JP2002252262A - Method for detecting copper deposited substrate and substrate processing apparatus using the same - Google Patents

Method for detecting copper deposited substrate and substrate processing apparatus using the same

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JP2002252262A
JP2002252262A JP2001048317A JP2001048317A JP2002252262A JP 2002252262 A JP2002252262 A JP 2002252262A JP 2001048317 A JP2001048317 A JP 2001048317A JP 2001048317 A JP2001048317 A JP 2001048317A JP 2002252262 A JP2002252262 A JP 2002252262A
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substrate
copper
spectral reflectance
detecting
coated substrate
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JP2001048317A
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Noriyuki Kondo
教之 近藤
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To detect deposition of copper on a substrate relatively simply based on the specificity of a spectral reflectance on the copper deposited substrate. SOLUTION: This method for detecting copper deposition on the processed surface of the substrate comprises a data measurement process (steps S2 to S4) for measuring the spectral reflectance data on the processed surface of the substrate and a discrimination process (step S5) for discriminating, based on the specificity of the spectral reflectance data, if copper is deposited or not. Since the spectral reflectance data of the substrate to which copper is deposited shows the specificity, it is possible to discriminate if copper is deposited on the substrate based on if the measured spectral reflectance data shows the specificity or not.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハや
液晶表示装置用のガラス基板等の基板(以下、単に基板
と称する)に配線などのために銅が被着されていること
を検出する銅被着基板検出方法及びこれを用いた基板処
理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for detecting the presence of copper for wiring or the like on a substrate (hereinafter simply referred to as a substrate) such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device. The present invention relates to an attached substrate detection method and a substrate processing apparatus using the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体プロセスにおけるシリコン
基板上での配線には、アルミニウムやタングステンが用
いられていた。最近では、半導体の高集積化に伴って、
より導電性に優れた配線材料として銅が用いられつつあ
り、半導体製造装置においても銅を用いたプロセスに対
応した製品が実用化されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, aluminum and tungsten have been used for wiring on a silicon substrate in a semiconductor process. Recently, with the high integration of semiconductors,
Copper is being used as a wiring material having more excellent conductivity, and products corresponding to processes using copper have been put to practical use also in semiconductor manufacturing equipment.

【0003】例えば、基板の洗浄・エッチング装置にお
いても、アルミニウムやタングステン以外に銅が被着さ
れている銅被着基板への対応が行われているが、アルミ
ニウム基板対応の装置において、何らかの原因により誤
って銅被着基板を処理すると、洗浄槽が銅に汚染されて
装置が致命的なダメージを受ける。しかも、基板洗浄装
置自体だけでなく、その装置に配備されている配管など
の周辺部に対しても汚染が与える損害は極めて大きい。
通常は、アルミニウムが被着された基板対応の基板処理
装置に銅被着基板が混入することは起こり得ないが、万
が一混入すると極めて重大な被害をもたらす。
For example, in a substrate cleaning / etching apparatus, a copper-coated substrate coated with copper other than aluminum or tungsten is also used. If a copper-coated substrate is erroneously processed, the cleaning tank is contaminated with copper, and the apparatus is seriously damaged. Moreover, not only the substrate cleaning apparatus itself but also peripheral parts such as pipes provided in the apparatus are greatly damaged by contamination.
Normally, it is impossible for a copper-coated substrate to be mixed into a substrate processing apparatus corresponding to a substrate to which aluminum has been coated, but if it is mixed, extremely serious damage is caused.

【0004】そこで、このような被害を未然に防ぐため
に、基板処理装置の内部で処理前に基板をチェックして
銅被着基板を検出するようにし、もし検出した場合には
その基板を処理することなく排除する必要がある。現
在、このような銅被着基板を検出するための方法として
は各種元素分析装置を利用することが考えられる。
Therefore, in order to prevent such damage beforehand, the substrate is checked inside the substrate processing apparatus before processing to detect the copper-coated substrate, and if detected, the substrate is processed. Need to be eliminated without having to. At present, as a method for detecting such a copper-coated substrate, it is conceivable to use various elemental analyzers.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、各種元素分析装置は数多くの元素を分
析できるように構成されている関係上、非常に複雑な装
置であるとともに高価であるので、基板処理装置の内部
に組み込んで銅被着基板の検出には利用することはでき
ない。そのため銅被着基板の検出方法としては現実的な
ものがなく、現状ではその検出に苦慮しているのが実情
である。
However, the prior art having such a structure has the following problems. In other words, various elemental analyzers are very complicated and expensive because they are configured to analyze a large number of elements, so they can be incorporated inside the substrate processing equipment to detect copper-coated substrates. Is not available. For this reason, there is no practical method for detecting a copper-coated substrate, and at present it is difficult to detect such a substrate.

【0006】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、銅が被着された基板における分光反
射率の特異性に着目することにより、比較的簡単に銅が
被着されていることを検出できる銅被着基板検出方法を
提供すること及び、これを用いて比較的簡易な構成でコ
スト上昇を抑制しつつも銅被着基板を検出可能な基板処
理装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and focuses on the peculiarity of the spectral reflectance of a substrate on which copper is deposited, so that copper can be deposited relatively easily. To provide a method for detecting a copper-coated substrate that can detect that a copper-coated substrate can be detected while using a relatively simple configuration to suppress a rise in cost. With the goal.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明は、このような
目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、銅が処理面に被着されて
いる基板を検出する方法において、基板の処理面につい
て分光反射率データを測定するデータ測定過程と、前記
分光反射率データの特異性に基づき銅が被着しているか
否かを判別する判別過程と、を備えていることを特徴と
するものである。
The present invention has the following configuration to achieve the above object. That is, the invention according to claim 1 is a method for detecting a substrate having copper adhered on a processing surface, wherein the data measuring step of measuring spectral reflectance data on the processing surface of the substrate; A determination step of determining whether or not copper is deposited on the basis of the specificity of the method.

【0008】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の銅被着基板検出方法において、前記データ測定
過程は、青色波長領域と緑色波長領域のうちのいずれか
一方と、赤色波長領域との少なくとも二点にて実施され
ることを特徴とするものである。
[0008] The invention described in claim 2 is the first invention.
The method of detecting a copper-coated substrate according to claim 1, wherein the data measuring step is performed at least at two points in a blue wavelength region and a green wavelength region, and a red wavelength region. Things.

【0009】また、請求項3に記載の発明は、請求項1
または2に記載の銅被着基板検出方法において、前記デ
ータ測定過程は、分光反射画像を取り込むことで実施さ
れることを特徴とするものである。
[0009] The invention described in claim 3 is the first invention.
In the method for detecting a copper-coated substrate according to claim 2, the data measuring step is performed by capturing a spectral reflection image.

【0010】また、請求項4に記載の発明は、請求項1
ないし3に記載の銅被着基板検出方法において、前記判
別過程における判別は、銅が被着した基準となる基板に
ついての基準分光反射率データと、前記分光反射率デー
タとに基づいて行うことを特徴とするものである。
[0010] The invention described in claim 4 is the first invention.
In the method for detecting a copper-coated substrate according to any one of Items 3 to 3, the determination in the determination step is performed based on reference spectral reflectance data on a reference substrate on which copper is mounted and the spectral reflectance data. It is a feature.

【0011】また、請求項5に記載の発明は、請求項1
ないし4に記載の銅被着基板検出方法において、前記デ
ータ測定過程は、少なくとも基板の処理面に形成された
1チップに相当する領域内に照明光を照射した状態で実
施されることを特徴とするものである。
The invention described in claim 5 is the first invention.
5. The method for detecting a copper-coated substrate according to any one of items 4 to 4, wherein the data measuring step is performed in a state where at least an area corresponding to one chip formed on the processing surface of the substrate is irradiated with illumination light. Is what you do.

【0012】また、請求項6に記載の発明は、請求項5
に記載の銅被着基板検出方法において、前記データ測定
過程における分光反射率データの測定は、1チップに形
成された銅パターンの最大幅に対して、少なくとも半分
のピッチで複数箇所を対象に実施されることを特徴とす
るものである。
[0012] The invention according to claim 6 is the same as the invention according to claim 5.
In the method of detecting a copper-coated substrate according to the above, the measurement of the spectral reflectance data in the data measurement process is performed on a plurality of locations at least a half pitch with respect to a maximum width of the copper pattern formed on one chip. It is characterized by being performed.

【0013】また、請求項8に記載の発明は、請求項1
ないし6に記載の銅被着基板検出方法において、前記デ
ータ測定過程及び前記判別過程は、複数枚の基板を対象
に実施されることを特徴とするものである。
The invention described in claim 8 is the first invention.
7. The method for detecting a copper-coated substrate according to any one of Items 6 to 6, wherein the data measuring step and the determining step are performed on a plurality of substrates.

【0014】また、請求項9に記載の発明は、基板に所
定の処理を施す基板処理装置において、基板の処理面に
照明光を照射する照射光学系と、基板の処理面の反射画
像を取り込む画像取り込み手段と、前記画像取り込み手
段を介して基板の処理面についての分光反射画像を取り
込み、前記分光反射画像に基づいて得られた分光反射率
データと、この分光反射率データの特異性に基づき銅被
着基板を判別する判別手段とを備えた銅被着基板検出手
段を備え、銅被着基板だけに対して特定処理を行うこと
を特徴とするものである。
According to a ninth aspect of the present invention, in a substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate, an irradiation optical system for irradiating a processing surface of the substrate with illumination light and a reflection image of the processing surface of the substrate are taken. An image capturing unit and a spectral reflectance image of the processing surface of the substrate are captured via the image capturing unit, and spectral reflectance data obtained based on the spectral reflectance image and based on the specificity of the spectral reflectance data. The apparatus further comprises a copper-clad substrate detecting means provided with a discriminating means for discriminating the copper-clad substrate, and performs the specific processing only on the copper-clad substrate.

【0015】また、請求項10に記載の発明は、項9に
記載の基板処理装置において、前記画像取り込み手段は
CCDを備えるとともに、前記照射光学系からの照明光
を複数の測定波長領域に順次に切り換える波長切換手段
を備えていることを特徴とするものである。
According to a tenth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the ninth aspect, the image capturing means includes a CCD and sequentially illuminates the illumination light from the irradiation optical system to a plurality of measurement wavelength regions. And wavelength switching means for switching the wavelength to

【0016】また、請求項11に記載の発明は、請求項
9に記載の基板処理装置において、前記画像取り込み手
段は複数個のCCDを備えるとともに、前記照射光学系
から照射されて基板の処理面で反射した光のうち、前記
複数個のCCDに対応した測定波長領域だけを同時に選
択する波長選択手段を備えていることを特徴とするもの
である。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the ninth aspect, the image capturing means includes a plurality of CCDs, and the processing surface of the substrate is irradiated with the light from the irradiation optical system. Wavelength selecting means for simultaneously selecting only the measurement wavelength regions corresponding to the plurality of CCDs from the light reflected by the CCD.

【0017】[0017]

【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。すなわち、半導体プロセス等で利用される導電性材
料にはアルミニウム、タングステン、銅などがあるが、
図1に示すように、これらの中ではアルミニウムが最も
反射率が高く、かつ、450〜750nmの波長領域に
おいて反射率がほぼ一定の特性を示す。タングステン
は、反射率がアルミニウムより低くシリコンより高く、
アルミニウムと同様に上記の波長領域では反射率がほぼ
一定となる。
The operation of the first aspect of the invention is as follows. That is, conductive materials used in semiconductor processes and the like include aluminum, tungsten, copper, and the like.
As shown in FIG. 1, among these, aluminum has the highest reflectance, and the reflectance shows a substantially constant characteristic in a wavelength region of 450 to 750 nm. Tungsten has a lower reflectance than aluminum and higher than silicon,
Similar to aluminum, the reflectance is substantially constant in the above wavelength range.

【0018】その一方、銅の場合は上記の波長領域内で
特異性を示す。つまり、青色波長(450nm)付近か
ら緑色波長(550nm)付近にかけて徐々に反射率が
上昇し、緑色波長付近から赤色波長(700nm)付近
にかけて反射率が急激に上昇するとともに、赤色波長付
近ではほぼ反射率が一定となる特性を示すのである。
On the other hand, copper exhibits specificity in the above wavelength range. That is, the reflectance gradually increases from the vicinity of the blue wavelength (450 nm) to the vicinity of the green wavelength (550 nm), the reflectance sharply increases from the vicinity of the green wavelength to the vicinity of the red wavelength (700 nm), and the reflectance substantially increases near the red wavelength. It shows the characteristic that the rate becomes constant.

【0019】そこで、データ測定過程において分光反射
率データを測定し、この分光反射率データに上述した特
異性が現れているか否かを判別過程において判断する。
Therefore, the spectral reflectance data is measured in the data measuring process, and it is determined in the determining process whether or not the specificity described above appears in the spectral reflectance data.

【0020】また、請求項2に記載の発明によれば、他
の膜との干渉や微細パターンによる回折効果の影響によ
って分光反射率データの特性が一般的なものからずれた
としても、青色波長と緑色波長のうちのいずれか一方
と、赤色波長との少なくとも三点で分光反射率データの
測定を行うことにより誤判別を防止することができる。
According to the second aspect of the present invention, even if the characteristic of the spectral reflectance data deviates from a general one due to interference with other films or the effect of diffraction by a fine pattern, the blue wavelength The erroneous determination can be prevented by measuring the spectral reflectance data at at least three points, one of the green wavelength and the green wavelength, and the red wavelength.

【0021】また、請求項3に記載の発明によれば、分
光反射画像を取り込むことにより分光反射率を測定す
る。
According to the third aspect of the present invention, the spectral reflectance is measured by capturing a spectral reflection image.

【0022】また、請求項4に記載の発明によれば、銅
が被着した基準となる基板についての基準分光反射率デ
ータと、分光反射率データとに基づき銅が被着している
かを判別することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, it is determined whether or not copper is deposited on the basis of the reference spectral reflectance data on the reference substrate on which copper is deposited and the spectral reflectance data. can do.

【0023】また、請求項5に記載の発明によれば、半
導体基板などには1チップ分のパターンが繰り返し形成
されているのが一般的であるので、少なくとも1チップ
に相当する領域内に照明光を照射して分光反射率データ
を測定すればよい。
According to the fifth aspect of the present invention, since a pattern for one chip is generally formed repeatedly on a semiconductor substrate or the like, at least a region corresponding to one chip is illuminated. Irradiation with light may be performed to measure spectral reflectance data.

【0024】また、請求項6に記載の発明によれば、銅
パターンの最大幅の少なくとも半分のピッチで複数箇所
を対象に分光反射率データを測定すれば、データ測定過
程にて測定位置を正確に合わせなくてもいずれかのデー
タには銅パターンだけからの分光反射率データとなる。
According to the sixth aspect of the present invention, if the spectral reflectance data is measured at a plurality of locations at a pitch of at least half the maximum width of the copper pattern, the measurement position can be accurately determined in the data measurement process. , Any data becomes spectral reflectance data only from the copper pattern.

【0025】また、請求項7に記載の発明によれば、基
板を一枚ごとに処理する枚葉式の場合にはデータ測定過
程と判別過程を一枚ごとに実施する。
According to the seventh aspect of the present invention, in the case of a single-wafer processing in which substrates are processed one by one, the data measurement step and the discrimination step are performed for each sheet.

【0026】また、請求項8に記載の発明によれば、基
板を複数枚同時に処理するバッチ式の場合にはデータ処
理過程と判別過程を複数枚の基板を対象に実施する。
According to the present invention, in the case of a batch system in which a plurality of substrates are simultaneously processed, the data processing step and the determination step are performed on a plurality of substrates.

【0027】また、請求項9に記載の発明によれば、銅
被着基板検出手段は、照射光学系から基板の処理面に照
射光を照射し、画像取り込み手段により反射画像を取り
込む。そして、分光反射画像に基づいて得られた分光反
射率データと、この分光反射率データの特異性に基づき
判別手段が銅被着基板を判別し、銅被着基板だけに対し
て特定処理を行う。
According to the ninth aspect of the present invention, the copper-coated substrate detecting means irradiates the processing surface of the substrate with irradiation light from the irradiation optical system, and takes in the reflected image by the image taking means. Then, the discriminating means discriminates the copper-coated substrate based on the spectral reflectance data obtained based on the spectral reflectance image and the specificity of the spectral reflectance data, and performs the specific processing only on the copper-coated substrate. .

【0028】また、請求項10に記載の発明によれば、
照射光学系からの照明光を複数の波長領域に波長切換手
段が順次に切り換えつつ、複数の波長領域に対応したC
CD(電荷結合素子)で分光反射画像を取り込むこと
で、複数の測定波長領域に対応した分光反射率データを
測定する。
According to the tenth aspect of the present invention,
While the wavelength switching means sequentially switches the illumination light from the irradiation optical system to a plurality of wavelength regions, C corresponding to the plurality of wavelength regions is used.
Spectral reflectance data corresponding to a plurality of measurement wavelength regions is measured by capturing a spectral reflection image with a CD (charge coupled device).

【0029】また、請求項11に記載の発明によれば、
照射光学系からの照射光のうち複数個のCCD(電荷結
合素子)に対応した測定波長領域だけを波長選択手段が
同時に選択し、それらの波長領域に対応した分光反射画
像を取り込むことで、複数の測定波長領域に対応した分
光反射率データを測定する。
According to the eleventh aspect of the present invention,
The wavelength selecting means simultaneously selects only the measurement wavelength regions corresponding to a plurality of CCDs (charge coupled devices) from the irradiation light from the irradiation optical system, and captures the spectral reflection images corresponding to those wavelength regions. Is measured for the spectral reflectance data corresponding to the measurement wavelength region.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
一実施例を説明する。 <銅被着基板検出方法>図1ないし図3を参照する。図
1は各種材料の分光反射率を示すグラフであり、図2は
銅被着基板検出方法の一例を示すフローチャートであ
り、図3は測定波長領域ごとのCCD出力電圧を模式的
に示したグラフである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. <Method of Detecting Copper-Coated Substrate> Referring to FIGS. 1 is a graph showing the spectral reflectance of various materials, FIG. 2 is a flowchart showing an example of a method for detecting a copper-coated substrate, and FIG. 3 is a graph schematically showing a CCD output voltage for each measurement wavelength region. It is.

【0031】図1に示すように、銅の分光反射率を、半
導体プロセスにおいてよく利用されているアルミニウム
と比較すると、赤色波長(700nm)付近ではアルミ
ニウムより高いが、650nm付近から緑色波長(55
0nm)付近にかけて急激に低くなり、青色波長(45
0nm)付近までアルミニウムより非常に低くなる。タ
ングステンと比較すると、赤色波長(700nm)付近
から青色波長(450nm)付近にかけてタングステン
より高くなる。また、基板の材料としてよく用いられて
いるシリコンについても同様である。
As shown in FIG. 1, when the spectral reflectance of copper is higher than that of aluminum near the red wavelength (700 nm), the spectral reflectance of copper is higher than that of aluminum, which is often used in the semiconductor process.
0 nm), and sharply decreases near the blue wavelength (45 nm).
0 nm), which is much lower than that of aluminum. Compared with tungsten, the wavelength is higher than tungsten from near the red wavelength (700 nm) to near the blue wavelength (450 nm). The same applies to silicon which is often used as a material for a substrate.

【0032】すなわち、銅は、半導体プロセスにおいて
配線材料としてよく利用されているアルミニウムやタン
グステン、及び基板の材料として用いられているシリコ
ンとは、分光反射率の特性が大きく相違しているのであ
る。本発明ではこの分光反射率の特異性に着目して銅被
着基板であるか否かを判別する。
That is, copper has significantly different spectral reflectance characteristics from aluminum and tungsten, which are often used as wiring materials in a semiconductor process, and silicon, which is used as a substrate material. In the present invention, whether or not the substrate is a copper-coated substrate is determined by focusing on the specificity of the spectral reflectance.

【0033】ステップS1 まず、分光反射率を測定する測定器についてキャリブレ
ーション(シェーディング補正とも呼ばれる)を行う。
例えば、CCDによって各色の反射画像を取り込んでこ
れに基づき判別する場合には、CCDの暗電流や各素子
の感度ばらつきなどを補正する。ここで得られた補正デ
ータは、以下の反射率データの補正に使用される。
Step S1 First, calibration (also called shading correction) is performed on a measuring instrument for measuring spectral reflectance.
For example, when a reflected image of each color is captured by a CCD and discrimination is performed based on the captured image, the dark current of the CCD and sensitivity variations of each element are corrected. The correction data obtained here is used for correcting the following reflectance data.

【0034】ステップS2 まず、判別対象である基板について赤色波長(700n
m)領域の反射画像を取り込む。例えば、照明光として
白色光を基板に照射し、その反射光のうち赤色波長領域
だけを通過させるバンドパスフィルタを通してCCDに
反射画像を取り込む。このようにして得られた反射画像
を赤色波長領域の反射率データとする。
Step S2 First, for the substrate to be determined, the red wavelength (700 n
m) Capture the reflection image of the area. For example, a substrate is irradiated with white light as illumination light, and a reflected image is captured by a CCD through a band-pass filter that passes only a red wavelength region of the reflected light. The reflection image thus obtained is used as reflectance data in the red wavelength region.

【0035】なお、基板には1チップに相当するパター
ンが繰り返し形成されているので、少なくとも基板に形
成されている1チップに相当する領域を対象に照射光を
照射して測定するのが好ましい。
Since a pattern corresponding to one chip is repeatedly formed on the substrate, it is preferable that at least a region corresponding to one chip formed on the substrate is irradiated with irradiation light and measured.

【0036】また、基板の1チップに形成されたパター
ンの最大幅に対して、少なくとも半分のピッチで複数箇
所の分光反射率データを測定することが好ましい。これ
によりデータ測定時に測定位置を正確に合わせなくても
いずれかのデータには銅パターンだけからの分光反射率
データが含まれることとなる。したがって、測定時に基
板との位置合わせを粗く行っても銅被着基板の検出が可
能である。
It is preferable to measure spectral reflectance data at a plurality of locations at a pitch of at least half the maximum width of a pattern formed on one chip of the substrate. As a result, even if the measurement position is not accurately adjusted at the time of data measurement, any data will include spectral reflectance data from only the copper pattern. Therefore, it is possible to detect the copper-coated substrate even if the alignment with the substrate is roughly performed at the time of measurement.

【0037】ステップS3 次に、判別対象である基板について緑色波長(550n
m)領域の反射画像を取り込む。例えば、ステップS2
と同様に測定して、これを緑色波長領域の反射率データ
とする。
Step S3 Next, the green wavelength (550n) is determined for the substrate to be determined.
m) Capture the reflection image of the area. For example, step S2
Is measured in the same manner as described above, and this is used as reflectance data in the green wavelength region.

【0038】ステップS4 最後に、判別対象である基板について青色波長(450
nm)領域の反射画像を取り込む。例えば、ステップS
3と同様に測定して、これを青色波長領域の反射率デー
タとする。
Step S4 Finally, for the substrate to be determined, the blue wavelength (450
(nm) region. For example, step S
Measurement is performed in the same manner as in No. 3, and this is used as reflectance data in the blue wavelength region.

【0039】上記のステップS2の赤色波長領域におい
て得られたCCDの各素子の出力電圧を模式的に示した
のが図3(a)であり、ステップS3の緑色波長領域にお
いて得られたのが図3(b)であり、ステップS4の青
色波長領域で得られたのが図3(c)である。各図中に
は規則的な波が現れているが、これは基板の配線に規則
性があるためである。
FIG. 3 (a) schematically shows the output voltage of each element of the CCD obtained in the red wavelength region in step S2, and obtained in the green wavelength region in step S3. FIG. 3B shows the result obtained in the blue wavelength region in step S4, and FIG. 3C shows the result. The regular waves appear in each figure because the wiring of the substrate has regularity.

【0040】なお、上記のステップS2ないしS4が本
発明におけるデータ測定過程に相当する。
The above steps S2 to S4 correspond to the data measurement process in the present invention.

【0041】ステップS5 上記のようにして測定した各色の波長領域の反射率デー
タを分光反射率データとし、これに上述したような特異
性があるか否かを調べる。
Step S5 The reflectance data in the wavelength region of each color measured as described above is used as spectral reflectance data, and it is checked whether or not this has the specificity described above.

【0042】例えば、予め基板の表面全体に銅を被着し
た基準基板を作成しておき、この基準基板を対象にして
上述したステップS2ないしS4を行っておく。そし
て、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)波長領域の反
射率データを「基準分光反射率データ」として記憶して
おく。この基準分光反射率データと分光反射率データと
を比較し、基準分光反射率データの一定範囲内に、対応
する色の分光反射率データがはいっていれば銅被着基板
であると判断する(ステップS6)。その一方、基準分
光反射率データの一定範囲内から外れていれば、銅被着
基板ではないと判断する(ステップS7)。
For example, a reference substrate having copper adhered to the entire surface of the substrate is prepared in advance, and steps S2 to S4 described above are performed on this reference substrate. Then, the reflectance data in the red (R), green (G), and blue (B) wavelength regions is stored as “reference spectral reflectance data”. The reference spectral reflectance data is compared with the spectral reflectance data. If the spectral reflectance data of the corresponding color is within a certain range of the reference spectral reflectance data, it is determined that the substrate is a copper-coated substrate ( Step S6). On the other hand, if it is out of the predetermined range of the reference spectral reflectance data, it is determined that the substrate is not a copper-coated substrate (step S7).

【0043】なお、このステップS5が本発明における
判別過程に相当する。
This step S5 corresponds to the determination step in the present invention.

【0044】因みに、図3の例にてCCDの出力電圧に
ついてみると、画素位置p1ないしp4では図3(a)
が図3(b),(c)より高く、図3(b)が図3
(c)よりも高くなっている。したがって、画素位置p
1ないしp4では、図1に示すような銅の分光反射率に
相当する特異性が現れていることが判る。一方、画素位
置p5では、図3(a)ないし図3(c)に差がほとん
ど現れていない。したがって、画素位置p1ないしp4
に対応する基板の処理面には銅が被着されており、画素
位置p5には銅以外(出力電圧の大きさからタングステ
ンかシリコン)の材料が存在していることが判る。
By the way, looking at the output voltage of the CCD in the example of FIG. 3, at the pixel positions p1 to p4, FIG.
3B is higher than FIGS. 3B and 3C, and FIG.
It is higher than (c). Therefore, pixel position p
From 1 to p4, it can be seen that specificity corresponding to the spectral reflectance of copper as shown in FIG. 1 appears. On the other hand, at the pixel position p5, almost no difference appears between FIGS. 3A to 3C. Therefore, pixel positions p1 to p4
It can be seen that copper is deposited on the processing surface of the substrate corresponding to the above, and that a material other than copper (tungsten or silicon from the magnitude of the output voltage) exists at the pixel position p5.

【0045】このように、銅が被着されている基板から
の分光反射率データは特異性を示すので、測定した分光
反射率データに特異性が現れているか否かを調べること
によって基板が銅被着基板であるか否かを判別できる。
したがって、分光反射率データを測定するだけで銅被着
基板を検出することができ、比較的容易に銅被着基板を
検出できるのである。
As described above, since the spectral reflectance data from the substrate on which copper is adhered shows peculiarity, it is determined whether or not the measured spectral reflectance data shows peculiarity. It can be determined whether or not the substrate is an adherend.
Therefore, the copper-coated substrate can be detected only by measuring the spectral reflectance data, and the copper-coated substrate can be detected relatively easily.

【0046】なお、上述した例では、赤、緑、青色の波
長領域を対象にして反射率データを測定したが、緑色波
長領域と青色波長領域のいずれか一方と、赤色波長領域
との少なくとも二点の反射率データがあれば銅被着基板
を検出可能である。しかしながら、干渉や回折効果によ
り反射率データ(図3)のプロファイルが複雑化する場
合には、上述した3色波長領域に加えて、他の波長領域
においても反射率データを測定するようにしてもよい。
さらに、バンドパスフィルタによる波長の選択度を高め
る波長分解を行ってもよい。
In the above-described example, the reflectance data was measured for the red, green, and blue wavelength regions, but at least two of the green wavelength region, the blue wavelength region, and the red wavelength region were measured. If there is reflectance data of a point, a copper-coated substrate can be detected. However, if the profile of the reflectance data (FIG. 3) becomes complicated due to interference or diffraction effects, the reflectance data may be measured in other wavelength regions in addition to the three-color wavelength region described above. Good.
Further, wavelength decomposition for increasing the wavelength selectivity by a band-pass filter may be performed.

【0047】また、上記の説明ではCCDにより分光反
射画像を取り込んで分光反射率データとしているが、他
の入力デバイスによって分光反射画像を取り込むように
してもよく、分光反射率を直接測定して分光反射率デー
タとしてもよい。
In the above description, the spectral reflectance image is captured by the CCD and used as spectral reflectance data. However, the spectral reflectance image may be captured by another input device. The data may be reflectance data.

【0048】なお、上記の説明では「反射率」を絶対値
とも相対値とも規定せずに説明したが、基準分光反射率
データを一致させておけば、本発明方法は絶対反射率や
相対反射率であっても実施可能である。
In the above description, the "reflectance" is described without specifying the absolute value or the relative value. However, if the reference spectral reflectance data is matched, the method of the present invention can be applied to the absolute reflectance and the relative reflectance. It can be implemented even at the rate.

【0049】<基板処理装置>上述した方法を用いた基
板処理装置の一例について、図4及び図5を参照しなが
ら説明する。
<Substrate Processing Apparatus> An example of a substrate processing apparatus using the above-described method will be described with reference to FIGS.

【0050】なお、図4は銅被着基板検出機構を備えた
基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図5は枚
葉式に適した銅被着基板検出機構の概略構成図である。
FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus provided with a copper-coated substrate detection mechanism, and FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a copper-coated substrate detection mechanism suitable for a single wafer type. is there.

【0051】基板WはカセットCに積層収納されて、カ
セット載置台1に載置されている。この例では、カセッ
ト載置台1のうち搬入側に2個のカセットCが載置さ
れ、搬出側に1個のカセットCが載置されている。カセ
ット載置台1の長手方向に沿って隣接した第1搬送路3
のうち、搬入側のカセットCに対向した位置には、搬入
側のカセットCから基板Wを取り出す搬送ロボット5が
配備されている。また、搬入側のカセットCと搬出側の
カセットCの間付近には、中継機構7が配設されてい
る。
The substrates W are stacked and stored in a cassette C and mounted on the cassette mounting table 1. In this example, two cassettes C are mounted on the loading side of the cassette mounting table 1, and one cassette C is mounted on the unloading side. The first transport path 3 adjacent along the longitudinal direction of the cassette mounting table 1
Of these, a transfer robot 5 that takes out the substrate W from the cassette C on the loading side is provided at a position facing the cassette C on the loading side. In addition, a relay mechanism 7 is disposed in the vicinity between the cassette C on the loading side and the cassette C on the unloading side.

【0052】搬送ロボット5は、鉛直軸周りに旋回可能
になっており、カセットC内の基板Wを取り出して搬送
し、中継機構7に載置する。このときカセットC内の全
ての基板Wを一度に搬送することも可能であり、その場
合には搬送ロボット5のアームを枚葉式からバッチ式用
に交換する。中継機構7は、搬送ロボット5から基板W
を受け取り、一旦基板Wを載置して中継する機能を有す
る。中継機構7は、それ自体が倒れ込み動作を行うこと
により、基板Wの姿勢を水平姿勢から起立姿勢に変換す
る。この中継機構7も枚葉式とバッチ式の両方に対応可
能となっている。
The transfer robot 5 is rotatable around a vertical axis, takes out the substrate W in the cassette C, transfers it, and places it on the relay mechanism 7. At this time, it is also possible to transfer all the substrates W in the cassette C at one time. In this case, the arm of the transfer robot 5 is changed from a single wafer type to a batch type. The relay mechanism 7 receives the substrate W from the transfer robot 5.
And has a function of temporarily mounting the substrate W and relaying the same. The relay mechanism 7 converts the posture of the substrate W from the horizontal posture to the standing posture by performing the falling operation itself. The relay mechanism 7 can also support both a single-wafer type and a batch type.

【0053】第1搬送路3の搬出側のカセットC付近に
は、図示しない搬送ロボットが配設されており、起立姿
勢にされた基板Wをその姿勢のまま、第1搬送路3に直
交配置された第2搬送路9との間で受け渡しする。第2
搬送路9に移動された基板Wは、図示しない搬送ロボッ
トにより、第2搬送路9に沿って配設されている4つの
処理部11のうちのいずれかに搬送され、そこで処理が
施されるようになっている。
A transfer robot (not shown) is provided in the vicinity of the cassette C on the unloading side of the first transfer path 3, and the substrate W, which is in the upright position, is arranged orthogonally to the first transfer path 3 while maintaining the position. Is transferred to and from the second transport path 9. Second
The substrate W moved to the transport path 9 is transported by a transport robot (not shown) to any one of the four processing units 11 arranged along the second transport path 9, where the substrate W is processed. It has become.

【0054】中継機構7の上部には、中継機構7に載置
された一枚の基板Wを対象にして銅被着基板であるか否
かを判断するための枚葉式の銅被着基板検出機構13が
配設されている。この銅被着基板検出機構13は、中継
機構7の上方に昇降可能に配備されている。つまり、中
継機構7の上方の待機位置と、中継機構7に載置された
基板Wに近接する検出位置との間を昇降する。
On the upper part of the relay mechanism 7, a single-wafer-type copper-coated substrate for determining whether or not a single substrate W mounted on the relay mechanism 7 is a copper-coated substrate is determined. A detection mechanism 13 is provided. The copper-clad substrate detection mechanism 13 is provided above the relay mechanism 7 so as to be able to move up and down. That is, it moves up and down between the standby position above the relay mechanism 7 and the detection position near the substrate W placed on the relay mechanism 7.

【0055】次に、図5を参照して枚葉式の銅被着基板
検出機構13について説明する。なお、図5は、枚葉式
に適した銅被着基板検出機構の概略構成を示すブロック
図である。
Next, a description will be given of the single-wafer type copper-applied substrate detecting mechanism 13 with reference to FIG. FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of a copper-coated substrate detection mechanism suitable for a single wafer type.

【0056】基板Wに照明光を照射する照射光学系15
は、光源17と、フィルタ切換部19と、ハーフミラー
21を備えている。光源17は、例えば、白色光を照明
光として照射するものであり、フィルタ切換部19は光
源17の光をRGBの三色に対応した波長領域に順次に
切り換える。なお、切換のタイミングは後述するCPU
31から与えられる。照射光は、ハーフミラー21で基
板側に向けられ、対物レンズ23を通して基板Wの処理
面に照射される。
Irradiation optical system 15 for irradiating substrate W with illumination light
Includes a light source 17, a filter switching unit 19, and a half mirror 21. The light source 17 emits, for example, white light as illumination light, and the filter switching unit 19 sequentially switches the light of the light source 17 to a wavelength region corresponding to three colors of RGB. Note that the switching timing is determined by a CPU, which will be described later.
Given from 31. The irradiation light is directed toward the substrate by the half mirror 21, and is applied to the processing surface of the substrate W through the objective lens 23.

【0057】なお、上述したように基板Wに照射される
照明光の大きさは、少なくとも基板Wの1チップ分に相
当する領域であればよい。例えば、30mm角のチップ
の場合は、少なくとも42.5mm径の照射スポットが
形成されるようにする。
As described above, the size of the illuminating light applied to the substrate W may be at least an area corresponding to one chip of the substrate W. For example, in the case of a 30 mm square chip, an irradiation spot having a diameter of at least 42.5 mm is formed.

【0058】基板Wの処理面で反射した光は、対物レン
ズ23を通過し、ハーフミラー21を透過した後、集光
レンズ25を通って2D−CCD27(二次元電荷結合
素子)に集光される。この2D−CCD27としては、
1000画素×1000画素のものが例示される。基板
Wの処理面における空間分解能は、例えば、30μm程
度である。
The light reflected by the processing surface of the substrate W passes through the objective lens 23, passes through the half mirror 21, and is condensed on the 2D-CCD 27 (two-dimensional charge-coupled device) through the condenser lens 25. You. As the 2D-CCD 27,
One with 1000 pixels × 1000 pixels is exemplified. The spatial resolution on the processing surface of the substrate W is, for example, about 30 μm.

【0059】なお、2D−CCD27が本発明における
画像取り込み手段に相当し、フィルタ切換部19が波長
切換手段に相当する。
The 2D-CCD 27 corresponds to an image capturing unit in the present invention, and the filter switching unit 19 corresponds to a wavelength switching unit.

【0060】また、上述したように、基板Wに形成され
ている銅パターンの最大幅の少なくとも半分のピッチで
複数箇所を対象に測定すれば、データ測定時にて測定位
置を正確に合わせなくてもいずれかのデータには銅パタ
ーンだけからの分光反射率データを含むこととなる。し
たがって、測定時に基板Wとの位置合わせを粗く行って
も銅被着基板の検出が可能である。
Further, as described above, if measurement is performed at a plurality of locations at a pitch of at least half the maximum width of the copper pattern formed on the substrate W, it is not necessary to accurately adjust the measurement position during data measurement. Any of the data includes spectral reflectance data from only the copper pattern. Therefore, even if the alignment with the substrate W is roughly performed at the time of measurement, the copper-coated substrate can be detected.

【0061】ビデオキャプチャー部29は、2D−CC
D27に接続されており、分光反射率の測定において2
D−CCD27の各画素の出力電圧を取り込む。取り込
みは、フィルタ切換部19の切換タイミングに合わせて
CPU31によって行われる。
The video capture unit 29 has a 2D-CC
D27, and 2 in the measurement of spectral reflectance.
The output voltage of each pixel of the D-CCD 27 is taken. The capture is performed by the CPU 31 in accordance with the switching timing of the filter switching unit 19.

【0062】このように構成された装置では、基板Wが
カセットCから搬送されて中継機構7に載置された時点
で、枚葉式の銅被着基板検出機構13が検出位置に下降
し、フィルタ切換部19にて基板Wに照射する光の波長
を切換ながら、基板Wの分光反射率データを測定する。
そして、2D−CCD27の各画素の中に、一つでも上
述したような特異性が現れていれば、その基板Wを銅被
着基板であると判断する。銅被着基板が検出された場合
には、その基板Wを第2搬送路9方向には搬送せず、搬
出側のカセットCに戻す特定処理を行い、処理部11で
施す所定の処理は行わないようにする。
In the apparatus configured as described above, when the substrate W is conveyed from the cassette C and placed on the relay mechanism 7, the single-wafer type copper-coated substrate detecting mechanism 13 descends to the detecting position, The spectral reflectance data of the substrate W is measured while switching the wavelength of the light irradiated on the substrate W by the filter switching unit 19.
If at least one of the above-described specificities appears in each pixel of the 2D-CCD 27, it is determined that the substrate W is a copper-coated substrate. When a copper-coated substrate is detected, a specific process of returning the substrate W to the unloading side cassette C without transporting the substrate W in the direction of the second transport path 9 is performed, and a predetermined process performed by the processing unit 11 is performed. Not to be.

【0063】このように分光反射画像に基づいて得られ
た分光反射率データと、この分光反射率データの特異性
に基づき銅被着基板を検出し、銅被着基板だけに対して
特定処理を行うようにしたので、比較的簡易な構成で装
置コストの上昇を抑制しつつも銅被着基板を判別でき
る。銅被着基板を検出した場合には、所定の処理とは異
なる特定処理を行うので、基板処理装置の周辺部を汚染
したり他の基板に悪影響を与えることを未然に防止する
ことができる。
The copper-coated substrate is detected based on the spectral reflectance data obtained based on the spectral reflectance image and the specificity of the spectral reflectance data, and the specific processing is performed only on the copper-coated substrate. Since this is performed, it is possible to discriminate the copper-coated substrate with a relatively simple configuration while suppressing an increase in apparatus cost. When a copper-coated substrate is detected, a specific process different from the predetermined process is performed, so that it is possible to prevent the peripheral portion of the substrate processing apparatus from being contaminated or adversely affecting other substrates.

【0064】また、搬送ロボット5の近くには、カセッ
トC内に収納されている複数枚の基板Wを対象にして同
時に銅被着基板が存在しているか否かを検出するバッチ
式の銅被着基板検出機構33も配備されている。
In the vicinity of the transfer robot 5, a batch-type copper coating for simultaneously detecting whether or not a plurality of substrates W stored in the cassette C are present is performed. A landing substrate detection mechanism 33 is also provided.

【0065】次に、図6ないし図8を参照してバッチ式
の銅被着基板検出機構33について説明する。なお、図
6は、バッチ式に適した銅被着基板検出機構の概略構成
を示す斜視図であり、図7は、概略構成を示すブロック
図である。
Next, the batch type copper-coated substrate detecting mechanism 33 will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a perspective view showing a schematic configuration of a copper-coated substrate detection mechanism suitable for a batch system, and FIG. 7 is a block diagram showing the schematic configuration.

【0066】バッチ式の場合には、例えば、1ロット分
25枚の基板Wがカセットに収容された状態で、いずれ
かの基板Wに銅が被着されているか否かを判断する必要
があるので、上述した枚葉式の銅被着基板検出機構13
の構造よりも複雑化する。この例では、搬入側のカセッ
トCに対向する位置に、旋回可能な枚葉式の銅被着基板
検出機構33を備える。基板Wの銅被着を検出しない状
態では、搬送ロボット5と干渉しない待機位置にあり、
検出時にのみ図4に二点鎖線で示す検出位置にまで旋回
移動するようになっている。
In the case of the batch method, for example, it is necessary to determine whether or not any one of the substrates W is coated with copper in a state where 25 substrates W for one lot are accommodated in a cassette. Therefore, the above-described single-wafer type copper-coated substrate detection mechanism 13
More complex than the structure. In this example, a rotatable single-wafer type copper-adhered substrate detection mechanism 33 is provided at a position facing the cassette C on the loading side. In a state in which copper deposition on the substrate W is not detected, the substrate W is at a standby position where it does not interfere with the transfer robot 5,
Only at the time of detection, it turns to the detection position indicated by the two-dot chain line in FIG.

【0067】また、カセットCに複数枚の基板Wが収容
された状態では、各基板Wの間には10mm程度しか隙
間が無い。したがって、基板Wの処理面の分光反射率デ
ータを得るためには各基板間に差し入れるための複数個
の測定プローブ35が必要となる。各測定プローブ35
には、光ファイバー束37の一端側が分けて接続され、
他端部は図7に示すように照射光学系15に接続されて
いる。
When a plurality of substrates W are stored in the cassette C, there is only a gap of about 10 mm between the substrates W. Therefore, in order to obtain spectral reflectance data of the processing surface of the substrate W, a plurality of measurement probes 35 to be inserted between the substrates are required. Each measurement probe 35
, One end of the optical fiber bundle 37 is connected separately.
The other end is connected to the irradiation optical system 15 as shown in FIG.

【0068】照射光学系15から照射されて基板Wの処
理面で反射した光は、分光ユニット39によってRGB
に対応する波長に分けられ、集光レンズ25を経て各2
D−CCD27に入射される。この例では、3個の2D
−CCD27がRGBに対応する。これらの2D−CC
D27の出力はビデオキャプチャー部29に接続されて
いるのは、上述した実施例と同じである。なお、分光ユ
ニット39が本発明における波長選択手段に相当する。
The light irradiated from the irradiation optical system 15 and reflected on the processing surface of the substrate W is
, And passes through the condenser lens 25 for each 2
The light is incident on the D-CCD 27. In this example, three 2D
-The CCD 27 corresponds to RGB. These 2D-CC
The output of D27 is connected to the video capture unit 29 as in the above-described embodiment. Note that the spectroscopy unit 39 corresponds to a wavelength selection unit in the present invention.

【0069】測定プローブ35について図8を参照しな
がら説明する。測定プローブ35は、光ファイバー束3
7の一部が接続されている。つまり、光ファイバー束3
7を構成する光ファイバー41が分割して取り出され、
測定プローブ35に取り付けられている。取り付けられ
ている光ファイバー41は、例えば、1000本であ
る。各光ファイバー41の延長軸上には、マイクロレン
ズアレイ43が取り付けられており、その先にはミラー
45が取り付けられている。
The measurement probe 35 will be described with reference to FIG. The measurement probe 35 is an optical fiber bundle 3
7 is connected. That is, the optical fiber bundle 3
The optical fiber 41 constituting 7 is divided and taken out,
It is attached to the measurement probe 35. The number of the attached optical fibers 41 is, for example, 1,000. A microlens array 43 is attached on the extension axis of each optical fiber 41, and a mirror 45 is attached to a tip of the microlens array 43.

【0070】上記のような構成の装置では、バッチ式の
銅被着検出機構33を検出位置にまで移動した後、測定
プローブ35を基板Wの中心側に向けて所定距離だけス
テップ送りしながら、ステップごとに分光反射率データ
を測定する。ステップ送りは、1チップ分をカバーでき
るように行う。例えば30mm程度である。
In the apparatus having the above-described configuration, after moving the batch-type copper deposition detecting mechanism 33 to the detection position, the measuring probe 35 is stepped toward the center side of the substrate W by a predetermined distance. Measure the spectral reflectance data for each step. The step feed is performed so as to cover one chip. For example, it is about 30 mm.

【0071】そして、2D−CCD27を介して得られ
た分光反射率データと、基準分光反射率データと比較し
た結果、分光反射率に特異性があると認められた場合に
は、複数枚の基板Wのうちのいずれかに銅被着基板が混
入していることを示す。したがって、この場合には、複
数枚の基板Wごと中継機構7を経由してカセット載置台
1の搬出側に搬送する。つまり、所定の処理を施すこと
なく、特定の処理としてそれらの基板Wを搬出する。
When the spectral reflectance data obtained through the 2D-CCD 27 is compared with the reference spectral reflectance data and the spectral reflectance is found to be unique, a plurality of substrates are determined. This indicates that the copper-coated substrate is mixed in any of W. Therefore, in this case, the plurality of substrates W are transported to the unloading side of the cassette mounting table 1 via the relay mechanism 7. That is, these substrates W are unloaded as specific processing without performing predetermined processing.

【0072】このように本実施例装置によると、比較的
簡易な構成で銅被着基板検出機構33を構成することが
でき、しかも複数個の2D−CCD27によって分光反
射率データを高い精度で測定できる。
As described above, according to the present embodiment, the copper-coated substrate detecting mechanism 33 can be configured with a relatively simple configuration, and the spectral reflectance data can be measured with high accuracy by the plurality of 2D-CCDs 27. it can.

【0073】なお、本実施例装置では、2D−CCD2
7を3個用意し、分光ユニット39で3色に対応する波
長の光をそれぞれの2D−CCD27に照射するように
しているが、2D−CCD27にカラーフィルタを組み
合わせた1つのRGBカラー2D−CCDを採用しても
よい。
In this embodiment, the 2D-CCD 2
7 are prepared and light of wavelengths corresponding to three colors is irradiated to the respective 2D-CCD 27 by the spectral unit 39. However, one RGB color 2D-CCD combining the 2D-CCD 27 with a color filter is provided. May be adopted.

【0074】[0074]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、銅が被着されている基板から
の分光反射率データは特異性を示すので、測定した分光
反射率データに特異性が現れているか否かによって基板
が銅被着基板であるか否かを判別することができる。し
たがって、分光反射率データを測定するだけで銅被着基
板を検出することができ、比較的容易に銅被着基板を検
出することができる。
As is apparent from the above description, according to the first aspect of the present invention, since the spectral reflectance data from the substrate on which copper is deposited shows specificity, the measured spectral reflectance Whether or not the substrate is a copper-coated substrate can be determined based on whether or not specificity appears in the rate data. Therefore, the copper-coated substrate can be detected only by measuring the spectral reflectance data, and the copper-coated substrate can be detected relatively easily.

【0075】また、請求項2に記載の発明によれば、分
光反射率データの特性が一般的なものからずれたとして
も、青色波長と緑色波長とのうちのいずれか一方と、赤
色波長との少なくとも三点で分光反射率データの測定を
行うことにより誤判別を防止することができ、検出精度
を高めることが可能となる。
According to the second aspect of the present invention, even if the characteristics of the spectral reflectance data deviate from general characteristics, one of the blue wavelength and the green wavelength, and the red wavelength By measuring the spectral reflectance data at at least three points, erroneous determination can be prevented, and the detection accuracy can be improved.

【0076】また、請求項3に記載の発明によれば、分
光反射画像を取り込むことにより分光反射率を測定する
ことができ、これに基づき銅被着基板の判別が可能とな
る。
According to the third aspect of the present invention, the spectral reflectance can be measured by capturing the spectral reflection image, and the copper-coated substrate can be determined based on the spectral reflectance.

【0077】また、請求項4に記載の発明によれば、銅
が被着した基準となる基板についての基準分光反射率デ
ータと、測定した分光反射率データとに基づき判別する
ことにより、銅が被着しているかを正確に判別可能であ
According to the fourth aspect of the present invention, copper is discriminated based on the reference spectral reflectance data of the reference substrate on which copper is adhered and the measured spectral reflectance data. It is possible to accurately determine whether it is attached

【0078】また、請求項5に記載の発明によれば、一
般的に半導体基板などには1チップ分のパターンが繰り
返し形成されているので、基板の処理面全体から分光反
射率データを測定しなくても、少なくとも1チップに相
当する領域内に照明光を照射して分光反射率データを測
定することで銅被着基板であるか否かを判別することが
できる。
According to the fifth aspect of the present invention, since a pattern for one chip is generally formed repeatedly on a semiconductor substrate or the like, spectral reflectance data is measured from the entire processing surface of the substrate. Even if it is not, it is possible to determine whether or not the substrate is a copper-coated substrate by irradiating at least an area corresponding to one chip with illumination light and measuring spectral reflectance data.

【0079】また、請求項6に記載の発明によれば、銅
パターンの最大幅の少なくとも半分のピッチで複数箇所
を対象に分光反射率データを測定すれば、データ測定過
程にて測定位置を正確に合わせなくてもいずれかのデー
タには銅パターンだけからの分光反射率データとなる。
したがって、測定時に基板との位置合わせを粗く行って
も銅被着基板の検出が可能である。
According to the sixth aspect of the present invention, if the spectral reflectance data is measured at a plurality of locations at a pitch of at least half the maximum width of the copper pattern, the measurement position can be accurately determined in the data measurement process. , Any data becomes spectral reflectance data only from the copper pattern.
Therefore, it is possible to detect the copper-coated substrate even if the alignment with the substrate is roughly performed at the time of measurement.

【0080】また、請求項7に記載の発明によれば、基
板を一枚ごとに処理する枚葉式の場合にはデータ測定過
程と判別過程を一枚ごとに実施して銅被着基板を判別す
ることが好ましい。
According to the present invention, in the case of a single-wafer processing in which the substrates are processed one by one, the data measurement process and the discrimination process are performed one by one to remove the copper-coated substrate. It is preferable to determine.

【0081】また、請求項8に記載の発明によれば、基
板を複数枚同時に処理するバッチ式の場合にはデータ処
理過程と判別過程を複数枚の基板を対象に実施するのが
好ましい。
According to the present invention, in the case of a batch system in which a plurality of substrates are simultaneously processed, it is preferable that the data processing step and the discrimination step are performed on a plurality of substrates.

【0082】また、請求項9に記載の発明によれば、分
光反射画像に基づいて得られた分光反射率データと、こ
の分光反射率データの特異性に基づき銅被着基板を検出
し、銅被着基板だけに対して特定処理を行うようにした
ので、比較的簡易な構成で装置コストの上昇を抑制しつ
つも銅被着基板を判別できる。銅被着基板を検出した場
合には、所定の処理とは異なる特定処理を行うので、基
板処理装置の周辺部を汚染したり他の基板に悪影響を与
えることを未然に防止することができる。
According to the ninth aspect of the present invention, a copper-coated substrate is detected based on spectral reflectance data obtained based on a spectral reflectance image and the specificity of the spectral reflectance data. Since the specific processing is performed only on the substrate to be adhered, it is possible to discriminate the copper adhered substrate with a relatively simple configuration while suppressing an increase in apparatus cost. When a copper-coated substrate is detected, a specific process different from the predetermined process is performed, so that it is possible to prevent the peripheral portion of the substrate processing apparatus from being contaminated or adversely affecting other substrates.

【0083】また、請求項10に記載の発明によれば、
比較的簡易な構成で銅被着基板検出機構を構成できるの
で、基板処理装置のコストを抑止しつつ銅被着基板を検
出する機能を付加することができる。
According to the tenth aspect of the present invention,
Since the copper-coated substrate detection mechanism can be configured with a relatively simple configuration, it is possible to add a function of detecting the copper-coated substrate while suppressing the cost of the substrate processing apparatus.

【0084】また、請求項11に記載の発明によれば、
比較的簡易な構成で銅被着基板検出機構を構成すること
ができつつも、複数個のCCDにより分光反射率データ
を高い精度で測定できる。
According to the eleventh aspect of the present invention,
While the copper-coated substrate detection mechanism can be configured with a relatively simple configuration, spectral reflectance data can be measured with high accuracy by a plurality of CCDs.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】各種材料の分光反射率を示すグラフである。FIG. 1 is a graph showing the spectral reflectance of various materials.

【図2】銅被着基板検出方法の一例を示すフローチャー
トである。
FIG. 2 is a flowchart illustrating an example of a method for detecting a copper-coated substrate.

【図3】測定波長領域ごとのCCD出力電圧を模式的に
示したグラフである。
FIG. 3 is a graph schematically showing a CCD output voltage for each measurement wavelength region.

【図4】銅被着基板検出機構を備えた基板処理装置の概
略構成を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus provided with a copper-coated substrate detection mechanism.

【図5】枚葉式に適した銅被着基板検出機構の概略構成
を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a schematic configuration of a copper-coated substrate detection mechanism suitable for a single wafer type.

【図6】バッチ式に適した銅被着基板検出機構の概略構
成を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a schematic configuration of a copper-coated substrate detection mechanism suitable for a batch type.

【図7】バッチ式に適した銅被着基板検出機構の概略構
成を示すブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a copper-coated substrate detection mechanism suitable for a batch method.

【図8】光学系の概略構成図である。FIG. 8 is a schematic configuration diagram of an optical system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W … 基板 1 … カセット載置台 7 … 中継機構 13 … 枚葉式の銅被着基板検出機構 15 … 照射光学系 19 … フィルタ切換部 21 … ハーフミラー 27 … 2D−CCD27(画像取り込み手段) 33 … バッチ式の銅被着基板検出機構 W ... substrate 1 ... cassette mounting table 7 ... relay mechanism 13 ... single-wafer type copper-coated substrate detection mechanism 15 ... irradiation optical system 19 ... filter switching unit 21 ... half mirror 27 ... 2D-CCD 27 (image capturing means) 33 ... Batch type copper-coated substrate detection mechanism

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 銅が処理面に被着されている基板を検出
する方法において、 基板の処理面について分光反射率データを測定するデー
タ測定過程と、 前記分光反射率データの特異性に基づき銅が被着してい
るか否かを判別する判別過程と、 を備えていることを特徴とする銅被着基板検出方法。
1. A method for detecting a substrate having copper applied to a processing surface, comprising: a data measuring step of measuring spectral reflectance data for the processing surface of the substrate; A determining step of determining whether or not the substrate is adhered. A method for detecting a copper-adhered substrate, comprising:
【請求項2】 請求項1に記載の銅被着基板検出方法に
おいて、 前記データ測定過程は、青色波長領域と緑色波長領域の
うちのいずれか一方と、赤色波長領域との少なくとも二
点にて実施されることを特徴とする銅被着基板検出方
法。
2. The method for detecting a copper-coated substrate according to claim 1, wherein the data measuring step is performed at least at two points of one of a blue wavelength region and a green wavelength region and a red wavelength region. A method for detecting a copper-coated substrate, which is performed.
【請求項3】 請求項1または2に記載の銅被着基板検
出方法において、 前記データ測定過程は、分光反射画像を取り込むことで
実施されることを特徴とする銅被着基板検出方法。
3. The method for detecting a copper-coated substrate according to claim 1, wherein the data measuring step is performed by capturing a spectral reflection image.
【請求項4】 請求項1ないし3に記載の銅被着基板検
出方法において、 前記判別過程における判別は、銅が被着した基準となる
基板についての基準分光反射率データと、前記分光反射
率データとに基づいて行うことを特徴とする銅被着基板
検出方法。
4. The method for detecting a copper-coated substrate according to claim 1, wherein the determination in the determination step includes: determining reference spectral reflectance data for a reference substrate on which copper is mounted; and determining the spectral reflectance. A method for detecting a copper-coated substrate, wherein the method is performed based on data.
【請求項5】 請求項1ないし4に記載の銅被着基板検
出方法において、 前記データ測定過程は、少なくとも基板の処理面に形成
された1チップに相当する領域内に照明光を照射した状
態で実施されることを特徴とする銅被着基板検出方法。
5. The method for detecting a copper-coated substrate according to claim 1, wherein the data measuring step includes irradiating at least an area corresponding to one chip formed on a processing surface of the substrate with illumination light. A method for detecting a copper-coated substrate, characterized in that the method is performed by:
【請求項6】 請求項5に記載の銅被着基板検出方法に
おいて、 前記データ測定過程における分光反射率データの測定
は、1チップに形成された銅パターンの最大幅に対し
て、少なくとも半分のピッチで複数箇所を対象に実施さ
れることを特徴とする銅被着基板検出方法。
6. The method for detecting a copper-coated substrate according to claim 5, wherein the measurement of the spectral reflectance data in the data measurement step is at least half of the maximum width of the copper pattern formed on one chip. A method for detecting a copper-coated substrate, wherein the method is performed on a plurality of locations at a pitch.
【請求項7】 請求項1ないし6に記載の銅被着基板検
出方法において、 前記データ測定過程及び前記判別過程は、一枚の基板ご
とに実施されることを特徴とする銅被着基板検出方法。
7. The method for detecting a copper-coated board according to claim 1, wherein the data measuring step and the discriminating step are performed for each single board. Method.
【請求項8】 請求項1ないし6に記載の銅被着基板検
出方法において、 前記データ測定過程及び前記判別過程は、複数枚の基板
を対象に実施されることを特徴とする銅被着基板検出方
法。
8. The method for detecting a copper-coated substrate according to claim 1, wherein the data measuring step and the determining step are performed on a plurality of substrates. Detection method.
【請求項9】 基板に所定の処理を施す基板処理装置に
おいて、 基板の処理面に照明光を照射する照射光学系と、 基板の処理面の反射画像を取り込む画像取り込み手段
と、 前記画像取り込み手段を介して基板の処理面についての
分光反射画像を取り込み、前記分光反射画像に基づいて
得られた分光反射率データと、この分光反射率データの
特異性に基づき銅被着基板を判別する判別手段とを備え
た銅被着基板検出手段を備え、 銅被着基板だけに対して特定処理を行うことを特徴とす
る基板処理装置。
9. A substrate processing apparatus for performing predetermined processing on a substrate, an irradiation optical system for irradiating a processing surface of the substrate with illumination light, an image capturing unit for capturing a reflection image of the processing surface of the substrate, and the image capturing unit. A spectral reflection image of the processing surface of the substrate via the CPU, and a spectral reflectance data obtained based on the spectral reflectance image, and a discriminating unit for determining a copper-coated substrate based on the specificity of the spectral reflectance data A substrate processing apparatus, comprising: a copper-coated substrate detection unit having the following configuration: and performing a specific process only on the copper-coated substrate.
【請求項10】 請求項9に記載の基板処理装置におい
て、 前記画像取り込み手段はCCDを備えるとともに、 前記照射光学系からの照明光を複数の測定波長領域に順
次に切り換える波長切換手段を備えていることを特徴と
する基板処理装置。
10. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the image capturing unit includes a CCD, and further includes a wavelength switching unit that sequentially switches illumination light from the irradiation optical system to a plurality of measurement wavelength regions. A substrate processing apparatus.
【請求項11】 請求項9に記載の基板処理装置におい
て、 前記画像取り込み手段は複数個のCCDを備えるととも
に、 前記照射光学系から照射されて基板の処理面で反射した
光のうち、前記複数個のCCDに対応した測定波長領域
だけを同時に選択する波長選択手段を備えていることを
特徴とする基板処理装置。
11. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the image capturing means includes a plurality of CCDs, and the plurality of light beams emitted from the irradiation optical system and reflected by a processing surface of the substrate. A substrate processing apparatus comprising: a wavelength selecting unit that simultaneously selects only a measurement wavelength region corresponding to a plurality of CCDs.
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KR100729933B1 (en) 2005-12-19 2007-06-18 동부일렉트로닉스 주식회사 Method of monitoring depositing temperature of cu seed layer and method for forming cu layer by using the same
JP2009289818A (en) * 2008-05-27 2009-12-10 Tokyo Electron Ltd Needle track inspecting apparatus, probe apparatus, needle track inspecting method, and storage medium

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