JP2002246321A

JP2002246321A - 真空処理装置

Info

Publication number: JP2002246321A
Application number: JP2001043773A
Authority: JP
Inventors: Eiichiro Otsubo; 栄一郎大坪; Eishiro Sasagawa; 英四郎笹川; Moichi Ueno; 茂一上野
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 2001-02-20
Filing date: 2001-02-20
Publication date: 2002-08-30
Anticipated expiration: 2021-02-20
Also published as: JP3546185B2

Abstract

(57)【要約】【課題】熱膨張による影響を抑えて良好な位置精度を
確保しつつ真空処理装置の大型化を図る。【解決手段】真空チャンバ２２内に、基板加熱ヒータ
２５によって加熱された基板Ｋへ製膜を施す製膜ユニッ
ト２３を設ける。製膜ユニット２３を、真空チャンバ２
２の底面を構成するベース３１上に固定された製膜ユニ
ット支持台３２上に、基板Ｋの基準位置とほぼ同一高さ
を基準として支持させる。製膜ユニット２３を構成する
温度制御ヒータ３４の側面板３６、防着板５１、ラダー
電極５２、基板保持板５３などの構成部材を、製膜ユニ
ット支持台３２や排気カバー５８などへ支持する支持部
にて、それぞれ熱膨張の方向に沿って相対変位可能に支
持する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、プラズマ
ＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装
置などの基板へ製膜を施す真空処理装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板へ製膜を施す真空処理装
置としては、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装
置、ドライエッチング装置などが知られている。特に、
シリコン太陽電池等の半導体を製造する際に、その製膜
を行う装置としては、プラズマＣＶＤ装置が用いられて
いる。この種の真空処理装置を、図１４に示すプラズマ
ＣＶＤ装置を例にとって説明する。

【０００３】図において、符号１は、製膜ユニットであ
り、この製膜ユニット１の両側部には、基板加熱ヒータ
２が設けられている。そして、これら製膜ユニット１及
び基板加熱ヒータ２が、図示しない真空チャンバ内に収
納されており、製膜ユニット１は、真空チャンバの上方
から吊り下げられて支持されている。この基板加熱ヒー
タ２と製膜ユニット１との間には、製膜ユニット１に対
して近接離間方向に移動されるヒータカバー３が設けら
れており、このヒータカバー３に、製膜する母材である
基板Ｋが下端を基準として支持されるようになってい
る。

【０００４】製膜ユニット１には、中央に設けられた温
度制御ヒータ１１の両側部に防着板１２を介して配設さ
れたラダー電極１３が配設されており、外周がラダー電
極１３を臨む部分が開口された排気カバー１４によって
囲われた構造とされている。そして、前述したように、
これら防着板１２、ラダー電極１３及び排気カバー１４
などからなる製膜ユニット１は、真空チャンバの上方に
吊り下げられて支持され、下方へ熱膨張される構造とな
っている。

【０００５】そして、このプラズマＣＶＤ装置では、真
空チャンバ内が減圧された状態にてＳｉＨ₄からなる原
料ガスを含む製膜ガスが送り込まれ、ラダー電極１３に
高周波電流が給電されると、真空チャンバ内にてプラズ
マが発生し、基板加熱ヒータ２によって加熱された基板
Ｋに製膜が施されるようになっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年では、
上記構造のプラズマＣＶＤ装置によって製造する製品の
大型化が要求されており、このため、大型の基板Ｋに製
膜を施すための大型のプラズマＣＶＤ装置が開発されて
いる。しかしながら、上記構造のプラズマＣＶＤ装置に
あっては、装置の大型化にともない製膜ユニット１の熱
膨張量が大きくなるため、下端を基準とした基板との熱
膨張差を吸収しきれず、位置精度が低下してしまう問題
があった。また、製膜ユニット１を構成する防着板１
２、ラダー電極１３及び排気カバー１４など吊り下げら
れた構造であるので、各構成部品の支持部分の負担が大
きくなり、位置調整が困難であった。

【０００７】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、熱膨張による影響を抑えて良好な位置精度を確保
しつつ大型化が可能な真空処理装置を提供することを目
的としている。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の真空処理装置は、製膜室を形成する
チャンバと、該チャンバ内にて上下に配設された製膜ユ
ニットと、該製膜ユニットの少なくとも一側部に設けら
れた基板加熱ヒータとを有し、前記製膜ユニットの対向
位置に、下端側を基準として支持させた基板を前記基板
加熱ヒータによって加熱した状態にて、前記製膜ユニッ
トによって前記基板へ製膜を施す真空処理装置であっ
て、前記製膜ユニットは、前記チャンバの底面を構成す
るベース上に固定された製膜ユニット支持台上に支持さ
れ、下端部が前記基板の下端部の基準とほぼ同一基準位
置とされていることを特徴としている。

【０００９】つまり、基板加熱ヒータによって加熱され
た基板へ製膜を施す製膜ユニットがチャンバの底面を構
成するベース上に固定された製膜ユニット支持台上に、
基板の基準位置とほぼ同一高さを基準として支持されて
いるので、基板と製膜ユニットとの熱膨張差を極力抑え
ることができ、これにより、大型製品を製造するために
装置が大型化されても、基板に対する製膜ユニットの熱
膨張差による製膜への影響をなくすことができ、品質の
良好な大型の製品を製造することができる。また、ベー
スに固定された製膜ユニット支持台上に製膜ユニットを
支持した構造であるので、上方から吊り下げる従来構造
と比較して、装置が大型化しても、十分な安定性にて支
持させることができ、しかも、製膜ユニットの支持部に
おける負担も大幅に低減させることができる。

【００１０】請求項２記載の真空処理装置は、請求項１
記載の前記製膜ユニットの上端部が前記製膜室の上部に
て、熱膨張による相対変位可能に支持されていることを
特徴としている。

【００１１】このように、製膜ユニットが熱膨張して
も、その上端部が相対変位可能に支持されているので、
熱膨張によって製膜ユニットに無理な応力が加わるよう
な不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確
実に防止することができる。

【００１２】請求項３記載の真空処理装置は、請求項１
または請求項２記載の真空処理装置において、前記製膜
ユニットを構成する構成部材を前記製膜ユニット支持台
または前記製膜室の上部に支持する支持部にて、熱膨張
による相対変位可能に支持されていることを特徴として
いる。

【００１３】すなわち、製膜ユニット支持台または製膜
室上部にて製膜ユニットを支持する支持部にて、製膜ユ
ニットを構成する構成部材が、熱膨張による相対変位可
能に支持されているので、熱膨張によって製膜ユニット
の構成部材に無理な応力が加わるような不具合を防止す
ることができ、装置の破損、損傷を確実に防止すること
ができる。

【００１４】請求項４記載の真空処理装置は、請求項３
記載の真空処理装置において、前記支持部が、前記構成
部材の一部が配設可能な溝部を有し、該溝部は、熱膨張
による相対変位方向に沿って形成されていることを特徴
としている。

【００１５】つまり、構成部材の熱膨張方向に沿って形
成された溝部に製膜ユニットの構成部材の一部が配設さ
れているので、構成部材が熱膨張したとしても、構成部
材へ無理な応力が加わるような不具合を防止することが
でき、装置の破損、損傷を確実に防止することができ
る。

【００１６】請求項５記載の真空処理装置は、請求項３
記載の真空処理装置において、前記支持部が、孔部と、
該孔部へ挿入可能なピンとから構成され、前記孔部が、
熱膨張による相対変位方向に沿う長孔とされていること
を特徴としている。

【００１７】このように、構成部材の熱膨張方向に沿う
長孔からなる孔部にピンを挿入することにより、製膜ユ
ニットの構成部材が支持されているので、構成部材が熱
膨張したとしても、構成部材へ無理な応力が加わるよう
な不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確
実に防止することができる。

【００１８】請求項６記載の真空処理装置は、請求項３
記載の真空処理装置において、前記支持部が、端部に前
記構成部材を保持する凹部が形成された支持部材を有
し、該支持部材は、前記構成部材を熱膨張による相対変
位方向へ摺動可能に保持してなることを特徴としてい
る。

【００１９】すなわち、支持部材によって製膜ユニット
の構成部材が熱膨張の方向に沿って摺動可能に支持され
ているので、構成部材が熱膨張したとしても、構成部材
へ無理な応力が加わるような不具合を防止することがで
き、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。

【００２０】請求項７記載の真空処理装置は、請求項６
記載の真空処理装置において、前記製膜ユニットを構成
する放電用電極の上下端部が、セラミックスから形成さ
れた前記支持部材によって支持されていることを特徴と
している。

【００２１】つまり、製膜ユニットの構成部材である放
電用電極の上下端部がセラミックスから形成された支持
部材によって支持されているので、この放電用電極を他
の構成部材に対して確実に絶縁した状態にてその熱膨張
に沿って摺動可能に支持することができる。

【００２２】請求項８記載の真空処理装置は、請求項３
記載の真空処理装置において、前記支持部が、前記構成
部材に形成された孔部と、該孔部へ挿通されて前記製膜
ユニット支持台または前記製膜室の上部に設けられた排
気カバーに形成されたネジ孔へねじ込まれるネジとから
構成され、前記孔部が、熱膨張による相対変位方向に沿
う長孔とされていることを特徴としている。

【００２３】すなわち、製膜ユニットの構成部材に形成
された孔部へネジを挿通させて製膜ユニット支持台また
は排気カバーに形成されたねじ孔へねじ込むことにより
取り付けられる構成部材の孔部が、熱膨張の方向に沿う
方向の長孔とされているので、構成部材が熱膨張したと
しても、構成部材へ無理な応力が加わるような不具合を
防止することができ、装置の破損、損傷を確実に防止す
ることができる。

【００２４】請求項９記載の真空処理装置は、請求項８
記載の真空処理装置において、前記ネジに、円滑性を有
する処理を施した座金が設けられていることを特徴とし
ている。

【００２５】このように、ネジに設けられた座金に、円
滑性を有する処理を施しているので、このネジによる支
持箇所にて構成部材の摺動を良好にすることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態例の真空
処理装置を図面を参照して説明する。ここでは、真空処
理装置として、プラズマを発生させて基板へ化学蒸着さ
せるプラズマＣＶＤ装置を例にとって説明する。図１に
おいて、符号２１は、プラズマＣＶＤ装置である。この
プラズマＣＶＤ装置２１は、真空チャンバ２２の中央に
製膜ユニット２３が設けられており、この製膜ユニット
２３の両側部に、基板Ｋが支持されるヒータカバー２４
を介して基板加熱ヒータ２５が設けられている。

【００２７】次に製膜ユニット２３の構成について説明
する。製膜ユニット２３は、ベース３１上に載置された
製膜ユニット支持台３２を有しており、この製膜ユニッ
ト支持台３２上に各構成部品が支持された構造とされて
いる。製膜ユニット支持台３２には、その中央に、支持
突条３３が長手方向へわたって形成されており、この支
持突条３３の上部に、温度制御ヒータ３４が支持されて
いる。

【００２８】図２に示すように、温度制御ヒータ３４
は、上面板３５、側面板３６及び端面板３７によって囲
われている。上面板３５には、その上面に、係止片３８
が形成されており、この係止片３８が真空チャンバ２２
の上部のブラケット２２ａにネジ止め固定されている。
また、上面板３５には、両側部に沿って複数の支持ピン
３９が形成されている。

【００２９】側面板３６は、その上端部分が屈曲されて
おり、この屈曲された上端部には、図３及び図４に示す
ように、上面板３５に設けられた支持ピン３９が挿通さ
れる長孔４１が形成されている。また、製膜ユニット支
持台３２の支持突条３３には、図５に示すように、その
上面に、係合溝部４２が、長手方向に沿って形成されて
おり、この係合溝部４２には、側面板３６の下端部が嵌
合されるようになっている。

【００３０】つまり、側面板３６は、その上端部分に形
成された長孔４１を上面板３５の支持ピン３９係合さ
せ、さらに、下端部を、製膜ユニット支持台３２の支持
突条３３に形成された係合溝部４２に係合させることに
より、製膜ユニット支持台３２上に支持されて温度制御
ヒータ３４の周囲を囲うようになっている。なお、側面
板３６の上端部分に形成された長孔４１は、それぞれ側
面板３６の中心から略放射状に形成されており、側面板
３６が熱膨張しても防着板５１との位置関係を保つこと
ができるようにしている。

【００３１】温度制御ヒータ３４の両側面には、防着板
５１、ラダー電極５２及び基板保持板５３が順に配設さ
れており、これら防着板５１、ラダー電極５２及び基板
保持板５３の支持構造を順に説明する。防着板５１に
は、その背面側に、図６に示すように、下方へ突出する
複数の支持棒５４が中央及び両側部近傍に間隔をあけて
溶接固定されている。製膜ユニット支持台３には、その
上面側に、図７にも示すように、防着板５１に固定され
た支持棒５４が挿入される支持孔５５が形成されてい
る。

【００３２】なお、支持棒５４には、その途中にフラン
ジ部５６が形成されており、このフランジ部５６によっ
て支持孔５５への支持棒５４の挿入量が所定長さに規定
されるようになっている。また、これら支持孔５５の
内、両側部近傍に形成された支持孔５５は、断面視長孔
とされている。

【００３３】防着板５１の上端部分には、その中央及び
両側部近傍に間隔をあけて孔部５７が形成されており、
これら孔部５７には、図８に示すように、製膜ユニット
２３の上部を構成する排気カバー５８に形成された孔部
に挿入されて上下に摺動可能とされた支持ピン５９が挿
入され、これにより防着板５１の上端部が支持されるよ
うになっている。

【００３４】ラダー電極５２は、ガス吹出し一体型であ
り、上下のパイプ部６１同士の間に複数の格子部６２が
間隔をあけて設けられた構造とされている。製膜ユニッ
ト支持台３２には、図９及び図１０に示すように、その
上面における両側部近傍に、電極下端支持部６３が設け
られている。

【００３５】これら電極下端支持部６３は、製膜ユニッ
ト支持台３２にネジ６４によって固定されるベース板部
６５と、このベース板部６５に一体的に形成された保持
筒部６６と、この保持筒部６６に嵌合されて保持された
セラミックス製の下端支持部材６７とを有している。下
端支持部材６７の先端部には、湾曲状に形成された凹部
６８が形成されており、この凹部６８にラダー電極５２
の下方側のパイプ部６１が保持されるようになってい
る。なお、電極下端支持部６３のベース板部６５を製膜
ユニット支持台３２に固定するネジ６４が挿通される孔
部６９は、この電極下端支持部６３によって支持するラ
ダー電極５２の長手方向に対して直交する方向に沿う長
孔とされている。

【００３６】また、ラダー電極５２の上端部は、図１１
に示すように、排気カバー５８に設けられた電極上端支
持部７１によって支持されている。この電極上端支持部
７１は、排気カバー５８に形成された孔部に、その上方
から挿入されたセラミックス製の上端支持部材７２から
なるもので、この上端支持部材７２の先端部には、湾曲
状に形成された凹部７３が形成されており、この凹部７
３にラダー電極５２の上方側のパイプ部６１が保持され
るようになっている。

【００３７】なお、上端支持部材７２の後端部近傍に
は、排気カバー５８の孔部よりも大きな外径のリング部
材７４が取り付けられており、上端支持部材７２の排気
カバー５８からの脱落が防止されるようになっている。

【００３８】図１２に示すように、基板保持板５３は、
下板８１、上板８２及び側板８３とから構成されたもの
である。製膜ユニット支持台３２には、その両側面に位
置決め段部８４が形成されており、図１３に示すよう
に、この位置決め段部８４に、下板８１が配設されるよ
うになっている。また、この段部８４には、下板８１の
両側部にて側板８３の下端部も配設されるようになって
いる。

【００３９】下板８１には、その中央及び両側部近傍
に、孔部８４が形成されており、これら孔部８４にネジ
８５を挿通させ、製膜ユニット支持台３２に形成された
ネジ孔へねじ込むことにより、下板８１が製膜ユニット
支持台３２の所定高さ位置に取り付けられるようになっ
ている。同様に側板８３の下端部にも孔部８６が形成さ
れており、これら孔部８６にネジ８５を挿通させ、製膜
ユニット支持台３２のネジ孔へねじ込むことにより、側
板８３の下端部が製膜ユニット支持台３２に取り付けら
れるようになっている。

【００４０】上板８２にも、その中央及び両側部近傍
に、孔部８７が形成されており、これら孔部８７にネジ
８５を挿通させ、排気カバー５８の取り付け片８８に形
成されたネジ孔へねじ込むことにより、上板８２が排気
カバー５８に取り付けられるようになっている。同様に
側板８３の上端部にも孔部８９が形成されており、これ
ら孔部８９にネジ８５を挿通させ、排気カバー５８の取
り付け片８８のネジ孔へねじ込むことにより、側板８３
の上端部が排気カバー５８に取り付けられるようになっ
ている。

【００４１】なお、下板８１及び上板８２の両側部近傍
に形成された孔部８４、８７は、それぞれ長手方向に沿
う長孔とされており、また、側板８３の上端部近傍に形
成された孔部８９も、長手方向に沿う長孔とされてい
る。また、これら下板８１、上板８２及び側板８３を取
り付けるネジ８５に設けられた座金９０には、その表面
に円滑性を有する処理を施しており、下板８１、上板８
２及び側板８３の熱膨張時に、ネジ８５における固定箇
所にて、スライドが許容されるようになっている。ここ
で、この真空処理装置は、真空中にて作業が行われるの
で、グリース等は使用できないため、部材の焼き付きを
防止するための円滑性を有する処理として、例えば、タ
フトライド処理等を施すことが望ましい。

【００４２】このように、上記構造の真空処理装置であ
るプラズマＣＶＤ装置によれば、基板加熱ヒータ２５に
よって加熱された基板Ｋへ製膜を施す製膜ユニット２３
が真空チャンバ２２の底面を構成するベース３１上に固
定された製膜ユニット支持台３２上に、基板Ｋの基準位
置とほぼ同一高さを基準として支持されているので、基
板Ｋと製膜ユニット２３との熱膨張差を極力抑えること
ができ、これにより、大型製品を製造するために装置が
大型化されても、基板Ｋに対する製膜ユニット２３の熱
膨張差による製膜への影響をなくすことができ、品質の
良好な大型の製品を製造することができる。

【００４３】また、ベース３１に固定された製膜ユニッ
ト支持台３２上に製膜ユニット２３を支持した構造であ
るので、上方から吊り下げる従来構造と比較して、装置
が大型化しても、十分な安定性にて支持させることがで
き、しかも、製膜ユニット２３の支持部における負担も
大幅に低減させることができる。

【００４４】また、製膜ユニット２３を構成する温度制
御ヒータ３４の側面板３６、防着板５１、ラダー電極５
２、基板保持板５３などの構成部材を、製膜ユニット支
持台３２や排気カバー５８などへ支持する支持部にて、
それぞれ熱膨張の方向に沿って相対変位可能に支持され
ているので、熱膨張によって製膜ユニット２３の構成部
材に無理な応力が加わるような不具合を防止することが
でき、装置の破損、損傷を確実に防止することができ
る。

【００４５】特に、製膜ユニット２３の構成部材である
ラダー電極５２の上下端部がセラミックスから形成され
た上端支持部材７２、下端支持部材６７によって支持さ
れているので、このラダー電極を他の構成部材に対して
確実に絶縁した状態にてその熱膨張に沿って摺動可能に
支持することができる。また、基板保持板５３を製膜ユ
ニット支持台３２や排気カバー５８にネジ止め固定する
ネジ８５に、円滑性を有する被覆が施された座金９０が
設けられているので、ネジ８５による支持箇所にて基板
保持板５３の摺動を良好にすることができる。

【００４６】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明の真空処
理装置によれば、下記の効果を得ることができる。請求
項１記載の真空処理装置によれば、基板加熱ヒータによ
って加熱された基板へ製膜を施す製膜ユニットがチャン
バの底面を構成するベース上に固定された製膜ユニット
支持台上に、基板の基準位置とほぼ同一高さを基準とし
て支持されているので、基板と製膜ユニットとの熱膨張
差を極力抑えることができ、これにより、大型製品を製
造するために装置が大型化されても、基板に対する製膜
ユニットの熱膨張差による製膜への影響をなくすことが
でき、品質の良好な大型の製品を製造することができ
る。また、ベースに固定された製膜ユニット支持台上に
製膜ユニットを支持した構造であるので、上方から吊り
下げる従来構造と比較して、装置が大型化しても、十分
な安定性にて支持させることができ、しかも、製膜ユニ
ットの支持部における負担も大幅に低減させることがで
きる。

【００４７】請求項２記載の真空処理装置によれば、製
膜ユニットが熱膨張しても、その上端部が相対変位可能
に支持されているので、熱膨張によって製膜ユニットに
無理な応力が加わるような不具合を防止することがで
き、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。

【００４８】請求項３記載の真空処理装置によれば、製
膜ユニット支持台または製膜室上部にて製膜ユニットを
支持する支持部にて、製膜ユニットを構成する構成部材
が、熱膨張による相対変位可能に支持されているので、
熱膨張によって製膜ユニットの構成部材に無理な応力が
加わるような不具合を防止することができ、装置の破
損、損傷を確実に防止することができる。

【００４９】請求項４記載の真空処理装置によれば、構
成部材の熱膨張方向に沿って形成された溝部に製膜ユニ
ットの構成部材の一部が配設されているので、構成部材
が熱膨張したとしても、構成部材へ無理な応力が加わる
ような不具合を防止することができ、装置の破損、損傷
を確実に防止することができる。

【００５０】請求項５記載の真空処理装置によれば、構
成部材の熱膨張方向に沿う長孔からなる孔部にピンを挿
入することにより、製膜ユニットの構成部材が支持され
ているので、構成部材が熱膨張したとしても、構成部材
へ無理な応力が加わるような不具合を防止することがで
き、装置の破損、損傷を確実に防止することができる。

【００５１】請求項６記載の真空処理装置によれば、支
持部材によって製膜ユニットの構成部材が熱膨張の方向
に沿って摺動可能に支持されているので、構成部材が熱
膨張したとしても、構成部材へ無理な応力が加わるよう
な不具合を防止することができ、装置の破損、損傷を確
実に防止することができる。

【００５２】請求項７記載の真空処理装置によれば、製
膜ユニットの構成部材である放電用電極の上下端部がセ
ラミックスから形成された支持部材によって支持されて
いるので、この放電用電極を他の構成部材に対して確実
に絶縁した状態にてその熱膨張に沿って摺動可能に支持
することができる。

【００５３】請求項８記載の真空処理装置によれば、製
膜ユニットの構成部材に形成された孔部へネジを挿通さ
せて製膜ユニット支持台または排気カバーに形成された
ねじ孔へねじ込むことにより取り付けられる構成部材の
孔部が、熱膨張の方向に沿う方向の長孔とされているの
で、構成部材が熱膨張したとしても、構成部材へ無理な
応力が加わるような不具合を防止することができ、装置
の破損、損傷を確実に防止することができる。

【００５４】請求項９記載の真空処理装置によれば、ネ
ジに設けられた座金に、円滑性を有する処理を施してい
るので、このネジによる支持箇所にて構成部材の摺動を
良好にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプ
ラズマＣＶＤ装置の概略構造を説明するプラズマＣＶＤ
装置の概略断面図である。

【図２】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプ
ラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構成を説明する製膜
ユニットの分解斜視図である。

【図３】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプ
ラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する製膜
ユニットの斜視図である。

【図４】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプ
ラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する側面
板の支持部分の斜視図である。

【図５】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプ
ラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する側面
板の支持部分の斜視図である。

【図６】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプ
ラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する製膜
ユニットの斜視図である。

【図７】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプ
ラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する防着
板の支持部分の斜視図である。

【図８】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプ
ラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する防着
板の支持部分の斜視図である。

【図９】本発明の実施形態例の真空処理装置であるプ
ラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する製膜
ユニットの斜視図である。

【図１０】本発明の実施形態例の真空処理装置である
プラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明するラ
ダー電極の支持部分の斜視図である。

【図１１】本発明の実施形態例の真空処理装置である
プラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明するラ
ダー電極の支持部分の斜視図である。

【図１２】本発明の実施形態例の真空処理装置である
プラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する製
膜ユニットの斜視図である。

【図１３】本発明の実施形態例の真空処理装置である
プラズマＣＶＤ装置の製膜ユニットの構造を説明する基
板保持板の支持部分の斜視図である。

【図１４】真空処理装置であるプラズマＣＶＤ装置の
従来例を説明するプラズマＣＶＤ装置の概略斜視図であ
る。

【符号の説明】

２１真空処理装置２２真空チャンバ（チャンバ）２３製膜ユニット２５基板加熱ヒータ３１ベース３２製膜ユニット支持台３６側面板（構成部材）３９支持ピン（ピン）４１長孔（孔部）４２係合溝部（溝部）５１防着板（構成部材）５２ラダー電極（放電用電極、構成部材）５３基板保持板（構成部材）５４支持棒（ピン）５５支持孔（孔部）５７孔部５８排気カバー５９支持ピン（ピン）６７下端支持部材（支持部材）６８、７３凹部７２上端支持部材（支持部材）８４、８６、８７、８９孔部８５ネジ９０座金Ｋ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者上野茂一長崎県長崎市飽の浦町１番１号三菱重工業株式会社長崎造船所内Ｆターム(参考） 4K029 CA05 DA06 DA08 JA01 JA06 4K030 CA17 FA01 GA02 GA03 KA08 KA14 KA15 KA23 LA16 5F004 BA00 BB16 BB20 BB26 5F045 AA08 BB20 CA13 DP09 DQ10 EH04 EM01 5F051 BA12 CA15 CA23

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】製膜室を形成するチャンバと、該チャン
バ内にて上下に配設された製膜ユニットと、該製膜ユニ
ットの少なくとも一側部に設けられた基板加熱ヒータと
を有し、前記製膜ユニットの対向位置に、下端側を基準
として支持させた基板を前記基板加熱ヒータによって加
熱した状態にて、前記製膜ユニットによって前記基板へ
製膜を施す真空処理装置であって、前記製膜ユニットは、前記チャンバの底面を構成するベ
ース上に固定された製膜ユニット支持台上に支持され、
下端部が前記基板の下端部の基準とほぼ同一基準位置と
されていることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】前記製膜ユニットは、その上端部が前記
製膜室の上部にて、熱膨張による相対変位可能に支持さ
れていることを特徴とする請求項１記載の真空処理装
置。
【請求項３】前記製膜ユニットを構成する構成部材を
前記製膜ユニット支持台または前記製膜室の上部に支持
する支持部にて、熱膨張による相対変位可能に支持され
ていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の
真空処理装置。
【請求項４】前記支持部は、前記構成部材の一部が配
設可能な溝部を有し、該溝部は、熱膨張による相対変位
方向に沿って形成されていることを特徴とする請求項３
記載の真空処理装置。
【請求項５】前記支持部は、孔部と、該孔部へ挿入可
能なピンとから構成され、前記孔部が、熱膨張による相
対変位方向に沿う長孔とされていることを特徴とする請
求項３記載の真空処理装置。
【請求項６】前記支持部は、端部に前記構成部材を保
持する凹部が形成された支持部材を有し、該支持部材
は、前記構成部材を熱膨張による相対変位方向へ摺動可
能に保持してなることを特徴とする請求項３記載の真空
処理装置。
【請求項７】前記製膜ユニットを構成する放電用電極
の上下端部が、セラミックスから形成された前記支持部
材によって支持されていることを特徴とする請求項６記
載の真空処理装置。
【請求項８】前記支持部は、前記構成部材に形成され
た孔部と、該孔部へ挿通されて前記製膜ユニット支持台
または前記製膜室の上部に設けられた排気カバーに形成
されたネジ孔へねじ込まれるネジとから構成され、前記
孔部が、熱膨張による相対変位方向に沿う長孔とされて
いることを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
【請求項９】前記ネジには、円滑性を有する処理を施
した座金が設けられていることを特徴とする請求項８記
載の真空処理装置。