JP2002265918A - Insulating adhesive - Google Patents

Insulating adhesive

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JP2002265918A
JP2002265918A JP2001065655A JP2001065655A JP2002265918A JP 2002265918 A JP2002265918 A JP 2002265918A JP 2001065655 A JP2001065655 A JP 2001065655A JP 2001065655 A JP2001065655 A JP 2001065655A JP 2002265918 A JP2002265918 A JP 2002265918A
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cyanate
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良隆 奥川
Hitoshi Aoki
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an insulating adhesive which exhibits excellent electrical properties, processability, storability, and reliability in uses of electronic materials, especially, multilayer wiring boards. SOLUTION: This adhesive is prepared by formulating a cyanate compound with a thermoplastic resin and a silica filler containing 10-1,000 ppm 1-10C alcohol.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁接着剤に関す
るものであり、電子・電気部品等の用途、例えば、半導
体装置等、特に半導体搭載用基板、多層配線基板に用い
る絶縁接着剤に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an insulating adhesive, and more particularly to an insulating adhesive used for electronic and electric parts, for example, for semiconductor devices and the like, particularly for a semiconductor mounting substrate and a multilayer wiring substrate. is there.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化並びに軽薄短
小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらには
高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に使
用される半導体パッケージは、従来にも増して益々小型
化かつ多ピン化が進んできている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the demand for higher functionality and lighter, thinner and smaller electronic devices, high-density integration and high-density mounting of electronic components have been progressing. Semiconductor packages have been increasingly miniaturized and have more pins than ever before.

【0003】従来の回路基板はプリント配線板と呼ば
れ、ガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させた積層
板からなる、ガラスエポキシ板に貼り付けられた銅箔を
パターニングした後、複数枚重ねて積層接着し、ドリル
で貫通穴を開けて、この穴の壁面に銅メッキを行ってビ
アを形成し、層間の電気接続を行った配線基板の使用が
主流であった。しかし、搭載部品の小型化、高密度化が
進み、上記の配線基板では配線密度が不足して、部品の
搭載に問題が生じるようになってきている。
[0003] A conventional circuit board is called a printed wiring board, which is formed by laminating a glass fiber woven fabric with an epoxy resin. In general, a wiring board in which a through-hole is formed by drilling, a through-hole is drilled, a via is formed by plating the wall surface of the hole with a copper, and an electrical connection between the layers is made. However, the mounting components have been reduced in size and density, and the wiring density of the above-mentioned wiring boards has become insufficient, and problems have arisen in mounting components.

【0004】このような背景により、近年、ビルドアッ
プ多層配線板が採用されている。ビルドアップ多層配線
板は、樹脂のみで構成される絶縁層と、導体とを積み重
ねながら成形される。ビア形成方法としては、従来のド
リル加工に代わって、レーザ法、プラズマ法、フォト法
等多岐にわたり、小径のビアホールを自由に配置するこ
とで、高密度化を達成するものである。層間接続部とし
ては、ブライドビア(Blind Via)やバリード
ビア(Buried Via:ビアを導電体で充填した
構造)等があり、ビアの上にビアを形成するスタックド
ビアが可能な、バリードビアホールが特に注目されてい
る。バリードビアホールとしては、ビアホールをメッキ
で充填する方法と、導電性ペースト等で充填する場合と
に分けられる。一方、配線パターンを形成する方法とし
て、銅箔をエッチングする方法(サブトラクティブ
法)、電解銅メッキによる方法(アディティブ法)等が
あり、配線密度の高密度化に対応可能なアディティブ法
が特に注目され始めている。
[0004] Against this background, recently, build-up multilayer wiring boards have been adopted. The build-up multilayer wiring board is formed while stacking an insulating layer made of only a resin and a conductor. As the via forming method, a variety of methods such as a laser method, a plasma method, and a photo method are used instead of the conventional drilling, and a high-density is achieved by freely arranging small-diameter via holes. Examples of the interlayer connection portion include a blind via (Blind Via) and a buried via (Buried Via: a structure in which a via is filled with a conductor). A buried via hole, in which a stacked via in which a via is formed on a via, is possible, is particularly noted. Have been. The buried via hole is classified into a method of filling the via hole by plating and a method of filling the via hole with a conductive paste or the like. On the other hand, as a method of forming a wiring pattern, there are a method of etching a copper foil (subtractive method), a method of electrolytic copper plating (additive method), and the like. Is starting to be.

【0005】多層配線板の高密度化・高速化に伴い、配
線回路の高密度化、ビアの小径化はもちろんのこと、絶
縁樹脂に対する要求特性も益々厳しくなりつつある。特
に、電気特性に関する要求は厳しく、従来の低コスト、
高いハンドリング性を有すエポキシ樹脂系の処方では、
限界が見え始めている。そこで、ハイエンドの多層配線
板では、電気特性、信頼性、耐熱性に優れるポリイミド
樹脂が盛んに使用されているが、高耐熱ポリイミド樹脂
では、ポリアミック酸からポリイミドへ閉環時に高温プ
ロセスを必要とし、また、耐熱性に非常に優れる樹脂で
あるが故に、加工性が非常に悪く、またコストも高いと
いった問題がある。
As the density and speed of multilayer wiring boards increase, not only the density of wiring circuits and the diameter of vias become smaller, but also the characteristics required for insulating resins are becoming increasingly severe. In particular, the demands on the electrical characteristics are severe,
In the epoxy resin formulation with high handling properties,
The limits are beginning to appear. Therefore, in the high-end multilayer wiring board, a polyimide resin having excellent electrical properties, reliability, and heat resistance is actively used.However, the high heat-resistant polyimide resin requires a high-temperature process at the time of ring closure from polyamic acid to polyimide, and However, since the resin is very excellent in heat resistance, there is a problem that the processability is very poor and the cost is high.

【0006】また、半導体が直接搭載される半導体パッ
ケージ基板において、半導体と半導体パッケージ基板の
熱膨張係数の違いに起因する熱応力が問題となる。そこ
で、半導体パッケージ基板に用いられる樹脂には、電気
特性だけでなく絶縁樹脂の熱膨張係数が小さいことが重
要となる。絶縁樹脂層の厚みが100ミクロン以上であ
る場合、絶縁樹脂をガラスクロスに含浸させることで低
膨張化を達成してきたが、より高密度の半導体パッケー
ジ基板では、絶縁樹脂層の厚みが50ミクロン以下と薄
く、ガラスクロスを使用することができない。そこで、
低膨張化のために、もともと膨張率が低い高耐熱ポリイ
ミド樹脂を使用したり、絶縁樹脂に無機フィラーを充填
する手法が取られている。高耐熱ポリイミド樹脂を使用
した場合、上述した問題があり、また、絶縁樹脂に無機
フィラーを充填する手法は、ある程度低膨張化が達成で
きるものの、絶縁樹脂層がより薄くなるに従い、絶縁信
頼性、加工性の点で無機フィラーの充填率に制限があ
り、低膨張化が達成できない。
Further, in a semiconductor package substrate on which a semiconductor is directly mounted, there is a problem of thermal stress caused by a difference in thermal expansion coefficient between the semiconductor and the semiconductor package substrate. Therefore, it is important for the resin used for the semiconductor package substrate to have a small thermal expansion coefficient of the insulating resin as well as the electrical characteristics. When the thickness of the insulating resin layer is 100 microns or more, low expansion has been achieved by impregnating the insulating resin into glass cloth. However, in a higher-density semiconductor package substrate, the thickness of the insulating resin layer is 50 microns or less. And thin, glass cloth can not be used. Therefore,
In order to reduce the expansion, a method of using a high heat-resistant polyimide resin having a low expansion coefficient or filling an insulating resin with an inorganic filler has been adopted. In the case of using a high heat-resistant polyimide resin, the above-mentioned problems are present, and the method of filling the insulating resin with an inorganic filler can achieve a low expansion to some extent, but as the insulating resin layer becomes thinner, insulation reliability, The filling rate of the inorganic filler is limited in terms of processability, and low expansion cannot be achieved.

【0007】一方、半導体パッケージ基板のインピーダ
ンス制御の観点から、絶縁樹脂層の膜厚制御も重要とな
る。パッケージ基板に直接絶縁樹脂を塗布する方法で
は、膜厚制御が困難であるため、銅箔上もしくは、PE
T上に予め、絶縁樹脂層を形成した、ドライフィルムタ
イプが膜厚制御に適している。ドライフィルムの絶縁樹
脂に必要な特性は、十分なフィルム性を有しており、さ
らに、生産性の観点から、低温加工性、フィルム保存性
が重要となる。しかしながら、ドライフィルムタイプの
絶縁樹脂であり、且つ上述の電気特性、低膨張係数、高
加工性等のすべての特性を満たす絶縁樹脂は存在しな
い。
On the other hand, from the viewpoint of controlling the impedance of the semiconductor package substrate, controlling the thickness of the insulating resin layer is also important. In the method of applying an insulating resin directly to the package substrate, it is difficult to control the film thickness.
A dry film type in which an insulating resin layer is previously formed on T is suitable for controlling the film thickness. The characteristics required for the insulating resin of the dry film include sufficient film properties, and further, low-temperature processability and film preservability are important from the viewpoint of productivity. However, there is no insulating resin which is a dry film type insulating resin and satisfies all the above-mentioned characteristics such as the electrical characteristics, the low expansion coefficient, and the high workability.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
現状の問題点に鑑みなされたものであって、電気特性、
加工性、保存性、信頼性に優れる絶縁接着剤を提供する
ことにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and has been made in consideration of the electric characteristics,
An object of the present invention is to provide an insulating adhesive excellent in processability, storage stability and reliability.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】即ち本発明は、シアネー
ト化合物と、熱可塑性樹脂と、炭素数1〜10のアルコ
ール10〜1000ppmを含有したシリカフィラーと
を含んでなることを特徴とする絶縁接着剤である。
That is, the present invention provides an insulating adhesive comprising a cyanate compound, a thermoplastic resin, and a silica filler containing 10 to 1000 ppm of an alcohol having 1 to 10 carbon atoms. Agent.

【0010】本発明は、好ましくは、シアネート化合物
100重量部に対して、熱可塑性樹脂5〜400重量
部、炭素数1〜10のアルコール10〜1000ppm
を含有したシリカフィラー5〜400重量部を含んでな
り、さらに、金属アセチルアセトネート0.0001〜
0.1重量部を含んでなることが好ましい。より好まし
くは 金属アセチルアセトネートが、二価状態の銅、マ
ンガン、ニッケル、コバルト、鉛、亜鉛および錫、三価
状態のアルミニウム、鉄、コバルトおよびマンガン、な
らびに四価状態のチタンより選ばれる配位金属を含んで
なる。
In the present invention, preferably, the thermoplastic resin is 5 to 400 parts by weight, and the alcohol having 1 to 10 carbon atoms is 10 to 1000 ppm based on 100 parts by weight of the cyanate compound.
5 to 400 parts by weight of a silica filler containing the metal acetylacetonate 0.0001 to
Preferably, it comprises 0.1 parts by weight. More preferably, the metal acetylacetonate is a coordination selected from copper, manganese, nickel, cobalt, lead, zinc and tin in the divalent state, aluminum, iron, cobalt and manganese in the trivalent state, and titanium in the tetravalent state Comprising metal.

【0011】さらに、好ましくは、本発明に用いるシア
ネート化合物が、一般式(1)で表されるシアネート化
合物、一般式(2)で表されるシアネート化合物、及
び、これらの化合物のシアネート基が40%以下で3量
化した、少なくとも二つ以上のシアネート基を有するシ
アネート化合物からなる群より選択された少なくとも一
種以上である。
More preferably, the cyanate compound used in the present invention is a cyanate compound represented by the general formula (1), a cyanate compound represented by the general formula (2), and a compound having a cyanate group of 40 or less. % Or less, and at least one or more selected from the group consisting of cyanate compounds having at least two or more cyanate groups.

【0012】[0012]

【化4】 (式(1)中、R1〜R6はそれぞれ独立して水素原子、
メチル基、フルオロアルキル基、ハロゲン原子のいずれ
かを表す。)
Embedded image (In the formula (1), R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom,
Represents any of a methyl group, a fluoroalkyl group, and a halogen atom. )

【0013】[0013]

【化5】 (式(2)中、R1〜R3はそれぞれ独立して水素原子、
メチル基、フルオロアルキル基、ハロゲン原子を示し、
nは0〜6の整数を表す。)
Embedded image (In the formula (2), R 1 to R 3 are each independently a hydrogen atom,
A methyl group, a fluoroalkyl group, a halogen atom,
n represents the integer of 0-6. )

【0014】さらに好ましくは、本発明に用いる熱可塑
性樹脂が、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノン
テトラカルボン酸二無水物、4,4’−オキシジフタル
酸二無水物、4,4’−ジフェニルスルホンテトラカル
ボン酸二無水物からなる群より選択された少なくとも一
種以上の芳香族テトラカルボン酸成分と、一般式(3)
で表されるジアミノポリシロキサン10〜80モル%、
及び芳香族ジアミン20〜90モル%からなるジアミン
成分とを反応させて合成された可溶性ポリイミドシロキ
サン、フェノキシ樹脂、あるいはポリエーテルスルホン
である。
More preferably, the thermoplastic resin used in the present invention is 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride or 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride. At least one aromatic tetracarboxylic acid component selected from the group consisting of a compound, 4,4′-oxydiphthalic dianhydride and 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride;
10 to 80 mol% of a diaminopolysiloxane represented by
And a soluble polyimide siloxane, phenoxy resin, or polyether sulfone synthesized by reacting a diamine component comprising 20 to 90 mol% of an aromatic diamine.

【0015】[0015]

【化6】 (式(3)中、R7は2価の炭化水素基を示し、R8〜R
11は低級アルキル基又はフェニル基を示し、nは1〜2
0の整数を示す。)
Embedded image (In the formula (3), R 7 represents a divalent hydrocarbon group, R 8 to R
11 represents a lower alkyl group or a phenyl group;
Indicates an integer of 0. )

【0016】[0016]

【本発明の実施の形態】本発明に用いるシアネート化合
物は、好ましくは、一般式(1)で表される化合物、一
般式(2)で表される化合物、または、これらの化合物
のシアネート基が1%以上40%以下3量化した、少な
くとも二つ以上のシアネート基を有する化合物からなる
群より選択された少なくとも一種以上であり、具体的に
は、ビスフェノール−Aジシアネートエチリデンビス−
4,1−フェニレンジシアネート、テトラオルトメチル
ビスフェノール−Fジシアネート、フェノールノボラッ
クポリシアネート、クレゾールノボラックポリシアネー
ト、ジシクロペンタジエニルビスフェノールジシアネー
ト、ヘキサフルオロビスフェノールAジシアネート等及
びこれらのシアネート基を前記の範囲で3量化した化合
物が挙げられる。これらの内、特に、フェノールノボラ
ックポリシアネート、クレゾールノボラックポリシアネ
ートは好適である。前記シアネート化合物を用いること
により、低温での加工性、熱時の弾性率が高く200℃
を越す高温での耐熱信頼性に優れ、低膨張率、低誘電
率、および、低誘電正接を有した絶縁接着剤を得ること
ができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The cyanate compound used in the present invention is preferably a compound represented by the general formula (1), a compound represented by the general formula (2), or a compound having a cyanate group of these compounds. At least one selected from the group consisting of compounds having at least two or more cyanate groups, trimerized from 1% to 40%, and specifically, bisphenol-A dicyanateethylidenebis-
4,1-phenylenedi cyanate, tetraorthomethylbisphenol-F dicyanate, phenol novolak polycyanate, cresol novolac polycyanate, dicyclopentadienyl bisphenol dicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, etc. And the compound trimerized by the above. Of these, phenol novolak polycyanate and cresol novolak polycyanate are particularly preferred. By using the cyanate compound, the workability at low temperature and the elastic modulus at the time of heating are high and 200 ° C.
It is possible to obtain an insulating adhesive having excellent heat resistance at high temperatures exceeding the above, having a low expansion coefficient, a low dielectric constant, and a low dielectric loss tangent.

【0017】本発明に用いる熱可塑性樹脂は、好ましく
は、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸二無
水物、4,4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸
二無水物からなる群より選択された少なくとも一種以上
である芳香族テトラカルボン酸成分と、一般式(3)で
表されるジアミノポリシロキサン10〜80モル%、及
び芳香族ジアミン20〜90モル%からなるジアミン成
分とを、重合およびイミド化することにより得られた可
溶性のポリイミドシロキサン、フェノキシ樹脂、並びに
ポリエーテルスルホンが挙げられ、それらのいずれかを
用いることができる。熱可塑性樹脂を用いることによ
り、未硬化状態でのシート性に優れ、硬化物のフィルム
強度、可撓性に優れた絶縁接着剤を得ることができる。
The thermoplastic resin used in the present invention is preferably 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride or 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride. And at least one aromatic tetracarboxylic acid component selected from the group consisting of 4,4′-oxydiphthalic dianhydride and 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride; A soluble polyimide siloxane, a phenoxy resin, and a polyether obtained by polymerizing and imidizing 10 to 80 mol% of a diaminopolysiloxane represented by the formula and a diamine component of 20 to 90 mol% of an aromatic diamine. Sulfone, and any of them can be used. By using a thermoplastic resin, an insulating adhesive having excellent sheet properties in an uncured state and excellent film strength and flexibility of a cured product can be obtained.

【0018】前記一般式(3)で表されるジアミノポリ
シロキサンとしては、1,3−ビス(3−アミノプロピ
ル)テトラメチルシロキサンやα,ω−ビス(3−アミ
ノプロピル)ポリジメチルシロキサン等であり、得られ
たポリアミド酸およびポリイミド樹脂の有機溶剤への溶
解性および熱可塑性に寄与する。また、この構造を用い
ることによって、ガラス転移温度を低くすることが可能
で、特に低温加工が必要な用途に適している。前記ジア
ミノポリシロキサンの全ジアミン成分中の量比は、溶解
性、熱可塑性の点から全ジアミン成分の10〜80モル
%の範囲内で用いることができるが、耐熱性の観点から
考えると10〜50モル%の範囲内であることがより好
ましい。特に、1,3−ビス(3−アミノプロピル)テ
トラメチルシロキサンを用いた場合には耐熱性を落とさ
ずに溶解性、熱可塑性が向上し好ましい。
Examples of the diaminopolysiloxane represented by the general formula (3) include 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethylsiloxane and α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane. And contributes to the solubility and thermoplasticity of the obtained polyamic acid and polyimide resin in organic solvents. In addition, by using this structure, the glass transition temperature can be lowered, which is particularly suitable for applications requiring low-temperature processing. The amount ratio of the diaminopolysiloxane to the total diamine component can be used within the range of 10 to 80 mol% of the total diamine component from the viewpoint of solubility and thermoplasticity. More preferably, it is within the range of 50 mol%. In particular, when 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethylsiloxane is used, solubility and thermoplasticity are improved without reducing heat resistance, which is preferable.

【0019】前記の芳香族ジアミンとしては、p−フェ
ニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、1,5−ジ
アミノナフタレン、2,6−ジアミノナフタレン、2,4
−ジアミノトルエン、2,5−ジアミノトルエン、2,5
−ジアミノ−p−キシレン、2,5−ジアミノ−m−キ
シレン、2,5−ジアミノピリジン、2,6−ジアミノピ
リジン、3,3'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−
ジアミノジフェニルメタン、3,3'−ジアミノジフェニ
ルプロパン、4,4'−ジアミノジフェニルプロパン、
3,3'−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパン、
4,4'−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパン、
3,3'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミ
ノジフェニルエーテル、3,4'−ジアミノジフェニルエ
ーテル、ベンジジン、3,3'−ジアミノビフェニル、
3,3'−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'−ジア
ミノジフェニルスルフィド、3,3'−ジアミノジフェニ
ルスルフォン、4,4'−ジアミノジフェニルスルフォ
ン、4,4'−ジアミノベンズアニリド、4,4'−メチレ
ンジ−o−トルイジン、4,4'−メチレンジ−2,6−
キシリジン、4,4'−メチレンジ−2,6−ジエチルア
ニリン、3,3'−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニ
ル、3,3'−ジメトキシベンジジン、1,3−ビス(3
−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−ア
ミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノ
フェノキシ)ベンゼン、2,2−ビス[4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4
−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロ
プロパン、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]スルフォン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)
フェニル]スルフォン、4,4'−ビス(4−アミノフェ
ノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル]エーテルなどが挙げられる。これらの中
から選択された一種または2種以上の芳香族ジアミンを
用いることが好ましい。
The aromatic diamines include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 1,5-diaminonaphthalene, 2,6-diaminonaphthalene, 2,4
-Diaminotoluene, 2,5-diaminotoluene, 2.5
-Diamino-p-xylene, 2,5-diamino-m-xylene, 2,5-diaminopyridine, 2,6-diaminopyridine, 3,3′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-
Diaminodiphenylmethane, 3,3′-diaminodiphenylpropane, 4,4′-diaminodiphenylpropane,
3,3′-diaminodiphenylhexafluoropropane,
4,4′-diaminodiphenylhexafluoropropane,
3,3′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, benzidine, 3,3′-diaminobiphenyl,
3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl sulphone, 4,4'-diaminodiphenyl sulphone, 4,4'-diaminobenzanilide, 4,4'- Methylenedi-o-toluidine, 4,4'-methylenedi-2,6-
Xylidine, 4,4′-methylenedi-2,6-diethylaniline, 3,3′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 3,3′-dimethoxybenzidine, 1,3-bis (3
-Aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4
-(4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy)
Phenyl] sulfone, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether and the like. It is preferable to use one or more aromatic diamines selected from these.

【0020】ポリイミドシロキサンの重合反応における
芳香族テトラカルボン酸成分と全ジアミン成分の当量比
は、得られるポリイミドシロキサンの分子量を決定する
重要な因子である。ポリマーの分子量と物性、特に数平
均分子量と機械的性質の間に相関があることは良く知ら
れている。数平均分子量が大きいほど機械的性質が優れ
ている。従って、実用的に優れた強度を得るためには、
ある程度高分子量であることが必要である。本発明で
は、酸成分とアミン成分の当量比rが0.95≦r≦
1.05のモル比であることが好ましい。また、機械的
強度および耐熱性の両面から、0.97≦r≦1.03
の範囲が、より好ましい。また、分子量を制御するため
にエンドキャップ剤を用いても何ら問題ない。エンドキ
ャップ剤としては、例えば、無水フタル酸、無水トリメ
リット酸などが挙げられる。
The equivalent ratio of the aromatic tetracarboxylic acid component to the total diamine component in the polymerization reaction of the polyimidesiloxane is an important factor for determining the molecular weight of the obtained polyimidesiloxane. It is well known that there is a correlation between the molecular weight and physical properties of a polymer, especially the number average molecular weight and mechanical properties. The higher the number average molecular weight, the better the mechanical properties. Therefore, in order to obtain practically superior strength,
It is necessary to have a certain high molecular weight. In the present invention, the equivalent ratio r between the acid component and the amine component is 0.95 ≦ r ≦
Preferably, the molar ratio is 1.05. Further, from the viewpoint of both mechanical strength and heat resistance, 0.97 ≦ r ≦ 1.03
Is more preferable. There is no problem even if an endcap agent is used to control the molecular weight. Examples of the end cap agent include phthalic anhydride and trimellitic anhydride.

【0021】芳香族テトラカルボン酸成分とジアミン成
分との反応は、非プロトン性極性溶媒中で公知の方法で
行われ、最終的なイミド閉環は、程度が高いほど良く、
イミド化率が低いと、使用時の熱でイミド化が起こり、
水が発生して好ましくないため、95%以上、より好ま
しくは98%以上のイミド化率が達成されることが望ま
しい。
The reaction between the aromatic tetracarboxylic acid component and the diamine component is carried out by a known method in an aprotic polar solvent, and a higher degree of final imide ring closure is better.
If the imidation rate is low, imidation occurs due to heat during use,
Since the generation of water is not preferable, it is desirable that an imidization ratio of 95% or more, more preferably 98% or more is achieved.

【0022】前記フェノキシ樹脂としては、ビスフェノ
ール−A、ビスフェノール−F、及びビスフェノール−
Sの一種又は、複数種からなるフェノキシ樹脂であれば
種類を問わない。耐熱性のために、残存モノマー量は、
500ppm以下であることが好ましい。
Examples of the phenoxy resin include bisphenol-A, bisphenol-F, and bisphenol-
The type of S is not particularly limited as long as it is a phenoxy resin composed of one type or a plurality of types. For heat resistance, the amount of residual monomer is
It is preferably at most 500 ppm.

【0023】本発明の最大の特徴は、炭素数1〜10の
アルコール10〜1000ppmを含有したシリカフィ
ラーを用いる点である。シリカフィラーに、炭素数1〜
10のアルコール10〜1000ppmを含有させるこ
とにより、シリカフィラーと樹脂とのなじみが格段に向
上する。そのため絶縁接着剤の粘度が低下し、作業性・
成形性が向上する。また、本発明の絶縁接着剤を支持フ
ィルム上に塗工し、ドライフィルム化した場合、樹脂と
シリカフィラーのなじみが良いためフィルム表面粗度が
低くなり、平滑なドライフィルムを得ることができる。
好ましくは、炭素数1〜8のアルコール10〜500p
pmを含有したシリカフィラーである。
The greatest feature of the present invention is that a silica filler containing 10 to 1000 ppm of an alcohol having 1 to 10 carbon atoms is used. Silica filler has 1 to 1 carbon atoms
By containing 10 to 1000 ppm of the alcohol of No. 10, the compatibility between the silica filler and the resin is remarkably improved. As a result, the viscosity of the insulating adhesive decreases,
Formability is improved. In addition, when the insulating adhesive of the present invention is applied on a support film to form a dry film, the surface roughness of the film is reduced due to good compatibility between the resin and the silica filler, and a smooth dry film can be obtained.
Preferably, an alcohol having 1 to 8 carbon atoms, 10 to 500 p
It is a silica filler containing pm.

【0024】シリカフィラーとしては、高純度の球状合
成石英フィラーが好ましく、0.5μmより大きく15
μmより小さい最大粒径を有することが好ましい。炭素
数1〜10のアルコールとしては、具体的には、メタノ
ール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノー
ル、1−ブタノール、2−ブタノール、1−ペンタノー
ル、2−ペンタノール、3−ペンタノール、1−ヘキサ
ノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、2−メ
チルヘキサノール、2−エチルヘキサノール、2−プロ
ピルヘキサノール、2−ブチルヘキサノールの一種又
は、複数種である。
As the silica filler, a high-purity spherical synthetic quartz filler is preferable.
It is preferred to have a maximum particle size smaller than μm. As the alcohol having 1 to 10 carbon atoms, specifically, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, 1-pentanol, 2-pentanol, 3-pentanol, One or more of 1-hexanol, 2-hexanol, 3-hexanol, 2-methylhexanol, 2-ethylhexanol, 2-propylhexanol, and 2-butylhexanol.

【0025】シリカフィラーに、炭素数1〜10のアル
コール10〜1000ppmを含有させる方法として
は、シリカフィラーを過剰量のアルコール中に、超音波
などの方法で分散させ、24時間放置後、加熱した噴霧
乾燥機ですばやく乾燥させる方法等がある。加熱・乾燥
の際、全てのアルコールが蒸発しないよう細心の注意を
払う必要がある。残存アルコールの量が1000ppm
より多い場合は、得られたシリカフィラー粉末がだまに
なり好ましくない。残存アルコールの量が10ppmよ
り少ない場合、樹脂とシリカフィラーのなじみが悪く好
ましくない。
As a method for incorporating 10 to 1000 ppm of an alcohol having 1 to 10 carbon atoms into the silica filler, the silica filler is dispersed in an excessive amount of alcohol by a method such as ultrasonic waves, left standing for 24 hours, and then heated. There is a method of quickly drying with a spray drier. Care must be taken during heating and drying to ensure that all alcohol does not evaporate. 1000 ppm of residual alcohol
If the amount is larger, the obtained silica filler powder is undesirably degraded. If the amount of the residual alcohol is less than 10 ppm, the affinity between the resin and the silica filler is poor, which is not preferable.

【0026】本発明に用いる金属アセチルアセトネート
は、中心金属原子に2以上のアセチルアセトネート配位
子が結合した金属キレートである。好ましい、配位性金
属の例は、二価状態をとる銅、マンガン、ニッケル、コ
バルト、鉛、亜鉛および錫、三価状態をとるアルミニウ
ム、鉄、コバルトおよびマンガン、ならびに四価状態の
チタンである。金属アセチルアセトネートは、シアネー
ト化合物の硬化触媒として作用し、その配合量により自
在に絶縁接着剤の反応性を制御することが可能であり、
保存性にも優れる。
The metal acetylacetonate used in the present invention is a metal chelate in which two or more acetylacetonate ligands are bonded to a central metal atom. Examples of preferred coordinating metals are copper, manganese, nickel, cobalt, lead, zinc and tin in the divalent state, aluminum, iron, cobalt and manganese in the trivalent state, and titanium in the tetravalent state. . Metal acetylacetonate acts as a curing catalyst for the cyanate compound, and it is possible to freely control the reactivity of the insulating adhesive by its compounding amount,
Excellent storage stability.

【0027】本発明の絶縁接着剤において、各成分の好
ましい配合量としては、シアネート化合物100重量部
に対して、熱可塑性樹脂5〜400重量部、炭素数1〜
10のアルコール10〜1000ppmを含有したシリ
カフィラー5〜400重量部であり、より好ましくは、
熱可塑性樹脂15〜200重量部、炭素数1〜10のア
ルコール10〜1000ppmを含有したシリカフィラ
ー20〜400重量部である。また、好ましい、金属ア
セチルアセトネートの配合量は、シアネート化合物10
0重量部に対して0.0001〜0.1重量部であり、
より好ましくは、0.005〜0.05重量部である。
In the insulating adhesive of the present invention, the preferable amount of each component is 5 to 400 parts by weight of a thermoplastic resin and 100 to 1 part by weight of a cyanate compound.
5 to 400 parts by weight of a silica filler containing 10 to 1000 ppm of alcohol, more preferably,
15 to 200 parts by weight of a thermoplastic resin and 20 to 400 parts by weight of a silica filler containing 10 to 1000 ppm of an alcohol having 1 to 10 carbon atoms. Further, the preferable compounding amount of the metal acetylacetonate is as follows.
0.0001 to 0.1 parts by weight with respect to 0 parts by weight,
More preferably, it is 0.005 to 0.05 parts by weight.

【0028】本発明の絶縁接着剤に、目的に応じて、レ
ベリング剤、消泡剤などの添加剤を用いることができ
る。
Additives such as a leveling agent and an antifoaming agent can be used in the insulating adhesive of the present invention according to the purpose.

【0029】本発明の絶縁接着剤は、前記成分を混合す
ることにより得られるが、これを使用する際は、溶媒に
溶解してワニスとして用いると良い。溶媒としては、具
体的には、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジ
メチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、
1,4−ジオキサン、γ−ブチルラクトン、ジグライ
ム、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、メチルセ
ルソルブ、エチルセルソルブ等である。溶媒は、一種類
のみ用いても良いし、2種類以上を混合して用いても良
い。
The insulating adhesive of the present invention can be obtained by mixing the above-mentioned components. When using the same, it is preferable to dissolve it in a solvent and use it as a varnish. Specific examples of the solvent include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone,
1,4-dioxane, γ-butyl lactone, diglyme, cyclohexanone, methyl ethyl ketone, methyl cellosolve, ethyl cellosolve and the like. The solvent may be used alone or as a mixture of two or more.

【0030】本発明の絶縁接着剤は、未硬化の樹脂成分
からなる組成物において、その軟化点が、200℃以下
であることが好ましい。好ましくは、150℃以下、さ
らに好ましくは100℃以下である。また、耐熱性接着
剤の加熱硬化温度としては、120℃〜300℃が好ま
しく、さらに好ましくは、130℃〜250℃で、熱硬
化できることが好ましい。
The insulating adhesive of the present invention preferably has a softening point of 200 ° C. or lower in a composition comprising an uncured resin component. Preferably, it is 150 ° C. or lower, more preferably 100 ° C. or lower. The heat-curing temperature of the heat-resistant adhesive is preferably from 120 ° C to 300 ° C, more preferably from 130 ° C to 250 ° C.

【0031】本発明の絶縁接着剤の用い方としては、絶
縁接着剤ワニスを、金属箔、又は、芳香族ポリイミド、
ポリエチレン、ポリエステル等の基材フィルム上に、厚
みを、例えば1〜100μmで塗布し、その塗布層を8
0℃〜200℃の温度で、20秒〜30分間乾燥するこ
とで、ワニス中の溶媒が0.5重量%程度以下になるま
で除去して、未硬化状態あるいは半硬化の絶縁接着剤の
薄膜を形成することができる。このようにして製造され
た未硬化あるいは半硬化の絶縁接着剤の薄膜は、柔軟性
を有しており、紙管などに巻き付けたりカッターでカッ
トすることもできる。さらに、保存性にも優れており、
室温保管1ヶ月後の使用にも十分耐えうる。
As the method of using the insulating adhesive of the present invention, the insulating adhesive varnish is prepared by using a metal foil, an aromatic polyimide,
A thickness of, for example, 1 to 100 μm is applied on a base film of polyethylene, polyester, or the like, and the applied layer is
By drying at a temperature of 0 ° C. to 200 ° C. for 20 seconds to 30 minutes, the solvent in the varnish is removed until it becomes about 0.5% by weight or less, and a thin film of an uncured or semi-cured insulating adhesive is removed. Can be formed. The uncured or semi-cured insulating adhesive thin film thus produced has flexibility and can be wound around a paper tube or the like or cut with a cutter. Furthermore, it has excellent storage properties,
It can withstand use after one month storage at room temperature.

【0032】前述のようにして製造された未硬化あるい
は半硬化の絶縁性接着剤の薄膜を、プリント配線板の回
路が形成された面にラミネートするには、真空ラミネー
タ、真空プレスなどを用いることができる。ラミネート
は、60℃〜200℃、特に70℃〜150℃の温度で
行うことができる。
In order to laminate the thin film of the uncured or semi-cured insulating adhesive produced as described above on the surface of the printed wiring board on which the circuit is formed, a vacuum laminator, a vacuum press, or the like is used. Can be. Lamination can be carried out at a temperature between 60C and 200C, especially between 70C and 150C.

【0033】[0033]

【実施例】以下、実施例により更に具体的に説明する
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the invention is limited thereto.

【0034】(ポリイミドシロキサン(PI)−1の合
成)乾燥窒素ガス導入管、冷却器、温度計、撹拌機を備
えた四口フラスコに、脱水精製したN−メチル−2−ピ
ロリドン(NMP)791gを入れ、窒素ガスを流しな
がら10分間激しくかき混ぜる。次に、2,2−ビス
(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン
(BAPP)73.8926g(0.180モル)、
1,3−ジ(3−アミノフェノキシ)ベンゼン(AP
B)17.5402g(0.060モル)、α,ω−ビ
ス(3−アミノプロピル)ポリジメチルシロキサン(A
PPS)50.2200g(平均分子量837、0.0
60モル)を投入し、系を60℃に加熱し、均一になる
までかき混ぜる。均一に溶解後、系を氷水浴で5℃に冷
却し、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン
酸二無水物(BPDA)44.1330g(0.150
モル)、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物(BTDA)48.4110g
(0.150モル)を、粉末状のまま15分間かけて添
加し、その後3時間撹拌を続けた。この間、フラスコは
5℃に保った。その後、窒素ガス導入管と冷却器を外
し、キシレンを満たしたディーン・スターク管をフラス
コに装着し、系にキシレン198gを添加した。油浴に
代えて、系を175℃に加熱し、発生する水を系外に除
いた。4時間加熱したところ、系からの水の発生は認め
られなくなった。冷却後、この反応溶液を大量のメタノ
ール中に投入し、ポリイミドシロキサンを析出させた。
固形分を濾過後、80℃で12時間減圧乾燥し溶剤を除
き、227.79g(収率92.1%)の固形樹脂を得
た。KBr錠剤法で赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、環状イミド結合に由来する5.6μmの吸収を認め
たが、アミド結合に由来する6.06μmの吸収を認め
ることはできず、この樹脂はほぼ100%イミド化して
いることが確かめられた。
(Synthesis of polyimidesiloxane (PI) -1) 791 g of dehydrated and purified N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was placed in a four-necked flask equipped with a dry nitrogen gas inlet tube, a condenser, a thermometer, and a stirrer. And stir vigorously for 10 minutes while flowing nitrogen gas. Next, 73.8926 g (0.180 mol) of 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane (BAPP),
1,3-di (3-aminophenoxy) benzene (AP
B) 17.5402 g (0.060 mol) of α, ω-bis (3-aminopropyl) polydimethylsiloxane (A
(PPS) 50.2200 g (average molecular weight 837, 0.0
(60 mol), heat the system to 60 ° C. and stir until uniform. After dissolving uniformly, the system was cooled to 5 ° C. in an ice water bath, and 44.1330 g of 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) (0.150 g) was added.
Mol), 3,3 ', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA) 48.4110 g
(0.150 mol) was added over 15 minutes while keeping the powdery state, and then stirring was continued for 3 hours. During this time, the flask was kept at 5 ° C. Thereafter, the nitrogen gas inlet tube and the condenser were removed, a Dean-Stark tube filled with xylene was attached to the flask, and 198 g of xylene was added to the system. Instead of the oil bath, the system was heated to 175 ° C., and generated water was removed from the system. After heating for 4 hours, no water was generated from the system. After cooling, the reaction solution was poured into a large amount of methanol to precipitate polyimide siloxane.
After the solid content was filtered, the residue was dried under reduced pressure at 80 ° C. for 12 hours to remove the solvent and obtain 227.79 g (yield: 92.1%) of a solid resin. When the infrared absorption spectrum was measured by the KBr tablet method, an absorption of 5.6 μm derived from the cyclic imide bond was observed, but an absorption of 6.06 μm derived from the amide bond was not observed. It was confirmed that the imidization was 100%.

【0035】(ポリイミドシロキサン(PI)−2の合
成)ジアミン成分として、4,4−メチレンジ−2,6
−キシリジン(MDX)0.15モル、2,2−ビス
(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン
(BAPP)0.09モル、1,3−ビス(3−アミノ
プロピル)テトラメチルシロキサン(APDS)0.0
6モル、芳香族テトラカルボン酸成分として、3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
(BPDA)0.135モル、3,3’,4,4’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物(BTDA)
0.015モルを使用した以外は、ポリイミド樹脂PI
−1の合成と同様にして可溶性のポリイミドシロキサン
を合成した。
(Synthesis of Polyimidesiloxane (PI) -2) As a diamine component, 4,4-methylenedi-2,6
-Xylidine (MDX) 0.15 mol, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane (BAPP) 0.09 mol, 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethylsiloxane ( APDS) 0.0
6 moles of aromatic tetracarboxylic acid component, 3,
0.135 mol of 3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA), 3,3', 4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride (BTDA)
Except that 0.015 mol was used, polyimide resin PI
A soluble polyimide siloxane was synthesized in the same manner as in the synthesis of -1.

【0036】(実施例1)フェノールノボラックポリシ
アネート樹脂(ロンザ(株)製、商品名:Primas
etPT−15)100g、球状合成シリカフィラー
(アドマテックス(株)製SE2100、平均粒径0.
5μm、イソプロピルアルコール含有量120ppm)
250gを混合した後、更に、上記で得られたポリイミ
ドシロキサン−2の50g、コバルト(III)アセチル
アセトネート(Co(AA))(和光純薬工業(株)
製)0.02gと、NMP160g中に加えて、撹拌、
溶解し絶縁接着剤ワニスを調製した。この絶縁接着剤ワ
ニスを25μm厚のポリエステルフィルム(PET)
(三菱化学ポリエステルフィルム(株)社製、商品名:
T−100G)上に、コンマコーターを用いて塗布し、
80℃で10分、130℃で10分乾燥し、25μm厚
の絶縁接着剤層を形成した。このPET上に塗工した絶
縁接着剤層を、25℃の温度で1ヶ月保管し、DSC測
定により、保管前後のフィルムの反応熱量を測定し、保
存性を評価した。結果を表2に示す。反応熱量に変化が
ないものを○とし、反応熱量が減少しているものを×と
した。線幅/線間/厚み=40μm/40μm/12μ
mの配線パターンが形成された配線パターンと前記絶縁
接着剤層を、真空中、100℃に加熱したラミネートロ
ール間で、圧力を加えながら通過させることで真空圧着
し、さらに、100℃の乾燥機で10分熱処理すること
で、配線パターンを埋め込んだ。ここでの回路埋込性、
作業性を加工性とし、表2に結果を示した。加工性が良
好であるものを○、不良であるものを×とした。続い
て、PETフィルムを剥離し、絶縁接着剤付き配線パタ
ーンと18μm厚の銅箔(三井金属(株)社製、商品
名:3EC−VLP)を、120℃に加熱したラミネー
トロール間で、圧力を加えながら通過させることで真空
圧着した。この圧着した積層体を、180℃で1時間、
220℃で1時間、250℃で1時間熱処理すること
で、絶縁接着剤層を硬化させた。この積層体を、温度3
0℃、湿度70%の恒温恒湿槽に168時間処理後、ピ
ークトップ240℃に設定したIRリフロー装置に、二
回投入し、膨れの有無を確認し、耐リフロー性を評価し
表2に示した。膨れがないものを○、膨れたものを×と
した。また、70μm厚の銅箔(三井金属(株)社製、
商品名:3EC−VLP)とPET上に塗工した絶縁接
着剤層を、真空中、100℃に加熱したラミネートロー
ル間で、圧力を加えながら通過させることで真空圧着
し、続いてPETフィルムを剥離し、180℃で1時
間、220℃で1時間、250℃で1時間で硬化した。
さらに、70μm厚の銅箔をエッチングで除去すること
で、絶縁接着剤フィルム単体を得、誘電率(1MH
z)、誘電正接(1MHz)、線膨張係数の結果を表2
に示した。
(Example 1) Phenol novolac polycyanate resin (Primas, manufactured by Lonza Co., Ltd.)
etPT-15), 100 g of spherical synthetic silica filler (SE2100 manufactured by Admatex Co., Ltd.
5 μm, isopropyl alcohol content 120 ppm)
After mixing 250 g, 50 g of the above-obtained polyimidesiloxane-2 and cobalt (III) acetylacetonate (Co (AA)) (Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
0.02 g) and 160 g of NMP, stirring,
It melt | dissolved and the insulating adhesive varnish was prepared. This insulating adhesive varnish is coated with a 25 μm thick polyester film (PET).
(Mitsubishi Chemical Polyester Film Co., Ltd., trade name:
T-100G), using a comma coater,
The coating was dried at 80 ° C. for 10 minutes and at 130 ° C. for 10 minutes to form a 25 μm thick insulating adhesive layer. The insulating adhesive layer coated on the PET was stored at a temperature of 25 ° C. for one month, and the calorific value of the film before and after storage was measured by DSC measurement to evaluate the storability. Table 2 shows the results. A sample having no change in the heat of reaction was rated as ○, and a sample having a decreased heat of reaction was rated as x. Line width / line spacing / thickness = 40 μm / 40 μm / 12 μ
m and the insulating adhesive layer are vacuum-compressed by passing the wiring between the laminating rolls heated to 100 ° C. while applying pressure in a vacuum, and further dried at 100 ° C. For 10 minutes to bury the wiring pattern. Circuit embedding here,
Workability was defined as workability, and the results are shown in Table 2. Good workability was evaluated as ○, and poor workability was evaluated as ×. Subsequently, the PET film was peeled off, and a wiring pattern with an insulating adhesive and a 18 μm-thick copper foil (trade name: 3EC-VLP, manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd.) were pressed between laminating rolls heated to 120 ° C. And vacuum-press-bonded. This crimped laminate is heated at 180 ° C. for 1 hour,
The insulating adhesive layer was cured by performing a heat treatment at 220 ° C. for 1 hour and at 250 ° C. for 1 hour. This laminate is heated at a temperature of 3
After treatment in a thermo-hygrostat at 0 ° C. and 70% humidity for 168 hours, the mixture was put twice into an IR reflow apparatus set at a peak top of 240 ° C., and it was checked for blisters. Indicated. A sample without swelling was evaluated as ○, and a sample with swelling was evaluated as ×. In addition, a 70 μm thick copper foil (manufactured by Mitsui Kinzoku Co., Ltd.,
(Trade name: 3EC-VLP) and the insulating adhesive layer coated on PET are vacuum-pressed by being passed under pressure between laminating rolls heated to 100 ° C. while applying pressure, and then the PET film is pressed. It was peeled and cured at 180 ° C. for 1 hour, 220 ° C. for 1 hour, and 250 ° C. for 1 hour.
Further, by removing the copper foil having a thickness of 70 μm by etching, a single insulating adhesive film was obtained, and a dielectric constant (1 MH) was obtained.
Table 2 shows the results of z), dielectric loss tangent (1 MHz), and coefficient of linear expansion.
It was shown to.

【0037】(実施例2〜4、比較例1〜3)各成分の
組成を表1に示すようにした他は、実施例1と同様にし
て積層体を製造した。評価した結果をまとめて表2に示
す。
(Examples 2 to 4, Comparative Examples 1 to 3) A laminate was produced in the same manner as in Example 1 except that the composition of each component was as shown in Table 1. Table 2 summarizes the results of the evaluation.

【0038】[0038]

【表1】 [Table 1]

【0039】[0039]

【表2】 [Table 2]

【0040】表1において、実施例2のAroCyB3
0は、旭チバ(株)製のビスフェノール−Aジシアネー
ト(シアネート基3量化率30%)であり、Cu(A
A)は、和光純薬工業(株)製の銅(II)アセチルアセ
トネートであり、実施例3のYP−70は、東都化成
(株)製の(ビスフェノール−A/ビスフェノール−
F)共重合フェノキシ樹脂であり、比較例1のSO−2
5Hはアドマテックス(株)製の球状合成シリカフィラ
ー(平均粒径0.6μm、イソプロピルアルコール含有
量0ppm)である。
In Table 1, AroCyB3 of Example 2
0 is bisphenol-A dicyanate (Cyanate group trimerization rate 30%) manufactured by Asahi Ciba Co., Ltd., and Cu (A
A) is copper (II) acetylacetonate manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., and YP-70 of Example 3 is (bisphenol-A / bisphenol-
F) SO-2 of Comparative Example 1 which is a copolymerized phenoxy resin
5H is a spherical synthetic silica filler (average particle size: 0.6 μm, isopropyl alcohol content: 0 ppm) manufactured by Admatex Corporation.

【0041】[0041]

【発明の効果】本発明は、絶縁接着剤を支持フィルム上
に塗工、乾燥することによって、未硬化状態での保存
性、作業性に優れる薄層フィルムを得ることができ、回
路が形成された基板上に低温で張り合わせることがで
き、支持フィルムを剥離することで、絶縁接着剤層を転
写でき、さらに、その絶縁接着剤層の上に、銅箔、回路
加工物などを積層でき、得られた積層体は、優れた電気
特性、信頼性を示す絶縁接着剤を提供することができ
る。
According to the present invention, a thin film having excellent preservability and workability in an uncured state can be obtained by coating and drying an insulating adhesive on a support film, and a circuit is formed. Can be bonded at a low temperature on a substrate that has been peeled off, and by peeling off the support film, the insulating adhesive layer can be transferred.Furthermore, copper foil, circuit products, etc. can be laminated on the insulating adhesive layer, The obtained laminate can provide an insulating adhesive exhibiting excellent electrical characteristics and reliability.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09J 183/10 C09J 183/10 // H05K 3/46 H05K 3/46 T Fターム(参考) 4J040 EE001 EE061 EH031 EJ031 EK071 EK111 GA03 GA22 GA25 HA306 HB08 HC16 HD43 KA16 KA23 LA07 LA09 MA02 NA19 NA20 4J043 PA05 PA06 QB15 QB26 RA35 SB03 TA22 TB01 TB02 UA121 UA131 UA132 UA261 UA361 UB011 UB021 UB061 UB121 UB122 UB281 UB301 UB302 UB351 UB401 UB402 VA011 VA022 VA041 VA051 VA062 VA081 VA102 XA03 XA19 ZA21 ZA46 ZB01 ZB50 5E346 AA16 CC10 CC32 CC43 DD02 DD12 HH01 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) C09J 183/10 C09J 183/10 // H05K 3/46 H05K 3/46 TF term (Reference) 4J040 EE001 EE061 EH031 EJ031 EK071 EK111 GA03 GA22 GA25 HA306 HB08 HC16 HD43 KA16 KA23 LA07 LA09 MA02 NA19 NA20 4J043 PA05 PA06 QB15 QB26 RA35 SB03 TA22 TB01 TB02 UA121 UA131 VA132 UA261 UA1 UB1 UB1 UB1 UB1 UB1 VA102 XA03 XA19 ZA21 ZA46 ZB01 ZB50 5E346 AA16 CC10 CC32 CC43 DD02 DD12 HH01

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 シアネート化合物と、熱可塑性樹脂と、
炭素数1〜10のアルコール10〜1000ppmを含
有したシリカフィラーとを含んでなることを特徴とする
絶縁接着剤。
1. A cyanate compound, a thermoplastic resin,
An insulating adhesive comprising: a silica filler containing 10 to 1000 ppm of an alcohol having 1 to 10 carbon atoms.
【請求項2】 シアネート化合物100重量部に対し
て、熱可塑性樹脂5〜400重量部、炭素数1〜10の
アルコール10〜1000ppmを含有したシリカフィ
ラー5〜400重量部を含んでなることを特徴とする請
求項1記載の絶縁接着剤。
2. A composition comprising 5-400 parts by weight of a thermoplastic resin and 5-400 parts by weight of a silica filler containing 10-1000 ppm of an alcohol having 1-10 carbon atoms, based on 100 parts by weight of a cyanate compound. The insulating adhesive according to claim 1, wherein
【請求項3】 さらに、金属アセチルアセトネート0.
0001〜0.1重量部を含んでなることを特徴とする
請求項2記載の絶縁接着剤。
3. The method according to claim 1, wherein the metal acetylacetonate is 0.1%.
3. The insulating adhesive according to claim 2, comprising 0001 to 0.1 parts by weight.
【請求項4】 金属アセチルアセトネートが、二価状態
の銅、マンガン、ニッケル、コバルト、鉛、亜鉛および
錫、三価状態のアルミニウム、鉄、コバルトおよびマン
ガン、ならびに四価状態のチタンより選ばれる配位金属
を含んでなることを特徴とする請求項3記載の絶縁接着
剤。
4. The metal acetylacetonate is selected from copper, manganese, nickel, cobalt, lead, zinc and tin in the divalent state, aluminum, iron, cobalt and manganese in the trivalent state, and titanium in the tetravalent state. The insulating adhesive according to claim 3, comprising a coordination metal.
【請求項5】 シアネート化合物が、一般式(1)で表
されるシアネート化合物、一般式(2)で表されるシア
ネート化合物、及び、これらの化合物のシアネート基が
40%以下で3量化した、少なくとも二つ以上のシアネ
ート基を有するシアネート化合物からなる群より選択さ
れた少なくとも一種以上であることを特徴とする請求項
1ないし請求項4のいずれかに記載の絶縁接着剤。 【化1】 (式(1)中、R1〜R6はそれぞれ独立して水素原子、
メチル基、フルオロアルキル基、ハロゲン原子のいずれ
かを表す。) 【化2】 (式(2)中、R1〜R3はそれぞれ独立して水素原子、
メチル基、フルオロアルキル基、ハロゲン原子を示し、
nは0〜6の整数を表す。)
5. A cyanate compound represented by the general formula (1), a cyanate compound represented by the general formula (2), and a cyanate compound in which the cyanate group of these compounds is trimerized at 40% or less. The insulating adhesive according to any one of claims 1 to 4, wherein the adhesive is at least one selected from the group consisting of a cyanate compound having at least two or more cyanate groups. Embedded image (In the formula (1), R 1 to R 6 are each independently a hydrogen atom,
Represents any of a methyl group, a fluoroalkyl group, and a halogen atom. ) (In the formula (2), R 1 to R 3 are each independently a hydrogen atom,
A methyl group, a fluoroalkyl group, a halogen atom,
n represents the integer of 0-6. )
【請求項6】 熱可塑性樹脂が、3,3’,4,4’−
ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,
4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、4,
4’−オキシジフタル酸二無水物、4,4’−ジフェニ
ルスルホンテトラカルボン酸二無水物からなる群より選
択された少なくとも一種以上の芳香族テトラカルボン酸
成分と、一般式(3)で表されるジアミノポリシロキサ
ン10〜80モル%、及び芳香族ジアミン20〜90モ
ル%からなるジアミン成分とを反応させて合成された可
溶性ポリイミドシロキサン、フェノキシ樹脂、あるいは
ポリエーテルスルホンであることを特徴とする請求項1
ないし請求項5のいずれかに記載の絶縁接着剤。 【化3】 (式(3)中、R7は2価の炭化水素基を示し、R8〜R
11は低級アルキル基又はフェニル基を示し、nは1〜2
0の整数を示す。)
6. The method according to claim 6, wherein the thermoplastic resin is 3,3 ′, 4,4′-
Biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4
4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,
At least one or more aromatic tetracarboxylic acid components selected from the group consisting of 4'-oxydiphthalic dianhydride and 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, and represented by the general formula (3) A soluble polyimide siloxane, phenoxy resin or polyether sulfone synthesized by reacting a diamine component comprising 10 to 80 mol% of diaminopolysiloxane and 20 to 90 mol% of aromatic diamine. 1
6. The insulating adhesive according to claim 5. Embedded image (In the formula (3), R 7 represents a divalent hydrocarbon group, R 8 to R
11 represents a lower alkyl group or a phenyl group;
Indicates an integer of 0. )
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