shown in FIGS. Will be That is, the semiconductor device has a step of designing the function and performance of the device, a step of manufacturing a reticle based on this design step, a step of manufacturing a wafer from a silicon material, and a step of forming a reticle pattern by the exposure apparatus of the above-described embodiment. It is manufactured through a step of transferring to a wafer, a step of assembling a device (including a dicing step, a bonding step, and a package step), an inspection step, and the like.

【0049】以下、デバイス製造方法について、更に詳
細に説明する。図10には、デバイス(ICやLSI等
の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等)の製造例のフローチャートが示
されている。 この図に示されるように、まず、ステッ
プ1001(設計ステップ)において、デバイスの機能
・性能設計(例えば、半導体テバイスの回路設計等)を
行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。
引き続き、ステップ1002(マスク製作ステップ)に
おいて、設計した回路パターンを形成したマスク(レチ
クル)を製作する。一方、ステップ1003(ウェハ製
造ステップ)において、シリコン等の材料を用いてウェ
ハを製造する。
Hereinafter, the device manufacturing method will be described in more detail. FIG. 10 shows a flowchart of an example of manufacturing devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, etc.). As shown in this figure, first, in step 1001 (design step), a function / performance design of a device (for example, a circuit design of a semiconductor device) is performed, and a pattern design for realizing the function is performed.
Subsequently, in step 1002 (mask manufacturing step), a mask (reticle) on which the designed circuit pattern is formed is manufactured. On the other hand, in step 1003 (wafer manufacturing step), a wafer is manufactured using a material such as silicon.

【0050】次に、ステップ1004(ウェハ処理ステ
ップ)において、ステップ1001〜ステップ1003
で用意したマスク(レチクル)とウェハを使用して、後
述するように、リソグラフィ技術等によってウェハ上に
実際の回路等を形成する。次いで、ステップ1005
(デバイス組立ステップ)において、ステップ1004
で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。この
ステップ1005には、ダイシング工程、ボンディング
工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程
が必要に応じて含まれる。
Next, in step 1004 (wafer processing step), steps 1001 to 1003
Using the mask (reticle) and the wafer prepared in the above, an actual circuit or the like is formed on the wafer by lithography technology or the like as described later. Next, step 1005
In (device assembling step), step 1004
Device assembly is performed using the wafer processed in the above. Step 1005 includes processes such as a dicing process, a bonding process, and a packaging process (chip encapsulation) as necessary.

【0051】最後に、ステップ1006(検査ステッ
プ)において、ステップ1005で作製されたデバイス
の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こう
した工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷され
る。図11には、半導体デバイスの場合における、上記
ステップ1004の詳細なフロー例が示されている。図
11において、ステップ1011(酸化ステップ)にお
いてはウェハの表面を酸化させる。ステップ1012
(CVDステップ)においてはウェハ表面に酸化絶縁膜
を形成する。ステップ1013(電極形成ステップ)に
おいてはウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ1014(イオン打込みステップ)においてはウェ
ハにイオンを打ち込む。
Finally, in step 1006 (inspection step), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the device manufactured in step 1005 are performed. After these steps, the device is completed and shipped. FIG. 11 shows a detailed flow example of step 1004 in the case of a semiconductor device. In FIG. 11, in step 1011 (oxidation step), the surface of the wafer is oxidized. Step 1012
In the (CVD step), an oxide insulating film is formed on the wafer surface. In step 1013 (electrode forming step), electrodes are formed on the wafer by vapor deposition. In step 1014 (ion implantation step), ions are implanted into the wafer.

【0052】以上のステップ1011〜ステップ101
4それぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成
しており、各段階において必要な処理に応じて選択され
て実行される。ウェハプロセスの各段階において、上述
の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工
程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ
1015(レジスト形成ステップ)において、ウェハに
感光剤を塗布する。引き続き、ステップ1016(露光
ステップ)において、上で説明した露光装置を用いてマ
スクの回路パターンをウェハに転写する。次に、ステッ
プ1017(現像ステップ)においては露光されたウェ
ハを現像し、ステップ1018(エッチングステップ)
において、レジストが残存している部分以外の部分の露
出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップ
1019(レジスト除去ステップ)においてエッチング
が済んで不要となったレジストを取り除く。
The above steps 1011 to 101
Each of the components 4 constitutes a pre-processing step in each stage of the wafer processing, and is selected and executed according to a necessary process in each stage. In each stage of the wafer process, when the above-described pre-processing step is completed, the post-processing step is executed as follows. In this post-processing step, first, in step 1015 (resist forming step), a photosensitive agent is applied to the wafer. Subsequently, in step 1016 (exposure step), the circuit pattern of the mask is transferred onto the wafer by using the above-described exposure apparatus. Next, in step 1017 (development step), the exposed wafer is developed, and in step 1018 (etching step)
In, the exposed member other than the portion where the resist remains is removed by etching. Then, in step 1019 (resist removing step), unnecessary resist after etching is removed.

【0053】これらの前処理工程と後処理工程とを繰り
返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターン
が形成される。又、本発明に係るステージ装置600
は、マスクと基板とを静止した状態でマスクのパターン
を露光し、基板を順次ステップ移動させるステップ・ア
ンド・リピート型の露光装置のステージ装置としても適
用することができる。
By repeating these pre-processing and post-processing steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. Also, the stage device 600 according to the present invention
The present invention can also be applied as a stage device of a step-and-repeat type exposure apparatus that exposes a pattern of a mask while the mask and the substrate are stationary and sequentially moves the substrate in steps.

【0054】又、本発明は、投影光学系を用いることな
くマスクと基板とを密接させてマスクのパターンを露光
するプロキシミティ露光装置の駆動装置としても適用す
ることができる。又、本発明に係る露光装置700は、
半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例え
ば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露
光する液晶用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造する
ための露光装置にも適用できる。
[0054] Further, the present invention can be brought into close contact with the mask and the substrate without using a projection optical system is also applicable as a drive device for a proximity exposure apparatus that exposes a pattern of a mask. Further, the exposure apparatus 700 according to the present invention
The present invention is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor, and can be applied to, for example, an exposure apparatus for a liquid crystal for exposing a liquid crystal display element pattern to a square glass plate and an exposure apparatus for manufacturing a thin film magnetic head.

【0055】又、第3の実施の形態の露光装置の光源
は、g線(436nm)、i線(365nm)、KrF
エキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ
(193nm)、F2レーザ(157nm)のみなら
ず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができ
る。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱
電子放射型のランタンヘキサボライド(LaB6)、タ
ンタル(Ta)を用いることができる。さらに、電子線
を用いる場合は、マスクを用いる構成としてもよいし、
マスクを用いずに直接基板上にパターンを形成する構成
としてもよい。
The light source of the exposure apparatus according to the third embodiment includes g-line (436 nm), i-line (365 nm), KrF
Not only an excimer laser (248 nm), an ArF excimer laser (193 nm), and an F 2 laser (157 nm) but also a charged particle beam such as an X-ray or an electron beam can be used. For example, when an electron beam is used, a thermionic emission type lanthanum hexaboride (LaB 6 ) or tantalum (Ta) can be used as the electron gun. Furthermore, when using an electron beam, a configuration using a mask may be used,
A structure in which a pattern is directly formed on a substrate without using a mask may be adopted.

【0056】この場合には、投影光学系として、エキシ
マレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英
や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、F2レー
ザやX線を用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学
系にし(レチクルも反射型タイプのものを用いる)、ま
た、電子線を用いる場合には光学系として電子レンズお
よび偏向器からなる電子光学系を用いればよい。なお、
電子線が通過する光路は真空状態にすることはいうまで
もない。
In this case, when far ultraviolet rays such as an excimer laser are used as the projection optical system, a material that transmits far ultraviolet rays such as quartz or fluorite is used as the glass material, and when an F 2 laser or X-ray is used. catadioptric system or the refractive based optical system (reticle also used as a reflective type), or may be used an electron optical system comprising an electron lens and a deflector as an optical system in the case of using an electron beam. In addition,
It goes without saying that the optical path through which the electron beam passes is in a vacuum state.

【0057】又、本発明に係る露光装置700の投影光
学系の倍率は、縮小系のみならず等倍および拡大系であ
ってもよい。又、本発明に係るウェハステージやレチク
ルステージは、エアベアリングを用いたエア浮上型およ
びローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上
型のどちらを用いてもよい。
The magnification of the projection optical system of the exposure apparatus 700 according to the present invention may be not only a reduction system but also an equal magnification and an enlargement system. Further, as the wafer stage or reticle stage according to the present invention, any of an air floating type using an air bearing and a magnetic floating type using a Lorentz force or a reactance force may be used.

【0058】又、本発明に係るステージとしては、ガイ
ドに沿って移動するタイプに限らず、ガイドを必要とし
ないガイドレスタイプであってもよい。尚、ウェハステ
ージの移動により発生する反力に関しては、特開平8−
166475号公報にて提案されている発明を利用し
て、フレーム部材を用いて、機械的に床側(大地)に逃
がすようにしてもよい。
The stage according to the present invention is not limited to a type that moves along a guide, but may be a guideless type that does not require a guide. The reaction force generated by the movement of the wafer stage is described in
Utilizing the invention proposed in 166475, a frame member may be used to mechanically escape to the floor side (ground).

【0059】又、レチクルステージの移動により発生す
る反力に関しては、特開平8−330224号公報にて
提案されている発明を利用して、フレーム部材を用い
て、機械的に床側(大地)に逃がすようにしてもよい。
以上に説明した本発明のリニアモータが適用される露光
装置は、特許請求の範囲に挙げた各構成要素を含む各種
サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学
的精度を保つように、組み立てることで製造される。
Regarding the reaction force generated by the movement of the reticle stage, utilizing the invention proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-330224, a frame member is used to mechanically move the floor side (ground). You may make it escape to.
The exposure apparatus to which the linear motor according to the present invention described above is applied is designed to maintain various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims with predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. And manufactured by assembling.

【0060】これら各種精度を確保するために、この組
み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を
達成するための調整、各種機械系については機械的精度
を達成するための調整、各種電気系については電気的精
度を達成するための調整が行われる。又、各種サブシス
テムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステ
ム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路
の配管接続等が含まれる。
In order to ensure these various precisions, before and after this assembly, adjustments to achieve optical precision for various optical systems, adjustments to achieve mechanical precision for various mechanical systems, various Adjustments are made to the electrical system to achieve electrical accuracy. In addition, the process of assembling the exposure apparatus from the various subsystems includes mechanical connection, wiring connection of an electric circuit, and piping connection of a pneumatic circuit between the various subsystems.

【0061】この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。又、各種サブシステムの
露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行
われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。
It goes without saying that there is an assembling step for each subsystem before the assembling step from these various subsystems to the exposure apparatus. When the process of assembling the various subsystems into the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed, and various precisions of the entire exposure apparatus are secured. It is desirable that the manufacture of the exposure apparatus be performed in a clean room in which the temperature, cleanliness, and the like are controlled.

【0062】[0062]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1、請求項
3、請求項4、請求項6の発明によれば、積層ブロック
の一端の磁性薄板に、表面加工時の固定部を兼ねる非磁
性体からなるブロック取付部が接合されているので、層
方向に対して斜め方向(例えば、垂直の重ね合わせ方
向)で研削を行っても磁性薄板の剥離を引き起こすこと
なく、しかも、積層ブロックを他の装置に取り付ける際
にネジの緩みが生じ難くなる。
As described above, according to the first, third, fourth, and sixth aspects of the present invention, the magnetic thin plate at one end of the laminated block serves as a fixing part also serving as a fixing part at the time of surface processing. Since the block mounting portion made of a magnetic material is joined, even if grinding is performed in an oblique direction to the layer direction (for example, a superimposing direction perpendicular to the layer), the lamination block can be formed without causing peeling of the magnetic thin plate. Screws are less likely to be loosened when attached to other devices.

【0063】又、請求項2、請求項5,請求項6の発明
によれば、この積層ブロックの積層面がアーチ状に湾曲
されている場合に、その曲面に沿って研削を行っても磁
性薄板の剥離を引き起こすことがない。又、請求項7の
発明によれば、電磁アクチュエータにおいて、一方のコ
ア(I型コア)を構成する積層ブロックの積層面を、高
い平面度、円筒度で研削できるので、該積層面と他方の
コア(E型コア)の積層面との距離を精度よく調整で
き、当該電磁アクチュエータの制御の精度が向上する。
又、電磁アクチュエータの前記一方のコアを、被動作部
(例えば、ステージ装置)に強固に固定することができ
る。
Further, according to the second, fifth and sixth aspects of the present invention, when the laminated surface of the laminated block is curved in an arch shape, even if the grinding is performed along the curved surface, the magnetic properties can be improved. Does not cause peeling of thin plates. According to the seventh aspect of the present invention, in the electromagnetic actuator, the laminated surface of the laminated block constituting one core (I-type core) can be ground with high flatness and cylindricity, so that the laminated surface and the other surface can be ground. The distance between the core (E-shaped core) and the laminated surface can be adjusted with high accuracy, and the control accuracy of the electromagnetic actuator is improved.
Further, the one core of the electromagnetic actuator can be firmly fixed to a driven portion (for example, a stage device).

【0064】又、請求項8のステージ装置によれば、位
置制御の精度が高い電磁アクチュエータが移動手段とし
て用いられるので、ステージ装置の精細な動作制御が可
能になる。又、請求項9の発明によれば、露光装置の露
光対象たる物体が、精細な動作制御が可能なステージ装
置により移動されるので、半導体素子や、液晶表示素子
等の製造時の精度が向上する。
Further, according to the stage device of the present invention, since the electromagnetic actuator having high position control accuracy is used as the moving means, fine operation control of the stage device can be performed. According to the ninth aspect of the present invention, since the object to be exposed by the exposure apparatus is moved by the stage device capable of finely controlling the operation, the accuracy in manufacturing semiconductor elements, liquid crystal display elements, and the like is improved. I do.

【0065】又、請求項10の発明によれば、前記露光
装置によって半導体デバイスの所定のパターンが形成さ
れるので、微細なパターンが、精度よく作製でき、その
高集積化が可能になる。
According to the tenth aspect of the present invention, since a predetermined pattern of a semiconductor device is formed by the exposure apparatus, a fine pattern can be manufactured with high accuracy, and its high integration can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】電磁アクチュエータ100に用いられるI型コ
ア20の斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of an I-shaped core 20 used for an electromagnetic actuator 100. FIG.

【図2】積層磁性薄板ブロック本体22にブロック取付
部23を取り付ける様子を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a state in which a block attaching portion 23 is attached to a laminated magnetic thin plate block main body 22.

【図3】I型コア20を研削する様子を示す斜視図であ
る。
FIG. 3 is a perspective view showing how the I-shaped core 20 is ground.

【図4】I型コア20が適用された電磁アクチュエータ
100を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing an electromagnetic actuator 100 to which the I-shaped core 20 is applied.

【図5】電磁アクチュエータ100のI型コア20、E
型コア30を、ステージ装置600に取り付けた状態を
示す斜視図である。
5 shows an I-shaped core 20, E of an electromagnetic actuator 100. FIG.
FIG. 9 is a perspective view showing a state where the mold core 30 is attached to a stage device 600.

【図6】電磁アクチュエータ100と、ステージ装置6
00との関係を示す図である。
FIG. 6 shows an electromagnetic actuator 100 and a stage device 6
It is a figure showing the relation with 00.

【図7】本実施の形態のブロック取付部23に代えて用
いることができる升型のブロック取付部70、ロ字型の
ブロック取付部80を示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a square-shaped block mounting portion 70 and a square-shaped block mounting portion 80 that can be used in place of the block mounting portion 23 of the present embodiment.

【図8】電磁アクチュエータ100が適用されたステー
ジ装置600を示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view showing a stage device 600 to which the electromagnetic actuator 100 is applied.

【図9】レチクルステージ750に電磁アクチュエータ
100が用いられた露光装置700の全体構成を示す図
である。
FIG. 9 is a diagram showing an overall configuration of an exposure apparatus 700 in which an electromagnetic actuator 100 is used for a reticle stage 750.

【図10】本発明にかかる露光装置を用いた半導体デバ
イスの製造プロセスを示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a semiconductor device manufacturing process using the exposure apparatus according to the present invention.

【図11】本発明にかかる露光装置を用いた半導体デバ
イスのより具体的な製造プロセスを示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing a more specific manufacturing process of a semiconductor device using the exposure apparatus according to the present invention.

【図12】従来の電磁アクチュエータ1を示す斜視図で
ある。
FIG. 12 is a perspective view showing a conventional electromagnetic actuator 1.

【図13】電磁アクチュエータ1のI型コア2を示す斜
視図である。
FIG. 13 is a perspective view showing an I-shaped core 2 of the electromagnetic actuator 1.

【図14】研削時のI型コア2の端部にある磁性薄板2
bの剥離の様子を示す図である。
FIG. 14 shows a magnetic thin plate 2 at an end of an I-shaped core 2 during grinding.
It is a figure which shows the mode of peeling of b.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20 I型コア 22 積層ブロック 22A 積層面 23 ブロック取付部 30 E型コア 40 コイル 50 研削台(研削装置) 55 砥石 100 電磁アクチュエータ 600 ステージ装置 700 露光装置 750 レチクルステージ Reference Signs List 20 I-shaped core 22 Laminated block 22A Laminated surface 23 Block mounting part 30 E-shaped core 40 Coil 50 Grinding table (grinding device) 55 Grinding wheel 100 Electromagnetic actuator 600 Stage device 700 Exposure device 750 Reticle stage

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E048 AD07 CA01 5F031 LA04 LA06 LA08 MA27 5F046 BA05 CC01 CC02 CC03 CC18 DA26  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5E048 AD07 CA01 5F031 LA04 LA06 LA08 MA27 5F046 BA05 CC01 CC02 CC03 CC18 DA26

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の磁性薄板が積層接着された積層ブ
ロックにおいて、 表面加工時の固定部を兼ねる非磁性体からなるブロック
取付部が、少なくとも、前記積層ブロックの一端の磁性
薄板と接合するように設けられていることを特徴とする
積層ブロック。
In a laminated block in which a plurality of magnetic thin plates are laminated and adhered, a block mounting portion made of a non-magnetic material also serving as a fixing portion during surface processing is bonded at least to a magnetic thin plate at one end of the laminated block. The laminated block characterized by being provided in.
【請求項2】 積層ブロックの少なくとも1つの積層面
が、その層方向に垂直の断面形状がアーチ状に湾曲され
ていることを特徴とする請求項1に記載の積層ブロッ
ク。
2. The laminated block according to claim 1, wherein at least one laminated surface of the laminated block has an arc-shaped cross section perpendicular to the layer direction.
【請求項3】 複数の磁性薄板が積層された積層ブロッ
クと、前記積層ブロックの少なくとも一端の磁性薄板に
接合された非磁性体とからなるブロック取付部と、を備
え、 前記積層ブロックの少なくとも1つの積層面は、その層
方向と略直交する断面の形状が所定のアーチ状に湾曲さ
れるように形成され、 前記ブロック取付部は、前記積層ブロックの前記断面の
方向と略同一方向における断面の形状の少なくとも一部
が、前記所定のアーチ状に湾曲されていることを特徴と
する積層ブロック。
3. A laminated block in which a plurality of magnetic thin plates are laminated, and a block attaching portion made of a non-magnetic material joined to a magnetic thin plate at at least one end of the laminated block, wherein at least one of the laminated blocks is provided. The two stacking surfaces are formed such that the cross-sectional shape substantially orthogonal to the layer direction is curved in a predetermined arch shape, and the block mounting portion has a cross-section in a direction substantially the same as the cross-sectional direction of the stacked block. A laminated block, wherein at least a part of the shape is curved in the predetermined arch shape.
【請求項4】 複数の磁性薄板が積層された積層ブロッ
クの製造方法であって、 前記磁性薄板を積層接着させて積層ブロックを形成する
第1のステップと、 少なくとも、前記積層ブロックの一端の磁性薄板に、非
磁性体のブロック取付部を接合する第2のステップと、 前記ブロック取付部を用いて、前記積層ブロックを研削
装置に固定する第3のステップと、 前記積層ブロックの少なくとも1つの積層面を研削する
第4のステップとを含んでいることを特徴とする積層ブ
ロックの製造方法。
4. A method of manufacturing a laminated block in which a plurality of magnetic thin plates are laminated, a first step of forming a laminated block by laminating and adhering the magnetic thin plates, and at least a magnetic step at one end of the laminated block. A second step of joining a non-magnetic block mounting portion to the thin plate; a third step of fixing the laminated block to a grinding device using the block mounting portion; and at least one lamination of the laminated block And a fourth step of grinding the surface.
【請求項5】 請求項4に記載の積層ブロックの製造方
法において、 前記第4のステップでは、前記積層面が、層方向に垂直
な断面形状がアーチ状となるように研削されることを特
徴とする積層ブロックの製造方法。
5. The method of manufacturing a laminated block according to claim 4, wherein, in the fourth step, the laminated surface is ground so that a cross section perpendicular to a layer direction has an arch shape. Manufacturing method of a laminated block.
【請求項6】 請求項4又は請求項5に記載の積層ブロ
ックの製造方法において、 前記第4のステップでは、前記少なくとも1つの積層面
と前記ブロック取付部とを同時に研削することを特徴と
する積層ブロックの製造方法。
6. The method for manufacturing a laminated block according to claim 4, wherein in the fourth step, the at least one laminated surface and the block mounting portion are simultaneously ground. A method for manufacturing a laminated block.
【請求項7】 請求項1、2、3の何れか1項に記載の
積層ブロックと、コイルが懸架されて磁界を発生させる
積層ブロックとを有することを特徴とする電磁アクチュ
エータ。
7. An electromagnetic actuator comprising: the multilayer block according to claim 1, and a multilayer block in which a coil is suspended to generate a magnetic field.
【請求項8】 請求項7に記載の電磁アクチュエータ
が、ステージ部の駆動手段として用いられていることを
特徴とするステージ装置。
8. A stage device, wherein the electromagnetic actuator according to claim 7 is used as driving means for a stage unit.
【請求項9】 露光用光学系を用いて基板上に所定のパ
ターンを形成する露光装置であって、請求項8に記載の
ステージ装置を備えていることを特徴とする露光装置。
9. An exposure apparatus for forming a predetermined pattern on a substrate using an exposure optical system, comprising: the stage apparatus according to claim 8.
【請求項10】 所定のパターンが形成されたデバイス
を製造するに当たり、 請求項9に記載の露光装置を用いて、レチクルの回路パ
ターンを感光剤が塗布されたウェハに転写する工程を有
することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
10. A method of manufacturing a device having a predetermined pattern, comprising the step of transferring a circuit pattern of a reticle onto a wafer coated with a photosensitive agent using the exposure apparatus according to claim 9. A method for manufacturing a semiconductor device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009500817A (en) * 2005-06-29 2009-01-08 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト Method for forming magnetic pole face in electromagnet, armature, yoke, electromagnet, electromechanical switch

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