JP2002214298A - 半導体集積回路装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置及びその製造方法Info
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- JP2002214298A JP2002214298A JP2001008705A JP2001008705A JP2002214298A JP 2002214298 A JP2002214298 A JP 2002214298A JP 2001008705 A JP2001008705 A JP 2001008705A JP 2001008705 A JP2001008705 A JP 2001008705A JP 2002214298 A JP2002214298 A JP 2002214298A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気的特性試験を行った後に、テスト専用回
路に電流が流れないようにして消費電力を低減した半導
体集積回路装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体集積回路装置は、通
常動作用の集積回路１２と、この通常動作用の集積回路
１２に電気的に接続された電源ＶDDと、ウエハの電気的
特性を試験する際に用いるテスト専用回路１３と、この
テスト専用回路１３と上記電源ＶDDとを電気的に接続す
るヒューズ１４と、を具備し、上記ヒューズ１４は、ウ
エハ状態での電気的特性試験を行った後に切断されるも
のである。
路に電流が流れないようにして消費電力を低減した半導
体集積回路装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体集積回路装置は、通
常動作用の集積回路１２と、この通常動作用の集積回路
１２に電気的に接続された電源ＶDDと、ウエハの電気的
特性を試験する際に用いるテスト専用回路１３と、この
テスト専用回路１３と上記電源ＶDDとを電気的に接続す
るヒューズ１４と、を具備し、上記ヒューズ１４は、ウ
エハ状態での電気的特性試験を行った後に切断されるも
のである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、テスト専用回路を
備えた半導体集積回路装置及びその製造方法に関するも
のである。特には、電気的特性試験を行った後に、テス
ト専用回路に電流が流れないようにして消費電力を低減
した半導体集積回路装置及びその製造方法に関するもの
である。
備えた半導体集積回路装置及びその製造方法に関するも
のである。特には、電気的特性試験を行った後に、テス
ト専用回路に電流が流れないようにして消費電力を低減
した半導体集積回路装置及びその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来の半導体集積回路装置につい
て説明する。半導体集積回路装置は、通常動作用の集積
回路及びテスト専用回路を備えている。通常動作用の集
積回路は配線により電源ＶDDに接続されており、この電
源には配線によりテスト専用回路も接続されている。従
って、テスト専用回路を備えた半導体集積回路装置は、
客先に出荷されて実際の製品に実装された後も、電源Ｖ
DDから電圧が供給された状態となっている。このため、
テスト専用回路は動作状態となっている。
て説明する。半導体集積回路装置は、通常動作用の集積
回路及びテスト専用回路を備えている。通常動作用の集
積回路は配線により電源ＶDDに接続されており、この電
源には配線によりテスト専用回路も接続されている。従
って、テスト専用回路を備えた半導体集積回路装置は、
客先に出荷されて実際の製品に実装された後も、電源Ｖ
DDから電圧が供給された状態となっている。このため、
テスト専用回路は動作状態となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
半導体集積回路装置におけるテスト専用回路は、ウエハ
状態で半導体集積回路装置の電気的特性を試験する際に
のみ用いる回路である。通常動作用の集積回路を動作さ
せる際にはテスト専用回路を使用することはない。従っ
て、ウエハ状態での電気的特性試験を行った後のテスト
専用回路は不要なものとなる。
半導体集積回路装置におけるテスト専用回路は、ウエハ
状態で半導体集積回路装置の電気的特性を試験する際に
のみ用いる回路である。通常動作用の集積回路を動作さ
せる際にはテスト専用回路を使用することはない。従っ
て、ウエハ状態での電気的特性試験を行った後のテスト
専用回路は不要なものとなる。
【０００４】しかしながら、前述したように客先に出荷
されて製品に実装された後もテスト専用回路は動作状態
となているため、テスト専用回路の分だけ消費電流が増
加することになる。つまり、テスト専用回路がある場合
は、通常動作用の集積回路とテスト専用回路の両方で電
力を消費することになるので、テスト専用回路を備えて
いる場合の消費電流は、テスト専用回路を備えていない
場合のそれに比べてテスト専用回路の分だけ増加するこ
とになる。
されて製品に実装された後もテスト専用回路は動作状態
となているため、テスト専用回路の分だけ消費電流が増
加することになる。つまり、テスト専用回路がある場合
は、通常動作用の集積回路とテスト専用回路の両方で電
力を消費することになるので、テスト専用回路を備えて
いる場合の消費電流は、テスト専用回路を備えていない
場合のそれに比べてテスト専用回路の分だけ増加するこ
とになる。
【０００５】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、電気的特性試験を行った
後に、テスト専用回路に電流が流れないようにして消費
電力を低減した半導体集積回路装置及びその製造方法を
提供することにある。
れたものであり、その目的は、電気的特性試験を行った
後に、テスト専用回路に電流が流れないようにして消費
電力を低減した半導体集積回路装置及びその製造方法を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る半導体集積回路装置は、通常動作用の
集積回路と、この通常動作用の集積回路に電気的に接続
された電源と、ウエハの電気的特性を試験する際に用い
るテスト専用回路と、このテスト専用回路と上記電源と
を電気的に接続するヒューズと、を具備し、上記ヒュー
ズは、ウエハ状態での電気的特性試験を行った後に切断
されるものであることを特徴とする。
め、本発明に係る半導体集積回路装置は、通常動作用の
集積回路と、この通常動作用の集積回路に電気的に接続
された電源と、ウエハの電気的特性を試験する際に用い
るテスト専用回路と、このテスト専用回路と上記電源と
を電気的に接続するヒューズと、を具備し、上記ヒュー
ズは、ウエハ状態での電気的特性試験を行った後に切断
されるものであることを特徴とする。
【０００７】本発明に係る半導体集積回路装置の製造方
法は、通常動作用の集積回路と、これと接続された電源
と、テスト専用回路と、これと電源とを接続するヒュー
ズと、を備えた半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、ウエハに、通常動作用の集積回路、テスト専用回
路、電源及びヒューズを形成する工程と、ウエハの電気
的特性試験を、テスト専用回路を用いて行う工程と、上
記ヒューズを切断する工程と、を具備することを特徴と
する。
法は、通常動作用の集積回路と、これと接続された電源
と、テスト専用回路と、これと電源とを接続するヒュー
ズと、を備えた半導体集積回路装置の製造方法であっ
て、ウエハに、通常動作用の集積回路、テスト専用回
路、電源及びヒューズを形成する工程と、ウエハの電気
的特性試験を、テスト専用回路を用いて行う工程と、上
記ヒューズを切断する工程と、を具備することを特徴と
する。
【０００８】上記半導体集積回路装置の製造方法によれ
ば、テスト専用回路を用いてウエハにおける半導体集積
回路装置の電気的特性試験を行った後、ヒューズを切断
することによりテスト専用回路と電源とを短絡させてい
る。このため、テスト専用回路を備えた半導体集積回路
装置であっても、客先に出荷されて実際の製品に実装さ
れる際には、テスト専用回路に電源から電圧が供給され
た状態となることがない。このようにテスト専用回路が
動作状態となっていないので、テスト専用回路が電力を
消費することもない。従って、半導体集積回路装置の消
費電力を低減することができる。
ば、テスト専用回路を用いてウエハにおける半導体集積
回路装置の電気的特性試験を行った後、ヒューズを切断
することによりテスト専用回路と電源とを短絡させてい
る。このため、テスト専用回路を備えた半導体集積回路
装置であっても、客先に出荷されて実際の製品に実装さ
れる際には、テスト専用回路に電源から電圧が供給され
た状態となることがない。このようにテスト専用回路が
動作状態となっていないので、テスト専用回路が電力を
消費することもない。従って、半導体集積回路装置の消
費電力を低減することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態による半導体集積回路装置を示す平面構成図である。
施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形
態による半導体集積回路装置を示す平面構成図である。
【００１０】この半導体集積回路装置１１は、通常動作
用の集積回路１２及びテスト専用回路１３を備えてい
る。通常動作用の集積回路１２は配線により電源ＶDDに
接続されている。テスト専用回路１３は配線によりヒュ
ーズ１４に接続されており、このヒューズ１４は配線に
より電源ＶDDに接続されている。このヒューズ１４は、
ウエハ状態での電気的特性試験を行った後に切断される
ものである。
用の集積回路１２及びテスト専用回路１３を備えてい
る。通常動作用の集積回路１２は配線により電源ＶDDに
接続されている。テスト専用回路１３は配線によりヒュ
ーズ１４に接続されており、このヒューズ１４は配線に
より電源ＶDDに接続されている。このヒューズ１４は、
ウエハ状態での電気的特性試験を行った後に切断される
ものである。
【００１１】このヒューズ１４は、種々のものを用いる
ことが可能であり、例えば、電流を流すことによるジュ
ール熱で例えばＡｌ層にて形成されたヒューズ（Ａｌヒ
ューズ）又は多結晶シリコン層にて形成されたヒューズ
（多結晶シリコンヒューズ）を溶断する電気ヒューズ方
式を用いることも可能である。また、レーザービームス
ポットによりＡｌヒューズ又は多結晶シリコンヒューズ
を溶断するレーザーヒューズ方式を用いることも可能で
ある。また、高抵抗多結晶シリコン層のレーザーによる
短絡（レーザーアニール法）、ツェナーザップダイオー
ド(Zener zap diode)、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ及び
フラッシュメモリ等の切換え用素子を使用した方法を用
いることも可能である。
ことが可能であり、例えば、電流を流すことによるジュ
ール熱で例えばＡｌ層にて形成されたヒューズ（Ａｌヒ
ューズ）又は多結晶シリコン層にて形成されたヒューズ
（多結晶シリコンヒューズ）を溶断する電気ヒューズ方
式を用いることも可能である。また、レーザービームス
ポットによりＡｌヒューズ又は多結晶シリコンヒューズ
を溶断するレーザーヒューズ方式を用いることも可能で
ある。また、高抵抗多結晶シリコン層のレーザーによる
短絡（レーザーアニール法）、ツェナーザップダイオー
ド(Zener zap diode)、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ及び
フラッシュメモリ等の切換え用素子を使用した方法を用
いることも可能である。
【００１２】上記切換え用素子を使用した方法は、短絡
すべき素子に対して電気信号を供給することによって該
切換え素子を短絡するものである。具体的には、ＥＰＲ
ＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ及びフラッシュメモリにおいては、
コントロールゲートを通じて電気信号を供給することに
より、フローティングゲートをチャージアップさせ、こ
れによってソース／ドレイン領域の間を短絡状態にする
ものである。
すべき素子に対して電気信号を供給することによって該
切換え素子を短絡するものである。具体的には、ＥＰＲ
ＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ及びフラッシュメモリにおいては、
コントロールゲートを通じて電気信号を供給することに
より、フローティングゲートをチャージアップさせ、こ
れによってソース／ドレイン領域の間を短絡状態にする
ものである。
【００１３】次に、上記半導体集積回路装置を製造する
方法について説明する。まず、半導体ウエハに、通常動
作用の集積回路１２、テスト専用回路１３、電源ＶDD及
びこの電源とテスト専用回路１３を接続するヒューズ１
４を備えた半導体集積回路装置１１を形成する。その
後、ウエハ状態で、テスト専用回路１３を用いて半導体
集積回路装置１１の電気特性試験を行う。この後、ヒュ
ーズ１４を切断する。
方法について説明する。まず、半導体ウエハに、通常動
作用の集積回路１２、テスト専用回路１３、電源ＶDD及
びこの電源とテスト専用回路１３を接続するヒューズ１
４を備えた半導体集積回路装置１１を形成する。その
後、ウエハ状態で、テスト専用回路１３を用いて半導体
集積回路装置１１の電気特性試験を行う。この後、ヒュ
ーズ１４を切断する。
【００１４】上記実施の形態によれば、テスト専用回路
１３を用いてウエハにおける半導体集積回路装置の電気
的特性試験を行った後、ヒューズ１４を切断することに
よりテスト専用回路１３と電源ＶDDとを短絡させてい
る。このため、テスト専用回路１３を備えた半導体集積
回路装置であっても、客先に出荷されて実際の製品に実
装される際には、テスト専用回路１３に電源ＶDDから電
圧が供給された状態となることがない。このようにテス
ト専用回路１３が動作状態となっていないので、テスト
専用回路が電力を消費することもない。従って、半導体
集積回路装置の消費電力を削減することができる。
１３を用いてウエハにおける半導体集積回路装置の電気
的特性試験を行った後、ヒューズ１４を切断することに
よりテスト専用回路１３と電源ＶDDとを短絡させてい
る。このため、テスト専用回路１３を備えた半導体集積
回路装置であっても、客先に出荷されて実際の製品に実
装される際には、テスト専用回路１３に電源ＶDDから電
圧が供給された状態となることがない。このようにテス
ト専用回路１３が動作状態となっていないので、テスト
専用回路が電力を消費することもない。従って、半導体
集積回路装置の消費電力を削減することができる。
【００１５】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々変更して実施
することが可能である。
ず、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々変更して実施
することが可能である。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、テ
スト専用回路を用いてウエハにおける半導体集積回路装
置の電気的特性試験を行った後、ヒューズを切断するこ
とによりテスト専用回路と電源とを短絡させることがで
きる。したがって、電気的特性試験を行った後に、テス
ト専用回路に電流が流れることがなく、半導体集積回路
装置の消費電力を低減させることができる。
スト専用回路を用いてウエハにおける半導体集積回路装
置の電気的特性試験を行った後、ヒューズを切断するこ
とによりテスト専用回路と電源とを短絡させることがで
きる。したがって、電気的特性試験を行った後に、テス
ト専用回路に電流が流れることがなく、半導体集積回路
装置の消費電力を低減させることができる。
【図１】本発明の実施の形態による半導体集積回路装置
を示す平面構成図である。
を示す平面構成図である。
１１…半導体集積回路装置 １２…通常動作用の集積回路 １３…テスト専用回路 １４…ヒューズ ＶDD…電源
Claims (2)
- 【請求項１】 通常動作用の集積回路と、 この通常動作用の集積回路に電気的に接続された電源
と、 ウエハの電気的特性を試験する際に用いるテスト専用回
路と、 このテスト専用回路と上記電源とを電気的に接続するヒ
ューズと、 を具備し、 上記ヒューズは、ウエハ状態での電気的特性試験を行っ
た後に切断されるものであることを特徴とする半導体集
積回路装置。 - 【請求項２】 通常動作用の集積回路と、これと接続さ
れた電源と、テスト専用回路と、これと電源とを接続す
るヒューズと、を備えた半導体集積回路装置の製造方法
であって、 ウエハに、通常動作用の集積回路、テスト専用回路、電
源及びヒューズを形成する工程と、 ウエハの電気的特性試験を、テスト専用回路を用いて行
う工程と、 上記ヒューズを切断する工程と、 を具備することを特徴とする半導体集積回路装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001008705A JP2002214298A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001008705A JP2002214298A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002214298A true JP2002214298A (ja) | 2002-07-31 |
Family
ID=18876284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001008705A Withdrawn JP2002214298A (ja) | 2001-01-17 | 2001-01-17 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002214298A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107861047A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-03-30 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 安全测试模式的检测系统及检测方法 |
-
2001
- 2001-01-17 JP JP2001008705A patent/JP2002214298A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107861047A (zh) * | 2017-11-01 | 2018-03-30 | 北京智芯微电子科技有限公司 | 安全测试模式的检测系统及检测方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080401 |