JP2002246435A - Substrate processor and substrate-processing method - Google Patents

Substrate processor and substrate-processing method

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JP2002246435A
JP2002246435A JP2001039514A JP2001039514A JP2002246435A JP 2002246435 A JP2002246435 A JP 2002246435A JP 2001039514 A JP2001039514 A JP 2001039514A JP 2001039514 A JP2001039514 A JP 2001039514A JP 2002246435 A JP2002246435 A JP 2002246435A
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JP
Japan
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substrate
processing
moving
chamber
predetermined
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JP2001039514A
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Japanese (ja)
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Norihito Kawaguchi
紀仁 河口
Miyuki Masaki
みゆき 正木
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IHI Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processor whose installation area is small and whose incorporation to a manufacture line is easy. SOLUTION: A substrate carry-in process for carrying in an erected substrate into a prescribed environment, a substrate moving process for moving the erected substrate upward or downward in the prescribed environment, a substrate processing process for processing the substrate during the substrate moving process and a substrate carry-out process for carrying out the erected substrate form within the prescribed environment are disposed, instead of the substrate processing method for processing a conventional substrate in the prescribed environment.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、所定の環境(例え
ば、真空環境または不活性気体雰囲気環境等)内で基板
(例えば、液晶基板や半導体基板等)に処理(例えば、
成膜処理、エッチング処理等の表面処理または熱処理
等)を行う基板処理装置に係る。更に詳しくは、基板の
搬送方法に特徴のある基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for processing a substrate (for example, a liquid crystal substrate or a semiconductor substrate) in a predetermined environment (for example, a vacuum environment or an inert gas atmosphere environment).
The present invention relates to a substrate processing apparatus that performs a surface treatment such as a film forming process and an etching process or a heat treatment. More specifically, the present invention relates to a substrate processing apparatus characterized by a method of transporting a substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体や液晶等の製造ラインでは、半導
体用基板や液晶用基板等に表面処理等の処理を施す基板
処理装置が使用される。一般に、基板の処理は、特殊な
雰囲気内でおこなわれる。例えば、真空環境や特殊ガス
雰囲気で基板の表面処理をおこなうために、開閉可能な
ゲートバルブがついた密閉可能な小空間が使用される。
この小空間を利用して基板に処理をする手順を説明す
る。まず最初に、ゲートバルブを開いて、基板を処理室
に搬入する。次にゲートバルブを閉じて、処理室を外界
から遮断する。処理室の内部の空気を真空ポンプにより
抜いて内部を真空にする。次に基板に処理を施す。表面
処理が終了したら、ゲートバルブを開放して、基板を取
り出す。基板表面処理装置を製造ラインの一部として使
用する場合は、搬入用ゲートバルブと搬出用ゲートバル
ブとを設ける場合もある。また、処理室を特殊環境にす
るのに時間がかかるので、処理装置のスループットを向
上させる目的で、処理室の前後に搬入、搬出用のロード
ロック室を設ける場合もある。
2. Description of the Related Art In a production line for semiconductors, liquid crystals, etc., a substrate processing apparatus for performing a surface treatment or the like on a semiconductor substrate, a liquid crystal substrate, or the like is used. Generally, processing of a substrate is performed in a special atmosphere. For example, in order to perform a surface treatment of a substrate in a vacuum environment or a special gas atmosphere, a small space that can be closed and has a gate valve that can be opened and closed is used.
A procedure for processing a substrate using this small space will be described. First, the gate valve is opened and the substrate is carried into the processing chamber. Next, the gate valve is closed to shut off the processing chamber from the outside. The inside of the processing chamber is evacuated by a vacuum pump to evacuate the inside. Next, the substrate is processed. When the surface treatment is completed, the gate valve is opened and the substrate is taken out. When the substrate surface treatment apparatus is used as a part of a production line, a carry-in gate valve and a carry-out gate valve may be provided. Further, since it takes time to make the processing chamber a special environment, load lock chambers for loading and unloading may be provided before and after the processing chamber in order to improve the throughput of the processing apparatus.

【0003】従来の基板処理装置の構造をスパッタ処理
装置を例にとり、説明する。従来の基板表面処理装置
は、仕込室と加熱室(処理室)とスパッタ室(処理室)
と取り出し室を備える。加熱室には、加熱源が設けられ
る。スパッタ室には、スパッタ装置が設けられる。処理
の手順にしたがって、仕込室、加熱室、スパッタ室、取
り出し室の順に配置され、処理装置の前後とそれぞれの
部屋の間とにはゲートバルブが設けられる。説明の都合
上、処理の手順にしたがって第一ゲートバルブ、第二ゲ
ートバルブ、第三ゲートバルブ、第四ゲートバルブ、第
五ゲートバルブと呼ぶ。各部屋には、基板を移送するた
めの移送機構が設けられている。真空引きラインがそれ
ぞれの部屋に連通し、アルゴンガス供給ラインがスパッ
タ室と取り出し室に連通している。
[0003] The structure of a conventional substrate processing apparatus will be described using a sputter processing apparatus as an example. Conventional substrate surface treatment equipment includes a charging chamber, a heating chamber (processing chamber), and a sputtering chamber (processing chamber).
And a take-out chamber. A heating source is provided in the heating chamber. A sputtering apparatus is provided in the sputtering chamber. In accordance with the processing procedure, a charging chamber, a heating chamber, a sputtering chamber, and a take-out chamber are arranged in this order, and a gate valve is provided between the front and rear of the processing apparatus and between the respective chambers. For convenience of explanation, they are referred to as a first gate valve, a second gate valve, a third gate valve, a fourth gate valve, and a fifth gate valve according to the processing procedure. Each room is provided with a transfer mechanism for transferring a substrate. An evacuation line communicates with each chamber, and an argon gas supply line communicates with the sputter chamber and the extraction chamber.

【0004】次に、従来のスパッタ処理装置の作用を、
処理の手順にしたがって、説明する。最初、すべてのゲ
ートバルブが閉じ、仕込室には大気圧の空気が充満し、
加熱室とスパッタ室と取り出し室は真空になっている。
基板が基板ホルダに支持されている。第一ゲートバブル
を開き、基板ホルダに支持された基板を仕込室へ搬入す
る。第一ゲートバルブを閉じ、仕込室内の空気を排気す
る。仕込室が所定の真空になったら、第二ゲートバルブ
を開いて基板を加熱室に移動する。第二ゲートバルブを
閉じ、加熱源により基板を加熱する。基板が所定の温度
になったら、第三ゲートバルブを開き、基板をスパッタ
室に移動する。第三ゲートバルブを閉じ、スパッタ室に
アルゴンガスを導入する。アルゴンガス濃度が所定の値
になったら、スパッタ装置を駆動し、基板に所定の膜を
つける。スパッタリングが終了したら、スパッタ室のア
ルゴンガスを排気し、第四ゲートバルブを開き、基板を
取出室に移動する。第四ゲートバルブを閉じ、取出室に
大気を導入する。取出室が大気圧雰囲気になったら、第
五ゲートバルブを開き、基板を搬出する。第五ゲートバ
ルブを閉じ、取出室の空気を排気する。以後、順次最初
の手順から繰り返して、基板を処理する。
[0004] Next, the operation of the conventional sputtering apparatus will be described.
A description will be given in accordance with the processing procedure. At first, all gate valves are closed and the brewing room is filled with air at atmospheric pressure,
The heating chamber, the sputtering chamber and the take-out chamber are evacuated.
A substrate is supported on the substrate holder. The first gate bubble is opened, and the substrate supported by the substrate holder is carried into the preparation chamber. Close the first gate valve and exhaust the air in the charging chamber. When the preparation chamber reaches a predetermined vacuum, the second gate valve is opened and the substrate is moved to the heating chamber. The second gate valve is closed, and the substrate is heated by the heating source. When the substrate reaches a predetermined temperature, the third gate valve is opened, and the substrate is moved to the sputtering chamber. The third gate valve is closed, and argon gas is introduced into the sputtering chamber. When the argon gas concentration reaches a predetermined value, the sputtering device is driven to form a predetermined film on the substrate. When the sputtering is completed, the argon gas in the sputtering chamber is exhausted, the fourth gate valve is opened, and the substrate is moved to the extraction chamber. Close the fourth gate valve and introduce air into the extraction chamber. When the unloading chamber is at atmospheric pressure, the fifth gate valve is opened and the substrate is unloaded. Close the fifth gate valve and exhaust the air in the extraction chamber. Thereafter, the substrate is processed sequentially and repeatedly from the first procedure.

【0005】従来の基板処理装置では、処理の手順の順
に必要な部屋を水平直列につないでいる。この形式の基
板処理装置では、処理の手順の数が増えるにつれて、直
列につなげる部屋の数が増加し、基板表面処理装置の長
さが長くなった。一般にこれらの基板表面処理装置はク
リンルーム内に収めるので製造ラインの長さを短くする
ために、そのラインに組み込む装置の全長寸法を短くす
ることが望まれる。
In a conventional substrate processing apparatus, necessary rooms are connected in a horizontal series in the order of processing. In this type of substrate processing apparatus, as the number of processing procedures increases, the number of rooms connected in series increases, and the length of the substrate surface processing apparatus increases. In general, since these substrate surface treatment apparatuses are accommodated in a clean room, it is desirable to shorten the overall length of the apparatus incorporated in the production line in order to shorten the length of the production line.

【0006】そこで基板処理装置の全長寸法を短くする
構造と方法が検討されている。図5に従来の基板処理装
置100の平面図と側面図を示す。特開平08−196
894号公報では、基板10の面が垂直になるように基
板を支持しつつ搬送できるようにし、さらに処理室10
5を縦に折り返して積み重ね、仕込室103が取出室1
03を兼ねる構造が開示されている。この構造の装置の
全長寸法は、従来の構造である部屋を水平直列に繋げた
装置の全長寸法よりも短くすることができると思われ
る。
Therefore, a structure and a method for shortening the overall length of the substrate processing apparatus have been studied. FIG. 5 shows a plan view and a side view of a conventional substrate processing apparatus 100. JP-A-08-196
No. 894 discloses that the substrate 10 can be transported while being supported so that the surface of the substrate 10 is vertical.
5 are folded vertically and stacked, and the loading chamber 103 is
No. 03 is disclosed. It is believed that the overall length of the device of this structure can be shorter than the overall length of the device of the conventional structure in which the rooms are connected in horizontal series.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上述の様に、従来の基
板処理装置では、基板の処理手順が増加すると、それに
したがって、基板処理装置の全長寸法が大きくなり、大
きな据付面積が必要になるという問題があった。また、
基板表面処理装置を製造ラインに組み込むためには、基
板処理装置の前工程の装置との接続と後工程の装置との
接続とを必要とし、前工程装置との間や後工程装置との
間に別途、高さ位置や水平位置や左右位置を合わせるた
めの調整装置を必要としてさらに製造ラインの設置面積
が大きくなるという問題があった。また、基板を水平に
したまま処理を行うと、基板が重力の影響で撓んでしま
うため、処理性能の特性に悪影響をあたえるという問題
があった。
As described above, in the conventional substrate processing apparatus, as the number of substrate processing procedures increases, the overall length of the substrate processing apparatus increases, and a large installation area is required. There was a problem. Also,
Incorporating the substrate surface treatment equipment into the production line requires connection between the equipment in the previous process and the equipment in the post-process of the substrate processing equipment. In addition, there is a problem that an adjusting device for adjusting the height position, the horizontal position, and the left / right position is separately required, and the installation area of the manufacturing line is further increased. In addition, when processing is performed with the substrate kept horizontal, the substrate is bent by the influence of gravity, which has a problem of adversely affecting the characteristics of processing performance.

【0008】本発明は以上に述べた問題点に鑑み案出さ
れたもので、従来の基板処理装置にかわって、設置面積
が小さくまたは製造ラインへの組み込みが容易で、また
基板に良好な処理を施すことができる基板処理装置を提
供しようとする。
The present invention has been devised in view of the above-mentioned problems. Instead of a conventional substrate processing apparatus, the present invention has a small installation area or is easy to incorporate into a production line, and has a good processing performance on a substrate. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of performing the above.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る基板を所定環境下で処理する基板処理
方法は、起立した基板を所定環境内に搬入する基板搬入
工程と、起立した基板を所定環境内で上又は下に移動す
る基板移動工程と、基板を基板移動工程中に処理する基
板処理工程と、起立した基板を所定環境内から搬出する
基板搬出工程と、を備えるものとした。
In order to achieve the above object, a substrate processing method for processing a substrate in a predetermined environment according to the present invention includes a substrate loading step of loading an upright substrate into a predetermined environment; A substrate moving step of moving the substrate up or down in a predetermined environment, a substrate processing step of processing the substrate during the substrate moving step, and a substrate unloading step of unloading the erected substrate from the predetermined environment; did.

【0010】上記本発明の構成により、基板搬入工程が
起立した基板を所定環境内に搬入するので、基板が重力
の影響を受けにくい。基板移動工程が起立した基板を所
定環境内で上又は下に移動するので、基板が重力の影響
を受けにくく、また基板の所定環境内での上下移動に必
要な設置面積が少なくてすむ。基板処理工程が基板を基
板移動工程中に処理するで、基板の処理を移動工程中に
行うことができる。基板搬出工程が起立した基板を所定
環境内から搬出するので、基板が重力の影響を受けにく
い。
According to the configuration of the present invention, the substrate in which the substrate carrying-in step is erected is carried into a predetermined environment, so that the substrate is hardly affected by gravity. Since the substrate in which the substrate moving step has been set up is moved up or down in a predetermined environment, the substrate is less likely to be affected by gravity, and the installation area required for moving the substrate up and down in the predetermined environment can be reduced. Since the substrate processing process processes the substrate during the substrate moving process, the processing of the substrate can be performed during the moving process. Since the substrate on which the substrate unloading step is set up is unloaded from the predetermined environment, the substrate is hardly affected by gravity.

【0011】さらに、本発明に基板処理方法は、基板移
動工程が第一の基板移動工程と第二の基板移動工程とを
有し、第一の基板移動工程が起立した基板を所定環境内
で上又は下に移動する基板移動工程であって、第二の基
板移動工程が起立した基板を所定環境内で上又は下に移
動する基板移動工程であって、起立した基板を第一の基
板移動工程から第二の基板移動工程に移載する基板移載
工程を備えるものとした。
Further, in the substrate processing method according to the present invention, the substrate moving step includes a first substrate moving step and a second substrate moving step, and the substrate on which the first substrate moving step is erected is placed in a predetermined environment. A substrate moving step of moving up or down, wherein the second substrate moving step is a substrate moving step of moving the erected substrate up or down in a predetermined environment, wherein the erected substrate is moved by the first substrate It is provided with a substrate transfer step of transferring from the step to the second substrate transfer step.

【0012】上記本発明の構成により、基板移動工程が
第一の基板移動工程と第二の基板移動工程とにわかれ、
基板移載工程が起立した基板を第一の基板移動工程から
第二の基板移動工程に移載するので、第一の基板移動工
程と第二の基板移動工程とを物理的に分離することがで
きる。第一の基板移動工程が起立した基板を所定環境内
で上又は下に移動するので、第一の基板移動工程での基
板の移動に必要な設置面積が少なくてすむ。第二の垂直
移動工程が起立した基板を所定環境内で上又は下に移動
するので、第二の基板移動工程での基板の移動に必要な
設置面積が少なくてすむ。
According to the configuration of the present invention, the substrate moving step is divided into a first substrate moving step and a second substrate moving step.
Since the substrate in which the substrate transfer step has been erected is transferred from the first substrate transfer step to the second substrate transfer step, it is possible to physically separate the first substrate transfer step and the second substrate transfer step. it can. Since the substrate on which the first substrate moving step has been set up is moved up or down within a predetermined environment, the installation area required for moving the substrate in the first substrate moving step can be reduced. Since the substrate in the second vertical movement step is moved up or down in a predetermined environment, the installation area required for the movement of the substrate in the second substrate movement step can be reduced.

【0013】また、本発明に係る基板を所定環境下で処
理する基板処理装置は、起立した基板を所定環境内に搬
入する基板搬入機構と、起立した基板を所定環境内で上
又は下に移動する基板移動機構と、基板を基板移動機構
に搭載した状態で処理する基板処理機構と、起立した基
板を所定環境内から搬出する基板搬出機構と、を備える
ものとした。
According to the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for processing a substrate in a predetermined environment, comprising: a substrate loading mechanism for loading an upright substrate into a predetermined environment; And a substrate processing mechanism for processing the substrate with the substrate mounted on the substrate moving mechanism, and a substrate unloading mechanism for unloading the erected substrate from a predetermined environment.

【0014】上記本発明の構成により、基板搬入機構が
起立した基板を所定環境内に搬入するので、基板が重力
の影響を受けにくい。基板移動機構が起立した基板を所
定環境内で上又は下に移動するので、基板の所定環境内
での上下移動に必要な設置面積が少なくてすむ。基板処
理機構が基板を基板移動機構に搭載した状態で処理する
ので、基板の処理を基板移動機構に搭載中にすることが
できる。基板搬出機構が起立した基板を所定環境内から
搬出するので、基板が重力の影響を受けにくい。
According to the configuration of the present invention, since the substrate loading mechanism transports the erected substrate into a predetermined environment, the substrate is less affected by gravity. Since the substrate moving mechanism moves the erected substrate up or down in a predetermined environment, the installation area required for moving the substrate up and down in the predetermined environment can be reduced. Since the substrate processing mechanism performs the processing while the substrate is mounted on the substrate moving mechanism, the processing of the substrate can be performed during the mounting on the substrate moving mechanism. Since the substrate unloading mechanism unloads the erected substrate from the predetermined environment, the substrate is less affected by gravity.

【0015】さらに、本発明に係る基板表面処理装置
は、基板移動機構が第一の基板移動機構と第二の基板移
動機構とを有し、第一の基板移動機構が起立した基板を
所定環境内で上又は下に移動する基板移動機構であっ
て、第二の基板移動機構が起立した基板を所定環境内で
上又は下に移動する基板移動機構であって、起立した基
板を第一の基板移動機構から第二の基板移動機構に移載
する基板移載機構を備える
Further, in the substrate surface treating apparatus according to the present invention, the substrate moving mechanism has a first substrate moving mechanism and a second substrate moving mechanism, and the substrate on which the first substrate moving mechanism stands can be placed in a predetermined environment. A substrate moving mechanism that moves up or down in the substrate moving mechanism that moves the substrate upright or down in a predetermined environment, wherein the second substrate moving mechanism moves the substrate upright in the first environment. Provided with a substrate transfer mechanism for transferring from the substrate transfer mechanism to the second substrate transfer mechanism

【0016】上記本発明の構成により、基板移動機構が
第一の基板移動機構と第二の基板移動機構とにわかれ、
基板移載機構が起立した基板を第一の基板移動機構から
第二の基板移動機構に移載するので、第一の基板移動機
構と第二の基板移動機構とを物理的に分離することがで
きる。第一の基板移動機構が起立した基板を所定環境内
で上又は下に移動するので、第一の基板移動機構に必要
な設置面積が少なくてすむ。第二の基板移動機構が起立
した基板を所定環境内で上又は下に移動するので、第二
の基板移動機構に必要な設置面積が少なくてすむ。
According to the configuration of the present invention, the substrate moving mechanism is divided into a first substrate moving mechanism and a second substrate moving mechanism.
Since the substrate transfer mechanism transfers the erected substrate from the first substrate transfer mechanism to the second substrate transfer mechanism, it is possible to physically separate the first substrate transfer mechanism and the second substrate transfer mechanism. it can. Since the first substrate moving mechanism moves the standing substrate up or down in a predetermined environment, the installation area required for the first substrate moving mechanism can be reduced. Since the second substrate moving mechanism moves the standing substrate up or down in a predetermined environment, the installation area required for the second substrate moving mechanism can be reduced.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
を、図面を参照して説明する。なお、各図において、共
通する部分には同一の符号を付し、重複した説明を省略
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each of the drawings, common portions are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0018】本発明の第一の実施形態に係る基板処理装
置20の構造を説明する。図1は、本発明の第一の実施
形態の側面図である。この基板処理装置20は、所定の
雰囲気11(11a、11b)中において基板処理工程
12(12a、12b)を基板10に施す装置である。
基板処理装置20は、基板搬入機構21と基板移動機構
22(22a、22b)と基板処理機構24(24a、
24b)と基板搬出機構23とを備える。
The structure of the substrate processing apparatus 20 according to the first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 is a side view of the first embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 20 is an apparatus that performs a substrate processing step 12 (12a, 12b) on a substrate 10 in a predetermined atmosphere 11 (11a, 11b).
The substrate processing apparatus 20 includes a substrate loading mechanism 21, a substrate moving mechanism 22 (22a, 22b), and a substrate processing mechanism 24 (24a,
24b) and a substrate unloading mechanism 23.

【0019】基板搬入機構12は、基板10を起立した
姿勢で支持しつつ、外部から基板移動機構22内へ基板
10を搬入する機構である。基板移動機構22(22
a、22b)は、基板10を起立した姿勢で支持しつつ
所定の雰囲気11(11a、11b)内で基板10を上
方に移動する機構である。基板処理機構24(24a、
24b)は、基板10が基板移動機構22に搭載された
状態で、所定の雰囲気11(11a、11b)内で基板
処理工程12(12a、12b)を基板10に施す機構
である。基板処理機構24は前処理機構24aと後処理
機構24bとを有する。例えば、本装置がスパッタ装置
であれば、前処理機構24aは、真空雰囲気11a内で
基板10に加熱処理12aを施す機構であり、後処理機
構24bは真空雰囲気11b内で基板10にスパッタ処
理12bを施す機構である。基板搬出機構23は、基板
10を起立した状態で支持しつつ、基板移動機構22の
所定の雰囲気11内から外部へ基板10を搬出する機構
である。
The substrate loading mechanism 12 is a mechanism for loading the substrate 10 from outside into the substrate moving mechanism 22 while supporting the substrate 10 in an upright posture. The substrate moving mechanism 22 (22
a, 22b) are mechanisms for moving the substrate 10 upward in a predetermined atmosphere 11 (11a, 11b) while supporting the substrate 10 in an upright posture. The substrate processing mechanism 24 (24a,
24b) is a mechanism for performing a substrate processing step 12 (12a, 12b) on the substrate 10 in a predetermined atmosphere 11 (11a, 11b) with the substrate 10 mounted on the substrate moving mechanism 22. The substrate processing mechanism 24 has a pre-processing mechanism 24a and a post-processing mechanism 24b. For example, if the present apparatus is a sputtering apparatus, the pre-processing mechanism 24a is a mechanism for performing the heating process 12a on the substrate 10 in the vacuum atmosphere 11a, and the post-processing mechanism 24b is a mechanism for performing the sputtering process 12b on the substrate 10 in the vacuum atmosphere 11b. Is a mechanism for applying The substrate unloading mechanism 23 is a mechanism that unloads the substrate 10 from the predetermined atmosphere 11 of the substrate moving mechanism 22 to the outside while supporting the substrate 10 in an upright state.

【0020】次に、第一の実施形態に係る基板表面処理
装置20を使用して行う基板表面処理方法を説明する。
基板10は、起立し、その面を搬入のための進行方向に
向けている。 (基板搬入工程13)基板搬入機構21によって、基板
10を起立した姿勢で、基板移動機構22の所定の雰囲
気11内に搬入する。 (基板移動工程14)基板移動機構22によって、基板
10を起立した姿勢で、所定の雰囲気11(11a、1
1b)内で、上方に移動する。基板移動機構22は、第
一の基板移動機構22aと第二の基板移動機構22bを
有する。 (基板処理工程12)基板処理機構24によって、所定
の雰囲気11(11a、11b)内で所定の処理12
(12a、12b)を基板10に施す。例えば、本方法
がスパッタ方法であれば、第一の基板移動機構22aの
真空雰囲気11a内で基板10に加熱処理12aを施
し、第二の基板移動機構22bのアルゴンガス雰囲気1
1b内で基板10にスパッタ処理12bを施す。 (基板搬出工程15)基板搬出機構23によって、基板
10を起立した姿勢で、第二の基板移動機構22bの所
定の雰囲気11内から外部へ基板10を搬出する。
Next, a description will be given of a substrate surface treatment method performed using the substrate surface treatment apparatus 20 according to the first embodiment.
The substrate 10 stands up and its surface is oriented in the traveling direction for carrying in. (Substrate Loading Step 13) The substrate 10 is loaded into the predetermined atmosphere 11 of the substrate moving mechanism 22 by the substrate loading mechanism 21 in an upright posture. (Substrate moving step 14) The substrate 10 is moved upright by the substrate moving mechanism 22 in a predetermined atmosphere 11 (11a, 1a).
Within 1b), move upward. The substrate moving mechanism 22 has a first substrate moving mechanism 22a and a second substrate moving mechanism 22b. (Substrate processing step 12) The predetermined processing 12 is performed in the predetermined atmosphere 11 (11a, 11b) by the substrate processing mechanism 24.
(12a, 12b) is applied to the substrate 10. For example, if the present method is a sputtering method, the substrate 10 is subjected to the heat treatment 12a in the vacuum atmosphere 11a of the first substrate moving mechanism 22a, and the argon gas atmosphere 1 of the second substrate moving mechanism 22b.
The substrate 10 is subjected to a sputtering process 12b within 1b. (Substrate Unloading Step 15) The substrate unloading mechanism 23 unloads the substrate 10 from the predetermined atmosphere 11 of the second substrate moving mechanism 22b to the outside in a posture in which the substrate 10 stands upright.

【0021】本発明の第二の実施形態に係る基板処理装
置30の構造を説明する。図2は、本発明の第二の実施
形態の側面図である。この基板処理装置30は、第一の
所定の雰囲気11a中において第一の所定の処理12a
を基板10に施した後に、第二の所定の雰囲気11b中
において第二の所定の処理12bを基板10に施す装置
である。基板処理装置30は、基板搬入機構31と第一
の基板移動機構32aと第一の基板処理機構34aと基
板移載搬機構35と第二の基板移動機構32bと第二の
基板処理機構34bと基板搬出機構33とを備える。
The structure of a substrate processing apparatus 30 according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a side view of the second embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 30 performs the first predetermined processing 12a in the first predetermined atmosphere 11a.
Is a device that performs a second predetermined process 12b on the substrate 10 in a second predetermined atmosphere 11b after performing the process on the substrate 10. The substrate processing apparatus 30 includes a substrate loading mechanism 31, a first substrate moving mechanism 32a, a first substrate processing mechanism 34a, a substrate transfer / transport mechanism 35, a second substrate moving mechanism 32b, and a second substrate processing mechanism 34b. And a substrate unloading mechanism 33.

【0022】基板搬入機構32は、基板10を起立した
姿勢で支持しつつ、外部から第一の基板移動機構32a
内へ基板10を搬入する機構である。第一の基板移動機
構32aは、基板10を起立した姿勢で支持しつつ第一
の所定の雰囲気11a内で基板10を上方に移動する機
構である。第一の基板処理機構34aは、基板10が第
一の基板移動機構32aに搭載された状態で、第一の所
定の雰囲気11a内で第一の所定の処理12aを基板1
0に施す機構である。第二の基板移動機構32bは、基
板10を起立した姿勢で支持しつつ第二の所定の雰囲気
11b内で基板10を下方に移動する機構である。第二
の基板処理機構は、基板10が第二の基板移動機構32
bに搭載された状態で、第二の所定の雰囲気11b内で
第二の所定の処理12bを基板10に施す機構である。
例えば、本装置がスパッタ装置であれば、第一の基板処
理機構32aは、真空雰囲気11a内で基板10に加熱
処理12aを施す機構であり、第二の基板処理機構32
bはアルゴンガス雰囲気11b内で基板10にスパッタ
処理12bを施す機構である。基板移載機構35は、基
板10を起立した姿勢で支持しつつ、基板10を第一の
基板移動機構32aから第二の基板移動機構32bへ移
載する機構である。基板搬出機構33は、基板10を起
立した姿勢で支持しつつ、第二の基板移動機構32bの
第二の所定の雰囲気11b内から外部へ基板10を搬出
する機構である。
The substrate loading mechanism 32 supports the substrate 10 in an upright posture, and externally receives the first substrate moving mechanism 32a.
This is a mechanism for carrying the substrate 10 into the inside. The first substrate moving mechanism 32a is a mechanism that moves the substrate 10 upward in the first predetermined atmosphere 11a while supporting the substrate 10 in an upright posture. The first substrate processing mechanism 34a performs the first predetermined processing 12a in the first predetermined atmosphere 11a while the substrate 10 is mounted on the first substrate moving mechanism 32a.
This is a mechanism applied to 0. The second substrate moving mechanism 32b is a mechanism that moves the substrate 10 downward in the second predetermined atmosphere 11b while supporting the substrate 10 in an upright posture. The second substrate processing mechanism is such that the substrate 10 is
b, the second predetermined processing 12b is performed on the substrate 10 in the second predetermined atmosphere 11b.
For example, if the present apparatus is a sputtering apparatus, the first substrate processing mechanism 32a is a mechanism for performing the heat treatment 12a on the substrate 10 in the vacuum atmosphere 11a, and the second substrate processing mechanism 32a.
b is a mechanism for performing a sputtering process 12b on the substrate 10 in an argon gas atmosphere 11b. The substrate transfer mechanism 35 is a mechanism for transferring the substrate 10 from the first substrate moving mechanism 32a to the second substrate moving mechanism 32b while supporting the substrate 10 in an upright posture. The substrate unloading mechanism 33 is a mechanism that unloads the substrate 10 from inside the second predetermined atmosphere 11b of the second substrate moving mechanism 32b while supporting the substrate 10 in an upright posture.

【0023】次に、第二の実施形態に係る基板処理装置
30を使用して行う基板処理方法を説明する。 (基板搬入工程13)基板搬入機構31によって、基板
10を起立した姿勢で、第一の基板移動機構32の第一
の所定の雰囲気11内に搬入する。 (第一の基板移動工程14a)第一の基板移動機構32
aによって、基板10を起立した姿勢で、所定の雰囲気
11(11a、11b)内で、上方に移動する。 (第一の基板処理工程12a)第一の基板処理機構34
aによって、基板10が第一の基板移動機構32aに搭
載された状態で、第一の所定の雰囲気11a内で第一の
所定の処理12bを基板10に施す。例えば、本方法が
スパッタ方法であれば、真空雰囲気11a内で基板10
に加熱処理12aを施す。 (基板移載工程16)基板移載機構35によって、基板
10を起立した姿勢で支持しつつ、基板10を第一の基
板移動機構32aから第二の基板移動機構32bへ移載
する。 (第二の基板処理工程12b)第二の基板処理機構34
bによって、基板10が第二の基板移動機構32bに搭
載された状態で、第二の所定の雰囲気11b内で第二の
所定の処理12bを基板10に施す。例えば、本方法が
スパッタ方法であれば、アルゴンガス雰囲気11b内で
基板10にスパッタ処理12bを施す。 (第二の基板移動工程14b)第二の基板移動機構32
bによって、基板10を起立した姿勢で、所定の雰囲気
11(11a、11b)内で、下方に移動する。 (基板搬出工程15)基板搬出機構33によって、基板
10を起立した姿勢で、第二の基板移動機構32bの所
定の雰囲気11b内から外部へ基板10を搬出する。
Next, a substrate processing method performed using the substrate processing apparatus 30 according to the second embodiment will be described. (Substrate Loading Step 13) The substrate 10 is loaded into the first predetermined atmosphere 11 of the first substrate moving mechanism 32 by the substrate loading mechanism 31 in an upright posture. (First substrate moving step 14a) First substrate moving mechanism 32
By a, the substrate 10 is moved upward in a predetermined atmosphere 11 (11a, 11b) with the substrate 10 standing upright. (First Substrate Processing Step 12a) First Substrate Processing Mechanism 34
By a, the first predetermined processing 12b is performed on the substrate 10 in the first predetermined atmosphere 11a in a state where the substrate 10 is mounted on the first substrate moving mechanism 32a. For example, if the present method is a sputtering method, the substrate 10 is placed in a vacuum atmosphere 11a.
Is subjected to a heat treatment 12a. (Substrate Transfer Step 16) The substrate 10 is transferred from the first substrate moving mechanism 32a to the second substrate moving mechanism 32b while supporting the substrate 10 in an upright posture by the substrate transferring mechanism 35. (Second Substrate Processing Step 12b) Second Substrate Processing Mechanism 34
b, the second predetermined processing 12b is performed on the substrate 10 in the second predetermined atmosphere 11b in a state where the substrate 10 is mounted on the second substrate moving mechanism 32b. For example, if the method is a sputtering method, the substrate 10 is subjected to a sputtering process 12b in an argon gas atmosphere 11b. (Second Substrate Moving Step 14b) Second Substrate Moving Mechanism 32
By b, the substrate 10 is moved downward in a predetermined atmosphere 11 (11a, 11b) in an upright posture. (Substrate Unloading Step 15) The substrate 10 is unloaded from the predetermined atmosphere 11b of the second substrate moving mechanism 32b to the outside by the substrate unloading mechanism 33 with the substrate 10 standing upright.

【0024】次に、本発明の第三の実施形態に係る基板
処理装置40の構造を説明する。図3は、本発明の第三
の実施形態の側面図である。この基板処理装置40は、
真空雰囲気11a中において加熱処理12aを基板10
に施した後に、アルゴン雰囲気11b中においてスパッ
タ成膜処理12bを基板10に施すインライン型スパッ
タ装置である。基板処理装置40は、基板の流れの前方
に他の処理装置(以下、前方処理装置41と呼ぶ。)を
接続し、基板の流れの後方に他の処理装置(以下、後方
処理装置42と呼ぶ。)を接続する。基板10は、起立
した姿勢で基板ホォルダ17に支持される。
Next, the structure of a substrate processing apparatus 40 according to a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a side view of the third embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus 40
In a vacuum atmosphere 11a, the heat treatment 12a is applied to the substrate 10
This is an in-line type sputtering apparatus in which a sputter film forming process 12b is performed on the substrate 10 in an argon atmosphere 11b. The substrate processing apparatus 40 connects another processing apparatus (hereinafter, referred to as a forward processing apparatus 41) in front of the substrate flow, and another processing apparatus (hereinafter, referred to as a backward processing apparatus 42) behind the substrate flow. )). The substrate 10 is supported by the substrate holder 17 in an upright posture.

【0025】基板処理装置40は、基板搬入機構50と
第一の基板移動機構60と第一の基板処理機構65と基
板移載機構90と第二の基板移動機構70と第二の基板
処理機構75と基板搬出機構80とを備える。基板搬入
機構50は、基板10を起立した姿勢で支持しつつ外部
から第一の基板移動機構60内へ基板10を搬入する機
構であり、基板搬入室51と第一のゲートバルブ52と
第二のゲートバルブ53と基板搬入ユニット54とを有
する。基板搬入室51は、内部を真空環境に維持可能な
部屋である。第一のゲートバルブ52は、開閉可能なゲ
ート式バルブであり、前方処理装置41と基板搬入室5
1との連通部に設けられる。第二のゲートバルブ53
は、開閉可能なゲート式バルブであり、基板搬入室51
と第一の基板移動機構60との連通部に設けられる。基
板搬入ユニット54は、真空環境での作動が可能な、基
板を搬送する機械であり、基板搬入室51内に設けられ
る。
The substrate processing apparatus 40 includes a substrate loading mechanism 50, a first substrate moving mechanism 60, a first substrate processing mechanism 65, a substrate transferring mechanism 90, a second substrate moving mechanism 70, and a second substrate processing mechanism. 75 and a substrate unloading mechanism 80. The substrate carrying-in mechanism 50 is a mechanism that carries the substrate 10 from the outside into the first substrate moving mechanism 60 while supporting the substrate 10 in an upright posture. The substrate carrying-in chamber 51, the first gate valve 52, and the second The gate valve 53 and the substrate carry-in unit 54 are provided. The substrate loading room 51 is a room whose inside can be maintained in a vacuum environment. The first gate valve 52 is a gate valve that can be opened and closed, and includes the front processing device 41 and the substrate loading chamber 5.
1 is provided at a communication portion with the communication device 1. Second gate valve 53
Is a gate valve that can be opened and closed, and is a substrate loading chamber 51
And the first substrate moving mechanism 60. The substrate loading unit 54 is a machine that can operate in a vacuum environment and transports a substrate, and is provided in the substrate loading chamber 51.

【0026】第一の基板移動機構60は、基板10を起
立した姿勢で支持しつつ第一の所定の雰囲気(真空雰囲
気)11a内で基板10を上下に移動する機構であり、
第一基板移動室61と基板昇降機構62と基板昇降台6
3と基板昇降モータ64とを有する。第一の基板移動室
61は、内部を真空環境に維持可能な部屋である。基板
昇降機構62は、基板を支持する基板昇降台63を昇降
する機構であり、第一基板移動室61内に設けられる。
基板昇降台63は、基板フォルダ17を把持可能な機構
で、基板昇降機構62に乗せられる。基板昇降モータ6
4は、基板昇降機構62を駆動するモータである。第一
の基板処理機構65は、第一の所定の雰囲気(真空雰囲
気)11a内で第一の所定の処理(加熱処理)12aを
基板10に施す機構であり、第一の基板移動室61内に
設けられる。
The first substrate moving mechanism 60 is a mechanism for vertically moving the substrate 10 in a first predetermined atmosphere (vacuum atmosphere) 11a while supporting the substrate 10 in an upright posture.
First substrate moving chamber 61, substrate lifting mechanism 62, and substrate lifting table 6
3 and a substrate lifting motor 64. The first substrate moving chamber 61 is a room whose inside can be maintained in a vacuum environment. The substrate elevating mechanism 62 is a mechanism that elevates and lowers the substrate elevating table 63 that supports the substrate, and is provided in the first substrate moving chamber 61.
The substrate lifting table 63 is a mechanism that can hold the substrate folder 17 and is mounted on the substrate lifting mechanism 62. Substrate lifting motor 6
Reference numeral 4 denotes a motor that drives the substrate lifting mechanism 62. The first substrate processing mechanism 65 is a mechanism for performing a first predetermined process (heating process) 12a on the substrate 10 in a first predetermined atmosphere (vacuum atmosphere) 11a. Is provided.

【0027】第二の基板移動機構70は、基板10を起
立した姿勢で支持しつつ第二の所定の雰囲気(アルゴン
ガス雰囲気)11b内で、基板10を上下に移動する機
構であり、第二の基板移動室71と基板昇降機構72と
基板昇降台73と基板昇降モータ74とを有する。第二
の基板移動室71は、内部を真空環境またはアルゴンガ
ス雰囲気に維持可能な部屋である。基板昇降機構72
は、基板を支持する基板昇降台73を昇降する機構であ
り、第二の基板移動室71内に設けられる。基板昇降台
73は、基板フォルダ17を把持可能な機構で、基板昇
降機構72に乗せられる。基板昇降モータ74は、基板
昇降機構72を駆動するモータである。第二の基板処理
機構75は、第一の所定の雰囲気(アルゴンガス雰囲
気)11b内で第二の所定の処理(スパッタ処理)12
bを基板10に施す機構であり、第二の基板移動室71
内に設けられる。
The second substrate moving mechanism 70 is a mechanism for vertically moving the substrate 10 in a second predetermined atmosphere (argon gas atmosphere) 11b while supporting the substrate 10 in an upright posture. The substrate moving chamber 71, the substrate elevating mechanism 72, the substrate elevating table 73, and the substrate elevating motor 74 are provided. The second substrate moving chamber 71 is a room whose inside can be maintained in a vacuum environment or an argon gas atmosphere. Substrate lifting mechanism 72
Is a mechanism for elevating and lowering the substrate elevating table 73 that supports the substrate, and is provided in the second substrate moving chamber 71. The substrate lifting table 73 is a mechanism that can hold the substrate folder 17 and is mounted on the substrate lifting mechanism 72. The substrate lifting motor 74 is a motor that drives the substrate lifting mechanism 72. The second substrate processing mechanism 75 includes a second predetermined processing (sputtering processing) 12 in a first predetermined atmosphere (argon gas atmosphere) 11b.
b is applied to the substrate 10, and the second substrate moving chamber 71
Provided within.

【0028】基板移載機構90は、基板10を起立した
姿勢で支持しつつ、基板10を第一の基板移動機構60
から第二の基板移動機構70へ移載する機構であり、基
板移載室91と第三ゲートバルブ92と第四ゲートバル
ブ93と基板移載シリンダ94と基板移載シリンダ移動
ねじ95と基板移載モータ96と基板フォルダ把持ハン
ド97と基板移載シリンダ台98と基板移載シリンダ台
レール99とを有する。基板移載室91は、内部を真空
環境またはアルゴンガス環境に維持可能な部屋であり、
第一の基板移動室61と第二の基板移動室71とにそれ
ぞれ連通している。第三のゲートバルブ92は、開閉可
能なゲート式バルブであり、第一の基板移動室61と基
板移載室91との連通部に設けられる。第四のゲートバ
ルブ93は、開閉可能なゲート式バルブであり、第二の
基板移動室71と基板移載室91との連通部に設けられ
る。
The substrate transfer mechanism 90 holds the substrate 10 in an upright posture while holding the substrate 10 in the first substrate movement mechanism 60.
This is a mechanism for transferring the substrate from the first to the second substrate moving mechanism 70, the substrate transfer chamber 91, the third gate valve 92, the fourth gate valve 93, the substrate transfer cylinder 94, the substrate transfer cylinder moving screw 95, the substrate transfer It has a mounting motor 96, a substrate folder gripping hand 97, a substrate transfer cylinder table 98, and a substrate transfer cylinder table rail 99. The substrate transfer chamber 91 is a room whose interior can be maintained in a vacuum environment or an argon gas environment,
The first substrate moving chamber 61 and the second substrate moving chamber 71 communicate with each other. The third gate valve 92 is an openable and closable gate valve, and is provided at a communication portion between the first substrate transfer chamber 61 and the substrate transfer chamber 91. The fourth gate valve 93 is a gate valve that can be opened and closed, and is provided at a communication portion between the second substrate transfer chamber 71 and the substrate transfer chamber 91.

【0029】基板移載シリンダ台レール99は、水平直
動用のレールであり、基板移載室91の上部に設けられ
る。基板移載シリンダ台98は、基板移載シリンダ94
を搭載する台であり、基板移載シリンダ台レール99に
直動可能な様に取り付けられる。基板移載シリンダ移動
ねじ95は、送りねじであり、基板移載シリンダ台98
に固定されるナットに勘合している。基板移載モータ9
6は、回転モータであり、基板移載シリンダ移動ねじ9
5を駆動する様に設けられている。基板移載シリンダ9
4は、直動アクチエータであり、伸縮ロッドを基板移載
室91の中に入れて、基板移載シリンダ台98の台上に
設けられている。その伸縮ロッドの基板移載室91への
貫通部はシールされている。基板フォルダ把持ハンド9
7は、基板フォルダ17を把持し、水平面で回転可能な
ハンドであり、基板移載シリンダ94の伸縮ロッドの先
端に固定されている。従って、基板移載機構90は、基
板移載モータ96を回転させ、基板移載シリンダ94を
水平前後方向に移動でき。また、基板移載機構90は、
基板フォルダ把持ハンド97で、基板フォルダ17を把
持しつつ、基板移載シリンダ94の伸縮ロッドを伸縮し
て、基板10を支持した基板フォルダ17を上下に移動
でき、さらに水平面内で回転できる。
The substrate transfer cylinder base rail 99 is a rail for horizontal and linear movement, and is provided above the substrate transfer chamber 91. The substrate transfer cylinder table 98 is provided with the substrate transfer cylinder 94.
Is mounted on the board transfer cylinder base rail 99 so as to be able to move directly. The substrate transfer cylinder moving screw 95 is a feed screw, and the substrate transfer cylinder table 98
It is fitted with the nut fixed to the. Substrate transfer motor 9
Reference numeral 6 denotes a rotary motor, and a substrate transfer cylinder moving screw 9
5 is driven. Substrate transfer cylinder 9
Reference numeral 4 denotes a linear actuator, which is provided on a substrate transfer cylinder table 98 with a telescopic rod inserted into the substrate transfer chamber 91. The penetrating portion of the telescopic rod into the substrate transfer chamber 91 is sealed. Board folder gripping hand 9
Reference numeral 7 denotes a hand that grips the substrate folder 17 and is rotatable in a horizontal plane, and is fixed to the distal end of an extendable rod of the substrate transfer cylinder 94. Therefore, the substrate transfer mechanism 90 can rotate the substrate transfer motor 96 to move the substrate transfer cylinder 94 in the horizontal front-rear direction. Further, the substrate transfer mechanism 90 includes:
While holding the substrate folder 17 with the substrate folder gripping hand 97, the telescopic rod of the substrate transfer cylinder 94 can be extended and retracted to move the substrate folder 17 supporting the substrate 10 up and down, and furthermore, can rotate in a horizontal plane.

【0030】基板搬出機構80は、基板10を起立した
姿勢で支持しつつ第二の基板移動機構70内から後方処
理装置42に基板10を搬出する機構であり、基板搬出
室81と第5のゲートバルブ82と第六のゲートバルブ
83と基板搬送ユニット84とを有する。基板搬出室8
1は、内部を真空環境に維持可能な部屋である。第五の
ゲートバルブ82は、開閉可能なゲート式バルブであ
り、第二の基板処理室61と基板搬出室51との連通部
に設けられる。第六のゲートバルブ53は、開閉可能な
ゲート式バルブであり、第二の基板処理室71と後方処
理装置42との連通部に設けられる。基板搬送ユニット
84は、真空環境での作動が可能な基板を搬送する機構
であり、基板搬出室81に設けられる。
The substrate unloading mechanism 80 is a mechanism that unloads the substrate 10 from the second substrate moving mechanism 70 to the rear processing unit 42 while supporting the substrate 10 in an upright posture. It has a gate valve 82, a sixth gate valve 83, and a substrate transport unit 84. Substrate unloading room 8
1 is a room whose interior can be maintained in a vacuum environment. The fifth gate valve 82 is a gate valve that can be opened and closed, and is provided at a communication portion between the second substrate processing chamber 61 and the substrate unloading chamber 51. The sixth gate valve 53 is a gate valve that can be opened and closed, and is provided at a communication portion between the second substrate processing chamber 71 and the rear processing device 42. The substrate transport unit 84 is a mechanism that transports a substrate that can operate in a vacuum environment, and is provided in the substrate unloading chamber 81.

【0031】次に、第三の実施形態に係る基板表面処理
装置40を使用して行う基板表面処理方法を説明する。 (A工程:基板搬入工程13)まず、基板10を起立し
た状態で基板フォルダ17にセットする。第一のゲート
バルブ52を開放し、基板搬入ユニット54によって、
基板フォルダ17を基板搬入室51へ搬送し、第一のゲ
ートバルブ52を閉止する。基板搬入室51内の空気を
排気する。基板搬入室51内が所定の真空環境になった
ら、第二のゲートバルブ53を開放し、基板搬入ユニッ
ト54によって、基板フォルダ17を第一の基板処理室
61へ搬送し、基板昇降台63に基板フォルダ17をセ
ットする。基板昇降台63が基板フォルダ17を支持し
たら、基板搬入ユニット54を基板搬入室51へ引き込
み、第二のゲートバルブ53を閉止する。 (B工程:第一の基板移動工程14a)基板昇降モータ
64を駆動し、基板昇降台63を上方へ移動させる。基
板10が所定の位置に移動したら、基板昇降モータ64
を停止する。 (C工程:第一の基板処理工程12a)第一の基板処理
室65内の環境が所定の真空環境になっていることを確
認したら、基板10を加熱処理する。基板10の温度が
所定の温度に達したら加熱を停止する。
Next, a description will be given of a substrate surface processing method performed by using the substrate surface processing apparatus 40 according to the third embodiment. (Step A: Substrate Loading Step 13) First, the substrate 10 is set in the substrate folder 17 in an upright state. The first gate valve 52 is opened, and the substrate loading unit 54
The substrate folder 17 is transferred to the substrate loading chamber 51, and the first gate valve 52 is closed. The air in the substrate loading chamber 51 is exhausted. When the inside of the substrate loading chamber 51 reaches a predetermined vacuum environment, the second gate valve 53 is opened, and the substrate loading unit 54 transports the substrate folder 17 to the first substrate processing chamber 61, and moves the substrate folder 17 to the substrate lifting table 63. The substrate folder 17 is set. When the substrate lifting table 63 supports the substrate folder 17, the substrate loading unit 54 is drawn into the substrate loading chamber 51, and the second gate valve 53 is closed. (Step B: First Substrate Moving Step 14a) The substrate lifting motor 64 is driven to move the substrate lifting table 63 upward. When the substrate 10 moves to a predetermined position, the substrate lifting motor 64
To stop. (Step C: First Substrate Processing Step 12a) After confirming that the environment in the first substrate processing chamber 65 has a predetermined vacuum environment, the substrate 10 is subjected to a heat treatment. When the temperature of the substrate 10 reaches a predetermined temperature, the heating is stopped.

【0032】(D工程:基板移載工程16a)第三のゲ
ートバルブ92を開放し、基板移載シリンダ94の伸縮
ロッドを延ばし、基板フォルダ把持ハンド97で基板フ
ォルダ17を把持する。伸縮ロッドを縮め、基板10を
支持した基板フォルダ17を基板移載室91に格納す
る。第三のゲートバルブ92を閉止し、基板移載モータ
96を回転して、基板移載シリンダ94を第二の基板昇
降機構72の上部に移動し、停止する。 (E工程:基板移載工程16b)基板移載室91内にア
ルゴンガスを導入する。基板移載室91内のアルゴンガ
ス濃度が所定濃度になったら、第四のゲートバルブ93
を開放する。基板移載シリンダ94の伸縮ロッドを延ば
し、基板フォルダ17を第二の基板移動機構室71の基
板昇降台73に乗せる。基板昇降台73が基板フォルダ
17を把持したら、基板フォルダ把持ハンド97の把持
を開放し伸縮ロッドを縮める。伸縮ロッドを格納した
ら、第四のゲートバルブ93を閉止する。
(Step D: Substrate Transfer Step 16a) The third gate valve 92 is opened, the extendable rod of the substrate transfer cylinder 94 is extended, and the substrate folder 17 is gripped by the substrate folder gripping hand 97. The telescopic rod is contracted, and the substrate folder 17 supporting the substrate 10 is stored in the substrate transfer chamber 91. The third gate valve 92 is closed, the substrate transfer motor 96 is rotated, and the substrate transfer cylinder 94 is moved to the upper portion of the second substrate lifting mechanism 72 and stopped. (E step: substrate transfer step 16b) Argon gas is introduced into the substrate transfer chamber 91. When the argon gas concentration in the substrate transfer chamber 91 reaches a predetermined concentration, the fourth gate valve 93
To release. The telescopic rod of the substrate transfer cylinder 94 is extended, and the substrate folder 17 is placed on the substrate lift 73 in the second substrate moving mechanism chamber 71. When the substrate elevating table 73 grips the substrate folder 17, the grip of the substrate folder gripping hand 97 is released, and the telescopic rod is contracted. After retracting the telescopic rod, the fourth gate valve 93 is closed.

【0033】(F工程:第二の基板処理工程12b)第
二基板移動室71の内部環境が所定のアルゴンガス濃度
になったら、第二の基板処理機構75によって、第二の
所定の処理(スパッタ処理)12bを基板10に施す。 (G工程:第二の基板移動工程14b)基板昇降モータ
74を駆動し、基板昇降台73を下方へ移動させる。基
板10が所定の位置に移動したら、基板昇降モータ64
を停止する。 (H工程:基板搬出工程15)基板搬出室84内にアル
ゴンガスを導入する。基板搬出室84内の環境が所定の
アルゴンガス雰囲気になったら、第五のゲートバルブ8
2を開放し、基板搬出ユニット84によって、基板フォ
ルダ17を基板搬出室81へ搬送し、第五のゲートバル
ブ82を閉止する。基板搬入室51内のアルゴンガスを
排気する。基板搬出室81内が所定の環境になったら、
第六のゲートバルブ83を開放し、基板搬出ユニット8
4によって、基板フォルダ17を後方処理装置へ搬送す
る。基板搬出ユニット84を基板搬出室84内に格納し
たら、第二のゲートバルブ53を閉止する。
(F step: second substrate processing step 12b) When the internal environment of the second substrate transfer chamber 71 reaches a predetermined argon gas concentration, the second substrate processing mechanism 75 performs the second predetermined processing ( (Sputtering process) 12 b is applied to the substrate 10. (Step G: second substrate moving step 14b) The substrate lifting motor 74 is driven to move the substrate lifting table 73 downward. When the substrate 10 moves to a predetermined position, the substrate lifting motor 64
To stop. (Step H: Substrate Unloading Step 15) Argon gas is introduced into the substrate unloading chamber 84. When the environment in the substrate unloading chamber 84 becomes a predetermined argon gas atmosphere, the fifth gate valve 8
2 is opened, the substrate unloading unit 84 transfers the substrate folder 17 to the substrate unloading chamber 81, and the fifth gate valve 82 is closed. The argon gas in the substrate loading chamber 51 is exhausted. When the inside of the substrate unloading chamber 81 reaches a predetermined environment,
The sixth gate valve 83 is opened, and the substrate unloading unit 8 is opened.
By 4, the substrate folder 17 is transported to the rear processing device. When the substrate unloading unit 84 is stored in the substrate unloading chamber 84, the second gate valve 53 is closed.

【0034】上述の第一の実施形態の基板処理方法を用
いれば、従来に比べ小さな設置面積で基板の処理がで
き、第一の実施形態の基板処理装置を採用すれば、従来
に比べ少ない設置面積で製造ラインに組み込むことがで
きる。上述の第二の実施形態の基板処理方法を用いれ
ば、従来に比べ小さな設置面積で基板の処理ができ、第
二の実施形態の基板処理装置を採用すれば、従来に比べ
少ない設置面積で製造ラインに組み込むことができる。
さらに、製造ラインに組み込む際に、上流の処理ライン
の出口高さと基板処理装置の入り口高さの調整および下
流の処理ラインの入口高さと基板処理装置の出口高さの
調整が別個にできるので、別個の調整用付加装置を必要
とせず、製造ラインが短くなる可能性がある。上述の第
三の実施形態のスパッタ装置を採用すれば、従来に比べ
小さな設置面積で基板のスパッタ処理ができ、第三の実
施形態のスパッタ装置を採用すれば、従来に比べ少ない
設置面積で製造ラインに組み込むことができる。さら
に、製造ラインに組み込む際に、上流の処理ラインの出
口高さと基板処理装置の入り口高さの調整および下流の
処理ラインの入口高さと基板処理装置の出口高さの調整
が別個にできるので、別個の調整用付加装置を必要とせ
ず、製造ラインが短くなる可能性がある。また、基板を
起立した姿勢でハンドリングするので、基板の支持が容
易になる。また、重力の影響をうけないので、基板の撓
みがすくなく、基板が良好に処理される。また、基板を
起立した姿勢で上下搬送するので、基板が上下加速度の
影響を受けず、基板の支持が容易になる。基板を垂直に
起立させた場合に、もっとも上記の効果が大きい。
When the substrate processing method of the first embodiment is used, the substrate can be processed with a smaller installation area than the conventional one, and when the substrate processing apparatus of the first embodiment is adopted, the installation processing is smaller than the conventional one. It can be integrated into a production line in area. By using the substrate processing method of the second embodiment described above, a substrate can be processed with a smaller installation area than before, and by employing the substrate processing apparatus of the second embodiment, manufacturing can be performed with a smaller installation area than before. Can be incorporated into the line.
Furthermore, when incorporating into the production line, the adjustment of the outlet height of the upstream processing line and the entrance height of the substrate processing apparatus and the adjustment of the entrance height of the downstream processing line and the exit height of the substrate processing apparatus can be performed separately. There is no need for a separate additional adjustment device, and the production line can be shortened. If the sputtering apparatus according to the third embodiment described above is used, the substrate can be sputtered with a smaller installation area than before, and if the sputtering apparatus according to the third embodiment is used, manufacturing can be performed with a smaller installation area than before. Can be incorporated into the line. Furthermore, when incorporating into the production line, the adjustment of the outlet height of the upstream processing line and the entrance height of the substrate processing apparatus and the adjustment of the entrance height of the downstream processing line and the exit height of the substrate processing apparatus can be performed separately. There is no need for a separate additional adjustment device, and the production line can be shortened. Further, since the substrate is handled in an upright posture, the substrate can be easily supported. Further, since the substrate is not affected by gravity, the substrate is not easily bent, and the substrate can be satisfactorily processed. Further, since the substrate is transported up and down in an upright posture, the substrate is not affected by the vertical acceleration, and the substrate can be easily supported. The above effect is the greatest when the substrate is erected vertically.

【0035】本発明は以上に述べた実施形態に限られる
ものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で各種の変
更が可能である。本発明の実施例として、起立させた基
板の面の向きを水平移動方向に対して直交する方向にし
て説明したが、これに限定されない。すなわち、起立さ
せた基板の面の向きを水平移動方向にしてもよいし、斜
めにしてもよい。また、第三の実施形態をスパッタ装置
を例にして説明したが、これに限定されず、その他の成
膜装置、エッチング装置等の表面処理装置や熱処理装置
等に適用してもよい。
The present invention is not limited to the embodiment described above, and various changes can be made without departing from the gist of the invention. As an embodiment of the present invention, the direction of the surface of the substrate that has been erected is described as a direction orthogonal to the horizontal movement direction, but is not limited to this. That is, the direction of the surface of the substrate that is erected may be the horizontal movement direction or may be inclined. Further, the third embodiment has been described by taking a sputtering apparatus as an example. However, the present invention is not limited to this, and may be applied to other film forming apparatuses, surface treatment apparatuses such as etching apparatuses, heat treatment apparatuses, and the like.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したように本発明の基板を所定
環境下で処理する基板処理方法は、その構成により、以
下の効果を有する。基板が重力の影響を受けにくく、ま
た基板の所定環境内での上下移動に必要な設置面積が少
なくてすみ、基板の処理を移動工程中に行うことができ
るので、重力の影響を受けない基板の処理を少ない設置
面積でおこなうことができる。さらに、第一の基板移動
工程と第二の基板移動工程とを物理的に分離することが
でき、第一の基板移動工程での基板の移動に必要な設置
面積が少なくてすみ、第二の基板移動工程での基板の移
動に必要な設置面積が少なくてすむので、重力の影響を
受けない基板の処理を少ない面積でおこなうことがで
き、第一の基板処理工程と第二の基板処理工程を分離し
て行うことができる。また、本発明の基板を所定環境下
で処理する基板処理装置は、その構成により、以下の効
果を有する。基板が重力の影響を受けにくく、基板の所
定環境内での上下移動に必要な設置面積が少なくてす
み、基板の処理を基板移動機構に搭載中にすることがで
きるので、重力の影響を受けない基板の処理を少ない設
置面積でおこなうことができる装置をつくることができ
る。さらに、第一の基板移動機構と第二の基板移動機構
とを物理的に分離することができ、第一の基板移動機構
に必要な設置面積が少なくてすみ、第二の基板移動機構
に必要な設置面積が少なくてすむので、重力の影響を受
けない基板の処理を少ない設置面積でおこなうことがで
き、第一の基板処理機構と第二の基板処理機構を分離し
た構造の基板処理装置を得ることができる。従って、設
置面積が小さくまたは製造ラインへの組み込みが容易
で、また基板に良好な処理を施すことができる基板処理
装置を提供できる。
As described above, the substrate processing method of the present invention for processing a substrate under a predetermined environment has the following effects depending on its configuration. The substrate is not easily affected by gravity, and the installation area required for the vertical movement of the substrate in a predetermined environment is small, and the substrate can be processed during the moving process. Can be performed with a small installation area. Further, the first substrate moving step and the second substrate moving step can be physically separated, and the installation area required for moving the substrate in the first substrate moving step can be reduced, and the second Since the installation area required for moving the substrate in the substrate moving step is small, the processing of the substrate which is not affected by gravity can be performed with a small area, and the first substrate processing step and the second substrate processing step can be performed. Can be performed separately. Further, the substrate processing apparatus for processing a substrate in a predetermined environment according to the present invention has the following effects due to its configuration. The substrate is less susceptible to gravity, requiring less installation area to move the substrate up and down in a given environment. It is possible to produce an apparatus capable of performing processing of a substrate that does not require a small installation area. Furthermore, the first substrate moving mechanism and the second substrate moving mechanism can be physically separated, so that the installation area required for the first substrate moving mechanism is small, and the second substrate moving mechanism is required. The substrate processing apparatus having a structure in which the first substrate processing mechanism and the second substrate processing mechanism are separated can perform the processing of the substrate which is not affected by gravity with a small installation area. Obtainable. Therefore, it is possible to provide a substrate processing apparatus which has a small installation area or can be easily incorporated into a production line, and can perform favorable processing on a substrate.

【0037】[0037]

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一の実施形態の側面図である。FIG. 1 is a side view of a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第二の実施形態の側面図である。FIG. 2 is a side view of a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第三の実施形態の側面断面図である。FIG. 3 is a side sectional view of a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第三の実施形態の手順図である。FIG. 4 is a flowchart of a third embodiment of the present invention.

【図5】従来の装置の平面図と側面図である。FIG. 5 is a plan view and a side view of a conventional device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板 11 雰囲気 11a 第一の所定の雰囲気 11b 第二の所定の雰囲気 12 基板処理工程 12a 第一の基板処理工程 12b 第二の基板処理工程 13 基板搬入工程 14 基板移動工程 14a 第一の基板移動工程 14b 第二の基板移動工程 15 基板搬出工程 16 基板移載工程 17 基板フォルダ 20 基板処理装置 21 基板搬入機構 22 基板移動機構 22a 第一の基板移動機構 22b 第二の基板移動機構 23 基板搬出機構 24a 第一の基板処理機構 24b 第二の基板処理機構 30 基板処理装置 31 基板搬入機構31 32 基板移動機構 32a 第一の基板移動機構 32b 第二の基板移動機構 33 基板搬出機構 34 基板処理機構 34a 第一の基板処理機構 34b 第二の基板処理機構 40 基板処理装置 50 基板搬入機構 51 基板搬入室 52 第一のゲートバルブ 53 第二のゲートバルブ 54 基板搬入ユニット 60 第一の基板移動機構 61 第一の基板移動室 62 基板将校機構 63 基板昇降台 64 基板昇降モータ 65 第一の基板処理機構 70 第二の基板移動機構 71 第二の基板移動室 72 基板将校機構 73 基板昇降台 74 基板昇降モータ 75 第二の基板処理機構 76 スパッタターゲット 80 基板搬出機構 81 基板搬出室 82 第五のゲートバルブ 83 第六のゲートバルブ 84 基板搬出ユニット 90 基板移載機構 91 基板移載室 92 第三のゲートバルブ 93 第四のゲートバルブ 94 基板移載シリンダ 95 基板移載シリンダ移動ねじ 96 基板移載モータ 97 基板ホルダ把持ハンド 98 基板移載シリンダ台 99 基板移載台レール 100 従来の基板処理装置 101 供給装置 102 ゲートバルブ 103 前室 104 ゲートバルブ 105 処理室 106 処理機 107 処理機 Reference Signs List 10 substrate 11 atmosphere 11a first predetermined atmosphere 11b second predetermined atmosphere 12 substrate processing step 12a first substrate processing step 12b second substrate processing step 13 substrate loading step 14 substrate moving step 14a first substrate moving Step 14b Second substrate moving step 15 Substrate unloading step 16 Substrate transferring step 17 Substrate folder 20 Substrate processing apparatus 21 Substrate loading mechanism 22 Substrate moving mechanism 22a First substrate moving mechanism 22b Second substrate moving mechanism 23 Substrate unloading mechanism 24a first substrate processing mechanism 24b second substrate processing mechanism 30 substrate processing apparatus 31 substrate loading mechanism 31 32 substrate moving mechanism 32a first substrate moving mechanism 32b second substrate moving mechanism 33 substrate unloading mechanism 34 substrate processing mechanism 34a First substrate processing mechanism 34b Second substrate processing mechanism 40 Substrate processing apparatus 50 Substrate Loading mechanism 51 Substrate loading chamber 52 First gate valve 53 Second gate valve 54 Substrate loading unit 60 First substrate moving mechanism 61 First substrate moving chamber 62 Substrate officer mechanism 63 Substrate lift 64 Substrate lifting motor 65 One substrate processing mechanism 70 Second substrate moving mechanism 71 Second substrate moving chamber 72 Substrate officer mechanism 73 Substrate elevating table 74 Substrate elevating motor 75 Second substrate processing mechanism 76 Sputter target 80 Substrate unloading mechanism 81 Substrate unloading chamber 82 Fifth gate valve 83 Sixth gate valve 84 Substrate unloading unit 90 Substrate transfer mechanism 91 Substrate transfer chamber 92 Third gate valve 93 Fourth gate valve 94 Substrate transfer cylinder 95 Substrate transfer cylinder moving screw 96 Substrate transfer motor 97 Substrate holder gripping hand 98 Substrate transfer cylinder table 99 Substrate transfer Rail 100 conventional substrate processing apparatus 101 supplying apparatus 102 gate valve 103 front chamber 104 gate valve 105 the chamber 106 processor 107 processor

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/3065 H01L 21/31 B 21/306 21/302 B 21/31 P Fターム(参考) 4K029 AA24 BD01 KA01 KA09 4K030 CA04 CA12 GA12 5F004 AA16 BA01 BA19 BB19 BC05 BC06 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA07 FA12 FA18 GA12 GA48 MA02 MA29 MA32 NA04 NA05 NA09 PA13 5F045 AA03 DP20 DQ06 EN04 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/3065 H01L 21/31 B 21/306 21/302 B 21/31 PF term (Reference) 4K029 AA24 BD01 KA01 KA09 4K030 CA04 CA12 GA12 5F004 AA16 BA01 BA19 BB19 BC05 BC06 5F031 CA02 CA05 FA01 FA02 FA07 FA12 FA18 GA12 GA48 MA02 MA29 MA32 NA04 NA05 NA09 PA13 5F045 AA03 DP20 DQ06 EN04

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を所定環境下で処理する基板処理方
法であって、起立した基板を所定環境内に搬入する基板
搬入工程と、起立した基板を所定環境内で上又は下に移
動する基板移動工程と、基板を基板移動工程中に処理す
る基板処理工程と、起立した基板を所定環境内から搬出
する基板搬出工程と、を備えることを特徴とする基板処
理方法。
1. A substrate processing method for processing a substrate in a predetermined environment, comprising: a substrate loading step of loading an upright substrate into a predetermined environment; and a substrate moving the upright substrate up or down in a predetermined environment. A substrate processing method comprising: a moving step; a substrate processing step of processing a substrate during the substrate moving step; and a substrate unloading step of unloading an upright substrate from a predetermined environment.
【請求項2】さらに、基板移動工程が第一の基板移動工
程と第二の基板移動工程とを有し、第一の基板移動工程
が起立した基板を所定環境内で上又は下に移動する基板
移動工程であって、第二の基板移動工程が起立した基板
を所定環境内で上又は下に移動する基板移動工程であっ
て、起立した基板を第一の基板移動工程から第二の基板
移動工程に移載する基板移載工程を備えることを特徴と
する請求項1に記載の基板処理方法。
2. The method according to claim 1, wherein the substrate moving step includes a first substrate moving step and a second substrate moving step, and moves the substrate on which the first substrate moving step stands up or down in a predetermined environment. A substrate moving step, in which the second substrate moving step is a substrate moving step of moving the erected substrate up or down in a predetermined environment, wherein the erected substrate is moved from the first substrate moving step to the second substrate 2. The substrate processing method according to claim 1, further comprising a substrate transfer step of transferring to the moving step.
【請求項3】 基板を所定環境下で処理する基板処理装
置であって、起立した基板を所定環境内に搬入する基板
搬入機構と、起立した基板を所定環境内で上又は下に移
動する基板移動機構と、基板を基板移動機構に搭載した
状態で処理する基板処理機構と、起立した基板を所定環
境内から搬出する基板搬出機構と、を備えることを特徴
とする基板処理装置。
3. A substrate processing apparatus for processing a substrate in a predetermined environment, comprising: a substrate loading mechanism for loading an upright substrate into a predetermined environment; and a substrate moving the upright substrate up or down in the predetermined environment. A substrate processing apparatus comprising: a moving mechanism; a substrate processing mechanism that processes a substrate mounted on the substrate moving mechanism; and a substrate unloading mechanism that unloads an upright substrate from a predetermined environment.
【請求項4】さらに、基板移動機構が第一の基板移動機
構と第二の基板移動機構とを有し、第一の基板移動機構
が起立した基板を所定環境内で上又は下に移動する基板
移動機構であって、第二の基板移動機構が起立した基板
を所定環境内で上又は下に基板移動機構であって、起立
した基板を第一の基板移動機構から第二の基板移動機構
に移載する基板移載機構を備えることを特徴とする請求
項3に記載の基板処理装置。
Further, the substrate moving mechanism has a first substrate moving mechanism and a second substrate moving mechanism, and the first substrate moving mechanism moves the standing substrate up or down in a predetermined environment. A substrate moving mechanism, wherein the substrate on which the second substrate moving mechanism stands up or down in a predetermined environment is a substrate moving mechanism, and the standing substrate is moved from the first substrate moving mechanism to the second substrate moving mechanism. The substrate processing apparatus according to claim 3, further comprising a substrate transfer mechanism that transfers the substrate.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005263573A (en) * 2004-03-19 2005-09-29 Nikon Corp Film formation apparatus
WO2009050849A1 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 Evatech Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2015088694A (en) * 2013-11-01 2015-05-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ Vacuum processing apparatus
JP2017020097A (en) * 2015-07-15 2017-01-26 株式会社アルバック Sputtering apparatus and driving method of sputtering apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005263573A (en) * 2004-03-19 2005-09-29 Nikon Corp Film formation apparatus
JP4649855B2 (en) * 2004-03-19 2011-03-16 株式会社ニコン Deposition equipment
WO2009050849A1 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 Evatech Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2009105081A (en) * 2007-10-19 2009-05-14 Ebatekku:Kk Substrate processing apparatus
JP2015088694A (en) * 2013-11-01 2015-05-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ Vacuum processing apparatus
JP2017020097A (en) * 2015-07-15 2017-01-26 株式会社アルバック Sputtering apparatus and driving method of sputtering apparatus

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