JP2002226988A - 積層構造体とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、電鋳で形成された複数の電鋳層が
強固に接合された積層構造体とその製造方法を提供する
ことを目的としている。 【解決手段】 第２の電鋳層が第１の電鋳層の一平面に
積層して形成され、且つ第２の電鋳層が第１の電鋳層の
一平面に設けられた貫通穴の内壁上にも形成されている
ことを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電鋳で形成された複
数の電鋳層が強固に接合された積層構造体とその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電気メッキ法の技術を利用して構造体を
製造する方法のことを電鋳法と呼ぶ。この電鋳法は微細
な形状を形成するのに適しており、精密機械の分野では
広く用いられている製造方法である。但し、この製造方
法は薄膜形成に適した電気メッキ法を応用したものであ
るので、厚みのある形状よりも薄板形状の構造体の製造
に適している。

【０００３】近年では、剛性の向上や形状の複雑化を目
的として、この電鋳法で製造した複数の板状構造体を積
層させて、新たな別の構造体（積層構造体）を形成する
試みが多くなされるようになってきた。

【０００４】以下に、従来なされている積層構造体の製
造方法を説明する。図９は従来の積層構造体、特に段付
き穴を備えた構造体、の製造方法を示した図である。ま
ず図９（ａ）に示すように、導電性基板３０上に感光可
溶性材料からなるポジレジスト４６を、一般に知られて
いるフォトリソグラフィー法によって、必要とする形状
にパターン化する。

【０００５】次に、導電性基板３０上に電鋳法によって
第１の電鋳層１１５を形成する（図９（ｂ））。この
時、ポジレジスト４６は非導電性材料であるので、ポジ
レジスト４６上に第１の電鋳層１１５が形成されること
はない。

【０００６】次に、ポジレジスト４６が形成されている
部分に、さらに位置合わせをしてポジレジスト４７を所
望の形状にパターン化する（図９（ｃ））。

【０００７】さらに、第１の電鋳層１１５上に電鋳法に
よって第２の電鋳層１２５を形成する（図９（ｄ））。

【０００８】最後に、ポジレジスト４７、導電性基板３
０を除去して、段付き貫通穴２２５が穴空けされている
積層構造体１５が完成する（図９（ｅ））。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述のようにして製造
された積層構造体１５は、第１の電鋳層１１５の内部応
力と第２の電鋳層１２５の内部応力の微小な相違によっ
て、第１の電鋳層１１５と第２の電鋳層１２５の界面で
剥離が生じてしまう現象が多くあった（図９（ｅ））。
剥離の発生は積層構造体１１５の部品としての成立を阻
むことになる。

【００１０】本発明の目的は、電鋳で形成された複数の
電鋳層が強固に接合された積層構造体とその製造方法を
提供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の積層構造体は、第１の電鋳層の一平面に第
２の電鋳層が積層して形成され、且つ第１の電鋳層の一
平面に設けられた貫通穴の内壁上にも第２の電鋳層が形
成されていることを特徴としている。

【００１２】さらに、前記第１の電鋳層の貫通穴の内壁
が第２の電鋳層が積層して形成されている一平面に対し
て９０度未満の角度をなしていることを特徴としてい
る。

【００１３】さらに、本発明の積層構造体の製造方法
は、少なくとも一部に導電性を有する基板上に第１の非
導電性材料層をパターン化して形成する工程と、基板上
に電鋳法によって第１の電鋳層を形成する工程と、第１
の非導電性材料層を除去し、第１の電鋳層の一平面に貫
通穴を開口させる工程と、所望の位置に第２の非導電性
材料層をパターン化する工程と、第１の電鋳層の一平面
上および貫通穴の内壁上に電鋳法によって第２の電鋳層
を形成する工程と、第２の非導電性材料層と基板を除去
する工程を有することを特徴としている。

【００１４】さらに、前記パターン化された第１の非導
電性材料層は、その底面に対して側壁面が９０度未満の
角度なしていることを特徴としている。

【００１５】また、前記第１の非導電性材料層が感光可
溶性材料からなり、且つフロント露光法によって露光し
た後、現像してパターン化されていることを特徴として
いる。

【００１６】または、前記第１の非導電性材料層が感光
不溶性材料からなり、且つバック露光法によって露光し
た後、現像してパターン化されていることを特徴として
いる。

【００１７】（作用）本発明の上記手段により、第１の
電鋳層に設けられた貫通穴に第２の電鋳層を食い込ませ
て構成することができる。これは電鋳法の特性を利用し
たものである。電鋳法は、先にも述べたように、電気メ
ッキ法の一種であるため、メッキ液が入り込むことがで
きる部分には全て電鋳層を形成することが可能である。
そのため第２の電鋳層を第１の電鋳層に設けられた貫通
穴内部にも形成することを可能にした。

【００１８】第１の電鋳層に設けられた貫通穴に第２の
電鋳層を食い込ませた構成にすることによって、各電鋳
層の平面方向での、ずれの発生が抑制され、従来よりも
剥離の発生が少なくなった。

【００１９】さらに本発明の第１の電鋳層に設けられた
貫通穴は、内壁が第１の電鋳層の平面（第２の電鋳層が
積層される側）に対して９０度未満の角度をなしてい
る。この結果、第２の電鋳層は、第１の電鋳層の平面か
ら真上方向に（垂直方向に）剥離することがより難しく
なった。

【００２０】以上のように、本発明の積層構造体は、平
面方向にも、垂直方向にも強固に接合された積層構造体
である。

【００２１】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は本発明
の一実施形態による積層構造体の断面図である。図１に
示すように、本発明の一実施形態による積層構造体１０
は、第１の電鋳層１１０と第２の電鋳層１２０の積層構
造からなっており、それら２つの層を貫く段付き貫通穴
２２０が空けられた形状をしている。また第１の電鋳層
１１０には段付き貫通穴２２０とは別の第２の電鋳層１
２０によって埋められた穴があけられているが、その穴
の内壁面１１０ａと第１の電鋳層１１０の一平面１１０
ｂがなす角度θは９０度未満で構成されている。

【００２２】図３は本発明の一実施形態による積層構造
体の製造方法を示した図である。本発明の積層構造体１
０は以下の製造方法によって製造することが可能であ
る。まず図３（ａ）に示すように、導電性基板３０上
に、非導電性で且つ感光可溶性（感光された部分が現像
時に溶解し除去される性質）であるポジレジスト４０を
所望の形状にパターン化した。本実施形態ではポジレジ
スト４０をＬＳＩ分野で広く用いられているフロント露
光法によるフォトリソグラフィー法によってパターン化
し、直径５０μｍの円パターンと直径１２μｍの円パタ
ーンを形成した。またその厚みは１２μｍとした。フロ
ント露光法とは図４に示すような、露光マスク３００を
介して感光性材料を直接露光する方法である。感光可溶
性材料からなるポジレジスト４０をフロント露光法で露
光し、その後現像すると、図３（ａ）に示すようにポジ
レジスト４０の側壁面４０ａは底面４０ｂに対して９０
度以下の角度で形成される。本実施形態でその角度は８
６度であった。なお本実施形態では、導電性基板３０と
して銅板（Ｃｕ板）を、ポジレジスト４０にクラリアン
トジャパン（株）社製ＡＺ−Ｐ４９０３（商品名）を使
用した。

【００２３】次に図３（ｂ）に示すように導電性基板３
０に電流を流しながらニッケル（Ｎｉ）電鋳を行うこと
によって、Ｎｉからなる第１の電鋳層１１０を形成し
た。なおこの時、第１の電鋳層１１０は非導電性である
ポジレジスト４０上には形成されない。本実施形態では
１０μｍの厚みで第１の電鋳層１１０を形成させた。

【００２４】その後、ポジレジスト４０をアセトンで溶
解除去させることによって、第１の電鋳層１１０の一平
面１１０ｂに、導電性基板３０に突き当たるまで貫通し
た２種類の貫通穴２１０（図中点線領域）を開口させた
（図３（ｃ））。貫通穴２１０は図３（ａ）に示すポジ
レジスト４０の形状を転写した穴形状をしている。その
ため、貫通穴２１０の内壁面１１０ａは第１の電鋳層１
１０の一平面１１０ｂに対して８６度の角度をなしてい
た。

【００２５】さらに、２種類の貫通穴２１０のうち小さ
い方の穴（直径約１２μｍの穴）に位置合わせをしなが
ら、直径２０μｍのポジレジスト４１をパターン化した
（図３（ｄ））。本工程においても、ポジレジスト４１
にクラリアントジャパン（株）社製ＡＺ−Ｐ４９０３
（商品名）を使用し、フロント露光法で露光しパターン
化した。

【００２６】さらにその後、今度は導電性基板３０と第
１の電鋳層１１０の両方に電流を流しながらＮｉ電鋳を
行い、図３（ｅ）に示すように第２の電鋳層１２０を、
第１の電鋳層１１０上および第１の電鋳層１１０に構成
される貫通穴２１０内部の導電性基板３０上に同時に１
０μｍの厚みで形成した。電鋳法は電気メッキ法の一種
であり、メッキ液中のメッキ材料を電気的に析出させる
ものである。そのため電流が流れる面で且つメッキ液に
触れる面であれば全ての面で第２の電鋳層１２０が形成
される。よって、微小な貫通穴２１０内の内壁面１１０
ａにも同様に第２の電鋳層１２０を形成することができ
る。

【００２７】最後に、導電性基板３０とポジレジスト４
０を除去して、総厚２０μｍで小径が約１２μｍ、大径
が約２０μｍの段付き貫通穴２２０を備えた積層構造体
１０を完成させた（図３（ｆ））。この積層構造体１１
は下層が第１の電鋳層１１０で上層が第２の電鋳層１２
０という構造になっているが、第２の電鋳層１２０は第
１の電鋳層１１０に空けられた直径５０μｍの貫通穴２
１０内に食い込むようにして形成されている。特に本実
施形態では、貫通穴２１０の内壁面１１０ａが第１の電
鋳層１１０の一平面１１０ｂに対して鋭角すなわち９０
度未満（正確には８６度）で形成されている。そのため
第２の電鋳層１２０を、第１の電鋳層１１０の一平面１
１０ｂに対して垂直方向（図３（ｆ）における上方向）
に剥離させようとしても容易に剥離させることはできな
かった。以上のようにして第１の電鋳層１１０と第２の
電鋳層１２０が強固に接合された積層構造体１１を製造
することができた。

【００２８】なお、図３（ａ）におけるポジレジスト４
０のパターン化工程において、そのパターン化条件によ
っては、ポジレジスト４０の側壁面４０ａと底面４０ｂ
のなす角度を９０度にすることも可能である。その場
合、製造される積層構造体１０の第１の電鋳層１１０に
形成される穴の内壁面１１０ａと一平面１１０ｂがなす
角度θも９０度になる。本発明では、第１の電鋳層１１
０と第２の電鋳層１２０の接合強度を強くするために
は、穴の内壁面１１０ａと一平面１１０ｂがなす角度θ
を９０度未満にすることが望ましいが、９０度以上であ
っても図９に示すような従来の場合よりも強い強度で接
合することができた。

【００２９】また、本実施形態では、第１の電鋳層１１
０、第２の電鋳層１２０ともＮｉ電鋳法により形成し、
どちらもＮｉからなっているが、本発明において必ずし
もＮｉである必要はない。電鋳できる材料であればいか
なる材料を使用してもかまわない。また、第１の電鋳層
１１０と第２の電鋳層１２０がそれぞれ別の材料からな
っていても問題はない。

【００３０】（第２の実施形態）図２は本発明の他の実
施形態による積層構造体の断面図である。図２に示すよ
うに、本発明の一実施形態による積層構造体２０は、第
１の電鋳層１１１と第２の電鋳層１２１の積層構造から
なっており、それら２つの層を貫く段付き貫通穴２２１
が空けられた形状をしている。なお、第１の電鋳層１１
１と第２の電鋳層１２１の間には不透明導電性膜６１が
形成されている。また第１の電鋳層１１１には段付き貫
通穴２２１とは別の第２の電鋳層１２１によって埋めら
れた穴があけられているが、その穴の内壁面１１１ａと
第１の電鋳層１１１の一平面１１１ｂがなす角度θは９
０度未満で構成されている。

【００３１】図７は本発明の他の実施形態による積層構
造体の製造方法の前半工程を示した図である。図８は本
発明の他の実施形態による積層構造体の製造方法の後半
工程を示した図である。本実施形態によれば、まず図７
（ａ）に示すように、透明性基板３１上に不透明導電性
膜６０を所望の形状にパターン化した。さらに透明性基
板３１の不透明導電性膜６０が覆われていない部分に
は、非導電性で且つ感光不溶性（感光された部分が固化
し現像時に残る性質）であるネガレジスト５０を所望の
形状にパターン化した。本実施形態ではネガレジスト５
０をバック露光法によるフォトリソグラフィー法によっ
てパターン化した。その結果、直径５０μｍの円パター
ンと直径１２μｍの円パターンを形成することができ
た。またその厚みは１２μｍであった。

【００３２】バック露光法について簡単に説明する。図
４はネガレジストのフロント露光によるパターン化とバ
ック露光によるパターン化の相違を示した図である。初
めに所望の形状でパターン化された不透明導電性膜６５
（一般的な使用の場合必ずしも導電性である必要はない
が本発明の実施においては導電性が必要である。）が形
成された透明性基板３１の一方の面上にネガレジスト５
５を塗被する。

【００３３】フロント露光法の場合、この透明性基板３
１の一方の面上に塗被されたネガレジスト５５を露光用
マスク３００を介して露光する。露光用マスク３００に
は光を透過する透明パターンと光を遮断する不透明パタ
ーンが施されており、この露光用マスク３００を介して
露光することによって、所定の部分だけを任意に露光す
ることができる。

【００３４】以上のようなフロント露光法によって所定
の部分が露光されたネガレジスト５５を現像すると、図
４（ａ）に示すような断面形状でパターン化される。こ
の時パターン化されたネガレジスト５６の側壁面は透明
性基板３１の平面に対して９０度以上の角度で形成され
ることになる。これはフロント露光法の露光方向に起因
している。フロント露光法で露光する場合、ネガレジス
ト５５は表面付近（図４ではレジスト５５の上表面）の
方が透明性基板３１付近よりも強く露光される。ネガレ
ジスト５５は強い光で感光されるほど強力に固化され現
像されにくくなるため、図４（ａ）のような形状（逆台
形）に現像されることになるのである。

【００３５】一方、バック露光法では、透明性基板３１
のネガレジスト５５が塗被されていない他方の面側から
露光する。この時、透明性基板３１とネガレジスト５５
の間に配置される不透明導電性膜６５が露光用マスク３
００の役目をし、所定の部分だけを任意に露光すること
ができる。

【００３６】バック露光法によって所定の部分が露光さ
れたネガレジスト５５を現像すると、図４（ｂ）に示す
ような断面形状でパターン化される。この時パターン化
されたネガレジスト５７の側壁面は透明性基板３１の平
面に対して９０度以下の角度で形成されることになる。
バック露光法の場合、フロント露光法とは逆に、ネガレ
ジスト５５は透明性基板３１付近の方が表面付近よりも
強く露光される。そのため図４（ｂ）のような形状（台
形）に現像されることになるのである。

【００３７】以上のような理由からバック露光法で露光
する本第２の実施形態では、ネガレジスト５０の側壁面
５０ａはその底面５０ｂに対して９０度以下の角度で形
成される。その角度は８６度であった。

【００３８】なお本実施形態では、透明性基板３１とし
て硼珪酸ガラスを、不透明導電性膜６０として厚さ０．
２μｍの銅（Ｃｕ）膜を、ネガレジスト５０としてＪＳ
Ｒ（株）社製ＴＨＢ−１３０Ｎ（商品名）をそれぞれ使
用した。なおＣｕからなる不透明導電性膜６０は真空成
膜法の一種であるスパッタリング法によって成膜し、パ
ターン化にはフォトリソグラフィー法を利用した。

【００３９】次に、図７（ｂ）に示すように不透明導電
性膜６０に電流を流しながらニッケル（Ｎｉ）電鋳を行
うことによって、Ｎｉからなる第１の電鋳層１１１を形
成した。なおこの時、第１の電鋳層１１１は非導電性で
あるネガレジスト５０上には形成されない。本実施形態
では１０μｍの厚みで第１の電鋳層１１１を形成させ
た。

【００４０】その後、ネガレジスト５０を１０％の水酸
化カリウム（ＫＯＨ）水溶液で溶解除去させることによ
って、第１の電鋳層１１１の一平面１１１ｂに、透明性
基板３１に突き当たるまで貫通した２種類の貫通穴２１
１（図中点線領域）を開口させた（図７（ｃ））。貫通
穴２１１は図７（ａ）に示すネガレジスト５０の形状を
転写した穴形状をしている。そのため、貫通穴２１１の
内壁面１１１ａは第１の電鋳層１１１の一平面１１１ｂ
に対して８６度の角度をなしていた。

【００４１】次に、透明性基板３１の第１の電鋳層１１
１が形成されている一方の面全面にＣｕからなる不透明
導電性膜６１を０．１μｍの厚さで成膜した（図７
（ｄ））。成膜方法にはスパッタリング法を使用した。
この時、貫通穴２１１はその深さ（＝１０μｍ）、より
も開口部寸法（＝直径約１２μｍおよび直径約５０μ
ｍ）の方が大きいため、穴内部にも十分な厚みで不透明
導電性膜６１を成膜することができた。

【００４２】さらに、２種類の貫通穴２１１のうち小さ
い方の穴（直径約１２μｍの穴）に位置合わせをしなが
ら、直径２０μｍのネガレジスト５１をパターン化した
（図８（ａ））。本工程において、ネガレジスト５１に
ＪＳＲ（株）社製ＴＨＢ−１３０Ｎ（商品名）を使用
し、フロント露光法で露光しパターン化した。

【００４３】さらにその後、不透明導電性膜６１に電流
を流しながらＮｉ電鋳を行い、図８（ｂ）に示すように
第２の電鋳層１２１を不透明導電性膜６１上に１０μｍ
の厚みで形成した。この時、微小な貫通穴２１１内の内
壁面１１１ａにも同様に第２の電鋳層１２１を形成する
ことができる。

【００４４】最後に、透明性基板３１と不透明導電性膜
６０およびネガレジスト５１を除去して、総厚２０μｍ
（不透明導電性膜６１は極薄膜であるので省略する。）
で小径が約１２μｍ、大径が約２０μｍの段付き貫通穴
２２１を備えた積層構造体２０を完成させた（図８
（ｃ））。この積層構造体２０は下層が第１の電鋳層１
１１、中層が不透明導電性膜６１、上層が第２の電鋳層
１２１という三層構造になっているが、第２の電鋳層１
２１は第１の電鋳層１１１に空けられた直径５０μｍの
貫通穴２１１内に食い込むようにして形成されている。
特に本実施形態では、貫通穴２１０の内壁面１１１ａが
第１の電鋳層１１１の一平面１１１ｂに対して鋭角すな
わち９０度未満（正確には８６度）で形成されている。
そのため各々の層を強固に接合することができた。

【００４５】（第３の実施形態）図５は本発明のさらに
別の実施形態による積層構造体の製造方法を示した図で
ある。まず図５（ａ）に示すように銅板からなる導電性
基板３０上に感光可溶性材料からなるポジレジスト４２
を直径２００μｍの円パターンで形成した。その厚みは
１２μｍであった。本実施形態ではポジレジスト４２に
クラリアントジャパン（株）社製ＡＺ−Ｐ４９０３（商
品名）を使用し、フロント露光法によって露光しパター
ン化した。

【００４６】次に、導電性基板３０上にＮｉ電鋳法によ
って、Ｎｉからなる第１の電鋳層１１２を１０μｍの厚
さで形成した（図５（ｂ））。

【００４７】さらに、ポジレジスト４２をアセトンで除
去した後、前記ポジレジスト４２が取り除かれた導電性
基板３０上に、ポジレジスト４２よりも小さなパターン
でポジレジスト４３を形成した（図５（ｃ））。ポジレ
ジスト４３にはＪＳＲ（株）社製ＴＨＢ−６１１Ｐ（商
品名）を使用し、フロント露光法によって、直径３０μ
ｍ、高さ２０μｍの円パターンを形成した。

【００４８】その後、今度は導電性基板３０と第１の電
鋳層１１２の両方に電流を流しながらＮｉ電鋳を行い、
図５（ｄ）に示すように第２の電鋳層１２２を、第１の
電鋳層１１２上および導電性基板３０上に１０μｍの厚
みで形成した。

【００４９】最後に、導電性基板３０とポジレジスト４
３を除去して、総厚２０μｍで直径約３０μｍの貫通穴
２２２を備えた積層構造体１２を完成させた（図５
（ｅ））。この積層構造体１２においても、第１の電鋳
層１１２に第２の電鋳層１２２が食い込んだ構造を形成
することができ、各々を強固に接合することができた。

【００５０】（第４の実施形態）図６は本発明のその他
の実施形態による積層構造体の製造方法を示した図であ
る。まず図６（ａ）に示すように銅板からなる導電性基
板３０上に感光可溶性材料からなるポジレジスト４４を
直径５０μｍの円パターンで形成した。その厚みは１２
μｍであった。本実施形態ではポジレジスト４４にはク
ラリアントジャパン（株）社製ＡＺ−Ｐ４９０３（商品
名）を使用し、フロント露光法によって露光しパターン
化した。

【００５１】次に、導電性基板３０上にＮｉ電鋳法によ
って、Ｎｉからなる第１の電鋳層１１３を１０μｍの厚
さで形成した（図６（ｂ））。

【００５２】さらに、ポジレジスト４４をアセトンで除
去した後、第１の電鋳層１１３上の所定の位置にポジレ
ジスト４５を所望の形状で形成した（図６（ｃ））。ポ
ジレジスト４５にはクラリアントジャパン（株）社製Ａ
Ｚ−Ｐ４９０３（商品名）を使用し、フロント露光法に
よって、直径１２μｍ、高さ１２μｍの円パターンを形
成した。

【００５３】その後、導電性基板３０と第１の電鋳層１
１３の両方に電流を流しながらＮｉ電鋳を行い、図６
（ｄ）に示すように第２の電鋳層１２３を、第１の電鋳
層１１３上および導電性基板３０上に１０μｍの厚みで
形成した。

【００５４】最後に、導電性基板３０とポジレジスト４
５を除去して、直径が約１２μｍで深さが１０μｍの窪
み２３０を備えた総厚２０μｍの積層構造体１３を完成
させた（図６（ｅ））。この積層構造体１３において
も、第１の電鋳層１１３に第２の電鋳層１２３が食い込
んだ構造を形成することができ、各々を強固に接合する
ことができた。

【００５５】

【発明の効果】本発明によれば、電鋳で形成された複数
の電鋳層が強固に接合された積層構造体を達成すること
ができた。その結果、積層構造体自体の剛性を高めるこ
とができた。さらに本発明によれば、第１の電鋳層に空
けられた穴の内壁を、第２の電鋳層が積層して形成され
る側の一平面に対して９０度未満の角度で形成すること
によって、より強固に第１の電鋳層と第２の電鋳層を接
合することができた。上述の穴の内壁と第１の電鋳層の
一平面の角度を９０度未満にする形状は、感光可溶性材
料をフロント露光法で露光してパターン化する工程もし
くは、感光不溶性材料をバック露光法で露光してパター
ン化する工程のどちらかを有した製造方法で達成でき
た。さらに本発明によれば、三次元的に形状が異なる複
雑な形状を容易に形成することが可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態による積層構造体の断面図
である。

【図２】本発明の他の実施形態による積層構造体の断面
図である。

【図３】本発明の一実施形態による積層構造体の製造方
法を示した図である。

【図４】ネガレジストのフロント露光によるパターン化
とバック露光によるパターン化の相違を示した図であ
る。

【図５】本発明のさらに別の実施形態による積層構造体
の製造方法を示した図である。

【図６】本発明のその他の実施形態による積層構造体の
製造方法を示した図である。

【図７】本発明の他の実施形態による積層構造体の製造
方法の前半工程を示した図である。

【図８】本発明の他の実施形態による積層構造体の製造
方法の後半工程を示した図である。

【図９】従来の積層構造体の製造方法を示した図であ
る。

【符号の説明】

１０、１２、１３、１５、２０ 積層構造体 ３０ 導電性基板 ３１ 透明性基板 ４０、４１、４２、４３、４４、４５、４６、４７ ポ
ジレジスト ４０ａ 側壁面 ４０ｂ 底面 ５０、５１、５５、５６、５７ ネガレジスト ５０ａ 側壁面 ５０ｂ 底面 ６０、６１、６５ 不透明導電性膜 １１０、１１１、１１２、１１３、１１５ 第１の電鋳
層 １１０ａ、１１１ａ 内壁面 １１０ｂ、１１１ｂ 一平面 １２０、１２１、１２２、１２３、１２５ 第２の電鋳
層 ２１０、２１１ 貫通穴 ２２０、２２１、２２５ 段付き貫通穴 ２２２ 貫通穴 ２３０ 窪み

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電鋳で形成された複数の電鋳層からなる
   積層構造体であって、 第１の電鋳層の一平面に第２の電鋳層が積層して形成さ
   れ、かつ前記第１の電鋳層の一平面に設けられた穴の内
   壁上にも前記第２の電鋳層が形成されている積層構造
   体。
2. 【請求項２】 前記第１の電鋳層の穴の内壁が前記第２
   の電鋳層が形成されている前記第１の電鋳層の一平面に
   対して９０度未満の角度をなしていることを特徴とする
   請求項１に記載の積層構造体。
3. 【請求項３】 電鋳で形成された複数の電鋳層からなる
   積層構造体の製造方法であって、 導電性を有する基板上に第１の非導電性材料層をパター
   ン化して形成する工程と、 前記基板上に電鋳法によって第１の電鋳層を形成する工
   程と、 前記第１の非導電性材料層を除去し、前記第１の電鋳層
   の一平面に穴を開口させる工程と、 前記基板の所望の位置に第２の非導電性材料層をパター
   ン化して形成する工程と、 前記第１の電鋳層の一平面上および前記穴の内壁上に電
   鋳法によって第２の電鋳層を形成する工程と、 前記第２の非導電性材料層と前記基板とを除去する工程
   とを有する積層構造体の製造方法。
4. 【請求項４】 前記パターン化された第１の非導電性材
   料層は、その底面に対して側壁面が９０度未満の角度な
   していることを特徴とする請求項３に記載の積層構造体
   の製造方法。
5. 【請求項５】 前記第１の非導電性材料層が感光可溶性
   材料であり、かつフロント露光法によって露光した後、
   現像してパターン化されていることを特徴とする請求項
   ３に記載の積層構造体の製造方法。
6. 【請求項６】 前記第１の非導電性材料層が感光不溶性
   材料であり、かつバック露光法によって露光した後、現
   像してパターン化されていることを特徴とする請求項３
   に記載の積層構造体の製造方法。