JP2002217235A - 硬化性フラックス、半田接合部、半導体パッケージ及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半田接合後の残存フラックスの洗浄除去が必
要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、接
合強度と信頼性の高い半田接合を可能とする、硬化性フ
ラックスを提供する。 【解決手段】 少なくとも１つ以上のフェノール性水酸
基を有する樹脂（Ａ）と、その硬化剤として作用する樹
脂（Ｂ）と、１００℃以上の沸点を有する溶剤（Ｃ）を
必須成分として配合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
をプリント配線板に搭載する際の半田接続に関し、さら
には、半導体チップを半導体搭載用基板に、フリップチ
ップ半田接続により搭載する際の硬化性フラックスに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器の高機能化、並びに軽薄
短小化の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、さらに
は高密度実装化が進んできており、これらの電子機器に
使用される半導体パッケージは、従来にも増して、益
々、小型化、且つ多ピン化が進んできている。

【０００３】半導体パッケージは、その小型化に伴っ
て、従来のようなリードフレームを使用した形態のパッ
ケージでは、小型化に限界がきているため、最近では、
回路基板上にチップを実装したものとして、ＢＧＡ（Ｂ
ａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）や、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ
Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）と言った、エリア実装
型の新しいパッケージ方式が提案されている。これらの
半導体パッケージにおいて、半導体チップの電極と、従
来型半導体パッケージのリードフレームの機能とを有す
る、半導体搭載用基板と呼ばれるプラスチックやセラミ
ックス等各種絶縁材料と、導体配線で構成される基板の
端子との電気的接続方法として、ワイヤーボンディング
方式やＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎ
ｄｉｎｇ）方式、さらにはＦＣ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ）
方式などが知られているが、最近では、半導体パッケー
ジの小型化に有利な、ＦＣ接続方式を用いたＢＧＡやＣ
ＳＰの構造が盛んに提案されている。

【０００４】ＢＧＡやＣＳＰのプリント配線板への実装
には、半田ボールで形成されたバンプによる、半田接合
が採用されている。この半田接合には、フラックスが用
いられ、ソルダーペーストが併用されることもある。特
に、半田ボールが使用される理由は、半田供給量を制御
し易く、多量の半田を供給できるので、バンプが高くで
きるためである。また、ＢＧＡやＣＳＰの作製工程にお
ける、半導体チップの電極と半導体搭載用基板の端子と
の電気的接続方法にも、半田接合が使われる場合が多
い。

【０００５】一般に、半田接合のためには、半田表面と
対する電極の、金属表面の酸化物などの汚れを除去する
と共に、半田接合時の金属表面の再酸化を防止して、半
田の表面張力を低下させ、金属表面に溶融半田が濡れ易
くする、半田付け用フラックスが使用される。このフラ
ックスとしては、ロジンなどの熱可塑性樹脂系フラック
スに、酸化膜を除去する活性剤等を加えたフラックスが
用いられている。

【０００６】しかしながら、接合後にこのフラックスが
残存していると、高温、多湿時に熱可塑性樹脂が溶融
し、活性剤中の活性イオンも遊離するなど、電気絶縁性
の低下やプリント配線の腐食などの問題が生じる。その
ため、現在は、半田接合後の残存フラックスを洗浄除去
し、上記のような問題を解決しているが、洗浄剤の環境
問題や、洗浄工程によるコストアップなどの欠点があ
る。

【０００７】また、半導体パッケージの小型化、且つ多
ピン化は、バンプの微細化を促し、接合強度や信頼性の
低下が懸念されている。そこで、バンプ接続部分の信頼
性を得るため、チップと基板との間隙に、アンダーフィ
ルと呼ばれる絶縁樹脂を充填して、バンプ接続部分を封
止、補強する検討も盛んである。しかし、これには、技
術的難易度の高いアンダーフィルを充填し、硬化させる
工程が必要となるため、製造工程が複雑で製造コストが
高くなる。

【０００８】これらの問題に対し、半田接合後の残存フ
ラックスの洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも
電気絶縁性を保持し、接合強度と信頼性の高い半田接合
を可能とする、硬化性フラックスが提案されている。し
かしながら、この硬化性フラックスは、常温放置時の粘
度変化が大きいため、フラックスの塗布工程における塗
膜安定性に欠け、作業性が低下したり、塗布量にバラツ
キが生じ、半田接合が不完全であったり、などの問題が
ある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、硬化性フラ
ックス使用時における、このような問題点に鑑み、常温
放置時の粘度変化を低減させ、塗膜安定性、半田接合性
に優れ、樹脂補強機能を有する硬化性フラックス、これ
を用いた半田接合部、半導体パッケージ及び半導体装置
を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、半田接
合時に、半田接合のフラックスとして作用し、同時に半
田接合部周辺にメニスカスを形成して、更に加熱硬化し
て、該半田接合部を樹脂補強材として作用する硬化性フ
ラックスであって、少なくとも１つ以上のフェノール性
水酸基を有する樹脂（Ａ）と、その硬化剤として作用す
る化合物（Ｂ）、及び１００℃以上の沸点を有する溶剤
（Ｃ）を必須成分としてなることを特徴とする硬化性フ
ラックスである。

【００１１】又、本発明は、前記硬化性フラックスが、
半田接合のフラックスとして作用し、半田接合後、更に
加熱されて硬化したフラックス樹脂により、補強されて
なることを特徴とする半田接合部である。

【００１２】更に、本発明は、プリント配線板と、機械
的、電気的に接続するための半田ボールが搭載された半
導体パッケージであって、該半田ボールが、前記硬化性
フラックスにより、半田接合され、半田接合後、更に加
熱されて硬化したフラックス樹脂により補強されている
ことを特徴とする半導体パッケージであり、また、前記
硬化性フラックスが、半導体パッケージの半田ボールが
搭載されるプリント配線板の回路パターン上に塗布さ
れ、半田ボール接合時にフラックスとして作用し、半田
ボール接合後、更に加熱されて硬化したフラックス樹脂
により、補強されてなることを特徴とする半導体装置で
ある。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明に用いる、少なくとも１つ
以上のフェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）として
は、フェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノ
ボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノール樹
脂、レゾルシノールノボラック樹脂、カテコールノボラ
ック樹脂、ハイドロキノンノボラック樹脂等が挙げら
れ、これらの少なくとも１種が用いられる。

【００１４】また、これらの内、重量平均分子量２００
００以下のものが好ましい。これより、分子量が大きす
ぎると、半田接合時における硬化性フラックスの流動性
が低下し、半田接合を阻害する恐れがある。但し、その
他の配合剤の使用により、半田接合時における溶融粘度
を調整し適切な流動性が得られればよい。この時、溶融
粘度としては、５０Ｐａ・ｓ以下に制御できれば何ら問
題はない。この目的のために、液状の硬化剤を配合した
り、溶剤を残存させても良い。

【００１５】本発明の硬化性フラックスにおいて、少な
くとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂
（Ａ）の、フェノール性水酸基は、その還元作用によ
り、半田及び金属表面の酸化物などの汚れを除去し、半
田接合のフラックスとして作用する。このフェノール性
水酸基としては、何ら制約するところはないが、少なく
とも１つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）
としては、半田接合のフラックスとしての作用を高める
ため、電子供与基を有するものが好ましい。

【００１６】本発明の硬化性フラックスにおいて、フェ
ノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）の配合量は、硬化性
フラックス全体の２０〜８０重量％が好ましい。２０重
量％未満であると、半田及び金属表面の酸化物などの汚
れを除去する作用が低下し、半田接合できなくなってし
まう場合がある。また、８０重量％より多いと、十分な
硬化物が得られず、接合強度と信頼性が低下する恐れが
ある。

【００１７】本発明に用いるフェノール性水酸基を有す
る樹脂（Ａ）の、硬化剤として作用する化合物（Ｂ）と
しては、エポキシ化合物やイソシアネート化合物などが
用いられる。具体的には、いずれも、ビスフェノール
系、フェノールノボラック系、アルキルフェノールノボ
ラック系、ビフェノール系、ナフトール系、レゾルシノ
ール系などのフェノールベースの化合物や、脂肪族、環
状脂肪族、不飽和脂肪族などの骨格をベースとして変性
された、エポキシ化合物やイソシアネート化合物が挙げ
られる。これらは単独で使用しても２種以上を併用して
も良い。

【００１８】本発明の硬化性フラックスにおいて、硬化
剤として作用する化合物（Ｂ）の配合量は、エポキシ基
当量またはイソシアネート基当量が、少なくとも１つ以
上のフェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）のヒドロキ
シル基当量に対し０．５倍以上、１．５倍以下が好まし
い。０．５倍未満であると、十分な硬化物が得られず、
補強効果が小さくなり接合強度と信頼性が低下する恐れ
がある。また、１．５倍より多いと、半田および金属表
面の酸化物などの汚れを除去する作用が低下し、半田接
合できなくなってしまう恐れがある。

【００１９】本発明の硬化性フラックスにおいて、硬化
剤として作用する化合物（Ｂ）により、良好なフラック
ス硬化物を得ることができるため、半田接合後のフラッ
クス洗浄除去が必要なく、高温、多湿雰囲気でも電気絶
縁性を保持し、接合強度と信頼性の高い半田接合を可能
とする。

【００２０】本発明に用いる１００℃以上の沸点を有す
る溶剤（Ｃ）としては、少なくとも１つ以上のフェノー
ル性水酸基を有する樹脂（Ａ）やその硬化剤として作用
する化合物（Ｂ）に対する溶解力が、比較的大きいもの
であれば、何ら制約するところはない。具体的には、一
般に用いられるアルコール類、エーテル、アセタール
類、ケトン類、エステル類、アルコールエステル類、ケ
トンアルコール類、エーテルアルコール類、ケトンエー
テル類、ケトンエステル類やエステルエーテル類など、
場合によっては、フェノール類や非プロトン窒素化合物
などの溶剤が挙げられる。特に具体的には、乳酸エチ
ル、シクロヘキサノン、フルフリルアルコール、２−
（２−エトキシエトキシ）エタノール、アセト酢酸エチ
ル、安息香酸メチル、ｎ−メチルピロリドン、γ−ブチ
ルラクトン、安息香酸ブチル、ジアセチン、フタル酸ジ
メチル等の溶剤が挙げられる。

【００２１】溶剤（Ｃ）において、沸点が１００℃より
低い場合は、常温放置時の粘度変化が大きいため、フラ
ックスの塗布工程における塗膜安定性に欠け、作業性が
低下したり、塗布量にバラツキが生じ、半田接合が不完
全になったりする。より好ましい沸点は、２００℃以上
であり、更に好ましくは、２４０℃以上である。溶剤の
沸点が、２４０℃以上であれば、１００μｍ厚の製膜状
態でも、１２時間粘度変化しない。但し、沸点が高すぎ
て、半田接合時に溶剤の残存量が多すぎると、逆に半田
接合を阻害したり、半田接合後の信頼性低下にもつなが
る。また、半田組成によって異なるリフロー条件にも左
右されるが、共晶半田を用いた時の２４０℃ピーク温度
のリフロー条件においては、溶剤（Ｃ）の沸点は、３０
０℃以下が好ましい。より好ましくは、２７０℃以下で
ある。また、残存溶剤量の観点から溶剤の蒸気圧につい
ては、低い方が好ましい。

【００２２】本発明の硬化性フラックスにおいて溶剤
（Ｃ）は、硬化性フラックス塗布工程における作業性を
向上させる目的で添加され、硬化性フラックスの塗膜安
定性、塗布量の制御や、安定した半田接合性を実現する
ためのものである。

【００２３】本発明の硬化性フラックスにおいて、溶剤
（Ｃ）の添加量については、良好な塗膜安定性と塗布量
の制御、また安定した半田接合が実現できれば何ら制約
するところは無いが、３重量％以上、５０重量％以下が
好ましい。３重量％未満であると、残存溶剤量の微小変
化が大きな粘度変化を引き起こす恐れがある。また、５
０重量％を超えると、粘度が低下しすぎて塗膜形成が困
難になったり、十分な塗布量が確保できなくなる場合が
ある。

【００２４】また、本発明の硬化性フラックスには、前
記成分の他に硬化を促進するため、公知の硬化触媒、具
体的には、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミ
ダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、ビ
ス（２−エチル−４−メチル−イミダゾール）、２−フ
ェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾー
ル、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダ
ゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウ
ンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチル
イミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダ
ゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイ
ミダゾール、１−アミノエチル−２−メチルイミダゾー
ル、１−（シアノエチルアミノエチル）−２−メチルイ
ミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニル−４，５
−ビス（シアノエトキシメチルイミダゾール）あるいは
トリアジン付加型イミダゾール等が挙げられる。これら
をエポキシアダクト化したものやマイクロカプセル化し
たものも使用できる。これらは単独で使用しても２種以
上を併用しても良い。

【００２５】更には、密着性や耐湿性を向上させるため
のシランカップリング剤、ボイドを防止するための消泡
剤、あるいは液状又は粉末の難燃剤等を添加することも
できる。

【００２６】本発明の硬化性フラックスは、前記成分を
混合して、硬化性フラックスのワニスとして、得ること
ができる。

【００２７】本発明の硬化性フラックスは、前記のよう
な配合とすることにより、溶融粘度、酸化物除去性と硬
化性のバランスが採れ、半田接合時に、半田接合のフラ
ックスとして作用し、同時に半田接合部周辺にメニスカ
スを形成して、更に加熱硬化して、該半田接合部をリン
グ状に補強する形で硬化するため、従来のフラックスに
よる半田接合と比較して、接合強度と信頼性を大幅に向
上させることができる。

【００２８】本発明の半導体パッケージは、プリント配
線板と機械的、電気的に接続するための半田ボールが搭
載される半導体パッケージにおいて、該半田ボールの半
田接合時に本発明の硬化性フラックスが半田フラックス
として作用し、半田接合後、更に加熱されて硬化したフ
ラックス樹脂により補強されてなる。

【００２９】本発明の硬化性フラックスをソルダーレジ
ストが形成された半導体パッケージに用いる場合は、機
械的、電気的に接続するための半田ボールが搭載される
ランド部分に、予め所定量の硬化性フラックスを塗布
し、半田ボールをランド部の硬化性フラックス上に搭載
する方法や、半田ボールに所定量の硬化性フラックス転
写し、硬化性フラックスが転写した半田ボールをランド
部に搭載する方法などがある。

【００３０】また、半導体パッケージの半田ボールが搭
載される面の回路パターン上全面に、スクリーン印刷や
スピンコートなどの方法により硬化性フラックスを塗布
し、乾燥させた後、該回路パターンの半田ボール搭載用
のランド上に半田ボールを載せても良い。その後、半田
リフローによって半田ボールをランド部に半田接合させ
ると同時に、半田接合部周辺にメニスカスを形成させた
後、さらに加熱により硬化性フラックスを硬化して、該
半田接合部に樹脂補強を施すことができる。

【００３１】更に、硬化性フラックスが、半導体パッケ
ージの半田ボールが搭載されるプリント配線板の回路パ
ターン上に塗布され、半田ボール接合時にフラックスと
して作用し、半田ボール接合後、更に加熱されて硬化し
たフラックスにより、樹脂補強されてなる半導体装置を
得ることができる。

【００３２】

【実施例】以下、実施例により、更に具体的に説明する
が、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。

【００３３】実施例１ フェノールノボラック樹脂（住友デュレズ(株)製，商品
名ＰＲ−５１４７０，ＯＨ基当量１０５）１０５ｇと、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ
製，商品名エピコート−８２８，エポキシ基当量１９
０）１９０ｇを、乳酸エチル（試薬、沸点１５４℃）５
０ｇに溶解し、硬化性フラックスワニスを作製した。

【００３４】銅板（古河電気工業(株)製、商品名ＥＦＴ
ＥＣ６４Ｔ）上に、上記で得られた硬化性フラックスワ
ニスを、それぞれ１００μｍ塗布し、硬化性フラックス
膜を形成した。この硬化性フラックス膜を、大気中に放
置し、２時間後の粘度変化を測定（Ｅ型粘度計、コーン
径１．３４ｃｍ、コーン角度３度、回転数１０ｒｐｍ）
した。初期粘度が１００〜２００poiseに調整されたワ
ニスの粘度変化が１００poise以下のものを○、５００p
oise以下のものを△、５００poiseより大きいものを×
とした。

【００３５】銅板（古河電気工業(株)製、商品名ＥＦＴ
ＥＣ６４Ｔ）上に、上記で得られた硬化性フラックスワ
ニスを、それぞれ１００μｍ塗布し、硬化性フラックス
膜を形成した。このフラックス膜にスジ、ムラ、凝集の
発生の有無を目視で確認して塗膜安定性の試験を行っ
た。スジ、ムラ、凝集が全くないものを○、１ヶ所でも
発生するものを×とした。

【００３６】厚さ１２５μｍの銅板（古河電気工業(株)
製、商品名ＥＦＴＥＣ６４Ｔ）を用いて、ランド径３０
０μｍ、ランドピッチ０．８ｍｍを含む評価用回路を形
成し、そのリードフレームを半導体封止材（住友ベーク
ライト(株)製、商品名ＥＭＥ−７３７２）で、モールド
封止した後、片面から研磨して、前記の評価用回路を露
出させ、２０ｍｍ角の評価用パッケージを作製した。研
磨の仕上げには、ＪＩＳ−Ｒ６２５２に規定された、耐
水研磨紙１０００番を使用した。これをイソプロピルア
ルコールで洗浄した後、８０℃で３０分乾燥して、半田
接合評価用パッケージとした。

【００３７】半田接合評価用パッケージの半田ボール搭
載面上に、上記で得られた硬化性フラックスワニスを、
それぞれ５０μｍ厚で塗布し、硬化性フラックス膜を形
成した。前記塗膜を形成した評価用パッケージ回路のラ
ンド上に、５００μｍ径の半田ボール（Ｓｎ−Ｐｂ系共
晶半田、千住金属鉱業（株）製）を搭載し、ピーク温度
２４０℃に設定されたリフロー炉を通して、半田ボール
を半田接合評価用パッケージのランドに接合させた。そ
のときの半田接合安定性を導通抵抗ミリオームメータ
（アジレント・テクノロジー社製）により、１０個の評
価用パッケージ（８００個の半田ボール）について半田
接合安定性を評価した。半田ボールと評価用パッケージ
回路との導通抵抗が、全て５ｍΩ以下の場合を○、半田
ボールと評価用パッケージ回路との導通抵抗が５ｍΩよ
り大きいものがあった場合を△、接合不良の半田ボール
があったものを×とした。

【００３８】実施例２ 実施例１において、乳酸エチルに代えて、シクロヘキサ
ノン（試薬、沸点１５６℃）５０ｇを用いた以外は、実
施例１と同様にして、硬化性フラックスワニスを作製
し、評価した。

【００３９】実施例３ 実施例１において、乳酸エチルに代えて、フルフリルア
ルコール（試薬、沸点１７０℃）５０ｇを用いた以外
は、実施例１と同様にして、硬化性フラックスワニスを
作製し、評価した。

【００４０】実施例４ 実施例１において、乳酸エチルに代えて、２−（２−エ
トキシエトキシ）エタノール（試薬、沸点１７１℃）５
０ｇを用いた以外は、実施例１と同様にして、硬化性フ
ラックスワニスを作製し、評価した。

【００４１】実施例５ 実施例１において、乳酸エチルに代えて、アセト酢酸エ
チル（試薬、沸点１８１℃）５０ｇを用いた以外は、実
施例１と同様にして、硬化性フラックスワニスを作製
し、評価した。

【００４２】実施例６ 実施例１において、乳酸エチルに代えて、安息香酸メチ
ル（試薬、沸点２００℃）５０ｇを用いた以外は、実施
例１と同様にして、硬化性フラックスワニスを作製し、
評価した。

【００４３】実施例７ 実施例１において、乳酸エチルに代えて、Ｎ−メチルピ
ロリドン（試薬、沸点２０２℃）５０ｇを用いた以外
は、実施例１と同様にして、硬化性フラックスワニスを
作製し、評価した。

【００４４】実施例８ 実施例１において、乳酸エチルに代えて、γ−ブチルラ
クトン（試薬、沸点２０４℃）５０ｇを用いた以外は、
実施例１と同様にして、硬化性フラックスワニスを作製
し、評価した。

【００４５】実施例９ 実施例１において、乳酸エチルに代えて、安息香酸ブチ
ル（試薬、沸点２５０℃）５０ｇを用いた以外は、実施
例１と同様にして、硬化性フラックスワニスを作製し、
評価した。

【００４６】実施例１０ 実施例１において、乳酸エチルに代えて、ジアセチン
（試薬、沸点２６０℃）５０ｇを用いた以外は、実施例
１と同様にして、硬化性フラックスワニスを作製し、評
価した。

【００４７】実施例１１ 実施例１において、乳酸エチルに代えて、フタル酸ジメ
チル（試薬、沸点２８２℃）５０ｇを用いた以外は、実
施例１と同様にして、硬化性フラックスワニスを作製
し、評価した。

【００４８】比較例１ 実施例１において、乳酸エチルに代えて、メチルエチル
ケトン（試薬、沸点８０℃）５０ｇを用いた以外は、実
施例１と同様にして、硬化性フラックスワニスを作製
し、評価した。

【００４９】比較例２ 実施例１において、乳酸エチルに代えて、フタル酸ジブ
チル（試薬、沸点３３９℃）５０ｇを用いた以外は、実
施例１と同様にして、硬化性フラックスワニスを作製
し、評価した。

【００５０】比較例３ 実施例１において、乳酸エチルに代えて、セバシン酸ジ
ブチル（試薬、沸点３４５℃）５０ｇを用いた以外は、
実施例１と同様にして、硬化性フラックスワニスを作製
し、評価した。

【００５１】上記で得られた評価結果を表１に示す。

【００５２】

【表１】

【００５３】表１に示した評価結果から分かるように、
本発明の硬化性フラックスを用いた場合、他の溶剤を用
いた場合に比べて、常温放置時の粘度変化を低減し、フ
ラックスの塗布工程における塗膜安定性、及び作業性の
向上が可能となり、塗布量にバラツキを抑えることが可
能であることを示している。また、半田接合部の接合安
定性も良好である。

【００５４】

【発明の効果】本発明の硬化性フラックスは、半田接合
後の残存フラックスの洗浄除去を必要とせず、高温、多
湿雰囲気でも電気絶縁性を保持し、また、硬化性フラッ
クスが半田接合部周辺をリング状に補強する形で硬化す
るため、接合強度と信頼性の高い半田接合を可能にする
ので、半導体パッケージのプリント配線板への搭載にお
ける工程を簡素化して、製造コストを抑制し、また、半
田接合の信頼性向上に極めて有用である。さらに、常温
放置時での粘度変化が少なく、作業性向上にきわめて有
効である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２３Ｋ 35/363 Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０３Ｚ Ｈ０５Ｋ 3/34 ５０３ Ｈ０１Ｌ 21/92 ６０３Ｇ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半田接合時に、半田接合のフラックスと
   して作用し、同時に半田接合部周辺にメニスカスを形成
   して、更に加熱硬化して、該半田接合部を樹脂補強材と
   して作用する硬化性フラックスであって、少なくとも１
   つ以上のフェノール性水酸基を有する樹脂（Ａ）と、そ
   の硬化剤として作用する化合物（Ｂ）、及び１００℃以
   上の沸点を有する溶剤（Ｃ）を必須成分としてなること
   を特徴とする硬化性フラックス。
2. 【請求項２】 請求項１記載の硬化性フラックスが、半
   田接合のフラックスとして作用し、半田接合後、更に加
   熱されて硬化したフラックス樹脂により、補強されてな
   ることを特徴とする半田接合部。
3. 【請求項３】 プリント配線板と機械的、電気的に接続
   するための半田ボールが搭載される半導体パッケージに
   おいて、該半田ボールが請求項１記載の硬化性フラック
   スにより半田接合され、半田接合後、更に加熱されて硬
   化したフラックス樹脂により補強されていることを特徴
   とする半導体パッケージ。
4. 【請求項４】 請求項１記載の硬化性フラックスが、半
   導体パッケージの半田ボールが搭載されるプリント配線
   板の回路パターン上に塗布され、半田ボール接合時にフ
   ラックスとして作用し、半田ボール接合後、更に加熱さ
   れて硬化したフラックス樹脂により、補強されてなるこ
   とを特徴とする半導体装置。