JP2002270129A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JP2002270129A JP2002270129A JP2001064861A JP2001064861A JP2002270129A JP 2002270129 A JP2002270129 A JP 2002270129A JP 2001064861 A JP2001064861 A JP 2001064861A JP 2001064861 A JP2001064861 A JP 2001064861A JP 2002270129 A JP2002270129 A JP 2002270129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- slit
- ion implantation
- ion
- implantation apparatus
- sensing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 26
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 9
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 abstract description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100025490 Slit homolog 1 protein Human genes 0.000 description 1
- 101710123186 Slit homolog 1 protein Proteins 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のイオン注入装置には分析スリットのス
リット近傍の摩耗に対する摩耗検出機構がなく、摩耗管
理として定期的にスリットの寸法測定を実施していたた
め工数的にもロスが多くまた、検出が遅れると不所望な
イオンが半導体ウエハに注入されることになり製品の特
性を悪化させる虞があった。 【解決手段】 イオン注入装置１０１は、分析スリット
１０２のスリット８近傍の摩耗を検出する摩耗検出機構
として、分析スリット１０２に内蔵されたテフロン（登
録商標）膜１０３で表面を被覆したタンタル線１０４
と、タンタル線１０４にイオンビームが衝突することで
生じる電流を検出する電流計１０５とを有しており、不
所望なイオンビームによりスリット８近傍が摩耗すると
タンタル線１０４が露出し電流計１０５に電流が流れ摩
耗を把握できる。
リット近傍の摩耗に対する摩耗検出機構がなく、摩耗管
理として定期的にスリットの寸法測定を実施していたた
め工数的にもロスが多くまた、検出が遅れると不所望な
イオンが半導体ウエハに注入されることになり製品の特
性を悪化させる虞があった。 【解決手段】 イオン注入装置１０１は、分析スリット
１０２のスリット８近傍の摩耗を検出する摩耗検出機構
として、分析スリット１０２に内蔵されたテフロン（登
録商標）膜１０３で表面を被覆したタンタル線１０４
と、タンタル線１０４にイオンビームが衝突することで
生じる電流を検出する電流計１０５とを有しており、不
所望なイオンビームによりスリット８近傍が摩耗すると
タンタル線１０４が露出し電流計１０５に電流が流れ摩
耗を把握できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハにイ
オンを注入するイオン注入装置に関し、特に所望のイオ
ンビームを選別するための分析スリットを有するイオン
注入装置に関する。
オンを注入するイオン注入装置に関し、特に所望のイオ
ンビームを選別するための分析スリットを有するイオン
注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のイオン注入装置の一例を概略構成
図として示す図５を用いて説明する。イオン注入装置１
は、主に、イオン源２と、分析マグネット３と、分析ス
リット４と、加速管５と、半導体ウエハ６を保持するプ
ラテン７とがこの順（以降、イオン源２側を上流側とす
る）に配置され、イオン源２から引き出したイオンビー
ム（図中破線矢印で示す）を、分析マグネット３および
その下流側に設けた分析スリット４に通すことで所望の
質量および価数のイオンビームを選別し、さらにそのイ
オンビームを分析スリット４の下流側に設けた加速管５
を通して加速した後に、プラテン７に保持された半導体
ウエハ６に入射させてイオン注入を行う。分析スリット
４の分解斜視図を図６に示す。分析スリット４は不所望
なイオンビームをカットするためのもので、例えばカー
ボンより成る円筒状のもので中央部に所定の寸法で開け
られた貫通したスリット８を有し、両端部に不所望なイ
オンビームをカットするためのフランジ９，１０を有し
ている。特に、上流側のフランジ９のスリット８近傍は
イオンビームとの衝突により少しずつではあるが摩耗し
ていく。このため、摩耗管理として定期的にスリット８
の寸法測定を実施し所定の寸法を越えると交換してい
た。また、フランジ９は分析スリット４本体とは別部品
としてネジ１１で固定し摩耗限界に達したらこの部分の
み交換すればよいようになっている。
図として示す図５を用いて説明する。イオン注入装置１
は、主に、イオン源２と、分析マグネット３と、分析ス
リット４と、加速管５と、半導体ウエハ６を保持するプ
ラテン７とがこの順（以降、イオン源２側を上流側とす
る）に配置され、イオン源２から引き出したイオンビー
ム（図中破線矢印で示す）を、分析マグネット３および
その下流側に設けた分析スリット４に通すことで所望の
質量および価数のイオンビームを選別し、さらにそのイ
オンビームを分析スリット４の下流側に設けた加速管５
を通して加速した後に、プラテン７に保持された半導体
ウエハ６に入射させてイオン注入を行う。分析スリット
４の分解斜視図を図６に示す。分析スリット４は不所望
なイオンビームをカットするためのもので、例えばカー
ボンより成る円筒状のもので中央部に所定の寸法で開け
られた貫通したスリット８を有し、両端部に不所望なイ
オンビームをカットするためのフランジ９，１０を有し
ている。特に、上流側のフランジ９のスリット８近傍は
イオンビームとの衝突により少しずつではあるが摩耗し
ていく。このため、摩耗管理として定期的にスリット８
の寸法測定を実施し所定の寸法を越えると交換してい
た。また、フランジ９は分析スリット４本体とは別部品
としてネジ１１で固定し摩耗限界に達したらこの部分の
み交換すればよいようになっている。
【０００３】従来のイオン注入装置には分析スリットの
スリット近傍の摩耗に対する摩耗検出機構がなく、摩耗
管理として定期的にスリットの寸法測定を実施し所定の
寸法を越えると交換していた。即ち、寸法測定をする度
にイオン注入装置を真空状態から大気圧に戻して分析ス
リットをイオン注入装置本体から取り外さなければなら
なく、これは工数的にもロスが多かった。また、摩耗量
は一定しておらず、ばらつくために交換時期は予測しが
たいものであった。万一、交換が遅れると不所望なイオ
ンが半導体ウエハに注入されることになり製品の特性を
悪化させる虞があった。
スリット近傍の摩耗に対する摩耗検出機構がなく、摩耗
管理として定期的にスリットの寸法測定を実施し所定の
寸法を越えると交換していた。即ち、寸法測定をする度
にイオン注入装置を真空状態から大気圧に戻して分析ス
リットをイオン注入装置本体から取り外さなければなら
なく、これは工数的にもロスが多かった。また、摩耗量
は一定しておらず、ばらつくために交換時期は予測しが
たいものであった。万一、交換が遅れると不所望なイオ
ンが半導体ウエハに注入されることになり製品の特性を
悪化させる虞があった。
【０００４】本発明の目的は分析スリットのスリット近
傍の摩耗を分析スリットをイオン注入機本体から取り外
したりスリットの寸法測定をすることなく自動的にかつ
精度よく検出できるようにし測定や管理の工数を削減す
るとともに、検出遅れにより不所望なイオンが半導体ウ
エハに注入されることを防止することである。
傍の摩耗を分析スリットをイオン注入機本体から取り外
したりスリットの寸法測定をすることなく自動的にかつ
精度よく検出できるようにし測定や管理の工数を削減す
るとともに、検出遅れにより不所望なイオンが半導体ウ
エハに注入されることを防止することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために提案されたもので、イオン源から放出されて
所定方向に偏向されたイオンビームを分析スリットによ
りトリミングし、このトリミングされたイオンビームを
加速させて半導体ウエハに照射しイオン注入するイオン
注入装置において、分析スリットのトリミング窓内周に
分析スリットから電気的に絶縁されかつイオンビームの
照射を感知する感知部を配置するとともに、感知部の信
号を検出する検出部を配置したことを特徴とするイオン
注入装置である。
するために提案されたもので、イオン源から放出されて
所定方向に偏向されたイオンビームを分析スリットによ
りトリミングし、このトリミングされたイオンビームを
加速させて半導体ウエハに照射しイオン注入するイオン
注入装置において、分析スリットのトリミング窓内周に
分析スリットから電気的に絶縁されかつイオンビームの
照射を感知する感知部を配置するとともに、感知部の信
号を検出する検出部を配置したことを特徴とするイオン
注入装置である。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明のイオン注入装置の一例を
概略構成図として示す図１を用いて説明する。図５，６
と同一部分には同一符号を用いて説明を省略する。イオ
ン注入装置１０１は、主に、イオン源２と、分析マグネ
ット３と、分析スリット１０２と、加速管５と、半導体
ウエハ６を保持するプラテン７とがこの順（以降、イオ
ン源２側を上流側とする）に配置され、イオン源２から
引き出したイオンビーム（図中破線矢印で示す）を、分
析マグネット３およびその下流側に設けた分析スリット
１０２に通すことで所望の質量および価数のイオンビー
ムを選別し、さらにそのイオンビームを分析スリット１
０２の下流側に設けた加速管５を通して加速した後に、
プラテン７に保持された半導体ウエハ６に入射させてイ
オン注入を行う。分析スリット１０２には、摩耗検出機
構としてスリット８近傍の摩耗を感知する例えばテフロ
ン膜１０３で表面を絶縁被膜したタンタル線１０４が内
蔵されており、そのタンタル線１０４の末端はタンタル
線１０４にイオンビームが衝突することで生じる電流を
検出するイオン注入装置１０１本体の外部に配置した電
流計１０５に接続されている。分析スリット１０２の分
解斜視図を図２に示す。分析スリット１０２は不所望な
イオンビームをカットするためのもので、例えばカーボ
ンより成る円筒状のもので中央部に所定の寸法で開けら
れた貫通したスリット８を有し、両端部に不所望なイオ
ンビームをカットするためのフランジ１０６，１０を有
している。特に、上流側のフランジ１０６のスリット８
近傍はイオンビームとの衝突により少しずつではあるが
摩耗していく。この摩耗を検出するため、上流側のフラ
ンジ１０６の内部にはスリット８近傍の摩耗限界となる
位置にテフロン膜１０３で表面を絶縁被膜したタンタル
線１０４が全周に亘り配置されている。フランジ１０６
のスリット８近傍が摩耗していくとテフロン膜１０３で
表面を絶縁被膜したタンタル線１０４の一部が露出し、
さらに表面のテフロン膜１０３がイオンビームで破壊さ
れるとイオンビームは導体であるタンタル線１０４に直
接当たりタンタル線１０４に電流が流れる。これをタン
タル線１０４と接続した電流計１０５で検出し摩耗限界
を把握する。図３にスリット８近傍が摩耗し、タンタル
線１０４の一部が露出した状態を示す。尚、上述では導
体としてタンタル線１０４、絶縁被膜としてテフロン膜
１０３で説明したが、特にこれに限るものではなくそれ
ぞれイオンビームを検出できる導体あるいはカーボンか
ら成るフランジ１０６と絶縁できるものであれば何でも
よいが、特にタンタルは融点が高くかつ高温強さが高い
ためイオンビームで融解しにくく再度、絶縁被覆するこ
とで再利用が可能となり好適である。タンタル線１０４
をフランジ１０６に内蔵する方法としては、例えばフラ
ンジ１０６を板厚方向に２分割し、２分割した第１のフ
ランジ１０６ａ及び第２のフランジ１０６ｂのいずれか
一方あるいは双方にタンタル線１０４を装着するための
溝１０７を形成し、その溝１０７にタンタル線１０４を
装着しネジ１１で止めるなどの方法で挟み込めばよい。
概略構成図として示す図１を用いて説明する。図５，６
と同一部分には同一符号を用いて説明を省略する。イオ
ン注入装置１０１は、主に、イオン源２と、分析マグネ
ット３と、分析スリット１０２と、加速管５と、半導体
ウエハ６を保持するプラテン７とがこの順（以降、イオ
ン源２側を上流側とする）に配置され、イオン源２から
引き出したイオンビーム（図中破線矢印で示す）を、分
析マグネット３およびその下流側に設けた分析スリット
１０２に通すことで所望の質量および価数のイオンビー
ムを選別し、さらにそのイオンビームを分析スリット１
０２の下流側に設けた加速管５を通して加速した後に、
プラテン７に保持された半導体ウエハ６に入射させてイ
オン注入を行う。分析スリット１０２には、摩耗検出機
構としてスリット８近傍の摩耗を感知する例えばテフロ
ン膜１０３で表面を絶縁被膜したタンタル線１０４が内
蔵されており、そのタンタル線１０４の末端はタンタル
線１０４にイオンビームが衝突することで生じる電流を
検出するイオン注入装置１０１本体の外部に配置した電
流計１０５に接続されている。分析スリット１０２の分
解斜視図を図２に示す。分析スリット１０２は不所望な
イオンビームをカットするためのもので、例えばカーボ
ンより成る円筒状のもので中央部に所定の寸法で開けら
れた貫通したスリット８を有し、両端部に不所望なイオ
ンビームをカットするためのフランジ１０６，１０を有
している。特に、上流側のフランジ１０６のスリット８
近傍はイオンビームとの衝突により少しずつではあるが
摩耗していく。この摩耗を検出するため、上流側のフラ
ンジ１０６の内部にはスリット８近傍の摩耗限界となる
位置にテフロン膜１０３で表面を絶縁被膜したタンタル
線１０４が全周に亘り配置されている。フランジ１０６
のスリット８近傍が摩耗していくとテフロン膜１０３で
表面を絶縁被膜したタンタル線１０４の一部が露出し、
さらに表面のテフロン膜１０３がイオンビームで破壊さ
れるとイオンビームは導体であるタンタル線１０４に直
接当たりタンタル線１０４に電流が流れる。これをタン
タル線１０４と接続した電流計１０５で検出し摩耗限界
を把握する。図３にスリット８近傍が摩耗し、タンタル
線１０４の一部が露出した状態を示す。尚、上述では導
体としてタンタル線１０４、絶縁被膜としてテフロン膜
１０３で説明したが、特にこれに限るものではなくそれ
ぞれイオンビームを検出できる導体あるいはカーボンか
ら成るフランジ１０６と絶縁できるものであれば何でも
よいが、特にタンタルは融点が高くかつ高温強さが高い
ためイオンビームで融解しにくく再度、絶縁被覆するこ
とで再利用が可能となり好適である。タンタル線１０４
をフランジ１０６に内蔵する方法としては、例えばフラ
ンジ１０６を板厚方向に２分割し、２分割した第１のフ
ランジ１０６ａ及び第２のフランジ１０６ｂのいずれか
一方あるいは双方にタンタル線１０４を装着するための
溝１０７を形成し、その溝１０７にタンタル線１０４を
装着しネジ１１で止めるなどの方法で挟み込めばよい。
【０００７】また、感知部の他の構成としてタンタル線
１０４をスリット８全周に亘り配置するのではなく所定
のポイントで代表して検出するようにしてもよい。例え
ば図４に示すように上流側のフランジ１０８の板厚方向
にスリット近傍の摩耗限界位置の深さまで２箇所、感知
部挿入穴１０９ａ，１０９ｂを開け、２本のテフロン膜
１０３ａ，１０３ｂで被覆したタンタル線１０４ａ，１
０４ｂを挿入し、それぞれを異なる電流計１０５ａ，１
０５ｂに接続した構成としてもよい。こうするとフラン
ジを２分割する必要はなく加工や組立てがしやすく、ま
た、電流計１０５ａ，１０５ｂが２個あるため、それぞ
れの電流値を観察することで摩耗の傾向やレベルの違い
が把握できる。
１０４をスリット８全周に亘り配置するのではなく所定
のポイントで代表して検出するようにしてもよい。例え
ば図４に示すように上流側のフランジ１０８の板厚方向
にスリット近傍の摩耗限界位置の深さまで２箇所、感知
部挿入穴１０９ａ，１０９ｂを開け、２本のテフロン膜
１０３ａ，１０３ｂで被覆したタンタル線１０４ａ，１
０４ｂを挿入し、それぞれを異なる電流計１０５ａ，１
０５ｂに接続した構成としてもよい。こうするとフラン
ジを２分割する必要はなく加工や組立てがしやすく、ま
た、電流計１０５ａ，１０５ｂが２個あるため、それぞ
れの電流値を観察することで摩耗の傾向やレベルの違い
が把握できる。
【０００８】
【発明の効果】本発明のイオン注入装置によれば、分析
スリットのスリット近傍の摩耗を分析スリットをイオン
注入機本体から取り外したりスリットの寸法測定をする
ことなく自動的にかつ精度よく検出できるようになり測
定や管理の工数を削減できるとともに、検出遅れにより
不所望なイオンが半導体ウエハに注入されることを防止
できる。感知部を上流側のフランジに内蔵させることで
摩耗を早期に検出でき、摩耗部品としても上流側のフラ
ンジのみに留めることも可能でありメンテ費用が節約で
きる。また、感知部として融点が高くかつ高温強さが高
いタンタル線を用いるとイオンビームで融解しにくく再
度、絶縁被覆することで再利用が可能となり好適であ
る。また、感知部をスリットの全周に亘り配置し、あら
ゆる方向の摩耗を検知可能としてもよいが、任意の２以
上のポイントに配置し、それぞれ異なる検知部に接続す
ると摩耗の傾向やレベルの違いが把握できる。
スリットのスリット近傍の摩耗を分析スリットをイオン
注入機本体から取り外したりスリットの寸法測定をする
ことなく自動的にかつ精度よく検出できるようになり測
定や管理の工数を削減できるとともに、検出遅れにより
不所望なイオンが半導体ウエハに注入されることを防止
できる。感知部を上流側のフランジに内蔵させることで
摩耗を早期に検出でき、摩耗部品としても上流側のフラ
ンジのみに留めることも可能でありメンテ費用が節約で
きる。また、感知部として融点が高くかつ高温強さが高
いタンタル線を用いるとイオンビームで融解しにくく再
度、絶縁被覆することで再利用が可能となり好適であ
る。また、感知部をスリットの全周に亘り配置し、あら
ゆる方向の摩耗を検知可能としてもよいが、任意の２以
上のポイントに配置し、それぞれ異なる検知部に接続す
ると摩耗の傾向やレベルの違いが把握できる。
【図１】 本発明のイオン注入装置の概略構成図
【図２】 図１の分析スリットの分解斜視図
【図３】 図２の分析スリットの拡大図（スリット近傍
が摩耗した状態）
が摩耗した状態）
【図４】 感知部の他の構成図
【図５】 従来のイオン注入装置の概略構成図
【図６】 図５の分析スリットの分解斜視図
２ イオン源 ３ 分析マグネット ５ 加速管 ６ 半導体ウエハ ８ スリット １０１ イオン注入装置 １０２ 分析スリット １０３，１０３ａ，１０３ｂ テフロン膜 １０４，１０４ａ，１０４ｂ タンタル線 １０５，１０５ａ，１０５ｂ 電流計 １０６，１０８ フランジ １０７ 溝 １０９ａ，１０９ｂ 感知部挿入穴
Claims (7)
- 【請求項１】イオン源から放出されて所定方向に偏向さ
れたイオンビームを分析スリットによりトリミングし、
このトリミングされたイオンビームを加速させて半導体
ウエハに照射しイオン注入するイオン注入装置におい
て、分析スリットのトリミング窓内周に分析スリットか
ら電気的に絶縁されかつイオンビームの照射を感知する
感知部を配置するとともに、前記感知部の信号を検出す
る検出部を配置したことを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】前記感知部は絶縁被膜された導体であり、
前記検出部は電流計であることを特徴とする請求項１に
記載のイオン注入装置。 - 【請求項３】前記絶縁被膜はテフロン膜であり、前記導
体はタンタル線であることを特徴とする請求項２に記載
のイオン注入装置。 - 【請求項４】前記感知部を分析スリットの上流側の面近
傍でかつスリットの摩耗限界位置に配置したことを特徴
とする請求項１に記載のイオン注入装置。 - 【請求項５】前記感知部をスリットに対して全周に亘っ
て配置したことを特徴とする請求項４に記載のイオン注
入装置。 - 【請求項６】前記感知部をスリットに対して任意にポイ
ントに配置したことを特徴とする請求項４に記載のイオ
ン注入装置。 - 【請求項７】前記任意のポイントが２以上あり、各ポイ
ントに配置した感知部をそれぞれ異なる検知部に接続し
たことを特徴とする請求項６に記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001064861A JP2002270129A (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001064861A JP2002270129A (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002270129A true JP2002270129A (ja) | 2002-09-20 |
Family
ID=18923628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001064861A Pending JP2002270129A (ja) | 2001-03-08 | 2001-03-08 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002270129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10395890B2 (en) | 2017-01-06 | 2019-08-27 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
-
2001
- 2001-03-08 JP JP2001064861A patent/JP2002270129A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10395890B2 (en) | 2017-01-06 | 2019-08-27 | Sumitomo Heavy Industries Ion Technology Co., Ltd. | Ion implantation method and ion implantation apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6677598B1 (en) | Beam uniformity and angular distribution measurement system | |
| US7878145B2 (en) | Monitoring plasma ion implantation systems for fault detection and process control | |
| JP2985826B2 (ja) | 位置検出装置および方法 | |
| TWI428964B (zh) | 離子植入機之法拉弟杯的磁性監控 | |
| US4085022A (en) | Method and apparatus for controlling the removal, by means of ion etching, of a thin layer from a substrate | |
| JP2002270129A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPH0954130A (ja) | ワーク電位の測定方法 | |
| JP2000065942A (ja) | ビーム量計測装置 | |
| KR100532364B1 (ko) | 반도체 이온주입기의 가속에너지 실시간 감시장치 | |
| JP2657321B2 (ja) | イオン注入装置 | |
| JP2002008578A (ja) | イオン注入装置 | |
| JP3371550B2 (ja) | ビーム照射装置 | |
| JPS6139356A (ja) | イオン打込装置 | |
| JPH0737232Y2 (ja) | イオンビーム照射装置 | |
| JP2605630B2 (ja) | 二次イオン質量分析方法 | |
| JPH0246642A (ja) | 集束荷電ビーム装置 | |
| JPH04337232A (ja) | イオン電流経時変化検出方法 | |
| JP3140557B2 (ja) | レーザイオン化中性粒子質量分析装置及びこれを用いる分析法 | |
| JPH0613015A (ja) | イオン注入装置 | |
| CN111312572A (zh) | 离子注入机台的监控方法 | |
| JPH11330180A (ja) | 薄膜絶縁膜の評価方法及び評価装置 | |
| JPH03264665A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002008580A (ja) | イオン注入装置 | |
| JPS6212040A (ja) | イオン注入装置用ビ−ムセンサ | |
| JP2598283B2 (ja) | 荷電粒子照射装置におけるイオンビーム検出方法 |