JP2002243937A - 干渉フィルタの製造手段、干渉フィルタ、波長可変干渉フィルタ製造手段、波長可変干渉フィルタ、及び、波長選択フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】曲面でも、反射膜間距離を面内で一定にできる
干渉フィルタと製造手段、反射膜間隔を変化できる波長
可変干渉フィルタと製造手段、時系列にＲＧＢを出射す
る波長選択フィルタ、及び、非常に波長分離精度の良い
通信用波長選択フィルタを提供する。 【解決手段】反射膜間にアモルファス・シリコン犠牲層
の成膜を行い、弗化キセノンガスで除去することによ
り、高温で損傷を生ずる高反射率の反射膜が使用でき、
しかも、犠牲層除去時に薄膜、光学部材にダメージを与
えることの無い製造手段が得られる。また、上記組み合
わせと静電及び圧電アクチュエータを作り込むことによ
り、電圧で透過波長を制御できる波長可変干渉フィルタ
が実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は波長選択干渉フィル
タ、及び、光通信に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来この種のファブリペロ型共振器を応
用した干渉フィルタは、反射率を高くすることで、非常
に半値幅の少ない波長選択性を示すことから、分光器か
ら光通信にいたるまで広く使用されてきた。この干渉フ
ィルタは反射膜の間を多重反射させ、位相整合条件（往
復した時の光の位相差が２πの整数倍であること）を満
たす波長だけ透過させるものである。従来の構成は、ガ
ラスを両面研磨し、その両端に反射膜を蒸着する方法で
作成されてきた。また、選択波長を変化させる方法とし
て、ガラスの片面をもう一方の面に対しごく僅かの角度
をつけウエッジ研磨し、その両端に反射膜を蒸着する方
法で作成され、光の入射する位置を平行又は回転移動さ
せることにより、反射膜間の距離を変化させ、位相整合
条件を満たす波長のみ透過させる手段が採られてきた。
しかし、この干渉フィルタは、ガラスを非常に平坦に面
精度良く磨く必要があり、間隔の制御が非常に困難であ
るため、高額な物であった。また、波長可変干渉フィル
タでは、モータ等で回転又は平行移動させる為、波長可
変に時間を要するという問題があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記課題を解
決するためのものであり、安価で、場所により反射、透
過波長のずれが無く、精度の良い干渉フィルタを実現す
ること、非常に早い速度で選択波長を切り替えることが
できる、波長可変干渉フィルタを実現すること、小型で
選択波長切替えを高速で行うことができるカラーシーケ
ンシャル用波長可変干渉フィルタを実現することを主な
目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の干渉フィルタ製造手段は、 １） 第1の工程で、透明基板上に第1の反射膜を成膜す
ること、第2の工程で、透過、または、反射させる波長
λに対し、位相整合条件（間隔を往復した時の光の位相
変化が２πの整数倍であること）を満たす厚さ相当の犠
牲層を成膜すること、第3の工程で、前記犠牲層膜にア
ンカー穴を形成すること、第4の工程で、前記アンカー
穴を持つ犠牲層膜上に膜をアンカー穴に沿って成膜を行
い、第5の工程で、第4の工程で成膜した膜の、光を透
過、または、反射させる部分をパターンニングによって
除去すること、第6の工程で、第2の反射膜を成膜するこ
と、第7の工程で、前記犠牲層を除去すること、を特徴
とする。 ２） 第1の工程で、透明基板上に第1の反射膜を成膜す
ること、第2の工程で、透過または反射させる波長に対
し、位相整合条件を満たす厚さ相当の犠牲層を成膜する
こと、第3の工程で、前記犠牲層膜にアンカー穴を形成
すること、第4の工程で、前記アンカー穴を持つ犠牲層
膜上に膜をアンカー穴に沿って成膜すること、第5の工
程で、第4の工程で成膜した膜の、光を透過、または、
反射させる部分をパターンニングによって除去するこ
と、第6の工程で、第2の反射膜を成膜すること、第7の
工程で、第6の工程で成膜した反射膜上に透明樹脂を塗
布、または、無機材料を用いた膜を成膜すること、第8
の工程で、前記犠牲層を除去すること、を特徴とする。

【０００５】本発明の干渉フィルタは、（１）、及び、
（２）に示す干渉フィルタ製造手段により、第１の反射
膜と第2の反射膜の間に、透過または反射させる波長に
対し位相整合条件を満たす厚さ相当の真空または透明気
体で満たされた間隔を有することを特徴とする干渉フィ
ルタ。

【０００６】本発明の干渉フィルタ製造手段は、 １） 第1の工程で、透明基板上に第1の反射膜を成膜す
ること、第2の工程で、透過または反射させる波長に対
し、位相整合条件を満たす厚さ相当のシリコン犠牲層を
ＣＶＤで成膜すること、第3の工程で、前記犠牲層膜に
アンカー穴を形成すること、第4の工程で、前記アンカ
ー穴を持つ犠牲層膜上に膜をアンカー穴に沿って成膜す
ること、第5の工程で、第4の工程で成膜した膜の、光を
透過、または、反射させる部分をパターンニングによっ
て除去すること、第6の工程で、第2の反射膜を成膜する
こと、第7の工程で、シリコン犠牲層を弗化キセノンガ
スによりエッチング除去すること、を特徴とする。 ２） 第1の工程で、透明基板上に第1の反射膜を成膜す
ること、第2の工程で、透過または反射させる波長に対
し、位相整合条件を満たす厚さ相当のシリコン犠牲層を
ＣＶＤで成膜すること、第3の工程で、前記シリコン犠
牲層膜にアンカー穴を形成すること、第4の工程で、前
記アンカー穴を持つ犠牲層上に第2の反射膜をアンカー
穴に沿って成膜すること、第5の工程で、第2の反射膜に
透明樹脂を塗布、または、無機材料を用いた膜を成膜す
ることで、アンカー穴に樹脂または無機材質の部材を充
填すること、第6の工程で、弗化キセノンガスによりシ
リコン犠牲層エッチング除去すること、を特徴とする。 ３） （２）における第4の工程までを同様の工程と
し、次の第5の工程で、第２反射膜の上部に接着剤を塗
布すること、第6の工程で、透明樹脂基板、あるいは、
透明ガラス板を接着硬化させること、第7の工程で、弗
化キセノンガスで、第1反射膜層と第2反射膜層に挟まれ
ているシリコン犠牲層を除去すること、事を特徴とす
る。 ４） （３）記載の第5の工程において、塗布する接着
剤の硬化後の屈折率は、接着される透明部材の屈折率に
ほぼ等しくさせることを特徴とする。

【０００７】本発明の干渉フィルタは、 １） （１）、から、（４）に示す干渉フィルタ製造手
段により、第１の反射膜と第2の反射膜の間に、透過ま
たは反射させる波長に対し位相整合条件を満たす厚さ相
当の真空または透明気体で満たされた間隔を有すること
を特徴とする干渉フィルタ。 ２） （１）から（４）に示す干渉フィルタ製造手段に
より、第１の反射膜と第2の反射膜の間に、透過または
反射させる波長に対し位相整合条件を満たす厚さ相当の
真空または透明気体で満たされた間隔を有し、透明基板
における、第1反射膜の成膜されていない面、及び、第2
の反射膜の着けられていない面、つまり、この素子に光
が入射または出射する面に、無反射コートを着けたこと
を特徴とする干渉フィルタ。

【０００８】本発明の波長可変干渉フィルタは、透明基
板上に第1の反射膜を有し、前記第1の反射膜上に、真
空、気体、または、液体で満たされた間隔を隔てて第2
の反射膜を有し、光が透過または、反射する領域以外の
部分に、圧電アクチュエータ、又は、静電アクチュエー
タを有し、前記アクチュエータの一端は、第1の反射膜
又は、第1の反射膜を支える部材に接続され、もう一端
は、第2の反射膜又は、第2の反射膜を支える部材に接続
されていることを特徴とする。

【０００９】本発明の波長可変干渉フィルタ製造手段
は、 １） 第1の工程で、透明基板上に導電性を有する第1の
反射膜を成膜すること、第2の工程で、配線ラインをパ
ターンニングすること、第3の工程で、犠牲層を成膜す
ること、第4の工程で、前記犠牲層膜にアンカー穴を形
成すること、第5の工程で、前記アンカー穴を持つ犠牲
層膜上に導電性とばね性を有する膜をアンカー穴に沿っ
て成膜すること、第6の工程で、第5の工程で成膜した導
電性とばね性を有する膜をパターンニングし、支柱及び
ばね部を作成すること、第7の工程で、導電性を有する
第2の反射膜を成膜すること、第8の工程で、前記犠牲層
を除去すること、を特徴とする波長可変干渉フィルタ製
造手段。 ２） （１）記載の第7の工程反射膜を成膜する工程ま
でを同等とし、その後、第8の工程として、第2の反射膜
上に樹脂、または、無機の透明膜を塗布または成膜する
こと、第9の工程で、アンカー部、ばね部上に有る樹
脂、または、無機膜をパターンニングにより除去するこ
と、を特徴とする。 ３） 第1の工程で、透明基板上に導電性を有する第1の
反射膜を成膜すること、第2の工程で、第1の反射膜をパ
ターンニングし配線ラインを作成すること、第3の工程
で、犠牲層を成膜すること、第4の工程で、前記犠牲層
膜にアンカー穴を形成すること、第5の工程で、前記ア
ンカー穴を持つ犠牲層膜上に導電性を有する第2の反射
膜をアンカー穴に沿って成膜すること、第6の工程で、
第2の反射膜をパターンニングし、支柱及びばね部を作
成すること、第7の工程で、前記犠牲層を除去するこ
と、を特徴とする。 ４） 第1の工程で、透明基板上に第1の反射膜を成膜す
ること、第２の工程で、前記第1の反射膜上に、導電性
の膜を着け、電極、及び配線パターンを残し、光の反
射、または、透過する面に存在する導電膜を除去するこ
と、第３の工程で、前記電極に圧電素子の1方の面を接
合すること、第４の工程で、犠牲層を成膜、前記接合さ
れた圧電素子の犠牲層が成膜された面上に有る犠牲層を
パターンニングにより除去すること、第５の工程で、第
2の反射膜を成膜すること、第６の工程で、有機、また
は、無機の透明部材を塗布または成膜すること、を特徴
とする。 ５） 第1の工程で、透明基板上に段差を設けること、
第２の工程で、第1の反射膜を成膜すること、第３の工
程で、前記第1の反射膜上に、導電性の膜を着け、前記
段差部に電極、及び配線パターンを残し、光の反射、ま
たは、透過する面に存在する導電膜を除去すること、第
４の工程で、前記段差上に設けられた電極に圧電素子の
1方の面を接合すること、第５の工程で、犠牲層を成膜
すること、第６の工程で、前記接合された圧電素子の犠
牲層が成膜された面上に有る犠牲層をパターンニングに
より除去すること、第７の工程で、第2の反射膜を成膜
すること、第８の工程で、第2の反射膜上に接着剤を塗
布すること、第９の工程で、有機、または、無機部材
の、前記圧電素子に接合される面に段差を設けること、
第１０の工程で、前記段差を設けられた有機、または、
無機の透明部材を前記塗布された接着剤で接合するこ
と、を特徴とする。 ６） （１）、（３）、（４）、及び（５）記載の犠牲
層にシリコン膜を用いること、及び、犠牲層除去の工程
では、弗化キセノンガスによる犠牲層除去を用いること
を特徴とする。

【００１０】本発明の波長選択フィルタは、可変干渉フ
ィルタ、電圧発生回路、及び、タイミング発生回路を有
し、タイミング発生回路からの信号により、電圧を制御
することで、赤（R）、緑（G）、青（B）の色をシーケ
ンシャルに透過、又は、反射することを特徴とする。光
通信の波長多重通信における、波長選択素子において、
請求項１０記載の波長可変干渉フィルタ、電圧発生回
路、タイミング発生回路を有し、タイミング発生回路か
らの信号により、電圧を制御することで、波長を高精度
に透過、又は、反射することを特徴とする。

【００１１】

【発明の実施の形態】（実施例１）本発明の実施例１に
おける干渉フィルタ製造手段を説明する概略図を図１に
示す。ここでは、波長５００ｎｍの光を選択透過させる
干渉フィルタ例で説明する。透明基板１０１上に第1反
射膜１０２を蒸着する。次に、犠牲層１０３をＣＶＤに
より２５０ｎｍの厚さに成膜する。犠牲層１０３をパタ
ーンニングし、アンカー穴１０４を形成する。パターン
ニングされた犠牲層１０３上に、金属膜１０５を、アン
カー穴に沿うように成膜する。ここで、金属膜を用いた
が、膜の材質は環境変化に対し劣化しない物であればど
のような材質でも良い。また、樹脂をスピンコートなど
で塗布し硬化させる方法でも良い。次に、この金属膜を
パターンニングし、光の透過する部分を除去する。パタ
ーンニングされた金属膜の上面に第2反射膜１０６を蒸
着した後、犠牲層１０３をエッチングにより除去する事
で１０７に示す、間隔２５０ｎｍの空気層が得られる。
この様な製造手段によると、透明基板１０１の表面に多
少のうねりが存在しても、犠牲層１０３がそのうねりに
沿い堆積していくため、うねりにより間隔の誤差を生じ
ず、場所によらず一様な間隔を持つ干渉フィルタが製造
できる。

【００１２】（実施例２）実施例２における干渉フィル
タ製造手段を説明する概略図を図２に示す。ここでも、
波長５００ｎｍの光を選択透過させる干渉フィルタ例で
説明する。透明基板１０１上に第1反射膜１０２を蒸着
する。次に、犠牲層１０３をＣＶＤにより２５０ｎｍの
厚さに成膜する。ここで、犠牲層１０３にアンカー穴１
０４を設ける。金属膜１０５を、アンカー穴に沿うよう
に成膜を行い、光が透過する部分をエッチングで除去す
る。次に第2反射膜１０６を蒸着した後、第2反射膜上に
透明樹脂をスピン塗布し、硬化させる。ここで、透明樹
脂をスピン塗布する例を示したが、無機のSiO2等の膜を
成膜することでも良い。最後に、犠牲層１０３をエッチ
ングにより除去する事で間隔１０７が得られる。第2反
射膜１０６上に樹脂膜が有る為、第2反射膜は強固とな
り、大面積の干渉フィルタが製造可能となる。また、樹
脂膜２０１が保護層としても機能する為、より信頼性の
高い干渉フィルタが実現できる。

【００１３】（実施例３）実施例３における干渉フィル
タを説明する概略図を図３に示す。実施例１、及び、２
の手段により作成された干渉フィルタは、透明基板３０
１上に第1反射膜３０２、位相整合条件を満たす空間３
０３を有し、第2反射膜３０４の上部に透明部材を有
し、支柱によって支えられている。３０３の間隔は波長
５００ｎｍの光を選択透過させる為、２５０ｎｍになっ
ている。入射光３０５は反射膜３０２と３０４の間で３
０６に示すように反射、干渉を繰り返し、位相整合条件
に合った波長のみ選択透過し、出射光３０９として得ら
れる。

【００１４】透明基板３０１の表面にうねりが存在して
も、うねりを犠牲層が追従し、その上に着く反射膜３０
４も前記うねりを反映する為、場所による間隔の差は非
常に少なくなり、ある場所での間隔３０７と他の場所で
の間隔３０８は等しくなるのである。従って、場所によ
り干渉波長がずれることのない精度の良い干渉フィルタ
が得られる。ここで得られた干渉フィルタの波長に対す
る透過率を示したグラフを図４に示す。

【００１５】（実施例４）実施例４における干渉フィル
タ製造手段を説明する概略図を図５に示す。透明基板５
０１上に第1反射膜５０２を蒸着する。次に、アモルフ
ァス・シリコン膜を犠牲層に用い、アモルファス・シリ
コン膜５０３をＣＶＤで成膜する。ここで、アモルファ
ス・シリコン犠牲層５０３にアンカー穴５０４を設け
る。パターンニングされた犠牲層３０３上に、金属膜５
０５を、アンカー穴に沿うように成膜する。次に、この
金属膜をパターンニングし、光の透過する部分を除去す
る。パターンニングされた金属膜の上面に第2反射膜５
０６を蒸着した後、アモルファス・シリコン犠牲層５０
３を弗化キセノンガスによるエッチングで除去すること
により、５０７に示す空間が確保できる。アモルファス
・シリコンは３００℃以下で成膜できる為、上下の反射
膜に高温で溶融してしまうアルミ合金系の膜を用いるこ
とができる。また、弗化キセノンガスによるエッチング
は、ドライなプロセスである為、液体プロセスで見られ
る、吸着現象などが起こらず歩留まりの高い製造工程が
得られる。また、プラズマを使ったドライプロセスでも
ないので、反射膜、及び、透明樹脂等にダメージが無く
製造でき、平面性を損なう事の無い製造手段が得られ
る。

【００１６】（実施例５）実施例５における干渉フィル
タ製造手段を図６により説明する。アモルファス・シリ
コン犠牲層５０３にアンカー穴を作成し、反射膜６０１
を成膜する。この時、反射膜がアンカー穴に確実に入り
込む成膜を行う。成膜後の形状は、犠牲層のアンカー穴
にならう形となる。この上に透明樹脂６０２をつける時
も反射膜の窪みを埋めるように樹脂を充填させる。樹脂
硬化後、アモルファス・シリコン犠牲層５０３を弗化キ
セノンガスによるエッチングで除去することにより、６
０３に示す間隔が確保できる。

【００１７】この方法により、新たな部材を必要とせず
正確な間隔を保つ為の支柱及び、壁が反射膜６０１と樹
脂膜６０２によって得られる。本実施例では、反射膜、
上部の透明樹脂共にアンカー穴に充填させたが、反射膜
をアンカー穴部分には成膜せず、透明樹脂のみをアンカ
ー穴に充填しても、同様の支柱、及び、壁が形成でき
る。

【００１８】（実施例６）実施例６における干渉フィル
タ製造手段を図７により説明する。透明基板５０１上に
第1反射膜５０２を蒸着する。次に、アモルファス・シ
リコン膜を犠牲層に用い、アモルファス・シリコン膜５
０３をＣＶＤで成膜する。ここで、アモルファス・シリ
コン犠牲層５０３にアンカー穴を設ける。次に第2反射
膜６０１を蒸着した後、そこに、透明接着剤７０１を塗
布し、ガラス板７０２を接着する。この例ではガラス板
を用いたが他の無機材料でも、有機材料でも同じように
機能する。ガラス板７０２を接着後、アモルファス・シ
リコン犠牲層５０３を弗化キセノンガスによるエッチン
グ除去することにより、７０３に示す間隔を確保でき、
透過する場所により波長分布の非常に少ない干渉フィル
タを製造する手段が得られる。本実施例の製造手段では
反射膜６０１にガラス板が接着されるので、非常に強固
な変形を受け難い干渉フィルタが製造できる。

【００１９】（実施例７）実施例７における干渉フィル
タ製造手段を図７により説明する。透明基板５０１上に
第1反射膜５０２を蒸着する。次に、アモルファス・シ
リコン膜を犠牲層に用い、アモルファス・シリコン膜５
０３をＣＶＤで成膜する。ここで、アモルファス・シリ
コン犠牲層５０３にアンカー穴を設ける。次に第2反射
膜６０１を蒸着した後、そこに、透明接着剤７０１を塗
布し、ガラス板７０２を接着する。ここで透明接着剤
は、硬化後の屈折率がほぼ、ガラス版７０２の屈折率に
等しくされている。この例ではガラス板を用いたが他の
無機材料でも、有機材料でも接着される基板の屈折率に
ほぼ合わせた接着剤を用いれば、本実施例と同じように
機能する。ガラス板７０２を接着後、アモルファス・シ
リコン犠牲層５０３を弗化キセノンガスによるエッチン
グ除去することにより、７０３に示す間隔を持つ干渉フ
ィルタ製造手段が得られる。本実施例により、接着層の
境界での反射屈折が非常に少なくなり、光量損失のほと
んど無い干渉フィルタが得られる。

【００２０】（実施例８）実施例８における干渉フィル
タを図８により説明する。８０７の光が透明部材８０１
に入射し、反射膜８０２に到達する。反射膜８０２と反
射膜８０５の間には、アモルファス・シリコン犠牲層を
弗化キセノンガスによってエッチング除去された空間８
０３が存在する。反射膜８０２を透過した光は反射膜８
０２，８０５と間隔８０３によって干渉を起こし、位相
整合条件を満たす波長のみが出射光８０８となり透過す
る。本実施例では、透明部材８０６の表面に凹凸８０９
が生じていても、反射膜８０５及び犠牲層、上部反射膜
８０２ともに凹凸８０９に沿った形で堆積され製作され
る為、凸部の間隔８１０と、凹部の間隔８１１に差が生
ずる事無く、どの場所でも、目標の波長を透過させる間
隔が保てる。従って、より干渉フィルタの面内で透過波
長のばらつきのほとんど無い干渉フィルタが得られる。

【００２１】（実施例９）実施例９における干渉フィル
タを図９により説明する。９０９の光が透明部材に入射
する。この時、透明部材９０２の光入射側には無反射コ
ート９０１を設けられている為、透明部材９０２の入射
面での表面反射は極めて少ない。透明ガラス９０２に入
射した光は、接着層９０３を透過し反射膜９０４に到達
する。反射膜９０４と反射膜９０６の間には、アモルフ
ァス・シリコン犠牲層を弗化キセノンガスによってエッ
チング除去された空間９０５を有する。反射膜９０４を
透過した光は反射膜９０４，９０６と間隔９０５によっ
て９１０に示すように多重反射時に干渉を起こし、位相
整合条件を満たす波長のみが出射光９１１となり透明基
板９０７を透過する。透明基板９０７の光出射面には無
反射コート９１１を着けてある。このように、本実施例
では、干渉フィルタの入射側、出射側夫々で数％発生し
ていた光量損失をほぼ無くす事ができ、より光利用効率
の高い干渉フィルタが得られる。

【００２２】（実施例１０）実施例１０における波長可
変干渉フィルタを図１０により説明する。本実施例の波
長可変干渉フィルタは、透明基板１００１上に、反射膜
１００３、及び、下電極１００２を有し、支柱１０１０
に支えられたばね構造１００８により、上電極１００５
及び透明部材１００９を支える構造を持つ。また、透明
部材１００９には上電極１００５及び反射膜１００６を
有する。この構造において、上電極１００５と下電極１
００２に電圧を印可すると両電極間に引力が発生し透明
部材１００９を介して接続されている反射膜１００６も
１００７方向に上下させる事ができる。反射膜１００６
と１００３の間隔１００４が変化すると、位相整合条件
を満たす波長が変化し、波長可変干渉フィルタが実現で
きる。理論式で説明すると、干渉フィルタは、位相整合
条件を満たす波長で透過率のピークになる。従って、透
過率がピークになる波長をλとすると、 λ＝２×L／ｎ となる。ここで、ｎ：１，２，３、・・・、Ｌ：１００
４の間隔、である。上記の間隔Lが変化すれば、位相整
合条件を満たす波長が変化する為、透過波長のピークも
変化するのである。

【００２３】（実施例１１）実施例１１における波長可
変干渉フィルタの製造手段を図１１により説明する。透
明基板１１０１上に、導電性の反射膜を着け、反射膜を
１１０２に示す形状にパターンニングする。その後、ア
ンカーの土台及び、配線となる導電膜を着けパターンニ
ングし１１０３に示す形状とする。ここで、反射膜とな
る１１０２、配線パターン、又はアンカーの土台となる
１１０３ができあがる。次に、犠牲層１１０４を着けア
ンカー穴をパターンニングする。犠牲層の上部に導電性
の膜を着け、支柱１１０５、及び、ばね構造となる１１
０６をパターンニングする。次に導電性の反射膜１１０
７を着ける。これにより反射膜１１０７とばね部１１０
６、支柱１１０５が導通する。犠牲層１１０４をエッチ
ングにより除去し、ばね部及び、反射膜１１０２，１１
０７の間に空間１１０８を作る。この製造工程により、
反射膜１００２，１１０７を上下電極とし、１１０６の
ばね構造を持つ静電アクチュエータが製作できると同時
に、反射膜１１０２，１１０７は干渉フィルタの反射膜
としても機能する。反射膜１１０２と反射膜１１０７間
に電圧を印可する事により、反射膜膜１１０２と反射膜
１１０７の間隔を制御でき、透過波長を変化できる波長
可変干渉フィルタが作成できる。本実施例によれば、反
射膜を電極にする為、静電アクチュエータ駆動の為の新
たな電極を必要としない波長可変干渉フィルタの製造手
段が実現できる。

【００２４】（実施例１２）実施例１２における波長可
変干渉フィルタ製造手段を図１２により説明する。透明
基板１１０１上に、導電性の膜を着け、導電膜をパター
ンニングし、その後、アンカーの土台及び、配線となる
導電膜を着けパターンニングする。ここで、反射膜、配
線パターン、又はアンカーの土台に分離される。次に、
犠牲層１１０４を着けアンカー穴をパターンニングす
る。犠牲層の上部に導電性の膜を着け、支柱、及び、ば
ね構造となる１２０４をパターンニングする。次に導電
性の反射膜１１０７を着ける。これにより反射膜１１０
７とばね部１１０６、支柱が導通する。第２の反射膜１
１０７上に樹脂１２０１を塗布し、ばね部１２０４上に
ある樹脂をパターン除去し１２０２部に樹脂が無い状態
とする。その後、犠牲層１１０４をエッチングにより除
去し、ばね部１２０４及び、第１の反射膜と第２の反射
膜の間に空間１１０８を作る。この製造工程により、ば
ね部１２０４は樹脂１２０３に動きを抑制されない為、
第１、第２反射膜を上下電極とし、１２０４のばね構造
を持つ静電アクチュエータが製作できると同時に、第
１、第２の反射膜は干渉フィルタの反射膜としても機能
する。第１、第２反射膜間に電圧を印可する事により、
第１、第２反射膜間に引力が発生し、ばね１２０４を撓
ませる。第２反射膜１１０７は、印可電圧による引力と
ばね力の釣り合ったところで静止し一定の間隔を保つ。
このように、印可電圧を制御することにより、第１、第
２反射膜膜の間隔を制御でき、透過波長を変化できる波
長可変干渉フィルタが作成できる。

【００２５】（実施例１３）実施例１３における波長可
変干渉フィルタ製造手段を図１３により説明する。透明
基板１３０１上に、導電性の反射膜を着け、導電性の反
射膜をパターンニングする事により、アンカーの土台と
なる１３０２、反射膜となる１３０３、配線パターンに
分離される。次に、犠牲層１３０５を着けアンカー１３
０４をパターンニングする。犠牲層の上部に導電性の反
射膜１３０６を着け、反射膜部、配線部、及び、ばね部
をパターンニングする。その後、上部に透明部材を塗布
し、硬化後、パターンニングすることにより１３０８部
を除去する。この部分は、ばね部の上部に当たる部分で
ある。犠牲層１３０５を除去する事により、反射膜１３
０９，１３１０を上下電極とする静電アクチュエータが
製作できると同時に、反射膜１３０９，１３１０は干渉
フィルタの反射膜としても機能する。また、ばね部１３
１１は変位を抑制する樹脂が除去されている為、ばねと
して正常に機能できる。従って、反射膜１３０９と反射
膜１３１０間に電圧を印可する事により、反射膜のばね
部１３１１が撓み、反射膜１３０９を１３１２に示すよ
うに移動できる。これにより、反射膜１３０９と反射膜
１３１０の間隔を制御でき、電圧制御により透過波長を
変化できる波長可変干渉フィルタが作成できる。また、
静電アクチュエータと波長可変干渉フィルタとを同じ導
電膜で製作できる為。大幅な製造工程削減ができる。

【００２６】（実施例１４）実施例１４における波長可
変干渉フィルタ製造手段を図１３により説明する。反射
膜成膜、パターンニング後アモルファス・シリコン膜を
犠牲層としてCVDにより成膜する。アモルファス・シリ
コンは３００℃以下で成膜できる為、アルミ系の膜を用
いることができる。その後、アンカー１３０４をパター
ンニングする。犠牲層の上部に導電性の膜１３０６を着
け、反射膜部、配線部、及び、ばね部をパターンニング
し、上部に透明部材を塗布後、硬化させる。その後、上
部に透明部材を塗布し、硬化後、パターンニングするこ
とにより１３０８部を除去する。この状態で、アモルフ
ァス・シリコン犠牲層を弗化キセノンガスにより除去す
る。弗化キセノンガスで犠牲層除去工程では、液体プロ
セスでない為、吸着等の不具合も発生しない。しかも、
プラズマも使わない為、反射膜にダメージを与えず設計
反射率を維持できる。また、アルミ系の反射膜が使える
為、ばね常数を小さくでき、それにより、静電アクチュ
エータ駆動電圧も低くできる。

【００２７】（実施例１５）実施例１５における波長可
変干渉フィルタ製造手段を図１４により説明する。透明
基板１４０１上に、反射膜を成膜後、パターンニングを
行い１４０２に示す形状とする。次に導電性の膜を成膜
後、導電膜をパターンニングにより１４０３部を形成す
る。１４０３上に圧電素子１４０４を接合し、上部に犠
牲層１４０５成膜後、圧電素子１４０４の上面を露出さ
せるため、アンカー穴１４０６をパターンニングする。
この上に反射膜１４０６を成膜後、透明樹脂１４０７を
塗布する。本実施例では透明樹脂を用いたが、SiO2に代
表される無機材質の膜でも良い。前記透明樹脂硬化後、
犠牲層１４０５をエッチング除去する。これにより、反
射膜間に空間１４０９が生じ、圧電素子に電圧を印可
し、圧電素子を伸縮させれば、反射膜１４０８を上下さ
せる事ができる。従って、反射膜膜１４０２と反射膜１
４０８の間隔を制御でき、電圧制御により透過波長を変
化できる波長可変干渉フィルタが作成できる。

【００２８】（実施例１６）実施例１６における波長可
変干渉フィルタ製造手段を図１５により説明する。透明
基板上に反射膜が成膜され、圧電素子１５０１が接合さ
れる。上部にアモルファス・シリコン犠牲層１５０２成
膜後、圧電素子１５０１の上面を露出させるため、パタ
ーンニングによりアンカー穴１５０３を作成する。この
上に反射膜１５０４を成膜後、接着剤１５０５を塗布す
る。接着剤１５０５は紫外線硬化性を持つ。透明ガラス
１５０６には圧電素子１５０１の高さと、反射膜に挟ま
れた光干渉部の厚さの差に合わせた段差１５０７が設け
られており、塗布された接着剤１５０５を介して、凹凸
をかみ合わせるよう接合される。透明ガラス１５０６接
合後、弗化キセノンガスによりアモルファス・シリコン
犠牲層１５０２を除去し、上下の反射膜間に間隔１５０
９を作り出す。本実施例では紫外線硬化タイプの接着剤
を用いたが窪みの設けられた透明部材１３０６の屈折率
とほぼ同じ屈折率を有するものであればどのようなタイ
プの接着剤でも良い。本実施例によれば、圧電アクチュ
エータを厚することができ、間隔１５０９の変位量が大
きく、駆動電圧も下げる事ができる。

【００２９】従って、本実施例で製造される波長可変干
渉フィルタは、低電圧で駆動でき、しかも、反射膜間の
間隔変化量を大きく取れる為、紫外光から赤外光までの
幅広い範囲で透過波長を変化させる事ができる。

【００３０】（実施例１７）実施例１７におけるカラー
シーケンシャル用波長選択フィルタを図１６により説明
する。透明基板１６０１に反射膜１６０２、圧電素子１
６０３を有し、圧電素子１６０３が透明部材１６０５を
支える形で、反射膜１６０２と反射膜１６０４との間隔
を保持している。この状態で圧電素子１６０３に電圧を
印可すると反射膜１６０２と反射膜１６０４の間隔が変
化する。反射膜１６０２と反射膜１６０４の間隔の変化
すると位相整合条件を満たす波長が変化する為、透過波
長が変化する。反射膜１６０２と反射膜１６０４の間隔
は、電圧０Vの時２００ｎｍ、電圧１０Vの時２５０ｎ
ｍ、電圧２０Ｖの時３００ｎｍとなる。前記の各電圧に
対する透過波長特性を図１７に示す。本実施例では電圧
０Ｖの時（青）、電圧１０Ｖの時（緑）、電圧２０Ｖの
時（赤）の３原色を表示する。タイミング信号と駆動電
圧を示す概略図を図１８に示す。プロジェクタ等の画像
駆動回路からのタイミング発生回路により、赤のタイミ
ング信号１８０１が発生され、このタイミングで駆動電
圧は１８０２に示す２０Vとなる。この時、反射膜１６
０２と反射膜１６０４の間隔は３００ｎｍとなり、位相
整合条件を満たす波長は６００ｎｍの赤色となる。ま
た、緑のタイミング信号１８０３のタイミングで駆動電
圧は１８０４に示す１０Vとなり、反射膜１６０２と反
射膜１６０４の間隔は２５０ｎｍとなり、位相整合条件
を満たす波長は５００ｎｍの緑色となる。同様に、青の
タイミング信号１８０５で駆動電圧は１８０６の０Vと
なり、反射膜１６０２と反射膜１６０４の間隔は２００
ｎｍとなり、位相整合条件を満たす波長は４００ｎｍの
青色となる。

【００３１】この様に本実施例では、時間的シーケンシ
ャルに色を変化させるカラーシーケンシャル用波長選択
フィルタが実現できる。また、色の変化する時間は、ア
クチュエータの動く時間と等しく、非常に光速に色スイ
ッチングが可能となる。しかも、従来のカラーフィルタ
ーをモータで回転させるタイプの者と比べ、カラーフィ
ルター上で光束を絞る必要が無い為、光利用効率が高く
できる利点も備えている。

【００３２】（実施例１８）実施例１８における波長選
択フィルタを図１９により説明する。光ファイバー１９
０６から出射した光は波長多重されている為、数波長間
隔ごとにピークを持つ光が重ね合わされている。この光
がレンズ１９０７により平行または、収束光１９０８と
なり透明部材１９０５に入射する。透明基板１９０５に
は、高反射率の反射膜１９０４を有する。透明部材１９
０５には圧電素子１９０３を有し、圧電素子１９０３が
透明部材１９０１を支える形で、反射膜１９０２と１９
０４との間隔を保持している。この状態で圧電素子１９
０３に電圧を印可すると反射膜１９０２と反射膜１９０
４の間隔が変化する。反射膜１９０２と反射膜１６０４
の間隔の変化すると位相整合条件を満たす波長が変化す
る為、透過波長が変化するので、波長多重された光１９
０８も出射光１９０９では必要な光のみ分離されるので
ある。出射光１９０９は、レンズ１９１０により光ファ
イバー１９１１に挿入される。反射膜１９０２と反射膜
１６０４は高反射率である為、透過スペクトル分布の半
値幅が非常に狭くでき、圧電アクチュエータで反射膜１
９０２と反射膜１６０４の間隔を非常に精度良く制御で
きる為、数波長間隔にピークを持つ光も個々のスペクト
ル波形に分離し透過させることができるのである。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、 １）位相整合条件を満たす間隔を犠牲層で作成する為、
非常に精度の良い間隔が広い範囲で得られる。 ２）犠牲層にアンカー穴を設け、それによって間隔を保
つ為の支柱、又は、壁を作成し、安定した反射膜間距離
を得る事ができる。 ３）第２反射膜上に透明部材を塗布する事により、反射
膜の保護ができる。 ４）お互いの反射膜の間隔を作成時に、低温で成膜でき
るアモルファス・シリコン犠牲層を用いることにより、
高温で損傷の起こるアルミ系の膜が使用可能となり、よ
り吸収の少ない反射率の高い膜が反射膜として実現でき
た。 ５）アモルファス・シリコン犠牲層と、弗化キセノンガ
スによる犠牲層エッチングプロセスは、ドライなプロセ
スである為、液体プロセスで見られる、吸着現象などが
起こらず歩留まりの高い製造工程が得られる。また、プ
ラズマを使ったドライプロセスでもないので、反射膜、
及び、透明樹脂等にダメージが無く製造でき、平面性を
損なう事の無い製造手段が得られる。 ６）反射膜又は、透明樹脂でアンカー穴を充填させる製
造方法により、新たな部材を必要とせず正確な間隔を保
つ為の支柱及び、壁が得られる。 ７）接着剤の屈折率を透明部材の屈折率に合わせる事に
より、接着層の境界で反射屈折が非常に少なくなり、光
量損失のほとんど無い干渉フィルタが得られる。 ８）透明基板の表面に多少のうねりが存在しても、犠牲
層がそのうねりに沿い堆積していくため、曲面を持った
光学部品上でも、うねりによる間隔の誤差を生ずる事の
無い干渉フィルタ製造手段が得られる。 ９）透明部材の光入射側と他方の透明部材の出射側に無
反射コートを設ける事により、干渉フィルタの入射側、
出射側夫々で数％発生していた光量損失をほぼ無くす事
ができ、より光利用効率の高い干渉フィルタが得られ
る。 １０）反射膜間の間隔を、静電アクチュエータ、又は、
圧電アクチュエータ等を用いて電圧により変化させる事
により、透過波長を変化させる事ができる。 １１）反射膜を静電アクチュエータの電極を兼ねる構造
とすることにより、静電アクチュエータ駆動用の新たな
電極を必要としない波長可変干渉フィルタの製造手段が
実現できる。 １２）反射膜をパターンニングし、配線、電極、支柱を
作成している為、製造工程がより短縮された波長可変干
渉フィルタの製造手段が実現できる。 １３）透明部材に圧電素子の厚みに相当する段差を設
け、その段差に圧電素子を接着剤で接合することで、反
射膜の間隔に対し、圧電素子の厚みを大きく取れる為、
低電圧化が可能となる。また、反射膜の間隔変化量を大
きく取れるため、紫外光から赤外光までの可変は長域の
広い、波長可変干渉フィルタが実現できる。 １４）本発明のカラーシーケンシャル用波長可変フィル
タは、非常に高速な色スイッチング速度が得られる。し
かも、カラーフィルター上で光束を絞る必要が無い為、
光利用効率が高くできる。 １４）非常に透過スペクトル幅（透過光波長におけるの
半値幅）が非常に小さく、しかも、アクチュエータが非
常に精度良く移動できる為、波長選択分解能が高い波長
選択フィルタが実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施例１における干渉フィルタ製造
手段を説明する概略図である。

【図２】 本発明の実施例２における干渉フィルタ製造
手段を説明する概略図である。

【図３】 本発明の実施例３における干渉フィルタを説
明する概略図である。

【図４】 本発明の実施例３における透過率を示したグ
ラフを示す図である。

【図５】 本発明の実施例４における干渉フィルタ製造
手段を説明する概略図である。

【図６】 本発明の実施例５における干渉フィルタ製造
手段を説明する概略図である。

【図７】 本発明の実施例６、７における干渉フィルタ
製造手段を説明する概略図である。

【図８】 本発明の実施例８における干渉フィルタを示
す概略図である。

【図９】 本発明の実施例９における干渉フィルタを示
す概略図である。

【図１０】 本発明の実施例１０における波長可変干渉
フィルタを示す概略図である。

【図１１】 本発明の実施例１１における波長可変干渉
フィルタの製造手段を説明する概略図である。

【図１２】 本発明の実施例１２における波長可変干渉
フィルタの製造手段を説明する概略図である。

【図１３】 本発明の実施例１３、１４における波長可
変干渉フィルタの製造手段を説明する概略図である。

【図１４】 本発明の実施例１５における波長可変干渉
フィルタの製造手段を説明する概略図である。

【図１５】 本発明の実施例１６における波長可変干渉
フィルタの製造手段を説明する概略図である。

【図１６】 本発明の実施例１７におけるカラーシーケ
ンシャル用波長選択フィルタを示す図である。

【図１７】 本発明の実施例１７における各電圧に対す
る透過波長特性のグラフを示す図である。

【図１８】 本発明の実施例１７におけるタイミング信
号と駆動電圧を示す図である。

【図１９】 本発明の実施例１８における波長選択フィ
ルタを示す図である。

【符号の説明】

１０１ 透明基板 １０２、１０６ 反射膜 １０３ 犠牲層 １０４ アンカー穴 １０５ 金属膜 ２０１ 樹脂膜 ３０１ 透明基板 ３０２、３０４ 第２反射膜 ５０１ 透明基板 ５０２、５０６ 反射膜 ５０３ アモルファス・シリコン膜 ５０４ アンカー穴 ５０５ 金属膜 ６０１ 反射膜 ６０２ 樹脂膜 ７０１ 透明接着剤 ７０２ ガラス板 ８０１ 透明部材 ８０２、８０５ 反射膜 ８０６ 透明部材 ９０１ 無反射コート ９０２ 透明部材 ９０３ 接着層 ９０４、９０６ 反射膜 ９０７ 透明基板 １００１ 透明基板 １００２ 下電極 １００３、１００６ 反射膜 １００５ 上電極 １００９ 透明部材 １０１０ 支柱 １１０１ 透明基板 １１０２、１１０７ 反射膜 １１０４ 犠牲層 １１０５ 支柱 １１０６ ばね部 １２０１ 樹脂 １３０１ 透明基板 １３０２ アンカー土台 １３０３、１３０６、１３０９、１３１０ 反射膜 １３０４ アンカー １３０５ 犠牲層 １３１１ ばね部 １４０１ 透明基板 １４０２、１４０８ 反射層 １４０４ 圧電素子 １４０５ 犠牲層 １４０６ アンカー穴 １４０７ 樹脂層 １５０１ 圧電素子 １５０２ 犠牲層 １５０３ アンカー穴 １５０４ 反射膜 １５０５ 接着剤 １５０６ 透明ガラス １６０１ 透明基板 １６０２、１６０４ 反射膜 １６０３ 圧電素子 １６０５ 透明部材 １９０１ 透明部材 １９０２、１９０４ 反射膜 １９０３ 圧電素子 １９０５ 透明基板 １９０６、１９１１ 光ファイバー １９０７、１９１０ レンズ

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第1の工程で、透明基板上に第1の反射膜
   を成膜すること、第2の工程で、透過、または、反射さ
   せる波長λに対し、位相整合条件（間隔を往復した時の
   光の位相変化が２πの整数倍であること）を満たす厚さ
   相当の犠牲層を成膜すること、第3の工程で、前記犠牲
   層膜にアンカー穴を形成すること、第4の工程で、前記
   アンカー穴を持つ犠牲層膜上に膜をアンカー穴に沿って
   成膜を行い、第5の工程で、第4の工程で成膜した膜の、
   光を透過、または、反射させる部分をパターンニングに
   よって除去すること、第6の工程で、第2の反射膜を成膜
   すること、第7の工程で、前記犠牲層を除去すること、
   を特徴とする干渉フィルタ製造手段。
2. 【請求項２】 第1の工程で、透明基板上に第1の反射膜
   を成膜すること、第2の工程で、透過または反射させる
   波長に対し、位相整合条件を満たす厚さ相当の犠牲層を
   成膜すること、第3の工程で、前記犠牲層膜にアンカー
   穴を形成すること、第4の工程で、前記アンカー穴を持
   つ犠牲層膜上に膜をアンカー穴に沿って成膜を行い、第
   5の工程で、第4の工程で成膜した膜の、光を透過、また
   は、反射させる部分をパターンニングによって除去する
   こと、第6の工程で、第2の反射膜を成膜すること、第7
   の工程で、第6の工程で、成膜した反射膜上に透明樹脂
   を塗布、または、無機材料を用いた膜を成膜すること、
   第8の工程で、前記犠牲層を除去すること、を特徴とす
   る干渉フィルタ製造手段。
3. 【請求項３】 請求項１、及び、請求項２に示す干渉フ
   ィルタ製造手段により、第１の反射膜と第2の反射膜の
   間に、透過または反射させる波長に対し位相整合条件を
   満たす厚さ相当の真空または透明気体で満たされた間隔
   を有することを特徴とする干渉フィルタ。
4. 【請求項４】 第1の工程で、透明基板上に第1の反射膜
   を成膜すること、第2の工程で、透過または反射させる
   波長に対し、位相整合条件を満たす厚さ相当のシリコン
   犠牲層をＣＶＤで成膜すること、第3の工程で、前記犠
   牲層膜にアンカー穴を形成すること、第4の工程で、前
   記アンカー穴を持つ犠牲層膜上に膜をアンカー穴に沿っ
   て成膜を行い、第5の工程で、第4の工程で成膜した膜
   の、光を透過、または、反射させる部分をパターンニン
   グによって除去すること、第6の工程で、第2の反射膜を
   成膜すること、第7の工程で、シリコン犠牲層を弗化キ
   セノンガスによりエッチング除去すること、を特徴とす
   る干渉フィルタ製造手段。
5. 【請求項５】 第1の工程で、透明基板上に第1の反射膜
   を成膜すること、第2の工程で、透過または反射させる
   波長に対し、位相整合条件を満たす厚さ相当のシリコン
   犠牲層をＣＶＤで成膜すること、第3の工程で、前記シ
   リコン犠牲層膜にアンカー穴を形成すること、第4の工
   程で、前記アンカー穴を持つ犠牲層上に第2の反射膜を
   アンカー穴に沿って成膜すること、第5の工程で、第2の
   反射膜に透明樹脂を塗布、または、無機材料を用いた膜
   を成膜することで、アンカー穴に樹脂または無機材質の
   部材を充填すること、第6の工程で、弗化キセノンガス
   によりシリコン犠牲層エッチング除去すること、を特徴
   とする干渉フィルタ製造手段。
6. 【請求項６】 請求項5における第4の工程までを同様の
   工程とし、次の第5の工程で、第２反射膜の上部に接着
   剤を塗布すること、第6の工程で、透明樹脂基板、ある
   いは、透明ガラス板を接着硬化させること、第7の工程
   で、弗化キセノンガスで、第1反射膜層と第2反射膜層に
   挟まれているシリコン犠牲層を除去すること、事を特徴
   とする干渉フィルタ製造手段。
7. 【請求項７】 請求項6記載の第5の工程において、塗布
   する接着剤の硬化後の屈折率は、接着される透明部材の
   屈折率にほぼ等しくさせることを特徴とする干渉フィル
   タ製造手段。
8. 【請求項８】 請求項4、から、請求項7に示す干渉フィ
   ルタ製造手段により、第１の反射膜と第2の反射膜の間
   に、透過または反射させる波長に対し位相整合条件を満
   たす厚さ相当の真空または透明気体で満たされた間隔を
   有することを特徴とする干渉フィルタ。
9. 【請求項９】 請求項5、から、請求項7に示す干渉フィ
   ルタ製造手段により、第１の反射膜と第2の反射膜の間
   に、透過または反射させる波長に対し位相整合条件を満
   たす厚さ相当の真空または透明気体で満たされた間隔を
   有し、透明基板で第1反射膜の成膜されていない面、及
   び、第2の反射膜の着けられていない面、つまり、この
   素子に光が入射または出射する面に、無反射コートを着
   けたことを特徴とする干渉フィルタ。
10. 【請求項１０】 透明基板上に第1の反射膜を有し、前
    記第1の反射膜上に、真空、気体、または、液体で満た
    された間隔を隔てて第2の反射膜を有し、光が透過また
    は、反射する領域以外の部分に、圧電アクチュエータ、
    又は、静電アクチュエータを有し、前記アクチュエータ
    の一端は、第1の反射膜又は、第1の反射膜を支える部材
    に接続され、もう一端は、第2の反射膜又は、第2の反射
    膜を支える部材に接続されていることを特徴とする波長
    可変干渉フィルタ。
11. 【請求項１１】 第1の工程で、透明基板上に導電性を
    有する第1の反射膜を成膜すること、第2の工程で、配線
    ラインをパターンニングすること、第3の工程で、犠牲
    層を成膜すること、第4の工程で、前記犠牲層膜にアン
    カー穴を形成すること、第5の工程で、前記アンカー穴
    を持つ犠牲層膜上に導電性とばね性を有する膜をアンカ
    ー穴に沿って成膜すること、第6の工程で、第5の工程で
    成膜した導電性とばね性を有する膜をパターンニング
    し、支柱及びばね部を作成すること、第7の工程で、導
    電性を有する第2の反射膜を成膜すること、第8の工程
    で、前記犠牲層を除去すること、を特徴とする波長可変
    干渉フィルタ製造手段。
12. 【請求項１２】 請求項11記載の第7の工程反射膜を成
    膜する工程までを同等とし、その後、第8の工程とし
    て、第2の反射膜上に樹脂、または、無機の透明膜を塗
    布または成膜すること、第9の工程で、アンカー部、ば
    ね部上に有る樹脂、または、無機膜をパターンニングに
    より除去すること、を特徴とする波長可変干渉フィルタ
    製造手段。
13. 【請求項１３】 第1の工程で、透明基板上に導電性を
    有する第1の反射膜を成膜すること、第2の工程で、第1
    の反射膜をパターンニングし配線ラインを作成するこ
    と、第3の工程で、犠牲層を成膜すること、第4の工程
    で、前記犠牲層膜にアンカー穴を形成すること、第5の
    工程で、前記アンカー穴を持つ犠牲層膜上に導電性を有
    する第2の反射膜をアンカー穴に沿って成膜すること、
    第6の工程で、第2の反射膜をパターンニングし、支柱及
    びばね部を作成すること、第7の工程で、前記犠牲層を
    除去すること、を特徴とする波長可変干渉フィルタ製造
    手段。
14. 【請求項１４】 第1の工程で、透明基板上に第1の反射
    膜を成膜すること、第２の工程で、前記第1の反射膜上
    に、導電性の膜を着け、電極、及び配線パターンを残
    し、光の反射、または、透過する面に存在する導電膜を
    除去すること、第３の工程で、前記電極に圧電素子の1
    方の面を接合すること、第４の工程で、犠牲層を成膜、
    前記接合された圧電素子の犠牲層が成膜された面上に有
    る犠牲層をパターンニングにより除去すること、第５の
    工程で、第2の反射膜を成膜すること、第６の工程で、
    有機、または、無機の透明部材を塗布または成膜するこ
    と、を特徴とする波長可変干渉フィルタ製造手段。
15. 【請求項１５】 第1の工程で、透明基板上に段差を設
    けること、第２の工程で、第1の反射膜を成膜するこ
    と、第３の工程で、前記第1の反射膜上に、導電性の膜
    を着け、前記段差部に電極、及び配線パターンを残し、
    光の反射、または、透過する面に存在する導電膜を除去
    すること、第４の工程で、前記段差上に設けられた電極
    に圧電素子の1方の面を接合すること、第５の工程で、
    犠牲層を成膜すること、第６の工程で、前記接合された
    圧電素子の犠牲層が成膜された面上に有る犠牲層をパタ
    ーンニングにより除去すること、第７の工程で、第2の
    反射膜を成膜すること、第８の工程で、第2の反射膜上
    に接着剤を塗布すること、第９の工程で、有機、また
    は、無機部材の、前記圧電素子に接合される面に段差を
    設けること、第１０の工程で、前記段差を設けられた有
    機、または、無機の透明部材を前記塗布された接着剤で
    接合すること、を特徴とする波長可変干渉フィルタの製
    造手段。
16. 【請求項１６】 請求項11、請求項１３、請求項1４、
    及び、請求項１５記載の犠牲層にシリコン膜を用いるこ
    と、及び、犠牲層除去の工程では、弗化キセノンガスに
    よる犠牲層除去を用いることを特徴とする波長可変干渉
    フィルタ製造手段。
17. 【請求項１７】 請求項１０記載の波長可変干渉フィル
    タ、電圧発生回路、及び、タイミング発生回路を有し、
    タイミング発生回路からの信号により、電圧を制御する
    ことで、赤（R）、緑（G）、青（B）の色をシーケンシ
    ャルに透過、又は、反射することを特徴とする波長選択
    フィルタ。
18. 【請求項１８】 光通信の波長多重通信における、波長
    選択素子において、請求項１０記載の波長可変干渉フィ
    ルタ、電圧発生回路、タイミング発生回路を有し、タイ
    ミング発生回路からの信号により、電圧を制御すること
    で、波長を高精度に透過、又は、反射することを特徴と
    する波長選択フィルタ。