JP2002252358A - 半導体装置を利用した太陽電池 - Google Patents

半導体装置を利用した太陽電池

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JP2002252358A
JP2002252358A JP2001097388A JP2001097388A JP2002252358A JP 2002252358 A JP2002252358 A JP 2002252358A JP 2001097388 A JP2001097388 A JP 2001097388A JP 2001097388 A JP2001097388 A JP 2001097388A JP 2002252358 A JP2002252358 A JP 2002252358A
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silicon
solar battery
semiconductor
smaller
energy
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Kazuhiko Watanabe
一彦 渡辺
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Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体装置を利用した太陽電池の半導体エネル
ギーギャップより小さな光エネルギーを吸収できる太陽
電池の構造を提供する。 【解決手段】半導体エネルギーギャップより小さなショ
ットキー障壁接合5を太陽電池の裏面に、裏面電極4と
は別に形成している構造とする。太陽電池表面より入射
した光のうち、半導体内で吸収されなかった半導体のエ
ネルギーギャップより小さい光エネルギーを、半導体の
エネルギーギャップより小さなショットキー障壁接合5
で吸収する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置を利用し
た太陽電池に関する。
【002】
【従来の技術】半導体装置を利用した太陽電池では、例
えばシリコン半導体のn型基板の表面にp型層を形成し
たシリコン太陽電池は、p型層とn型層の接合部やp型
層及びn型層で光エネルギーが電気エネルギーに変換さ
れる。しかし、シリコンのエネルギーギャップより小さ
い光エネルギーは電気エネルギーへの変換に寄与できず
にシリコン内部を通過してしまう。
【003】図2は、上記のように形成されたシリコン太
陽電池の断面図である。例えば図2に示すように、n型
シリコン3の表面にp型シリコン2を形成してp型シリ
コン上部から進入する光エネルギーをp型シリコン2と
n型シリコン3の接合部と、p型シリコン2と、n型シ
リコン3で電気エネルギーに変換する。変換された電気
エネルギーは、電極1及び裏面電極4から取り出され
る。
【004】
【本発明が解決しようとする課題】しかしながら、例え
ばシリコン太陽電池では、シリコンのエネルギーギャッ
プより小さい光エネルギーは、シリコン表層の接合部や
シリコン内部で吸収されずに通過してしまう。
【005】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもの
であり、従って、本発明の目的は、例えばシリコン太陽
電池のシリコン内部で吸収できない、シリコンのエネル
ギーギャップより小さい光エネルギーを吸収することに
よって太陽電池の効率を向上させる構造を提供すること
である。
【006】上記の目的を達成する為に、本発明の太陽電
池は、例えばシリコン太陽電池の裏面にシリコンのエネ
ルギーギャップより小さいショットキー障壁接合を有す
る。
【007】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、図面を参照して説明する。
【008】図1は、本実施形態に係わる太陽電池の断面
図である。例えば、シリコン太陽電池の場合、n型シリ
コン3の表面にp型シリコン2を形成している。p型シ
リコン2には電極1がオーミック接続されている。オー
ミック接続の為に、p型シリコンの少なくとも一部は高
濃度になっている。n型シリコン3は、その下部に裏面
電極4がオーミック接続されている。オーミック接続の
為にn型シリコンの少なくとも一部は高濃度になってい
る。n型シリコン3には裏面電極4とは別にショットキ
ー障壁接合5が形成されている。また、本発明のショッ
トキー障壁接合5の金属は、好適には、Pt、Ti、W
又はアルミニウムである。
【009】p型シリコン2の上部より入射した光のう
ち、シリコンのエネルギーギャップより大きなエネルギ
ーの光は、p型シリコン2と、p型シリコン2とn型シ
リコン3の接合部と、n型シリコン3で吸収され、電気
エネルギーに変換され、電極1と裏面電極4から外部に
取り出される。エネルギーギャップより小さなエネルギ
ーの光は吸収されずに通過する。通過してきたシリコン
のエネルギーギャップより小さなエネルギーの光は、シ
リコンギャップよりも小さな障壁をもつショットキー障
壁接合5で、吸収され電気エネルギーに変換され、ショ
ットキー障壁接合5から外部に取り出される。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明に係わる半導体太陽電池の断面図
である。
【図2】図2は従来例に係わる半導体太陽電池の断面図
である。
【符号の説明】
1…電極、2…p型シリコン、3…n型シリコン、4…
裏面電極、5…ショットキー障壁接合。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体装置を利用した太陽電池の裏面に、
    裏面電極とは別に、半導体のエネルギーギャップより小
    さいショットキー障壁接合を有する太陽電池。
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