JP2002265617A - 圧力ジャンプを用いるミクロ相分離ポリマー構造体の製造方法 - Google Patents
圧力ジャンプを用いるミクロ相分離ポリマー構造体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 コポリマーの無秩序状態から秩序状態へのク
エンチが迅速に行われ、均質性に優れたミクロ相分離ポ
リマー構造体を製造することのできる新しい技術を提供
する。 【解決手段】 ２種以上のポリマー鎖から成るブロック
コポリマーまたはグラフトコポリマーを無秩序状態から
秩序状態に変化させてミクロ相分離構造を形成すること
によりミクロ相分離ポリマー構造体を製造するに当た
り、無秩序状態にある前記コポリマーに核生成が起こら
ないような大きな圧力変化（例えば、少なくとも１０倍
の圧力変化）を与えて秩序状態にするミクロ相分離ポリ
マー構造体の製造方法による。
エンチが迅速に行われ、均質性に優れたミクロ相分離ポ
リマー構造体を製造することのできる新しい技術を提供
する。 【解決手段】 ２種以上のポリマー鎖から成るブロック
コポリマーまたはグラフトコポリマーを無秩序状態から
秩序状態に変化させてミクロ相分離構造を形成すること
によりミクロ相分離ポリマー構造体を製造するに当た
り、無秩序状態にある前記コポリマーに核生成が起こら
ないような大きな圧力変化（例えば、少なくとも１０倍
の圧力変化）を与えて秩序状態にするミクロ相分離ポリ
マー構造体の製造方法による。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ミクロ相分離構造
を有するポリマーの製造方法の技術分野に属し、特にミ
クロ相分離構造を形成する新しい方法に関する。
を有するポリマーの製造方法の技術分野に属し、特にミ
クロ相分離構造を形成する新しい方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ミクロ相分離構造を有するポリマー（以
下、ミクロ相分離ポリマー構造体ということがある）
は、そのユニークな構造に由来する特性に基づく新たな
機能性材料として期待されている。このようなミクロ相
分離ポリマー構造体を得るには、２種以上のポリマー鎖
から成るブロックまたはグラフトコポリマー（共重合
体）を無秩序状態から秩序状態に変化させてミクロ相分
離構造を形成する。
下、ミクロ相分離ポリマー構造体ということがある）
は、そのユニークな構造に由来する特性に基づく新たな
機能性材料として期待されている。このようなミクロ相
分離ポリマー構造体を得るには、２種以上のポリマー鎖
から成るブロックまたはグラフトコポリマー（共重合
体）を無秩序状態から秩序状態に変化させてミクロ相分
離構造を形成する。
【０００３】ここで、無秩序状態から秩序状態に変化さ
せること（クエンチ）によるミクロ相分離形成過程とし
ては、専ら、温度を急激に変化させる手法（温度ジャン
プ）が用いられている。しかし、温度ジャンプでは無秩
序状態から秩序状態への素早いクエンチが行なわれず、
異方性のある比較的大きなグレイン形成を伴い、均質な
ミクロ相分離構造を有するポリマーを得ることが困難で
あった。
せること（クエンチ）によるミクロ相分離形成過程とし
ては、専ら、温度を急激に変化させる手法（温度ジャン
プ）が用いられている。しかし、温度ジャンプでは無秩
序状態から秩序状態への素早いクエンチが行なわれず、
異方性のある比較的大きなグレイン形成を伴い、均質な
ミクロ相分離構造を有するポリマーを得ることが困難で
あった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、コポリマー
の無秩序状態から秩序状態へのクエンチが迅速に行なわ
れ、均質性に優れたミクロ相分離ポリマー構造体を製造
することのできる新しい技術を提供することにある。
の無秩序状態から秩序状態へのクエンチが迅速に行なわ
れ、均質性に優れたミクロ相分離ポリマー構造体を製造
することのできる新しい技術を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、検討を重ね
た結果、従来より用いられていた温度ジャンプの代わり
に、圧力ジャンプによりコポリマーのミクロ相分離を行
なわせることにより上記の目的を達成し得ることを見出
した。
た結果、従来より用いられていた温度ジャンプの代わり
に、圧力ジャンプによりコポリマーのミクロ相分離を行
なわせることにより上記の目的を達成し得ることを見出
した。
【０００６】かくして、本発明は、２種以上のポリマー
鎖から成るブロックコポリマーまたはグラフトコポリマ
ーを無秩序状態から秩序状態に変化させてミクロ相分離
構造を形成することによりミクロ相分離ポリマー構造体
を製造するに当たり、無秩序状態にある前記コポリマー
に核生成が起こらないような大きな圧力変化を与えて秩
序状態にすることを特徴とするミクロ相分離ポリマー構
造体の製造方法を提供するものである。本発明のミクロ
相分離ポリマー構造体の製造方法の好ましい具体例にお
いては、無秩序状態のコポリマーに少なくとも１０倍の
圧力変化を与える。
鎖から成るブロックコポリマーまたはグラフトコポリマ
ーを無秩序状態から秩序状態に変化させてミクロ相分離
構造を形成することによりミクロ相分離ポリマー構造体
を製造するに当たり、無秩序状態にある前記コポリマー
に核生成が起こらないような大きな圧力変化を与えて秩
序状態にすることを特徴とするミクロ相分離ポリマー構
造体の製造方法を提供するものである。本発明のミクロ
相分離ポリマー構造体の製造方法の好ましい具体例にお
いては、無秩序状態のコポリマーに少なくとも１０倍の
圧力変化を与える。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明においては、無秩序状態に
あるコポリマーに、急激に圧力を印加することにより秩
序状態である高圧側へ圧力ジャンプすることにより系を
クエンチする。例えば、後述の実施例に示すようなポリ
スチレン−ポリイソプレンジブロックコポリマーの場合
は、当初の無秩序状態の圧力に対して少なくとも１０倍
の圧力を印加する。
あるコポリマーに、急激に圧力を印加することにより秩
序状態である高圧側へ圧力ジャンプすることにより系を
クエンチする。例えば、後述の実施例に示すようなポリ
スチレン−ポリイソプレンジブロックコポリマーの場合
は、当初の無秩序状態の圧力に対して少なくとも１０倍
の圧力を印加する。
【０００８】従来より実施されているような温度を急激
に変化させること（温度ジャンプ）による秩序化構造形
成過程（ミクロ相分離構造形成過程）は、核生成と成長
により進行することが知られている。すなわち、温度ジ
ャンプにより系を変化させた場合には、熱の拡散は遅い
ために系全体にわたって不均一な濃度の揺らぎ（濃度の
変動）が生じており、この濃度が臨界濃度に達した部分
に核が生成しこの核が成長して秩序化構造（ミクロ相分
離構造）が形成することが多くの研究によって明らかに
されている。このように温度ジャンプによるミクロ相分
離構造の形成過程においては、濃度の揺らぎの影響が大
きいために不均一（異方的）で且つ大きなグレインの形
成を生じるものと考えれる。
に変化させること（温度ジャンプ）による秩序化構造形
成過程（ミクロ相分離構造形成過程）は、核生成と成長
により進行することが知られている。すなわち、温度ジ
ャンプにより系を変化させた場合には、熱の拡散は遅い
ために系全体にわたって不均一な濃度の揺らぎ（濃度の
変動）が生じており、この濃度が臨界濃度に達した部分
に核が生成しこの核が成長して秩序化構造（ミクロ相分
離構造）が形成することが多くの研究によって明らかに
されている。このように温度ジャンプによるミクロ相分
離構造の形成過程においては、濃度の揺らぎの影響が大
きいために不均一（異方的）で且つ大きなグレインの形
成を生じるものと考えれる。
【０００９】これに対して、本発明の方法は、無秩序状
態にある系に充分な圧力変化を与えることにより秩序化
構造（ミクロ相分離構造）を形成させるものである。本
発明に従い充分な圧力ジャンプによって無秩序状態から
秩序状態にクエンチすることによって得られるミクロ相
分離ポリマー構造体は、温度ジャンプによって得られる
ものに比べて、グレインの非常に小さいアモルファス様
の均一な（すなわち、異方性が抑制された）組織から成
ることが見出されている。
態にある系に充分な圧力変化を与えることにより秩序化
構造（ミクロ相分離構造）を形成させるものである。本
発明に従い充分な圧力ジャンプによって無秩序状態から
秩序状態にクエンチすることによって得られるミクロ相
分離ポリマー構造体は、温度ジャンプによって得られる
ものに比べて、グレインの非常に小さいアモルファス様
の均一な（すなわち、異方性が抑制された）組織から成
ることが見出されている。
【００１０】これは、圧力の拡散は熱の拡散よりも迅速
であるため、系全体にわたって均質の濃度の揺らぎ（変
動）が生じるために揺らぎの影響がきわめて少なく、徐
々に連続的に秩序化構造（ミクロ相分離構造）が形成さ
れるためと考えられる。すなわち、充分な圧力ジャンプ
による本発明におけるミクロ相分離構造の形成は、溶液
や固溶体の相分離でよく知られたスピノーダル分解によ
って進行しているものと理解される。このことは、例え
ば、時分割小角Ｘ線散乱法で散乱強度を測定することに
より秩序化構造形成過程を観察すると、圧力ジャンプが
充分でないときは散乱光強度が変化しない誘導期間（in
cubation period）が認められ核生成と成長によって進
行していることが示唆されるのに対して、本発明に従い
充分な圧力ジャンプを与えると、誘導期間は存在せず連
続的に散乱強度が増加していることからも裏付けられる
（後述の実施例参照）。
であるため、系全体にわたって均質の濃度の揺らぎ（変
動）が生じるために揺らぎの影響がきわめて少なく、徐
々に連続的に秩序化構造（ミクロ相分離構造）が形成さ
れるためと考えられる。すなわち、充分な圧力ジャンプ
による本発明におけるミクロ相分離構造の形成は、溶液
や固溶体の相分離でよく知られたスピノーダル分解によ
って進行しているものと理解される。このことは、例え
ば、時分割小角Ｘ線散乱法で散乱強度を測定することに
より秩序化構造形成過程を観察すると、圧力ジャンプが
充分でないときは散乱光強度が変化しない誘導期間（in
cubation period）が認められ核生成と成長によって進
行していることが示唆されるのに対して、本発明に従い
充分な圧力ジャンプを与えると、誘導期間は存在せず連
続的に散乱強度が増加していることからも裏付けられる
（後述の実施例参照）。
【００１１】かくして、本発明に従えば、無秩序状態に
あるコポリマーを充分な圧力ジャンプにより秩序状態に
クエンチすることにより、所望のミクロ相分離構造を有
するポリマーが得られる。本発明の方法は、２種以上の
ポリマー鎖から成るブロックコポリマーまたはグラフト
コポリマーであればいずれも適用可能であるが、一般的
には、ジブロックコポリマーからミクロ相分離ポリマー
構造体を製造するのに適用される。
あるコポリマーを充分な圧力ジャンプにより秩序状態に
クエンチすることにより、所望のミクロ相分離構造を有
するポリマーが得られる。本発明の方法は、２種以上の
ポリマー鎖から成るブロックコポリマーまたはグラフト
コポリマーであればいずれも適用可能であるが、一般的
には、ジブロックコポリマーからミクロ相分離ポリマー
構造体を製造するのに適用される。
【００１２】図１は、ジブロックコポリマーの典型的な
相図を示すものである。図中、縦軸のχＮのうちχはコ
ポリマーを構成する２種のポリマー間の斥力を表わし、
Ｎはポリマーの重合度を表わし、χＮは温度の逆数（１
／Ｔ）に相当する。また、横軸ｆはコポリマーを構成す
るポリマーの一方のポリマーの重量分率を表わす。図１
に示されるようにＯＤＴライン（Order-Disorder Trans
ition Line：秩序−無秩序転移ライン）を境にして下方
が無秩序状態を呈する領域（ＤＩＳ）であり、ＯＤＴラ
インの上方（内側）にポリマーの重量分率ｆに応じて球
構造（ＳＰＨ）、シリンダー構造（ＣＹＬ）、共連続構
造（ＯＢＤＤ）またはラメラ構造（ＬＡＭ）から成る秩
序化構造（ミクロ相分離構造）を呈する領域がある。
相図を示すものである。図中、縦軸のχＮのうちχはコ
ポリマーを構成する２種のポリマー間の斥力を表わし、
Ｎはポリマーの重合度を表わし、χＮは温度の逆数（１
／Ｔ）に相当する。また、横軸ｆはコポリマーを構成す
るポリマーの一方のポリマーの重量分率を表わす。図１
に示されるようにＯＤＴライン（Order-Disorder Trans
ition Line：秩序−無秩序転移ライン）を境にして下方
が無秩序状態を呈する領域（ＤＩＳ）であり、ＯＤＴラ
インの上方（内側）にポリマーの重量分率ｆに応じて球
構造（ＳＰＨ）、シリンダー構造（ＣＹＬ）、共連続構
造（ＯＢＤＤ）またはラメラ構造（ＬＡＭ）から成る秩
序化構造（ミクロ相分離構造）を呈する領域がある。
【００１３】かくして、例えばラメラ構造など、製造し
ようとする構造に応じてポリマーの組成ｆを満たす無秩
序状態領域（ＤＩＳ）内の点から、図中ＯＤＴラインの
上方にある秩序状態領域内の点にクエンチすることによ
り、所望のミクロ相分離構造から成るミクロ相分離ポリ
マー構造体が得られる。図１に示すよう相図に沿って説
明すると、従来の温度ジャンプではＯＤＴライン付近の
秩序状態領域へのクエンチに過ぎなかったために、濃度
揺らぎの影響が大きいが、本発明の方法はＯＤＴライン
から遠く離れた秩序化領域内の深い点へのクエンチを可
能にするため濃度揺らぎの影響がほとんどないと言える
（後述の実施例参照）。
ようとする構造に応じてポリマーの組成ｆを満たす無秩
序状態領域（ＤＩＳ）内の点から、図中ＯＤＴラインの
上方にある秩序状態領域内の点にクエンチすることによ
り、所望のミクロ相分離構造から成るミクロ相分離ポリ
マー構造体が得られる。図１に示すよう相図に沿って説
明すると、従来の温度ジャンプではＯＤＴライン付近の
秩序状態領域へのクエンチに過ぎなかったために、濃度
揺らぎの影響が大きいが、本発明の方法はＯＤＴライン
から遠く離れた秩序化領域内の深い点へのクエンチを可
能にするため濃度揺らぎの影響がほとんどないと言える
（後述の実施例参照）。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の特徴を更に明らかにするため
実施例を示すが、本発明はこの実施例によって制限され
るものではない。実施例：ジブロックコポリマーを用いるミクロ相分離ポ
リマー構造体の調製 用いた試料は、ポリスチレン−ポリイソプレンジブロッ
クコポリマー（以下、ＰＳ−ＰＩという）である。数平
均分子量Ｍｎ＝２７，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０９で
ある。ここで、Ｍｗは重量平均分子量である。ＰＳ−Ｐ
Ｉ中のスチレン重量分率を５０％とし、ラメラ構造のミ
クロ相分離構造が形成されるようにした。このＰＳ−Ｐ
Ｉは上限秩序−無秩序転移温度型および下限秩序−無秩
序転移圧力型の相図を持つ（図１参照）。したがって、
圧力に対しては、高圧において相転移が誘起されること
になる。１３０℃、低圧（８．６〜１０．５ＭＰａ）で
無秩序状態にあるＰＳ−ＰＩ系に、急激に圧力を印加す
ることで秩序状態である高圧側へ圧力ジャンプすること
により系をクエンチしてミクロ相分離構造を形成させ
た。クエンチ後の散乱光強度の時間変化を時分割小角Ｘ
線散乱法によって測定した。この系の１３０℃における
秩序−無秩序転移圧力は２２．５ＭＰａである。クエン
チする条件を表１に示す。表１には圧力ジャンプの条件
を、相当する温度ジャンプの条件に換算した温度換算値
も示している。温度換算値は秩序−無秩序転移温度（Ｔ
ODT）の圧力依存性より計算したものを用いた。ここ
で、（ｄＴO DT／ｄＰ＝０．２４２Ｋ／ＭＰａである。
測定は 社製 であるSPring８ＢＬ
４０ＸＵ（１５８．０ＭＰａへの圧力ジャンプ）および
ＢＬ４５ＸＵ（１５８．０ＭＰａ以外への圧力ジャン
プ）にて行った。入射光の波長は１．１Åである。
実施例を示すが、本発明はこの実施例によって制限され
るものではない。実施例：ジブロックコポリマーを用いるミクロ相分離ポ
リマー構造体の調製 用いた試料は、ポリスチレン−ポリイソプレンジブロッ
クコポリマー（以下、ＰＳ−ＰＩという）である。数平
均分子量Ｍｎ＝２７，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．０９で
ある。ここで、Ｍｗは重量平均分子量である。ＰＳ−Ｐ
Ｉ中のスチレン重量分率を５０％とし、ラメラ構造のミ
クロ相分離構造が形成されるようにした。このＰＳ−Ｐ
Ｉは上限秩序−無秩序転移温度型および下限秩序−無秩
序転移圧力型の相図を持つ（図１参照）。したがって、
圧力に対しては、高圧において相転移が誘起されること
になる。１３０℃、低圧（８．６〜１０．５ＭＰａ）で
無秩序状態にあるＰＳ−ＰＩ系に、急激に圧力を印加す
ることで秩序状態である高圧側へ圧力ジャンプすること
により系をクエンチしてミクロ相分離構造を形成させ
た。クエンチ後の散乱光強度の時間変化を時分割小角Ｘ
線散乱法によって測定した。この系の１３０℃における
秩序−無秩序転移圧力は２２．５ＭＰａである。クエン
チする条件を表１に示す。表１には圧力ジャンプの条件
を、相当する温度ジャンプの条件に換算した温度換算値
も示している。温度換算値は秩序−無秩序転移温度（Ｔ
ODT）の圧力依存性より計算したものを用いた。ここ
で、（ｄＴO DT／ｄＰ＝０．２４２Ｋ／ＭＰａである。
測定は 社製 であるSPring８ＢＬ
４０ＸＵ（１５８．０ＭＰａへの圧力ジャンプ）および
ＢＬ４５ＸＵ（１５８．０ＭＰａ以外への圧力ジャン
プ）にて行った。入射光の波長は１．１Åである。
【００１５】
【表１】
【００１６】図２に１０．３ＭＰａから６６．５ＭＰａ
に圧力ジャンプしたときの散乱光強度の時間変化を示
す。散乱光強度は２８４７ｍｓまで変化せず、その後散
乱光強度の成長が見られた。すなわち、秩序化構造形成
が開始する前に強度が変化しない期間、誘導期間が存在
しており、秩序化構造形成過程は核生成と成長によって
進行していることがわかった。
に圧力ジャンプしたときの散乱光強度の時間変化を示
す。散乱光強度は２８４７ｍｓまで変化せず、その後散
乱光強度の成長が見られた。すなわち、秩序化構造形成
が開始する前に強度が変化しない期間、誘導期間が存在
しており、秩序化構造形成過程は核生成と成長によって
進行していることがわかった。
【００１７】また、４９．０ＭＰａへの圧力ジャンプ、
８０．４ＭＰａへの圧力ジャンプにおいても同様な散乱
光強度が時間変化しない期間（誘導期間）が観察され
た。このように圧力ジャンプの度合いが充分でない場合
は、秩序化構造形成過程は核生成と成長により進行して
いることが確認された。
８０．４ＭＰａへの圧力ジャンプにおいても同様な散乱
光強度が時間変化しない期間（誘導期間）が観察され
た。このように圧力ジャンプの度合いが充分でない場合
は、秩序化構造形成過程は核生成と成長により進行して
いることが確認された。
【００１８】図３に、最も深いクエンチである１５８．
０ＭＰａへ圧力ジャンプしたときの散乱光強度の時間変
化を示す。この場合は、図２に示されるような誘導期間
は存在せず、連続的に散乱光強度が増加していることが
認められる。すなわち、秩序化は、核生成と成長によら
ず、スピノーダル分解またはこれに類似の機構で進行し
ていることが推察される。
０ＭＰａへ圧力ジャンプしたときの散乱光強度の時間変
化を示す。この場合は、図２に示されるような誘導期間
は存在せず、連続的に散乱光強度が増加していることが
認められる。すなわち、秩序化は、核生成と成長によら
ず、スピノーダル分解またはこれに類似の機構で進行し
ていることが推察される。
【図１】本発明が適用されるジブロックコポリマーの相
図である。
図である。
【図２】無秩序状態（１０．３ＭＰａ）から秩序状態
（６６．５ＭＰａ）に圧力ジャンプした後のＰＳ−ＰＩ
コポリマーの散乱光強度の時間変化を示す。
（６６．５ＭＰａ）に圧力ジャンプした後のＰＳ−ＰＩ
コポリマーの散乱光強度の時間変化を示す。
【図３】本発明に従い、無秩序状態（１０．０ＭＰａ）
から秩序状態（１５８．０ＭＰａ）に圧力ジャンプした
後のＰＳ−ＰＩコポリマーの散乱光強度の時間変化を示
す。
から秩序状態（１５８．０ＭＰａ）に圧力ジャンプした
後のＰＳ−ＰＩコポリマーの散乱光強度の時間変化を示
す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F070 AA06 AA08 AB08 BA09 4J002 AA001 BP011 GT00
Claims (2)
- 【請求項１】 ２種以上のポリマー鎖から成るブロック
またはグラフトコポリマーを無秩序状態から秩序状態に
変化させてミクロ相分離構造を形成することによりミク
ロ相分離ポリマー構造体を製造するに当たり、無秩序状
態にある前記コポリマーに核生成が起こらないような大
きな圧力変化を与えて秩序状態にすることを特徴とする
ミクロ相分離ポリマー構造体の製造方法。 - 【請求項２】 無秩序状態のコポリマーに少なくとも１
０倍の圧力変化を与えることを特徴とする請求項１のミ
クロ相分離ポリマー構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001061086A JP3623173B2 (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 圧力ジャンプを用いるミクロ相分離ポリマー構造体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001061086A JP3623173B2 (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 圧力ジャンプを用いるミクロ相分離ポリマー構造体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002265617A true JP2002265617A (ja) | 2002-09-18 |
| JP3623173B2 JP3623173B2 (ja) | 2005-02-23 |
Family
ID=18920433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001061086A Expired - Fee Related JP3623173B2 (ja) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | 圧力ジャンプを用いるミクロ相分離ポリマー構造体の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3623173B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010190875A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Mitsui Chemicals Inc | ブロック共重合体の解析方法およびブロック共重合体の製造方法 |
| JP2015520510A (ja) * | 2012-05-15 | 2015-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | ブロックコポリマーを用いたパターンの形成および物品 |
| US9715172B2 (en) | 2013-10-20 | 2017-07-25 | Tokyo Electron Limited | Use of topography to direct assembly of block copolymers in grapho-epitaxial applications |
| US9947597B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-04-17 | Tokyo Electron Limited | Defectivity metrology during DSA patterning |
| US10490402B2 (en) | 2013-09-04 | 2019-11-26 | Tokyo Electron Limited | UV-assisted stripping of hardened photoresist to create chemical templates for directed self-assembly |
-
2001
- 2001-03-06 JP JP2001061086A patent/JP3623173B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010190875A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Mitsui Chemicals Inc | ブロック共重合体の解析方法およびブロック共重合体の製造方法 |
| JP2015520510A (ja) * | 2012-05-15 | 2015-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | ブロックコポリマーを用いたパターンの形成および物品 |
| US10490402B2 (en) | 2013-09-04 | 2019-11-26 | Tokyo Electron Limited | UV-assisted stripping of hardened photoresist to create chemical templates for directed self-assembly |
| US11538684B2 (en) | 2013-09-04 | 2022-12-27 | Tokyo Electron Limited | UV-assisted stripping of hardened photoresist to create chemical templates for directed self-assembly |
| US9715172B2 (en) | 2013-10-20 | 2017-07-25 | Tokyo Electron Limited | Use of topography to direct assembly of block copolymers in grapho-epitaxial applications |
| US9947597B2 (en) | 2016-03-31 | 2018-04-17 | Tokyo Electron Limited | Defectivity metrology during DSA patterning |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3623173B2 (ja) | 2005-02-23 |
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