JP2002217023A - 電磁石、電磁アクチュエータ、ステージ装置及び露光装置、及びデバイスの製造方法 - Google Patents
電磁石、電磁アクチュエータ、ステージ装置及び露光装置、及びデバイスの製造方法Info
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Abstract
られているものにおいても、磁気抵抗の低下を防止する
ことができる電磁石を提供する。 【解決手段】 E型磁心1は、積層された電磁鋼板より
なり、その中央部の突起部にコイルが巻回されるように
なっている。このE型磁心の両側には、電磁石を取り付
けるための孔2が設けられている。よって、ステンレス
等の非磁性のボルトにより取り付けが行われた場合、こ
の孔2の部分の磁気抵抗が非常に大きくなる。そこで、
孔2の径を実際に必要な径よりも大きくし、そこに、電
磁鋼板よりも高透磁率を有する材料で形成された中空円
筒状部材3を埋め込んである。中空円筒状部材3は透磁
率が高い上に積層構造を有しておらず一体物であるの
で、積層されている磁心部に対して空隙率が小さく、よ
って、磁気抵抗を下げることができる。
Description
からなる磁心を有する電磁石であって、磁路を形成する
部分に孔又は切り欠きが設けられているもの、それを使
用した電磁アクチュエータ、この電磁アクチュエータを
用いたステージ装置、このステージ装置を用いた露光装
置、及びこの露光装置を使用したデバイスの製造方法に
関するものである。
コイルを巻回して形成される(なお、本明細書において
は、ヨークの部分をもまとめて磁心と呼ぶことにす
る)。磁心は、渦電流を防ぐために、積層された薄板で
構成されている。
は、電磁石を別の部材に取り付けるための孔や切り欠き
部が設けられることがある。このような孔や切り欠き部
は、なるべく磁路を妨げない位置に設けられると共に、
磁路を妨げるような場合には、その部分の断面積を大き
くして磁気抵抗を小さくする等の工夫がなされている。
造上の制約がある場合には、磁路を形成する部分にこの
ような孔や切り欠きを設けざるを得ず、しかも断面積を
十分大きくできない場合があり、このような場合には、
その部分で磁気抵抗が大きく増加するために、電磁石の
発生する力が弱まるという問題点があった。
ものであり、磁路を形成する部分に孔又は切り欠きが設
けられているものにおいても、磁気抵抗の増加を防止す
ることができる電磁石を提供することを主たる課題と
し、それを使用した電磁アクチュエータ、この電磁アク
チュエータを用いたステージ装置、このステージ装置を
用いた露光装置、及びこの露光装置を使用したデバイス
の製造方法をも副次的な課題とする。
の第1の手段は、積層された磁性体からなる磁心を有す
る電磁石であって、磁路を形成する部分に孔又は切り欠
きが設けられているものにおいて、当該穴の周囲、又は
切り欠きの周囲に、前記磁心を形成する磁性体より高い
透磁率を有する材料で一体形成された、磁路のバイパス
部を設けたことを特徴とする電磁石(請求項1)であ
る。
面積が狭くなった分が、新たに設けられた磁路のバイパ
ス部で補償される。すなわち、磁路のバイパス部は、磁
心を形成する磁性体より高い透磁率を有し、かつ積層さ
れておらず一体形成されているので、積層方向の空隙率
が磁心の部分に対して小さい。よって、この2つの効果
により、通常の磁心部に対してより小さな磁気抵抗を有
することになり、孔や切り欠きによって増加した磁気抵
抗を補償する。なお、穴とバイパス部の間には、できる
だけ空隙ができないように、隙間を磁鉄粉で埋める等の
工夫をすることが好ましい。
1の手段である電磁石を有することを特徴とする電磁ア
クチュエータ(請求項2)である。
部を構成する電磁石の力の強いものが得られるので、そ
の分電磁石を小さくすることができ、全体として小型の
電磁アクチュエータとすることができる。
前記第2の手段である電磁アクチュエータが、ステージ
部の駆動手段として用いられていることを特徴とするス
テージ装置(請求項3)である。
ータを駆動手段として用いることができるので、小型の
ステージとすることができる。
基板上に所定のパターンを形成する露光装置であって、
前記第3の手段であるステージ装置を備えていることを
特徴とする露光装置(請求項4)である。
することができるので、設計の自由度が増し、全体とし
て安価な露光装置とすることができる。
所定のパターンが形成されるデバイスを製造するに当た
り、前記第4の手段である露光装置を用いて、レチクル
のパターンを基板に転写する工程を有することを特徴と
するデバイスの製造方法(請求項5)である。
てデバイスを製造することができるので、製造されるデ
バイスを安価なものにすることができる。なお、本明細
書においてデバイスとは、ICやLSI等の半導体チッ
プ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマ
シン等、リソグラフィ技術を使用して製造されるものを
いう。
を、図を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態
の例である電磁石のE型磁心を示す図である。E型磁心
1は、積層された電磁鋼板よりなり、その中央部の突起
部にコイルが巻回されるようになっている。このE型磁
心の両側には、電磁石を取り付けるための孔2が設けら
れている。よって、ステンレス等の非磁性のボルトによ
り取り付けが行われた場合、この孔2の部分の磁気抵抗
が非常に大きくなる。
線が通りにくい両端部に設けられると共に、その部分の
E型磁心1の断面積が大きくなるようにされているが、
それでも他の部分に比して磁気抵抗の大きな部分となっ
ている。
の径を実際に必要な径よりも大きくし、そこに、電磁鋼
板よりも高透磁率を有する材料で形成された中空円筒状
部材3を埋め込んである。高透磁率の材料としては、パ
ーマロイ、スーパーマロイ、パーメンジュール等の材料
を使用する。中空円筒状部材3は透磁率が高い上に積層
構造を有しておらず一体物であるので、積層されている
磁心部に対して空隙率が小さく、よって、磁気抵抗を下
げることができる。なお、中空円筒状部材3の埋込時に
は、孔2との間に空隙ができないように、磁鉄粉で埋め
る等の工夫を施している。
れている場合の磁気抵抗増加を補償する方法を示した
が、磁路の一部に切り欠きが設けられている場合におい
ても、その周囲の部分の磁心部を、高透磁率を有する材
料で形成された一体部材に置き換えることにより、同様
の効果をあげることができる。
アクチュエータを示す概要図である。図2〜図5におい
ては、図1を含め前出の図に示された構成要素と同じ構
成要素には同じ符号を付してその説明を省略する場合が
ある。図1に示すようなE型磁心1にコイル4が巻回さ
れた2つのE型電磁石5a、5bが対面して配置され、
その間に、非磁性体からなる板状体6の両側に磁性体か
らなる板状体7a、7bが非磁性体のボルト8により取
り付けられた可動体が配置されている。なお、板状体6
に設けられている穴は、それぞれこれらを他の物体に取
り付けるための取り付け穴である。
れ、絶縁物である接着剤により接着されて構成されてお
り、これにより渦電流を小さくしている。そして、板状
体7a、7bの表面は曲面とされ、これにより、E型電
磁石5a、5bと磁性体からなる板状体7a、7bとの
間に相対的な傾きが生じた場合にも、両者の距離が変化
しないようにされている。
通のベースに取り付けられているとき、これらのコイル
に流す電流を調節することにより、E型電磁石5a、5
bと非磁性体からなる板状体6との相対位置関係を変え
ることができる。よって、図2に示すものは、1次元ア
クチュエータとして使用することができる。
一方のE型電磁石に流す電流を大きくすると、磁性体か
らなる板状体がそちらの電磁石に近づき、それにより益
々吸引力が強まって、結局そちらの電磁石に吸い寄せら
れてしまうという不安定な性質を有する。よって、アク
チュエータとして安定に作動させるためには、E型電磁
石と磁性体からなる板状体のギャップを検出して、フィ
ードバック制御により、ギャップを所定の値に保つよう
にしてやる必要がある。
の位置を検出したり、実際のE型電磁石と磁性体からな
る板状体のギャップをギャップセンサにより検出したり
してもよいが、E型電磁石が発生する磁束を磁気センサ
で検出し、それからギャップを算出するようにしてもよ
い。すなわち、E型電磁石が発生する磁束は、コイルに
流す電流とギャップの関数となるので、コイルに流す電
流とE型電磁石が発生する磁束が分かれば、逆にギャッ
プを計算することができる。磁束の測定には、磁気セン
サをE型コイルに埋め込んだり、E型コイルの先端部に
埋め込んだり、E型コイルの側面に貼り付けたりするよ
うな測定方法が考えられる。
アクチュエータを示す概要図である。断面がI型である
非磁性体からなる板状体6のウェブ部の両側には、磁性
体からなる板状体7a、7bが図2に示した方法と同様
の方法で非磁性体のボルトにより取り付けられている。
また、上下の各フランジ部には、磁性体からなる板状体
7c、7dが同様に非磁性体のボルトにより取り付けら
れている。
取り付けられているとすると、図2の説明で行ったと同
じ方法により、E型電磁石5a、5bに流す電流を調整
することにより、非磁性体からなる板状体6のx軸方向
(図3の横方向)の位置制御を、E型電磁石5c、5d
に流す電流を調整することにより、非磁性体からなる板
状体6のy軸方向(図3の縦方向)の位置制御を行うこ
とができる。よって、図3に示したものは、2次元アク
チュエータとして作用する。
鉛直方向1次元アクチュエータを示す概要図であり、図
4は側面図、図5は平面図である。非磁性体からなる板
状体6の両面(上下面)には、磁性体からなる板状体が
設けられているが、図示されていない。この磁性体から
なる板状体に対面して、E型電磁石5e、5fがそれぞ
れ設けられている。E型電磁石5e、5fのコイルに流
す電流を調整することにより、板状体6の鉛直方向位置
を変化させることができる。なお、図4、図5におい
て、10eはE型電磁石5eのヨーク部、4eはE型電
磁石5eのコイル、各部品における穴や切り欠き部は、
これらに取り付けられる他の部品を取り付けるためのも
のである。
度テーブル駆動装置を示す概要図である。11はベース
であり、この上に全てのアクチュエータと位置センサが
取り付けられている。12はテーブルであり、水平方向
2次元アクチュエータ13の非磁性体からなる板状体1
3aと、水平方向2次元アクチュエータ14の非磁性体
からなる板状体14aとに固定されている。水平方向2
次元アクチュエータ13、14は、図3に示したような
構造のアクチュエータである。
クチュエータ15の非磁性体からなる板状体に取り付け
られた、先端に回転体を有する突起15a、鉛直方向1
次元アクチュエータ16の非磁性体からなる板状体に取
り付けられた、先端に回転体を有する突起16a、鉛直
方向1次元アクチュエータ17の非磁性体からなる板状
体に取り付けられた、先端に回転体を有する突起17a
により支えられている。これらの突起は、それぞれ2個
設けられており、このうちの2個、又は1個がテーブル
に接触している。すなわち、テーブル2は、鉛直方向に
は固定されておらず、各突起により支えられる構造をし
ている。鉛直方向1次元アクチュエータ16、17は、
図4、図5に示されたものと同じ構造をしている。
は、水平方向2次元アクチュエータ13、14により、
テーブル12が水平2次元方向に駆動される。なお、こ
の実施の形態においては、水平方向2次元アクチュエー
タを2個用いているが、1個でもかまわず、駆動方向が
同じである限り、3個以上設けてもかまわない。そし
て、3個の鉛直方向1次元アクチュエータ15、16、
17により、テーブル2の鉛直方向の高さと、傾きを決
定することができる。
位置センサ18、y軸方向の動きはy軸方向位置センサ
19、23、鉛直方向の動きは、z軸方向位置センサ2
0、21、22により検出されてフィードバックされ
る。
た、半導体の製造に用いられるステージ装置の例を説明
する。図7は、本発明の実施の形態の1例である半導体
露光装置において、ウェハを搭載してその位置を移動さ
せるステージを示す概略構成図である。このステージに
おいては、半導体の製造に用いられるステージ装置60
0のYステージ600Yと、ウェハテーブル604との
間に、本発明に係る電磁アクチュエータが配置されてい
る。
ジ600Yとウェハテーブル604との位置調整(シフ
ト量の調整)に用いられるステージ装置600は、その
用途は限定されないが、この実施の形態では、ウェハ
(基板)W上にマスク(図示省略)に形成されたパター
ンを転写する露光装置における、ウェハWの移動手段と
して用いられる。
びY軸の2軸のX−Yステージ装置であり、ベース部6
02上をX方向(図中矢印Xで示す方向)に駆動される
Xステージ600X、Y方向(矢印Yで示す方向)に駆
動されるYステージ600Y、及びウェハテーブル(試
料台)604、Yステージ600Yとウェハテーブル6
04との間でシフト量を調整するための電磁アクチュエ
ータ(図7には表れていない)を主たる構成要素として
いる。
テージ600Y上に配置され、このウェハテーブル60
4にウェハホルダ(図示省略)を介してウェハ(基板)
Wが搭載される。
部が配置されており、照射部からマスク(共に図示省
略)を介して照射された露光光によって、前記ウェハW
上に予め塗布されたレジスト(図示省略)に、マスク上
の回路パターンが転写されるようになっている。
00X及びYステージ600Yの移動量は、各々、ウェ
ハテーブル604のX方向の端部、Y方向の端部に固定
された移動鏡605X、605Yと、これに対向するよ
うに、ベース部602に各々固定されたレーザ干渉計6
06X、606Yとによって計測される。そして、主制
御装置(図示省略)が、この計測結果を基に、ウェハテ
ーブル604をベース部602上の所望の位置に移動制
御するようになっている。
0X、Yステージ600Yは、固定子611を用いたリ
ニアモータ610、620によって、各々、ベース部6
02上をX方向、Y方向に駆動される。
子611は、共にベース602上に取付部616にて固
定され、可動子612は、各々、固定板607を介して
Xステージ600Xに固定されている。
621は共にXステージ600Xに固定され、可動子6
22(一方のみ図示)はYステージ600Yに固定され
ている。
路に流される温度調整用の冷却媒体によって冷却される
が、この冷却媒体は、温度調節機631にて温度調節さ
れる。なお、固定子611、621と温度調節機631
とは、吐出配管632、配管633等によって接続され
ている。
640と静圧気体軸受(図示省略)とが設けられて、エ
ア吹き出し口641、エア吸引口642によって静圧空
気軸受式のステージが構成されている。
るアクチュエータを用いているので、装置を小型化でき
ると共に、特性に経時変化のないものとすることができ
る。また、図6に示すような6自由度テーブル駆動装置
をYステージ600Yとウェハテーブル604との間に
設けることにより、6自由度の微調整を行うことができ
る。
光装置について説明する。図8は、本発明の実施の形態
の1例である露光装置を示す概要図である。この実施の
形態においては、図7に示したようなステージを、露光
装置700のレチクル(マスク)ステージ750の駆動
手段として用いている。すなわち、この実施の形態にお
いては、本発明に係るアクチュエータがレチクルステー
ジ750に組み込まれて(図8にはアクチュエータは表
れていない)、例えば、レチクルステージ750のチル
ト方向の駆動等を行うようになっている。
プ・アンド・スキャン露光方式の走査型露光装置であ
る。
に、照明系710と、レチクル(フォトマスク)Rを保
持するステージ可動部751と、投影光学系PLと、ウ
ェハ(基板)WをX−Y平面内でX方向−Y方向の2次
元方向に駆動するステージ装置800と、これらを制御
する主制御装置720等を備えている。前記照明系71
0は、光源ユニットから照射された露光光を、レチクル
R上の矩形(あるいは円弧状)の照明領域IARに均一
な照度で照射するものである。
ジ可動部751がレチクルベース(図示省略)上を所定
の走査速度でガイドレール(図示省略)に沿って移動さ
れる。又、ステージ可動部751の上面にはレチクルR
が、例えば真空吸着により固定される。又、ステージ可
動部751のレチクルRの下方には、露光光通過穴(図
示省略)が形成されている。
反射鏡715、レチクルレーザ干渉計716によって検
出され、ステージ制御系719は、この検出されたステ
ージ可動部751の移動位置に基づく主制御装置720
からの指示に応じて、ステージ可動部751を駆動す
る。
レチクルステージ750の下方に配置され、その光軸A
X(照明光学系の光軸IXに一致)の方向がZ軸方向と
される。ここではテレセントリックな光学配置となるよ
うに光軸AX方向に沿って所定間隔で配置された複数枚
のレンズエレメントから成る屈折光学系が使用されてい
る。従って、上記照明系710によりレチクルRの照明
領域IARが照明されると、レチクルRの照明領域IA
R内の回路パターンの縮小像(部分倒立像)が、ウェハ
W上の照明領域IARに共役な露光領域IAに形成され
る。
870を駆動手段として、テーブル818をX−Y面内
で2次元方向に駆動するものである。すなわち、ステー
ジ装置800は、ベース部821と、このベース部82
1の上面の上方に数μm程度のクリアランスを介して浮
上されるテーブル818と、このテーブル818を移動
させる平面モータ870とを具えている。ここでテーブ
ル818には、露光処理時、その上面にウェハ(基板)
Wが、例えば真空吸着によって固定される。
定され、ウェハ干渉計831からレーザビームが照射さ
れて、当該テーブル818のX−Y面内での移動位置が
検出されるようになっている。
ージ制御系719を介して主制御装置720に送られ
る。そして、ステージ制御系719は、この情報に基づ
く主制御装置720からの指示に従って、平面モータ8
70を作動させ、テーブル818をX−Y面内の所望の
位置に移動させる。
成する可動子(図示省略)の上面に、支持機構(図示省
略)によって異なる3点で支持されており、平面モータ
870によって、X方向、Y方向に駆動するのみならず
X−Y面に対して傾斜させたり、Z軸方向(上方)に駆
動させることができるようになっている。なお、平面モ
ータ870は、公知の構成であり、平面モータ870の
その他の説明は省略する。
り、その内部から生じる熱による温度上昇を防ぐための
冷却媒体が、供給管792、排出管793、温度調節装
置779の作用によって、循環されるようになってい
る。
む露光装置700においては、概ね、以下の手順で露光
処理が行われる。 (1)先ず、レチクルR、ウェハWがロードされ、次い
で、レチクルアラインメント、ベースライン計測、アラ
インメント計測等が実行される。 (2)アライメント計測の終了後には、ステップ・アンド
・スキャン方式の露光動作が行われる。 (3)露光動作にあたっては、レチクル干渉計716によ
るレチクルRの位置情報、ウェハ干渉計831によるウ
ェハWの位置情報に基づき、主制御装置720がステー
ジ制御系719に指令を出し、レチクルステージ750
の電磁アクチュエータ100、リニアモータ(図示省
略)及び平面モータ870によって、レチクルRとウェ
ハWとが同期して移動し、もって、所望の走査露光が行
われる。
に対するレチクルパターンの転写が終了すると、テーブ
ル818が1ショット領域分だけステッピングされて、
次のショット領域に対する走査露光が行われる。このス
テッピングと走査露光とが順次繰り返され、ウェハW上
に必要なショット数のパターンが転写される。
イスの製造は、概ね、図9、図10に示す手順で行われ
る。すなわち、半導体デバイスは、デバイスの機能・性
能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレ
チクルを製作するステップ、シリコン材料からウェハを
製作するステップ、前述した実施の形態の露光装置によ
りレチクルのパターンをウェハに転写するステップ、デ
バイス組み立てステップ(ダイシング工程、ボンディン
グ工程、パッケージ工程を含む)、検査ステップ等を経
て製造される。
バイスの製造方法について、更に詳細に説明する。図9
は、デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パ
ネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の
製造工程の例を示すフローチャートである。この図に示
されるように、まず、ステップ1001(設計ステッ
プ)において、デバイスの機能・性能設計(例えば、半
導体テバイスの回路設計等)を行い、その機能を実現す
るためのパターン設計を行う。引き続き、ステップ10
02(マスク製作ステップ)において、設計した回路パ
ターンを形成したマスク(レチクル)を製作する。一
方、ステップ1003(ウェハ製造ステップ)におい
て、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
ップ)において、ステップ1001〜ステップ1003
で用意したマスク(レチクル)とウェハを使用して、後
述するように、リソグラフィ技術等によってウェハ上に
実際の回路等を形成する。次いで、ステップ1005
(デバイス組立ステップ)において、ステップ1004
で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。この
ステップ1005には、ダイシング工程、ボンディング
工程、及びパッケージング工程(チップ封入)等の工程
が必要に応じて含まれる。
プ)において、ステップ1005で作製されたデバイス
の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こう
した工程を経た後にデバイスが完成し、これが出荷され
る。
る、上記ステップ1004の詳細な工程の例を示すフロ
ーチャートである。図10において、ステップ1011
(酸化ステップ)においてはウェハの表面を酸化させ
る。ステップ1012(CVDステップ)においてはウ
ェハ表面に酸化絶縁膜を形成する。ステップ1013
(電極形成ステップ)においてはウェハ上に電極を蒸着
によって形成する。ステップ1014(イオン打込みス
テップ)においてはウェハにイオンを打ち込む。
4それぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成
しており、各段階において必要な処理に応じて選択され
て実行される。
前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程
が実行される。この後処理工程では、まず、ステップ1
015(レジスト形成ステップ)において、ウェハに感
光剤を塗布する。引き続き、ステップ1016(露光ス
テップ)において、上で説明した露光装置を用いてマス
クの回路パターンをウェハに転写する。次に、ステップ
1017(現像ステップ)においては露光されたウェハ
を現像し、ステップ1018(エッチングステップ)に
おいて、レジストが残存している部分以外の部分の露出
部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップ1
019(レジスト除去ステップ)においてエッチングが
済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処
理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウ
ェハ上に多重に回路パターンが形成される。
光装置をステップ1016の露光ステップに用いている
ので、微細なパターンを有する半導体デバイスを、歩留
良く製造することができる。
とを静止した状態でマスクのパターンを露光し、基板を
順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート型
の露光装置のステージ装置としても適用することができ
る。
くマスクと基板とを密接させてマスクのパターンを露光
するプロキシミティ露光装置の駆動装置としても適用す
ることができる。さらに電子線を使用した電子線露光装
置の駆動装置としても適用することができる。
体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角
型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する
液晶用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための
露光装置にも適用できる。
心を示す図である。
タを示す概要図である。
タを示す概要図である。
チュエータを示す概要図(側面図)である。
チュエータを示す概要図(平面図)である。
動装置を示す概要図である。
置において、ウェハを搭載してその位置を移動させるス
テージを示す概略構成図である。
す概要図である。
である。
フローチャートである。
…コイル、5、5a〜5f…電磁石、6…非磁性板状
体、7a〜7d…磁性板状体、8…ボルト、10e…ヨ
ーク、11…ベース、12…テーブル、13…2次元ア
クチュエータ、13a…非磁性体からなる板状体、14
…2次元アクチュエータ、14a…非磁性体からなる板
状体、15…1次元アクチュエータ、15a…突起、1
6…1次元アクチュエータ、16a…突起、17…1次
元アクチュエータ、17a…突起、18…x軸方向位置
センサ、19…y軸方向位置センサ、20、21、22
…z軸方向位置センサ、23…y軸方向位置センサ
Claims (5)
- 【請求項1】 積層された磁性体からなる磁心を有する
電磁石であって、磁路を形成する部分に孔又は切り欠き
が設けられているものにおいて、当該穴の周囲、又は切
り欠きの周囲に、前記磁心を形成する磁性体より高い透
磁率を有する材料で一体形成された、磁路のバイパス部
を設けたことを特徴とする電磁石。 - 【請求項2】 請求項1に記載の電磁石を有することを
特徴とする電磁アクチュエータ。 - 【請求項3】 請求項2に記載の電磁アクチュエータ
が、ステージ部の駆動手段として用いられていることを
特徴とするステージ装置。 - 【請求項4】 基板上に所定のパターンを形成する露光
装置であって、請求項3に記載のステージ装置を備えて
いることを特徴とする露光装置。 - 【請求項5】 所定のパターンが形成されるデバイスを
製造するに当たり、請求項4に記載の露光装置を用い
て、レチクルのパターンを基板に転写する工程を有する
ことを特徴とするデバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001006293A JP2002217023A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 電磁石、電磁アクチュエータ、ステージ装置及び露光装置、及びデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001006293A JP2002217023A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 電磁石、電磁アクチュエータ、ステージ装置及び露光装置、及びデバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002217023A true JP2002217023A (ja) | 2002-08-02 |
Family
ID=18874198
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001006293A Pending JP2002217023A (ja) | 2001-01-15 | 2001-01-15 | 電磁石、電磁アクチュエータ、ステージ装置及び露光装置、及びデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2002217023A (ja) |
-
2001
- 2001-01-15 JP JP2001006293A patent/JP2002217023A/ja active Pending
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